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Ing. Graciela M.

Musso

Prof. Adjunta Fsica II

CAPACITANCIA
Introduccin
En este captulo analizaremos el primero de tres elementos simples que forman parte de
circuitos que se usan cotidianamente. Este elemento es el capacitor, un dispositivo que puede
almacenar energa elctrica y carga elctrica. Esta constituido por dos conductores cualquiera
separados por un aislante o simplemente por vaco. En casi todas las aplicaciones prcticas, cada
conductor tiene inicialmente carga neta cero y, para cargarlo se transfieren electrones de un
conductor a otro, de manera tal que los dos conductores adquieren cargas de igual magnitud y
signos opuestos, por lo que la carga neta total del capacitor sigue siendo cero. As cuando
decimos que un capacitor tiene carga Q queremos decir que el conductor que esta a mayor
potencial tiene carga +Q y el conductor a menor potencial tiene carga -Q.
Una manera comn de cargar un capacitor consiste en conectar los alambres del mismo a
bornes opuestos de una batera. Una vez que se alcanzan las cargas +Q y -Q se desconecta la
batera. Esto proporciona una diferencia de potencial fija entre los conductores (Vab) que es
exactamente igual al voltaje de la batera.
El campo elctrico en cualquier punto de la regin entre los conductores es proporcional a la
magnitud Q de la carga y por consiguiente la diferencia de potencia tambin lo es. Si se duplica la
magnitud de la carga en cada conductor, se duplica tambin la magnitud del campo elctrico y la
diferencia de potencial entre los conductores. Sin embargo la relacin de carga respecto de la
diferencia de potencial no cambia. Esta relacin se conoce como capacitancia C del capacitor.

La capacitancia C se expresa en coulomb por volt, que corresponden a su unidad, el Faraday,


entonces

Cuando mayor es la capacidad de un capacitor, ms grande es la magnitud de la carga en


cualquiera de los conductores con una diferencia de potencial determinada y en consecuencia
mayor la cantidad de energa almacenada. As que la capacitancia es una medida del alcance de
un capacitor para almacenar carga.

Clculo de la capacitancia
Vab

Para calcular la capacitancia de un capacitor es


necesario hallar la diferencia de potencial Vab entre los
conductores para una carga dada. Por ahora solo
consideraremos capacitores separados por un espacio
vaco, Figura 1.

Consideremos primeramente un capacitor de placas


planas y paralelas separados por vaco que es la forma
ms simple de un capacitor. Sea A el rea de cada una de
las placas y d la separacin entre las mismas. Cuando las
placas tienen carga el campo elctrico se localiza casi en
su totalidad en la regin comprendida entre las placas y es
Figura 1: Capacitor de placas paralelas
prcticamente uniforme.
Dado que las cargas opuestas se atraen, la mayor
parte de la carga se acumula en las caras interiores de las placas. Una pequea cantidad de
carga reside en las superficies exteriores y hay cierta dispersin del campo en las orillas, ver
Figura 2, pero si las placas son muy grandes en comparacin con la distancia que las separa, la

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cantidad de carga en las superficies exteriores es tan pequea que puede despreciarse y se
puede pasar por alto la dispersin de los bordes.
En ese caso se supone que el campo es
uniforme en la regin interior de las placas o que
las cargas estn distribuidas uniformemente en las
superficies opuestas.

Figura 2: Campo generado entre las placas


paralelas.

Aplicando el teorema de Gauss aprovechando la simetra, podemos emplear las superficies


gaussianas s1, s2, s3 y s4.
Estas superficies son cilindros con extremos de rea A, donde un extremo de cada superficie
se encuentra dentro de una de las placas conductoras. Tomemos
primeramente
la superficie s1, el extremo izquierdo esta dentro de
E1
la placa 1 (positiva). Como el campo es cero dentro del volumen
E1
E1
del conductor en condiciones electrostticas, no hay flujo elctrico
s1
a travs de este extremo. El campo elctrico entre las placas es
s3
perpendicular al extremo derecho, no hay flujo a travs de la
pared lateral del cilindro por que sta es paralela al campo, por lo
s4
tanto:

s2

Figura 3

El campo es uniforme y perpendicular a las placas y su magnitud es independiente de la


distancia respecto a cualquiera de ellas. Para la superficie s4 se obtiene el mismo resultado.
Si empleamos la superficie s2 y s3 observamos que como la carga encerrada es nula el campo
E=0, a la izquierda de la placa 1 y a la derecha de la placa 2.
El campo es uniforme y la distancia entre las placas es d

