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me

FISICA
del
estado
slido

EDITORIAL
MIR
MOSC

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T r a d u c id o d e l r u s o p o r e l in g e n ie r o
A n to n io M o lin n G n rc n

Impreso on la UHSS

lia

iic u a iiC K O M

iia i.iK O

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Indice

Prlogo

............................

Introduccin

........................................................................................................

Notaciones principales

u t iliz a d a s ..............................................................................

It

Capitulo i .
1.1.
1.2.
1.3.
1.4.
1.5.
1.0.
1.7.

Estructura de los cristales y procedimientos para determinarla

Concopto do redc r i s t a l i n a ..................................................................................
Sim etra de los c r i s t a l e s ....................................................................................
Sistem as de coordenadas cristalogrficos; 14 redesdo traslacin
21
de B r a v a i s .................................................................................................
Sm bolos cristalogrficos de los planos reticulares yde las filas
de n u d o s ......................................................................................................
24
Red reciproca
..............................................................................................
Em paquetam ientos densos do osferas. Ejem plos doestructuras
c r i s t a l i n a s ...............................................................................................................
Mtodos para determinar la estructura atm ica do los slidos

13
18

29
33
41

Capitulo 2.
Interacciones entre los tomos.
Tipos fundamentales de enlaces en los slidas
2.1.
2.2.
2.3.
2.4.
2.5.
2.6.

Clasificacin do los slidos. Tipos de e n l a c e s .......................

03
Energa do onlnco
............................................................................................
Cristales m o le c u la r e s ..........................................................................
73
Cristales i n i c o s ...................................................................................
79
Cristales c o v a lc n t e s ..............................................................................
85
Metales ...................................................................................................................

08

92

Captulo 3.
Defectos en los slidos
3.1.
3.2.
3.3.
3.4.
3.5.
3.0.
3.7.
3.8.

Clasificacin de los d e f e c t o s ............................................................

96
Defectos trm icos p u n tu a le s ............................................................
97
Concentracin de defectos puntuales en e q u i l i b r i o ..............
100
Defectos trm icos en los cristales b i n a r i o s ............................
105
Defectos de r a d i a c i n ..........................................................................
107
Dislocaciones
......................................................................................................
Contorno y vector de llu r g e r s ........................................................
til
Tonsioncs necesarias para la formacin do dislocaciones en un
cristal p e r f e c t o .........................................................................................
114

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10

109

O
3 .9 .
3.10.
1.11.
3.12.
3.13.
3.14.

flfdiCB'
Movimionto <le las d is lo c a c io n e s ....................................................
118
Tensiones Ipulas 'III I.IS (Ii*s11n.i!iones, fe imrgn do dislocacin
Internecin de los d Isl lie til unes riil) los fliiv los puntuales . . .
Goniiradoros do d is lo c a c io n e s ..............................................................
124
Defectos do itiupat|iicl.nmici)to y dislocociotioH porcia l o s .....
128
Lim itas in le rg ra n u ln re s.......................................................................
128

ItM
133

Captulo 4,
Propiedades m ecnicas de I0 3 slidos
4 .1 .
4 .2 .
4 .3 .
4 .4 .
4 .5 .

Melados Lioso y deformado do los s l i d o s ............................................

E lasticid ad. Ley (lo llooltn liara los slidos is tr o p o s .......................
Ley de flooko para los slidos n n is tro p o 3 ............................................
Propiedades plsticas do los slidos c r i s t a l i n o s ...................................
Hotura f r g i l .............................................................................................................

1.10
13!)
142
143
155

Captulo 5.
Vibraciones de los tomos de la red cristalina
5 .1 .
5.2.
5.3.
5.4.
5 .5 .

Vibraciooos unidimensionales de una cuerda homognea . . .

Ondas elsticas en los in o n o c ris la lc s ........................................................
Vibraciones de una cadena lineal m o n o a t m ic a ..................................
Vibraciones de una cadena lineal b i a t m i c a .......................................
Vibraciones do los tomos en una red tr id im e n s io n a l....................

('si
182
185
172
18 1

Capitulo C.
Propiedades trm icas de los slidos
0 .1 .
0.2.
8.3.
6.4.

Capacidad calorfica to los s l i d o s .............................................................

D ilatacin de los s l i d o s ................................................................................
Conductibilidad calorfica de loss l i d o s ..................................................
Diinsin en los s l i d o s .....................................................................................

180
287
211
223

Captulo 7.
Propiedades elctricas de los slidos
7.1.
7 .2 .
7 .3 .
7.4.
7 .5 .
7 .8 .
7.7.
7.8.
7.9.
7 .10.
7.11.
7.12.
7 .1 3 .

Clasificacin de los slidos por su conductibilidad elctrica

. . .
Ecuacin de Schrodinger para el s l i d o ..........................................
Aproximacin m o u o e le c tr n ic a ...................................................
Funcin do B l o c l i ........................................................................................
242
Propiedades del vector de onda del electrn en el crista l. Zonas
de O r illo u in ...................................................................................................... ... .
Espectro energtico do los electrones on ol c rista l. Modelo de K ronig P e n n e y .............................................................................................
Ocupacin de las zonas por los electrones. M etales, dialctricos
y semiconductores
.................................................................
Masa efectiva del e l e c t r n .................................................................
260
Niveles tle energa de los tomos do impureza en el crista)
. . .
Estallos localizados relacionados con la s u p e r f ic ie .................
269
Conductibilidad intrnseca de los xo m ico u d m 'to res..................
272
Conductibilidad tle los semiconductores e x t r n s e c o s ..............
231
Dependencia tle la cniuluctividnd elctrica de ios m etales respecto
de' la lampera t u r a ............................................................

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235
238
239
244

257
285

288

Indice

7.14. Propiedades te los slidos en campos elctricos intensos . . . 287

7.15. Efecto llnll
...............................................................................................
.
292
7.111. inllnenctu le los nivelo* le sn|H*i'ficlt snlen la* prnpictlntliM elc
tricas do los s l i d o s ................................................................................................
293
......................................................................... . . .
294
7.17. Superconductividad
Capitulo 8 .
Propiedades liseos do los dielctricos
8.1.
Conductibilidad e l c t r i c a .................................................................................
8.2.
Polarizacin do los dielctricos. Caractersticas fundamntalos
8.3.
Polarizacin electrnica c l s t i c a ...................................................................
8.4.
Polarizacin inica e l s t i c a ........................................................................
8.5.
Polarizacin iipolar e l s t i c a ............................................................................
8 .6 .
Particularidades do la polarizacin t r m i c a ........................................
8.7.
Polarizacin inica t r m i c a ........................................................................
8 .8 .
Polarizacin electrnica t r m i c a ...............................................................
8.9.
Polarizacin dipnlar t r m i c a ........................................................................
8.10. Relacin entre la permitividad y la p o la riz a b ilid a d ......................
8.11. Dependencia do la permitividad respecto do la frccuoncia . . .
8 .1 2 . Algunos peculiaridades de la polarizacin de loa dielctricos sin
centro do s i m e t r a ............................................................................................
8 .13. F e r r o c l c t r ic o s ........................................................................................................
8 .14. Prdidas d i e l c t r i c a s ..........................................................................................

305
309
312
314
316
318
319
323
324
327
329
331
335
338

Captulo 9.
Propiedades pticas de los slidos
9.1.
9.2.
9.3.
9.4.
9.5.

Formas do interaccin do la luz con un s l i d o ..........................................

Constamos p t i c a s .................................................................................................
Absorcin de la luz por los cristales .
...................................................
Radiacin do recombinacin en los sem ico n d u cto res............................
Radiacin oapontnoa e inducida. Lseres s l i d o s .................................

341
342
344
351
354

Capitulo 10.
Propiedades magnticas de los slidos
358
Clasificacin de los cuorpos m a g n tic o s .....................................................
Naturaleza dol d ia m a g n o tisin o ........................................................................
361
Naturaleza del paramagnotismo
........................................
364
Diamagnotismo y paramagnotismo do los s l i d o s ...............................
369
Ferromagnetismo. Campo molecular de W e i s s
.^ .
373
Experim ento de D o r lm a n ....................................................................
lnteracin de intercam bio y su papel on la aparicin del ferromagnetismo
.............................................................................................................
377
10.8. Ondas de o s p n ..................................._ ..................................................................
381
10.9. Antiforromagnetismo y fe rrim a g n etism o ......................................................
383
1 0 .1 0 .Dominios fo rro m agn tico s..................................................................................
385
10.11.Rosonancia m a g n tic a ...........................................................................................
393

10 .1 .
10.2.
1 0 .3 .
10.4.
10.5.
10.6.
10.7.

Captulo 11.
Propiedades fsicas de los)slidos amoros
11.1. Estructura do los slidos a m o r fo s ................................................................
397
11.2. Espectro energtico de los slidos no c r is t a lin o s ........................................399

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376

Indico

11.3. Semiconductores amorfos

................................................................................
1 1.4. A|dii'.nr.l>u do los somicomlueloros a m o r fo s ..........................................
1 1 .5 . D ielctricos amoros
.........................................................................................
11.6. Metales a m o r f o s ...................................................................................................
L iteratura que se re c o m ie n d a .....................................................................................
Apndices
..........................................................................................................................
Indico alfabtico do nombres y m a t e r i a s .............................................................

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403
413
418
417
421
422
427

Prlogo

La fsica del estado slido es el fundamento do la tcnica moderna y sir

papel es cada ve7. m a importante.
Es complotamentu evidente que ios que en las universidades se licencian
on Fsica, <Semiconductores y dielctricos y otras disciplinas afines, n ter
minan centros de enseanza tcnica superior corno especie listas on Tecnologa
do ios materiales de tcnica electrnica y Aparatos semiconductores y mierneteclrnicos, deben tener profundos conocimientos en el dominio de la fsica
del estado slido.
11asta ahora So lian editado una serie de libros sobre esta ciencia, tanto de
autores soviticos como de ot ros pases. Cada uno do ellos tiene sus mritos. Pero
la mayora slo puede servir de material de estudio bien para ol captulo Fsica
del estado slido del curso general de fsica, o bien para el curso especial de los
centros de enseanza tcnica superior. Esta orionlaciti de los textos hace que
en olios no se refleje con suficiente extensin el estado actual de esta rama de
la fsica. Entre los libros ms acertados deben destacarse el de Ashcrofl N. M.,
Mermin N. 6 . Solid State Physicst y el de K llnl C. Inlroduction to Solid
State Physics (ambos traducidos al ruso y editados en la Unin Sovitica, en
los aos 1979 y 1978, respectivamente), en los cuales la atencin principal recae
sobro la teora del slido. No obstante, en ellos, lo mismo que en la mayora de
los dems, no se tratan suficientemente captulos tan importantes como son la
fsica de las substancias no cristalinas, los defectos y la difusin en los slidos,
y las roturas tenaz y frgil de stos. Tambin dificulta el pleno aprovechamiento
de estas obras,la diferencia que existe entro los planes y programas de estudio
de los centros estadounidenses (con arreglo a los cuales fueron escritos) y los d
la Unin Sovitica.
En esta Fsica do! estado slido se pretende explicar de un modo ms am
plio y detallado las cuestiones fundamentales do quo so ocupa esta ciencia, te
niendo en cuenta sus ltimos adelantos. Se ha puesto especial inters en poner
de manifiesto la esencia fsica de los fenmenos.
La obra que ofrecemos se basa en los curso9 do conferencias que desde hoceaos vienen dando los autores a los alumnos de fsica de la Universidad Lobachovski de la ciudad de Gorki y ha sido concebida especialmente para los estu
diantes universitarios de especialidades fsicas. No obstante, creemos que puede
ser tambin til a los ingenieros, cuyo trabajo tiene relacin con los fenmenos
que se observan en los solidos. El texto se ha redactado de tal forma que todos
los captulos estn lgicamente ligados entro si.
En el captulo primero se exponen loa problemas de la cristalografa estruc
tural y los mtodos de investigacin por difraccin de la estructura de los sli
dos. El segundo capitulo se dedica al estudio de las fuerzas guo en los slidos
mantienen unidas las partculas discretas. Los captulos posteriores tratan de los
defectos de la estructura (cap. 3), de su influencia sobre las propiedades mec
nicas de los slidos (cap. ) y de los vibraciones de los tomos en la red crista
lina (cap. 5). En los captulos del 8 al 10 so estudian las propiedades trmicas,
elctricas, dielctricas, pticas y magnticas de los cristales. Un captulo aparte
(el 11) se dedica a las propiedades de los slidos amoros. Creemos que a este
tema debe prestarse especial atencin, porque los slidos amorfos ocupan cada
voz. mayor espacio en la ciencia y en la tcnica.
L o s a u to rts

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Introduccin

La fsica del slido es una de las partes ms im portantes de la

ciencia moderna. E n virtud de los xitos alcanzados por la fsica del
.slido han sido posibles los enorm es adelantos en la electrnica
cuntica, en la fsica de los sem iconductores y en el campo de la crea
cin de m ateriales con propiedades fsicas nicas, que determ inan en
alto grado direcciones muy im portantes del progreso cientificotc->
j i c o . Bor eso no debe extra ar que, aproxim adam ente, la m itad de
los fsicos que Imy en el mundo, investigadores e ingenieros, se ocupen
do problemas de la fsica dol estado slido. U na gran aportacin al
desarrollo de esta ciencia han hecho los cientficos, sov iticos Y a . I.
F ren kel, L . D. Landu, V . L. H nzburg, A. V . Shbn ikov, N . V . B telo v , N. N. Bogolibov y otros.
Lux slidos son su b stan cias que poseen cierta rigidez con respecto
al cizallain icu to . La estructura de estas su bstancias suelo ser c ris ta
lin a. Los cristales .se caracterizan por la d istribucin regular do sus1
tomos. En ellos e x iste una rigurosa repeticin de los mismos ele
mentos de la estructura (tom os, grupos de tom os, m olculas).
A dem s de las su bstancias c rista lin a s, en la natu raleza existen tam
bin los slidos am orfos, en los cuales est ausente el orden lejano
caracterstico de los cristales. Al m ism o tiem po se observa en ellos
cierta ordenacin do los tom os, que so caracteriza por el llam ado or
den prximo. La d iferencia entre la s estructuras' de ostos dos gru
pos de slidos hace que sus propiedades fsicas sean d istin tas.
L a fsica del estado slido es la cien cia de la estructura y propie
dades de los slidos as como de los fenmenos que en ellos ocurren.
E l presente libro tiene por ob jeto exponer siste m ticam en te los
fundam entos de la fsica del slido, que Lncluyeu las ideas generales
.sobre la estru ctu ra de los cristales y de las su bstancias am orfas, los
mtodos de investigacin do su estructura y sus diversas propiedades:
m ecnicas, trm icas, m agnticas, p ticas, etc.
Uno de los problem as ms im portan tes que se plantean ante los
cientficos y esp ecialistas es el de croar m ateriales cuyas propiedades
se ilon de anleuinnu, entre ello s algunos no creados por la natu raleza.
E sto problem a es im posible resolverlo sin el dom inio profundo y el
desarrollo consecuente do lo fsica del estado slido.

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N otaciones principales utilizadas

a , aceleraci n ; co n su n to do la red; radio do Dohr

A , integral do c a n je ; trab ajo

a , polnriznbilidnil; ngulo de distorsin; rooficionto ilo lem poraloro

do d ila ta ci n lineal
b, v ecto r do I3iirgerx
B , induccin del campo m agntico
P, co n sta n te do fuerza; co eficien te de Irm poraturn do d ilatacin
cbica
c, velocidad do la inz; capacid ad; conslan lo do Curie
c p , capacid ad ca lo rfica do la red
ce, capacidad ca lo rfica dol gas electrnico
C ,j, co n stan te de rigidez elstica
d, d istancia iuterpiunar
D, co eficien te do difusin
y, ciznlln m ien to re la tiv o
r, carga del electrn
f|/, deform acin verdadera
E , onergia; intensidad del cam po elctrico ; m dulo de Young
S , intonsidad del campo elctrico
, E , energa de ionizacin de un aceptor; de un donador
E c , energa en el borde inferior (fondo) do la banda de conduccin
E g, anchura de la banda prohibida
p, onergia de Ferio i
V r, onergia do form acin do un dofoclo de Froiikel
h , energa do form acin do im hueco
E tn, energa de m igracin
A'v, energa en el borde superior (lucilo) do la banda de valoncia
e , perm itividad
e0l co n sta n te e lctrica
e tj , deform acin relativa
I (E , T ), funcin de d istribucin
F, fuerza; energa libre
am plitud estru ctu ral
g, facto r de degeneracin espinoriai
G, m dulo do cizallam ien to
G (ce), funcin de distrib u ci n esp ectral de las frecuencias
fi, co n sta n te de P lan ck
H , intensidad del cam po m agntico
//,
H,
t],
i,
/,

operador de H am ilton
vecto r de la red recproca
n iv el de Ferm i reducido
intensidad de co rrien te
intensidad de corrien te
J , iiniinaein; inlonsidm l integral de los m xim os ,1o d ifracci n ;
flu jo do substancio difusora; prim er potctieial do ionizacin

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N otaciones principales utilizadas

12

k , nmero de onda

k,

Af||,
kn ,
A',
x,
/,
X,

ni,
m *,
M,
M,
(t,

n,
(n ),

N,
N ( i ') ,
VA,
v,

p,
P,

q,
q,
i?),,

(J,
r,
r,

H,
p,

S,
0,
1,

T,
t,

Tu,
0 D,
0 ;-;.
(/,

v,
V,

x , y, 1 ,
X,
i)i,

1,
I,
o),

v ecto r do onda
r oal nulo do I tul17-11111 mt
su scep tib ilid a d niagucUcu
co n d u ctib ilid a d trm ica
co e fic ie n te tic co m p resibilidad
longitud
lo n g itu d ; nm ero de l.o reiilz
longitud de onda; recorrido lib ro (longitud de)
mafia del electr n
musa efectiv a
masa del Homo; masa del ncleo
m om ento n aen tico
p erm eabilid ad m a g n tica ; m o v ilid a d ; co eficien te de dispersin
lin ea l
nm ero cu n tico ; co n cen tra ci n de electro n es; ndice de rofraccin
concen tracin de foliones
nm ero de loinos
densidad de oslados
co n stan te de Avogadro
frecuencia de las v ib ra cio n es; co e fic ie n te de Poisson
co n cen traci n de lineos; im pulso; presin
cu a siim p u lso ; polarizacin
densidad su p erficial do flu jo calrico
im pulso del folin
coordenada norm al
energa de a c tiv a c i n de la difusin
distan cia
radio vector
co n sta n te m olar de los gases; c o eficien te de H all
densidad; resistivid ad
su p erficie; entropa
cond uctiv id ad e l c tr ic a ; tensin norm al
tiem po
tem p eratura term odinm ica
tiem po de re la ja c i n ; periodo de las vibraciones
tem p eratura de Curie
tem p eratura de D ebye
tem peratura de lin stein
energa po ten cial de interaccin
velocidad
volum en; potencial de la red
coordenadas ca rtesia n a s
electro n egativ id ad
funcin do onda
nm ero de coordinacin
nmero atm ico
frecu en cia angular

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Captulo 1

E structura de los cristales

y procedimientos para determ inarla

1.1. Concepto de red cristalina

E n el mundo que nos rodea hay una cantidad enorme de subs
tancias en estado cristalin o, a las cuales les son peculiares muchapropiedndes muy variadas, debidas tanto a la diversidad de la es
tructura interna, como a ia naturaleza de los tomos que entran on
su com posicin. Todos los cristales, annquo slo sea respecto do al
guna de sus propiedades, son anistropos, es decir, sus propiedades
dopendon do la direccin en el cristal.
Las substancias slidas cristalin as se oncuentran en forma de
cristales aislados monocristales y en forma do pollcristales, es
decir, de aglomeraciones de pequeos cristales orientados desordena
damente, llamados cristalitos o granos.
Los monocrislalos reales, como lian demostrado las investigacio
nes microscpicas y por difraccin do rayos X , no os frecuonte que
tengan una estructura ideal o perfecta. Por lo general tienen estruc
tura de mosaico. En este caso todo el monocristal est dividido en los
denominados bloques de mosaico, cuya dimensin es aproximadamente,
de 1 0 -6 m. Los bloques de mosaico estn ligeramente desorientados
uno respecto de otro. E l ngulo mximo de desorientacin de las
normales a los planos de los bloques oscila, en distintos m onocristales,
desde 10 1 5 ' basta 10 15'.
E n los policristales, los cristalitos tienen a menudo una estruc
tura muy prxima a la de los monocristales, por ojomplo, los crista
litos de los m etales recristalizados. Los cristalito s tambin se dividen
en bloques de mosaico, cuyas dimensiones son del ordon de 1 0 "a m.
Cada bloque de mosaico tiene una estructura casi perfecta, pero los
bloques no ostn dispuestos en fila, sino vueltos uno respecto de otro,
formando ngulos que van desde varios minutos a varios grados.
Una particularidad de la estructura do las substancias cristalinas
es la existencia de una correlacin en la disposicin mutua de los
tomos (molculas) a distancias mayores que la interatm ica media.
E sta correlacin se dobe al equilibrio de muchas fuerzas o procesos que
se producen durante las interacciones de los tomos y las capas e lec
trnicas de estructura especfica. En este estado de equilibrio las
tomos (molculas) se disponen ordenadamente, formando las fi
guras sim tricas caractersticas de cada cristal.

Los cristales son substanciasen las cuales fas partfl'ias que fas canponen (tilomas, molculas) estn dispuestas con rignroa. ,eitcilciidad.

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14

Cap. 1. Estructura de los cristales

form ando una estructura cristalin a geom tricam ente regular. Cada sub:
ta n d a c rista lin a se diferencia do las otras substancias, lam bi
crista lin a s, por sil o slru ctu ra at m ica. D e b id o a la r e g u la r id a d y s
m elra de la estru ctu ra, los c rista les son homogneos y nnistropo;
Eli la cristalo g rafa e stru ctu ral, al concepto do hom ogeneidad, <|u
tieno en cu en ta la estructura d iscreta del crista l form ado por parli
cu las de una o varias clases, se le da un sentido determ inado. Un crista

se dice que es homogneo si p a ra un punto cualquiera, tom ado dentr

de l, existe otro punto, totalm ente idntico a l prim ero por sus propieda
des, situado a cierta distancia fin ita de l. P ara los cristales re las su bs
ta n d a s inorgnicas, com o so deduce do los experim entos, esta dis
ta n d a es de, aproxim adam ente, v arios nanm etros. Subrayam o.
que el punto inicial puede ser un punto cu alqu iera, sin necesidad d<
que est ligarlo o b lig atoriam en te con tom o alguno.
Partiendo de la d efinicin de homogeneidad y teniendo en cueuti
la estructura atm ica d iscreta, se pticrlc dem ostrar que los puntos itln
ticos (que en ad elan te llam arem os nudos) estn ligados con el punir
in icia l, elegido arb itrariam en te, por tres vectores do traslacin nc
coplanaros y sus traslaciones form an una red p eridica tridim ensiona.
quo abarca torio el espacio del c ris ta l. Se le lia dado el nom bre de rec
porque los puntos idnticos del c rista l pueden unirse entre s poi
medio de una rerl de lneas rectas, como m uestra la fig. 1 .1 . H ay que
d istin gu ir el concepto (le estructura del cristal del do red espacial.
L a estructura del cristal es una realidad fsica. Cuando se habla de la
estructura de un c rista l se tien e en cu en ta una disposicin concreta
de las p artcu las (por ejem plo, re los centros de m asas (le los tom os)
en el espacio crista lin o . E n cam bio, la red esp acial, cuyo popel prin
cip al so reduce a Ja m u ltip licacin de los puntos idnticos, no nece
sariam en te m ateriales, es slo una construccin geom trica que ayuda
a poner de m an ifiesto las leyes de sim etra do la estru ctu ra del cris
ta l.
La red puede d escribirse por m edio de un paraleleppedo elem en
tal c eld illa elem e n tal {O, A , D, C, D , E , F , G en la fig .1 .1 ), que
se repite peridicam ente en el espacio construido sobre los tres v ec
tores no coplanaros de traslaci n , o traslaciones u n itarias, a , b, c,
que, en general, pueden elegirse por m uchsim os procedim ientos
(fig. 1 .2 ). L as traslacio n es actan no sobre un punto cualquiera do
la red, sino sobre toda ella en con ju n to. Como origen de los tres vec
tores de traslacin se puede elegir un punto cu alqu iera. S i com o o ri
gen se tom a un nudo cu alqu iera, el radio v ecto r R de cualquiera otro
nudo de la red puede determ inarse por la frm ula
It =

rna -f- n b -f- p e,

( 1 .1 )

en la quo m, n, p son mimaros que do ordinario se expresan en frac

ciones do las aristas do la c eld illa y se llam an ndices de! mulo dado.

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1.1. Concepto da red cristalina

Fig. 1 .2. D istintos procedimientos

(/ 4) de elegir la celdilla elem ental
(caso bidimensional)

Fig. 1 .1 . Red nodal. Los nudos,

puntos idnticos, se indican con c ir cu litos

E l conjunto de los tres ndices suele escribirse entro corchetes dobles,

|[mp]) y recibe el nombre do smbolo del nudo.
La celd illa elem ental, en el caso general, es un paraleleppedo
oblicuo cuyas aristas son a, b, c y sus ngulos a (= b c ), p (~ c a ) y

y (= a b ) (fig. 1.3). Las seis magnitudes indicadas se denominan

parm etros de la red. Los parm etros a, b , c que definen la dimensin
do la celd illa eleinent.nl suelen llam arse constantes de la red.
E l paraleleppedo elem ental construido sobre las traslaciones m s
cortas a, b, y c es el paraleleppedo fundam ental de la red. E ste para
leleppedo no tiene nudos adicionales en ningn punto interior ni en
la superficie, aparte de los situados en los vrtices, y recibe el nom bre
de paraleleppedo prim itivo o celd illa elemental prim itiva. Al volumen
del paraleleppedo fundam ental corresponde un nudo do la red. E n
efecto, cada nudo situado en un
vrtice del paraleleppedo pertenece
sim ultneam ente o ocho paralele
ppedos, por lo tanto, a cada para
leleppedo pertenece V8 de este
nudo. Como el paraleleppedo tiene
ocho vrtices, lo corresponder en
to tal 8 x 1/8 = 1 nudo. So ha
dicho quo hay diversos procedi
m ientos posibles de elegir la celd illa
elem ental (vase la fig. 1 .2), esto
significa que se puede elegir dicha Fig. 1.3. Celdilla elem ental cor
celd illa de tal modo quo su voln- loa pnrniotros a, b. c. a. p, y,
men sea igual al de la coldilla ele- <1" caracterizan la red espacial
m ental fundam ental y que a este
en conjunto:
.
i
.
j
* Y. z
c) slplrmn de coordcnmlA
v o lu m e n

c o rre sp o n d o

un n u d o

do

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criiAiocrAficnp

Cap. I. Estructura (le loa cristales

l
\
! i

>
!

i \
i \e
L b\

/
F ig . 1 .4 . C eldilla
contralla
cuorpo, o celdilla 1

X
Fig. 1 .0 .

on

el

Fig. 1 .5 . Coldilla centrada en las hasos, o celd illa C (loa coras centradas
son perpendiculares al eje c)

*>

b>

Celdilla centrada en los lados: a) c e ld illa A , b) celd illa D

la rod, aunque las traslaciones no sean en esto caso las ms co rlas

A s, por ejom plo, en la fig. 1.2 la cold illa 1 est construida sobre las
traslaciones ms cortas a y b y es la fundam ental, en tanto quo en las
celd illas 2, 3 y 4 slo una traslacin es la ms corta, la b , m ientras que
la a ya no lo es. Las reas de las cold illas 2 ,3 y 4 son iguales entre s
y al rea do la celd illa fundam ental 1 (la altura de todos los p aralelogram os os la misma o igual a la d istancia entre las filas de nudos adyncontos). E s fcil dem ostrar (no un resultado anlogo se oblieno cuan
do se elige el paraleleppedo elem ental. P or lo tan to , la propiedad do
sor p rim itiva (tener un slo nudo on su volum en) la com parto la cel
d illa elem ental fundam ental con una cantid ad innum erable do otras
celd illas. La celd illa p rim itiv a suelo designarse por la le tra P.
A vocos es ms convoniento elegir una co ld illa elem ental no pri
m itiv a, sino de m ayor volumon. E sto se debe a quo el paraleleppedo
p rim itivo puedo ser o blicuo, y los clcu los, por ejem p lo, para deter
m inar la estructura del c ris ta l, es sierapro ms cmodo hacerlos no
on un sistem a do coordonadns oblicu as (por regla general.so tom an como
ojos de coordenadas las aristas do la cold illa elom ontal), sino en el
do coordonndas rectangulares. E st claro quo la ce ld illa elegida on el
sistem a do coordenadas rectangu lares, n diferencia do la p rim itiv a,
tondr, adornas do los nudos on los vcrticos, otros adicionales y su
volum en ser m ayor que el do aqu lla. La ce ld illa com pleja so carac-

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1.1. Concepto do rod cristalina

17

teriza por las coordenadas de los

mulos. 101 conjunto ile coorduumlns
do los nudos correspondientes a la
celdilla elem ental se llam a base
de sta. Por lo general, la celdilla
elemental com pleja se elige de tal
modo que los nudos adicionales se
encuentren en los centros de las
caras o en el centro del espacio Fig. i 7 Celdiila cenlra()n on iM
que lim itan. A continuacin so enucaras, o celdilla /'
meran las celd illas com plejas ms
difundidas.
C eldilla centrada en el cuerpo o, simplemente, centrada (fig. 1.4).
En ln celd illa / ol nudo adicional se encuentra en la interseccin
de sus diagonalos (nudo B ). A esta celdilla corresponden dos nudos:
uno, el nudo A , en el vrtice de coordenadas 11000)], y otro, el B ,
que se encuentra en el centro do la celdilla, perlencco por completo
a ella y tiene las coordenadas II1/*1/*1/*]]. Las coordenadas estn dadas
en fracciones dol perodo respectivo de la coldilla, V2a, V2, V2c.
La base do la celd illa es: I1000II, [1V2V2V2)1.
Para, subrayar que la celdilla es centrada en el cuerpo se ha esta
blecido convencionalmcnto denominarla celdilla /.
C eldilla centrada en las bases (fig. 1.5). E sta coldilla se llam a tam
bin celdilla C, para indicar que las caras centradas son las perpendi
culares ol eje c. A una coldilla centrada on las bases corresponden dos
nudos: uno, el A , en el vrtice de coordenadas IOOO]) y otro, ol B,
en la cara C, cuyas coordenadas son [[V2V20JJ. Se ve cilm ento que
slo una mitad del nudo B pertenece a la cara C , ya que la otra mitad
pertenece a la celd illa adyacente. Pero como la celd illa tiene dos caras
centradas, a ella pertenecer 2 x 1/2 = 1 nudo de los quo se en
cuentran en dichas caras.
La lioso do la coldilla es: [1000]], HV2Vt01].
C eldilla centrada en los lados (fig. 1.6). De este tipo puedo babor
dos coldillas: la A , en que las caras centradas son perpendiculares al
eje a, y la B , en la que las caras centradas son perpendiculares al eje b
(los nudos adicinalos so encuentran en los centros de las caras res
pectivas). A esta celd illa corresponden tambin dos nudos, cuyas coor
denadas son: la dol nudo A , [(00011 y la del nudo B , (l1/20 /2ll
[[O V .V Jl.
C eldilla centrada en las caras o celdilla F (fig. 1.7). Los nudos adi
cionales se hallan en los centros de las caras. A esta celdilla corres
ponden cuatro nudos. La base de la celdilla es: 11000]], 1101/21/21),
[IV20 V2]), 1(V2V2011.

2 -0 1 1 4 7

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18

Cop. i. Estructura de Jos cristales

1.2. Sim ol.ra de los c rista le s

Kn la natu raleza suelen encontrarse c rista les de forma exterio r
polidrica p erfecta, en los cuales la s caras y aristas hom ologas se
rep iten. E n este caso se dice que el c rista l posee sim etra.

E n el sentido m s am p lio, con la p a la b ra sim etra se sobrentiende

la existencia, en los objetos o Jenmenos, de algo in variable respecto de
ciertas transform aciones. S i se tra ta de figuras geom tricas, la sim e
tra es su propiedad de tenor partos iguales uniform em ente dispues
tas. U ncind ola g irar alrededor de un e je o reflejarse en un punto
o en un plano, la figura puede co in cid ir consigo m ism a. E stas ope
raciones se llam an transform aciones sim tricas, y Ja imagen geom trica,
quo caracteriza una transform acin s im trica por separado, se de
nom ina elem ento de sim etra. Todo cuerpo, lo m ism o que toda figura
g eom trica, puotlo considerarse com o un sistem a de puntos. Cada
figura fin ita tiene por lo menos un punto que perm anece en su sitio
d urante la s transform aciones sim tricas. E sto os un punto singular.
E n osle sentido los crista les poseen sim etra p u n tu al, a diferencia de la
sim etra esp acial ca ra cte rstica de las redes c ristalin as, cuyo elem ento
fundam ental do sim etra os la traslacin.
E n los cristales el nmero do elem entos de sim e tra es lim ita d o .
E n ellos, lo m ism o quo en las figuras fin ita s , se d istingu en los s i
guientes elem entos princip ales de s im etra : el p la n o especular de sim e
tra, ol eje de sim etra por rotacin (sim ple y de inversin o especular)
y el centro de sim etra o centro de inversin.
E l plano especular do sim e tra corresponde a la reflexi n sim p le
en el plano com o on un espejo. E s te plano d ivide al cuerpo en dos
partos iguales quo coinciden entro s on todos sus puntos al reflejarse
en aqul.
E l e je do s im etra por rotacin sim p le es una recta que tiene la
propiedad de que si alrededor de e lla se g ira, en una fraccin de c ir
cunferencia igual a U n , en la quo n es el orden del ojo, la figu ra, sta
coincid e consigo m ism a en todos sus puntos. A s, si la figura tien e un
e je ilo sim etra de sex to orrlon (n 6), el giro ser igual a V0 do c ir
cunferen cia ((>0). Adem s de los e je s de rotaci n sim ples existen los
e je s do rotacin o inversin o esp eculares, quo com binan la accin
del giro a su alrededor, en una fraccin de circu nferencia 1 In, con la
reflexin en un plano perpendicular a l.
E l cen tro de sim etra , o cen tro de inversin, es un punto sin gu lar
de dentro de la figura, en el cu a l, a) reflejarse sta coincid e consigo
m ism a, es d ecir, la operacin de inversin con siste on la reflexin
do la figura en un punto, despus de lo cu al sta resu lta v u elta e in
v ertid a.
E n los c ris ta le s slo so cnciionU aii ejes do sim etra do c i n c o d e n o
m inaciones o rdenes d istin to s: prim ero, segundo, tercero, cu arto y
sex to . L os eje s de los rdenes q u in to , sp tim o y superiores estn pro-

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1.2. S im o n a <lo los crista les

19

hibidos en los crista le s, ya que sil existen cia es in com p atible ron la
represen tac in ile la red c ris ta lin a . L a dem ostracin de esto puede
oncontrarso en cunlquior te x to de cristalo g rafa.
Todo poliedro c rista lin o tiene un nmero determ inado de ele
mentos de sim etra . E l con ju n to de todos los elem entos que caracte
rizan la sim etra do un o b je to se llam a, en el caso general, clase de
sim etra. L as clases de sim etra se distinguen por el nmero o por la
disposicin de los elem entos de sim etra. E l an lisis m atem tico com
pleto de todos los casos posibles de com binaciones de los elem entos
de sim etra que se presentan en los cristales ha dem ostrado que el
nmero de d ichas com binaciones es rigurosam ente lim itad o y , por
consigu iente, tam bin es lim itad o el nmero de clases de cristales.
Los resultados do este an lisis se reducen a que con cinco e je s de s i
m etra (cinco de ro taci n sim p le y cin co de inversin), plano de sniolrn y cen tro de sim etra pueden form arse en total slo 32 clases
d istin tas de sim etra.
A s, pues, la inv estigacin de lo sim etra exterio r de los cristales
condujo a estab lecer 32 clases de sim etra . E sta sim etra se encuentra
en dependencia d irecta do la estructura interna y est determ inada
por la d isposicin de las p artcu las d iscretas en la red espacia). E n
esta red , a los elem entos antes citad os plano de sim etra, ejes de
sim etra y cen tro lo s im e tr a , se aado un elem ento de sim etra
nuevo, la traslacin T, que act a no sobre un punto cu alqu iera do la
red, sin o sobre toda la red en con ju n to. Cuando la red se despinza en
la m agnitud de lu traslaci n , en el sentido del vector traslaci n , la
red coincid e consigo m ism a en todos sus puntos. La com binacin do
lo traslaci n con Jos elem entos de sim etra caracterst icos de los c ris
ta le s para las figuras fin ita s , da nuevos tipos de elem entos de sim e
tra . E sto s elem entos son: giro alrededor del e je - f traslacin para
lelo a lo largo de) e je = e je h elico id al; reflexin en el plano H- tra sla
cin p aralela a lo largo del plano = plano de deslizam iento y refle
xi n . .
L a accin do un plano de deslizam iento y reflexin se reduce a la
reflexin del punto in icia l en el plano (como en un espejo) y, al mismo
tiem po, en su d esplazam iento, paralelo a) plano, en una m agnitud
igual a la m itad de la tra sla ci n , V 27'.
L a accin de un e je h elico id al con siste en el giro del punto in i
cia l alreded or del e je en una fraccin de circu nferencia igual a i/n ,
en la que n es el orden del e je , y , al m ism o tiem po, en un desplaza
m ien to paralelo al e je igual a (1/n) x T. E l giro Iota) de 3 6 0 hace
que el punto in ic ia l se d esplace, paralelam ente al e je , uno d istancia
igual a la traslaci n T.
E l e je h elico id al puedo ser de segundo, tercero, cuarto y sexto or
den. E l ojo helicoid al de prim er orden es equivalen te a un sim ple des
plazam iento (traslacin ).
A tenindose a la d ireccin de giro, los ejes helicoidales pueden ser
2*

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20

Cap. 1. Estructura de los cristales

Fig. 1.8. Cuarzo: a , dextrgiro; b, levgiro

dextrgiros y levgiros. E n el caso de un eje helicoidal dextrgiro el

desplazamiento del punto a lo largo de l va acompaado del giro
en el sentido do las agujas del relo j, y en el caso del eje levgiro, ol
giro ser en sentido contrario al de dichas agujas. La im posibilidad
de distinguir en las investigaciones m icroscpicas los ejes helicoidales
de los sim ples de rotacin se oxplica por la pequenez do las distancias
interatm icas. L a presencia de los ejes helicoidales en los cristales,
si aqullos son de un mismo' nombre (dextrgiro o levgiro), puedo
establecerse por las propiedades fsicas. As, en la natura luz a existen,
por ejem plo, cristales de cuarzo, de azcar y otros, dextrgiros y lovgiros (fig. 1.8). Unos hacen que, cuando la luz pasa por ellos, ol
plano do polarizacin gire a la derecha, y los otros, que gire a la iz
quierda.
L a investigacin de todos los casos de sim etra posibles en la red
espacial demuestra que con los elem entos siguientes: planos especu
lares, ojos do rotacin sim ples, centro de sim etra, planos de desliza
m iento y reflexin y ejes helicoidales <le distintos nombres, so puedo
form ar nicamento un nmero lim itad o de grupos espaciales (so llam a
grupo espacial el conjunto com pleto de elemontos do sim etra que
caracterizan la sim etra de la red del cristal dado). E l anlisis com
pleto llev al cientfico ruso E. S . Fidorov (1890) a la conclusin
de que existon 230 grupos espaciales de sim etra, quo do un modo de
terminado so distribuyen en 32 clases de sim etra puntual. Para pasar
de un grupo espacial o una clase de sim etra hay que hacer pasar todos
los elem entos do sim etra dei grupo espacial por tul punto y considerar
quo los ojes helicoidales son ejes de rotacin homnimos y que los
planos do deslizam iento y reflexin son especulares.

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1.3. Sistem as do coordenadas cristalogrficos

21

1.3. S istem a s de coordenadas cristalo g rfico s;

l rodos do traslacin do lira vais
En cristalo g rafa, para la descripcin a n a ltica de los Cristales se
u tiliza un sistom a de coordenadas trid im en sio n al,q u e so clig e d o acu e rdo con la sim etra del c ris ta l. Los ejes do coordenadas, por lo gene
ral, coinciden con los aristas de la celd illa elem ental, la cual se carac
teriza por medio de los seis parm olros a, b, c, a , f), y (vase la fig. 1.3
y la tab la 1 . 1).
Tabla 1.1. S in g o n in s y reglas pura la o rien ta ci n crista lo g r fic a
Caractersticas de la celdilla
elemental

Smgonta

T r ic ln ic a

a sfs b gs c; <x = p = Y = 1)0

M onoclnica

R m bica

a rfc b =5 c\ a |1 Y Q0o

T ctragooal
H exagonal

Cbica

b Jz c\ a Y -W

Recias adoptadas para orientar

los oles

Segn la s a r i s t a s del c r i s t a l

c <L a <C h
K1 ajo y a lo largo ili*l aja 2
de un a normal al plano tn

Los ejes
r/, z a lo largo do
tros ojos 2 perpendiculares entro
s o u 1( l.u go do norm ales a
los planos m
a b= c\ a = p = Y = )0o
Kl ojo 4 el 4 coincido con
el eje z. Los dems estn en el
plano xy
a = b ^ c\
y 120
lid eje (> el 0 (e! 3 3 on la
singonu irigon ul) coincido con
o ojo z. Los dems estn en ol
plano xy.
a b c\ a
^= y = 90
Los ejes x, y , z son poralelos
a tros ejes 4 6 4 , 2, perpen
diculares entre s.

A l elegir los ejes cristalo grfico s hay quo cu m p lir los reglas (vase
la ta b la 1 . 1) adoptadas en la cristalo g rafa, oblig atorias para todos
los investigadores. E l cum p lim iento de astas reglas reduce a l mnim o
la p osible, en este caso, arbitraried ad . Debo recordarse siempre que
de la disposicin de los ejes de coordenadas dependen los ndices cris
talog rfico s que definen la posicin de los planos reticu lares y las
direcciones en el cristal.
L os ejes aristas de la c eld illa elem en tal se eligen de tal modo
que coin cid an con direcciones p articu lares y, ante todo, con las par
ticu lares princip ales de la red (nicas para el c rista l dado, por ejem
plo, para el prism a exagonal esta direccin nica es el eje de sexto
orden) y sean iguales a las traslaciones m s cortas en ostas direcciones.
Son d irecciones particu lares las do los ejes de sim etra o las nrmalos
a los planos do sim etra. S i no existen d irecciones particulares, las

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22

Cap. 1. Estructura do los erigalos

3
Fig. 1.9. Celdilla elemental centrada dos veces en el cuerpo do la red
hexagonal (lneas do trazo grueso)
y celdilla rombodrica correspon-

diente a ella. La base de la celdilla elemental es |[000]]; (|s/3

Val; IM/a */3l]

aristas (le la celd illa se eligen por

las filas de la red cristalin a o por
las aristas del poliedro cristalino.
Eligiendo de esta forma los cel
dillas elem entales, 1todos Jos cris
tales pueden agruparse en seis sis
temas do coordenadas cristalogr
ficos o singonas (tabla 1.1). En
cada singonia so agrupan aquellos
cristales que tienen iguales la si
metra do las celdillas elem entales
de sus estructuras y el sistem a de
ejes de coordenadas.
ln muchos textos de cristalogra
fa se considera sptim a singonia
la trigonal, a la cual pertenece la
celd illa prim itiva rombodrica. Pe
ro puede verse fcilm ente (fig. 1.9)
q1I8 es|,a celd illa no cumple la
'

___. .

reSla de eleccin de los ejes de

coordenadas, ya que en ella no hay
arista alguna paralela a l a direc cin particular principal (nica), es
decir, al eje de tercer orden o terciario, ni aristas paralelas a las direc
ciones particulares. La separacin de la singonia trigonal de la hexa
gonal se debe a la circunstancia de que los cristales hexagonales y
rombodricos tienen, como se ver ms adelante, d istin tas las redes
prim itivas de Dravais (tabla 1. 2).
Cada estructura cristalin a puede caracterizarse por un conjunto
determinado de traslaciones elem entales. En dependencia de las
relaciones de los valores y de la orientacin mulla do los traslacio
nes principales a, b, c se obtienen las redes, que difieren una de otra
por su sim etra. La sim etra del espacio cristalin o lim ita el nmero
de redas posibles.
En 1848, O. J3ravais consigui demostrar m atem ticam ente que
slo existen 14 tipos de redes de traslacin diferentes por su sim etra.
Bravais enunci tres condiciones cuyo cumplimento sucesivo perm ite
elegir, del conjunto innumerable de celd illas elem entales, una de
terminada que caracteriza a la red en su totalidad. E stas condiciones
son las siguientes:
1) la singonia de la celdilla elegida debe ser la misma que la sin
glada (lo toda la red, es decir, su sim etra debe corrospondcr n la
sim etra de loda la red (la sim etra de la celd illa debe coincidir al
mximo con la ,s im etra puntual del cristal);
2) ol nmero de ngulos recios y lados iguales debe sor m xim o;

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1A

S i M r m n s <1<* <NK)vtU,n n ( h i f l v i 'L s l a l ( f g n i f o s

Tabla 1.2, R edes de traslacin de B ravais

3)
cum plindose las dos condiciones prim eras, el volumen de la
celd illa debo ser m nim o.
De esta form a, eligiendo por las normas la celd illa elem ental de
acuerdo con la sim otra exterior del c rista l (las reglas do orientacin
se pueden ver en lo tabla 1 .1) y cum pliendo las tres condiciones an
tes enunciadas, cualqu ier estructura c rista lin a puede representarse
por medio de una de las 14 redes topolgicas de B rav ais (tabla 1 .2 ).
E ntre estas 14 redes slo seis (o siete, si se tiene en cuenta la celd illa
rom bodrica p rim itiv a) son la s p rim itiv as, por las cuales se d istin
guen las singonas cristalo grficas. Las ocbo redes restantes tienen
nudos com plem entarios, o sea, sem ejantes redes son centradas. E sto s
nudos com plem entarios) slo pueden ser uno, dos y tres, y se en
cuentran ya sea en el cuerpo do la red o bien en las caras.
Al principio del cap. 1 se dijo que la propiedad de ser prim itiva
(tener un solo nudo en su volumen) la com parto la celd illa elem ental
fundam ental con una cantidad innum erable do otras. P or eso siempre
se puede elegir una celd illa prim itiva ta l, que posea la sim etra total
de una red do B ra v a is. Uno de los procedim ientos para construir estas
celd illas fue propuesto por li. W igner y F . Soilz. P ara construir la
coldilln de W ignerS citz, un nudo de la red de B rav ais elegido arb i-

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Cnp. 1. Estructura do los crista les

Kit,'- 1.10. Coldilla il. W ignor

Soitz (rayada), ca so biflim cnsioii.il;
n y li con Los VorliM'rs un idad fio
las Ira sln cio n cc do l;i lod de 13ravnis

l'itf. 1.11. Colililln

do YVignerSoitz
para una nal do llra vaic cbica e e n lra dn un id cuerpo.
Octaedro truncado

l'ig . 1 .12. C eldilla

de
W ign er Soitz
parn una red do
Uravnlc clu ca oeuliailu en las caras.
Oo decaedro rm bi
co. P ara la con stru c
cin so lia elegido
como nodo in icial el
cen tro de una cara

Icariam en te (figs. 1 . 1 0 . . . 1 . 12), se une por medio de rectas con los

nudos equ iv alen tes m s prxim os; despus se liacon pasar los planos
bisoclores perpendiculares a estas rectas. Como resultado se obtione
una regin del espacio cerrad a, con cen tro en el nudo elegido, todos
los puntos de la cu al se encuentran ms cerca de ) que de cu alqu ier
otro nudo do la red. E l volum en de la ce ld illa do W ig n e r S c ilz es
igual al de la ce ld illa p rim itiv a (undam cntal con struida sobro las
traslacio n es m s co rlas do la red.

1 A . Sm b olos crista lo g r fico s

de los planos reticu la re s y de las fila s de nudos
E n cristalografa se acostum bra pasar los p lan os y las rectas p or los
nudos de la red esp a cia l , de aqu los nombres de plan os reticulares y
fila s de nudos. E n adolante slo nos van a in teresar estos planos y
filas.
P lan os reticu lares. Todo plano que paso por tres nudos de una
red, quo no estn en ln ea re c ta , contieno toda una re tcu la de nudos.
Un sistem a do planos reticu lares paralelos, situados a d istan cias igua
les d entre s , forman una fa m ilia de planos. T od a red espacial puede
representarse, m ed iante fa m ilia s de planos, por innum erables pro
ced im ientos.
P ara caracterizar la posicin de una fa m ilia do planos en el espacio
h a y quo dar la o rientacin de uno cu alqu iera de los planos do la fa
m ilia , respecto do los ejes to coordenadas c rista lo g r fica s elegidos,
e in d icar la d istan cia entro los planos. E s ta circu n stan cia da la posi

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___________________________1.4. Sm bolos cristalogrficos_______________________ 25

bilidad do u tiliz a r, para determ i

n a r la p o s ic i n d o lo s p la n o s , el l e n

gu aje abroviudo de los sm bolos

cristalogrficos.
E lija m o s como sistem a de coor
denadas cartesianas afn las aris
tas de la celd illa p rim itiv a. E n
la red espacial hagamos pasar un
plano cualquiera por los nudos in
dicados con puntos sobro los ejes
do coordenadas (ig. 1 .1 3 ). En el
sistem a do coordenadas elegido esto
plano se expresar por medio de
una ecuacin de prim er grado:

Ax

l'ig . 1.13. Esouerna para determ i

nar los sm bolos de una fam ilia de
planos nodales

liy + Cz + D = 0. (1.2)

Por el origen de coordenadas O pasa un plano, paralelo al in icia l,

que, desdo el punto do v ista de la traslacin, es idntico a l. L a ecua
cin de este segundo plano tendr la forma

A x + B y - f Cz = 0.

(1.3)

Tom em os sobre este plano dos nudos cuyas coordenadas sean

z , = nijo; t)i nb\ z = pc; x = m a ; y 2 = n2b ; 2 = p 2c,
en las que m, n, p, rn2, n2 y p 2 son nmeros enteros y o, b, c, ios
parm etros de ln c eld illa clom onlni, E s ovidento quo las coordenadas
de los nudos debern satisfacer la ecuacin (1.3):

Aarrii + B bn x -f- Ccp = 0; Aam -j- B b n 2 + Ccp2 0.

De la teo ra de las ecuaciones lin eales se sigue que, en este caso, X a ,
B b y Ce deben dctorminar.se con la exactitu d do basta un factor co
mn f:

A a:B b:C c =

Pi

Pt

n2

p2

P 2 ffl-2

n i,

m 2 2

= h t:k t :lt.

(1.4)

Como ni, n y p son nmeros enteros, cada uno de los determ inantes
tam bin lo ser y , por con sigu ien te, h, k y l sern tres nmeros pri
mos entre s. Si ahora on la ecuacin (1.3) se sustitu yen ios coefi
cien tes A , B y C por sus valores calcu lad os de acuerdo con (1.4), la
ecuacin del plano quo pasa por el origen tom a Ja forma

hx -f- ky + Iz = 0 ,

(1.5)

en la que x x la ; y yib y z z/c, es decir, las unidades a io

largo de cada e je son d istin ta s e iguales a les traslaciones aristas

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20

Cap. 1. Estructuro de los cristales

de 111 <'!til I l/i elem en tal. I, re uncin le c nn lc| u ior plnno paralelo ni
|no pasa por el origen se escrib ir a s i:
hx -f ky +

h =

t,

( 1 .0 )

IoikIc t os siem pre un ui'unoru onloro. P ara el plnno quo pnsn por ol
origen = 0 , y para el ms prxim o ni origen, < 1 .

Tres nmeros irreducibles, prim os entre s, h, le, l, caracterizan a toda

una fa m ilia de plan os reticulares p aralelos. Estos nmeros se llam an
ndices de M iller del plano. S i los n d ices estn escritos uno detrs de
otro y entre parn tesis, (hkl), reciben el nom bre de sm bolo del plan o.
Si el sm bolo est escrito en In Forma (hkl) o (hkl), esto sig n ifica que el
nd ice correspondiente debe lom arse con signo menos.
Las m agnitudes h, k y l suri inversam ente proporcionales a los
segm entos que el plano elegido co rla sobro ios ejes de coordenadas.
Si la ecuacin (1 .(>) para el caso l ~ 1 est e scrita on fnrma do
ecuacin del plano cu segm entos:
x

(//.) ^

'J

(h/k) T (cl) -

7,

V -'l

com o puede verse por (1 .7 ), el plano (hkl) ms prxim o ni origen de

coordenadas corta en los ejes x, y, z segm entos iguale, resp ectiv a
m en te, a a /k , bil y c/l, lo que sig n ifica que el sistem a do planos pa
ralelos corta las a rista s a, l>, c <ie la c e ld illa elem ental on h, k y l
p arles, respectivam ente, lis m s,un el caso de Ine.ehlilla(dem onial pri
m itiv a , el sistem a de planos paralelos (hkl) corta la s diagonales do las
caras de la cold illa (a b ), (be) y (ca) en h -|- k, k - f l y l -|- li parles,
respectivam ente, y la diagonal de la ce ld illa en h + k -f- l partos.
E 11 la fig. 1.1-4 se da un ejem plo del corte do una c e ld illa bidim cnsional
por un sistem a do planos paralelos del tipo (430).
En (1 caso de las redes com plejas , es d ecir, de las redes con base,
el problem a se plantea de un modo algo diferente.
La red com pleja puede con si
derarse com o una red form ada por
varias redes p rim itivas guales y
p aralelas en tre si, insertas una en
otra. E l nmero de oslas redes p ri
m itiv as es igual al de nudos corres
pondientes a la red no p rim itiv a
(es d ecir, al nmero do nudos que
d eterm inan la base de la red com
Fig. 1.14. Divisin de un paralelop le ja ), y sus, nudos in iciale s se en
gramo elem ental por ida nos (430)
(ln eas (le trazas). So indican los
cuentran 011 los nudos do la red 110
nmeros de las distancias alepnp rim itiv a . A si, la c eld illa elem en
nares desdo ol origen de la celd illa
ta l, cen trad a en el cuerpo, puedo
a lo largo do la diagauat ( |- k
considerarse como form ada por dos

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I/i. Sim lioios cristalogrficos

27

c e ld illa s p rim itiv a s iguales y para

lela* n o li-i's , iiilrnilin iclns imii i'ti
olru con mi d esplazam iento igual
n la m itad dn la d iaco n al lio la
coid i lia (fifi. 1.1 5 ).
S i la cnidilli) os con Irada en el
cuerpo, su d iag on al, cuando os par
la sum a h + k + l = 2n, siendo n
un nm ero c ille ro , estar corlad a
por los su cesivos planos relien lares
de la fa m ilia (hkl) en h
le + l
p arles; pero cuand o la sum a h +
k + l = 2n + 1 es im p ar, la d ia l'ig . 1.15. Dos coletillas p rim iti
vas construidas sobro lu naso do
gonal ser corlad a en 2 (h -|- k
i)
una celdilla com pleja centrada en
p artes o d ista n c ia s en tre planos,
ol cuorjio
m ien tras que los e je s do la c e ld i
lla e lem e n tal, si es im par la suma
h
k
l, lo ser en los segm entos a/(2h), b/(2k), c/(2l). Paro los
otros casos de cen trad o la situ aci n es anloga y el problem a del
nmero de cortes hoy quo resolverlo por separado en cada caso con
cre to . L a cu esti n del nm ero de cortos do los e je s de la ce ld illa ele
m en ta! por los sucesivos planos reticu lares <lc Ja fam ilia (hkl) es muy
im p ortan te para reso lv er m uchos problem as de la fsico del estado
slid o , por ejem p lo , cuando se estudia la propagacin de las ondas
en un slid o .
U na fa m ilia de planos paralelos, como ya se ha dicho, se designa
con el sm b olo (hkl). E n la lite ra tu ra c ie n tfic a e x iste tam bin una
notacin que ind ica no slo una fam ilia do planos, sino todas las de
ms fa m ilia s e q u iv ale n te s en v irtud de la sim etra . A s, por ejem plo,
en un c ris ta l c b ico Jos planos (110), (101) y (011) son equ iv alen tes.
E l co n ju n to de estos planos e q u iv alen tes se designa con el sm bolo
{ 1 1 0 } o, en el caso gen eral, con el de {h k l}.
En los c rista le s h exago n ales, para d eterm inar la posicin do los
planos, y para poner de m an ifiesto las fa m ilia s do p lanos eq u iv alen
tes s im trica m e n te , se u tiliz a un sistem a no de tros, sino de cuatro
e je s do coordenadas y a cada plano se le ad ju d ica un cu arto nd ice i,
que se escrib e en tercer lu g ar. E n osla caso el sm bolo de la fam ilia
se escribo en la form a (hkil). E l cu arto eje a u x ilia r <j3 se introduce en
el plano perp en d icu lar a l e je c, com o m u estra la fig. 1.1 6 , L a recta M i
es la traza do) plano (hkl), OD = p es el segm ento que corta el plano
(hkl) sobro el e je o ;, y OC = RC b. De la sem ejanza A A liC y
AADO so sig u e:

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28

Cap. 1 Estru ctura de los cristales

C

F ig. l .iC . Esquem a para deducir la

relacin del_ cuarto ndice i c n los
indices h y k

F ig. 1 .1 7 . Esquem a para determ inar

los planos equivalentes por perinutacin cclica

E l procedim iento ilo los cu atro nd ices tien e la v e n ta ja de que

perm ite d eterm inar inm ed iatam ente en el c ris ta l hexagonal los pla
nos eq u iv alen tes, lo que con el sistem a de Jos tres nd ices es ms di
fc il.
Veam os un ejem p lo. Supongam os que os necesario poner de m a
nifiesto todos los planos equ iv alen tes del tipo (213). E l plano (213)
se escribe en el sistem a de cu atro n d ices i = (2 + i ) = 3, en
tonces (213) es (2133). Despus do oslo, utilizan d o la perm utacin
c c lic a (vase la fig. 1 .1 7 ), es f c il escrib ir todos los dem s planos:

h l

k l

h le i

Tach and o la tercera colu m na, pasamos inm ed iatam ente a la repre
sen tacin ilo los planos equ iv alen tes on el sistem a de tres nd ices.
En ios c rista les h exagonales, el plano perpendicu lar ai e je c,
o sea, el piano do la base, es la base del prism a hexagonal (fig. 1.18)
y tien e los n d ices (0001). Los planos paralelos a las caras laterale s
del prism a tienen los n d ices: (1 0 1 0 ), (0 1 1 0 ), (1100), (1010), (01 1 0 )

( 1100).

F ila s de nudos. Construyam os en una red espacial un sistem a

de coordenadas cristalo g rfico xyz y tracem os por su origen una fila
de nudos (fig. 1 .1 9 ). A lo largo de esta fila , a d istan cias iguales al
perodo d, se encuentran nudos id n ticos. S ea [[mripll el sm bolo del
nudo ms prxim o al origen. E st claro que ol nudo llm npll ju n to
con el ilOOll determ inan la d ireccin rio la fila que pasa por el origen
<lc coordenadas.
E l sm bolo del nudo Ilmn/j]) se tom a como sm bolo de la fila y so
escrib e onlro crch eles Im/i/il, donde, los nm eros enteros wi-, w, /

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i.!). Tlrd recproca

Fig. 1 .1 8 . T res coletillas dem ntalos

hexagonales Jorman un prisma h exagonal. Los Indices del plano de la
base son (0001)

29

F ig. 1.19. R ecta nodal [|m n pJJ, quo

caracterizo una fam ilia de rectas nodales paralelas

son los ndices do 1a fila . E l sm bolo [mnp] caracteriza a toda una

fam ilia do filas de nudos paralelas, puesto que en los cristales todas
estas direcciones son id nticas. De nuevo, para subrayar que se trata
de un conjunto do filas de nudos sim tricam ente equivalentes, se
introduce una notacin on la form a de smbolo (m np). Por ejem plo,
las direcciones de los ejes de coordenadas on los cristales cbicos,
(100), [010], ITOOI, (001), [OlO], lOO] son equivalentes en virtud de la
sim etra, por lo quo este con jun to se designa por un sm bolo (1 0 0 ).
E l con jun to de las direcciones de las norm ales a los planos equivalen
tes de la fam ilia { l l l } _ e n los cristales cbicos, [111], l l l l j , [11 Ti,
1111], [111], [111], [ l l l ] , [TlTl, se designa con el sm bolo <111>,
que indica que todas las direcciones do este tipo sern sim tricam ente
equivalentes.

1.5. Red recproca

En la fsica del estado slido, cuando so analizan muchos fen
menos (difraccin, m ovim iento de los electrones on un campo de po
tencial peridico, dispersin de los fonones), relacionados con la dis
posicin peridica de las p artculas d iscretas, desempea un papel
de extraordinaria im portancia y utilidad la red recproca. sta no es

una red en el sentido ordinario que le dimos a l defin ir la red espacial del
cristal (vaso 1 .1 ). L a red recproca no existe en el cristal, esuna abs
traccin cmoda quo da la posibilidad de describir m atem tica
mente con bastan te sencillez y exactitu d las condiciones en que trans
curre ta l o cual fenmeno en un slido cristalin o.
E ntre los parm etros de la red directa ordinaria, construida sobre
los vectores do las traslaciones a, b, c, y los parmetros de lo red ro
cprocn existo una relacin com pletam ente determ inada. Para esta
blecer esta relacin tracem os el plano (hkl) ms prximo al origen de
coordonndns xijz (fig. 1 .20), que, com o ahora sabem os, corta cu los ojos

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30

Cap. 1. Estructura do los cristales

j \ ;/, z los segm entos all, b/l;, til
respectivam ente (aqu a , b, c son los
parm etros de la c eld illa elem en
tal).^
El plano (hkl) ju n to con los
tres planos rife coordenadas (100),
(0 1 0 ) y (0 0 1 ) forma el loiiyimlm
A O liC. S i las reas de las caras tri
angulares dol telraedro se represen
tan con los respectivos vectores S ,
de acuerdo con el teorema del c l
culo v e cto rial que afirm a que el
vector de una superficie cerrada es
siem pre igual a cero, podemos es
c rib ir:

Fig. 1.20. Esquema para deducir

la relacin entro los parmetros
de las redes directa y recproca

SA(htil) = S ^ (l0n) + S,no) ^

(1.9)
Las reas se pueden ca lcu la r por la frm ula del volum en v del te
traedro: e '1-jSII, de donde

S = 3t)///,

(1.10)

siendo // la altu ra riel tetraed ro. L o a ltu ra , bajad a del v rtice O

al plano (hlcl) es igual a la d istan cia d),,,i entre los planos. L a altura
bajad a del vrtice A al plano do coordenadas (100), de acuerdo con
las reglas del corte de los ejes de la c eld illa elem ental por los suce
sivos planos re ticu lares de una fam ilia, es igual a d inolh, la altu ra ba
jad a del v rtice f al plano do coordenadas (0 1 0 ) es d 01</k y la altura
bajarla del v rtice C al plano do coordenadas (001), d 00,ll. P or lo
tant.o, do (1 .0 ) y ( 1. 10) so sigue quo
11 = =/i - l- A
IIIlIi I

II1 M

1- Z - 4 = fra* -f - f t b * -h Zc*,

oto

ool

( 1 . 11)

donde a * , b* y c * son los vectores axiales de la red recproca.

Sustitu yend o en el segundo m iem bro do la expresin (1.9) las
reas do las caras triangulares por los respectivos productos vecto ria
les, se obtien e:
3c

dkhl - 4 - [ 4 f ] + l [ T f ] + T [ T - ]
Se

dkkl

fl'c] , [cal | lab]

Ti ^ Ih 'r id-

Come Gt> = a |l)c]/(/t/c) VK/(hkl), siendo Vc. el volum en de la c el

d illa dom en tul construida sobro los vis-lores , 1>, o. resida que

_ = /lJL + /

dhhl

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(1.12)

i . 5. Red reciproca

31

Igualand o la expresin ( l . l 'l ) con la (1. 12), h allam os que

*= -
JlMl

" 011>

c * = _ L - .
'<011i
IO

IC

(1 .1 3 )

Y com o (n llicl) (b k n l) (c Inlil) K, sern los p rod ucios es

c alaras
(n o * )

(1.1.*)

(c e *)

(h e *) (b *c ) = (c u *)

(c *n )

(nl>*) =- (n *li)

|.

0.

(1 .1 4 )

L as seis ltim a s ecu acio n es do la expresin (1 .1 4 ) ind ican la regla

para c o n s tr u ir la red re cp ro ca , a sab er: al co n stru ir la red, los v ec
tores a * , b * , c * son p erpen d icu lares resp ectiv am en te a los pares de
v ecto res b y c, c y a , a y b, y v ice v ersa , los v ectores a, b, c son perpen
d icu lares a lo s paros de v ecto res b * y c * . c * y a * , a * y b * .
Los v ecto res de la red d irecta estn relacionad os con los de la red
recp roca por frm ulas anlogas:
a =

| b *c*]/ F *

b => | c*a*]/ K *, c = [n * b *]/ P * ,

en las que V * es el volum en de

proca.
M u ltipliquem os escalam ien to
siones (1 .1 3 ) y (1 .1 5 ) y tom ando
obtenem os
k
) = J

(.1.15)

la ce ld illa e lem en tal de la red re c

(1 .1 3 ) por a. A p lican d o las e x p re
en con sid eracin la re la ci n (1 .1 4 ),
^

Y com o
(b*b)
(c*b )

(b * c )l_
(c *c) 1

tenem os que

V * = \!V0.
Do los resu ltad o s obten id o s so infiero que las redes directa \j re
ciproca son m utuam ente con ju gadas. L a red in v ersa do la recp roca es
sim p lem en te la red d ire c ta in ic ia l. Cada nudo [[/iA:l]|* do la red re
cproca corresponde a una fa m ilia de planos p aralelos (hkl) de la red
d irecta. D ebe tenerse en cu en ta que la red re cp ro ca se con stru ye en
c ris ta lo g ra fa con respecto a una red co n creta de B ra v a is y e lla m is
ma es una red de B ra v a is . A s, para una c e ld illa c b ica sim p le do
B ra v a is la red recp ro ca es una red d escrita por una c e ld illa e le
m en tal c b ica sim p le de a rista 1/a, siendo a el parm etro de la red
d irecta. La red recp ro ca a la con trad a en las caras es una red c en
trada en el cuerpo, en ta n to que a la red d ire c ta cen trad a en el cu e r
po corresponde, una re cp ro ca cen tra d a on las ca ra s. E l v ecto r de la
red recp ro ca I I = /ia* + Ab* + le * es perp en d icu lar ni plano (hkl)
y su m dulo es igual a \ldhhl, siend o
la d is ta n c ia entre los planos
en el sistem a do p lan o s cq u iv alon tos {h k l} de la red d irecta. P ara

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. j -jvr
Cap. 1. Estructura Jo los crisoles

32

ca lcu la r osta m agnitud es muv til la sig u ien te f rm u la, obtenida

de (1 . 11) :
)'
- / < * **+ A * b * a -| -i*:*-+

1: . * r/ c 1 .

"MI

en lo que los expresiones entre p arn tesis son los pro<luclos escolares
de los respectiv os vectores de la red recproca. E s cm odo y fcil
pora ca lcu la r Jos productos escalaros u tilizar la escritu ra sig u ien te:

(a*b*) = -pj-({bc] {ca]) = -^y

(be)

(ba) =

cz
(ca)
ba eos y
abe3

t be eos a
V c2

eos a
1

ca eos P

eos y
eos p

abe'3

~w

( c o s a c o s 0 c o s y ),

en la que a , p, y, son los ngulos entro la s resp ectiv as traslacio n es

(a, b, c).
Para las c e ld illa s recto lgula ros n * = 1/n, b * 1 Ib, c* 1/e
y (n * b *) = ( a * c * ) = (b * c * ) = 0 , por lo to n to ,

k*

J1
c3

(1 .1 7 )

Para las celd illa s c b icas a = b c, por lo quo el cuadrado del

v alo r recproco de Ja d istan cia entre los planos os:
(1 .1 8 )
A p licand o (1.1(1) so pueden obtener las expresiones de 1 /d\,i para
las celd illa s de todas los sin gonn s. E l c lcu lo del volum en de la
c e ld illa e lem en tal, en el caso g en eral, se hace por m edio de la s cono
cid as frm ulas de geom etra a n a ltic a :

Vc = abe Y 1 eos2 a cos2 j i eos2 y + 2 eos a eos } eos y,

V * = u*b * c * y 1 eos2 a * eos2 p* eos2 y * -{- 2 eos a * eos p* eos y*

(1.19)
A qu a * (b * e * ), P * = ( c * a * ) y y * = ( a * b * ) son los ngulos cutre
los v ectores de la red recp ro ca:
*

f os P eos y coa a

SO (i 34*1) y

eos A* =

coa a coa y eos ft ,

son a sen y

eos a eos p eos 7

son a sen p

eos V* = ------------- ----- 5----

'

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(1.20)

1.6. Em paquetam ientos densos do esferas

33

1.6. E m p aq u etam ien to s densos de esferas.

E jem p lo s do estru ctu ras crista lin a s
M uchos slidos c rista lin o s ostn con stitu id os por tom os neutros
(tom os do olom ontos nublos) o por ionos con carga p o sitiv a y nega
tiv a . L o s tom os y los ionos do lo m ayora do los olom ontos qum icos
posoon sim e tra e sfrica.
S i lo s tom os o los iones so representan por esferas s lid a s, e x
trao rd in ariam e n te pequeas, incom presibles, en tre la s cu ales act an
fuerzas de atra cci n y do repulsin m utuas, las p ecu liarid ad es do la
con stru ccin de la m ay o ra de la s estructuras c ris ta lin a s so puede
com prender con v en cio n alm o n te, considerndolas com o em p aq u eta
m ientos esp aciales de d ichas esferas. So supone quo las esferas estn
colocadas de ta l form a que su em p aqu etam iento tien e gran s im e tra y
com p acid ad . P or lo gon eral, cuando se construyen em p aqu etam ien tos
esp aciales densos, se parto de una capa plana en la cual la densidad
de esferas es m x im a . E l em p aqu etam iento ms denso de esferas do
igu al rad io en un plano se m uestra en la fig. 1 . 2 1 .
E n una cap a p lana (fig. 1 .2 1 ) cada esfera, por e je m p lo , la A ,
est rodeada de otra9 seis y, resp ectiv am en te, do seis v aco s o hue
cos tria n g u la re s, y cada uno de estos huecos (tipo B o C) est rodeado
de tres esferas, correspondindolo a cada una de e lla s */, de hueco.
D e aquf so deduce quo a cada esfera corresponden 6 X 1/3 2
huecos. Los em p aqu etam ien to s esp aciales densos se o btien en de los
planos, si estos se superponon de m anera que las esferas de la capa
in m ed iatam en te superior descansen sobre los huecos trian g u lares que
h ay entre las esferas de la cap a in ferio r. Como ol nmoro de huecos
trian g u lares que h ay en la capa p lana es dos veces m ayor que el n
mero de esferas (referido a una de stas), la segunda cap a de esferas
puede orien tarse respecto de la inferio r de dos form as, a sa b e r: las
esferas do d icha segunda cap a pueden situ arse sobre los huecos do la
inferior ind icad os en la fig. 1.21 con la le tra t, o sobre los huecos se
alados con la le tra C. E sta c ircu n sta n cia so produce cada vez que

F ig . 1 .2 1 . Capa plano de esferas de igual radio (a ). La m ism a capa ropreseutada

en forma do red (b), cuyos nodos son lo s conlros do los esferas A, ti y C y los
cen tro s do los IriAngulos son los liuocoa uno forman las esferas A
3 -0 1 1 4 7

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34

Cap. 1. E stru ctura de los crista les

so colo ca una nueva ca p a . Do aqu so in fiero quo puerto construirseuna infinirtm l <ln ion pm|iinl,i\inoiilos densos, cniln l in o lio los r alo s
tonr la m ism a rtensidnd de ocu pacin d el esp acio por las esferas,
igu al al 74,0-c>%. S in em b argo, entro la gran c a n tid a d de estructurasc ris ta lin a s in v estig ad as, el nm ero de em p aqu etam ien to s ha resul
tad o ser b astan te lim ita d o . Los e m p aq u etam ien to s quo se en cu en tran
con m s frecu en cia son : el h ex ag o n al denso (de dos cap as) y el cbicodenso (do tres copos).
P ara con stru ir estos em p aq u etam ien to s volvem os a referirnosa la fig. 1 .2 1 , en la cual la capa p lana do esferas est tam bin repre
sen tad a en form a de red , cuyos nudos son los cen tro s de las esferastip o A (pu ntos negros); los con tros do los liuocos trian g u lares se dosignan por c ru c e cita s (linceos B ) y por c irc u lito s (huecos C ). A la
cap a in ic ia l de esloras tip o A la llam arem os cap a A .
E n ol caso del e m p aq u etam ien to h ex ag o n al, sobre la cap a in i
c ia l A se pono la segunda cap a do m an era quo las proy eccion es de
los nudos do la red de esta copa ocupen las posiciones B (capa B)\
la cap a sig u ie n te , te rc e ra , so dispone do ta l form a que las p roy eccio
nes de lo s nudos de su rod ocupen otra vez la s posiciones A (capa A ).
S i las cap as se co n tin an colo can d o de e sta m ism a form a, se llega a
un em p aq u etam ien to en el cu al aq u llas se turnan altern n d ose en
el orden A B A B A B A B y as su cesiv am e n te , o on el orden A C A C A C A C
y as su cesiv am en te, de acuerdo con las dos p o sib ilid ad e s eq u iv a le n
tes de c o lo ca r la cap a que siguo: cada vez, despus de una cap a A ,
ya sea sobre los buceos tria n g u la re s B , o bion sobro los huecos tr i
an g u lares C. E n la fig. 1 .2 2 se m u estra la d isposicin re la tiv a de lasesorns en el em p aq u etam ien to h ex ag o n al denso. L as capas ctnpBquefin

Fig. 1 .2 2 .E m p a q iietn m icn lo hexagonal denso. I.n

copa tipo II licu un giro
de (U respecto de la c a
pa A

F ig . 1 .2 3 . Em p aq u etam ien to cbico denso

de slem e (a). Coldilln elem eninl cbica
cen trad o on loa curas (h)

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1.6. Em paquetam ientos densos do esferas_________________ 35

F ig. i . 24. Cuatro esferas forman un hueco totradrlco (a). Seis esferas forman
un hueco octadrico (b)

tadas donsamonte son perpendiculares a la direccin [00011 (es decir,

perpendiculares al eje c de la celd illa).
En el em paquetam iento cbico las capas densas se alternan en
el orden A B C A B C A B C y as sucesivam ente y son perpendiculares a la
direccin [ l i l i en las estructuras cbicas centradas en las caras (fig.
1.23).
Cuando los em paquetam ientos espacalos densos se u tilizan como
modelos de las estructuras de los cristales, es im portante conocer el
nmero y la clase de los huecos que rodean cada esfera. Si en una
capa plana a cada esfera corresponden do9 huecos triangulares, en
el em paquetam iento espacial denso cada esfera est rodeada de hue
cos de dim ensiones m ayores, que pueden ser de dos clases: tetradricos y octadricos. E stos nombres provienen del tipo de la figura geo
m trica que forman las esferas alrededor del hueco.
S i un hueco triangular de la capa plana se tapa por arriba con una
esfera de la capa siguiente, se obtiene un hueco rodeado do cuatro
esferas. E ste hueco se llam a tetradrico (fig. t.2 4 ).
S i el hueco trian g u lar se tapa por arriba no con una esfera, sino
con un tringulo de esferas, girado 60 respecto del inferior, resulta
un hueco rodeado de seis esferas, que se llam a octadrico (porque si
los centros de las seis esferas se unen por lneas rectas se obtiene un
octaedro). E l clcu lo de los huecos se hace tam bin en este caso re
firindolo a una esfera. En el em paquetam iento ms denso el n
mero de huecos tetrad ricos es dos veces m ayor que el nmero de los
octadricos. En efecto, cada hueco octadrico est rodeado por seis
esferas y cada esfera est rodeada por seis huecos octadricos, ya quo
al colocar lo capa superior se obtienen tres huecos octadricos y otros
tres id nticos se forman entre la capa que se considera y la que se
encuentra d ebajo de clin . De eslo modo, euda huero pertenece a una
esfera en 1/6 parte y. por con sigu ien te, o una esfera lo correspondo
6 X 1/6 = 1 hueco octad rico. Puede dem ostrarse que cada esfera
est rodeada de ocho huncos tetradricos y cada hueco tetradrico
est rodando por cuulro esferas. De aqu que a cada esfera corresponden
9

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31)

C.i[> I. listrucluro de los cristales

T I

8 X 1/4 - 2 ti n onos
lo tm d r in o s .
S i on lo s h o r c o s litr o ] os a fo ra *

fundam entales de radio / i so alo

jan esferas do d im etro menor, do
manera quo sean tang ontesa laso sferas fundam entales quo la s rodeau,
en cada lineen totradrico se puede
a lo ja r una esfera do dim etro igual
a 0 ,4 5 11, y en cada hueco octa
drico, una esfera dn dim etro igual
>No OCI
a 0 ,8 2 8 11.
Los em paquetam ientos densos
F ig. 1.25. Estru ctura de NaCl (sal
constituyen la baso para la cons
gomo)
truccin de la m ayora de los s li
dos cristalin os. Desde el punto do
vista de los em paqu etam ientos densos rosuitn especialm ente fcil
describir la estructura de los xidos, sulfures y haiuros, en los cuales
la baso de los em paquetam ientos densos la con stitu y en los grandes
aniones do oxgeno, azufre y halgenos, m ientras quo los catio n es,
que figuran en ia frm ula qum ica del c rista l, se d istribu yen por los
huecos del em paquetam iento donso de acuerdo con una determ inada
figura sim trica. Los cristales ind ividu ales se d iferen cian : por el
tipo de om paquotam icnto denso, por la clase y el nmero do cationos
qu ocupan los huecos, y por la figura segn la cual so produce la soleccin entro los huecos poblados y los vacos.
A continuacin so dan unos ojomplos do ostructuras crista lin a s
descritas en el marco dol em paquetam iento donso.
Estructura de la sal gem a NaGl (fig. 1.25). En la estructura
de NuCt los aniones do mayores dim ensiones C1 forman un em paque
tam iento cbico denso, en ol cual todos los huecos octadricos estn
ocupados por los cationes Na, en tanto que los huecos totradricos
estn to talm en te desocupados. La rod do NaGl puedo considerarse
com o el con jun to de dos ostructuras cen trad as on las caras, cuila uaa
de las cuales contieno nlcnmonte iones do un solo signo.
El parm etro do la ce ld illa de NaGl es a 0 ,2 8 2 mu. A dvertim os
que una de las c a ra cte rstica s ms im portantos do toda estru ctu ra es
el ndice d e coordinacin. E l ndice de coordinacin es igu al a l nmero
de Atomos adyacentes que rodean a un Atomo dado. En la estru ctu ra do
NaGl s = 6 , cada tom o do cloro est rodeado por seis iones Na y
cada ion Na ost rodeado por seis iones do Cl.
Estructura del ZnS (figs. 1.26 y 1.27). Segn ol tipo de estructura
dol Z nS cristalizan muchos com puestos binarios (GaA s, IzSb, ZnO).
Desde el punto de vista del om paquotam iontd donso, toda estructura
so puede representar com o formada por octaedros y un nm ero dos
veces mayor de tetraedros, siendo posibles tetraedros de dos clases:
unn m itad de los tetraedros tienen los vrtices orientados mirando

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1.6. Em paquetam ientos densos He esferas

Fig. 1 .2 6 . Estru ctura de ZnS (esfalerita)

Fig. 1.27.

37

Estructura de ZnS (wurtzita)

a Jo largo del e je ternario (eje perpendicular a las capas densamente

empaquotadas) del em paquetam iento hacia arriba, y la otra m itad,
hacia ab ajo . Ocupando una m itad de los tetraedros con cationes, se
llega a la estructura del tipo ZnS. La peculiaridad de las estructuras
de este tip o es su polaridad, debida a la no equivalencia de los dos
extrem os de los ejos ternarios, uno de los cuales correspondo a la baso
del tetraedro y el otro , al v rtice.
En la naturaleza se encuentran dos m odificaciones de ZnS: 1) la
llam ada blenda de zinc ord in aria, o esfalerita, tiene en la baso ol
em paquetam iento cbico de aniones S, una m itad de cuyos huecos
tetradricos est ocupada por cationes Zn. La estructura de la blenda
de zinc tiene cuatro ejes polares, en correspondencia con los cuatro
ejes ternarios dirigidos a lo largo de las diagonalos del cubo; 2 ) la
m odificacin hexagonal del ZnS, w urlzita, tiene en la baso el empa
quetam iento hexagonal de aniones
S. La w u rlzita slo tiene un ejo
polar, el nico ejo ternario, dirigido
a lo largo del eje c de la celd illa
hexagonal.
Estructura del diam ante (fig.
1.28). Segn el tipo de ostructura
del diam anto cristalizan los sem i
conductores S i y Ge. L a estructura
del diam ante os un ejem plo de es
tructura no densamente em paqueta
da con ndice de coordinacin igual
a 4. Cada tom o de carbono est
tetradricam ente rodondo do otros
cuatro tomos de carbono. Aunque Fig. 1.28. Estructura riel diamante

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38

Cap. 1. Estructura <ie los cris ti los

la cristalizacin de las su bstan cias segn el tip o do em paquetam iento

ins denso osla relacionad a con c ie rta vontnja do enorga, la tmidpncia ile los lnm us do carbono (o S i y to) a (orinar onlae.es d irigid os
es tan grande, quo e.n su co n ju n to la estru cliira del diam ante resulta
ser la ms conven ionio. L lam a la atencin la e x iste n cia on lu estru c
tura del d iam ante do anchos canales en las d irecciones (1 1 0 ).
P or la presencia de estos can ales puede exp licarse una serio de fen
menos interesan tes quo ocurren en esas estru ctu ras, por ejem p lo :
el fonmeuo de la can alizacin de las p artcu las aceleradas, p artcu las
que m ovindose a lo largo de los can ales penetran en el slido a
m ayor profundidad quo las p artcu las que se mueven en d ireccin
a rb itra ria .
Suele d ecirse que la estru ctu ra del d iam an te es id n tica a la de
lo blenda de zinc, si en e lla so su stitu yen los tom os de Zn y los to
mos de S por tom os de carbono. E l acadm ico sov itico N. V. B ielov propuso d escrib ir la estru ctu ra del d iam an te en el m arco del em
paqu etam iento denso. P ara esto supuso que la estru ctu ra est cons
titu id a por dos clases do tom os de carbono, C4+ y C4 -, cuyos radios
son iguales resp ectiv am en te a 0 ,0 1 5 y a cerca de 0 ,1 5 nm . Los grandes
aniones C " form an el em paqu etam iento denso. E sta e stru ctu ra, de
bido a la in teracci n de intercam bio de electrones que e x iste entre
los tom os do carbono (en el d iam ante tien e lugar el tip o de enlace
covalonte), oscila con tin u am en te on ol sentido de que los tom os C **,
fija d o s en un in stan te como p ositiv os, en el in stan te sig u ien te se con
v ierten en tom os negativos C *" y v icev ersa. E sta o scilacin hace
quo la estru ctu ra del d iam an te sea extrao rd in ariam en te estable
y que la dureza de ste sea muy grande.
Metales. La estructura de un nmero consid erable de m etales
y de fases m etlicas tam bin se puede d escrib ir por medio del em pa
quetam iento denso. En las fases m e t lica s el em paqu etam iento denso
lo form an los tomos de los m etales y on los huecos entre olios se
alo jan los elem entos im p o rtan tes para la fase m e t lica : B , S i, C,
H , N, O, etc.
A vocos el em paqu etam iento denso lo form an los tom os de m ayor
tam a o del m etal y en los huecos ontro ello s se a lo ja n los tom os del
m etal quo lionen dim ensiones m s pequeas.
Un gran nmero de m etales crista liz a segn el tipo de em paque
tam ien to denso cbico (Ag, A l, Au, Ca, Cu, y -F e , N i, P b , P d, P t y
otros). Todos estos m etales tien en red c b ica contraria en las caras.
O tra soric de m etales (G r, a -F e , l , L i, Mo, N a, T a , V , W )p oseen
red cbico cen trad a en el cuerpo.
Es c a ra cte rstico que ni un solo m etal c ris ta lic e segn el tipo de
red c bica sim ple o red hexagonal sim p le. Esto so e x p lica por la poca
com pacidad de estas redes, lo que est relacionad o con una m agni
tud m ayor de la energa libro.
P or coeficien te de eiupai/urtiiinieiito o com pacidad,
p, de un a red

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l.U. em paquetam ientos donaos ilu usforas

39

s e entiende la razn del volumen ocu

pado por as esferas en la celd illa ,
al volumen total de sta.
Eu la celd illa cbica sim ple
(fig. 1.29) al volumen do la celd illa
corresponde una osforn do radio R.
L a longitud de la arista del cubo
es a 2R. E l volumen de la cel
d illa es Vc = (2 /?)* y ol de la esfera,
Ve = tln R 3, por lo que la com
pacidad ser
1' , _ /m?3
f

= JL = 0 52
/emp

v-

Vc

3-8 ?3

Fig. 1 .2 9 . Celdilla cbica simple

En la celd illa cbica centrada en el cuerpo las esferas se tocan

segn la diagonal del cubo (fig. 1.30), es decir, la longitud de la dia
gonal del cubo es igual a 4 11, y, de aqu, el parmetro de la celd illa
es a = W lY ' J . Al volumen do la celd illa elem ental corresponden
dos esferas, por lo que
/,emp *

2-Anft3

343

n V*3

= 0 ,0 8 .

En la celd illa c bica centrada en las caras las esferas se tocan

segn las diagonales de las caras del cubo (fig. 1.31), cuya longitud
os igual a 4 R , y el parm etro de la celd illa es a = 4 R Y 2. A la cel
d illa corresponden cuatro esferas, en este caso
/

4 -4 n R 3
3a3
~

n V i
'= 0,74.
6

En el em paquetam iento hexagonal denso la celd illa elem ental

la definimos como celd illa do base (000) (V**/*1/) (fig. 1.3 2 ). A e9la
celd illa corresponden dos esferas. E l parmetro a = 2R y el par-

F ig. 1.30. C eldilla cbica centrada en

ol cuerpo

Fig. 1 .3 1 . Celdilla cbica conlradn en

lee caras

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Cap. 1. Estructura da los cristalos

m etro c es igu al, respectivam ente,

n la suma do las alturas II do dos
lolrmnlioB Igualo, do arista 211,
cuyos vrtices se encuentran on e
centro de una esfera situndii en
ol cuerpo do la celd illa d em o n ial:

c - . 2 1 1 = 2 . 2 /j/273 = 4/? y 2/3 .

E n osle caso
/

F ie . 1.32. Celdilla olomontal do la

rou hoxagniinl da eiiipaqii'ilMiiMmto denso

2-4a/?'1

Icm r>~-~
6Vc

=0,74.

3 ( 2 !<)'/,II V 2/3 sen 120

Como las rodes cbica y hoxagonnl corresponden al ompaquetaraionto

m s denso de las esferas, debe considerarse 0 ,7 4 como ol valor m
xim o del c o d ice n lo do em paquetam iento.
i
P ara el em paquetam iento hexagonal denso es caracterstica la
relacin
t

. 71/2/3

pon

a
2R

Por lo tan to, si un m etal c ristaliza segn el em paquetam iento hexa

gonal denso, la relacin d a debe ser igual a 1 ,6 3 3 y no depender do
Tas dim ensiones de las esferas (tom os). Do acuerdo con el tipo de
em paquetam iento hexagonal denso cristalizan muchos m etales (B e,
Cd, a-C e, ot-Co, i l f , Mg, Os, R u , T i, Zn, Zr).

1.7.
Mtodos para determ inar
la estructura atm ica de los slidos
P a ra determ inar la estructura atm ica de los slidos se utilizan los
mtodos de difraccin. La clasificaci n de estos m todos se da de
acuerdo con el tipo do radiacin que se u tiliz a . E xisten los m todos

roentgenogrfico o de rayos X , electronogrfico y neutronogrfico.

Todos estos mtodos se hasan en los principios generales de la difrac
cin do las ondas o p artculas a) pasar a travs de una substancia cris
ta lin a , que para aqullas hace as veces de red de difraccin pecu
liar, cuyo parm etro es igual en orden do m agnitud a la d istancia
in terat m ica m edia ( ~ 10~10 m ).
Para obtener la figura de difraccin es esencial quo la longitud
de onda de la radiacin empleada sea com parable con esta distancia
interalm tca m edia. En rootgonografa, para estudiar la estructura
atm ica, so utilizan rayos X con longitud de onda desdo 0 ,7 -1 0 " ltt
hasta IM O -10 id; on oleclronogrnfn, electrones con longitud do

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1 .7 . M iH tnU ta ) n m

t lo im - m im ir la

Fig. 1 .3 3 , Figura de difraccin de un

m onocriatal

u>1 n n l u n \

.O / jim cn

41-

Fig. (.3 4 . Figura de difraccin de un.pocrislal

onda de B ro glie desde 3 - 1 0 " 12 iiastn 6 - 1 0 " 12 m; en neutronografa,

neutrones trm icos con longitud de onda del orden de O' 10 m.
L a figura de d ifraccin que se obtiene al dispersarse la radiacinen el c rista l, en el caso de la roentgenografa y de Ja eleclronografa,
se fija sobre una pelcula o placa fotogrfica, y en ol caso de la neu
tronografa se registra por medio de un contador de Geiger.
P or la figura de difraccin se puede inm ediata y cualitativam entetener una idea del estado estructural del slido. S i la figura de di
fraccin es un con jun to de reflejos puntuales, obtenidos al dispersrse
la radiacin en determ inados sistem as de planos cristalogrficos{h k l}, el slido so encuentra en estado m onocristalino (fig. 1.33);
si la figura do difraccin os un con ju n tod enn illoscon cntricos(cu an do se registra sobre una placa fotogrfica plana), el slido se en
cuentra en estado policristalino
(fig. 1 .3 4 ); finalm ente, si en la fi
gura de difraccin hay un halo di
fuso, o dos como m xim o, el cuerpo
se encuontra en oslado amorfo
(fig. 1.35).
E s natu ral que para
poder
comprender y establecer relaciones
entre la estructura y las propieda
des de los slidos, esta explicacin
c u a lita tiv a es claram ente insufi
ciente y todo investigador tiendo a
conocer datos ms precisos sobre
la estructura, n saber: procura de
term inar la estrile tura nlmicn del
1.35. Kigurn lo infraccin deslido. Conocer esta estructura es
un solido amorfo

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42

Gap. 1. Estructura de los cristales

conocer las coordenadas de los centros de gravedad de todos los to

mos i]no mitran on ni volumen do la celd illa oloniontnl dol cristal.
Lo quo so espolio a continuacin su rofioro u la dotorm i uncin do
la estructura do los cristales perfectos o ideales, es decir, de los crista
les sin dofectos. Los cristales reales son cristalos con diversos defectos
(lineos o vacancias, tomos in tersticiales, huecos dobles, disloca
ciones, dofoctos do em paquetam iento, impurezas de segunda fase
y otros). E l estudio do la estructura de los cristales reales, como es
lgico, es un problema ms d ifcil y en la actualidad son muchos los
laboratorios quo so dedican a la investigacin de la estructura real.
E stos laboratorios ostn equipados con todo un arsenal do oparatos
modornos, entro olios do difraccin, de microscopa electrnica y
otros.

Los mtodos de investigacin de la estructura por difraccin son m

todos de clculo.
Como inform acin de partida para el clculo do la estructura se
utiliza 1.1 figura do difraccin que se obticno exporim cntalm ente del
objolo analizado.
La literatu ra consagrada a exp licar los mtodos para descifrar
la estructura atm ica es num erossim a, por eso, en adelante vamos
a exam inar dichos mtodos slo en la medida necesaria para poder com promlur su esencia.
Aritos de pasar a exponer djeha esencia, indicarem os lu diferencia
quo existe entre los tres mtodos de difraccin. E sta diferencia se
debe a quo es d istin ta la fnorza con quo interaccionan las radiaciones
roonlgen, oleclrnica y neulrnica con ia substancia. Los rayos X
electrom agnticos, al pasar a travs do un c rista l, inleracoionan con
las capas electrnicas do los tom os (las vibraciones forzadas de Jos
ncloos ocasionadas tienen, en virtud do la gran masa de stos, una
am plitud despreciable) y la figura de difraccin est relacionada con
la distribucin do la densidad de electrones, la cual puede caracte
rizarse por cierta funcin de las coordenadas p (x , y, z). E n la electronografa se u tilizan electrones do tales energas, quo interaccio
nan principalm ente no con las capas electrnicas de los tom os, sino
con los campos do potencial oloctroslticos <p (ar, y, z) quo croan los
ncloos de la substancia que se investiga. La interaccin de dos par
tcu las cargadas (electrn y ncleo del tomo) es mucho ms fuerte
quo la interaccin do la radiacin electrom agntica y la capa elec
trnica rlol tom o. Por oso la intensidad de la difraccin de la radia
cin electrnica es, aproxim adam ente, 10a veces m ayor que la de lorayos X . Por oso os com prensible quo para obtener los roentgenogras
mas suelon necesitarse varias horas, m ientras que para los electronogramas slo se necesitan varios segundos.
En el caso de la radiacin neulrnica, los neutrones interaccionan
con ol potencial on delta do las fuerzas nuclonres (x, y, z) y la
intensidad do la difraccin, comparada con lad o los rayos X , os apro-

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1.7. Mtodos |);ir determ inar la estructura atm ica

43

rim a d a m e n te 102 veces ms d bil. La particularidad esencial del

m todo rtoiilronogrfirn so debo n quo ol nmil.ru tiene momento mag
ntico iiilrinsocn, lo quo dit lo posibilidad do u tilizar oslo mtodo para
d eterm in ar la estructura magntica do las .substancias, en cuya
com posicin figuran tom os quo poseou momento m agntico perrnanonlo (por ejom plo, los tom os do los elem entos do transicin),
l-or osto m todo so consigue oblonor inform acin sobre cm o estn
o rientad os los momento m agnticos de los tom os on la cold illa
lom en tal.
Lomo la dispersin do los noulrones trm icos, on general, na de
pende exp lcitam en te del nmero atm ico do la su bstancia quo se
a n a liz a , valindose de esta difraccin es fcil descubrir la diferencia
e n tre tom os de Z prxim os (por ejem plo, cuando se estudia la orde
nacin de los tom os F e y Co en el sistem a Fe Co), lo que es d if
c i l de conseguir con los mtodos roentgenogrfico y eiectronogrfico.
U tilizand o la d ifraccin de neutrones pueden estudiarse las d ife
rencias isotpicas (los poderes dispersivos de los istopos de un mism o
elem ento a menudo difieren bastante) y de espn de los d istin to s to
mos que entran en la red, diferencias que no notan* los rayos X
n i los electrones. Al mismo tiem po, con la difraccin de neutrones
pueden re su ltar in d istin gu ibles tom os com pletam ente d istin tos
(cuya am plitud de dispersin sea aproxim adam ente igual). E n virtud
<le quo las su bstan cias Ligoras dispersan los neutrones con igual ofic a c ia que las pesadas, con la neutronografa se estudian con xito
las estructuras cristalo g rficas de las substancias en las cu ales fi
guran al m ism o tiem po tom os de elem entos ligeros y posados (como
lo s tom os de hidrgeno en el hidruro de circonio y los de carbono
en la au sten ita), as com o las estructuras de elem entos ligeros (hielo,
hidruro de sodio, deuteruro do sodio, grafito ). E stas estructuras no
pueden investigarse valindoso de Los rayos X y es d ifc il hacerlo
con electrones, debido a que sto9 se dispersan m uy poco en los olementos ligeros.
E l resultado fin a l, cuando se determ ina la estru ctu ra atm ica
por cada uno de los tres m todos, es el establecim ien to de la form a
de d istribucin ya sea de la funcin p (x, y, z) en la c e ld illa elem ental,
o de la (p (x , y, z) o bien do la (x , y, z). Los m xim os do oslas
funciones corresponden a los centros do equ ilib rio de los tom os de
la su bstancia analizada.
Se ha dicho antes que todos los m todos do d ifraccin se basan
en los princip ios generales de la d ifraccin de las ondas o partcu las,
por eso, valindose de cualquiera de ellos se puedo d eterm inar la
estructura at m ica. E sto carcter geom trico dol problem a perm ite
en la mayorn de los casos traslad ar sin v ariacin a la electrouografa y a la neutronografa la teora geom trica de la d ifraccin, desa
rrollada inicialinon to para ap licarla a los rayos X .
Gamo la densidad oloctrnica eti ol volum en dol crista l ost dis

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Cap. 1. Estructura de Jos cristales

44

tribuida
Fondor:

peridicamente, puede representarse en forma do serio d e

+00

>(*. V, z) = ~

F hhie o s 2n ( h x + k y + l z a xll), (1 .2 f)
00
en la quo p (x, ;/, z) es el valor de la densidad electrnica en el cuerpo
del cristal en o punto de coordenadas x , y, z; Vci el volumen de la
celdilla elem ental; hhl, los ndices de interferencia e ndices del sis
tema de planos cristalogrficos en los cuales se produce la reflexin;
la fase de la onda reflejada; y />*!, la amplitud estructural.
La frmula (1 . 21) se lia escrito para el caso general. S i el cristal
tieno centro de sim etra, entonces a x/z toma Jos valores 0 y 2n, por
lo que puede om itirse y considerar que a , , 0 .
Para obtener la serie de Fourier IfrnmJn (1.21)1 es necesario cono
cer para cada roflejo en el roentgenograma los ndices hld, los valo
res do las magnitudes J'hhl y el volumen de la celdilla elem ental.
Todos estos datos se obtienen do la figura de difraccin.
Con el fin de determinar los ndices do interferencia es necesario
conocer las direcciones de los rayos dispersos por el cristal, por lo
que vamos a exam inar las tesis fundamentales do la difraccin geo
mtrica en una red espacial.
Frmula de W u lffBragg. Poco despus de descubrir Rl. Lauo
(1012) la naturaleza electromagntica de los rayos X , el cientfico
ruso Yti. V . W ulff (1012) o, independientemente de 61, los fsicos in
gleses, padre e hijo, W .II. y W .L . Brngg (1013), dieron una interpre
tacin sencilla a la interferencia de los rayos X producida por los
cristales, oxplicando esto fenmeno por la ('reflexin (como en un
espejo) de dichos rayos en los planos atmicos (reticulares). Bnsndoso en esta suposicin, ellos dedujeron una frmula que define la
posicin de los mximos de interferencia. A continuacin se da la
deduccin de osla frmula, llam ada frmula de W uljfHragg.
Supongamos que sobro un cristal, quo podemos figurarnos for
mado por una fam ilia de planos atmicos paralelos que se encuentran
a iguales distancias d entre s (fig.
1.36), incide bajo un ngulo 0 nrv
haz paralelo de rayos X mono
crom ticos de longitud de onda X.
Los rayos paralelos / y I I , refle
jados en los planos atmicos bajo
un ngulo tambin 0 (porque en
la reflexin especular el ngulo de
incidencia es igual al ngulo de
reflexin) iilprfioron, es decir, so
Kg. t.:n. Esquem a para deducir refuerzan o debilitan uno a otro
la rinido Wulffhragg
en dependencia de la diferencin de
h h l~ -

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17. Melados para detonnlnar lu estructura atmica

45

m archa entre ellos. S i la diferencia

<lo mniv.lm A = (/) fl | H<7) Al)
es iguul u un ninoro entero de
longitudes do onda X, se observa un
mxim o de interferencia. En la
fig. 1.110 puedo verso quo oslo
ocurre cuando
A = nX = 2d sen 0.

(1.22)

Lo condicin
(1.22), al cumplirse
la cual surge un mximo do intorforoucin, es precisamente lu fr
m ula de W ulff Bragg. Conociendo
los ngulos de reflexin de Bragg
0 , que so dotorininnn por la figura
de difraccin, se pueden calcular
Fig. 1.37. Esquemapara deducir
las distancias entro los planos d
Iecuacin do Lauo
y, por ellas, los ndices de inter
ferencia hkl-, por ejemplo, para loscristalos cbicos puedo aplicarse
la frmula (1.18).
Condicin de Lnuc. Ecuacin do interferencia. M. Lauo obtuvo
unas ecuaciones quu permiten determinar la posicin do los mximos
de interferencia, que surgen al disporsarse una radiacin en los nudos
de la red cristalogrfica. La deduccin do estas ocuacionos os bastante
fcil y so basa en los siguientes razonamientos: si un slido se eneuontra en estado cristalin o, oxislo on l necesariamente una diroccin a lo largo de la cual todos los nudos de propiedades idnticas
se disponen en filas paralelas y 011 cada una do estas filas estn re
lacionados por una traslacin a. S i sobre una do estas filas so dirige,
formando con ella un ngulo 0 arbitrario, un haz paralelo, mono
crom tico, de radiacin cuya longitud de onda sea X (fig. 1.37), la
reflexin slo tendr lugar on aquellas direcciones para las cuales
todas las roflexiones, producidas en los nudos, que so refuerzan mu
tuam ente y ostn relacionadas outre s por lo traslacin a, so encuen
tran on la misma fase. Esto slo es posible si la diferencia do mar
cha entre las ondas dispersadas on dos nudos vecinos A = AC BD
(fig. 1.37) es igual a un nmero entero do longitudes de onda, es de
cir,
A = a (eos a eos a 0) = hX,
(1.23)
donde a e s ol ngulo entre la direccin de la reflexin y la direccin
de la fila y h, un nmero entero llamado ndice de interferencia. Como
puedo vorso 011 la fig. 1.37, la oxsloncia to una traslacin a permite
la reflexin a lo largo do cualquior goneratriz do un cono cuyo ngulo
de abertura os igual a 2a .

