Etn501 Libro PDF

Fsica del
Estado Solido
ETN - 501
Ing. Teodoro Busch
CAPITULO 1:
Fsica de Semiconductores
CAPITULO 2:
Estructuras de Bandas del Semiconductor
CAPITULO 3:
Fsica de Semiconductores
CAPITULO 4:
Fenmeno de transporte de portadores
CAPITULO 5:
Fsica de la Unin P-N
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CAPTULO
FSICA DE SEMICONDUCTORES
1
Radiacin trmico y postulado de Planck
Radiacin trmica es la radiacin emitida por un cuerpo como resultado de su
temperatura.
Todos los cuerpos emiten y absorben radiacin a su alrededor y de su alrededor.
En equilibrio trmico se igualan las razones de emisin y radiacin.
El espectro de emisin es independiente del material, del cual es compuesto el
cuerpo y fuertemente dependiente de la temperatura.
Cuerpos negros se le denominan a aquellos
radiacin que incide sobre ellos.
cuerpos
que absorben
toda la
La distribucin espectral de radiacin es continua y tiene un mximo dependiente

de la temperatura. La distribucin espectral se puede expresar en trminos de la
longitud de onda o de la frecuencia de radiacin, Sea f(f) = d es la densidad de
energa por unidad de frecuencia f de la radiacin contenida en una cavidad a la
temperatura absoluta T su unidad es Js / m 3 .
Fig. #1.-Densidad espectral

versus energa.
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Fig. #2.-Cavidad de
cuerpo negro.
INGENIERO TEODORO BUSCH
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1.0 Cavi
Cavi dad de cuerpos negro.negro.- Una cavidad de cuerpo negro que est en
contacto con el exterior por medio de un pequeo orificio en la superficie. La
radiacin incidente en el hueco entra a la cavidad y es reflejada por la
superficie interior y eventualmente absorbida por la pared de la cavidad. Si el
rea es pequea comparada con la superficie, esencialmente toda la radiacin
incidente en el orificio es absorbida y por lo tanto el orificio tendr las
mismas propiedades de un cuerpo negro.
Si la cavidad esta a una temperatura uniforme T, las paredes emiten radiacin
trmica, la cual llena la cavidad.
La pequea fraccin de esta relacin que incide desde dentro en el orificio pasa a
travs de el. Puesto que el orificio debe tener las mismas propiedades de la
superficie de un cuerpo negro, la radiacin emitida por el orificio debe tener un
espectro de cuerpo negro.
1.2 Teora de Max Planck.Planck.- Max puede en su teora hace dos suposiciones en lo
que se refiere a la naturaleza de las oscilaciones de las molculas que se
encuentran en las paredes de la cavidad.
1. Las molculas que emiten radiacin se oscilan solo pueden tener valores
discretos de energa. En definidos por :
En = nhf
(1)
Donde n n + , llamado nmero cuntico y f es la frecuencia de vibracin

de las molculas. Se dice que la energa de las molculas est cuantizada y los
niveles de energa permitidos se llaman estados cunticos.
2. Las molculas absorben o emiten energa en cantidades discretas en forma
de luz llamado cuntos (o fotones). Esto se hace brincando de un estado
cuntico a otro. Si el estado cuntico n cambia en una cantidad, la ecuacin
(1) muestra que la cantidad de energa radiada o absorbida por la molculas
es igual a E1 = hf .
Ahora, la energa de un fotn corresponde a la diferencia de energa entre
dos estados cunticos adyacentes y esta dada por:
E = E i E f = hf
(2)
Se puede afirmar que la molcula radiar o absorber energa solo cuando

cambia de estado cuntico. Si esta permanece en un estado cuntico, no hay
absorcin o emisin de energa.
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Energa
4hf
4
3hf
2hf
hf
Fig. Niveles de energa permitidos para un oscilador y frecuencia natural f. Las

transiciones permitidas estn indicadas por flechas verticales.
La densidad de energa por unidad de frecuencia f es:
( f ) =
dEf 8hf
=
df
c3
1
(e
hc
k BT
(3)
1)
J
Donde K B = 1.3085 *10 23 es la constante de Boltzmann
K
dE
. Es la densidad de energa por unidad de longitud de onda de la radiacin
d
J
contenida en una cavidad a la temperatura absoluta T. Su unidad es
ms
f =
df
c
= 2
d
dE f df 8hc
dE
1
=
= 5
hc
d
df
d
kT
e B 1
(4)
1.3 La ley de desplazamiento de Wein.Wein. - La posicin del mximo en el espectro

de la radiacin del cuerpo negro depende de la temperatura de cuerpo negro y
esta dada por la ley de desplazamiento de Wein. Calculando la primera derivada
de la funcin de distribucin de Planck expresada en trminos de la longitud de
onda o de la frecuencia.
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d 8hc
d 5
1
=0
hc
kT
e B 1
d 8k 5T 5 x 5
=0
d h 4 c 4 e x 1
x=
hc
= 4.9651
k B T
8k B5 T 5
h 4c 4
5 x 4 (e x 1) x 5 e x
(e x 1) 2
= 0
5 x 4 (e x 1) x 5 e x
=0
(e x 1)
5(e x 1) xe x = 0
5e x 5 xe x = 0
Esta es una ecuacin trascendente que resolvemos por aproximaciones sucesivas

obteniendo x =4.9651. Por lo
tanto T
a donde a es la constante de
dE f
a diferentes
desplazamiento de Wein, esta ley establece que los mximos de
df
temperaturas
T1 , T2 , T3 ,..., ocurren para las longitudes de onda 1 , 2 , 3 ,..., tales que
T = 2T2 = 3T3 = L =
hc
= 2.898 10 3 [mK ]
kBa
(5)
A medida que la temperatura T se incrementa el mximo se desplaza hacia

longitudes de ondas menores (mayores frecuencias).
Es decir, se ve que a medida que la temperatura del cuerpo aumenta al mximo de
su distribucin de energa se desplaza hacia las longitudes de onda corta, lo cual
origina cambio de color del cuerpo. La ley de desplazamiento de Wein es por lo
tanto muy til para determinar la temperatura de cuerpos calientes, como hornos o
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estrechas, hallando la longitud de onda para la cual la intensidad de radiacin es
mxima.
La ley de Wein tambin proporciona un mtodo para determinar h en funcin de
valor experimental de a y de su definicin en funcin de h, c y EC dada
anteriormente.
Ejemplo #1.#1. - Encuentra la temperatura de una cavidad radiante cuya densidad de
o
energa radiante a 200 A es 3,32 veces la densidad de energa radiante a 400 A

Solucin. La densidad de energa electromagntica en el interior de cavidad en
funcin de la temperatura y la longitud de onda.
8hc
c3
( , T ) =
1
(e
hc
k BT
1)
Luego por condicin del problema: (1 , T ) = 3.82 ( 2 , T )

8hc
1
hc
(e
k BT
1
hc
(e
5
k BT
1
8hc
= 3.82 5
hc
2
k BT
1)
(e
1)
= 3.82
hc
2 k B T
5
1)
1)
2 (e
a = 3.82
2
Parametrizando la ecuacin
= 0.119
Adems definimos una nueva variable, se obtiene

hc
2 k BT
Ex=e
2000 o 1
=
=
o
2 2 = 2
4000
2
La relacin entre las ondas
hc
x=e
2 k B T
=e
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hc
2 k B T
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hc
x =e
2
k B T
1
a
=
x 1 x 1
2
0.119 x 2 x + 1 0.119 = 0
x = 7 .4
hc
x=e
2 k BT
ln( x) =
T=
hc
2 k BT
hc
2 k B ln( x)
6.626 10
T=
34
[J s ] 3 10 3 m
s
= 17.979[K ]
10
23 J
4000 10 [m] 1.38 10 ln(7.4)
K
Ejemplo #2
# 2 .a) cuantos fotones hay en 1 cm 3 del interior de una cavidad radiante que se
encuentra en equilibrio trmico a 1000 k?
b) Cual es la energa promedio de los fotones?
Solucin.- la densidad de energa electromagntica en el interior de una cavidad
es:
T ( f ) =
dEf 8hf 3
=
df
c3
1
(e
hc
k BT
=
1)
8f 2 (hf )
3
c (e
hf
k BT
1)
Luego el nmero de fotones que hay en el interior de la cavidad a travs de:

nT ( f ) =
nT =
T ( f )
hf
Energia Total
Energia Foton Volumen
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Considerando todas las frecuencias posibles
T ( f )
nT ( f ) =
hf
nT ( f ) =
Numero de Fotones
Volumen
nT ( f ) =
8f
0
3
c (e
x=
df
hf
k BT
df =
1)
8
c3
(e
hf
k BT
df
1)
hf
k Tx
k T
f = B df = B dx
k BT
h
h
k BT
f o x0
8 k B Tx h
dx
nT ( f ) = 3 0
x
f x
c
h e 1
2
Si
k T
nT ( f ) = 8 B
h
x2
k T
k T
dx = 8 B (3) (3) = 8 B (2 + 1) (3)
x
e 1
h
h
(
0
k T
k T
k T
nT ( f ) = 8 B 2(2) (3) = 16 B (2) (3) = 16 B 1.202
h
h
h
3
J
1.38 10 23 1000[K ]
K
1.202 = 2.018 10 6 Fotones
nT ( f ) = 16
m 3
34
8 m
6.626 10 [J s ] 3 10
s
1.4 Postulado de De Broglie

Brog lie : Propiedades ondulatorias de las partculas o
dualidad particular - onda.onda. La hiptesis de De Broglie fue que el comportamiento dual onda partcula de la
radiacin, se aplica igualmente para la materia.
Tal como el fotn tiene onda de luz asociada, que gobierna su movimiento, as
como una partcula elemental de la materia tiene asociadas una onda que
gobierna su movimiento.
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De acuerdo a la hiptesis de De Broglie, tanto para la materia como para la
radiacin la energa total est relacionada a la frecuencia de la onda asociada con
su movimiento por la ecuacin.
E = hf
(1)
Y el momento P est relacionado a la longitud de onda en la onda asociada por la

ecuacin
P=
(2)
Estas ecuaciones asocian los conceptos de partcula, energa y momento, por

medio de la constante de Planck, a aquellos de la onda, frecuencia y longitud de
onda. La ecuacin 2 se conoce como la relacin de De Broglie la cual predice la
longitud de onda de la onda asociada con el movimiento de una partcula con
momento P.
Podemos expresar esta relacin en trminos del nmero de onda k, que el
nmero de los radianes con los cuales la fase de la onda se mueve en un metro.
k=
2
P = hk
E = mc 2 =
(3)
p 2 c 2 + mo2 c 2
P=
donde
h=
h
2 es la constante de Planck reducida
E
c
=
E = hf =
hc
h
P
h
h
=
P mv
E
c
Estas frmulas generales que establecen el paralelismo entre las ondas y las
partculas pueden ser aplicadas a los corpsculos de la luz, bajo el supuesto de
que en tal caso las masas en reposo no son infinitamente pequeas. En realidad si
para un valor determinado de la energa W, se hace que no tienda a cero entonces
se encuentra que v, y u tienden a c y, en el lmite se obtienen los dos trminos
sobre los cuales existen bajo su teora del cuanto de luz.
W = hf
(4)
hf
c
(5)
P=
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Relaciones Relativistas
1. Variacin de la masa con
co n la velocidad m = f ( )
m=
mo
1
c
(6)
2. Segunda Ley de Newton
dP d mo
=
F=
2
dt dt
1
d (m )
= dt
(7)
3. Relacin entre masa y energa

E = mc 2
(8)
k = E Eo = mc 2 mo c 2
Eo = mo c 2
(9)
es la energa en reposo
4. Relacin entre momento (cantidad de

d e movimiento) y energa
m=
mo
1
c
( ) 2
m =
2
m 1 = mo2 m 2 c 2 m 2 2 = mo2 c 2
2
c
2

1
c
mo2
m 2 c 2 m 2 2 = mo2 c 2
m 2 c 4 m 2 2 c 2 = mo2 c 4
2
E = mc 2 Eo = mo c p = m
E 2 p 2 c 2 = Eo2 E 2 = Eo2 + p 2 c 2
k = E Eo E = k + Eo
(k + Eo )2 = p 2 c 2 + Eo2
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1.2.2 El efecto fotoelctrico.fotoelctrico.El efecto fotoelctrico es por ahora el experimento clsico que demuestra la
naturaleza cuantizada de la luz.
Cuando aplicamos la luz monocromtica a un metal en vaci se encuentra que los
electrones son liberados del metal, pero pueden escapar cuando la energa
proporcionada es suficiente, por ejemplo en forma de luz.
Si embargo, el hecho sorprendente es que cuando se ilumina con longitudes de
ondas largas (tpicamente mayores que 400 nm) los electrones no son emitidos
del metal aun si la intensidad luminosa es incrementada. Por otra parte, uno
observa fcilmente
la emisin de electrones en longitudes de onda ultravioleta porque el nmero de
electrones emitidos vara con la intensidad de la luz. Un anlisis ms detallado
revela que la mxima energa cintica de los electrones emitidos vara fcilmente
con la inversa de la longitud de onda, para longitudes de ondas cortas que las
longitudes de ondas mximas.
El aparato experimental consiste de dos electrodos de metal dentro de una cmara
vaci. La luz se hace incidir en uno de los dos electrodos, en los cuales es aplicado
un voltaje externo. El voltaje externo es ajustado tal que la corriente debido a los
electrones emitidos por fotones llega a ser cero. Este voltaje corresponde a la
energa cintica mxima. Ek De los electrones en unidades de electro voltios.
Este voltaje se ha medido para diferentes longitudes de onda y el graficado como
una funcin de la inversa de la longitud de onda.
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CAPTULO
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2.1
MECNICA CUANTICA
(CONTINUACIN)
La ecuacin de Schrdinger para los electrones

Un enfoque importante para la mecnica cuntica, es la teora ondulatoria
de Schrdinger. Este enfoque servir para comprender ciertos aspectos
importantes de los electrones en los semiconductores. Los conceptos
simples para entender la mecnica cuntica.
Base.- En mecnica cuntica seleccionamos un conjunto de funciones que
incluyen una base, y el estado de un sistema fsico se describe luego en
trminos de la combinacin adecuada de la base.
2.2
Funciones propias
de estado.- El estado de un sistema
fsico se
describe en trminos de las funciones de la base. Una eleccin

adecuadamente ponderada de las funciones de la base se utiliza para
describir el estado de la funcin. Un estado de esta clase que es permitido,
mediante las restricciones establecidas sobre el sistema fsico se conoce
como el eigenestado (estado propio) o eigenfuncin (funcin propia)
2.3
Cantidades fsicamente
observables.-
Las cantidades
que se van
fsicamente mediante la realizacin de experimentos, se representan por

medio de operadores matemticos en el enfoque de Schrdinger. Algunos
operadores importantes
son representados
mediante las operaciones
siguientes:
Momento: Px ih
Py ih
Energa: E ih
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2.4
La ecuacin
de Schrdinger.-
Los operadores que representan
las
cantidades fsicamente observables funcionan sobre un estado del sistema

generando la ecuacin conocida como la
Consideremos
ecuacin
de eigenvalores.
la identidad que representa la energa cintica
y el
potencial de un electrn con masa mo

P2
+ u( r , t ) = E
2 m0
(2)
Realizando una operacin sobre un estado general (r, t ) tomando en

cuenta los operadores. Luego, la ecuacin
2
( r,t )
h 2 ( r,t )
u
,t ) ( r,t ) = ih
+
(
r
t
2 m0 r 2
(3)
Esta ecuacin se utiliza para describir las propiedades de los electrones en

un sistema fsico. Si al trmino de la energa potencial u (r, t ) no es
dependiente del tiempo, entonces la solucin de la ecuacin (3) puede ser
separada en una parte dependiente del tiempo y en otra independiente del
tiempo. Podemos escribir.
( r,t ) = ( r) . f (t )
(4)
La ecuacin de Schrdinger independiente del tiempo es:

h 2 2
m + u( r) ( r) = E ( r)
2 0
(5)
Y la ecuacin dependiente del tiempo es:

ih
f(t )
t
= E f (t )
(6)
La parte dependiente del tiempo de la solucin es de la forma general.

f (t ) = e
En general, se obtendrn
Et
h
= e iwt
(7)
una serie de soluciones (r) con energas
asociadas En. Las En son las eigenergas del problema, lo que significa que
en un sistema real el electrn puede tener las energas: E1, E2, En, etc.
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2.5
El problema de Barrera cuntica.- Consideremos una barrera cuntica

como se ve en la figura (1). Adems consideremos en primer lugar la
barrera cuntica infinita donde el perfil de energa potencial en direccin z
est dado por:
u(z) = 0 ; a < z < a
= ; de otro mod o
(8)
A lo largo del plano x-y la energa potencial es constante, debido a esto, la

ecuacin de Schrdinger se puede separarse en las direcciones x, y, z. Podemos
escribir
( x, y, z) = f 1 ( x) f 2 ( y ) f 3 ( z )
(9)
Donde cada componente satisface la ecuacin

h2d 2
f ( x) = E x f 1 ( x)
2m0 dx 2 1
(10)
h2d 2
f ( y) = E y f 2 ( y)
2m0 dy 2 2
(11)
h2d 2
f ( z) + u( z) f 3 ( z) = E z f 3 ( z)
2m 0 dz 2 3
(12)
La energa total del electrn es E = EX + EY + EZ
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En las direcciones x y, puesto no hay energa potencial, el problema es llamado
con frecuencia el problema de electrn libre cuya solucin es muy simple.
h2d 2
f ( x) = E x f 1 ( x)
2m 0 dx 2 1
h 2 ( k x2 )
2m 0 L x
ik x x
= Ex
e ik x x
Lx
f 1 ( x) =
f 2 ( y) =
f 1( x ) =
ik x
Ey =
LX y LY
(13)
Lx
e
ik y y
Ly
Lx
e ik x x
(14)
f 1( x ) =
k x2
e ik x x
Lx
2 2
h 2 k x2
e ik x x h k x
Ex = 0 Ex =
2m 0
L x 2m 0
Ex =
La distancia
e ik x x
h 2 k x2
2m0
h 2 k y2
2m 0
(15)
(16)
son las distancias en las direcciones
x y bajo
consideracin, y hemos normalizado nuestras funciones de onda dentro de esta

regin.
La solucin en la direccin z, observamos que dentro de la regin de la barrera
el potencial es cero mientras en el exterior en . La funcin de onda debe tender
a cero en z = a ; dentro de la barrera debe obedecer a la ecuacin
h2d 2 f 3(z)
2m0 dz 2
= Ez f 3 ( z )
(17)
La solucin normalizada es:

f 3(z) =
1
a
cos( n2az ) ; n es impar
f 3(z) =
1
a
sen(n2az ) ; n es par
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f 3( z ) =
h2
2 m0
1 n
a 2a
1 n 2 2
a 4a2
sen( n2az ) ,
cos( n2az ) = E z
E z = En =
h 2 n 2 2
2 m0 ( 4 a 2 )
f 3( z ) =
1 n 2 2
a 4a2
1
cos(n2az )
a
= 2 mh wn2
2 2 2
0
cos(n2az )
1
a
cos(n2az ) h8 mn a2 E z = 0
w = 2a
2 2
(19)
La energa total del electrn es:

2 2
2 h 2 n 2 h 2 k x2 h k y
E=
+
+
2m0 w 2
2m0
2m0
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Cada banda de energa (n) se conoce como banda secundaria (subbanda) y tiene
una dependiente E k parbola. Dentro de cada banda el electrn se comporta
como si tuviera en un mundo de z dimensiones ya que su alcance en la direccin
z est restringido.
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2.6
Filtracin cuntica a travs de barrera (efecto tnel)
El fenmeno importante que ocurre en la naturaleza es la filtracin de una

partcula con energa E a travs de una barrera de potencial de altura u0 mayor
que E, (efecto tnel)
El
efecto
tnel
es
un
fenmeno
muy
semiconductores. Aparte de los dispositivos
importante
especiales
en
los
dispositivos
basados en
este
fenmeno, el funcionamiento del contacto ohmico depende de este efecto. Los

contactos
ohmicos
proporcionan una conexin entre el mundo exterior y un
semiconductor y explotan el comportamiento del efecto, tnel (o filtracin cuntica)