, esto nos

dice que la capacitancia es:

La capacitancia solo depende de la geometra de cada capacitor, y es directamente


proporcional al rea de las placas e inversamente proporcional a su separacin d.
Los valores de A y d son constantes con respecto a un capacitor dado y 0 es una constante
universal.
Por lo tanto en el vaco C es independiente de la carga del capacitor y de la diferencia de de
potencial entre sus placas.
En la ecuacin anterior A (m2), d en m y C en Faraday:

Un Faradio es una cantidad muy grande. En muchas aplicaciones las unidades ms


convenientes son el microfaradio y el picofaradio.

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Para que podamos observar el tamao de 1F, consideremos dos placas separadas 1mm el
rea de las mismas para tener la capacidad mencionada es:

Corresponde a un cuadrado de aproximadamente 10 km de lado.

Capacitor esfrico
Siguiendo el mismo procedimiento anterior calcularemos el campo elctrico entre las placas del
capacitor. Emplearemos la ley Gauss tomando una superficie gaussiana, s, es decir una esfera de
radio r comprendida entre los dos radios y concntrico a ellas,
Figura 4.
La ley de Gauss establece que:

ra

r
Por simetra E es constante en magnitud y paralelo al
todos sus puntos

rb

Figura 4

en

El campo elctrico en el interior es el producido por la carga


interna positiva.

La expresin del potencial:

Por ltimo la capacitancia es:

C=

4 0 ra rb
Q
=
Vab
rb ra

Capacitor Cilndrico
El campo elctrico entre las placas es:

Como el campo elctrico tiene solo componente radial, el producto


escalar
es igual a
. Por lo tanto el potencial de cualquier
del cilindro
punto a respecto de otro b, a distancias radiales
cargado es (ver Figura 5):

Figura 5

Donde rb es el radio del cilindro exterior, y considerando V=0 (superficie interna del cilindro
exterior) por lo que el potencial de la superficie externa del cilindro interior es simplemente igual al
potencial Vab.
La carga total Q en un tramo de longitud L es Q=L de acuerdo a la ecuacin de capacidad de
un tramo de longitud, se tiene:

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La capacidad por unidad de longitud es:

Combinaciones de capacitares
Los capacitores se fabrican con ciertas capacidades estndar y tensiones que pueden
soportar con seguridad, sin embargo esto valores estndar pueden no ser los que uno necesita
en una aplicacin especfica. Para obtener los valores necesarios se combinan capacitores,
siendo muchas las posibilidades, entre las ms simples las conexiones en serie y paralelo.

Capacitores en serie: dos capacitores se conectan en serie (uno a continuacin de otro)


mediante alambres conductores entre los puntos a y b , como se observa en la Figura 6.
Ambos estn inicialmente descargados, al aplicarse
c
una diferencia de potencial Vab positiva y constante
entre los puntos a y b, los capacitores se cargan de
a
C1
b
C2
forma tal que la placa izquierda del capacitor C1
adquiere una carga positiva Q. El campo elctrico de
Vab=V
esta carga positiva atrae carga negativa hacia la placa
derecha de C1 (induccin) hasta que todas las lneas
Figura 6
de campo que comienzan en la placa positiva derecha
terminen en la placa izquierda. Para ello es necesario
que la placa derecha tenga una carga Q. Estas cargas negativas vinieron de la placa izquierda
de C2, la cual se carga positivamente con carga +Q. a su vez esta carga atrae o induce carga
negativa Q de la conexin en el punto b hacia la placa derecha de C1 y la izquierda de C2 en
conjunto debe ser siempre igual a cero porque estas placas solo estn conectadas entre ellas.
Remitindonos a la figura podemos escribir las diferencias de potencial entre los puntos a y c, c y
b y a y b como:

Definimos la capacidad equivalente Ceq de una combinacin en serie como la capacitancia de un


solo capacitor que tenga la misma carga Q que la combinacin cuando la diferencia de potencial V
es la misma: En otras palabras la combinacin se puede sustituir por un capacitor equivalente de
capacitancia

Combinando ambas ecuaciones tenemos:

Esto es valido para cualquier nmero de capacitores en serie:

La capacitancia equivalente es siempre menor que cualquiera de las capacidades individuales.