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46

Cap. 1. Estructura de los ctiatalos

Adornas (lo lu traslacin a, en ol cristal oxisten otros m uchas, y

pnrn codo una de ellas se puedo escribir una ecuacin del Upo (1.23).
Pero s i, como so ha dcm oslrado en cristalo grafa, estas ecuaciones se
cumplen para cualesquiera tres traslaciones no coplanares (por ejem
plo, a, b, c), se cumplen al m isnio tiem po para cualquiera otra tras
lacin on el mismo c rista l. E stas tres ecuaciones, que ponen lm ite s
a todas las reflexiones posibles se llam an ecuaciones de L au e. Do ordi
nario so escriben en la forma

a. (eos a eos a 0) = kX\ b (eos P eos P0) = kX\

c (eos y eos y ,) = IX.

(1-24)

L as tres ecuaciones de L au e , que determ inan la direccin de los rayos

de Interferencia en el espacio, en el caso general pueden sustituirse por
una ecuacin de interferencia que perm ite interpretar la condicin de
Interferencia geom tricam ente valindose de a red recproca. Para esto
hay que dem ostrar previam ente la identidad vectorial
r = a * (ar) + b * (br) + c * (cr),

(1-25)

en la que a, b, c son los vectores axiales de la red d irecta; a * , b * ,

c * , los vectores axiales de la red recproca, y r, el vector de la red
recproca.
E l vector du la red recproca r, de acuerdo con (1.11), puede es
cribirse en la forma
r = h a* + /ib* + le * .

'

(1.26)

M ultiplicam os los dos m iembros de la expresin (1.26) primero por a,

despus por b y luego por c, respectivam ente. Teniendo en cuenta la
propiedad de la red recproca (1 .1 4 ), obtenem os que (ar) = h, (br) =
= It y (cr) = i, lo que significa que la identidad (1.25) se cumple
on roadad. Ahora escribim os la ecuacin de Lauo (1.24) en In forma

en la que s( y s son los cosenos directores do los rayos incidente y re

flejado respectivam ente.
M ultipliquem os otra vez los dos m iem bros de cada una de estas
ecuaciones por a * , b * , c * respectivam ente y summoslas:
a * ( a i ^ f l ) + b ( b ^

) + c*

Comparando esta expresin1 con la identidad

nos convencem os de quo
II = LZXl".

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dem ostrada (1.25),

(1.27)

1.7. Mtodos para determ in ar la estru ctura a je n ie n

E sta ecuacin recibe e l nom bre

ta ecuacin ilu Inter/crearlo iln In m i
tridim en sion al. E lla d efin e total
m ente la posicin de los rayos de in
terferen cia y contiene tanto a la ecu a
cin de L au e, com o a la ecuacin de
W u lffB rag g . A p licand o la ecua
ci n de in terferen cia so puede con
e x tra o rd in a ria fa c ilid a d , con stru
yendo g eo m tricam en te la red re
cp ro ca y las esferas de reflexin
(esferas de E w ald ), d eterm in ar la
d ireccin de los rayos de in terfe
ren cia.
V am os a m o strar esto con un
Fig. 1.38. Esfera de reflexin ew
ejem p lo en la rctl bid im en sio n al.
intoraccin con la red recproca:
Supongam os que sobre una red
BB es la traza del plano (Akl), el v ecto r
Hoa
perpendicular a ella; 8, eaol ngulo
bid im en sion al de parm etros a , b y
de reflexin de Dragg
ngulo y en tre ello s conocidos in ci
de en la d ireccin s0 una onda m o
n o cro m tica p lana de longitud X. P o r m edio de la s frm ulas (1.13)y (1 . 20) so d eterm inan los parm etros a * , b * y y * de la red recproca
y se con struye sta, a escala 1/X, sobre el papel. Se elige un nudo A ,
a rb itra rio , do la red recproca (fig . 1 .3 8 ). Desdo el nudo A , en sentido
opuesto al de s0, so traza el segm ento 1/X (en escala 1/X) hasta el pun
to O. T om an d o este punto com o centro se describe la circu nferencia'
de E w ald de rad io 1/X. Cabe ad v ertir que el punto O no o b lig a to ria
m ente co in cid ir con algn nudo de la red.
T o d o s lo s nudos de la red recp roca que se encuentran en la c ir
cu n feren cia estn en posicin reflecto ra, ya que para cada uno, deestos nudos tres v ecto res, s 0/X, s/X y H , que cierra los dos prim eros,
satisfaco n la ecu aci n de in terferen cia (1 .2 7 ). E n tre sj d im ensiones,
en v e2 de la c ircu n fe re n cia , alrededor del punto O se describe^una
esfera del m ism o rad io 1/X, que se lla m a esfera de reflexin o esfera
de E w a ld .
H em os d icho antes que la ecu acin de in terferen cia (1.27) in
clu y e en s la con d icin de W n lff B rn g g. V am o s a d em ostrarlo.
Supongam os que la esfera pasa por el nudo C (fig . 1 .3 8 ). E l vector OC
d eterm ina la d ireccin del rayo de in te rfe re n cia, y OA, la del rayo
in cid en te,
siendo
|OC | = |OA | = 1/X,
|AD | = |A C |/2 =
= nt(2d), ya que H = 1/d. D el A OD se obtien e que sen 0 = nX/(2d),
de donde nX 2 d sen 0 , es d ecir, la condicin de W u lff B ragg se
cum ple e fe ctiv am e n te para el nudo que se. encuentra sobre la esfera
do reflexi n .
P o r lo g en eral, cuando se estudian los procesos ondulatorios en
estru ctu ras perid icas, la condicin de B u tff Bragg se u tiliza en

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48

Cnp. 1. Estructura de los cristales

Kig. 1.30, Uiogruma di, la iliro clividad do los rayos X diS|M>raados.

La figura tiene sim etra de cuerpo
de revolucin alrededor do la d irec
cin del rayo iiuidm iU' fonda lio
polarizada)

la form a v e cto rial, oplic.oblo al

espacio de los nmeros de onda. E l
v ector do onda |k \ = 2n/X. Si los
vectores s 0/X, s l\ y H se m u lti
plican por 2n, com o puede verse
fcilm en te en le fig. 1.38,
2 (kO) - f G J = 0 ,

(1.28)

donde G = 2 n II = 2n (fia* -I- fcb* +

-h fc *).
La
relacin
(1.28) es
equivalen te a la frm ula de W u lf
Bragg (1 . 22).
As, pues, la construccin geom trica dada anteriorm ente per
m ite d eterm inar la direccin do los rayos de interferencia y los n
dices do los nudos do la red recproca que se h allan en posicin re
flectora y, por consiguiente, los ndicos (hJcl) de la rod d irecta, puesto
quo a cada nudo lIM 'tll* do la red recproca corrosponde una fam ilia
de planos paralelos {hlcl) do la red d irecta.
L a distribucin de la densidad electrnica en un cristal vase (1.21)1

s e puede construir si, adem s de los ndices de interferencia, se conocen

los signos y los calores de las am plitudes estructurales F iik. L as am
plitudes estructurales estn relacionadas con la intensidad de los
roflojos do d ifraccin, que se detorm ina experim entalm ente.
La intensidad do los roflojos en la d ifraccin de los rayos X se
d eterm ina en la p rctica cu an titativ am en te con su ficien te grado de
ex a ctitu d . Sobre la intensidad de los reflejo s influyo una serie de
factores, cu ya aportacin puede valorarse tericam en te. E xam inem os
estos factores de un modo consecutivo. Para v alorar c u a n tita tiv a
mente la interaccin de los rayos X con el c ris ta l u tilizarem os los
resultados do la electrod in m ica clsica. Los efectos cu nticos, aunqno desempean c ie rto papol, slo coadyuvan o croar la dispersin
no coherente (dispersin con variacin de la longitud de onda), que
haco su aportacin al fondo del roentgenogram a.
^Dispersin de los rayos X por los electrones. Supongamos que
sobro un electrn que se encuentra en el punto O (fig. 1.39) incide
una onda m onocrom tica plana de rayos X cu ya intensidad es /.
E l catnpo e lctrico de la onda haco que el electrn vibro con la fre
cuencia de la misma onda. E l electrn vibran te es un dipolo con uomonto o lcclrico v ariable y crea a su vez un cam po electrom agntico
variable. La intensidad do este cam po os la intensidad de la rad ia
ci n dispersada por el electrn. P or la electrod in m ica sabem os que
para el rayo X dispersado por el electrn bajo un ngulo 20 Con el
rayo ncidonU*, oh el punto /i, situado n la d istan cia 1 del electrn,
la intensidad ser

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1.7. Mi-Iodos pan drturmiuftr In uslruclnni nlmicu

49

donde e es la carga del electrn; m , su masa, y c, la velocidad de la

I u7.. .n ruMfruitiid (1 t eos8 20)/2 se llenirt, on ol iinlisis oslrnrliirnl
por rayos X , Juclur de polarizacin de Thomson, ol cual puedo hallarse
fcilm ente parn cada roflojo por el ngulo do rofloxin 0 do lirngg.
Dispersin de los rayos X por un tomo. Factor atmico. E sl
claro quo la intensidad do las rofloxionos do los rayos X dolio sor
proporcional al poder dispersivo del toiio en la red cristalin a. Los
rayos X ondas electrom agnticas son dispersados por las espas
electrnicas de los tomos. La onda, monocrom tica plana, in ci
dente excita en cada d em ento de su volumen do una onda elem ental
secundaria. La amplitud de esta onda dispersada es, naturalm ente,
proporcional al poder dispersivo del elemento de volumen dado, el
cual, a su vez, es proporcional a U (r ) du, donde U (r) os la funcin,
expresada on electrones por m3, de distribucin de los electrones a
lo largo del radio r, contado desde el centro dol tomo on reposo, con
siderando que la d istribucin de la densidad electrnica es en l si
m trica esfrica y que se oxtiendo desdo 0 hasta oo. Los clculos rea
lizados suponiendo esfrica la sim etra del tom o, es decir, suponiendo
esfrica la sim etra de la funcin U (r), conducen a la siguiente ex
presin de la am plitud de la onda total dispersada por el tomo:

Aqu A es la am plitud de la onda disporsada por un electrn. E l n

mero que indica las veces que esta amplitud es mayor que la amplitud
de la onda que dispersa el electrn en las mismas condiciones, es
decir, bajo el mismo ngulo y para la misma longitud de onda, es el
Iactor de dispersin atm ica j del tomo de cierto elem ento con fun
cin rad ial de distribucin U (r):
oo

f /
, sen |(4jirsen 0)/M ,
, fsonO s
/ " i
r"U (r )
( L a a n e iA
d f- / ( t )
o

Como esta expresin se ha obtenido suponiendo esfrica la sim etra

de la distribucin electrnica, el valor de / no depende de la orien
tacin, y la dispersin es funcin del argumento escalar del tomo
I f [(3en 0)/X). E sta suposicin interpreta bien las particularida
des de la distribucin de los electrones en el tomo libre.
S i U (r) se conoce, / puede integrarse grficam ente para distintos
(son Q)IX = 1/(2d).
Cuando los (sen 0)/X son pequeos, la relacin del seno al arguoo

monto so aproxim a a la unidad y / =

^ nr2(J (r) dr = Z, siendo Z

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50

Cap. I. Estru ctura do los crista les

e l nmero de electrones que tiene

el tom o (nm ero at m ico del olem onlo).
Do este m odo, ol facto r at m ico
os funcin del rgum onlo (sen G)/X,
y la form a do esta funcin est de"cfr^
L_oe- 1L~o!enfl
term in ad a por la d istribu ci n rad ial
~~iT de los electrones en el tom o esfF ie . 1.40. Dependoncia del factor
rico sim trico . E n la fig. 1 .4 0 so
atmico / respecto de (sen 0)/\ da la curva tp ica do la dependenpara el tomo do fsforo
c ia del factor at m ico , respecto do
(sen 0)/>t, para el tom o de fsforo.
Los valores de / para d istin to s (son 0)/X., referidos a cada tom o
de la ta b la de M endelicv, pueden h allarse on el libro T ablas in te r
n acion ales de crista lo g ra fa por royos X (B irm in g h am , 1952 1962).
Dispersin por una celd illa elem ental. F acto r de estructura.
Hem os estudiado ya las lim ita cio n e s m utuas que im ponen, a la s
posibles reflexiones do los rayos X on el c ris ta l, la repeticin segn
la ley do la red del c ris ta l, que condujeron a las lim itacio n e s expresa
das por las ecuaciones do Laue. E sta s lim ita cio n e s tienen c a r cte r
puram onte geom trico. S i las c eld illa s elem en tales de dos su b stan cias
d istin ta s cualesqu iera son sem ejan tes por su form a e id n ticas por
sus dim onsiones, la d isposicin geom trica de los reflejo s en los ro entgenogram as ser en plena medida ig u al, ind ependientem ente do si
la c e ld illa con tien e un solo tom o, dos o un gran nm ero de ello s.
Como ejem plo se pueden c ita r tres c rista le s: el de ot-Mn m e tlico , el
de s ilica to de so d a lita N a ,A ]3S i 30 J 2Cl y el de la sal com p leja
(N l)A lFa, cu y as c e ld illa s son c b icas iguales, tienen el parm etro
a = 0 ,8 9 nm y, por lo ta n to , la disposicin de los reflejos en sus roonlgenogrnm as es g eo m tricam en te la m ism a, aunque en la c e ld illa
a-M n bny 5 8 tom os do la m ism a c la se , en la ce ld illa de sodnlitn,
46 tom os du cin co clase s, y on la do la sa l com p leja, 98 tom os de
cu atro clases.
S i las c e ld illa s elem en tales tien en form as sem e jan te s, pero d i
m ensiones d is tin ta s, la d istribu ci n geom trica en los resp ectiv os
ro en tg en o g rafas slo se d iferencia eri la escala; pueden servir de
ejem p lo las c e ld illa s de la s e stru ctu ras del hierro a y del g ran ate
M g jA l2[SiO ,il3. <UIC tien en form as sem ejan tes pero p arm etros dis
tin to s (el parm etro de la c e ld illa del hierro a es igual a 0 ,2 8 6 nm
y el de la ce ld illa del g ran ate, 1 ,1 4 4 nm ). E n la ce ld illa del hierro a
tan slo hay dos tom os iguales, m ie n tras que la del g ran ate tieno
160 tom os do d is tin ta s clases.
A la d iferen cia m aterial de la s e stru ctu ras c ita d a s corresponde
una d iferencia brusca de In intensid ad de los reflejo s geo m trica
m ente id n tico s; la intensidad de una parte do los reflejo s es n u la,
os d ecir, estos re fle jo s estn sim ploniontc nnsenles on uno o o* dos

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1.7. MNoilns pnm tlrlorm iim r In o sln irlu ra utmirn

roc.ntgcnogram as, aunque en el tercero estn presentes (nos referimos

lus Iros snlislan rins ron coletillas somojanloM y ilimonsnuos idn
ticas).
La diferencia que hemos indicado en las intensidades de Jos re
flejos geom tricam ente idnticos se debe a que son d istin tos los pode
res dispersivos de los tom os, que componen la c eld illa clom ental,
cuyos ncleos tien en d istin tas cargas Z.
E sta d iferencias se tien e en cuenta introduciendo en la frmula
de la intensidad de los rayos reflejados por el cristal el llam ado /actor
de estructura F^m , igual al cuadrado do la am plitu d estructural
La am plitud estructural es la magnitud que caracteriza la dispersin
por la c eld illa elem ental expresada on unidades electrnicas, os decir,
referida a la reflexin del electrn en las mismos condiciones (iguales
6 y X). S i, por ejem plo, so dice quo la dispersin por la celd illa oloinenlnl en la direccin dolorm inada por los ndicos h k l es igual a 2 0 ,
esto sig n ifica que la dispersin, bajo el ngulo 2 0 , por 20 electrones
actuando en la mism a fase, sera igual que aqulla. Por lo tanto, la
am plitud de la onda dispersada por una celd illa elem ental del cristal
es igual a A F ^ j , siendo A la am plitud do la onda dispersada por un
electrn.
A cada reflexin h k l le coresponde su am plitud estructural F hhb
Como la radiacin dispersada por toda In celd illa elem ental es
una superposicin de todos los rayos aislados, que resultan do la dis
persin en los tom os que form an la celd illa, la expresin de la am
plitud estructural tiene la forma
,v
fjO x p \ 2 n i(h x j + k y j + l z , ) ] ,
(1 .3 1 )

donde x, y, z son las coordenadas del /-simo tom o de la base de la

celd illa ; f, el facto r de dispersin atm ica del /-simo tom o; N,
el nmero do tom os bsicos.
Sobre el facto r de la estructura (para la am plitud) influyen con
extrao rd in aria fuerza las peculiaridades cristalo grficas de la estruc
tura c ris ta lin a : sus elem entos de sim etra, el tipo de red y el grupo
espacial de sim etra. V eam os unos ejem plos. S i la red es centrada en
el cuerpo, a cada tom o situ ado en un punto de coordenadas xj, y, z,
corresponde un tom o de coordenadas x -1- V 21 y - f V s, z -j- Va.
E n la oxpresin de in am plitud estructural (despus de transform ar
(1.31) segn la frm ula de E uler) surgen dos pares de trm inos:

c o s 2 n ( h x k y A r !z) + c o s 2 n [hXj + k y j + lzi + -'- - l!,~^1 j ;

sen 2 ji (hxj + ky j + l i j ) f sen 2 n (ftary-f ky + l z +

- ) .

S i (h
k + l) es par, los segundos trm inos do cada par no liaron
ms quo rep etir sus trm inos primeros y ia am plitud estructural para
*

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los reflejos con suma por de los nd ices es d istin to de coro. Si la suma
I !t | /) es im par, lo s snmoiulos adicionles (//. -f- le | !)T caiu liian 111 fase en I W , es d ecir, consorvnndo el mdulo do amitos se
gundos sumandos, cnm iiian sus signos. listo par do sumas so anula y,
al mismo tiem po, lam inen es gnni a coro toda la am plitud. Toda!: las
(h

rcflc.vin oes likl ron sonto to indi res im par /otro lu cslrnclnra ron r a l m i
trada en el cuerpo se extinguen (ley integral de la ex tin ci n ).
Para una red centrad a en las caras, adems tlcl tom o quo est en
el pinito xtjjZ, Itay tom os en los puntos (x y, i/y I- */a,
|(XJ 'I- l/2, !/, z,
'/,) y (x - f V, nj -\- l/2, z,). En la expresin
del factor estructural aparecen las sum as de los cosenos
cus 2 w (hx q- kijf -1- lz) | eos 2 .a llix f |- ky Y l ; +
-| t ~ )

I-eos 2 ji [h.rj-l- ktjf -|- lz - f ' V - ) +

-(-e o s 2ji ( lir l lcy}-\ -lzJ - \ - ~ L )

S e ve fcilm en te que si .odas las (h + k), {h + ) y (fe + l) son pares,

todos los sumandos do cada cuaterna tienen m dulos y signos igua
les, lo que ocurre cuando h, k , l son todos sim ultneam ente pares o
todos sim ultnonm onlo im pares. S i los ndicos son m ixtos (os docir,
si unos (lo ellos son im pares y otros pares o al co n trario ), on estos
casos en cada cuaterna un par de trm inos anula al segundo par y
la am p litud estru ctu ral os igual a cero. Por lo tan to, en la s redes cen

tradas en las caras se ext nguen todas las reflexiones h k l con ndices m ix
tos. Con razonam ientos anlogos puede deducirse la regla de e x tin
cin para cualquier red crista lin a . Las frm ulas de F uh, y las reglas
de extincin para cada .jrupo de sim etra espacial do Fidorov se dan
011 las conocidas la b li.s to Lonsdalo1).
Factor de tem peratura. Lu expresin del factor atm ico / la
dedujim os para un to no en reposo con sim etra esfrica cu la d is
tribucin do la donsitl ul electrnica. En un cristal real los tom os
(y, por ennsiguiente, lot electrones ju n to con ellos) efectan v ib ra cio
nes trm icas caticas alrededor de sus posiciones do eq u ilib rio y onlre
>) ! o/tl<ti>- A'. S im 111 riotl SIruc*turo rncl.or labios ft>r 230 Sfineo Oroin* o
Mn t liorna tic Al Cry^Uillo^rr pliy. bom lon, 1030.

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<.7. Mtodos para determ inar I cstrucUti' atm ica

53

Jos tom os existe un tip o determ inado do enlace qu m ico. lis natural
<|no ol m ovim iento trm ico influyo sobro el valor del poder dispersivo
del tom o y, por lo tan to , sobro la intensidad do los reflejos.
S i se ad m ite que las d istan cias entre los cen tros de m asas do los
tom os, que p articip an en el m ovim iento trm ico, estn d istribuidas
de acuerdo con la ley de Gonss, ol clculo m atem tico de la am p li
tud do dispersin atm ica f , del tom o v ibrante conduce al resultado
s ig u ie n te :

en el quo / l(sen 0 )/X] os la am p litud de dispersin atm ica para un

tom o do sm otra osfrica, sin tener en cuenta las vibraciones t r
m icas; e - A, el facto r de tem peratu ra, y M = 8 n 2 (u2 ) (sen2 0 )A 2 =
= 13 (sen2 0)/A2. La m agnitud <tt2 ) es la desviacin cuad rtica media
del tom o de su posicin do eq u ilib rio , la cual aum enta ol elevarse
la tem p eratu ra, lo quo s ig n ifica quo a a lta s tem peraturas la intensidad
de los rayos reflejad os decrece rpid am ente al aum entar el ngulo 0 .
L a expresin (1.32) describe la parle ca tica fundam ental del m ovi
m iento trm ico do los tom os en ol slido. Otra parle depende de la
e x iste n cia del enlace q u m iro entre los tom os (en ol slido los to
mos estn ligados en tre s com o por m u ellecilo s) y consiste en vibra
ciones trm icas de la red en con ju n to. La dispersin debida a estas
vibracio n es se llam a difusa. La intensidad do los m xim os de la
dispersin difusa es mucho m enor que la do los m xim os do difrac
cin p rincipales y aqullos son ms borrosos que stos.
F a cto r de absorcin. Los rayos X dispersados por el cristal son
absorbidos con sid erablem en te por l, dependiendo esta ubsorcin
del ngulo de dispersin 0 , de la densidad de la substancia p y del
factor de dispersin lin eal p. Al calcu lar la intensidad, esta absorcin
se tien e en cuenta introduciendo en la frm ula de la intensidad el
fa ctor de absorcin <1> = <I> (0, p, p). E l facto r de absorcin dependo
de la geom etra del cristal.
E n los cursos de an lisis estructural por rayos X se dan las fr
m ulas do clcu lo del fa cto r de absorcin para las diversas form as geo
m tricas del c ris ta l. En la p rctica las dim ensiones do las muestras
que se investigan se eligen do m anera que la absorcin sea m nim a.
P o r lo general se supone <J> = 1.
F acto r de repeticin. Cuando los roenlgenogram as se obtienen
de m uestras p o licristalin n s, la intensidad de las rayas de difraccin
tam bin depende de la probabilidad de quo los rrista lito s se encuen
tren on posicin reflectora. E sta probabilidad, a su vez, depende del
nmero de planos equivalen te {h k l} para los cuales las d'hl , tienen
los m ism os valores. E l nmero do planos equivalentes p so llam a
fa rlor de re>elcin y depende de Jn sm otra del cristal. As, en un
crista l cbico p tien e los valores siguientes: 48 para los planos del

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.V,

)i

1. i N i r u r t u r a

ilo lo a o n .s lu ln .s

tipo { k k l }, 24 para los {kkO) y

para los (lilil), 12 pura los (l|i> ).
M pura los { 111} y 0 pura los
{ 1 0 0 }.
Factor de L orentz. Al principio
ilc esl cap tu lo d ijim o s que los
c rista les reales son m osaicos, es
decir, estn
form ados por blo
ques orientados uno respecto de
otro formando pequeos ngulos.
Por eso el c rista l de mosaico refleja
Fig. 1.41. Distribucin de la ialio slo b ajo el ngulo de' llrugg.
Ii'jihh);h1 clol rayo roflr'jjiilo bajo
vi ngulo ilo Urugg 20
sin o
tam bin dentro de cierto
interv alo angular (0 fi, 0 -|- ).
La curva de la intensidad I para cada rayo de in terferen cia, en fun
cin del ngulo do reflexin 8 , tiene la form a de la curva do CJauss
(fig. 1.41). E sta desviacin do la frm ula do W u lffB ragg so exp lica
por la finitn d do las dim ensionos del crista l y por la desviacin
de la monocrom a y el paralelism o del haz p rim itiv o . P or eso la
intensidad del haz do los rayos reflejados, cuando el c rista l .so orienta
exactam ente bajo el ngulo de W u lff B ragg, no caracteriza to ta lmonto su poder rofloctor. Para tom ar on consideracin la influencia
que ejerce sobre la intensidad de los rayos reflejad os la estructura en
mosaico del c rista l, y tam b in la geom etra de la im presin fotogr
fica, en la frm ula de la intensidad se introduce el factor de fjorentz
L (). P ara los m onocristales L (0) = t/sen 20, y para los p o licrista les L (6) = l/(sen2 0 eos 0).
Teniendo on cu enta todos los factores antes m encionados, la fr
m ula de intensidad integral do los m xim os do difraccin para lo
crista les pequeos o en m osaico tien e la form a:
- " " ' ( g . * . ') C 5 ,I ( m o i .o c r i s l .l) ,
'

'

P)

(im llc r is ta l).

( !.: )
( l.M )

Los ngulos de reflexin de B rag g y la intensidad relativ a

de cada m xim o de interferencia se d eterm ina experim entalm ento por
el roentgenngraiua, despus de lo c u a l, de (1.33) y (1-34) es fcil
c a lc u la r los valores relativ os de Fi,u

F hhl =

(1.35)

donde /i es la expresin que figura d elan te de F lh i en (1.33) y (1.34).

Para trazar la d istribucin de la densidad e lectr n ica p (x , j/, z)
frm ula (1 .21)1 en un crista l con cen tro de sim etra hay que conocer
no slo los nd ices de in terferen cia y los valores de /' hk, sino tam bin

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1.7.

M rlo rtos

pun

determ inar ln

c - U r i i c t n r n n li V in in i

los signos de los am plitudes es

b
tru ctu rales. Pnrn ri>si>lver oslo pro
blem a, 011 ol an lisis estructural
por rayos X so han elaborado m to
dos especiales. A s, en el caso de
cristales de b aja sim etra, pertene
cien tes, por lo general, a la singona m on oclnica, existen mtodos
d irectos para d eterm inar los sig
nos de las am plitudes estructurales
(por ejem plo, el mtodo do la des
igualdad
do lla rk c r y Caspor en
com binacin con el mtodo do las
igualdades estad sticas de Zachariasen).
No vamos a detenernos en estos
m todos, ya que su carcter es
estrictam en te esp ecial. Considera- Kjg. i/,2. Proyeccin de la donairemos que ya sobem os cmo d eter- duii electrnica a (x, y) para un
m inar los signos de las am plitucristal do herderita CaBoP04F
des estru ctu rales.
Do ord inario, para d eterm inar las coordenadas de los centros de
masas de los tom os en la celd illa elem ento! se trazan no la d istri
bucin de la densidad electrnica p (x, y , z), sino las proyecciones
do dicha densidad sobre las coras de la celd illa. As, por ejem plo, la
frm ula de la proyeccin de la densidad electrnica sobre la cara ab
(ejes xy) tiene la forma

<j(x, y) = ~

F hh0c o s 2 n (h x + ky),

(1.36)

hh = -on

en la que S XII es la superficie de la cara de la celd illa elem ental cuyos

parm etros son a y b.
Si so conocen las magnitudes F llh0 V sus signos para cada reflejo
de ndices (hk 0 ) y se dan las variables x o y, en un ordenador electr
nico pueden calcu larse los valores de o (x, y). Despus, sobre el
papel se construye la d istribucin o (x , y) en isohipsas (lneas de
igual densidad electrnica). En la fig. 1.42 se da un ejem plo de
proyeccin de este tipo. Los m xim os de la funcin a (x , y) corres
ponden a la s coordenadas x e y de los centros de m asas de los tomos
en la red. Para d eterm inar la tercera coordenada, z, hay que cons
tru ir la segunda proyoccin de la densidad electrnica, por ejem plo,
+oo

o ( j ', 2) =

eos 2 n (h x \ Iz).

--O 0

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(1 .37)

5G

Uu[>. 1. Estructura de los cristales

Por lo Lano, para d eterm inar las coordenadas x, y, z de los

/Lomos lmsln ron.sl.niir dos proyecr.ionos do In densidad eloctrnirn .
Mtodos experim entales pura obtener los rociitgcnogrumns. La
estructura ntm ira de un m onocristal se investiga de ordinario como
signe:
1) so deten-mina la sim etra y so buscan los ejes do ln coldilla
elem ental;
2) se hallan las dim ensiones de la ce ld illa elem ental y el grupo
ele traslacioeics de sim etra O la c e ld illa ele B rav ais;
3) so determ ina el grupo espacial do sim etra de Fidorov;
4) so halla la intensidad de los m xim os de interferencia;
5) so conslreiye la sn tesis do la densidad electrnica.
Para resolver cada uno de estos problem as puede servir la m ayora
do las veces uno cu alqu iera do los mtodos que vam os a describir
a con tinuacin.
As, para resolver les problem as do d eterm inacin de la sim etra
y bsqueda de los e je s de un c rista l m al form ado, so u tiliza el mtodo
de L au e, y para resolver el segundo problem a, ol mtodo del cristal
g iratorio u oscilante. Los problem as tercero y cu arto so resuelven por
los mtodos del crista l girato rio o del gonim etro de rayos X .
L os m todos existen tes para hacer los roentgenogram as de los
m onocristales so pueden c la s ific a r del modo .siguiento:
1) rayo blanco (radiacin de espectro con tin uo desde cierta
Xmin), c rista l en reposo, p elcu la fotogrfica plana y fija (mtodo
de Lauo);
2 ) rayo m onocrom tico, crista l g irato rio , pelcu la fija (mtodo
del cristul giratorio u oscilan te);
3 ) rayo m onocrom tico, crista l girato rio , p elcu la m vil a lo
Inrgo dol oje do rotacin (mtodo dol gonim etro de rayos X ).
Para hacor los roentgenogram as de los p o licristales se u tiliza
siem pre rad iacin m onocrom tica. L a m uestra est en reposo.
Mtodo de L aue. Supongnm os que sobre el cristal en reposo
(fig. 1.43) incido un haz de rayos X com puesto por todas las longi
tudes de onda desde Xmln basta c ie rto v alor X.

Fig.

IVi.'). Esquem a del m todo le l.m ic

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1.7. Mtodos para duLemiinnr la o su iiclu n i ulwicu

at

57

M
m

..

F ig . 1 .4 4 .

F otogram a
pico

<1c

Lnue

t-

Fig. 1 .4 5 . Esquem a del mtodo <Io L a u a

en el espacio do la red recp roca. Lospuntos son los nudos do dicha red

P a ra que se com prenda el ca r cte r y el origen do los fotogram as

de L au e (fig. 1 .4 4 ) vam os a referirnos a la interp retacin de la in ter
feren cia con ayuda de la red recproca y de la s esferas de E w ald . S i
sobre el c ris ta l incido un esp ectro que contenga las longitud es de
onda desde Xmi h asta X, esto sig n ifica que existe una serie con tin ua
de esferas de Ew ald con radios desde 1/Xrai hasta 1/X (fig. 1 .4 5 ).
Todos los nudos de la red recp roca que se encuentran en la regin
com prendida en tre los lm ite s do la s esferas (en la fig. 1 .4 5 la regin
ray ad a), estn on posicin reflecto ra, puesto quo para ello s so cum plo
la con dicin de W n lff Dragg nX = 2 d sen 0. Como puede verse
en la fig. 1 .4 5 , si la direccin del rayo prim ario coincide con uno d
lo s o jes de s im etra del c ris ta l o so encuentra en un plano de sim etra,
la m ism a sim e tra tendr la figura do difraccin que form an lo s
rayos que exp erim en tan la reflexi n de B ragg . P o r eso, orientandoe l c r is ta l do una form a determ inada respecto del haz prim ario, siem
pre se pueden hnllnr las d irecciones necesarias, en p a rticu la r las
d irecciones que hacen fa lta p ara descubrir los ejes de la ce ld illa ele
m en tal (vase la ta b la 1 . 1)
Mtodo del c ris ta l girato rio . Se u tiliz a una rad iaci n monocro
m tica do longitu d de onda X determ inad a. E l c ris ta l se hace g ira r
alrededor de un e je , cu ya d ireccin se h a lla por el mtodo de Louc.
V alin d o se de la esfera de Ew ald y de la red recproca es fcil e x p li
car la figura de d ifracci n que se obtien e (fig. 1 .4 0 ). Supongam os que
la red recp ro ca gira y que la esfera de E w ald est fija . E n el in stan te
en que un nudo cu alq u iera de la red recp roca toca la superficie de la
esfera de E w ald , se cu m p le para l la ecuacin de interferencia
(s 8)/X = I I y en la d ireccin, por ejem plo, O P, so produce l a
reflexin.
S i alrededor del c ris ta l g irato rio se eoloen una p elcu la fo togr
fica (en un ch asis c ilin d ric o a lo largo de cuyo eje se encuentre eS

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58

Cap. 1. Estructura de ios ertgtalea

^ }

Sencido da rofac/dn da

a red recproca

H / primario,

Esfera de wah

H*'cg. t.4<3. Esquem a del mtodo de rotacin en el espacio de la red recp roca

F ig . 1.47. Jloongenograraa tp ico obtenido giran d o el c rista l alred ed or del e je c

cristal girato rio ), lodos Jos reflejo s de d ifracci n , com o so ve en las

figs. 1 .46 y 1 .4 7 , so disponen on cap as do ray as. La raya de la capa
correspondanlo n la m ayor circu n feren cia do la esfera do reflexin,
en cuyo plano so encuentra c! haz prim ario, se ilam n ray a de orden
cero. Los nd ices de los reflejos do interferencia m e inciden sobre
esta raya, si la rotacin del crista l se efect a alreded or del e je <?,
sern dol Upo hJtQ; si alrededor dol e je 6 , del tipo hQl, y si niredodor
del e je a, del tipo Okl. L a siguiente ray a, superior a la de orden cero,
es la raya do la primera capa, en e lla todas las reflexiones s e encuen
tran on el pJano do una circu nferoncia menor. Los n d ices do in ter
ferencia do esta ray a, si e) c rista l gira alrededor del e je c, sern h k l ,
es d ecir, I I , para lodos los reflejo s. L as rayas de las cap as infe
riores tienen reflejo s del tipo h k l , hlt', e tc.
U tilizando este roentgonogram a es fcil d eterm in ar el perodo de
id en iidad (parm etro de la rod) a lo largo del e je do ro taci n . En

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1.7. Mtodos para determ inar la estructura atm ica

59

nu estro caso , a lo Ijirgo del e je c:

c=s l/ d * ~ n \ \ / i + ( l t / l ny-,

(1.38)

donde R os el radio del chasis cilin d rico y l n, la d istan cia n tre la

ray a do la capa cero y, por ejem p lo , la raya de la prim era capa,
medida d irectam en te en el rocntgcnogrania.
P or los roentgenogram as obtenidos haciendo g ira r ol c rista l alre
dedor de los ejes a y 6 se d eterm inan los parm etros a y b de la cel
d illa elem ental.
Para estab lecer el grupo do sim otra do traslacin o la cold illa
de B ra v a is es necesario adotns hacer roentgenogram as girando el
cristal alrededor de la diagonal de la celd illa elem ental y alrededor
de las diagonales do las caras de la c e ld illa , con el fin de establecer
si es cen trad a o no. Conociendo los parm etros de la c eld illa se puede
d eterm inar su volum en Vc y , despus, si so conoce la frm ula qum ica
del cristal y su donsidad p, el nmoro N de unidades do la frm ula
que entran on la c e ld illa y, por lo tan to , el nmero de tom os cuyas
coordenadas hay que d efinir.
Como ejem p lo vam os a consid erar un c rista l de herd erita, cuya
frm ula es C a B e P O jF , y su densidad p = 3 -1 0 3 kg/m3. E n la c e l
d illa , de volum en Vc 3 ,6 2 .10~ 28 m3, el nmero de m olculas de
C a B e P 0 4F es

N =

~ 4,

(1.3!))

donde itip = 1. 7 -1 0 ' 27 kg es la masa en reposo del protn, y Ai

= 163 es la masa m olecu lar re la tiv a .
P or lo ta n to , en la c e ld illa entran cuatro m olculas C a B e P 0 4F ,
lo que sig n ifica que debem os d eterm inar tres coordenadas x, y , i
para 4Ca, 4 B e , 4 F , 4 P y 1 6 0 , en to tal hay que h allar 3 x 4Ca +
- r 3 X 4 B e -1 -3 x 4 F + 3 x 4 P + 3 x 1 6 0 = 96 coordenadas.
Mtodo del gonim etro de royos X . E l roonlgcnogrania obtenido
por el m todo dol c rista l g irato rio no siem pre proporciona una infor
m acin com pleta de la figura de interferen cia. En algunos casos,
cuando la inv estigacin se hace por dicho m todo, a causa do la s i
m etra del c ris ta l, en un mismo punto de la pelcu la fotogrfica
incid en v arios rayos de interferencia. De esto defecto est lib re el
mtodo del gonim etro de rayos X . E n este mtodo se u tiliza una
rad iacin m on ocrom tica, el crista l so hace girar alrededor de un
e je olegido y ni chasis cilin d rico con ln p elcu la se le com unica movi
m iento altern ativ o a lo largo del eje del c rista l en rotacin , por lo
que las reflexiones se separan por su tercera coordenada. Se tom a no
toda la figura do d ifraccin , sino (po con un d ispositivo especial se
co rta una de lus rayas de alguna capa, quo suele ser la raya coro
(fig. 1 .48). Por este mtodo de tom a, cada reflejo de interferencia
incide sobre ln pelcu la en un punto dotoruiinado y no so produce la

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60

C.ap.

I.

KsU n c t n r

il o l o s c r i s t a l e s

F ig . i . 48 . Boengonogrnm a tp ico . D esarrollo de la ray a a x ia l cero cuando el

c rista l gira alred ed or del eje c

superposicin <)e los reflejos. V alin d o se do este desarrollo y u t ili

zando ln esfera de reflexin se d eterm inan los n d ices de in terferen cia
y por ellos se establecen las leyes de e x tin ci n (vase lo dicho an te
riorm en te). Luego, por medio de ta b la s, so h alla ol grupo espacial d e
sim etra d e F i d orov , e s d ecir, el con ju n to com pleto de elem entos
de sim etra inherente a la red esp acial dada, cuyo con ocim iento
fa c ilita despus los clcu lo s do los proyecciones de la densidad a t
m ico. A con tin u aci n so d eterm ina lo intensidad do cada reflejo ,
por c lin , los valores do los am p litu d es estru ctu rales, y-se con stru yen
las proyecciones de la d en sid ad electr n ica .
Mtodo del polvo (o mtodo de D cbyeS clierre r). P ara inv estigar
la estru ctu ra de los p o licristale s se u tiliz a una rad iacin m onocrom
tica de longitud de onda
Los roentgonogram as se tom an sobre una
p elcu la fotogrfica p lana, com o
en el m to d o d o L a v e (fig. 1.4 3 ),
o sobre una p elcu la colocada so
bro la superficie interna de una
cm ara c ilin d ric a , en cuyo cen tro
se pone la m uestra. Como m uestras
para la inv estigacin so em plean
b a rrita s c ilin d rica s do polvos pren
sados o tro cito s de alam bre. E n las
figs. 1 .4 9 y 1 .5 0 se m u estran ejem
plos do roentgenogrom as obtenidos
por el m todo de D ebyo Schcrror.
E l origen y carcte r de los roentgenogrnm as de Debyo so com prendo
con facilid ad si la interferencia de
f i g . 1.40. Uoengciiogramo obtenido
los rayos X se describe por m edio
obre pelcu la plana

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1.7. Mi'loilos para ilolcrm in ar I

i 'S U n e t u r a

atm ica

<U

l ig. l.SO. Ilofiigciiogniuin obtenido cu una cmara cilindrica

F ig . 1 .5 1 . C on stru cci n do la esfera de Ew ald para el m todo del polvo (H ,, H ,

y Ma son los vectores de la rod recp ro ca correspondientes a los radios l/dhh)

de la red recp roca y de la esfera de Ew ald. Los p o licristale s son aglo

m eraciones do pequeos c ris ta llto s orientados d esordenadam ente.
P or eso, en el espacio recproco, el p o licristal se puede representar
en form a de un co n ju n to de esferas co n cn tricas, cuyos radios son
iguales a los valores recprocos de las d istan cias entre los planos,
/d,),! (fig. 1 .5 1 ). S o b re este con ju n to de vectores recprocos U dhh,
con cen tro on ol punto in icia l A so dirige ol liar, m onocrom tico do
rayos X . Desdo el punto A , en d ireccin c o n traria a s 0, se tom a la
m agnitud 1/X h asta el punto O. Desde este ltim o com o cen tro se
d escribe una esfera de radio 1/X. S i ahora por todos los puntos de
interseccin de la esfera de Ew ald con las esferas con cn tricas (puntos
A , B , C , D , A ' , B \ C , ) ' , fig. 1.5 1 ) se trazan rad ios 1/X, so la
m ente en estas d ireccio n es, consid ernd olas com o d irecciones del rayo
reflejado (la d ireccin s/X form a un ngulo 20 con la d ireccin 50/X),
so cum ple la ecu acin do in terferen cia (1.27) y, por consigu iente,
la con d icin de W u lff Bragg nX = 2 s e n 8 . Como puede verse
en la fig. 1 .5 1 , todas estas reflexiones se encuentran en las superficies
de los conos que tienen el v rtice com n O, ol ngulo de abertura
igual n 4 0 y cuyo ojo coincido con la d ireccin del rayo in icia l.
S i el roentgenogram a se obtien e en la cm ara c ilin d ric a , los conos
de los rayos reflejad o s cortan al cilin d ro y, com o resultado, las rayas
do difraccin so disponen form ando orcos sim trico s, com o muestra

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62

Cap. 1. Estru ctura de los crista les

21

F ig . 1.52. Esquem a de la u b ica ci n del roengcaograina do una m uestra p o licristo lin a en la cm ara c ilin d r ic a . R es e l radio de la cm ara

ln fig. l.O . V alin d on os de la fig. i . 52 podemos estab lecer In relaci n

entre las d ista n c ia s 21 y los ngulos de reflexi n de B rag g 2 0 :

21 = 20 (2jt/?/180),

(1 .4 0 )

donde l se expresa en cm y 0 , en grados.

F.n el caso del roenlgcnograin a sobre p elcu la plana, la relacin
e n tre 0 y el rad io del an illo de P ch y e (vase la fig. 1 .4 3 )
tiene la
form a
ig 20 = h'D.
siendo D la d ista n c ia desde la m uestra h asta la p elcu la.

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(1 .4 1 )

C apitulo 2

In te ra c c io n e s e n tre los tom os.

T ip o s fu n d a m e n ta le s de en la c e s en los slidos

2 .1 . C la sific a c i n de los slid os.

T ip o s de en la ces
H a sta ahora hem os estu d iad o el slido com o un sistem a c o n sti
tu id o por p a rtc u la s d iscre ta s (tom os, iones, m olcu las) que form an
u n a e stru ctu ra trid im e n sio n a l, p eri d ica, perfecta y liem os prestadola ate n ci n p rin c ip a l a la s reg u larid ad es de la estru ctu ra y s im etra
de la s redes c ris ta lin a s . A l h acer esto nada liem os d icho de las fu erzas
que m an tien en ju n ta s la s p a rtc u la s cerca de sus posiciones de equ i
lib r io . L a s fu erzas que su je ta n la s p a rtcu la s 011 e) c ris ta l son de la
m ism a n atu raleza que las in le ra t m ica s quo con d icionan la form a
ci n de las m o lcu las c o m p le ja s. E s ta s fuerzas, com o ahora ya se ha
e sta b le cid o e x a c ta m e n te , son , en lo fu n d am en tal, la s fuerzas de
atra c ci n e le c tro s t tic a en tre las p a rtcu la s con cargas de signos
co n tra rio s (electro n es y n cleos) y las fuerzas de repu lsin e n tre -la s
p a rtc u la s con carg as de igual signo (electrones y electro n es, ncleos
y n cleo s).
L a s v alo racio n es do los p o te n ciale s do in teracci n entre la s p a rt
cu las en el c ris ta l m u estran que la s fuerzas m ag n ticas son aqu m uy
pequeas y q u e la s fuerzas de g ra v ita c i n pueden despreciarse en
g en eral. P o r lo ta n to , el c a r c te r de la s fuerzas de in teracci n entre
los to m o s est d eterm in ad o en p rim er lu g ar por la estru ctu ra de las
cap as e le c tr n ic a s de los tom os que in te raccio n an .
E l c a r c te r do la s fuerzas in to rn l m iras so tom a n voces com o
buso pnrn la c la s ific a c i n do los slid os. Ido acuerdo con esta c la s ifi
cacin todos lo s slid o s se d ividen en cu atro tip o s: c ris ta le s m etlicos,
covalentes, inicos y m oleculares.
L o s c ris ta le s de la s su b sta n cia s in o rg n icas con en lace de h id r
geno (que por su c a r c te r es, en g en eral, inico) se suelen agrupar
en un tip o a p a rte . E l e n la ce do hidrgeno se debe a la atraccin
e le c tro s t tic a en tre el tom o de hidrgeno y cu a lq u ie r tom o fu erte
m en te e lectro n e g a tiv o (O , F , N , C l, e tc .). E l ejem p lo clsico de estas
su b sta n cia s es el agua en estad o lq u id o o slid o . P or fa lta do espacio
no v am os a deten ernos en m s porm enores de esto tip o de en lace y nos
lim ita m o s a reco m en d ar al le cto r que recurra a tra b a jo s m s funda
m n talo s sobro la teo ra dol slid o .
A d v ortin ios que 110 e x is te un p roced im ien to univoco de c la s ific a
cin de lo s s lid o s. A s, todos los slid os pueden c la sifica rse por
las propiedades de s im e tra do sus e stru ctu ra c ris ta lin a s y por sus

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Ciip. 2. Interacciones entre loa lom os

propiedades elctricas. De acuerdo con esta ltim a clasificaci n ,

los slidos, romo se demostrar on ol cap. 7, se dividen on conductores
y aisladores. Son cuiulucloros elctricos tpicos los muales (Ag , t'.n,
Au y otros), y son aisladores los cristales inicos. Untro los m etales
y los aisladores so onciiontran los semimetules (Di, SI) y los semiconductores (Si, (le). Los som com Helores u bajas teco pera til ras si com
portan como aisladores. Los somiiuetalus conducen la corranlo do
un modo somojanto a los m tales, aunquo la concontracin de olcctronos de conduccin os en ellos 104 veces menor, aproxim adam ente,
quo en los mtales, lisa diferencia se deho a las peculiaridades de la
estructura electrnica.
Un esto cap tu lo vamos a adoptar la clasificaci n de los slidos
basada en el oarclor do las tuerzas do interaccin entro los tom os,
el cu al, como ya so d ijo , viene determ inado por la estructura de las
capas electrnicas de los tom os que intoraccionan. P or regla general,
un los onlac.es inlornlm icos participan, on ln m ayora do los ele
mentos, todos los cler.tronos do valencia oxterioros. 15n el Cu, Ag,
Au, liu , Y b , Am, a causa do que os relativ am en te pequea la onorga
do enlace do los electrones quo ocupan las capas dta, / y /w, en los
onlaces entre los tom os pueden p articip ar ad icion alm ente uno o dos
electrones do estas capas. E x iste una serio de elem entos que tienen
en la capa exterior gran nmero de electrones do v alencia, los cuales,
debido a sus grandes energas do enlace con el tom o, no todos pueden
p articip ar en los enlaces interatm icos (O, F , Fe, Co, Ni y otros).
E l nmero de electrones de valen cia capaces de tom ar parte en
los enlaces nteratm icos v ara peridicam ente a medida que aum enta
el nmero atm ico Z, lo que es consecuencia de la le y peridica de
M endeliev, do acuerdo con la cual todas las propiedades fisico
qum icas deben variar peridicam ente al aum entar ol nmoro at
mico.
En ln fig. 2.1 so da la dependencia dol prim er poten cial de ioni
zacin I de los dio/nos respecto dol nmoro atm ico. E l prim er poten

c ia l de ionizacin corresponde a la energa necesaria p ara que se desprenda

un electrn del tomo neutro no excitado. La dependencia (2.1) tien e
un carcter peridico claro. Como puedo verse en la fig. 2 .1 , los
m etales alcalinos (L i, Na, K , ftb , Cs) tien en, respecto do los otros
elem entos, los potonciales de ionizacin m nim os: 5 ,4 ; 5,16; 4 ,3 5 ; ^
4 ,1 3 y 3 ,9 0 eV, respectivam ente. L os tom os de los m etales alcalinos
slo tienen un electrn do valoncia, el cual so b aila en una capa no
llen a, por lo que su enlace con el tomo es relativ am en te d bil.
A oslo se debe ol que, en diversas reaccionas, estos elem entos pierdan
con fncilidad ol electrn exterio r y formon iones cargados p o sitiv a
m ente o callones-. L i , N a*, K * , 11b* y C s*. Despus de pordor ol
electrn exterior, las capas electrnicas de los respectivos tom os
se lineen iguales a las do los tomos do los gases inertes ms prxi
mos a ellos (lio , No, Ar. K r. Xo, Un), cuyas configuraciones oloclr-

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2.1. Clasificacin fie los slidos. Tipos de enlaces

65

Fig. 2 .1 . Dependencia del prim er potencial de ionizacin respecto del nmero

de orden del elem ento en la tab la de Mendeliev

nicas son muy estables y para los cuales el primer potencial de ioni
zacin es m uy grande y vara desdo 12 hasta 25 eV (fig. 2.1).
D elan te de los gases inertes se encuentran los halgenos (ele
m entos del V I I grupo del sistem a peridico con valores del prim er
potencial de ionizacin entre 10 y 18 eV): F , Cl, B r e I , a los cuales
les fa lta un olectrn para fo rm a rla s capas electrnicas estables de los
tom os de los gases inertes ms prxim os a ellos, por lo que so apo
deran con facilid ad de un electrn y originan los respectivos iones
negativos o aniones: F - , C l- , B r - e l - . L a energa W que se libera a l

unirse el electrn a l tom o neutro no excitado y form ar el anin se llam a

energa de a fin id ad del tom o p or el electrn. Los tom os que ms afi
nidad tienen por los electrones son los de los halgenos: F , 3 ,4 eV ;
Cl, 3 ,6 eV ; B r, 3 ,4 eV e I , 3,1 eV . Con los conceptos de potencial do
ionizacin y de energa do afinidad por un oloctrn est intim am en te
ligada la valencia in ica , que se defino como ol nmero de oloctrones
que puede perder o ad quirir un tom o. Los m etales alcalinos son
m onovalentes positivos, puesto que tienen un electrn m s quo los
tomos de los correspondientes elem entos inertos m s prxim os, por
ejem plo, la v alen cia inica dol tom o de Na es igual a -f-1. Los to
mos de los halgenos son m onovalentes negativos, porque les fa lta
un electrn para form ar la capa estab le de los tom os de los gases
inertes ms prxim os. A s, para el tom o do Cl la valencia inica
es igual a 1. A nlogam ente, los tom os del II grupo, perdiendo dos
electrones, pueden tam bin form ar iones cuyas estructuras e lectr
nicas sean iguales a las de los tom os de los gases inertes m s pr
xim os: B oa+, Mga+, Caa \ S ra+ y, por con sigu ien te, estos tom os tienen
valencia p ositiv a igual a -)-2. Los tom os del 111 grupo, perdiendo
tres electrones, pueden form ar iones de v alen cia -{-3 y as sucesiva
m ente.
5 -0 IU 7

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06

Cap. 2. Interneciones entre los tom os

iin la interaccin de tomos de una clase con tom os de otra d a s ,

el carcter del enlace qum ico est determ inado p or su cap acid ad par
captu rar o ceder un electrn de valencia. lista cap acid ad se ca ra d e rit
p or la llam ada electroaegatvidad X de los tom os. E n esencia, a eiec
tronegavidnd es un parm etro quo expresa In tend encia del tom
a atraer h acia s electrones en un slido con creto . L a electro neg ativ j
dad as mui medida re la tiv a do la internecin d e los tom os, no es ei
rigor una m agnitud fsica , puesto que no es co n stan te y dependo d
la natu raleza del otro tom o con el cual est enlazado qum icam ent,
el tom o dado. Un m ism o tom o en enlace qu m ico en ocasione,
puedo a ctu ar a la vez co m o electro p o sitiv o y com o electronegativo
L a oloctronegatividad dependa m uy dbiiniento del tipo de enlact
y de las p articu larid ad es con cretas de la estructura c ris ta lin a , lo qut
h ace do ella un parm etro o b je tiv o do los tom os, til cuando s<
discuten la s propiedades de los slidos.
Como v a lo r aproxim ado de la cleclron egntiv id ad del tom o se
tom a de ordinario la m edia aritm tica del prim er p otencial de ion i
zacin y de la energa de afinidad por el electrn:

X = \ { l + W ).

(2.1)

Todos los elem entos de la T a b la P erid ica de M endeliev se pue

den ordenar en serie, atenindose al v alo r de su elec.tronegatividad
(tab la 2 .1 ). E n la ta b la 2.1 puede verso quo Jos valores de la e lectro Tabl/i 2.1. V alores de 1.a elcetro n e g a liv jd n d X lie algunos e le m e n to s
de 1 ta b la do M en d eltev

EJcmenln (X, eV)

Periodo

II
(2 , 1)
2

1,
(LO)

e
(1.5)

n
(2 , 0)

(2,5)

Na
(O.i)

Me
( 1. 2)

AI
(1.5)

K
(.8)

Ca
(1.01

Se
(1,3)

m>
((>.>

Sr
< i.m

(1,3)

(1

<*S
(0,7)

llfl
(0 ,!')

(3,0)

0
(3,5)

F
(4.0)

Si

0 ,8)

'
(2 , 1)

S
(2.5)

CI
(3,0)

Ge
(1 .8)

As
(2 .0)

(2,4)

(2 ,8)

Sn

Sb

Te

J
(2,5)

( 1.8)

| (f.O)

Se

(2 . 1)

Br

Al
(2 ,2 )

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2.1. C lasificacin de los slidos. Tipos do enlaces

f>7

negatividad varan desde 0 ,7 cV para el Cs hasta 4 eV para el F . E l

fl or es el elem ento m s electroneg ativ o. Cada fila de la tab la peri
d ica em pieza con los elem entos ms electro p ositiv os, es decir, con
m ayor tendencia a form ar iones positivos (m etales alcalin os, que
tienen pequeas energas de ionizacin y do afinidad por un electrn).
E n el otro extrem o, derecho, de cada fila se encuentran los elem entos
m s electro n eg ativ o s, o sea los que form an con m s facilidad iones
negativos (halgenos, poseedores de potenciales de ionizacin gran
des y de con sid erable afinidad por un electrn). De este modo, en la
parte izquierda de la ta b la se h allan los elem entos con propiedades
m e t lica s m s p aten tes (m etales), y en la derecha, los elem entos con
propiedades no m e tlicas (m etaloid as). E n la lab ia puede trazarse
con v cncionalm ento un lm ite entre los m etales y los m etaloides.
E s te lm ite se estab lece atendiendo a indicios qum icos. Uno de estos
ind icios es que, en las soluciones acuosas del tipo de las sales, se
produce la disociacin inica, corno resultado de la cunl aparecen en
la solucin iones p ositiv os (cationes) hidratados del m etal (N a+,
M g2+, . . .) e iones negativos (aniones) del m etaloide (C l, S _ , . . .).

L a divisin de los elem entos qum icam ente activos en m etales y m e

taloides perm ite introducir tres tipos de enlace fundam entales: m etlico,
covalente e inico. E l enlace entra los m etales fuertem ente electro
po sitiv os y los no m etales electronegativos se interp reta como enlace
inico. Como tien e lugar entre iones con cargas de signos opnestos,
se lo do c) nom bro, por la polaridad de los iones, de enlaco heterop o la r. L o s enlaces m etlico y cov alente son hom opolares. E l enlace
m etlico se efect a entre m etal y n iet8l, m ientras que el covalcnto,
entre no m etal y no m etal o m etaloid es. Los nom bres de los enlaces
son los do los casos lm ite s de la interaccin qu m ica. E n realidad
los enlaces puram ente cov alen tes son raros y tien en, en cierta medida,
c arcte r parcialm en te inico. L as uniones que se aproxim an a los
enlaces inicos idealizados tam bin son poqusim as.
L a p arle o porcin de carcte r parcialm ente inico (grado de ionicidad o, sim p lem ente, ionicidad) del enlace cov alente se puede valo
rar si se conoce la clcctron cg aliv id ad de los tom os A y 11 quo interaccionau. A dvertim os que al an alizar el carcte r del enlace suele con
siderarse no las propias elcctronegativid ad es sino la diferencia de
electronegatividad de los tom os.
P ara h acer la valoracin do la ionicidad de tina unin resulto
cmodo ap licar la expresin siguiente:

tonicidad relativa = i fexp [0 ,2 5 (X A X n)2],

(2.2)

en la que
y X son, respectivam ente, la eleclro n egativ id rd del
tom o A y dol alom o 11 que interncrionnn.
S i la ionicidad re la tiv a es goal a 1, es d ecir, constituyo el 100 % ,
el enlace entre los tom os cs puram ente inico, y si es igual a 0,
el enlace es puram ente cov alen te. E n el interv alo entre 0 y 1 se

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(18

Cap. 2. liHornccioncs entre los tomos

tiene el onlnco ovlenle con carcter parcialm ente inico. Cunnti

mayor os la diferencia de electro naga ti vidntl. o son, cuanto ms lejo
so uncuuiitra un elem ento dol otro un la serie do la olocdronogii ti viciad
tnntn ms claram ente so m anifiesta el carcter inico riel enlace
Una lu las confirm aciones experim entales de que ol onlnc ionice
on los cristales debe considorar.se nicam ente como caso lm ite de
enlaco parcialm ente inico os el hecho do quo la carga, eficaz de ui
tomo, quo ontrn en la composicin de tal o cual compuesto, defi
nida como la suma algebraica to su carga electrnica negativa y de li
carga positiva le ncleo, por lo general, no es igual a un numere
entero de cargas e del electrn (tabla 2.2).
Tabla 2.2. Cargas e tlca cei de los tom os
en alguuos com puestos
Compuesto

NaCl
N alir
SiO .
N a,S
ZnS

Carga eficaz

+ n ,9 2 c (para Na)

-H'.Se (para Na)

(para Si), _o,<jn (para 0 )
+ 0 ,7 5 c (para Na), - 0 , % e (para S)
- 0 , 8 c (para S)

En esta tab la puede verse que un mismo elem ento, en compuestso

distintos, tiene cargas eficaces diferentes. Por ojompto, en el NaCl
la carga oficaz del tomo do Na e3 igual a + 0 ,9 2 e , y en el N aBr,
a -fO,8Us. Por lo visto, durante la interaccin se produce una redistri
bucin do la carga entro los tomos hasta que la diferencia do olectronegntividad so anulo. Como un mismo tomo puede entrar on reaccin
con tomo? diferente?, cada uno de los cuales os poseodor do su propia
eIoctronegatividad, las cargas eficaces del tomo considerado sorn
d istin tas en diforentes compuestos.

2.2. E n erg a de enlace

El problema dol enlace do los tomos on los slidos, on virtud
de que las fuorzas de interaccin entre los tom os son de la misma
unlurnlozn, es anlogo al problema de las fuerzas de enlaco de los
tomo? en las molculas. Las fuerzas de enlace en las m olculas y eu
los slidos tienen b rundi do comn. La respuesta sobro las fuerzas
de enlace on los slidos so reduce a generalizar la respuosta obtenida
para las molculas. Por oso, para la valoracin cu a n tita tiv a do la
energa de onlaco de los tomos on los slidos, empezaremos por estu
d iar las fuerzas qn mantienen unidos los tomos on una molcula
biatm ica.

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2.2. Energia de enlace

C<J

Sean dos Alomos A y t. Si es

utn
tos tomos estn lejos uno de otro
so com portarn cotilo libros. La
energa del sistoma formado por
los dos tomos aislados es igual a
la suma de las energas do dichos
tomos, la cu al, arbitrariam ente,
puede tomarse como nula. Los
tomos no interaccionan entre s
m ientras la d istancia r entre ellos
es grando en com paracin con (>+
+ /(,), siendo ra y rb, respectiva
Fig. 2.2. Dependencia de la energa
m ente, los radios de los tomos A
potencial total de interaccin do
y B . Si al dism inuir la distancia
dos Atomos (curva continua) resentre los tom os disminuyo la ener t pecio de la distancia entre ellos
ga del sistem a, en comparacin
con la energia total de los tomos aislados, entre los tomos surge
una fuerza de atraccin, a la cual corresponde lo disminucin de la
energa potencial del sistem a U (r). A cierta distancia r = r 0 la
energa U (r) alcanza su valor m nim o , al cual corresponde la fuer
za F :

E sto m nim o existe necesariam ente, de lo contrario no podra for

marse la molcula con d istancia fin ita entro sus tomos.
S i los tomos continan acercndose entre s, empiezan a actuar
las fuerzas do repulsin, que crecen rpidamente a medida que dis
minuye r, con lo que tam bin aumenta la energa potencial U (r)
(vase (2.3)1.
La sustitucin de la atraccin por la repulsin se puede definir,
nproximndnnionto, representando la energa potencia) total de In
interaccin en forma de suma de dos trminos, uno de los cuales
(negativo) corresponde a la energa do las fuerzas de atraccin, y el
otro (positivo), a la energa de las fuerzas do repulsin:
U (T) -

U* W +

U , (r ).

(2.4)

E n la fig. 2 .2 se representan esquem ticam ente las curvas de

estos potenciales y la curva sum aria, correspondiente o la energa
potencial tota) de la interaccin. Cuando r = r. lo que corresponde
al mnimo de energa del sistem o, las fuerzas do atraccin equilibran
a las de repulsin (Fe F r = 0) y se forma la molcula A B de la
configuracin ms estable, en la cual los ncleos de los iomos vibrnn
con la frecuencia propia to. Advertimos que, cerca de ln posicin
de equilibrio, la forma do la curva U = U (r) se aproxima la do
una parbola, como puede verse desarrollando V (r) en serie d cT ay lo r

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Cp.

70

en el entorno r

H>|cracconos entro los Lomos

r0:

(2 -r.)
Do (2..r>) so si^no i]no cumulo non dem asiado grandes las desviaciones
del tomo do la posicin de equ ilibrio (y pueile despreciarse I torcer
lrm ino), la fuerza restauradora es proporcional a la d istan cia y los
tom os vibran como osciladores arm nicos. Los niveles de energa
de este oscilador, segn se doduce de la mocnic.a cu n tica, pueden
obtenerse do la siguiente expresin:
En

/i(oo ( n -i- v 2)

( =

O,

1, 2 , 3 , . . . ) .

( 2 .0 )

La profundidad del m nim o U0 es igual a la energa de enlace do

los tom os on la m olcula. L a energa de enlace, o energa de cohesin ,

es igual a la diferencia de energa potencial del sistema en sus estados

in icial (1) y fin a l (2):
U ~ y -

U 2.

(2.7)

Como estado in icial del sistem a suelo lom arse aquel en que las
partculas (tomos, m olcula, iones) se encuentran a d istan cias
.siificioiitcmonto grandes entre s y no inlorarcionan una con o tra,
de manera que puede suponerse U1 0.
151 estado fin al corresponde a la posicin de e q u ilib rio de las p art
cu las del sistoina para T -= 0 K . P artiendo do lo dicho, la energa
de enlace so puede representar en la forma

U = - / 2.

(2.8)

Teniendo en cuenta tas vibraciones del punto cero con frecuencia oi0,
la energa de enlace para la m olcula es U few0/2 = U0 /?<>
(vase la fig. 2 .2 ).
Para valorar la energa do enlace, como se ve por la frm ula (2 .4 ),
hay que conocer, por lo menos en form a gen eral, la dependencia de
los potenciales do atraccin f/n y de repulsin <7r, respecto de la
d istan cia r entre los tom os quo iuLcraccionan. L a form a con creta
do estas dependencias est determ inada por la natu raleza de dichos
tom os.
Se ve fcilm ente que el potencial de las fuerzas do atracci n ,
partiendo de su carcter electro sttico , puedo representarse por la
funcin potencial

UH = a/r"',

(2.fl)

en la que a os una constante positiva y in, el expononte de la potencia

ilo r, cuyo valor tam bin es positivo.
(Inundo ni
1, ol potencial (2.11) es ol correspondiente a la inter
accin ordinaria rio Coulomb entre iones con carga do signos opuestos,

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2.2. Energa de enlaco

71

y cuando m = 6, com o veremos ms adelante, el correspondiente al

potencial do atraccin en la interaccin onlro los tom os de los pasos
i necios.
Para ol potencial do las fuerzas de repulsin, condicionado nnto
lodo por la repulsin de los ncloos do los tom os que intornccionan
y que dependo del apnntnllnm ienlo de dichos ncleos por los electro
nes quo los rodean, Uorn y Laud, partiendo do las representaciones
c l sic a s, obtuvioron la expresin

U t = b/r,

(2.10)

en la que b, n > 0 son con stan tes y r es la d istancia entre los centros
de los tom os on interaccin.
Para deducir la frm ula del potencial de las fuerzas de repulsin,
Born y Land eligieron el modelo esttico de tom o en el cual los
electrones do la 8 a capa electrn ica estn situados en los vrtices
de un cubo. E st claro que cuando interaccionan estos tom os, el
potencial de las fuerzas de repulsin debe depender de su orientacin
m utua, poro oso nunca so observa en el experim ento.
E l clcu lo m ecanocuntico (en el cual la distribucin puntual do
los electrones ha sido sustitu id a por la distribucin d escrita por el
cuadrado del mdulo de la funcin de onda |ij> |2), realizado por
Born y M ayor, condujo a una expresin scm iem p rlca del potencial
do las fuerzas de repulsin quo est ms de acuerdo con ol exp eri
m ento:
U r = be-'o,
(2.11)
en la quo b y p son constantes.
Para deducir las frm ulas de la energa do onlace vamos a u tili
zar la ecuacin (2.10) del potoncial de las fuerzas de repulsin, ya que
as se sim p lifican mucho los clculos.
Ahora oscribnm os la expresin de la onorgn potencial total do la
interaccin de los dos tom os on la forma
(2-12)
Para que la funcin U, en la expresin (2.12), tenga un m nim o es
necesario que el exponente del potencial de repulsin sea m ayor us
el exponente del potencial de atracci n , es decir, que se cum pla la
condicin n > m. U tilizan d o (2.12) hallam os la d istancia de equi
librio /, de la condicin de m nim o do energa d U ld r = 0:

r0= n- m/ nbl (m a )7

(2.13)

Poniendo r 0 en la frm ula (2 .1 2 ), hallam os la expresin do la energa

de cohesin de la m olcula biatm ica:

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72

Cap. 2. interacciones entre ios tom os

Como n > m, de (2.14) se sigue que la energa de cohesin, en le

fundam ental, osl determ inada por ol potencial do la fuerzas de
traccin , y I j/oloiu't/il d o his fuerzas de repulsin un solam ente una
pequea adicin a l. listo se debe a la circunstancia de que el poten
c ia l de las fuerzas de repulsin crece tan bruscam ente al dism inuir r,
que su aportacin a la onorgn to tal en el m nim o de la funcin U (r)
so hace relativam ente pequeo.
En los cristales, la dependencia do Ja energa de enlace respecto
do la d istancia r entro los tom os, lo mismo que on las m olculas,
viene determ inada por dos trm inos principales: 1) la atraccin de
los tom os, debida a la interaccin do los electrones do v alencia,
y 2) la repulsin ronlom binnn de las capas internas do las coronas
atm icas y la repulsin do los ncleos, l'a ra ol estado do equ ilibrio
estable (/0, r) os necesaria la existen cia del m nim o de energia
en la curva sum aria de las energas de atraccin y repulsin, el cual
corresponde a una determ inada configuracin estable de la dispo
sicin de los tom os en la red cristalin a.
L a energa de enlace (o energa de cohesin ) del cristal es la energa
necesaria para dividir el cuerpo en las partes que lo componen. E n de
pendencia del tipo de slido, las partes que lo forman pueden ser
m olculas y tom os en los cristales m oleculares, tom os en los cris
tales covalentes y m etlicos, o iones con carga p ositiva y negativa
en los cristales inicos.
Al calcu lar la energa de cohesin en los cristales m oleculares
e inicos, en virtud de que la configuracin de los electrones en estos
cristales no so diferencia m ucho d e su configuracin en los tom os
o iones aislados, es corriente lim itarse ni clculo de la energa poten
cial clsica del sistem a de partculas esfricas sim tricas que forman
la estructura del cristal dada. So considera que las fuerzas que actan
entre los tomos o iones son cen trales, es decir, que la energa poten
c ia l total del sistem a slo depende d e Ja d istancia entre las p artcu
las que interaccionan, la s cuales estn localizad as en los nudos de la
red y su energa cin tica es insignificante.
R esu lta que, incluso con estas aproxim aciones tan burdas,
las valoraciones tericas de la energa do enlace estn en bastan te
buen acuerdo con el experim ento.
S i, para sim p lificar, suponemos que la energa de interaccin
de dos partculas (tomos o iones) del sistem a no depende de la pre
sencia de las otras p artcu las, tenem os que, para un c rista l en ei cual
las configuraciones y los estados en erg ticos de las p artcu las equi
valen tes sean iguales, a excepcin de las p artcu las que se encuen
tran en la capa su p erficial, puede hallarse la energa de interaccin
de cu alqu ier tom o con todos los dems tom os y , luego, la energa
potencial to tal del c rista l.
Son U (rt) la energa potencial de la interaccin entre dos p a rt
culas do) c rista l separadas unn do otra por la d istancia r t. E lig ie n d o

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2.3. C ristales m oleculares

73

en el cuerpo del c ris ta l el cen tro de la p a rtcu la i com o punto de refe

ren cia y extend ien do la sum a a todas las p artcu las, siendo / =?*=
h allam o s la onorgo U do lu interaccin de in p artcu la i con todas
la s dem s p artcu las de la red:

U, = 2 U (r.,j).
)ejh

(2 .1 5 )

Con todas la s (JV 1) p artcu las restantes se procede del mismo

modo. E n to n ces, la energa p oten cial total de la red del crista l que
con tien e N p a rtc u la s, ser

U = t/2N U ^ 12N 2

>*>(

U ( r ,j) .

(2 .1 6 )

S e supone que N es su ficien tem en te grande para que sea posible

d espreciar los efectos su p erficiales. E n la frm ula (2.16) el fa c to r V 2.
aparece porque, al hacer la su m a, la interaccin de cada par de p a rt
cu las se cu en ta dos veces. L a expresin (2.16) de la energa potencial
es v lid a ta n to para los sistem as homogneos como para los no hom o
gneos.
L o s resu ltad os que acabam os de dar son correctos solam en te para
el c lcu lo de la energa de cohesin en los c rista les m olecularese inicos. P a ra los c ris ta le s co v alen tes y los m etales, en los cuales la
con fig u raci n de los electrones de v alen cia difiere mucho de su con
figuracin en los tom os aislad os, no bastan ya las representaciones
c l sica s y hay que recu rrir a las m ecanocunticas.
M s ad elan te, al v alo rar la energa de cohesin en los m etales,
nos lim ita rem o s al m odelo i n ico , aproxim ado burdam ente, del m etal,
en ta n to que para com prender las peculiarid ad es del enlace covalentenos ceirem os al estu dio del problem a de la form acin de la m ol
cula de hidrgeno por in teracci n de dos tom os de este elem ento.

2.3. C rista le s m olecu lares

A los cristales m olecu lares pertenecen los slidos cuyas redes crista
lin as tienen ocupados sus nudos p o r m olculas igu ales con los enlaces:
saturados (H a, C la, B r 2, 12) o_por tom os-de-gases .inertes (A r, N e, K r,
X e , R n ). A l grupo de los gases inertes pertenece tam bin el helio .
Pero este ltim o en estado c rista lin o en la natu raleza no existe ,
puesto que la s fuerzas de in teracci n entro los tom os en el helio son
tan d b iles (la energa de cohesin, prescindiendo de las v ibraciones
del punto coro, es igual tan slo a 0 , 7 5 - 1 0 -3 eV ), m ien tras quo la
energa m ecan o cu n tica de los tom os es tan grande, en com para
cin con d ichos fu erzas, que esta energa es la quo p revalere. E sta
circu n stan cia h ace que, a la presin norm al, el helio no pase al estadoslido h asta la tem p eratu ra m uy prxim a a 0 [K . P ara solid ificar el
helio se requ iere una presin de 2 ,5 - 10u Pa.

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Cu(>. 2. I iilcrncd oiios en tre los lomos

Una de las particu laridad es caractersticas de los cristales m olecu

lares es que las p artcu las (tomos, m olcu las) se m antienen unidas en
el cristal por tu ertas de Van der W aals muy dbiles. L a energa do coh e
si n es on estos c ris ta le s muy pequea e igual a 0 ,0 2 0 ,1 5 eV (com
prese con la energa do cohesin en los c ris ta le s i n ico s: as, para
el iN'.iCI esta energa es dol orden do 8 eV ). E sta s onorgas do cohesin
tan pequeas con d icionan tem p eratu ras de fusin m uy b a ja s para
estos c rista les (tab la 2 .3 ).
Tabla 2.3. T em p era tu ra s de [usln de algu n o s c r is ta le s m oleculares
(Z es c l nm ero atm ico del elem ento)
CrUlal

z
T |{

Nc

Ar

Kr

Xc

Rn

Nj

Cl

Di

tn

18

35

54

80

17

35

53

mi ,2

202,1

27.1

5 ,1

171,2

2 0 5 ,8

3 8 0 ,1

y , . r. 8 3 , H ilfi.fl

cm

0 0 ,5

L a existencia tle las fuerzas de Van der M'ori/.s la refleja el hecho ile
que un tom o istropo neutro (o m olcula neutra) p u ede p olarizarse bajo
la in flu en cia de un cam po elctrico, incluso dos tom os istropos neutros
induren u n o en otro p e q u e o s mom entos d i polares d ecrteos, I,n pro
cedencia de las tuerzas do Van der W aals puede ex p licarse partiendo
do los .simples razonam ien tos que siguen. En los tom os do las gases
inertes los electrones ex te rio re s form an agrupaciones e sta b le s, m uy
resistentes, de ocho electrones en los oslados si pa, lo que hace que
sobre ol m ov im iento de los clo clron es in flu ya poco la presencia de
los tom os vecinos. En prom edio, la d istrib u ci n de la carga en el
tom o aislad o tien e sim e tra esfrica (fig. 2 .3 ), la carga p o sitiv a del
ncleo os igual a la carga n eg ativ a de los electro n es que lo rodean, ol
tom o es e lctricam en te neutro y los cen tro s de las eargns se encuen
tran en el cen tro del n cleo.
S i dos do estos tom os estn re la tiv a m e n te le jo s uno de o tro , no
interaccionan entre s (fig. 2 .3 ). Cuando se acercan los tom os, la
carga n egativa m vil (nube) de uno de ello s puedo en c ie rto m om ento
resu ltar d esplazada, de m anera que los cen tros de las cargas p o sitiv as
y neg ativ as ya no coin cid an y , com o resu ltad o , s u rja un m om ento
d ip o lar elctrico in stan tn eo. E sta sep aracin do tas cargas (flu ctu a
cin) puede producirse a causa del aum onto de la en erg a del tom o,
por ejem p lo , com o resultado del choque con otra p a rtc u la . D e esto
modo, en cada in stan te por separado ol tom o puedo tonor un m o
tlenlo diputar elctrico d istin to do coro, aunque on prom edio respecto
dol tiem po d icho m om ento sen nulo.

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2.3. Cristales m oleculares

F ij. 2 .3 . to s n loilio siiatn lrs ilo (jas in rrtu t|uu no iiiloruccnm iin. I.a dislrib u cin ele la carga tiene sim etra esfrica

75

Fitr. 2 -4 . E squem a do tas nnhos olor tr

nicas ile d o s lo m o s (lo g a s n o rto q u o
itluroccioiiun

E l m om ento d ipolar instantneo (le un tom o crea en el centro

do otro tom o un cam po elctrico , el cual tam bin induce en l un
mom ento dipolar instantneo, es decir, en este otro tom o tam bin
se produce la separacin de las cargas. De este modo, a medida que
se aproxim an dos tom os entre s, su configuracin establo se hace
equ iv alen te a dos dipolos elctricos (fig. 2.4).
Como la atraccin de las cargas de signos opuestos, ms prxim as
entre s (fig. 2 .4 ), aum enta, al acercarse aqullas con mas fuerza que
la repulsin de las cargas dol mismo signo, que estn ms lejos, el
resultado ser la atraccin m utua de ios tomos.
E l clcu lo m ecanocuntico de estas fuerzas do atraccin para un
sistem de dos osciladores arm nicos idnticos, situados a la distan
cia r uno de otro, fue realizado por H. London (1930). Se obtuvo que
la energa to tal de los dos osciladores que iilernccionnn dism inuye,
a causa de la interaccin, cu una magnitud inversam ente proporcio
nal a la sexta potencia de la d istancia entre ellos:
(2.17)
donde ..o. es la frecuencia propia del oscilador arm nico sim ple;

H = h/(2n ), la con stan te de E lanck; a = lJ/E , la polArizabilidad

dol oscilador (tom o); /*, el momento dipolar; /, la intensidad dol
campo elctrico y u, una constante.
La dism inucin de la energa (2.17) correspondo a la aparicin
do la fuerza de atraccin entre los osciladores, la cual v ara en pro
porcin inversa a la sptim a potencia de la d istancia y depende de la
polarizabilidad a . La p olarizabilidad , corno se sab e, detormina
tam bin las propiedades pticas de los cristales, en p articu lar la dis
persin de la luz (variacin de la velocidad de la luz y del ndice de
refraccin del medio en depondencia de la frecuencia), por eso las
fuerzas m oleculares se denominan a veces fuerzas de dispersin.
L a dism inucin de la energa al aproxim arse los tom os es posible
cuando se ordena la disposicin de los mom entos dipolares. E sto se
m anifiesta en el m ovim iento coordinado de los electrones en los to
mos vecinos. Como lian mostrado los recientes trabajo s de L. Junssen,
en las interacciones do los tom os de los gasos nortes tam bin se
produce, en ciarlo grado, intercam bio do cloclronos de vnlonc.ia.

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7C

Cap. 2. In tera ccio n e s en tro los tom os

A s, en la red c r is ta lin a del argn corresponde a este in te rcam b io un

0,1 % do ln miorgn do ('iilnco. liso iiilo rriu u liio, cuino so vorii nnif
ad elan to , es c a r a c te r s tic o dol tip o covu lonlo do en lace .
L as fuerzas m olecu lares act an no slo e n tre los tom os de los
gases in e rte s, sin o tam b in en tre cu alesq u iera otros tom os, cuando
se encuentran s u ficie n te m e n te c erca uno de o tro , es d ecir, de modo
que el m o v im ien to de los e lectro n es en lo s tom os ad y acen tes no sufra
una v a ria ci n ra d ica l, sin o que slo exp e rim en te una d b il p ertu rb a
ci n .

S i la distan cia entre los Atomos sigu e dism inuyendo, sus cap as
electrn icas em piezan a superponerse y en tre los tom os surgen fuerzas
de repu lsin con siderables. L a repu lsin , en e l caso de los gases inertes,
ap arece p rin cip alm en te com o resultado de la accin del p rin c ip io de
exclusin de l a u li. Al superponerse las cap as e le c tr n ic a s, los e lectro
nes del prim er to m o tien den a ocu par p a rcia lm e n te los estados dol
segundo. Com o los to m o s do los gases in ertes poseen cap as a t m ica s
e sta b le s, en la s cu a le s todos los estad os en erg tico s estn ya ocupados,
al superponerse la s ca p a s, los electro n es deben pasar a estad os cu n
tic o s lib ros con energa m s a lta , y a que, de acuerdo con el p rin c ip io
do P a u li, los electro n e s no pueden ocu p ar una m ism a regin del
esp acio sin que au m en te su energa c in tic a . E l au m ento de la energa
c in tic a lineo que m in en le la onorga to ta l del siste m a do los dos
tom os quo in tern reio n an y , por lo ta n to , que ap arezcan fuerzas d e
ropulsin.
Para que el p o ten cial lo tn l tip o (2 .1 2 ) tonga un m n im o cs nece
sario que a d ista n c ia s pequeas el p o te n cia l de. las fuerzas de rep u l
si n seo m ayor quo ol d las fuerzas do a tra c ci n . E l potoncinl do la s
fuerzas de repulsin suele representarse on form a de le y e x p o n en cia l:
U t ~ b/r", dondo el expon en to n es igu al a 12, y au n qu e este exp o
nento no tien e un fun dam ento tan seguro com o el exp on en te 6 d el
p o ten cial do la s fuerzas de a tra c ci n , la exp resi n Ur = b /rl es una
ap ro x im aci n sim p le y buena.
A hora la energa p o ten cial to ta l de la in te ra cci n c u tre dos to
m os, situ ad o s a la d is ta n c ia r tj uno de o tro , se puede e sc rib ir as:
(2 .1 8 )
donde a y b son c o n sta n te s p o sitiv as.
De o rd in a rio , en vez de (2 .1 8 ), p ara d escrib ir la in te racci n de
los to m o s e lctrica m e n te neu tro s y de las m o lcu las e l c tric a m e n te
n eu tras y no p olares, se u tiliz a e l p o ten cia l de Len n avd Jo n es:
( 2 .1 9 )
1S1 p o ten cial (2.111) depende do dos p arm etro s: r (ti/a)l/0
y a = d^HAb). E l p arm etro o corresp onde a la d is ta n c ia in tc r a t m ic a

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2.3. Cristales m oleculares

77

con la cual la energa potencial total es nula, y el parm etro e tiene

la dim ensin do onergia y es igual al m inim o do la enorga potencial
para / 2 ,'/uo. La d istancia <r os igual al radio ele la esfera do impe
n etrabilid ad de los tom os <|nc intoraccionan, y r caracteriza al
radio de accin do las fuerzas interatinicas. Los parm etros e y o
so obtienen midiendo experim ontalm ente on la taso gaseosa las
siguientes m agnitudes term odinm icas: los coeficientes del virial, los
coeficientes de viscosidad y los coeficientes de J o u le Thomson.
Los coeficientes del v irial B ( T ), C (T ), O ( T ), . . . figuran en
I desarrollo v iria l de la ecuacin term odinm ica del estado del gas:
pv

y . ,

P ( 'n

RT

, hc r n

0 {T \
v

i *

(p es la presin; V, ol volum en; T, la tem peratura term odinm ica,

y R , la constante m olar de los gases). Los coeficientes del v irial
s lo dependen de la tem peratura y se determ inan totalm ente por
sta y por el potencial de la interaccin entre las m olculas del gas.
E n particular,

<B\(T) = - i \ (1 e- , ;

dF,

donde U (r) es el potencial de la interaccin entre las m olculas

(tom os) del gas, y A:B, la constante de Boltzm ann. Conociendo los
coeficien tes del v iria l, obtenidos do las isoterm as de la ecuacin de
estad o, por ellos se puede d eterm inar la forma del potencial (J (r)
y , por lo tan to , e y o.
S i en (2.19) se expresa r u en unidades de d istancia r entre los to
mos vecinos ms prxim os (r<; = r6|/) y despus se pono (2.19)
en (2 .1 6 ), resulta que para la energa potencial total de la red del cristal
que contiene yV tom os se consigue la expresin

(r) = 2 N t [A n [a /r)i2 An (a/r)6|,

en la que A2 S

(l/6?j) son las sum as eslructu l

rales, que slo dependen del tipo de estructura c rista lin a .
Segn datos do iolm son e Ingham , para la red c bica centrada
en las caras 14,- =_-12,13,, cuando m = 12, y ^ , = 1 4 ,1 5 , cuando
m 6. De aqu es evidente ?que cuando I03 exponentos n y m son
grandes, la aportacin a la suma ostructural para calcu lar la energa
ro interaccin del i-slm o tom o con todos los doins tom os do La
red, slo la hacen los tom os vecinos ms prxim os.
Para b ailar la energa de cohesin del crista! hay quo conocor la
d istancia do equ ilibrio r, la cual .so determ ina por el m nim o do la
enorga il//dr -= 0 -lo* presin (2.20)1:

} f=i

0/8}J) y A e = 2

(2.20)

i4 \ i/o

12.13 \i/o

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78

Cnp. 2. Interneciones entre los tomos

S u s t i t u y e n d o ol v a l o r d o r

oti

1 f r n n iln ( 2 . 2 0 ) s e o b t i e n e p n rn la-

d i r r u a i le c o h e s i n ilcl c r is t a l m o le c u la r la e x p lo s i n :
U 0=

- N

t ^

(2 .2 2 )

= 8 , 6 (V e.

Como se ve en lo ta b la 2 .4 , los valores de la energa de cohesin

Tabtn 2.4. Vidoros te ricos y e x p erim en ta les de los p n i n tctro s
que c a ra c te riz a n el p o ten cia l de le r u a r d Jo n e s y in c n e ig a
de adh esin de algu n o s c rista le s m o lecu lares*

CrkHtal

Ne
Ar
Kr
Xr

ir * , mu
(CX|t.)

2, 74
3 /.o
3,05
3,!IK

r,, 1 -i. Din

U-X|i.)

(ter.l

3.14
3,75
.txi
4,33

2,01)
3 ,7 1
3,08
4,34

t, l?V
texp.)

l ro *= - 8,6e, cV
(ter.)

Uo. V
(CX|I.)

n,oo3i
0 , 0104
0,0140
0 ,0 2 0 0

-0 ,0 2 7
-0 ,0 8 .0
-0 ,1 2 0
- 0 ,1 7 2

-0 ,0 2
-0 ,0 8
-0,11
-0 ,1 7

natos tomados del articulo: ernordes N. Pbys. Rew ., 112, 1534, C1S5S).

correspondientes n un tom o (/ 0 = 8 ,6 s ), calcu lad os por (2 .2 2 ),

coiictierdnii sn sfaclo ) am ent culi los valores exp erim en tales de loscalo res de su b lim aci n de los gases inertes.
Los pequeas d iscrepancias que se observan en la la b ia 2 .4
entre los valores tericos y exp erim en tales se deben a no hab er tenid o
en cu en ta los v ib racio n es del punto cero de los tom os a la tem pe
ratu ra T = 0 K ,
S e ad vierte que cu anto m ay o r es la m asa (nm ero atm ico) del
tom o, tan to m ayor as la energa de cohesin y la tem peratu ra de
fusin de los c rista les m olecu lares (ta b la 2 .3 ). E sto es debido a la
circu n stan cia de que, al au m entar el nmero atm ico del elem ento,
el nmero de electrones crece, la capa electr n ica se h ace m s espon
josa y fcil do deform ar cuando ios tom os inleraccion an entre s,
lo que sig n ifica quo los m om entos dipolares aum entan y hacen que
la energa do cohesin crezca. A una m ism a tem peratu ra y presin,
su b stan cias d istin ta s, de nm eros at m ico s d iferentes, en virtud de
la circu n stan cia indicada pueden encontrarse en estad os do agrega
cin d istin to s. A s, a la tem p eratu ra am b ien te el fl o r (Z = ) es
gas, el brom o (Z = 3f>) es lq u id o , y el yodo (Z = 53) es un slido
crista lin o .
( .orno dem uestran los clen lo s y experim en to s, la estru ctu ra m s
estable para los c rista le s de los gases inertes es la c b ica cen trad a
en las caras.

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2.4. C rsln les i n ico s

79>

A s , la s fu erzas do V a n d er W o n ls son la s p rin cip a le s fu erzas de

a tra c c i n un ol cuso tiu lo s c ris ta le s do to m o s q u h u icn iiii'iilo in a c ti
vos y e n tre la s m o l cu la s con los e n la ce s sa tu ra d o s en los c rilst ules
m o le c u la re s. E n rig o r, la s fu erzas de V a n d er W a a ls no son fuerzas
p u ram en te p ares, com o se supuso al c a lc u la r la en erg a de cohesin
u tiliz a n d o el p o te n c ia l de L e n n a rd Jo n e s . E s t c la ro que cuando
in te ra c c io n a n dos to m o s, la p resen cia ju n to a e llo s de un tercerop rov oco u n a re d is trib u c i n de la s carg as p o sitiv os y n e g a tiv a s en los
to m o s y , por c o n sig u ie n te , u n a v a ria ci n de la en erg a de in te ra cci n
en tre e llo s . E n el caso de to m o s neu tros e stas fuerzas pueden con
sid e ra rse p ares p ara d is ta n c ia s grand es, con lo quo se cu m p len las
le y e s e x p o n e n cia le s: a h M y bir'-. E n la ap ro x im aci n de las in te
ra c cio n e s p ares las fu erzas de V a n d er W a a ls son, ad em s, c e n tra le s
y de a c ci n p r x im a , ya que en la expresin de la fuerza de atraccin,
fig u ra la d is ta n c ia elev ad a a la p o te n cia m enos sie te .

2 .4 . C rista le s inicos
L o s cristales in icos son com pu estos en los cu ales p rev alece el carcter
in ico d el en la ce q u m ico , en cuya base se encuentra la interaccin
electrosttica en tre los iones con carg a. Son rep resen tan tes tp ico s de
lo s c r is ta le s i n ic o s lo s h a lu ro s de lo s m e ta le s a lca lin o s, por ejem p lo ,
del tip o do e stru c tu ra dol NnCl y CsCJ.
A l form arse los c ris ta le s del tip o de la sal gem a (N nCl) lo s tom os
de lo s h a l g e n o s (F , C l, B r , I ), quo tien en gran afinid ad por el e le c
tr n , c a p tu ra n lo s e le c tro n e s de v a le n cia de los m e ta le s a lca lin o s
(L i, N a, K , R b , C s), que tien e n b a jo s p o te n cia le s de io n izaci n
(v ase la fig . 2 .1 ) , y con esto se form an iones p o sitiv o s y n eg ativ o s
c u y a s c ap as e le c tr n ic a s se asem ejan a la s cap as s2p e de s im e tra
e sf ric a , lle n a s , de lo s gases in e rte s m s p r x im o s (por e je m p lo , la
cap a d el N a + so asem e ja a la del
N e, y la dol C l, a la del A r). Comoresu ltad o do la a tra c ci n cou lom binnn de lo s aniones y lo s c a tio n e s
se prod uce la su p erp osicin
do
los seis o rb ita le s p e x te rio re s y se
form a la red dol tip o NaCI cuya
s im e tra y nm ero de co o rd in aci n ,
igual a 6 , correspondo a los seis
e n la ce s de v a le n c ia de cada to m o
con sus v e cin o s (fig . 2 .5 ). E s esenFig. 2 .5 . Mecanismo inico de for- c ia l el hech o do quo al superponerse
macin do los enlacos intoratmi- los o rb ita le s p so prod uce una d is
cos en los e stru ctu ra s dol tip o N nCl. m u n ci n do los c a ig a s n o m in a le s
L as D e d illo s in d ica n lu s d ireccio n es

de desplazamiento de la densidad
electrnica

. . .

. _______

( + 1, P fa cl
V 1 para ol Cl)
en lo s iones h asta v alo res re a le s

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so

Cap. 2. Interacciones ontro los lomos

pequeos, debido al desplazamiento do la densidad electrnica, cu

los seis enlaces, dol unin al catin, de niauora quo la carga real de
los tomos en el compuesto resulta ser igual, por ejemplo, a
i
para el Na y la carga negativa d elC lseh aco tambin menor que:
1 e.
La disminucin de las cargas nominales de los tomos basta los
valores reales on los compuostos pone de manifiesto que, incluso
en las interacciones de los elementos ms electronegativos y electro
positivos, so forman compuestos on los cuales el enlace 110 es pura
mente inico.
De acuordo con el mecanismo recin descrito se forman no slo
los balaros de los metales alcalinos, sino tambin los nitruros y car
buros de los multicovalentes metales de transicin, la mayora de
los cuales tienen estructura del tipo NaCI.

En virtud de que el enlace inico no es dirigido ni saturado, para

los cristales inicos son caractersticos los grandes nmeros de coordina
cin. Las peculiaridades fundamentales de la estructura de los cris
tales inicos so doscriben bion basndoso en el principio de los
empaquetamientos densos do esferas de radios determinados (vase
el cap. i). As, on la estructura de NaCI los grandes aniones de C1
forman un empaquetamiento cbico denso, en el cual todos los hue
cos octadricos estn ocupados por cationes Na, cuyas dimensiones
son monores. As son tambin las estructuras de KC1, RbCl y da
otros muchos compuostos. Los nmeros do coordinacin de los catio
nes, cuyas dimensiones son siempre menores quo las do los aniones,
dopondon de la ra/.n r j r a (rc es ol radio dol catin, y r, el radio
del anin).
A los crlstalos inicos portonocen la iqayora de los dielctricos
con alto vaior de la resistividad. La conductividad elctrica de los
cristales inicos a temperatura ambiente es menor que la de los
mtales on ms de vointo rdenes. La conduccin elctrica en los
cristales inicas so ofocla, on lo fnndamontal, por los iones. La
mayora do los cristaios inicos son transparentes en la regin visible
del espectro electromagntico.
En los cristales inicos la atraccin est condicionada principalmonte por la interaccin coulombiana entre los iones cargados. Ado
rnas do la atraccin entre los ionos con cargas do signos contrarios,
existe en ellos la repulsin debida, por una parto, a la repulsin de
las cargas do igual signo y, por otra, a la accin dol principio de
exclusin do Pauli, ya que cada ion tiene configuraciones electr
nicas establos, como las de los gases inertos, con las capas lionas.
Esta situacin fuo ya examinada on el 2.3, al estudiar la naturaleza
do las fuerzas do repulsin on las interacciones de los tomos de los
gasos nortes. Desdo <>I punto de vista do lo dicho, on ol modelo simple
dol cristal inico puodo admitirse que los electrones son osforas rgi
das, impenetrables y cargadas, aunque en realidad, bajo lo accin

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2.4. Cristales inicos

81

de los cam pos elctricos de los ionos vecinos, ln form a esfrica sim
trica do los iones so al lora iilgo n cansa de la polarizacin.
E n la s condiciono en que sim ultneam ente existen fuerzas de
atraccin y fuerzas de ropulsin, la estabilid ad do los cristales ini
cos se exp lica porque la d istan cia entre las cargas de signos con tra
rios os menor que la d ista n cia entre la s do igual signo. P o r eso las
fuer/as do atracci n prevalecon sobre las de ropulsin.
De nuevo, com o en el caso de los cristales m oleculares, para c a l
cu lar la energa de cohesin de los cristales inicos vamos a p artir
de las representaciones c l sica s ordinarias, considerando que los
iones se encuentran on los nudos de la red cristalin a (posiciones de
eq u ilib rio ), su onorga cin tica es insignificante, y la s fuerzas que
actan entre ellos son cen trales. E sta ltim a afirm acin es correcta
en este caso, ya que la energa potencial de la interaccin entre dos
iones slo dependo de la d istan cia entre ellos y la fuerza est d iri
gida a io largo de la recta quo los une.
L a expresin do la energa de la interaccin entre dos iones i y j ,
situados a la d istancia rj uno de otro en un cristal formado por iones
cuyas cargas son Ze y Z.e, tien e dos trm inos:

U IJ = & f - + r ,
"
rii

(2.23)

donde el prim er trm ino corresponde a l potencial de las fuerzas de

atraccin on la interaccin coiilom biann, y ol segundo, al potencial
do la s fuerzas de repulsin.
Suponiendo r t} = rf>t), donde r = r + rc es la d istancia entro
los iones vecinos ms prxim os, y extendiendo la suma a todos ios
iones, hallam os que, si j
i, la energa de la interaccin del i-simo
ion con todos los dems es:
(2.2)
Aqu

A = > s ( i / M . U = b l 3 (/ 8 )

(2 .2 5 )

son las sum as estructurales. L a suma estructural A recibe el nombre de

constante de M adelung y depende d el nmero de coordinacin y del
tipo de estructura cristalin a. Los signos ms y menos, si el j-sim o
ion tien e carga n egativa, se refieren respectivam ente a los iones
positivos y negativos.
Cuando se calcu la la con stan te de Madelung hay que prestar mu
cha atencin , puesto quo A cs una serio condicional monto conver
gente y sil suiini dependo dol orden do la siiinacin.
Como ejem plo vamos a exam in ar el clculo de la constante do
Madelung para l a estructura do NaCl (fig. 2 .6 ). Tom am os como ini6-011*7

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82

Cap. 2. In teraccio n es entre los tomo3

cin l el ion C l" . D esignam os por i

la d ista n c ia m s corta untro lo;
iones C l y N a *. E n esto caso
= - 1 V J _ = -L I 6

1212

VV

AJ

\ y \

22

24
VI

/3

)
( 2 .20)

l'ig. 2 .6 . Esquem a para cl c lcu lo

do la constanto do Medolnng para

L os nm eros + 6 , 12, + 8 , G,
+ 2 4 , e tc ., aparecen porque a la
d ista n c ia r ) / l el ion C l - est rodea
do por 6 iones N a *; a la d istan cia

r V 2, por 12 iones C l '; el grupo

sig u ien te est form ado por 8 iones
N a * n la d istan cia r ] / d ; despus se encuentran 6 iones C l" a la dis
la estru ctu ra do NaCl

tan cia r ^ 4 , y luego 24 iones N a+ a la d ista n cia r ~\ 5 y as su cesiv a

m ente.
P ara asegurar la con vergencia de la serie (2.26) es necosario dis
poner los trm inos do la serie de m anera que su parte p o sitiv a y ne
gativ o casi .se com pensen una n otrn. E n nuestro ejem p lo este proce
d im ien to conduce a la con stan te A 1 ,7 4 8 para N aCl.
U tilizan d o la expresin (2 .2 4 ), escrib im o s la energa to ta l de la
red U (r ) del c r is ta l, que con tien e 2 N iones, en la form a

U (r) = NU N (-

b
rn

) '

(2 .2 7 )

P or lo general la energa de cohesin de los c ris ta le s i n ico s no

s o c le n la para un ion, sino para dos, por eso liem os tom ado un c ris ta l
qno con lionc 2/V iones, con sigu ien tem en te, en (2 .2 7 ) JV os ol. nmero
de pares de iones.
E n estado de e q u ilib rio (r r 0) la onerga U (r) es la m n im a:

<**>
Do aqu, despus do hacer la su stitu ci n B = (Z ^Z ^A In)
en
(2 .2 8 ), la energa do cohesin del c ris ta l inico calcu la d a para un
par de iones es

U ( r 0) = .

ZiZ,e*A
(* -+ )
r<

(2 .2 9 )

(frm u la de /.Itini Laud).

Considerando con ocid as la s cargas de los iones y la estru ctu ra del
c ris ta l (de donde puedo d elerm inarso la con stan to do M adelung

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2.4. C ristales inicos

83

y r 0 = r n + r c), para c a lc u la r la energa He cohesin hay quo cono

cer adem s el exponento n en el potencial do las fuerzo de repulsin.
E l exponento se d eterm ina de ordinario por la com presibilidad del
cristal x . P o r d efinicin,
* = - - 3 7 .

(2 .3 0 )

en la que V os el volum en del c ris ta l y p , la presin. A 0 K , dU =

= p d F , es d ecir,

T = V W T-

(2-31)

E l volunten del c ris ta l V = yA'r3, siendo N el nmero dp pares de

iones y v. un fa c to r de orden 1 que depende del tipo de la estru ctu ra.
A s, para la estru ctu ra doNaCI el volum en que ocupan N m olculas
es igual a V. 2 jVr3, donde r = r n - f r c esla d istan cia entre los
iones m s prxim os, y y 2. E sto se deduce de que el volum en que
ocupa una m olcu la es igual a V4 o3, siendo a = 2 r el parm etro de
la c e ld illa c bica de NaCI. P a ra el CsCl el facto r y ~ 1 ,5 4 ; para el
ZnS con estru ctu ra de w u rzita, y = 3 y as sucesivam ente. U tili
zando las expresiones (2 .2 7 ), (2 .2 8 ) y (2 .3 1 ), se obtien e

__

\ 4jte09yr$
1 ^ Zi Z ^ A y.

orj,

(2.32)

E l fa c to r 4 n e 0 surge cuando se escribe el potencial do la atraccin

cou lom b ian a en (2 .2 3 ), en el S I ; s 0 = l/ (4 n -0 -1 0 ) F/m o s la cons
ta n te e l c trica .
Poniendo en (2 .3 2 ) los valores conocidos para NaCI de Z t =
= Z 2 = 1 ; A = 1 ,7 4 8 ; y = 2 ; r 0 = 2,81 - 1 0 - 10 m ; e = l , 6 - 1 0 - lu C
y x 3 , 3 - 1 0 ' 11 m 2/N, se obtien e n ~ 9 ,4 y la energa potencia)
to ta l corresp ondiente a un par de iones [vase (2.29)] es 1 2 ,9 x
X 1 0 '1!> J ( ~ 8 eV ). E sto concuerda bien con el v alo r ( 7 ,9 cV)
obtenido
por v a exp erim en tal a la tem peratu ra am b iente.
Se ve
ron facilid ad que la aportacin fundam ental (el 90 % ) a la energa
do cohesin la hace la interacci n e lectro st tica y slo un 10 %
corresponde a l p o ten cial de las fuerzas de repulsin.
P ara la m ayora de lo s c rista les inicos ad vertim os quo el expo
nento .n. v a ra entre los lm ite s de 6 a 1 0 .
L a frm ula (2 .2 9 ) de la energa de cohesin del cristal inico
obtenid a en la teo ra de B o rn Land no es puram ente terica, ya
que las m agnitud es do n, necesarias para hacer los clcu los, se deter
m inan exp erim en talm en te. E n estas condiciones la divergencia de
los datos calcu lad os respecto de los exp erim en tales, por regla general,
no supera ol 3 %.
E l acuerdo en tre el experim ento y la teora so puedo m ejorar si
en la frm ula (2.27) de la energa, en vez del p otencial elevado a
6*

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Ciip. 2. Interacciones entro los tumos

potencia to las fuerzas do nq>iijsn_de Bom so utiliza ol potencial

exponencial, ms roiil, , be~rw', Un oslo caso la on orga ilol
cristal se cscrilio on la forma________ ____ ,
U ( r ) = - N
Ln ilorivaila para r

( Z,Zf A B u -' ) .