Consideramos una barrera de potencia de la figura No. 3
Como se aprecia, el espacio se divide en tres regiones. Entonces un electrn

tiene una energa E y se impacta desde la regin I sobre la barrera. El inters es
que la fraccin del electrn se filtre hacia la regin III
Supongamos que los electrones se propagan en la direccin x incidiendo contra
una barrera de potencial cuya altura de energa, u0 es mas grande que la energa
total de los electrones E, pero es finita fig. 3
u=0
u = u0
;
x < 0 regin I
; 0 x a regin II
u=0
x>a
(21)
regin III
En la regin I se consideran a los electrones libres, la ecuacin de onda es dada

por:
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2 1 2m0
+ 2 E1 = 0
x 2
x<0
para
(22)
Dentro de la barrera, regin II, la ecuacin de la onda es:

2 2 2m0
+ 2 (E u 0 ) 2 = 0
x 2
0xa
para
(23)
y fuera de la barrera, regin III es dada por:

2 3 2m0
+ 2 E 3 = 0
x 2
x>a
para
(24)
Las soluciones para E < u0 es de la forma:
con k =
con =
2m 0
2m 0
1 ( x ) = Ae ikx + Be ikx
x<0
2 ( x ) = Ce x + De x
0 xa
(25)
(26)
(u 0 E )
(27)
(28)
3( x ) = Fe ikx
2 + k2 =
Donde se cumple:
2m 0
x>a
(29)
(u 0 E ) +
2m 0 E
a
u0 = 0
2
2mu 0
o bien por conservacin de energa.

a +a k =
2
2m 0 a 2
(30)
El parmetro a0 contiene todas las caractersticas de la barrera, ancho y altura y

representa una forma en la cual y k estn relacionados. El espacio de y k cae
en un crculo de radio a0/2 los valores permitidos de k, y por lo tanto de E
ETN-501
FFS
SIIC
CA
AD
DE
ELL E
ES
STTA
AD
DO
OS
S
LLIID
DO
O
comprende un continuo positivo sin lmites, fig. 4. Para cada valor de E(k) existe
un estado propio correspondiente (
1,
2,
), el cual est determinado en
trminos de los coeficientes (B/A, C/A, D/A y F/A). El conocimiento de stos

permite determinar los parmetros de dispersin.
F
T =
A
B
R=
A
(31)
(32)
Los coeficientes de transmisin y reflexin se determinan por medio de las

condiciones de frontera o condiciones de continuidad en x = 0 y x = a,
d
(x)/dx
(x),
deben ser un valuadas y continuas en la frontera entre dos regiones.
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DO
O
T es la razn de la intensidad de flujo de probabilidad transmitida en la regin x >
a, a la intensidad del flujo de probabilidad incidente.
De las condiciones de frontera:
1 (0) = 2 (0)
En x = 0
1 (0) = A + B 2 (0) = C + D
1+
B C D
= +
A A A
d 1
dx
=
x=0
d 1
dx
d 2
dx
(33)
x =0
= ikAeikx ikBe ikx

x=0
d 2
dx
= Ce x De x
x =0
x =0
= C D
B C D
=
A ik A A
(34)
2 (a) = 3 (a)
2 ( a ) = Ce a + De a
3 ( a ) = Fe ika
ika
a
a
Ce + De = Fe
C a D a F ika
e + e = e
A
A
A
d 2
dx
d 2
dx
d 3
dx
= ikA ikB
x =0
ikA ikB = C D 1
En x = a
A+ B=C + D
=
x =a
d 3
dx
(35)
x=a
= Ce x De x
x =0
= ikFeikx
x=a
x=a
x =a
= Ce a De a
= ikFeika
C a D a ik F ika
e e =
e
A
A
A
(36)
Sumando y restando las dos ltimas ecuaciones se obtiene
ETN-501
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DO
OS
S
LLIID
DO
O
C 1 F a ik ika
e 1 + e
=
A 2 A

D 1 F a ik ika
e 1 e
=
A 2 A

(37)
(38)
Sustituyendo en las dos primeras se tiene:

B F e a + e a
1 + =
A A
2
ik e a e a ika

e
2

1+
B F
ik
= cosh a senha e ika
A A
B F e a + e a
=
A A
2
B F
= cosh a senha e ika

A A
ik
(39)
e a e a

2
ik
ika
e
(40)
Sumando las dos ltimas expresiones se obtiene:
A
i k
= cosh a + senha e ika
F
2 k
( 41)
2.6.1 Probabilidad de transmisin o tunelamiento.El flujo de partculas en el haz incidente es dado por medio de la densidad de
probabilidad en el haz incidente por la velocidad de la partcula fi
f i = i i*vi = Ae ikx A*e ikx vi = AA*vi (42)
El flujo de partculas en el haz trasmitido:
f t = t t*vt = Fe ikx F *e ikx = FF *vt
(43)
La probabilidad de transmisin o tunelamiento es definida por:

*
FF *v F F F
T=
=
=
AA*v A A A
ETN-501
(44)
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OS
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DO
O
*
ika
i 2 k2
i 2 k2
1 A A
senha e cosh a
senha e ikx
= = cosh a +

T F F
2 k
2 k

1
1 2 k2
senh 2 a
= cosh 2 a +
T
4 k
2
1
1 2 k2
senh 2 a
= cosh 2 a + senh 2 a senh 2 a +
T
4 k
4 2 h 2 + 4 2 2 k 2 + k 4
1
= cosh 2 a senh 2 a + senh 2 a
T
4 2 k 2
1
1 2 + k2
senh 2 a
= 1 +
T
4 k
(45)
Expresado en funcin de E es:

2m0 E
k=
k2 =
2m0
2
2 + k2 =
2m0 (u 0 E )
k =
2 =
2m0 (u 0 E )
2m0 E 2m0 (u 0 E )
2
2m0u0
2m0
2
E (u0 E )
2 + k2
2m0 u0
2
2
u
u02
0
=
=
=
E (u0 E )
2m0 E (u0 E )
E (u0 E )
u 02
1
1
senh 2 a
= 1+
T
4 E (u 0 E )
T=
ETN-501
1
2
0
u
1
senh 2 a
1+
4 E (u 0 E )
(46)
(47)
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O
2.6.2 Caractersticas principales del coeficiente de transmisin con los
parmetros de la barrera.Caso 1 para uo = E
a)
El coeficiente
decrece exponencialmente
con el incremento
del
ancho de la barrera a y su altura uo

b)
Cuando E uo entonces Ba << 1 se aproxima senha = a ,dando:
u 02 a 2
2m0 (
m0 u0 u 0 a 2
1
)
1+
=
+
u0 E 1
T
4 E (u 0 E ) 2
2 E 2
m u a2
1
= 1 + 0 02
T
2
u0
1
E
(48)
Por lo tanto T<1 representa la dispersin de la barrera

Caso 2 Cuando u0<E, entonces
2m0
(u0 E ) = i
2m0 (u0 E )
= i
senha = senhia = isena , entonces el coeficiente:

T=
1
u 02
1
1+
sen 2 a
4 E (E u0 )
(49)
a) Cuando E uo , a << 1 igual que el caso 1b)

b) Para E > uo , el coeficiente T = 1 cuando sena = 0 o equivalentemente
cuando
a = n , donde n = 1,2,3
2
con =
constante de propagacin de la onda en la regin de barrera,
es decir, cuando el ancho de la barrera es:
nh
a = n =
2 2 2m0 (E u0 )
donde =
ETN-501
(50)
h
longitud de la onda de De Broglie
2m0 (E u 0 )
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Si el ancho de la barrera es un mltiplo entero de media longitud de onda, existe

una transmisin perfecta del haz de partculas incidentes, es decir, la barrera es
transparente al haz incidente. Fig.4
En trminos de E y uo la condicin de transmisin perfecta o transparencia:
2 2
= n 2 E
E u0 = n 2
2
2m0 a
( 51)
Donde E1 es la energa del estado
fundamental de una partcula
una caja
unidimensional.
2 2
E = 2
2a m0
3.
(52)
El problema del tomo de hidrgeno.-
El comportamiento mecnico
cuntico de un sistema de un electrn y un protn. En Fsica clsica un

electrn que gira alrededor de una carga positiva con una cierta energa
simplemente radiar su energa y colapsara sobre el protn. Pero, en
mecnica cuntica se consideran las energas electrnicas como valores
discretos bien definidos. Puesto que un electrn puede permanecer en
cualquiera de estos niveles estables de energa y moverse de un estado
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cuntico a otro por medio de la emisin
y absorcin de un cunto de
energa bien definido (ejemplo, un fotn)

La ecuacin de Schrdinger para el sistema electrn protn se escribe
como
2
2
2
e2
e2 h
2m p 4 0 re r p
2m e
( r ) = E ToT ( r )
(1)
Donde el primer trmino es el operador de energa cintico del electrn, el

segundo trmino es el operador de energa cintica del protn y el tercer
trmino es la energa potencial que
es la energa
electrosttica de
atraccin entre el electrn y el protn en los puntos rc y rp respectivamente

Ahora, se escribe la ecuacin del movimiento relativo del electrn y el
protn, entonces
2 2
e2
(r ) = E (r )
4 0 r
2mr
(2)
Donde r = re - rp es la coordenada relativa y mr es la masa reducida.

1
1
1
=
+
mr me m p
(3)
La energa E ahora es solo la energa de movimiento relativo
Los eigevalores de la energa cuantificada tiene los valores (n = 1,2,3,.)

En =
me e 4
1
13.6
= 2
2 2
2
n
2(4 0 ) n
(eV )
(4)
El radio cuantificado es
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rn =
n 2 2
me ke 2
n = 1,2,3,...
(5)
El radio de Bohr para n=1 tiene el valor

0=
o
= 0.529 A
2
me ke
(6)
La cuantizacin de los radios de las rbitas lleva inmediatamente la cuantizacin

de la energa.
rn = n 2 ao
(7)
La energa para los niveles permitidos es

ke 2 1
En =
; n = 1,2,3... (8)
2 ao n 2
El estado estacionario mas bajo o estado que no radica se llama el estado base,
con n=1 E = 13.6eV . El siguiente estado, o primer estado excitado tiene n=2
E = 3.4eV .
El estado excitado ms alto que corresponde a n = E = 0eV , que representa
el estado para el cual el electrn se remueve del tomo. La energa mnima que
se requiere para ionizar el tomo se llama energa de ionizacin (para reconocer
completamente a un electrn en el estado base de la influencia del protn)
La frecuencia del fotn emitido cuando el electrn brinca de una rbita exterior a
una rbita interior.
f =
Ei E f
ke 2 1
1
2a0 n 2f ni2
1
1
1
= RH 2 2
n
f ni
(9)
(10)
RH=Constante de Rydberg=1.0973732x107 (m-1)
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Condiciones de frontera.Consideremos
la ecuacin
Schrdinger para electrones libres. La ecuacin
independiente del tiempo.

2 2
( r ) = E ( r )
2m e
Una solucin de esta ecuacin es:
( r ) =
La energa correspondiente es:
Donde el factor
1 ikr
e
V
2 2
k
E=
2m e
1
se presenta debido a que se desea tener un electrn por
V
volumen V, o sea la probabilidad de encontrar un electrn con la funcin de onda

en el espacio es:
r ( r ) = 1
Por el carcter ondulatorio del electrn, la cantidad k no es continua sino discreta.

Entonces se considera dos clases de condiciones de frontera que se imponen a la
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funcin de onda. En la primera se considera que la funcin de onda tiende a cero
en las fronteras del volumen. Entonces las soluciones de onda, son de la forma
Sen(kxx) o Cos(kxx), etc. y los valores de k estn restringidos a los valores
positivos
kx =
La solucin
2 3
,
,
,....
L L L
de onda estacionaria se emplea con frecuencia para describir los
electrones estacionarios confinados en regiones
finitas tales como las barreras
cunticas o frontera peridica.

La energa del electrn es:
2 2
p2
k
2m e
2m e
El momento del electrn: ih
k
r
k
La velocidad de electrn: v =
me
Debido a las condiciones de frontera los valores permitidos de k son (valores
enteros, positivos y negativos)
kx =
2 n y
2 n x
2 n Z
, ky =
, kZ =
L
L
L
Si L es grande, el espaciado entre los valores permitidos de k es muy pequeo.

Entonces, el volumen en el espacio k que ocupa cada estado electrnico en tres
dimensiones.
8 3
2
=
V
L
3
Si es un volumen de espacio k, el nmero de estado electrnico en este

volumen es
V
8 3
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Ejemplo.- Calcule la longitud de onda asociada con un electrn con una energa
de 1 eV si el electrn se halla dentro de GaAs, donde su masa efectiva es de
0.067 me
2 k 2
Solucin.- La energa del electrn es E =
2me
2 k 2 = 2
=
E
2m e
2m e
2
2
= h
e 2m 2e
h
2m e E
Para el electrn en GaAs la longitud de onda es:
GaAs =
h
2me* E
GaAs
=
e
1/ 2
1/ 2
2me E me
= GaAs = e me
*
*
h
me
me
2me* E
0
0
1/ 2
GaAs = 12.3 A 1 = 47.5 A
0.067
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DENSIDAD DE ESTADOS
2.4
Densidad de estado.- Antes podemos calcular la densidad de portadores

en un semiconductor, podemos encontrar el nmero de estados de cada
energa. El nmero de electrones de cada energa se obtiene multiplicando
por el nmero de estados con la probabilidad que un estado est ocupado
por un electrn. Puesto que el nmero de niveles de
energa es muy
grande y es dependiente en el tamao del semiconductor, y entonces

calculamos el nmero de estado por unidad de energa y por unidad de
volumen
El concepto de densidad de estados es muy poderoso y sus propiedades fsicas
tales como absorcin ptica, transporte, etc. estn ntimamente ligados de este
concepto.
La densidad de estados es el nmero de estados electrnicos disponibles por
unidad de volumen por unidad de energa alrededor de una energa E. Se denota
la densidad de estado por N(E), el nmero de estados en un volumen unitario, en
un intervalo de energa dE alrededor de una energa E es N(E). Para calcular la
densidad de estados, necesitamos la dimensionalidad del sistema y la energa
v/s la relacin k que obedece el electrn. Para el electrn libre tenemos la relacin
parablica.
2 k 2
=
E
2me
ETN-501
(1)
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O
Las energas E y (E+dE) estn representadas por superficies esfricas con radios
k+(k+dk).
En un sistema de 3 dimensiones, el volumen de espacio-k entre el vector k y

2
(k+dk) es 4k dk El volumen de espacio k por estado electrnico es
. Por lo
L
3
tanto, el nmero de estado electrnico en la regin k y k+dk es:

4 k 2 dk k 2 kV
=
8 3
2 2
L3
(2)
Al denotar la energa y el intervalo de energa correspondiente a k y dk como E y

dE respectivamente, vemos que el nmero de estados electrnicos entre E y
E+dE por unidad de volumen es:
k 2 dk
N (E ) dE =
2 2
(3)
Si
2 2
m dE
m kdE
k
22 kdk 2 kdk
E=
dE =
=
kdk = e 2 k 2 dk = e 2
me
2m e
2m e
ETN-501
(4)
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OS
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O
De la ecuacin (1), se despeja k =
2m e E
2m e E =
2
(1)
(1) con (4)

m
k dk = 3e
( )
3/ 2
( )
3/2
N ( E ) dE =
2 (m e )
2m e E dE =
E1/ 2
dE
3/2
2 me
E1/ 2
me
E1/ 2
=
dE
dE
2 2 3
2 2 3
(5)
El concepto de que un electrn es un fermin y puede tener dos posibles estados

con una energa dada. Estos estados son llamados estados de spin. El electrn
puede tener un estado de spin
h
h
o . Para justificar el spin, la densidad de
2
2
estados obtenida se multiplica por 2

N (E ) =
2 (m e ) E 1 / 2
h3
3
(6)
Densidad de estados en sistemas bidimensionales.-
Consideramos
un
sistema de 2 dimensiones, un concepto que llega a ser realidad con el uso de

barreras cunticas. La densidad de estados
para una banda parablica es
(incluyendo el spin).
2 2 4 2
2 k dk = k dk
=
A
A
,
,
L
2
4 2
L2
A = L2
El nmero de estados electrnicos en la regin entre k y dk es:

N ( E ) dE =
E=
h2k 2
2m e
k dk
2
2
dE = h 2k dk
2m e
N (E ) dE =
me dE
2 h 2
k dk = m e dE
h2
(7 )
Si el electrn tiene un estado de spin
ETN-501
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N (E ) =
me
h2
Finalmente, en un sistema unidimensional o hilo cuntico, la densidad de estado

es (incluyendo el spin)
2dk dk L
=
2
L
N ( E ) dE =
E=
h2k 2
2m e
dk
De la ecuacin (1): k =
(8)
dE =
h 2 2k dk h 2 k dk
=
me
2m e
dk =
me
h2k
dE
2m e E
h
N ( E )dE =
m e dE
h k
N ( E )dE =
m e dE
h2
2m e E
m e dE
h 2m e E
2m e E m e dE
2 h m e E
2 (m e ) E 1 / 2
dE ...1 / 2 ( spin)
2 h
1/ 2
N ( E ) dE =
2 (m e ) E 1 / 2
dE
h
1/ 2
N ( E ) dE =
2 (m e ) E 1 / 2
h
(9)
1/ 2
N (E) =
ETN-501
(10)
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DO
O
Estadstica cuntica: distribucin de Fermi-Dirac y de Bose y Einstein.En la estadstica cuntica se describe sistemas compuestos de un gran nmero
de partculas que se rigen por las leyes de la mecnica cuntica. Cada sistema
tendr un gran nmero de estados discretos, cada uno descrito por un conjunto
completo
de nmeros cunticos, con cada partcula ocupando uno de estos
estados en el sistema.
Estadstica de Fermi y Dirac.La estadstica
de las partculas
que poseen un spin
semientero llamado
fermiones, fue desarrollado por E. Fermi y P.A.M. Dirac. Un ejemplo de un sistema

de fermiones es un gran nmero de electrones interactuando dbilmente (spin =
), es decir, un Gas de electrones.
La funcin de distribucin de Fermi y Dirac f(E), describe la distribucin ms
probable de partculas idnticas indistinguibles, que obedecen
el principio de
exclusin de Pauli. Es un sistema de funciones en equilibrio a temperatura

absoluta T, el nmero
esperado de partculas de un estado particular i con
energa Ei est dada por:

f (E) =
La funcin de distribucin
1
E Ef
1 + exp( i
)
k BT
(1)
para las tres diferentes clases de partculas en
equilibrio. La funcin de distribucin f(E) nos da la probabilidad de que el estado

con energa E se encuentra ocupado. Las tres funciones de distribucin
ETN-501
que
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O
minimizan
la energa libre y son consistentes con las partculas clsicas,
fermiones y bosones y son:

