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CAPACITANCIA
Introduccin
En este captulo analizaremos el primero de tres elementos simples que forman parte de
circuitos que se usan cotidianamente. Este elemento es el capacitor, un dispositivo que puede
almacenar energa elctrica y carga elctrica. Esta constituido por dos conductores cualquiera
separados por un aislante o simplemente por vaco. En casi todas las aplicaciones prcticas, cada
conductor tiene inicialmente carga neta cero y, para cargarlo se transfieren electrones de un
conductor a otro, de manera tal que los dos conductores adquieren cargas de igual magnitud y
signos opuestos, por lo que la carga neta total del capacitor sigue siendo cero. As cuando
decimos que un capacitor tiene carga Q queremos decir que el conductor que esta a mayor
potencial tiene carga +Q y el conductor a menor potencial tiene carga -Q.
Una manera comn de cargar un capacitor consiste en conectar los alambres del mismo a
bornes opuestos de una batera. Una vez que se alcanzan las cargas +Q y -Q se desconecta la
batera. Esto proporciona una diferencia de potencial fija entre los conductores (Vab) que es
exactamente igual al voltaje de la batera.
El campo elctrico en cualquier punto de la regin entre los conductores es proporcional a la
magnitud Q de la carga y por consiguiente la diferencia de potencia tambin lo es. Si se duplica la
magnitud de la carga en cada conductor, se duplica tambin la magnitud del campo elctrico y la
diferencia de potencial entre los conductores. Sin embargo la relacin de carga respecto de la
diferencia de potencial no cambia. Esta relacin se conoce como capacitancia C del capacitor.
Clculo de la capacitancia
Vab
cantidad de carga en las superficies exteriores es tan pequea que puede despreciarse y se
puede pasar por alto la dispersin de los bordes.
En ese caso se supone que el campo es
uniforme en la regin interior de las placas o que
las cargas estn distribuidas uniformemente en las
superficies opuestas.
s2
Figura 3
, esto nos
Para que podamos observar el tamao de 1F, consideremos dos placas separadas 1mm el
rea de las mismas para tener la capacidad mencionada es:
Capacitor esfrico
Siguiendo el mismo procedimiento anterior calcularemos el campo elctrico entre las placas del
capacitor. Emplearemos la ley Gauss tomando una superficie gaussiana, s, es decir una esfera de
radio r comprendida entre los dos radios y concntrico a ellas,
Figura 4.
La ley de Gauss establece que:
ra
r
Por simetra E es constante en magnitud y paralelo al
todos sus puntos
rb
Figura 4
en
C=
4 0 ra rb
Q
=
Vab
rb ra
Capacitor Cilndrico
El campo elctrico entre las placas es:
Figura 5
Donde rb es el radio del cilindro exterior, y considerando V=0 (superficie interna del cilindro
exterior) por lo que el potencial de la superficie externa del cilindro interior es simplemente igual al
potencial Vab.
La carga total Q en un tramo de longitud L es Q=L de acuerdo a la ecuacin de capacidad de
un tramo de longitud, se tiene:
Combinaciones de capacitares
Los capacitores se fabrican con ciertas capacidades estndar y tensiones que pueden
soportar con seguridad, sin embargo esto valores estndar pueden no ser los que uno necesita
en una aplicacin especfica. Para obtener los valores necesarios se combinan capacitores,
siendo muchas las posibilidades, entre las ms simples las conexiones en serie y paralelo.
Capacitores en paralelo: Si dos capacitores estn conectados en paralelo entre los puntos a y
b, las placas izquierdas de los dos capacitores estn conectadas mediante alambres conductores
para formar una superficie equipotencial y las
placas derechas forman otra, Figura 7. Por lo tanto
en una conexin en paralelo las diferencias de
potencial de todos los capacitores individuales es la
misma e igual Vab=V. Las cargas Q1 y Q2 no son
necesariamente iguales puesto que la carga de
cada uno depende de la capacidad de los mismos.
Dichas cargas son:
Q1=C1VAB
y
Q2=C2VAB
Ceq
Figura 7
La combinacin en paralelo es equivalente a otro
capacitor con la misma carga total Q y diferencia de
potencial V que la combinacin. La capacitancia equivalente es igual a
componente equivalente:
de este nico
Para n capacitores:
La capacidad equivalente de una conexin en paralelo siempre mayor que cualquiera de las
capacidades individuales.