(2.33)

r os

( L - /' ( - T

L- T s - ' - " ) - 0-

<2 M >

Entonces la frmula de la energa de cohesin de)cristal toma la

_____________
forma
(i . i j j

(2.35)

(frmula de B ornMayer).
E l coeficiente p tambin se determina por la compresibilidad del
cristal:
= 2 + ,>Yy
p

i Z jM x

(2.36)

S i en (2.3G) so ponen los datos para NaCl, so obtiene

= 10,46
Do aqu so sigue que la interaccin de repulsin se manifiosta
on una regin cuya dimensin es p ss 3 10-11 m.
Una vontaja esencial de la frmula (2.35) de la energa de cohe
sin es que tericam ente est ms fundamentada y, lo que es ms
im portante, la magnitud p vara mucho menos que n. La desviacin
m xim a de p de su valor medio p = 0,345 no supera un 6 % .
En ol caso general, cuando so calculan las energas de cohesin
de los cristales inicos tambin hay quo tener on cuenta las vibracio
nes dol punto coro do la red y las fuerzas moleculares do interaccin.
Con osto la frmula do B o m Mayer de la energa de cohesin del
cristal inico, correspondiente a un par de iones, tiene la forma
- ~v > , JU#-
V
= _
+
U e - r ' / s - C + E a, ,
(2.37)
l
r0
r0
/
on la que Clr os la energa de Van der W aals y E 0, la energa de las
vibraciones dol punto cero.
Las precisiones indicadas no influyen on la conclusin funda
mental do quo cerca dol 00 % do. l.n energa de cohesin so debo
a las fuerzas do atraccin do Coulomb, lil radio do accin do astas
fuerzas es suficientemente grande, ya que ol potencial, quo es inversamonto proporcional a la distancia, vara muy despacio.

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2.0. Cristales covnluntes

85

2 ..r>. O i . s l n l c . s c o v l i ' h l t ' . s

A los cristales covalentes pertenecen los slidos cuya estructura

cristalin a se form a a expensas del enlace covalcnte. Son representantes
tp ico s de los c rista les con enlace covalcnte puro el diam anto, s ili
cio , germ anio y estao gris, que tienen estructura del tipo del d ia
m an te (vase la fig. 1.28).
E x isto una gran clase de com puestos sem ejantes al diam ante:
A 1UB V, A i B v i , A 'B v n , con estructuras del tipo de la esfalorita y la
w urzita (vanse las figs. 1.26 y 1 .2 7 ), al form arse las cuales surge
siem pre, ju n to al enlace cov alcn te, una compononte inica ad icional
de enlace que aum enta al pasar de los compuestos A 11 l B v a los com
puestos A ! B V11. L o s cristales covalentes, por regla general, son sem i
conductores.

E l enlace covalenle tiene el mism o origen que el enlace en las m ol

culas hom opolares (bi2, C l2, 1 . . .) y se debe a la interaccin de
intercam bio de electrones entre los tomos. E n los cristales m oleculares
(H 2, C l2, I s , . . .) en cnlaco cov alen le est localizad o entre los
ncleos en la m olcu la, las m olculas se m antienen ju n tas en virtud
de las dbiles fuerzas do V an der W aals. Sin em bargo, en el caso del
d iam ante o del grafito varios electrones de v alen cia son comunes para
un tom o y una serie de sus vecinos y es im posible destacar un grupo
cualqu iera de tom os que pueda considerarse como qum icam ente
saturado (fig. 2 .7 ). Desde esto punto do v ista , el c rista l de diam anto
es una enorm e m olcula.
S i se atribu y en Jos correspondientes enlaces a determ inados pares
de tom os, aqu llos pueden considerarse como fuerzas pares y de
corto alcan ce. Pero estas fuerzas no son siem pre cen trales. As, por
ejem plo, en 1a m olcula H 2 la energa de enlace qum ico depende
slo de la d istan cia entre los tom os, m ientras que en el diam ante
e x iste la tendencia a que los tom os vecinos so dispongan on un orden
determ inado, y para hacer el clculo de la energa hay que conocer
no slo las d istan cias entro los tom os, sino tam bin los valores do
los ngulos de v alen cia. E n el diam ante un tom o de carbono se
encuentra tetrad ricam en te rodeado de otros tom os do carbono
(fig. 2 .8 ) y el ngulo a entre dos enlaces vecinos es do aproxim ada
m ente 109.
E l estudio c u a n tita tiv o de las fuerzas covalentes do enlace es
muy com plejo a causa de que en las interacciones de los tom os el
m ovim iento de los electrones sufre v ariaciones rad icales, en com pa
racin con su m ovim iento en los tom os aislados, las cuales son
im posibles de d escribir partiendo de las representaciones clsicas
o rd in arias y os necesario recurrir a las de la m ecnica cu ntica.
P ara que pueda com prenderse la esencia del enlace covalenle
vamos a lim ita rn o s a considerar el m ecanism o de form acin de la

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Hig. 2 .7 . Hcprcsenlacin esquemtica de

los cnlncos qo la estructura dol diaman
te (a) y en la molcula de hidrgeno
>1, (b).
raba tomo <Jc carbono to ni mineo cuatro
elertronoH de vok'iiCin. En ln molcula ilc
hidrgeno enda fllomu le hidrgeno da al colacc
no electrn y ol onlacc rosoli a localizado

Fig. 2.8 . Disposicin tctrad ric

de los tom os do carbono en la es
tructura del diam ante. Las tlechi
tas indican las direcciones de In
tercainbio de electrones

molcula de hidrgeno H- cuando reaccionan dos tomos de est

elem ento.
"
E l tomo do liidrgono on estado aislado tione en su capa exterio
l s 1 un electrn, de manera quo le a lta un electrn para tener la cap
totalm ente llena como el gas inerte ms prximo a l, el helio. A
aproximar paulatinam ente dos tomos de hidrgeno es posible qu
sus capas electrnicas se superpongan y que el electrn del prime
tomo pase al segundo y el del segundo, al primero. La superposicii
puede producirse sin quo los electrones pasen a niveles de energ.
ins elevados, porque las capas electrnicas no estn lionas del tody el principio de exclusin do l'an li no prohbe osla .superposicin
Si la enorga dol sistem a de los dos tomos que reaccionan sopor
ponindose es menor quo la energa dol sistem a en el cual los tomo
estn aislados (es decir, se encuentran a una d istancia relativ am cn t
grande uno do otro), a expensas de la superposicin pueden surgi
fuerzas de atraccin que, si los tomos se siguen aproxim ando, sol
sustituidas por las fuerzas, rpidamente crecientes, de repulsin d'
los ncleos. A ciorta distancia entre los ncleos, correspondiente a 1
enorga mnima del sistem a, las fuerzas de atraccin se equilibra]
con las de repulsin y se forma la molcula H2, cuya capa electro
nica es sem ejante a la del gas inerte helio. E n esta molcula no ha;
tomos do hidrgeno, en ella slo estn las partes correspondiente
n dichos tomos, dos protones y dos electrones. Los oleotronos qu>
entraban on |a composicin de los tomos separados se conviertei
en comunes do los dos ncleos o, como suele decirse, son colectivi
zades o socializados por amlms tomos. En estas condiciones, com

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2.5. Cristales covalentos

87

los eleotronos son exactam ente iguales, al intercam biar sus lugares
1 ('simio tlcl .sisLoum no vnrin.
Desdo el punto de vista mucuiiocunlico ol coinporlniuioiilu de los
electrones do valencia en los tomos se describe por la funcin de
onda ip (r), en la que r es la distancia desde el centro del ncleo hasta
ol sitio en quo se eiicuontra ol electrn.
Consideremos dos tomos aislados a y , el com portam iento de
cuyos electrones de valencia viene doscrito por las respectivas fun
ciones de onda ipa y i|v Supongamos que en un estado aislado Sa
es la energa del tomo a y &,, la energa del tomo b, de manera
que %a + <?(, es la energa de este sistema. Al aproximarse los to
mos hasta una distancia del orden do la suma do sus radios atmicos
comienzan a superponerse considorablemento las funciones de onda
de los tomos que riteraccionan. Cuando los electrones de valencia
se encuentran en el espacio internuclear, los campos elctricos que
actan por parte de los tomos son aproximadamente iguales y resulta
posiblo lu socializacin# de los electrones de valencia, que ahora
so mueven en el campo de ambos tomos.
E l comportamiento de los electrones socializados se describe por
la llam ada juncin de onda molecular ip, la cual tiene los rasgos de las
funciones de onda no perturbadas ipa y t iv
P ara resolver ol probloma del comportamiento de los electrones
colectivizados consideraremos los estados estacionarios del sistem a:
que describe la ecuacin de Schrdinger, en que no figura el tiempo,
//ip = gip,

(2.38)

on la que 11 K -I- U os el operador de Ilam ilto n ; A', el operador

de la onorga cin tica; (J, la onergia potencial del sistem a, y
la energa total del sistem a.
La molcula de una substancia consta, en la mayora de los casos,
de varios oloctrones y varios ncleos atmicos, por lo que el operador
de la energa cintica consta de dos partes: una parto correspondo
a la en orga cintica del movimiento de los ncleos, y otra, a la
energa cin tica del movimiento de los electrones. La energa poten
c ia l del sistem a es igual a su energa electrosttica total o global.
Cuando se estudia el movimiento de sistem as de ms de dos part
culas, la solucin do la ecuacin de Schrdinger slo puede ser apro
xim ada. Como la masa de los ncleos es mucho mayor que la de los
electrones, en la molcula los primeros se mueven con mayor len ti
tud que los segundos, lo que da la posibilidad de describir aproxi
madamente el movimiento de los ncleos y de los electrones por
separado.

La. suposicin de que la velocidad del movimiento de los ncleos es

pequea, perm ite om itir en prim era aproximacin, cu (2.38), el opera
dor de sus energas cinticas y considerar las coordenadas de los ncleos

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88

Cap. 2. Interacciones entre loa tomos

como parm etros fijos. Jisla descripcin del com portam iento del sislen
rccil/c e l nombre de aproxim acin ad iab tica (He esto trata ms detall
llm enlo ol cap. 7).
Con las suposiciones hechas, en las ecuaciones de Schroding
para las m olculas y los c rista les pueden conservarse solam ente l<
trm inos quo so refieren n la parlo electrn ica. R espectivam ente .
sim p lifica tam bin la funcin do onda m olecular, la cual slo se:
funcin do las coordenadas do los oloctroncs:
(2.3
t = 'l' (* 1. Vi, *i.
1/2. zs. < )
Muchos mtodos aproxim ados do solucin de la ecuacin de Schn
dinger se apoyan en el llam ado prin cip io de variacin. La esen cial
esto principio vamos a e x p licarla, en rasgos gonoralos, por med
de un ejem plo del mtodo de los orbitales m oleculares.
Ambos m iem bros de la ecuacin (2.38) se m u ltip lican por 1
funcin de onda conjugada com pleja i|)*. Integrando respecto de tod
el volumen, so obtiene

(2.4(
V
E n (2.40) el b am iltoiiiano del sistem a { so conoce, y para calcula
la energa hay que conocer la funcin de onda tj>. L a form a exacta d
osta funcin no so puedo h allar resolviendo d irectam ente la ecuaci)
do Schrodinger, por lo que de ordinario se eligen los valores apro
xim ados do la funcin do onda m olecular partiendo de Lis condicio
nos fsicas genralos del problem a. La m ejor funcin de onda apro
xim nda de la clase de funciones dada ser la correspondiente a
valor m nim o do la energa del sistem a, determ inado por ia fr
mua (2.40).
Como funcin de onda m olecular i|> elegim os la funcin de ond
que describe el m ovim iento de un electrn en el campo comn di
dos tom os a y . De ejem plo puede servir el ion m olecular del hidr
geno I I E s t a funcin de onda se llam a orbital m olecular OM. Par
una m olcula unidim ensional el OM es una com binacin lin eal di
los orbitales atm icos (CLOA) de los tom os aislados:
ij) = Cai|> + C(,!]>,, = N (tj>a +

N Ca\ A. = CbICa,

(2.41)

donde ij>a y ij>, son las funciones de onda de los tom os no perturba
das; Ca y Cb, unos coeficientes con stan tes que caracterizan la parte
quo tom an on la funcin do onda m olecular cada una da las rbitas
atm icas. De la condicin de norm alizacin do la funcin do onda
(2 .4 2 )
v

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2.5. Cristales covalontos

89

hallamos
C
donde 5 = 1

| ty V V

| 1%

l,

do es lu integral de la superposicin, que carnc-

teriza el grado de superposicin de las funciones de onda do los to

mos en la interaccin. Por lo general S < 1.
Poniendo en (2.40) la funcin de onda m olecular (2.41), obtenemos
para la energa del sistema la expresin

C l S . + X l A+ ClBb

C l+ -C aC iS + C l

en la que

Ea |

do,

Eb -

do

(2 .4 5 )

corresponden a las energas de interaccin electrosttica coulomhiana

do los olectronos con los ncloos, de los electrones entro s y do los
ncleos entro s (E a, E b < 0) y

A -- j H/Vifc d o = j

do

(2.40)

es la integral de canje que representa la energa de internecin

adicional, quo surge u consecuencia de la redistribucin do la den
sidad electrnica al superponerse los funciones do onda atm icas.
Aqu, por el signo A < 0 , y por cl mdulo |A |> |E a |, |E b |. La
igualdad (2.46) os correcta en virtud de la autoconjugacin del oporador I I (operador herm tico).
E l valor mnimo do la energa lo hallamos por la variacin de &
(2.44) respecto de los parmetros Ca y Cb:
J L

, 0.

- g - 0 .

(2.47)

La variacin llova a un sistem a de ecuaciones lineales respecto de

los coeficientes Ca y Cb:

(E a E) Ca + (A E S ) C = 0,
(A -

E S) Ca + (E b ~ E ) C b = 0,

(2.48)

en el que E es el valor que se busca do la energa del sistema.

E l sistem a do ecuaciones (2.48) tiene soluciones no triviales si
el determinante

(E a- E ) ( A - E S )
( A - E S ) {Eb- E )

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= 0.

(2.49)

Ciip. 2. Interacciones entro los tomos

90

Do aqu

oblimctuos la ecuacin co la cual puede determ inarse E:

(/' - /) (tf -

A,,) -

(A _ /-;.sy - o.

(2 .r,0 )

i'a ra ol caso do una m olcula sim trica biatm ica (E a

E ).
Designando X - C J C n, do la ecuacin (2.48) bollam os que X* = 1
bion X
d rt. 101 valor X
-| 1 correspondo a un funcin do onda
sim trica [vase (2.41)]
S i m = t a + ti,-

( 2 -5 1)

151 valor X = 1 corresponde a una funcin de onda anlisim trca

= to -

til-

(2 -52)

A las dos funciones propias (2.51) y (2.52) corresponden dos valores

do la energa;

E t ~ \ in = &

(2.53)

De los resultados obtenidos se infieren dos conclusiones impor

tantes.
1. Al aproxim arse los tomos y superponerse sus funciones do
onda se prodneo la escisin del nivel de energa = E b en dos
niveles de energa m oleculares U,lm y (7,u. Con esto, debido a que
S < t y A < 0, el nivel l/ slm desciende y el t/anl se oleva respecto
del nivel de energa inicial en estado aislado a = E b (fig. 2.9).
E l descenso del nivel f/slm corresponde a la aparicin de las
fuerzas do atraccin. Como \A | > | E a |, el descenso do este nivel
so debe, fundam entalm ente, a la integral de can je A , por lo que
estas fuerzas de atraccin se llam an do canje o de intercam bio.
2. E l descenso de la energa f/51, est relacionado con la elevacin

de la densidad electrnica enlre los ncleos de los tomos que inleraccion an , debida a la considerable redistribucin de dicha densidad en com
paracin con las que existen en los tomos aislados. E sto es fcil de
establecer, ya quo la densidad electrnica es proporcional a |t|> PE n el caso del descenso de la energa, la densidad electrnica es pro
porcional a
= (il)0 - f t')" = t a + 2i|>i|!, + i$. De aqu vemos
que en el espacio enlre los ncleos la densidad electrnica se eleva
en com paracin con la densidad to ta l que podra obtenerse de la
sim ple suma de las densidades en
-Ujt
los atoraos aislados. E n el astado
excitad o /anV la densidad electr-tW
nica i $ nt - ('[>,. % ) dism inuye
considornblomonto on ol espacio
entre los ncleos, y si los tom os son
dos Alomas " y h

nucios rosnllnn monos

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npam alm -

2.5. C ristales covnlentcs

9t

dos por los elertro n es y la s fuerzas do repulsin entre ellos superan

o las fuerzas iln nlrmu'in. 1 .11 niidriiln 110 se furnia.
Cuando se estu d ia la m olcula 11 ^ real, so prosenta una d ificu ltad
m s, debida a que hay quo resolver cl problem a no con un electrn,
sin o con dos electrones. E n este coso hay que tenor on cuenta el
prin cip io de oxclusin do P a u li. Al estado fundam ental de la m ol
c u la I I 2 (de atracci n ) responde, de acuerdo con este prin cip io, la
u bicacin de am bos electrones en el nivel de energa m s b a jo , con
los esp ines orientados en sontidos opuestos, com o so m u estra on la
fig. 2.9. E n el estado Unnt los ospines deben ser paralelos, lo que
con trad ico el princip io do P a u li.
L a donsidad electr n ica en o) espacio iiilernuctcnr do la m olcula
do hidrgeno es mucho m ayor que en ol hidrgeno m olecu lar. Jisto
con du ce a quo la d ista n cia entro los ncleos 1 a = 1 ,38a0 = 0 ,0 7 4 nm
(a = 0 ,0 5 3 nm es el rad io de la rb ita de Dolir) on ol |-l2 resulta ser
menor que r ,r = 2 a n = 0 ,1 0 6 nm en el H*. R esp ectiv am ente, la
en erg a de d iso ciacin de la m olcula I l 2, igual a 4 ,7 2 oV, es aproxi
m ad am ente dos veces m ayor qne la energa do disociacin del M
(2 ,6 4 eV ).
Pasando do la m olcula de hidrgeno a los c rista le s, ad vertim os:

la p ecu liarid ad caracterstica fu n dam en tal de los cristales covalentes

ce que el nmero de enlaces covalentes que genera cada tiloma con sus
vecinos es igu al a la can tidad de electrones exteriores no em parejados
d el tom o en estado libre o en estado excitado de valencia. En este sen
tido el enlaco cov n len tc es saturad o. E l hecho es quo los tom os pue
den d uran te la interaccin e x c ita rse uno n otro y producir cl desemp arejam ien to de los electro nes, es d ecir, hacer que uno de los elec
trones em pnrejados paso a un nivel do energa 110 ocupado en la
c e ld illa lib re. A s, por ejem p lo , la estructura del tipo deld iam ante
en los elem entos del grupo IV , con cuatro electrones exterio res de
v alen cia stp t (d iam an te, S i, G e, S n -a ), surge a causa del paso de un
electrn s al estado p (fig. 2.1 0 ).
Cuando in tcraccio n an tom os de
carbo n o, uno de los oloctronos 2s
\\ [ T * +
pasa a una celd a 2 p libro y ya en
1s2
2s>
2p*
la s capas exterio res del carbono se
a)
tienen cu atro electrones no em pa
rejados. Como resultado de la e x c i
E l I* 1 \ 1
taci n m u tu a, los cu atro electron es
se desplazan de sus rb ita s y ocu )'
v '-hbrido
pan los o rb ita le s m ix to s o h b rib>
dos. E ste fenm eno se conoce con el p. 2 . i0 . D istrib u ci n d8 los elecnombro de h ibridacin de los c le r- lr 0 ,.s lo valencia yor los o rb itn trones s y />.
les on ol carbono:
En los com puostos de cslru ca. capa Icctrinka del Alomo de carbo.
,
, ,
.
no en oslado libre. normal; b. en estado
tu ra sem ejan te a la del d iam ante
excitado

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92

Cap. 2. Interneciones en tre los tom os

( e s f a l o r i t a , w u r z ita ) la f o r m a c i n d e lo s c u a t r o e n la c e s r e q u ie r e el
p a so do u n o a tr e s e l e c t r o n e s do l o s e le m e n t o s d o lo s g r u p o s V V i l
u lo s o le e n u ile s d e lo s g r u p o s I I I I . MI p u so d o lo s e l e c t r o n e s y la
p o la r iz a c i n c o n d u c e n a la a p a r ic i n d e c a r g a s e f ic a c e s en lo s t o m o s ,
p o r lu <|uu a la c o m p o n e n t e e n v a le n t o su s u m a u n a c o m p o n e n t e
i n ic a p e q u e a .
P a r a t e r m i n a r s u b r a y a r e m o s q u e el r a s g o c a r a c t e r s t i c o d e l e n la c o
c o v a l e n t c e s su f u e r t e d i r e c c i o n a l id a d en ol e s p a c io , e s d e c i r , que. so
fo r n ta en a q u e l l a s d i r e c c i o n e s e n l a s c u a l e s s e l o c a l i z a l a d e n s id a d
e l e c t r n i c a . A c a u s a d e l a d i r e c c i o n a l id a d d e l o n la c e , lo s c r i s t a l e s
e n v a l e n t e s p o see n g r a n d u re z a y f r a g i l id a d .

2.6. M etales
Los slidos m etlico s, a d iferencia de otros tipos de slid o s,
poseen una serie de peculiaridades interesantes. E n tre estas p articu
laridades debe in clu irse su alta conductividad elctrica, el b rillo
m etlico , debido al gran coeicicn to do reflexin de las ondas electro
m agnticas, su gran p lasticid ad (m aleabilid ad ), etc. L a con d u ctiv i
dad e lctrica de los m etales a la tem peratura am biente es de 10
a 10 6 f i _1- m * 1, m ien tras que los no m etales tp ico s, como, por ejem
plo, el cuarzo, conducen la corriente e lctrica 10?4 veces peor, aproxi
m ad am en te, que el m etal tp ico , 1a p lata. P ara los m etales es carac
terstico el aum ento do la conductividad a) descender la tem peratura.
Do los 103 elem entos de Ja tab la de M cndelciev, 19 no son m etales.
Las propiedades especficas m encionadas se deben esencialm ente
a la existen cia do electrones libres en los m etales. E l enlace m etlico
se produce cuando interaccionan tomos de los elem entos electropositivos ,

cupos electrones exteriores de valencia estn dbilm en te ligados con el

ncleo. Al form arse el estado slido, como resultado do la superpo
sicin de las funciono do onda de los tom os m etlicos (por ejem p lo,
tom os Na) el m ovim iento do los electrones, com o en ol caso de los
enlaces cov alentcs, sufre una variacin rad ical y los electrones se
socializan. Con esto coda par de electrones vecinos preferira for
m ar una m olcula, para as d ividirse entre dos tom os. Pero cada
tom o Na on estado slido tiene en prom edio ocho vecinos y slo
un electrn do v alen cia que debe ser com partido con cada uno de
estos tom os adyacentes. A diferencia del caso del enlace cov alen te,
en ol cual cada par de electrones, en lo fu n d am ental, tran sita entre
dos tom os vecinos, ni electrn colectivizado tien e que recorrer
en el m etal un cam ino bastan te com p lejo , v isitando sucesivam ente
cada tom o (ion positivo) del slido. E n la situ acin quo describim os
todos los iones poseen en com n lodos Jos electrones y stos pueden
desplazarse librem en te de un ion a otro.
A s, pues, en el m etal, los electrones exteriores de valencia de los
tom os estn colectivizados i/ / orinan un gas o ltjuido que lleno el

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2.C. Molidos

93

esp acio interinico. Los iones , cargados positivam ente, son oprim idos
p o r e l gm s e l c e t r n i n i , e tir g tn lo tf'g tilirti/ittf t c , e n e l c r i s t a l . On lo d i c h o

so deduce <1no el enliicu en la red del m etal su produce a causa du la

in te racci n do los iones p ositiv os con o) gas electr n ico.
Cuando so ca lcu la la energa de cohesin en los c rista les m etlicos
hay que tom ar en consid eracin las interacciones siguientes: de
los restos at m ico s entre s , de stos con los electrones colectiv iza
dos y de los electro n es colectivizados entro s.

L a interaccin de los restos atm icos positivos entre s no se reduce

a su repulsin m ulita, sino que consiste tam bin en la superposicin
d e sus capas electrnicas exteriores, que conduce a la form acin de enluces
d e valencia. Precisam ente esta superposicin cs la que perm ite ex p licar
la form acin de tal o cu al tipo de estructuras cristalinas.
P a ra v alo rar en grosso modo la onorga de cohesin de los m etales
alca lin o s suele em plearse el m odelo inico. Segn osle modelo, los
iones con carga p ositiv a, que se consideran puntuales, se encuentran
on los nudos do la rod c rista lin a y los electrones colectivizados
estn uniform em ente d istribu id os entre los iones. La energa de cohe
sin del c ris ta l m etlico on este modelo se puede ca lcu la r valindose
de los m todos utilizad os para ca lcu la r la energa de cohesin en los
c ris ta le s inicos.
Como m uestran los clcu lo s, la onorgia do la atracci n coulom b ian a, correspondiente a nn tom o, entro los iones positivos y los
electro nes, cargados neg ativ am ente, para los m etales alcalin o s, que
cris ta liz a n segn el tipo de red c bica centrad a en el cuerpo, puede
representarse en la form a siguiente (en eV/tomo):

' - - S S r

(2-54)

A qu a 0 = 0 ,5 2 9 - 1 0 '10 m es el radio de B o h r; r , = [3/ (4n n )l''3,

e l rad io de la esfera cuyo volum en es igual a l que corresponde a un
e lectr n colectivizado; n = N !V , la con cen tracin de estos elec
trones.
En e q u ilib rio , la s fuerzas do a tracci n deben e star com pensadas
por las de repu lsin. E n los m etales las fuerzas de repulsin estn
relacion ad as, p rin cip alm en te, con el m ovim iento de los electrones
colectivizados, quo crean dentro dol m etal c ie rta presin. L a presin
interna croada por los electrones se debe a su energa c in tic a , por
lo que, evid entem ente, la atraccin (2 .5 4 ) debe e q u ilib rar dicha ener
g a c in tic a de los electrones.
Como los m etales a lcalin o s m onovalentes tienen un electrn
de v alen cia por cada tom o, en este caso la energa cin tica media
del electrn (en cV/tomo) ser:
3

30.1

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55)

Cnp. 2. fnteraccionos entro los .Hornos

donde la energa de F erm (vase el cap. 6) es

/

;J , 'i.. . vi,a

'ln, (,,n " )

!*
1
I yn i -/:l
2m (rt/a0y- oj ( 4 )
*

Ademis do Un y I en ln frmula de la energa del cristal dol)

tam bin tenerse en cuenta la interaccin electrn-electrn , condi
cionada por los efectos de intercam bio (en eV/tomo):
Ut =

(rs/ao)

(2 .5 0

Kn defitiitivii la jrm nla de la energa del m etal a lcalin a , expresad)

en eV/lomo, se escribe como la suma de tres trm inos (2.54), (2.55
V (2.5G);
<2 -57
)n eq u ilib rio , de (2.57) se obtiene quo r /a 0 1,6.
Los valores de r j a a que so observan experim entalm ente para lo:
m etales alcalinos varan de 2 a 6 , es decir, difieren bastan te de lo
calculad os. E sta discrepancia so debo a que el modelo inico del
m etal es demasiado burdo para que con l pueda esperarse una buena
concordancia con el experim ento. Sin em bargo, la representacin
de la estructura del m etal como un esqueleto de iones sumergido en
el g.-is electrnico, que compensa las fuerzas do repulsin entre las
iones y los enlaza en el c rista l, refleja con suficiente exactitu d la
situacin real.
Eii el m etal los electrones libres determ inan no slo las propieda
des elctricas y otras, sino tam bin la estructura c ristalin a. L a exis
tencia de los electrones libres condiciona el carcter no dirigido y no
saturado de) enlace m etlico . La m ayora de los m etales cristalizan
en estructuras que responden ol em paquetam iento de esferos ms
com pacto de los tom os con nmeros do coordinacin m xim os,
iguales a 12 (red cbica centrada en las caras y hexagonal densa).
Una serie de m etales cristalizan tam bin en form as sim ples de estruc
turas cbicas centradas en el cuerpo con nmero de coordinacin 8.
Un mismo elem ento, en dependencia de las condiciones exteriores,
puede c ristalizar en forma de estructuras d istin tas (fenmeno del
polim orfism o). Por ejem plo, el L i y el Na a b ajas tem peraturas forman
la red hexagonal do em paquetam iento denso, y a la tem peratura
am biente, la red cbica centrada en el cuerpo. En la p rctica son
muchos los m etales quo tienen la propiedad del polim orfism o.
E n dopendencia do ln cslructurn crista lin a , un mismo elem ento
puedo ser m olnl, sem iconductor o d ielctrico. P or ejem plo, se sali
quo el estao blanco es m etal y el gris, sem iconductor; el carbono, en

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2.B. M etales

95

form a de d iam ante, es d ielctrico y, en forma de grafito, m anifiesta

pro piedad os m etlicas.
lJ ara term in ar sealarem os que cierto s rasgos do los enlaces cova
len tes y m oleculares pueden descubrirse tam bin en los m etales,
sobre todo en los preciosos (Au, Ag y otros), en cuyos tom os Jas
capas d estn ligadas no muy fuertem ente con el ncleo y por eso,
en las interacciones, experim entan deform aciones considerables.

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Captulo 3

D efecto s en los slidos

Los c rista les reales se d iferencian del m odelo p ero d o o idealizad

por la e x iste n cia en olios de num erosas infraccion es do la dispnsici
regular de los tom os. T od a d esviacin de la e stru ctu ra peridic
de un c ris ta l so llam a defecto. Los defectos do la ostructura ejerce
una in flu en cia aprociablo, y a voces d eterm in an te, en la s propiedad*
do los slidos. Son propiedades sen sibles a la e stru ctu ra, es decii
dependientes do los d efectos do la o stru ctu ra, la conducU bitidn
e l c tric a , Ja fo toco n d u ctivid ad , la lu m in isce n cia , la resistenci
m ecn ica y la p lasticid ad , ol c o lo r de los c ris ta le s , ole. L os proceso
de d ifu sin, do crecim ien to do los crista le s, de re crista liz a ci n y un
serie do otros so pueden e x p lica r sa tisfa cto ria m e n te partiend o do 1
suposicin de que dopeudon du los dofoctos. E n la actu alid ad nece
sitan inform aciones fun dam entales sobre los d efectos no slo lo
fsico s, sino tam bin los diseadores y creadores de ap aratos basado,
en los slidos, los quo so dedican a la o b ten cin do m onocrislale:
perfectos y otros esp ecialistas.

3.1. C la sifica ci n de lo s d efectos

L a c la sific a ci n de los d efectos se re a liz a de o rd in ario por rasgo:
puram ente geom tricos, a sab er: por el nm ero de dim ensiones er
las cuales la s alteracio n es de la estru ctu ra del c ris ta l se extienden
a d istan cias m ayores que el parm etro c a ra cte rstico de la red. Sf
distinguen cu atro clases de defectos.
L os defectos puntuales (de dim ensin n u la) son aq u ello s en quo,
com o su nom bre in d ica, la in fracci n de la e stru ctu ra est localizad a
en puntos aislad os dol c ris ta l. L a m agnitud do estos d efectos on las
tres dim ensiones no supera una o v arias d ista n c ia s n te rat m icas.
A los defectos puntuales pertenecon los huecos o vacancias (nudos
vacos do la red c ris ta lin a *), los tom os in te rs tic ia le s, los tom os de
') Su brayam os una voz m s que red crista lin a y ostructura c rista lin a sou
concoptos d istin to s. E l nudo do la red no tie n e que c o in c id ir necesariam ente
con un Atomo del c ris ta l; lo nicam ente necosario es la identid ad on la dispo
sici n do los lluinos alred ed or del m ulo. No nhstnnto, cuando so describen los
dotoclos, o considera generalm ente, para sim p lifica r, quo los nudos de la red
coin cid en con las p artcu la s m ateriales.

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3.2. Defectos trm icos puntuales

97

impureza en los nudos o en los intersticios y las com binaciones im pu

reza liueco, im puroza impureza, liuocos dobles y triplos, etc.
Los defectos lineales (unidim ensionales) so caracterizan en quo
las alteraciones do la periodicidad so exliondon on una dimensin
hasta d istancias mucho m ayores quo ol parmotro de la rod, m ientras
que en las otras dos dim ensiones no superan varios parm otros.
Son defoclos lineales las dislocaciones. Tam bin pueden form arse
defectos lineales inestables constituid os por cadenas de defectos
puntuales.
Los defectos superficiales (bidlm cnsionales) llonen en dos dim en
siones magnitudes mucho mayores que el parm etro de la red, y en
la tercera no superan varios parm etros de la mism a.
Los lm ites de los granos y m aclas, los defectos de em paqueta
m iento, los lraitos entre fasos, las paredes de los dom inios y las
superficies del c rista l son defectos bidimensionales.
Los defectos espaciales (tridim ensionales) son vacos m icroscpi
cos e inclusiones de otra fase. So producen por lo general durante el
crecim ionto de los cristales o como resultado de ciertas acciones
sobre el c rista l. A s, por ejem plo, la presencia de una gran cantidad
de impurezas en la masa fundida que se cristaliza puedo ocasionar
la precip itacin de partculas grandes de la segunda fase.
Los defectos bidim ensionales tam bin pueden originarse a causa
de la existen cia de impurezas en la masa fundida.
Las dislocaciones pueden surgir a consecuencia de deform aciones
plsticas del cristal en el proceso de crecim iento o durante tra ta
mientos posteriores.
Los defectos puntuales pueden aparecer en los slidos por ca le n ta
miento (defectos trmicos), por irradiacin con partculas rpidas
(defectos por irradiacin), por desviacin de la composicin qum ica
del cuerpo de la ostequiom etra (defectos estequiomtricos) y por defor
macin p lstica.

3.2. D efectos trm icos puntuales

E l mecanism o por el que sufgen los defectos puntuales en equi
lib rio term odinm ico lo propuso por primera vez el cien tfico sovi
tico Y a . Frenkel. Las representaciones introducidas por l son sim
ples y com prensibles.
En fsica es bien conocido el fenmeno de la sublim acin o vapo
rizacin de los slidos. Sobre la superficie de los slidos, lo mismo
que sobre la de los lquidos, siompre hay vapor constituido por
tomos de la substancia dada. Los tomos que forman la capa super
ficial del cristal pueden por calentam ien to adquirir la onergia cin
tica nocosarin para tlosprondorso do la superficie y pasar al espacio
circundante. Frenkel supuso que podan desprenderse no slo los
tomos superficiales, sino tam bin los que se hallan dentro dol cris701 147

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98

Gap. 3. D efectos en I03 Blidos

tn '
e ^c c lo > c'e acuerdo con
los princip ios fu n d am entales de la
fsic a e sta d s tic a , incluso en ol caso
en <l'*e la energa cin tic a m edia
*os tom os es muy pequea, e n
O
O O O
O O
l s c rista le s siem pre se encu entra
..
c ie rta can tid ad do tom os cuya enor^ ^
^
ga c in tic a puede ser m uy grand e;
en este caso, de acuerdo con e l
Fig. 3.1. Defecto do Frenkel
c a r cte r p ro b a b ilstico de este fen
m eno, cu alq u ie r tom o del c ris ta l
en un
in stan te o en otro puede
ad q u irir tina energa m ucho m ayor que la c in tic a m edia de los to
mos d el c ris ta l. E ste tom o puede abandonar su psicin de equi
lib rio , es decir, el nudo do la red. T raslad nd o se por el c ris ta l y tran s
m itiendo su energa a los dem s tom os, l acabar ocupando una
nuova posicin de e q u ilib rio . S i todos los nudos m s prxim os de l a
red estn ocupados, este tom o slo puede a lo ja rse en un in te rs tic io .
E l nudo que queda v aco se lla m a hueco o v a ca n cia . Los d efecto s
puntuales en form a de con ju n to s de tom os alo jad o s en in te rs tic io s
y do huecos reciben el nom bre de defectos de F ren kel (fig. 3 .1 ).
L os defectos em parejados de Frenkel aparecen con m ayor f a c ili
dad en los c ris ta le s con espacios grandes en tre los tom os que en los.
de em p aqu etam ien to denso. E n estos ltim o s, sim p lem en te, no h a y
sitio para los tom os in te rs tic ia le s. So n ejem p los de c rista les d el
p rim er tip o los que tien en la estru ctu ra del d iam an te y de la sal
gem a, m ie n tras quo de c rista le s del segundo tip o , los m etales con
em p aqu etam ien to denso. A s. por ejem p lo , es poco probable en co n tra r
en con d iciones norm ales tom os in te rs tic ia le s en lo s m etales con
red c b ica cen trad a en la s caras. E l nico tip o de tom os in te rs ti
cia le s on este caso es el de los pequeos to m os de im purezas talescorno las de boro, carbono o nitrgeno.
E n la red c b ica cen trad a en las caras estos tom os ocupan lo s
in te rsticio s to trad rico s estrech sim o s del tipo (1/4, 1/4, 1/4) o los
de los octad ricos, algo m s espaciosos, del tip o (1/2, 1/2, 1/2)
(fig. 3 .2 ).
E n la red c b ica cen trad a en el cuerpo e xisten in te rs tic io s con
sim e tra tetrad rica del tip o (1/2, 1/4, 0) y tam b i n otros, un poco,
m s holgados, del tip o (1/2, 1/2, 0) y los eq u iv alen tes a ello s del
tipo (1/2, O, 0) (fig. 3 .3 ).
Los sem icond u ctores con estru ctu ra del d iam an te, de la w u rzita,
de la blenda y de o tra s prxim as a ello s, son re la tiv a m e n te porosos.
E n tro los tom o s tienen grandes esp acios v aco s en los cuales pueden,
nlojnrso con facilid ad tom os in te rs tic ia le s. Los in te rs tic io s en Itv
estru ctu ra del d iam an te tienen entorno tetrad rico . Su disposicin,
puede verse en la fig. 3 .4 .
O O '.X Q O O
/-\ s-\ s-s ( \ ( ~ ) r\

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3.2. Uofectos trm icos puntuales

Fig . 3 .2 . D isposicin de los in te rslicios en la red cbica centrad a en las

caras:
X , tetrndricos; C,octadricos

!)9

Fig. 1.3. D isposicin do los in te rsti

cios en la red cbica centrada en el
cuerpo:
X^ tetradricos;

J,

octadricos

P o r la posibilid ad rio a lo ja r tomos in tersticiales, las estructuras

con enlace inico ocupan una posicin interm edia entre los m etales,
con e m p aq u etam ien to denso, y los sem iconductores, con enlace cova
len te. A pesar de que la geom etra de su red d eja cierto espacio para
los iones, es frecuente que stos se diferencien mucho por su volumen
y, com o resu ltad o , se ob tien e un em paquetam iento b astan te denso.
P or eso la probabilid ad de q n e aparezcan tom os in te rstic ia le s on
los com puestos inicos vara mucho de una su bstancia a o tra.
A dem s do los d efectos em parejados de Frcn ko l, en los rristo lo s
e x iste n tam bin defectos puntuales so litario s, huecos, que estudi
por prim era vez. W . S c h o ltk y (fig. 3 .5 ).
Los defectos de S ch o ltk y se encuentran de ordinario en los cristales
con em p aqu etam ien to denso de los tom os, en los cuales la form acin
de tom os in te rs tic ia le s es d ifc il y en ergticam ente no conveniente.
E l proceso de form acin de los defectos en un c rista l do esto tip o
puede tran scu rrir com o sigue. A lgunos tom os de la capa prxim a

Fig. 3 .4 . D isposicin do los in te r sti

c io s tolrud ricos en lu estru ctu ra dol
d iam an te:
X* Intersticio; O , Atomo

F ig . 3 .5 . P o lccto do S clio tty

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Ciip. 3. Oofocloa en los slidos

a la superficie, on virlud dol m ovim iento trm ico pueden results

on oslado do ilisiiciiicin pard al, os docir, puodon s a lir dol c.ristf
a la superficie (fig. 3 .5 ). E l hueco as formado em igra despus pe
dentro del volumen del cristal.
La form acin do los defectos de S ch o ttk y hace que dism inuya 1
densidad dol cristal, ya quo su volumen aum enta y la masa se mar
tieuo constante. Guando se forman los defectos de Frenkel la densida
no v ara, porque el volumen del cristal no cam bia. Las modicioiiE
do las densidades rcvolan que, por ejem plo, para los cristales de lo
halnros alcalinos puros los defectos predominantes son los de S ch o ltk
y para los cristales do los linluros de pinta, los defoctos de Frenkel

3.3.
Concentracin
to defectos puntuales en equilibrio
L a form acin de los defectos puntuales requiore un gasto de onor
ga considorablo. E sta enorga est en dependencia directa d ela re sis
tencia mocnica do los enlaces qum icos y os proporcional a la ener
ga de onlaco on el cristal. A s, para que se creo un hueco en un crista
de germanio o de silicio hay quo romper cuatro enlaces cov alcn les
Los clculos muestran que la energa de form acin del hueco en e
germanio es igual aproxim adam ente a 3 , 2 -1 0 -19 J (2 eV ), y en e
silicio , a 3 ,7 - 1 0 _1# J (2,3 eV ). S in em bargo, y a pesar de oso, a tom
peraturas relativam en te altas resulta energticam ente convcnionti
la oxistoncia de defectos. E s el caso que, la introduccin de defocto:
no slo aum enta la energa interna del c rista l, sino que tam bic
aumenta su entropa. Por oso, para una tem peratura torinodin
mica T dada, la energa lib re F E TS es m nim a para un
determ inada concentracin do defectos. E sta ltim a est determ inad!
por el balance de las com ponentes energtica y entrpica de F.
E n ol caso goneral, ol cristal tiene defectos de Frenkol y defecto:
de S ch o ttk y . Pero predominan las infracciones para cuya formacin
se roquioro monas onorga.
Supongamos quo hay un slo tipo do defectos, por ejem plo, dofectos do Fronkol. Consideremos tam bin que: t ) el volumen del c rista l
no depende de la tem peratura; 2) los defectos no dependen uno de
o tro ; 3) la frecuencia de los vibraciones de los tom os en la red no
depende de la existen cia de los huecos o do los tom os in tersticiales.
Designemos por E f t a la energa de form acin de los pares de Fren
kel y por /V i/ ' , al nmoro de tom os e in tersticio s que hay en el
cristal.
Supongamos quo, a una tem peratura term odinm ica determ inada
T, de los nudos a los in tersticio s posan n tom os y, por consignionto,
se produco un nmoro igual do huecos. La form acin de estos defectos
va acompaada do una desordenacin en la disposicin de los tomos

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3.3. Concontracin do defectos pu ntuales en oquililirio

101

en e l c r is ta l y ocasiona un aum ento do la en tro p a S del c ris ta l:

S -

/. Iii II'.

(3.1)

domlo k\\ es la ro n sla n te de lo ltzin an n y IF, la p ro b a b ilid a d term o

d in m ica, qno representa el nm ero de p rocedim ientos por los cuales
se puedo re a liz a r el estad o del siste m a . Kn la teora de los defectos
p u n tu ales esta e n tro p a suele llam arse de con fig u raci n , pori|uB
depende de la re d istrib u ci n de los tom os en el slid o . E l nmero
de p ro ced im ien tos por los cu ales n huecos pueden d istrib u irse entre
N nudos se d eterm ina por la expresin

W ~ (N ~ )! n! *

( 3 2 )

A n logam en te escrib im o s el nm ero de procedim ientos por los cu ales

n tom o s pueden d istrib u irse en tre N' in te rsticio s
r---a r" V ,| .

H .3 )

E l aum ento de la e n tro p a de con figuracin com o resultado de la

fo rm acin de los d efectos de Frenkel se d eterm ina por la expresin
sig u ien te:

S - t . Un W + U , H | _ .,["

+ 1 x v V .t] '

<3-4 >

A p lican d o la f rm u la ap ro xim ad a de S tr lin g , que para valores

grandes de x se puede e s c rib ir en la form a
l n l i (In x 1),
en lu g ar de (3 .4 ) obtenem os
5 =

fA^ ln A^ (N n) ln (A n) n ln ni 4+ k n \N' ln N' -

(N -

n) ln (A " -

n) -

n ln J.

(3,5)

S i en la form acin de un d efecto de Fren kel se g asta la energa

E pr, el au m ento de la energa in tern a del c ris ta l cuando se form an n

d efectos ser

E = n E v t.

(3.6)

E sc rib a m o s ahora la expresin de la energa lib re

F = n E Fl -

k B T {IN ln N (TV n) ln (,V n) n ln n] +

+ IN' ln N' -

( N ' n) ln (N -

n) -

n ln n i ) .

(3.7)

E n estad o do e q u ilib rio t rm ico ln energa lib re debe sor m n im a

respecto a la v ariaci n de n, es d ecir, debe cu m p lirse la condicin
/ ftF \

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Cap. 3. D efectos en los slido?

102

Despus <lc m inim izar la energa libre determ inada por la expre
sin (3.7) y de hacer las transform aciones correspondientes, obtenemos
Vr = W

In ( - n H ^ V - ,,) )

(3.U)

o bien

TFT- n)(N'-n) = 0X11 (

]>

Do aqu hallamos el nmero de pares de Frenkel:

n = Y (IV n) (N' n)ex\) \ Eyt/(2lcBT)\.

Si so tiene on cuenta que n

(3.11)

V y i t < N , entonces

n ~ y W7P exp | E f tl(2 k BT)\

(3.12)

Si por N y N' se toman respectivam ente los nmeros de nudos y de

intersticios por unidad de volumen, por ejem plo, en 1 cms, resulta
que n en (3.11) y (3.12) es la concentracin de pares de Frenkel. lis
evidente que esta concentracin ser nula cuando T = 0 K y crecer
cxponencialroente con la temperatura.
Un clculo term odinm ico anlogo puede hacerse para determ inar
la concentracin de defectos de Sch ottk y. La variacin de la energa
libre de un cristal que contenga N tomos y n huecos ser en este
caso
/' = n/?!, kBT ln

(3.13)

siondo
la energa de form acin de un hueco. A plicando la fr
mula de S tirlin g y la condicin (3.8), obtenemos

E k = k BT ln [{tV Dj

aqu, para n

n)/nl.

(3.14)

(V hallamos

n *= N exp \ - E hl(kBT)\.

(3.15)

A diferencia de la relacin (3.12), aqu no figura en la energa

do activacin el factor 1/2. Cuando se calcu la la concontracin de
pares de Frenkel este factor aparece porque hay que tener en cuenta
la formacin sim ultnea de defectos de dos tipos en cantidades igua
les.
Valoremos la parte relativ a quo corresponde a los huecos h ,
n/N , por ejom plo, para el cobro a la tem peratura term odinm ica
de 1000 K. La energa de formacin de los Imocos en el cobre es
l . - I O * 1* J . De (3.15) se sigue quo
//, = = = exp | - I1/(b 7) | I0 -5.

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3.3. Concentracin de defectos puntuales en equilibrio

1D3

E s to sig n ifica que, en las condiciones dadas, a cada 10s nudos de

In rod correspondo, nproxiinndnmonto, un lumen.
AI deducir les e x p e s iones (3.13) y (3.15) so s u p u s o q u o les vibra*
io n es de los tom os on ln rod no depondfan do la existen cia de los
liuecos o da los tom os in tersticiales. S in em bargo, est claro quo en
las p r o x im id a d e s d o los huecos o do los to m o s in tersticiales so
produce c ie rta deform acin do la estructura. A causa de esto, las
frecu en cias do v ibracin do los tom os en las regiones deformadas
puode d iferir de las frecuencias de las vibraciones en la parte no
deform ada del c ris ta l. P ara tener en cuenta esto, al hacer el clculo
do la energa libro, adem s de la entropa de configuracin se intro
duce otro facto r entrpico, la entropa trmica S T, que caracteriza
e l nmero do procedim ientos oquiprobables por los cuales la energa
<let c rista l puode ser d istribu id a entre las vibraciones de d istin ta
frecuencia.
S i on las proxim idades de los huecos hay z tom os vecinos ms
prxim os con frecuencia de vibracin v' < v, entonces, cuando en
1 c rista l existen n huecos surgen 3wz osciladores cuya frecuencia ser
v' y 3 N 3/?z osciladores con frecuencia v. E l clculo muestra que
e l aum ento de la entropa trm ica en este caso (cuando se forman
n huecos) es

S T = 3 k Bz ln (v/v').

(3.16)
A
Teniendo en cuenta (3.16), al escribir la expresin de la energa
lib re y haciendo un clcu lo anlogo a! descrito antes, obtenem os la
expresin de la concentracin de defectos de Schottky
( - ) . .
Anlogam ente

( 3 .0 )

para la concentracin de defectos de F ren kel

= v W ( v - r e * p (-"r)*

(3-18>

La determ inacin de los valores de los coeficientes (v/v') para algu

nos cristales fue hecha por M ott. R esu lt , por ejom plo, que (v/v')s
64 para NaCl.
Cuando la concentracin de huecos en ol cristal es grande, se
produce su unin en huecos dobles, triples y ms com plejos. De
este modo pueden form arse m icrovacos (poros). La unin do huecos
en conjuntos do ellos es provocada por las condiciones de equilibrio
torm odinm ico del sistem a, ya quo la' energa do formocin de los
liuecos m ltiples es siem pre menor que la energa de form acin de
los tinocos sim ples que los constituyen en la magnitud de la enorga
do enlace do los ltim os on ol con ju n to. As, por ojom plo, la onergia

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104

Cap. 3. D efectos en loa slidos

de form acin de un hueco d oble E b es m enor que la energa de form a

cin de dos huecos, n saber,
2 f'i, ^ fi

(3 .1 9 )

donde E t es la energa de enlace de los huecos en el hueco doble.

Llam em os a al nmero de linceos dobles q u o so form an. S i el
nm ero de coordinacin es z, tendrem os A'z/2 pares de nudos vecinos
en la red tlel c ris ta l entre los cuales n t lineos dobles pueden sor
d istrib u id os por el sig u ien te nm ero de procedim ientos:

W- M

i Z n *

(3 2 0 >

P roced iendo del m ism o m odo que al d educir la f rm u la (3 .1 2 ) y

(3 .1 5 ), sin tener en cu enta la en tro p a trm ica, obtenem os

Ni

2 eXP
Tom an do en con sid eracin (3 .1 9 ), h allam o s la relaci n en tre la con
c en traci n de hu ecos dobles y la de huecos sim p les:

hz = n J N = V2 z exp I - 2 h/(/cB r ) l e x p \E(kB T) =

=

V 2 zh\ exp \ E J (kB T )).

(3 .2 2 )

De esto modo

h j h , = V 2 zh, exp [V (A B 7)I.

(3 .2 3 )

A qu , lo m ism o que an tes, h = n !N es la co n ce n traci n re la tiv a do

huecos (sim ples) y h 2, la con cen traci n re la tiv a de hu ecos d obles.
De (3 .2 3 ) se sigue, por e je m p lo , que para la red c b ica cen trad a
en las ca ra s, en la que z = 12, la re laci n entre la9 co n cen tracio n es
de los (los tip o s de d efectos se puede e sc rib ir asi:

h .J K = Gh , exp [ E j ( k B T)\.

(3 .2 4 )

A qu el facto r 6 representa cl nm ero de o rie n tacio n e s ind ep en d ien

te s del con ju n to en la red.
A nlogam en te a com o se o b tu v o la expresin de la con cen traci n
de huecos dobles se puede ob tener la f rm u la corresp on d ien te a c u a l
quier c o n ju n to de huecos o de to m o s in te rs tic ia le s :

h = j f - ~ C h\eE l {h&T\
h = ^2- = C3^ o E/(ABT>e iW (*Br >,
,

"4 =

J l .^ C M a E^ hBr)e Et/kBT>e iW <'!BT\

(3 .2 5 )

on las que /?,,, E tX, e t c ., son las energ as de en lace a d icion ales. P o r
ejem p lo, E ta es la energa de en laca ad icion al dol co n ju n to do tro s

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3/i. D efectos trm icos en los c riste le s Minino:)

105-

d efe cto s, en com p aracin con la energn de en lace del con ju n to do dos
d e fe rio s . T.os nm onis cniiiliiu n ln rin s C v. C
e le ., se h a lle n rn li'n land o ol nm ero to orio u ilicion es ind ep en d en les do etula con ju n to.
E n los c ris ta le s rnnles siem p re hay im purezas de tom os extra o s.
S i e x iste n d efectos p u n tu ales (huecos o to m os in te rs tic ia le s ) pueden
form arse c o n ju n to s d efe cto im pureza. E s un tura! que ln forinncln
de estos c o n ju n to s est d eterm in ad a ta n to por la co n ce n traci n do
im p u rezas, com o por la c o n ce n tra ci n de d efectos. E n la s co n d ic io
nes de e q u ilib r io t rm ico la con cen traci n de esto s c o n ju n to s puede
d ete rm in a rse por el m ism o m tod o quo u tiliz a m o s al e stu d ia r los
h u eco s sim p les y d obles. A s, para la con cen traci n de co n ju n to s hu e
c o to m o de im pureza en un nudo, tenem os
(3.2G)
A q u C e / d esignan la con cen traci n de c o n ju n to s y de to m os de
im p u reza expresad os en p arles do tom o; z, es el nm ero de co o rd in a
ci n del to m o do im p u reza, y E P, la energa de en lace del hueco con
el tom o de im pureza.
E n la energa de en lace del d efecto con la im pureza p a rticip a n
dos com p on en tes fu n d am e n tale s; la energa do la in te ra c ci n e le c
tr o s t tic a en tre 1a im pureza y ci d efecto, y la v ariaci n do la energa
de d eform acin en to rn o al tom o de im pureza. S i el tom o de im p u
reza se d iferen cia por su m ag nitu d del tom o so lv e n te , la d eform acin
de la regin que lo rodea puede d ism inu ir cuando se colo ca un d efecto
ju n to a este tom o . Pued e esperarse que los huecos sean atrad o s h a
c ia la s zonas de com p resin y los tom os in te rs tic ia le s h acia la s zo
nas de tra c ci n . E l c lcu lo do la energa de e n la ce de un d efecto y
una im pu reza es un p rob lem a com p licad o.

3.,4. D efecto s trm icos

en lo s c ris ta le s b in ario s
E n lo s c ris ta le s b in a rio s, por e je m p lo , en los m s sim p les del t i
po A B , lo s d efectos de Fren k el y los d efectos de S c h o ttk y pueden
su rg ir ta n to en la subred A com o en la subred B . Pueden o rig in arse
los s ig u ie n te s tip o s de d efectos p u n tu ales: 1) huecos en la subred A ;
2) hu ecos en la subred B\ 3) pares de d efectos (hu eco-tom o in te r s ti
c ia l) en la subred A ; 4 ) pares de d efecto s en la subred B\ 5) to m os d e
la subred A alo ja d o s en in te rs tic io s de la subred B\ 6) tom os de
la subred B in serto s en in te rs tic io s de la subred A ; 7) tom os de la
subred A a lo ja d o s en hu ecos de la subred B\ y 8) tom os de la subred
B ocupando huecos de la subred A .
A s, pues, in clu so en los com p u estos b in a rio s m s sim p les la com
p osicin de los d efectos es m ucho m s co m p le ja que en los c r s ln -

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108

Cnp. 3. Defectos en los slidos

los elem entales. L a cantidad (le

defectos riiferonliw quo puede linter
en los cristales binarios se hace
0
an mayor si contienen tomos do
impurezas y oxisto la posibilidad

*
do que se formen conjuntos.
Supongamos que en el cristal
del compuesto binario A B no hay
tomos <le impureza y existen niA
tomos in tersticiales en la subrod
Fig . 3.0. Centro F en un cristal
A , n lom os in tersticiales en
nlcniino-lliilgenn
la snbrcd B y, respectivam ente,
n ,,A
y
K h
huecos.
Valindonos del procedim iento utilizado para deducir la expre
sin de la concentracin de defectos de Frenkel en los cristales ele
m entales y suponiendo que en cada subred la concentracin de hue
co s es igual a la concentracin do tomos in tersticiales, obtenem os:

0
0
00
0 00

m-

= V 2ATa exp ( -

n< = * hf = Y 2 N exp ( -

),

(3.27)

(3-38)

A q u , l i A , h ,t , E n y E , b son las energas de form acin de los

tom os io te rslcale s y de los huecos en lassubred es A y B ; N A y
N o son las concentraciones de tom os en coda subred. L as frm ulas
(3 .2 7 ) y (3.28) se han obtenido sin tener on cuonln la variacin de la
e n tro p a trm ica debida a la variacin de las frecuencias do v ib ra
cin do los lom os cuando surgen los defectos.
Ya hemos dicho antes que en los cristales inicos, por lo general,
no se producen los defectos por parejas segn F ren kel, sin olo sd e fe clos de S ch o ltk y . A si, por ojem plo, cu los c rista les de los h alaro s a l
ca lin a s un hueco nninico (os decir, la allu de una carga negativa)
acta como lo liara 1111a carga p ositiv a eficaz. Y com o el c rista l en
con ju n to debe seguir siendo elctricam ente neutro, las con centracio
nes do huecos positivos y negativos deben sor iguales. Pero cuando en
el cristal existen electrones o huecos, o cuando so originan defectos
com p lejos, esta igualdad no es oblig atoria.
Los electrones participan, por ejem plo, en la form acin de los
llam ados centros de color en los cristalos de los kaluros alcalinos. E l
ms sim ple de estos centros os el denominado contro /'''), que viene
representado en la fig. 3.0. E l mencionado centro es un hueco am
nico que, teniendo carga p ositiv a eficaz, atrapa un electrn lib re.
Esto electrn puedo presentarse on el c ris ta l, por ejem plo, como ro) Del aloman f a r b e que significa color.

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Defectos de radiacin

1117

so lla d o do la ionizacin do un alom o excedente de niftlal alcalin o.

Ralo cen tro F lia n ' <|m> aparezca ana banda de absorcin en la regin
v isib le dol esp ectro. A oslo se. debo i j i i o el c ris ta l de haJlirn nlcalinn
incoloro se coloree.
Lo defecloH pun nales en ln c rista les inicos ejercen gran in
ri nene i a s o b r e la con d u ctib ilid ad elctrica. La o lcclroco n d n clib ilid ad
de los c rista les de los haluros alcalin o s est con dicionad a por el
m ovim iento de los defectos puntuales con carga, es d ecir, d elosh u o cos y de los tom os in te rstic ia le s in trn secos o de im pureza. Por eso
se llam a conductibilidad in ica. E l estudio do la con d u ctib ilid ad i n i
ca perm ito obtener inform acin acerca de la con centracin y estado
de los defectos puntuales.

3.5. D efectos de radiacin

Los defectos puntuales que surgen cuando los cristales se irrad ian co n p artcu las rp id as (neutrones, protones, electrones) as como
con fragm entos de fisin nuclear o iones acelerados, reciben el nom
bre de defectos de radiacin. A diferencia de los dofeclos trm icos, los
de rad iaci n no estn en eq u ilib rio term od inm ico, ya que, una vez
que cesa la irrad iacin el estado del c rista l 110 os estacion ario .
Vam os a e stu d iar ol m ecanism o de la aparicin do los defectos do
rad iacin cuando los cristales se irrad ian con p artculas rpidas neu
tras y con carga. E l paso de las p artcu las a travs del cristal va
acom paado do procesos com p lejos, entre los cuales los principales
son los siguientes:
1) los choques elstico s de las p artcu las rpidas con los ncleos
de los tom os del c ris ta l;
2) la e x c ita c i n de Jas capas electrn icas do los tom os del c ris
tal y su ionizacin;
3) las transform aciones nucleares, os d ecir, el paso de parte de los
tom os del c ris ta l a un estado rad iactiv o y su transform acin, des
pus de la
d esintegracin ra d ia ctiv a , en centros de impurezas.
E n dependencia do la natu raleza de las p artcu las rpidas, de su
energa y del carcte r del en lace do los tom os y otras propiedades
del c rista l irrad iad o, unos procesos pueden prevalecer sobre otros.
P ara que so produzcan defectos de rad iacin los que ms im p ortan
cia tienen son los choques elstico s de las p artculas rpidas
con los tom os del c ris ta l. S i la energa tran sm itid a, com o resultado
del choque e l stico , de Ja p artcu la on m ovim iento al tom o bom bar
deado (blanco) supera cierto valor, este tom o es d esalojado del nudo
de la red, dejando un hueco, y so traslad a por el c ris ta l. E l v alor m
nimo de la energa
quo hay que tra n sm itir a uno de los tom os del
c ris ta l para quo ste resu lte en la posicin in te rsticia l ms prxim a
se llam a encrpla um bral. S i la energa tran sm itid a por la partcula
rpid a os menor que Erf, el tom o no so desplaza, sino quo so produ-

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108

Cap. 3. D efectos en los slidos

ron ondas olsl icos, cuya enorgia

so transform a on energa dol m o v i
m iento trm ico de los tom os.
La exp eriencia m uestra (no
E j es, aproxim adam ente, dos o
tres veces m ayor que la energa ne
cesaria para el desplazam iento ad i
a b tico del tom o a p a rtir dol
nudo do ln red al in te rstic io . A s,
E 25 eV para la m ayora de los
l-'ig. 3 .7 . R apresentncln esquem
c rista le s, on los cuales la energa
tic a de una cascada de desplaza
m ientos
de enlace ele los tom os es, apro
xim ad am ente, de 10 cV . Cada tom o
del rr is la l qne reciba de una p artcu la rpida la energa E > E
se puede traslad ar a un in te rsticio , com o resultado de lo cual surgen
sim u ltn eam en te un hueco y un tom o in te rs tic ia l. En este caso, si
el valor de la energa de los tom os desplazados, llam ados tom os de
rcchnzo, supera mucho a E d, estos tom os de rechazo prim arios pue
den, a su vez, crear tom os de rechazo secundarios, stos, tom os
terciario s y as sucesivam ente hasta que la energa do d esplazam iento
se aproxim a al valor um bral E . Do este modo se produce una cascad
de desplazan!lentos atm icos (fig. 3.7).
Del m ecanism o analizado se deduce que los defectos pu ntuales
de rad iacin , a diferencia de los trm icos, siem pre form an pares, es
d ecir, son defectos de L reiikel.
Es evid ente quo a lo largo del cam ino que recorre una p artcu la
en m ovim iento se form a una regin fuertem ente desordenada (en la
fig . 3.7 la contorneada por la lnea de trazos). L as dim ensiones y fo r
m a do esta regin dependen de la energ a, de la m asa y de la n atu rale
za de la p artcu la in cid en te y de la m asa de los tom os blanco, de su
tem peratura y de la estru ctu ra del c ris ta l. La form acin de la cascada
do desplazam ientos, lo m ism o que ln form acin de un defecto deFrcn k el aislado, se produce en un espacio (le tiem po m uy co rlo , de
1 0 " 13 a 1 0 " 14 s. Despus transcurro un proceso de re lajaci n m s la r
go quo d eterm ina, en resum idas cu en tas, el nmero y la d istribu ci n
de los defectos form ados, de los cuales dependen m uchas propiedades
fsicas del slido.
E n la teora muy sim p lificad a de K in c h iu P iza se ha obtenido
la expresin del nmero m edio de tom os desplazados por un tomoprim ario de energa /?:
v (E a) = E a/( 2 E d).

(3.29)-

Parn deducir la frm ula (3 .2 9 ) se supuso que los tom os so com por
tan en las colisiones como esferas rg id as, las colision es so con sid era
ron com o actos aislados de choque elstico de dos p artcu las. Se su
puso tam bin que despus del choque am bos tom os pueden p a rtic i

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3.8. D islocaciones

109

p ar on c o lisio n e s p o sterio res. A dem s, en el m od elo do K in c h in

P iz mi sn tien en on m ent las co rre la cio n e s v in cu la d a s ro n ln d ispo
s ic i n prrioilir.il do los to m os ou el crisl.n l. Ln f rm u la (11.1111) os
co rro cln p ara F. > 2 F ,.
lila m uclios s lid o s a la te m p e ratu ra a m b ie n te o in clu so a tem pe*
m lu r a m s liajn , los d oloclos p rim ario s (Im oros y to m o s iiilo rstir.ti
le s), em igrand o por el c r is ta l, pueden an iq u ila rse por rcco in b in n ci n
y ta m b i n ju n ta rs e p ara form ar d efectos secu n d ario s m s e sta b le s.
L a com p o sici n d e fin itiv a de los d efectos, sus c o n ce n tra cio n e s y d is
trib u c i n re sp e cto de la p rofu nd id ad del b la n co , depondo del n
m ero y d is trib u c i n de los to m os in icia lm e n te d esp lazad as y ta m
bin do ln n atu raleza del c r is ta l.
P a ra c ie rta s c o n ce n tra cio n e s c r tic a s de lo s d efectos do ra d ia ci n ,
ol ostad o c ris ta lin o so h ace in e sta b le y tien e lugar su paso al estad o
am orfo. E s ta tra n sici n se prod uce con m s fa c ilid a d on los slid o s
co n en laco do tip o c o v a le u te .

3 .6 . D islo ca cio n es
E l c o n ce p to do d efecto s lin e a le s d islo ca cio n e s ap arece a p rin
c ip io s del sig lo X X , com o resu ltad o de los tra b a jo s de V . V o lle rra y
algu nos o tro s in v estig ad o res quo estu d iab an ol com p ortu m ion to olastic o del m ed io is tro p o hom ogneo.
C on sid erem os, por e je m p lo , un c ilin d ro de gom a (fig . 3 .8 ). C or
tm o slo a lo largo d el plano S (fig. 3 .8 , a ), dosplacoraos el bordo del
c o rte com o m u e stra la fig . 3 .8 , b o c y pegum oslo. L a ln e a 0 0 '
quo sep ara la reg i n en quo tuvo lu g ar el d eslazam ien to rospecto de
la reg i n on que sto no se h a p rod ucido, re cib e el n o m bre de d islo

cacin .
A com ien zo s do los aos 3 0 , D . T a y lo r y o tro s supu sieron que de
fe cto s an lo g o s p od an e x is tir ta m b i n en los c ris ta le s . A d ife re n cia
d el m ed io e l s tic o c l s ic o , en que ol d esp la z a m ie n to re la tiv o de los
bordes del c o rte puede sor c u a lq u ie ra , en los c ris ta le s el c a r c te r dis
creto de la e stru c tu ra y la a n iso tro p a im ponen lim ita c io n e s al ca
r c te r do lo s d esp lazam ien to s posi
bles. A q u slo se to le ra n a q u e llo s
d esp lazam ien to s
quo con cu erd an
con la s p ro p ied ad es de s im e tr a de
la red c r is t a lin a . E n la fig . 3 .9
se re sp re sen ta la d islo ca ci n 0 0 '
producida com o re su lta d o d el d esli
zam iento de u n a p a rte d el c r is ta l
en una d is ta n c ia in te ra t m ic a y se
a)
b)
Cl
m u estra la d isp o sici n de lo s to
mos en ol plano porp on d icu lar a ln
y gi 3 8 . l'orinncin do ln Unen de
lnoa do d is lo c a c i n . S e ve que a
dislocacin en un cilindro elstico

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110

Cap. 3. Defectos en los slidos

F ig . 3 .9 . D islocacin ile borde 0 0 ' surgida como resultado de un dogplaiamiento-

n planos atm icos situados debajo del plano do deslizam iento co

rresponden n + 1 planos situados nncimR de dicho plano. La dislo
cacin 0 0 ', que es el borde del sem ipleno sobrante MNO'O, recihc el nombre de dislocacin de borde. E sta dislocacin es perpendicu
la r al vector do cizallan )ien io . Podemos figurarnos que la dislocacin
de borde se forma si se coloca un plano ad icion al MNO'O entre los
planos tlel cristal perfecto.
J . Bnrgors introdujo la idea de otro tipo ms de dislocaciones.
Supongamos qne en el cristal se ha producido el deslizam iento com o
m uestra la fig. 3.'10, a. La ln ea de dislocacin 0 0 ' , que separa la
regin en que se lia producido el deslizam iento de la regin en que
sto no tuvo lugar, aqu no es perpendicular, sino paraleln al vector
desplazam iento. En virtud de que el cristal podemos figurrnoslo
en este caso formado por un plano 8tm ico arrollado alrededor de
la dislocacin 0 0 como una escalera de caracol (fig. 3.10, b), esta
dislocacin recib e el nombre de dislocacin helicoidal o en espiral.
Veam os nliorn ol caso en que la zona de d islizam iento est lim ita
do dentro del crislnl no por una lin ca re cia, sino por una curva arb i
traria (ig. 3.11). La ln ea 0 0 ' en la fig. 3.11 os una dislocacin cur
v iln e a . En el punto O la d islocacin es paralela al vector do cznlla-

F ig . 3 .1 0 . Form acin d o 'u na dislocacin helicoidal

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3.7. Contorno y v ecto r do Uurgnis

m ie n to y , por c o n sig u ien te, tien e

c n r c te r liclir.o id n l. Rn el pim o
O' lo li non do d islo ca ci n os perpen
d ic u la r ol v e c to r do c iz a llm n ie n lo ,
es d ecir, tie n e o rie n ta c i n de bordo. E sto s d islo ca cio n e s so llninnn

m ixtas.
P a ra d esignar la s d islocacio n es
F ig . 3 .1 1 . F orm acin de una dislo
de tip o gen eral so ha ad o p tad o el
caci n m ix ta
sm b o lo j _ . E n el caso de la d islo
caci n de borde el pie de esto sm b o lo se d irige h acia el lado en
que. so en cu en tra el m a te ria l e xced en te, com o se in d ica e r J
ig . 3.U.

3 .7 . C on torno y v ecto r de B u rg e rs
U na de lns c a r a c te r s tic a s m s im p o rtan tes de Jas d islo ca cio n e s
es el vector d e eiz a lla m ien io o vector d e B u rgers b, que se d efine com o
sigue.
C onsiderem os dos red es c r is ta lin a s : una re a l, con d efecto s do
d iv ersos tip o s, y o tra p e rfe cta , sin d efecto algu n o . Su p o n gam o s que
en la red real slo e x iste n a lte ra cio n e s prod ucidas por d eform aciones
e l s tic a s , v ib ra cio n e s t rm ic a s de los tom o s, e tc . E n este caso , a
pesar de c ie rta s in fra c cio n e s de la e stru ctu ra , puedo in d icarse sin
error a qu nudos de la red del c ris ta l p erfecto corresponden lo s to
mos del c r is ta l re a l. L a corresp on d en cia b iu n v o ca en tre los tomosdel c r is ta l re a l y lo s del p erfecto puede e stab lecerse tam b in cuand o
en el c ris ta l real e x iste n d efectos p u n tu ales. E n esto caso en una se
rie de pu ntos de la red re a l pueden e sta r au sen tes los tom os y en
otros pu n to s ap arecer to m os sob ran tes, pero en lo dem s e sta red co
in c id ir con la p e rfe c ta . T o d a regin de un c r is ta l re a l en que se
puede e sta b le c e r la corresp on d en cia b iu n v o ca con el c r is ta l perfecto
se lla m a regin d e cristal bu en o. L a s zonas en que esta corresp on d en cia
no puede e sta b le ce rse recib e n el nom bre de reglon es d e cristal m alo.
S e lla m a contorno d e B u rg ers un con torn o cerrad o, de form a a r b i
tra r ia , co n stru id o en el c r is ta l real pasando su cesiv am en te de tom o
en tom o sin sa lirse de la regin de c ris ta l buen o. E sta b le cie n d o la
corresp on d en cia b iu n v o ca en tre los pu ntos del con to rn o en el c ris
tal real y los pu n to s re sp e ctiv o s en el c ris ta l p erfecto, podem os con s
tru ir un co n to rn o anlogo en la red p e rfe c ta . S i en el c ris ta l real se
traza el c o n to rn o alred ed or de una d islo caci n (fig . 3 .1 2 , a ), el con
torno re sp e ctiv o en el c r is ta l p erfecto re s u lta a b ie rto (fig. 3 .1 2 , b).
P ara cerrar este con to rn o hay que a ad irlo el v e cto r b (fig. 3 .1 2 , b),
llam ado vector de B urgers. E l sen tid o d el v e cto r de B u rg ers se d e te r
m ina por la s dos c o n d icio n e s sig u ie n te s:

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112

Cap. 3. Defectos en loa slidos

al

b)

F ig . 3.12. Contorno de Burgers en el crista l real (a) y en el crista l porfccto ini

c ia l (b)

Fig. 3.1 3 . Segunda construccin del contorno y voctor de Burgers

1) si el sentido positivo ele la d islocacin se ha elegido (a rb itra ria

m ente), ol rocorrido del contorno do Burgors se d eterm ina por la
regla dul tornillo a derechas;
2) el vector de Burgors tiene ol sentido quo va del punto fin al 8
al punto inicial A (fig. 3 .1 2 , b). En la fig. 3 .1 2 , a se ha tomado como
sentido positivo de la d islocacin el del vector unidad 1, tangente a
la lnea de dislocacin que va hacia detrs de la superficie de la pglna.
Puede darso otra dofinicin eq u iv alen te del vector de B urgers.
E n ol cristal roal (fig. 3.13, >) so ha trazad o, de acuerdo con la regla
del tornillo a dorochas, un contorno, ol cual sera cerrado en el crista l
porfccto inicial (fig. 3.13, a). El vector de cierre A B es el vector do
Burgers.
Como la dislocacin es ol lim ite de la regin de d eslizam ien to pls
tico en o c rista l, ol vector do Burgors no os ms que el voctor de cizallam icn lo .
La construccin dol controuo do Burgers para una d islocacin he
licoidal so muestra en la fig. 3. Id.

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3 .7 . (M I t o r i t o y V Q C lor Ir l l l r g c r s

Fig. 3 .1 4 . Contorno do Burgers do una dislocacin helicoidal:

u, cristal real; b, cr.sal perfecto

F ig. 3 .1 5 . Rod do dislocaciones en un cristal

E i vector de Burgers de una dislocacin de borde es perpendicular a la lnea de d islocacin. En el caso de una dislocacin helico i
d al, cl vector b os paralelo a la lnea de dislocacin.
E l contorno de Burgers puedo ser desplazado o lo largo do la dis
locacin y alargado o com prim ido en direccin perpendicular a la
lnea de dislocacin; con esto cl vector de Burgers permanece cons
tan lo. E l vector do Burgers puedo v ariar solam ente si, al trasla
dar el contorno a su nueva posicin, corta una parle del cristal mulo.
8O 147

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Cap.

D efectos c los slidos

P or con sig u ien te, ia d islocaci i

tien e n lo lin go do t.odn su lo n g ilin
mi v ecto r <le llilrgors eonalault-, o
d ecir, no puedo in terru m p irse 01
parte algu na dentro del c ris ta l, la
inloi-riipcin slo puedo produrir
se en la su p erficie dol c r is ta l, 01
...
,
.
un lin ile in to rc rista lin o o on olrc
F ig . 3 .1 8 . Nudo uo dislncuciones
,
r
.
b
d islo caci n . L o m as frecuento
que las d islo cacio n es form en en el
c ris ta l bucles cerrad os o una red in lerro la cio n a d a (fig. 3.1)). D e la
d efin ici n ad ucid a para ol v e cto r en cu estin tam b i n se signe que
el vector d e H u r g a s de un con torn o , que su cierre alred ed or d ev ariu sd is-

locaciones, ser ig u al a la sum a de los vectores d e B u rgers de cada una

de las dislocaciones p o r separado.
S i una d islocaci n con v e cto r de B u rg ers b, se d ivido d entro del
c r is ta l on v a ria s d islo cacio n es con v ectores de B u rg ers b 2, b 3, . . .,
. . ., )>, so cum plo necesariam en te ln con d ici n
b , = h 2 + bs + . . .

+ b.

S i tod os los v ecto res unid ad 1, que d eterm in an el sen tid o de las
d islo cacio n es, se con sid era que parten del nudo de d islo c a c i n , en
tonces,
S b, = 0 ,
(3 .3 0 )
= i
t
os d ecir, e x iste una e v id en te an alo g a con la le y de K irc h h o ff para
la c o rrien te e l c tric a .
E n los c ris ta le s pueden e x is tir tam b i n d efecto s lin ea le s ta les,
com o cad enas do huecos o do to m o s in te rs tic ia le s . E s t c la ro que
cl con torno do B urgers trazad o alreded or de una regin que contenga
ostn endona de d efectos p u n lu ales no d ife rir del corresp on d ien te
con to rno de B u rg ers trazad o alreded or do una regin sin d efectos.
En otras p alab ras, p a r a un a ca d en a de defectos p u n tu a les e l vector de
B urgers es igu al a cero , y slo es d iferen te de cero cuando se trata de d is

locaciones.
E l v ecto r de Burgers es siem p re uno de lo s vecto res do la s tra s
lacio n es de la red. Por eso su m dulo y d irecci n estn lim ita d o s por
una serie de v alo res d iscretos que vienen d eterm inad os por la e stru
ctu ra del c ris ta l.

3.8. T e n sio n es n e ce sa ria s p ara la form acin

de d islocaciones en u n crista l p erfecto
P a ra que se form e una d islo caci n en un c ris ta l p erfecto os nece
sa rio , com o ya liem os v isto , re a liz a r una entallad u ra en c ie rta p arte
dol plano de d eslizam ien to. P or con sig u ien te, a fin do d eterm in ar ios

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3 .8 ..Tensiones paro que so formen dislocaciones

115

esfuerzos necesarios pura que se

formo la dislocacin hay quo c a l
cu lar Ja m agnitud T tn t r de la resis

tencia a la cizalladura del cristal

perfecto. E sta magnitud tam bin
recibe el nombro do esfuerzo cortan
te. E l procedim iento m s sim ple

Fig. 3.17. IV'splaznraionlo do uno

para calcu lar Ttcor fue propuesto por
red reciangular
Frenkel.
Consideremos una red rectangu lar sim ple y anotemos con x el
desplazam iento correspondiente al esfuerzo cortante t aplicado (ig.
3.1 7 ). Cuando un plano atm ico se desplaza paulatinam ente respec
to de otro, en la red surge la tensin x que se opone a la cizalladura
y tiendo a restablecer el equilib rio infringido. En virtud de la si
m etra de la red t = 0 cuando x n b l 2, donde n <= 0 , 1, 2, . . .
La red ofrece resistencia al esfuerzo aplicado, es decir, x > 0 si
0 < x < b/2 y, finalm ente, x < 0 , si V* b < .x < 6 . E stas condicio
nes las satisface la sen cilla funcin
t

fcsen (2jt x/b).

(3.31)

Por lo tan to , la resistencia a la cizalladura depende del desplazamiento

segn una ley sinusoidal. E l coeficiente k en la expresin (3.31) es una
con stan te que se determ ina, partiendo de la ley do H ookc. Cuando los
desplazam ientos son pequeos, sen (2jta .Ib) 2nx/b. Por eso
r = k (2nx/b).

(3.32)

Por otra parte, si los desplazam ientos son pequeos, se cumple la

ley do Hooke:

x G (x/a),

(3.33)

en la que G es el m dulo de cizallad u ra. De este modo puede escribir

se quo

k (2nx/b) = G (x/a).

(3.34)

De donde
<3 -35>

V olvam os ahora a
la
expresin (3.31). P or e lla
se ve qu
rcien te k no es ms que
la resistencia m xim a que ofrece la red a la
uzalladura cuando x = b/4. E sta magnitud se toma como resistencia
.erica dol c rista l a ln ciznlliulurn:
ti

T,e(Sr 7

2iT'

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(3.36)

Cap. 3. Doocios en tos slidos

E st claro, por lo tanto, quo el

esfuerzo rorlnn lp c rtic o debo ser
u|>ru,\i 111mi ntiii'ii I o

Acumulacin de huecos

Tm ,

F ig. 3.18. Formacin de disloca

ciones coin resultado dol aplas
tam iento de una cavidad origi
nada por acum ulacin rio linceos

17/10,

(3.117)

( hlenlo* ms rigurosos, on los

que so lian utilizad o las m ejores
aproxim aciones para las in terac
ciones intoratm icas en el plano de
d eslizam iento, clan un v alor algo
menor:
xtodr * * G/:t0 .

(3.38)

Ln experiencia muestra que la ciznllarlurn comimiza, en la mayo

ra do los cristales reales, con esfuerzos mucho m enores: de
~ (1 0 '* . . . 1 0 'r) G. Como se ver ms ad elant (cap. 4), estos v a
lores tan bajos de los esfuerzos corlan tes se deben a que en los crista
les se. produce la cizalladurn no por desplazam iento de unos planos
atmicos respecto de otros, sino por d eslizam iento de las dislocaciones
que ya existen en el cristal.
Las dislocaciones surgen en los c ristales en el proceso de obtencin
de stos, por ejem plo, al solidificarse la masa fundida. E l mecanism o
exacto de su form acin an no so conoce. S e supone que se deben a la
precip itacin de los huecos al enfriarse el c ris ta l. S i el cristal se sobresatura de huecos puede ocurrir que se formen cavidades en forma de
disco y que stas se aplasten formando bucles de dislocaciones co
rno muestra ln fig. 3.18.
O btener cristales quo no contengan dislocaciones es m uy d ifcil.
L a donsidad do dislocaciones, es decir, el nmero de lneas de dislo
cacin quo cort an una superficie unidad dentro del cristal oscila des
de 102 10 c m e n los cristales ms perfectos de silicio y germ anio1)
hasta 10n 1012 c m '2 en los cristales m etlicos fuertem ente defor
mados.

3.9. Movimiento de las dislocaciones

Una dislocacin es una configuracin que puedo moverse f c il
m ente por el cristal. Supongamos que una dislocacin con vector
unidad I y vector de lurgers b se mueve en el plano de la normal
n (el sentido positivo del vector n se elige arbitrariam en te). En este
caso (ni) = 0. Sen in el vector unidad de la direccin del m ovim ien
to de la dislocacin (fig. 3.19), determ inado por la relacin
ni = [ni).
y

(3.39)

1 ) ln r i o r l .is c o n d ic io n e s n sp oriiilo s so co n sig u e o b te n e r c r is t a le s to s ilic io

germ n n io p r c tic a m e n te sin ilislo cn cio n e s.

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3.9. M m in tifiilo d r las (lislcifjit*iones

117

Cinea d e d islocacin

Fig. 3 .1 9 .

M ovim iento
[cacin

de la dislo-

Fig. 3.20. T raslacin por deslizam iento

de una dislocacin en una distancia
interatm ica

Llam arem os positivo al lado dol plano de deslizam iento d cual est
dirigido el vector n, ai otro lado lo llam arem os negativo. Cuando la
dislocacin so nnu've por ol plano en la direccin iu, la parte del c ris
tal que se encuentra on ol lado positivo del plano se desplaza en la
m agnitud dol vector b respecto do la parto del cristal que se lialia en
el lado negativo. E xam inem os los dos casos siguientes:
1. E l vector b so encuentra en el plano en que se desplaza la dislo
caci n , es decir,
(nb) = 0 .

(3.40)

E ste m ovim iento de la dislocacin se llam a deslizam iento y el plano

en quo se efect a, plan o de deslizam iento. E n la fig . 3 .20 puedo verse
quo el m o vim iento de la dislocacin por deslizam iento se realiza a
expensas do una pequea reestructuracin de los tom os en las
proxim idades de la lnea do dislocacin (en el m aterial m alo).
E l deslizam iento no va acompaado del transporte do masa y so
efecta b ajo la accin de pequeas tensiones tangenciales -r. E l c l
culo m uestra quo para desplazar uiin dislocacin so requiere la ten
sin tangencial

Aqu v cs el coeficien te de Poisson; las dems notaciones tienen el

mismo significado que en (3.36). Suponiendo que v = 0 ,3 y a = b,
hallam os t 3 - 10~4 G. E l v alor obtenido coincide, en orden do mag
nitud, con la tensin c rtic a a ln cual com ienza la deform acin pls
tica de los c rista les reales. E ste hecho dem uestra quo la deformacin
plstica de los c rista les est relacionada con el m ovim iento de las
dislocaciones (esta relacin se exam ina detalladam ente en el
cap. 4).
2. E l v ector b no so encuentra en el plano en que se desplaza la
dislocacin, es decir,
(nb) = 0 .
(3.42)

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118

Cap. :i. Dofoblng on lo slidos

Ei) esto caso ln d islocaci n cu moili'jn d etrs do s i s i l i c p

v acan tes (i.uo^us) o ilu ta o s iillerslic ia lc s , on dependencia dol signo
do la com ponente dol v ecto r 1 p ara
lla al v oclor n. S i ln densidad dol
0
I
m aterial on el plano de traslacin
h
L.
se con serva, ol m o v im ien to de la
k
d islocacin va acom paado nece
h
sariam en te do tran sp orte de su bs
tan cia hacia este plano (o desde
Fig- 3 .a i . A rrastre do una dislo
l) a expensas de la difusin de los
cacin a expenses de ln absorcin
do lomns in tersticia les
tom os (fig, 3 .2 1 ). E sto m ov im ien
to se Jlam a do arrastre , porque, al
m overse, la d islocacin sale arrastrndose de su verdadero plano
de d eslizam ien to, determ inado por la con d icin (n b = 0 ). E l arrastro
<lc las d islocacio n es desem pea un papel im p o rtan te a a lta s tem pera
tu ras, con las cu ales la m ovilid ad de los tom os por difusin es ele
vada.
S i el vector b es paralelo al v ector 1, es d ecir, si la d islocacin es
helico id al, c u alq u ie r v ecto r n , para el cual sea ( n i) = 0 , tam bin
satisfar la con d icin (3 . 0 ), o sea, todo m ovim iento de una dislocacin
h elicoid al es un deslizam iento. E n esto caso el plano de d eslizam ien to
es ind eterm inado. E l plano de d eslizam ien to de la d islocacin h e li
coid al puede ser cu alq u iera de los planos de la regin cuyo e je hace
las voces do lin ca de d islocacin . E l arrastre do las d islocacio n es he
lico id ales debido al tran sp o rte de su b stan cia por difusin es im posi
ble.
vitnion io

3..10. T en sio n es ligad as con

las d islocaciones. E n e rg a de dislocacin
Al form arse Ja d islocacin on ol c r is ta l, la red se deform a e ls
ticam en te y alrededor de la d islocacin se crea un cam po de ten sio
nes e lsticas. El cam po de tensiones alrededor de una d islocacin de
borde tiene una forma b a sta n te co m p leja. P or un lado del plano de
d eslizam ien to, en ol que tien e un sem ip lano de sobra (vase la fig.
3 .9 ), la d istan cia-en tro los tom os ha d ism inu id o, es d ecir, los to
m os experim en tan tensiones de com presin. P or el otro lado la d is
tan cia entre la s fila s de tom os ha aum entad o, en com p aracin con
la del crista l no deform ado, o sea, e x iste n tensiones de tracci n . E sta
extensin local recibe el nom bre do d ila ta ci n . A lrededor do una d islo
caci n h e lico id al la form a dol cam po de tensiones es m s sim ple.
('o rlem o s moni tm enle del c ris ta l un t ubo c ilin d ric o de radio r

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3 .1U. Tensiones ligadas con bis dislocacinnos

lili

c ia fe com o m uestra ln fig. '<.22. En

el Iitlm mi' jirinhii*i* iitni ileiinnli
cin cl stic a lili, (un ni recorrer mi
contorno de longitud 2 jt r e l despla
zam iento clstico to ta l es fe. De
osle modo, ln deform acin elstica
m edia es igual a i/ (2jtr). A p lican
do la ley de Iio o k e h allam o s la
tensin m edia

(3.43)
l'ig . 3 .2 2 .

D islocacin

helicoidal

So ve que el cam po de tensiones

obtenida como resultado do la de
de la dislocacin rectiln e a tiene c a
form acin do un tubo cilin d rico
corlado do un c rista l
rcter de accin de largo alcance,
que dism inuye como r " 1. A la
d istan cia (103 . . . 104) fe de la lnea de d islocacin, ln tensin tiene
la m agnitud
(iO -4 . . . 1 0 -6) C. Como hemos visto antes, con estas
tensiones la d islocacin ya puede moverse. P o r lo tan to , si a la
d istan cia ~ (103 . . . 104) 6 de una dislocacin se encuentra otra
d islocaci n , b ajo la accin de las tensiones creadas por la prim era, la
segunda puedo em pezar el d eslizam ien to. En otras palabras puede de
cirse que entre la s d islocaciones e x iste una fuerlo interaccin c l s ti
ca. P or la fig. 3 .2 3 se puede com prender fcilm en te, por ejem plo,
que dos dislocaciones do borde, situ adas en un mismo plano de desli
zam iento, se repelen, si tien en el mismo signo, y se atraen, si tienen
signos d istin to s.
En el ltim o caso las d islocaciones pueden llegar a ju n tarse y an i
qu ilarse (fig. 3 .2 4 , <z). Con esto, de dos sem iplanos superfluos se
forma un plano atm ico. La aniqu ilaci n de dislocaciones de d is tin
to signo situ adas en planos de deslizam iento paralelos puede ir acom
paada de la form acin de tom os in te rsticia le s (fig. 3 .2 4 , fe)
o do huecos (fig. 3 .2 4 , c). E ste efecto puede desempear un papel muy
im portanto en la form acin do defectos puntuales d urante el pro
ceso do deform acin p lstica.

1
T

W 1
11

a|

b)

f i g . 3 ,2 3 . Dos dislocaciones do bordo silundas on un m ismo plano do desliza

m iento:
a, las dislocaciones dol mismo sumo so repelen: b, las dislocaciones de signos contrarios se
atraen

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Qip. .'i. D electas

I2H

ti

*
**

..

..........

m i *

011

los slidos

Dos
ro n
p e ro

dislocaciones
helicoidal
, 1 1

iin in l

vcmsI ov

lo

Ivm voi.s I

con s u m o s o p u e s to s , q u o t
muovan en un mism o plano do do*
lizam ionto, tam bin se destruye
................... .. .......... ..
m utuam ente.
::::::::::
D c (3 .4 3 ) se sigue que cuand
r - ^ o i a tensin tiendo a infinito
es decir, en el centro de dishcaci.
. .... +
..........
nn se cum ple la ley de Hoolce. Aqu
1,1
para d eterm inar ol cam po de ton
sionus, hay que u tilizar el inodeh

atm ico d iscreto. La regin aire
t ttttttt t
1S I m
dedor de una lnea de dislocacin
.......... ..........
,
i - i i i , '
. . . . . . . i . ,....
en la cual cs in ap licab le la teoru
c)
de la elasticid ad lin e a l, so llom i
ncleo de dislocacin. El radio de
Fig. 3.24. Dos dislocaciones de ncleo do dislocacin rn
b.
bordo do signos opuestos quo so
Suponiendo, como antes, qu
mueven en pianos do dcslizamion,
. , ,
_ ,
...
to vecinos
* c n sta l so com porta com o ur
cuerpo elstico, calculem os la ener
ga do dislocacin. Utilizaremos
el modelo de dislocacin h elicoidal representado en la fig. 3 .2 2 . Pa
ra desplazar los bordes del corte (vase Ja fig. 3 .2 2 ), hay que apiicai
fucrzns distribuidas por la superficie do dicho corto. E s evidenlo que
la energa de dislocacin E d es igual al trab ajo que realizan estas
fuerzas para crear el desplazam iento b, es decir,

E * = j (F b ) <!*?

(3 -4 4 >

A qu la integral se extiend e a toda la superficie del co rle. Para cal

cu lar E, hay que h allar la fuerza m edia F (referida a la unidad de
rea), aplicada a un punto de la superficie durante el proceso de des
plazam iento. Figurm onos el cristal en forma de un conjunto do
tubos concntricos en cuyo cen tro so encuentra la dislocacin. S i el
grosor de la pared de cada tubo es pequeo, la forma geom trica de
sto no tiene im portancia especial para el clculo de la fuerza que se
opone al desplazam iento. E sta fuerza no vara si el tubo de paredes
delgadas se desarrolla en una lm ina plana (fig. 3.25).
La lm ina experim enta el desplazam iento dg bajo la accin de la
fuerza /dr aplicada a su cara. A qu Idr es el rea de dicha cara y f,
la fuerza referida a la unidad de superficie.
La fuerza f, necesaria para producir la cizalladu ra de magnitud
b on el tubo cilind rico situado a la d istancia r do la lnea de disloca
ci n , la hallam os por la lty do llooko:
f = Gb/(2nr).

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(3.45)

a. 10. Tensiones ligadas con las ti isloc cionos

F ig . 3 .2 5 . Tubo cilin d rico dc& trrolhilo cu lm ina plana

La fuerza V en (3.M ) es el valor medio de la fuerza <) y es igual a la

m ita d de f para cl desplazam iento b, es decir,

F = < f) = T f = - S r -

3-4)

P or lo ta n to , )n energa do dislocacin ser

* - J ! * -J
ro 0

<

m ii.

( >

o bion
* < - ^ 1 77-

<3 4 8 >

Aqu l es la longitud de la dislocacin y r 0, el radio del neleode dis

locacin. S i se conocen los valores de r 0 y l, la energa do la disloca
cin depende del lm ite de integracin R respecto de la coordenada
r. L a energa de una dislocacin aislada en un c ris lsl in fin ito es tam
bin una m agnitud in fin ita . Pero en los cristales reales la densidad
de dislocaciones es suficientem ente grande, por lo que la d istancia
m edia entre e lla s es de, aproxim adam ente, 104 d istancias interat
m icas. En el caso en que las dislocaciones estn distribuidas c a ti
cam ente, su interaccin hace que las deform aciones elsticas se com
pensen m utuam ente ju n to a cada dislocacin. De este modo las de
form aciones e l stica s se anulan a d istancias iguales, aproxim adam en
te, a Ja d istan cia m edia entre las dislocaciones, es decir, puede con
siderarse R 104.
S i en (3 .4 8 ) se tom a el vector de Burgers b igual a 0 ,25 nm y el
mdulo do cizallad u ra G = 1 0 " P o, entonces la
correspondiente
n 1 ni do longitud do la d islocacin cs igual a 4 1 0 ' J , o, referida a
una d istan cia i n tora Cmica a lo largo de la linea do dislocacin,
1 0 " 18J ( 6 eV ). E s ta magnitud cs m uy grande.

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Cap. 3. D efectos en los slidos

C lculos (ilgo ms com plicad os do la energa do la d islocacin do

hordo conducen a la expresin sig u iente:
l,. -r-

cm

, R
r0

... , n.
(.5.*59)
'
'

7- I n .

'jc (f v)

La com paracin de (3.4!)) y (3 .4 8 ) m uestra que la s energas de las d is

locaciones Indicoidal y do liordo son muy prxirnos. La otiorgia do
una dislocacin crece, al aum entar ol voctor do B u rgers, proporcionnlm cnto a *. P or eso una d islocacin con voctor do B urgers b =
= nb, os in estable, ya que, descom ponindose en n d islocacio n es se
paradas con v ector do Burgers bt m enor, su energa puede d ism in u ir
desdo el v alor

GnV>\l .

r - 5 l n
4a

ro

,,
b a s ta n

CMl
4 rt

In .
r

Al exam in ar lo s d efectos pu ntuales vim os quo su concen

traci n depende
m ucho
de
la
tem peratu ra
term od inm ica
exp I //(A'i)7')l |. Una de las p rop ied ad es m s im portan tes de
la s dislocaciones es que su can tid ad no depende de la tem peratura.
fis to se debe a que la energa de form acin de las d islocaciones es m uy
grande y el facto r do B o lzm an n oxp I E /(k v T )), a tem peraturas
n orm ales, no desempea un papel esen cial. L a densidad do las d islo
cacio n es on los c ris ta le s depende p rin cip alm en te do su h isto ria an te
rio r, os d ocir, del m todo do cre cim ie n to , tratam ie n to m ecnico,
e tc .

3 .11. In tera cci n de las d islocaciones

con los d efectos p u n tu ales
E n todos los c rista les reales hay a la vez d islocaciones y defectos
pu ntuales. E n tre ello s siem p re oxisto c ie rta in te racci n . E l caso es
q u e, incluso alrededor do los d efectos ms sim p les (huecos y tom os
in te rstic ia le s), e x iste n cam pos de tensio nes e l stica s. E s t claro que
un tom o in te rstic ia l es un fuerte cen tro de repulsin y produce en la
red tensin de com presin. Un hueco por lo com n , al co n trario ,
tiendo a apretar la red a su alreded or y , por con sig u ien te, es un cen tro
do traccin relativ am en te fuerte. R egio n es do com presin y de tra c
c i n , com o hem os visto antes, existen tam bin alrededor de la s d is
locaciones de borde. P o r eso en tre las d islocacio n es que tienen com
ponente de bordo y los dofoctos pu ntuales surge una in teracci n els
tic a . Los tom os in te rsticia le s y los huecos son atrad o s h a cia las
d islocaciones. E n la regin de tracci n se produce una elevada con
cen traci n do tom os n lo rslicin lo s y una b a ja con cen traci n do lin c
eos, y en la regin do com presin, ul co n tra re (fig. 3 .2 0 ).
E n la m ayora de los m tales la energa de form acin de huecos
es mucho m enor que la energa do form acin do tom os in te rs tic io -

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3 .1 1 .

ln lc r a c c i n

ilv h iS ( ls lu v iC K > n v s c o n

lo s i l r f i 'i 'l o s

123

N _
l

2(/cB7 T

in J L

n r0

1-

los. Por ejem plo, par los m etales

Ino,'usos los valores lpiros rio la

"

uuorgia suii ruspoolivaniuiile ilo 1

y f> oV. P or oso la con centracin ile 0
U
_L

tom os in te rsticia le s trm icos es

O
o
dosprociablo o] com paracin con la
.
#
o
concentracin de huecos trm icos

n todas las tem peraturas hasta la

o>
b)
do fusin. Una con centracin nprec ia b le de tom os in tersticiales pue
Fig. 3 .2 6 . Distribucin do los Irno
de obtenorso por irrad iacin o por sos (a) y do los tomos intersticia
les (b) ni rededor to una disloca
deform acin plstica.
cin do bordo
S i ol c rista l contiene tom os de
im pureza, entro stos y las d islo
cacio n es do borde tam bin oxisto interaccin. Los tom os solutos
ocupan puestos por su stitu ci n , reemplazando tom os do la substan
cia in icial on los nudos do la red, o son tom os do inclusin f|n so
encuentran en los in tersticio s. E n cada caso la impureza es centro do
expansin o con tracci n. Lo m ism o que los pares do Frenkel, los to
mos extra o s son atrad os por la dislocacin y so sitan alrededor do
e lla . Los clcu los muestran que ol nmero de tornos de impureza excodentos on la regin lim ita d a por los radios r y II, correspondientes
a una dislocacin de borde re c tiln e a de longitud unidad, es
/q v n

doiulo / os la concentracin en equ ilibrio do impurezas en las regio

nes, on que no hay dislocaciones, y P se detormina por la expresin
<3 - s 1 >

on la cual V y Vm son los volm enes de los tom os do impureza y de

los tom os de m atriz y v es el coeficiente de Poisson.
Se ve que cuando /? -- oo la relacin N IL tam bin tiende a infi
n ito , es d ecir, una dislocacin recta en un cristal infini'o posee cap aci
d ad in fin ita p a ra tomos de im pureza. En los cristales reales, como se
ha dicho antes, R 10* b. Si se tom a v = 0 ,3 , V = 1,1 Km y
r 0 = 2b, siondo k uT o 0 ,0 5 oV, so obtiene que N IL s 501i2/o.
Para los c rista les con im pureza, por ejem plo, del 2 % , esto da cerca
de un tom o de impureza disuelto por cada plano de tom os cruzado
por la dislocacin. E n los cristalo s no aleados este efecto es insignifi
can te.
Los defectos puntuales y los tom os de impureza tam bin interaccionan con las dislocaciones liolicoidalos. En ln m ayora de los c ris
tales roulos, on virtud do la anisotrop ia, las deform aciones quo pro
ducen los defectos son asim tricas. Esto haco que nteraccionen con

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124

Cp. 3. D efectos on lc>3 slidos

. . .

Ins tensiones o esfuerzos corLnntc

Semiplano extra n , r 0( , d i s l o c a c i n

D.eoc.cSn

lld i

eoid nl. Inr lo im ito , lu diferonr.i

entro Ins d islo cacio n es h clro id n l
do Imrdo lio os tun grande on e sl
sen tid o rom o puede pnrerer n pri
m fflrn v j s t a

Un resultado exlrao rd in ariam en

la im p ortan te do la in teracci i
de
d efectos
. los
.