Distribucin clsica Maxwell Boltzmann
f ( E ) = exp{(
Ei E f
)} (2)
k BT
Distribucin de Fermi - Dirac

f (E) =
1
E Ef
1 + exp( i
)
k BT
( 1)
Distribucin de Bose - Einstein

f (E) =
1
E
exp( f ) 1
k BT
( 3)
Partculas como los electrones, protones, neutrones, etc. tienen spin de medio
entero y se denominan fermiones.
Partculas como los fotones, mesones, etc., tienen spin valor cero o valor entero y
son conocidos como bosones.
Dado, la expresin para los electrones que f(E) es siempre menor que la unidad.
Donde f(E)se conoce como el potencial qumico o energa de Fermi y representa
la energa f(EF) se convierte en .
Estadstica de Bose y Einstein.A.
Einstein y S.N. Bose desarrollaron la estadstica que se aplica para un
sistema compuesto por un gran nmero de partculas interactuando dbilmente,

idnticas e indistinguibles, cada una con un spin entero. Estas partculas
llamadas bosones son los fotones, la molcula H2 y el helio lquido.
La funcin de distribucin de Bose y Einstein f(E) proporciona el nmero de
bosones en un sistema en equilibrio a temperatura T, que se encuentra en un
estado particular i con energa Ei.
ETN-501
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f (E) =
1
Ei
exp(
) 1
k BT
(4)
Dos integrales tiles.a) Cuando >-1 y se encuentra en el lmite de temperatura baja kT << Ef
E p E
(EE f )
K BT
+1
1
1
d 2n
{E f +1 + 2(k BT ) 2 n (1 2 n 1 ) (2n) 2 n ( E f +1 )} (5)
2
dE f
+1
n =1
Donde (x) es la funcin zeta de Rieman
( x) =
1 1
1
1
+ x + x + x + ......
x
1 2
3
4
(6)
La cual ha sido extensamente tabulada. Algunos valores son:
(2) =
2
2
2
= 1.645, (4) =
= 1.082, (6) =
= 1.017
6
90
945
b) con >0, 0 y =1
q q
= ( + 1) ( + 1)..( para = 0,= +1)
eq 1
q q
e n +1e n
(
1
)
= + +1
e e q
n
n =1
(7)
(8)
donde la funcin gama (x) , se rige por (x + 1)=x(x). Algunos valores

particulares son:
(1) = 1, 1 = , ( n +1) = n!...(siendo.n.un.entero)
( )
2
(9)
La funcin de distribucin para los bosones (que incluye partculas ligeras:

fotones, mesones, etc) muestra que f(E) puede ser mucho mas grande que la
unidad en principio.
Con el fin de determinar el nivel de Fermi de un gas de electrones con una
densidad n, entonces:
n=
N ( E )E
E Ef
exp(
) +1
k BT
(10)
Donde N(E) es la densidad. La integral para T = Ok y E Ef
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ELL E
ES
STTA
AD
DO
OS
S
LLIID
DO
O
f (E) =
1
= 1; si E E f
Ei E f
1 + exp(
)
K BT
= 0 de otra forma
(11)
Ef
n=
N ( E )dE
0
Para sistema de 3 dimensiones tenemos que, al emplear el valor de la densidad

de los estados
n=
Ef
N ( E )E =
2 2 (m)3 / 2 E 3f / 2
2 (me )3 / 2 E f 1 / 2
E
E
=
23 0
3 23
2
E = (3 2 n) 2 / 3
2me
( 12)
Esta frmula es aplicable para metales como Cu, Ag, etc. no es aplicable para
semiconductores.
La cantidad Ef que es el mayor estado de energa ocupado a 0K, se llama
energa de Fermi. El vector de onda correspondiente kf , llamado vector de Fermi y
una velocidad vf como la velocidad de Fermi.
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k F = (3 2 n)1 / 3
(13)
VF = (3 2 n)1 / 3
me
(14)
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OS
S
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DO
O
Es importante
advertir que incluso
a Ok, la velocidad
de estado ms alto
ocupado es vf y no es cero, como sera el caso, se empleamos la estadstica de

Boltzmann.
A temperaturas finitas no es fcil determinar n=f(Ef). Si la densidad de electrones
es pequea, de tal modo, que f(E) sea siempre pequea, podemos aproximar la
funcin de Fermi al ignorar en el denominador. Esto proporciona la funcin de
Boltzmann.
f ( E ) = exp{(
E Ef
)}
k BT
(15)
Luego la densidad de electrones
n = N ( E ) f ( E )E =
0
2 (me )3 / 2
23
(k BTu )
3/ 2
E
k BT
EF
2 (me )
23
( E E f )
1/ 2
E e
k BT
EF
k BT
(k BT )u
2 (me )3 / 2
(k BT )3 / 2 e k BT u 2 e u u
2 3
0

n=
n=
E
E = (k BT )u E = k BTE
k BT
u=
n=
2 (me )3 / 2
23
3/ 2
(k BT )3 / 2 e
EF
k BT
2(me ) (k BT ) e
=
2
23 3 * (2 )3
3/ 2
3/ 2
EF
k BT
EF
m
n = 2( e 2 )3 / 2 (k BT )3 / 2 e k BT
2
donde
nc = 2(
(16)
me 3 / 2
mk T
) (k BT ) 3 / 2 = 2( e B2 ) 3 / 2 (17)
2
2
2
Se conoce como la densidad efectiva de estados.

Luego el nivel de Fermi Ef : n = N c e
EF
k BT
EF
n
n
E
= e k B T ln( ) = F
Nc
Nc
k BT
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O
E F = k BT ln(
n
)
Nc
(18)
La condicin donde la densidad de electrones es pequea, tal que f(E) sea

pequea se conoce como condicin de no degeneracin. La aproximacin de
Boltzmann puede utilizarse slo en casos no degenerados.
Si la densidad de electrones es alta de modo que f(E) se aproxima a la unidad (la
condicin de generacin) ser til la aproximacin propuesta por Joyce y Dixon.
La aproximacin de Joyce-Dixon est dado
E F = k BT{ln(
n
n
)+
}
Nc
8Nc
(19)
Una vez que se conoce el potencial qumico, la energa total del gas de electrones
puede calcularse mediante la evaluacin de la integral
ETOT = N ( E ) Ef ( E )dE
0
Para el sistema
(20)
de 2 dimensiones, donde la densidad
de los estados
es
constante, el potencial qumico se conoce analticamente un vez que se conoce

la concentracin del portador. La relacin es:
nc =
n=
ETN-501
me
2
f ( E )dE =
me k BT
E
ln(1 + exp( F ))
2
k BT
me
2
dE
E EF
exp(
) +1
k BT
(21)
(22)
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O
CAPITULO
LO
2.1
ESTRUCTURAS DE BANDAS
DEL SEMICONDUCTOR
Electrnica de estado slido.- En los dispositivos semiconductores sean

electrnicos u opto electrnicos, el estudio de inters es el comportamiento
de un nmero grande de electrones cargados negativamente que se
mueven a travs de iones cargados positivamente.
La densidad del nmero de electrones que intervienen es muy grande. Un
elemento contiene 6.022 x 1023 tomos por mol (Nmero de Avogadro). Si
es la densidad del material, el nmero de moles por unidad de volumen

es /A, donde A es la masa atmica.
El nmero de electrones que se encuentran libres para conducir corriente

es Zc, donde Zc es el nmero de electrones en la capa ms externa (la
valencia del elemento) del tomo.
La densidad de electrones para los electrones de conduccin es
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O
Z
n = 6.022 10 23 c
A
(1)
Para la mayor parte de los materiales, este nmero es 1023 cm-3. Existe una
gigantesca densidad de electrones de conduccin libres en el material. Se
define un radio promedio r de un volumen esfrico por electrn mediante:
3
r =
4 n
4 r 3 1
=
n
3
o
(2)
Su valor es de 1 A a 2 A
para la mayora
de los materiales. Los
semiconductores tienen estructuras cristalinas que estn dotados con gran

orden y periodicidad. Esta periodicidad permitir reducir el gran nmero de
electrones en los semiconductores con lo que se facilitar que el problema
sea ms manejable.
2.2
Periodicidad de un cristal.-
Los cristales estn hechos
de bloques
idnticos, estos bloques son de un tomo o un grupo de tomos. Mientras

que en los cristales naturales la simetra cristalina esta fija por naturaleza,
los nuevos avances en las tcnicas
de crecimiento
o formacin de
cristales han permitido a los cientficos producir cristales artificiales con

estructura cristalina modificada. Estos avances dependen de la capacidad
de colocar capas atmicas
con control y precisin exactos durante
la
formacin, lo cual conduce a las superredes. Para comprender y definir la

estructura cristalina, se presentan dos conceptos importantes.
i)
La red (lattice) representa un punto de puntos en el espacio que forman

una estructura peridica. Cada punto tiene exactamente el mismo
entorno. La red es por si misma una abstraccin matemtica.
ii)
Base es un grupo de tomos que forman la celda unidad. Se dice un

bloque de construccin
de tomos denominados BASE. Luego, se
adjunta a cada punto de la red, lo que produce la estructura cristalina

que es un arreglo peridico de tomos en el cristal.
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OS
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DO
O
La estructura cristalina se produce ahora al unir a cada uno de estos puntos de la

red.
Red + base = Estructura cristalina
Una propiedad importante de una red es la capacidad para definir tres vectores

a1 , a 2 , a3 , de manera que cualquier punto R de la red puede obtenerse de
cualquier otro punto R de la misma red por medio de una traslacin.

R = R + m1 a1 + m2 a 2 + m3 a 3 (3)
Donde m1, m2. m3 son enteros. Una red de este tipo se conoce como red de
Bravais.
Red de Bravais es un arreglo infinito de puntos en el espacio, en el cual cada
punto tiene vecindad matemticamente la red de Bravais se describe como una
operacin de traslacin de vectores.
R = m1 a1 + m2 a 2 + m3 a 3
Tipos de red Bsicos.Redes cbicas.- Existen tres clases de redes cbicas: cbica simple, red cbica
centrada en el cuerpo y red cbica centrada en la cara.
a)
Cbica simple.- La red cbica simple est generada por los vectores
primitivos a1 = a x , a 2 = a y y a 3 = a z , donde x , y y z son vectores

unitarios.
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O
Ninguno de los semiconductores encontrados en la naturaleza tienen

una estructura cbica simple
b)
Cbica centrada en el cuerpo.- La red cbica centrada en el cuerpo

(bcc) puede ser generada a partir de la estructura cbica simple
mediante la colocacin de un tomo en el centro del cubo. Los tomos
se colocan en las aristas del cubo de lado a y en el centro del cubo. El
cristal se forma al duplicar el cubo para llenar el espacio. Los vectores
son:
a
a
a
a1 = ( x y + z ), a2 = (x y + z ) y a3 = (x + y z ) (4)
2
2
2
c)
Cbica centrada en la cara.- La red de mayor importancia para los

semiconductores es la red Bravais cbica centrada en la cara (fcc).
Para construir la red de Bravais cbica en la cara se agrega a la red
cbica simple un punto adicional en el centro de cada cara cuadrada.
Un conjunto
simtrico de vectores primitivos para la red
cbica
centrada en la cara es:

a
a
a
a1 = ( y + z ), a2 = (x + z ) y a3 = (x + y )
2
2
2
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(5 )
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O
Donde a es la arista del cubo, conocida como la constante de red del
semiconductor. Las redes de Bravais cbica centrada en la cara y
cbica centrada en el cuerpo, son de gran, ya que una enorme variedad
de slidos se cristalizan en estas formas con un tomo (o in) en cada
sitio de la red.
2.3
La partcula
dentro del cristal.- Bandas de energa.- Cuando un
electrn se mueve a travs de la red cristalina actan sobre l fuerzas

electrostticas que hacen variar su cantidad de movimiento, la partcula se
acelera al acercarse al ncleo atmico y se desacelera al alejarse de l.
Este constante cambio de su energa cintica es compensado con un
aumento o disminucin de su energa potencial de acuerdo a la distancia de
la partcula con respecto al ncleo, se establecen por lo tanto niveles de
energa potencial que delimitan el movimiento de las partculas a travs de
la red.
En una red cristalina el potencial se distribuye peridicamente, en un cristal
su distribucin es tridimensional en el volumen del cuerpo. Se considera la
energa potencial cero para una partcula completamente desligada del
ncleo, pero aumenta rpidamente al acercarse a l, de manera
estando en un nivel de energa
como l se encontrar
que
atrapado en
regiones debido a la imposicin de las barreras de potencial.

Cuando el electrn se halla en niveles energticos superiores, las bandas
permitidas se hacen ms amplias y puede moverse con facilidad hasta el
punto en las diferentes bandas adyacentes se superponen y el electrn
puede desplazarse con libertad de un tomo a otro. Las bandas
superpuestas en donde se mueven los electrones libremente se llama
banda de conduccin, en la que se hallan fijos se denominan bandas de
valencia; ahora los electrones de la banda de valencia pueden pasar a la
banda de conduccin si existe suficiente energa.
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Se consideran el modelo analtico de bandas de energa:
El modelo de bandas de energa es considerar al electrn dentro del

cristal como partcula libre, pero con una masa especial, llamada
masa efectiva.
Cuando el electrn se acerca al ncleo se acelera y cuando se aleja

se desacelera, esto se mantiene hasta que el electrn cae bajo la
influencia del campo potencial del prximo ncleo.
2.4
El campo de energa potencial es peridico.
Niveles electrnicos en un potencial peridico.- La distribucin regular y

peridica de los iones de un cristal permite considerar a un electrn
sometido a un potencial u( r ) con la misma periodicidad que la red de
Bravais asociada.
u (r) = u r + R
(6)
para todos los vectores de la red de Bravais R

2.4.1 El potencial peridico.- El problema de los electrones en un slido puede
ser descrito a partir de Hamiltoniano, que contemple la interaccin de cada
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electrn con todos los iones de la red y con los dems electrones (funcin
de las coordenadas de pares de electrones).
La primera aproximacin considera al electrn independiente e inmerso en
un potencial efectivo de un electrn u(r). Este potencial puede tener una
diversidad
de formas, pero todas ellas satisfaciendo la condicin de
periodicidad de (6)
La ecuacin de Schrdinger para un solo electrn toma la forma.
2 2
+ u (r) = E
2m
(7)
Con u potencial con la periodicidad de u (r) = u r + R
Cada electrn independiente que obedece a la ecuacin de Schrdinger

(7) con un potencial peridico es denominado como electrn de Bloch. Esta
designacin se hace para diferenciar este electrn de los electrones libres
en un potencial peridico donde el potencial es constante sobre cada in.
Los electrones de Bloch satisfacen al teorema
siguiente o teorema de
Bloch.
Teorema.- Los autoestados del Hamiltoniano de un electrn
2
H = 2 + u (r)
2m
(8)
donde u (r) = u r + R para todo vector R en una red de Bravais
puede
escogerse de modo de tener la forma de una onda plana multiplicada por

una funcin con la periodicidad de la red de Bravais.

n k (r) = u n k (r) e j k , r
Donde
(9)
u n k (r) = u n k r + R
(10 )
para todo R de la red de Bravais.
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El n es el ndice de la banda de energa, pues para cada k habr varios

niveles de energa.
Luego la ecuacin (10) conduce a:
nk
(r + R) =
(r) e j k , r
nk
(11)
La forma alternativa del teorema expresa que los auto estados de H

satisfacen la relacin.
(r) = u n k (r) e j k , r
nk
(12)
2.4.2 Modelo de Kronig - Penny.- Kronig Penny plantean un modelo

matemtico de potencial inico peridico, que permite describir el
comportamiento de los electrones dentro de un cristal.
El modelo considera a un nico electrn desplazndose a travs de la red, de tal

manera que en la energa potencial Ep, es nulo en las regiones del tipo I y E0 en
las de tipo II.
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Los iones se ubican en las regiones del tipo I y la separacin entre los mismos
genera una barrera de potencial para los electrones.
El movimiento de la partcula est determinado por la ecuacin de Schrdinger
independiente del tiempo:
2
2 (x )
E p E0 =
2m ( x ) x 2
(13)
2
2 ( x )
+ ( E p E 0 ) ( x ) = 0
2m ( x ) x 2
(14)
La solucin de la ecuacin es una funcin de onda de Bloch:
(x ) = u (x ) e jk x
(15)
Donde u(x) es la amplitud con el periodo de la red l, la forma de la amplitud y

los valores permitidos de k, son los que se deben determinar. La ecuacin (13)
en la regin I Ep(x) = 0:
2 (x )
x 2
2 =
si
2mE
2mE
(x )
(16 )
1 (x ) = u 1 ( x ) e j kx
(17)
Luego combinando (17) con (16):

2 1 (x )
x
= 2 u 1 ( x ) e j kx
(18)
Realizando las derivadas de la funcin de onda:

1 ( x )
x
2 1 (x )
x
= jk
u 1 ( x )
x
j kx
u 1 ( x ) e j kx
x
ku 1 ( x ) e
j kx
2u 1 ( x)
x
(19)
e j kx + jk
u 1 ( x )
x
e j kx
(20)
Reemplazando (20) con (18) y agrupando los trminos
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2 u 1 (x )
x
e j kx + 2 jk
2 u 1 (x )
x
u 1 ( x )
x
e j kx k 2 u 1 ( x ) e j kx = 2 u 1 ( x ) e j kx
u 1 ( x )
e j kx + 2 jk
e j kx k 2 2 u 1 ( x ) e j kx = 0
(21)
(22 )
Por otra parte la solucin en la regin II E p ( x ) = E 0

2 2 (x )
x
2 =
si
2m ( E E 0 )
2
2m ( E E 0 )
2 ( x ) = u 2 (x ) e j kx
2 (x ) (23)
(24)
Combinando las ecuaciones (23) con (24)

2 2 (x )
x 2
2
= 2 u 2 ( x ) e j kx
x
(25)
As derivando se obtiene la ecuacin diferencial:

2 2 (x )
x
2 u 2 (x )
x
+ 2 jk
e j kx + 2 jk
u 2 ( x )
x
u 2 ( x )
x
k 2 + 2 e j kx u 2 ( x ) = 0
(26)
e j kx k 2 2 2 ( x ) e j kx = 0
(27)
La solucin de las ecuaciones (22) y (27) tiene la forma:

u1 (x ) = Ae j ( k ) x + Be j ( + k ) x
(28)
u 2 (x ) = Ce j ( k ) x + De j ( + k ) x
(29)
Estas soluciones u(x) y su derivada satisfacen las condiciones de continuidad en

los lmites de las regiones:
En x = 0
u1 (0 ) = u 2 (0 )
du 1 (x )
dx
=
x =0
(30)
du 2 ( x )
dx
x =0
La condicin en x = -b, x = a permite introducir la periodicidad de la red (figura 6)
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u 1 ( a ) = u 2 ( b )
du1 ( x )
dx
=
x=a
(31)
du 2 (x )
dx
x= b
Combinando las ecuaciones (30) y (31) con las ecuaciones (28) y(29) se obtiene
de 4 ecuaciones de 4 incgnitas
A+ BC D = 0
( k ) A ( + k ) B ( k )C + ( + k ) D = 0
(32 )
Ae j ( k ) a + Be j ( + k ) a Ce j ( k )b De j ( + k ) b = 0
( k ) Ae j ( k ) a ( + k ) Be j ( + k ) a ( k )Ce j ( k )b + ( + k ) De j ( + k )b = 0
Se obtiene soluciones no triviales
para las variables: A, B, C y D si el
determinante de sus coeficientes es nulo, lo que da la condicin:

2 + 2
sen(a ) senh(b ) ; si 0 < E < E0 (33)
cos = cos(a ) cosh(b )
2
2 2
sen(a ) senh(b ) ; si E > E0
cos = cos(a ) cosh(b )
(34)
Expresando las ecuaciones (33) y (34) en funcin de energa E dado que E < E0 ,
entonces
cos = f ( E ) = cos
2 mE
2
)cosh (b
2 m ( E0 E )
2
)+
E0
E ( E0 E )
sen
2 mE
2
)senh(
2 m ( E0 E )
2
(35)
Esta funcin debe quedar entre 1 y +1 puesto que es igual al cos = cos(k x l ) . La
grfica de E = f ( E ) , se obtiene:
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El modelo de Kronig- Penny puede simplificarse de la manera siguiente:

E0 0
con
al
E0 es constante
b = 0
Entonces:
senh( b) b cosh( b) = 1 y con
2 >> 2
b sen(a ) + cos(a ) = cos(k x l )

2
(36)
2b
sen(a ) + cos(a ) = cos(k x l )
Simplificando la expresin (36), se obtiene:
2 =
2m
2
( E0 E )
2 E0
E0 b
sen( l ) + cos( l ) = cos(k x l )

2
n( l ) = cos(k x l )
(37)
(38)
Esta funcin debe quedar nula entre 1 y +1 puesto que es igual al Cos .
Se desea hallar la relacin entre E y E y kx.
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El grfico mostrado en la fig. 7, como podemos observar que f(E) permanece
entre los lmites 1, solo para ciertas regiones. Estas energas permitidas forman
las bandas permitidas y estn separadas por bandas de separacin.
Se puede obtener la relacin o la estructura de bandas E versus k del electrn en
la estructura peridica, como se muestra en la figura 7, en donde las energas
entre E2 y E1 forman la banda permitida, las energas entre E4 y E3 forman la
segunda banda de separacin, etc.
El movimiento de los electrones en la red se puede asimilar a la propagacin de
una
onda
electromagntica
en
un
cristal.
La
dispersin
de
la
onda
electromagntica por los tomos de la red, da lugar a una onda dispersada que
se refuerza cuando se satisface la condicin de Bragg es:
2a sen = n
(39)
Donde a es la distancia entre los planos y es el ngulo que la direccin de

propagacin forma con los planos de la red. Para incidencia normal ( =
), la
2
condicin de Bragg se convierte en 2a = n .