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Capacitores en paralelo: Si dos capacitores estn conectados en paralelo entre los puntos a y
b, las placas izquierdas de los dos capacitores estn conectadas mediante alambres conductores
para formar una superficie equipotencial y las
placas derechas forman otra, Figura 7. Por lo tanto
en una conexin en paralelo las diferencias de
potencial de todos los capacitores individuales es la
misma e igual Vab=V. Las cargas Q1 y Q2 no son
necesariamente iguales puesto que la carga de
cada uno depende de la capacidad de los mismos.
Dichas cargas son:
Q1=C1VAB
y
Q2=C2VAB

Ceq

La carga tota Q de la combinacin es:


Q = Q1 + Q2= (C1 + C2) V
por consiguiente:

Figura 7
La combinacin en paralelo es equivalente a otro
capacitor con la misma carga total Q y diferencia de
potencial V que la combinacin. La capacitancia equivalente es igual a
componente equivalente:

de este nico

Para n capacitores:
La capacidad equivalente de una conexin en paralelo siempre mayor que cualquiera de las
capacidades individuales.

Almacenamiento de energa
Muchas de las aplicaciones ms importantes de los capacitores dependen de su alcance para
almacenar energa. La energa potencial almacenada en un capacitor cargado es simplemente
igual a la cantidad de trabajo que se necesita para cargarlo, es decir para separar cargas
opuestas y colocarlas en diferentes conductores. Cuando se descarga el capacitor, esta energa
almacenada se recupera en forma de trabajo realizado por fuerzas elctricas.
Supngase que al terminar de cargar un capacitor la carga final es Q y la diferencia de
potencial V, de acuerdo con lo visto anteriormente estas cantidades se relacionan como:

Sean q y v la carga y el potencial respectivamente, en una etapa intermedia del proceso de


carga, entonces se tiene que

. En esta etapa el trabajo que se requiere dW para transferir un

elemento de carga adicional dq es:

El trabajo total que se necesita para aumentar la carga del capacitor de cero a un valor final Q
es:

Esto tambin es igual al trabajo total que el campo elctrico realiza sobre una carga cuando el
capacitor se descarga.

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Si definimos como cero la energa potencial de un capacitor descargado entonces W es igual a


la energa potencial U del capacitor cargado, la carga almacenada final es: Q=CV se puede
expresar U que es igual a W como:

Cuando Q esta en Coulomb, C en Faraday y V en voltios, entonces U esta en Joule.


La forma final de esta ecuacin muestra que el trabajo total que se requiere para cargar el
capacitor es igual a la carga total multiplicada por la diferencia de potencial promedio

durante

el proceso de carga.
La expresin

muestra que el capacitor es el anlogo elctrico de un resorte estirado

cuya energa potencial elstica es


de la capacitancia

. La carga es anloga al alargamiento x, y la inversa

es el anlogo de la constante de fuerza elstica k. La energa que se

suministra a un capacitor es anloga al trabajo que se realiza sobre un resorte estirado.

Energa del campo elctrico


Se puede cargar un capacitor trasladando electrones directamente de un aplaca a la otra. Para
ello es necesario realizar trabajo en contra de las lneas de campo elctrico existente entre las
placas. De esta manera decimos que la energa esta almacenada en el campo de la regin
comprendida entre las placas. A fin de formular una relacin hallaremos la energa electrosttica
almacenada por unidad de volumen en el espacio entre las placas de un capacitor de placas
paralelas con rea A y separacin d. Si a esta relacin la llamamos densidad de energa y la
denominamos u, resulta:

donde v es volumen. Recordando que la capacidad de un capacitor de placas paralelas es:

y la diferencia V esta relacionada con el campo E segn

entonces

densidad de energa u en el vacio, que permite considerar que en cierta manera la energa de
un capacitor esta distribuida en todo el volumen del espacio que contiene el campo elctrico
creado por el capacitor. Desde este punto de vista, la energa es el trabajo necesario para
establecer ese campo elctrico en su totalidad.
Esto es vlido para cualquier forma de capacitor.