. fsico s pu ntu ales (e

<lec,r> de ,os IUO>s y do los a lo
inos in te rstic ia le s) con las d isloca
rio n e s os su a n iq u ila ci n on stas
101 m ecanism o do osle fenm eno puede exp licarse observando 1a fig
3 .2 7 , quo representa una d islocaci n de borde que pasa de un plant
do d eslizam ien to a o tro , situ ad o una d istan cia n tern l m ica m s arri
lia. lis ta tran sici n so llam a escaln. S i al punto A so acerca un hueco
el escaln se dcpla/.a a la posicin i y el hueco desaparece. Cuando e
absorbid o es un tom o in te rs tic ia l, el escaln se deplaza a ln posi
cin C. Do osle modo los escalones son sum ideros para los defecto;
pu ntuales.
E l proceso inverso (de em isin de defectos pu ntuales por los esca
Iones) es, desde el punto de v ista term o d in m ica, cquiprobnble al
do la absorcin. K n la actu alid ad se ad m ite gen eralm ente que los es
calon es do las d islocacio n es son fuen tes m ucho m s im p o rtan tes d
d efectos pu ntuales trm icos que la superficie del c ris ta l.
A dem s de la in teracci n c l s tic a , antes exam in ad a, en la m ayo
ra de los slid os e x iste la in teracci n e l c trica en tre la s d islocacio
nes y los d eferio s pu ntuales. E sta in teracci n so m an ifie sta con m a
yor clarid ad en los c ris ta le s inicos.
,
im'i
? n iclon ia1 electos
puiiluaU' por ol oscalon de una
dislocacin <l<> bordo

3.12. G en erad ores de d islocacio n es

Y a liem os indicado que las d islocacio n es surgen en lo s c rista les
d uran te el proceso do c re cim ie n to de stos. Jn con d icion es d eterm i
nadas pueden obtenerse slidos con densidad de d islocacion es m uy
b a ja
10* cm ~2 c inclu so m enor). Al m ism o tiem po es bien con oci
do que en caso de d eform aciones la densidad do d islocacio nes aum en
ta y alcan za a menudo v alores de O10 c m " 2. P ara e x p lic a r este hecho
hay que suponer que dentro dol crista) e xisten generadores de disloca

ciones.
Uno do los p asibles m ecanism os do m u ltip lica c i n de las d isloca
cion es fno propuesto por C. Erante y W . Ite a d . Ln accin del genera
dor de E rnnk Itead se m uestra esqu em ticam en te en la fig . 3 .2 8 .
Ln lin ea AH es una d islocaci n de borde ron extrem os fijo s. Atinquo
la lnea de d islocacin no miedo m l.om im pirsc dentro del c r is ta l, p in -

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t 12. Gonrriulorcs do <lislooai'ion<>s

F ig . 3 .2 8 .

Generador
Rcad

de Fran k

125

Fig. 3 .2 0 . Sogmonto de dislocacin

A B con los extrem os fijos

de term inar en cierto plano, cam biar de direccin o unirse en un

nudo con otra dislocacin quo paso por ol plano dado, lista situacin
se ha representado en la fig. 3.29. Los nudos A y B son los puntos de
fijaci n de la dislocacin. La fijaci n se puede producir tam bin en
tom os de impureza.
Frank y Read descubrieron que un segmento de dislocacin del
tipo A B , situado on cl plano de deslizam iento, puede actuar como
fuente de un nmero in fin ito do dislocaciones. B a jo la accin de una
tensin exterior t , la dislocacin empieza a com barse en el plano de
deslizam iento y tom a la posicin 1 (vase la fig. 3.28) (si los extrem os
del segmento estuvieran lib res, la dislocacin empezara a moverse
por deslizam iento). E l encorvam iento paulatino de la dislocacin pue
de producirse nicam ente si la tensin x aum enta de un modo con ti
nuo y alcanza su valor m xim o en el instan te en que la dislocacin
tom a la form a de sem icircunferencia. E n esto caso

Xq = G bll,

(3.52)

siendo l la longitud del segmento A B . E sta tensin es la c rtic a .

P ara t mayores que t 0, la configuracin se hace inestable y la d is
locacin se extiende espontneam ente, ocupando las posiciones
2 , 3, 4. E n la posicin 4 las partes del bucle de dislocacin C y C'
tienen com ponentes helicoidales de signos contrarios, es decir, se
mueven una al encuentro de la otra en un mismo plano de desliza
m iento y se destruyon m utuam ente. Como resultado de esto la dislo
cacin se divide on dos: una exterio r y otra interior (posicin 5).
L a dislocacin exterio r crece basta la superficie del cristal y la in te
rior ocupa el estado in icia l. Despus todo el proceso se repite desde
el principio y contina m ientras la tensin oxterior siga aplicada. E l
nmero de dislocaciones que origina el genorador de F ra n k Read
es ilim itad o, pero en el caso general no todos los bucles do dislocacin
exteriores abandonan el c rista l. E l nmoro de dislocaciones aumenta
hasta quo, como resultado de la interaccin do ios campos elsticos

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120

Cap. 3. Quinetos cu loa slido.1'

do las dislocaciones, la tensin to tal inversa equ ilibra a la tensin c r

tica de rizal Indina t ,. necesaria para quo acto el generador. F>cs]>iis el goncrntlor queda inactivo.
J . Bordeen y <1. Ilc rrin g describieron otro m ecanism o de genera
cin de dislocaciones. IOii parlo oslo niocanisino es anlogo al do
l'Ynnk H e n i l . E n esta caso tam bin so produce ol encorvam iento de
un segmento de dislocacin fijo , pero no por deslizam iento, sino por
arrastre. La accin del generador de B ard een H errin g se puede e x p li
car suponiendo que el plano de deslizam iento do la d islocacin de
bordo AH (vase ln fig. 3.2U) se encuentra no en el plano del dibujo,
com o en el caso anterior, sino en ol plano perpendicular a l. E l
m ovim iento de la d islocacin b aca arriba y b aca abajo puede tener
lugar a cuenta do la generacin o absorcin do huecos. Cuando el
bucle on expansin so superpone (anlogam ente a C y C' en la fig.
3 .2 8 ), la d islocacin se rom pe, se forma un bucle exterio r y se resta
blece el segm ento in icial AH. E st claro que la accin de este gene
rador depondo de la concentracin do huecos. E x iste n otros generado
res do dislocaciones.

3.13. D efectos de em paquetam iento

y d islocaciones parciales
Se lia indicado antes que los defectos de em paquetam iento, los
lm ites do los granos, do las m aclas y de los dom inios, as como la su
perficie del crista l pertenecen a los defectos bidim ensionales. Los
problem as relacionad os con la superficie y los lim ite s de los dom inios
so estudiarn en cap tu los siguientes. Aqu vam os a detenernos bre
vemente on los defectos de em paquetam iento y en los lm ite s intergnmu lares.
Los defectos de em paquetam iento se deben a los llam adas dis
locaciones parciales o incompletas. Los dislocaciones que hemos estu
diado basta ahora se llam an perfectas, com pletas o unitarias. Su vec
tor do Burgers es igual al vector de la red.
Una dislocacin ^parcial puede form arso lo m ism o que la u n itaria,
es decir, cortando el cristal por la superficie S (vase la fig. 3.8) y
desplazando los hordas de esle corto en la magnitud del vector b.
S i el vector b os m enor que el v ecto r do la red se observa que las
redes no coinciden por ambos lados de la superficie del corte. E l bor
do do la superficie de no coincidencia se llam a dislocacin p arcial.
A dvirtase quo cuando se form a una dislocacin un itaria tiene lugar
la coincidencia de la s redes por sm bos lados do la superficie S .
E n el caso on que la s redes no coinciden, la superficie de Corte S
debe tener, en general, una energa muy a lta , l or eso en ln m ayora
de los cristales no se producen estos desplazam ientos. Pero e n lo sc ris-

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3 .1 3 . D o t c c t o s

F ig . 3 .3 0 .

1 1 eti c b ic a
la s c a r a s

lio e m p n q u o l.- im io n lo

c e n tr a d a on

127

F ig . 3 . 3 1 . D e sp la z a m ie n to s p o sib le s
de lo s to m o s on un plan o do em p a
q u e ta m ie n to den so (n d ic o d o s p o r los
v e c to re s b ba, b3)

tales em paquetados densam ente las dislocaciones parciales y los de

fectos relacionados con ellas se forman con bastan te facilidad.
L a estructura c bica centrada en las coras, o la hexagonal de
em paquetam iento
denso, puede representarse como una serie de
planos densam ente em paquetados, colocados uno encim a de otro. En
la ostructura c bica centrada en las caras los planos densamente em
paquetados son ios (111). Sean A , B , C, D , E , . . . los tom os que
se encuentran en los sucesivos planos (111) (fig. 3.3 0 ). Por esta figura
se com prende que en la proyeccin sobre uno de los planos (111) los
tom os D coinciden con los A , los E , con los D y as sucesivam ente,
es decir, toda la sucesin de planos densamente empaquetados so
puede escrib ir as: A B C A B C . . . E n el cristal hexagonal de empaque
tam iento denso la sucesin es esta otra: A B A B A B . . .
E n la fig. 3.31 se muestra la disposicin do los tomos en uno de
los planos (111). Si la capa superior (no representada en cl dibujo)
se desplaza una d istancia A A , los tomos do dicha capa van a parar
de un hoyo A a otro hoyo A , es decir, despus del desplazam iento la
estructura a lo largo del plano de deslizam iento se restablece. E ste
desplazam iento correspondo a la form acin de una dislocacin uni
ta ria con vector de Burgers b . S i ol desplazam iento del plano supe
rio r so realiza respecto del inferior en la magnitud de un vector b a
o b s , los tom os de los hoyos A van a parar a los hoyos C o de los
hoyos C a los A . E n esto caso se infringe el orden de sucesin de los
planos (111). E n vez do la sucesin ordinaria A B C A B C ... surgo la
sucesin ... A B C A B A B C A B C ... De este modo, en la estructura c
bica centrada en las caras apareco una delgada capa interm edia de
em paquetam iento hexagonal denso. E sto es precisam ente un defec
to do em paquetam iento. Los bordos del defecto de empaquetamien
to son dislocaciones parciales.

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Clip. 3. D efectos en los slidos

12K

i*'ii la red ei'iliii ji cen trad a on las caras los dofectos do ompaqtielam iuuto pueden originarse 110 slo por desplazam iento. Su puuilo,
por ejem plo, elim in ar una capa densumonle em paquetada, a expen
sas de la difusin do huecos en osta capa, y corrar despus las capas
adyacentes. A s, despus do e lim in ar una capa B la sucesin ser
...A B C A C A B C ... E ste defecto recibe el nom bre de defecto de em p a
quetam iento por sustraccin. Puede considerarse com o una capa CACA
de estructura hexagonal de em paquetam iento denso.
Tam bin puede ocu rrir lo con trario, es d ecir, por difusin de to
mos in tersticiales, introd ucir una capa do ms en ol in torv alo entre
dos capas vecinas. E n to n ces, s se introduce, por ejem p lo , una capa
B , se form a el em paquetam iento ...A B C IS A B C ... E s te defecto es el
llam ado de em paquetam iento por insercin y puede considerarse como
dos lm ites do m aclas adyacentes B C B y JBAB.

3.14. L m ites in terg ran u lares

Los p o lcristales estn con stitu id os por un gran nm ero de pe
queos granos m onocristalinos separados por zonas do transicin
llam ad as lm ites integranulares. Un lm ite in tergran u lar es la super
ficie que hay entre dos m onocristales de d is tin ta o rien taci n , ad ya
cen tes uno a otro do manera que no o xiste alteracin en la co n tin u i
dad de la su bstancia. D urante mucho tiom po se supuso que dicho l i
m ito era una capa am orfa do varias decenas do nanm etros do espesor.
S in em bargo, hoy su considura ostablocido firm am ento quo la anchu
ra de la zona do m aterial malo que liRy en ol lm ite entre los gra
nos no supera una o dos d istan
cias intorntm icas.
Burgers hizo la suposicin de
que lo s lm ite s entre granos con
pequeo ngulo do desorientacin
estn form ados por un con ju n to
de dislocaciones. L a fig. 3 .3 2 reprosonln esqu em ticam en te cl lm i
te de separacin en ngulo peque
o de dos granos. N um erosas in
v estigacion es exp erim en tales con
firm an el carcte r de dislocacin
de d icho lim ito . E n la fig. 3.32
puede verse que el lm ite en ngulo
pequeo separo granos m on ocrista
lin os cuyas orientaciones se d ife
rencian m uy poco. E n los c rista les
Klg.

3 .3 2 .

I,im ito

in te g r a

con ngulo do desorientacin poquoo

ro * ! r s

' ' " K " 10

<l < r o n t n r .i n

o scila desdo v a n o s segundos anulares hasta 3 6 5 grados. E n tre el

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3 .U . Lmitoa inlergrann laros

i 29

ngulo de desorientacin, el vector b de las dislocaciones de borde y

la

d is ta n c ia

/> en tr o e l l a s , e x i s t o ln s i g u ie n t e r e la c i n :

tg

0 = b/U .

(3.53)

Los lm ite s intergranulnres ejercen gran influencia en muchas de

la s propiedades de los crista le s, en p articu lar, en su eloclrocondu ctivid ad , absorcin del ultrasonid o, propiedades pticas, ote. L a exis
ten cia de los lm ite s h ace que en los polcristales el coeficiento de
difusin de las im purezas sea mucho m ayor quo en los m on ocrista
les.

90 11* 7

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Capitulo 4

Propied ad es m ec n ica s de los slidos

4.1. E sta d o s ten so y deform ado

de Jos slidos
L as propiedades m ecn icas riel slido re fle jan su reaccin a la
influoncia quo ejercen c ie rto s factores e xterio res. E n los casos m s
sim p les estos fa cto res exte rio re s son acciones m ecn icas: com presin,"
tra cci n , fle x i n , choque, torsi n . A dem s do las acciones m ecni
cas: e xisten las t rm ica s, m ag n ticas, e lc trica s y o tras.
L as propiedades m ecn icas estn d eterm inad as, en prim or lu
g ar, por las fuerzas rio e n lace que act an entro los tom os y las m ol
culas que con stitu y en el slido.
L a cioncia y la tcn ica m odernas p lan tean co n tin u am en te la n e
cesidad do elev ar las exig en cias a las propiedades m ecn icas de los
slidos. P o r ejem p lo , la gran u tilizacin de los m etales on todas las
ram as do la econom a se debe a que stos poseon todo un con ju n to do
propiedades m ecnicas: a lta resisten cia, dureza y e lasticid ad en com
binacin con d u ctilid ad y ten acid ad . En la actu alid ad so han o b te
nido aleaciones m e tlicas quo soportan fros intensos y tem p eratu
ras m uy altus con buenas c a ra cte rstica s de re siste n cia m ecn ica,
la s m a lo s varan poco en el transcurso do largos perodos de tiem po.
E l nivel de los logros en el cam po de la obtenci n de m ate riale s
slidos con m ejores propiedades es hoy elevad o. P ero estos logros h u
bieran sido im posibles sin un enfoque c ie n tfic o fundam entado del
p roblem a del m ejo ram ien to de las propiedades m ecn icas. L as po
sib ilid a d e s do esto enfoque surgieron con cl d esarrollo do los m todos
fsico s do in v estig aci n de los slid os y on p rim er lu g ar los e stru ctu
rales: por rayos X , o lectro n o g rico , neu tronogrfico y por m icrosco
p a o lcctr n ica . So e sclareci que la m ay ora de las propiedades de
io s slid os depende do las p ecu liarid ad es de su estru ctu ra at m ica.
U n gran paso on ol d esarrollo de la te o ra fsica de la resiste n cia m ec
n ic a do los slidos fueron la teora de la s im perfeccion es y, en p rim er
trm in o , la teora de las dislocaciones. R e su lt que la resisten cia m e
c n ica do los slid o s depende p rin cip alm en te do la s d islocacio n es y
q u e pequeas a lteracio n e s en Ja colocaci n de lo s tom os en la red
c ris ta lin a ocasionan la variacin brusca de una propiedad estru ctu ral
tan sen sib le corno es la resiste n cia a la deform acin p l stica .
A posar rio lo s x ito s alcanzarlos en cl cam po de la te o ra y rio la
p r ctica de in v estigaci n y v ariaci n do las propiedados m ecn icas en
ol sentirlo necesario, en e ste cam po an queda mucho por hacer.

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4.1. Estados lenao y deformndo ti los slido

F ig . 4 .1 .
E s q u e m a p a r a d e f in ir el
c o n c e p t o d o te n s io n e s m e c n ic a s

131

F ig . 4.2. F o r m a c i n d o l c u e llo p o r
tr a c c i n d e unn m u e s t r a c i l i n d r i c a

T en sin m e c n ica . S i un cuerpo est som etid o a ln accin de

fuerzas e x te rio re s , en cada an o de sus puntos surgen tensiones m ec
nicas. E n este caso se d ice que el cuerpo se encuentra on estado de ten
sin. S i en este cuerpo se elig e un elem ento de volum en cu alqu iera,
sobre l act an dos tip o s de fuerzas: 1) fuerzas de volum en (por ejem
plo, la g rav ed ad ), quo act an sobro todos los elem entos del cuerpo,
cuyo v a lo r es p rop orcional al volum en dol elem en to; 2) fuerzas que
a ct an sob re la su p e rficie del elem en to , e je rcid a s p o r'la s p arles del
cuerpo que lo rod ean. E s ta s fuerzas son proporcionales al rea de ln
su p e rficie del elem en to . U na fuerza de este tip o , referida a la unidad
do rea se lla m a tensin.
P o r e je m p lo , cuand o se som ete a tracci n una v a rilla c ilin d ric a
istrop a (fig. 4 .1 ), en la s con d icio n es de e q u ilib rio e st tic o , la fuerza
e x te rio r F es e q u ilib ra d a por la fuerza in te rio r de re siste n cia j a d S ,
en la que o es la tensin norm al al plano de la seccin y S , el rea de
Ja seccin tran sv ersal de la v a r illa , es d ecir,
/ ?= ^ a d S .
S i la s ten sio n es estn d istrib u id a s un iform em ente por la seccin
do la

v a r illa , F = o ^ riS = a S ,

de donde

<i = F /S .

(4.1)

H aciend o en esta frm ula f = 1 N y S = 1 ms, obtenem os:

1 unid ad de ten si n = 1 N/m2 1 P a , es d ecir, la tensin so e x
prosa en los m ism as unid ad es quo la presin.
H ay quo d istin g u ir las tensiones verdaderas do las convencionales.
L a s lon sion cs verdad eras se d eterm inan refirien d o la fuerza aplicad a
a la p ro beta al v a lo r efectivo del rea de la seccin que. v ara cuando

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132

Cap, 4. Propiedades m ec n ica s da loa slidos

1ns tensiones son cap aces de pioiluc ir nnn deform acin su ficien te. Lor
ejem p lo , si la probeta se som ete a
c
i /
tracci n , com o
resultado de las
grandes d eform aciones se crea en
e lla un estrech am ien to (cuello),
o ,, Jo

?*
com o m uestra la fig . 4 .2 .
/
VI2)
L as tensiones con v en cio n ales so
d eterm inan
refirien d o la fuerza
al rea de la seccin in icia l de la
til
y
p robeta, en todo el in te rv a lo do de
F ig . 4.3. T e n s io n e s q u o a ct a n s o
form aciones hasta la ro tu ra de sta .
b ro la s pri rodos d e l c u b o elem en ta l
A l d escrib ir el estado de ten
sin vam os a suponer quo: la tensin
os unljorm e on lodo el cuerpo (es d ecir, igual en todos sus pu ntos),
todas las partos del cuerpo estn on e q u ilib rio e st tic o y la s fuerzas
de volum en (que act an sobre todos los puntos dol cu erp o , com o, por
ejem p lo , la gravedad) y los m om entos de volu m en, estn au sen tes.
E n osto cuerpo olegim os un punto O cu alq u iera dentro do l y con s
tru im os alreded or de d icho punto, com o so hace en la te o ra c l s ic a
de la e la sticid a d , un cubo in fin ite sim a l (fig. 4 .3 ). T re s ojos, p erp en d i
c u lares en tre s , x , y, z, que p arten del punto eleg id o , se lo m an com o
sistem a de coordenadas rectan g u lares. Como en ad elan te re su lta m s
cm odo o o scrib ir las frm ulas operar con c ifra s , d osignarom os ol
eje x con la cifra 1, el y, con la 2, y e! z, con la
L as a rista s d el cubo
elem en tal son paralelas a los e je s Ox, Oy y Oz.
E n e q u ilib rio , las fuerzas que act an sobre c a ra so p u o sta sso n ig u a
les, por lo quo b astar con sid erar las fuerzas que act an sobre tres
caras perpendiculares entro s . C ad a una de las tensiones que act an
sobre tres caras no p aralelas dol cubo las descom ponem os en una co m
ponente norm al y (ios tan g en ciales, os d ecir, situ a d a s en el plano que
so considera.
A notem os con
la com ponente do la tonsin que act a on la
d ireccin i sobro la cara dol cubo p erp en d icu lar a l ojo j. L a s tensiones
crn , a 2.t , crM son las nrm alos (do tra c ci n o com p resi n ); a l2 , a 21,
crJ3, e t c ., las tensiones tan g en ciales (co rtan tes o de c iz a lla d u ra ).
A s pues, el a t a d o de tensin de un punto se caracteriza p o r nueve
7(3)

m agnitudes a, com ponentes de un tensor de segundo ran g o, el tensor

de las tensiones m ecn icas:
Un
21

1*31

cr2

i3

O?,

(4 .2 )

0.1 ?. O.i:s

Com o el cu b o e le n o n ta l se h a lla on estado de e q u ilib rio y la

ten si n es u n ifo rm e, puode d em ostrarse, analizand o los m om entos

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4.1. Estados tenso y deformado do loa slidos

133

i
r
de rotacin respecto do un ejo cu al
quiera dol cubo, tuto a ai) a aa;
s i = ia y ia = Gjp
aclul se
sigue que de las nueve com ponen
tes slo seis son independientes y
el tensor resulta ser sim trico , es
d ecir, las com ponentes sim tricas
I
respecto de la diagonal principal
f----del tensor son iguales entre s
I__
(a,y = Of/,).
E l estado de tensin que se pro
F ig . 4 .4 . A la r g a m ie n to d e u n a
duce en el slido influyo esencial
m u e stra c ilin d r ic a so m o tid a a tr a c
ci n
m ente sobre los procesos de defor
m acin y rotura de sto.
U na ca ra cte rstica im portante del estado do tensin es el coefi
cien te de Mandnrat>, igual a la razn de las tensiones tangenciales
m xim as a las norm ales m xim as. Cuanto menor es este coeficiente
ta n to m s rgido es el estado de tensin. L as tensiones tangencia
les favorecen el desarrollo do la deformacin p lstica, y las norm a
les, la rotura de los enlaces interatm icos, la rotura frgil dol slido.
D eform acin. S e llam a deform acin el cam bio d el volumen o de la
form a de un slido, bajo la accin de fuerzas exteriores, sin que varesu
m asa. L a deform acin es un proceso en el cual v ara la d istancia en
tre unos puntos cualesquiera del cuerpo. Los tipos de deformacin ms
sim ples son por: traccin, com presin, cizalladura, torsin y flexin.
La deformacin elem ental por traccin un ixica de una probeta
cilin d rica es el alargam ien to. Cuando a una probeta so le ap lica una
fuorza do tracci n , su longitud aum enta y su dim etro dism inuye.
La deform acin se expresa, por lo Comn, en unidades re lativ as.
A s, si la probeta tena in icialm en te la longitud l0 y despus de ap li
carle la fuerza de traccin tiene la longitud l, (fig. 4 .4 ), la deform a
cin relativ a de la probeta ser
8 = (i. -

*.)/*

'

(4-3)

Lo mism o que en el caso de las tensiones, hay que distinguir las de

form aciones convencionales (e) (de alargam iento o cizalladura) de las
verdaderas (e), esto tione im p ortan cia sobro todo cuando la s deforma
ciones son grandes. Al ca lc u la r las deform aciones verdaderas, se
considera no la longitud in icia l con stan te, sino la v ariable, que au
m enta (durante la traccin) en el proceso do la deformacin.
P o r ejem p lo , si cuando una probeta se som ete a carga su longitud
vara desde l 0 hasta l,, todo el proceso de deform acin se puede d ivi
dir en partos. Al principio la probeta se alarg hasta ilt despus hasta
i s, 13 y as sucesivam ente. E n esto caso cl alargam iento total es

l,- lo
e=
^0

i,- li

,
H-

,
+ -

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. ti-liff-i

(4 .4 )

C ap . 4. Propiedades m ecn icas de los slidos

131

S d ism inu im os lo s segm entos para los cu ales se c a lc u la el a lar(' iiii lien lo, on ol lim ito ol iilorgiim icn lo verdadero son!

L as d eform aciones con v en cio n al y verdadera estn relacio n ad as

en tre s. Kn efecto , t (lt fo)^o ^
li
donde f/0 =
1 -I- e, y

e = ln (/,//) = ln (1 + e).

(4.6)

Guando las d eform aciones son pequeas, la

d eform acin co n v
cio n al coincido p r ctica m en te con la verdad era. S i la s e son peque
as se tien e que ln ( t -j- e) = e e2/2 + e 3/3 . . L im it n d o
nos al prim or trm in o del d esarrollo , obtenem os quo, en efecto ,
e e. Cuando las d eform aciones son grand es,
ontre lo s v alo res do
las deform aciones con v en cional y verdadera
se
observa una
c ia con sid erab le.
D em ostrarem os esto con un ejem p lo.
Supongam os que la longitud de una v a rilla se d u p lica al som eter
la a trnccin y so reduce a la m itad si so som eto a com presin . A p li
cand o la s frm ulas antes dadas, calcu lam o s las d eform aciones con
ven cio n al y verdad era. P ara la tracci n
p. - - i 1 -
*0
*0

- i;

e = ln 4 ^ - = -f-0 ,6 9 .
0

P ara ln com presin

e=

_o/2 - L
<0

= _ o , r );

{ a l n i L s : 0 ,6 9 .

V em os que las d eform aciones verdad eras por com presin y por
trnccin son guales y slo so d iferen cian on el signo, m ien tras quo
las con ven cionales so diforoncian por su v alo r y por su signo.
U na propiedad im p o rtan te de las d eform aciones verdad eras es la
de ser a d itiv a s. E fectiv a m e n te , si la tracci n de la p ro b eta se hace
en dos e tap as: la prim era desde l 0 h asta l y la segunda desde l n
hasta l, y so calcu lan las deform aciones verdadorns, resu lta que
e , = I n - j2 - ;

e2 = l n - ^ - ;

e lol;l, = ln

+ ln

ln

e t + e2.
(4 .7 )

E s fcil d em ostrar con este ejem p lo que para la s d eform aciones

co n v en cio n ales no se cu m p le ln propiedad do la ndiU vidnd, es doeir.
e tO lo l ^

" i" C 2*

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(4.8)

4 A. Estados tenso y deform ado de los slidos

135

L a nd itividad do la s deform a
A IJ
cio n es vordndorns liono im portancia
p rctica. A s, los c lcu lo s do la doi
form acin to ta l do un m etal somo/
ar l
/
tid o a tra ta m ie n to por presin,
*-7
/
h
realizad o en v arias operaciones, se
/
/
/
/
sim p lifica n m ucho.
1
<
P ara d efin ir to ta lm e n te el esta
do deform ado, adornas del alarga
m iento (o acortam ien to ), h ay que
F ig . 4 .5 . V a r ia c i n d e la fo r m a y
d im e n s io n e s d e u n c u e rp o s o m e t i
con ocer la deform acin de cortad u
d
o n to iisio n o s ta n g o n c fa lo a xXJ.
ra quo ocasionan las lonsionos ta n
D e fo rm a c i n p o r e sfu o rz o c o r t a n te
gen ciales. E n los onsayos de pro
p u ro
piedades m ecnicas se acostum bra
c a ra cte riz a r la deform acin por la
v ariaci n re la tiv a de las dim ensiones lin eales de las probetas y por el
n g u lo d e distorsin a , es d ecir, por el ngulo en que vara ol ngulo
recto in ic ia l d el elem ento de superficie del cuerpo deformado o de
la probeta. Se lla m a deform acin relativ a y de cortad u ra la tang ente
del ngulo do d istorsin (fig. .5 ).
D e la fig. 4 .5 so sigue que y = A l/h ~ tg a . S i la s deform aciones
son pequofias tg a a = y.
T od a d eform acin se puede representar en form a de una com bi
nacin d eterm inad a de deform aciones de cortadu ra y alargam ientos.
E n el caso gen eral, para d efin ir m atem ticam ente el estado deform a
do en un punto elegid o, quo por cu alqu ier m otivo nos interese, es
necesario d eterm inar, para cu alq u ier direccin que p arta del punto,
la v ariaci n sufrid a com o resultado de la deform acin, o sea, la dis
ta n c ia entre dos puntos prxim os y el ngulo entre dos d irecciones
cu alesq u iera.
A l exp on er los fundam entos m atem ticos del estado deform ado
vam os a con sid erar solam en te las deform aciones uniform es in fin ite si
m ales. P rim ero exam in arem os el caso do la d eform acin unidim en
sio n al do una cnerda o xten sible cuyo extrem o izquierdo est su jeto
en el punto O (fig. 4.G).
Tom em os un punto Q cerca de P , de m anera que PQ A i.
Despus do la deform acin, P pasa a P' y Q a Q'\ u es el desplaza
m iento. E l segm ento P'Q' es igual a + Au. D eterm inam os la de
form acin del segm ento PQ:
\ P' Q \ ~ \ P Q \

.. a

1P0I

L a d eform acin en el punto P es

A

c - - llll txx
A.r-*0

(lll

17-

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(4 .9 )

Cop. 4. Propiedades m ec n ica s de los slidos

138

SZao

P-

F ig . 4 .G . D e fo r m a c i n d e u n a c u e r d a :
a , a n te s d e te n sa r la ; b , d e sp u s d e
t e n s a r la

F ig . 4 .7 . E je s d e c o o r d e n a d a s p a r a
d e s c r ib ir e l e s ta d o d e d e fo r m a c i n
e l s t i c a . L a s c i f r a s e n t r e p a r n t e s is
in d ic a n la d ir e c c i n : x 1 , y
2,

z 3

De este m odo, la deform acin en un pu n to cu alqu iera es la d eri

vada del d esp lazam ien to respecto de la coorden ada, sta es una m agn itu d
ad im en sion al. De la expresin (4 .9 ), despus de su in te g ra ci n , se s i
gue quo cuando la d eform acin cs uniform o (en cuyo caso e es con s
ta n te ),

el d esp lazam ien to dependo lin ea lm en to de la coord enad a:

u ~ ex.
P asand o al caso ile la d eform acin v o lu m trica de un s lid o , e le
gim o s com o e je s de coordenad as tre s e je s o rto go n ales x, y, z con o ri
gen en ol punto O (fig. 4 .7 ). Supon gam os que el punto O perm anece
en su s itio despus de la d eform acin y todos los dem s puntos del
cuerpo cam b ian do p o sicin .
D efin im o s la p o sicin del pu nto A (x , y, z) an te s de la d eform a
ci n por el rad io v e cto r r. D espus de la d efo rm aci n el punto
A (x, y, z) se desplazar a la p o sicin A ' (x ' , y', z'), d efin id a por
ol rad io v ed ar r '. Al v ecto r A A ' = r ' r == U (u, v, m) lo lla m a re
m os vector desplazam iento; u, y, o> son la s com p onentes de d icho vec
to r |quo siguen los e je s x, y, z. lis e v id e n te que
* ' = x -|- u, y = y + i>, z ' => z -f- ce.
De nu evo, com o en el caso de la cuerda e x te n s ib le (puesto que nos
in teresan no los d esp lazam ien to s ab solu to s do los pu ntos d u ran te la
d efo rm aci n , sin o los de uno resp ecto de o tro ), d eterm in em os la de
fo rm aci n de los segm entos Ax, Ay, Az.
E n la d irecci n del e je x la d efo rm aci n es A u /A x o duldx en el
lim ito , cuntido Ax 0 ; cu la d iroccin del o jo;/ tenem os Ar/A;/
o dvly en ol lm ite , cuand o Ay <- 0 , y en la d irecci n del e je z
resu lta Aet/Az o doddz en el lm ite , cuand o Az
0 . Com o la s com p o-

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137

4.1. Estados tenso y deformado da los slidos

n cn tes do) v ecto r u, v, w son funciones lin ea le s de las coordenadas,

A u ~ j t A x + ~W A /4--f- A z = r ^ A r -h e,2A|/ + uAz;

Av = - ~ A x + ~ - A y -\ r -^ -A z = e 2iAx->r ei2Ay-\-evAi\
A( = - ^ A x +

- At/ -h

Az = eslAx + a32Ay

(4 .1 0 )

e33Az.

Nueve m agnitudes ej determ inan un tensor de segundo rango, el

tensor de la deform acin.
P a ra e x p lic a r el sen tid o fsico do la com ponente e considerare
m os un caso p a rtic u la r. S ea Ay = Az = 0 , entonces
Au = -|^-Ax = e ,,A x ;

Av =

A x = e2lA x;

Aw = - ~ - A x = e31A x.
(4 .1 1 )

No es d ifc il ver que e n Au/Ax = duldx es cl alargam iento por

traccin del segm ento Ax, proyectado sobre el eje x (2). Anlogo sen
tid o tienen las com ponentes
e

<

4 1 2 >

L as com ponentes e 21 = dx/dx y e3, dio/dx determ inan el giro

del elem ento lin eal paralelo al e je x : en cl prim er caso alrededor del
e je z, en el sentid o y (contrario a l do las agujas de) re lo j), y en e l se
gundo, alrededor del e je y, en el sentido del eje z (contrario al do la s
agujas del reloj).
E n efecto , de (4 .1 1 ) se sigue que Av = (dv/dx) Ax = e21Ax;
teniendo en cu en ta que d urante la deform acin el segm ento Ax se
alarga en Au, obtenem os que e21 = Au/(Ax -|- Alt) = tg 0, siendo 6
el ngulo de giro del elem ento lin eal.
Com o se tra ta de pequeos desplazam ientos, u y v son pequeos
en com paracin con x , por lo que Au y Av son tam b in pequeos
com parados con Ax y 0 Av/Ax = et}. L a com ponente a , 3 d eterm i
na el giro del elem ento lin e a l, paralelo al e je y, alrededor del eje z
en el sen tid o x (sentido de la s agu jas del re lo j), y la eis , el giro del
elem ento lin eal alrededor del oje y, en el sen tid o del x (sentido de la s
agujas del re lo j). L a s com ponentes e23 y e32 d eterm inan los giros a l
rededor del e je x : en el prim er caso en el sentido del eje y (sentido
de las ag u jas del re lo j), y en el segundo, en el sentid o del z (contrario
al de las agu jas del relo j).
D eterm in am o s la d eform acin to ta l de cortadu ra que tien e lugar,
por ejem p lo , en el plano xtj (fig. 4 .8 ). Supongam os quo en el cuerpo
no deform ado se tien e el cuadrado OAUC. Unjo la accin do los ten
siones tan g en ciales el cuadrado OAUC se transform a en cl rom bo

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138

Cap. 4 Propiedades m ecn icas de los slidos

OA'D'C', fo n lo quo ol lmto OA

(tira on ol sen tid o (tu las agu jas dol
roloj 1111 ngulo igual a V 2 eJ2, y
el lado OC, en el sen tid o con trario
rx*

j
u
}
al de d ichas agujas, un ngulo
1 1/2
/
igual a V 2 e2i. E s ta d eform acin se
f
/
llam a de corlo puro, para d iferen
1
i
c ia rlo lo la de corte sim ple. L a com
0
paracin de las figs. .5 y 4 .8 mues
Zl/2.,,
c
tra claram en te la d iferencia quo
hay ontro la d eform acin do corto
F i g . 4 .8 .
Do fo rm a c i n t o t a l do
c o r la d u r a b a jo la a c c i n d e la s
puro y la do corte sim p le. L la m e
te n sio n e s t a n g e n c ia le s T xy
mos u al d esplazam iento de un
punto situ ad o en cl lado OA (dicho
desplazam iento se produce en el sonlido del eje a:) y v al desplaza
m iento do nn punto situ ad o en el Indo OC (cuyo d esplazam iento se
efect a en ol sentid o del e je y). Como el desplazam iento v depende do
la coordenada x y cs proporcional a e lla , V2 e21 = dvldx y , por razn
anloga, */a e12 = du/Oy. De aq u so deduce que en el plano xy la
deform acin to ta l de corlo os
y

D*

(4 .1 3 )

2 \-iz
( c . zI- l-1/
- c z . ) =a4y r + dx

De un modo anlogo se puede d em ostrar que

dl
)(
f
1 z
,
,
u
u
1)1)
2 ( e is + c 3 l )
d t -h dx
~2
'I
-y7

(4 .1 4 )

U na vez aclarad o ol sen tid o do la s com pononles de la deform acin,

podemos com poner el tensor de la deform acin que d eterm ina el e sta
do deformado on el puni dado dol cuerpo. Al hacer esto, paTa deter
m inar la deform acin propia del cuerpo debida a su ro taci n en con
ju n to , cl tensor suele d iv id irse en una p arle s im trica y o tra a n tisim tricn . La parte n n lisim tn ca V2 (e,2 e21) describe Ja rotacin
dol cuorpo en co n ju n to . La s im trica l/2 (e)2 -j- c2l), la dolorm acin
propia dol cuerpo. De esto modo, el tensor de la deform acin es un
ten so r sim trico de segundo rango y con sta de nueve com poncntoa,
seis de la s cuales son ind ependientes, puesto que la s com ponentes
s im trica s respecto de la diagonal p rin cip al son igu ales entre s :
(i i = /i):
it
V2 (e ,2 + c2t) 1/2 (e l3 + e 31)

1cipf!

/2 (2i + e ,j)

i2

V2 (e3i -+ i 3)

V2 (e32 -j- e23)

V2 (<?z3

e32)

e33
e,

12

21

22

e 3|

e 32

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(4. ir.)
33

4.2. Ley do Hooko par los slldos istropos

13!)

L as com ponentes diagonales

describen el alargam ien to o la
com presin . L a s k u son las com ponentes lonsorinlos do cortadu ra.
A s, la m agnitud 'el2 os igu al n la variaci n dol ngulo entre dos ele
m entos situ ad o s antes de la d eform acin paralelam en te a los ejes
Ox y Oy. S i este ngulo d ism inuye, la deform acin 2 e u es p o sitiv a.
Anlogo sen tid o tien en la s com ponentes
y e23.

4 .2 . E la sticid a d .
L e y de Ilooko para los slidos istropos
Las propiedados m ocnicas do los slidos so representan del modo
ms com p leto en los diagram as tensin-deform acin. E sto s d iagram as
ropresentan la dependencia entro las tensiones m ecnicas a , quo sur
gen en el slido al som eterlo n la accin de fuerzas exteriores, y la s
deform aciones e. D e los diagram as tensin-deform acin se obtiene
un sistem a do c a ra cte rstica s de resisten cia (lim ites do rotu ra, de fluen
c ia y de e la sticid a d , alargam ien to relativ o , astricci n y otras).
A dvertim os que el diagram a tensin-deform acin no dependo de las
d im ensiones geom tricas do la probeta, ya que <r y e son m agnitudes
esp ecficas.
E n la fig. 4 .9 so da un diagram a tensin-d eform acin tp ico de
tracci n m ecn ica do una probeta c ilin d ric a . E s n atu ral que el estu
dio de la s propiedades m ecn icas, inclu id as las e l stica s, de los s li
dos resu lta m s f c il si so com ionzn por el a n lisis do estos diagram as.
Como puede verse en la fig . 4 .9 , la curva a / (e) pone de m an ifiesto
v a ria s p ecu liarid ad es ca ra cte rstica s. A s, cuando las tensiones son
pequeas se observa una dependencia lin eal de la deform acin respec
to de la tensin (trozo OA). O tra particu larid ad dol tram o OA es
que, despus de q u ita r la carg a, la form a y dim ensiones de la probeta
se restab lecen , es d ecir, la deform acin resulta ser rev ersible. L a re
v ersibilid ad do la deform acin en cl trozo OA slo so observa si la
c a rg a s e ap lica y se q u ita relativ am en te do prisa. S i la carga permnnoc e ap licad a d urante un interv alo de tiem po grande, nos encontram os
con el fonmono denom inado creepo flu en cia y , por con sigu ien te,
con una deform acin no reversible.
a>
E l tram o re c tiln e o OA se llam a
cam po de deform acin cl stic a (pa
ra los slidos e<C 1 % ).
Ms all de los lm ite s dol cam
po e l stico , al superar cl punto A
(la tensin correspondiente a este
punto so llam a lm ite de elasticid ad
o L.) ln curva pasa al llam ado cam po
Fig ,, y Diagrama tonsin-deforplstico. L a m agnitud a , corresmacin

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140

Cap. 4. Propiedades mecnicos de los slidos

ponda ni lm lle de fluencia, tensin m nim a con la cual lu doformacin

sigue creciendo 9n que aumente la carga. 1 punto C do la curva
a / (e) correspondo n ln tensin de rotura crr o lm ite de resistencia.
Al llegar o este punto la probota se rompo. So entiendo por resisten
cia ln razn do la carga mnima con la cual la probeta so rompe, al
rea de la seccin de dicha probeta.
Las principales regularidades dol com portam iento do los slidos
en el campo elstico las estudi oxperim cntalm ente por vez. primera
R . Hooke (1678). E l estableci que cuando un cuerpo istropo se
someto a traccin (para el cuerpo istropo cualesquiera direcciones
elegidas arbitrariam ente son equivalentes), si la deformacin y la
tensin son suficientem ente pequeas, la dejormacin es proporcional
a la tensin aplicada (ley de Hooke):
s = So.

(4.16)

Aqu e = M il es ln deformacin longitudinal por traccin; /, la

longitud prim itiva de la probeta ensayada; M, el incromento de la
longitud como resultado do la deformacin; S , la constante de docili
dad elstica o simplomente docilidad.
Ln ley de Hooke so puede escribir tam bin en la form a:
a = C e,

(4.17)

en la que C 1/5 es la constante de rigidez elstica o sim plem ente

rigidez. So ve quo cnanto menor os ln docilidad, tanto mayor es ln
rigidez del cristal. En la literatu ra, sobro todo en la tcn ica, C suelo
llam arse mdulo de Yoting y designarse por E , en cuyo caso
o = E e.

(4.18)

La ley de llooko para la deformacin de cortadura (cizallam iento)

por la accin de tensiones tangenciales (cortantes) x tiene una forma
igual do simple que para el caso de la traccin:
x = E /S = CM Ih = C tg a ,

(4.10)

donde G es el mdulo de rigidez (o mdulo do elasticidad para la cor

tadura); tg a , la tangente del ngulo de distorsin (vase la fig. 4.5);
S , el rea de la seccin de la probeta en el plano do corte; F , la fuerza
de corte o cizallam iento.
En el caso do la compresin (o la traccin) m u ltilateral, como, por
ejem plo, de ln compresin bid rostlica, la ley de Hooke tiene la
forma

P x

= xQ ,

(4 .2 0 )

siolldo / la presin hurosla tira; x, el coe/iciente de compresin milllilateral o mdulo de deformacin cbica y Q, la deformacin cbica
de volumen.

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4.2. Ley de Hooko para los slidos istropos

I4 i

I i ley ilo Hooko escrita en

la Coima (4.11)(4.1 II) doloi-miun
tu relacin m utua entre la tensin
y la deform acin en una m ism a
d irecci n , es d ecir, en la direccin
en que so a p lic a ln fuerza e x te
rior. E sta forma de escritura recibe
ol nombro de ley de Ilo ok c e le
m en tal. Pero la deform acin se
puede producir tam bin en d irec
ciones d istin ta s do aquella en que
se ap lica ln fuerza extorior. En
estos casos la ley de Ilo o k e en su
forma elem en tal es ya insuficiente
Fig. 4 .1 0 . V ariacin do las dim en
y hay que u tilizar la ley de Hoo- siones do una probla cilin d rica
ke
generalizada.
E fectivam ente,
som etida a traccin a lo largo de
un solo oje
cuando se som eto a traccin una
probeta cilin d ric a no slo se produ
ce su alargam iento en la direccin de la fuerza ap licad a, sino tam bin
su com presin en las direcciones transversales, cs decir, tiene lugar
una deform acin trin xin ]. La deform acin transversal quo se origi
na durante la traccin o com presin o lslica se caracteriza por el
coeficiente de Poisson v, igual a la razn de la variacin de las dim en
siones en direccin transversal, a su variacin on direccin longitudi
nal. P ara la m ayora do los slidos el valor de v so oncuonlra ontro
0 ,2 5 y 0 ,3 5 . De ln fig. 4 .1 0 se sigue que
(ri ro)/r
O i-W o

dr/rp

d(/ip

e = i =* ve,

L a ley de lloolcc generalizada establece la dependencia lin eal no s

lo entre una tensin y la correspondiente deform acin, sino entre as com
ponentes del tensor de las tensiones (au , a 5J, a 3:>, a,, craa, cr3l) y cada
com ponente del tensor de la deform acin (g ,,, e2a, e3S, e i2, 623, e3l).
L a ley de Hooko generalizada para un cuerpo istropo se escribe
en la form a siguiente:
para el alargam iento

it =* e* = -g- [oltv (a22 +ct33)| = - ~ (o ,v (o + a,) 1;

= v = 4 " Ia22 v <orn + to )] = - r l i , v (< r, + a , ) ] ;

ess= ez=>~ [a33v(o,|+ a22)l = -i- (o,v(a, + a)];

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( 4 .2 1 )

142

Cap. 4. Propiedades m ecnicas <lo los slidos

para las deform aciones do cortadura

t-r- =

= -ir =

em

= ev* =

S f ..

'

(4 .2 2 )

Puede m ostrarse que las constantes de elasticid ad E , G y v estn

relacionad as entre s por la expresin

G = 7(2(1 + v)).

(4 .2 3 )

l or lo tanto, conociendo dos con stan tes siem pre so puede deter
m inar la tercera.

4.3. L ey de H ooke para

los slidos anistropos
Los slidos inouocrislalinos son cuerpos anistropos. E n el caso
gen eral, para los m onocristales cualesqu iera direcciones elegidos re
un modo a rb itra rio no son equivalen tes por sus propiedades.
Y a Jinmos v isto que u n a tensin uniform e y u n a deform acin u n i
form e in fin itesim al se definen por tensores rlc segundo rango cada uno
de los cuales viene determ inado por nueve com ponentes de deform a
cin ej y nueve com ponentes de tensin a j. S i la deform acin es

in fin itesim al y uniform e, cada com ponente d el tensor de deform acin

est relacion ada linealm ente con todas las com ponentes del tensor de
tensiones y, viceversa, cada com ponente del tensor de tensiones est re
lacionada llnealm cnle con todas las com ponentes del tensor de deform a
cin. E n esto con siste la esencia de la ley de H ooke para los slidos
anistropos. M atem ticam en te la ley de Ilo o k e para los m onocristnlcs se escribe as:

&it = S Uka k

(4.24)

= C u h iti K,

(4 .2 5 )

o Ilion
donde S jhi y Cj),i son las con stan tes de docilidad y de rigidez del
c ris ta l, respectivam ente. E s fcil com prender que en total habr SI
com ponentes S ij i y 81 com ponentes C / hi.
P or la teora de la elasticid ad sabem os quo si dos tensores do se
gundo rango estn relacionados por una expresin de la form a
(4 .2 4 ), (4 25 ), las m agnitudes CiJh , ( S uli) forman un tensor do cu arto
rango. 151 tensor form ado con los coeficien tes C jm se lla m a tensor de
rigidez elstica o sen cillam en te tensor de elasticidad, y el tensor cons
titu id o con los coeficien tes
se denom ina tensor de d ocilid ad el s

tica.

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4.3. Loy <lo Ilooko para loa slidos anisliopos

143

Como los lensoros do deform acin y de tensiones son tensores s i

m tricos do segundo rungo (r,y
i>j; ti,y
j i )< no linlin MI com
ponentes independientes '/y;,, y C'Jkt, sino solam ente 3, ya que un
osto caso
S lh l =

S jth li C tjh i

S ilk l =

S ljlk t C tlh l ~

C tjth

(4.20)

P ara los crista les, los tensores de los mdulos do e lasticid ad , cada
uno de los cuales com puesto por 3(5 com ponentes, son n su vez sim
trico s, es d ecir, las com ponentes S/yu y C ,h, son tam bin sim tricas
respecto de la perm utacin de pares do ndices:

Sjii ~ S m ij y C ithi Citiu-

(4.27)

Ln e x iste n cia do oslas igualdades conduce a que, cu ol caso genora l, el nmoro de com ponentes independientes do los tensores do los
m dulos de elasticid ad so reducen de 3(5 u 21, que es el nmero do
c on stan tes quo lieno un slid o carente do toda sim etra.
P ara resolver m uchos problem as concretos resulta til escribir las
com ponentes de los tensores do los m dulos de elasticid ad , deform a
cin y tensin on n otacion es m atriciale s, ya que as se reduce el n
mero de su bnd ices de las com ponentes.
E n la escritu ra m a tric ia l la com binacin b in aria ij = ni (ij =*
= 1, 2, 3) y hl = n (kl = 1, 2, 3) se su stitu ye por un subnd ice del 1
al 0 segn el esquem a sig u ien te: 1 1 - * - 1 ; 2 2 - * - 2 ; 33 * 3; 23,
32 -> 4; 31, 13 5 ; 12,21 6 . E scrita s de este modo las com ponen
tes de la tensin y la deform acin tienen la forma
I1

0 ,2

i3

a 2l

Z2

<*23

32

a 33

/
*11

*12

*13

*21

*22

*23

*31

*32

*33

t-

o
-* -

02

0*

(4 .2 8 )

oA

<*4 o j

e,

4-

1
2 e*
\ T2 es

*2
~

T e*
2 eA

(4 .2 9 )

L as com ponentes de rigidez C/y*, se transform an segn el esque

ma escrito an terio rm en te, y la s com ponentes de docilidad, del modo
siguiente:

S IJh, = V * (1 + 6)*/ , (1 -I- M

S mn,

(4.30)

donde ,y, iiiii son los sm bolos d elta ; ,y 1 si i j\ /y - O si

# /, es d ecir, 5 n i l = S n , pero S n23 = J/2 S lt y S 13t3 */

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144

Cap. 4. Propiedades m ecnicas de los slidos

K ti lii n o ta c i n m iil.ric in l

!n le y do l l o o k o se o s c r ib e a s :

K| a- >,jOj (i, J 1, 2, . .

6),

(4.31.

<y = CH, (, / = 1 , 2 .............. 6).

(4.32;

Aqu mse lin sustituido por i y n por j.

Los coeficientes do rigidez elstica CtJ y de docilidad elstica
S j se pueden representar en form a de tablas:

L'u

Cu

C ,2

C ,3

C I4 C I5 C , 8

C21

C 22

C -3

C24 C 25 C 2e

C 31

C ]2

C 33

C34 C35 C38

Cu

C 42

43

Cu

C SI

C02

C >3

C 54 C 5r, Coo

C oi

C02

C fl 3

S,2

S ,3

S 2I

s 22 S 23 S ?4 s

S 2s

S31

S32

S33 S , ;

S ,5

S30

S 41

S42

S 4 3 S44 S 4S

S48

S51

S52

S 3 3 S .,4 s 5S S 5 8

S ,

So2

S 0 3 S .4

C44 L 16

C 64 Coa Cco
S ,4

s ,

S |5

Sor.

(4 .3 3 )

Soo

En nolncin m atriciul la expresin (4.27) tiene la forma Cj

= C}. E l nmero to ta l de constantes elsticas se reduce en dependen
c ia de la sim olra del cristal. A s, si el c rista l tiene siraotra tricln ic a , el numero to tal de constantes de elasticid ad es igual a 2 1 , y para
los cristales de sim etra cbica es igual a 3. La propiedad fundam en
ta l del cristal cbico consisto en que las direcciones d : x , y,
z son perpendiculares ontre s y lotalm onlo equivalentes. E sto
conduce a que se cum plan las siguientes rolaciones:
Ctl ~ Cya Cgn; C 12 P 23 = Cty'} C44
C65 Cqq.
L as dems componentos C son nulas. Asi pues, para el crista l c bi
co se tionen tan slo tres com ponentes independientes Cn ,
y
Cti y el conjunto de constantes de rigidez e l stica se reduce a la ma
triz siguiente:
C c, 2 Cf2 0 0 0
C, 2 C

Cj2

C,2 C|2 C u
0
0
0

C44 0 0
0 C44 0

C44

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(4 .3 4 )

4.4. PropioJiuios plsticos do loa solidos cristo linos

E n tre la s con stan tes de docilidad y de rigidez, en dependencia de

la sim etra dol c ris ta l, existo una forma dol orn nada do rol acin.
A s, para todas las clases du singoina cbica
11

12

( S u

^ 12) ( ^ i - h ^ i a )

5i2) (5i1-f'25l)
C4 4 = ^ t - .

(4 .3 5 )

S i en los crista l os so cum plen las condiciones siguientes:

1) todas la s fuerzas de in teracci n entre las p artcu las que form an
el c ris ta l son c en tra les (como vim os anteriorm ente, en los cristales
cov alen tes no se cum ple esta con d icin);
2) la s p a rtcu la s son sim tricam en te esfricas y estn situ ad as en
los centros do s im etra do la ostructura;
3 ) en el estado p rim itiv o no existe tensin alguna en el c ris ta l,
esto da seis relaciones ad icion ales entre los coeficien tes de elasticid ad
(las cu ales fueron establecid as por Cauchy):
C53 = C44, C50 Cj4,

C04 ~ C t5,

C3] = C55, C]2 = Ca6, C45 = C 3e.

(4.30)

E n el caso de c rista les do sim etra c bica las relacionen de Cauchy

se reducen a la igualdad C l2 = C ^ P ara los m etales las relaciones de Cauchy se cum plen m al. P or
lo v isto en los m talos las fuerzas do interaccin no poseen sim etra
esfrica.
P a ra m uchos c ris ta le s inicos las relaciones de Cauchy se
cum plen b ien , y tan to m ejor cuanto m enor es la fracci n de enlace
cov alente o m etlico .

4 .4 . Propiedades p lsticas
de los slidos cristalin os
A l d iscu tir los d iagram as tensin-deform acin (vase la fig. 4.9 )
se llam la atencin sobre el hecho de que al ap licar la carga al cris
ta l se observa al principio una zona pequea de deform aciones els
tica s (e<5C 1 % ), para la cu al es correcta la ley de Hooke. Conviene
ad vertir que la regin de las deform aciones c l s tic a s dism inuye al
aum entar la tem p eratu ra y so hace in sig n ifican te en los proxim idades
de la tem p eratu ra de fusin. E n la regin e l stica cada tom o del
c ris ta l slo so desplaza ligoramonto, en la direccin en quo est ap li
cada la carga, dosu posicin do e q u ilib rio on la red. E n genoral, la teo
ra no da la posibilid ad de predecir el v alor del lm ite de olasttcidad.

10- o t m

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146

Cap. 4. Propiedades m ecnicas do los slidos

S in em bargo, ln dependencia lin eal

ontro la fuerza y ln deform acin
elstica so puedo e x p lica r porque
la curva de lo energa potencial de
la in teraccin de los tom os (fig.
4 . 11), cuando los desplazam ientos
son pequeos, se puedo aproxim ar
a la parbola U = (te. De aqu
la fuerza

U(x>

Fig . 4 .1 1 . Dopcndencia de la ener

ga potencial respecto de la d istan
cia entro los tom os quo in tera c

1-

- 2P*.

(4.37)

cionan

S i la tensin aplicad a tien e

valores m ayores que ol v alo r de la
tensin correspondiente al lim ito de elasticid ad (punto A en la
fig. 4 .0 ), la curvn pasa n la zona B C , on ln cual ln ley do H ooke no se
cum plo. S i ahora so q u ita la carga, la form a p rim itiv a de la probeta
o su longitud ya no se restablecen. Como resultado so produce una de
form acin residual que a tem peratu ras bajas no depende del tiem po
do ap licacin do la carga. La deform acin, independiente del tiem po,
que se conserva despus de q u ita r ln carga, se llam a p lstica.
A s, pues, el lm ite de flu encia es la tensin con la cual em pieza
a m an ifestarse Ja deform acin residual. E n la p rctica los lm ite s de
flu encia y de elasticid ad coincid en, aunque, de ord in ario, no se ob
serva una transicin brusca del com portam iento e lstico al p lstico.
Al aum entar el esfuerzo de tracci n , cuando la tensin alcanza
cie rto valor, com ienza la deform acin p l stica . Pero la deform acin
p lstica tien e lu g ar no en todos los crista les. A s, la s su b stan cias fr
g iles, com o el cuarzo, antim o n io , arsnico, corindn, quo tienen en
laces dirigidos en el especio, y algunos m etales a tem peratu ras su fi
cientem en te b a ja s, se rom pen, despus de uno pequea deform acin
p lstica n sin e lla , on dos partos a lo largo de un plano atm ico (plnno
de rotu ra), es decir, sufren lo llam ad a rotura fr g il. A lgunos c rista
les, en p articu lar la m ayora de los m etales puros, son m uy p lsticos
y pueden deformarse considerablem ente sin que se rom pan.
Desde el m om ento en que com ienza la deform acin p lstica se
realizan dos tipos principales del proceso de deform acin del c ris ta l:
deslizam iento y m aclaje. P ara que se produzca la deform acin p l sti
ca, independientem ente del tip o que sea, es necesario que e xistan ten
siones tangenciales (cortantes).
E l m aclaje se observa en una serie de cristales , sobre lodo en los que

tienen red hexagonal de em paquetam iento denso o c bica centrada en el

cuerpo. D u rante o) m aclaje se produce el d eslizam ien to do delorm inmlns parles del c rista l a ana posicin quo respondo a la imagen espe
cu lar de las regiones no desplazadas. E s te d eslizam ien to sim trico
tien e lugar respecto de un plano cristalo g rfico orientado convenien-

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4.4. Propiedades p lsticas <J los slidos cristalin os_____________ 147

Fig. 4 .1 2 . D eform acin

m aclajn

plstica por

F ig . 4 .1 3 .

D eform acin p lstica por

(Icsli/.ainionlo

.emento con relacin n la tensin % aplicada. E ste plano recibo ol

lom bre de p lan o de m aclaje (4.12), que antes de la deform acin no era
lecesariam ente un plano de sim etra. La regin do cizalladu ra es to
la la parlo desplazada del c rista l. E n ol m aclaje , como puedo verse
in la fig. 4 .1 2 , en la regin de ciznlladura, el desplazam iento de la
nayora do los tom os transcurre a d istan cias menores que los intorttm icas, con la particu larid ad de que en cada capa atm ica los
itom os se despinzan una m ism a d istan cia respecto do los tomos de
a capa que so encuentra d ebajo.

E n la deform acin p lstica p o r deslizam iento (fig. 4.13) una p arte

le cristal se traslada en una direccin determ inada (llam ada direccin
le deslizam iento ) respecto de la otra a lo largo de un p lan o cristalogrico determ inado (plan o de deslizam iento). E l p arap lan o y la direccin
le deslizam iento form an el sistem a de deslizam iento. E n coda red cris,alia puedo h aber v arios sistem as de d eslizam iento. E l dcslizaniento de un plano at m ico respecto do otro se efect a do tal modo
pie las capas at m icas no se separan una de otra (en caso con trario
1 c rista l se rom pera sim p lem ente), es d ecir, los tom os se despla
tan en el plano de d eslizam ien to un nmero entero de traslaciones y,
tomo resultad o, se conserva la continuidad de la red crista lin a ,l o
ea, so conserva la estru ctu ra at m ica.
Un num eroso m ate rial exp erim en tal indica que el proceso de desizam iento es nnistropo, es d ecir, que el desplazam iento de la s capas
itm icas en el c ris ta l se produce no en la direccin de la fuerza que
ict a, sino por los planos cristalo g rfico s y direcciones determ inadas
>or la geom etra de la estru ctu ra. L os plan os de deslizam iento tienen,
jor lo g en eral , la m ayor densidad de em paquetam iento de los lom os.
stos planos, com o sabem os, son los planos con pequeos ndices crisalogrfic.os de M ille r (hkl). E l hecho del deslizam iento por los p a
lo s densam ente em paquetados est relacionado con la circu nstan cia
le que para una serie de redes (especialm ente de m etales) la d istancia
ntro dos planos at m ico s densam ente em paquetados vecinos cs m a/or quo entre los otros planos at m ico s. ]n fuerza de interaccin
intre los tom os de dos planos adyacentes dism inuye a m edida que
lum enta la d ista n cia entre ello s y, por consigu iente, se requiere me0'

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148

Cap. 4. Propiedades m ecnicas de loa slidos

a)

b)

el

Fig. 4 .1 4 . Planos y direcciones de deslizam iento en las redes do los m etales:

o, red cvlblca centrada en las caras; 1>, red cbica centrada en el cuerpo; c, red hexagonal de
cmpaijuctariUonlo denso

nos fuorza cortante para quo empiece el deslizam iento de estos pla
nos entro s. As, en la red cbica centrada on las caras para los planos
densamento empaquetados { 1 1 1 } la d istancia interplanar m nim a
os dm = a y 3/3, donde a es el parm etro de la red, y para los planos
con em paquetam iento menos denso {1 1 0 }, duo = a}/2/4, os decir,
la d istancia interplanar para los planos {1 1 1 } es aproxim adam ente
1,0 veces mayor que entro los planos { 1 1 0 }.

L as direcciones de deslizamiento en los cristales son tam bin las d i

recciones con empaetamiento ms denso de los tomos, o sea, se encuen
tran en un plan o de deslizamiento densamente em paquetado , ya quo
on ostns direcciones y on las perpendiculares a ollas los desplazam ien
tos olemontnlos durante ol deslizam iento son los menores y, por lo
tanto, ol procoso do doslizam ionto tiono lugar con tensionos monoros.
E n la fig. 4 .1 4 se dan las rodos tp icas de los c rista les m otlicos
y so m uestran los planos (rayados) y las d irecciones (flechas) prin
cip ales de posible deslizam iento.
Como puodo vorse en la fig. 4 .1 4 , a , on la red c b ica centrad a
en las caras ol deslizam iento se efecta por los planos { 1 1 1 } en las
diroccionos (1 1 0 ). Como on la rod cen trad a on las caras hay cu atro
planos del tipo (111) y en cada uno de ellos so encuentran tres d i
roccionos do doslizam ionto, on to tal so tionon 12 sistem as principales
de deslizam iento. P or ol gran nmero do sistem as de posible d esli
zam iento y teniendo en cuenta el carcte r no dirigido de las fuorzas
do onlace, so exp lica la gran p lasticid ad do los m etales con red cbica
centrad a on las caras, tales como el A l, Cu, N i, Ag y otros.
En los cristales con red cbica centrada on el cuerpo (fig. 4 .1 4 , b)
los planos principales de posible deslizam iento son los { 1 1 0 }, y
las direcciones, las (1 1 1 ). S e comprende fcilm en te que el nmero
to tal de sistem as principales de d eslizam iento tam bin es igual a
1 2 : sois planos (110) y on cada uno de ellos dos d irecciones de desli
zam iento ( l i l i .
E n los c rista les hoxagonalos (fig. 4 .1 4 , c) los planos do d esli
zam iento .son los do baso {0 0 0 1 }, y las direcciones do deslizam iento

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4.4. Propiedades plsticas Jo los slidos cristalinos

14!)

fcil, las <1 1 2 0 ), os d ecir, hay

tu plano ilo dosli/.mmonlo (01)01)
y tres dirocciones du dosliziiinton
to tipo 11120], en to tal tres siste
mas de deslizam iento principales
E s evidente quo cuando se so
neto a carga una probeta monocriscalinn con varios sistem as de posi
ble deslizam iento, la deformacin
plstica com ienza en el sistem a
(uo ost orientado ms ronveincnceincnlu respecto do la diroccin
lo las tensiones quo actan.
S i se conoce la o rientacin del
cristal, respecto de la direccin
10 las tensiones que actan, so
Fig. 4 .1 5 . Esquema para deducir
juedo ca lcu la r la com ponente tan
la frmula do r
gencial (cortante) de la tensin,
con la cual empieza la deformacin
plstica para cada uno ce los sistem as de deslizam iento posibles
jn ol crisia l dado, l-ara deducir la frmula de clculo considerare
mos un m onocristal en forma de cilindro, con rea S de seccin
transversal, ni cual se ha aplicado la fuerza detraccin F a lo largo
lol ojo (fig. 4.1.%). Supongam os quu nideslizam iento portraccin
tiene lugar en el plano que on ln fig. 4.15 so ha rayado, y en ln di
reccin OLI. E l rea do la seccin rayada S' SI sen <x, siendo a
11 ngulo entro el plano do deslizam iento y el ojo del cilindro. Des
componemos la fuerza de traccin en sus componentes normal (/)
y tangencial (F t) y calculam os la tensin tangencial x = F t/S'.
Para s im p lifica r vamos a suponer que la com ponente tangencial
coincido con la direccin de deslizam iento posible OB. E l ngulo
entro ol ojo dol cilin d ro y la direccin OH lo designamos por f). E s
evidente que ln tensin corlan te reducida a la direccin de desliznn iento dada ser
x = (F /S ) sen o eos P = a sen a eos p,

(4.38)

londe a es la tensin do traccin.

Por la frm ula (4.38) se ve que la tensin de corte es m xim a
cuando el plano y la direccin do deslizam iento forman con el ejo
le cilindro ngulos do 45, es decir, a = P = 45. En este caso
fm* = 0 ,5 ct.
Se lia establecid o que las tensiones normales casi no influyen en

a fluencia plstica de los cristales. P or lo tanto, ln deformacin plstica

x produce hajo ln accin du los tensiones tanyenriales. Con oslo, como
,e lia dem ostrado expcrim onlnlm ente, la tensin correspondiente al
im ito de flu encia vara nniolio en dependencia ile la orientacin del

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ir.o

Cap. 4. Propiedades m ecnicas du loa slidos

e risijil, 110 obstan Io, ,s do acuerdo con (4.38) osla lonsin so transforma on lonsin reducida, la lonsin do corlo resultante os constante
para cl tnnlorial dado (los valores tpicos do esta tensin so en
cuentran general monto ontre los lm ites de (1 0 " s . . . 1 0 "4) G). En
otras palabras, ln deform acin plstica comienza cuando la tensin
corlante t supera cierto valor crtico caracterstico del m aterial dado y
del sistem a de deslizam iento dado. E sta es ln ley de la c o n sta n cia de la
tensin c r tic a de c o rte , que, basndose en datos experim en tales,
formularon por prim era vez E . Schm id y V . B o as. De acuerdo con
esta le y , si la probeta ost som otida a una carga quo aum enta pau
latin am ente, cl deslizam iento os pequoo h asta que la tensin de
corte no supera un valor lm ite determ inado que, por ojom plo, a
la tem peratura am biente es para el Cu (cuyo plano de deslizam iento
es {1 1 1 } y la direccin de deslizam iento (110)) igual a 0 .4 9 -1 0 " Pa,
y para ol Al (cuyo sistom a de deslizam iento es {1 1 1 }, <110)) y para
ol Zn (con sistom a de d eslizam iento {0 0 0 1 }, (1 1 2 0 )) es respectiva
mente do 0 ,7 8 -1 0 y 0 ,1 8 .1 0 P a.
Gomo en ol proceso do deform acin las capas por las cuales se
desarrolla el deslizam ionto cam bian de o rien tacin , el plano da
deslizam iento gira respecto de su posicin, correspondiente al m
ximo do la tensin c r tic a do co rte, y, si la deform acin con tin a,
paulatinam onto entran en accin otros sistem as de deslizam iento
ms favorables ya en osta situ aci n .
Advertirnos quo las tonsirmos c ritic a s de corto necesarias para
que empioco la deform acin p lstica por d eslizam iento son, do ord i
nario, monores que las tensiones c rtic a s para la deform acin por
m aclaje, por lo que la deform acin p lstica por m a cla je es mucho
menos corrien te. P or ejem plo, para ol Zn la tonsin c rtic a para que
empiece el deslizam iento es igual a 0 ,1 8 -1 0 * P a, y para el m aclaje,
29-10 P a. En algunos m ateriales la deform acin puede efectuarse
por ambos procedim ientos, a saber: por deslizam iento y por mocinjo. Esto so (lobo a que ol m aclujo croa nuovas o rientaciones, las
cuales facilitan el deslizam iento.
La deformacin p lstica, a diferencia do la e l stica , es e x tre
m adam ente desigual. E sta fa lta do uniform idad se m an ifiesta en
que aparecen en la suporficie del c ris ta l ln eas do deslizam iento
paralelas, las cuales son las intersecciones de los planos do desli
zam iento con la superficie dol c ris ta l (fig. 4 .1 6 ). L as partes del
c ris ta l quo se encuentran entre las ln eas de deslizam iento casi
no experim entan deformacin.
S i la deform acin plstica se produce por ol deslizam iento de
un plano atm ico densam ente em paquetado respecto de otro, in
cluso si la energa necesaria para la traslacin de un tom o de una
posicin a olrn e.s muy puquofm, la existen cia on dicho plano do
deslizam iento de cerca do 10su tomos/in2 requiere un gran esfuerzo
para roalizar cl deslizam ionto.

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4.4. Propiedades plsticas do los slidos cristalinos

Fig. 4 .1 6 . Cristal de cadmio

151

estirado a 523 K

L o s clculos tericos de la tensin de corto necesaria para el

desplazamiento de dos parles de un cristal perfecto, una respecto
de otra, suponiendo que entre la fuerza de corte y el desplazamiento
existo una relacin sinusoidal, se dieron en ol cap. 3. Result quo
Ttc<sr =

(4.39)

siendo b el perodo de la fuerza de corte; a, la distancia entre las

filas de tomos; 6', el mdulo do rigidez. Clculos m is exactos con
dujeron a la expresin
xt(6r 6/30.

(4.40)

Los valores experim entales que se observan do las tensiones

crticas de cortadura, como vimos antes, son menores en muchos
rdenes que los tericos y se encuentran en los lm ites do (1 0 -6 . . .
. . . 10" ) G. As, para el Cu el valor observado oxporimontalmoute
de la tensin crtica cortante os igual a 0,49-10 Pa y el valor terico
S/30 = 7 5 ,2 - 10B/30 = 2,5-10 Pa.

E l hecho de la gran divergencia entre los valores tericos y experi

mentales de las tensiones crticas de corte se debe a la circunstancia de
que en los cristales reales siempre hay dislocaciones que se desplazan
fcilm ente y cuyo movimiento condiciona el deslizamiento con valores
muy bajos de las cargas aplicadas. La presencia do las dislocaciones
hace que la cizallndura comicrico no por todo ol plano sim ultnea
mente, sino slo en algn punto y luego, bajo la accin de las ten
siones lungonciulcs, so propague por todo ol plano de deslizamiento,
con la particularidad de quo la propia dislocacin se traslada en la
direccin del deslizamiento indicada por el vector do Burgors b.
En la fig. 4.17 so da el esquema del desarrollo de la cizalladura uni
taria (on una distancia interatm ica) de la parle superior de un cris
tal respecto de la inferior, cuando en el plano de deslizamiento
hay una dislocacin de borde.
Como se ve por la fig. 4.17, para el movimiento de la disloca
cin se necesita un esfuerzo relativam ente pequeo, ya que para
trasladarla en una distancia iuterntm ica, del punto A al A', slo
su requiere mi desplazamiento insignificante do los tomos closde
las posiciones marcadas con circu lilos negros a las marcadas con
circulitos blancos. A diferencia de la deformacin conducente al

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152

Cap. 4. Propiedades m ecnicas de los slidos

a)

b)

c)

Fig. 4.1 7 , M ovim iento de una dislocacin do borde quo origina la formacin
de un escaln do ciznlladuva u n itaria:
o, estado Inicial dol cristal: b. la dislocacin so ha trasladado a una distancia Interatdmica;
c, la dislocacin ba llegado a la superficie del cristal y ha realizado una ctzalladura unitaria

d eslizam iento en ol c rista l perfecto, en la cual todos los desplaza

m ientos deben producirse sim ultneam ente, la deform acin on pre
sencia de dislocaciones so efecta por un gran nmero de traslacio
nes sucesivas de los tom os. De esta form a, los valores pequeos
do las tensiones c rtic a s de corlo en ol inicio tle la deformacin pls
tica , incluso si la cantid ad de dislocaciones es relativ am en te peque
a, es f c il de e x p licar por el m ovim iento de stas cuando acta la
carga.
En el ejem plo tic cizallndura un itaria liemos visto que la dis
locacin, como resultado de su traslacin por cl plano de desliza
m iento, abandona el crisLal. La experiencia m uestra on cam bio
que, cuando las tensiones son grandes, los cristales sufren deforma
ciones considerables. Para exp licar este hecho hay que suponer quo
en el cristal existen fuentes quo generan dislocaciones con tensiones
menores que 1 0 ' 4 G. E sta s fuentes, como vim os al tra ta r de las dis
locaciones, son, por ejem plo, los generadores de F ra n k R ead , los
cuales comienzan a actu ar con tensiones de corte G b/l, siendo l la
longitud del generador y b ol mdulo dol vector do Burgers. fin lo s
cristales reales los generadores de F ran k Read son solam en te
uno do los mecanismos posibles do m u ltip licaci n de las disloca
ciones. La generacin de nuevas dislocaciones durante el proceso
de la deform acin plstica y su traslacin conduce a un desplaza
m iento macroscpico a lo largo del plano de deslizam iento.
Como se ve por la fig. 4 .9 , para que la deform acin del c rista l
prosiga en la zona p lstica es necesario aum entar continuam ente
la tensin, ya que durante la deformacin irrev ersible se produce
su fo rtalecim ien to (acritud o endurecim iento en fro ), el cual co n ti
na hasta la rotura (la curva avanza sin cesar liacia arriba). E l for
talecim ien to que so observa se debe a la dism inucin do la m ov ili
dad dn las dislocaciones.
Sobro la m ovilidad de las dislocaciones puede influ ir una serie
de factores. Uno de los factores im portantes que influyen on el

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4 4 . Propiedades p lsticas do lo3 slidos crisln linos

153

fo rtale cim io n to cs la internecin e l stica en tre lns dislocaciones,

que se m a n ifie sta en ol progreso rpido del fortnlociniierito a m edida
quo au m enta la densidad de d islocaciones. A si, la densidad do dis
lo cacion es v a ra con el crecim ien to de la d eform acin desde 1 0 10
1012 m * a en los m etales no deform ados, h asta 1 0 15 lO " 1 n i" 2 en los
m etales m u y fo rtale cid o s por doform acin.
So bre la d ism inu cin de la m ovilidad do lns d islocaciones ejerce
in flu en cia la flex i n de los planos de deslizam iento en la s deform a
ciones p rxim as a la s con cen tracio n es de d islocaciones de borde y
la in tersecci n de las d islocacio nes no p aralelas que conduce a la for
m acin de escalones.
O tro fa c to r que d ificu lta el d esplazam iento de las d islocacio nes
es la aleaci n de los slid o s con im purezas. E s sabido que pequeas
ad icion es de tom os de im pureza m ejoran la calid ad do las aleacio
nes t cn ica s. A s, la ad icin de vanadio, circon io o corio m ejora
la estru ctu ra y lns propiedades del acero, el renio elim in a la fra
gilidad del v olfram io y del m olibdeno. sta s son, como suele de
cirse, im purezas tile s, pero h ay tam bin im purezas perniciosas,
que a veces, in clu so en ca n tid a d e s in sig n ifican tes hacen que, por
ejem p lo , piezas m e t lica s sean to ta lm e n te in servib les. A s, depuran
do el cobre do b ism u to y el tita n io do hidrgeno se consigue h acer
desaparecer la frag ilid ad de estos m etales. E l esta o, zin c, t n ta lo ,
v olfram io, m olibdeno y circo n io depurados de im purezas hasta el
10*:l 1 0 - % do su co n ten id o to ta l, quo untes do la dopurncin eran
frg iles, se con v ierten en su ficien tem en te p lstico s. Pueden forjarso a te m p e ratu ras m uy b a ja s y lam inarse en h o jas finas u la
tem p eratu ra am b ien te.
L a s im purezas y lo s d efectos form an en el slido con centracio
nes. S i la s dim ensiones de stas son m ayores que varias d istan cias
in te ra t m ica s, e lla s son cen tro s de d etencin de las d islocaciones,
quo d ificu lta n sus d esplazam ientos m ien tras no .se les ap lican ten
siones con sid erables.
A a lta s tem p eratu ras, en quo los procesos de difusin son im por
tan te s, el papel de los facto res que influ yen sobre la m ovilidad de
las d islocacio nes se hace poco eficaz. A s, ol recocido y el arrastre
de las d islocacio n es hacen que d ism inu ya la densidad de d isloca
ciones y , por co n sig u ien te, que se desordene el m a te ria l. P or eso
cuando se crean m ate ria le s que puedan u tiliz a rse a altas tem pera
turas es n ecesario , por ejem p lo , introd uciend o en ellos elem entos de
aleacin e sp eciales, d ism in u ir mucho 1a velocidad de los proceses
de difusin.
Do esta form a, cuando las cargas son grandes, la reaccin de los
slido,s- depende esencialincnte de sus defectos (de la presencia o ausencia

de dislocaciones, de las dim ensiones de los cristalitos, bloques de mosai

cos, etc.), la rotu ra com ienza en los puntos m s dbiles.

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154

Cap. 4. Propiedades m ecnicas de los slidos

Como puedo verse en la tab la 4 .1 , la resistencia do los cristales

perfectos es muchas veces m ayor quo la de los reales.
Tabla 4.1. C aractersticas m ecnicas de los crista les p crtccto s y de los reales
crlslnl

Tensin do rotura,
1*0

C rista l perfecto
C ristales reales (m etales)

<1,5 2)-tO l
( 0 , 1 - 1 ) - I0 T

C ristales filiform es

( 0 , 5 - 1 ,4 )-iO l

Deformacin
(Milsliro, %

Deformacin
plsticn, %

1 5
0 -

0
De decenas a cen
tenares
1 1 ,5

0 ,5 2

La diferencia entro las resistencias terica y prctica se debe a

que en el c rista l hip ottico los tomos estn situados en perfecto
orden. E ste c rista l slo podra romporso si todos los tomos que se
encuentran en un plano se desgarraran de sus vecinos. P ara esto,
como ya liemos v isto, se requieren esfuerzos iguales, por lo menos,
a (6730) Pa. Pero en la naturaleza no hay sem ejantes cristales. E n
las redes de los cristales reales siempro oxiston alloraciones del
orden de colocacin do los tom os. A estas alteraciones pertenecen,
en p articular, las dislocaciones, que pueden moverse do plano en
plano y, por lo tan to, d eb ilitan la ret cristalin a. Los dofeclos son
tiles cuando son muchos. S i las dislocaciones son m uchas, em pie
zan a estorbarse unas a otras en sus m ovim ientos. S e forma una
estructura con un orden determ inado de trozos en desorden.
Las dislocuciones influyen sobre la resistencia del c rista l a la
deformacin do dos m aneras: cuando su densidad es pequea, lo de
b ilita n , cuando os grande, lo fortalecen, ya quo en esto caso se en
torpece el desplazam iento de aqullas.
IJobo advertirse que sobro las propiodndas elsticas y plsticas
de los slidos influye el carcter de las fuerzas de enlaco. Los cris
tales covalenles (diam ante, s ilicio , germ anio) a la tem peratura
am biento suelen ser duros y frgiles, porque el carcter dirigido de los
enlaces impide el m ovim iento cortan te y estorba el desplazam iento
de un tom o detrs de otro como ocurre en el m ovim iento de las
dislocaciones en la red. La rotura com ienza antes de que la s dislo
caciones puedan conseguir desplazam ientos suficientem ente gran
des, a causa de que su m ovim iento encuentra ms d ificu ltad es que
el de las dislocaciones en los m etales. Los cristales inicos son mu
cho ms plsticos si son com pletam ente puros (los c rista les ordina
rios puedon sor tam bin frgiles por tonor incluidos defectos). Las
fuerzas electrostticas no son dirigidas y por oso los iones pueden
desplazarse de un punto a otro en la medida en que no so lo impiden
sus dim ensiones. Los m etales, como ya se lia dicho, son los ms

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4.5. Rotura frgil

155

p lsticos: en ellos es posible el inovimicnLo libre de las dislocacio

nes.
Todos los mtodos do forlnleci miento (endurecim iento on Trio
durante el lam inado, aleacin, tratam iento trm ico, e tc.) estn rela
cionados con el aum ento do la densidad du dislocaciones y permiten
elevar la rosistonein m ecnica basta valores del orden do 1 0 ' 6'. Ms
seductora es la obtencin do cristales sin defectos, los cuales deben
poseer una resistencia prxim a a la terica. A s son los cristales
filiform es, sin dislocaciones, que ahora se obtienen artificialm en te
por crecim iento en medios sobrosaturados, do hierro, germ anio, oro,
esta o, cadm io, nqu el, cobre y otros m etales. E l dim etro de los
filam entos es del orden de 100 nm . E l crecim iento, principalm ente
on esp iral, on una d ireccin, se debe a que contienen una sola dislo
cacin h elico id al. La existen cia de esta dislocacin no disminuye
la resisten cia, ya que si el c rista l se someto a traccin, la tensin
de corte no acta sobre l. Los filam entos (whisker) tienen una
resistencia colosal. Los de cobre aguantan una carga de 5 ,9 -1 0 Pa
en vez de la acostum brada de 1 ,8 -1 0 P a, y los de hierro, l/ i- 1 0 Pa
en lugar de 2 ,5 -1 0 P a. La deform acin e lstica puede llegar a varios
tantos por cien to , m ientras que la de los cristales comunes no supera
unas centsim as de tan to por ciento (vase la tabla 4 .1 ). La longi
tud de los filam entos que ahora se obtienen no pasa de varios m il
m etros. Los intentos de aum entar dicha longitud conducen lam en
tablem ente a una dism inucin catastr fica de la rosistencia. No obs
ta n te , incluso estos filam entos tan pequeos sirven perfectam ente
para hacer, por ejem p lo, suspensiones de aparatos sensibles. Los
filam entos se pueden recubrir de plstico aglutinante y obtener ma
teriales cuya resisten cia, aunque dos veces menor que la de los fi
lam entos puros, cs extraordinariam ente grande.

4.5. Rotura frgil

H asta ahora hemos hablado de la rotura d ctil de los slidos te
naces, a la cual precede una considerable deformacin plstica; en
este caso la rotura se produce en la parto de la probeta en quo se for
ma un cuello de seccin muy pequea (vase la fig. 4 .2 ). Adems
do esta rotu ra, los slidos pueden experim entar la rotura frg il, que
se produce despus de una pequea deform acin plstica previa o sin
ella. L a rotura frg il se observa a menudo en los no m etales y en
muchos m etales a tem peraturas muy b ajas (a excepcin do los m
tales con red centrad a en las caras).
E n el caso ideal se considera que la rotura frgil debe producirse
como resultado ilol desgarram iento instantneo do los enlaces interal m ico s en un plano perpendicular a la tensin normal (po ac
ta. La valoracin terica do la tensin (resistencia terica) con la
cual do lio producirse la rotura frgil muestra que esta magnitud es

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Cap. 4. Propiedades m ecnicas do los slidos

dol m ism o orden que el m dulo do e lasticid ad norm a) E (lo m ism o

quo la resiste n cia te rica a la cizallo d u ra os de igual ordon que ol
m dulo de rigidez G), a sab er,

E l 10.

Otear

(4 .4 1 )

M s e x acto os el v alor do la resisten cia terica

fftrar =

(y ,E !a )'l2,

(4-42)

donde y , es la energa su p e rficia l esp ecfica y a , ln d ista n c ia n te ratm ica.

A plicand o la frm ula (4 .4 1 ) v aloram os la m agnitud a t<.ar para
el v id rio . Como para ste i 8 - 1 0 ,u P a , ser o lC(j r = 8-10 P a . La
resisten cia tcn ica o real del v id rio es igual a 8 - 1 0 7 P a , es d ecir, dos
rdenes m enor que la te rica . E s to ocurre en la m ay o ra de lo s s?
lid os.
E l prim er in te n to de e x p lic a r la d iscrepancia in d icad a lo hizo
A. G r ifith (1920). P a ra e x p lic a r la b a ja resiste n cia del v id rio su
puso que en el slid o e x iste n g rie ta s m icro sc p icas que pueden de
sem pear el papel de con cen trad o res de tensiones. G riffith d escri
bi la ro tu ra frg il del slido com o un proceso de transform acin
de la energa e l s tic a , con centrad a en el cuerpo del slido cuando se
ap lica Ja carg a, en energa su p e rficial de las p artes que se form an
ol rom perse aq u l. A G rifitl) se debe tam b in e l m todo de clcu lo
do lu resisten cia t cn ica de los slid o s. V eam os ol esquem a do d icho
clcu lo .
Supongam os que a una lm in a de espesor unidad se ap lica un es
fuerzo do tracci n a . E n la unidad de volum en de la lm in a sin g rie
tas la energa e l stica alm acenada ser
V 2cts = 'U oV E .

(4 .4 3 )

S i en el cuerpo surge de rep ente una g rie ta transv ersal do longitud

L (fig . 4 .1 8 ) se libera en erg a e l stic a en la zona do la g rie ta e lip so id al
p lan a (los sem iejes de la elipse son L y L l 2 ), es d ecir, en una regin
_
cuyo volum en es ji L 2/2. L a energa
e l s tic a de la lm in a dism inuyo
en
"

' -

<4 ' 4 4 >

La aparicin de la g rie ta va acom

paada de la form acin de dos
nuevas su p erficies con en erg a s u
p erficial esp ecifica y ., lo que re
quiere un gasto do energa
Fig. 4 .1 8 . G rieta de G r iffilli

U =

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2 y L.

(4 .4 5 )

4.3. Rotura frgil

157

Ln variacin lolnl de ln energa do ln Itminn debida n ln formacin

to la grieta ser:

l ' ~ U - W = 2 y ,L ~ ? - .

(4.46)

S i la longitud de la grieta es tal que dTIdL 0, la grieta se encon

trar on estado do equilibrio inestable. Una grieta de gran dimen
sin se propaga con rapidez porque Ja energa clstica, al aumentar
L , dism inuye ms de prisa que aumenta la energa superficial. Una
grieta de menor tam ao, al contrario, no crecer o acabar cerrn
dose, ya que en este caso la energa superficial disminuye ms de
prisa que crece la energa elstica.
La dimensin c rtica de la grieta la hallamos igualando a cero
la derivada d JldL :
c r = 4y,E/(n<j).

(4.47)

De la frmula (4.47) so sigue la valoracin de la tensin suficiente

para que un cuerpo que contenga una grieta de dimensin L cr se rom-

= 2(- r)m

<4-48>

L a condicin do crecim iento inestable de una griota fue hallada

por G riffith sin tener en cuenta el estado de tensin en el extremo
de sta, on cuyas proximidades so concontran las tensiones. En
la actualidad se sabe que una grieta aguda, con radio en el vrtice
igual a la d istancia interatraica a , ocasiona un aumento local de la
tensin hasta el valor

omix = a ( i + 2 V ( 2 ) ) -

(4.49)

Combinando (4.49) con (4.42), para a m4X = on-r. obtonemos

H - r ) n

(4 -50>

E sto significa que si en un slido bay una grieta de longitud L , con

radio en el vrtice igual a a, cuando la tensin que se aplique alcan
ce Ja magnitud a , la tensin local en el vrtice llegar al valor te
rico ofter y Ia grieta se propagar hasta que la lm ina se rompa, si
antes no se despunta aqulla por cualquier causa.
A dvertimos quo lo teora do G riffith en su forma inicial no
es aplicable a los m talos, porque en ellos os poco probable quo
puedan crearse condiciones en las cuales la fluencia plstica sea
excluida totalm ente. Como demostr E . Orovn, la onorga do la
deformacin plstica puedo tenorse cu cuenta (leutro dol marco do
las rolaciones obtenidas por G riffith . Para eso, on la frmula (4.48)
de clculo de la tensin de rotura, junto con la energa superficial

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158

C -i [J.

I i o

11 i t 'd

) lio.*. h h 'l v 'i n i c v \5 d o

X X

Ir js s l i d o s

Obsioculo
Grieta

F ig . -1.19. F o rm aci n fie una g rie ta por la a cci n de tensio n es n orm ales
e s p e c f i c a y , , h a y q u e i n t r o d u c i r l a e n e r g a d e l a d e f o r m a c i n p l s t i c a

VP:

E n la inm ensa m ay o ra de lo s caso s la com p ro baci n e x p e rim en ta l

lia con firm ad o quo estu f rm u la es c o rre cta .
Un problem a im p o rta n te es la g en eracin y el cre cim io n to de
Jas g rie ta s ca u sa n te s do la ro tu ra fr g il. L a s g rie ta s pueden su rg ir
d u ran te ol proceso do o b te n ci n del s lid o y, sobro todo, d u ran te
su tra ta m ie n to m e c n ico . E x is te n v a rio s m ecan ism o s p o sib le s de
g en eraci n fio la s g rie ta s cuand o al s lid o se a p lic a una tensin
m e c n ica .
V am o s a d e sc rib ir el m ecanism o c u a lita tiv o de la s d islo cacio n e s
p rop u esto por A . S tra w y N . M o tt. Figu rm o n o s quo a un c r is ta l se
h a ap licad o un esfuerzo de tra c c i n , que p rov oca en l c l d esliz a
m ien to do las d islocacio n es de borde a lo larg o do c ie rto p lan o de
d eslizam ien to (fig. A. 1 0 ). Supon gam os que en el com ino do la s d is
lo cacio n es en m o v im ie n to se en cu en tra una barrera in fra n q u e a b le
para e lla s (un lm ite in terg ran u ln r, cl p u nto de in te rsecci n de los
p lan o s do d esliz a m ie n to de la s d islo cacio n e s u o tra s). S i la tem p e
ratu ra a que tran scu rre el proceso no es a lt a , la p rim era d islo c a c i n
se d eten d r en la b a rre ra , la d islo ca ci n s ig u ie n te em pezar a opri
mir a in prim era y sta e x p e rim en tar c ie r ta p resin . S i en el o bs
tcu lo se va d eten ien d o la serie de n d islo c a c io n e s que v ien en una
d olrs do o tra , la prim era d islo ca ci n e x p e rim e n ta r una presin n
veces m ay o r quo la e x te rio r. E s ta ten si n puede lle g a r a ser ta n g ra n
de que supere la re siste n c ia del c r is ta l y on la s p ro x im id ad e s de la
p rim era d islo caci n se genero una g r ie ta c u n e ifo rm e que su rg ir a
co n se cu e n cia do h aberse ju n ta d o la s d islo ca cio n e s m s p r x im a s al
o b stcu lo .
P or Jo ta n to , la e x is te n c ia de m ic ro g rie ta s en el cuerpo de la
p robla e je rc e una in flu e n cia d e te rm in a n te sobre la re siste n cia de
ios slid o s.
E l estad o de la su p erficie de la p ro b e ta (la p resen cia en e lla de
pequeas g rio ta s o ray ad u ras) y el m odio en que sta se e n c u e n tra
tam b in in flu y en m ucho en la re s is te n c ia . A s, ya A. F . Toffc dem osIv quo, d espus do su m erg ir los e r is la le s do s a l eom n on agua, su
re s is te n c ia a la ro tu ra au m en ta desdo 4 ,)-1 0 h a sta l j - K J " P a , es
d ecir, la re s is te n c ia d espus de la sum ersin se acerca a la te ric a .

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4.5. R otura frgil

15 0

Ln p resen cia on o m edio circu n d an te do agen tes Unisone li vos o

siirnclonLes, d ipneos do sor adsorbidos in ten sam en te, dism inuyo la
energa s u p e rficia l. L a s p a rtc u la s adsorbidas sobro la superficie
en san ch an la s pequeas g rie ta s recin engendradas, penetran pro
fu n d am en te en el cuerpo y hacen que su re siste n cia a la rotura d is
m in u y a. P a ra d ism in u ir la in flu en cia de la s m icro g rietas y de las
rnyadurns sobre la re siste n cia hay que cicatrizarlas o elim in arlas
por un p ro ced im ien to cu a lq u ie ra , E l procedim iento ms f c il consis
to en e lim in a r la capa ad yacen te a la su p cficie en un d ecapan te
apropiado. E n la a ctu a lid a d se u tiliz a cada vez m s el procedim ien
to basndo en la irra d ia ci n do la copa ad yacente a la su p erficie dol
s lid o con io n es acelerad o s de elem en to s in ertes o con iones de m eta
les, con el corresp on d ien te recocido trm ico, com o resultado de lo
cual se c ie rra n la s m icro g rie tas y rayadoras.
A s, pues, el lm ite do la resiste n cia m ecnica de los slidos an
est le jo s y para a lca n z a rlo h ay quo re alizar un tra b a jo enorm e y m i
nu cioso. E sto tra b a jo con cie rn e , en p artic u la r, al desarrollo de la
teora c u a n tita tiv a de las d islo cacio n es, al d escubrim iento d efin itiv o
del m ocanisnio de fo rm aci n do lo s filam en to s (w hisker) y al estudio
de la in flu e n c ia de Ja s pequeas im purezas en los procesos de deform a
cin y ro tu ra. U n problem a de gran actu alid ad es el do la obtencin
do m a te ria le s do gran pureza, ya que la m ay o ra de la s propiedades
fs ic a s (no slo m ecn icas) do los slid os vienen determ inadas por
la presoncia de im purezas on ellos.

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Captulo 5

Vibraciones de los tomos

de la red cristaliuu

En el slido, los tomos a toda tomporatura, incluso a 0 K , re

lizan sin cesar vibraciones (oscilaciones) alrededor de su posici
de equilibrio media. Cuando las amplitudos de las oscilaciones so
pequeas, stas pueden considerarse armnicas. Al elevar la torr
pera tura aumentan las amplitudes y energas de las mismas. Cora
en ol slido los tomos estn fuertemente enlazados, la e xcitad o
de las vibraciones do uno de los tomos se transm ite a los tomc
ms prximos, los cuales, a su vez, la comunican a sus vecinos y a;
sucesivamente. E ste proceso es sem ejante al de propagacin de lt
ondas sonoras on un slido. Todas las vibraciones posibles de le
tomos fuertemente enlazados entre s podemos figurrnoslas com
un conjunto de ondas clsticas do d istin ta longitud que interaccb
nan y so propagan por todo el volumen del cristal. Y a que el slid
tione dimensiones lim itadas, a una temperatura dada se establee
un oslado estacionario do vibraciones, como resultado do 1a supci
posicin de las ondas estacionarias (la superficie del slido es nod
para las ondas sonoras),
Con las vibraciones do los tomos do la rod cristalin a estn li
gados muchos fenmenos fsicos en los slidos (capacidad calori
fien, conductibilidad calorfica y e lctrica, d ilatacin, e tc.). L
teora do las vibraciones de los tomos do un cristal tridim ensiona
os muy com pleja. Ior eso vamos a estudiar primero la propagado
de las ondas elsticas en una cuerda elstica homognea y en lo
cristales, sin tener en cuenta ol onrctor discreto de su estructura
Despus analizaremos las vibraciones de los tomos en una red un
dimensional, y por fin, los resultados obtenidos los generalizaremo
para el caso de la red cristalin a tridim ensional.

5.1. Vibraciones unidim ensionales

de una cuerda homognea
Consideremos la propagacin de las ondas longitudinales en un.
cuerda homognea ilim itada do densidad linoal p. En esto caso o
movimiento de cada uno de los elem entos de la cuerda so produci
nicam ente en la direccin de su longitud. Cuando la onda longitu

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5.1. V ibraciones unidim ensionales do una cuerda homognea

dinal so propaga a un elem ento

do grosor Ax (fig. 5.1 ) actan las
fuerzas siguiontos: por la izquier
da S o ( x ) y por
la
doreclia
S o (x + Ax), siendo S el rea do
la seccin transversal He la cuerda;
o (x) y a (x -(- Ax), las tensiones
elsticas norm ales.
Sobre el elem ento Ax acta la
fuerza resu ltante

161

rnSp x

i'ig . 5 .1 . Esquema para deducir la

ecuacin del m ovim iento de las
ondas elsticas on una cuerda

F = S o (x + Ax) S o (2 ). (5.1)
B a jo la accin de e sta fuerza el elem ento Ax experim enta un
desplazam iento. Llam em os a (x , t) al desplazam iento del centro
de m asas del elem ento Ax y escribam os, de acuerdo con la segunda
ley de Newton, la ecuacin del m ovim iento

pSA x

d2u
~dir

S o (x-j- Ax) S o (x).

Aqu pSAir = m es la masa del elem ento de grosor Ax, y

la aceleracin. L a ecuacin (5.2) la escribim os en la forma
^

0tu

o (x-\-&x) o (x)

d r3

Ax

(5.2)
es

Cuando Ax 0 , esta ecuacin se transform a on la siguiente:

5 C
do
P H t* ~ ~ d x '

(5 .3 )

De acuerdo con la ley de 1-Iooke para los cuerpos slidos istropos,

o = E e,
siendo E el mdulo de elasticid ad (o mdulo de Young) y e = duldx,
la deform acin en el punto. Do donde
9o
pt d&
33u
dx
dx- = dx4
E n ton ces la ecuacin del m ovim iento para el desplazam iento

u (xy t) tom a la form a d efin itiv a

d2u

E dzu
=

/c /N

(5 -4)

sta es la ecuacin de onda ord inaria para la s ondas e lsticas que

se propagan a lo largo de una cuerda. La solucin de esta ecuacin
VRmos a buscarla en I r forma de onda progresiva longitudinal mo
nocrom tica;
u = tr0 exp i (k x coi)) = u sen 2n ( - j f v ) = u 0 s e n ( k x coi),
t i 01147

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(5.5)

162

Cap. 5. V ibraciones de los tom os de la red cristalin a

en la que u es ln am plitud de ln
v ib racio n es; v, la frecuencia d>
los m ism as; <o 2nv, la frocuencii
angular; t , el tiem po; X, la longi
lud de onda; k ~ 2ji/X, ol nmeri
do onda. Despus de su stitu ir ei
ln ecuacin (5.4) la solucin (5.5
se obtiene la relacin de disper
sin
Fig. 5 .2 . Dependencia de la dis
persin para una cuerda ilim itad a

w = Y E lp k * = v k .

(5.6]

De (5.6) se sigue que p a ra uno

onda elstica, que se p rop ag a por

una cuerda de longitud ilim itada, la frecuencia de las vibracionet
depende linealm ente del nmero de onda (fig. 5 .2 ). E n este caso la
velocidad de propagacin de la onda v = V E lp para un m aterial
dado es una m agnitud con stan te, puesto que E y p son caracte rs
tica s slo del m aterial. A s, para una cuerda de hierro (E = 2,1 X
x 1 0 u l a y p = 7 , 8 1 0 8 kg/m3) tenem os que vt = 5 -1 0 3 m/s.
Como so ve por la fig. 5 .2 , el m dulo del nmero de onda puede
cam biar desde 0 h asta oo y , por con sigu ien te, la frecuencia do la s
vibraciones vara con tin uam en te desde 0 h asta oo.

5.2. O ndas el stica s en los m onocristales

Los procesos de propagacin de las ondas e l stica s en los c ristules son mucho m s com plejos que los de propagacin de las ondas
electrom agnticas. L as ondas electrom agnticas son siem pre trans
versales, las e l stica s (sonoras) pueden ser transversales y longitu
dinales. Las ondas longitud inales son ondas do com presin y trac
cin , m ientras que las transv ersales, ondas de deform acin por esfuorzo cortan te. En cada direccin dada del cristal so propagan en
el caso general tres ondas e l stica s polarizadas con d istin tas velo
cidades.
A nalicem os la propagacin de las ondas o lsticas en un c rista l
cuya densidad sea p. D entro del c ris ta l elegim os un paraleleppedo ele
m en tal de aristas Ax, Ay, Az p aralelas a los ejes de las coordenadas cris
talog rficas x, y, z. Como en el caso de ln cuerda o lstica, al moverse
la onda e l stica por ol c ris ta l, cada cara del paraleleppedo elem ental,
bajo la accin do la tensin o tj, realiza pequeos desplazam ientos
(on ln zona de elasticid ad , en ln cual so cum ple la ley de Hooke).
H allem os la ecuacin dol m ovim iento paro el desplazam iento de
avance del paraleleppedo elem ental al propagarse la onda elstica
n lo largo de ln direccin x (fig. 5.3).

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5.2. Onrias elsticas on los monocristnles

163

F ig . 5 .3 . Fuerzas que actan sobre el paraleleppedo elem en tal cuando la onda

e l stica se m ueve en la direccin 0.\

So b re la cara x a ct a la tensin a 12 (x ) y sobre la cara paralela

a e lla x + Ax, la tensin ou (x + Ax)

ou +

Ax. L a fuerza

re su ltan te que act a en la d ireccin x es igual a ( ^ - 1

AxjAt/Az.

L a s otras fuerzas que actan en la direccin x se doben al cam bio,

dentro del paralelep p ed o, de las tensiones a 12 y cr13, de manera
que en la d ireccin x la fuerza resu ltan te ser

A F ( x ) = { * - + ^ + ^ -)A x A y A z .

(5.7)

L lam em os u, v, w a las com ponentes del v ecto r desplazam iento

del contro de m asas del paraleleppedo. Lo fuerza, de acuerdo con
la segunda le y de New ton, es igual a la m asa del paraleleppedo
pA xAyA z m u ltip lica d a por la com ponente x de la aceleracin d2u/dt2.
L a ecu acin del m o v im ien to del paraleleppedo en la direccin x,
b ajo la accin de las tensiones, lom a la forma

0011 , tlOtz , 0Oia

p - F - = , - 5- + - r + - r - -

,c

o\
(5 -8)

S i el desplazam iento u, v, w lo designam os por u, siendo i =

= 1 , 2 , 3 y a i corresponde u , a u i ) y o u 3, w, las posibles ecuacio
nes del m ov im iento se pueden escrib ir on la forma
(7 = 1, 2 , 3 ),

(5.9)

en la que a] son la s com ponontes dol tensor de las tensiones.