Esta es la condicin a aplicar para la propagacin de ondas a lo largo de la red
lineal. Si las ondas (1) y (2) son reflejadas por iones sucesivas A y A, los rayos
reflejados (1) y (2) tiene una diferencia de camino 2a y una diferencia de fase es
2 ( 2 a )
. Para una intensidad mxima de (1) y (2); esta diferencia de fase debe ser
igual a 2n ,tal que
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2 (2a )
2a
= 2n
= n 2 a = n
2
2a
2 2a
n
=
=
=
k=
k
n
k
n
a
k=
n
a
(40 )
Por consiguiente los valores k son aquellos para los cuales la red lineal impide el
movimiento de electrones en una direccin dada y los obliga a moverse en la
direccin opuesta. El conjunto de los valores de k comprendidos entre a y + a
constituye la primera zona de Brillouin. Para k comprendido 2a y a entre
2
a
, tenemos la segunda zona de Brillouin, as sucesivamente.
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En el grfico E = f (k ) se observa los valores de k no cercanos a los dados por la
ecuacin:
k=
n
a
; n = 1, 2, 3, , n
(41)
La energa se aparece mucho a la de una partcula libre (indica con lneas de

trazo). En consecuencia la red afecta el movimiento del electrn solo cuando k es
cercano a
n
a
, y el efecto de producir discontinuidad de energa. Para los valores
intermedios de k, los electrones se mueven libremente a travs de la red. Las

bandas de energa permitida son las correspondientes a las lneas llenas, y estn
estas bandas a la derecha de la fig. 7.
Fuerza externa sobre la masa efectiva.- Si F es la fuerza externa sobre el

electrn, el trabajo hecho por esta fuerza sobre el electrn durante el tiempo dt es
dE = Fvdt. Esto trae como consecuencia una variacin dE en la energa del
electrn. Entonces, la energa cintica del electrn es:
2 2
k
E=
2m
Si
p = k = mvg
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2
kdk
2 2 kdk
dE = =
m
2m
k
vg =
m
dE 2 k
=
dk m
(velocidad de grupo) (42)
FFIIS
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DE
ELL E
ES
STTA
AD
DO
OS
S
LLIID
DO
O
1 dE k
= = vg
dk m
dE = F vdt
vg =
F=
1 dE
dk
dE
dk
1 dE
=
=
dE
1
v dt
dt
dt
dk
F =
dk
dt
p = k
Segunda Ley de Newton

F=
(43)
F = m a = m
m d 2 E
dkdt
(44)
(45)
dv g
dt
m = 2
d k
dk 2
= m
d 1 dE
dt dk
dk m d 2 E
=
dt
dkdt
(masa efectiva) (44)
Si el electrn comienza en cero, su punto representativo se mueve desde O hasta

A, entonces salta a B, y retrocede hasta O. En la segunda zona de Brillouin, el
electrn inicialmente tiene un valor k ligeramente superior a
aumenta el valor de k hasta
2
a
, la fuerza aplicada
. Inmediatamente una reflexin de Bragg invierte
el momento y k salta al valor 2a .

Si la fuerza continua actuando sobre el electrn, k contina
(realmente
disminuyendo en valor absoluto) hasta que alcance el valor de a , cuando otra

reflexin de Bragg y el momento se invierte de nuevo, cambiando k al valor de
De aqu, en adelante el proceso contina de una manera cclica. En consecuencia

el electrn describe el ciclo C D E F G
ETN 501
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ELL E
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STTA
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S
LLIID
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O
Modelo sencillo de bandas de energa.La ecuacin de Schrdinger tiene soluciones para valores directos de energa en
el caso de la partcula libre.
Existe en el cristal un gran nmero de tomos que interactan y que estn
distribuidos
peridicamente, por lo tanto, la energa potencial del electrn es
peridica. As como los tomos interactan entre s, tambin lo hacen los niveles
de energa y se desdoblan en tantos niveles como tomos existen en el cristal
formando las bandas de energa.
ETN 501
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CAPTULO
FSICA DE SEMICONDUCTORES
3.1
Fsica De Semiconductores
En los materiales semiconductores, la banda prohibida es mucho menor ancha

que los aislantes. Por lo general, a 0 K los materiales semiconductores se
comportan como aislantes. Pero a medida que aumenta la temperatura lo hace
su capacidad de conduccin ya que este aporte de energa sirve para que los
electrones puedan saltar de la banda de valencia a la de conduccin.
La anchura de la banda prohibida condiciona la energa que debe aportarse a los
electrones para que pasen de la banda de valencia a la de conduccin. El ajuste
de engra debe superar lo 0.78 [eV ] . en el caso del germanio y los 1,21 [eV ] .
Para el silicio.
Un electronvoltio en el caso del energa que adquiere un electrn al estar
sometido a la accin de un campo elctrico en un punto cuyo potencial es de un
voltio.
Al saltar de la banda de valencia a la de conduccin, los electrones dejan un
hueco. Por lo tanto, se establecen dos corrientes, una producida por los
electrones situados en el banda de conduccin y otra originada por los huecos.
3.2
Semiconductores intrnsecos y extrnsecos.-
3.2.1 Semiconductores intrnsecos.- Son los semiconductores puros, en los

que la conduccin se debe al aumento de electrones originados por la
ETN-501
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O
temperatura. Los portadores de carga son los electrones y huecos. Los
semiconductores intrnsecos no presentan impurezas en su estructura, y
estn constituidos solamente por el elemento tetravalente semiconductor,
Germanio y Silicio puro
3.2.2 Concentracin de portador intrnseco.- Se dice que un semiconductor
si es qumicamente puro, es decir no contiene impurezas o sustancias
distintas, de las que constituyen el material semiconductor.
Se dice tambin que el semiconductor es intrnseco cuando la cantidad de
impurezas que contiene es pequea
comparada con los electrones y
huecos generados trmicamente (Ni).

Funcin de distribucin de Fermi-Dirac- El objetivo final de toda teora
estadstica es la de encontrar una expresin matemtica (distribucin) que
a una temperatura absoluta T proporciona cual es la probabilidad de que
una partcula ocupe un nivel dado de energa E en equilibrio trmico.
Semiconductores extrnsecos.Cuando un semiconductor intrnseco es dejado con impurezas, el semiconductor
se convierte en extrnseco. La aparicin de impurezas crea en el diagrama de
bandas nuevos niveles de energa. Existen tres tipos de procesos para la adicin
de impurezas a la red cristalina, difusin, implantacin de iones y crecimiento
epitaxial.
Los semiconductores extrnsecos se forman al aadir pequeas cantidades de
determinadas impurezas al semiconductor intrnseco. Esta adicin
efectos considerables en las propiedades de conduccin
produce
del material
semiconductor. El efecto de aadir impurezas causar el incremento de la

concentracin de uno de estos portadores de carga (electrones o huecos) y, en
consecuencia afectar considerablemente a la conductividad elctrica. A estas
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S
L
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O
impurezas se conoce como sustancias dopantes, y al proceso de adicin de
impurezas se llama dopado del semiconductor.
El dopado produce dos tipos de semiconductores extrnsecos, identificados
segn el tipo de portador
de carga cuya concentracin ha incrementado
semiconductor de tipo N, si es que
ha incrementado la concentracin de
electrones y semiconductores de tipo P si existe incrementado de huecos.
Semiconductor de tipo N.
Cuando se introducen sustancias dopantes de tipo pentavalente (5 electrones de

valencia), entonces cuatro tomos de las sustancias dopantes formarn enlaces
covalentes con los tomos de Si, el quinto electrn que no comparte enlaces, es
un electrn de conduccin el cual ser donado a la banda de conduccin.
Entonces diremos que el semiconductor de Si es de tipo N debido a que recibe
una cantidad adicional de portadores de carga negativa y la sustancia
pentavalente (P, As, Sb) se llama donador.
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
* *
+5
Si
+4
Si
+4
Si
-q*
*
Electrn de Conduccion
+4
Si
+4
Si
Fig. #1 Adicion de un electrn de Arsnico de 5 electrones de valencia
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S
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O
En un semiconductor de tipo N, la energa necesaria para llevar
el quinto
electrn de la sustancia pentavalente a la banda de conduccin de manera que

ste electrn se convierta en un electrn libre, dando lugar a un tomo dador
ionizado (cargado positivamente). Se dice que es la energa necesaria para la
ionizacin del tomo dador.
0.044ev (P)
EC
Ed
1.12 ev
Ei
Ev
T=0K
T = 100 K
T = 300 K
Fig # 2 Representacin de bandas de energa al introducir impurezas

donadoras en el Si y efecto de temperatura.
En la fig. # 2, para el caso del fsforo el nivel energtico ED est muy prximo a
la banda de conduccin, cuando mayor sea la temperatura de la muestra
(semiconductor + impurezas), mayor ser la energa conseguida por efecto
trmico y mayor ser el nmero de electrones que accedern a la banda de
conduccin.
Semiconductor de tipo P.-
De manera similar, si introducen en la red de Si. Impurezas de tipo trivalente

(tres electrones de valencia), aparece un enlace covalente con el resto de los
tomos de Si. Sin formar, entonces es un enlace roto o una ausencia del electrn
de valencia para llevar enlace. Esta deficiencia de electrn en los enlaces que
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OS
S
L
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O
puede formar el tomo trivalente provoca que sea aceptado un electrn de los
enlaces covalente de los tomos de Si. Formndose en consecuencia hueco en
la banda de valencia. El semiconductor dopado con sustancias triviales se llama
de tipo P y dichas sutancias (B, Al, Ga) se denominan aceptores.
+4
Si
+4
Si
* *
+4
Si
+4
Si
* *
*
*
+3
B
* *
* *
*
*
+4
Si
+q
Si
+4
Si
Hueco
+4
Si
Fig # 3 Introduccin de impurezas de Boro
El electrn se consigue de la banda de valencia del semiconductor, el tomo

aceptor queda ionizado negativamente. La condicin para la ionizacin de los
tomos aceptores es similar a la de los tomos donores. La energa EA necesaria
para la ionizacin del tomo
aceptor est ubicado en un nivel energtico
ligeramente superior a la banda de valencia
a temperatura ambiente, existe
suficiente energa trmica para excitar los electrones desde la banda de valencia
hasta el nivel EA.
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EC
Ei
0.045ev (B)
Ea
Eg
_
_
EN
T=0K
T = 100 K
Nivel energtico aceptor EA en el diagrama de bandas de energa del

Si y efecto de la temperatura sobre la ionizacin de los tomos aceptores.
Fig # 4
Condicin de ionizacin completa.A temperatura ambiente la energa trmica debida a la propia vibracin de las
partculas es suficiente para que todos los tomos donores estn ionizados
positivamente y cada tomo aceptor est ionizado negativamente. Vale decir
cada tomo donor ha proporcionado un electrn libre a la banda de conduccin y
cada tomo aceptor ha generado un hueco en la banda de valencia.
En el semiconductor de tipo N, por tanto, se produce el mismo nmero de
electrones que de sustancia donora. Esta condicin se llama condicin de
ionizacin completa. Entonces bajo estas condiciones puede decirse con
respecto a la concentracin de electrones.
n = Nd = NC e
( EC E F )
k BT
(1)
Siendo N D la concentracin de tomos donores.
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EC
Ed
EC
Iones clonores
Ei
Ei
Iones aceptores
EV
Ea
EV
Fig # 5 Representacin esquemtica de las bandas de energa para
semiconductores extrnsecos con iones donores y iones aceptores
La figura # 5 muestra la misma concentracin de electrones en la banda de

conduccin (los cuales son mviles) que de iones donores en su nivel energtico
ED (los cuales son fijos). Luego de la ecuacin anterior se puede obtener.
N
E C E F = k B T ln c
Nd
(2)
Tenemos el nivel de Fermi para el semiconductor de tipo N, con respecto al nivel

EC
Si N D >> ni (la concentracin de electrones en la banda de conduccin
producidos por la introduccin de impurezas es mucho mayor que los electrones
producidos por efecto trmico, ni )
En la misma forma para el semiconductor de tipo P, se cumple la condicin de
ionizacin completa para concentracin de los huecos.
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O
p = N a = NV e
( E F EV )
k BT
(3)
Siendo AA la concentracin de tomos aceptores. Entonces el nivel de Fermi,

con respecto al nivel EV en un semiconductor de tipo P.
N
E F EV = k B T ln V
Na
(4)
Si N a >> ni (la concentracin de huecos en la banda de valencia producidos por

la introduccin de impurezas es mucho mayor que la producida por efecto
trmico, ni )
Concertaciones extrnsecas.Se expresa la concentracin de portadores en un semiconductor extrnseco en
funcin
de
los
parmetros
que
definen
el
semiconductor
intrnseco,
concretamente la concentracin de portadores intrnseca y el nivel de Fermi

intrnseco, ni y E i , respectivamente.
n = NC e
ETN-501
p = NV e
( EC E F )
k BT
( EF EV )
k BT
= NC e
= NV e
( EC Ei )
k BT
( EV E i )
k BT
( E F Ei )
k BT
( Ei E F )
k BT
= ni e
= ni e
( E F Ei )
k BT
( Ei E F )
k BT
(5)
(6)
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S
L
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O
Fig. # 6 Semiconductor de tipo N. a) Diagrama de bandas b) densidad de

estados, c) Funcin de distribucin de Fermi, d) concentracin de
portadores.
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S
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O
Cuando el semiconductor tiene adulteraciones tipo N (tipo p) el nivel de Fermi se

mueve hacia el borde de la banda de conduccin (de valencia). En este caso, la
aproximacin de Boltzmann
no es muy buen y las expresiones simples que
relacionan la concentracin de portador y el nivel de Fermi no son muy precisas.

Un enfoque para una relacin mas precisa es utilizar una funcin tabulada que
de el valor de la integral para la densidad de carga.
La densidad del portador es:
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O
1
n=
2 2
Se define
n=
2me
2

E EF
k BT
( E EC )
e
EC
dE
( E EF )
k BT
(7)
+1
(8)
nF =
E F EC
k BT
(9)
La concentracin de los electrones n es:
1 2me k BT
n=
2 2 2
n
e
dn
( n nF )
(10)
+1
La integral de Fermi Dirac (o media integral de Fermi)
F1 (nF ) = e ( nnF) +1 (11)

2
n
dn
Y al aplicar la definicin de la densidad efectiva N C .

n=
nF > 3
nF < 3
ETN-501
2
N C F1 (n F )
2
(12)
E F EC
k BT
E EC
F1 exp F
2
k BT
4
F1
2
3
(13)
(14)
F
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O
La densidad efectiva de estado
mk T
N C = 2 e B 2
2
3
(15)
m T 2
3
N C (T ) = 2.512 10 de
cm
m
300
e
3
19
(16)
La densidad de estado de huecos

3
2m 2
1
N h ( E ) = 4 2h (EV E ) 2

(17)
La densidad de huecos (o concentracin de huecos) esta dada por:

p=
Ev
( E ) f h ( E ) dE = N V F1 (n h )
(18)
Es la concentracin de densidad de estados de huecos, donde

m k T
NV = 2 h B 2
2
(19)
Es la densidad efectiva de estados de huecos, para la banda de valencia y
nh =
EV E F
k BT
(20)
Ahora la densidad de estados de electrones y huecos

3
2m
1
N e ( E ) = 4 2 e (E EC ) 2

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(21)
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S
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LIID
DO
O
3
2mh
1
N h ( E ) = 4 2 (EV E ) 2

2
(22)
Semiconductor compensado.- Con frecuencia cada tomo donor en un

semiconductor de tipo n, suministra un electrn a la banda de conduccin, y el
electrn de concentracin n, en la banda de conduccin es aproximadamente
igual a la concentracin donora N d . En una manera similar a la temperatura
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S
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DO
O
ambiente o temperatura elevada, cada aceptor crea un hueco en la banda de
valencia de un semiconductor de tipo -p es aproximadamente igual a la
concentracin aceptora N a .
Si ambos, tanto los aceptores y donores son
agregados a un semiconductor, stos compensan de cada electrn suministrado

que los donores ocupan los niveles vacantes, en la banda de valencia creado por
los tomos aceptores
Semiconductores no degenerados.- Cuando el nivel de Fermi EF esta en la
energa de brecha, entonces (EC E F ) y (E F EV ) son mucho mayores que la

energa ( k BT ). En consecuencia
se dice que es un semiconductor no
degenerado, cuando (EC E F ) >> 3k BT y la integral de Fermi- Dirac.
F1 (
2
EF EC
)
k BT
Se reduce a una funcin exponencial F1 = exp. (

2
EF EC
)
k BT
La concentracin de electrones est definido como:
n = NCe
E F EC
k BT
(23)
La concentracin de huecos es:
p = NV e
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EV E F
k BT
(24)
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S
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O
Semiconductor degenerado.- Cuando el nivel de Fermi E F ,est en la banda de

conduccin, y (E F EC ) > 3k BT donde el nivel de Fermi, est en la banda de
valencia y (EV E F ) > 3k BT ,entonces el semiconductor se llama degenerado.
Para un semiconductor degenerado de tipo n:
4
F1
2
3
EF EC =
1
n 2
3
E F EC
k BT
2
(25)
3 2 n
2mdos
e
2mdos
e (E F EC )
(26)
(27)
Para un semiconductor degenerado de tipo p:

4 EV E F
F1
2
3 k BT
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(28)
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EV EF =
1
p 2
3
3 2 p
2mdos h
2mdos
h (EV E F )
(29)
(30)
En este caso el semiconductor se llama compensado

Neutralidad de la carga.De manera general, si en el semiconductor extrnseco estn presentes ambos
tipos de impurezas (donores y aceptoras) aquella concertacin mayoritaria es la
que determinar el tipo de semiconductores extrnseco (p n), as como la
conductibilidad del semiconductor. A temperaturas finitas, los electrones, sern
distribuidos, pero sus nmeros sern conservados y satisfacen la siguiente
igualdad de la neutralidad de carga:
La concentracin
n ni + n d = N d
(31)
p pi + pa = N a
(32)
intrnseca de portadores se cumple que ni= pi, entonces,
restando de la primera ecuacin la segunda, resulta que:

n p + nd pa = N d N a
n + nd = ( N d N a ) + p + pa
(33)
Donde:
n=
total de los electrones libres en la banda de conduccin
nd = electrones ligados a los tomos donores
ETN-501
F
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DO
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S
L
LIID
DO
O
p=
total de huecos libres en la banda de valencia
pa = huecos ligados a los tomos aceptores