Dielctricos
Como vimos en las secciones anteriores la capacitancia depende de la configuracin
geomtrica de los conductores. Hasta ahora supusimos que la regin entre los conductores esta
ocupada por aire (o mas apropiadamente por vaco). Michael Faraday descubri que se puede
aumentar la capacitancia llenando el espacio vaco con un dielctrico, es decir una sustancia
aislante.
La presencia de un dielctrico entre las placas conductoras de un capacitor tiene tres
funciones:

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Primero: Resuelve el problema mecnico de mantener las dos lminas metlicas grandes
separadas por una distancia muy pequea.
Segundo: el uso del dielctrico aumenta la mxima diferencia de potencial posible entre
las placas y as almacena mayores cantidades de carga y energa.
Tercero: aumenta la capacitancia.
Este efecto se demuestra con la ayuda de un electrmetro.
Dielctrico

Vaco

-Q

-Q

Vo
Vo

Figura 8.
V<V0
La capacidad en el vaco es

y la capacidad con el dielctrico es

La carga es la misma en ambos casos y V es menor que V0 la capacidad C con el dielctrico


es mayor que Co la proporcin de C a Co (igual a proporcin de V0 a V) recibe el nombre de
constante dielctrica k:

cuando la carga es constante Q=C0V0=CV y

La constante dielctrica k es un numero adimensional mayor que la unidad.

Carga inducida y polarizacin


Cuando se inserta un dielctrico entre las placas y se mantiene constante la carga la
diferencia de potencial disminuye por un factor k por consiguiente el campo entre las placas debe
disminuir por el mismo factor as:

Dado que la magnitud de E es menor cuando el dielctrico esta presente, la densidad


superficial de carga tambin debe ser ms pequea.
La carga superficial de la placa no cambia, pero aparece una carga inducida de signo opuesto
en cada superficie del dielctrico, que aparecen como redistribucin de la carga positiva y
negativa en el interior del dielctrico, este fenmeno se conoce como polarizacin. La carga neta
del material aislante sigue siendo cero.

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Supongamos que la carga inducida es directamente proporcional a la magnitud de E en el


material (para muchos materiales). Esta proporcionalidad directa es anloga a la ley de Hook
referida a resortes.
Para encontrar la relacin entre la carga superficial inducida y la carga de las placas,
denominemos b a la densidad inducida en el dielctrico, mientras que es la magnitud de la
densidad superficial en las placas conductoras la carga superficial neta es (-b) en cada placa.
Como sabemos el E entre las placas es

Sustituyendo
Se encuentra
El producto k.0=, entonces la permisividad del medio en trminos de es
La capacidad

En el vaco k=1 y =0 cuyas unidades son C2/Nm2 F/m.

Los dielctricos aumentan la capacitancia


Michael Faraday descubri que se puede aumentar la capacitancia de un condensador
llenando el espacio con un dielctrico, es decir, con un material aislante.
Antes de hablar del dielctrico, consideraremos la alteracin producida en un capacitor cuando
se coloca un conductor en el espacio entre las placas, como se muestra en la Figura 9.
Inicialmente la capacitancia es

. Supongamos que el conductor introducido esta a una

distancia a1 de una de las placas y a una distancia a2 de la otra, como el campo elctrico se
anula dentro del conductor, este debe establecer un
campo elctrico en su interior que cancele exactamente el
+
+
campo producido por el capacitor. Podemos observar que
+
+
cuando colocamos un conductor en el interior de las
+
+
placas se produce una separacin de cargas libres que
+
+
producen una densidad de carga positiva en una
+
+
superficie y una densidad de carga negativa en la otra. Por
+
+
esto ahora tenemos dos capacitores en serie con
capacitancias:

a1

a2

Figura 9: Capacitor con un material


conductor entre las dos placas

Entonces:

, como a1+a2 es menor que el espacio total entre las placas C debe ser

mayor que la capacidad anterior.