Almacenamiento de energa
Muchas de las aplicaciones ms importantes de los capacitores dependen de su alcance para
almacenar energa. La energa potencial almacenada en un capacitor cargado es simplemente
igual a la cantidad de trabajo que se necesita para cargarlo, es decir para separar cargas
opuestas y colocarlas en diferentes conductores. Cuando se descarga el capacitor, esta energa
almacenada se recupera en forma de trabajo realizado por fuerzas elctricas.
Supngase que al terminar de cargar un capacitor la carga final es Q y la diferencia de
potencial V, de acuerdo con lo visto anteriormente estas cantidades se relacionan como:
El trabajo total que se necesita para aumentar la carga del capacitor de cero a un valor final Q
es:
Esto tambin es igual al trabajo total que el campo elctrico realiza sobre una carga cuando el
capacitor se descarga.
durante
el proceso de carga.
La expresin
entonces
densidad de energa u en el vacio, que permite considerar que en cierta manera la energa de
un capacitor esta distribuida en todo el volumen del espacio que contiene el campo elctrico
creado por el capacitor. Desde este punto de vista, la energa es el trabajo necesario para
establecer ese campo elctrico en su totalidad.
Esto es vlido para cualquier forma de capacitor.
Dielctricos
Como vimos en las secciones anteriores la capacitancia depende de la configuracin
geomtrica de los conductores. Hasta ahora supusimos que la regin entre los conductores esta
ocupada por aire (o mas apropiadamente por vaco). Michael Faraday descubri que se puede
aumentar la capacitancia llenando el espacio vaco con un dielctrico, es decir una sustancia
aislante.
La presencia de un dielctrico entre las placas conductoras de un capacitor tiene tres
funciones:
Primero: Resuelve el problema mecnico de mantener las dos lminas metlicas grandes
separadas por una distancia muy pequea.
Segundo: el uso del dielctrico aumenta la mxima diferencia de potencial posible entre
las placas y as almacena mayores cantidades de carga y energa.
Tercero: aumenta la capacitancia.
Este efecto se demuestra con la ayuda de un electrmetro.
Dielctrico
Vaco
-Q
-Q
Vo
Vo
Figura 8.
V<V0
La capacidad en el vaco es
Sustituyendo
Se encuentra
El producto k.0=, entonces la permisividad del medio en trminos de es
La capacidad
distancia a1 de una de las placas y a una distancia a2 de la otra, como el campo elctrico se
anula dentro del conductor, este debe establecer un
campo elctrico en su interior que cancele exactamente el
+
+
campo producido por el capacitor. Podemos observar que
+
+
cuando colocamos un conductor en el interior de las
+
+
placas se produce una separacin de cargas libres que
+
+
producen una densidad de carga positiva en una
+
+
superficie y una densidad de carga negativa en la otra. Por
+
+
esto ahora tenemos dos capacitores en serie con
capacitancias:
a1
a2
Entonces:
, como a1+a2 es menor que el espacio total entre las placas C debe ser
Por lo tanto es fcil comprender que haya una capacidad mayor despus de introducir un
material conductor. Ahora, si introducimos una sustancia aislante o material dielctrico, vidrio o
mica, como encontr Faraday, no hay cargas libres que se muevan como respuesta a campos
elctricos aplicados, como en los materiales conductores, un dielctrico tambin puede aumentar
la capacitancia. Adems, Faraday demostr que al llenar todo el espacio entre los conductores, el
aumento de la capacitancia depende del material dielctrico elegido, siendo equivalente a
multiplicar la capacitancia por una constante k.
La constante k recibe el nombre de constante dielctrica del aislante, en el caso del vacio tiene
el valor 1. Al igual que para un material conductor, un dielctrico entre las placas de un capacitor
produce un campo elctrico, esto es, la aplicacin de un campo elctrico externo induce un
momento dipolar en cada tomo o molcula directamente proporcional a la intensidad del campo,
es decir que ocasiona una pequea separacin espacial de carga dentro de cada tomo o
molcula, con la consecuencia de cada uno produce un campo elctrico dipolar cuya direccin se
opone a la del campo aplicado E.
Suponga que una pequea molcula adquiere un pequeo momento dipolar pi , entonces un
elemento de volumen V que contenga m dipolos de esta clase tendr un momento dipolar de:
Esto define un nuevo campo vectorial dentro del dielctrico. De acuerdo con esta definicin, la
polarizacin es un vector que representa el momento dipolar adquirido por cada elemento de
volumen V, divido entre el volumen de ese elemento.