Nd = Los iones donores fijos ubicados en el nivel donador
Na = Los iones aceptores fijos en el nivel aceptor
Esta neutralidad de carga en equilibrio trmico como
n + Na = p + Nd
(34)
Considerando la Ley de accin de masas y esta ltima de masas y esta ltima

igualdad
se pueden obtener las concentraciones de portadores en equilibrio
trmico para un semiconductor extrnseco

n p = ni2
(35)
nn pn = ni2 ( para tipo n )

nn + N a = pn + N d
(36)
(37)
ni2
nn + N a =
+ N d nn2 + nn N a = ni2 + nn N d
nn
nn2 + nn ( N a N d ) + ni2 = 0 nn2 nn ( N d N a ) + ni2 = 0
nn =
1
( N d N a ) + ( N d N a ) 2 + 4ni2
2
(38)
Se considera el semiconductor extrnseco de tipon, si (Nd > Na), ahora, para el

semiconductor de tipo p (Na > Nd), implica que el portador mayoritario es el
hueco y el minoritario el electrn, considerando la ley de accin de masas y la
concentracin de los huecos en equilibrio trmico es:
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F
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ST
TA
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DO
OS
S
L
LIID
DO
O
p p n p = ni2 ( para tipo p )
np + Na = p p + Nd
(39)
(40)
ni2
+ N a = p p + N d ni2 + p p N a = p 2p + p p N d
pp
p 2p p p ( N a N d ) + ni2 = 0
pp =
1
( N a N d ) + ( N a N d ) 2 + 4ni2
2
(41)
En resumen, en un semiconductor de tipo n (Nd >> Na) nn N d

nn pn = ni2 (42)
Bsicamente, en una material de tipo n la poblacin
de electrones es
mayoritaria respecto a la de huecos, se dice que el electrn es el portador

mayoritario y que el hueco es el portador minoritario.
En un semiconductor de tipo - p (Na >> Nd);
ni. << Na = pp Na
n p p p = ni2
(43)
Funcin de distribucin para los tomos de impurezas.La funcin
de distribucin
de Fermi Dirac para calcular la funcin de
probabilidad para un nivel de donador que tiene una energa Ed medida desde
que el borde de la banda de conduccin. La probabilidad de que un estado
donador, est ocupado dado por (nd es el numero de electrones ligados a los
donadores, Nd es la densidad del donador)
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F
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ES
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TA
AD
DO
OS
S
L
LIID
DO
O
nd
1
=
Nd 1
E EF
exp d
2
k BT
+ 1
(44)
El factor surge esencialmente del hecho de que hay dos estados que un
electrn puede ocupar en un sitio de donador correspondiente a los estados de
Spin.
La probabilidad de que un hueco sea atrapado para un nivel de aceptor esta
dado por (pa es el nmero de huecos ligados a los aceptores, Na es la densidad
de aceptor)
pa
1
=
Na 1
E Ea
+ 1
exp F
4
k BT
(45)
El factor se debe a la presencia de las dos bandas, hueco ligero, hueco pesado
y los dos estados de spin.
Para encontrar el nmero de electrones en la banda de conduccin y de huecos
en la banda de valencia, de electrones en los tomos donadores y huecos en los
niveles aceptores, se necesita emplear una computadora. Sin embargo, se puede
obtener una expresin aproximada al aplicar la aproximacin de Boltzamann, que
es vlida si Ed Ef >> kbT y Ec Ef >> kbT, con esta aproximacin tenemos (si se
supone un material de tipo n, para el cual Na sea cero).
nd =
Nd
E EF
1
exp d
2
k BT
E EF
= 2 N d exp d
k BT
(46)
Adems, tenemos que para la densidad de electrones en la banda de conduccin
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TA
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DO
OS
S
L
LIID
DO
O
E EF
n = N c exp c
k BT
(47)
Entones la fraccin de electrones ligados a los niveles de donador es ahora

(para concentraciones intrnsecas pequeas Nd = n + nd)
nd
=
n + nd
N c exp
(E EF )
2 N d exp d
k BT
E EF
Ec EF
+ 2 N d exp d
k BT
k BT
nd
1
=
n + nd
E Ed
Nc
exp c
+1
2Nd
k BT
(48)
Con esta aproximacin el nivel de Fermi no aparece en la relacin y la energa

de ionizacin del donador (Ec Ed) y la temperatura determinan la fraccin de
electrones ligados
nd
1
A bajas temperaturas, la relacin n + nd
(se aproxima a la unidad), de modo
que todos los electrones se encuentran ligados a los donadores. Esto se
denomina inmovilizacin de portador ahora, la fraccin de huecos ligados a los
niveles de aceptor (para concentraciones intrnsecas pequeas Na = p + pa)
pa =
(E Ea )
4 Na
4 N a exp F
k BT
EF Ea
+ 1
exp
k BT
(49)
La densidad de huecos en la banda de valencia
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E EF
p = N v exp v
k BT
pa
=
p + pa
N v exp
(50)
(E Ea )
4 N a exp F
k BT
E Ea
Ev EF
+ 4 N a exp F
k BT
k BT
pa
1
=
p + pa
E Ev
Nv
exp a
+1
4 Na
k BT
(51)
La operacin de dispositivo electrnica a temperatura ambiente se supone n = Nd

para materiales de tipo n y p = Na para materiales de tipo p.
Las ecuaciones relativas para dopar.Nivel de Fermi intrnseco
EFi =
m* e
Ec + Ev 3
+ k BT ln dos
*
2
4
mdos h
(52)
Niveles donores pronosticados para un mdulo parecido a hidrgeno.

0 me me e 4
Ec Ed = *
2 2 2
s me 32 0

Ec Ed (eV ) = 13.6 0
s
(53)
me*

me
Radio donora de Bohr
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aBeff =
4 02 me s

e 2 me me* 0
(54)
m
aBeff ( A) = 0.52917 e* s
me 0
Conductores, semiconductores y aislantes.-
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El modelo de bandas expuesto anteriormente podr aplicar satisfactoriamente la

existencia de conductores, semiconductores y aislantes. Entonces para los
electrones respondan al campo elctrico externo y por tanto contribuyan a la
corriente elctrica, los electrones deben ganar energa y situarse en estados
energticos superiores. En consecuencia, solo aquellos electrones que posean
estados superiores prximos disponibles vacios y permitidos respondern a la
accin
de un campo elctrico
externo. Con este
razonamiento podemos
concluir que aquellos electrones cuyas energas corresponden a las de una

banda completamente llena, no contribuirn a la corriente.
I banda llena = O [A] (1)
Para explicar el comportamiento elctrico de los slidos se distinguen
dos
situaciones en funcin de la temperatura T = 0[0K] y T > 0[0K]
A T=0[0K], un slido que tiene la banda de valencia llena
ser un
aislante debido a que los electrones de dicha banda bajo la accin de

una campo elctrico externo. Adems la existencia de la banda prohibida
impide que los electrones puedan desplazarse hacia la banda de
conduccin, por el contrario, si la banda de valencia est parcialmente
llena y
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no hay banda prohibida entonces los electrones pueden
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desplazarse hacia niveles ms altos de energa en el interior de dicha
banda y el slido se comporta como un conductor.
Ahora, un aislante cuya banda prohibida sea relativamente pequea, se
denominar semiconductor, aunque a T = OK, tanto el aislante como el
semiconductor como aislantes perfectos
A T > 0[0K] es posible que, en aislantes y semiconductores, algunos

electrones de la bandad de valencia sean excitados trmicamente
lleguen a la banda de conduccin y por tanto, que hagan algunos

portadores disponibles para la conduccin de la corriente elctrica. La
probabilidad de salto de electrones de la banda de valencia a banda de
conduccin
ser
directamente
proporcional
inversamente proporcional a la anchura

prohibida. En consecuencia, a mayor
la
temperatura
energtica, Eg de la banda
Eg menor concentracin
de
electrones en la banda de conduccin y menor conductividad elctrica.

Por otra parte, dado para estos materiales la concentracin de electrones
en la banda de conduccin aumenta con la temperatura, la conductividad
crecer a medida que la temperatura aumenta, lo que explica as, la
conecta dependencia
de la conductividad con la temperatura
para
aislantes y semiconductores.
En los conductores la situacin energtica de los electrones ligados en la banda
de valencia y parcialmente llena la banda de conduccin es muy similar para
los electrones libres en el modelo de Sommerfeld dentro del pozo de potencial
finito. Los conductores tienen una conductividad muy alta debido al nmero
mucho mayor de electrones que participan en el transporte de corriente. Es
difcil alterar la conductividad de los metales en cualquier forma simple como
resultado
de lo anterior. Por otra parte, los semiconductores tienen
conductividad cero a 0 [0K] y una conductividad bastante baja a temperaturas

finitas, pero es posible alterar su conductividad en rdenes de magnitud.
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Funcin de trabajo es la diferencia de energa ente el nivel vaco y el estado
electrnico ocupado mas alto en un metal.
Afinidad electrnica es la diferencia de la energa entre el nivel vaco y la parte
baja de la banda de conduccin.
Semiconductores directos e indirectos.
Semiconductores directos.- En semiconductores directos la transicin se

realiza en la parte baja de la banda de conduccin en k = 0, con el mximo
de la banda de valencia. Este hecho permite que pueda darse la mnima
transicin energtica entre las dos bandas sin que haya un cambio en el
momento lineal (debido a que k no varia).
En este tipo de transiciones se observa un fotn simultneamente a la transicin

electrnica entre bandas. Los semiconductores como: GaAs, InP, Ingaes, etc.
son semiconductores de banda de separacin directa y ptimamente activos.
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Semiconductores indirectos.- En semiconductores indirectos, la forma de

las bandas es tal que el mnimo de la banda de conduccin y el mximo de
la banda de valencia no ocurren para el mismo valor de k. Lo que implica
que una transicin electrnica entre Bv y Bc debe llevar aparejado un
proceso
que da cuenta del cambio de momento lineal necesario. En la
prctica esto implica que el electrn debe primero realizar una transicin
hacia otro estado (es un estado energtico provocado por la presencia de
algn defecto en la red) y desde ah realizar la transicin entre bandas sin
intercambio de momento. Los semiconductores como: Si, Ge, Al, As, etc.
Estos materiales tienen interacciones muy agudas con la luz y no pueden
utilizarse para dispositivos pticos eficaces. Las razones estn basadas en
las reglas de conservacin de momento en transiciones pticas, lo que hace
difcil tener transiciones fuertes en semiconductores indirectos.
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La energa cerca de los bordes de la banda en el punto k = ko, se representa la

estructura de bandas mediante la relacin:
E (k , k0 ) = E (k0 ) +
(ki k0i )2
mi
i = x, y, z
(2)
Donde el ndice i representa las componentes x, y, Z de k y ko, para materiales

con banda de separacin directa ko = (0,0,0). Entonces la relacin para
semiconductores directos, se transforma en:
E (k ) = Ec +
2me
2
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(3)
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Donde Ec, es el borde de la banda de conduccin y la estructura de bandas es
una simple parbola con superficies de energa iguales a las superficies de una
esfera.
Para materiales indirectos como el Si, la parte baja de la banda de conduccin
se presenta en los seis puntos
equivalentes:
2
2
(0.85,0,0),
(0, 0.85,0),
a
a
2
(0,0,0.85), y sus inversos. La relacin del momento de energa es:
a
E (k ) = Ec + l + t
2ml
2mt
2
(4)
Donde kl es la parte longitud de k (es decir paralela al valor de k en el borde de

la banda) y kt es la parte transversal medida desde el borde de la banda de
conduccin.
La superficie de energa constante de la estructura de bandas es un elipsoide.
Cerca de los bordes
de las bandas, los electrones en semiconductores se
comportan como si tuvieran
una masa me que se conoce como la masa
efectiva. Para semiconductores de brecha directa, la masa efectiva de los

electrones en el borde de la banda de conduccin est dada por la relacin:
1
1 2cv2
=
+
me E g
me
(5)
Donde para la mayora de los semiconductores,
2cv2
= 20[ev]
me
(6)
Donde me es la masa del electrn libre.
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Ahora, cerca de la parte superior de la banda de valencia hay tres curvas
importantes (fig. 3). La banda de masa ms pesada se denomina banda de
hueco pesado (I). La segunda banda mas ligera se conoce como banda de
hueco ligero (II), y la tercera, separada, por una energa i se llama banda de
separacin (III). Las masas de los electrones de la banda de valencia son
generalmente mucho ms pesadas que los situados en la banda de conduccin
y tambin son negativos. En general, la masa efectiva est definida como:
1
1 2E
=
2
2 2
me

(7)
La densidad de estados en un sistema tridimensional
N (E) =
( )
2 mdos
22
3/ 2
E1 / 2
(8)
Donde m*dos es la masa de densidad de estados para los semiconductores de

banda de separacin directa se cumple que:
= me (masa efectiva ) (9)

mdos
Para materiales como el Si, la masa de densidad de estados para un vale:
= (m1.m2 .m3 )
mdos
1/ 3
(10)
Donde m1, m2 y m3 son las masas efectivas en las tres direcciones principales
para el silicio.
m*e = m1,
m *t = m 2 = m 3
m*e = es la masa efectiva longitudinal
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m*t = es la masa efectiva transversal
El silicio tiene 6 valles de bordes de la banda de conduccin, entonces la
densidad de estados calculada para un valle debe multiplicarse por seis para
obtener la densidad total de los estados
( )
6 2 mdos
N ( E )( Si ) =
22
3/ 2
E1 / 2
(11)
En el caso de las masas de la banda de valencia, existen las masas de los

huecos pesados y los huecos ligeros. Se puede definir el efecto de estas dos
bandas mediante una masa de densidad de estados efectiva esta dada por:
mdos
3/ 2
= mlh
3/ 2
+ mhh
3/ 2
(12)
Donde m*lh= es la masa efectiva de huecos ligeros

m*hh= es la masa efectiva de huecos pesados
Huecos en semiconductores.- Un estado electrnico vaco en la banda de
valencia se comporta como si fuera una partcula con carga positiva y una
masa efectiva dada por las propiedades de la banda de valencia. Los
semiconductores estn definidos como materiales
en los que la banda de
valencia se encuentra llena de electrones y la banda de conduccin esta vacia a

0 [0K]. A temperaturas finitas algunos de los electrones abandonan la banda de
valencia y ocupan la banda de conduccin. La banda de valencia se queda
entonces con algunos lugares sin ocupar.
Cuando todos los estados de la banda de valencia estn ocupados, la suma
sobre todos los estados del vector de onda es cero, es decir.
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= 0 ki + ke
ki ke
(13)
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Este resultado es apenas una indicacin de que hay tantos estados k positivos
ocupados como negativos. Ahora, en la situacin donde un electrn con vector
de onda k, se pierde, el vector de onda total es:
= ke
ki k e
(14)
El estado perdido se denomina hueco y el vector de onda del sistema es ke.

Es importante advertir que el electrn se pierde del estado ke y el momento
asociado con el hueco esta en ke. La posicin del hueco se presenta como la
del electrn perdido. Pero en realidad el vector de onda kh del hueco es ke,
entonces kh = -ke.
Cuando se aplica un campo elctrico al sistema, todos los electrones se

mueven en direccin opuesta al campo elctrico. Al mismo tiempo esto resulta
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en el estado no ocupado movindose en la direccin del campo. El hueco
responde entonces como si tuviera carga positiva. Por tanto responde a los
campos externos elctricos y magnticos respectivamente, entones la ecuacin
del movimiento es:

kh
v
= e + h B
c
t
(15)
Donde kh y vh son el momento y la velocidad del hueco. Los huecos se

comportan como si tuviera una carga positiva. Esto ocurre porque los huecos
de los estados ocupados en la banda de valencia responden a las fuerzas
externas con una respuesta
de carga negativa propia, pero el estado del
electrn perdido responde con una respuesta de carga positiva. La masa del
hueco tiene un valor positivo, aunque la masa del electrn en su banda de
valencia sea negativa.
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CAPTULO
Fenmeno de transporte de
portadores
INTRODUCCIN
Un movimiento de portadores libres en un conductor conduce a una corriente.

Este movimiento puede ser causado por un campo elctrico debido a un voltaje
externo aplicado. Pero, la citacin externa puede ser tambin, trmico u ptico.
Los mecanismos provocarlos en los portadores por accin de citacin alternas
reciben el nombre de fenmenos de transporte.
Entre los fenmenos de transporte cabe mencionar como fundamentales a los

fenmenos de arrastre, difusin y efecto es Hall.
Conduccin por arrastr.- Se produce cuando se somete la sustancia

semiconductora a una definida de potencial o a la accin de una campo
elctrica externo.
Conduccin por difusin.- Las corrientes de portadores generados por

difusin se deben a diferente concentracin de estas en el semiconductor.
Efecto de Hall.- La corriente de portadores se crea por la accin conjunta

de un campo elctrico y una magntico sobre el semiconductor.
4-1. Fenmeno de arrastr de portadores.Se considera una muestra de semiconductor de tipo N con una concentracin
demora constante y en equilibrio trmico.
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Los electrones en la banda de conduccin son partculas libres, y no estn
asociados a ninguna estructura en particular. La influencia de la Estructura
cristalina est en la masa efectiva de los electrones en conduccin, la cual es
ligeramente diferente a la de los electrones libres, bajo las condiciones de
equilibrio trmico. La energa trmica promedio de los electrones en la banda de
conduccin se puede obtener a partir del teorema de equiparticin de energa:
1
KT por cada grado de libertad, donde K es la constante de Boltzmann y T es la
2
temperatura absoluta.
K =
3
kT
2
(1)
Los electrones en un semiconductor tiene tres grados de libertad ya que pueden

moverse en un espacio tridimensional. Por lo tanto, la energa cintica de los
electrones es:
1 * 2 3
mnVth = kT
2
2
(2)
Donde mn* = masa efectiva de los electrones y Vth = velocidad trmica. A

temperatura ambiente (T= 300 oK) Vth = 107[m/s] para Si y GaAs.
Vth =
3kT
mn*
(3)
Debido a la energa trmica, los electrones estn en un movimiento constante en

todas las direcciones. Los electrones estn continuamente en movimiento, no
estn asociados con ninguna particular posicin de la estructura. El movimiento
trmico de un electrn individual se puede ver como una sucesin de
movimientos aleatorios con colisiones con tomos de la estructura cristalina, con
impurezas, etc. como se ve en la figura # 1,
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Este movimiento aleatorio de los electrones conduce a un desplazamiento neto

cero de un electrn en un periodo de tiempo largo. Entonces, la velocidad media
de los electrones es nula. La distancia promedio entre colisiones es llamado
recorrido libre medio l y el tiempo promedio entre colisiones tiempo libre medio
Tc. Estas magnitudes estn relacionadas con la velocidad trmica es:
Vth =
T
(4)
Para los electrones, = 10-5 (cm) y T = 1ps (para T= 300 oK).

