CAPITULO II:

2.1.- Diodos.

POLARIZACION DIRECTA: Flujo de corriente en el sentido de la flecha, se

reduce la regin de agotamiento, dando como resultado una circulacin de
corriente; que depender de la capacidad del diodo y de R.

POLARIZACION INVERSA: El voltaje aplicado aumenta la regin de

agotamiento dando como resultado un corte de corriente, es un circuito
abierto.

REGION ZENER: Si se incrementa el voltaje de polarizacin inversa esto

genera un proceso de ionizacin, adquiriendo suficiente energa hasta el
punto en el cual se establece una gran corriente de avalancha destruyendo
al diodo.
Antes de llegar a la regin ZENER existe un voltaje que no compromete su
integridad denominado P.I.V - P.R.V V (BR)
Comparacin
VT
Temperatura
PIV

Silicio
0.7V
200 grados C
1000V

Germanio
0.3V
100 grados C
400V

2.2.- Efectos de la temperatura.

Silicio utilizado para app. Donde la temperatura puede aumentar

hasta 200 C, mientras que el de Ge hasta 100 C
La temperatura tiene un mar, cada efecto sobre la caracterstica del
Si y en menor grado al Ge.
An a mayores temperaturas los diodos a Si no alcanzan los altos
niveles Is de los de Ge. Por lo tanto su estabilidad es mejor (Si)

RESISTENCIA ESTATICA O DC:

D=

VD
ID

R D =

0.7 V
=0.14 K
5 mA

R D 1=

0.75V
=0.075 K
10 mA

R D 2=

0.77 V
=0.051 K
15 mA

, resistencia en un punto cualquiera de la caracterstica, que no

cambia con el tiempo.

RESISTENCIA DINAMICA

Cuando se aplica una seal senoidal

el punto de operacin se desplazar
hacia arriba y hacia abajo y Q ser el
punto referencial.

d=

V D 26mV
=
I D Id (Q )

grados C)

RESISTENCIA PROMEDIO

(Calculado para 25

Utilizado para grandes

desplazamientos de seales en
ingresos.

r aV =

VD
ID

CIRCUITO EQUIVALENTE PARA DIODOS

Simplificado R red >> r

av

d=

12Vcc0.7 V
=1 mA V =12V
12 K

Comportamiento como un
interruptor cerrado.

i d=0 mA
V =0 V
Comportamiento como
un interruptor abierto

ESPECIFICACIONES DE LOS DIODOS

1.2.3.4.5.6.7.-

Voltaje directo Vf (Aumenta corriente y temperatura especfica)

Corriente directa If (Aumenta temperatura especfica)
Corriente inversa IR (para VR y temperatura especificada)
Valor de P.I.V P.V.R V(BR) ruptura.
Mxima disipacin de potencia a una temperatura particular.
Tiempo de recuperacin inversa tvr.
Rango de temperatura de operacin:

Los valores se obtienen de:

a) Valores mximos nominales (temperatura, potencia, voltaje y
corriente)
b) Caractersticas elctricas:
Caractersticas elctricas (25C temperatura ambiente a menos que se
observe lo contrario)

simbolo

Vf

caracteristica

voltaje directo

BAY73
MA
MIN X
0.8 1.0
5
0
0.8 0.9
1
4
0.7 0.8
8
8
0.6 0.8
9
0

BA129
MA
MIN X

0.7
8
0.6
9

1.0
0
0.8
3

UNIDADE
S

CONDICIONES DE
PRUEBA

If = 200mA

If = 100mA

V
V

If = 50mA
If = 10mA

0.6
7
0.6
0
IR

0.6
0
0.5
1

0.7
1
0.6
0

If = 5mA

If = 0.1mA

If = 0.1mA
VR = 20V , T =
125C
VR = 100V
VR = 100V , T =
125C
VR = 180V
VR = 180V , T =
100C
IR = 100uA
VR = 0V , f = 1.0
MHz
If = 10uA , VR =
35V
RL = 1 a 100 K
CL = 10pF , JAN
256

corriente inversa

Bv

voltaje de ruptura

Capacitancia
tiempo de
recuperacion inversa

trr

0.7
5
0.6
8

500
5

nA
nA

uA
10 nA

125

200

5 uA
V

6 pF

us

RECTA DE CARGA: define el punto de trabajo del dispositivo

E = ID x R + VD
Para VD = 0 ; ID = E/R

Para ID = 0 ; E = VD

Ejemplos:

-8 2 .9 1 m A

-8 2 .9 1 m A

9 .1 4 6 V

1 0 .0 0 V

D 1
1
2
V11N 4500
8 2 .9 1 m A

10Vdc

8 .2 9 1 V

D 2
1
2
1N 4500
8 2 .9 1 m A

R 1
100

0V

8 2 .9 1 m A

7 .7 3 4 m A

8 2 .9 1 m A

-7 .7 3 4 m A
7 .7 3 4 m A

7 .7 3 4 m A
10Vdc

1 0 .0 0 V

D 1
1

D 2
1

V1

1 5 .4 7 m A

R 4

7 .7 3 4 m A

R 3
1k

1K

9 .2 8 1 V

0
-7 .7 3 4 m A

1 .5 4 7 V
R 1

1 5 .4 7 m A
100

-1 1 1 .2 m A
1 1 1 .2 m A

1 2 .0 0 V
-3 .7 6 2 n A

5Vdc
V1

12Vdc

D 1
1

1 1 .1 2 V

1
2
3 . 7V 63 2 n A

R 1

1 1 1 .2 m A
100

1 1 1 .2 m A

3 .7 6 2 n A

4 1 .6 7 m A
1 0 .0 0 V

D 3
1
D 4
1

V2
10Vdc

-4 1 .6 7 m A

1N 4500
-4 1 .6 7 m A

4 1 .1 6N7 4m 5 A0 0

8 3 .3 5 m A
2
R 4

D 5
2

8 3 .3 5 m A

9 .1 8 9 V

-8 3 .3 5 m A
1N 4500

100
1
8 3 . 3 5 m 8A 5 4 . 8 m V

-8 2 .9 8 m A
D 6
1
2
1 0 .0 0 V
10Vdc

V3

9 .1 4 6 V
D 7
1
2
71 N4 .4R55610 m0 A

8 2 .9 8 m A
8 .4 7 2 m A
100

8 2 .9 8 m A

-7 4 .5 1 m A

8 .2 9 8 V
8 2 .9 8 m A
R 5
100