La existencia de polarizacin implica la presencia de un campo elctrico adicional que cancela
parcialmente al campo original que produjo a P. El mtodo que se emplea para calcular el nuevo
campo elctrico es el mtodo de Gauss, que determina la relacin entre la polarizacin y la
densidad de carga.
Considere un material dielctrico en el que P es uniforme en todas partes, la densidad de
carga total ser cero en cualquier volumen interior porque habr tantas cargas positivas como
negativas, no as en las superficies exteriores, donde se desarrolla un densidad de carga
superficial. Suponga que dentro de cualquier molcula se produce una separacin media de
entre las cargas +q y q. Sea A el rea de la placa del dielctrico, entonces dentro del volumen
P=q
Figura 10.
P =b
Observemos que la presencia del dielctrico reduce el campo elctrico entre las placas del
capacitor. Sustituyendo en la ecuacin anterior b= P.n = P
Podemos decir que:
La combinacin vectorial 0 E + P se conoce como vector de desplazamiento elctrico (o
induccin elctrica) D, y est relacionado con la densidad de cargas libre. En efecto podemos
volver a expresar la ley de Gauss en funcin de D en forma simple
(
S
r r
r
E + P n da = D n da = q f
En la que q f es la cantidad total de carga libre encerrada por la superficie Gaussiana. De esta
forma utilizaremos la ley de Gauss en el caso en que hay materiales dielctricos. Observemos que
la carga encerrada es slo la carga libre ya que al incluir el trmino de la polarizacin en la
integral, se toman en cuenta completamente los efectos debidos a la distribucin de carga ligada.
Si tenemos dos capacitores uno vaco y otro con dielctrico ambos tienen el mismo vector
desplazamiento
Al aumentar el campo elctrico dentro de un dielctrico, tambin aumenta la separacin
espacial de los centros de carga positiva y negativa dentro de cada tomo o molcula del material.
Para la gran mayora de los materiales, cuando los campos elctricos no son muy intensos,
podemos suponer que la polarizacin P vara linealmente con el campo aplicado. En este caso,
r
r
P = 0 E
f = 0 E + P = 0 E + 0 E = (1 + ) 0 E
O bien
E=
En la que
1 f
1+ 0
f
podemos volver
a calcular la capacitancia de un capacitor de placas paralelas, suponiendo que el espacio entre las
armaduras est completamente lleno de un material aislante de permisividad .
Podemos escribir
f =
qf
A
= E =
V
d
Observemos que la capacitancia aument, con respecto a otro capacitor donde no hay
dielctrico en el medio, en un factor
podemos ver que dicha constante dielctrica debe estar dada por
K=
= (1 + )
0
= 49
De acuerdo a lo visto anteriormente C = (1 + ) C0 = (1 + 49 ) x10-6 F
Para obtener la carga ligada, calcularemos primero el vector polarizacin en el dielctrico:
P = 0 E = 49 0 E
49 0
1 f
50 0
= 0,98 f
P = b =
q b qb 0 (1,96 10 4 )(8,85 10 12 )
C
=
=
= 8,7 10 7 2
6
3
A C0 d
(10 )(2 10 )
m
E=
Por lo tanto,
qf
A
C V
1 f
V
= 0,02
= 0,02 0
= 0,02 0 V = 0,02
50 0
A 0
A 0
Ad 0
d
E = 0,02
200
= 2 10 3 V
m
2 10 3
Tan solo un dos por ciento puede producir campo por lo que la capacidad
considerablemente.
Por ltimo, la magnitud del vector desplazamiento D es la densidad de cargas libres:
D=
qf
A
= 0
V
= 8,85 10 7 C 2
m
d
aumenta
Bibliografa consultada:
1) McKelvey Grothch. Fsica para Ciencias e Ingeniera Vol. II
2) Alonso Finn. Campos y ondas Vol. II
3) Kip Fundamentos de Electricidad y magnetismo
4) Serway, R. Fsica Vol. II Tercera Edicin. Mac Graw Hill. 1997.
5) Sears, F. W., Zemansky, M. W., Young, H. D. y Freedman, R. A. Fsica Universitaria Vol II.
Mxico. Addison Wesley Longman; 1998.
6) Esquembre, F.; Martn, E.; Christian, W. y Velln, M. Fislets. Enseanza de la Fsica con
material interactivo. Prentice Hall. 2004.
7) Giancoli, C. Fsica. Tercera Edicin. Prentice Hall. 1994.
8) Hewitt, P. Fsica Conceptual. Segunda Edicin. Addison Wesley. 1992.