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Por lo tanto es fcil comprender que haya una capacidad mayor despus de introducir un
material conductor. Ahora, si introducimos una sustancia aislante o material dielctrico, vidrio o
mica, como encontr Faraday, no hay cargas libres que se muevan como respuesta a campos
elctricos aplicados, como en los materiales conductores, un dielctrico tambin puede aumentar
la capacitancia. Adems, Faraday demostr que al llenar todo el espacio entre los conductores, el
aumento de la capacitancia depende del material dielctrico elegido, siendo equivalente a
multiplicar la capacitancia por una constante k.
La constante k recibe el nombre de constante dielctrica del aislante, en el caso del vacio tiene
el valor 1. Al igual que para un material conductor, un dielctrico entre las placas de un capacitor
produce un campo elctrico, esto es, la aplicacin de un campo elctrico externo induce un
momento dipolar en cada tomo o molcula directamente proporcional a la intensidad del campo,
es decir que ocasiona una pequea separacin espacial de carga dentro de cada tomo o
molcula, con la consecuencia de cada uno produce un campo elctrico dipolar cuya direccin se
opone a la del campo aplicado E.
Suponga que una pequea molcula adquiere un pequeo momento dipolar pi , entonces un
elemento de volumen V que contenga m dipolos de esta clase tendr un momento dipolar de:

A partir de aqu se puede obtener el vector de polarizacin macroscpica P en todo punto


dentro del dielctrico de la siguiente forma:

Esto define un nuevo campo vectorial dentro del dielctrico. De acuerdo con esta definicin, la
polarizacin es un vector que representa el momento dipolar adquirido por cada elemento de
volumen V, divido entre el volumen de ese elemento.
La existencia de polarizacin implica la presencia de un campo elctrico adicional que cancela
parcialmente al campo original que produjo a P. El mtodo que se emplea para calcular el nuevo
campo elctrico es el mtodo de Gauss, que determina la relacin entre la polarizacin y la
densidad de carga.
Considere un material dielctrico en el que P es uniforme en todas partes, la densidad de
carga total ser cero en cualquier volumen interior porque habr tantas cargas positivas como
negativas, no as en las superficies exteriores, donde se desarrolla un densidad de carga
superficial. Suponga que dentro de cualquier molcula se produce una separacin media de
entre las cargas +q y q. Sea A el rea de la placa del dielctrico, entonces dentro del volumen

A habr A molculas, donde  es el nmero por unidad de

volumen, Figura 10.


Entonces en la cara superior se tiene una carga total, que
se conoce como carga total o de polarizacin de:
p

O, dividiendo por el rea, una densidad superficial de carga


positiva b = q  . La magnitud del vector polarizacin P es el
momento dipolar por unidad de volumen, y debe estar dada por
el producto del momento dipolar q de una molcula individual
y el nmero de molculas por volumen unitario:

P=q
Figura 10.

P =b

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Utilizando la densidad de carga b, se calcula el campo elctrico dentro del dielctrico,


mediante la Ley de Gauss, escogiendo una superficie gaussiana, como en la figura 10. Tenemos
cargas negativas en la superficie conductora y positiva en la del dielctrico, as:

Observemos que la presencia del dielctrico reduce el campo elctrico entre las placas del
capacitor. Sustituyendo en la ecuacin anterior b= P.n = P
Podemos decir que:
La combinacin vectorial 0 E + P se conoce como vector de desplazamiento elctrico (o
induccin elctrica) D, y est relacionado con la densidad de cargas libre. En efecto podemos
volver a expresar la ley de Gauss en funcin de D en forma simple