P aro un crista l c bico , teniendo en cu enta las lim itacion es que
impone la s im etra c b ica a las con stan tes e l stica s Ci [vase la
m atriz (4 .4 2 )], y lns expresiones para la com ponente de la deforma
11

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164

Cap. 5. V ibraciones do los tomos de la red cristalin a

cin (frm ulas (4.19) y (4.20)1 tenemos

Poniendo estas expresiones en (5.8) se obtien e la ecuacin del mo

vim iento para el desplazam iento u del c ris ta l cbico:

_ dau
P

3*

d*u .
0x

d*u \ , . r > r \ 3-d

OH I ' r ( c 1 2 - r t' / ^ gx gy

( O'-u ,

\ dy

2w \
'i * gx gz

(5 .1 0 )
L as ecuaciones del m ovim iento para los desplazam ientos y y w son
fciles de obtener de (5.10) por medio do la perm utacin c c lic a :
. dv

,,

P 3 ls

11 3rs

/ a

. r2v \

44 V

,,,

z* /

i* -T

.
( gx gy +

^8ig \ .
gygz )

(5 .1 1 )
n >lw _ r
P df

"

fliu> i
dza

I Zw i 0%w \

44 \ ,lxl

i r

\_ r \ I a u

< a' v t

dy* i r lt l* + t ' 44l i 3*3z +

dydi / *

(5 .1 2 )
H allam os la solucin de las ecuaciones del m ovim iento para las
ondas planas que se propagan en la direccin 100]. L a solucin de
la ecuacin (5.10) la buscram os en la form a do onda longitud inal

a => u 0 oxp [t (k^x o>i)l-

(5.13)

Aqu u0 es la am plitud de las vibracion es; kx, la proyeccin sobre

ol e je x del vector de onda k (| k | = 2jiA .).
E l vector de onda k y el desplazam iento u estn dirigidos a lo
largo de una arista dol cubo y coinciden en d ireccin con el eje x, es
d ecir, el vector est d irigido segn la norm al a l fren te de onda y

kx _

1 k 1.

Despus do su stitu ir la solucin (5.13) en la ecuacin (5 .1 0 ), ob

tenem os que

v, = </k = y Cn lp,

(5.14)

donde Vi es la velocidad de propagacin do la onda o lstica lon gitu

dinal (sonora) en la direccin [1001.
O tra solucin ser la onda tran sv ersal, u onda de cizallad u ra,
con vector de onda d irigid o a lo largo do la a rista del cubo que coin
cido en direccin con el e je x, el desplazam iento t>, en cam bio, se
produce en la d ireccin riel e je ;/:

v v oxp [i ({/c*2 0)1)1-

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(5.15)

5.3. V ibraciones de una cadena lineal monoatmica

165

Despus de su stitu ir esta solucin en la ecuacin (5.11) para el

desplazam iento v, obtenem os

vt w /k = \/ C j p ,

Il>)

donde v, es la velocidad do propagacin do lu onda transversal elstica

en la direccin [100).
F in alm en te, la tercera solucin ser tam bin una onda de cizalladurn, con vector de onda dirigido a lo largo de la arista del
cubo que coincide con la direccin del eje x, pero ol desplazam iento
w tien e lugar segn la direccin del ojo z:

w = wn exp [i (kyX <i>)].

(5.17)

Despus de su stitu ir esta solucin en la ecuacin (5.12) para ol

desplazam iento w, obtenomos

]/C Jp .

(5.18)

De este modo, para un mismo vector de onda k, de direccin pa

ralela a [1001, surgen tros ondas elsticas: una longitudinal y dos
transversales. L as dos ondas transversales independientes tienen
las m ism as velocidades. E n el caso en que el vector k tiene direccin

arb itraria, se producen tres ondas polarizadas, que se propagan con

velocidades distintas, las cuales no dependen de la frecuencia de las vi
braciones. Como se ve por las expresiones de Ins velocidades (5.14),
(5.16) y (5 .1 8 ), cuanto menor sea la densidad y m ayor la rigidez
del c ris ta l, tan to m ayor ser la velocidad de propagacin de las on
das e l stica s (sonoras). Do estas mismas expresiones se sigue que la
frecuencia angular co de las vibraciones es proporcional al nmero de
onda k, es decir, se ha obtenido la misma relacin de dispersin que para

el caso de la cuerda elstica.

5.3- V ibraciones
de una cadena lin eal m onoatm ica
Como modelo unidim ensional de slido vamos a considerar una
cadena de N tom os iguales, de m asa M y d istancia interatm ica a
(fig. 5 .4 ), que puedan desplazarse a lo largo de una recta. Cada tomo
posee en este sistem a un grado de lib ertad , en tanto quo el sistema
en con ju n to, N grados de lib ertad . E ste modelo, desde el punto de
n -6

n -5

n -4

n -3

n 2

n- 1

n+1

un . ,

Un

Un-M

Fig. 5 .4 . Cadena lineal do tom os iguales

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n+2

166__________Cop. 5. V ibraciones de los tom os de la red crista lin a

v ista de In ostrucU ira a t m ica , se d escribe bien por ln clu la lineal

p rim itiv a <l<\ H m viiis, un la cual lint posiciones dn lo.s tom os se delerin in an por el v ecto r do traslaci n T = na, en el quo n os un n
mero entero quo ind ica la posicin de e q u ilib rio (le los tom os en
la cadena.
,
Supongam os quo en el in sta n te t 0 d esviam os de su posicin
de e q u ilib rio cl tom o, cuyo nm ero es n 0., una d is ta n c ia u 0.
Como los tom os estn on la cad ena unidos en tre s por fuerzas de
enlace, esta e x c ita c i n se propaga por la cad ena en form a de onda
do com presin y todos los dem s to m o s so desplazan de sus p o si
ciones de e q u ilib rio .
Sea n (* , t) ol d esplazam iento en c ie rto in sta n te t del n-csim n
tom o respecto de su posicin de e q u ilib rio Bn el punto de coordenada
x n ~ na. S i lo.s d esp lazam ientos de los tom os de la s p osicion es de
e q u ilib rio son pequoos en com p aracin con la d is ta n c ia a, las
fuerzas do in teracci n ontre los tom os so pueden con sid erar cu asie lstica s; do acuerdo con la ley do Iio o k e , estas fuerzas sern propor
cionales a los d esp lazam ientos. Los tom os en la cadena estn com o
unidos en tre s por m u ellecito s e lstico s, cada uno de los cu ales se
cara cte riz a por la c o n sta n te de elasticid ad C, y el d esp lazam iento
u d escribe las v ib racio n es del tom o en torno a la p osicin de eq u i
lib rio .
H allem o s la ecu aci n dol m ov im ien to del n-sim o to m o. Al
buscar la fuerza resu ltan to que act a sobre el tom o rt-sim o, vam os
a suponer que slo actan fuerzas do co rta acci n , lo que s ig n ifica
que el tom o consid erado slo in lera ccio n a con los tom os vecinos
ms prxim os: (n l)-sim o y (n + l)- s im o , ya quo la accin que
ejercen sobre l lo.s o tro s tom os es d ep reciable. La ecu acin do eq u i
lib rio tom a en este caso una form a m uy sim p le. T eniend o on cu en ta
que las fuerzas de in teracci n entre los tom os son c u a sie l stica s,
sobre el n-csim o tom o act a la fuerza re su ltan te
/' i, ~ P (Uk + i

W-ii )

P (ltn

Wn-l) =
= P ( n +1 'I ' a - l 2 ),

(5.19)

donde fi es una co n stan te ile fuerza relacio n ad a con la c o n sta n te de

elasticid ad por la expresin C Pa. U na voz d eterm in ad a la fuerza
F escrib im o s la ecuacin del m ovim iento
M

-^TT- - P ( . u +

u n-\

2iz).

(5 .2 0 )

Ahora bailam o s los m odos norm ales do las v ib racio n e s, es d ecir,

los tipos de m o v im ien to ron los cu ale s todos los tom os vib ran con
el tiem po a una m ism a frecu en cia w segn la le y exp ( tai). Vam os

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5,3. Vibraciones de una cadena lineal monoatmica

167

a buscar la solucin de la ecuacin (5.20) en la forma de onda pro

gresiva:

u n = u exp U (kna <u)l = u 0 exp \t (kxn tut)]. (5.21)

Aqu u (Ictormiun el dosplazainienlo dol loino con n = 0 en el
instan te l -- ; le 'SnlX es el nmero do onda; <o, la froconia an
gular del modo dado.
Como se ve por (5.21), la forma del modo normal se determ ina
totalm ente dando el desplazam iento del nico tomo con n = 0.
Despus de su stitu ir la solucin (5.21) en la ecuacin (5.20), ob
tenemos
M o = p [exp ( ik a ) -I- exp ( tka) 2) = 4p sen (ka/2).
(5.22)
De aqu vemos quo a cada valor del nmero de onda k corresponde
un valor determinado de ca2, con lo cual io (k)
to2 ( k), es decir,
u 2 es funcin par dol argumento le. Do (5.22) se siguo la relacin de

dispersin para las ondas que se propagan en una cadena lin eal de
tomos iguales:
(o =

(4p IM )ll* sen (/ca/2).

(5.23)

Como ( no puedo ser magnitud uegntiva, el signo menos on

(5.23) corresponde a la regin de valores negativos do k.
L a frecuencia de las oscilaciones del rt-simo tomo, como puede
verse por (5.23), no depende do n , lo que quiere decir que todos
ios tom os de la cadena vibran con la misma frecuencia. La depen
dencia (5.23) se representa en la fig. 5.5.
Del anlisis de la expresin (5.23) se deduce que para los valo
res del nmero de onda | k | = 2n IX = n a, es decir, para las longi
tudes de onda cortas X = 2a, la frecuencia cclica de las vibraciones
alcanza ol valor m xim o:
(5.24)
Valoremos la magnitud >max sss v,k, en la que v, = Y C l p es la velo
cidad de propagacin de las ondas sonoras. En el 5.1 obtuvimos
que v, = 5-10 m/s. Admitiendo
w Cu4rd e!sIIC,
que para los slidos a 3 - 1 0 '10,
\ J
\ 3
ser k = n a 1010 m '1 y
\
Wmx w 5 - 1 0 M 0 10 5 -1 0 13 s-|,
/
\
\
/
lo que por el orden de m agni
/
f
Cadena
^
tud correspondo a las frecuen
/
lineal
\
/
cias do las vibraciones trm icas
f
A
_J
t
+n/a
-*2n/
de los tomos en los slidos.
-2n/a -n /
Cuando los valores de le. son pe
F ig . 5 .5 . Curva do diaporsiu para
queos, o lo que os lo misino, cuan
una rodona linn! monoatmica

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168__________ Cap. 5. V ib ra cio n es de I 03 tom os de la red, c rista lin a

do la s lon g itu d es de onda son con sid ernblom onto m ay ores que. las
d is ta n c ia s e n tre lo s tom os on la cad en a, <o dependo de k lin ea l
m e n te, com o en el caso de una cuerd a e l s tic a c o n tin u a do densi
dad lin e a l p = M a :
/ 4(5

\l/2

<D= { ^ - )

kn

/ 46

/2

\ l

a e n -y - ( - - )

ka

/ C

0/2

= ( )

(5 .2 5 )

De este m odo, la d iferen cia entre la caden a d iscreta y la cuerda

con tinua consiste en la au sen cia de p ro p o rcio n a lid a d en tre la frecu en
cia ( y e l nm ero de onda k . E s to se dobe a la d isp ersin de las ondas.
Las ondas c o rta s, a las c u a le s correspondo una frecu en cia do osci
laci n de las parL culas m s e lev a d a , d ebid o a la in ercia de las
m asas de la s p a rtc u la s , se propagan m s d esp acio que las ondas
larg as. La e x is te n c ia de ln d isp ersin de los ondas so m a n ifie sta en
la d esv iaci n de Ja cu rv a co = &> (k) de la d ep en den cia lin ea l (vase
la fig. 5 .5 ), co rro cta para una cu erd a e l s tic a . L a cad en a de tom os
igu ales se com p o rta con resp ecto a la propagacin de la s ondas acs
tica s corno una cuerd a c l s tic a so la m en te para lo n g itu d es \
L a v elo cid ad do p rop ag aci n do la onda a c s tic a a lo largo de
la endona d is cre ta , n d ife re n cia de ia velo cid ad de propagacin de
la onda a lo largo do la cuerdo e l s tic a ivnsc ln frm ula (5.0)1, de
pende de la lo ngitu d de onda:
wt

, / (i \ I/2

' - s r - M ' J n

jlfl

s,,n

r n\

<-,-26)

E s ta d ep en den cia es c a r a c te r s tic a de la propagacin de las

ondas e l s tic a s en un m ed io de e stru c tu ra d is cre ta . L a solu ci n
(5 .2 1 ) d escrib e la s ondas que se propagan a lo larg o de una cad ena
con la velocidad d e fa s e

sen(*a/2)
kaj 2

(5 .2 7 )

y la velocidad de grupo

0(

ka I

= ~Bk " [ c o s |

(5 .2 8 )

P a ra v alo res pequeos del nm ero de ond a k (fig . 5 .0 ) las v e lo cid a

des do fase y de grupo co in cid en y son ig u ales a la v elocid ad del
son id o :

vt = ve =

(5 .2 9 )

Com o puedo verse por (5 .2 8 ) y por la fig . 5 .6 , la v elo cid ad do

grupo con ln cu al es tran sp o rtad a la en erg a do la s v ib ra cio n e s do
los to m o s un lu endona, para la s lon g itu d es do ond a m s c o r la s
(c r tic a s ), es d ecir, para k = n a , so an u la . E s to in d ica quo d ich o s

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5.3. V ib racion es do una cadena lineal m onoatm ica

modos de v ib ra ci n ca ra cte riz a n en

ln endona n las ondas nslncinnnrins
do !u (orina

169*

u n = u 0 exp \l (lena - <o)I =

u 0 e x p ( ( to) eos n a l, (5.30)
la s cu ale s son el resu ltad o de la
com posicin de dos ondas progresi
v as con ig u ales am p litu d es, fre
Fi^ . 5 .6 , D ependencia de lea velo
cu en cias y lo n gitu d es pero que se
cidades de fase y de grupo respecto*
propagan en sen tid o s opuestos.
del nm ero de onda
A l reso lv er la ecu acin d ife
re n cia l (5 .2 0 ) nada d ijim o s de las
co n d icio n es de fron tera del p roblem a. E l dar la s condiciones de
fro n te ra p erm ite e sta b le c e r el in te rv a lo de las v ariacion es de Iosnm eros de ond a k y el nm ero de v alo res p erm isibles de k en esein te rv a lo . lin s tu aliora hem os tratad o de una cadena de longitud
in fin ita . E s t c la ro que la s fuerzas que act an sobre los tom os en
el c e n tro de la cad en a son d iferen tes de los que act an sobro Iosextrem o s. E s to h ace que las posicion es de eq u ilib rio en lo s extrem os
de la cad en a se a lte re n . E s ta d ificu lta d puede e v ita rse consid erand o
que los to m os form an un gran a n illo , de modo que el ltim o tom o
(n = jV) v u elv e a en co n trarse a la d is ta n c ia a del prim ero (n = 1).
S i N es grand e, la s propiedades de este an illo d iferirn poco do laspropiedades de la cad en a lin e a l. E n este caso , com o condiciones
de fro n te ra con v ien e e leg ir la s con dicion es p erid icas de fron tera deB orn K rm n , de acuerdo con las cu ales los d esplazam ientos deben
s a tis fa ce r la con d ici n de period icid ad :

u + N = in ,

(5.31)-

ya que los nm eros de orden n y n + N se refieren a un m ism o tom o.

S u stitu y e n d o en la con d ici n (5 .3 1 ) la solu cin (5 .2 1 ), obtenem os
exp ( ik N a ) it = u, si exp ( ik N a ) *= 1.

(5.32)-

D e aqu se sigue que la solu ci n (5 .2 1 ) sa tisfa ce las condicionesde fro n tera (5 .3 1 ) si

kJVa = 2n n ( = 0 , 1 , 2 , 3 , . . .),

(5.33)-

es d ecir, k = (2 jt /a) ( n /N ) se c u a n tific a .

Como k slo se en cu en tra en las expresiones del tip o exp (ikn a),
nada c a m b ia si a e lla se aade una m agnitud m ltip la de Zn/a. P o r
eso la v a ria ci n de k puede lim ita rse al in terv alo
n a ; k <

4 - n la .

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(5.34)-

170

Cap. 5. Vibraciones de los tom os de la red cristalina

131 intervalo (5.34) roine.iile, rom o veremos ms tarde (vnso el cap. 7),
ron In zona >lo Itrillotiin parn ol vector <lo onda do los oloctrones. I3s
ovllente (|to el nmero de valoree perm isibles o propios de k en el
intervalo (5.34) cuando se cum ple la condicin cclica (5.31), teniendo
en cuenta (5.33), es igual a N, os decir, al nmero de tom os o de
c eld illas d em ntalos que hay on la cadena. A cada v alor propio do k
corresponde sii funcin propia en forma do solucin (5.21), por eso
cl nmero do estas fundones o soluciones lin ealm eate independientes
no puede sor mayor que N.
Ahora ya podemos formar la solucin general de la ecuacin li
neal dol m ovim iento. E n el caso de las vibraciones arm nicas, el
movimionto de los tomos on la cadena, en virtud del carcter li
neal do la ecuacin del m ovim iento, puede representarse en forma
de superposicin de ondas progresivas del tipo (5.21), caracteriza
das cada una do ellas por un nmero do onda k, una frecuencia wj,
y una am plitud A k. En esto caso el desplazamiento u n puede escri
birse en la forma
n = 2

-4* exp [i (k n a w*f)].

(5.35)

donde la stim arin se extiende a todos los valores de k que satisfacen

la condicin (5.32).
Fdigiendo convenientem ente las coordenadas, ol m ovim iento
do cualquier sistom a do partculas que roalicon vibraciones peque
as puede reducirse al m ovim iento de osciladores independientes.
Pura esto se introducen las llam adas coordenadas norm ales qk, las cua
les son variables independientes que cam bian con el tiem po segn
la ley arm nica:

qh = Ah Y exp (to * t).

(5.36)

Despus de su stitu ir (5.36) en (5.35), obtenemos

5=1 V W ^h Qh exp <'ikna)'

(5-37)

Es fcil dem ostrar, bailando la diferencial de la expresin (5.36)

respecto de , que la ecuacin del m ovim iento para cualquier qk
tiene la forma

gh + t f ( k ) 9* = 0 (fc = 1 , 2, 3 ............ N ).

(5.38)

Sabem os que sta es la ecuacin del movimiento de un oscilador

lin eal arm nico. L a energa total E k de este oscilador se compone de
sus energas cin tica y potencial y se determ ina por la expresin cl.SOJI

i?
2 . M 2 2
E k ~~2~ 9fc + ~ M *

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(5.39)

171

Ti.a. Vibraciones de une endona lineal monoatmica

en ln que A/ es la masa del oscilador. Entoncas la energa total de las

vibraeione do los Ionios on ln endona ps

T + U .= U 0+ 1 ) Efr,

(5,40)

donde T tvs ln energa cin tica; {/, el valor do ln energa potencial

en oslado de equilibrio; U, la energa potencial.
Couto en lodos los problemas relacionados con el movimiento
arm nico, en nuestro caso es fcil realizar la generalizacin mecanocuntico. En la mecnica clsica, para un oscilador armnico unidi
mensional, Ja funcin de H am ilton tiene la forma

A qtt p es el impulso de la parlcula; M , la masa do sta; x, la des

viacin de la posicin de equilibrio; * , la frecuencia angular, pro
pia, del oscilador. En la mecnica cuntica se entiende por oscilador,

unidim ensional el sistem a descrito por el operador de Hamilton H,

igual en analoga com pleta a (5.41):
S K -n r-*

(5 -4 2 >

donde p x = ih ^ es el operador del impulso y x, la coordenada.

Do acuerdo con el ham iltoniano (5.42), la ecuacin de Sclirodinger pnr.i los es todos estacionarios del oscilador se escribe as:

YT

(5 -43)

Aqu h es la constante de Plnnck; t|>, la funcin de onda, y E h, la ener

ga total del oscilador.
Solucin de la ecuacin de Schrdinger (5.43) son los valores
posibles (propios) de la energa

Eh = hOh (n 4- '/a), n 0, 1, 2, 3, . . .,

(5.44)

donde n es el nmero cuntico. La frmula (5.44) muestra quo la

energa del oscilador slo puede tener valores discretos.

Escribam os la energa total de las vibraciones de los tomos de
la cadena [vaso (5.40)1, teniendo en cuenta la generalizacin realiza
da,

E=

U()+ '?) Eh=*U0+

h

2 > * > * ( + 1/2).

t<

(5.45)

El trmino l/ entre parntesis es la energa del punto cero , cuyo exis

tencia so debo a que, incluso u 0 K , es decir, on el estado do energa

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172

Cap. 5. V ibraciones de los tom os de la red crista lin a

m s bnjo, lo s to m o s n o so pueden o n c n n tr n r oxnclnm onle on siis

posicionos do <_((i f i lir i o ( v i b r a n ) , l i s t o so os p lica porque, on v irtu d

de la relacin de ind eterm in aci n de H eisenberg (ApxA x ^ / i) , la

localizaci n e x a cta de los tom os en sus posiciones de eq u ilib rio es
im posible.
A s pues, la energa trm ica total de las vibraciones de los tomos

en la cadena se com pone de la energa de la s vibraciones norm ales, que

se com portan d e un modo sem ejante a osciladores arm nicos lineales
con la frecuencia p ro p ia (h.
P ara te rm in ar se alarem os que si al d educir la ecuacin del mo
v im ien to se tien en en cu en ta no slo las fuerzas de corto alcance,
sin o tam bin las do alcan ce largo, el resultado fin a l, en rasgos gene
rales, perm anece in v a ria b le . E n este caso, aunque la dependencia
ce = o > (k) tendr una form a m s co m p le ja , el nm ero de v ib racio
nes norm ales del tipo (5.21) seguir siendo, com o an tes, igual a N,
es d ecir, al nm ero de v alores perm isib les de los nm eros de onda k
en el in terv alo (5.3 4 ). Cuando los v alores de k son pequeos, n =
= o) (k ) sigue siendo lin ea l y si k = n / a , la velocid ad do grupo
so anula y la solu cin en este caso tam b in se d escribe por ondas
estacion arias del tipo (5.3 0 ).

5.4.
V ib racio n es
do una cad en a lin e a l b iatm ica
En el apartado a n terio r so han d eterm inad o los modos norm ales
de las vib racio n es 1c una red de B ra v a is un id im ension al m onoat
m ica. Ahora vam os a estu d iar las v ibracio n es lo n g itu d in ales lo los
tom os de una red u n id im ension al con base, cuando a la c eld illa
e lem en tal, lin e a l, de B ra v a is con parm etro 2 a corresponden dos
tom os. Supongam os que a lo largo de una re cta se encu en tran N
celd illa s. E sto sistem a poseo 2N grados de lib e rta d . Al reso lv er
el problem a de las v ib racio n es de los tom os en dicho siste m a son
p osibles dos m odelos de cad en a, cuyo em pleo conduce, on Fin de
cu en tas, a unos m ism os resu ltad o s. E l p rim er m odelo es una cadena
b ia t m ica lin eal de tom os igu ales, unidos entre s por m u ellecito s
de rigidez altern a (fig. 5 .7 ). E l segundo m odelo es una cadena b ia . ______ 7a______ .

I'lg . 5 .7 . C allona Inoni b ia t m ic a lu to m o s ig u ales.

aOB tomos estn unidos por muellecitos de rigidez alterna G y K. Se han escogido celdilla*
elementales de Bravais con parmetro 2a. Los circuiltos punteados son tomos en las posi
ciones de equilibrio

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173

5.4. V ib racion es He ona cadena lineal biatm ica

2 n 2

2 n -l

2n

2(7+ 1

2n+2

2(7+ 3

- * V V W ^ iW ^<2>tViAA A ^>0 W V v # < v M ^ ^ ^ V V v ^ .V .lWv^--- X

|d

CM|ld

T,

((

| | C-|ln

Mj

!'ig. 5.3. Cadumi lineal biatmica.

U n ln r r l d l l l * e l c n i c n t n l d o p a r d m e t r o 2 a h A y d o n d l o m o s . u n o d e m a iin M , y o t r o
M , . l . n r ltfW lo * ilo l o s m u o llr t* H r m on O

do m a m

t m ica lin e a l (fig . 5 .8 ), a i.o largo de la cu a l.se h allan situ ad o s a lte r

n a tiv am ente, tom os.d e m asas d istin ta s. M , y M y la s fuerzas entre
los pares de_tom os vecinos_son iguales (los tom os estn unidos en
tre s por m u e lle cito s de igual rigidez). Los m u ellecitos sim u lan la
e x iste n cia do fuerzas de tra cci n , cuando estn estirad o s, y la s fuer
zas de rep u lsin , cuando estn com prim idos. V am os a u tiliz a r el
segundo m odelo.
L lam em os 2 ra a .l a s .posicip nes.d e.eq u ilib rio pares de los tom os
de. m asa A^i. y (2n ^ i ) , a las de los tom os im pares de m asa A/.a
(n es un num ero e n te r o )r S a u n el desplazam iento de un tom o
d e m asa M x a lo largo de la direccin x, on cie rto in stan te t, respecto
de su p osicin de e q u ilib rio , y u2n+i> e l desplazam iento de un tom o
d e masa Afa, respecto de la suya.
C onsiderarem os de nuevo que los desplazam ientos son pequoos
en com p aracin con lo d ista n cia in teratm ica a y que la s fuerzas
d e in te ra cci n en tre los tom os son cu asielsticas. L os desplazam ien
tos d escrib en las v ib racio n es longitud inales de los tom os en las pro
xim id ad es de sus posiciones de eq u ilib rio .
H allem o s la ecu acin del m ovim iento de los tom os. Tom ando
en con sid eraci n n icam en te la in teracci n de los tom os m s pr
xim o s (v ecin o s), las fuerzas resu ltan tes que actan sobre los tom os
eleg id o s las escribirem o s en la form a
^277 P (*sn+l *2n) P (*2n *2n -l) = P (*2n+l +
1" ^2n-l

F , n * t ~ P (*S7i+2

*271+l)

P (*2(1+1
*2n) =
= P (*317 +2 "b *2(7

2uan)(
2*2(7+|)t

siend o P la c o n sta n te de fuerza, relacion ad a con la con stan te de

e la sticid a d (rigid ez) por la frm ula C Pa. Suponem os que las
co n sta n te s de fuerza son igu ales para todos los pares de tom os
(vase la fig. 5 .8 ).
V alin d o n os de la segunda ley de N ew ton, escribim os las ecu a
cio n e s del m ov im ien to :
Af. - ^ = P

(*2n +, + *27.-1-

A f, j j r 1 = P (*2n+, + *an -

2 *2-.);
2 uan+,).

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(5 .4 0 )

174

Cap. 5. V ib racion es de los tom os de la red cristalin a

T eniend o en cu enta que las v ib racio n es de los tom os de most

d istin ta s pueden efectu arse con am p litud es it, y u , d iferen tes, k
solu ciones de estas ecuaciones la s bns.\'iror;-o-rle fo?<r.r> de ostia
progresivas dol tipo

u ,n = ut exp li (2 n ka to)J; it2n+J =

= a exp i l(2u d- 1) k a tol.

(5.47

Su stitu yen d o estas solu ciones en las ecu aciones (5 .4 6 ) y siinpli

ficando por el fa cto r com n exp [i (2 n ka to)) cada una de ellas
llegam os a un sistem a de ecu aciones respecto de u y tt2:
(2p A/, te2) Uj 2p eos k a u 2 = 0;
(5.48;
2p eos k a u t + (2P M t wr) u , = 0 .
E ste sistem o de ecu aciones hom ogneas tien e solucin si se anu la el
d eterm inante
(2p M t(o*)

( 2p co s ka)

( 2p eos ka)

(2p M 2(a2)

= 0.

(5.49>

De aqu obtenem os la ecu acin que relacio n a la frecu encia o y el

nmero do ontln k:

* - w ( J m r ) ' ' + - i s $ i T m k - 0-

<5-,0)

Ln raz de esta ecuacin bicuadrada es

t ( M ,>
Los valores negativos do o> carecen tle sen tid o fsico , por lo quo
slo nos interesan los valores p o sitiv os. E n este caso, de (5 .5 1 ) se
sigue quo a cada nm ero de onda k corresponden dos valores de to y,
p or consiguiente, dos modos de vibraciones del tipo (5.4 7 ). V alindonos
do los condiciones de fro n tera de B o rn K rm n (con diciones de
period icid ad ) un+aw = u , o n+j+aiv = u + ] , h allam o s los v a lo
res p erm isib les de los nm eros de onda k. L a condicin de periodi
cidad u sn+aJy = u., exp i [(2 n - f 2 N ) k a to] = u exp ti (2nka
to)] exp (i2N ka) se cum ple si exp (i2N ka) = 1, lo quo es posiblo
en el caso do 2 Vka = 2nm si m es enteTo. De aqu

* = | j~ .

(S.52)

E n v irtud de que k slo se encu entra en expresiones del tip o

oxp (i2n ka), nada vnrn si al nm ero do onda k se le suma una mag

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5.4. V ibracionos de una catftona linn! biatm ica

475*

n
2a

o
o

n.
la

-jt.

2a

+_n_
2a

F ig . 5 .9 . Curvas do dispersin para la cadena linonl b iat m ica:

n, reducida; )i. 7nn do Orlllouln rnsnnrhmln

nitud m ltip la do 2n/(2a). Por con sigu ien te, las variaciones (le k
se pueden lim iln r ni in terv alo

P o r (5.52) y (5.52) se puede ver con facilid ad que cl nmero de

valores p erm isibles, no e q u iv alen tes, de k on ol interv alo (5.53) se
reduce a los lm ite s A72
-|- N I2 y es igual a N , es decir, a)
nmero de c e ld illa s elem en tales quo liay en la cadena. Como a cada
v alor de k corresponden dos modos do v ib raci n , el nmero total de
m odos norm ales que hay en el intervalo (5.53) es igual a l nmero de
grados de libertad del sistem a , es decir , 2 N . C l in terv alo (5.53) es la
zona reducida de B rillo u in para la cadena biatm ica.
A s, pues, la solucin del problem a de las v ibraciones de los to
mos de dos clases en una cadena, conduce a dos curvas de dependen
cia de <i> respecto de k que reciben el nombro de tas dos ram as de a
ley de dispersin. L a s ram as en la zona reducida de B rillo u in vienen
representadas en la fig. 5 .9 para el caso en que M . > M 2. Cn e sta
m ism a figura so da una zona de B rillo u in ensanchada para la cual cl
in terv alo de las v ariacio n es do los nmeros (lo onda le (na <
^ k < + n /a) es el m ism o que para una cadena lin eal de tom os
iguales y , com o veromos on lo sucesivo, para la descripcin de los
estados e lectr n ico s. La representacin de <o en funcin de k en ln
zona ensanchada es eq u iv alen te a su representacin en la zona redu
cid a, y a quo, com o d ijim o s antes, ln adicin al nmero de onda Ar del
in terv alo (5 .5 3 ) una m agnitud 2n/(2 a) no vara la form a de la so
lucin.
L a cu rv a in ferior de la fig . 5 .9 se llam a ram a acstica y la superior,
ram a ptica. A dvertim os que, en todo el in terv alo de las v ariaciones
de los nm eros de onda k, la frecuencia de la s vibraciones p ticas es
m ayor que la frecu en cia de las ac sticas. P ara e x p licar el origen de los
nom bres do las ram as v a m o s a exam in ar ol com portam ionto do ln
frecuencia de las v ib racionos para valores pequeos de k y paro

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176

Cap. 5. Vibraciones de los tomos de ln red cristalina

k = n/(2a).

Para los valores pequeos, t e < 1, en la expresir

(5.50) desarrollam os sonVr/i on serio do Mnc.lnnrin (son2/w frV ,
y nos lim itam os ni primer trmino dol desarrollo. Valindonos di
las propiedades de las races de la ecuacin cuad rtica x 3 + p x -+
+ q = 0 (xl H- x l = p , z ,Z j q) y de que la frecuencia de las
vilirnriones do ln rnmn ptica vara dliilmonto en Ins proximidado
.de k = 0, hallam os 1a raz de la ecuacin (5.50):

<*i = \ /r 2P ( i 7 7 + T 7 7 ) (rama ptica),

(5.54)

U>2= ( c

(5.55)

M 2+ M ) ^ (rama ac stica).

'Comparando la expresin (5.55) con la (5.25) so puedo con clu ir que

la dependencia o> = te (le) describe aqu la rama de las vibraciones
acsticas longitud inales, la cu al, como on ol caso do la cadena mo
noatm ica, so aproxim a a cero proporcionalm ente a k. E l valor de
la velocidad dol sonido para esta rama on ol caso do ondas largas
viene dado por Ja expresin
p, = aV2p/(A/1 + 2).

(5.56)

Para valores pequeos do k, las velocidades de fase y de grupo coin

ciden: v = vg = v,. S i Mi = /2, la expresin (5.5C) se transforma
en la expresin para la velocidad del sonido v, = a V fi/M = Y C Ip
en la cadena m onoatm ica con densidad iinoal p = M a.
Para k = n/(2a), es decir, en los lm ite s de la zona de B riUouin, la frecuencia alcanza el valor <u = Y ' $ /M i , la curva se
hace suave y la velocidad de grupo so anula, es decir, la curva inferior
se com porta anlogam ente a la de la cadena m onoatm ica. Do lo
expuesto queda claro por qu la rama inferior recibi ol nombre de
.acstica.
La segunda rama comienza para k = 0 desde el valor m xim o de
ln frecuencia w, =

jij") 1 lie a ^crecer A desciende has

ta llegar, cuando k = Ji/(2u), al valor j/r2p/.'V/2. E sta rama se

llam a ptica porque los modos pticos de onda larga pueden, en los
cristales inicos, interaccionar con las radiaciones electrom agnti
cas. Cuando k -* 0, la velocidad de faso do las vibraciones pticas
v = ,/ -> - oo, y ln de grupo
= dea,Al/c = 0 .
Como puede verso en la fig. 0 .9 , las dos ram as estn separadas
por una banda de frecuencias prohibidas (rayada en la figura), es
decir, en la regin Y'fi/M, < c> <
las ecuaciones del
m ovim iento (5.46) no tienen solucin. Pero si en lacad ena se sustitu ye,
por ejem plo, uno o varios tom os de inasa M z por tom os do
nnnsa Mx, os docir, si on ln estructura so inlroducon defectos, en

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O /i. V ilm n :i< m < \s d o

m u i c n tlm ia l i n e a l b iiil m ic u

177

ln re g i n do fr e c u e n c ia s p r o h ib id a s a p a re c e n s o lu c io n e s q u e re cib e n
<'l n o m b ro dn unidos- orolos. S i on ln e c u a c i n (.ri..r>0) se su p o n o .1/,
A lt - s A i, lu s o lu c i n Loma la fo rm a

0,2 ~ ~77 (1 c s fm)

o

b ie n

La solucin con cl seno coincide con la solucin para la cadena

monoatmica, y la solucin con el coseno, como puede verse fcil
mente (una ve ms en virtud de que la adicin al nmero de onda le
la magnitud n /a nada cam bia), puedo despreciarse, porque a cada ojj
le corresponde un modo ya obtenido para j y la anchura de la banda
prohibida A = ( Y 2fi/M., Y -ff/Afi). cuando Af, = A2, se anula.
Do esta forma, cuando M A/s la banda do frecuencias prohibidas
desaparece.
Aclaremos el sentido fsico de la diferencia entre los modos acs
ticos y pticos do las vibraciones do los tomos en la cadena. Para
esto comparemos ontre s la relacin do las amplitudes de las vibra
ciones u jiiz y las fases do los tomos vecinos on una y otra rama. P a
ra valores pequeos do k (es decir, para lea < 1), teniendo on cuenta
(5.47) y despus de su stitu ir la solucin (5.55) para le = 0 en la
ecuacin (5.48), obtenemos
(5.57)
Do aqu so signo quo las vibraciones de los lomos vecinos en la
cadona se producen on fase (junto con su centro de masas) y tienen la
misma am plitud, os decir, las celdillas se desplazan como un lodo nico.
E ste tipo de vibraciones es caracterstico do las ondas acsticas
(fig. 5.10). En la Jig . 5 .1 0 y siguientes, para mayor claridad, so
dan tanto las vibraciones longitudinales como las transversales de
los tomos de una cadona unidimensional.
Si en la ocuacin (5.48) se pono la solucin (5.54) para la rama
ptica de las vibraciones cuando le = 0 , resulta que
(5.58)
es decir, los tomos on la celd illa vibran 011 sentidos opuestos (on
oposicin do faso), m ientras que ol centro de masas do cada celd illa,
contenedora de dos clases do tom os, permanecer on su sitio
(fig. 5.11), porque, como se deduce de (5.58), la amplitud dol des
plazamiento dol contro do masas de los tomos en la celd illa u,M , -|I ijA/j = 0 . tillando lm vibraciones son do onda larga, los alomes
do masa Af forman una red que se mueve como un conjunto, y exactaI2 -0 1 U 7

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178

Cap. 5. Vibraciones de los tomos de la red cristalina

; r

a)

'

^b)
Fig. 5.10. Vibracionos de los tomos
correspondientes al modo ptico para

k = 0:
o. vibraciones transversales; b,
ciones longitudinales

vibra

Fig. 5.11. Modos de vibracin pti

eos, de onda larga; loa movimiento
de los tom os, cuyas masas son M,
M j, tienen un desfase de 180:
a , vibraciones transversales; b. vlbrsclc
nca longitudinales

m ente lo mismo se m ueve como un conjunto la subred quo formai

los tomos de masa M t .
S Pnra exp licar el carcter del m ovim iento do los tomos en la;
proxim idades de los lm ites de la zona de B rilloitin [en caso dt
k s=rt/(2a)l, construim os la dependencia de la relacin do las am
plitudos ,/wj respecto del nmero de onda para las ramas acstici
y ptica (fig. 5.12).
Como puede verse por la fig. 5.12, al aproxim arse al lm ite dt
la zona, la rotacin do las am plitudes pnra la rama acstica tiende i
in fin ito , lo quo significa una disminucin de 1a amplitud de la1
vibraciones do los tomos ligeros, con esto, como en el caso do valo
res pequeos de k, los tom os vecinos vibran en fase (valores posi
tivos de la relacin ulu2). Cuando k nl(2a), la amplitud de las
vibraciones de los tom os ligeros se snula y los tomos pesados,
de masa M x, vibran con un desplazam iento de fase do 180 respecto de
los tomos, tam bin pesados, vecinos (fig. 5.13, a).
Para la rama ptica la relacin u,/u2, al aproxim arse al valor
k = n/(2o), tiendo a cero, los tomos vecinos vibran en oposicin

F ig. 5 .1 2 . Dnponrtoncio do ut/u, reopoeto del nmero do onda k:

las curvnfi superiores son las do la rama
AcisUcn, los Inferiores, los de In Optica

Fig. 5 .1 3 . M ovim iento do los tomos

en la cadena b iatm ica en el casa
de k = 2t/I
,

acstico; b, rama Optica

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5.4. Vibracioucs do una caduna lineal biatmica

do fase (valores negativos de la relacin u,/u) como en el caso de

los valores pequeas de k. (inundo k
31/(Un). ln relacin ,/, - 0,
en este caso slo se mueven los tomos ligeros, do masa /2, con
amplitud tz2 y desplazamiento de fase de 180 respecto de los tomos
ligeros vecinos (fig. 5 .1 3 , b).
Do esta forma, en todo el intervalo de nmeros de onda , desde 0

hasta ni(2a), en la cadena compuesta por tomos de dos clases tiene

lugar la divisin de las vibraciones en la rama acstica y la ram a pti
ca: en los modos acsticos los tomos de ambos tipos se mueven en la onda
de compresin juntos (en faso). E n los nwdos pticos las vibraciones de
los tomos vecinos se realizan en oposicin de jase.
S i se exam inan las vibraciones pticas para valores pequeos
de k (ondas largas) y se considera quo las cargas de los tomos son
consecutivam ente d istin tas, sus vibraciones en oposicin de fase
ocasionan nn desplazamionto de los iones que conduce n la variacin
del momento dipolar elctrico de ln celd illa, Como resultado, a lo
largo de la cadena se propagar una onda do polarizacin elctrica,
cuyo nmero de onda ser k. Vamos o demostrar quo las vibraciones
pticas surgen con las frecuencias infrarrojas y pueden excitarse con
una irradiacin infrarroja.
Sea que disponemos de un cristal do NaCl, compuesto de iones
C l* y Nn+, situado en un campo elctrico do intensidad E, cuya di
reccin coincide con la cristalogrfica 100] do la celd illa cbica ele
m ental. B ajo la accin del campo los aniones C l* y los cationes Na*
se desplazan en sentidos opuestos, Jo quo ocasiona la formacin do
un momento dipolar elctrico medio P = (V |@ | a: =
E/(4n),
de donde
E = 4n N |Q |x,
siendo N
los iones
E n tre
atraccin

la densidad do iones; Q, la carga; x, ol desplazamiento de

bajo la accin del campo.
los iones con carga de signos opuestas acta la fuerza do
de Coulomb:

F = |Q |E = 4nNQ*x,
que tiende a devolver Jos iones a la posicin de equilibrio. Introdu
ciendo la aceleracin d^/d t2 y poniendo la expresin de la fuerza
en la segunda ley de Newlon, obtenemos la ecuacin
,i- i+ 4 / V < ? 2 * = 0.

(5.59)

en la que p es la masa reducida de los pares de iones (1/p = \IMl +

-I- i/A/2).
sta os la ecuacin del movimiento armnico simple. Por consi
guiente, las cargas experim entan ju nto a 1a posicin do equilibrio
12

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<'np. fi. Vibraciones <lc los lom os <le ln ret cristalina

vibraciones do frecuencia
i1

'mOzK \ /2
I1

)/

(CO)

donde <,, es la fre( u n e ia nm oplsiiiirn, roricspiiiidionlo a ln frecuenc.in ni,

)/ 3jt ( I/.1/, 1/ 1/.,) de ln rama p tica para le -- (I, su
poniendo |l
V..p o,',.
1(0 evaluacin de cu,, conduce a un valor igual a ~ 2 - 1(Jl!* s * ; esla
frecuencia so encuentra en la regin infrarroja do Jas radiaciones
electrom agnticas. Kn los c rista les inicos los modos pticos sj)n
realmente activ o s on la rogin in frarro ja, listo so m an ifiesta o r la
absorcin y em isin do radiacin infrarro ja.

5.5. V ibraciones de los tom os

en una red tridim ensional
Al principio de esto cap tu lo d ijim o s que el anlisis cu a n tita tiv o
de las vibraciones de los tom os do un cuerpo tridim en sional roal
es un problema extraord inariam en te com plejo. Para fa c ilita r la
com prensin de las propiedades generales de los morios norm ales en
esto cuerpo, liemos estudiado previam ente el problema de las v ib ra
ciones rio los tom os en la cadena lin eal. Ahora aprovecharem os los
resultados de osle exam en para describir c u alitativ am e n te las vibra
ciones de los tom os on la red tridim ensional.
Supongamos quo la red tridim ensional est formada por tom os
iguales de masa M y que en el volumen V del c ris ta l hay N celd i
llas p rim itivas elem entales de B rav ais. Como cada tom o tien e en
la red tres grados de lib e rta d , ol crista l en con jun to se caracteriza
por AN grados de lib ertad . Al resolver el problem a en la aproxim a
cin arm nica, el desplazam iento de cada /-simo tom o so subordina
a una ecuacin del m ovim iento, anloga a la del m ovim iento on la
cadena de tomos iguales, pero cam biando el desplazam iento por
el vector de desplazam iento \. Como resultado, para la descripcin
com pleta dol espectro de vibraciones de la red trid im en sio n al, te
niendo en cuenta los grados de libertad , se obtiene un sistem a do
3 N ecuaciones del m ovim iento rolacionndas. Ln solucin de este sis
tema tam bin se busca en form a de ondas progresivas:

ii; /t,,ev (k) exp li (kli^ wl)l,

en la que k es altura el vector de onda que determ ina
en que se propagan las ondas; Ah, la am plitud de las
e v (k), el vector un itario de polarizacin riel modo
describe la direccin en que se mueven los iones; R$, ol
del alom o /-simo en ia configuracin en eq u ilib rio .

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(5.(51)
ln direccin
vibraciones;
normal quo
rado vector

S.S. V ibraciones (ln los tom os en una red tridim ensional

181

Su stitu yend o ln solucin (5.01)

on el sislom ii do t.V eiiinoioiion
del m ovim ionlo se obtien e un sis
tem a
de ecuaciones homogneas
respecto de las am p litud es
que
lle n e soluciones no triv ia le s si el
d eterm in an te formado por los co
e ficien tes de las incgnitas A h es
nulo. E s te ltim o es un polino
m io (lo tercer grado respecto de ce4 Fig. 5 .1 4 . Curvas fia dispersin pa
ra la red tridim ensional p rim itiv a
y tien e, en el caso general, tres
do ttra v m a
races qno deben sor reales y po
s itiv a s. Los valores negativos, si
los tom os se encuentran en la posicin in icial de equ ilibrio , ca
recen de sentido.
De, osla form a, p a ra cada valor del vector de onda k han tres modos
(le vibracionea que determ inan tres ram as (fig. 5.14) de relaciones de

dispersin:
ce

>kv

(v = 1, 2 , ')).

(.(2)

Uno de tos tros modos, L , corresponde a ln onda longitud inal, y los

otros dos, T y 7'2, a las ondas transversales. En un medio istropo
la solucin se elig e de tal m anera que el vector do polarizacin
r v (k) y el d esplazam iento de los tom os sean paralelos ol vector k
para la onda longitud inal y perpendicular a l para las ondas trans
versales.
Para h allar el in terv alo de v ariacin y delorm inar el nmero
de valores perm isibles de los vectores de onda k, una voz ms u tili
zamos la con dicin de periodicidad de B o rn K rm n, para lo cual,
y con o b je to do sim p lificar, supondrem os que el cristal liona lu forma
de paraleleppedo rectan g u lar de aristas Af||,
y A ^a,, siendo
nt = a, n2 b y a 3 - c los vectores do la red d irecta, y A',, N 2 y
V. nm eros entoros grandes. De acuerdo con ia condicin de perio
dicidad para cada desplazam iento, escribim os

u , (R J + N , a ,) = u , ( R ) < = !, 2, 3).

(5.68)

E ntonces los valores perm isibles de ios vectores deben satisfacer la

condicin
exp [i (A i.ka,)) = 1,
(5.04)
de donde
k a ( = 2ji|/Ar; (rt; es un nmero entero)
(5.(55)
o bien

donde a * , b * y c * son los vectores de ia red recproca.

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182

C a p . i.

V ' l i r a r i o n o a d e

[03 t o m o s d s l a r e d c r i s t a l i n a

Puede dem ostrarse que la s va

ri nr iones ilo k so pueden reducir
a los lim ites do una zona do l.triilouin (celd illa do W ign erS o itz ):

E s evid ente que el nmero de

valores perm isibles en el intervalo
(5.67), que satisfacen la condicin
(5 .6 4 ), es igual a l nmero N de celd i
llas elem entales que hay en el cristal.;
ios valores perins Idos de k estn
d istribu id o s uniform em ente en el
espacio le coa la densidad Vl(2 n ):l.
E n el caso de las vibraciones
Ti y T , son laa curvas correspondientes
de los tom os do una red trid im en
a la modos transversales ncstlcoa; L,
n los modos longitudinales
sional con base, a cuya ce ld illa
elem ental correspon den r tom os
(sistem a con rN grad os do lib e rtad ), el sistem a de 3 rN ecuaciones
conduce a que e xisten 3 r ram as de v ibraciones y las relaciones de
dispersin de e stas romas se pueden escrib ir en la forma
tig . 5.15. Curvas do dispersin
para una red tridimensional con
baso:

<= o)fv

(v = 1, 2 , 3 ; s = 1, 2 , 3 .

(5 .6 8 )

Las tres ram as inforiores (fig. 5 .i 5), quo para valores pequeos
do k tienden in ealraen te a cero, se llam an ac sticas, y la s dermis
(3r 3) son p ticas; e n lre ollas tam bin se d istingu en las ram as
de vibraciones longitu d inales y transv ersales. L a velocid ad de pro
pagacin de las ondas lon gitu d in ales es m ayor que la de propagacin
de las ondas transversales, porque la frecuoncia de las v ibraciones
de las ondas longitu d inales es m ayor que la s frecuencias do las v i
braciones do ias ondas transv ersales (io > 017-3 > <r,)De esta m anera, en el caso m s general de red con base, el m ovi

m iento de los tomos puede representarse com o la superposicin de 'rN

vibraciones norm ales o modos. Cada v ibracin norm al, desde el punto
de visto m ecnico, es un oscilad or arm nico para el cual las coorde
nadas norninlvs /u, s satisfacen la ecuacin
9 ,., -i- lio (k, s)l2</k,, ~ 0 .

(5.69)

L a energia total de las vibraciones del cristal es igu al a la sum a de las

energas de las oscilaciones de los 3 rN osciladores, que no interaccionan
entre s. De novo, com o on ol caso unid im ensional, as fcil hacer la
gen eralizacin jnu cnnocu nlica, y entonces a cada oscilad or que

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5.5. V ib ra cio n es de los tom os on una rod tridim en sion al

183

vibre con ln frccu en cin o> (k, s) h abr que a trib u irle la energa
jb'Ui, = k (k , s) ln (k , s) + */aJ \n (k, s) O, 1 , 2, 3, . .
s = 1, 2 , 3 ............./].

(5.70)

L a en erg a to t a l, sum a de las energ as c in tic a y p o te n cia l, tom a la

fo rm a

E = 22
k i

k. . = 2 2

Ira (k , s) + V J hto (k, s) + U 0,

k a

(5 .7 1 )
n la que U n es la en erg a p o te n cial en estad o de e q u ilib r io .
A s, las vibracion es de los tom os, fu ertem en te en lazados en tre s,

d e la red crista lin a la s liem os reducido a un conjunto de on d as d b il

m ente lig ad as, con vector de on da k y frecu en cia <o (k , s), que se p ro
p a g a n p or todo el volum en d el cristal. C ad a on da la equ iparam os con
u n oscilad or vib ran te con la frecu en c ia o> (k , s).
L o s procesos que tran scu rren en lo s s lid o s, debidos a la s v ib r a
c io n e s do los to m o s de la red c r is ta lin a , tom an un aspecto m uy sim
ple si se recu rre a una (le la s g en eralizacio n e s fu n d am en tales de la
m e c n ica c u n tic a . S irv o de base a e sta g e n era liz a ci n la dea del
fs ic o fran cs L o u is de B ro g lie acorca de que cad a o n d a, de frecu en cia
y v e cto r de onda k , puede e q u ip ararse a una p a rtc u la do energa
= fu e im p u lso p = fik. A s, las ondas lu m in o sas (electrom ag n
tic a s ) puedon co n sid erarse com o o scilad o re s c u n tico s de em isin
o com o c o n stitu id a s por cu a n to s, llam ad o s foton es. Cada fotn tien e
la e n e rg a tito. A n lo g am e n te , si recu rrim o s a la frm ula (5 .7 0 ) para
la en erg a d el o sc ila d o r c u n tic o , ln ond a son ora con v e cto r de onda
k y p o la riz a ci n s puede con sid erarse com o un c o n ju n to de n (k, s)
c u a n to s de en erg a hto (k, s) cad a uno, m s la en erg a del estado
fu n d a m e n ta l V 2fto> (k, s). E s to s cu a n to s de onda sonora reciben ol
n o m b re do jon on es. Ln m ag nitu d lito (k , s) es, e v id e n te m e n te , la por
c i n m n im a de en erg a de e x c ita c i n so b re el n iv el fun dam ental
l f tto (k, s). Com o e l fonn os p o rtad o r do la en erg a m n im a, se
c o n sid era com o la e x c ita c i n e le m e n ta l. U na e x c ita c i n com pleja
no es m s que u n a e x c ita c i n quo c o n tie n e m uchos fonones. Los

m ov im ien tos colectivos de los tom os en e l c rista l son ondas sonoras y

la s ex citacion es correspon dien tes a ella s, cu an tos de sonido o fonones.
De lo e xp u esto se sig u e que cad a m odo de v ib ra cio n e s de fre
c u e n c ia c l s ic a to (k, s) puede e x c ita r s e por m edio de un nm ero en
tero de cu a n to s tito (k , s) de e n erg a, E n e ste caso la m agnitud n (k , s)
q u e fig u ra en la f rm u la (5 .7 0 ) tie n e un sen tid o s im p le : os el nm ero
d e fonones de una c la s e d ada con im pu lso p y energa tito (k, s ). E n
m uchos p ro b lem as re la cio n a d o s con la s propied ades trinicn s de
los s lid o s es n ecesario con o cer el nm ero m edio de fonones < (k, s ))
d e en erg a tito (k, s) que h ay en e l m odo do v ib ra cio n e s dado a la

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184

C .np. f>. V i h n i c i o n o s (le

l o s t o m o s rio l a

m i

c r is ta lin a

temporal un T. Pnrn lw lln r O (k, .<?)) se u tiliz a la expresin le la

c'nrr^a lri om'IjkIih ru u lim oUImihIm |mr IMnncU:
/ /A

(U ,

ti)

_ _

.X|.|,.i(k, *>/(*?> 1| 1

^ fl1

> *)

"

/ r

r7t) \

'

'

Kl trm ino /< (k, je)/2 |m<<lo om tirso ruando se cnlculn ol nmero
medio (n (k. s) ), y que no dependo do la tem peratura. l or (>.72)
puedo vomo po

(n (k, *)> =

_ _ _ _ _ _ _ _

(.>.73)

lis ta expresin determ ina tamldn lo distribucin ele los /omines

que se subordinan a la estadstica de lase liinstcin.
De osla form a, el nmero medio de foliones que 11ay en una cel
dilla del espacio do fases, cuyo volumen sea (2nft): y su energa
/rio (k, s), se determ ina por la expresin (5.73).

En
un slido puede haber forlones lano acsticos como pticos.
Por cuanto la frecuencia de las vibraciones de los fonones pticos es
siem pre m ayor que la de los acsticos, la energa de los primeros es
superior a la de los segundos. A eso se debe que a tem peraturas muy
bajas slo se exciten fonones acsticos.
L a introduccin del concepto de fonones perm ite en muchos casos
considerar todo cuerpo slido como una ca ja en la cual est encerrado
un gas de fonones. j.os fonones, como las partcu las de un gas ordina
rio, se mueven de pared a pared de la caja, chocan entre s y a causa de
estas interacciones pueden generarse o desaparecer fonones. E l gas de
fonones no es un gas ordinario. E l nmero de fonones que hay en un
slido no es constante. Hay tanto m s fonones cuanto m s elevada es
la tem peratura, y, cuando sta se aproxim a a cero, su nmero tam bin
tiende a cero.
T ara term inar direm os que en la actualidad el medio experi
m ental ms poderoso para observar las ondas en una red es la dis
persin inolstica de los neutrones trm icos en los fonones. Las
energas y los impulsos de los neutrones trm icos y do los fonones
son com parables entre s. En el choque nolstico el neutrn pierde o
adquiere una parle considerable de su energa, como resultado de
lo cual puede determ inarse tonto lo variacin de la longitud de
onda (variacin de la energa) como la variacin de la direccin
(variacin dol im pulso). S i un onn aislado resulta excitad o o de
saparece en el choque con un neutrn, la variacin de la longitud
de onda del neutrn determ ina la energa y la frecuencia del fonn,
y la variacin dol impulso del neutrn, cl nmero de onda del fonn.
Al estu diar las vibraciones de una red por medio de la dispersin
de los iieulronos hay que tener en cuenta la ley de conservacin do

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5.5. V ib racion es de los tom os on unn red tridim ensional

185

ln energa en la dispersin e l s tic a dol neutrn trm ico:

donde k ( y
son, rosp oclivarncnlc, los vectores <lc onda in icia l y
fin al del n eu tr n ; m , la m asa del neu trn; can, la frecuencia del
fonn con v e cto r de onda k en la red. M idiendo exactam en te k y
k y la s prdidas de energa del haz de neutrones, se puede determ i
n ar e xp erim en talm en to la relacin entre w y k , es d ecir, la relacin
de d ispersin de las ondas en la red. A plicando ol m todo de ln dis
persin in e l s tica de lo s fonones se pueden estu d iar no slo los es
pectros de los fonones, sin o tam bin los espectros de los magnones
y o tra s e x c ita c io n e s trm icas y tam bin la s interacciones de fuerza
de los tom os y o b ten er los v n lo ies num ricos de las constantes de
fuerza. E l cam po de ap licaci n de este m todo crece continuam ente..

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Captulo G

Propied ad es trm ica s

de los slidos

6.1. Capacidad c a lo rfic a de los slidos

Ley tic Dulong y lc lil. E n un slido, los tom os realizan v ib ra
cio n e s on torno n sus posiciones m edias do e q u ilib rio a cu alqu ier
tem p eratu ra T. S i el slid o so c a lie n ta , el ca lo r absorbid o por l
se invierto en au m entar la in ten sid ad del m ovim iento trm ico. Pue
de m ostrarse quo la am p litud de las v ib racio n es de los tom os a
tem p eratu ras m oderadam ente a lta s crece de un modo proporcional
a T'l*.
L as p ecu liarid ad es prin cip ales del m ovim iento trm ico en los
slidos se pueden com prender estudiando el com p o rtam ien to de
la capacid ad c a lo rfic a al v a ria r ln tem p eratu ra. P or d efin icin , la
capacidad ca lo rfic a de una su b stan cia referida a 1 mol es la ener
ga q u e Imy que com u n icar a un mol do dicha su b stan cia para ele
var su tem peratu ra 1 K . De aqu, la capacid ad ca lo rfic a a volumen
constante es

es decir, si la energa del sistem a v ara en d E , su tem p eratu ra v a

riar on OT.
E n 1819 los c ie n tfic o s franceses P . D ulong y A. P o tit e sta b le
cieron o xp eriracn talm cn le una ley de acuerdo con la cual la ca p a ci
dad c a lo rfica do lodos los slidos a tem p eratu ras su ficien tem en te
a ltas os una m agnitud co n stan te , ind ep en d iente do la tem p eratu ra,
igual aproxim adam ente a 25 J/ (m o l-K ). E sto sig n ific a que cuando

un slido cuali/uicni se calien ta un Icelt'ln, cada uno de sus itomos

absorbe una m ism a can tidad de en erga.
La exp licacin a esto bocho sorprend ente puede h a lla rse , dentro
dol marco do la fsica c l s ic a , si se parto do la con o cid a le y de la
eq u ip articin de la energa por grados de lib e rta d . S i a cada grado
de lib ertad de un sistem a le corresponde una energa igual a
IcT/2 (k = 1,3807 1 0 "2S J - K .- * es la con stan te de B o ltz m a n n ), se
gn dicha ley la energa m edia de esle sistem a ser igu al a l producto
d el nmero de grados de libertad por k T /2 . E s te re su ltad o , correcto
para los gnsos perfectos, puede extend erse a los sistem as de p a rtcu la s
que i n l o r a c c i i m a n entro s i, si las fuorzas de intoraccin son arm
n ic a s, es d ecir, cum plen la ley de H ooko.

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6.1. Capacidad calo rfica de los slidos

187

E n este caso se puede eleg ir como m odelo un slido cuyos tom os

efect en v ib racio n es pequeas on (orno a las posiciones do equ ili
brio en los nudos do lo red c rislo tiu o . Coito tom o, ndnpnndiontom e n lc de los vecin o s, v ib ra en tres d irecciones perpendiculares entre
s , o sea, posee tres grados le lib ertad do v ib raci n ndopondionlos.
Com o vim os en el ca p tu lo an terio r, esto tom o se puede com parar
con el con ju n to de tres oscilad ores arm nicos I i nonios. Cuando un
o sc ila d o r v ib ra so produce la transform acin sucesiva de la energa
c in tic a en p o ten cial y de la p o ten cial en c in tic a . Como la energa
c in tic a m ed ia, igual a k BTI2 por grado do lib e rta d , perm anoce in v a
ria b le y la energa p o ten cial m edia es exaetnm ento igual a la cin
tic a m ed ia, la energa to ta l inedia del oscilad or, igual a la suma
de las enorgas c in tic a y p o ten cial, ser /.'uf,.
S i un c r is ta l co n sta de iVA tom os (A'a = 6 ,0 2 2 - 1025 m o l-1 es
la con stan te de A vogadro) y cada tom o tien e tres grados de lib ertad
de v ib raci n , el c ris ta l ser un sistem a de 3 jV a grados de libertad .
E n este caso ln energa trm ica to ta l media del sistem a ser:

E = 3 N Ak BT.

(0.2)

De aqu la capacid ad ca lo rfic a m olar, com o incrom ento de la ener

g a corresp on d iente a la elev acin de la tem peratu ra en 1 K , ser:
(0-3)
A qu R => 8 ,3 1 4 J - m o l - , - K _1 es la constante m olar de los gases. De
esta form a, do (6 .3 ) so sigue que cy = 2 5 J -m o l- , - K -1. E ste resul
tado concuerda bien con los datos exp erim en tales para muchos s li
dos. H ay que ad v e rtir que en la fsic a c l sic a el m etal se repre
sen ta com o un co n ju n to de tom os que v ibran y electro n es lib re s .
Los tom os se con sid eran com o osciladores arm nicos entre los cu a
les so traslad an los oloclronos libros, teniendo cada oloclrn tros g ra
dos de lib e rta d do tra sla ci n . T eniend o on cuenta la energa de los
electro n es y de acuerdo con la le y de la e q u ip artici n de la energa
por grados de lib e rta d , la energa trm ica to ta l m edia do este s is
tem a ser:
E = 3iVA B T + 3NI(BT /2,
(6.4)
donde N es el nm ero de electro n es libres.
Supongam os que so tra ta de un m etal roonovalento, es decir,
N A, entonces

E = ZNvk BT + 3 N Ak BT/2 = VtN Ak BT = Vt R T .

(0.5)
De aqu c v = /i R = 3 7 ,6 J - m o l -1 - K _ l, es d ecir, la toora clsica
ln una capacid ad c a lo rfic a 1 ,5 voces m ayor que la que proporcionan

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188

Cap. 0. Propiedades trm icas de los slidos

Ins d alos experi m en tales. Por oso.

los fsicos. al e x p lica r ln ley lio
Dulong ' legaron a !a roncuti. e v..
os o .jc t M s e s iu .m s
no liaren aportacin a la cap aci
dad c a lo rfica dol n id a l.
T eora de Einstcin sobre la ca
pacidad c a lo rfica . La buena coinci
dencia de los d alos experim en tales
100
200
300
400 T ,K con los tericos slo se m anifiesta
l'ii:. H.1. Dependencia de la rapa- cuando las tem pera I liras son snficidml calorfica respecto de la cicn le in eilte a lia s . Hostil t que, a
iciopei.iiuia
b ajas tem peratu ras, se observan
desviaciones (lo la loy de Dulong
y l e l i l y la dependencia de ln rapacidad c alo rfica de los slidns
respecto dela tem poralurn, en
un am plio interv alo que incluye las
tem poraluras b a ja s, tiene, lnforma que m uestra la fig.
0 .1 . Lomo
se vc en esta figura, la capacidad calo rfico a b a ja s tem peraturas no
es una magnitud coiiM anle, sino que anllenla al elevarse la tem
peratura desdo cero hasta el valor determ inado por la ley de Dulong
y le l il . l nra e x p lica r esla dependencia (le la capacidad calo rfica
respecto de la tem peratu ra, las representaciones clsicas resultan
ser ya insuficientes y os necesario recurrir a las representaciones de
la estad stica c ii n lira .
lil 11107 K iiislein propuso un modelo que perm iti e x p lica r cuaJ ila tiv a mente el an led ich o com portam iento de la capacidad ca lo r
fica. Al elegir el modelo p arti E in slo n de la hiptesis cu n tica (le
M. Ilnnck. Este, en 11100, al resolver m atem ticam en te el problem a
de la distribucin esp ectral (le la intensidad de la rad iacin del cuer
po negro, plante una h iptesis que con trad eca rad icalm ente tollo
el sistem a de representaciones de la fsica cl sica . Segn esla hi
ptesis, la energa de los sistem as m icroscpicos (tom os, m alen
las) slo puede tener valores cu n tico s discretos fin ito s : H e
siendo //
0, 1 , 2, 3, . . . un nmero entero positivo; e h \
fu o os el entinto de encinta elem en tal; v, la frecu encia; o>, la fre
cuencia angular; h 2 ji Ii , ma co n slan lo universal (h es la cons
lltll

2 5 1-------------------

tante de l'loiiclc).
Pin el slid o los niveles de energa de un tom o, considerado
rom o o scilad o r arm nico, forman c ie rta escalu energtica com puesta
por escalones eq u id istan les entre s de altu ra //(>. E ste ca r cte r dis
creto de los niveles de energa e x p lica n u ied ialaiiiciile la desviacin
an tes ind icad a lo la capacidad c a lo rfica a b ajas tem peratu ras res
pecto del valor determ inado por la ley de Dulong y P e lit.
K in stein , para e x p lica r la m archa de la capacidad c a lo rilic a
obtenida en la fig. l. I , parti de las suposiciones siguientes:
I) el slido es un con ju n to de osciladores arm nicos iguales (a lo -

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II.I . C a p a c id a d c .i l i i i i f i c a

jo

180

lo s s lid o s

mos) quo v ib ran independientem ente uno do otro con la misma frocim ncia iu mi Iros d irecciones perpendiculares entre s;
1!) ln n n c r g i n tb' l n s o s c i l a d o r e s e s t iiiH li ti/ n iln

L 'l n n rk .

Iarn d eterm in ar la dependencia do la rapacid ad c a lo rfica res

pecto do la tem peratura T liny quo con acor cm o depmido do la 11*111 poralnra la energa trm ica del slido. MI problem a, por lo la n o ,
su reduce a c a lc u la r la energa inedia de las vibracion es del alem o
on una do las tres di rere, iones perpemlicularu.s entre s . M ultip licand o
esto resultado por el nmero do tom os y por Iros (correspondientes
a las tros com ponentes del m ovim iento), so obtien e la energa tr
m ico to ta l. L frm ula para d eterm inar el valor medio de la energa
del oscilad or arm nico lin eal fue deducida por llan ck, el cual con
sider quo, en eq u ilib rio trm ico, los oslados con un v alo r o otro de
la energa se encuentran con re la tiv a probabilid ad, d eterm inada por
el / a d o r de toltzm ann o _ 'l0l/(,ii' ^ y en
clculo deben tom arse no
led as las energas, sino nicam ente los valores discretos de energa
de la form a na (n 0 , 1, 2, 3, . . .).
S i se considera que el nmero de osciladores que vibran con la
energa nfit es proporcional a
\ ln energa inedia do un
oscilad or o modo de v ibraciones (por la d efinicin do medio) puede
d escribirse con la expresin
V

<> =

/<<ae~'l ' " " /<" u

2
^
~

"ht.ftb

1. - j, - c

-fe

11

- h i* } ( U n T)

-f ...

( 0 . 6)

Introd uciend o una nueva v ariab le a: = liu>/(kDT) y despus do ha

cer transform aciones, se obtien e
<> = n c a - - l n ( i +

c * +

o 2* 4 -

. . .) = /to - j L in

y d efin itiv am en te
< *> -j a g n . ,

(6 -7)

Esta expresin de ln onerga media del oscilad or cu n tico la u tili

zamos ya, sin d ed u cirla, ou el cap. 5 para ca lcu la r el nmoro medio
do fonones <n (k, .<?)> con energa i (k, s), correspondientes en el
modo dado de o scilacion es a la tem peratura T.
A s, si en un slido b ay N A tom os, ia energa trm ica to ta l, doterm inada por las vibraciones de la red, ser

F = 3,VA </> = JW A

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------- .

(0.8)

190

Cap. 6. Propiedades trm icas de los slidos

IJo (l.M) oliliMiiMiKis ln expresin do ln capacid ad c a lo rfic a m olar

en ln form n general

Exnm inem os los dos casos lm ite s.

1. Caso de las tem peraturas a lta s (kAT
/o>).
E n osle caso la frm ula (6.9) se puede sim p lifica r desarrollandoen serie el denom inador
(e- . v

_ = ( i+

E l exp o n en cial
pn el num erador tiendo a la unidad. P or lo
ta n to , ln frm ula (0.9) tom a la forma

Cy :1A a k B = 37?

25 J - m o l - L K - 1,

Como puede verse, a a ltas tem peratu ras 1a frm ula (0 .9 ) conduce
a la loy rio Dnloiig y P e til. La energa to tal inedia E = 'MAk BT
(vase (0.2)1 es prxim a a la c l s ic a .
2. Caso de las tem peraturas ba ja s (kBT <C t(o).
En osle caso
3>1 y on el denom inador puedo despreciar
se la unidad, con lo (jue

(0. 10)
De la frm ula (0.10) se sigue que cuando la tem p eratu ra del slido
tiende a cero, c facto r expon en cial resu lta predom inante, do manera
que la capacidad c a lo rfic a tien de a cero do acuerdo con la ley

L a causa p rin cip a l de que dism inuya la capacidad ca lo rfica es que,

a b a ja s tem peraturas , la ley de la equ ip ariicin de la energa por grados
de libertad no es correcta. L a energa m edia del o scilad o r { E )
=
siendo k BT C l i o decrece cxp on en cialm en te con
rapidez h asta cero ruando la tem p eratu ra tien de a coro, m ientras
que ile acuerdo con Jo ley de eq u ip artici n de la energa d ebera dis
m in u ir h asta cero lin ealm en te (fig. G .2). D e esta form a el modelo de
E in s te in d escribe bien ep realid ad el hecho de la dism inu cin brusca
de la cap acid ad c a lo rfic a a b a ja s tem p eratu ras, si la frecuencia e>
del o scilad o r se elig e c o n v cn ie n lcm rn ie .
L a tem p eratu ra 0 e con la cual com ien za la dism inucin rpida
do la capacid ad c a lo rfic a , denom inada tem peratura caracterstica de
E i n s t e i n , v ien e d eterm in ad a, ev id en tem en te, por ln proxim idad do
l(BT a h (j)e
lillg

s D l S .

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(6.11)

6.1. Capacidad calorfica de los slidos

1 91

mol- K

< E > 1 0 *, aV

100

2 00

3 00

400

F ig. 6 .2 . Dependencia de la energa

m edia del oscilador respecto de la tem
peratura cuando T < Qe :

Fig. 6 .3 . Dependencia de la cap aci

dad ca lo rfica respecto do la tem pe
ratura:

1i oscilador clsico; 2. oscilador cuntico

(sin la energa de punto cero)

curva experimental; 2, curva calculad*

por lo {frmula de Einstein

Suponiendo je = 2 -1 0 *3 s _1 y ft 1,05 10~34 J - s , sera 0 E

150 K . La tem peratura real do E in slcin depende de las propiedades
de las su b stan cias y para la m ayora de los slidos es del orden do
102 K , pero hay m ateriales (b e rilio , diam ante) paro los cuales 0 E
es anorm alm ente a lta (superior a 1000 K ). E ste hecho se debe a que
en la frm ula (6.11) para la tem peratura de E in ste in figura la fre
cuencia de las v ibraciones de un osriludor, la n ia l, para sim plificar,
se puede escrib ir en la form a (5.24):
w =

<om x =

(4 P / A / )V ,

( 6 .12)

en la que p es una con stan te de fuerza que caracteriza la fuerza de

in teracci n en lre los tom os y M es la masa del tomo.
P o r la frm ula (6.12) se ve que cuanto ms rgido sea el cristal,
es d ecir, cuanto ms fuertem ente estn ligados Jos tomos a lo
posicin de e q u ilib rio , y cu anto m enor seo Ja masa do stos, tanto
m ayor ser la frecuencia de sus vibraciones y, por consiguiente, la
tem peratu ra de E in ste in .
L a tem peratura E de E in stein es una de la s caractersticas princi
p ales de un cristal. A tem peratu ras inferiores a la caracterstica,
T < 0 E, hay que considerar la cuantizacin de lo energa. A tem
peraturas T ^ > 0 E, la cu antizacin de la energa puede no tenerse
en cuenta y exam in ar el caso partiendo de las representaciones cl
sicas ord in arias.
T eo ra de Debye sobre la capacidad calo rfica. La frmula de
la capacid ad ca lo rfic a (6.9), obtenida por E in ste in , concuerda bien
con ln exp eriencia cuando T ftc 0 El pero a tem peraturas ms bajas
eslR concord ancia ya no se observa. La capacidad calorfica calcu la
do segn E in ste in desciende con la tem peratura ms de prisa que esto
ocurro on ronlidnd (fig. 6 . 3 ) . I.a oxporioncia muestra qua la rapacidad

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iltf

Cap. fi. I'rupicdiidca trmicas lio lns slidos

calorfica, pof lo monos para los d ielctricos, a bajas Umi pora loras
(cuando T 0), vara no cxpononcinlinenle, sino como T3.
La d iv e r g e n c ia en leo lo s e x p e r im e n to s y la Jr o r fn

so co'bc a (no

en i*l inn d o ln lo fiin s to in so s u p o n a e n a es... i . . :_c, . n a d o v r

p arad o , r e a liz a v ib r a c io n e s arm nicas d e reoneho ;. > im e -m -iii.n *,<le m e n le di* l*s d i'in s lo m o s . P e ro en r e a lid a d lo s lo m o s n o p u ed en
v ib r a r e n el s lid o ro n u n a m ism a fr e c u e n c ia , y a q u o o s la n fu e rle n u m le lig a d o s un re s .

lil paso siguiente en el desarrollo de la lenra cuntica do la ca

pacidad calorfica fuo dada por P. Debye (1012). Para comprender
la esencia de la teora de Debye vamos a recurrir a los resultados
obtenidos en cl cap. 5 para las vibracionos do los tomos de una red
cristalina. Las vibraciones de los tomos fuerlom ente ligados entre
s las redujimos entonces a un conjunto de ondas dbilm ente liga
das, con vector do onda k y frecuencia (o (k, s), que so propagan por
todo ol volumon del c rista l. Cada una de estas ondas (o modo nor
mal do vibracin) ln equiparam os con un oscilador arm nico vibran
do con la frecuencia w (k, *), en cuyo m ovim iento p articipan todos
los tomos del slido. Do acuerdo con la frm ula de P lan ck , la
energa media de cada oscilador do este tipo ser:
'k, i) = A (k, s) ln (k, s) + */jl.
Como cuda oscilador, en el caso do ln aproxim acin arm nica, vibra
con independencia de los dems, la energa to tal de las vibraciones
del cristal (energa trm ica), en ol caso general a tem peratura T, es
igual a la suma de las energas de los 3 rN osciladores arm nicos que
no intoraccionan entre s Imodos de vibracin aislados, frmula

(5.71)1:
\\

* *1 k

fu) (k , a)

i h /<>(k,\>/( ^7)
-I L
f. -1
U

~
'

.V
=

+ { )

(6.13)

Aqu (/ i*) y
son los valores en equilibrio de las energas do
las vibraciones acsticas y pticas de la red:

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li.l.

C apacidad

calo rfica

de

lo s .s lid o s

193

13n las frm ulas ((>. i ) y (15.15)

la sim iacin so e xtien d e a lodos los
v alo res p erm isib les del v eelo r do
o oda k en la /.ona de B rillo u m cu
la x-csimn ram a dol esp ectro, 13!
e fe ctu a r d irectam en te e sta sum acin
es u n pro blem a e x t r a o r d i i i a r i u i i i e i i to d ifc il, pero con aproxim acin
se puede resolv er. 131 prim ero en
hacerlo fue D ebye, que consider
el slid o com puesto de N tom os
iguales com o un m edio e l stico con
Fig. G.4. Capa esfrica de espesor
tinuo, en el cual el m ov im iento
dk en el espacio de los nmeros
trm ico se reduce a la s vib racio n es
do ondas
a c stica s do todas la s frecuencias
posihl&s de las ondas c l s tic a s
que se propagan. D obyc conserv la idea fundam ental de liin s lc in ,
com p letn d o la con la suposicin do que los osciladores arm nicos
v ib ran con frecuencias d is tin ta s y su energa est tam b in cu antizad a
segn P la n ck . E n osle caso la energa trm ica to tal del crista l de N
tom os se expresa por la frm ula (G.14). E n esta frm ula su stitu im os
la sum acin respecto de k por la integraci n. E sto es posible, ya
que el nm ero de v alo res p erm itid os del v ecto r de onda k en la
zona de B rillo u m Ivase (5.07)1 es muv grande o igual a N , es decir,
k v a ra casi co n tin u am en te y, por lo ta n to , la frecuencia e> (k) lam bie'n v a ra c a si con tin u am en te desde O hasta
en la ram a ac s
tic a (vase la fig. 5 .1 5 ). E n to n ces
* . -

iN '

<6' , 6 )

donde dN os el nm ero de vibracion es norm ales en el in terv alo desde

k b a sta k |- dA? y la integracin ,so e xtien d e n la zona de B rillo u m ,
P ara d eterm in ar dAr elegim os on el espacio k una capa de espesor de
com prendida entro las esferas cuyos rad ios son k y k |- d/c (fig. fi.4).
E l volum en de esta cap a esfrica ser

dVh =

(k + d/c)3 - - - j - k3 4n/c2 d k .

E l volum en de e sta cap a lo d iv id im o s en celd as elem en tales de

m anera que al volum en de cad a una de e lla s corresponda un v alor
perm itid o do k. Y a liem os v isto (cap. 5) que el nmero de valoros
perm isibles del nmero de onda k en el in terv alo (5.G7) os igual en
un c ris ta l al nm ero de celd as elem en tales N (en nuestro caso al
nmero do tom os A'), ron ln p articu larid ad do que los valores per
m itidos de k so en cu en tran d istrib u id o s uniform em ente on el espacio
/, con la densidad P/(2ji)s (siendo V
N nc el volum en del
I y 0 1 1 4 7

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194

C u p . 6 . P r o p i e d a d e s t r m i c a s d e lo a s l i d o s

c ris ta l). |)o nqu su sigue que en ol ospncio le, a un v alo r permitidi
lo
lo correspondo una celda do volumen (vase (5.65)1
n/
i/,
iz.
.IV
- i lu x tlA
,,tl*,

- ;I

lin la c|ta esfrica ilo volumen d e l

una rama acstica sera
,JA, _ dV's
"d ?

'

2a

~ l

(2 a )9
-----------

nmero do estas celd as ei

,e t l .

4sVA dk __ VWdfc
8ss
2

En cl modulo de Dcbye se supone que la velocidad dol sonide

es igual para todas las longitudes de onda y no depende de ln di
reccin do polarizacin, es d ecir, para las tres ram as acsticas e;
corrcclu ln ley do dispersin lin eal
(o (k, s) = v ,k {s 1, 2 , 3 ),

(6.18)

on la que c , es la velocidad del sonido (con stan te). E ntonces

/c2 d f t = - ~ w 2 d(o

(6.19)

y, por consigu iente, un cl interv alo entro co y a> 4- do cl nmero de

vibraciones normales os
, W

<fi-201

La relacin

K d(fl = f ^

.
~

,a o.i\
(6 -2 l)

(t*
2a { u,)>

es la densidad de los modos de vibracin de ln rod de una de las po

larizaciones, es d ecir, el nmero do modos do v ibracin normales
correspondientes a la unidad do intervalo de frecuencias do un cristal
do volumen unidad. La funcin p (ce) suolo llnmnrso /uncin espectral

de distribucin de lita frecuencias.

Como on el slido son posibles tres tipos de vibracio n es ac sti
cas: uno longitud inal, con la velocidad del sonido v, y dos transver
sales, con la velocidad del sonido vt (en el caso istropo las v elocid a
des de ambos modos transversales son iguales), la funcin espectral
de d istribucin en el intervalo dea, en virtud do que la densidad de
todos los modos es igual a la suma de las densidades de los modos por
separado, se determ ina por la expresin

G (<o) =

2rt2c;!

2n2vs

(6.22).

on ln quo v$i dolorminndn por ln condicin

4

ls

= 4 - [L 4C | + 4V I ]j .

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<- 2 3 >>

0 .1 . C a p a c id a d

c a lo r f ic a

do lo s s lid o s

11)5

os 1;i velo cid ad tlol Munido prom ediada eospeelo do las d irecciones
cris ta lo g r fic a s y de los tip o s de v ib racio n es.
I M i l i / . a u d o ( ( .2 2 ) , e s c r i b i m o s l a f r m u l a ((>. I ( >) d o / f o n l a f o r m a

^ ^ (C)

(l/(<inT)
0

(i,-2'i)
_ 1

Kn (U.24) D ebye s u s titu y Ja in teg raci n respecto de la prim era zona

de H rillo u in por la in teg raci n resp ecto tic una esfera de rad io / ;r,
eleg id a de ta l form a |iio d ich a esfera con tu v iera e x a ctam en te los
v alo res p e rm itid os ele lo.s vecto res de onda k . listo s ig n ifica que su
rad io k n se d eterm in a por la expresin
=

(0 .2 5 )

en la que (2 jv)V V d F es el volum en del espacio A corrcspondieiito

a un v e cto r de onda p e rm itid o. E n to n ces
A = ( O n W F ) 1^1.

(6 .2 0 )

Si A'IV 1023 c m 's, ser Ap = 2 - 1 0 cn_1, lo quo cu orden do mag

nitud co in cid e con las d im ensiones de la zona de B rillo u in , y la
longitud de onda m n im a Ai, -- 2jt//rn
3- !(>-" cm es del orden do
lu c o n sta n te a de Ja red c r is ta lin a . E li la red no se pueden propagar
ondas con k < 2a, y la frecu en cia m x im a o de D ebi/e de las v ib racio
nes, resp ecto do la cu al so tom a la in teg ral en (0 .1 0 ), es en este mo
delo
wD = vtk D

7 - 1 0 IJ s - 1.

(6.27)

E n las su p o sicion es bochas por D ebye, I funcin ospoclrat do

d istribu ci n para todas las frecu en cias se d escribe por la expresin
O
(
t>' ido)2

(cuando o sr <i>u),

' n*v*
0

(0 .2 8 )
(cuando o> > cop),

lo que en sum a dn
<0m x

l[
o

(i (di) do> = 3/V.

En (0.28) A 3/(2jiV ? ) no dependo do la frecu en cia y es con stan te.

lin la fig. 0 .5 so da la com p aracin de las funciones esp ectrales
G (<o) de acuerd o con la s ap ro xim acion es de D ebye y do E in sto in .

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me

Cap. 6. Propiedades trm icas de la slidos

L a frm ula (0.2d ) para cu alesq u iera tem peratu ras, ru and o s.
'iiiik ' u la fuurin ili> d istrib u ci n (ii.28 ), liona la form a
,,

'M'h

l-

o)3 dea

(I!. 20

Vara ca lcu la r la integral en la expresin (0 .2 0 ) Conviene inlroilncii

I us nuevas v ariab les:

x fi(ol{lenT) y 0 D = ficoo/^B-

(6.30

E n esto cuso
O0/r
30/1
~

/ \4

2 n cif l

d .r

<-* 1

( 6 .3 i;

A provechando las exp resiones (6 .2 6 ), (G.27) y (6 .3 0 ), escrib im o s l

frm ula (6 .3 1 ) on la form a
^ r = 3 A V r B 70 ( ^ - ) .

(6.32)

o
L a expresin (6.32) rocibe el nom bre de f rm u la de interpolacin

d e D ebi/e , y
e D/r

J = T

(6-33)

o
se llam a fu n cin de Debi/e. Ln frm ula (6 .3 2 ) es in te re sa n te porque
la en erg a y, por con sig u ien te, la capacid ad c a lo rfic a a todas las
tem p eratu ras so expresan on olla
por m edio do un parunolro H ,
G|u
llam ado tem peratu ra caracterstica
del slid o o tem peratu ra de Debyc.
Su sen tid o fs ic o co n siste en que
la m agnitud /cB0 d =
es el
cu an to de energa m xim o capaz
de e x c ita r v ib ra ci n de la red. La
ev alu acin de 9 p por la frm ula
(6 .3 0 ), teniend o en cu en ta el resu l
tado (6 .2 7 ) para w n ~ 7 - 1 0 13 s -1,
m uestra <iuc 0 d 100 K . La
t'R. R.5. Dependencia G (<,>) tem p eratu ra do Dobyo, lo m isino
,
..
de las
1, ntiioximnclun
ilc lcbytv.
aproxt- 1que ln
. de
. , lin s, lo ,in ,* depende
. '

maci6n oc Rmstcin; 3, ospnctro vorda-

.loro <lc lS v|br;Y;o,,rnjl.. I red -

p r o p ie d a d e s do la s u b s ta n c ia * J a ra

|nayofll

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a<, , os s li dos

OS do

6.1. Capacidad calorfica de los slidos

197

100 a 4 0 0 K . Euro para su b stan cias como el b erilio ( 0 D = 1440 K )

y ol d iam an te (H|> = 2230 K ) os anorm al m onte a lta , lo que se e x p li
ca liieil, coimo yu vim os, por la elevada rigidez de los c a la re s in lerat m icos. La funcin ile Debye D (tnIT ) no se puode ca lcu la r exp lcitam en lu , pero las expresiones a n a ltica s para la energa y la
capacid ad c a lo rfic a se pueden o btener en los casos lm ite s de las
tem peratu ras bajas y altas.
T em peraturas altas: hia <C
1 i n n u Ja (0 .3 2 )). E n este
caso en la expresin subntogral pedemos d esarrollar en serie el de
nom inador c* 1 1 -)- x 1 = x , y entonces (0.32) se escribir
as:
, e n 'r
y- d.c = 3/V/vUT = 3 ItT .
0

E = ( E j = 'J/V/cB0 D ( - i - ) '

(0 .3 4 )

P or con sign ion lo, lo capacidad calo rfica ser

os d ecir, no depende de la tem peratu ra y vara de acuerdo con la

ley de D ulong y l e til.
T em peraturas b a jas : fio> > A'b T o
1. E n este caso en la fr
mula (G.32) los lm ite s de integracin de 0 a G>nIT se pueden su sti
tu ir por los lm ite s do U a oo, ya que esta su stitu cin no cam bia de
modo n o to rio el v alo r de la in teg ral, el cual puedo calcularse:

l h .

e* 1

15

(0 .3 3 )

E n to n ces la energa de las v ib racio n es ac sticas ser

,,

...

iijV A -n ftim *

15

T_ \ 4
r, I

3 n 4Af||6|>
'

/ T

5 ..................\ t /

. ..
'

L a frm ula (6 .3 0 ) es e x a c ta para la s tem peraturas b aja s, en cuyo

caso describe co rrectam en te la dependencia de la energa respecto de
la tem p eratu ra, por m edio de la ley T*. La capacidad calo rfica a
bajas tem p eratu ras, com o se deduce de (0 .3 6 ), se define por la ley
cbica T3:
O H *E sta dependencia concuerda bien con los dalos experim entales en
un estrecho in te rv a lo de tem peraturas prxim o a 0 K . A tem peratu
ras ais a lta s (/ <C 0 n) ya no se observa e sla buena concordancia.
So debo esto a que al deducir la frm ula (0.32) para la energa, se
liicioron sim p lificacio n e s b stan lo grandes. En p articu lar, los- proble-

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Cnp. (i. Propiciados lnnic.ns do los slidos

nu>8 .(i resolvieron en ln aproxim acin arm nica, en la cual el ospec

tro ilo las vibraciones so puedo iliv iilir nil moilos independientes, li
que en las coinliciuus reales, por lo monos u a lia s lom pe ni le ra s, tu
puedo ocurrir. La funcin espectral do d islrilm cin Y (<o) fue eleg di
do mnuora r(iui so diferencia osoucinlmonlo do la funcin do d islri
luicin verdadera (curvas / y .7 ou la Cij. <'>.!>), la brusca inlorn ip rii
do la funcin en la frecuencia <oD no tiene ju stific a ci n alguna. Li
investigacin do la forma verdadera do la funcin O (co), calculad )
por lo general on ordenadores conduce a una buena coin cid en cia di
los datos calculados con los experim en tales en un am plio intervaW
do tomporaluras.
Hasta nliom todos nuestros razonam ientos so lian referido sola
mente a las vibraciones ac sticas do una red cuyas celd illa s elomon
tales son prim itivas. Un el caso do redos con base, en la frm ula di
ln energa trm ica hay que tenor en cuenta, adem s de la aportacin
de las vihraciouoi ac sticas, la aportacin de las vibraciones p ti
cas [vaso (0.13) y 0 . 1.ri)|. Y a hornos v isto (va.so la fig. 5 .1 5 ) que la
frecuencia do las vibraciones p ticas dependo dbilm ente del vectoi
de onda, por lo quo a oslas v ibraciones os ins ap licab le el m odelo dt
l'.'islein, cu el cual a todos los modos de v ibraciones so les atribuye
una misma frecuencia o)B. E n esta aproxim acin cada i-sim a ram a
ptico lineo a la energa trm ica la aportacin

F W 0 MU
R'~ t w
t ;

E l factor N tr os igual al nmero to ta l de estados en cada rama del

espectro; N os el nmero de co ld illas olem entales; r, el nmero de
tomos correspondientes a una cold illa olom ontal. En ol caso general
hay (3c 3) rumas p ticas, por lo quo en el calo r esp ecfico, condi
cionado por las vibraciones ac sticas, aparoco ol trm ino com plem en
tario Icomproso con ((>.13)1
.
/-... o, N
|au|T.y(i-nr)| c',' V ("Br >
c {.ir - ,1) k D
,

(6.39)

ol cu al, cuando la tem peratura es mucho m ayor que la de E in stein

(T 2> 0 E) y estn excitad os todos los modos pticos de vibracin,
lince nnn aportacin con stan te a la capacidad calo rfica que no de
pende do la lom peral lira. A tem peraturas T C 0 e , le aportacin
de las vibraciones pticas a la capacidad c alo rfica desaparece expone.nc-ialnienlo y cuando las tem peraturas son muy b ajas, prxim as a
0 K , las vibraciones pticas pueden nn tenerse en cuenta, ya que no
so oxcitnu (vase el cap. 5) y no hacen aportacin a la energa tr
m ica do la red.
Deduccin de ln frmula de la capacidad calo rfica basada en
las representaciones fonnicas. Eos m ovim ientos colectiv os de los

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199

G.l. Capacidad calorfica do los 9li(lo9

to m o s en un c ris ta l, como vimos en el cap. 5 , son ondas sonoras, y

las excitacio n e s correspondientes n ollas son cu antos do sonido o
fuimos, cuya energa os /*,'
//m y su inipulsti p est ligado i'mi id
vector do onda k por la relacin ord inaria para las p artcu las lilires
p
k . La energa y el impulso i !( iiii folin, teniendo en cimntn la
ie\privin del tipo ((>.18). esln relacionados por la expresin

E ~ pv

(6.40)

en la que v so determ ina por la condicin (6.23).

l'a ra d eterm inar la densidad do fonones de los estados G ( ) ,
es d ecir, el nmero de fonones cuyas energas estn com prendidas en
el interv alo desde F. hasta E -I- <1/5, procedemos como sigue. E n el
espacio p elegim os la capa com prendida entro las esferas de radio p
y p + dp (com prese con la fig. G.4 para el espacio k). 151 volumen
e esta capa esfrica ser
(p-t-d p)9 ~

d F p=

p3

dp.

D ivid im o s el espacio p en celd as do fase do volumen (2nfi)V V (donde

V es el volum en del c ris ta l). E n to n ces, en la capa esfrica, el nmero
de gstas celdas ser

Az--=G (E) d E =

(M I)

E l facto r 3 en (6.41) tien e en cu en ta las tres polarizaciones posihlos

de los fonones (una paralela y dos transversales). Sustitu yend o en
(6.41) p por la energa E y u tilizando la expresin (6.40), obtenemos
que
(6-42)
Como el nmero total de foliones on un slido lim itad o no puedo ser
m ayor quo 3/V, resu lta
llD e D

jj G ( E ) d E = M .

(6.43)

0
De aqu, lom ando en consideracin la frm ula (0.42),
<6 -4 4 >
Los fonone? se subordinan a la estad stica de B oseE in ste in , por
lo quo ol nmero medio de fuminos 011 una celda de) espacio do fases

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Cap. 8. Propiedades trm icas de loa slidos

200

do volumen (2jt i)- y energa E so determ ino por la e\presin (5 .7 3 ).

I'ln oslo (.uso lu energa Liil.nl de los fonoiios on ol c risl.nl os
* d?
< > =

e^/r

EG (i) (n (k. ,)> d Z f_

(G.45)

donde x E/(l,'uT) hi/(kDT), y 0 = ftiip/Aj,.

La com paracin do las frm ulas (G.45) y (0.32) pono do m an ifiesto
su com pleta d onlid ail. Do oslo se puede sacar la conclusin de que
la rojirosoiitarin do los fonones perm ite u tiliz a r los conceptos y
mtodos m atem ticos correctos para los p artcu las reales ord inarias.
Tuina en consideracin de la aportacin de los electrones libres
a la capacidad calo rfica de los m etales. De acuerdo con las repre
sen taciones m odernas, un m etal se considera corno el con ju n to de
un sistem a do iones cargados positivam ente, quo vibran on torno a
sus posiciones inedias de eq u ilib rio en la red, y do un sistem a de
electrones de valen cia colectiv izad o s, relativ am en te lib re s , que for
man en el m etal un gas sin gu lar.
Al d iscu tir la ley de Dulong y P e l i t so in d ic quo si se p arle do
las representaciones cl sica s y se consideran lib res los electrones on
ol m otal, lo mismo que las m olculas de un gas perfecto, subord in a
dos a 1i estad stica do M axwell B ollzm nnn (fig. G.6), este gas de
olcctronos tiene una gran capacidad c a lo rfic a (teniendo en cuenta
la aportacin de los electron es, la capacidad c a lo rfica es 1 ,5 veces
m ayor que la que se infiere de la ley do D ulong y P e lit) debido a
que la energa sum in istrad a para c a le n ta r el cuerpo so d istrib u y e
ontre, todos los electrones lib re s , r a r a poner do acuerdo los resu lta
dos de la teora con la exp erien cia, los fsico s tuvieron que ad m itir
que los electrones no lineen aportacin a la capacidad ca lo rfic a de
los m etales. I ero despus result que a tem peratu ra su ficien tem en te
b a ja , prxim a a 0 ]<, la capacidad c alo rfica quedo determ inada por
com pleto por los electrones. La e xp licacin a este licclio consigui
h a lla rla Som m erfeld dentro del m arco de la fsica cu n tica.
E n el m etal, los electrones lib res poseen propiedades cu n ticas
muy m an ifiestas, de las cuales la
principal consisto en que su energa
est cu anlizad a y ellos cum plen
el principio de exclusin de P a u li,
segn el cual en estados con tina

F ie . 0 .0 . D istribucin ilu M ax
w ell Uollzm ann a diversas lom poraturas

m ism a energa pueden encontrarse no

m s de dos electrones, con los espines
dirigidos en sentidos opuestos, es
decir, soto dos electrones pueden tener
la m ism a energa y direccin d e
movimiento.

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6.1. Capacidad ca lo rfica de los slidos

20

- t *-

-*

= = =

-i
-
-
-+

!***-

h ^ = il

T=0 K

a)

T>OK
b)

F ig . 6 .7 . D istrib u ci n de los electro n e s por n iv eles de energa (representacin*

esq u em tica) para T = 0 y T > 0 K , L a s lc c h ita s ind ican el sen tid o do lo
espines

E l p rin c ip io de F o u li p c jm ile e x p lic a r inm ed iatam ente ia d istri

bucin de los e lectro n e s por en erg as en el slido. A 0 lv se sit an
segn lo s p eld a os de la escala de energ as, a dos electron es en cad a
n iv e l, com enzand o desde el m s b a jo h asta el ms a lto , determ inadopor el nm ero de e lec tro n e s lib res que hay en el slido (fig. 6 .7 , a).
S i h a y N e lectro n e s lib re s , el nm ero de n iv eles ocupados ser ig u al
a N 2. E n este caso , com o su ele d ecirse, el gas electr n ico es to ta lnento degenerado. E l n iv e l que separa los n iv eles totnlm onte ocu
pados de los ocupados no en plena m edida se llam a nivel de F er m i
(o en erga de F erm i) y se designa por E?.
E s ta situ a ci n puede rep resentarse en form a do g rfica (fig . 6 .8 ).
So bre el e je de ord enad as se tom a el nm ero m edio o probable deelectro n es que h a y en un estad o de en erg a dado, que d esignarem ol
por 2/, y sobre el e je de a b scisa s, la energa E . S i / = 1 y 2/ = 2 , esestado e st to ta lm e n te ocupado y on el se en cu en tran dos electronescon espinos d irig id o s en son tid o s opuostos.
' Lu elev aci n de la tem p eratu ra a p a rtir de K in flu y e solam en te
sobre los electro n es quo so h a lla n cerca del nivel de F e rm i, los cualesse e x c ita n y pasan a ostad os v ecin o s m s a lto s que no estn ocupados(vase la fig . 6 .7 , b ). L a degeneracin va elim in n d o se p a u la tin a
m ente. L os electro n e s que se en cu en tran en n iv e le s do energa msbajos (m uy in ferio res a i n iv el de F e rm i), en v irtu d dol p rin cip io do
Pauli no pueden p a rtic ip a r en ei m o vim iento trm ico , ya que para
eso sera necesario quo al elevarse la tem peratura pasaran a los
niveles de energa sig u ie n te s, m s elevados, pero stos estn ocupados.
Para tem p eratu ra m s a lta la d istrib u ci n tien e la form a quem uestra la fig . 6 .9 .
Como so vo on la fig. 6 .6 , cuando Ja loiuporatura se elev a, la d is
tribu cin en form a de escaln que se observa a 0 K , pierde nitidez
en la s p ro xim id ad es de E = E F y surge la prob ab ilid ad de quo los
electron es ocupen los estad o s quo se oncuonlrnn ms alto s quo E y .

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202

f p . 0. Propiedades trm icas do los slido;

1.0

F i g . 11.8 . D is t r ib u c i n dn lo s e le c t r o
n e s p o r e n e r g a s m o lid o T "- (1 K

F ig . 0 .8 . D is t r ib u c i n d e lo s l e r lr o n e s por e n e r g a s cuando T > O K

ln 11)21, l'Vrm i, o ind ep en dientem en te de l D irae, hollaron m at.om.I.icmnoiil.c la forma do la funcin de d istrib u ci n / do los cleeIronos segn las en erg as, la cu al d escrib e bien el com p o rtam ien to
do los e lectro n es ta n to a tem p eratu ras b a ja s (vase la fig. 0 .8 ) com o
a tem p eratu ras a lta s (fig. 0 .0 ). E s ta fu n cin , que re cib i el nom bre
de fu n cin de F erm i O irac, tien e la form a

Por (0/di) so ve que / = t para E s j E P y f = 0 para E > E ? cuando

T * 0 K . A lo ni pera tu ras m uy a lta s, cuand o k n T
E v, y las ener
g as son grand es, exp j (E E v) l( k D T) 1
1 , la d istrib u ci n de
Forint (0.4(3) so con v ierto en la d istrib u ci n c l s ic a de M axw ell
lioll/.maiiii:

/ = oW ^ - W ' - bD = Ae-E/(SnT).

(0/(7)

Los electrones so com p ortan en esto caso com o la s p a rtc u la s c l sica s

ordinarias de un gas p erfecto. De e sta form a, con la con d ici n
exp \(E E ,,)/(k n T )! :> 1, la degeneracin del gas e lectr n ico se
e lim in a to talm en te. L a e lim in a ci n de la degeneracin se produce
a la tem peratura T v -- Ep/lcu w 5 10 4 K . Esto ex p lic a por qu cl

com portam iento del pus electrn ico en los m etales, con respecto a muchas
de sus prop ied ad es , ilifierc bruscam ente de la s p rop ied ad es del g as m ole
cu lar ordinario. Esto se debe a que e l gas electrn ico perm an ece dege
nerado hasta la tem peratura de fu sin ;/ su d istribu cin se d iferen cia
muy poco de la de F erm i ir a c a 0 K .
Do lodo lo anted icho se sigue que la en erg a t rm ica en un m etal
al c a le n ta rlo la perciben no todos los electro n es lib re s , com o ocurro
on un gas perfecto o rd in ario , sin o slo aquellos cu y as en erg as se
encu entran en ol in terv alo kn T prxim o a la energa de F erm i. Pre
cisam e n te esto s electro n es son los que d eterm in an la capacid ad c a
lo rfica del gas e lectr n ico.
La frm ula de la cap acid ad eidtirifieu d el gas idee 1m ilico puede
o b ten erse si se conoce la d ependencia de la energa do Ferm i y de la
energa to tal do los electro n es respecto de la te m p eratu ra. P ura b a-

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(i.I. Capacidad calorfica do ios slidos

203

l la r estas dependencias c\s necesario conocer ln d isiribticin do los

osIndos oleo irn icos por energas, ln cual os ln c a ra cte rstica ms
im porlontt del espectro energtico eloclr oico . Introduzcam os el
concepto de densidad de estados. O tra vez, como lucim os en el espa
c io le (fig. 6 .4 ), en e l espacio de im pulsos construim os dos esferas
co n c n trica s, una de radio p y o tra de radio p -t- dp . E l volumen de
la rapa esfrica de espesor d/> ser:
(6.48)
D ivid am os el espacio p en celd as de Tase do volumen (2n/)3i T, siendo
V ol volumen dol c ris ta l. E n el volumen AVt, el nmero do estas c e l
d as ser:
dlu

\'4ni* d;>

(2nft)3/ r

(2nft)a

(6.49)

,La energa de un electrn lib re es

E = p-!(2m),

(6.50)

en la que p mu es el im pulso; u, la velocidad; m, la masa del e le c

trn. S ustitu yend o en (li.49) el impulso p por la energa E , o b ten e
mos que
(0.51)
E n to n ces, ol nmero do estados cu nticos que en el volumen unidad
.se encuentran en el in terv alo desde E hasta E -f- d E es
'lS

1
(2a)3

( ^ ) 3/2

lc -52 )

L a m agnitud
(0 .5 3 )

(2n);

e s la densidad de estadas , es d ecir , el nmero de estados que hay en el

intervalo unitario de energas por
ME)
volumen unidad del cristal. La form a
do la funcin de densidad de estados
so m uestra en la fig. 0 .1 0 . Como
a cada estado c u n tico , de acuer
do con cl principio de P a u li, le
corresponden dos electrones con
espines dirigidos en sentid os opues
tos, el nmero de electrones co.rrespond ionios al interv alo u n itario
to onorgas para un volumen uni
dad del crista l en las proxim idades

F ig . 0 .1 0 . Densidad de estados para

los electrones en un m otel en fun
cin de la energa. La vertical pnra
E = lip lim ita a la izquiorda los
estados ocupados cuando T = 0 K

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204

C .itp. 0 .

