DIFUSIN

UNIVERSIDAD TECNOLGICA DE
PEREIRA
TECNOLOGIA MECANICA

CONTENIDO

Concepto de difusin
Mecanismos de difusin
Difusin en rgimen permanente y en rgimen transitrio
Fatores que influeyen en la difusin: espcies que estn
difundiendo, temperatura, tipo de estructura cristalina, etc.
Caminos de difusin: dislocaciones, lmites de grano,
interfaces y superficies externas.
Aplicaciones

ALGUNAS APLICACIONES

Modificacin superficial de piezas

Procesadores de microcomputadores

Filtros para purificacin de gases

Sensores para inyecin electrnica de combustibles

1) INTRODUCIN

Muchas reaciones y procesos importantes en la fabricacin de

un componente o de una estructura de ingenieria, ocurren por
medio de transporte de masa .

El transporte de masa geralmente ocurre a escala microscpica.

DIFUSIN: fenmeno de transporte de masa por

moviminto atmico (en el caso de metales); de
cationes y aniones (en el caso de cermicas
inicas) y de macromolculas (en el caso de
polmeros).

La difusin ocurre en el interior de slidos, lquidos y gases.

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Par de difusin
(dos pedazos de metal unidos entre s)

a) Un par de difusin Cu-Ni antes

de tratamiento a alta
temperatura.
b) b) Representacin esquemtica
de la localizacin atmica del Cu
(crculos coloreados y del Ni
(Crculos negros) en el par de
difusin.
c)

c) Concentracin de Cu y Ni en
funcin de la posicin a travs
del par.

a) Un par de difusin Cu-Ni despus de

tratamiento a alta temperatura.
b) b) Representacin esquemtica de la
localizacin atmica del Cu (crculos
coloreados y del Ni (Crculos negros)
en el par de difusin.
c)

c) Concentracin de Cu y Ni en
funcin de la posicin a travs del
par.

2) MECANISMOS DE DIFUSIN

Difusin: migracin paso a paso de tomos de

determinadas posiciones del reticulado para otras.

Para que ocurra el movimiento de los tomos son

necesrias dos condiciones:

1) Debe existir un espacio libre adyacente y

2) El tomo debe poseer energa suficiente para romper los
enlaces qumicos y causar una distorsin en el reticulado
cristalino.

DIFUSIN SUBSTITUCIONAL

DIFUSIN POR VACANCIAS: tomos substitucionales cambian de

posicin con vacancias existentes en el reticulado cristalino.

El movimiento es una funcin del nmero de vacancias presentes.

El nmero de vacancias aumenta exponencialmente con la temperatura.
El movimiento del tomo ocurre en una direccin y la de vacancias
ocurre en la direccin contraria.

AUTODIFUSIN (difusin de tomos de la misma especie)

INTERDIFUSIN (difusin de tomos de especies diferentes)
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DIFUSIN INTERSTICIAL

DIFUSIN INTERSTICIAL: aqu tomos intersticiales migran para

posiciones intersticiales adyacentes no ocupadas del reticulado.

No hay necesidad de que existan vacancias vecinas.

En metales y aleaciones, la difusin de impurezas de radio atmico
muy pequeo en relacin al radio atmico de la matriz. Ejemplos:
hidrgenio, carbono, nitrognio y oxgenio en el acero.
Difusin intersticial es mucho ms rpida que la difusin substitucional
(por vacancias).
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DIFUSIN EN ESTADO ESTACIONARIO

Difusin um proceso dependiente del tiempo

En un determinado proceso, es importante conocer la rapidez con la

que ocurre el transporte de masa

El flujo de transferencia de masa puede ser expresada por medio del

FLUJO DE DIFUSIN (J):

Y en forma diferencial

M
J =
At

1 dM
J=
A dt
Donde: M, masa (o el equivalente nmero de tomos); A, seccin
transversal; y t, tiempo.
[J] kg/(m2s)
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DIFUSIN EN ESTADO ESTACIONARIO

El flujo no vara con el tiempo

El perfil de concentracin: C = f(x)
El gradiente de concentracin: se mide como la tangente de la curva
de concentracin vs distancia (perfil de concentraan) en un
determinado ponto
C (CACB)
=
Cuando la concentracin es funcin lineal de la
x (xAxB)
distancia:

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PRIMEIRA LEI DE FICK

C
J = D
x
D = Coeficiente de difusin
[D] = m2/s
El signo negativo indica que o flujo ocurre en la direcin contraria
al gradiente de concentracin.
En la primera ley de Fick, el potencial termodinmico (driving
force) para que ocurra el fenmeno de difusin, es el gradiente de
concentracin.
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DIFUSIN EN ESTADO TRANSITORIO Y SEGUNDA LEY DE FICK

En muchos fenmenos estudiados, la

difusin ocurre en regimen transitrio.
En este caso, tanto el flujo como la
concentracin varian con el tiempo

C
C
=
D

x x
t
Segunda ley de Fick
Cuando el coeficiente de difusin no depende de la concentracin (por
tanto, de la posicin):

C
2C
=D
t
x 2

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SEGUNDA LEY DE FICK

En general, la deducin de las soluciones de la segunda ley de Fick es
compleja.

Por ejemplo, en el proceso de cementacin de una placa de acero

se puede considerar que:
9El contenido de carbono en la superficie del acero sea constante
(CS = constante)
9El coeficiente de difusin para una temperatura dada no vara con
la concentracin (D = constante)
9El contenido de carbono de la placa antes de la cementacin es
homognea e igual a Co
En ese caso, la solucin es:

CS C X
x
= erf

CS Co
2 Dt

Donde: x es la distancia a la superficie cementada

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DISTANCIAS DE DIFUSIN

Las distancias de difusin son

proporcionales a
Dt , as:

x
= cons tan te
2 Dt
Para Cx = (CS-Co), tem-se :

x Dt
Corte de un engrenaje cementado

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EFEITO DE LA TEMPERATURA ATIVACIN TRMICA

Qd
D = Do exp

RT

Donde: Do, Es una constante (m2/s); Qd, energa de ativacin para

difusin (J/mol); R, constante universal de los gases (8,31 J/mol K); y
T, temperatura absoluta (K).
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EFECTO DE LA TEMPERATURA ATIVACIN TRMICA

Qd
ln D = ln Do
R

1

T

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FATOCRES QUE AFECTAN EL COEFICIENTE DE

DIFUSIN
Espcie que se difunde
Medio donde ocurre a difusin
Temperatura
Tipo de estructura cristalina
Cantidad de defectos presentes y tipo de defectos
Tiempo de difusin

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CAMINOS PARA LA DIFUSIN

El movimiento de tomos puede ocurrir:
1) En el volumen del material aprovechando vacancias o
intersticios
2) A lo largo de defectos lineales: dislocaciones
3) A lo largo de defectos bidimensionais: lmites de
grano,
superficies externas.
El movimiento de tomos por los defectos cristalinos es
mucho ms rpida que por el volumen
En algunos casos, la contribucin del flujo de tomos a
travs de los defectos cristalinos es insignificante (la
seccin transversal de las reas es muy pequea
comparada con el interior del material)
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