4.1.2. Velocidad de arrastre.- Cuando se aplica al semiductor un campo
elctrico () , cada electrn experimenta una fuerza Fe = e
Los electrones se mueven en sentido contrario al campo elctrico y los huecos en

el mismo sentido. En consecuencia, adquieren una nueva componente de
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velocidad de arrastre Vr . Esta velocidad es, en la mayor parte de los dispositivos,

mucho ms pequea que la velocidad trmica, por lo que la velocidad de arrastr
puede considerarse como una perturbacin de la velocidad trmica. La accin
combinada de la velocidad de arrastr puede considerarse como una
perturbacin de la velocidad Trmica. La accin combinada de la velocidad
trmica y la de arrastr da lugar a un movimiento neto de los electrones en
sentido contrario al capo elctrico aplicado.
Suponiendo que todos los portadores en el semiconductor se mueven con al
misma velocidad, entonces la corriente debe expresarse como la fuerza total en
un semiductor por el tiempo necesario para viajar de un electrodo a otro.
i=
Q = Q = Q vr
r / vr
(5)
Donde r es el tiempo de trnsito de una partcula, que viajan con una velocidad
Vr.
La densidad de corriente se puede escribir como una funcin de cualquiera de
densidad de carga o densidad de portadores n en el semiconductor:
Q vr =
J=
vr = e n vr
A
(6)
Ahora, analizaremos el movimiento de portadores considerado solamente la

velocidad promedio Vr de los portadores. En virtud de la segunda ley de Newton:
F = ma = m
(7)
t
La fuerza consiste de la diferencia entre la fuerza electrosttica y la fuerza de
dispersin al momento en el tiempo de dispersin. Esta fuerza de dispersin es
igual al momento dividido por el tiempo promedio entre eventos de dispersin.
m*v
F = e n r
r
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(8)
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Combinando ambas relaciones proporcionan una expresin para la velocidad
promedio entre eventos de dispersin
Combinando ambas relaciones proporcionan una expresin para la velocidad
promedio de la partcula.
m n* v r
v r
m
= e
r
t
*
n
(9)
Podemos considerar solamente la situacin de estado estacionario en el que la

partcula ha sido acelerado y alcanza una velocidad promedio constante. Bajo
estas condiciones la velocidad es proporcional al campo elctrico aplicado y se
define la movilidad como la razn entre velocidad con campo elctrico.
e =
m n* v r
e
vr = * r
r
mn
e r
m n*
(10)
v rn = n
(11)
vr =
n =
e r v rn
=
m n*
(12)
La movilidad de una partcula en un semiconductor se espera, por tanto que sea

grande si su ms efectiva es pequea y el tiempo de vida media entre intervalos
de dispersin sea grande.
La movilidad es un parmetro importante en el transporte de portadores ya que
expresa cuantitativamente la facilidad o no de movimiento de los electrones frente
cm 2
m2
o
a la accin del campo elctrico. Su unidad de medida es

Vs
Vs
Para los huecos en la banda de valencia se define:
Vrp = p
e
p = *r
mh
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(13)
(14)
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La densidad de corriente de electrones en funcin de movilidad es:
J n = en n
(15)
J p = en p
(16)
La densidad de corriente de huecos en funcin de movilidad es:

4.1.3.- Resistividad.- Supongamos un semiconductor de tipo N, dopado
homogneamente cuyo diagrama de bandas en la figura # 3 donde se muestra al
diagrama de bandas cuando se aplica una tensin de polarizacin en el terminal
de la parte derecha.
Cuando se aplica un campo elctrico al semiconductor, dicho campo realiza una

fuerza sobre cada electrn. Adems esta fuerza ejercida es igual al valor negativo
del gradiente de la energa potencial del electrn.
F = e =
E Fi
x
(17)
Para el gradiente de la energa potencial se puede utilizar cualquier parte del

diagrama de bandas que sea paralelo a Ec, (EF,Ei o Ev). Es conveniente utilizar Ei
pues esta magnitud es ampliamente utilizado en el caso de uniones p-n, entonces
el campo es
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=
1 E Fi
e x
(18)
La cada de tensin entre dos puntos se define como la energa empleada para
mover una carga positiva unidad desde uno al otro terminales.
Para mover una carga positiva desde un punto a otro entre los cuales existe una
diferencia de potencial V y realiza un trabajo y la energa empleada es Eo=eV,
cuando la carga llega a su destino gana una energa potencial Eo=eV. Para el
electrn, se lleva desde B hasta con una diferencia de potencial V, el electrn
pierde una energa potencial Eo=-eV.
Variacin de la energia potencial E p = eV
Entonces el campo electrn, se define como:
1 E
V
=
e x
x
(19)
Para un campo elctrico constante, V diferencia de potencial y la longitud del

semiconductor.
V
=

(20)
Ahora, la densidad de corriente neta de portadores debida a la accin del campo

elctrico externo.
J = J n + J p = en n + ep p
J = e(n n + p p )
(21)
La conductividad se define como ( m) -1:
= e(n n + p p ) (22)
La contribucin de los electrones y los huecos a la conductividad es simplemente
aditiva. La resistividad del semiconductor ( m), es el valor recproco de la
conductividad, esta definido como:
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1
1
=
(23)
e(n n + p p )
F
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Para el caso de semiconductor extrnsecos, generalmente hay una concentracin
de portadores de carga que es mayoritaria respecto a la otra, entonces:
Semiconductor tipo N (n>>p); n=1/enn
Semiconductor tipo P (p>>n); p=1/enp
Para una concentracin de impurezas (donoras y aceptoras) la resistividad de un
semiconductor de tipo P es mayor que la de un semiconductor de tipo N: n > p,
(mn* > mh*)
>
n.
4.2.- Fenmenos de difusin de portadores.- se considera ahora el flujo de

corriente por difusin. Si no hay campos elctricos aplicados, los portadores se
mueven aleatoriamente, chocan con la red cristalina y son dispersados al azar.
Un flujo neto de corriente, en tal proceso ocurre si hay gradinete de concentracin
de portadores.
Si consideramos conduccin por huecos, entonces P sea la concentracin de
huecos y sea p su gradiente con componentes
p p p
,
y
. Luego la densidad
x y z
de corriente de huecos ser:

J p = D p p
(24)
Se considera un perfil de concentracin n(x,t) de electrones de al Fig # 4,

entonces se calcula el flujo de electrones (x,t) a travs del plano x=xo en
cualquier instante del tiempo.
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Podemos considerar en una regin del espacio una trayectoria libre media a
cada lado de xo, de la que los electrones pueden provenir a travs de la frontera
x=xo en el tiempo de dispersin
disp.
Los electrones de regiones adicionales
aparte sufrirn colisiones que cambiarn en forma aleatoria sus direcciones.

En las dos regiones denominadas n1 y n2 las regiones se mueven de manera
aleatoria, la mitad de los electrones en la regin n1 irn a travs de x=xo hacia la
derecha y la otra mitad irn hacia al izquierda en le tiempo de dispersin
disp.
El
flujo hacia la derecha es entonces
n ( x, t ) =
(n1 n 2 )
2 disp
(25)
donde n1 y n2 son las densidades de portador promedio en las dos regiones. Ya

que las dos regiones propiamente tales se encuentran separadas por la distancia
, entonces:
n( x, t )
n1 n 2
x
(26)
Donde es la distancia libre media para los electrones, ese decir la distancia que
viajan los electrones entre colisiones, luego, el flujo neto es:
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2
n( x, t )
n ( x , t )
n ( x, t ) =
= Dn
x
2 disp x
(27)
Donde Dn es el coeficiente de difusin del sistema electrnico y dependen de los

procesos de dispersin que controlan y el tiempo
disp.
Puesto que la
trayectoria libre media es esencialmente:

= v th disp
(28)
Donde Vth es la velocidad trmica media, el coeficiente de difusin de la

temperatura, entonces:
2
Dn =
2 disp
(29)
De la misma forma, el coeficiente de difusin de los huecos proporcionan el flujo

de huecos debido a un gradiente de huecos.
p ( x, t ) = D p
p ( x, t )
x
(30)
Donde Dp es el coeficiente de difusin de los huecos. En consecuencia el flujo de

electrones y huecos, puede fluir una corriente en la estructura cristalina, que en
ausencia de un campo elctrico est dada por la carga multiplicada por el flujo de
partculas.
J diff = Jn (diff ) + Jp (diff ) = eD n
n ( x , t )
p ( x, t )
eD p
x
x
(31)
Tanto los electrones como huecos se mueven en la direccin de la menor

concentracin de electrones y huecos respectivamente, las corriente que
conducen ellos son opuestas debida a la diferencia de sus cargas.
Transporte por deriva y difusin; la relacin de Einstein.- en muchos
dispositivos electrnicos la carga se mueve bajo la influencia combinada de
campos electrnicos y gradiente de concentracin. La densidad de corriente est
dada por:
J n ( x ) = e n n( x ) ( x ) + eDn
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dn( x , t )
dx
(32)
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J p = e p p( x ) ( x ) eD p
dp( x , t )
dx
(33)
Las movilidades de electrones y huecos no son constantes. En campos de gran

intensidad las movilidades disminuyen y el factor alcanza una constante
correspondiente con la velocidad de saturacin. As la corriente de deriva se
satura y llega ser independiente del campo.
El efecto de los campos elctricos sobre las bandas de energa del
semiconductor. Las bandas de energa representan los niveles de energa del
electrn, incluso el efecto de la carga negativa. Si se aplica un campo elctrico
( x ) , la fuerza sobre los electrones es e ( x ) y por lo tanto la energa potencial

u( x ) y la fuerza estarn relacionados por:
F = u( x ) (34)
Para un campo elctrico uniforme podemos escribir:
u( x ) = e ( x ) x
(35)
As, puesto que la carga del electrn es negativa, las bandas se encurvan.
Ec ( x ) = Ec ( = 0 ) + e ( x ) x
(36)
Si un potencial positivo es aplicado a la izquierda del material y el otro negativo a

la derecha, las bandas se doblarn. La deriva de los electrones descender en al
imagen de la banda de energa y as opuesto al campo (Fig.#3).
En equilibrio, las corrientes totales de electrn y hueco son individualmente cero.
J n ( x ) = e n n( x ) ( x ) + eDn
( x ) =
1 Dd dn( x , t )
n( x ) n
dx
dn( x , t )
=0
dx
(37)
Si suponemos que la funcin de distribucin del electrn esta dado por la

distribucin de Boltzmann:
n( x ) = ni exp
ETN-501
EF EF ( x )
k BT
(38)
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O
Donde EFi y EF son el nivel de Fermi intrnseco y el nivel de Fermi en presencia
de cargas extrnsecas:
ni
dn( x )
=
exp
dx
k BT
E Fi E F ( x )
k BT
] dEdx
Fi
dn( x)
n( x) dE F i dE F
dx
k B T dx
dx
dE F
dx
(39)
En equilibrio, el nivel de nivel de Fermi no puede variar espacialmente de otro

modo la probabilidad de hallar electrones a lo largo de una posicin de energa
constante variar a lo largo del semiconductor. Puesto que no est permitido por
difusin de las condiciones de equilibrio, el nivel de Fermi tiene que ser constante
en equilibrio.
dE F
=0
dx
(40)
El campo elctrico est definido en funcin de
=
Si
1 dE F i
e dx
dE F i
dx
(41)
dn( x)
n( x) dE F i
=
dx
k BT dx
Luego, con la ecuacin (37)

e Dn
dn( x)
1
=0
dx
n k B T
e Dn dn( x, t )
dn( x) n( x) e Dn 1 dn( x, t )
=
=
dx
k B T n n( x) dx
n k B T dx
e Dn
dn( x)
0 1=
n k BT
dx
k B T Dn
=
n
e
(43)
Por el mismo procedimiento se obtiene:

k BT D p
=
p
e
ETN-501
(44)
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O
Estas ltimas educaciones son la relacin de Einstein que satisface para
electrones y huecos.
Para campos elctricos de gran magnitud, la movilidad disminuye como un
inverso del campo elctrico debido a la
Disminucin del tiempo de dispersin
El coeficiente de difusin tambin tiene
el mismo final. Para campos de gran intensidad la relacin de Eisntein no se

mantiene, as como tambin lo hace para campos de baja intensidad, puerto que
la funcin de distribucin electrnica es bastante complicada.
Efecto de Hall.- Cuando por una muestra semiconductora circula una densidad
de corriente J perpendicular a un campo magntico B , ste provoca la aparicin
de un campo elctrico normal al plano determinado por B y J . Este mecanismo

recibe el nombre de efecto Hall y puede ser usado para determinar algunas
caractersticas de semiconductores como: el tipo de portador (hueco o electrn),
la concentracin o la movilidad. Tambin es la base de dispositivos utilizados en
la medida de campos magnticos.
Supongamos una muestra de semiconductor de tipo P,(Fig.# 1) sometida a una

diferencia de potencial V en la direccin X. Esta diferencia de potencial origina un
campo elctrico en la direccin de x, x el cual por el fenmeno de arrastre
proporcionar una velocidad a los huecos Vx en la direccin x. En esta situacin
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se aplica a la muestra semiconductora un campo magntico a lo largo de la
direccin z,Bz.

La fuerza de Lorentz F = e v B (en magnitud, e v x B z )
debida a la presencia
del campo magntico ejercer una fuerza ascendente (en la direccin y) sobre los
huecos que juegan en el eje x. Como consecuencia de esta fuerza, la velocidad
de los huecos presentar una componente en el eje y.
El resultado ser una acumulacin de cargas positivas en la parte superior de la
muestra y negativos en la parte inferior de la misma. Esta acumulacin de cargas
crear ahora otro campo elctrico en la direccin y orientado hacia abajo y .
Entonces, no se produce un flujo neto de corriente en la direccin y, en las
fuerzas elctrico y magntico son iguales tal que la fuerza resultante es cero.
F0 = e y e v x B z = 0
y = vx Bz
e y = e vx Bz
La nica corriente existente en el semiconductor es la corriente I proporcionada

por la fuente externa V, de arrastre en la direccin x es VX.
Donde y es campo elctrico Hall, y la diferencia de potencial elctrico creado
por este capo, se llama voltaje de Hall vH. Luego la velocidad VX es la velocidad
de arrastre de huecos, la densidad de los huecos:
J p = e p vp
vx = v p =
Jp
ep
En consecuencia:
y = vx Bz =
Jp
ep
B z = RH J p Bz
1
Donde: R H =
coeficiente de Hall ( R H > 0 )
ep
El campo elctrico de Hall es proporcional al producto de la densidad de corriente
y el campo magntico. El coeficiente de proporcionalidad de RH es llamado
coeficiente Hall.
Para los electrones en un semiconductor de tipo N:
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v x = vn =
Jn
en
y = vx Bz =
Donde: R H =
J n = e n v n
Jn
Bz = RH J n Bz
en
1
coeficiente de Hall ( R H < 0 )
en
A partir de al medida de este coeficiente, se pueden obtener las medidas de

concentracin de portadores. As para un semiconductor de tipo P.
p=
Donde:
J p B z (I A) B z
I Bz w
1
=
=
=
e RH
ey
e (V H w) e V H A
w es el espesor de la muestra (eje y)

A seccin transversal
I corriente de huecos
Para semiconductor de tipo P los portadores mayoritarios son los huecos, la

corriente I es debida a la densidad de huecos Ip (mucho mayor que la densidad
de electrones). El campo elctrico es:
y =
VH
w
VH = y w = (RH
I
A
B z )w
En un semiconductor de tipo P; R H > 0 V H > 0

En un semiconductor de tipo N; R H < 0 V H < 0
n=
J B
1
= n z
e RH
ey
Inyeccin de Portadores.- El proceso por el cual se introducen portadores de

carga en exceso recibe de inyeccin de portadores. A los portadores que se han
introducido externamente se les llama portadores en exceso. Existen varios
mtodos diferentes de inyeccin de portadores en un semiconductor entre las
cuales cabe destacar la excitacin ptica. Tambin hay un proceso de inyeccin
de portadores en exceso para el caso de unin P-N directamente polarizada. En
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el caso de excitacin ptica, se irradia
energa del fotn de la luz hf > E g
la muestra del semiconductor. Si la
(anchura de la banda prohibida E g del
semiconductor), el fotn es absorbido por el semiconductor por el semiconductor

generndose un par electrn hueco.
Proceso de generacin recombinacin directa entre bandas.- El proceso de

generacin directa ocurre cuando un electrn es excitado directamente desde al
banda de valencia a la banda de conduccin, dando como resultado un gran
electrn hueco. Por el contrario, la recombinacin directa ocurre cuando un
electrn cae desde al banda de conduccin directamente a la banda de valencia,
eliminndose tanto el electrn como el hueco.
Si llamamos Gth al nmero de electrn hueco producidos por generacin por
unidad de volumen y por unidad de tiempo y Rth al nmero de pares de electrn
hueco aniquilados por recomendacin, pero en equilibrio trmico ambas.
Son iguales, entonces se cumple la ley de accin de masas pn = n i2 .
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O
Cuando es introducido un exceso de portadores en el semiconductor, hay una
alta probabilidad de que los electrones y huecos se recombinen directamente. En
forma general es lgico pensar que la velocidad de recombinan R sea
proporcional al nmero de electrones disponible en la B. de C. (n) y al nmero de
huecos disponibles de la B. de V. (p),
entonces:
R= np
Donde
(1)
es la constante de proporcionalidad. En equilibrio trmico las
velocidades de generacin y recombinacin son iguales. Por tanto para un

semiconductor de tipo N.
Gth = Rth = nn 0 pn 0
(2)
Donde nn0 y pn0 son las concentraciones respectivas de electrones y huecos en el

semiconductor de tipo N en el equilibrio trmico. Cuando se produce una
excitacin externa (hay luminoso) Que incrementa la concentracin de portadores
minoritarios. Entonces el proceso de generacin recombinacin acta para
reducir la concentracin de estos portadores causando que la velocidad de
recombinacin supere a la velocidad de generacin.
G = GL + Gth
(3)
El efecto es doble. Por un lado se altera la velocidad de generacin de poner

electrn hueco ahora ya no solo se atribuye al caso de equilibrio trmico sino
tambin la excitacin trmica. Al existir un exceso de portadores, las poblaciones
(nn 0 + n )
en las dos bandas quedarn alteradas,
( pn 0 + p )
respectivamente de forma que la nueva velocidad de recombinacin ser

R = (n n 0 + n )( p n 0 + p ) (4)
Donde n y p son las concentraciones en exceso de portadores introducidas,
se cumple
n = p
(se conserva la neutralidad de carga). El cambio que
experimentar la concentracin de huecos (portadores minoritarios) vendr dado

por la velocidad neta de generacin recombinacin:
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dp n
= G R = G L + Gth R
dt
Existe un proceso de variacin de dicha concentracin
con el tiempo hasta
llegar al caso estacionario se estabiliza en un valor constante (dicho valor

constante ser superior al equilibrio trmico p n 0 , ya que se ha inyectado
portadores minoritarios en exceso):
dp n
= 0 G L = R Gth = u
dt
La cantidad U recibe el nombre de velocidad recombinacin neta.
Siguiendo el estado estable y sustituyendo R y Gth
queda:
u = (n n 0 + n )( p n 0 + p ) n n 0 p n 0
pn = 0
u = [n n 0 p n 0 + n n 0 p + np n 0 + np n n 0 p n 0 ] = (n n 0 p + p n 0 n )
Bajo nivel de inyeccin p , n n 0 >> p (concentracin de portadores mayoritarios
mucho
mayor que la concentracin de portadores en exceso). Para
semiconductor tipo N, n n 0 >> p n 0 y p = p n p n 0

u = n n 0 p = n n 0 ( p n p n 0 ) =
p = p n p n 0
p n p n0 p n p n0
=
1
p
nn0
Exceso de portadores minoritarios.
Significa que la velocidad de recombinacin neta es proporcional al exceso de

portadores minoritarios. La constante de proporcionalidad p =
1
es el tiempo
nn0
de vida media de portadores minoritarios en exceso.

Para un semiconductor de tipo P:
u=
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n p n p0
y n =
1
p n0
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El significado fsico del tiempo de vida media puede ser comprendido analizando
la respuesta del dispositivo cuando se retira sbitamente cuando se retira la
fuente de luz.
Consideremos una muestra del semiconductor de tipo N, que esta iluminada y en
la cual los pares electrn hueco son generados de forma uniforme en toda la
muestra con una velocidad de generacin G L .
dp n
= G R = G L + Gth R = 0 G L = R Gth = u
dt
p p n0
GL = n
p n = p n 0 + pG L
p
En un tiempo arbitrario, la luz es apegada. La variacin que experimentar la
concentracin de huecos ser ( G L = 0 ):
dp n
p p n0
= Gth R = u = n
dt
p
(-) es debido a que la concentracin de huecos experimente una disminucin
8predomina la recombinacin frente a la generacin), se obtiene
p n (t )
resolviendo la ecuacin diferencial:

dp n
1
( p n p n0 ) = 0
+
dt p
t=0
p n (t = 0) = p n 0 + p G L
p n (t ) = p n 0
(La concentracin de huecos tiende a la concentracin de huecos en equilibrio

trmico).
La solucin ser: pn (t ) = p n 0 + p GL e
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Proceso de generacin recombinacin indirecta.
Existen 4 procesos que dan lugar a la generacin y recombinacin indirecta en

semiconductores. En la fig # 4, donde existe un estado localizado aceptar
ligeramente por encima del centro de la banda prohibida. El 1er proceso es el de
captura de un electrn por el estado localizado, mientras que el inverso, segundo
proceso, ocurre cuando el electrn es llevado desde el estado localizado a la
banda de conclusin y es conocido como emisin de un electrn.
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El 1er proceso, conocido como captura de un hueco, corresponder a la
transferencia de un electrn desde el estado localizado hasta la banda de
valencia. Finalmente, el 4to proceso corresponde a la transicin de su electrn
desde la banda de valencia hasta el estado localizado, dejando un hueco detrs y
el llamado emisin de un hueco.
Los estados localizados son centros de generacin, recombinacin o desvos.