I* i'i)| )ic (li(l0 3 t r m i c a s

d o lo s s lid o s

ili>
teniendo rn m e n ta In funcin <(o d istrib u ci n <!<> Korini Oirnr
y l;i frm ula (ll.b), viene duda por I expresin

(G.54>
P ara h n lln r la energa de P crn ii liay que c a lc u la r ol nm ero total
N de e lectro n es que hay en todos los n iv eles, lo que conduce a la
oxpresin
OO

Ar = j 2F/V (/) / (/ i,r)d / i =

0
I 'Jlll \3/2 f

2V
'

1 5 IF

U-

rev

& /*
0^ -E p > / (*B r >+ 1

Cuando T
= t) K debe ser / (E , 2') = 1 y la integraci n debe e x te n
derse desde 0 h asta Ti Ey (0), en este caso
Ep(0)

'v - w

- ( ) '

E" iB -

De aqu

( &

<**>

dondo n N IV es la con cen traci n de electro n es o nm ero de e lec

trones que hay en un volum en unidad del c r is ta l. T om ando h =
= 1 ,0 5 x
1 0 "M 3 - a; tii .1,1 - 1 0 * 31 kg y n = 1028m -3 ,obtenem os.

E v (0) = 8 - 1 0 - 18 J = 5 eV .
Cuando T > 0 , la d eterm in acin del niv el do Ferm l se reduce a.
c a lc u la r la integral
d
)

( E - E PP)/
WV"<BV'} - J - l

Como esta in teg ral es d ifc il de c a lc u la r, se u tiliz a el hecho do queen las proxim id ad es de E = E v la funcin de F erm i desciende m u y
bru scam ente. U nciend o el d esarrollo en se rie , se ob tien e

L V ( T ) = Ey (( { 1- - g -

y + . - - }.

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(15.57>

<1.1. (',n|m i<l<ul r n l o r i f i m

i lo l a * sn lu litN

Como la energa (lo Ferm AV(0) = 5 eV y k\7\ cuando T = 3 0 0 K ,

os ii|!m\iiimlninei)l.o igual n 0 .0 3 oV, rcsu llo (nt* en los mi'lnli's ni
n iv el do Form i dopondo ilhiluumlu do ln Umipuriilurn.
V alin d ose de la expresin (0.53) para la densidad de estados
electrnicos en el m etal se puedo ca lcu la r la energa U, (T) do los
electrones a ln tomporaturn final T y la capacidad ca lo rfic a elec
tr n ica cc ('/) del m e ta l. La energa do los electrones en el volumen
unidad es
oo

u c (T )r - \ n ( E , T)N{r<:),\rt.

(5 .5 8 )

u
Integrando

por parios (0.5 8 ), hallam os

oo
oo

U '(T ) = 1>(E)1 (E , T) | - \ v ( E )
II
donde

AE,

(0.59)

a ( ) = j E N (E )A E .
o

lis evid ente que v (E) = 0 cuando E *= O, y / ( E , T) = 0 cuando

E co. E n to n ces el prim er sum ando del segundo miem bro do
<6.59) desaparece y
OO

Uc (T) = | y ( E ) a l i % -T) AE.

(0.G0)

0
Como la funcin d f (E , T )/dE a tem peraturas T <S E r! k es prxim a
a la funcin con centro en E = E p, la integracin restante se puedo
h acer desarrollando v ( E ) en serie do potencias do ( E v):

v jE ) = v (V ) + ( E Z?F) v' (E p) + 4 ( E Ep)* v " ( E p ) + . . .

Poniendo este dosarrollo en (6 .5 9 ), resulta

Uc (T) = j E N ( g ) d g ]
0

f ( f F

T)

A E

- E f N (E p ) ] ( E ~ E F) ^

h O- A E -

0
-

\E pH (E p) 1 ] ( E - E p Y jV% H a E .
o

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(0.01)

C a p . ii. l ' r < i | i i i - t t m l o s

l i i n i c a s <I f

l o s alini

P ara todas la s tem peraturas u tilizad as en la p rctica vl(l;nT) es

grande, y como lo expresin siildnlegral en ((i.(11) slo se diferencio
nprecinblonieiile do cero en los |irox i omitidos do E j , los lin iilos in
feriores on los integrales on que figuran d j (/<,, T )/dE se pueden su sti
tuir por oo sin que p rcticam en te se pierda e xactitu d .
Como ln funcin i) (/', T)ltlE < 0 y par respecto del argum ento
(A iy), tonomos que
5 J l % r 1 (l/,;=

- 1

oo

S i so lince
+ 00

) <E ~ E d m r 1 - E
oo

ln su stitu ci n

do

v ariab les (/: E v)(k v T) ,r,

j' (E E v)2 (<J (E , T)lE) d E se rc<luco a la integral tabular

OO

+ 00
n-

dx

(
OO

(c *-H P

'

:t

A si, pues, la form ina (6.(10) se escribir en la forma

f\ .e n = \ A </F) JE} -I- - J (k nT) y (Ey),

(fi.(i2)

en la que la energa de Ferini E F E v(T) [vase (6.57)1.

V alindonos de ((i..ri7). ln frm ula (6.62) para la energa de los
electrones la
con v ertim os a la forma

UA'O

I - \ - ^ ~ ( W N [ E P (0)\,

(6.6.1)

donde " e.s la energa de los electrones a T O K .

JJo (6 .6 5 ), para a capacidad c a lo rfica do) gas electr n ico do un
volumen u n itario del m etal, obtenem os
[

* 1

'4 i 'M

0 ) ir - 4 v .[ jM

r > Y ,r .
(0 .6 4 )

Ahora com parem os la expresin (6 .6 4 ), para la capacidad calo

rfic a del gas electrnico con el resultado clsico para el gas perfecto
c'p = 3/jm/cn. llon este fin lom am os ln relacin
j r *7- I 2 n *n
2 L B r () J 1 3lfB

n1 1
r kT - i
3 1L i'-v oh J

(6 .6 5 )

E s ta relacin es proporcional n la tem peratu ra, e inclu so a la tem

p eratura m utlenle (3(1(1 K ) es igual, en orden de m ag nitu d , a slo
t ( ) 's. fo n oslo se e x p lica id hecho de que los electro n es libres a la
tem peratura am biente no bagan aportacin a la capacidad calo rfica

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13.2. 13ilul.nc.iiin lo Ioh slidos

do lo s m tales. A lom pera turas

m ucho m s b a ja s <1tie la a m b ie n te ,
ln cap a cid a d c a lo rfic a m ilconad a por lo s v ib ra cio n e s de la red
desciendo p ro p o reio n alm o n le a 73
y la cap acid ad c a lo r fic a co n d i
cio n ad a por el gas e le c tr n ic o v ara
lin e a lm e n to . D e
e sta
fo rm a, a

tem peratu ras b a ja s la expresin g e

n eral p a r a e l ca lo r esp ecfico del
s lid o tien e la form a
c v --- yc T | y V *.
(6 .6 6 )

c,

m ol

Kiir. i i .1 t . Rn bis pro xim id ad es do

U K

la

t'ii|iiiiith u l

rn h trifii-ii

dol

g as electr n ico es m ay o r incalado la rod:

E n las p ro x im id a d e s de 0 K Ja c a
pacid ad c a lo rfic a co n d icio n ad a por
t d cs i * tcm p e ra m ro con ia cual c v =
la s v ib ra cio n e s do la red d ism in u ye
= ce
m s do p risa quo la cap acid ad
c a lo rfic a e le c tr n ic a (fig . 6 .1 1 ). Ig u alan d o las cap acid ad es c a lo rfi
cas cv = c Icoinparonse (6 .3 7 ) y (6 .6 4 )], se puede d eterm in ar la
te m p e ra tu ra T c a p a r tir de la c u a l, cuand o d esciende la te m p eratu ra,
la a p o rta c i n do los e le c tro n e s a la cap acid ad c a lo rfic a se hace im
p o rta n te . E s ta tem p oraln rn c o n stitu y o ap ro x im ad am en te

i H 0 Q D.

(6.67)

6.2. D ila t a c i n de los slidos

A l e stu d ia r la s v ib r a c io n e s de los tom o s de una red c ris ta lin a y
la cap a cid a d c a lo r fic a do lo s s lid o s d ebid a a e stas v ib ra cio n e s, se
supuso quo las fu erzas que a ct a n e n tre los tom os son e l stica s y
lo s to m o s re alizan v ib r a c io n e s a rm n icas de pequea am p litud en
to rn o a sus p o sicio n e s m e d ias de e q u ilib r io . E s to p erm iti d iv id ir
todo ol e sp ectro ,< h r> ih ra cio n cs en m odos ind ep en d ientes, c a lc u la r
en esta a p ro x im a ci n la e n e rg a t rm ic a del c r is ta l y ob ten er una
f rm u la para la cap acid ad c a lo r fic a que d escrib e bien su com porta
m ie n to a te m p e ra tu ra s b a ja s y a lta s . No o b sta n te , p ara e x p lic a r una
serio do fen m en os, ta le s , por e je m p lo , com o la d ila ta ci n de los
slid o s y la c o n d u ctib ilid a d c a lo r fic a , las su p osicion es b ccb as son
ya in s u fic ie n te s y e s n e ce sario to m a r en con sid eraci n el liec.lio de
quo la s fu erzas de in te ra c c i n e n tre lo s tomos en la red son no del
todo e l s tic a s , es d e c ir, q u e dependen del d esp lazam ien to de los
tom os resp ecto do sus p osicion es do e q u ilib r io no lin ealm en to , sino
que c o n tie n e n t rm in o s in a rm n ic o s de rd enes segundo y m s altos
cuya in flu e n c ia crece al au m e n ta r la tem p eratu ra.
A illo lod o vam os ii m o s tra r quo si la s fuerzas que m an tienen ni
tom o en estad o do e q u ilib r io d ep en dieran lin cn lm en te de su tlos-

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< .a p . (?.

V ium oc I iic Ip s

triin im s

do

lo s 5=0 lir io s

plazainiento, la d ilatacin no exis

tira on absoluto, os decir, las di-

Ul x )

liieii.'dnHc.s

dol

s lid o in> d e p e n d o -

ran dn la tem peratura.

Ivvaiiiiuomos el sen cillo modelo
do dos tom os vecinos entre s.
Supongamos que entre ellos existo
una fuerza e lstica de interaccin,
liu este caso a la dependencia lineal
de la fuerza respecto del despla
zam iento x de nn tom o do la po
sicin de e q u ilib rio , para x =
corresponde ana variacin para
b lica de la energa p otencial
(fig. 6.12):

Vig. 5 . 1 Uopontlcncia de ln enorrga potencial respecto del despla

zam iento. teniendo en cuenta nolaititnnh el 1ormino arm nico; T , <C
< T2< T,

U (x) = 6 W 2 = [ir*.

(6.08)

A qu C - 2(1 es e) coeficiente de la fuerza cuasielAstica

F (x )=

--C x .

(0.69)

Como so ve on la fig. 0.1 2 , a la tem peratura \ los tom os vibran

<lo manera que la d istancia entre ellos v ara desdo A , hasta B con
e) v alor medio <j;t > = a:,,; a la tem peratura T la d istancia in terat
m ica vara desde A 2 hasta l i 2 con el v alor medio {x 2 > = x 0 y as
sucesivam ente. Como la curva de la energa potencial es sim trica
respecto do la recta (x )
x, resalla que la d istan cia m edia interatm ica (x ) no dependo de la am plitud do las vibraciones de los to
m os y pormamico igual a x cualquiera que sea la tem peratura.
liste resultado cu a lita tiv o so puedo obtener tam bin nalornaticaniente de forma elem ental. En efecto, de acuerdo con Boltzm ann,
la probabilidad de que e l tomo se desvie de la posicin de equ ili
brio una d istancia x es
/, (/) = ^ c ' l'(t>/('b i ) .

(6.70)

Cor la definicin do magnitud m edia, el desplazam iento medio es

+fr/-(r)dr
<*>

'\ m
--

f W a,

e - f" * /(', 7 > (l r

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6.2. D ilalacin de los slidos

209

ya que para cu alq u iera n im par

-8
A s, pues, la d ista n cia entre los tom os quo realizan vib racio n es
arm nicas no vara d uran te el calen tam ien to , ya quo su d esplaza
m iento m edio <x ) = 0 y, por consiguiente, ia d ila ta ci n no debe
e x is tir, lo que est en co n trad icci n con la realid ad . Todos los s
lid os se d ila ta n al ca le n ta rlo s. P ara la m ayora de los slid os la
d ila ta ci n re la tiv a al c a le n ta rlo s en 1 K es ap roxim adam ente igual
a 1 0 " 5. E n la ta b la 6.1 se dan los valoros do los coeficien tes de tem
peratu ra de d ila ta ci n lin ea l do algunas substan cias istropas.
Tabla 6.1. C o eficien tes de tem p eratu ra de d ila ta ci n lineal a
(a la tem p eratura am biento)
Substoncla

a - 10. K -i

Substoncla

Li
n
Cu
G*

50
2
1 6 ,6
18

Ce
Fe
Co

too. K->

5 .8
12
12

Substancia

Au

a - 10, K -l

19
3 2 ,5
14

L a d ila ta ci n do la rod o v ariaci n del volum en en e q u ilib rio V 0

al v a ria r la tem p eratu ra, caracterizad a por ol c o e ficie n te de tem pe
ratu ra de d ila ta ci n v o lu m trica P' = dK/(P0 d T ), viono co n d icio
nada por la asim etra de las in teraccio n es entro los tom os, que se
debe a que la fuorza de ropulsin crece ms de prisa al acercarse los
tom os que la fuerza de atracci n
a l a le ja rse uno de otro. E so con
duce a que la form a do la curva
de la enorga p o ten cial de la in
teracci n no sea p arab lica (fig.
6 .1 3 ). A T x los tom os v ib ran do
m anera que la d ista n c ia entre
ello s v a ra desde A x h asta B t con
el v alo r m edio te , > (fig . 6 .1 3 ).
A tem p eratu ra m s a lta T 2. la
d ista n c ia n te ra t m ica v ara des
de
hasta B 2 con el v alo r m e
dio < i2 > > <#,) y as su cesi
F ig . 6 .1 3 . Dcpcnilonem rio la onorga
vam ente. Como <j-, ) < (a\) <
potencial lo internecin entro los
< <a ) . . . . el slid o , al aum en
tom os teniendo on cuentn los trm i
nos inarm nicos; T , < T , < T 3
ta r ia tom peraturn, se d ila ta .
14-01147

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210

Cap. 6. Propiedades trm ica de loa slidos

En los clcu lo s ild coeficien te de tem peratu ra do ililntftcin li

o ca l, ol lioc.lio ilo la asiiu olri so tionii ou ciiontii introduciendo ct
la frm ula para la energa potencial de in teraccin los trmino:
inarm nicos, lis to se hace as. Como durante las vibracionos de I
red sus tom os exp erim en tan pequeas desviaciones do la posicir
de e q u ilib rio , la energa se desarrolla en serie, lim itan d o los tormi
nos hasta el de cu arto orden inclu id o:

U (x)

+ px* _

g * 3 -|- . . . .

(6.72;

donde
n

1 / 1*1/ \
2 ( i)*2 /*=-*

l /A i
6 ( dxa

Para ol clcu lo de <z), cl facto r exponencial do la frm ula (6.70)

lo representam os en la form a
e-'"< W > _

(c - ^ V ( * Dr)) |-1 +

j _

(G 73)

Iin la frm ula (6.73) cl facto r exponencial correspondiente al tr

mino inarm nico se lia desarrollado on la serio

TO* M

,+ 4& )

V alindonos do las frm ulas (0.71) y (6.73), hallam os (a:):

4 -0 0

I* x e x p |.

+oo

d x + [f/(/fB7)l

J x* exp [ )xa/(fcD7')l dx

-O O

- OO

<*) = fZ ------------------------------------------------- +S ----------------------------------

^ exp I - P2xra/<feu7')l dx-|-1 g/(kT)\ j
-o o

x a exp [ f3 x, /(Au7)| dx

-O O

E n (6.74)

(6 .7 4 )

-f oo

+ CO

x exp [ p2a J/(/cij7)l dx = O

-O O

j ar o xp l $2xH kT)\&x = 0
-O O

en virtud de que la funcin su bin tegral es im par, y

y

e - ( ^ / . nTd x = ( * ^ ) * / 2

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6.3. Conductibilidad calorfica de los slidos

211

Eli d efin itiv a, pnrn la d istan cia media cn lrc los tomos obtonomos
la expresin
< x ) ^ - A Br

(6.75)

P or lo tan to , teniendo en cuenta los trm inos inarm nicos en la

frm ula do la energa potencial, cuando .se eleva la tem peratura au

m enta no slo la am plitu d de las vibraciones de los tomos, sino tam bin
las distancias m edias entre ellos, lo cual ocasiona la dilatacin del s
lido.
V alin don os do la frm ula (0 .7 1 ), calculam os al coeficiente de
d ilatacin lin eal:
J- < fL = egr0

(G 701

,17-

es decir, ol coeficien te de tem peratura do d ilatacin lineal de una

substancia dada es una magnitud constante, proporcional al coefi
cien te de inarm ona g.

6.3. Conductibilidad calorfica

de los slidos
Todos los slidos, en m ayor o menor grado unos m ejor, otros
poor son capaces do conducir el calor. E n los slidos istropos ia
propagacin del calo r cum ple la ley de Fo u rier (1822):
q

JC pmd

JC (_) ,

(0-77)

en la que q es la densidad su perficial del flu jo calorfico, o sea, un

vector cuyo mdulo es igual a flujo calo rfico a travs do la seccin
unidad perpendicular a q: T , la tem peratura; dT/On, el gradiente de
temporatura a lo lnrgo do la norm al n n la superficie isotrm ica; K ,
la conductibilidad calorfica. E l signo menos en el segundo miembro
de la expresin (6.77) se debe a quo el calor fluye en sontido contrario
al del gradiente de tem peratura, o sea, de la regin calien te a la fra.
P ara los slidos anistropos q, en el caso general, no coincido con
la direccin do la norm al a la superficie isotrm ica y la ecuacin
(6.77) se su stitu ye por la siguiente:
ST
dxj

(6-78)

m la que los coeficientes K forman un tensor sim trico de 2 rango:

K =

d11 A l2

K 3

K ^22
dSi d22

^23
d33

, K U= K .

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(6 .7 9 )

212

Cap. C. Propiedades trm icas do los slidos

Si ol tonsor (6.7!)) so reduce a los e je s p rin cip ales ( i , y , z), s

puedo e sc rib ir en ln forma
/,
O
O

K,
O

O I
O .
A 3|

( 6.80

E ntonces la s ecu aciones (6.78) lom an la form a sim ple

( 6.81
Los c rista les un istroposse caracterizan genoralm ento por las conduc
tib ilid ad es c a lo rfic a s en las d irecciones de los eje s p rin cip ales. Er
ol sislom a S I el co eficien te de con d u ctib ilid ad c a lo rfic a tien e la di
mensin W /(m-K.).
Conductibilidad c a lo rfica de lo s d ielctrico s. E n el caso general
en los slidos tienen lugar dos m ecanism os fun dam entales de trans
porto del calo r: el do tran sp orte de la energa c a lo rfic a por lo selectronos lib res, y ol de su tran sp orte por la s v ib racio n es de lo s to
mos. E n los m etales act an am bos m ecanism os a la vez.
Prim oro vam os a e stu d iar el m ecanism o de propagacin del calo i
por las vibraciones do los tom os en los d ie l ctrico s, en los cuales
no hay p rcticam en te electron es lib res. Como on el slid o los to
mos ostn ligados entro s , al cale n tarse una parte cu alqu iora del
cuerpo, la am p litud de las v ib racio n es de los tom os de e sta parle
aum enta y los tom os, a l rnovorse, em pujan a sus v ecin os, los
cualos, a su vez, tran sm iten este m ovim iento a los vecinos suyos y
as sucesivam ente. L a onerga c in tic a de las v ib racio n es de los
tom os es transportad a to osta form a de la parte calie n to a la ms
fra. E l flujo m acroscpico de onerga c in tic a de los tom os se ma
n ifiesta com o un flu jo c a lo rfico . E s te procoso es id n tico al de pro
pagacin do las on las e l stica s sonoras on el slido.
A l e x p lica r el fenm eno do la con d u ctib ilid ad dol calo r no pode
mos suponer ya que los tom os re alizan v ibracion o s rigurosam ente
arm nicas, que se propagan en la red c ris ta lin a en form a de un sis
tem a de ondas e l stica s que no in teraccio n an en tre s . sta s se
propagaran en el c ris ta l lib rem en te, sin am ortig u arse, y , por con
sig u ien te, tendran un recorrido lib re ilim ita d o ; el flu jo calo rfico,
incluso si los g r a lie n le s de tem peratu ra fueran pequoos, podra
e x is tir indo Finid ai uonto antos de que so e sta b le cie ra el eq u ilib rio
trm ico y la con lu ctib ilid a d c a lo rfic a sera in fin ita .
E n los slidos 'ealos, segn m uestra la exp erien cia, la co n d u cti
bilid ad ca lo rfic a rs fin ita . F.l valor fin ito de la con du ctibilidad calo-

rtficu so licite a que, en los eristoles reales, las i'ilo'iie iones de. los ionios
en la red cristalina no son puram ente arm nicas, porqu e la s fu erzas de
internecin entre os tom os de p au len no lin ealm en te de sus desplaza
m ientos.

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6.3. Conductibilidad ca lorfica de los slidos

213

F ig . 6 .1 4 . R ep resen taci n esqu em tica de los tipos posibles de choques de fo

nones:
a , dos fonones se transforman en uno; b, un fonn se descompone en dos

E l c a r c te r in arm n ico de la s v ib racio n es se tien e en cuenta de

o rd in ario al d esarro llar la energa p o ten cial [vase (6.72)] m ediante
el trm in o in arm nico gx 3. Intro d u cien d o en el desarrollo de la ener
ga p o te n cial los trm in o s in arm nicos, do esta m anera lom am os en
con sid eraci n la e x iste n c ia , en lo situ a ci n real, de la in teracci n
entro los m odos de v ib ra cio n e s, que puede d escribirse de la form a
m s sirap lo com o la dispersin de unos fonones por otros. L a pro
b ab ilid ad do la d ispersin de los fonones tip o (k ,, t,), caracterizad os
por el v ecto r de onda k , y la frecu encia te,, teniendo on cuenta en
la e n e r g a p o ten cial c l trm ino inarm nico gx3, dependo do los pro
cesos que in clu yen la in te ra c ci n de tres modos. P or ejom plo, Ja
energa de los m odos (k ,, to,) y (k 2, O j) puede transform arse a costa
de la in te ra cci n en el m odo (k 3, c3). E s te proceso puede transcu rrir
y en sen tid o in v erso : la en erg a del modo (k 3, a>3) se puede tran sfor
mar en en erg a de los m odos (k t ,) y (k s, t e .) o la energa del modo
(k ,, to,), en en erg a de lo s m odos (k j, ts) y (k 3, 3). De esta form a,
la dispersin do los fonones por los fonones va acom poada de la
gen eracin y In d esap arici n tle fonones: dos fonones so transform an
en uno o un fonn se descom pone en dos (fig. 0 .1 4 ).
R . P e ie rls (1929) m ostr que la p robabilid ad de las transform a
ciones in d icad as en el caso de los procesos trifo l n ic o s es d is tin ta do
cero si se cum p len la s dos con d icio nes sig u ientes:
fit, -p hte2 = Ht3,

(6 .8 2 )

Ak -P yk2 /k3 -p G,

(6.83)

en las que G = 2 jiH , siendo H = h a * -p k b * -p le * ci vector tic la

red recp ro ca. L a expresin (6 .8 2 ) es la le y de conservacin de la
energa para el proceso trifo n n ico . Un fonn con v ecto r de onda k y
frecuencia t, en g en eral, no poseo im pulso m ecnico com o una p a rt
cula m a te ria l o rd in ario , poro la m agnitud h k, llam ada cuasiim pulso,
tifcnqm ucha sem ejan za con el im pulso. L a expresin (6 .8 3 ), cuando
G = Q, correspondo n la ley do con servacin del im pulso. L a in le-

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Cap, (i. Propiedados trm icas da los slidos

raccin en la cual G = 0 se llam

proceso norm al o proceso IV. E l nor
lu* tli |n'm'c\Hii iioriDnl procedo <1
la analoga con ol procoso He inte
m ocin Ho partcula oloinuntule
(p o r ejem plo, o loe. tronos) on (>l r e
so cum plen las leyes to conserva
cin He ln energa y del impuls
(fig. 6 .1 5 ).
p,-tpj=p-,
A tliforcncia de las partcula
ord in arias, en las interacciones d
Fig. G.15. Esquema del pronc.su de
los fonones, como puede verse po
intoraccin He partculas ordinarias
que cum plen la s leyes de conser
las expresiones (0.82) y (0.83)
vacin do la energa y cl im pulso,
as como en la fig. .l , el nim cr
as como dol nmoro do partculas
do
foliones no so conserva y, 1<
que nteraccion an
que es ms im p ortan te, en lo
choquos do fonones puedo no consor
varso ol im pulso, o ms exactam enlo, ol impulso so conserva sola
monto con la exactitu d de hasta una magnitud igual al v ecto r do I
red reciproca (vase la expresin (0.83)). E sto sig n ifica quo la rot
c rista lin a cu que se muovon los fonones tam bin particip a en lo:
choques y so llev a una parte del impulso igual a G = 2nH .
La interaccin on la cual G
0 on la expresin (6.83) fue llam ad!
por P cio rls /mklapprozesse o proceso U, que en alem n sig n ific!
proceso de inversin. E n estos procesos la enorga debe conservarse
lo mismo que on los norm ales.
Para que secom prenda la diferencia entro los procesos N y los U
vamos a considerar olcom portam iento de los fonones on la prim en
zona de B rillo u iu de una red cuadrada, p rim itiv a , sim ple, de par
metro a (fig. 6 .1 6 ). Supongam os que como resultado de un choque
on el punto O, do dos fonones, con vectores de onda k, y k 2, so forin
un fonn con vector do onda k 3 = k , -|- k 2 (fig. 6 .1 6 , a ). S i los voc-

__

j4k2

-n/a

m u * -n/a

- n/a
Proceso N
o)

k3 - kj + k2

n/a

-it/ a
Pioccso U

b)

Fig. 6.1C. Roprcsnntain esqiirnnticn dn los pvocosos trifonnicos en la zona

do llrillm im ; n/i\ ^ kx ^ -|-n/n; n /n ^ ky ^ H-n/a

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6.3. C onductibilidad ca lo rfica de los slidos

215

toros in ic ia le s son ta le s que el v e cto r re s u lta n te k 3 no sa le de los

ltn ito s do la zona do B rillo u in , los tros v octoros tien e n sontid os po
s itiv o s resp ecto de k x y para ello s son co rre rla s las con d icio n e s ((i.82)
y (6 .8 3 ) cuand o G = 0 . lis ta im agen corres pondo al proceso N . Como

J a en erg a trm ica ex tran sportad a en el sentido de la velocid ad de grupo

<lrl an n , en el raso d el prnresn V cl sentido d el fin jo de energa en cl
jnodu con vector d e on da k 3 coin cid e con cl sentido en el cu a l la en erga
e s tran sp ortad a eficazm en te p o r los modos k , y k 2. E n e sta situ a c i n ,
com o m o str P e ic rls , lo s procesos N de por s no conducen a l re s ta b le
c im ie n to de la d istrib u c i n en e q u ilib rio do lo s fonones, lo que sig
n ifica que el tra n sp o rte fin ito de energa puede con serv arse in clu so
en a u sen cia dol grad ionto do tem p eratu ra, es d ecir, la c o n d u c tib ili
dad c a lo r fic a os in fin ita m e n te gram lo.
P a ra ilu s tr a r los procesos um lclapp o de in v ersi n , supongam os
que los v ecto res in ic ia le s k t y k 2 tien en sen tid o s p ositiv os respecto
do k x y que sus m dulos son ta le s quo el v ecto r k = k j 4- k sa le
d e los lm ite s de la zona de B r illo u in (fig. 6 .1 6 ,6 ). Puedo afirm arse
quo el v e cto r k 3 es e q u iv a le n te al k ', que se en cu en tra en la zona de
B rillo u in y tien e sen tid o n e g ativ o respecto de k x. E n efecto , los
v e cto re s k 3 y k j, com o liem os m ostrad o on ol cap . 5 , son fsica m e n te
in d istin g u ib le s, c a ra cte riz a n una m ism a v ib raci n y se d iferen cian
uno do o tro en ol m enor v e cto r G de la red recp ro ca d is tin to de cero ,
p aralelo a l e je k x o igual por su m dulo on nu estro ojom plo n 2 n /a.
S e ve que despus d el proceso U la en erg a trm ica es tran sm itida en

u n sen tido que no coin cide con el de la s velocidades de grupo en los

m odos k j y k ,. E stas im portan tes v ariacion es de k conducen siem pre a l
restablecim ien to de la distribu cin en eq u ilib rio de los fon on es y, por
consiguiente, a un valor fin it o de la con d u ctibilid ad ca lo rfica .
Desde el punto de v is ta de los procesos an te s d escrito s, v am os a
an a liz a r la d ep en den cia de la c o n d u ctib ilid a d c a lo rfic a rospocto de
la tem p eratu ra. P a ra oso u tiliz a rem o s la expresin do la co n d u cti
b ilid ad c a lo rfic a o b te n id a on la te o ra c in tic a de los gases, supo
niendo que en vez del m o v im ie n to de las m olcu las tien e lu g ar el
m o v im ien to de los foto n es:

K y = /jCy ( V, ) (X) VjCv (fj> T,

(6.84)

donde c v es la cap acid ad c a lo rfic a do un volum en unidad del c ris ta l

d ebid a a la s v ib ra cio n e s de la red : <i>,), la velocid ad m edia de los
fon on es, igu al ap ro x im ad am en te a la v elocid ad dol sonido en el c ris
ta l, que so puede con sid erar que dopendo d b ilm e n te de la tem pera
tu ra ; <X ), la longitud m ed ia del recorrido lib re de los fonones, igual a
la d is ta n c ia inedia que recorren en tro dos actos con secu tiv os de d is
persin; t = (X )/(o ,), ol tiem p o efica z de rela ja ci n , cuyo v alo r re c
proco t _1 corresp onde a la frocu en cia de los choques do fonones.
E n (6 .8 4 ) cy y (X) son la s m ag n itu d es que en lo fu n d am ental de
te rm in an ln d ep en d en cia de la c o n d u ctib ilid a d c a lo rfic a rospocto

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216

Cnp. G. Propiedades trm icos de los slidos

do la tem peratu ra. A tem peraturas a lta s, 2' ;> 0 D, ol calo r espccfict
ae aproxim a ni v alor lm ite determ inado por la ley do Dulong y Petil
(.lyVA'n), es d ecir, se linee iiilependieiilo da ln tem poralum , por le
que ln dependencia de ln con d u ctib ilid ad c a lo rfica respecto de la
tem peratura vicno d eterm inada principalm ente por las variacione
do la longitud del recorrido m edio de los fonones debidas a la tem
p eratura. Como a estas tem peraturas el nmero do fononos es muy
grande y su v ariacin con la tem peratura es lin eal
<ra (k , .)> =

<i/u<nr > _ 1

;l>(k, s)

^ 8^

la probabilidad de quo se produzcan procesos umklapp o de inver

sin aum enta con la elev acin de la tem peratu ra y debe esperarse
quo la frecuencia T 1 de los choques crezca proporcionalm ente a la
tem peratura T y, por con sigu ien te, la longitud del recorrido libre
del fonn vara en proporcin inversa a la tem peratura:
1IT .

(6.86)

K v ~ 1 IT .

(6.87)

t t ,) ~
E n esto caso, cuando T

0 D,

Si lntem peratura
bajn ( f c G o ) el nmero medio de fonones
capaces de p articip ar en los procesos do inversin, como so deduce
do (6 .8 6 ), dism inuye segn 1a funcin exponencial
< <k - =
o

iT. -.- ^

r e " 6D/T1

5-8 8 >

De aqu ln probabilidad del proceso de inversin dism inuye tam

bin segn ln exponencial y esto sig n ifica que la longitud dol reco
rrido libro (lo mismo que el tiem po de relajaci n ) del fonn aum enta
oxponcncialniente al descender )n tem peratura:

(k) ~ oe u/T.

(6 .8 9 )

E l calo r especfico dism inuye, al descencer la tem p eratu ra, de

acuerdo con la ley do Dobye, com o T3, pero el crecim ien to de la
co n d u ctib ilid ad c a lo rfica se realiza p rincipalm ente a expensas del
trm ino exponencial para (X), que crece bru scam ente, y entonces

Kv ~ 7 V V r.

(6 .9 0 )

Cuando la tem peratura se aproxim a a 0 K , ln probabilid ad del pro

coso do inversin so liaoo pequea, la longitud dol recorrido libro
(X) so liare com parable con las dim ensiones de la m u estra y no de
pende re la tem peratura. Si la tem peratura sigue bajand o, el coefi
cie n te de con d u ctibilid ad calo rfica dism inuyo bruscam ente h asta

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(i.3. Conductibilidad ca lo rfica do los slidos

coro, lo

m ism o

quo

la cap acid ad

c a lo r f ic a , es d e c ir , ro m o
A tlv u rlln m s

quo

lo a

T\

i l c f c r L i s ili>

ln red c r is ta lin a tam b in nfluyon

en la lo n gitu d dol reco rrid o libro
CK), poro o sla in fln o n cia d ism inu yo
al d escen d er la te m p e ra tu ra , ya
q u e on este caso lo s fononcs m s
im p o rta n tes son los do onda larga,
cu y a lo n g itu d de onda a 1 K lleg a
Fig. C.17. D ependencia tp ica de la
a u n v a lo r dol orden de 100 d is ta n
co n d u ctib ilid a d c a lo rfic a de los
c ia s in to rn t m icn s. S o b re e sta s ondas
d ie l ctrico s respecto do ln tompono in flu y e n los d efecto s con d im en
raturn.
I.a linea de trazas representa la conduc
s io n e s del orden de las d is ta n c ia s
tibilidad calorfica de ln mucalrn de diin tc r a l m ic a s m ed ias, pero en cam
mcnsloncs menores, en Ja cual el mixlmo ge alcanza a tem peratura m.is a lta
bio aq u lla s so d isp ersan en la
su p crficio del c r is ta l, por lo quo
(X ), en lo fu n d a m e n ta l, v ien e determ inarla por las d im ensiones
do la m u estra.
L a v a ria ci n que acab am o s do d escrib ir de la co n d u ctib ilid a d
c a lo rfic a con la tem p eratu ra so co n firm a bion con num erosos datos
e x p e rim e n ta le s. E n la fig. G.17 se da la cu rv a tp ic a de la dependen
c ia de la c o n d u c tib ilid a d c a lo rfic a respecto do ln tom pernturn.
C onductibilidad c a lo rfic a de los m etales. Los m e ta le s, a diferen
c ia de o tros s lid o s, por lo g e n era l, son buenos con d u ctores del c a lo r
y de la e le c tric id a d . E s te hech o p erm iti a P . D rude (1900) lle g a r a
la s p rim e ra s co n clu sio n es acerca d el m ecanism o de tran sm isi n del
c a lo r en los m e ta le s, re lacio n n d o lo con la e x is te n c ia en e llo s de
gran nm ero do e lectro n e s lib r e s , portad ores do la e le c tric id a d . D rude
y L o ren tz elab o raro n una te o ra de la c o n d u ctib ilid a d e l c tric a y
c a lo r fic a , que e x p lic a bien la loy do W icd em ann F ran z, e sta b le cid a
e m p rica m e n te en 1 8 5 3 , segn la cu a l la razn de la c o n d u ctib ilid a d

ca lo r fic a K a la co n d u ctib ilid ad elctrica a p a r a la m ay ora de los

m etales es p ro p o rcio n a l a la tem p eratu ra T, siendo el fa c to r de propor
cio n alid ad L igual para tod os los m olalos:
K la = L T .
(8 .9 1 )
P ara e x p lic a r e sta le y supuso D rude que la p arte m s im p o rta n te
del flu jo c a lo rfic o , cuaudo e x is te g rad ien te de te m p eratu ra, es tran s
p ortad a por los e lectro n e s de con d u cci n . Segn D rude, el m etal
puede ropresentftrse^en form a de una c a ja lle n a de electron es lib re s
para los cu a le s son v lid a s las ley es de la teo ra cin e'tica do los ga
ses. P a ra que el m e ta l fu era e l c trica m e n te neu tro se con sid eraba que
la c a ja c o n te n a ta m b i n la ca n tid a d corresp on d ien te de p a rtc u la s
m s pesadas (ion es), carg ad as p o sitiv a m e n te , en reposo. So supona
tam b i n (L o ren tz) quo los cloctro n os ostuban d istrib u id o s segn lu

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218

Clip. 0. Propiedades trm icas do los slidos

velocidad, ilo acuerdo con in funcin do d istribu ci n de M axwell Boitzm niin:

*>
en ln que ii os ln concentracin do electrones; in, ln m asa y l>, ln ve
locidad del electrn. De acuerdo con esta d istribu cin , los electrones
tienen a la tem peratura T todos los valores posibles de las velocidades
desde 0 basta - r o o , con la particularid ad de que, on ausencia de
fuerzas oxleriores, todas las d irecciones de las velocidades son equiprobables y varan con tin uam en te a causa de los choques con las
p artculas cargadas p ositivam ente. E n los intervalos entre los cho
ques la internecin de un electrn con otros electrones c iones no so
tena en cuenta.
l arn calcu lar la condu ctivid ad oldctrica, siguiendo a Drude, va
mos a suponer que durante el tiem po unidad un electrn experim enta
choques (es decir, vara la direccin de su velocidad) con una pro
babilidad igual a 1 / t , siendo t el tiempo de relajaci n o tiem po de
recorrido libre del electrn. En el tiompo x recorre el electrn la
d istan cia entre los choques, igual a la longitud m edia del recorrido

lib re {Xc } vx.

Si los extrem os opuestos del m etal so som eten a una diferencia de
potencial quo croo on cada punto dol m olal un cam po elctrico do
intensidad /, el electr n , bajo la accin do la fuerza F = e E (e es
la carga del electrn) tendr entre dos choques m ovim iento un ifor
memente acelerado. Al final del interv alo de tiem po x, la com ponente
de la velocidad en la direccin del vector E variar en (eE lm ) x.
Como en la teora de Drude se supone que despus del choque la
velocidad dol electrn puede tener cu alqu iera do las direcciones, la
aportacin do o n ln velocidad media de los electrones en la d irec
cin dol campo E o s igual ni v alo r medio de la magnitud (eElm ) x, os
decir,
<v) = (eElm) x.

(6 .9 3 )

E ste valor medio de la velocidad en el m ovim iento acelerado

recibe el nom bre de velocidad de deriva la relacin (v)/E = b se
llam a m ovilidad de los electrones y tien e la dim ensin in2/ (V -s)j. La
e x iste n cia, en todos los electrones, de esta com ponente de la v elo ci
dad con direccin con stan te se m an ifiesta on que, on direccin inver
sa a la del vector, tieno lugar en el m etal el desplazam iento de la
carga n eg ativ a. Ln densidad de corrien te se puede calcu lar utilizan d o
ln expresin
. .
ne- 1
! = ( v )

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6.3. Conductibilidad c a lo rfic a de los slido?

219

P o r otro porto, segn lo loy do O lim , Jo densidad do rorrionto os

ol.

(.9)

C om parand o los exp resio n es (6 .9 4 ) y (6 .9 5 ) vem os que

a = n eH m = ne1 (Ac > l(m v).

(6 .9 6 )

A l c a lc u la r la c o n d u ctib ilid a d ca lo rfic a se supone q u e, si e x iste

g ra d ie n te de te m p e ra tu ra , los olcctro n es de un choque
ootro reco
rren la s m ism os d is ta n c ia s , iguales a la longitud m edia
delrecorrid
lib re (A,.), au tos de tra n s m itir su exceso de energa trm ica n los
tom o s. A p lican d o al g as e lectr n ico las representaciones de la teo
ra c in tic a de los gases, obtenem os para la co n d u ctib ilid ad ca lo r
fica una exp resi n anloga a la h allad a para los fonones:

K , = V 3ce (v ) t t c > = '/Ve (e )st ,

(6 .9 7 )

en la que ce es la cap acid ad c a lo rfic a dol gas e lectr n ico y (i/), la

v elo cid ad m edia de lo s electro n e s. Conociendo las exp resiones (6.96)
y (6 .9 7 ) p ara K c y o , h allam o s la relaci n
(6 .9 8 )
D espus D rude, em pleand o los resu ltad o s do la teora c in tic a ,
suponiend o ce = tt/V/cb y

T , obtuv o do (6 .9 8 ) la expresin
T = LT.

(6 .9 9 )

s ta os la le y de W icd o m an n F ra n z , en la que L 3/2 (A'n/e)2 =

s= 1,11 1 0 ~8 YV-Q/K2 in d ep en d ien tem en te de la clase do m e tal. La
co n stan to L recib e el nom bre de nm ero de Lorentz.
S i se com p ara e l nm ero de L oren tz obtenid o en la teora do
D rudo L o ren tz con ol v a lo r e xp erim en tal prom ediado respecto de
m uchos m tales e igu al a 2 , 4 4 - 1 0 -8 W -Q / K 2, com o vem os, la co n
co rd a n cia os m u y m ala. E s ta circ u n sta n cia co n stitu y una d ificu l
tad b a sta n te sera para la te o ra e le c tr n ic a de los m etales. Corno
puede verse por lo an te d ich o , para e x p lic a r la co n d u ctib ilid ad elc
tric a y c a lo rfic a el nm ero de electro n es lib r e s por unidad de volu
men tien e que con sid erarse m uy graudo, pero en ese caso la energa
c a lo rfic a d el gas e le c tr n ic o mu2/2 = 3/ 2k BT se hace consid erable
y, por c o n sig u ien te, la cap acid ad c a lo rfic a ee debe aproxim arse al
v a lo r 3/ i N k B, lo que exp erim en talm en to n u n ca se ha observado. E s
m s, para e x p lic a r la cap acid ad c a lo rfic a de lo s slidos en la rogin
de tem p eratu ras T > D h a y quo a d m itir quo los electro n es, on ge
n e ral, no hocon ap o rtaci n a o lla y , com o ya v im os, la aportacin
ele c tr n ic a a la cap acid ad c a lo r fic a , o ln tem p eratu ra am biento, os
ap ro x im ad am en te 100 voces m enor que el v a lo r cl sico V j /VA b . A s ,

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220

Cap. 6. Propiedades trm icas de los slidos

pues, ln teo ra c l s ic a do D ru de L orentz Ile s a n unn co n tra d icci n ,

puesto que requiero un gran nm ero <1o electro n es para e x p lic a r la
co n d u ctib ilid ad e l c trica y un nm ero muy pei[uofio do ello s para
e x p lica r ln capacid ad c a lo rfic a .
En 11)27, A. Som iiiurfeld, para soslayar Ja co n trad icci n in d icad a,
conservando los postulados in icia le s fundam ntalos do ln teo ra,
traslad a e lla los m todos do la nueva e sta d s tic a c u n tic a do Ferm i D irac, ind icand o quo para los electro n es, quo se subordinan al
prin cip io de exclu sin do P a u li, la d istrib u ci n de M axw ell B o ltz manii debe ser su stitu id a por la de F e rm i D irac:
/_

!___________

(G .100)

Siistitn y en d o en todas p arles la d istrib u ci n de M axw ell B o llzm an n

por lo rio Ferm i D irac, So m in crfcld obtuvo para /(c y o las expre
siones
y

c _

{ U r

E n esto caso, do (0.11)1) h allam o s quo

T ' - T

[ J t Y t = u '^

(6 .1 0 2 )

donde L = (n2/3) (k f/e )J = 2 ,4 5 - 10_s W -2/K 2, se h a lla en p erfec

to acuerdo con los d atos exp erim en tales.
A dvertim os que, en la situ aci n re a l, la re la ci n K J a resu lta
ser una m agnitud co n sta n te que slo a la tem p eratu ra am b ien te y a
tem p eratu ras ms a lta s no depende do la cla se de m etal ni de la tem
peratu ra. ln la regin in term ed ia do toinpernturas (entro la s b a ja s
y las ord in arias) esta relaci n depende do la clase do m etal y de la
tem p eratu ra, ya quo ln con d u ctib ilid ad c a lo rfic a en esta regin v a
ra con la lem poratu ra no tan de prisa com o puedo esperarse por la
ley de W iedem nnn Franz s i la co n d u ctib ilid a d c a lo rfic a de lo s
m etales se d eterm ina por su con d u ctib ilid ad e l c tric a . E s ta d esvia
cin d la le y de W ied em an n Franz se debe a que la longitud m ed ia
de ios recorridos lib ro s 'd e los electro n es corresp on dientes a la con
d u ctib ilid a d c a lo rfica y e l c tric a , cu gen eral, son d is tin to s, y no igua
les com o se supone en Ja teo ra. Son iguales con e x a ctitu d b astan te
grande n icam en te a altas tem p eratu ras.
P ara v alo rar c u a lita tiv a m e n te cl com p o rtam ien to de 1a co n d u cti
bilid ad c a lo rfic a de los m etales en d ependencia de la tem p eratu ra,
volverem os a valern os (lo la frm ula

K,.

V jc v y 0 U .

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((5.103)

6.3. Conductibilidad ca lorfica de los slidos

221

P e ro aqu debem os poner en voz de la velocidad m edia c l sic a del

m ov iiiiiu iilo t rm ico , la velocid ad corresp on d iente a la onoiRa do
Ferm i:
V = (fi/m ) ( 3 j i 2n )'/ ,

( 6 .1 0 4 )

y en lu g ar del c a lo r esp ecfico cv tom ar la capacidad calo rfica del

gas e le c tr n ic o , que liem os obten id o antes [vase (6.64)], partiendo
d e los rep resen tacio n es cu n tica s:

E n to n c e s la frm ula (6 .1 0 3 ) para el co e ficie n te de con d u ctib ilid ad

c a lo r f ic a la escrib im o s en la form a
* = - T ^ < X' > r -

(6 .1 0 6 )

E n la f rm u la (6 .1 0 6 ) slo dependo de la tem peratu ra <X), que

v ie n e d eterm in ad a por la d ispersin de los electrones on los fonones,
sien d o (Xe> ta n to m enor cu an to m s denso sea el gas fonnico. E l
proceso de dispersin correspondo a la transm isi n del im pulso y de
la en erg a del electr n a la s v ib racio n es de la red o v icev ersa, es de
c ir , el proceso de d ispersin se reduce a que el electrn em ite o absor
be fonones.
E n el caso do la s tem p eratu ras a lta s ( T > fto>D) lo ms probable
es la em isi n o ab sorci n de fonones do grandes energas, del orden
do Jd- Poro &toD
T, por lo que de la frm ula (6.85) obtenem os
q ue la c o n ce n tra ci n de fonones es ( ) 'J'/h<oD). Como se m uestra
en la te o ra c u n tica del slid o (en p a rticu la r, en los tra b a jo s del
m iem bro corresp on d ien te de la A cadem ia de C ien cias de la U R S S
A. A brik so v , relacio n ad o s con. la teora do los m etales no rm ales),
la in te ra cci n de los fonones con los electro n es so d escribe por el
elem en to m a tric in l dol b am ilto n ian o de la in te ra c ci n , dependiento
del im pulso de d isp ersin , y la pro babilid ad to ta l W do la disporsin
con em isi n (o, an lo gam en te, con absorci n ) (le un fonn resulta
ser p rop orcional a Tlh. D e aqu el tiem po de re la ja ci n i ~ \IW ~
fi/T . E s ta re la ci n d elorm in a tam b in a (X0). P or con sigu ien te,
K t co n st, os d ecir, la co n d u ctib ilid ad c a lo rfic a no depende de la
tem p eratu ra.
A tem p eratu ras b a ja s ( T <C coD) cl papol ms im p o rtan te en la
d ispersin de los electro n es lo desem pean los fonones con energa
(o
T . P or eso la energa de los electron es v a ra con sid erablem en
te on cad a cboquo. Como on cada no do lo.s choquos la v ariaci n
de la energa os una m agnitud del orden do T , para la con d u ctibilid ad
c a lo rfic a cada choque es eficaz. E l resp ectiv o tiem po t es proporcio

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222

Cap. 6. t'i'opicdndos trm icas <lo los slidos

nal a \!W. Los c lcu lo s m uestran que W, a tem p eratu ras b a ja s , es

proporcional n (T /h) (77//<i>|,)2. D o aqu

n \

ft I fi{Di>\z

P o r eso, pura Jos m etales, al descender la te m p eratu ra, la conduc

tib ilid a d c a lo rfic a Ifrm ula (6.10G )J, que al p rin cip io tiono un va
lo r c o n sta n te , a tem p eratu ras m s a lta s , aum enta proporcional m ente

a 1i r .

A la s tem p eratu ras m s b a ja s , p rxim as a 0 K , en que la con cen

traci n de fonones so h ace pequea, la lo ngitu d lm ite del reco rrid o
lib re (X > queda d eterm inad a por lo s d efectos o im purezas y no de
pende do 1a tem p eratu ra, por e sta razn la co n d u ctib ilid ad c a lo rfi
ca es proporcional n la cap acid ad c a lo rfic a del gas e lec tr n ic o , o
son, n T.
A d iferencio de los d ie l ctric o s, en que la lo ngitu d del reco rrid o
lib r e de los fonones a tem p eratu ras b a ja s se d eterm in a, en lo funda
m e n ta l, por la s dim ensiones de la m u estra, en los m etales la longi
tud del recorrido lib re de los electro n es a e stas te m p eratu ras vieno
d eterm inad a por lo s d efectos o im purezas. E sto se debe a que la
energa de los electro n es (en las p roxim id ad es de la energa de Form i) que tran sp ortan el calo r depende d b ilm en te do la tem p eratu ra
[frm ula (6 .5 7 )]. La longitud do onda de B ro g lio X /(m vF) de
estos electro n es es riel orden de las d ista n cia s in te ra t m ica s m edias,
por lo quo los olectro nes se dispersan in ten sam en te en los defectos
de d im ensiones at m icas y la longitud m edia del reco rrid o lib re
(X,.) e st lim ita d a por estas dim ensiones.
E l com p ortam ien to de la c o n d u ctib ilid a d c a lo rfic a quo acabam os
de d escrib ir, relacio n ad a con el transp orto de c a lo r por los o lectro n es
lib re s, so con firm a bien con los datos exp erim en tales. L a cu rv a tp i
ca do la dependencia K v = K ,. ( T ) en un am p lio in te rv a lo de tem
p eratu ras ticno la form a que m u estra la fig. 6 .1 8 .
P a ra te rm in ar ind icarem o s que
la co n d u ctib ilid a d c a lo r fic a de
los m e ta le s, en e l caso g en eral, se
com pone de la co n d u ctib ilid a d c a
lo rfic a con d icio n ad a por los fono
nes y de la con d icion ad a por los
electro n e s lib res:

K = K v + K e.
O

(6 .1 0 7 )

T, K

F ig . 6 .1 8 . Dopondoncin tp ica do
la co n d u ctib ilid a d c a lo rfic a respoclo do la toniporalu ni, para los
m ola loa

S in em bargo, la com p aracin que

se da m s ad elanto do la co n d u cti
bilid ad c a lo rfic a de los aislad ores
con ln do io s m etales nos dico

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G.4. D ifusin en los slidos

-2 3

quo on los m etales o m ecanism o do ln con d u ctibilid ad c a lo rfica ,

con d icio n ad por los foliones, osla eclipsado por ol niccnuism , Hin
cho m s uficaz, do transporto to cnlor por los olecfrouos. E n ul aisla
dor la longitud del recorrido lib re del fonn a ln tem peratura am bien
te os (X) = 3 - 1 0 -8 cm , la velocidad del sonido, {v ,) = 1 0 1 crn/s y
la capacid ad c a lo rfic a cy = 3 R , entonces

Ky

= v , c y

(vt ) (X)

V a- 3 I M 0 * - 3 - 1 0 - # = 0 , 3 R.

E n el m e ta l, si se consid era que el calo r es transportado por los ele

ctron es, para lo s m etales m onovalentes <Xe ) = 10 6 cm , vr =
= iO8 cm/s y cc = 0 ,1 / 1 . E n to n ces
= V 8 -0 ,l/ M O M O '5 = 0 ,3 - 102/.
S i so ad m ite que la aportacin fonnica a la con d u ctibilid ad calo r
fica del m e tal es com p arable con la con d u ctibilid ad c a lo rfica del
a isla d o r, re su lta

KJKy

1 0 2,

es d ecir, la co n d u ctib ilid ad c a lo rfic a condicionada por los electro

nes os 100 veces m ayor quo la condicionad a por los fonones.
A d v ertim os tam bin que los valores de la con d u ctib ilid ad calo
rfic a de la s su b stan cias puras en el m xim o de la dependencia
K = K (T) no se d iferen cian dem asiado [de 1000 a 20 000 W / (m -K )l
para m uchos m etales y c rista les no m etlico s, pero dicha condu cti
b ilid ad desciende con la tem peratu ra, por ambos lados del m xim o
(vanse la s figs. 6 .1 7 y 6 .1 8 ), con m ayor rapidez en los no m etales
que en los m etales. P o r eso, a tem peraturas suficientem ente bajos
y su ficie n te m e n te a lta s, los no m etales conducen peor ol calo r que
los m etales. E s cierto que esta regla tiene excepciones. A s, el dia
m anto ( K v = 5 5 0 W / (m -K )) a la tem peratu ra am biente conduce
m ejor el c a lo r que el m ejor de los conductores m etlico s, la plata
(/ = 407 W / (m -K )). E sto an om ala, com o ha m ostrado el an lisis,
se debe a la rigid ez del enlaco in teratm ico y a la m asa de las par
tc u la s que com ponen ol c r is ta l. Cuanto m s rgido os ol enlaco y
menor la m asa de las p a rtcu la s, tan to m s elevada es la con d u cti
bilid ad c a lo rfic a .

6,4. Difusin en los slidos

L as v ib racio n es trm icas de los tom os en los slidos se reducen
en lo fu n d am ental a o scilacion es de pequea am plitud que ellos
realizan en torno a sus posiciones m edias de eq u ilib rio . Pero la
energa c in tic a de lo s tom os, a consecuencia do sus interacciones
con los tom os vecinos, no perm anece con stan lo. incluso on ol caso
en que la energa c in tic a m edia de los tomo es pequea, do acuer
do con la ley de M axw ell de d istribu ci n de las v elocid ad es, en el

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Cap. 6. Propiedades trm icas de los slidos

c ris ta l siem pre hay cie rto nmero de tom os cu ya energa cin tica
os lies ln nto grande. Uno (ln nstos tom os puedo desprenderse de lo
posicin do e q u ilib rio y , voitciondo ln Imrroru do potencial o r o n d o
por los tom os que lo rodonn, pasar n cie rta posicin do eq u ilib rio
nueva que est libre. Al o cu rrir esto el tom o pierde la energa so
bran te, ('odindola a los tom os do la red c ris ta lin a . Al cabo do algn
tiem po ol tom o puode acum u lar otra voz su ficiento enorga para
escapar do so nuevo cerco y pasar al v ecino, fistos desplazam ientos
de los tom os , debidos a l m ovim iento trm ico, constituyen la base de

los procesos de difusin en los slidos.

Ln difusin que so lim ita a l traslado de los tom os do un d e
monio a la red do ol.ro se llam a atm ica. E sto tip o de d ifusin es el
quo con m ayor facilid ad so som eto a una in terp retacin fs ic a y por
eso ha sido m ejor estu d iad o. Un caso esp ecialm ente sim ple de d ifu
sin atm ica es la au lod i fusin o traslado do los tom os do los ele
m entos en su propia red c ris ta lin a .
En una red c ris ta lin a perfecta, en que los tom os slo realizan
m ovim ientos v ib ratorio s en torno a sus posiciones do eq u ilib rio , en
gen eral, los procesos de difusin son poco p robables. E l traslad o por
difusin de los tom os do impureza o de Jos propios tom os de la red
est siem pre relacionado con la presencia en e lla de d efectos sim ples
huecos, tom os in te rs tic ia le s, huecos d o bles y de otros d eferios
m s com plejos d islocaciones, lm ites de sep aracin, aglom eracio
nes de huecos o de impurezas.
A hora e x iste ya una v asta lite ra tu ra sobre la difusin en los
slid os, en la cu al se exponen d etallad am en te los diversos aspectos
de la teora moderna de la d ifu sin, basada en las representaciones
fundam entales de la c in tic a fsica y de la term od inm ica en dese
q u ilib rio y relacionad a con la teora do los defectos en los crista les.
En esto apartado vamos a lim itarn o s solam en te a exam in ar algu
nos problem as quo, a nuestro parecer, deben dar la idea m s gene
ral sobre uno do los procesos ms im p ortan tes do transp orto en los
slidos, sin cuyo conocim iento sera im posible com prender aq u ellas
v ariaciones de sus propiedades que tienen lugar on presencia de d i
versos in flu jo s de la tem peratu ra. Todo recocido va acom paado do
d ifu sin. La d ifu si i se u tiliz a mucho com o m todo de aleacin de
los .slidos.
A con tin uacin se exponen las consid eraciones que se infieren
do la teora cin tica de los c rista les reales, elaborad a por F re n k e l,
y que sirv en de basf a la teora de la difusin que 61 fue el prim ero
en proponer. E l m o lim ie n to trm ico de lo s tom os, segn F re n k e l,
es ol con ju n to de los procesos siguiontes:
1) las v ibracion es do los tom os on torno a las posiciones regula
res (lo e q u ilib rio ;
2) un tom o (o un) que posea sn ficio n lo onerga puedo traslad arse
u su posicin regular on un nudo do la rod a una posicin irregular,

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/i. Difusin un log sJtdos

es

225

d ecir, a un in te rsticio . E ste procoso fue llam ado por Frenkel

disociacin do Ins tom os ligados:

3) ol tom o disociado ptiodo vibrur dorm ito largo tiem po un torno

a su posicin irreg u lar antes de sa lta r la barrera de p o ten cial y pa
sar a o tra posicin lib re (regular o irregular);
4) es posible el sa lto del ion de una posicin irregu lar a o tra,
tam bin irregu lar, situ ad a a una d istancia ;
5) el tom o disociado puede tam bin pasar (con cie rta pro babi
lidad) a un nudo v acan te (hueco) de la red. E ste proceso re cib i de
Frenkel on nombro de asociacin do tom os disociados;
6) es posible el traslad o de los nudos vacantes (huecos) de la red,
ya que en e q u ilib rio trm ico cio rta cantidad do tom os ocupa el
espacio in te rs tic ia l y, por con sigu ien te, existe la cantid ad respectiva
de nudos v acos (huecos) en la red c rista lin a .
A l proceso de sa lto de los tom os do una posicin regular de equ i
lib rio a o tra lo denom in Frenkel difusin de huecos o sitios libres
en la red. A m bos procesos la traslaci n de sitio s v acantes (huecos)
y ol m ov im iento de los tom os on el espacio in te rs tic ia l, es decir, el
m ov im iento de tom os d isociad os realizan la difusin en el slido.
De esta form a, a causa dol m ovim iento trm ico antes d escrito , a
cu alq u ier tem peratura tien e lugar una remocin perm anente de los
tom os que com ponen el slid o. L a velocidad de rem ocin cuando on
la red e x iste n nudos v acan tes, expresada por la probabilid ad P m
del paso de un tom o de una posicin de eq u ilib rio (on un nudo de la
red) a o tra (fig. (5.10), a cansa dol c a r cte r estad stico dol proceso,
vara con la tem peratu ra segn la ley exponencial siguiente:
Pm

v 0 exp l - E J ( k v T ) ] ,

(6.108)

en la que E m es la altu ra de la barrera de potencial (energa de m i

gracin d lo s huecos) qu e debe salv ar el tom o, para pasar de una po
sici n de e q u ilib rio a o tra, y v ( ~ 1 0 13 s J es la frecuencia propia de
las v ib racio n es dol tom o. A una tom peratura dada la probabilid ad
P m viono doterm inada por ol v alor
do E m, d ependiente do la resis
ten cia dol enlace de los to m o s '
en la red. P or lo ta n to , para que
se produzca la difusin el tom o
debo s a lv a r la barrera de potencial
de a ltu ta E m creada por sus ve
cinos.
E stu d iem o s, siguiendo a Frenk el, la difusin de los tom os por
los huecos. Supongam os que en la
red c ris ta lin a so encuentran uno
, to m w jlo p o i.e n c in te
ju n to a otro un alo m o y un linotomo para pasar al sitio libre quo
co, com o m u estra la figura 6 .1 9 .
bny a la derecha
1 5 01 l 47

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220

C a p , t. P r o p i e d a d e s

i r n iic n s

t o l o s s l i d o s

A con secu en cia de una flu ctu a ci n b a sta n te grande de la enere

ol alo m o modo s a lla r al lineen varillo que so linlln n su d orerb a. P
pus de oslo s a llo , lio os un acto eloin eu lal de d ifu si n , ol liuoru
traslad a h a c ia la izqu ierd a una d is ta n c ia e lem e n ta l in te rat m ica
La p rob ab ilid ad de que el Atomo pase del nudo al hueco se dclcrm i
por ln expresin (0 .1 0 8 ). E s ovid ento que d ich a p ro b ab ilid ad dolu
ser inversainento p rop orcional al tiom po t do v id a sed entaria i
tom o (o hueco) en el nu do, entonces
-r = - ^ - = T0exp [ m/(frB)J,
1 in

(G.l(

donde t cs cl perodo de las v ib ra cio n e s propias del to m o , corn

pondionte a lo frecu en cia m x im a en el esp ectro a c stic o , igu al
orden do m agnitud a
s. Como vem os por (6 .1 0 9 ), el tiom po
vida sed entaria depende de la te m p eratu ra. C u anto m s elev ad a s
ln tom p eratu ra dol cu erp o , to n to m enor ser el tiem po de perni
noncia dol tom o en ol nudo. Como para el germ anio la energa
m ig raci n E m = 1 eV => 1 , D1 0 -, J , a la te m p eratu ra am bicu
(T = 300 K ) ser
t

= 10~,3 -e40 = l o - 13- 2 - 1 0 17 = 2 - 1 0 4 s,

y a 900 K
t

1 0 -' -e12. =

lO -^ -S -lO 4 =

3 - 1 0 -B s,

es d ecir, en el ltim o caso el hueco roaliza en la red c r is ta lin a cer

do 1 0 9 s a lto s (1/t = 1 0 s) por segundo, recorriend o un cam in o , p
una ln e a quebrada m uy co m p le ja (en v irtu d d el c a r c te r casu al
la d irecci n del s a lto ), igu al al producto del nm ero de sa lto s 1 0 8 p
la d is ta n c ia del s a lto elem en tal 3 - 1 0 " 8 cm . L a velo cid ad mod
con quo el hueco se m ueve en el c ris ta l es
<y'>> = T = V

e* p I ~ m/(/fB:01-

(6,11

A T = 9 0 0 K , la v elocid ad roodia p ara e l g erm an io re su lta ser

, ,

310~8 era
,
,
Oi) = ~ 3 , 10. , 3 = 1 cm/s.
E n ol cap . 3 , partien d o de la co n d ici n do e q u ilib r io torm odin
m ico, se m ostr que la co n ce n tra ci n de h u ecos depende do la ten
p e ratu ra:

Vt = nIN = exp \ - E d ( k * T ) ) ,

(6 .1 1 '

dondo E h es la en erg a de fo rm aci n del hu eco. S i, por e je m p lo , E b =

= 1 eV y T 1000 K , ser n /N <>* 1 0 ' 6. Como m u estran la s v al
m eionos, pura los m tales con e stru ctu ra de em p aq u etam ien to densi
la c o n ce n tra ci n de hu ecos, in clu so on la s p rox im id ad es do la teu

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6.4. D ifusin en los slidos

227

pcrntura de fusin, es del orden de 1 0 3 a 1 0 " 4. T odo oslo in d ica que

en los slid o s, incluso o lom poratu ras tan a lta s, la con cen tracin de
huecos on e q u ilib rio trm ico re su lta ser m uy b a ja . E s te hecho per
m ite com p arar el c o n ju n to de los huecos en el c ris ta l con un gas per
fe cto , ya que en la s con co n tracio n cs ind icad as los huecos so h allan
uno de otro a d is ta n c ia s con sid erab les, por lo que p rcticam en te no
ntorncc.ionnn entro s . E n e fe cto , si en un volum en unidad h ay n
huecos, la d ista n c ia m ed ia en tre ellos ser l = 1 ln 113. Y com o n
= VyV, siendo N i / a 3 (a es el parm etro de la red c b ica p rim iti
v a ), ser l = a/V\l3 = a / i 0 _4/3 ~ 2 0 a = 6 - 1 0 -7 cm . A e sta m ism a
d ista n c ia una de o tra se encu en tran ap roxim adam ente las m olcu las
de a ire en con d icio n es norm ales. E n i cm 3 de aire en d ich as co n d icio
nes hay cerca de 2 , 7 -1 0 18 m o lcu las. P o r con sigu ien te, la d istan cia
m edia e n tre la s m o lcu las es l/ (2 ,7 -1 0 18)1/3 3 - 1 0 7 cm .
E u v irtu d de la an alo g a del c a r cte r de la traslaci n de los huecos
en el slid o y de Iss m olcu las en el gas, para d eterm inar el c o e ficie n
te de d ifu sin de los huecos D, en los c ris ta le s puedo u tilizarse la
frm u la de la teo ra c in tic a de los gases:
> = y < u ) <X) * y W 2/t ,

(6 .1 1 2 )

en la que (X) es la longitu d m edia del recorrido lib re de las p artcu

la s del gas; t , el tiem p o entro los choques; (i>), la velocid ad m edia
lo la s p a rtc u la s . Ln lifercrcin con ol gas consisto en quo la s tra sla
cio n es elem en tales en el slid o tien en un m ism o v a lo r . P o r eso,
de los v alo res m edios de ln longitud del recorrido lib re con viene pa
sar a los cu a d r tic o s m ed ios. L lam em o s x a la longitud real (v ariab le)
del reco rrid o lib re de la s p a rtcu la s en el gas. E n to n ces la p ro b a b ili
dad de que una p a rtc u la reco rra ese cam in o x sin su frir ningn cho
que es proporcional a
y el v a lo r cu ad rtico m edio do x ser:
"

J ()- * / U )

dl

<*>2 = 4 = ---------------------- 2 {X)2.

j 0 ~X/<V dx
o

(6 .1 1 3 )

De aq u , (A.)2 = te 2)/2. P a ra el c ris ta l suponem os {x2 ) , con

lo que p ara el co e ficie n te de difusin de los huecos obtenem os
D" -

W = - I r l>Xp 1 i?",/ (e7')]

(6 -1 1 4 )

R azo n am ie n to s anlogos ataen a la traslaci n de los tom os por

los in te rs tic io s . E n este caso en tod as las frm ulas an tes cita d a s debe
entend erse por r 0 el perodo de Jas v ib racio n es le tom o on los in
te rs tic io s , y por E m la a ltu ra de la barrera que im pid e el paso del
tom o do un in te rs tic io al ad yacen te. E s ev id en te que este traslad o
15*

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228

Cnp. 6. Propiedades trm icas de los slidos

se produce con ms velocidad, ya que las barreras entre los interst

r.ios son ms Imjns que la s barreras entre los tom os que so enr.uoi
Irnu on los mulos, y ju n io ni tom o po so difundo moiupro Imy n
in te rsticio desocupado.
H asta ahora nos humos referido fuinlnm onlulm onto ul inovim iont
do los huecos por el c rista l, rolneionudo con el inovimionl.o de Ir
tom os. A diferencia del hueco, que siem pre tiene a l lado lomos s
tuados en los nudos , el tom o se mueve p or el cristal con menos veloc

dad. Esto se debe a que el tom o, p a ra efectuar un salto elem en tal, del
esperar cierto tiem po a que se acerque a l un hueco. La probahilida
Ph do quo ju n to ni tom o resulto un huoco sor, ovidonlom onlo, iguo
a la razn dol nmero de huecos n ni nmero to ta l de tom os N qn
hay en la red, y osla razn, corno ya vim os, os igual a la concontra
cin do huecos n /N = exp 1 E\J(k\T)\. Por lo que la probahilida
to ta l P , de que sim u ltneam ente resulte ju n to al tom o un huoc
y aqul salto a ste, os igual al producto de las probabilidades
V >h = TT0' XP \. E J W ' ) \ o x p l AV/cb?)] =
= ^

(5X1 ( - * & - )

<6 -115

dondo Q E , -f- y? es la energa de activacin del proceso de auto

difusin. E v id en tem en te, la frecuoncia dol s a lto os proporcional a 1
probabilidad del m ism o:
1/0 = P ,

(G.11G

siendo 0 = xa exp
el tiem po efectiv o do vida sedentaria
del tom o.
L a v clo cid fd modia con quo el tom o se desplaza por el c rista l
en ol caso dol m ecanism o de huecos, es
< a) = 75- = : - c x P l <?/(*Bjf)].

(li-H 7

La evaluacin Je (v) pnra el Ge, cuya Q = E m + E ti = 3 eV , da

9 0 0 K ol valo de 10-11 cin/s.
U tilizando (G .ll ) y (0.116), hallam os la expresin para ol coefi
ciento de difusin dol tom o por los huecos:

D = K f t = -L exp [ - Q / f a T )J = D0 exp [ - Q/(Jc*T ) ) , (6.118;

en la quo el facto r preoxponencial D 0 2/ (6t0). L a frm ula (6.118;
coincid e oxnctm onto con la ley de A rrhenius para la dependencia,
respocto do la tem peratura, del coeficien te de difusin en los slidos
observada exporim onlalm ente.
La loorn ce Fronkel fundam ent corroctam onte la dependencia,
respecto de la .einporalura, dol coeficien te do difusin on los slidos,

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fi/i. Difusin en los slidos

229

poro en ella no se consigui describir por com pleto el sentido fsico

<lo los piiri'minli'os de difusin /),, y Q. ll fnrlnr prcoxpnnniiriiil Da
cureco un general to sentido alguno, y la onergia do activacin y ,
por lo v isto , atendiendo a su signifirndo, debe estar relacionada con
las fuerzas interalm icns de enlace en el crista). Para relacionar la
magnitud Q con otras propiedades del cristal y determ inar la posi
bilidad de calcu larla es necesario h allar una relacin ms definida
entre otros tipos posibles de traslacin de los tomos en la red (tras
lacin por los in tersticio s, intercam bio do sitio s y otros). Muchos
autores han intontado hacerlo, pero las frm ulas obtenidas por ellos
slo son correctas para un mecanism o de difusin determinado.
E n la realidad los procesos de difusin transcurren de un modo
mucho ms com plejo y al mismo tiem po pueden actuar no uno, sino
varios m ecanism os. I or eso las frmulas obtenidas por dichos auto
res, en general, slo sirven para las valoraciones burdas cuando so
hacen experim entos de difusin. P ara deducir la frmula (6.118)
utilizam os la de la concentracin de huecos n/N = e
q
U0
no tiene en cuenta la variacin de las frecuencias de las vibraciones
de los tomos en las proxim idades dol hueco cuando ste se forma.
L a tom a en consideracin de esto factor conduce a la siguiente expre
sin para la concentracin de huecos:

n/N = exp S b/(AB7')l exp l - i , y ( * n 7 ) ] .

en la que S b es la entropa de form acin dol defecto. Teniendo en
cuenta esta circu nstan cia, la expresin para la velocidad (frecuen
cia) de los saltos se escribe de ordinario en la forma
v = v0 oxp |5m/(A-BT)] exp l i ' m/(//B 7)1,
en la que v 0 = A'B Qp/h; 0 p es la tem peratura do Debye; h, la constanlo de P la n ck : S m, ln entropa de activ acin para la m igracin.
S i el toino se difunde a expensas de la traslacin de los huecos,
la probabilidad de quo l se traslade una d istancia interatm ica es
igual a ln probabilidad de que se encuentre un hpeco adyacente a l
m u ltiplicad a por la probabilidad de que ei tomo ocupe dicho hueco.
E n este caso la velocidad de traslacin dol tomo ser:
/= v

= v0 exp [5 m/(feB7 )J exp [ J5,m/(AB7>]

X

exp

= Vqexp (

[ 5 b/(AB 7 ) l

exp [ - E J(H T ) \

) oxp ( -

- ^ h j =. /cCxp [ - QI(knT)].

Puede dem ostrarse que el coeficiente do difusin D est ligado

con I por la relacin
O -

<x-/.

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230

Cnp. (i. Propiedades trm icas do los slidas

li ln <|110 a as mi facto r geom trico iliiponil ion Ln dol lip il do oslrilCtura. JJe osla forma

doiido 5 5 , -i- 5 , cs la e n tre o a de a c tiv a ci n . A d v ertim o s que

las frm ulas anteriores son correctas no slo para el m ecanism o de
huecos, sino tam bin para cu alqu ier m ecanism o relacionad o con de
fectos de origen trm ico.
Para con stru ir la curva de la dependencia, respecto de la tem pe
ratu ra, de los coeficien tes do d ifusin (frm ula (6.118)1 partiondo de
datos oxporim entalos y, al mismo tiem p o, d eterm in ar los parm e
tros de difusin D 0 y Q, hay que saber d eterm in ar el co eficien te de
difusin D a una tom peratura dada. Al d eterm inar exp erim en lalm on te dichos coeficien tes, com o modolo para el clcu lo se u tiliz a n por lo
general las soluciones de las ecuaciones do d ifu sin. A l co e ficie n te
de difusin se le atrib u y e el v alo r con el cual los resu ltad os exp eri
m entales concucrdan con estas soluciones.

L a ap licacin de la teora del vagabundeo aleatorio a la d ifu sin

de los tom os en los slidos conduce a ecuaciones an log a s a Las leyes
prim era y segunda Le F ic k . P ara el mtodo de clcu lo c u a lita tiv o do
ln difusin A. F ick u tiliz las ecuuciouos do la con d u clibilid n d c a lo
rfic a deducidas por Fou rier. Al hacorlo p arti de la h ip tesis do que
on un medio istropo la can tid ad J de la su b stan cia que se difunde
que pasa cu la unidad do tiem po a travs do ln unidad do rea do ln
seccin transversal es proporcional al grad iente de la con cen traci n
C medido segn la norm al a esta seccin:

J = D grad C D-yC.

(0.119)

Aqu J es la densidad dol flu jo de tom os que so difunden; C, su

con centraci n; y , el operador del gradiente. E n el caso gen eral, la
difusin es anislropa y el coeficien te de difusin D os un tensor de
segundo rango:
D ,1 Di2 D ii
( 0 . 120)
D = D2l D22 D23

D3 D32 D 3
Ln ecuacin (0.11!)) se llam a prim era ley de F ic k para un flu jo
e slacio n ario . Para la difusin unid im ensional y un m edio istropo,
la ecuacin do F ic k tiene la form a
( 6 . 121 )

Como C cara cte riz a la can tid ad de su b stan cia quo h ay en la unidad
de volum en, de (0.121) so signo ((to ol cooficionlo do difusin D
tien e la dim ensin L - T ' 1 donde L os la longitud y T , el tiem po. P or
lo general /) so expresa en crnVs o en ni2/s.

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6 / . Difusin on los aldo

231

P ara un fin jo no estacio n ario , de (6.121) es f c il obtener la se

gunda ly ili< Fick |im-li>inb> do los .nnciU razonam ientos Miguiontes. L a v elocid ad de acum ulacin de ia substancio que so difundo on
un ulomonto do voliiinen dudo os igual n ln diferencia entro los flu jo s
e n tra n te y s a lie n te en la unidad de tiem po. Considerem os dos planos
paralelos, cada uno con rea igual n ln unidad, separados onlro s
por la d istan cia dx. E l flu jo a trav s del prim er plano, de acuerdo
con (6.121) es / = D (dC/dx ), y el flu jo a trav s del segundo,

' +

* - - ( * )

E n to n ces la d iferencia de flu jo s ser;

dx

Sx j '

dx (

P ero d J/d x es igual a la v elocid ad de variacin de la concentracin

tom ada con signo co n trario , es decir, dCIdt . P or lo tanto,
<6 - 1 2 2 >

Con la condicin de quo el coeficien te de difusin no dependa

de la co n cen traci n , es d ecir, sea una m agnitud con stan te, obtene
m os la segunda ley de F ic k para la difusin unidim ensional en forma
d ife re n cial:

dC

r ,

d^C

- w ~ D - *

/n

.f t Q .

(6 -123>

en la quo C C (x, i) depende del tiem po t y do la profundidad de

difusin x. P ara la difusin en tres dim ensiones en un medio istropo

!tc

i d*C . 2C , dK \

ir , 0/,

L a n ica fuente (lo inform acin acerca de los parm etros de difusin
en los slidos es la exp erien cia.
De ord in ario, en la p rctica de la inv estigacin experim ental de
los procesos de difusin de impurezas en los slidos, se u tilizan las
solu ciones de la ecuacin de la segunda ley do F ic k para el caso uni
d im ensio nal, con determ inadas condiciones in iciale s y do frontera,
de un problem a fsico con creto. Veam os dos tipos de condiciones de
fron tera, do los m s frecuentes, y las soluciones correspondientes a
ellos.
Difusin desde una fuente constante. La substancia que se difunde
lleg a n un cuerpo se m iin fin ito n trav s del plano x =- 0, de manera
quo su con centracin su p erficial C0 so m antiene constante. Lus con

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232

C a p . 0.

P r o p ie d a d e s

t r m ic a s

d o l o s s t 'tlid o s

dirim ios do f ron l e r a del problem a (Z es ul tiem po)

hoii :

C (a;, /) - t' ru and o x 0 para todos los Z,

C (x, t) 0 cuando x > 0 y t = 0,
C (x, ) C cuando x

0 y t > 0.

Con estas con diciones la solucin do ln ecu acin (6 .1 2 3 ) es:

C ( * , t) = C0 [ 1

|=r

*/(2 y di)

e x p ( a2)dz"|,

(6 .1 2 5 )

donde z es la c o n sta n te do in teg raci n . L a in teg ral en (6.125) rocibe

el nom bre_do /uncin de errores (in te g ral de G auss), se designa por
erf [x!(2 Y D i)] y la ecu acin (6.125) se escribo on la form a

donde erfe os la form a abrev iad a de e scrib ir la funcin de errores

com p lem en taria 1 erf. L a d istrib u ci n do la con cen traci n C (x , Z),
com o puede verse por (6 .1 2 6 ), vien e d eterm inad a por tres m agnitud es:
C?, D y ol tiom po de d ifusin Z. L a solu cin (6 .1 2 6 ) doscribe bien la
d istrib u ci n do las im purezas en profundidad cuando In difusin es
de un m edio gaseoso o do v ap or. u la fig. 6 .2 0 se dan la d is trib u
cio n es en profundidad do la s con cen tracio n es re la tiv a s do las im pu
rezas para tres valores d istin to s del tiem po do d ifu sin Z.
E x p e rim e n ln lm en te (por ejem p lo , em pleando el m todo de los
tom os m arcados o trazadores) se d eterm ina la form a de la dependen
cia do ln con cen traci n C /C 0 = / ( j) , por la cu al, para un v alo r do x
d eterm inad o, se h a lla C /C 0, y despus, por la frm ula (G.126) se de
term ina erfe \xl(2.yI)l)\ y , por con sigu ien te, erf \xl(Z^D)\ e rf i j .
Conociendo erf//, a p a rtir do tab las esp eciales1), se h a lla y =
= x/('lY D I), de donde, si so conocen x y Z, so c a lc u la el c o e ficie n te
de difusin D para la tem peratu ra dada.
D ifusin desde una fuente no constante. La fu en te, de grosor h ,
se encu entra en la su p erficie x 0 de un cuerpo s e m iin fin ito . Ln
d iferen cia esen cial respecto dol prim er caso con siste en que la fu en te
de la su b sta n cia que se difunde est co n stitu id a por una can tid ad
fin ita do im pureza, y no in fin ita com o o cu rra en el prim er caso , es
d ecir, la d istrib u ci n in icia l do la im pureza se da en la form a

C (x , ( ) ) =

C cuando O^.rzS^h,
0

cuando l i ^ x ^ o o .

J) En la U J1SS, por ejem plo: T a b la s do funciones p ro b a b ilistica s. Contro

do com putacin do la Academ ia do Cioticins do la U ltS S . M osc, 19 7 0 , l . t .

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6.4. D ifusin en lo s slidos

Fig. 6.20. Dependencia de las concen

traciones relativas do impurezas difun
didas rospccto do la profundidad do
difusin (ta > t 2 > tj)

233

Fig. 6.21. Dependencia de ta con

centracin do impurezas difundidas
respoclu do la profundidad do difu
sin (ta > t3 > tj)

S i h tion d o n cero y so tie n e en cu en ta que C 0h = Q0 es la ca n tid a d

in ic ia l de s u b s ta n c ia que h a y en la ca p a , referid a a la unidad de su
p e rfic ie de la m is m a , la so lu ci n de la segunda ecu aci n de F ic k
(6 .1 2 3 ) os:
<6 - , 2 7 >

U n la fig . 6 .21 so lia roprosentad o tina serio do d opendoncins

(6 .1 2 7 ) p ara d ivorsos v a lo res del tiem p o de d ifu si n . A l co m p arar
la s c u rv a s de la fig . 6 .2 0 con la s de la fig . 6 .2 1 cs f c il a d v e rtir quo
en el p rim e r caso la d is trib u c i n do la co n ce n tra ci n en lo s p ro x im i
d ades de la s u p e rfic ie no depende del tiem p o de d ifu si n , m ie n tra s
que en el segundo la d is trib u c i n se c a ra c te riz a por una co n ce n tra ci n
s u p e rficia l c o n tin u a m e n te d ec re c ie n te .
S i p a rtie n d o do lo s d ato s e x p e rim e n ta le s so co n stru y e la g r fic a
de la d ep en d en cia de ln C (x , ) re sp e cto de z 2, de acuerdo con (6 .1 2 7 )
o b te n e m o s u n a re c ta (fig . 6 .2 2 ):
ln C (* , ) = ln 7 ? k -

45r;

lg a = - w

D e te rm in a n d o tg a y el tiem p o do d ifu si n , podem os h a lla r el

c o e fic ie n te de d ifu si n D . Y ca lcu la n d o lo s c o e ficie n te s de d ifu sin
a v a r ia s te m p e ra tu ra s , podem os c o n stru ir la cu rv a de la d ep en den
c ia d el c o e fic ie n te de d ifu si n D resp ecto de ln te m p e ra tu ra [fr
m u la (6 .1 1 8 ) y fig . 6 .2 3 ]:
ln D = ln D 0 Q I(R T ).

(6 .1 2 8 )

P o r la ta n g e n to d el ng u lo de in c lin a c i n tg f) = Q /R h allam o s la
en erg a de a c tiv a c i n dol proceso de d ifu sin y , despus, por
(6 .1 2 8 ), D tt.
L o s c o e fic ie n te s do d ifu si n en los s lid o s son m uy pequeos,
m u cho m en ores que en lo s gases. A s, el c o o fic ic n te de au to d ifu si n

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234

Cop. f> Propiedades trm icas do los slidos

ln C ( x , <|

1/T
F ig . 6 ,2 2 . G rfica tic la dependencia
ln C (x , t) = t (x3). correspondiente
a la frm ula (G.127)

F ig. C.23. D ependencia dol coeficien

te de difusin respecto do la tem pe
ratura

riel oro a la tem peratu ra am biente es de cerca de 1 0 -35 m Vs, y el

del oxgeno on la atm sfera es igual aproxim adam ente a 1 0 -5 mVs.
Ln energa de activ aci n do la autodifusin de los d istin to s ele
m entos v ara dentro de lm ites m uy am plios. E l an lisis estad stico
de los datos relativ o s a un gran nmero do elem entos m u estra que
para la energa de activ aci n de la autodifusin es correcta la sim ple
relacin

Q = 18 H T mt

(0.129)

en la que 7f = 8,3 1 4 J rnol*1- K * 1 y 7'm es la tem peratu ra de fusin,

K . A s, para el oro (7 'ln = 1330 K ) la energa de activ aci n c a l
culada por lo frm ula (0.129) es 2 -1 0 i J -m o l"1, lo que co in cid e b a s
tan te bien con el "o lo r Q = 1 , 9 - 105 J - m o l -1 obtenid o de los e x p e ri
m entos aplicando o) m todo de los tom os trazadores.
E l factor prooxpoiioiic.inl D 0 vara on la m ayora do lo s casos den
tro de un intervalo relativ am en te estrecho: do 1 0 ' a 1 0 "* in2/s.
Los parm etros do d ifusin, determ inados por lo general on m e
diciones a a lta tem peratu ra, tienen gran im p ortan cia para poder
com prender los diversos procesos que tienon lugar en los slid os, ya
que ello s dan la posibilidad de form arse una idea acerca de la m ovi
lidad de los tom os y de los defectos en la red c rista lin a .
P ara resolver acertadam ente el nmero cada vez m ayor de p roble
mas no resueltos, relacionados con la m ovilid ad do los tom os, es
necesario un estudio ms am plio do los procesos de difusin no slo
en las condiciones ord in arias, sino tam bin en las con diciones re la
cionad as con d istin ta s influencias exteriores (irrad iaci n con flu jo s
do p artcu las cargadas, presencia do cam pos elctrico s y m agnticos
exterio res y otras). L a nueva inform acin que se obtenga en el pro
ceso de d icho estudio aportar una ayuda in calcu lab le a la resolu
cin de muchos problem as de la fsica dol slido.

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Captulo 7

Propiedades elctricas de los slidos

7.1. Clasificacin de los slidos

por su conductibilidad elctrica
En el cap. 2 indicam os que de base para ln clasificaci n de los s
lidos pueden serv ir d istin to s criterio s, l or su conductibilidad elc
trica ospecfica a, tam bin llam ada conductividad e lctrica , todos
los slidos pueden d ividirse en tres grandes grupos: metalen , dielctri
cos y semiconductores. Los m etales son m agnficos conductores de la
corrien te e l c trica . Su conductividad n Ja tem peratura am biente
oscila de 104 a 10 i ^ - c i n * 1. Los d ielctricos, al con trario, prc
ticam en te no conducen la corriontc y so u tilizan como aisladores. La
condu ctivid ad do esto grupo do substancias es menor que 1 0 * 10 SJ_l x
x erar1. Los slidos que tien en un valor interm edio do o, cs decir,
do 104 a 1 0 -1Q -1 -c n i_1, pertenecen a la claso do los sem iconductores.
E n la fig. 7.1 puede vorse que la conductividad de diversas subs
tan cias oscila dentro de lm ites muy am plios. E s m s, un mismo
slido, en dependencia de las impurezas o defectos que contenga,
puede tener d istin ta conductivid ad . A s, por ejem plo, ln conducti
vidad del silicio c rista lin o vara desde O3 hasta 1 0 " 6 Q _ l-cm -1, y
la dol sem iconductor CdS est com prendida en el intervalo de 103
a 10~ls Q _1-c m _1. E ste ltim o ejem plo m uestra, on p articu lar, que
a l pasar de un grupo de substan cias a otro los valores de la con
ductividad pueden superponerse. P or eso la clasificaci n de los s li
dos por la con d u ctibilid ad elctrica no es totalm ente unvoca. La
d iferencia en tre los m etales, por una parte, y los d ielctricos y sem i
conductores, por o tra, se m an ifiesta con b astan te claridad en la mar
cha de las dependencias de la conductividad respecto de la tem pera
tura. P ara los sem iconductores y d ielctricos esta dependencia (en
cierto intervalo de tem peraturas) vione descrita por una expresin
de ln forma
a =

u 0 e x p [ &JZI(kB T )\ ,

( 7 .1 )

es decir, o crece con la tem peratura segn una ley exponencial. En

cam bio, en los m etales la conductividad dism inuye al aum entar la
tem peratura

(7.2)

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23(5

Cap. 7. Propiedades o lctrcas de los slido

E n las expresiones (7.1) y

(7.2)
rr, y a son r orlas
1
A ij. Cu
1
co n stan tes. A tem pera turas
IO s Z -------- Rb.Sn.FeJ metates
prxim as a 0 K , ln rn in lu rli V
InSb Imliitccol
vidad do muchos m tales cesa
10
do v a r i a r y tien e c ie rto v a l o r
temicon- - -G e lir.irnsecoj
fin ito . E n algunos m etales
\Jucioros
Si (intrnseco)
1 0 -5
surge el estado de supercon
d u ctiv id ad . Los d ielctrico s y

Se (cristalino)
los sem iconductores se c a ra c
10M terizan porque su co n d u ctib i
2
Polietileno
lidad cuando T * 0 so anula.
diele 1 0 -' - L M ica
tricos
E l m odelo de los electrones
I
Oiamante
lib re s, estudiado en el cap
10" X

tu lo an terio r, propuesto por

Drudc y perfeccionado por L o
Fig. 7 .1 . In terv alo de v ariacin do la
cond uctivid ad de d istin to s slidos a la
rentz y, sobre todo, el m odelo
tem peratura am biento
de Som nterfeld, que tien e en
cuenta el c a r cte r cu n tico
del gas electr n ico , e xp lican b astan te bien una serie de propiedades
de los m etales. Pero ni el uno ni el otro dan respuesta a las pregun
tas sig u iontes: por qu v ara la condu ctivid ad de los d istin to s s
lidos dentro de lm ite s tan am plios?, por qu unos m ateriales son
buenos conductores de la corrien te e lctrica y otros son d ielctricos?,
por qu en algunos slidos a b a ja s tem peratu ras surge la supercon
d uctiv id ad ?
L a fa lta de respuesta a las preguntas p lantead as se debe, evid en
tem ente, a las excesiv as sim p lificacio n es que sirven de base al mo
delo de los electrones lib res. Do e lla s las princip ales son:
1) la aproxim acin de los electro n es lib res, que con siste en no
tener en cuenta la in flu en cia de los iones cargados p ositiv am en te
sobre el m ovim iento do los electrones en los in terv alo s entro lo s
choques;
2) la aproxim acin do los electrones ind ependientes, que supone
que entre los electrones no e x iste in teracci n .
E l origen fundam ental do la s d ificu ltad es con que tropiezan las
teo ras de D ru d c Lorentz y de Som m erfeld est relacionad o con la
aproxim acin do los electrones lib res. L as in teraccio n es de los elec
trones con la red c ris ta lin a y en tre s se tienen en cuenta en ln teo
ra de las bandas en los slid os, cuyos fundam entos se estudian m s
ad elante.
cm

7.2. E cuacin de Schvdinger para el slido

Todo slido est form ado por tom os, es d ecir, os un con ju n to de
ncleos y electrones. Eli los slidos c rista lin o s los tom os so oncuonIran en los nudos du la red c ris ta lin a , la cual tien e periodicidad t r i

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7.2. K rinirin do ScUrudngor para ut slido

237

d im en sion al. E n los cuerpos am orfos la d isposicin de los tom os es

m s o m onos alea toria.
K l o s l a d o e s t a c i o n a r i o d o I n d n s Ins p a r t c u l a s s o d e s c r i b e p o r ln

ecu acin ele Schrodin ger:

f/'V -

JiV ,

(7.3)

en la quo H es el lia iu ilto n ia n o de todo elco n ju n to dop a rtc u la s, es

d e c ir, olh am ilto n in n o del s lid o ; V , la funcin doonda propia; E ,
la en erg a del slid o . L lam em os r lt r 2, . . . a los radios v ecto res de
los e lectro n e s y f t , , II.., . . . a los radios vectores de los ncloos, y
sean M h la m asa dol ncleo del tom o tip o /i y in, la m asa del e le c
trn.
E l h n m ilto n in n o de un siste m a de p artcu las es
// = K + U,

(7.4)

donde K es el operad or do la energa c in tic a do dicho sistem a y U,

su en erg a p o te n cia l. E l operad or de la energa c in tic a para el slido
q u e se con sid era os
=

- ( 2 1 ^

+ 2

i
A qu A t

a2

-h

0Z

-j-

(7 .5 )

os el operador de Laplnco pora ln p a rt

c u la i-sim a. E l p rim er trm in o en (7 .5 ) es el oporador de la energa

c in tic a de los e lectro n e s, y el segundo, el de la de los n cleos.
L a en erg a p o te n cia l del c o n ju n to de p a rtcu la s que form an el
s lid o se com pone de la s en erg as de las in teraccio n es por p arejas de
los e lectro n es con lo s e lectro n e s, do los ncleos con los ncloos y de
los eloctronos con los ncloos:
// _

1 V
2
i

e'________l J - V V
2
"
4jiee<i |
h l&*h

4neE0 |r< ri f

2 S
i

K |

4aee0 i r, R A |

Los prim eros dos trm in o s en (7.6) expresan la energa de la repul

si n cou lom biann do los e lectro n e s y do los ncloos resp ectiv am en te,
y ol te rc e r t rm in o , la energa do a tra cci n du los oloctronos por los

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238

Cap. 7. Propiedades elctrica s ile los slidos

n cleos. Do este modo, la ecu acin de Sch ro d in g er la escribirem os er

la forma

[ - ( Si * . + 2h * * . ) + Si
I

ZhZtr*

'-

_ _

I s J jU 4jikb0 I lt/ .-H , i

li l**h

P -7 )

L a funcin de onda que figura en la ecuacin (7.7) depende de las

coordenadas do todas las p a rtcu la s, os d ecir,

V <r1(

r r3................

K R,

R w) .

(7.8)

S i a esta funcin de onda se le im ponen las lim ita c io n e s que se in

fieren de su sen tid o fsico (fin itu d , u n iform idad , con tin u id ad ), la
ecu acin de Sch ro d in g er (7 .7 ) tend r solu cin no para cu alesqu iera
v alo res de E , sin o solam en te para algunos. E so s valo res de E , solu
cio n es de ia ecu acin (7 .7 ), d eterm inan los n iv eles de energa (espec
tro en erg tico ) del slido.
P ero debido al enorm e nm ero de v ariab les independientes, la
ecu aci n (7 .7 ) no se puede resolv er en la actu alid ad en la form a ge
n e ral. P ara b uscar una solu ci n aproxim ada se recurre a una serie de
suposicion es sim p lificad o ras.
E n p rim er lu g ar prestem os aten ci n a] hecho de que, a causa de
la gran d iferen cia en tre los m asas de los ncleos y de los electrones
m ), el c a r c te r de m o v im ien to de e stas p a rtc u la s ser noto
riam en te d istin to . Los n cleos realizan en los c ris ta le s vibracion es
respecto de c ie rta s p osicion es de e q u ilib rio . Los electro n es, en cam
b io , p a rticip a n en un m o v im ien to de v aiv n . Su v elocid ad es mucho
m ayor que la de los n cleos. Cada v ariaci n de la posicin de los
ncleos conduce al e sta b le cim ie n to , p r ctica m en te in stan tn eo , de
una nu eva d istrib u ci n do lo s electro n e s. Cuando el n cleo se mueve
le n ta m e n te , los electron es son arrastrad o s por l y , com o resultado,
se consorva la integrid ad del tom o. Al m ism o tiem p o , en v irtu d de
la in e rc ia , cl n cleo no sigue el m ov im ien to de cada electr n , sino
que se m ueve en el cam po prom ediado de todos los electrones.
L a ap ro xim aci n que tien e en c u e n ta la d iferen cia de ca r cte r del
m o v im ien to de lo s ncleos y de los electro n es recib e el nom bre de
ap roxim acin a d ia b tica o aproxim acin de B o rn O ppenheim er. La
suposicin rns burila debe c o n sis tir en que los ncleos estn en re
poso. E n osle coso los rad ios v ecto res de los n cleos R ,, R 2, .
. .
R w ya no son v a ria b le s, sin o quo representan las coordenad as
fija s de los mulos de ln red: R 01, R 02, . . ., R ow. T en ien d o en cu enta

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7.3.

A | ) r o .\ ii n iic i6 u

m onoolcclrnni

estn su p o sicin , la ecu aci n de S ch rd in g er se sim p lifica m ucho. E n

Tocio, si los n cleos de los lom o s estn en reposo, la energa cin lion do d ich o s n cleo s so nm iln. I.n energa p o le iiria l do ln internecin de los n cleos se c o n v ie rte en cie rta c o n sta n te , es d ecir,
7

2 S /m eeoV ti-U , | = con slh l-lt

( 7 -9)

E lig ie n d o co n v en ien tem en to el punto de referencia de ia energ a,

sta so puede an u lar. T om an d o esto en con sid eracin, la ecu acin de
S ch r d in g er tom a la form a

S - s ^ .-.y T -

i jTbi

- i 2

2
i

faec, | $ R

] y , - a , .

(7 .1 0 )

E s ta ecu aci n d escribe el m o v im ien to de los electro n es en el cam po

de los n cleos en reposo. A qu la energa de los electron es E,. y su
fu n ci n de ond a Y ,, dependen slo p aram tn cam e n te de las coordena
das l<0j do los n cleos en reposo. L a s coordenadas
figuran ya on
la e cu aci n (7 .1 0 ) no com o v a ria b le s , sin o en form o de parm etros
cuya elecci n in flu y e en el v alo r de ln energa del slid o E t y en la
fu n cin de onda Y * :
Y ( = Y (r r a

r . B 01f R 02

R 0JV).

(7.11)

A pesar de la s grand es sim p lifica c io n e s hechas, la ecuacin de

S ch r d in g er (7 .1 0 ) no puede reso lv erse. P o r eso so u tiliz a n ap ro x i
m aciones co m p lem en tarias. U na de e lla s es la llam ad a aproxim acin
de v alen cia. Se consid ora que todos los electro n es de las cap as in te r
nas d el tom o fo rm an , ju n to con el n cleo , un residuo atm ico en
reposo, es d ecir, u d ion, y la ecu acin (7 .1 0 ) se escrib e n icam en te
para los e lectro n e s de v a le n cia , que se m ueven en c ie rto cam po re
s u lta n te de los io n es in m v iles. P ero en este caso tam bin hay que
resolvor un p roblem a de m uchos p a rtc u la s, lo cu al no se consigue.

7.3. A p ro xim acin m onoelectrnica

E n ol m arco de la s ap ro x im acio n es a d ia b tica y de v a le n cia , la
fu n ci n de onda del siste m a sigue dependiendo de la s coordenadas de
todos los e lectro n e s de v a le n c ia . Com o stos ltim o s se encuentran
en in te ra c c i n , las v a ria b le s de la ecu acin de Schrdinger (7.10)
no se sep aran . P o r eso, p ara reso lv er el problem a se requieren tas
sig u ien tes ap ro x im acio n es.
1*11 problem a n u il!,e le ctr n ico so puedo red u cir n m onoolcctrnico.
P ara eso so u tiliz a do o rd in ario el m todo de lla r tr e e Foclc, cuya idea

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Ciu>. 7. I ropiudndo3 elctrica s do los slidos

240

fundam ental con siste en s u s titu ir on la ecu acin (7 .1 0 ) la energa

IKitoiiciiil do la iil.eriiceiii de Ion elnr.l runos ' V ''')
*f i

- f

. I 1"!'
'Vi

(r), quo roprosontu ln oncrt

ga de in teraccin del i-sim o electrn con c ie rto cam po o fo clivo , en
el cual cada electr n so nniove ind ep endientem ente. E s te cam po efec
tiv o cara cte riz a la accin de lodos los dem s electro n es sobre el
electrn i-sirnn. In d reclm en lo dependo tam bin del m ovim iento
del f-.simo electr n , ya ino sto e je rc e in flu en cia sobro ol m ovim ien
to do todos los dem s electro nes.
Suponiendo que lientos b ailad o d iclio cam po, escribim os la ecua
cin (7.10) en la forma
uiiii energa potencial de la forma

[ ~

A. +

0 1 (* < > +

V, ( -i)] V. = B'V.

( 7 .1 2 )

o bien

A qu U (r() dosigna la energa p otencial dol -simo electr n on el

cam po de todos los ncleos 4 ~ 2

r*R \ y

e* s no

sum acin en (7 .1 3 ) so encuentra el h n m ilto n ian o del -simo e lec

trn

A ,+ & ,( *!)+ P , ( r ,).

(7 .1 4 )

P or lo ta n to , la ect acin do Sclirodinger so puede e sc rib ir as:

//V. = S H i V ' - E ' V ' .
i

(7 .1 5 )

Como ahora el lu m ilto n in n o no con tien e Ja energa de in teracci n

de los olectrones y es la sum a do los b am ilto n ian o s do los electrones
por soparndo,
la sounin do la ecu acin (7.15) es un producto de
funciones m onoolcctrnicas:
y , (r

. .) =

1|),

( r , ) i|>2 ( r 2)

. . .