(
S

r r
r
E + P n da = D n da = q f

En la que q f es la cantidad total de carga libre encerrada por la superficie Gaussiana. De esta
forma utilizaremos la ley de Gauss en el caso en que hay materiales dielctricos. Observemos que
la carga encerrada es slo la carga libre ya que al incluir el trmino de la polarizacin en la
integral, se toman en cuenta completamente los efectos debidos a la distribucin de carga ligada.
Si tenemos dos capacitores uno vaco y otro con dielctrico ambos tienen el mismo vector
desplazamiento
Al aumentar el campo elctrico dentro de un dielctrico, tambin aumenta la separacin
espacial de los centros de carga positiva y negativa dentro de cada tomo o molcula del material.
Para la gran mayora de los materiales, cuando los campos elctricos no son muy intensos,
podemos suponer que la polarizacin P vara linealmente con el campo aplicado. En este caso,

r
r
P = 0 E

Donde la constante de proporcionalidad se conoce como susceptibilidad elctrica del


aislante. La ecuacin anterior define lo que se conoce como comportamiento dielctrico lineal. Si
sustituimos este valor de polarizacin en la ecuacin de densidad de carga libre

f = 0 E + P = 0 E + 0 E = (1 + ) 0 E
O bien

E=
En la que

1 f
1+ 0

se define mediante la relacin = (1 + ) 0 . La cantidad definida de esta manera

se conoce como permisividad del dielctrico.


Como ahora podemos expresar el campo dentro del dielctrico como E =

f
podemos volver

a calcular la capacitancia de un capacitor de placas paralelas, suponiendo que el espacio entre las
armaduras est completamente lleno de un material aislante de permisividad .
Podemos escribir

f =

qf
A

= E =

V
d

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Observemos que la capacitancia aument, con respecto a otro capacitor donde no hay
dielctrico en el medio, en un factor

que es justamente la constante dielctrica K, por lo que


0

podemos ver que dicha constante dielctrica debe estar dada por

K=

= (1 + )
0

Ejemplo: la capacitancia de un capacitor de placas paralelas en el aire es Co = 1F. Est


cargado a 200V y tiene una separacin entre las placas de 2mm. Luego se introduce un
dielctrico cuya susceptibilidad elctrica es igual a 49, de manera que llene todo el espacio entre
las placas.
a) Hallar el nuevo valor de la capacidad.
b) Determinar la cantidad de carga ligada que tiene una de las fronteras del dielctrico.
c) Evaluar la polarizacin del mismo.
d) Qu valor tienen el campo elctrico y el desplazamiento dentro del dielctrico?

= 49
De acuerdo a lo visto anteriormente C = (1 + ) C0 = (1 + 49 ) x10-6 F
Para obtener la carga ligada, calcularemos primero el vector polarizacin en el dielctrico:

P = 0 E = 49 0 E

49 0

1 f
50 0

= 0,98 f

Como la polarizacin es igual a la densidad de carga ligada, entonces b = 0,98 f o sea

q b = 0,98 q f = 0,98 C 0 V = (0,98)(10 6 )(200) = 1,96 x10 4 C


En consecuencia la polarizacin es

P = b =

q b qb 0 (1,96 10 4 )(8,85 10 12 )
C
=
=
= 8,7 10 7 2
6
3
A C0 d
(10 )(2 10 )
m

La intensidad del campo dentro del dielctrico es

E=
Por lo tanto,

qf
A
C V
1 f
V
= 0,02
= 0,02 0
= 0,02 0 V = 0,02
50 0
A 0
A 0
Ad 0
d
E = 0,02

200
= 2 10 3 V
m
2 10 3

Tan solo un dos por ciento puede producir campo por lo que la capacidad
considerablemente.
Por ltimo, la magnitud del vector desplazamiento D es la densidad de cargas libres:

D=

qf
A

= 0

V
= 8,85 10 7 C 2
m
d

aumenta

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Bibliografa consultada:
1) McKelvey Grothch. Fsica para Ciencias e Ingeniera Vol. II
2) Alonso Finn. Campos y ondas Vol. II
3) Kip Fundamentos de Electricidad y magnetismo
4) Serway, R. Fsica Vol. II Tercera Edicin. Mac Graw Hill. 1997.
5) Sears, F. W., Zemansky, M. W., Young, H. D. y Freedman, R. A. Fsica Universitaria Vol II.
Mxico. Addison Wesley Longman; 1998.
6) Esquembre, F.; Martn, E.; Christian, W. y Velln, M. Fislets. Enseanza de la Fsica con
material interactivo. Prentice Hall. 2004.
7) Giancoli, C. Fsica. Tercera Edicin. Prentice Hall. 1994.
8) Hewitt, P. Fsica Conceptual. Segunda Edicin. Addison Wesley. 1992.

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