Estos centros de recombinacin son debidos a imperfecciones en la estructura
cristalina, causados por dislocaciones o defectos del cristal o por la presencia de
impurezas, las cuales pueden haber sido introducido de forma deliberada.
a) En volumen.- En primer se considerar una situacin de equilibrio trmico. La
existencia de impurezas o defectos en el cristal da lugar a la presencia de niveles
de energa incluidos en la banda prohibida del semiconductor. Estos niveles de
energa son los centros de generacin recombinacin que son utilizados por los
electrones y huecos como etapas en los procesos de generacin
recombinacin indirecta.
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Un electrn de la B.C. es capturado por el centro cuando un centro es ocupado

por un electrn ya no puede ser ocupado ese nivel por otro electrn que se
capture. En consecuencia, la velocidad de captura de ese u los electrones sern
proporcionales a la concentracin de centros que toda va no estn ocupados (los
centros que permanecen neutros). Sea
N t la concentracin de centros en el
semiconductor, entonces la concentracin de centros no ocupados vendr dado

por
N t (1 F ) . Siendo F la probabilidad de que un centro sea ocupado por un
electrn. Luego es funcin de distribucin de Fermi Dirac.
F( E ) =
1
1 + e ( Et E F ) / k B T
E t : nivel de energa del centro.

E F : nivel de Fermi.
Ra = K a nN t (1 F ) (velocidad de captura de electrones)
De esta forma, la velocidad de captura de electrones R por este proceso ser
proporciona a la concentracin de centros no ocupados y a la de electrones de la
B.C.
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La velocidad de emisin electrnica Rb ser proporcional a la concentracin de
centros ocupados por electrones, o sea
N t F entonces:
Rb = K b N t F (velocidad de emisin de electrones)

La constante Kb recibe el nombre, la probabilidad de emisin. Bajo las
conclusiones de equilibrio trmico, las velocidades de captura y emisin
electrnica consideran:
R a = Rb
Kb =
K a n(1 F )
F
Luego la concentracin de electrones en equilibrio trmino y la funcin de

contribucin de Fermi para el nivel energtico del centro.
n = n i e ( E F Et ) / k BT
1 F
= e ( Et E F ) / k BT
F
K b = K a n i e ( Et E F ) / k B T
Esta ltima expresin significa que si el nivel del centro E esta cerca de la banda
de conduccin (Et Ei aumenta), la emisin de electrones desde los centros
aumenta la probabilidad.
La velocidad de captura de un hueco por parte de un cuerpo ser proporcional a
la concentracin de electrones presentes en los centros:
Rc = K c pN t F (velocidad de captura de un hueco por parte del centro)
La velocidad de emisin de un hueco (o lo que es lo mismo de que un electrn de
la B.V. pase al centro) ser proporcional a la concentracin de centros no
ocupados por electrones:
Rd = K d N t (1 F ) (velocidad de emisin de un hueco)
Kd
la probabilidad de emisin de un hueco.
K d = K c n i e ( E F Et ) / k B T
La probabilidad de emisin de un electrn de la B.V. aumenta a medida que el
nivel del centro est ms cercano a la banda de valencia.
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Experimentalmente se pueden medir las constantes N t , E t , K c y K a , mediante el
uso de las expresiones iniciales para R a , Rb , Rc y Rd determina la emisin de una
recombinacin indirecta bajo condiciones de no equilibrio.
Bajo la situacin de no equilibrio de un semiconductor de tipo N, el cual mediante

excitacin uniforme produce una velocidad de generacin G L .
En situacin de estado estable, la velocidad de abandono de los electrones de la
B.C. ser igual a la de incorporacin a esta banda:
dn n
= G L ( R a Rb ) = 0
dt
Para huecos en la B. de V.
dp n
= G L ( Rc R d ) = 0
dt
Bajo condiciones de equilibrio trmico GL = 0 y Ra = Rb y Rc = Rd

pero en equilibrio dinmico Ra Rb y Rc Rd , entonces
G L = R a Rb = Rc R d
Tomando
las
expresiones
anteriores
( Et E F )
( E F Et )
k BT
k BT
K a N t n n ( 1 F ) ni e
F = K c N t p n F ni e
( 1 F )
Eliminando F y resolviendo para la velocidad de recombinacin neta definida

como:
u = Ra Rb
ETN-501
u K c N t ( pn pn0 ) =
pn pn0
p
F
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Bajo inyeccin en un semiconductor de tipo N ( nn >> pn ,despus de la inyeccin
de portadores la concentracin de electrones en la B. de C. sigue siendo mucho
mayor que la de los huecos en la B. de V.)y que los centros presentan un nivel
cercano a la B.P.:
nn >> ni e( Et E F ) k BT
El tiempo de vida media para los electrones y los huecos. El caso considerado, el
tiempo de vida media para los huecos en el semiconductor de tipo N es:
p =
1
K c Nt
EESSTTAA EESS UUNNAA CCOOLLAABBOORRAACCIINN DDEE LLOOSS AALLUUMMNNOOSS

DDEE EETTNN--550011 FFSSIICCAA DDEELL EESSTTAADDOO SSLLIIDDOO;; DDEELL
SSEEMMEESSTTRREE II//22000055 UUNNIIVVEERRSSIITTAARRIIOOSS,, CCAAPP..11--44::
VVIICCTTOORR SSEERRAAFFNN AARRRROOYYOO AAZZOOGGUUEE..
EESSTTEEFFAANNNNYY EELLIIZZAABBEETTHH CCRRDDEENNAASS AARRCCEE..
JJUUAANN PPAABBLLOO NNAAVVIIAA EESSQQUUIIVVEELL..
RRUUDDDDYY RREENNAANN TTIINNIINNII HHIILLAARRIINN..
RROOBBYY JJHHOONNNNAATTAANN PPOORRTTUUGGAALL ZZAAMMBBRRAANNAA..
BBAAJJOO LLAA RREEVVIISSIINN DDEE EELL IINNGG.. TTEEOODDOORROO BBUUSSHH DD..
ETN-501
FSICA DEL ESTADO SLIDO
CAPITULO
FSICA DE LA UNIN P-N
5.- Introduccin.Este capitulo se discutir las propiedades de las clases de uniones. Una unin
muy importante es la unin P N en la que la naturaleza de las adulterantes se altera a travs
de una frontera para crear una regin que es de tipo p, prxima a una regin que es de tipo
n.
La unin p-n desempea un importante papel en las aplicaciones de la electronica
moderna, as como en la construccin y aplicacin de otros dispositivos semiconductores.
Se utiliza por ejemplo en aplicaciones de rectificacin, conmutacin, etc. y puede utilizarse
para producir efectos no lineales muy fuertes.
Adems, es un dispositivo fundamental en la construccin de otros dispositivos
semiconductores tales como los transistores de efecto de campo o dispositivos para
aplicacin en microondas o fotonicos.
En otra clase importante de uniones intervienen semiconductores y materiales. Estas
uniones son importantes porque permiten un flujo de carga suave y fuera de los
semiconductores, digamos desde bateras. Cuando se utilizan para tales propsitos estas
uniones metal-semiconductor llamados barrera de Schotky pueden emplearse para controlar
elctricamente el rea de flujo de una pelcula semiconductora.
5.1.- La unin p-n no polarizada

La unin p-n es una de las de mayor importancia en la electronica de estado solid.
Esta unin se emplea como un dispositivo en aplicaciones como: rectificadores, circuitos
formadores de onda, laseres, detectores, etc.
En la figura # 1, mostramos esquemticamente los semiconductores de tipo p y de
tipo n sin formar una unin entre ellos. Se han mostrado las porciones de nivel de Fermi,
las bandas de conduccin y de valencia, y el nivel de energa del vaci.
La afinidad electronica x definida como la diferenciacin de energa entre la banda
de conduccin y el nivel de vaci, tambin se ha mostrado junto con la funcin de
trabajo (sp sn ) .
ETN 501
F.Q.G. E.G.H.
-1-

La funcin de trabajo representa la energa requerida para remover un electrn
desde el semiconductor hasta el nivel vaci libre y es la diferencia entre el nivel de vaci
y el nivel de Fermi.
Evac
Evac
ex
ex
esp
_ _ _ _ _ _ _ _
S S S S S S S S
Ec
esp
_ R
_ R
_ R
_ R_ R_ R_ R_
R
E fp
Ec
E fn
Ev
Ev
Evac
Evac
Ec
EF
Ev
RRR R R R R R
S S S S S SS S
S
xp
xn
Ec
EF
Ev
Figura # 1
ETN 501
F.Q.G. E.G.H.
-2-

Sabemos que en ausencia de cualquier polarizacin aplicada no hay corriente en el
sistema. Tambin sabemos que en ausencia de cualquier flujo de corriente, el nivel de
Fermi es uniforme a todo lo largo de la estructura.
Pueden identificar 3 regiones:
i)
La regin de tipo p en el extremo izquierdo, donde el material es neutro y las

bandas son planas. La densidad de los aceptores balancea exactamente la
densidad de los huecos.
ii)
La regin de tipo n en el extremo derecho, donde de nuevo cuenta el material es

neutro y la densidad de los donadores inmviles balancea exactamente la
densidad de los electrones libres.
iii) La regin de agotamiento donde las bandas estn curvadas y hay un campo que
ha barrido los portadores mviles dejando atrs aceptores negativamente
cargados en la regin p y donadores positivamente cargados en la regin n.
En la regin de agotamiento, que se extiende una distancia x p en la regin p y una
distancia xn en la regin n hay un campo elctrico. Cualesquiera electrones o huecos en la
regin de agotamiento son apartados por este campo. Entonces se presenta una corriente de
deriva que contrarresta la corriente de difusin que surge debido a la diferencia entre las
densidades de electrones y huecos a travs de la unin.
Existe la corriente de deriva electronica y corriente de difusin electronica, as
como las corrientes deriva de huecos y de difusin de huecos. Cuando no se tiene
polarizacin aplicada, estas corrientes se cancelan entre si individualmente. La densidad de
corriente de huecos es:
dp ( x )
J p ( x ) = e p p ( x ) E ( x ) Dp
=0
dx
Deriva
Fig. # 2
Difusin
SSS RRR
SSS RRR
SSS RRR
SSS RRR
xp
ETN 501
F.Q.G. E.G.H.
...1
-3-
xn

Flujo de partculas de difusin flujo de corriente de difusin
Huecos
Flujo de partculas de deriva flujo de corriente de deriva
Flujo de partculas de difusin flujo de corriente de difusin

Electrones
Flujo de partculas de deriva flujo de corriente de deriva
J n ( x ) = en n ( x ) E ( x ) + eDn
dn ( x )
dx
... 2
Jp ( x ) = e p p ( x ) E ( x ) eDp
dp ( x )
dx
... 3
La movilidad p es dependiente del campo, la densidad de la corriente de deriva en

la regin de agotamiento es realmente e p ( x ) vs ( x ) e mide pendiente de E, donde vs es la
velocidad saturada. Esto es porque en la regin de agotamiento el campo es muy grande
incluso bajo equilibrio. De manera semejante D p no es constante sino depende del campo.
La razn entre p y D p esta dado por la relacin Einstein.
p
Dp
e
K BT
... 4
Para una corriente neta cero:
p
Dp
E ( x) =
El campo E =
p
Dp
ETN 501
F.Q.G. E.G.H.
E ( x) =
1 dp ( x )
p ( x ) dx
... 5
dV
, la relacin de Einstein
dx
e dV ( x )
1 dp ( x )
=
K BT dx
p ( x ) dx
-4-
... 6
Pp
Pn
np
nn
xp
xn
Vn
V1C
Vp
+e
eV1C
p+e
eV p
EC
eVn
Fig. # 3
EFi
EV
Sean Vp y Vn los potenciales en el lado p y en el lado n neutral respectivamente.

Entonces el potencial esta constituido en funcin de p p y pn son las densidades de huecos
en las regiones neutrales de tipo p y tipo n respectivamente. Entonces:
e
K BT
Integrando, se obtiene:
ETN 501
F.Q.G. E.G.H.
Vn
Vp
dV =
pn
pp
dp
p
... 7
p
p
e
Vn Vp ) = ln n = ln p
(
K BT
pp
pn
-5-

VIC = Vn Vp
VIC =
K BT p p
ln
e
pn
... 8
Ahora, el potencial interconstruido en funcin de nn y n p que son las densidades

electrnicas en las regiones de tipo n y de tipo p, respectivamente. Entonces:
e
K BT
Vn
Vp
dV =
np
Integrando, se obtiene:
VIC =
nn
dn
n
... 9
nn
e
V
V
=
ln
( n p ) n
K BT
p
K BT nn
ln
n
e
p
...10
La ley de accin de masas, define:
nn pn = n p p p = ni 2 ...11
Combinando las ecuaciones 9 , 10 y 11
K BT p p nn K BT nn p p
ln
=
ln
n p
e
pn nn
e
p p
K T nn p p
VIC = B ln
...12
e
ni
VIC =
Para un semiconductor de tipo n N d >> N a y ni << N d nn ; N d y para un

semiconductor de tipo p, N a >> N d ni << N a p p ; N a . Entonces, el potencial
interconstituido bajo estas condiciones es:
ETN 501
F.Q.G. E.G.H.
-6-

VIC =
K BT N a N d
ln
2
e
ni
...13
Igualando las expresiones 8 y 10

Luego, se obtiene las ecuaciones:
pp
pn
evic
nn
= e K BT
np
p p = pn = e
nn = n p = e
evic
evic
K BT
K BT
...14
...15
...16
En la relacin V1C es el voltaje nter construido en ausencia de cualquier

polarizacin externa.
Calculemos ahora la anchura de agotamiento para el diodo sin aplicacin de
polarizacin.- En la regin de agotamiento, la densidad de portadores mviles de electrones
y huecos es muy pequea en comparacin con la carga de fondo fija. En la regin de
agotamiento hay una regin de carga negativa (debido a los aceptores) que se extiende
desde la unin hasta el punto x p en el lado p y una regin de carga positiva (debido a los
donadores) que se extiende desde la unin hasta ( xn ) .- La carga total negativa y positiva
tiene la misma magnitud, de modo que tenemos la igualdad:
Ax p N a = Axn N d
...10
Donde A es la seccin transversal de la estructura p-n y N a y N d son las

densidades uniformes de adulteracin para los aceptores y donadores. Se resuelve la
ecuacin de Poisn considerando la aproximacin de agotamiento.
ETN 501
F.Q.G. E.G.H.
-7-

d 2V ( x )
dx 2
=0
< x < xp
... 10
xp < x < 0
... 11
0 < x < xn
... 12
d 2V ( x ) eN a
=
dx 2
d 2V ( x )
dx
d 2V ( x )
dx 2
eN d
=0
xn < x <
... 13
La primera de estas ecuaciones:
dV ( x )
= E ( x ) = c1
dx
< x < xp
c1 = es una constante que es cero no hay campo elctrico en la regin neutral. El

potencial aqu es:
V ( x ) = Vp
< x < xp
...14
Donde, Vp se define como el potencial en la regin neutral tipo p.

La solucin en la regin de agotamiento del lado p cargado negativamente es:
E ( x) =
d 2V ( x )
dx
eN a
dE ( x ) =
Para
F.Q.G. E.G.H.
...15
d dV ( x ) + eN a
=
dx dx
eN a
eN
dx E ( x ) = a x + c2
x = xp E ( x ) = 0
E ( x) =
ETN 501
dV
dx
0=
eN a x eN a x p
-8-
eN a ( x p )
xp < x < 0
dE ( x )
dx
eN a
xp < x < 0
+ c2
c2 =
eN a x p
...16

El campo elctrico alcanza un valor pico en x=0. Entonces el potencial:
E ( x) =
dV ( x )
eN x eN x
= a a p
dx
dV ( x ) =
V ( x) =
eN a eN a x p
dx
+
eN a 2 eN a x p
x +
x + c3
Para V ( x p ) = V p . Luego el potencial es x = x p .
V ( x p ) = Vp =
V ( x) =
eN a 2 eN a x p 2
xp
x p + c3
2
2
eNa x 2 eN a x p x eN a x p
+
+
+ Vp ;
2
2
c3 =
eN a 2
x p + Vp
2
xp < x < 0
...17
Para el lado n de la regin de agotamiento y el lado n de la regin neutral obtenemos
d 2V ( x )
eN
= d
2
dx
dE ( x )
d dV ( x )
eN d
eN

= d
dx dx
dx
E ( x) =
eN d
x + c2
Para
x = xn
E ( x) =
E ( x) = 0
F.Q.G. E.G.H.
0=
dE ( x ) =
eN d
dx
c2 =
eN d xn
0 < x < xn
dV ( x ) eNdx eNdxn
=
dx
-9-
eN a xn
+ c2
eN d x eN d xn
E ( x) =
ETN 501
0 < x < xn
...18
dV ( x ) =
V ( x) =
eN d
xdx +
eN d xn
dx

eN d 2 eN d xn
x +
x + c3
Para x = xn , el potencial es
Vn = V ( xn )
V ( x) =
Vn =
eN d 2 eN d xn 2
xn +
xn + c3
2
eN d 2 eN d xn
eN
x +
x a x 2p + Vn
2
2
c3 =
0 < x < xn
eN d 2
xn + Vn
2
...19
La diferencia de potencial entre los puntos x p y 0 es:

V ( 0) V ( xp ) = e
N a x p2
+ Vp Vn = e
N a x p2
... 20
Donde
V (0) =
eN a x2p
2
+ Vp
V ( x p ) = Vp
La diferencia de potencial entre los puntos xn y 0

eN x 2
eN x 2
V ( xn ) V ( 0 ) = V d n + Vn = d n
2
2
... 21
Donde
V (0) =
eN d xn2
+ Vn
2
V ( xn ) = Vn
Luego
VIC = V ( 0 ) V ( x p ) + V ( xn ) V ( 0 ) = V ( xm ) V ( x p ) =
eN a x 2p
2
eN d xn2
2
... 22
La neutralidad de la carga es:

ETN 501
F.Q.G. E.G.H.
- 10 -
N d xn = N a x p
VIC =
VIC =
e N d N a2 x p2
2
N d2
xn =
eN a x p 2
2
Na
xp
Nd
eN a2 x 2p
2 N d
... 23
eN a x 2p
2
eN a N a 2 eN a N d + N a 2
1 +
xp =
xp
2 N d
2 N d
xp =
2VIC
eN a
Nd
Nd + Na
N
xn = a
Nd
2 VIC
eN a
2 VIC N d N a2
Nd
=
e N a N d2 ( N d + N a )
Nd + Na
xn =
... 24
2 VIC N a
eNd ( N a + N d )
... 25
El ancho de la zona de agotamiento x = xn + x p
x 2 = xn 2 + 2 xn x p + x p 2
x2 =
2 VIC N a
Nd
2 VIC N a
2 VIC
2 VIC
Nd
+2
+
eN d ( N a + N d )
eN a N d + N a
e Nd ( Na + Nd ) e Na Nd + Na
x2 =
Nd
2 VIC N a
4VIC
2 VIC
+
+
eN d ( N a + N d ) e ( N a + N d ) eN a N d + N a
ETN 501
F.Q.G. E.G.H.
- 11 -

Na
N a 2 + 2 N a N d + Nd 2
Nd
2 VIC
2 VIC
+2+
x =
e ( Na + Nd ) Nd
Na e ( Na + Nd )
Nd Na
x =
2
2 VIC ( N a + N d )
eN d N a ( N a + N d )
2 VIC ( N a + N d )
eN a N d
x=
2 VIC ( N a + N d )
eN d N a
... 26
Con los resultados obtenidos, podemos esbozar las siguientes conclusiones

importantes a cerca del diodo:
i)
El campo elctrico en la regin de agotamiento tiene un valor mximo en la

unin y disminuye linealmente hacia los bordes de la regin de agotamiento.
ii)
La cada de potencial en la regin de agotamiento tiene la forma cuadrtica.
ETN 501
F.Q.G. E.G.H.
- 12 -
SSS
SSS
SSS
SSS
RRR
RRR
RRR
RRR
x p N A = xn N B
xp
xn
Fig. # 4
xp
xn
mx
La figura # 4, muestra los perfiles de la densidad de carga y del campo elctrico. El

campo elctrico no es uniforme en la regin de agotamiento y alcanza un valor mximo en
la con un valor pico.
eN x
eN x
n = d n = a p
La regin de agotamiento en los lados p y n pueden ser bastante diferente. Si