= r lli|>, ( r , ) .

( 7 .1 0 )

Cada funcin i|-.( ir) sa tisfa ce una ecu acin de S cliro d in g er monoelectr n ico

f f q = E , ;1|> (,

(7.17)

on la cual la in teracci n dol -simo electrn con los domas so describo

por ol p o ten cial

U (r ().

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7.3. Aproxim acin m onoelectrnica

241

A s, pues, la in tro d u cci n de) cam po ofoctivo da la posibilidad

de red u cir la ecu acin n iu ltio loctr n ica a un sistom n do ecu aciones
n iou u elocIrn icas. ICn oslo caso ln energa dol sistom n os

Ee= ^ E ,,

(7 .1 8 )

Amiqtio la funcin do onda (7.10) os solucin do la ecu acin do

S ch r d in g er para el c r is ta l, no satisface el p rincipio de P aul i .
De acuerdo con esto p rin cip io , on un estado c u n tico , c a ra c te ri
zado por una funcin de onda tpj, no pueden encontrarso ms de dos
electro n es, con d is tin ta o rien taci n de los espines. L a funcin de
onda com p leta del siste m a que satisface esta con dicin debe sor
a n tisiin trica , es d ecir, si cam b ian de s itio dos electro n es (permu
tand o sus coordenad as y las proyecciones del esp n), la funcin debe
ca m b ia r do signo. L a funcin
(r() no sa tisfa ce e sla co n d ici n .
i
La fun cin de onda a n tisim tric a so escribe en form a de determ inante

de S la t e r :

'M 'l n I 21

1
l'j

ti (<ll) t i (9a)
ta (la)

ti(9w)
ta(q^)
(7 .1 9 )

tw (qt) tiv (h) tw(qjv)

en el que Ar es el nmero de electron es y q ( designa el con ju n to de
las tres coordenadas esp aciales y las proyecciones del espn. E l facto r
1/J/AM asegura la n o rm alizaci n de la funcin f t. Las propiedades
asim tricas de la funcin (7.19) se infieren de la s propiedades del
d eterm in an te.
R eto rn em o s ahora al problem a do la eleccin del cam po efectiv o

Ut (r,). E ste cam po hay que eleg irlo de m anera que describa lo m ejor
posible la acci n prom ediada sobre cada electrn do los dem s e lec
trones.

P a ra

d eterm in ar U (r,) hay que con ocer las funciones de

onda tj>, (r), las cu ales slo pueden h allarse conociendo / (r,). Por
lo ta n to , el c lc u lo debe ser a u to co n sisten lc. P or eso el cam po efec
tivo U\ (r) suelo lla m a rse cam po autoconsistente. Para h allarlo se
u tiliza el m todo de v ariacio n es. Pero resolver el sistem a de ecua
ciones in teg ro d iferen ciales de H a rtre e Fo ck que se obtien e es e x tra
ord in ariam en te d ifc il.
Llam em os F (r) a la energa p o ten cial del electrn en o c rista l:

<r> = U (r) + U (r)

IIS -0 1 U 7

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(7.20)

242

Cap. 7. Propiedades elctricas de los slidos

y escribam os la ecu acin de Sch rodinger en la forma

[ ~

A -t- V (r ) ] ^ <0 = Ttl> (r).

(7 .2 1 )

Como en el c rista l los tom os estn situ ad os en el espacio de un mo

do rigurosam ente peridico, el potencial com pleto i (r) de! cristal
debo tener periodicidad trid im en sio n al. L a form a e xacta del poten
cial peridico V (r) se desconoce, aunque para algunos d ielctricos
y m etales V (r) se puede c a lc u la r con b astan te seguridad. Felizm en
te, para ob tener los resultados fun dam entales de la teora no es ne
cesario conocer con ex actitu d la form a del potencial V (r). Lo impor
tan te es slo conocer que V (r) es una funcin peridica cuyo periodo
coincid e con c) do la red c rista lin a .

7.4. Fu n cin de B lo ch
F. B locli dem ostr que las funciones de onda, que son soluciones
do la ecuacin de Sch ro d ing er con potencial peridico, cuyo perodo
es igual ol de la red, representan ondas planas m oduladas por c ie rta
funcin con la periodicidad de la red, es decir,
'ffc(r) -

Uk (r) c lkr.

(7 .2 2 )

Aqu
\ (r) es c ie rta funcin p eridica, con perodo igual al de la
red, quo depende del v ecto r de onda k.
E scribim o s la con dicin de periodicidad de la energa potencial
del electrn en cl c ris ta l:

V (r) ~ V (r + n ),

(7.23)

en la quo
n =

+ reb

nfi,

(7 .2 4 )

donde n, b, e son los vectores u n itario s de las traslacio n es y /ilt n 2

y
son nmeros enteros a rb itra rio s. Cuando cl c rista l sedesplaza
en la m agnitud n, coincid e consigo m ism o. De la condicin de sim e
tra de traslaci n se sigue que la funcin de onda
(r) del electrn se
d iferen cia tic la funcin de onda
(r + n) en un facto r co n stan te,
o sea,
i|! (r + n) = CiJ) (r).

(7 .2 5 )

Do la con dicin de norm alizacin so infiero quo

I C | = 1.

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(7 .2 0 )

7.4. Funcin de Blocli

241

L a condicin (7.26) puede satisfacerse suponiendo

C = o ""' .

(7.27)

E fectivam ente, |C |2 |otkn ]* = |eos kn |~ i son kn p = eos2 /cn-f-|- sen1 kn 1.

En ln o.\presin (7.27) k es el vector de oniln quo caracteriza el
estado cu ntico dol oicclrn en el c rista l. E s natural que el exponente
de la funcin oxpononcial debe ser una magnitud adim cnsonnl.
Como n tiene dim ensin de longitud, k debe tener la dimensin
recproca de la longitud, es decir, c m "1. E l mdulo del vector k se
llam a nmero de onda. Su sentido fsico es el de nmero de longitu
des de onda que caben en el segmento 2n:
|k | = k = 2 n/\.

(7.28)

Teniendo en cuenta (7.27), escribim os (7.25) on la forma

i|> (r + n) = e lk" 1|> (r)

(7.29)

o bien
i|' (r) = e _ik">j5 (r 4- n) /k (r) e ikr.

(7.30)

Aqu L'il (r) designa la funcin

Uk (r) = e - <k<r+"> i|> (r + n).

(7.31)

que es peridica, con perodo igual al de 1a red. E n virtud de (7.28)

y (7.31) tenemos
/k (r -j- n ') = c _I'k(r+n+"'b|> ( r + n + n ')
= 0-Ur+n1..i'l0fkn^) ( r _j_ =

k(r

( r + n) = /k (r).

A s, en efecto, la funcin do onda del electrn en el cristal ropresenta una onda progresiva o'llr modulada por la funcin peridica
Uk (r), que tien e el perodo de lo red y que dependo del vector de
onda k. L a funcin % (r), determ inada por ln expresin (7.22), rocibe el nom bre de juncin de Bloch.
Del vector de onda k depondo tambin la energa dol olectrn.
Ln forma concreta do esta dependencia F. (k) puede hallarse resol
viendo la ecuacin de Schrodingcr
/>4k (r) = / ? ( k ) tk ( r ) .

(7.32)

E n con trar la dependencia E (k) es uno de los problemas ms imporl<iiiIes de ln fsica dol estado slido.
18

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244

Cop. 7. Propiedades elctrica s do los slidos

7.5. Propiedades del vector de onda del electrn

en el cristal. Zonas de Hi-Mloum
151 vector de onda k , in tro d u cid o al estu d iar la funcin de liloeli,
deseinpoa en cl problem a dol m o v im ien to del electrn en cl campo
peridico dol c ris ta l cl mism o papel que deso ni pea ol v ecto r do onda
en el problem a del m o vim iento dei electrn lib re. 151 estado de un
electrn de m asa m que se ninovo lib rem e n te se cara cte riz a por la
energa E y cl im pulso p. E n este caso

E = pV (2m ).

(7.33)

A osle electr n correspondo uno onda de Tiroglie de longitud

X = h p h/(nw ),
donde v es la velocidad del electr n . T eniend o en cu en ta que
= 2it/?v, escribim os (7 .3 4 ) cu la form a
p = /k,

(7.34)
| k | ==
(7.3.7)

en Ja que h h /(2 n ). So ve que el v ecto r de onda esproporcional al

im pulso dol e lectrn .
La energa del electr n lib re est lig ad a con k por la rolacin

E = hk"/(2m).

(7.3(1)

S i sobre ol cle clr n o act a fuerza algu na, su energa perm anece
c o n sta n te (E (k) = co n sl). E sto s ig n ifica que k uo v a ra y que el
im pulso p perm anece c o n sta n te . E n esen cia stas son los leyes do
con servacin de la energa y ol im pulso.
Sobro el electr n que se muevo en ol c ris ta l act a siem p re ol cam
po peridico do la red. Ln energa de e sta in teracci n es fun cin
peridica <le las coordenadas, Por co n sig u ien te, la en erg a y cl im p u l
so dol electrn on ol c r is ta l v aran con el tiem po b a jo la accin de
este cam po, es d ecir, no se consorvan.
Pero ap licand o ol con cepto de v ecto r de onda k in tro d u cid o para
ol electrn en el c ris ta l, es d ecir, que figura en la fun cin de B lo cli
(7 .2 2 ), puede introd u cirse una c a ra c te rs tic a , anloga ni im pulso,
pero que so conserve con el tiem p o:
P = /k

(7.37)

Para su b ray ar la sem ejanza y , al m ism o tiem p o, in d ic a r la d iferen cia

entro Iii m agnitud h k quo figura un (7 .3 7 ) y i'l im pulso verdadero, a
esta m agnitud so lo da el nom bro de cuasU nipulso del e lectr n .
S i una m agnitud fsic a cu alq u iera se con serv a, el operador de
dicha m agnitud con m u ta con cl operad or do ila m iito n . A s. al ro a -

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7.5. Zonas de Brillouin

245

si impulso 1 dcl)C corresponder cierto operntlor 1* quo conmuto con ol

ham ilLoninuo do la red c rista lin a :

VH IIV = 0.

(7.38)

P o r lo ta n to , puedo afirm arse que durante ol m ovim iento del elec

trn en el entupo peridico de la red, las funciones propias
do los

operadores P
yH
deben ser iguales y entre sus valores propios debo
e x is tir una relacin funcional determ inada:

E = E (P).

(7.39)

E sto sig n ifica que la energa del electrn debe ser funcin del cuasiim pu lso.
E st claro que el operador P no puede tener la form a del operador
del im pulso ordinario p = i'ftV, puesto que no conm uta con el ham il toniano de la red II = (7/(2m)l A +- V (r):

4 r -ir

= w [ > v ( -^ v - p ) +
+ ( ~ v * + ') f c v ] - - ( W ) .

(7.40)

Por o tra p arte, est claro que en tre el operador del cuasiim pulso P
y el operador del im pulso p debo e x is tir relacin. Supongamos que la
energa potencial de la red se con vierte en cierta con stan te, es decir,
VP
0 . E n esto caso el cuasiim pulso se con vertir idnticam ente en
im pulso.
R epresentem os el operador del cuasiim pulso en la forma

(7.41)

V = ~ i h V + lh(v),

en la quo g (r) es cierto operador que asegura la conm utacin de H

A

y P. E s evid ente quo g (r)

0 cuando

* 0-

P ara h a lla r el operador g (r) escribim os la ecuacin

Pi)>k (r) =

(r),

(7.42)

en la cual ponemos P en la forma (7.41) y lo funcin de onda en

la form a de funcin do B lo ch :
t|'k (r) = i/t'k\)'k (r) -|- e * r ( t/tV/k ( 0 ) +
= * M k (r) -I- i i |g -

(r) ~

V ln Uk (r)| i j k (r) --- Pt]'k (r).

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(7.43)

246

Cap. 7. Propiedades el c trica s de los slidos

D o a q u p u ed o e s c r ib ir s e :

> = ftk y g =
S i y K (r)

0,

U k (r) tend er,

V I n Uk (r).

(7.44)

en ia fun cin do B lo c h (7 .2 2 ), a

c ie rta c o n sta n te . E n este caso g

0 y el cu asiim p n iso se co n v ierte
id n ticam e n te en im pu lso o rd in ario.
P restem o s ahora aten ci n a que el v e cto r de ond a d el electr n en
el c ris ta l, a d iferen cia del v e cto r de ond a del electr n lih re , no es un
voco. P a ra d em o strar esto e xam in em o s la con d ici n do tra sla c i n
(7 .2 9 ) que so im pone a la fun cin de onda del e le c tr n , en m o v im ien
to on el cam po peridico de la rod:
(r -h n) = e ik" i|> (r).
E s ta con d ici n no se in frin g e si e l v e lo r de onda k se su stitu y o por el
v e cto r k 4 - 2 n H , en el que H = h a * + /cb* + le * os el v e cto r do la
red recp ro ca. E fe c tiv a m e n te ,
e l(k + 2 n )n i== e (ln)e <2 jr(Iln) _

e ikn

( 7 .4 5 )

en v irtu d de que (U n) = m y exp (i2nm ) = 1. A s llegam os a la

con clu si n do que los estad os caracterizad o s por el v e cto r do onda k
y el v e cto r do onda k -)- 2 jiH son fsica m e n te e q u iv a le n te s. P o r lo
to n to , la s en erg as de los e lectro n es que so en cu en tran en esto s dos
estad o s son igualos. En o tra s p alab ras, ta n to la funcin do onda com o
la energa del electr n en ol c ris ta l son fu n cio n es p orid icas del v ec
to r do onda k , con perodo 2 jiH (o del cu ns m p u lso P , con perodo

2nhH ):
E (k) = E (k + 2 jtH ),
E (P) = E (P + 2nhH ).

(7.4(1)
(7 .4 7 )

S i en el esp acio k (o en el esp acio P) se con stru y e una red re c p ro

ca 2jt veces m s oxtonsn, es d ecir, una rod cu y o s v ecto res sean 2 n n *,
2 jib * , 2 n c * (o 2 n h a * , 2n/ib*, 2n/c*), todo el e sp acio k (o P) se podr
d iv id ir en regiones en las cu ale s e x ista n estad o s fsic o s e q u iv a le n te s.
E s ta s regiones se llam an zonas de B rillo u in . E l p olied ro de volum en
m n im o , con stru id o alred ed or dol origen de coord en ad as en e l esp a
cio k (o P), que con tien e todos los d iferen lo s estad o s p o sib les se llam a
p rim era op rin c ip a l zona de U rillou in . V alin d o se de los v e cto re s de
la red re cp ro ca , un punto c u a lq u ie ra del esp acio k (o P ) se puode
tra sla d a r a la prim era zona de B r illo u in .
L a prim era zona de B rillo u in es la c e ld illa e lem e n ta l de W ig n e r
S e itz de la red recp roca e x te n d id a 2 jt veces. P ara d eterm in ar
la form a de la p rim era zona de B rillo u in hay que c o n stru ir la red
recproco con p arm etros do la c e ld illa 2 n u * . 2 j i I>*, 2 n c * y dontro do
ella c o n stru ir lo c e ld illa de W ig n e rS e itz , ap lican d o la s reg las d es
c rita s en el cap. 1.

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7.5. Zonas de Brillouin

a)

b)

247

cj

Fig. 7.2. Primera zona de Brillouin para las redes cbica simple (a), cbica
centrada en el cuerpo (b) y cbica centrada en las caras (c)
E xam in em os, por ejem p lo , una red c bica sim ple con parm etro
<le la c e ld illa igual a a . E n el cap. 1 se m ostr que para ella la red
recproca tam bin es c b ica sim ple, siendo a * ~ i / a . L a ce ld illa de
W ig n e r S e itz en ol espacio k , es d ecir, la prim era zona de B r i
llo u in , es en este caso un cubo do volum en SjtVu3. E n efecto, el cubo
con stru id o sobre tres vectores perpendiculares en tre s de longitud
2 n /a, contiene todos los puntos no eq u iv alen tes, ya que stos no
pueden obtenerse uno de otro valindose de un vector H cualquiera.
Todos los puntos quo se encuentran fuera de este cubo se pueden obte
ner de los puntos situ ad os dentro de l. Para co n stru ir la primera
zona de B rillo u in hay que tra sla d a r todos los puntos en la magnitud
dol v ecto r ( n /a , n/a, n /a). Al hacer esto el contro del cubo
coincido con ol punto de referencia k = 0 . A s pues, todos los valo
res no e q u iv alen tes do los com ponentes dol vector k se encuentran
en los in terv alo s

*^

a ^

(7.<58)
'

L as prim eras zonas de B rillo u in para la s redes c b ica sim p le,

c b icn cen trad a on ol cuerpo y c b ica conlrada on las caras se mues
tra n en la fig. 7 .2 . La e q u iv alen cia de los estados fsico s, pertene
cie n te s a d istin ta s zonas de B rillo u in , da la p osibilid ad , cuando cl
electr n se m ueve en el espacio k, de consid erar su tray ecto ria so la
m ente dentro de los lm ite s de la prim era zona.
Todo c ris ta l real es lim ita d o . E s ta lim ita c i n conduce a que el
v ector de onda dol electrn slo puede tener una serio d iscreta de
valores. P ara ca lcu la r el nmero de valores perm isibles de k en la
zona de B rillo u in es necesario tenor en cu enta las condiciones de
frontera. A nlogam ente a com o se hizo en el cap . 5 , para calcu lar el
nmero de v ibracion es propias de una cadena unidim ensional do
tom os, vam os a u tiliz a r las condiciones do frontera c clica s de
B o rn K n n n .
Supongam os que e l c rista l tien e la form a de paraleleppedo con
dim ensiones sobre los e je s x, y, z iguales respectivam ente a L x,

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248

Cap, 7. Propiedades elctricas de los slidos

L z. Supongamos tam bin quo la red es cbica sim ple y que tiene el
parm etro a. Entonces
E x = N xa\ L = Na y L z = N ,a ,
(7-49)
donde N x, N v, N z son los nmeros de tom os que se encuentran respcclivam entu en las aristas L x, L y L t. Imponemos a la funcin de
onda que satisfaga las condiciones de B o rn K rm n:
i|> (x , y, z) = i|> (x + L x, y + L u, s + L z).

(7.50)

Teniendo en cuenta que la funcin de onda dol electrn en el cristal

tiene la forma de funcin de B loch, la condicin (7.50) puede escri
birse en 1a forma
i)ik ( i -f. L x , i/+ [j v, z + L z) =
(d(*(*+Xa)+l>|l(+t|/)+W+Lj)J/k (X + L x , y + L y, z + L) =

= Uk (x, y , 2) oU*.x+*.|i+/iI.;)0ikr

(Xi

z).

(7.51)

A qu se lia tomado en consideracin que la condicin t/k (x + L x,

y 4- L u, 2 -j- L t) = Uk (x, y, z) se cum ple a causa de la periodici
dad do la funcin Uk (r). E s evidente que L x, L, L zcontienen un
nmero entero de perodos de la red. P or lo tan to , para que se cum
pla la condicin (7.51) hay que adoptar
oxp

( k j . x + k L u -I- k t L,)\ = 1

(7.52)

o bien
exp (ih xl,x) exp (ik t L) = exp ( ik zL z) = 1.

(7.53)

Ln ltim a igualdad se cumple si

k xL x = 2 nn; k L u = 2jirez; k zL z 2 jw 3,

(7.54)

donde n,,
n 3 son cualesquiera nmeros enteros (0, 1 , 2 , . . .).
Do aqu obtenemos los valores perm itidos do lo9 com ponentes dol
vector de onda:
f c ,= - g - r ,

* y= -g -n 2

*x = I 7 3 .

(7 .5 5 )

De esta form a, en efecto, el vector de onda dol electrn no vara

con tin u a, sino discontinuam ente.
En virtud de la relacin entre k y la energa (E E (k)), esta lti
ma tam bin resulta cuanlizada. E scribim os (7.55) teniendo en cuento
(7.49):

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7.5. Zonas de Brillou in

24

T en ien d o en r enl a que los oslados ron veri ores de onda k y le +

-I- Z jtll son e q u iv a le n te s, podemos con sid erar no ln serio in fin ita
tic v alores n, sin o la lim ilad n por ln condicin

k , = 2 n a * ; n, = /V.

(7.58)

E l v alo r m s b ajo do n , 0.
As pues, los nm eros do vnloros perm itid os de los com ponentes
del v ecto r k , com prend idos en lo s intervalos V ^
?

<2
O
v am en te para k , k v y fr2. E n

n , son
to ta l,

;V,.t

N g, N z re sp ccti-

on la zona

N = N X.NNZ = L , l vI J a 3

de

B rillo u in ,
(7.59)

estod os p erm itid o s. P or (7 .5 9 ) se ve qtie N es igual al nm ero de

c e ld illa s elem en tales que hay en el c ris ta l. P ara un
c ris ta l dod
m ensiones s u ficie n te m e n te grandes, esta discontinuidad del vector
de onda k es en una serie de casos poco im p o rtan te, por lo que k secon sid era frecu en tem en te casi co n tin u o . E fe c tiv a m e n te , si a
*= 4 1 0 -s era, es d ecir, a3 6 4 - 1 0 -24 cm 3, resu lta que, para un c ris ta l
de 1 cm 3 de volum en, tenem os
AT J
*___ ~
o*
6 4 .1 0 --*

in -2

A s, pues, p a r a la descripcin com pleta de todo el conjunto de esta

dos del electrn en el cristal es su ficien te considerar slo la regin de
valores de k lim ita d a p o r la prim era zona de trllo u in . No o b stan te, a
veces con vieno tenor en cu en ta que el v ecto r de onda puedev a ria r por todo el esp acio k . Como para cu alesqu iera dos valores de
k que so d iferen cien en el v e cto r 2n H , todas las funciones de onda y
n iv eles do en erg a son gu ales, a lo s n iv eles en erg tico s se les pueden
a trib u ir n d ice s n do m an era quo, para un v alor de n dado, las fun
cion es propias y los v alores propios de los ecu aciones de Sclir d in g er
sean fu n cio n es p eri d icas del v ecto r k en ln red reeprocn:
' i n . l + 2 n l l ( r )

tp n , k

A, k+2nH *= En, k-

(r ),

(7.60)-

E l co n ju n to de todos los n iv eles en erg ticos del electrn que des

crib en los fu n cio n es ,k (o l i n (k)) Parn un v alo r fijo de n, se llam a
ban da en ergtica. Como cada funcin E n (k) es peridica y casi con
tin u a, tien e lm ite su p erior e in ferio r. Todos los n iv eles de energa
de una banda en erg tica dada estn com prendidos en e l intervaloentro estos dos lim ilo s. S i la anchura do lu banda o s ~ l oV, la dis
ta n cia inedia entro los n iv eles de energa es d o ~ i -M oV, es decir,
m ucho m enor que /fn V'. E sto hecho es precisam ente el que perm ite en

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250

Cn|i. 7

l'i'0|iC(l;ulos iilcliicn s <le los si'iliiliis

una serie do cosos no tom ar en con sid eraci n la d iscon tin u id ad de

f (k) dentro do los lm ite s do ln banda.
(ionio n onda v alor perm itido do k correspondo un n iv e l perm itido
do onnrgn y en rad a nlval do energa, on v irtu d del p rin cip io do
la u ii, slo pueden en contrarse dos electro n es, con esp in es dirigidos
on sen tid os opuestos, el nmoro de olectro nes quo hay on ln banda
perm itid a no puede ser m ayor que 2 N .

7.0. Espectro en ergtico de los electrones

en el cristal.
Modelo de Kronig P e n n e y
P ara h a lla r el esp ectro onergtico de los electro n es en un c rista l
h a y que resolv er la ecu acin de Sch r d ing er m on oatm ica (7.21) con
e l potencial peridico de la red V (r). L as funciones propias (j)j, (r) y
los v alores propios E k (r) de esta ecuacin dependen on gran medida
d e la form a dol p otoncial peridico. Poro com o ya se ind ic, la
form a e x a c ta de V (r) os p rcticam en te im posible de d eterm in ar. E n
e sta s con d icio n es, paro h a lla r la solu cin de la ecu acin do S ch ro d inger hay quo recu rrir a d istin to s m todos aproxim ad os, hacien do
d eterm inad as su posiciones respecto de la form a de la fun cin V (r).
Por ol procedim iento para d eterm in ar el po to ncial V (r) que sirv e
d e base a los m todos de clcu lo del esp ectro enorgtico, estos m to
dos se pueden d iv id ir en tres grupos:
1) el do los clcu lo s au to co n sisten tes, en lo s cu ales com o p ar
m etros slo se u tilizan las con stan te s at m icas. Uno de esto s m todos
e s el de las on das p la n a s ortogon alizadas (O PO ).
2) e l do los m todos em p rico s, en los cu ales, para que concuerda
m ejor la teora con la e x p e rie n cia , on ol clcu lo se u tiliz a n d atos
exp erim n talos. A estos m todos portonecon d iversos esquem as de
in terpolacin y ol m todo del seu d op oten cial:
3) el do los m todos que se basan on la e lecci n de un p o te n cia l
do cie rta forma esp ecial. A este grupo pertenecen los m todos de las
fu nciones de Green, e l de las ondas p la n a s a co p la d a s (O PA ) y el de
la s com binacion es lin eales de los o rb ita les atm icos (C LO A ). Conviene
a d v e rtir quo valindose do estos m todos no se consigue h a ce r a n a l
ticam en te todo el c lcu lo . P ara obtoncr la s d ependencias de E (k)
es necesario rocurrir a ordenadores rpidos.
A lgunas p articu larid ad es c a ra c te rstic a s del esp ectro en erg tico
se puedon con ocer exam inand o el sim p le m odelo u n id im en sio n al de
potoncial peridico propuesto por R . K ro n ig y W . P en n e y . L a dopondoncia do la onorga p o ten cial V del eloctr n respecto de ln d is
ta n cia x para la red un id im o n sion al, en ol m odelo do K r o n ig
Punnoy, so m uestra on la ig . 7 .3 . Aqu las d ep resiones (pozos) do
potencial roctangularos, do anchura a, so turnan con barrras ro ctan -

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7.6. Espectro energtico tic los electrones en ni cristal

251

guiares de anchura b. El perodo de

e sta red es c a 4 b. Do esta mae
ro la energa potencial os la funcin
7 (x) = 0 , nc < x < nc |- a;
V (x) = 7 0l nc + a < x < (n -I- l ) c .
A qu n es cu alqu ier nmero entero
<0, 1 , 2 , . . .)
E scrib im o s la ecuacin d eS ch ro d inger raonoelectrnica para el caso
unidim ensional:
2m

F ig . 7 . 3 . D e p en d e n c ia do la en e r
g a p o te n c ia l d e l e le c tr n resp e cto
oo la d is ta n c ia in to ra t m ic a en
e l m od elo d e I r o n i g P en n o y

(7-62)

dx*

L a solucin de esta ecuacin la buscaremos en la forma de funcin

de B loch
i(5 (x) = U (x) e",x.

(7.C3)

en la que U (x ) es una funcin peridica con perodo igual al de la

red, es decir,

U (x) = U (x + c) = U (x + 2c) =

...

H allam os la ecuacin a la cual debe satisfacer la funcin U (x).

Su stitu yend o (7.63) en (7.62), obtenemos para la regin O ^ x
a
y para cu alqu ier pozo
| + 2 i* .g - + ( * - * * ) 0 - O
y para la regin a ^ x ^
cial)
.<!!".. +

(7.04)

a + b (o cualquier otra barrera do poten

2 fc

*L -(| J* + * ) w -o .

(7.66)

A qu se lian hecho Jas sustituciones

a = ( l/ ) \2 mE.

(7.66)

P = (l//t) Y 2 m (V 0 E ).

(7.67)

L as soluciones de las ecuaciones (7.64) y (7.65) tienen la forran

U1 = A o^a ~k)x + Z?e-i<a+'')' , 0 < x < a\

U%= Ce{&~iltix + > e - + fc>' , a < x < a + b.

(7.68)
(7.69)

Las ltim as expresiones conlionon cuatro incgnitas: A t, C, y D.

E stas se puoden exclu ir u tilizando las condiciones de continuidad

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252

C ap. 7.

P r o p ie d a d e s

e lctrica s

do

tu s

slidos

le Ib funcin i|' (x) y do su prim era derivada di|'/dx (o U y dZ/dr).

1,11 iim il ii di' iuiil iiiiiiiliul Mifcu i fien que

V ''~ U'

AUi
M-,
TT
lr

p a ra , r =

i < + *,> , , ,
l a + n ( a + b).

m tx

( 7 .7 ( J )

E scrib ien d o (7.70) y tom ando en con sid eracin (7.68) y (7.69),
nldenoinos un sistem a de cu atro ecu acio n es lin ea le s hom ogneas con
cu atro in c g n ita s, A , 1J, C y D . Ln con dicin de e x iste n cia de una
solucin no Iriv ia l dol sistem a es la igualdad a coro del d eterm inante
form ado por los c o e ficie n te s do las in cg n itas. E sto conduce a la
ecuacin
eos k (a H-b )

~ c *

s *

cos (a a ) ~

que nd aciona las m agnitudes a y p, que con tien en los v alores propios
de la energa K dol electrn con v ector do onda k . P or lo ta n to , la
igualdad (7 .7 1 ) se puedo con sid erar com o la relaci n en tre E y k .
Ln solu cin de la ecu acin (7 .7 1 ) es m uy com p licad a. Paro e lla
so introd ucen suposiciones sim p lificad o ras co m p lem en tarias. S i
guiendo a K ro n ig y P en n ey , exam in em os las b arreras a lta s, pero es
trechas. Supongam os que b 0 y V0 -*- oo, poro de m anera quo el
producto de la anchura do la barrera por la a ltu ra >V0 sig a siendo
fin ito . E sto s ig n ifica que
P2i ser fin ito , pero pi>-.0. Cuando
>-* O, cb p -> I y sil $b
pi. De este modo, en vozde (7.71)
e scrib im o s:
ai ai
P b sen a a -(-e o s a a = eos lea
(7.72)
o bien
B2a> SCI1 an

p e o s a a = cos A-a.

,n _0,

(7 .7 3 )

D esignem os
lm (p W 2 )= / > .
6-.0

(7 .7 4 )

f,-+ oo

T ngase presente quo la P de (7 .7 4 ) no es el cu asiim p u lso . E l pa

rm etro P es la medida del rea eficaz do cada b arrera. E s te p ar
m etro ca ra cte riz a el grado de tran sp aren cia do la barrera para el
electr n o, en o tra s palabras, el grado do ligad u ra del electr n en el
pozo de p o ten cial. Tom ando esto en consid eracin

P _H.

eos a a = cos k a .

(7 .7 5 )

A ntes de h a lla r ia solucin de la ecu acin (7 .7 5 ), prosternes ate n

cin a la circu n sta n cia sig u ien te. Como cos k a es una funcin par,

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7.6. Espectro en ergtico de los electrones en ol cristal

253

t'ti- 7 /*. D ependencia del prim er m iem bro de la ecuacin (7 .75) respecto de a a .
Los in terv a lo s de valores perm itidos de a.a so han rayado

la su stitu ci n de k por k no hace que varo lu ecu acin (7 .7 5 ). E sto

sig n ific a quo la energa dol electrn tam bin es uno funcin par do
k , es d ecir,

E {k ) = E (le).

(7.76)

E n la fig . 7 .4 so ha representado la dependencia del prim er m iem bro

de la ecu acin (7 .7 5 ) respecto del parm etro a a . Como el eos k a , que
figura en ol segundo m iem bro de la ecu acin (7 .7 5 ), slo puede tenor
valores en el in te rv a lo de + 1 a 1, los valores perm isibles de a a
son aquellos para los cu ales el prim or m ionibro do la ecuacin no
sale do los lm ite s ind icados. E n la fig. 7 .4 Jos in terv alo sp o rm itid o s
de v alores de a a so han rayad o. L a anchura de estos in terv alo s de
pende del parm etro P . Cuanto m enor es P, ta n to ms anchos son.
A dem s, su anchu ra dependo tam bin de a a . Para un v alo r fijo cu a l
qu iera de P estos in te rv a lo s so ensanchan a l aum entar a a . E n
v irtud de la relaci n (7 .6 6 ) en tre a y la energa E del electr n , lo
d icho se refiere tam b in a la en erg a. De este modo, la cnorgo dol
cloctrn on el c ris ta l no puede tom ar un v alo r cu alq u iera. May ban
das de en erga perm itidas y bandas
prohibidas. L a altern a n c ia de las
bandas p erm itid as y prohibidas
se ilu stra con la fig. 7 .5 .
Veam os cm o v ara cl espectro
energtico en los casos extrem os
P -* 0 y P
oo. E l caso P * 0
corresponde a ln con dicin V0 -* 0,
es d ecir, al electr n casi lib re (apro
x im acin del en lace dbil). De
(7 .7 5 ) obtenem os a a ~ ka, n.s d ecir,
Kig. 7.r>. Kxpuctr onorgtirn lol
a =-- /* y, sobro ln buso lo (7.lHi):

electrn en cl c rista l. Las bandas

perm itidas estn rayadas; las pro-

2 i ****
2m

2m

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254

Cnp. 7. tropicdados elctricas Jo los slidos

( ,<>mo era (|p esperar, |n ltim a expresin coincido con la dependencia

/<,' (/>) pnra ol electrn tilico (7 .lili), lili osle caso n k no se le inipone li
m itacin alguna, por lo que la curva E (k ) es lina parbola continua.
E n el otro caso lm ite P -* o o en virtud do que V'0 oo. E sto
quiere decir que el electrn est localizado en un pozo do profundidad
in fin ita , es decir, ligado fuertem ente (aproxim acin del enluce fuerte).
Parn P oo, de la ecuacin (7.75) hallam os que

ao ~ O, es d ecir, a a - jiA/,

(7 .7 7 )

donde \I 1 , 2 , . . . . y do (7.G5)

De esta form a, cuando / *- oo ol sistem a de bandas energticas de

genera en niveles discretos.
Ahora intentem os h allar la form a e x p lcita de la ley de disper
sin E (k ) parn cl electrn que se mueve en el cam po peridico de la
red. Para esto hay que resolver respecto de E la ecuacin (7.75). Eso
slo puede hacorse aproxim adam ente. Supongamos que P 3> 1. E sto
corresponde a la aproxim acin del enlace fuerte. P ara valores gran
des de
de acuerdo con la frmula (7.77), se puedo escribir:

a a = n M -)- A (aa),

(7.79)

dondo A (aa) C au.

Desarrollando en serie el primor miembro de la ecuacin (7.75)
y lim itndonos a los trm inos lineales respecto de A (aa), obtenem os
[ I)4' 1 + A (a a )

J = eos ka

o bien
A (a a ) =

[ ( - - 1 )M eos 7ra 1j .

(7 .8 0 )

Sustituyendo (7.80) 1*11 (7.79), bailam os

aa= nA/[l-4- + (-l)M-2!p -].

(7.81)

Teniendo en cuenta la relacin entre a y la energa E dol electrn

(7.G6) y lim itndonos a los trm inos lin eales respecto de 1!P al ele
var (7.81) ol cuadrado, obtenem os la expresin que relaciona E y k:

(7 .8 2 )

o bien

E -

E 0>, C m 4- ( 1)M A m eos k a .

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(7.83).

7.6. Espectro energtico do los electrones en el cristal

Aqu so hnn lincho Ins sustitu ciones

ou 2mo

A m es el coeficiento de ( 1)M eos fe?, que en el caso general no es

igual a CM.
E l prim er trm ino en (7.83) es ln energa del 71/-simo nivel ener
gtico del electrn en un pozo de potencial aislado do profundidad
in fin ita , que se determ ina por la frm ula (7.78). Los trm inos segun
do y tercero estn relacionados con la accin del campo peridico do
la red.
Como puede verse, en el campo peridico de la red, los niveles
energticos decrecen en el v alo r C m (delante do CM figura el signo'
!). E s to corrobora que la unin de los tom os en cadena es ener
g ticam en te convenionte. E l tercer trm ino en (7.83) determina el
c a r cte r zonal del espectro energtico, ya que eos k a acota los lm i
tes de sus variaciones. E n 1a fig. 7 .6 se muestra la dependencia E (k )
para el electr n que se encuentra en una red unidim ensional. Aqu
se vo claram en te que para todos los valores de k que se diferencien en
(2n/a) n, la onerga es la m ism a. E l interv alo de valores de k desde
n a hasta n a es la prim era zona de B rillo u m , los dos segmentos,
do 2 n a a n a y do n /a a
son la segunda zona de Brillouin
y as sucesivam ente.
Todos los valores posibles de la energa en cada banda energtica
se pueden obtener variando k dentro de los lm ite s do la prim era zona
de B rillo u in . P or eso la dependencia E (k) se construyo frecuente
m ente slo para dicha prim era zona. Todos los dems valores de E
pueden reducirse a esta zona. E l procedim iento de representacin
de E (k) que muostra la fig. 7.7 recibe el nombre do esquema de las
zonas reducidas. A d iferencia de l, la dependencia que m uestra la
fig. 7 .6 se llam a esquema zonal peridico.

Bandas /
prohibidas (

vig. 7.G. Dcpondoitcin 1 (l<) para el

ilccir on uan rod uudnucnsim nd.
Se am ostran las tros prim ores bandas
onorgticas

F ig . 7 . 7 . P e p c n d o n rin K (k) ou in
re p re se n ta c i n (fe la s b n a la s re d u
c id a s

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2 5 fi

Cap. 7. Propiedades elctricas de los slidos

Adems do ostos dos proced

ni ol Mis do represen lar in do ln
hondas energticas, so omploii olre
denominado esquema zonal am pliad
(fig. 7 .8 ). E n l las diversas ban
das energticos se sit an en el espo
Ci k en d istin tas zonas de Bri
llou in. En la fig. 7 .8 se m uestra tam
- 3n/a - 2n/a - n / a o
ni 2n/a 3nla k bien la dependencia parablic
E (k ) para el electrn lib re. Lo
l'>.7 .8. Representacin do las ban- puntos do referencia de los onerga
dnscncrclicas ilo unn cadena lineal de am bas dependencias SO ban be
<le tomos en e esquema zonal
,
__
am pliado

c h o c o in c i d i r .

En la fig. 7 .6 se ve bien qw
en cada banda energtica im par, a
d ecir, on cada zona determ inada por los nmeros /W = 1, 3, 5, . . .
hay un minimo do energa en el centro do la zona do B rillo u in y do
m xim os equivalentes en los extrem os de ln m ism a. E n la s banda
energticas pares, al con trario , en el centro de cada zona de B rillouii
hay un m xim o de energa y en sus lm ites, unos m nim os.
L as interrupciones en ol ospectro energtico del electrn, com
vemos, se m anifiestan cuando el vector de onda k alcanza los valo
res nnla, es d ecir, en los lm ites de las zonas de B rillo u in . Qu na
tnralozn fsica tienen estas interrupciones? Expresem os el vector d>
onda por medio de la longitud do onda X dol electrn y escribam os 1
con dicin con la cual la funcin E (k) sufro la intorrupcin:
1 k | = 2 k /X = n n la o bien n\ = 2 a.

(7.84

L a ltim a expresin es la condicin de W u lff Bragg (1-22) par

la onda del electrn quo incido en la red perpendicularm ente a lo:
planos atm icos. Cuando se cumplo esta condicin, lo funcin di
jjlo rli mi es ya una onda progresiva, sino estacion aria, porque ui
electrn con esto v eclor de onda, al moverse (en el espacio roal)
experim enta la reflexin de Bragg. Las ondas incidente y reflojadi
pueden componerse por dos procodimienios, formando una com bina
cin sim trica o asim trica:
l|l, (x) = U(.V) |()<"/a>.':-t-(!-Ka/'v| 2U (?) eos | ^ l ) ,
\|-2 (.!-) = V (a)

y-a.i/'O'i - 2 iU (x) sen [ ~ x ) .

(7.85
(7.80

Las ex presiones (7.85) y (7.86) se lian escrito para los valora/

J t d o l veclor de onda. Ln funcin do onln
no v aria si si
su stitu ye x por x, pero ln i|i2 cam bia do signo. La funcin
o
ioiaginnrin, no obstante, ln densidad de carga elctrica ligada con l

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7.7. Mtalos. iliolctricos y sem iconductores

257

funcin do onda 1|> por ln rolacin

r | i|i I2 es, on oslo en,so, lo mismo
quo para la fu n cin ip,, una mag
nitud roal neg ativ a.
A las funciones de onda t|), y vpj
corrosponden
energas
d istin tas.
L a solu cin t|)x respondo a la ener
ga m enor, correspondiente al li
m ito superior de la prim era 7,ona
(punto A en la fig. 7 .9 ), y la solu
cin
a la energa correspondien
te al lm ite inferio r de la segunda
Fig. 7 .9 . Interrupcin do la ener
zona (punto A ') . Cuando le < n a,
ga del electrn cuando k = n/a
el electr n tien e energas menores
que E A , y cuando le > n /a, energas m ayores quo E A-, E n ol in ter
valo desde E A hasta E A- no hay ni un solo valor propio de la energa
del electrn, os d ecir, esta regin es una handa prohibida.
S e recordar que al estu d iar las vibraciones do la cadena de to
mos (cap. 5 ), tam bin llegam os a la conclusin de que cuando el
v ector de onda alcan za el lm ite de la zona de B rillo u in , es decir,
k = n / o , se observa la reflexin de las ondas e l stica s y la form a
cin do ondas estacio n arias. E sta s ondas ostacionarias son el resul
tado de la com posicin de dos ondas progresivas que se propagan en
sentid os opuestos.
P ara term inar indicarem os algunas peculiaridades del espectro
energtico de los olectronos en el caso tridim en sional. L a estructura
zonal puede sor aqu mucho ms com pleja quo en el modelo unidi
m ensional antes exam inado. L a dopendencia E (k) en ol c rista l tr i
dim ensional puede ser d iferente para d istin tas direcciones en la
zona de B rillo u in . E sto se debe a que el p otencial tridim ensional
V (r), dependiente de la estru ctu ra del c rista l, no es igual en d istin
tas direcciones. Consecuencia do esto puede sor Ja superposicin de
las bandas perm itid as. A s, por ojem plo, una banda prohibida en una
direccin puedo co in cid ir con la perm itida en otra direccin. Ln
superposicin de la s bandas perm itid as es im posible en el caso uni
dim ensional.

7.7. O cupacin de las bandas por los electrones.

M etales, d ielctricos y sem iconductores
Y a so ha dicho antes que cada banda perm itida contiene un n
mero fin ito (Ar) do n iv eles de energa. De acuerdo con ol principio
do P n u li, on cada n iv el slo puedo haber dos oloctrones, con ospinos
dirigidos en sen tid os opuestos. S i ol nmoro do electrones (jue hay on
el c ris ta l es lim ita d o , las bandas energticas ocupadas resultan ser
17-01147

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258

Cap. 7. Propiedades e l c trica s de los slidos

so lam en te algunas rio las m s b a ja s . L o s dom as Lmnilns o slarn va

cas.
E x a m in e m o s d iv ersas v a ria n te s do o cu p aci n do la s band as po
lo s electrones.
1. Supongam os quo 1a llim o banda en quo h ay e lectro n e s csl.
pnrcialm onto o cu pad a. Com o esta banda la ocupan los electro n es di
v a le n cia de los tom o s, recib o ol nom bre de ban d a d e valen cia. Da
jo la accin de un cam p o e l c tric o e x te rio r, los e lectro n es que llenar
ol nivel prxim o al lm ite de ocu pacin em piezan a acelerarse y i
p asar a n iv e le s do energa lib res m s elev ad os d en tro de la mismi
band a. E n el c ris ta l c irc u la r la c o rrien te e l c tric a . Do oslo modo,
los c ris ta le s con banda de v a le n cia p arcialm e n te ocupada conducer
bien la c o rrien te e l c tric a , es d ecir, son m etales.
C onsiderem os com o e jem p lo el sod io. Cada tom o de sodio tiene
11 electron es d istrib u id o s por estad os de la form a siguiente;
l s 22s22 p 23sl . Cuando los tom o s so unen en un c r is ta l, los niveles
cn o rgticos do los tom os se co n v ierten en band as. L o s electrones
de las cap as in to rio res del tom o lle n a n to ta lm e n te la s ban d as for
m ad as por los n iv eles ls , 2 s y 2 p , puesto que en e lla s, para 2A', 2 N y
6 N estad os h a y , re sp e ctiv a m e n te , 2 N , 2 N y 6 N electro n es. L a banda
de v a le n cia e st form ad a por lo s estad os 3s. E n e lla slo h ay 2 N
estad o s, a los cu ales corresponden N electro n e s (un e le c tr n de va
le n c ia por cad a to m o ). A s, pues, en e l sod io c ris ta lin o la b and a do
v a le n cia slo e st m ed io ocu pad a. E s n a tu ra l que todo lo dicho se
refiere n la to n ip e ra lm a de 0 K . De form a an lo g a so lle n a n la s b an
das en lo s o tro s elem e n to s a lca lin o s.
2. Supon gam os que la b and a de v a le n cia ost ocu pad a to talm o n te
por oloctronos, poro quo se superpone a la sig u ien te banda p erm itid a
no ocupada por e llo s. S i a este c ris ta l se a p lic a un cam po e lctrico
e x te rio r, los e lectro n es em piezan a pasar a los n iv eles de la banda
lib re y so produco c o rrie n te . E s te c ris ta l ta m b i n es m e ta l. Un e je m
plo tp ico do inol.aJ con Ja e stru c tu ra zonal in d icad a os el m agnesio.
Cada tom o de m agnesio, M g ( l s 22s22p 63s2), tien e dos electro n e s en
la capa de v alon cin. E n el m agnesio c ris ta lin o los o lectro n es do v a
le n cia llen an to talm en te la b and a 3s. P ero e sta b and a se superpone a
la sig u ien te banda p erm itid a, form ada por Jos n iv e le s 3 p .
3. C onsiderem os ahora el caso en el cu a l la b and a de v alen cia
e st totnlm onto ocupada por los e lectro n es y sep arada de la banda
lib r e que la sigue por una banda p ro h ib id a (vano en e rg tico ) ancha
(de m s de 2 3 eV ). E n un c ris ta l con e sta e stru c tu ra zonal un ca m
po e x te rio r no puede crear c o rrien te e l c tr ic a , y a que la en erg a de
lo s o lectro n es no puede v a ria r en la b and a lle n a . P o r co n sig u ien te,
e sta s u b sta n cia es un d ie l ctric o . U n tp ic o d ie l ctric o os el c ris ta l
i n ico do N uCf. L o s iones de sod io, cargad os p o sitiv a m e n te , tionon
la con fig u raci n e le c tr n ic a N a +(1s22s22/>), y los iones n eg ativ o s
de cloro , Cl~(l.s22s22/?('3s23pe). L a s ban d as form ad as por los n iv eles

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259

7.7. Mtalos, d ielctricos y sem iconductores

Banda
desocupada

Bando

desocupada
Banda
prohibida

Banda
desocupada

G0 > 2 -3 eV

Banda

Banda
desocupada

Banda
prohibida
eQ < 2 - 3 eV

: .ocupada

^parcialmente^
'4U
C*A"" "

ocupadi

Metal

Dielctrico

uy,. Banda /

gEfgCupadag
Semiconductor

F ig . 7 .1 0 . Ocupacin do las bandas por ios olectrones:

E v, limite de la banda de valencia; E c , lmite de Ja banda de conduccin; Eg, anchura de
la banda prohibida

at m icos to talm en te ocupados tam bin resultan del todo llenas. L a

ltim a banda to talm en te ocupada es la 3p C l ', y la lib re que la s i
gue, la banda 3s N a +. E l vano energtico entre estas bandas es de
cerca de 9 eV.
S i la anchura de la banda prohibida es menor que 2 6 3 eV , se
dice que el c ris ta l es sem icond uctor. E n los sem iconductores, a expen
sas de la energa trm ica k%T, un nmero apreciable de electrones
re su lta lanzado a la banda lib re llam ad a banda de conduccin. A tem
p eraturas m u y b a ja s todo sem icond uctor se con vierte on buen d ie
lctrico .
L a diferencia entre los m etales y los d ielctrico s es c u a lita tiv a .
E n tre los d ielctrico s y los sem iconductores, la diferencia es tan
slo c u a n tita tiv a .
L a ocupacin de las bandas por los electrones en los m etales, d ie
l ctrico s y sem iconductores se m uestra esqu em ticam ente en la
fig. 7 .1 0 . E n la ta b la 7.1 se dan los valores do la anchura do la
banda pro h ibid a para algunos d ielctrico s y sem iconductores.
Tabla 7.1. A n ch u ra de ia banda prohibida
C ris ta l

C (d iam ante)
BN
Si

cV

5 ,2
4 ,6
7 ,0
1,11

||

C rista l

Ge
GnAs
InSb
Sn (grisl

E K. . v

0 ,6 6
1 ,4 3
0 ,1 7
0 ,0 8

L a estru ctu ra electr n ica de los tom os que forman el slido no

es ol nico fa cto r quo condiciono la diforoucin on lu ocupacin do Jos
bandas. E n el ejem p lo de NaCl ya hem os v isto que un papel im portan lo dosempoa la n atu raleza del enlace qum ico. E l carcter de ln
17

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280

Coi). 7. Propiedades elctricas de lo3 slidos

ocupacin de las hundas energticas dependo tam bin do la estruc

tu ra del c ris ta l. A s, por ejem plo, el carbono con estructura ce dia
m anto es d ielctrico, m ientras que ol carbono con estructura do gra
fito tien e propiedades m etlicas.
7 .S . M a s a e f e c t i v a d e l e l e c t r n
V am os a estudiar el m ovim iento del electrn b ajo la accin do
un cam po elctrico e xterio r. Supongam os al principio quo so trata
de un electrn lib re situ ado en un cam po elctrico uniform e $ . Por
p arle dol campo sobro el electrn acta Ja fuerza F = e$ . B a jo
la accin de osla fuerza l adquiere la aceleracin
a = V/m = e%/m.

(7.87)

A qu m os la m asa del electrn . E l vector aceleracin tien e la misma

direccin quo el de la fuerza e xterio r, es decir, co n traria a la del
campo # .
Ahora obtengam os Ja ecuacin del m ovim iento del electr n que
se h a lla en ol cam po peridico del c rista l. E l cam po ex te rio r < acta
sobro ol electrn en el c rista l, como lo hace sobre el electrn lib re,
con la fuerza F = e g , de sentido contrario al del cam po. En el
caso del electrn libro la fuerza F era la nica fuerza que determ ina
ba o) carcter del m ovim iento do la p artcu la. Pero sobre el elec
trn que se oncuentrn en el c ris ta l, adem s de la fu e r z a e&, actan
fuerzas intornas considerables, creadas por el cam po peridico do la
red. P or eso el m ov niento de este electrn es m s com plejo que el
del electrn libre.
E l m ovim iento ee l electrn en el c rista l puede d escribirse m e
diante un tren de ondas com puesto de funciones de B lo ch (7 .2 2 ). L a
velocidad media del m ovim iento del electrn es igual a la velocidad
do grupo dol Leen da ondas:

Teniendo en cuenta quo w = E/Ti, para la velocidad do grupo obte

nemos
t d
(1
(7 .8 9 )
V = 4ft dk ~ dP
donde P = /ik es el cuasiim pulso. Vem os que la velocidad m edia del
e lectrn en el sli lo viene determ inada por la ley de dispersin
E (k). D erivando l t oxprosin (7.89) respecto del tiem po:

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7.8. Masa efectiva dol electrn_________________________________________________ 2B1

D u ran te el tiem po 6/. el cam po e lctrico S realizo cl trab ajo 6 /1,

quo so invierto oii increm entar la energa <lcl electrn :

6E = 6/1 = - c g V t .

(7.91)

T om ando en consid eracin que

de (7.91) obtenem os
6k ----- ^ - 6 ,

(7 .9 3 )

/1 r = - e S = F -

<7 -9 4 >

o bien

E sta ltim a expresin es la ecuacin del movimiento d el electrn

en el cristal. En este caso el producto h (dk/d<) es igual a la fuorza F
que acta sobre el electr n por parle del cam po elctrico exterio r.
P a ra el electrn lib re la fuerza ex te rio r es igual al producto m (dV/d).
E l hecho de que para el electrn en el crista l la ecuacin dol m ovi
m ie n to no tenga la form a acostum brada de la segunda ley de Newton
no sig n ifica quo dicha le y no so cum pla aqu . Todo con siste en quo ln
ecu acin del m ovim iento la hem os escrito teniendo en cuenta sola
m en te las fuerzas exterio res que actan sobre el electrn, sin con tar
con las fuerzas que actan por p arle del cam po peridico del c rista l.
P or eso no es de e x tra a r que la ecuacin del m ovim iento no tenga
la form a ord in aria F = m (dV/dt).
A hora pongam os el v alo r de dk/df, hallado por (7.94), en la e x
presin (7 .9 0 ) de la aceleracin:
J- IL ii.

n .ik2 h '*

cS ri8fc

ir- .tka

L a ecu acin (7 .9 5 ) relaciono la aceleracin a del electrn con la fuer

za e x te rio r e{?. S i se supone que la m agnitud h 2 (d2E/dk2)"* tione
sen tid o de m asa, la ecuacin (7 .9 5 ) adquiere la form a do la segunda
ley de N ew ton:
a = -e$ h n *,

(7.96)

donde

L a m agnitud m * recibe el nom bre de m asa efectiva del electrn.

L a m asa efectiv a re fle ja la in flu en cia del potencial poridico de la

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262

Cnp. 7. Propiedades olrlricaa <ic los slidos

red sobre el m ovim iento del electrn en el cristal bajo la accin

do ln fuerza exterior. He (7.9(5) so signo quo en ol campo peridico
do ln rod cristalin a, bajo la accin do la fuerza exterior l'\ el ulocIrn so muevo en promedio como so m overa mi electrn libro bajo
Ja accin do osla misma fuerza si su masa fuera m * . P or lo tan to , si
id electrn en el c ris ta l, en vez dn la masa m, se lo atribuye la masa
efectiva ni*, puede considerarse como libro y su m ovim iento descri
birse como se define ol de un electrn lib re situado on un campo e x te
rior. L a diferencia entro m * y m so dobo a la interaccin del olectrn con cl campo peridico do la red y al atrib u ir al electrn la
masa efectiva so tiene on cuenta esta interaccin.
Aplicando cl coneeplo do masa e fectiv a, ol problema dol moviinionto del electrn en ol campo peridico de Ja red V (r) se puede
reducir al problema dol m ovim iento de un electrn libre do masa m *.
E sto quiere decir que, en vez do la ecuacin de Schrdinger con potoncial peridico
( ~

A -f- V (r)) ij> (r) = E\\i (r)

hay quo resolver la ecuacin

Aip (r) = 3|>(r).

(7.98)

S i, por ojomplo, la energa es funcin cuad rtica de le, puede escrib ir

se como se hizo en (7.36) para el electrn libre

E = h*kV( 2m *).

(7.99)

Se ve fcilm onlc que para c) electrn lib re la masa efectiv a os igual

a su masa ordinaria. En esto caso Ja relacin onlre E y k vinuo dada
por la expresin (7.30), de donde obtenem os

En ol caso general la masa efectiv a es una m agnitud anistropa

y para diferentes direcciones del vector de onda k es d istin ta. E sta
m asa es un tensor de segundo rango

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263

7.8. Mosa electiva del electrn

L/<i innsn e fe ctiv a , a (lifprnnein do

la ord in aria, no d olonnina las pro
piedades inerciales ni gravitatorins
de la p artcu la. Es slo un coefi
ciente on la ecuacin del m ovim ien
to (7.95) y re fle ja la m edida de
la interaccin del electrn con la
red c ris ta lin a . L a m asa e fectiv a
puede ser m ayor o menor que la
i
I
lv
masa ord inaria del electr n . Es
I I
ms, ere* incluso puedo ser una
/ "iN j.
m agnitud negativa. Para ilu strar
n
-TI/J
O i T
a/a k
esto damos el ejem plo siguiente.
I i
i I
Supongam os que la dependencia
E (k) en una de Jas bandas tien e
lm
I1 l
la form a quo se m uestra on la fig.
7 .1 1 , a. E l m nim o de la energa
L j
corresponde al centro do ln zona de
!
i
B rillo u in (k = 0) y los m xim os,
-n /a ] I
0 | n/i k
a sus lm ite s (k = j t a). L a s ban
das con esta dependencia E (/()
l
suelen llam arse estndar. De acuer
do con (7 .9 7 ), la m asa efectiv a se
determ ina por la cu rv atu ra do la
Kig. 7 .1 1 . Dopendoncia respecto
cu rv a E (k ). E n las proxim idades
del nmero de onda: a, da la eaerde los valores de k , correspondien
ga; b , do la velocidad; c , do la
masa efectiva del electra. Con
tes a los extrem os do la funcin,
lnea de trazos so indica la depen
la loy de dispersin puede repre
dencia E (k) para el electrn libre
sentarse por una dependencia para
blica anloga a la E (k ) para el
electr n lib re. Dem ostrarem os esto, S i el extrem o se alcanza en el
punto k /r, ontoncos desarrollando E ( k ) on serio do poloncins de
{k /(-), obenemos

* ( * ) - * ( +

( )U < * - +

+ t (W

U < * - + -

(7.102)

Teniendo en cu en ta que el punto extrem o l f = y om itiendo por su

pequenez los trm inos con fa cto r (k k 0)n en que re > 2, de (7.102)
obtenom os
F. (/,) = F. (/.) -I- h2 (k - A-J7(2m*).
(7.103)
Al escrib ir (7.103) se hn tenido presente la relacin (7.97). S i ol
cm puto do la energa se hace desde el v alor extrem o, para el centro

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_____________ Cnp. 7. Propiedades elctricas do los siilidn.___________________

fie la zona do B rillo u in (k 0 ), en voz de (7 .1 0 3 ), obtenem os la refnoln (7.00), que coinoiilc ron ln Iny ln dispersin para ol electrn
libro con ln nica diferencia do quo n i se lia su stitu id o por n i * .
D erivando F, (le) respecto de k , hallam os las dependencias V (le)

y ni* (k) = li-(

\represen!odas en la fig. 7 .1 1 , b y c.

Puede verso que la masa efectiv a do los electrones que se encuentran

on el fondo do la banda es p o sitiv a y prxim a a la m asa dol electrn
lib re. En medio de la banda, dondo se observa la inflexin do la cur
va E (k), la m asa e fectiv a se hace indeterm inada., E n el lecho de ia
banda los electrones tienen m asa e fectiv a negativa.
L a masa efectiv a negativa sig n ifica que la aceleracin del olectrn liono sontido opuesto al do la accin do la fuerza e x te rio r. E sto
puedo verse en la fig. 7 .1 1 , b. P ara los valores de k prxim os al lm ite
de 1a zona de B rillo u in , a pesar do quo k aum enta, la velocidad del
electrn dism inuye. E ste resultado es consecuencia do la reflexin
do B ragg. En el punto k = n /a el electrn se describe ya no por
una onda progresiva, sino estacion aria y V = 0 .
* Como Ins propiedades do los electrones con m asa efectiv a n egativa
difieren mucho de las propiedades de los electrones norm ales, resu l
ta convoniento describirlos u tilizando la representacin de cu asip artcu las, con carga + <?, de m asa efectiv a p o sitiv a. E sta cu asip artcu la recib e ol nombre de /tueco. Supongam os quo en la banda todos
los estados, excepto uno, estn ocupados por e lec tro n e s.E l estado
vacan te cercano al techo de la banda es el llam ado hu eco/ Si el cam po
exterio r es nulo, el hueco ocupa el estado ms a lto . B a jo la accin de
un cam po < a esto estado vacan te pasa un electrn de un nivel
energtico m s bajo . Al ocurrir esto ol buceo desciende. Luego el
estado hueco lo ocupa el olocl.rn siguiente y as sucesivam ente. Al
mismo tiem po ol hueco va desplazndose h acia abajo por la escala
de las energas. Do este modo, en el cristal la corriente elctrica pu ede

ser transportada no slo por los electrones de la banda de conduccin,

sino tam bin por los huecos de la banda de valencia. L a conduccin
por huecos os la ms ca ra cte rstica do los sem iconductores. Pero hay
algunos m etales quo poseen osle tipo de conduccin.
R etornando a la fig. 7 .1 1 , c, advertim os que la descripcin del
m ovim iento do los electrones en e l c ris ta l, aplicando e l concepto de
m asa e fe ctiv a , slo es poible citando stos se encuentran en el fondo
o en el lecho de la banda energtica. En el cen tro de la banda m *
pierde su sen tid o. En la p rctica casi siem pre hay que tra ta r con
electrones que se h allan cerca dol fondo o del techo de la band a.
P or eso In utilizacin de la masa e fe ctiv a est to talm en te ju stific a d a
en estos casos.

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7 .9 . N i v e l e s d e e n e r g a

d e lo s t o m o s d e im p u r e z a

205

7.9. N iveles do energa de los tom os

do im pureza en el cristal
M asa ahora liem os estudiado el com portam iento de los electrones
en los cristales con periodicidad perfecta. Pero todos los slidos
reales con tien en diversos defectos o impurezas. L os dofoclos y las
im purezas so introducen en los cristales ya sea especialm ente (por
ejem p lo , d urante el proceso de aleacin), o bien aparecen en ello s
durante su crecim ien to . Veam os cmo vara el espectro energtico
de un c ris ta l cuando ste contiene tom os de impuroza o defectos.
L a presencia en un punto determ inado del cristal de un tom o de
im pureza o de un defecto do la estru ctu ra hace que al potencial peri
dico de la red V (r) se superponga una perturbacin U (r r0)
b astan te fuorto, localizad a on una pequea regin de volum en K,. con
cen tro en el punto r (en quo se encuentra el tom o de impureza
o el d efecto). P or lo tan to , hay que resolver la ecuacin m onooleclrnica de Schrdinger:
[

A + V (r) + U ( r - r , ) ] ip ( r ) , r|i (r).

(7 .1 0 4 )

Sab ien d o que la solucin do la ecuacin no perturbada de Schrdinger

tien e la form a de funcin de B lo c h , y u tilizando los m todos de la
teo ra do las p ertu rbaciones, so puode h allar el valor propio do ln
energa y las funciones de onda propias de la ecuacin (7 .1 0 4 ).
En este caso rosulta quo la superposicin de 1a perturbacin a)
potencial V (r) conduce a la separacin de niveles de la banda per
m itid a. E sto se ilu stra con la fig. 7 .1 2 . Cuando UaVT0 > 0, e l nivel
correspondiente al techo de la banda perm itida se elev a. Todos los
dems (N 1) niv eles no v aran prcticam ente do posicin. S i
UaVm < 0 , ol nivel de energa m n im a desciende (/o es ol valor medio
do la onorga do la perturbacin on ol volumen Kr0). Do osla form a,

F ig. 7 .1 2 . Form acin do niveles perm itidos en la banda prohibida o expensas

do la accin <lo una oxcitnciu

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Cap. 7. Propiedades elctricas do los slidos

on la banda prohibida aparocon nivoles perm itid os E i, condicionad os
por las im purezas o los defectos.
Ln funcin do onda i|7, (r) do osle estad o os proporcional a la fun
ci n do W ann ior:
'l'i 0 0 ~

( r r 0) ,

(7 .1 0 5 )

la cual es prxim a a cero en tod as p artes, excep to en el punto r0 y en

su pequeo e n lo m o . E sto s ig n ifica que el electr n con energa
que so encuentra en ln banda proh ibid a est localizad o en la regin do
la pertu rbacin.
C alcu lar la posicin do los n iv eles de las im purezas o d efectos,
inclu so si se conoto la form a concrolu do ln p ertu rb acin U ( r ) , es
p rcticam en te im posible, ya que so desconoce la form a e x a c ta del
p o lcn cin l V (r). No o b sta n te , aplicand o el con cepto de m asa e fe ctiv a ,
ln ecu acin (7 .1 0 4 ) se puede e sc rib ir en la form a
(7 .1 0 6 )
A qu no est ya presento el p o ten cial peridico y la m asa efectiv a
d el electr n , que aparece, se puedo d eterm inar exp erim en talm en te.
E slo m todo de solucin do la ecuacin de S ch ro d in g er se denom ina

m todo de La m asa efectiva.

Como ejem p lo , h allem os la posicin de los n iv eles lo cales per
m itid os de los tom os do im pureza dol grupo V de la ta b la do M endoliev on los sem iconductoras elem en tales del grupo IV . Supongam os
quo en uno de los nudos do un c ris ta l do germ anio h ay un tom o de
arsn ico , con cin co electron es en la capa de v a le n cia . Cuatro e le c tro
nes de v a le n cia p a rticip a n on la form acin de los onlaces cov alen tes
con los cu atro tom os de germ anio v ecinos. Como el en lace cov alen te est satu rad o , el q u in to electrn n > puede form ar un nuevo en lace.
E stan d o en el c ris ta l, la in teracci n de este electr n con el gran
nm ero de tom os de germ anio que lad ean al de arsnico es r e la tiv a
m ente d b il. Pero a causa de eslo su inlace con el tom o As d ism inu
yo y el electrn se muevo por una rl ita de gran rad io. S u com p o rta
m ien to es sem ejan te al dol electr n en ol tom o de hidrgono. De
e sta form a, el problem a so reduce a i uscar los n iv e le s do energa de
un tom o hidrogonoide. P ara resolverlo hay que tener on cu en ta las
c irc u n sta n c ia s sigu ion los. Com o el electr n so m ueve no slo en el
cam po cou lom biano dol ion de arsn ico, sino tam bin en el cam po
peridico do la red, hay que atrib u irle la m asa e fe ctiv a m * . A dem s,
la in teracci n del electrn con ol res o del tom o de arsnico A s*,
cu y a carga os Ze, tien e lugar en un sli lo que poseo la p e rm itiv id ad e.
T en ien d o esto p resen te, la onerga p o ten cial del electr n del tom o
do im pureza ser

(7.107)

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7.9. Niveles de energa do los tomos do impureza

267

(7 .1 0 8 )

P or analoga con la solucin de la ecuacin de Schrdinger para

e l tom o de hidrgeno, so puede obtonor el valor propio do Ja onorga
de esto electrn:
1

m Z V

2 /WeJ
A qu la energa se cuanta desde el fondo de la banda de conduccin,
7 1 es el nmero cuntico. S i en (7.109) se ponen los valores num
ricos do m, e, Ti, e0 y la energa se expresa en oloctrn-voltios, se
obtiene
(7.110)
L a m agnitud 13,52 es la energa de ionizacin del tomo de hidr
geno (en eV).
L a energa de ionizacin E A del tomo de impureza (expresada en
eV ) es igual en mdulo a la energa del oslado fundam ental (n = 1):
(7.111)
Como puede verso, ln energa de ionizacin E A del tomo de impureza
es a2 voces menor que la onorga do ionizacin dol tomo do hidrgeno.
De (7.111) se sigue tam bin que E A depende de Z2, es decir, el nivol
del ion do impureza de carga doblo so encuentra en la banda prohibida
m s b a jo que el nivel del ion de carga sim ple.
Teniendo en cuenta que en el germanio e = 16 y m * 0 ,25 m,
obtenem os para la energa do ionizacin do los tomos de impureza
del grupo V quo E A c 0,01 eV . En el s ilicio , en el que e as 12 y
m*
0 ,4 m , la energa de ionizacin debe ser aproxim adam ente
igual a 0 ,0 4 eV . De este modo, cs suficiente una energa muy pequea
para que el quinto electrn paso del estado ligado al estado libre,
es d ecir, a la banda do conduccin. L as impurezas que sum inistran
o lectrones libros so llam an d e donador (o do tipo n). En la tabla 7 .2
so dan los valores medidos do ln onorgin do ionizacin de los tomos
donadores on el s ilicio y en el germ anio. E stos valores concuerdan
bastan te bien con los do E A calculados.

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2(58

Cap. 7. Propiedades elctricas de los slidos

U tilizand o c l morlclo liidrogcnoido so pueden valorar las dimen

siones <lo ln r o c i n on ln cual esl. localizada ln Tiinc.jn do ondn dol
electrn ligado ul Homo de mpuroza. lis ta regin vicno determ inada
por ol radio do la prim era rb ita do B o b r, que so h alla por la relacin

<7.112)
A qu a f 0 ,5 3 - 10~10 ni es el radio de la prim era rbita de B o lir de
tom o de hidrgeno. P ara la impureza donadora en el germ anio
obtenemos rzt = (j a
3 4 - 1 0 * 10 m . S i so ticno en cuenta que el
parm etro (la constante) de la red del germ anio es igual a 0 ,5 6 nm,
est claro que esta rb ita abarca cerca de 200 nudos de la red. E l
radio de la prim era rb ita de B o h r do una impureza del grupo V en el
s ilicio es algo menor, a, as 30
pero tam bin suficientem ente gran
de. Todo oslo ju stific a ln utilizacin del p otencial coulom biano para
calcu lar rt.
Tnliln 7.2. ICncrgin de io n izaci n de los donadores
en el s ilic io y en el germ anio
*<! eV
Donador
en el silicio
r
As
S I.
Ili

0 ,0 4 5
0 ,0 5 3
0 ,0 4 3
O.OG9

en el germanio
0 ,0 1 2 8
0 ,0 1 4 0
0,00(18
0 ,0 1 2 5

Supongam os ahora que uno de los nudos de la red de germ anio se

ha sustituido por un alom o de impureza del grupo I I I do la tab la de
M cndcliov, por ejem plo, por un tom o de boro. Tros electrones de
v alen cia del tom o de boro form an tres enlaces cov alen les con los
lom os de germ anio vecinos, pero ol cu arto enlace se queda incom ple
to. Un cnlaco incom pleto no es o tra cosa sino un hueco. S e com porta
com o una p artcu la con carga p o sitiv a + e Jo que asegura la n e u tra li
dad olctricn en la regin del crista l quo rodea al tonio do im pureza.
E l tom o do boro puedo cap tu rar on el enlace incom pleto un e lec
trn de la substancia bsica y convertirse en un ion cargado n egativa
m ente. E l hueco queda libro en este caso. Lns im purezas quo sum inis
tran huecos libres so llam an a c e p t o r a s (o de tip o p ) . L os valores co
rrespondientes de la energa para la impureza aceplora so pueden o b te
ner dol misino niodo que so obtuvieron para la impureza donadora:

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7.10. E stad o s localizad os rrlncionndns cnn ln su p erficia

A qu inf, os ln m nsa e fe c tiv a del

iiu oco. 121 n ivel rm iilniiionhil (lo ln
im pu reza a c e p ta ra ( ? t = l ) , o xp resad o on o V ,
* a = J 2 * l( . ) ,

(7 .1 1 4 )

rc.

i '
__ __

er t

__

__

' jj
.. i

Ed----------------------------------

n2

debe en co n trarse en e l germ anio

e,
0 ,0 1 ev m as a lto que el tech o de la
band a de v a le n c ia . E n la ta b la 7 .3
Fig 7 1 3 . Eslados do impuroza , un.
se dan los v a lo res e x p e rim e n ta le s
lamntales y excitados on la banda
de E a de la s im p u rezas dol grupo
prohibida
I I I en el g erm an io y on e l s ilic io .
D e la s frm u las (7 .1 1 0 ) y (7 .1 1 4 ) se in fiere que, a la par de los
n iv e le s de im p u reza fu n d am en tales, en la b and a pro h ibid a e xisten
los estad os de im pureza e x c ita d o s corresp on d ientes o los v a lo res del
n m ero c u n tico n = 2 , 3 , 4 , . . . s to s se en cu en tran m s a lto s que
e l estad o donador fu n d am en ta) o m s b a jo s quo el acop tor fu n d a
m e n ta l (fig . 7 .1 3 .)
T abla 7.3.

E n e rg a de io n iz a c i n de los a c e p to rc s
en el s ilic io y en el germ an io
eV

Acoptor
ce el silicio
B

Al
Ge
In

en el germanio

0 ,0 4 5
0 ,0 5 7
0 ,0 6 5
0 , 1G0

0 ,0 1 0 4
0 ,0 1 0 2
0 ,0 1 0 3
0 ,0 1 0 2

In v e stig a n d o la absorcin in fra rro ja do onda larg a en e l s ilic io a la

te m p e ra tu ra del h elio lq u id o se h a d eterm inad o la p osicin do los
e sta d o s e x c ita d o s en la b an d a p ro h ib id a de dicho elem en to . E sta
p o sici n con cu erd a b ien con la p red ich a por el m odelo hid rogenoide.
A te m p e ra tu ra s n o rm ales los estad o s e x c ita d o s pueden no tenerse en
c u e n ta , ya quo, debido a la pequenez de T?,, (o f? fl), no e jercen in flu e n
c ia im p o rta n te sobre la s propied ades de los slid o s.

7 .1 0 . E sta d o s lo ca liz a d o s relacio n ad o s

con la su p erficie
A dem s do la s im purozns y d ofoctos, lodo c ris ta l ronl contieno
o tra a lte ra ci n do la p erio d icid ad , re lacio n ad a con la su p erficie.
H a sta ah o ra no hem os tom ad o en con sid eraci n la e x iste n cia de la

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270

Cap. 7. Propiedades elctricas do los slidos

superficie, suponiendo ol cristal i

finito o introduciendo condicin
v0
do frontera cclicas. Tero en 193
ol cientfico sovitico 1. E . Tam
mostr que adems do los estadi
* de las bandas* y de las mpun
zas existen en los cristales los est,
l'ig. 7.1 . Energa potencial del
electrn on una cadena de tomos
dos de superficie. Estos tienen e;
unidim ensional lim itada
pcclro energtico discreto y fui
ciones de onda que se amortigua
cxpononcialm cnlc a medida que se penetra hacia dontro dol crist
y se aleja hacia el lado del vaco.
Para dem ostrar cmo la lim itacin de las dimonsiones del crista
influye sobre el espectro oncrgtico de Jos electronos, vamos a ana
lizar el sencillo ejem plo siguiente. Supongamos que se trata de un
cadena de tomos inidim onsionol, lim itad a por uno de sus extremos
para ln cual la dependencia de ia energa potencial V del eleclri
respecto de la d istancia x tiene la forma representada en la fig. 7.14
Dontro del cristal (x > 0) la dopendencia V (#) es peridica, con pero
do igual al de la red, y fuera de l (x < 0 ) , V (x) = V0. E l plam
x = O es la superficie del cristal.
H ay que resolver la ecuacin m onoeleclrnica de Schrodingei

Dentro del c rista l, e: decir, en la regin x > 0, la solucin tiene k

forma
t i = A ,U k (x)e,hx + A ,U .h (x) e - ik\

(7.115;

en la que, como ante , U , (,r) es una funcin peridica con perodo

igual ni de la red; A y A 2 son cocficiontos arbitrarios. E l vector de
onda es una funoii determinada do Ja energa del electrn k =
= k (E). L a funcin ele onda (7.115) debe ser fin ita . En un cristal
ilim itad o esta cond in se cumple cuando k es real. Los valores do
la energa con los c mies k (E ) es real son los perm itidos (bandas
perm itidas), y los inl ;rvalos de energa en los cuales le (E ) escom pieja , los prohibidos ( mndas prohibidas). En el c rista l lim itad o la
solucin (7.115) debe em palm ar en el plano x = 0 con la solucin
en la regin del vac i. Cuando E < V0 en la regin x < 0 , la soluc i n , fin ita cuando x -*- oo, es la funcin
t : = A exp (
L as condiciones
.

V 2m tya- E )

(7 .1 1 0 )

lo ompnlme
d ti

dt

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7.10. Estados localizados relacionados con li> superficie_________ Z7I

conducen a ia sig u ien te correlaci n de los coeficien tes:

/ t if / * ( 0 ) - M 2/ - ( 0 ) = > l,

[^ r L

+ ikU* ()] + ^ [ % L o - ^

(7 .1 1 7 )

<>] =

De e sta form a los coeficien tes A , A t y A s deben elegirse de manera

que satisfag an las relaciones (7 .1 1 7 ) y (7.118). A dem s, la funcin i)>
(7.115) debe ser fin ita en la regin x > 0.
E xam inem os dos casos:
1. Supongam os que la energa del electrn cae dentro do una de
las band as porm itid as del c ris ta l ilim ita d o . P ara l k (E ) es real. En
este caso la funcin t|i (7.115) es fin ita para cu alesqu iera valores de
los coeficien tes. S lo queda quo so cum plan las condiciones (7.117)
y (7 .1 1 8 ), las cuales son dos ecuaciones lineales con tres incgnitas
(A j, A s, A 3). E stas ecuaciones tienen soluciones para cualesquiera
v alores do los coeficien tes, os decir, para cualesqu iera valores de ln
en erg a dentro de los lim ite s de la zona perm itid a. E sto sig n ifica quo
todos los niv eles de onerga perm itid os en el crista l ilim itad o resul
tan sor p erm itid os tam bin on ni cristal lim itad o por la superficie.
2. Supongam os ahora quo la energa del electrn corresponde
n una do las bandas prohibid as dol c rista l ilim itad o , os docir, k (E)
es una m agnitud co m p leja. L a con dicin do finitu d de la funcin de
onda (7 .1 1 5 ) se cu m p lir en esto caso si uno de los c o d ice n lo s A , o / l,
(en dependencia del signo de la p arte im agin aria de le) se supone igual
a cero. E ntonces (7 .1 1 7 ) y (7 .1 1 8 ) se con v ierten en dos ecuaciones
lin ea le s hom ogneas con dos in cg n itas. E stas ecuaciones tienen
solucin nicam ente para un valor tal do la energa con el cual el d e
term in an te del sistom a soa nulo. Todos los dem s v alo res de E son
proh ibid os. De esta form a, ln lim ita ci n del c rista l por una superficie
conduce a que, en la regin de energa correspondiente a la banda
proh ibid a del c ris ta l ilim ita d o , aparezcan niveles de energa per
m itid o s. E sto s estad os, localizad os cerca do la su p erficie, reciben
el nom bre de niveles (o estados) de su perficie. L a s funciones do onda
correspondientes a los estad os de su p erficiese am ortiguan exp o n en cial
m ente a m edida de alejarse de sta. E n la regin del vaco la fun
cin 1|) se am ortigua m on ton am ente, y en la regin x > 0 , es decir,
dentro del c r is ta l, se am ortigua oscilando. E sto puede verse por las
frm ulas (7 .1 1 6 ) y (7 .1 1 5 ) si en la ltim a so supone k com pleja y uno
do los co eficien tes igual n coro.
C alcu lar la posicin de los n iv eles de superficie en ln banda proh i
bida cs m uy d ifc il, porque se desconoce la form a e x a cta del potencial

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212

Cap. 7. Propiedades e lc trica s de loa slidos

perid ico. Poro e l propio heclio de

Ja e x iste n c ia de esto s n iv eles no
su scita la m enor duda, sea cual
fuero ia fun cin V (a:).
La densidad de n iv eles do super
ficie en un c r is ta l trid im en sio n al
so d eterm ina por el umoro do c a
denas un id im en sio n ales de tom os
que salen al rea unidad do la su
p e rficie . E s ta donsidad alcan za la
F ig, 7 .1 5 . D iagram a en ergtico (le
m agnitud de 1 0 16 a 1010 c m - *. Ade
un sem icond u ctor in trn seco
m s de los n iv e le s que hem os e x a
m in ad o , llam ad o s niveles de T am m ,
e x iste n estad os <lc su p erficie debidos a los defectos que salen a
lo su p erficie, a los de im pureza ad sorbid os, e tc . S u s c o n ce n tra cio
nes dependen de la s con d icion es de acabado de la su p e rficie .

7 .1 1 . C on d u ctibilid ad in trn seca

de lo s sem icon d u ctores
Considerem os un sem ico nd u cto r quo no co n ten g a im purezas n i de
fectos. T am p oco v am os a tener en c u e n ta la in flu e n c ia de los estad os
de su p erficie. P a ra T = 0 K la co n d u ctib ilid a d e l c tr ic a de este
sem ico n d u cto r ser n u la, ya que en l no hay portad ores do carga
lib res. En e fe cto , la band a de v a le n cia e st to ta lm e n te ocu pad a por
electron es y no lince ap o rtacin alguna a la con d u ccin, y la banda de
con du ccin est desocupada. Cuando T > O R surge la p robabilid ad
de que so produzca el sa lto de e lectro n es de la band a do v a le n cia a la
banda de condu ccin (fig. 7 .1 5 ). Al m ism o tiem p o en la banda do
voloncia so form an huecos. E s t cla ro que ia co n ce n traci n de e lec
tro n es n os igual a la con ccnl racin do huecos p :

n = p.

(7.119)

S im u ltn en m en lf al proceso do fo rm aci n (generacin) de p o rta

d ores libres se desarrolla el proceso do su d esap arici n (recotnbinacin).
U n a p arle de los electro n es re to rn a le la banda de con du ccin a la
de v a le n cia y ocupa los en laces ro to s (huecos). A una tem p eratu ra
dada, por la accin i c lo s dos procesos en co m p eten cia, de genoracin
y de recom b in aci n , en el sem icon d u cto r se o stab lece c ie r ta con cen
tra c i n en e q u ilib rii de portad ores de carg a. A s, por ejem p lo , a la
tom porntura am b ien o la co n cen traci n do electro n es libros y hnocos
on el silic io os, apri xim ad am en le, do 1 0 10 c m -a , y en ol germ anio,
do 1 0 13 c m -:l.
S i al scm icond u' lor so ap lica un cam po e l c trico $ , en l so
produce una cnrrionl j com puesta por la com pouento e le c tr n ic a y por

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7.11. Conductibilidad intrnseca de loa som icooductores

273

la de huecos. L os som icen ductores 011 los Olalos o expensas do in

transicin do c ie rta cantid ad lo ofool-j'onos do Ja banda do v alen cia
n la band a do conduccin se form a una cantid ad igual de huecos se
llam an intrnsecos. R e sp ectiv am en te, su con d u ctibilid ad com puesta
por las com ponentes e lectr n ica y la de huecos, so denom ina in

trnseca.

A tribuyendo m asa e fe ctiv a a los electrones, on la banda do con d u c

ci n , y a los huecos, on la banda do v alen cia, podemos considerarlos
libres y ap licar la expresin de la conductibilidad e l c trica obtenida
con el m odelo de los electro n es lib res de Drude L o ren lz. A s,
por ejem p lo , de acuerdo con (8 .9 4 ) la compononlo electr n ica de la
corrien te ser

) = neVmtA^ - ^ - l g .

(7 .1 2 0 )

Aqu m * es la m asa e fe ctiv a del electr n ; t , el tiom po de relajaci n .

Do aqu , para la con d u ctiv id ad e lctrica debida a la deriva de los
aleclrones, obtenom os
<r=

(7.121)

Con frecu encia las expresiones para ; y o se escriben tle una form a
algo d iferente. Se introduce una m agnitud igual num ricam ente a la
velocidad de deriva de los electrones en un cam po elctrico de in ten
sidad unidad:
!l n =

S sta m agnitud recib e el nom bro de m ovilidad delos electrones. Como

midad de m edida do la m ovilidad so u tiliza de ordinario el cm V (V -s).
Teniendo en cuenta (7 .1 2 1 ), para i y o tenem os:

j =

(7.122)

a = nep.

(7.123)

p = er/mj.

(7.124)

Sn este caso
Sxpresiones anlogas se pueden escrib ir tam b in para la com ponente
le conduccin por huecos. L a con du ctivid ad e lctrica resu ltan te del
em icondu ctor intrn seco viene d eterm inada por la sum a de las dos
om ponontes, conductividad por electrones y conductividad porhuecos,

o = en p + e/qip,

(7.125)

onde jip es In m o v ilid ad d ed os huecos. En (7.125) figuran dos pnre lro s muy im portan tes ilol sem icond uctor, laroiicnnlrnriu y la
ovilidud do los portadores do carga.
Concentracin de portadores. La concentracin on e q u ilib rio de
lectrones para los cuales el in terv alo posiblo do energas se encuentra
101147

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274

Cnp. 7. Propiedades el&ctricas de loa slidos

dentro de los lm ites de la banda de conduccin, se d eterm ina por 1

oxproHn
k'c mAx

/=

N (E )f(E ) dE ,

<7.120

on la que N (E) es la densidad, de los estados, es decir, el nmoro dt

estados que hay por in terv alo de energas unidad en el volum ei
unidad del c ris ta l; / (E), la funcin do Ferm i D irac, que delerm i
na la probabilidad de que el estado est ocupado por un electrn
Valindonos de los resultados del clcu lo de la densidad de estados
obtenidos en el cap. C> y teniendo presento que para la banda de
conduccin oslndnr la dependencia E (le) lione la forma
1 -^ -,
para N (E)

(7.127)

obtenem os

N ( f i ) = 4 n ( - ^ ) S/Z( Z ? _ c)'/=.

(7.128)

A nlogam ente, para la banda do v alencia, en cuyo borde superior

^ =

(7.127a),

tenem os
V (/)== 4 * ( - ^ - ) 3/2 ( v- ) /*.
Sustitu yend o (7.12.S) y la
hallam os
~
J

expresin (6.46)

(7 .1 2 9 )

para / (E ) en ( 7 .12G)r

4 n ( 2 m A W ( E - E c)1/J d
et E - P)/ (V ')+|

L a integracin en (7.130) debe extenderse desde el fondo de la1

banda E c hasta su tocho. Pero la funcin de Ferm i D irac para
E
E v decrece rpidam ente hasta cero, por lo que el lm ite superior
do integracin se ha sustituid o en (7.130) por in fin ito .
Introd ucim os las v ariables adim ensionales

(E -

E c)/(I.b ( / ')*= e

( P _

f)/(/,-B 7') -

q-

(7.131)

L as m agnitudes e y q son, rospectivam ento, la energa del eloclr

on lu banda do conduccin y ol nivel do F erm i, roducitlos a unidades.

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7.11. C o n d u ctibilidad in trn se ca do los so m icu n d u clo ics

/cpT y totnnd os desdo ol fondo to ln bnndn E r . T e n ien d o

cu o n ln , ln o xp resi n (7 .1 3 0 ) so tran sfo rm a on ln
n = 4 l { h - Y ' 2 (/d7)3/2 J
o '

= A ^ i < D -

oslo

en

(7 .1 3 2 )

L a m ag n itu d

N c = 2 (2jim*/cB77/i2)3/

(7 .1 3 3 )

re c ib e e l n om bre de den sid ad de estados efectiv a en la ba n d a de conduc

cin , y
( 7 ..M )
es la in te g ra l de F e r m i D ira c de orden 1/2. L a f rm u la (7 .1 3 2 ) se
puede e s c rib ir en form a m s co n v en ie n te p ara los c lcu lo s, si en (7 .1 3 3 )
se ponen lo s v a lo re s n u m rico s de las c o n sta n te s un iv ersales:
n = 4 , 8 2 -1 0 * ( - ^ - ) 3/27,s/*Ff/(t1).

(7 .1 3 5 )

A h o ra h a lla m o s la co n ce n tra ci n de huecos en e q u ilib r io en la

b a n d a de v a le n c ia :

EV
p=

N ( E ) f,( E ) d E .

(7 .1 3 6 )

Ev mln

A q u / (E ) es la fu n ci n de d is trib u c i n p ara los hu ecos. L a p ro bab ilid a c de que en e sta d o de e q u ilib r io trm ico no h ay e lectr n en un
n iv e l de en erg a E , es d e c ir, do quo este n iv el est ocupado por un
h u e co , cs
/(/) - 1 - / ( / ? ) - 1 -------------------------e "nr

(7
c "lr + 1

+1

T o m an d o en c o n sid era ci n (7 .1 3 7 ) y (7 .1 2 9 ), la exp resi n para la

co n ce n tra ci n de hu ecos tom a la fo rm a

- y - r

?
-

(x

o * r

dg

e - w

+1

ll lm ite in ferio r do in te g ra ci n h a sid o su stitu id o aqu por oo.

E sto es p o sib le si se tien e en cu en ta que la fu n cin /, ( E ) decrece
r p id a m e n te .
18'

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270

C a p . 7 . P r o p ie d a d e s e l c t r i c a s d e

lo s s l i d o s

U tilizando las v ariables adim ensionales (7.131) e ntroduciendc

nuevas mil aciones

-i^ r -

-& -*

* r, ^

**

- ^

" 1

+ *. + * *

(7.139.

reducim os (7.138) a la form a

j> = ffy F t/i ( ti _

e,),

(7.140;

en la t|nc (Vv es la densidad de estados efectiva en la banda de valen

c ia ;
2 n m * k BT \3/2

(7.141)

h2

L a integral do Kormt D irac para la banda do v alen cia liono la

forma

V enios qno para del.urininni las concentraciones do eloclronos y huocos

es necesario ca lcu la r las intogralos de Fonni D irac. E stas integra
les no se calculan exactam en te, sin em bargo, para e lla s hay expresio
nes aproxim adas, correctas para determ inadas regiones de variacin
del argum ento, quo sim p lifican mucho las frm ulas de las con centracio
nes de electrones y huecos:

( eS

cuando

o o < < 1,

(7 .1 4 3 )

I ------- r

cuando

1 < |< 5 ,

(7 .1 4 4 )

| ^ = - 3/z
l. 3 1 n

cuando

/ 'l / i ( l ) = {

0,27 + e*

5<|<oo.

(7 .1 4 5 )

La aproxim acin (7.143) corresponde a la e stad stica de B o ltz ntaii. E s correcta cuando q ( = 1(7?f E c)l(k n T )] < 1, es decir,
citando E F c E , . k T. Do esta form a, si ol nivel de Ferm i se e n
cuentra por debajo del fondo de la banda do conduccin en ms do
/fu 7', elsem iconductor se describe por la e sta d stica cl sica , es decir,
es no degenerado. S i E F est por encim a do E c en ms de 5 kn T , el
sem iconductor es totalm ente degenerado. L a aproxim acin (7.144).
corrocta en el caso E c A'b T c E f < f + 5/jj T , es v lid a para
d escrib ir los sem iconductores con propiedades interm edias (desde,
los no degenerados a los totalm ente degenerados).

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7.11. Co nd uctibilid ad intrnseca do los sem iconductores

277

A plicando la aproxim acin (7.143) y teniendo en cuenta (7.135),

h allam os ln cim cenlrarin di> electrones on el sem iconductor iiilrn scco no degenerado
n = 4 , 8 2 - 10ls ( ^ - ) ,/" T 3/2a ,;c-'-Vi/</'r >.

(7 .1 4 0 )

E sta con centracin depende do la temporal ora, con la particularidad

de que su dependencia viene determ inada, cu lo fundam ental, por ol
term ino expon en cial.
P ara el sem iconductor totalm ente degenerado, de (7.135) y te
niendo en cuonta (7.133) y (7.145), obtenemos
4
3 Vn

f E P - E C )13/2
k r }1 -

N \\
c 1

8n
3

,( 2r* \
Il h* )

es d ecir, ln concentracin no depende de la tem peratura.

De (7 .1 4 3 ) (7.145) es fcil obtener las expresiones aproxim adas
para F tn ( ti e,):
F 1/2 ( ti Ri)

e - 1"1
1
0,27 + c
3 V

- IH -R

cuando o o < q C|< f>

(7.148)

cuando 1 < q C | < 5 ,

(7 .1 4 9 )

( 1] r ,)3/2 cuando 5 < q e , < o o .

(7.150)

Cuando [ ( E v E t )/(kB 71)] < r 1 E\> > E y + k B T, el sem icon

ductor es no degenerado, y cuando E P < E v 5/rB7\ es totalm ente
degenorado.
Tom ando en consideracin (7.148) y (7.150), de (7.140) obLoriemos
para la cuncenlracin de huecos en el som conductor no degenorado

p = 4 , 8 2 - 1 0 <5 ( J & y n r * /* c - (Kr - K>v "T

(7 .1 5 1 )

y en el totalm ente degenorado

p

==J v T N v

<7 1 5 2 >

L as expresiones obtenidas para n y p perm iten calcular la con

cen tracin de electrones y huecos si se conoco la posicin del nivel
de F c rm i. Como dicha posicin so determ ina por la condicin de
loiilrididad olcc.lrica dol sem iconductor intrnseco, so puedo h allar
resolviendo la ecuacin n = p o bien
A ' ( i | )

NvFt/a ( - ' I

'i)-

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(7.153)

C|). 7. Propiedades elctrica s do los slidos

P ara ol sem iconductor no degenerado (7 .1 5 3 ) lom a Jo forma

A\o "

(7 .1 5 4 )

De nq ni es fcil lu! I iir vi nivel do Komi i:

/.

y-i'

Ar t Av
~a

i A||7 | Nv
1 2 " 1,1 yvc

~ . r r.
I/.I.M )

<>, lonicinlo on cu en ta las expresiones (7.133) y (7.141),

i ; r = A ^ + /,b r i u ( ^ | ) 3/\

(7 .1 5 6 )

Si
/o, ln posicin dol nivel de Ferm i on el setniconducinr inlrinsoco no dependo de la tem peratu ra y se encu entra en ol
ren tro do la banda prohibid a. S i mp=^=m* la oncrga E v slo se
m n ie n lrn en el centro de la banda prohibida cuando T = 0 K . A m e
dida qun se elev a la tem p eratu ra, este n iv el se desplaza lin ealm en lo
h acia la banda en la cual es m enor la m asa e fe ctiv a de los portado
res. L a fig. 7 .1 6 ilu stra lo antedicho.
Teniendo presente quo en el sem icond uctor in trn seco n = p =
- j, determ inam os la con centracin intrn soca de portadores de
carga:
i

(>t/))l/2 - ( A l.;Vv)'/- ,>xp ( -

) .

(7 .1 5 7 )

, tom ando en consid eracin las expresiones para N c y iVY,

i - 2 ( 2 p - ) 3,2 (mS*)V TV* M p ( -

-J j L r ) .

(7 .1 57a)

Ln eoneentracin de portadores (electrones y huecos) en el sem icon

ductor intrnseco n> degenerado resu lta no depender de ia posicin
del nivel de Ferm i. D icha con centracin nuinontn con la tom peralnra
segn una ley expoi cn cial con energa de activ aci n igual a Ja m itad
de la anchura de 1 t banda prohibida.
L a curva de la dependencia de la con cen traci n de portadores
intrn secos respecte de la tem p eratu ra, con stru id a en coordenadas
lo o,, respecto de !T (fig. 7 .1 7 ), es p rcticam en te una lnea recta:
li

c o n s t - h -y ln-jp

^T~Jr '

(7 .1 5 8 )

ya que Ja funcin lo (I/'/) se puedo despreciar en com paracin con el

trm ino 1/7'. Ln ti ngonlc de) ngulo de in clin aci n de esta recta es
igual a la m itad le la anchura de la banda proh ibid a:
tg T A' /(2/i'b ).

(7.150)

Uno de los p ro cn lm en lo s para d eterm inar la anchura de Ja b a n

da prohibida del se m ico uiliiclor con siste en hnllnr el ngulo de in c li
nacin de las re d is exp erim en tales ln n t respecto de J/7'.

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7 .1 1 . C o n d u c t i b i l i d a d

in tr n s o c a

f i g . 7 .1 0 . D ependencia del n iv el do
Forin i respecto de la tem p eratura en
un sem icond u ctor in trn se co

d o lo s s e m ic o n d u c to r e s

271)

F ig . 7 .1 7 . D ependencia de la conconraci n do portadores en mi sotnicondu ctor intrnseco respecto do la tem

peratura. constru id a cu coordenadas
ln ni, respecto do l/T

De (7 .1 5 6 ) se sigue que con la elev aci n do la te m p eratu ra, en

virtud de la aproxim acin del niv el do Form i n la banda con p o rta
dores livianos, el sem icond uctor puede con v ertirse do no degenerado
en degenerado. L a degeneracin om pieza cuando la d istan cia entre
E P y el lm ite de la b and a so hace conm ensurable con la m agnitud
k f T. E n estas con d icio nes, si la degeneracin om pieza, por e je m
plo, on la band a de con d u ccin, en ln banda do v alen cia esto no se
observa, ya que, al aum entar T, el nivel de Form i se alo ja de e lla
c a d a vez m s.
E n esto caso la e x p re si n p ara la co n ce n tra ci n do p ortad ores en
e l sem ico n d u cto r in trn se c o degenerado tom a la forma
, = N c F ,n (ti) = A T ,e--i.

(7 .1 6 0 )

A qu la in teg ral do K erm i - D irac F ,/ 3 (q) ya no se puedo su stitu ir

por e l trm in o exp o n en cial. E s t c la ro que, en el sem ico n d u ctor
in trn se c o , la d egeneracin ompioza nicam eu lo cuando las m asas
e fe c tiv a s do los e lo clro iies y los huecos se d iferen cian m ucho. Un
e je m p lo de sem ico n d u clor de este tip o es el an lim o n iu ro de indio
(In S b ), en el cu al mf, za 10 m?,.
M ovilidad de los portadores. L a m ovilidad de los portadores
de carga se d eterm in a, do acuerdo con (7 .1 2 4 ), por el tiem po de
re la ja c i n t . E l tiem po le re la ja ci n fue introd ucid o en el modelo
de los electron es lib res do D rude para e x p lic a r las con d u ctibilid ad es
t rm ica y e l c tric a de los m etales. Se supuso que, en un tiem po uni
d ad , cu alq u ie r electr n e xp erim en ta e l choque con una probabilid ad
igual a 1/t , os d o rir, so consider quo ol resultado del choque lio de
pendo dol estad o de los electro n es on el in stan te do la dispersin.
E sta s im p lifica ci n es desm esurada. L a frecu en cia do los choques
do un electr n depende m ucho, por ejem p lo , de la d istribucin de los

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280

Cap. 7, Propiedades elctricas de los slidos

o lio s oleclronos, puesto que, cu virtud de) principio do Pauli, lo:

electrones despus do los choques slo pueden pasar a los nivele!
desocupados. A d e m s , en id slido existen diversos mocanismos dt
dispersin. Por oso, al describir as los choques, se renuncia a l<
aproxim acin del tiempo do relajacin. Un voz de introducir ol
tiempo de relajacin se supone la existencia di* c.ierla probabilidad
do quo diiranlo un tiempo unidad un electrn, como resultado dt
choque pase de la banda n, con vector de onda k, a la banda
con
voclor de onda k,. lisia probabilidad se baila por medio de los co
rrespondientes clculos m icroscpicos. Pero este enfoque complica
mucho cl estudio.
El anlisis pormenorizado demuestra que si los procesos de
choque son elstico s y si la dispersin conduce a una distribucin
aleatoria de los porladoros do carga soqe sus velocidades, os decir,
si liono lugar una dispersin cquiprohnhle de las partculas on lodos
las direcciones, la descripcin de los procesos do dispersin so puede
hacer aplicando ol concepto do tiempo de relajacin.
Vam os a suponer que puedo introducirse el tiem po de relajacin,
ligado con la longitud del recorrido libro del portador y sil velocidad,
por la relacin t X/Vni(,Hl. En cl modelo de los electrones libres
do Drudo so supona que los oleclronos chocan con los restos atmicos
situados en los nudos de la red. En este caso era do esperar quo la
longitud del recorrido libre fuorn com parable con las distancias
intcrnlm icas. Poro la evaluacin, atenindose a la conductividad
elctrica medida, de las longitudes del recorrido lib re da valores
que superan en muchas veces dichas distancias. Este hecho corrobora
que lo.s choques de los oleclronos on ol cristal son do otra naturaleza.
Antes se ha mostrado que cl electrn do conduccin en el cristal
so describe por una onda do B loch. La densidad media de carga
e |<> |2 trne el mismo valor en cada celd illa del cristal, puesto
quo la funcin \|> es peridica y tiene el mismo perodo que la red.
Esto significa que, m ientras so conserva la periodicidad perfecta, la
onda electrnica se propaga por el cristal sin am ortiguarse. Por
consiguim e, en el cristal perfecto los electrones que se encuentran
on la banda de conduccin tienen un recorrido libre do longitud
in fin ita. La alteracin do la periodicidad perfecta hace que la fun
cin de l.ilocli deje de satisfacer la ecuacin do Schrodinger, es decir,
se produce la dispersin. La longitud del recorrido lihro se hace finita.
La alteracin de la periodicidad puedo deberse a impurezas, defectos,
a la superficie del cristal y a Jas vibraciones trm icas do los tomos
(fonones).
En el .semiconductor intrnseco, en el cual no hay impurezas ni
defectos, ol tiempo de relajacin se determina por la dispersin de
los portadores en los fonones. Al tra ta r de la ley de W cidemann
Erauz mlirunuis (cap. t) que la longitud media do) recorrido lihro
del electrn es inversam ente proporcional a la concentracin do

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7.12 Conductibilidad del sem iconductor extrnseco

28f

fonones (frm u la (0 .1 0 3 )J, ln ctitil, n su vez, en la regin do tem peratu

ras a lta s es proporcional a Ja tem p eratu ra. De esta forma,

i l ( n ) ~ 1 IT .

(7 .1 6 1 )

Ln velo cid ad m edia dol m ovim ionio de los electrones V mcii M propor
cio n al a T 1l t. T en ien d o esto en cu enta obtenem os que Ja m ovilidad,,
con d icio n ad a por la dispersin en los fonones, es
^

- ~

r 3/2-

(7-1C 2)

Los razo n am ien tos exp u esto s son correctos para el gas electrnico no
degenerado. E n este caso los electrones que hay en 1a banda de con
duccin son pocos y por eso todos ellos particip an en la con d u ctib i
lidad e l c tric a ind ep en d ientem en te uno de otro.
S i el gas electr n ico es degenerado, la aportacin a la condu cti
b ilid ad la hacen no todos los electrones, sino slo aquellos que se
encu entran cerca del n ivel do F e rm i. P o r lo ta n to , como tiem po de
re la ja c i n hay que lo m a r en esto caso
t p = \T/V P,

(7.163)

en ol que
es la longitud del recorrido libro, de los electrones que
poseen en erg a p rxim a a E P y Vp, su velocidad de m ovim iento.
Como Vp no depende p rcticam en te de la tem p eratu ra, para la mo
v ilid ad dol gas e lectr n ico degenerado obtenem os
p~

r - V c o n s t ~ T~l .