N a >> N d x p >> xn . De esta forma habr un campo muy fuerte sobre la regin muy
estrecha en el lado fuertemente adulterado de la unin.
ETN 501
F.Q.G. E.G.H.
- 13 -

5.2. La unin p - n polarizada: diodo de unin
La unin p - n esta sometida a una diferencia de potencial externa supuesta
constante aparece un nuevo comportamiento. Se consideran segn la tensin externa
aplicada sea en sentido directo o inverso. En presencia del campo externo aplicado,
entonces el balance entre las corrientes de deriva y difusin ya no existir, y se presentar
un flujo de corriente neta.
Se pueden apreciar los siguientes aspectos de la polarizacin:
o La estructura de diodo puede describirse mediante p y n, cuasi-neutrales y una
regin de agotamiento. Con polarizacin directa, la carga minoritaria se inyecta
dentro de las regiones cuasi-neutrales. Sin embargo, se supone que la densidad
inyectada es bastante pequea en comparacin con la densidad mayoritaria.
o En la regin de agotamiento, las distribuciones de electrones y huecos se
describen esencialmente por medio de una distribucin de Boltzman y el concepto
de un cuasi-nivel de Fermi es vlido para electrones y huecos.
o En la regin de agotamiento la densidad de portadores mviles es baja, y por lo
tanto, el potencial externo decae principalmente a travs de esta regin.
5.2.1. Polarizacin directa.En este caso, la regin p se somete an potencial positivo respecto de la regin n
V f > 0 .El efecto es que el potencial electrosttico de contacto en la unin decrece en dicha
cantidad V f , es decir,
VTOT = Vic V f
... 27
Adems, se deduce la regin espacial de carga, cuya anchura depende de la

diferencia de potencial a la sta sometida la unin Fig. # 5. Los niveles energticos en el
semiconductor del tipo n se desplazan hacia arriba en la cantidad eV f , que es la misma
diferencia que existe entre los niveles de Fermi de los semiconductores del tipo n y p al
existir una diferencia de potencial entre ellos de V f .
La reduccin de la barrera de potencial cuando la polarizacin es directa hace que la
corriente de difusin predomina sobre la corriente de arrastre. Esto permite que los
portadores mayoritarios atraviese la unin, convirtindose entonces en minoritarias y dando
lugar a una corriente mensurable. Por tanto se inyecta los portadores minoritarias, es decir,
de electrones en la zona p y huecos en la regin n.
ETN 501
F.Q.G. E.G.H.
- 11 -

5.2.2. En este caso, la regin n tiene una tensin positiva aplicada Vr > 0 con los respecto
de la p. Entonces, el potencial electrosttico se ve aumentado en la cantidad Vr , es decir:
VTOT = Vic + Vr
... 28
Aumenta la anchura de la regin espacial de carga fig. # 6. El consiguiente aumento

del campo elctrico en la regin espacial de carga hace que la corriente de difusin se
reduzca, resultando nicamente una pequea corriente inversa de arrastre.
Vr
Vf
p
VIC V f
VIC Vr
e(VIC V f )
EC EFP
e(VIC Vr )
eVr
EFn
eV f
EFn
EFP
Fig. # 6
Fig. # 5
EC
EV
EV
El potencial total a travs de semiconductor debe ser igual a la diferencia entre el
potencial nter construido y el voltaje aplicado, la cual proporciona una segunda relacin
entre x p y xn nominalmente:
Vic V f =
ETN 501
F.Q.G. E.G.H.
2
eN d xn2 eN d x p
+
2 s
2 s
- 12 -
... 29

El ancho de la zona de agotamiento en funcin de x p y xn esta dado por:
2 s N d + N a
Vic V f
e Na Nd
x=
... 30
Luego, el ancho individual del lado p y el lado n de la zona de agotamiento:

xn =
2 s N a (Vic V f )
e N d ( Na + N d )
... 31
xp =
2 s N p (Vic V f )
e Na ( Na + Nd )
... 32
5.2.3. Inyeccin carga y flujo de corriente.

La presencia de polarizacin incrementa o decremento el campo elctrico de la
regin de agotamiento. Sin embargo, bajo la polarizacin externa moderada, el campo
elctrico en la regin de agotamiento es siempre mayor que el campo para saturacin de
KV
velocidad de portador 10
De esta forma el cambio en el campo elctrico no altera la parte de deriva de la

corriente de electrones o huecos en la regin de agotamiento. Sin considerar la
polarizacin, los electrones o huecos se llegan a la regin de agotamiento son barridos y
contribuyen a la misma corriente independiente del campo. La situacin es bastante
diferente para la corriente de difusin. Ya que la corriente de difusin depende del
gradiente de la densidad del portador. Como el perfil de potencial se altera en gran medida
por la polarizacin aplicada, el perfil del portador cambia de acuerdo con esto, y afecta en
gran medida a la corriente de difusin. La densidad del portador mvil a travs de la regin
de agotamiento.
pp
pn
= eeVic
k BT
... 33
En presencia de la polarizacin aplicada, bajo la suposiciones de cuasi-equilibrio.

p( x p )
p ( xn )
ETN 501
F.Q.G. E.G.H.
= ee (Vic V ) k BT
- 13 -
... 34

Supongamos que la inyeccin de portadores mviles es pequea (inyeccin de bajo
nivel) de modo que las densidades de portador mayoritario estn esencialmente sin cambio
debido a la inyeccin, es decir p ( x p ) = p p , (dador que V tiene un valor positivo para
polarizacin directa y un valor negativo para polarizacin inversa).
p ( xn ) p p
p( x p ) pn
eeVic
k BT
ee(Vic V ) k BT
=eeV
k BT
p( xn )
pn
= eeV
kBT
... 35
Dado p ( x p ) = p p . Esta ecuacin sugiere que la densidad del portador minoritario

de huecos en el borde de agotamiento del lado n, puede ser drsticamente incrementada si
se aplica una polarizacin directa. Por el contrario, en la polarizacin inversa, esta
inyeccin se deduce tambin de manera drstica.
Este es solo una consecuencia de la distribucin de huecos descrita por una
distribucin de Boltzman. Solamente aquellos huecos del lado p que han superado la
barrera de potencial VIC V pueden ser inyectados en el lado n. En la polarizacin directa,
esta barrera disminuye de modo que se puede inyectar ms cambia a travs de barrera. En
el caso de polarizacin inversa la barrera se incrementa de manera que menos carga puede
ser inyectada.
np
VIC V
p
EFP
pp
ETN 501
F.Q.G. E.G.H.
EFn
- 14 -

nn
= eeVic
np
La densidad del portador mvil
n( x p )
n( x p )
kBT
n( xn )
= ee (Vic V ) kBT
n( x p )
... 36
x( xn ) = nn
=eeV
k BT
nn
np
n( xn )
eeVic
e
k BT
e (Vic V ) k BT
n( x p )
np
... 37
n( xn )
Los portadores en exceso inyectados a travs de las regiones de agotamiento son:
pn = p ( xn ) pn = pn eeV k BT pn
pn = pn (eeV k BT 1)
... 38
n p = n( xn ) n p = n p eeV k BT n p
n p = n p (eeV k BT 1)
... 39
Sabemos que los portadores minoritarios en exceso que se introducen decaern en la

regin mayoritaria debido a la recombinacin con los portadores minoritarios. El
decaimiento esta dado simplemente por las longitudes de difusin apropiada ( l p para
huecos; ln para electrones). As, las densidades de portador de los portadores minoritarios
fuera de la regin de agotamiento son:
p( x) = pn e
( x xn ) l p
p( x) = pn (eeV
n( x) = n p e
n ( x ) = n p ( e
ETN 501
F.Q.G. E.G.H.
k BT
1)e
( x xn ) l p
x > xn ... 40
( x + x p ) ln
eV k BT
1)e
( x + x p ) ln
- 15 -
x < xp
x es ( ) ... 41
x es ( + )
p

La corriente en el diodo como una funcin de la polarizacin aplicada. Donde la
corriente de deriva no es afectada por la polarizacin, debido a la suposicin de que el
campo elctrico en la regin de agotamiento es siempre mayor que el campo al cual la
velocidad se satura para los electrones y los huecos. De esta forma, para la corriente neta
slo necesitamos considerar los electrones y huecos en exceso inyectados en el lado p y en
el lado n.
La corriente de difusin debida a los huecos en el material tipo n es:
I p ( x ) = eAD p
d
d
[ p ( x) ] = eADp pn ( eeV
dx
dx
I p ( x ) = eAD p pn ( e eV
K BT
1)
I p ( x ) = eAD p pn ( e eV
K BT
1) e
pn ( eeV
K BT
1) e
I p ( x ) = eA
Dp
lp
K BT
1) e
( x xn ) l p
d ( x xn ) l p
e
dx
( x xn ) l p
d
( x xn ) l p
dx
( x xn ) l p
=e
AD p
lp
p( x)
x>x n ... 42
La corriente de huecos inyectados en el lado n la proporcional a la densidad de

huecos en exceso para un punto particular. La corriente total de huecos inyectados en el
lado n esta dada por la corriente en x = xn ( p ( n = xn )) .
I p ( xn ) = e
ADp
lp
pn ( eeV K BT 1)
... 43
Luego la corriente total de electrones inyectada en la regin del lado p esta dado
por:
I n ( x) = eADn
ETN 501
F.Q.G. E.G.H.
d
d
[ n( x)] = eADn n p ( eeV
dx
dx
I n ( x) = eADn n p ( eeV
K BT
1)
I n ( x) = eADn n p ( eeV
K BT
1) e
K BT
1) e
( x + x p ) ln
d ( x + x p ) ln
e
dx
( x + x p ) ln
- 16 -
d
[ ( x + xn ) ln ]
dx

I n ( x) = eA
Dn
n p ( eeV
ln
1) e
K BT
( x + x p ) ln
para x = x p
I n ( x p ) = eA
Dn
n p ( eeV
ln
K BT
1)
... 44
Idealmente que el diodo ideal no hay recombinacin de las corrientes inyectados de

electrones y huecos en la regin de agotamiento.
De este modo la corriente total puede ser obtenida simplemente mediante la adicin
de la corriente de huecos inyectados a travs de xn y la corriente de electrones inyectada a
travs de x p . La corriente del diodo es:
I (v) = I p ( xn ) + I n ( xp ) = eA
Dp
lp
pn ( eeV KBT 1) + eA
Dn
np ( eeV KBT 1)
ln
Dp
D
I (v) = eA
pn + n np ( eeV KBT 1) = I0 ( eeV KBT 1)
ln
l p
... 45
Esta ecuacin, del diodo, nos proporciona la corriente a travs de una unin p-n
bajo polarizacin directa (V > 0) y la polarizacin inversa (V < 0) , la corriente
simplemente tiende hacia el valor I 0 donde:
Dp
D
I 0 = eA
pn + n n p
ln
l p
... 46
Bajo polarizacin directa, la corriente incrementa exponencialmente con la

polarizacin directa aplicada. Esta fuente asimtrica en la corriente de diodo es lo que hace
al diodo p-n atractivo para muchas aplicaciones.
5.2.4. Corrientes minoritarias y meditaras.

En los clculos de la corriente de diodo se ha calculado simplemente la corriente
difusin de portador minoritario en exceso. sta corriente se ha evaluado a su valor pico en
los bordes de la regin de agotamiento.
ETN 501
F.Q.G. E.G.H.
- 17 -

Sin embargo, la corriente de difusin decrece rpidamente en la regin
mayoritaria a consecuencia de la recombinacin. A medida que los huecos se recombinan
con electrones en la regin n, un nmero idntico de electrones son inyectados en la regin.
Estos electrones proporcionan una corriente de deriva en el lado n para balancear
exactamente la corriente de huecos que se pierde a travs de la recombinacin.
La corriente de deriva de portador minoritario es despreciable a consecuencia de
la baja relativa de densidad de portador y al campo elctrico muy pequeo en la regin
neutral.
Consideremos la corriente difusin de huecos en la regin de tipo n.
(e
I p ( x) = eA
Dp
I n ( x) = eA
Dn
( x+ x ) l
n p e p n ( eeV
ln
lp
pn e
( x xn ) l p
eV K BT
K BT
1) ; x>x n ... 42
1)
; x>-x p ... 47
Luego, la corriente total del diodo es:
Dp
D
I = eA
pn + n np ( eeV KBT 1)
ln
l p
... 45
Ahora, la corriente de diodo de electrones en la regin es:

I n ( x ) = I I p ( x)
x > xn
... 48
Dp
D
( x xn ) l p
I n ( x) = eA
pn + n n p ( e eV
1 e
ln
l p
K BT
1) ... 49
Implica que a medida que la corriente de huecos desde xn en el lado n, la

corriente de electrones se incrementa de manera correspondiente para mantener una
corriente constante.
Sucede, lo mismo en la regin de lado p. A medida que la corriente de inyeccin
de electrones decae, la corriente de huecos lo compensa.
ETN 501
F.Q.G. E.G.H.
- 18 -

Corrientes minoritarios y mayoritarios
p
xp
xn
n p + n p
n ( x)
pn + pn
n( x) = n( x) np
p ( x)
p ( x ) = p ( x ) pn
np
pn
Carga
minoritaria
de equilibrio
Corriente total
Corriente
de electrones
Corriente de huecos
Corriente de electrones
minoritarios
Vf
I0
Corriente de huecos
(minoritaria)
Corriente de polarizacin directa

dominada por la inyeccin de
portador minoritaria
Corriente inversa debida

a la corriente de deriva
en la regin de
Smbolo del diodo
agotamiento
ETN 501
F.Q.G. E.G.H.
- 19 -

5.2.5. Capacidad de transicin de la unin polarizada.
Existe un parmetro de tipo capacitivo que se obtiene considerando cul es la
variacin de la carga en la regin espacial de cargar por unidad de superficie cuando se
realiza un incremento de potencial en la unin p-n.
Este parmetro recibe el nombre de capacidad de la regin espacial de carga o
capacidad de transicin, C J bajo polarizacin inversa. Es decir, la capacitancia del diodo
surge de dos regiones de carga:
i)
La capacitancia de la unin surge de la regin de agotamiento, donde hay un dipolo

de carga fija positiva y negativa.
ii)
La capacitancia es debida a la regin externa a la regin de agotamiento, donde la

inyeccin de portador minoritario ha introducido cargas. Bajo condiciones de
polarizacin inversa, prcticamente no hay portadores inyectados y domina la
capacitancia de la unin. La capacitancia de difusin debida a portadores inyectados
domina bajo condiciones de polarizacin directa. La capacitancia de transicin o
juntura por unidad de rea est dada por:
Cj =
dQ dQ
dQ
=
=
= s
dQ
dV xdE x
x
s
... 50
El cambio de la distribucin de carga dQ provoca un incremento en el campo

elctrico.
dE =
dQ
s
... 51
El correspondiente cambio en la tensin aplicada dV es:
dV = xdE = x
dQ
s
... 52
Donde es la constante te permitividad del semiconductor. La anchura de

agotamiento de la unin con VIC V es:
1
2 (Vic V ) N a + N d 2
x=
e
Na Nd
ETN 501
F.Q.G. E.G.H.
- 20 -
... 53

La carga de la regin de agotamiento es:
Q = eAxn N d = eAx p N a
Adems, se ha deducido que: x = xn + x p
xn =
Na x
Na + Nd
xp =
Nd x
Na + Nd
1
N N x
N N 2
Q = eA a d = A 2e (Vic V ) a d
Na + Nd
Na + Nd
... 54
Luego, la capacitancia de la unin es por lo tanto:

1
2 A
2e N a N d
dQ A
Cj =
=
=
dV
x
2 (Vic V )( N a + N d )
... 55
La capacitancia es dependiente del voltaje aplicado. Para el diodo polarizado en

forma directa, la densidad de carga inyectada es bastante grande y puede dominar la
capacitancia.
La carga del hueco inyectada es
( p D p = L2p )
Q p = I p = eALp pn eeV
K BT
... 56
La capacitancia correspondiente es:

Cdiff =
dQ p
dV
e2 Al p pn
K BT
eeV
K BT
Para respuesta de corriente alterna de

conductancia de c.a. del diodo como:
Gs =
dI eI (v)
=
dV K BT
eI p
K BT
... 57
pequea seal, se puede definir la
... 58
De la definicin de la funcin I (V ) . A temperatura ambiente la conductancia es

( rS es la resistencia del diodo)
I
I ( mA)
Gs = =
... 59
rs 25.86()
ETN 501
F.Q.G. E.G.H.
- 21 -

Entonces, el circuito equivalente del diodo se compone de la resistencia del diodo
rS = GS , la capacitancia de la unin en la capacitancia de difusin. En la condicin de
polarizacin directa, la capacitancia de difusin dominar y obtenemos la relacin siguiente
entre la corriente de iS y la seal del voltaje vS .
1
dv
is = Gvs + Cdiff s
dt
... 60
LS
RS
I
rS
m=
Cp
I0
Vac
rs
CJ
C diff
Donde la resistencia RS es la resistencia de serie de las regiones neutrales n y p, y

la capacitancia C p es la capacitancia asociada al encapsulado del diodo.
La capacitancia de difusin esta en funcin de la carga minoritaria total inyectada
a travs de la unin. En una respuesta de seal pequea, no toda la carga minoritaria es
modulada a travs de la unin. Algo de la carga simplemente se le combina en la regin
neutral. De este modo, la capacitancia de difusin real de la descripcin seal pequea es:
Cdiff =
Donde k es un factor que es
eI
p ... 61
K BT
1
2
para diodos de base grande y
para dispositivos
2
3
de base estrecha.
Para polarizacin inversa la capacitancia de difusin es despreciable.
ETN 501
F.Q.G. E.G.H.
- 22 -

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Fsica del

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La distribucin espectral de radiacin es continua y tiene un mximo dependiente

Fig. #1.-Densidad espectral

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Donde n n + , llamado nmero cuntico y f es la frecuencia de vibracin

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T1 , T2 , T3 ,..., ocurren para las longitudes de onda 1 , 2 , 3 ,..., tales que

A medida que la temperatura T se incrementa el mximo se desplaza hacia

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Luego por condicin del problema: (1 , T ) = 3.82 ( 2 , T )

Adems definimos una nueva variable, se obtiene

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Luego el nmero de fotones que hay en el interior de la cavidad a travs de:

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1.4 Postulado de De Broglie

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Y el momento P est relacionado a la longitud de onda en la onda asociada por la

Estas ecuaciones asocian los conceptos de partcula, energa y momento, por

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2. Segunda Ley de Newton

3. Relacin entre masa y energa

4. Relacin entre momento (cantidad de

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INGENIERO TEODORO BUSCH

La ecuacin de Schrdinger para los electrones

de estado.- El estado de un sistema

describe en trminos de las funciones de la base. Una eleccin

fsicamente mediante la realizacin de experimentos, se representan por

mediante las operaciones

INGENIERO TEODORO BUSCH

Los operadores que representan

cantidades fsicamente observables funcionan sobre un estado del sistema

la identidad que representa la energa cintica

potencial de un electrn con masa mo

Realizando una operacin sobre un estado general (r, t ) tomando en

Esta ecuacin se utiliza para describir las propiedades de los electrones en

La ecuacin de Schrdinger independiente del tiempo es:

Y la ecuacin dependiente del tiempo es:

La parte dependiente del tiempo de la solucin es de la forma general.

una serie de soluciones (r) con energas

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El problema de Barrera cuntica.- Consideremos una barrera cuntica

A lo largo del plano x-y la energa potencial es constante, debido a esto, la

Donde cada componente satisface la ecuacin

La energa total del electrn es E = EX + EY + EZ

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son las distancias en las direcciones

consideracin, y hemos normalizado nuestras funciones de onda dentro de esta

La solucin normalizada es:

cos( n2az ) ; n es impar

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La energa total del electrn es:

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Filtracin cuntica a travs de barrera (efecto tnel)

El fenmeno importante que ocurre en la naturaleza es la filtracin de una