(7 .1 0 4 )

T en ien d o presente (7.162) y (7 .1 6 4 ) y las expresiones antes ob te

nidas para la con cen traci n de portadores en los sem iconductores no
degenerados (7 .1 5 7 ) y degenerados (7 .1 4 7 ), podemos sacar una
con clu si n acerca de la dependencia do la con d u ctibilid ad e lctrica
do los sem icond uctores in trn seco s. A s, por ejem p lo, la co n d u ctib i
lidad de los sem icond uctores in trn secos no degenerados aum enta a l
elev arse la tem p eratu ra segn una ley expon en cial.

7.12.
C onductibilidad
de los sem icon d u ctores ex trn seco s
S i en un sem icond u ctor se ha introd ucid o una impureza donadora
o acop torn, entonces a tem p eratu ras b a ja s , cuando la energa de las
v ib ra cio n e s trm icas es in su ficien te para que los electrones salten de
la banda de v a le n cia a la de con d u ccin, los portadores do carga
lib res pueden su rg ir a expensas <lo la ionizacin de los niveles de
im pu reza, i.a energa de ionizacin de los llenadores o captores
pequeos, com o se m ostr con an terio rid ad , es in sig n ifican te, com
parada con la anchu ra de la banda p roh ib id a. P o r eso el electrn

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282

Cap. 7. Propiedades elctricas de la s slidos

ligado al tom o (lonndor puedo

sor separado ron luislaolo facilidad de d icho tom o, os decir,
trasladado dol n ivel donador a
la banda de conduccin (fig.
7.1 8 , a). Cuanto m s a lta sea
la tem peratu ra, ta n to m s do
nadores cedern sus electrones.
Fig. 7 .1 8 . Diagram a energtico de un
Cot la elev acin de la tem pe
sem icond uctor por exceso (n) y do un
ratu ra, natu ralm en te, aumenta
sem iconductor por defecto (b)
la probabilid ad de las transi
ciones entre las bandas. Pero
on esto sem iconductor la can tid ad de electrones que hoy en la
banda do conduccin os mucho mayor que la cantid ad do huecos
que hay on ln ilc v alen cia. En virtud de esto , la con d u ctib ilid ad
del sem iconductor que contieno donndoros es e lectr n ica . Los
electrones son los porLoilores do carga m ayoritarios, y los huecos,
los m inoritarios. E sto sem icond uctor recibo el nombro de sem icon
ductor por exceso (o d el tipo n).
En el sem iconductor que contieno impureza accp tora, los clocIronos pasan con facilid ad de ln banda de v alen cia a los niveles
aceptores. Al mismo tiem po en la banda de v alen cia se generan Imecos libros. E l nmero de huecos libres que hay en e lla es mucho m ayor
que ol do electrones lib r e s que se forman a expensas do la s tra n s icio
nes do la banda de v alen cia a la do conduccin. P or oso los huecos
son los portadores m ayoritarios y los electro n es, los m inoritarios.
Ln con d u ctibilid ad del sem icond uctor con im pureza accp tora tiene
carcter doconduccin por huecos, y ol sem iconductor m ism o, de
acuerdo con esto, sollam a semiconductor p or defecto (o del tipo p).
E st claro que la elevacin de la tem peratu ra hace que a l fin
y al cabo todos los electrones do los n iv eles donadores pasen a la banda
do conduccin y, luego, ol crecim ien to do 7 ' provoca e l resp ectiv o
aum ento do la concentracin de portadores intrn secos. M ientras la
conductibilidad intrnseca puede despreciarse, para la con du ctivid ad
elctrica del sem iconductor por exceso se puedo e scrib ir:

o = 0R}ln,

(7.1 Oh)

y para el sem icond uctor por defecto

o = ep\i p.

(7.160)

Veam os ahora cmo la con centracin de portadores y su m o v ili

dad varan con la tem peratura.
Concentracin de portadores. Supongam os que en un sem iconduc
tor hay donadores y que la cou cen lracin de stos es N,\. A nloga
m en te a com o so hizo en el caso del sem icond uctor in trn seco, se puedo
escribir la condicin do neutralid ad e lctrica y por olla d eterm inar

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7.12 Conductibilidad dol sem icond u ctor extrn seco

la p osicin d el n iv el de F e rm i en
ol sem ico n d u cto r oxtrnsn oo. A s,
on ln regin do Lcm partituras ter
m o d in m icas b a ja s ,
cuando los
procesos de tra n s ici n do e lectro nos do ln b an d a do vnloucin a ln do
con d u ccin pueden d esp reciarse,

i?
c + d
E f= =
2

knT
2

283

Ec
Ep
Ed

I n ' V T ( 7 .1 6 7 )

A qu JVe es la donsidnd do estad o s

F ig . 7 .1 9 . D ependencia del nivel
e fe c tiv a en la b and a do con d u c
de F e rm i, respecto de la tom poratu ra , en un sem ico n d u cto r tip o n
cin d eterm in ad a por la exp resin
(7 .1 3 3 ); g , el fa c to r d e degen eracin
d e esp n del n iv e l de im pu reza. D iscu tam o s el sen tid o Fsico de la
m agnitud g . E l nm ero to ta l de estad o s de im pureza quo h a y en la
banda p roh ibid a es igual al nm ero do tom os de im pureza, es d ecir,
igual a la donsidnd N,\ referid a a l volum en unidad del c r is ta l, ya que
cada to m o puede ced er a la band a pro h ibid a solam on lo un electr n .
Pero un n iv el d onador lib r e puede ca p tu ra r m i electr n de la banda
do condu ccin do dos m an eras, en dopendoucia d el sen tid o d el espn.
P o r c o n sig u ien te, el nivel de im pureza es dos voces degonorado. sto
sig n ifica que ol estad o neu tro de la im pureza donadora tien e dos
veces m s peso e sta d stico quo el estad o ionizad o. E n este caso g = 2.
R a z o n a m ie n to s anlogos pueden ad ucirse tam bin para los n iv eles
uceptores.
Do (7 .1 6 7 ) so sigue quo en un sem ico n d u cto r que con ten g a una
im pureza d onadora, a la tem p eratu ra T = 0 K el n iv e l de F o rm i so
en co n trar en ol cen tro entro ni fondo do la banda do condu ccin y ol
nivel do im pu reza. L a dopondoncin do E g respecto do la tem peratu ra
3sl co n d icio n ad a por la d ep cndoncia de N c respecto de ln lom poralura y por ol trm in o /cu T en (7 .1 6 7 ). Con o aum ento do la te m p e ra
tura en la regin de la s te m p eratu ras b a ja s , cuando g N c < Vdl ol
nivel de F e rm i al p rin cip io se acerca a la b and a de con d u cci n
y despus com ien za a doscendor h a c ia la banda p ro h ib id a. Cuando
Nc = N a v olv em os a tenor E P= ( E C -f- E A)/2. E l p osterior aum ento
le la tem p eratu ra hace que d escien d a E P (fig . 7 .1 9 ). E s te descenso
jon d u ce a que la co n ce n traci n do electro n e s au m en te, al cre ce r T ,
iogn una le y e x p o n e n cia l. E fe c tiv a m e n te , su stitu y en d o (7 .1 6 7 )
jn la exp resi n de ln c o n ce n tra ci n
n = N ec*,
)b tenem os

i -= N e oxp (

e q

e a

2kur

t_

NcHa

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"nr .

(7 .1 6 8 )

284

Cap. 7. Propiedades elctricas de los slidos

Poco a poco la concentracin di

olortrones en ln bnndn de r.onduc
cin so lince com parable con
fin esto rnso In expresin (7.1(57) di
l i f so lusco in a p lica b le, fil an
lis is d etallad o m uestra que nqul

K v = E c - A T ln (yV0/7V,|) (7.109)
y la con centracin de electrones
n = /Vd.

F ig. 7 .2 0 . D ependencia de ln co n
cen tracin de electro n es, respecto
do la tem p eratura, en un sem icon
d u ctor tip o n:
I, ionizacin de las Impurezas; 2, zona
de agotamiento; S, transiciones de la
lianiln de valencia a la banda de con
duccin

(7.170)

La igualdad (7.470) sig n ifica que

toda la impureza donadora est
ionizada. La regin de tem peratu
ras en la cual se cum ple la condi
ci n (7.170) so denom ina zona de
agotam iento de la im pureza. La
ionizacin total de la impureza ompioza cuando i> desciende varias
/fu7' por d ebajo do
S i Ja tem peratu ra sigue elevndose produce un aum ento de la
conconlncin de electrones a expensas de la s transiciones entre ban
das. fin este caso i, y n se determ inan por la s ecuaciones (7 .ISO)
y (7.157), L a dependencia re su ltan te de la con cen traci n de electrones
respecto do la tem peratura se da en la fig. 7 .2 0 . D ependencias anlo
gas so observan para los huecos en los sem iconductores que contie
nen impureza aeeptora.
M ovilidad. En los sem iconductores extrnsecos los portadores
de carga son dispersados no slo por los foliones, sino tam bin por los
tom os do impureza ionizados. Por ejem p lo, en un sem iconductor
por exceso los electrones libres que se mueven cerca de un ion do
impureza, cargado p ositiv am en te, cam bian su tra y ec to ria comom uestra la fig. 7.2 1 . C laro est que cu anto m ayor sea la velocidad
del electrn tan to m enor sor su
d esviacin. Los clcu los dem uestran
que la m ovilidad debida a la dis
persin on una impureza ionizada,
cuando el gas electrnico no es dogonerado, es
| i~

7'3/*,

(7.171)

y en el caso del gas degenerado

no dependo do ia tem peratura.
Rl
m ecanism o de dispersin
que estudiam os desempea el papel

F ig. 7 ,2 1 . M ecanism o do dispersin'

de los electrones por los iones ticimpureza

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7.12 C onductibilidad del sem iconductor oxtrnseco

l-'ig. 7 .2 2 . Dopomlonciii do ln in o v ili<ind do los portadores do carga on un

som icon du ctor o xtrn seco , rospocto de
la tem peratura

285

r I''ig. 7 .2 3 . D ependencia do ln cond uctiv id a d do un som iconductor o x trn soco no degenorado, respecto do la
tem p eratura (Ndl <
< Nris)

d ecisiv o en la regin do tem p eratu ras b a ja s, en quo la con cen tracin

do fonones es pequea. A tem p eratu ras a lta s dom ina la dispersin
por los fonones. E n 1a fig. 7 .2 2 so ropresonta la dopotidoncia de la
m ovilid ad resp ecto do la tem peratu ra para un sem icond u cto r e x trn
seco no d egenerad o, que consid era tan to la dispersin por los iones
com o por lo s fonones. T en ien d o en cuontn lodo lo expu esto puede
llegarse a una con clu sin acerca de cu l debe sor la d ependencia,
respecto de la tem p eratu ra, de la con d u ctiv id ad e l c trica del sem icon
d u c to r e x trn se c o . E n el in te rv a lo de tem peratu ras on que la con
cen traci n de portadores deponde exp o n o n cialm en te de la tem p eratu xa, a ( T) tam b i n es p r ctica m en te una funcin exp o n en cial, y on
la zona de agotam ien to de la Impureza la m archa de ln cu rv a a (7)
vione d eterm inad a por la d ependencia do la m ovilid ad respecto de
la te m p eratu ra. L a form a tp ica de la dependencia de la c o n d u ctiv i
dad do un sem icon d u ctor no degenorado respecto do la tem peratu ra
so m uestra en la fig. 7 .2 3 .
La exp e rie n cia m uestra quo con ol aum ento de la con cen traci n
de donadoros (o accp tores) la in clin aci n de la s re c ta s ln a respecto
de U T on la rogin do con d u ctan cia e x trn se ca , d ism inu yo. D e acuer
do con (7 .1 6 8 ), esto sig n ific a quo d ism inu ye la energa de ionizacin
do la im pureza. Con una c ie r ta con cen tracin c r tic a d icha enorga
e anu la. P ara los elem entos del grupo V en cl germ anio esta concen
tracin c r tic a es do 3 - 1 0 17 c m -3, y on cl s ilic io , de 3 - 1 0 1* cm - .
Un sem ico n d u cto r on el cual la energa de ionizacin de la impureza
le ha anulado su ele re c ib ir ol nom bro de sem im elal. E n l la concon.racin de electro n es y la con du ctivid ad son in sen sibles a la tem pern,ura (excep to en la regin do tem p eratu ras en que com ienza la conlu ctan cia in trn se ca ).
Los fenm enos que so observan se deben a que, si las con centradones do im pureza son grand es, su form an ban das de im pureza. Cuan-

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286

Cap. 7. P ropiedad es a lectrica s j e loa slidos

ilo A',) os grand e, las runo,iones do onda de los o lectro n es ligados coi
los to m o s ilo Impureza .so superponen. E s to o casio n a la descomposi
oin do los n iv eles de im|nire'/.a on una llanda. Con.ol anm oolo do li
eo iicciilra ci n de im pureza e sta banda se ensancha cad a vez ms
y por ltim o os ju n ta con la banda (le co n d u ccin . Do e sta forra:
d esaparece la onorga do ion izaci n do la im pureza.
E n los soiuieundiieliiros con gran con ten id o rio im pureza, e n li
regin de tem pera tu ras b a ja s , so pone de m an ifiesto uu m ecanism o tic
con du ccin e sp ecfico , llam ad o conduccin por la banda d e Impureza.
S upongam os que so lie n e un sem ico n d u cto r por exceso con una
c o n te n racin de d onadores ta l, que con olla se lia o riginad o una
banda de im pureza. E n lodo sem ico n d u cto r real tam b in e x iste siem
pre c ie r ta can tid ad de ncoptores. P o r oso. p arle do los electrones
do los n iv eles donadores pasan a los acep tores. L os e lectro n e s lo c a li
zados en los n iv e le s donadores reciben de e sta form a la posibilidad
de sallar a los n iv eles donadores lib res. Ln a p lica ci n de un campo
e l c tric o e x te rio r lince quo lo s s a lto s ad quieran c a r c te r d irig id o. Si
la te m p eratu ra del sem ico n d u cto r se elev a , en la banda de conduccin
em p ieza a d o m in ar poro a poco la con d u ccin o rd in aria.

7.13. D ep en d en cia de la con d u ctiv id ad e l c tric a

de los m eta les resp ecto de la tem p era tu ra
A d ife re n cia (le los d ie l ctric o s y sem ico n d u ctores, en los m etales
la banda de v a le n cia est ocupada por los electro n es p arcial o to ta lm on te, pero al m ism o tiem po se superpone a la sig u ien lo banda
p e rm itid o. L os estad os ocupados estn sep arados por ol n iv el de
F erm i de los no o cu pad os. De tta form a, el n iv e l do F e rm i en los
m etales e st situ arlo en una b and a p e rm itid a.
j
En el c a p tu lo a n te rio r, al tr a ta r (lo la ap o rtaci n de los electro n es
de ro iiih ieri ii a la co n d u ctib ilid a d y cap acid ad c a lo rfic a s (le los
m etales qued e sta b le cid o que ol
gas e le c tr n ic o en lo s m tales es
fu ertem en te degenerado. Com o en
esto
caso la co n ce n tra ci n
de
e lec tro n e s no depende p r c tica m en
te de la te m p e ra tu ra , ln dependen
c ia , resp ecto de la tem p eratu ra,
de la con d u ctiv id ad e l c tric a del
m etal a =
v ien e d eterm inad a
por ln depom loncia de la m o v ili
dad resp ecto de T. E n la regin de
tem p eratu ras a lta s , cu los m etales,
lo m ism o quo en los sem icond uc
tores, d om ina la d ispersin de los
to ru n o r :ih ir ;i

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7.14. Los slidos on cam pos elctrico s intenso

28T

e ln e lrn n cs por los fonones. Y a so m ostr con an terio rid ad quo pnra
el gris e le c tr n ic o d egenerad la m o v ilid ad co n d icio n ad a por la dis
p ersi n en los fonones es in v ersam en te p rop orcional a la tem p eratu
ra (7 .1 6 4 ). P o r co n sig u ie n te , la resistiv id ad del m etal (p = i/o )
c re ce lin e a lm e n to al au m en tar T. A te m p eratu ras b a ja s , cuando la
c o n ce n tra ci n de fonones se h ace pequea, la m o v ilid ad se d eterm i
na por la d isp ersi n en la s im pu rezas. E n el caso del gas electr n ico
d egenerad o esto m ecan ism o de d ispersin con du ce a un m ovilidad
quo no dependo de T.
E n la fig . 7 .2 4 se rep resen ta la d ependencia p (T) para un m etal,
co n stru id a ten ien d o en cu en ta el c a r cte r descrito de la v ariaci n
de |t con la te m p e ra tu ra . E n la regin de tem p eratu ras b a ja s la resis
tiv id a d p erm an ece c o n sta n te . E l v alo r de la re siste n cia resid ual p re3.
depende de la c o n ce n tra ci n de im purezas en el m e tal.

7 .1 4 . P ro p ied ad es de los slidos

en cam p os e l c tric o s in ten so s
H a sta ah o ra, a l co n sid era r la c o n d u ctib ilid a d e l c trica de los
s lid o s hem os supu esto que el tiem p o de re la ja ci n r no dependo del
cam po e l c tric o . E n esto s con d icio n es la densidad de corrien lo es
p ro p o rcion al a In in ten sid ad dol cam po j erutos d ecir, lo conduc
tiv id a d <r es una m agnitud in d ep en d ien te del cam po. Pero la e x
p erien cia m u estra que la in d ep en d en cia de cr respecto do 5? slo se
observ a en los cam pos cuya in ten sid ad es m enor que c ie rto v alor
c r tic o . Cuando <S > S?c. In con d u ctiv id ad v ara a m edida que crece
<?, es d ecir, la ley de Olim d eja de cu m p lirse. E sto es consecuencia
de la v ariaci n de la co n cen traci n de portad ores de carga o do la
m o v ilid ad do stos.
Los fenm enos que conducen ni in cu m p lim ien to do la ley do Ohmen los cam p os e l c tric o s in ten so s se pueden d iv id ir on dos grupos.
Al p rim ero pertenecen lo s fenm enos que hacen qtic v a re el tiempode r e la ja c i n y , por c o n sig u ien te, la m ovilid ad do los portadores.
E s to s fenm enos son : cl calen tam ien to d el gas electrn ico y ol efectoG unn. E l segundo grupo de fenm enos, on el que figuran la ionizacin
p o r choque y el efecto Zener, h ace q u e -v a re la con cen traci n do por
tad ores.
C a le n ta m ie n to del gas electr n ico . L a m o v ilid ad do los porta
dores do carg a se d eterm in a por el tiem p o de re la ja ci n t X/u, el
cu al e st re la cio n a d o con la lo n g itu d d el reco rrid o lib re X y con la
v elo cid ad v do la p a rtc u la . E n o caso d el gas e lectr n ico no degene
rado In v elocid ad re s u lta n te del m o v im ie n to del electrn se com pone
de la v elocid ad rio d eriv a y de lo v elocid ad del m ov im ien to trm ico:
v = v + v T.

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(7.172).

288

Cap. 7. Propiedades elctrica s da lo3 slidos

E n los campos d biles es v,| <C v r y la volocidad re su ltan te se

-determina por I velocidad trm ica v 7.. fsl.u no doponde de ln intonsidad dol cam po, por lo <|no la m ovilidad tam poco depende do %>. Co
mo la concentracin do electro n es tam bin es indopond ion Le dol cam
po, lu condu ctivid ad e l c tric a es una m agnitud conslUnlu.
A medida <|iio aum enta la intensidad del cam po <S, crece la velo
cidad do deriva. Cuando v(1 se lineo com parable con la velocid ad tr
m ica, la velocidad resu ltante em pieza a dopondor do $ . R ato conduco
a que la m ovilidad y la con du ctivid ad e l c trica dependan de f?, os
-decir, a que no se cum pla la ley de Ohm .
E l aum ento de la velocidad resu ltan te do los olectronos en los
campos intonsos Itac.o (pie crezca la energa do los electro n es y, por
consiguionlo, que so eleva la tem peratu ra del gas electr n ico . Por eso
oslo efecto recibo ol nombro de calontam ion to del gas electrn ico,
y los oloctrotios m isinos se denom inan on este cnso electrones calientes.
A dvertim os que el cale n tam ie n to del gas e lectr n ico so observa
en los sem iconductores y p rcticam en te no ocurro en los m etales.
E sto se debe a la im posibilid ad de crear en un m etal cam pos intensos
a causa do la a lta con cen traci n de electrones U bres y a l efecto de
o p an tallam ion to.
E fecto Gunn. En liJ, J . G unn, al estu d iar el com portam iento
dol nrseniuro do g alio on la regin de los cam pos intonsos, d escubri
1111 fenmeno nuevo con sisten te en que se producen o scilacio n e s de lu
corriente, con m a frecuencia de 10" a 1010 1-Iz, cuando ai c ris ta l se
aplica un cam po o lctrico co n tin u o . E l efecto G unn fue observado
m s tarde on los fosfuros do g a lio o indio y en una serie de o tro s sem i
conductores. E sto efecto tam bin est relacionad o con la v a ria ci n
do la m ovilidad de los portadores de carga en los cam pos intensos.
Pero el mecanism o do v ariaci n de p os d iferente del an tes estudiado.
Muclios sem icond uctores, y en p a rticu la r el arseniuro de galio ,
tie n e n una estructura zonal instante co m p le ja. A s, la banda de con
duccin de este arsoniuro, adem s
del m nim o de E (k) en le = 0, tie
ne un segundo m nim o en la d irec
cin 11001 cuando k 0 ,8 k 0, sien
do k 0 el vector de onda correspon
d ien te al lm ite de la zona de B ri
llo u in en 1a d ireccin (1001. La
e stru ctu ra zonal clcl GaAs se lia
representado esqu em ticam en te en
la fig. 7 .2 5 . E l segundo m n im o (B)
so encu entra 0 ,3 6 eV m s arriba
quo el prim ero (A ). Como la cu r
H''ig. 7 .2 5 . E stru ctu ra ile bandas
v atu ra de la
d ependencia
E (k)
del arseniuro do galio :
en la regin de estos dos m nim os
<1, linniln 'le
iti, l, linaria rio
es d is tin ta , tam bin son diforenva lom* la

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7.14. Loa slidos en cam pos elctrico s intensos

280

tes las m asas o fcctiv n s do los electro n es que se h allan en dichos

m n im o s, En la regin d o l m n im o
0 , 0 7 ni ( o s d ecir, l o s
eleetrou os son m s liv ia n o s), E n la regin dol m n im o (U). in ~
as 1 ,2 m (o sonr, lo s e lectro n e s son m.s posados). I,a m ovilid ad do
los electro n es lig ero s es xA as (40U,..t5U) <;m8/ (V -s), y la do los
posados, |ia a i (1 0 0 ...2 0 0 ) c iu V (V -s).
L a v ariaci n do ln m ov ilid ad de los portadores en los cam pos
intonsos es d ebid a a que Jos electro n es pasan dol m nim o A al m
nimo B . E n los cam pos d b iles los e lectro n e sse encuentran en e q u ili
brio term od in raico con la red. Como la enorga de los electron es en
las con d icio n es o rd in arias cs m ucho menor que la d ista n c ia (por la
escala de onorgas) e n tre los m nim os, k n T < g .A E , p r ctica m en te
lodos los electro n es ocupan los n iv eles del m nim o A , es d ecir, n A =
= n 0. L a densidad de c o rrien te en este caso es

jj = en 0[iA$ .

(7.173)

Al c re ce r la in ten sid ad del cam po la energa de los electron es se eleva

y cuand o lleg a a c ie rto v a lo r c r tic o <?c se hace posible lo tran sici n
del m n im o A al B , en el cual ln m ovilid ad es mucho menor. La
densidad de co rrien te en e stas con d icion es d esciende y al fin de
cu en tas so hace igual a

le = rtoUng.

(7.173a)

Como resu ltad o , en la d ependencia j (<?) aparece un tram o do co n

d u ctiv id ad d iferen cial n eg ativ a (fig. 7 .2 6 ).
V am os a estu d iar con m s d e ta lle el m ecanism o de ta in e s ta b ili
dad e l c tric a quo ocasiona la s o scilacio n e s de a lta frecuencia de la
co rrien te . E s to con vieno hacerlo basndose en el experim ento de
Gumt. Supongam os quo a la m u estra do unsem ico n d u cto r, en form a do
parnlelcp podo dolongitud L , so ap lica una tensin e x te rio r. S i cl
.scin irniiiliiclo r es hom ogneo, el
cam po e l c tric o d en tro <lo la m uestra
tam bin lo sor. Pero todo c ris ta l
/ enoM^a
real c o n tie n e algu nas h etero g en eid a
des. L a presencia do lieterogcn eidados con m ay o r re siste n cia hace
que en el punto de la m u estra, en
que se en cu en tran
a q u llas, la
intensid ad
del cam po
e l c trico
tenga un v a lo r m s elev ad o . S i la
intensid ad
del
cam po
e x te rio r
aum enta, el v a lo r $ c se o b lien o en
dicho punto au tos quo en la parto
restan te de la m u estra. A causa
de esto , en la regin do la liotorooncidad m inim izan las tran sicio n es
19-01147

F ig . 7.2C . D ependencia de ln den

sidad do c o m e n to roa poeto do ln
in ten sid ad dol cam po elctrico ,
para un sem icond uctor con lu e s
tru ctu ra do bandas roprcsentndu on
ln fig . 7.2 5

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C-Iip. 7. Propiedades e lctrica s do los slidos

Pig. 7.27. Estructura de Un dominio

elctrico
dol m nim o A I m nim o B , oh d ecir, surgen e lectro n es pesados. L
m ovilid ad aq u dism inuyo y la re s is te n c ia crece ad icio n aliticn lc.
E sto ocasiona mi an llen lo de la intensid ad del cam po en el sitio en
quo est localizad o lo heterogeneid ad y una tran sici n m s intensa
de los electro n e s al m n im o B . D en tro do la m u estra el cam po se hace
bru scam ente hotorogiioo. E s ta zona con Tuerte cam po elctrico
recibe cl nom bro de dom in io elctrico.
Un d o m in io , co n ten ed o r de e lec tro n e s posados, b a jo la accin
del cam p o , se puedo tra sla d a r a lo largo de la m u estra con velocidad
ro ln liv am on io b a ja (ya que la m o v ilid ad do los e lectro n e s pesados
es pequea). Los electro n e s lig ero s tam b in se desplazan en ol cam po,
poro con una v elocid ad m ayor. L os electro n es que se m ueven detrs
dol d o m in io , lo alcan zan y form an una regin de carga volu m trica
n e g a tiv a , y los que m arch an d ela n te , se a le ja n del d om inio y, de osle
modo, se form a una regin em pobrecida on electro n e s, es d ecir, una
regin de carga v o lu m trica p o sitiv a (fig. 7 .2 7 ). Al cab o de cierto
tiem po se e sta b le ce un estad o e stacio n ario en el cu al la velo cid ad con
quo so m ueve el d om in io e.s igual n lo v elocid ad con que s e mueven
los electro n es fuera de l. E sto ocurre porque e l cam po ha aum entado
mucho d entro del d om inio y , a causa de eso, crece la velo cid ad con
quo se m ueven los electro n es dentro de l. E l cam po fuera del dom i
n io , al co n tra rio , dism inuyo bru scam en te. P o r eso la v elocid ad de
d eriv a de los electro n es fuera do lo s lm ite s d el d om inio, d ism inu ye.
Cuando el d om inio llega al lm ite de la m u estra, se destru ye.
Supon gam os que la tensin e x te rio r se a p lic a a la m uestra en el
in s ta n te la. Con e slo se produce una co rrien te cuya densidad tien e
c ie rto v a lo r m xim o I
(fig. 7 .2 8 ). In m e d ia ta m e n te , en una de la s
h etero gen eid ad es em pieza a form arse un d om inio. E s te proceso se
d esa rro lla con m ucha rapidez, ya que la co n sta n te de tiem po re lacio
nada con la tran sici n de los e lectro n e s del m n im o A a l B es igual,
ap roxim ad am ente, a 1 0 " 11 s. L a in ten sid ad de la c o rrien te dism inuye
de un modo brusco b aslo el v alo r /,in, d eterm inad o por la v elocid ad
do tra sla c i n del duiiiiniii. listo v alo r de la co rrien te se con servo

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7.14. Los slidos on campos elctricos intensos

291

basta que ol dom inio so destruyo

mi

ol

lliiilo

do

lo

iiitlnalni.

Km

ovidento quo ol tiem po quo dura

el m ov im iento del dom inio sor
/' = U v ,

(7.174)

donde va es la velocidad de trasla

cin del dom inio. Ln intensidad de
la corrien te vuelve a crecer hasta
el v alor I mtx y otra voz so forma
un dom inio y la corrien te d ism ifr . 7.29. B.mdas onojgticas de un
nuye. Asi se producen la so scila cio - semiconductor en un campo elcnes do la co rrien te. La frecuencia
trico intonso
do las oscilacion es viene determ i
nada por la longitud do la m uestra, l or ejem plo, si L = 50 (.uu, la
frecuencia sor de 2 GN z. La velocidad do traslacin dol dominio
no dopende del cam po oxterio r y os de 104 m/s. E l cam po lo nico que
hace os v a ria r ol grosor dol dominio.
E l efecto Gunn so aprovecha para croar generadores do vib racio
nes de frecuencia superlevada (VH P).
Ionizacin por choque. E l aum ento do ln conductividad de un
slido en cam pos intensos se debe al crecim ien lo de la concentracin
de portadores de carga. Con cam pos cuya intensidad es mayor que
107 V/m, los electrones de conduccin adquieren energa suficiente
para ionizar tom os. Como resultado de la ionizacin se forman pares
eloclrn-lnteco, los cu ales son acelerados por el campo hasta energas
altas y, despus, tam bin pueden ionizar oros tom os. De este
uiodo, la concentracin do portadores libres crece en avalancha.
E ste proceso recibe el nom bre de ionizacin por choque. E sta ioniza
cin no perfora inm ed iatam ente la substancia porque los electrones
(y los huecos), dispersndose en los fonones, transm iten su energa
3 la red y pueden recotnhinarsc.
E fecto Zcner. E s te fenmeno se observa en campos muy intensos
'de ms do lO" V/m). E l aum ento do la concentracin de portadores so
ifecta en este caso a expensas de la transicin, por efecto tnel, do
os electronos de la banda do v alencia a la banda de conduccin. En
ti sem iconductor quo so encuentra en el cam po elctrico se observa
ina in clin aci n de las bandas energticas tan to m ayor cuanto ms
levada es la intensidad del cam po elctrico (fig. 7 .29). La transicin
i B a travs de la banda prohibida no requiero gastos de energa
i se llev a a cabo a expensas del efecto tnel. Ln anchura de la barrea A B d ism inu ye a medida que aum enta la intensidad del campo. En
drlud do esto crece lo probabilidad do la transicin por efecto
nul.

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292

Cnp. 7. Propiedades elctrica s de los slidos

7 .1 ! .

E fe cto H a l l

Los fenmenos em tico s quo so producen on los slid os cumulo

solro olios actan ni mismo tiompo un campo o lctrico y otro magn
tico , so llam an fenmenos galvanom agn leos. E xam in em o s uno do
los fenmenos galvnnom ngnlicos m ejo r oslan)indo, ol llam ado rfv c lo
H a ll.

Supongam os que una m uestra de form a rectan g u lar, por la cual

circu lo cerrin le cuya densidad cs j, so encuentra en un cam po magn
tico B , do direccin perpendicular al vector j (fig. 7 .3 0 ). A dm tanlo?
que los portadores do carga son los electro nes. JS1 cam po e lctrico
acotera ol electr n , el cual ad quiere la velocidad de deriva
v = p g .

(7.175)

Sobro la partcu la que se mueve con esta velocidad act a la fuer

za do L orcn lz
1 'l -

e lvB ],

(7.170)

d irig id a p orpcnd icu larm eiile a los vectores vd y U. B a jo la accin do

las fuorzas c% y F/, , el electrn so muovo por la tra y ecto ria deter
m inada por el resultado de la com posicin do dos tip o s de m ovim ien
to: uno, do traslacin a lo largo de la m uestra y o tro , de ro taci n ,
debido a la accin do la fuerza de L orentz. Por lo gen eral, e sta tra
y ectoria es una cic lo id e . Un cam po m ag ntico con el cual el radio de
cu rv atu ra do la tra y ecto ria es mucho m ayor que la longitud tlel
roc.orrido libro del electr n , so d ice que cs dbil. V am os n consid erar
quo ol cam po m agntico cs d bil.
B a jo la accin do la fuerza do L o rcn lz , los eln clro n cs se desvan
hacia la su p erficie lateral de la m uostra, con lo cual se crea en ella
un exceso do carga n e g ativ a. En el
lodo opuesto se origina un d fic it
de carga n eg ativ a, es d ecir, un ex
ceso de carga p o sitiv a. La d ivisin
de la s cargas con tin a hasta que la
fuerza quo act a sohro los e lectro
nes por p arle dol cam po e lctrico
i?u que ha surgido y e st dirigid o
de una su p erficie lateral a o tra ,
com pense la fuerza (le Lorentz. E l
cam po $ ] j so llam o cam po de H all,
y el fenm eno m ism o do la apa
rici n , en la m uestro por la cual
pasa la co rrien te, del cam po e lctrico
transversal lmjn la Influ encia del
b ig . 7 .3 0 . S u rgim ien to ,lu la.literene i a de potencial de H a ll

* " !* > -'g m H co ,

d e ejccL o H a l l .

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t "n m lir u

7.10. Influencio ilo los n iveles de sup erficie

293

A s, pnos, ln d iv isin de las cargas cesa cuando so cum plo la con

dicin

eoAB e

= 0.

(7.177)

De aq u es f c il h a lla r ln d iferen cia de p o ten cial Vj entre las dos

caras la te ra le s , llam ad a f.e .m . de H a ll. S i b es la anchura de la
m uestra,
VH = $ b = vAB b.
(7.178)
D eterm inan do vA por la oxpresin de la densidad de la co rrien te
/ -

env

(7.179)

y su stitu yend o su v alo r en (7 .1 7 8 ), so obtien e

V = -

h iD b = R }B b -

(7.180)

Como puedo verse, Vu es proporcional a la densidad de la corriente

y a la ind uccin del cam po m ag n tico. E l coeficien te do[ proporcio
nalid ad R se conoco con el nom bre de constante de R a il:

U(ne).

(7.1 8 1 )

S i los portadores do carga son Jos huecos, no os d ificil ad vertir

que la fuerza de L oren tz que sobre ello s act a los desva h a cia el m is
mo lodo que los electro n es. E n este caso para la con stan te de H all
so tondr
R = 1/(p e).
(7.182)
E l producto de la c o n sta n te do H all por la con du ctivid ad d eter
m ina la m ov ilid ad do Jos portad ores de carga (denom inada m ovilidad

de H all):
R a = p H.

(7.183)

E sta m ovilid ad puede d ife rir un poco de ln d eterm inada por la con
d u ctiv id ad , ya que el tiem po do re lajaci n t en lra en la teora del
efecto H all do un modo algo d iferente a com o lo liaco en la do la
conduccin.
M idiend o c o n ju n ta m e n te el efccLo H all y la con d u ctiv id ad de la
m uestra so puede ob ten er inform acin acerca del signo de los porta
dores de carga y de su con cen traci n y m o v ilid ad .

7.16.. In flu e n c ia de los n iv eles de su p erficie sobre

la s propiedades e lctrica s de los slidos
So lia dem ostrado ron anterioridad que la lim itaci n del cristal
por una snporicio ocasiona el su rgim ien to en la hunda prohibida do
estados localizad o s. E s to s n iv eles de su p erficie, lo mismo que los

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Cap. 7. Propiedades elctricas do los slidos

niveles de impureza y de defectos, pnedon ejercer una

influencia

n ifm rla n l.n an liro la s p m p io iln d o s fsiniM d e Iom s lt lo s . l'N la h ifliio n -

cin se puedo uiaiiife.slar on los fonmcnos siguieiiles.

1. Las nivelas da snporfir.ir, al gunl que lus do impurezas o (In
fectas, pnodon ser donadores onceptores de electrones. Porconsiguion
io, pnedon linear (|no varo la enlli'OMlrnrill do portaderas do
carga. Ior mediacin de ellos puede efectuarse tam bin Ja recombinncin do los portadores.
2. tillando la densidad de los estados de superficie os a lta , os
posible la formacin de u n a banda b i d i m c n s i o T i a l do superficie. Si
esta banda se llena de electrones parcialm ente, debe producirse una
conduccin superficial do tipo m etlico. Eu ol caso do lo s m tales
dicha c o n d u c c i n no puede com petir con la gran conduccin de volu
men, pero en los d ielctricos y en los sem iconductores, preparados
especialm ente en forma de pelculas delgadas, la conduccin do
superficie puede hacer una a p o r t a c i n im portante a la conductividad
total de la muestra.
3. En las muestras p olicristalinas pueden e x istir bandas de
superficie en las superficies de los c risla lito s. S i las dim ensiones de
estos ltim os son pequeas, la conduccin de superficie puede predo
minar sobro la de volumen.
4. Los niveles de superficie pueden capturar electrones y crear
una gran carga negativa do superficie. E n la capa adyacente a la
superficie dol cristal se produce una falta de electrones, es decir, se
crea un oxcoso do carga positiva. E l campo elctrico quo as se ori
gina puedo alcanzar lO" 10' V/m. E ste cam po distorsiona las ban
das energticas cerca de la superficie dol c rista l. La distorsin do
estas bandas ocasiona la variacin del trabajo de salid a de los electro
nes y do una serie de otras propiedades.
Adems de los fenmenos enumerados, los niveles de superficie
pueden ejercer influencia sobre la absorcin de la luz, sobre los
procesos de adsorcin de tomos por la superficie de los slidos
y otros sem ejantes.

7.17. Superconductividad
En H UI, cuando hacia experim entos para investigar la influencia
de las impurezas sobre la resistencia residual de los m etales, el fsico
holands H . K am crlingh-O nnes descubri un fenmeno nuevo que
recibi ol nombre de superconductividad. Al osludiar la dependencia
do la resistencia del mercurio respecto do la tem peratura, estableci
que a tem peraturas m uy bajas desapareca la resistencia de la m ues
tra inesperadam ente. A la tem peratura do 4 ,2 K la resistividad se
anillaba de reponte (fig. 7.iH ). La teora do ln conduccin de los
m etales, que ya hemos estudiado, predeca que en las m uestras sin

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7.17. Sapcicondeclividitd

295

impurezas y dofectos la resistividad

debera tender a rere piinlal imi
mente cuando 2'-*- UK. Utro insul
tado tambin inesperado fue que la
adicin de impurezas al mercurio
no ocasionara ln aparicin de resis
tencia residual, es decir, las mues
tras pasaban
tambin al estado
de superconductividad.
H asta hoy ha sido doscubiorta
la superconductividad en la m itad,
aproxim adam ente, de los elemen
tos m etlicos, en un gran nmero de
compuestos m etlicos y, en ciertas condiciones especalos, en una
serie de sem iconductores. La temperatura 7c, denominada temperatu
ra de transicin a la superconductividad o temperatura critica a la cual
desaparece la resistencia dol conductor, varn para d istintas substan
cias desde unas centsim as de K basta 20 K . Esto puede verse
en la tab la 7.4 .

rabia 7.4. Teni]>crjilurn lo transicin a la superconductividad

de algunos metales y compuestos

Metal
Re
Ti
Zr
Mo
In
Sn
Ta
Pb
'IV.
Nb

t c. k

0 ,0 3
0 ,4
0 ,7 5
0 ,9 3
3 ,4
3 ,7
4 ,5
7 ,2
7 ,7
9 ,3

Compuesto

r c.K

TijC O
Li2ln
Nb,A
MoN
NbN
Nb,Al
NbjSn
Nbg (Alo j,tiC0.a)
NbjO

3,44
10,4
11,5
12,0
16,0
17,0
18,05
2 0 ,9
23,4

La teora m icroscpica do la superconductividad fue croada tan

slo en 1957, es decir, el fenmeno descubierto por Kam erlingh-O nnes constituy un enigma durante cerca de 50 aos. M ientras tanto
fueron estudiadas muchas propiedades de los superconductores. V a
mos a enumerar som eramente las ms im portantes do ellas.
Resistencia nula. Cuando T < Tc la resistencia del conductor
es igual a cero. Esto significa que si por un anillo superconductor se
lineo circu lar corriente y dicho anillo su dcscnneoln do ln fuente, ln
corriente se conserva en el altillo tanto tiempo como so deseo. A si,
por ejem plo, on un anillo superconductor no se observ debilitacin

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Cij>. 7. l*io|iieihulea e lc trica s do los slidos

dn ln corrlonto duranto m s do dos aos, tiem po quo dur el experi

m ento.
E stru ctu ra c rista lin a . I'od a esperarse que cl paso al oslado do
supercond uctividad tu v iera relaci n con algn cam b io do la estru c
tura c ris ta lin a . S in em bargo, el estu d io de la e stru ctu ra c ris ta lin a de
los superconductores por el m todo de los ray os X. lia m ostrado que
cuando la tem peratu ra del m etal desciende ins ab ajo de T c no se
produce v ariaci n alguna en la s im e tr a de la red ni eri sus parm etros.
Es m s, se lia estab lecid o que las propiedades dol s lid o , d ependien
tes de las v ib racio n es de la red c r is ta lin a , tam bin perm anecen in v a ria
bles. P or ejem p lo , la tem p eratu ra de D ebye y la ap o rtaci n de la
red a la cap acid ad c a lo rfic a son la s m ism as on ln fase norm al y en la
do su p ercond u ctiv id ad . T od o eslo p erm iti lle g a r a la con clu sin de
que la su p ercond u ctiv id ad no e st re lacio n ad a con v a ria ci n alguna
de la estru ctu ra c ris ta lin a .
i
A portacin de lo s electron es a la capacidad c a lo rfic a . E n el
cap . (i se dom oslr que la d ep endencia, respecto de la tem peratu ra,
de la capacid ad c a lo rfic a de un m e tal norm al (no supercond uctor)
en la regin de las tem p eratu ras b a ja s tiene la form a

c A (7 7 0 )a + y 7,

(7.184)

en la que ol p rim er trm ino representa la capacid ad c a lo rfic a de la

red y el segundo, la cap acid ad ca lo rfic a del gas e lec tr n ic o .
E l e n friam ie n lo de un supercond uctor condu ce, prim ero, a que
cuando T
7,. se produzca un s a llo cu la cap acid ad c a lo rfic a sin
que ap arezca ca lo r Intente. E sto sig n ifica que la tran sici n a la
supercond uctividad es una tra n sici n de fase de segundo orden. S e
gundo, cuando T < T ,. la dependencia do la cap acid ad c a lo rfic a
respecto de ln lem p cralu ru se d eterm ina por una exp resi n de la form a

c = A (770)3 + ffe6/<*|jT>.

(7.18)

Fui aportacin dn la red a Ja capacid ad c a lo rfic a sigue siendo la

m ism a que para el m elal norm a], pero Ja ap o rtaci n d el gas e le c tr
nico v ara e sen cialm en te, lie aqu so sigue que Ja sup ercond u ctiv id ad
est relacio n ad a con algu nas v ariacio n es rad icale s d el com p orta
m ien to de los electro n es de cm u lu ccin .
E fecto isotpico. E li l (J 5U, E . M axw oll e, ind ep en d ientem en te,
Cb. lle y n o ld s y sus colabo rad ores e stab le cie ro n que la s m u estras dn
sem icond u ctores bochas le d istin to s istopos de un m ism o elem en to
poseen tem p eratu ras c ritic a s d iferen tes. E n la m ay o ra de los casos 7'c
os in v ersam en te proporcional a la ruz cuad rad a de la m asa del
istopo. E l efecto isotp ico m u estra que la red c r is ta lin a , aunque
no varfn durante la tra n sici n al estad o de su p ercon d u ctiv id ad ,
desem pea un papel Im p o rtan te on la v ariaci n de las propiedades
del gas e le ctr n ico . En dependencia de 7 c respecto de la masa del
istopo m u estra que pora el fenm eno de la su p ercon d u ctiv id ad tiene

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7.17. Superconductividad

gran im p o rtan cia ln internecin do los a lu d io n e s con lns v ib racio n es

do i ii m i . O tra s m usan do dopondiun'iii ilo 7,. rospuc.lo dol numero to
n cu lio n e s, 4]no Imy (mi el iloiiiii, no existen .
E fe c to R leissiicrO kscnfeld. E stu d iand o c) com p ortam iento do
los su p ercond u cto res on mi cam po m agntico, W . M eissner y l t . O ksenleld e stab leciero n quo, si ln m uestra de un supercond uctor so enfra
en un cnnipo m ngiiliru Imstn iinn tem peratu ra in ferio r n 7',., en
el punto de tran sici n a Jn supercond uctividad el cam po m agntico
es expu lsad o de la m u estra. En o ir s palabras, en el superconductor
es igu al a cero la ind uccin m ag n tica B , o sea, el superconductor es

un d iam ag n tico perfecto.

H ay que a d v e rtir que este resultado no os sim p lem ente conse
cu encia de lo d esaparicin de la resisten cia. En e feclo , de la le y de
Olim E = pj se sigue que para un valor fin ito (lo , y p >- 0 , el cam po
e l c trico E dentro de la m u estra debe ser nulo. Con e sta co n d ici n ,
com o puede verso por Ja ecu acin de M axw ell

debe ser dil/dl = 0 , es d ecir, el flu jo m agntico den tro de lu m u estra

no puedo v a ria r cuando sla pasa al estado de supercond uctividad .
D e esta form a, ol diam agrielism o p erfecto, lo m ism o quo la resis
te n cia n u la, es una propiedad fundam enta] del superconductor.
Propiedades m agnticas. No todos los superconductores so com
portan ig u al en el cam po m ag n tico. P or sus propiedades m ag n ticas
lo s supercond uctores se d ividen en dos rdenes', prim ero y segundo.
E l efecto M eissner Oksonrold se observa en los de prim er orden,
a ios cu ale s pertenecen lodos los superconductores elem en tales e xcep
to el n io b io . L o s supercond uctores de segundo orden (niob io, ale a cio
nes y com puestos qu m icos supercond uctores) no m an ifiestan dichoefecto. E l cam p o m ag ntico penetra en ello s, pero de una forma
m uy p u rlicitlar.
L a su p ercond u ctiv id ad puodu ser d estru id a por un cam po m agn
tico do in ten sid ad su p erior a la do c ie rto cam po c r tic o 7/c . Ln
m ag n itu d //c depende de la tem p eratu ra:

H a (T) = H a (0) [1 -

(T /T ^ ).

(7.180)

E fecto s Josepbson. E n 190 2 , B . Josephson pred ijo los efectos

do la llam ad a superconductividad d b il , denom inados efectos Jo sep h
son. Se d istin gu en los efectos estacion ario y no estacion ario d e Josephson.
E l efecto e sta cio n a rio co n siste en que la su p ercorriente puede
pasar, en au sencia de cam po e l c trico , a trav s de un vano aislan te
entre dos supercond uctores, si la capa a islan te os suficien tem en te
dolgada (do 1 a 2 m u). E sto sig n ific a que los electron es supercon
ductores son cap aces de atra v e sa r, por efe cto t n el, capas aislantesdelgadas.

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298

Cap. 7. Propiedades elctricas de los slidos

Si se aumenta la corriente a travs do esto contacto de los super

conductores, sta alcanza cierto valor m xim o, despus do lo cual
en el con tad o aparece una tensin elctrica V. De acuerdo con las
predicciones de Josephson, en estas condiciones on el contacto
debe surgir una corriente alterna de alta frecuencia
ce = 2eV/n.

(7.187)

liste es el ejecto Josephson no estacionario. Los efectos Josephson no

slo lian sido confirmados por va experim ental, sino que sirven de
base de un mtodo extraordinariam ente exacto de medicin de la
tensin. En la actualidad existen transdnctoros param tricos de
frecuencia, bolm etros y otros aparatos creados basndose en estos
efectos.
En los cfecLos Josephson nos encontramos directam ente con una
propiedad im portantsim a del superconductor: el com portam iento
conform e, coherente de sus electrones. Los electrones de los dos
superconductores, por medio del enlace dbil (capa aislante) se
unen en un colectivo cuntico nico.
Absorcin de la radiacin electromagntica por los superconduc
tores. Y a en los aos 30 se advirti que cl estado de superconductivi
dad poda destruirse por medio de una radiacin electrom agntica de
frecuencia apropiada. En este caso la radiacin debera ser absorbida
por el superconductor. Los experim entos realizados posteriormente
confirmaron estas suposiciones. Result quo cuando r < f , . la
absorcin de las ondas electrom agnticos se produce con frecuencias
mayores de 1 0 " llz . Uii limito de absorcin anlogo so observa tam
bin on los sem iconductores. En ellos oslo est relacionado con el sal
to de un vano energtico (banda prohibida) por los electrones. La exis
tencia clcl lm ite de absorcin en los superconductores corrobora
tambin (pie on su espectro existe cierto vano energtico. A d ife
rencia de los sem iconductores. Ja anchura de este vano on los super
conductores es muy pequea (de ~ 1 0 " 1 cV ). Si esta magnitud se
expresa por medio de k T , resulta (pie T debe ser dol orden de I K .
En orden de magnitud esto est de acuerdo con las temperaturas
criticas de transicin a la superconductividad.
La priinora teora que describi con suficiente xito las propie
dades de los superconductores fue la de F . London y II. London, pro
puesta on 1935. Esta teora se basaba en el modelo de superconductor
do los dos fluidos. Se consideraba que a T c T c en el superconductor
hay electrones superconductores, cuya concentracin es ns (T),
y electrones normales, la concentracin de los cuales es n s
(siendo n la concentracin total de electrones de conduccin). La
densidad de electrones superconductores uK disminuye al elevarse la
tem peratura y so anula m ando 7 /,.. (mando I s- O K esta d en si
dad Lleude n la del lolal de los electrones. La corriente de olcctrunos,
superconductores pasa sin resistencia a travs de la muestra.

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7.17. Superconductividad

299

Los Loiidon, como com plemento de las ecuaciones do M axwell,

diluviaron las ecuaciones para el campo olool.rniiingiilicn en oslo
superconductor, du las cuales so inferan sus propiedades fiiiidniiieii
tales: la ausencia de resistencia o la enm onto continua y ol dinm agnetism o porfccto. Sin embargo, como lu loora do los London ora
fnnomoiinlgicn, no poda dar respuesta a la pregunta principal:
qu son los electrones superconductores? Tenia adems una serio
do in suficiencia* ([tic fueron elim inadas por V . L . Gunzlnirg y
y L. D. Landu.
En la leoria de Gunzburg Landu, para describir los propiodades de Jos superconducloros, so recurri a la m ecnica cuntica.
En esta teora todo el conjunto do los electronos superconductores
se describa por medio de la funcin do onda
(r) respecto do una
coordenada esp acial. Antes hornos dicho que, 011 general, la funcin
do onda de n electrones en un slido es una funcin do n coordonadas
T ( r ,. r 2> . . ., rn). Con la introduccin de Ja funcin T (r) se estable
ca ei com portam iento coherente, conforme, do todos los electrones
superconductores. En efecto, si todos los
electrones tienen un
com portam iento exactam ente igual, conforme, para describirlo
basta ia m isma funcin de onda que para definir el com portam iento
de un electrn, os decir, una funcin de una variable.
A pesar de que la (cora de Gunzburg Landu, desarrollada
ulteriorm ente en los trab ajo s do A. A. A briksov, describa muchas
propiedades de los superconductores, 110 pudo exp licar el fenmeno
do la superconductividad a nivel microscpico.
Slo en 1957, J . Bardeen, L . Cooper y J . Schriofer publicaron su
teora (teora BCS) que pona de m anifiesto el mecanismo microsc
pico de la superconductividad. Una gran aportacin a la creacin
y desarrollo de ia teora de la superconductividad hicieron tambin
los cien tficos soviticos N. N. Bogolibov y L . P . Gorkov. La teora
B C S es muy com plicada, por lo quo en esto libro slo daremos un
breve resumen de las ideas fsicas que le sirven de baso y, as mismo,
de los resultados fundam entales.
A traccin entre los electrones. De las propiedades de los super
conductores citad as anteriorm ente se sigue que la superconductividad
est relacionada con cierta variacin del com portam iento do los
electrones de conduccin. AI mismo tiem po, la red cristalin a participa
activam ente en la creacin del estado superconductor (efecto isot
pico).
na de las principales dificultades para crear la teora de la
superconductividad consista en que no estaba claro qu inloraccin
en el sislem a de electrones do cnduccin ocasiona el comportamiento
conform e de los eleclrunos. Sallemos que 011 ol metal los oleclronos
de conduccin poseen energas de varios electrn-voltios ( ~ E P) y quo
el estado superconductor se destruyo cuando I: T ~ lO '4 oV. Por
lo tanto haba que h allar una inloraccin muy dbil, con participa-

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300

Cap. 7. Propiedades elctricas de los slidos

rin ilo la red, i'.ipaz do ordenar el sixtooia electrnico a pesar de las

grandes energas do los electrones.
fil anlisis Icrico mostr que esta interaccin es ia atraccin
entro los oloctrones que se realiza por mediacin do las vibraciones
do la red. Cmo podemos figurarnos esta interaccin? En los nudos
de la red cristalin a dol m etal se encuentran los restos, cargados
positivam ente, de los loinos. Un electrn, en esta red, tiendo a atra
er los iones positivos. De este modo, en la regin que rodea al electrn
se produce una aglomeracin de cargas positivas. Como suele decirse,
bajo la accin do la carga negativa del electrn, la red se polariza.
Otro electrn que est cerca ser atrado hacia la regin polarizada
y , por consiguiente, hacia el primer electrn. Claro est que entre
los electrones existo tambin la repulsin coulom biana, pero si la
atraccin resulta ser mayor que la repulsin, la interaccin resultante
ser la to atraccin.
Como on el m etal Jos electrones poseen velocidades grandes, la
polarizacin de ia red no es esttica. La polarizacin que se produce
al moverso el electrn deponde de la rapidez con quo la red puede
responder a la accin polarizante del electrn. Es esencial el tiempo
durante ol cual en la red de restos atmicos se puede producir un
desplazamiento. En otras palabras, la polarizabilidad de la red
deponde do la frecuencia de las vibraciones intrnsecas de los tomos.
Para calcu lar la fuerza do atraccin, la interaccin de los electro
nes por mediacin de la rod, lo ms fcil os representarlo com o ol
resultado do la emisin de un fonu por un electrn y su absorcin
por o lio .
Consideremos ol m etal a T = 0 K . Cmo inleraccionan los elec
trones por medio de los foliones, si 0 K no existen foliones?
Supongamos quo un electrn, con cuasiimpuiso P j (o vector de on
da k ,), se muevo por el cristal. En un instante cualquiera este elec
trn excita vibraciones en la red (es decir, em ite un fonn) y al mismo
tiempo pasa a ol.ro estado cuyo cuasiimpuiso es P j (o cuyo vector de
onda es k j). En el proceso de emisin del fonn se conserva el cuasiimpulso:
P j = P + q,

(7.188)

donde q es el cuasiimpuiso dol fonn. Este fonn es absorbido casi

instantneam ente por otro electrn, quo antes de la interaccin
tena el cuasiim puiso P2. Como resultado do la absorcin, el segundo
electrn pasa al oslado P j. Con esto
P + q = P j.

(7.1X9)

Do este modo, como resultado del cangc del fonn, representado

esquem ticam ente cu la fig. 7.32, los electrones han pasado de los

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7.17. Superconductividad

Fig. 7 .3 2 . Interaccin de electrones

por m edio de un fonn

301

Fig. 7.33. Iur medio do los fonones

slo interaccionan los olectrones que
se encuentran en una capa do espesor
2Ak ju nto a la superficie do Fermi

oslados P i y P (k, y k 2) a ios estados P y P j (k y k2). Por lo tanto

se ha producido una dispersin de los electrones entre s. En este caso
Pi + P 2 =

+ P o ki + k 2 = k + k .

(7.100)

Poro ln dispersin de dos partculas slo puedo efectuarse si stas

interaccionan.
E l fonn que intercam bian los electrones so llam a fonn virtual.
A diferencia de un fonn roal, sto est ligado con la polarizacin de
la red y puede e x istir nicamente durante la transicin do un elec
trn a otro. En oposicin a los fonones reates, los virtuales no se
pueden propagar en la red independientemente de estos electrones.
E l efecto isotpico indica que los fonones participan en la apari
cin de la superconductividad. Los datos tic la tabla 7.4 tambin
demuestran la relacin de la superconductividad con la interaccin
oleclrn-fonn. Cuanto ms intensa es la interaccin olectrnfonri en eJ m etal norm al, tanto menor es su conductibilidad. As,
por ejornplo, el plomo os mal conductor, poro, al mismo tiempo, en
virtud de la fuerte interaccin eleclrn-fonii, poseo una tempera
tura c rtic a a lta (para los m etales puros). Los m etales preciosos son
m agnficos conductores. En ellos la interaccin electrn-fonn es
d bil. E stos m etales no pasan ni estado superconductor incluso a las
tem peraturas ms bajas alcanzadas hasta ahora.
Ahora nos planteam os la pregunta: se atraen entro s todos los
electrones? Para explicar esto volvam os a nuestros electrones. Du
rante ol proceso de emisin del fonn, el primor electrn pasa del
estado k , al estado k. E s evidente que esto ltim o deber estar libro.
En virtud del principio do P au li, esto es posible solamente en las
proxim idades do la superficie de Ferm i, quo es una esfera de radio
k, mi ol espacio k. l'o r lo tanto, m edanle los fononos slo puodon
p articip ar en la interaccin los elcclronos quo se encuentren on una
capa esfrica 2A k bastante estrecha, cerca de la superficie do
Ferm i (fig. 7.33). Los dems uloctro.nos no inluraccionnn. E l grosor do

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302

C.up. 7. Propiedades elctrica s da los slidos

esta capa 2A/r se d eterm ina

por Ja energa do JDebye /i>d :

A /.//. - h

K j ,

donde l'.v
lr/./(2in). P ara los electro n es cu y as energ as o liln fini
r do esto in te rv a lo , ln red so m ueve dom asiado d espacio y no tiene
tie m p o do r e s p o n d e r
lo n o c i n p o larizan te dol e J o o l r n e n m o v i in ionio.
1nrcs de Cooper. E n el
m etal norm al, a T = 0 K la energa
m enor la tienen los oslad os en quo, en el esp acio
k , todos los
e lec
trones ocupan celd as dentro de la esfera de F e rm i. Todos los estad os
fuera de d icha esfera estn lib re s. E n este caso los electro n es no
in te ra crio u a n entro s, os d ecir, la energa potencal es nu la.
E l in tercam b io dol onn v irtu al por los electro n es, com o ya vi
mos o casio n a la atra cci n de stos. As se da la p o sib ilid ad de que se
formen pares de electro n es lig ad o s. L a energa de atra cci n de esto s
o le d rimes hace una ap o rtaci n n eg ativ o a la en erg a to ta l del s is te
m a, es d ecir, hace que sta d ism in u ya. P a ra poder obsorvar e sto hay
que crear ln posibilid ad de que Jos electro n e s se dispersen de los
estad o s (k ,, k 5) a los oslad os (k , ka'). lis ia dispersin re su lta posible
si Jos estad os (k ,, k.) estn ocupados al prin cip io y los ( k ', k.',) estn
desocupados. P or oso, a la enorga m n im a , cuand o T = (J K , Je
corresponde ya no una esfera de F e rm i to ta lm e n te ocu p ad a, sin o una
suporficio de Ferm i borrosa. La ol esp acio k una serio de celd as
situ a d a s sobre la su p erficie de F erm i resu ltan e sta r ocu pad as, m ie n
tras quo algu nas celd as que se h a lla n d eb ajo tic d ich a su p erficie
e st n v a ca s.
Dol a n lisis inecn nocu ntieo d eta lla d o se sigue que el d ecreci
m ien to m xim o de la energa se alcan za cuando los pares ligad os los
form an electron es con im pulsos iguales an tip arale lo s y esp in es tam
bin a n lp a ra le lo s, es d ecir, cuando se form an los pares {-|- k ( k f }
llam ad o s paren d e Conp er.
A d iferencia de los electro n es, que tien en espn so m ien lero , el
par de Cooper os en esen cia una p a rtcu la nuevo cuyo esp n es nu lo.
E sta s p a rtcu la s se subord inan a la e sta d s tic a de B o se E in s te in .
P a ra o lla s no e x iste la pro h ibicin de P a u l. L a s p a rtcu la s de B oso
poseen una propiedad e x tra o rd in a ria : un nm ero c u a lq u ie ra de e lla s
por grande que sea, puede ocu par un m isino estad o , con la p a rtic u la
ridad de quo cu anto m s p a rtcu la s h ay a en d icho estad o , ta n to m s
d ifc il Je ser s a lir de c) a una p a rtcu la cu a lq u ie ra . A s so produce la
llam ad a condensacin de B ose.
Como todas Jas p a rtcu la s que e stn en el condensado tien en las
m ism as c a ra c te rstic a s fsic a s (todas estn en ol m ism o e sta d o ), su
com p o rtam ien to se puede d escrib ir por una fun cin do onda do una
v a ria b le e sp a cia l. L a c o m e n to do esto condensado es su p e rlh iid a. En
e fe cto , a cu a lq u ie ra de las p a rtcu la s dol condensado do Boso no le os

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7.17. Superconductividad

303

fcil ahora dispersarso en un defecto. L as dem s p artcu las del

re n d e usad o

im p id e n

ese

a r lo .

Ue oslo modo, ln supoironduclividud podemos figurrnosla com o

superfluidez do los pares de Cooper, cuya carga e l c trica os 2c.
Corno la interaccin que hace que se formen los pares de Cooper
es d b il, la dim ensin de dichos pares, llam ada longitud de coheren
c ia
es m u y grande. E l clcu lo dem uestra que | s 10s nm . E sto
sig n ifica que dentro de la regin ocupada por un par cualquiera se
encuentran los cen tros de muchos m illones do purs. P or eso los
pares de Cooper no pueden representarse en form a do p artcu las
independientes. L a enorm e superposicin de las funciones de onda
de los paros refuerza ol efecto del apareado. P or lo tan to , el proceso
de form acin de los paros de Cooper es un efecto colectiv o.
V ano energtico. Todos Jos pares de Cooper form ados a T = (I K
estn condonsndos en un n iv el, que caracteriza cl estado funda
m en tal dol supercond uctor. Al form arse los pares do Cooper Ja euorga del sistem a dism inuyo en la energa do enlace do ios electrones
en el par, quo suelo designarse por 2A 0. Un electrn no apareado,
que reprsenla la excitaci n elem ental en cl superconductor, no pue
de e sta r on eslo nivel y tiene quo ocupar ol primor nivel libre dol
esp ectro do la s excitacio n e s elem entales. Cuando los pares se rom
pen, am bos electro n es lionon quo elevnrso al nivel de las excitacio n es
elem en tales y por eso debo gastarse una energa m ayor que 2A 0.
E n o tras p alab ras, el espectro de las excitacio n es elem entales (elec
trones norm ales) est separado del nivel onerglico correspondiente
al estado fundam ental del superconductor por un vano energtico
igual a 2A. L o s clcu lo s, segn la teora 13CS, dan para la anchura
del vano a T = 0 K
2A 0 = 3 ,5 2 k T c .

(7.191)

L a anchura del vano energ tico dism inuye ni aum entar la tem
peratu ra. E fectiv a m e n te , para rom per un par de Cooper y crear dos
e x cita cio n e s elem en tales hay que gastar una energa igual a 2A
(la notacin A0 so refiero al caso T = 0 K ) . S i la tem peratura del
superconductor es d istin ta de cero y tal que Ap T ~ 2A , muchos paros
de Cooper se rompen b ajo la in flu en cia de la accin trm ica. En
e stas con diciones, en ci espacio k hay muchos ostados ocupados por
electro n es aislad os (o excitacio n e s elem entales). Esos estados ocupa
dos no p articip an ya en Ja creacin de pares y , por consiguiente,
no ocasionan dism inucin do la energa dol sistem a. L a energa del
superconductor aum enta. E sos m ism os ostados ahora tampoco p arti
cipan en la form acin del vano energtico. P or lo tan to , cuanto ms
sonn los paros rolos tan to m s sern las excitacio n es elem entales
y tan to m enor ol vano energtico. Cuando 7' =
7'c . sto desaparece.
Ln teora B C S predice que en las proxim idades de la tem peratura

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Cap. 7. Propiedades elctricas de loa slidos

c rtic a el vane energtico dism inuye al crecer T segn la ley

a

1 , 7 '<

a (i _

r /r ayr\

(7 .it) 2 )

Ln (xisl.onc.iti del vano energtico explico muchas propiedadus do los

superconductores, entro e llas el efecto Meissncr Oksenfcld.
L a comprensin ilrl fenmeno do lo superconductividad o nivel
m icroscpico ha conducido a que, en la actualid ad , los superconduc
tores, de ser objetos exticos de investigacin c ie n tfic a , se han
convertido on innlorinlns de aplicacin p rctica. Basndose en ello s
so hacen electroim anes superconductores que perm iten obtener cam
pos de hasta (5-10 A/rn y cables por los cuales pueden transm itirse
grandes flujos do energa sin prdidas. C.ada ver. despiertan mover
inters lo.s superconductores en los esp ecialistas quo trab ajan en el
campo de la m icroelectrnica. Aqu so concedo la m ayor atencin
a crear aparatos basados on los efoctos Josophsnn. So trab aja inl.cnsamonio en la creacin de elom entos lgicos y de m em oria para
ordenadores olcctroicos, basados en los superconductores.

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Captulo 6

P ropiedades fsica s
de los d ie l c tric o s

De toda la diversidad de propiedades fsicas las ms im portan tes,

pnrn ca ra cte riz a r unn suhslnnr.in com o cliokV tnco, son Jas o letricas:
p olarizacin, co n d u ctib ilid ad , prdidas d ielctricas y o tras. D urante
muchos unos los d ie l ctrico s so lian utilizad o , p rincipalm ente,
com o aislad ores. P o r eso so con ced a la m ayor im portan cia a sus
pequeas con d u ctiv id ad y prdidas d ielctrico s y a lta rigidez elc
trica . E n las con diciones actu ales los d ielctricos se em plean no slo
com o elem en to s pasivos en diversos circu ito s e lctrico s. P or m edio de
e llo s se re aliza la transform acin de la energa m ocnica y trm ica
en e l c tric a (p iezoelctricos y p iroolctricos). Una sorie de d ie l ctri
cos se u tiliz a n para d etectar, am p lificar y m odular seales e lctricas
y p ticas. En ostos casos desem paan tam bin un papel im portante
propiedades com o el efecto fo to elctrico y los fenmenos oloclro p tico s y galvnnom agnticos.

8.1. C onductibilidad elctrica

E n e l ca p tu lo precedente so indic que a los d ielctrico s perte
necen los slidos en los cuales la anchura de la banda prohibida es
m ay o r que 2 3 eV . E st claro quo on ellos, a la tem peratu ra am bien
te o a tem p eratu ras m s b a ja s , el salto de electrones do la banda
de v a le n cia a la de conduccin es p rcticam en te im p robable, es d ecir,
en el d ie l ctrico la con centracin do portadores lib res es e xtrao rd in a
riam en te pequea. P or eso, en las condiciones in d icad as, a diferencia
do ios sem icond uctores do banda estrech a, la condu ctivid ad intrnseca
es, en este caso, in sig n ifican te.
No o b stan te, si en el d ielctrico hay tom os do impureza, pueden
su rg ir portadores do carga libres a expensas do la activ aci n trm ica
de los n iv eles de im pureza. A causa do esto, a tem peraturas norm ales
y b a ja s , el c a r cte r do la con d u ctibilid ad en Jos d ielctricos es por
im purezas. L o m ism o que en los sem iconductores, los portadores
de carg a pueden ser aqu tanto los electrones com o los huecos. S i
la im pureza tiene ca r cte r donador, los portadores do carga m ay o rito
rio s sern los electro n es, y los m in o ritario s, los huecos. Esto diolctrico (por an aloga con el sem iconductor) so lla m a dielctrico p o r exceso
2 0 -0 1 1 * 7

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3or>

Cnp. S. Propiedades fsicas de los dielctricos

o del tipo n. S i, en cam bio, la impureza es aceptora, los portadores do

c u rt

iita y tir iltir io sn rtn lo s h u e c o s . Fui o s lo c a s o se d ic e q u e I

dielctrico es por delecto o del tipo p.

Cuando ni diololrico su aplica un campo olclrico, los portadores
libros empiezan a acelerarso y as se produce la cond u ctib ilid ad . De
licenlo Cun ln iiiitunilczn do los portadores do carga (oloclroncso hun
cos) el mecanism o do la con d u ctibilid ad que hemos exam inado
recibe, on el caso general, el nom bre de electrnico. E s evidente que
com o ln concentracin do electrones (o huecos) es m uy pequea, la
condu ctibilid ad de los d ielctrico s es insignificante. P ara d istintas
substancias sta oscila ontro 1 0 " 10 y 1 0 M
Cabe advertir
quo ol mecanism o do gonoracin puede ser no slo trm ico. L 03 elec
trones de conduccin pueden surgir en el dielctrico a expensas de una
irradiacin con luz do longitud de onda convenionte o de partculas
rpidas y como consecuencia de la aplicacin de campos intensos.
S i la conduccin por electrones tiene en el d ielctrico carcter
intrn seco, lo que es posible a tem peraturas elevadas, entonces, lo
mismo quo en el caso do los sem iconductores,

o = epn + ePFp-

(8 .1 )

A qu, como antes, n y p son, respectivam ente, las concentraciones

do electrones y huecos, y p y pp, las m ovilidades de estos portadores.
En el caso de la conduccin por impurezas la aportacin a la condu cti
bilidad slo la hace una clase de portadores.
L a dependencia, respecto de la tem peratura, de la conduccin por
electrones do los d ielctricos se describe bastan te bien por la expre
sin

a = o 0 exp [ A El(kBT)\.

(8.2)

L a dependencia exponencial a ( T ) se debo a que la concentracin do

portadores vara con 'a tem peratura segn la le y exponencial

n = 2 {2 .u n *h -2k BT)*'- exp [ - A E/(!cB T)]

(8.3)

(on la que A i os la anchura do la banda prohibida), m ientras que la

m ovilidad vara ms despacio. S i predomina la dispersin de los
portadores on las vibraciones acsticas do la red, entonces, lo m ism o
que en los sem iconductores.
p = a r - 3A.

(8.4)

No obstanto, a d ifsrcncia de los sem iconductores, en muchos d ie

lctricos la m ovilidad de los electrones y de los huecos es e x trao rd i
nariam ente poquoria: centonaros o incluso m illares de veces monor
quo en los sem iconductores. Estos valores tan bajos de ln m ovilidad

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8.1. Conductibilidad elctrica

307

se deben n que en estas su b stan cias los electrones so encuentran en

oslad o rom binado, form ando las ciinsip iiiloiilu s dommiinadns

polarones.
Do osto m odo, dem s del m ecanism o electr n ico do conduccin,
en ios d ielctrico s puedo e x is tir tam bin otro m ecanism o de trans
porte de la carga quo rocib6 ol nom bre do polurnlco.
L a conduccin p or polaron es so produce cuando los electro n es
o los huecos estn fuertem ente ligados con la red c ris ta lin a . S i ia
con cen traci n do portadores de carga libres cs b u je, on el d ielctrico
puede e x is tir un cam po e lctrico que haga quo las cargas ligadas se
desplacen (p o larizacin ). En una serie de casos los eleclronos do
conduccin polarizan con su cam po la regin dnl d iolctrico quo Jos
rodea y se lo calizan en o lla. E sta regin de red deform ada, ju n to
con ol electr n (o hueco) que en e lla se encuentra, causanto do la de
fo rm aci n , es lo que se llam a p olarn. B a jo la accin do un campo
elctrico , el electr n se traslad a ju n to con la regin polarizada, es de
c ir, so m ueve el polarn. L a conduccin por pojronos cs c a ra c te rsti
ca de los c rista les inicos, en los cuales la in teraccin coulom binna
entre lo s electrones y los iones, quo form an la estru ctu ra c rista lin a ,
es p articu larm en te grand e. Como en este caso los electrones de co n
duccin se encuentran en estado com binado, su m asa efectiv a es
m illares de vecos m ayor quo los valores de m* caracterstico s do los
m etales y de los sem icond uctores. R e sp ectiv am en te, la m ovilidad de
los portadores en los d ielctrico s es m illares do veces m enor que su
m ovilid ad on los m tales y en los sem icond uctores.
E n dependencia do la fuerza de la in teracci n olectrn-fonn se
pueden form ar polaron es de gran rad io (pgr) y polaron es de radio pequ e
o (prp). S i la regin deform ada on torno ni electrn es mucho m ayor
que el parm etro a de la c e ld illa elem en tal, so dice que el polarn es
do gran ra d io . Un pgr se form a cuando la interaccin electrn-fonn
es d b il. E n este caso la deform acin do la red es pequea y las condi
ciones de traslaci n de los oloclrones (o huecos) no so dioroncian
m ucho de las condiciones del m o vim iento do los portadores libres.
P ero al m overse el electrn so desplaza con l toda ln rogin doformad a. E sto hace que su m ovilid ad sen decenas do vecos m enor. L a
m ovilid ad dol pgr se d eterm ina por la expresin

en la que y es una c o n sta n te , llam ad a constante de enlace-, m * , la

m a s a e fo c tiv a del polarn; to0, la frecuencia de los fonones pticos.
Puede verse que al au m entar la tem peratu ra dism inuye la movilidad
do acuerdo con una le y exp o n en cial, y n o .p o te n c ia l, como en el
caso do los oloclrones do conduccin.
S i la intoraccin olectrn-fonn cs fuerte, la regin deformada
puedo ser conm ensurable con el parm etro a. A este caso corres-

20 *

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'3<>8

Cap. 8. Propiedades ts ic a s (le lo s d ie l ctrico s

polillo lu form acin do mi polnrn do rad io p eque o. A rau sa de ln

iiitiBir.rii'ui fu e ilc del c e n ro con ln red, i>l prp resu lta ser muy
esta/do. A expensas do lu flu ctu a cio n e s t rm ic a s ol prp se tra sla d a
por o.l c r is t a l a salios do mui posicin a o tra . S i al d ie l c tric o so
nilion mi cam p o e lctrico , los s a lto s riel prp so hacen d irig id o s, os
decir, s e produce la llam ad a conduccin jor salios. L a m ovilid ad
<lsl prp e s m uy pequea. S u dep en den cia de la te m p e ra tu ra se d o scrilie
por la expresin

(8 .0)
en la qu o c es la carga del e le c tr n ; a , la c o n sta n te tle )a red ; wn, la
fre c u e n c ia do los fanones p tico s; A A, la en erg a do a c tiv a ci n del
sa lto .
Guando Jos cam pos e l c trico s ap licad o s al d ie l c tric o son d b iles
(os ifocir, so encuentran eti la zona en q u e s o cu m p le la le y de O h m ),
ii pueden v a ria rla co n ce n tra ci n ni la m o v ilid ad do lo s p ortad ores
tic ca rg a . Los v alores <le las m ag n itu d es n y p siguen siondo m u y
b a jo s y la aportacin a la con du ccin por e lectro n e s es in s ig n ific a n te .
PI los cam pos e l c trico s in ten sos la situ a ci n ca m b ia do un m odo
brusco. Ln energa del cam p o e l c trico puodo sor su ficle n to para quo
ste libro los e lectro n e s (o liuecos) del estad o co m b in a d o . Coino
consecuencia de esto la m o v ilid ad do los p o rtad o res do c a rg a aum en
ta . Adems, a causa do la io n izaci n por choqu e, au m en
ta rpidamente la co n ce n tra ci n do o lcctro n es lib erad o s en la band a
do conduccin (o de h u ecos on la banda de v a le n cia ). T o d o esto tinco
q u e crezca la con d u cci n por electro n e s.
fo algunos d ie l ctric o s pred om ina la con du ccin p o r iones, en
la cual la co rrien te es tran sp o rtad a por los iones p o sitiv o s (catio n e s)
o negativos (aniones). E n osle c a so , en un cam po e l c tric o co n tim io ,
so efecta no s lo nn tran sp o rte d e c a rg a , sin o ta m b i n un tra n sp o rte
de substancia. Los aniones su m ueven hacia el nodo y los c a tio
nes hacia el enlodo. Gomo la co n ce n traci n do p o rtad o res do carg a
on el volumen del d ie l c tric o en este caso d ism in u ye p a u la tin a
m ente, la im p o rtan cia de ia c o rrie n te i n ic a depende dol tiem p o .
E n los d ie l ctrico s slid o s la c o rrie n te i n ica es tran sp o rtad a por
Jos iones d b ilm e n te lig ad os. Su p o n gam os quo la co n ce n tra ci n de
e s to s iones es igual u
L a tra sla ci n d e un on d e una posicin de
e q u ilib rio n otra se puode re a liz a r solam en to cuand o se superan las
fuerzas que lo uno a la s p a rtc u la s v e cin a s. E n o tra s p alab ras, el
on tien e que su p erar la barrera e n e rg tica A'0. Ln p ro b ab ilid ad de
osl a tran sici n on caso de m o v im ien to c a tic o t rm ico es proporcional
ni fa c to r de Ito llz iiia ire: evp ( A,,/(/cii7)1.
S i al d ie l ctric o se a p lic a un cam po e l c tric o surge c ie r ta ca n tid a d
do iones que, en su m a y o ra , s a lta n la b arrera en la d irecci n del

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8.2. P olarizacin de los dielctricos

c a m p o , l s l o s so n lo s q u e oon tlioio m iti
c l c u l o s m u e s t r a n <|in>, c u o s l o c u s o ,

ln c o n d u c c i n

30!)
p o r io n e s , f.n s

(8 .7 )
siendo la d ista n c ia a quo s a lta ol ion.
A tem pera lucas b a ja s es frecuento que la condu ccin por iones del
d ie l ctric o est con d icio n ad a por Jas im purezas, m ie n tras que a tem
peratu ras a lta s lo est por la traslaci n de los iones b sicos de la
s u b s ta n cia . L a d ependencia a (T) en este caso vien e d escrita por una
expresin de la form a
o = A , exp [ l/(/rB 7')l + A t exp I A's/(/rB T)\.

(8 .8 )

D u ran te lo s ltim o s aos los investigad ores vienen prestandom ucha ate n ci n a una cla se esp ecial de slid os que poseen una co n
d u c tib ilid a d i n ica an o rm alm en te a lia (do b a sta i 2_l c m '1).
E s ta s su b stan cias recib en el nom bre de conductores superInicos. Su
co n d u ctiv id ad , en orden do m ag n itu d , se aproxim a a la do los elec
tr lito s fundidos o a las do sus solu ciones con cen trad as. P o r oso los
con du ctores superinicos suelen llam arse tam bin electrlitos slidos.
Uno de los e le c tr lito s slid os m s estu diad o cs el Ag4R b I 5.
L a co n d u ctib ilid a d inica anorm aim ento a lta a c ie rta tem pera
tura 7 c os c a ra c te rs tic a de cada su b sta n cia , lis to m m enlo de la
con d u ctiv id ad se d ebe, en fin de cu en tas, a la roordenacin con
c a r c te r do s a llo (fusin) de Ja subred form ada por uno de lus tipos
de iones. L a otra subred, es d e c ir, la estru ctu ra esp acial form ada
por ol o tro tip o (o tipos) de io n es conserva la rigidez al o cu rrir esto
y as asegura la re siste n cia m ecn ica del c ris ta l como un lodo nico.
P o r con sig u ien te, los c ris ta le s superinicos pueden encontrarse
en dos fases c u a lita tiv a m e n te d is tin ta s . Cuando T < 7'c , so com por
tan com o lo s c ris ta le s inico s ordiim rius (use d ielctrica), y cuando
T > 7'c, pasan a l estad o esp ecial superinico (fase electroltica).
Uno de los cam pos de ap licaci n do los e le c tr lito s slidos es su
u tiliz a c i n en la s b a le ra s d estin ad as a fu n cio n ar en las con diciones
del cosm os.

8.2. P o la riz a ci n de los d ielctricos.

C a ra c te rstic a s fu n d am en tales
Y a en los experim en to s de F a ra d a y qued estab lecid o que, si el
sp acio entro la s p lacas di; un condensador se llen a con un d ielctrico ,
a cap acid ad d el m ism o aum enta e veces. 1I v alo r de la m agnitud e,
lam ad a perm itiv id ad o constante dielctrica, slo deponde do la s
im p ied ad es del d ie l c tric o . La capacid ad C del condensador e st

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310

Ca>. S. Propiedades fsica s do los d ielctricos

C o n d u c to r

ligada con la c a r g a Q quo h ay en sus

placas y con la d iferencia do po
ten cial V por la relacin

C = Q/V.

(8.9)

P o r lo ta n to , el aum ento de la
cap acid ad , perm aneciendo con stan
te la carga en los electro d os, sig n i
fica que la d iferen cia de p otencial
Conductor
dism inuyo. (Se supone que el con
F ig . 8 .1 . Condensador plano llono
densador no est con ectad o a lo
do dio! tic trico
fuente de co rrien te y quo la conduc
tiv id ad del d ie l ctric o es n u la, de
manera quo no hay fuga de carg as.) De esto hay quo con clu ir que el
cam po o lctrico dentro del condensador ha d ism inu id o, aunque la
carga en las placas no hay a variad o. La dism inucin do la intensidad
del cam po se puedo e x p lic a r adm itiendo que sobro una de las super
ficies del d ie l ctrico se induco una carga p o sitiv a y sobro la o tra, una
n eg ativ a. E sta s cargas neu tralizan una parte do la carga to ta l de
la s arm aduras dol condensador, con lo cual dism inuye la intensidad
del cam po en <d d ielctrico en com paracin con el v aco (fig. 8 .1 ).
Q u m ecanism o hace surgir la s cargas su p erficiales? E s ta cuosl ion vamos a estu d iarla ms ad elante, pero previam ente introducirem os
algunos parm etros m acroscpicos que caracterizan la polarizacin
del d ie l ctrico cu ol cam po elctrico .
Majo la accin de un cam po e lctrico las p artcu las que componen
el d ielctrico (tom os, iones o m olculas) se transform an en dipalos.
E sto se debo al d esplazam iento, en ol sen tid o del cam po y on el
co n trario , de las cargas p o sitiv as y n eg ativ as de que estn construidas
d ich as p artcu las. Los polos p ositiv os do todos los d ipolos resultan
desplazados en el sen tid o del cam po y los neg ativ os, en sen tid o
Cdiilrnrio. J)o este modo, un ol d ie l ctrico (pie so en cuentra en ol
cam po e l c trico surge un mom ento elctrico (d ipolar), relacionad o
con lo.s m om entos d ip olarcs de las p artcu las por separado y con la
densidad de stas. L a m agnitud igual a la razn dol m om ento e lctrico
del d ie l ctric o a su volum en se denom ina p o la riza b ilid a d . E n cl caso
general
P = E

P .

i-= l

(8.10)

siendo p los m om entos e lctrico s elem en tales que surgen en el d ie

l ctrico por la accin del cam po y A', la densidad v o lu m trica do
d i polos.
E n los d ie l ctrico s istropos lodos los m om entos d ipolarcs olom en ln les tien en una mism a d irecci n , la del cam po. E n esto caso la

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311

8.2. P olarizaci n d e ,lo s d ielctrico s

sum a
v e c to ria l se puede s u s titu ir en (8 .1 0 ) por la escalar. S i
d esp lazam ien to de !n
rnrflrn os A.r, sor

P =* N e& x.

el

(8.11)

De e9ta m an era, la p o larizab ilid ad puede ca lc u la rse si se conocon

los v alo res do los inom onlos dipolnros elom outnles y la densidad do
d ip o los.
A dem s de la p o la riz a b ilid a d se introd ucen o tra s c a ra c te rs tic a s
m acro sc p icas, ta le s com o la intensid ad E del cam po e l c tric o en el
d ie l c tric o y la in d u cci n e l c tric a D. L os v ecto res D , E y P estn
lig ad o s e n tre s por la s re lacio n e s sig u ion tcs:
D = e 0e E ,

(8.12)

D = e 0E - f P .

(8.13)

A q u e 0 es la c o n sta n te e l c tric a (e 0 = 8 , 8 5 - 1 0 'l F/m).

P a ra la m ay o ra de los d ie l ctric o s en cam pos d biles y m odorados e no depende de E (por lo m enos en los cam pos con intensid ad de
h a sta 10 V/m). E n este caso , de (8 .1 2 ) y (8 .1 3 ) se ob tien e
P = e 0 (e -

1 )E .

(8.14)

L a m ag nitu d % e 1 se lla m a su scep tib ilid ad d ielctrica re la tiv a .

E n los d ie l ctric o s is tro p os lo s v ecto res D , E y P tien en la m ism a
d irecci n y sen tid o , por lo que j y s son nm eros sim p les.
E n los c ris ta le s an is tro p o s la p erm itiv id ad es d is tin ta en d ife
ren tes d ireccio n es. (P o r ejem p lo , en ol c ris ta l de tita n a to de bario ,
cu y a e stru c tu ra es te tra g o n a l, en la d irecci n d el e je de cuarto orden,
en un cam po a lte rn o de fre cu e n cia igu al a 1 kH z, e = 2 0 0 , m ien tras
que en c u a lq u ie r d irecci n perp en d icu lar a esto e je e = 4 0 0 0 .) L a
a n iso tro p a de la p e rm itiv id ad se describe por ei tensor do segundo
rango 8//. E s to se sigue de la ecu aci n (8 .1 2 ), en la cu al D y E son
v e cto re s, es d ecir, tensores do p rim er rango. E n n o taci n ten so rial
e sta ecu acin tien e la form a
e jD ( =
o

en fo rm a

eiEj\

i, j = 1, 2 , 3 ,

(8.15)

d esarro llad a:

t o lD

"f"

8o'*2 = a,#! +
e o0 3

e2aE s + e 83Z?3,

8 u^| "f* 832^2

(8 .1 6 )

8 33 '3.

E n .la s e cu acio n es (8 .1 6 ) el tensor Eu tien e nuove com ponentes. Pero

in ciu so en los c ris ta le s con b a ja s im e tra slo seis de la s nuevo co m
po nen tes son ind ep en d ientes: el tensor e (; es sim trico (ej = e).
E s e v id e n te que la s propiedades m acro scp icas de los m ateriales
d ie l c tric o s dependen do los procesos m icroscpicos quo ocurren en

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312

Cap. 8. Propiedades fiaicns de loa diolctricoa

ello s cuando so Jos ap lica un cam po e l c trico , E x isto n v arios proco

sos quo ocasionan la p o larizaci n : ol d esplazam iento de las capas
e lectr n ica s de los tom os o iones, el d esplazam iento de los iones
positiv os respecto do los n eg ativ o s, la o rien taci n 011 el cam po elc
trico de las m olcu las quo poseen m om ento d ip olar penunnonto
y o tro s.
Para poder c a ra cte riz a r los diversos tip os do p o larizaci n Imy quo
conocer no slo la n atu raleza de la s p a rtcu la s que d eterm inan la
p o larizacin , sino tam b in la s p ecu liarid ad es de las in teraccio n es
n to rn t m icas o ntcrm oJocu laros. S i la s fuerzas que tien den a h acer
v olv er a la posicin in ic ia l las p artcu las desplazadas por ol cam po
elctrico tienen ca r cte r casi e l stic o , se d ice quo la p olarizacin es
elstica. S i por el c o n tra rio , los electro n es, iones o d ipolos al des
plazarse on cl cam po a exp en sas de la energa trm ica s a lla n barreras
do p o te n cial, ln polarizacin recib e cl nom bro de trm ica. V am os
1 e stu d iar estos procesos m s d etallad am en te.

8.3. P o la riz a ci n electr n ica el stic a

L a p olarizacin electrn ica elstica cs la form a m s general de
p o larizacin . So observa en todos los d io lctrico s in d ep en dientem en te
del estad o do agregacin en que se encu entran (gas, lq u id o , slido)
y de su e stru ctu ra (c ris ta l o cuerpo am orfo). L o s tom os que form an
el <1e l c tric o , b ajo lii arci n do 1111 cam po e l c trico e x te rio r so con v ier
ten en dipolos e lctrico s, debido a que la s capas e lectr n ica s y el
ncleo so desplazan lns unas respecto dol otro . Como la m asa do los
ncleos es mucho m ayor que la m asa de los electro n es, p r ctica m en te
debo hnblarso dol d esp lazam iento do los elcctro n os. E l tiem po que
tard a en e stab lecerse la p olarizaci n electr n ica e l s tic a es e x tra o r
d in ariam en te pequoo, de 1 0 -,e a 10_17s. P o r lo ta n to , la p o larizacin
electr n ica e l stica tien e tiem po de estab le ce rse en cam pos a lte r
nos do frccu oncias a lta s , hasta p ti
cas. E l perodo de las v ibracion es
lum inosas es do 1 0 -14 a 1 0 -15 se
gundos, de m anera que el retraso de
la polarizacin e lec tr n ic a slo se
observa en la regin u ltra v io le ta
del esp ectro , en la cual la frecuencia
de las v ib racio n es e lectro m ag n ticas
es de 1 0 18 a 1017 Hz.
E l m ecanism o de la polariza
cin e lectr n ica e l s tic a es m s f c il
do com prend er tom ando com o ejem
plo un tom o hid rogenoide. S i el
F ig . 8 .2 . Alom o hidrogenoido:
cam po e x te rio r es E 0 , el cen* cn
cn
Iro de la carga p o sitiv a del tom o

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8.3. P olarizacin

e le c tr n ic a

elstica

co in cid e con el cen tro de la n eg ativ a (ig . 8 .2 , a). B a jo la

un cam po e l c trico ln capa e lectr n ica se desplaza n c ie rta
os d ocir, so despinza el cen tro geom trico de la carga
L lam em o s x al d esp lazam ien to (ig . 8 .2 , b). Kl tom o
e q u ilib rio si

c E = Ux.

313

accin ded istan cia,

n eg ativ a.
oslar on
(8. [ 7j>

So supone que Ja fuerza de retorno F , es e l stica y que su co e fi

c ie n te do ela sticid a d es k . E l desplazam iento de los cen tro s do las
cargas gen era un m om ento d ip o lar e lctrico P = ex. Teniend o en
cu en ta que en e q u ilib rio x = e E /k , tenem os

E = E.

(8.18>

E l m om ento d ip o lar inducido es proporcional a la intensidad def

cam po. E l c o e ficie n te de proporcionalid ad entre P y E se suele desig
nar por a e y se llam a p o la r iz a b ilid a d electrn ica. De (8.18) se
sigue que

(8 .10)

a e = e-/k .

A n te s liem os supuesto quo la fuerza de retorno ora casi e l s tic a ,

es d ecir. A, kx. Que esto os ns cuando los d esplazam ientos x son
pequeos no es d ifc il de m o strar en el ejem plo que consideram os del'
m odelo hidrogenoide del tom o. E n la fig. 8 .2 puede verse que 1
fuerza de retorn o F , es la proyeccin de la fuerzo de atracci n en tre
el n cleo y el electr n sobre la d irecci n de la intensidad del cam po,
o sea,
F , = F sen a .
Como

r 'Me 0 {r
m +
7T Jy Sd ' a =
x )
resu lta

- ,

('r > + x a

que

F ' = 4ne0 (r* + xf P

(8 .2 0 )

E l cam po e l c tric o e x te rio r, por lo gon eral, es mucho m enor quo

el cam po e l c tric o in trn se co del tom o. P or eso el d esplazam iento x
33 pequeo. Cuando
r, de (8 .2 0 ) obtenem os
' - B S r -

<s -21>

)s d ocir, la fuerza de retorno es, efectiv am e n te , proporcional ni

iesp lo zam ien to . De (8.21) so sigue que el c o e ficie n te de elasticid ad
k - - F ,/ .v es/ ( 4 n t v s) .

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( 8 .2 2 )

314

Cap. 8. PropiedadQB fsicas de los dielctricos

.Sustituyendo on (8.1.0) k por su expresin (8.22), hallamos

a e = n e0r8.

(8.23)

Como puodo verse, la polarizabilidad electrnica del tom o viene

determinada por su radio.
E s interesante com parar los valores experim entales de a con
los calculados por la frmula (8.23). Consideremos, por ejem plo, la
polarizabilidad de los tom os de argn. E l valor experim ental de a ,
para este gas es igual a i ,8 3 - 1 0 -40 F -ra 2. E l radio atm ico del argn
es r = 1,91 -1 0 -10 m. Poniendo este valor en (8.23) hallam os que
a , = 7- tO-4 F m2. E l valor calculado de a c os, claro est, mayor
que el observado on la experiencia. No obstante, el hecho de que
estas dos magnitudes sean del mismo ordon perm ite estim ar como
correcta, on rasgos genralos, la imagen analizada del fenmeno de la
polarizacin oloctrnica. E l clculo m ecanocuntico riguroso da
tam bin un resultado quo, en ordon de m agnitud, coincide con (8.23).
La frmula (8.23) no es ap licable a los tomos com plejos. Poro
est claro que la polarizabilidad de estos tom os tam bin debe
crecer mucho al aum entar los radios de las capas electrn icas, ya
que, en esto caso, ol enlace entre ol ncleo y ol electrn se d ebilita.
Los electrones ms dbilm ente ligados ul ncleo son los de valnela,
por oso son ellos los que bajo la accin del campo experim entan
el mayor desplazamiento.
Para muchos diolctricos (cristales inicos, substancias amor
fas) es im portante conocer la polarizabilidad electrnica de los
iones. La polarizacin de los iones tiene aproxim adam ente ol mismo
ca ra d o r quo ln polarizacin de los tomos. L a polarizabilidad es
menor en aquellos iones cuya capa olcctrnica es sem ojanto a la do
un gas inerte. E xisto una relacin directa entre la polarizabilidad
del ion y el potencial de ionizacin. E l valor del potencial de ioniza
cin doponde do la energa do onlaco do los eloctronos con el ncleo.
Cuanto mayor es osla e n .rg a tanto ms estable os la capa olcctrnica,
es docir, tanto mayor o i el potencial do ionizacin y menor la polari
zabilidad.

8.4. Palarizacin inica elstica

En los d ie l ctric o ; con onlace qum ico de tipo inico, bajo la
accin do un campo dctrico se produce el desplazam iento de los
iones positivos rospoc'o de los negativos. La polarizacin que resulta
de esta forma recibe el nombre do polarizacin inica elstica. El
tlompo que tarda en establecerse la polarizacin inica es, por lo
general, de I0 M a H )*'5 s. E sto significa quo dicha polarizacin
tiene tiempo do establecerse totalm ente en los campos alternos,
incluso en los de frcc.ioncla u ltraalta (de l l# a 1 0 " Hz). Pero en 1

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8.4. P olarizacin inica olstica

315

regin in fra rro ja del esp ectro sa obsorva rotraso en el esln b lecitn io n io
<l<> ln pol/u'i/.nc. iu i n ica, Domo
ejem plo ms s im p le , con sid erarem os
la p olarizaci n do una m olcula
com puesta do dos iones do signos
opuestos, N a * y 0 1 " . Vam os a .su
poner que la carga ost con centrarla
en el con tro dol ion (fig. 8 .3 ).
Pig- 8.3. Polarizacin inica do
E n el cap . 2 se m ostr quo la
,mn molcula tipo PfaCl
dependenca do la en erg a de in te ra c
c i n respecto de la d is ta n c ia puede oxpresarso, para las m olcu las
i n icas, por inodio de la frm ula

u <r) = S ' 2 * 1 +
'

4 n e jr

T rn '

E l exponento del p o ten cial de repulsin de B orn o scila de ord inario

desdo 7 h asta 11 para d is tin ta s su b sta n cia s. E l coefcien to b lo d eter
m inam os partiend o do la con d icin de m nim o de la energa
dUldr |r=ro = 0 . De donde

z .z ^ v s -

T eniend o esto en cu en ta ob tenem os para los iones de carga nica quo

U (>') = -

&

<8 -24>

E n un cam po e l c trico E se produce el d esplazam iento de los iones.

S i el cam po es d b il, cl d esp lazam iento x ser pequeo. L o m ism o
que en el cuso do la p o larizaci n oloctr n ic, en ol sistem a nparoco
una fuerza e l stic a de rotorno kx . A nlogam ente a com o h icim os
en to n ces, escrib im o s

eE = k x y ex = a E .
De aq u , la p o la r iz a b ilid a d in ica a = et/k.
P a ra h a lla r la co n sta n te elstica k u tilizam o s la evid ente relacin
que sig u e:

U ( r 0 + x ) U (;) = j k x d x ka!2 .

(8 .2 5 )

D iferenciand o dos veces am bos m iom bros do (8.25) respecto de x, se

obtiono
0 *U (r0 + *)

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310

C;i|>. 8. Propiedades fsica s de los d ielctricos

Pnra h a lla r la segunda derivada utilizam os la expresin (t.24), en la

r.unl, en vez do r, ponemos (r -j- r). Despus (le la diferenciacin
olil enomos

k - r S p r ( -1 )

(8.27).

Al d educir ln rm nla (<V27) se lia tenido en m e n ta (pie ,r<g, i. Pone

mos ste v a lo r de k en la expresin de lapolarizabilidad
inica
a, = - ^

(8 .2 8 )

Si los iones se consideran com o esferas rgidas, r0 = r a -| rc , sien

do r u ol radio del anin y r 0, el radio del cati n . P o r lo tan to ,
tt|g= V r^

^l ,

(8 .2 9 )

La polarizabilid ad inica do las m olculas se

d eterm ina p rctica
m ente por el cubo dol radio del ion y , por con sigu ien te, en orden de
m agnitud , se aproxim a a la polarizabilidad e lectr n ica de los to
mos y de los Iones.

8.5. P olarizacin dipolar el stica

M uchos d ielctrico s tienen m olculas que poseen m om ento elc
trico P 0 intrnseco, os decir, qno son dipolos incluso en ausencia de
cam po e lctrico exterio r. E n una serie de casos, al cam b iar la d irec
cin en quo estn orientados los dipolos on un cam po elctrico
e x te rio r, aparecen fuerzas o lsticas de retorno. E s evid ente que esto
se observa cuando los dipolos estn ligados m s o menos rg id am en te,
es d ecir, la polarizacin d ipolar e l stica tiene lugar en los d ie l ctri
cos slidos llam ados cristales polares.
Eu los gases, en los lquidos y en algunos d ielctrico s c r is ta li
nos las m olculas polares estn desorientadas por la accin del m o v i
m iento trm ico, do m anera que la p o larizacin re su ltan te es nula.
B a jo la influencia de un cam po ex te rio r se establece c ie rta orienta
cin predom nenle do los dipolos en la direccin del campo. Como la
orien taci n de Jos dipolos depende en este caso del m ovim iento
trm ico , el m ecanism o de polarizacin so denomina polarizacin

d ip olar trmica.
La m olcula polar ms sim p le es la H Cl. L as m olcu las 1IC1 son
asim tricas y cuando se encuentran en estado gaseoso o lquido slo
pueden p a rticip a r eu la polarizacin trm ica. Pero cuando T <
< 98 K cl cido clo rh d rico so encuentra on estado c rista lin o y los
dipolos forman una estru ctu ra ordenada. Kn v irtud de esta ordena
cin do lo.s dipolos, on el c ris ta l polar existe un cam po e lctrico in
trnseco.

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8.5. Polarizacin dipolar cl stica

317

E n un cam po e l c trico e x te rio r

s prodnco una d esv iaci n cl stica
ilc los iiioineiitns di polares respecto
de la o rie n ta ci n en e q u ilib rio .
Consi cloremos un m odelo muy
sim p le, v alin d o n o s <lol cnnl po
dem os c a lc u la r la p o ln m n b ilid n d
do la p o larizacin d ip o lar o l slica.
F ig. 8 .4 . G iro e l stic o do un dipolo
S e a un dipolo con m om ento P 0 orienP0 en un cam po e l c tric o e x te
lad o por un cam po e l c tric o in
rio r E
trn se co E )nt. B a jo la accin de un
cam po e l c trico e x te rio r E , cuya
d ireccin form a con E,| un ngulo 1, el <1i polo gira un ngulo y
pequeo (fig . 8 .4 ). Al d esv iarse ol dipolo de su posicin de e q u ili
brio aparece una fuerza ca si o l stica do retorno F . Supongam os que
E < ,nt. H allam o s la p o larizabilid ad considerando que la v a ria
ci n del m om ento e l c tric o del siste m a en el cam po e x te rio r os pro
porcional a la in ten sid ad dol cam po, cs decir,

P ~ aE .
Como el dipolo sufro el g iro y, ln proyeccin del m om ento d ip o lar
sobre la d ireccin del cam po E , v ara. E sto e q u iv a le a la ap arici n de
un m om ento on la d irecci n dol cam p o. Ln v ariaci n do ln proyeccin
do P os fcil do c a lc u la r v alin d o se do la fig . 8 .4 :

P = P 0 eos (P y) P e cos P-

(8.30)

E s ta exp resi n se puedo e sc rib ir en l a form a

P = P 0 (s e n p sen y 2 cos P son* - ).

(8.31)

L a m agnitud son2 (y/2) puedo dosprociarso on com p aracin con

son y , ya quo, on v irtud do la con d ici n E < *> n t. el n g u lo y es
pequeo. T en ien d o esto en cu e n ta , la v ariaci n de! m om ento d ip o lar es

P = P 0 sen p sen y.

(8.32)

E n estado de e q u ilib rio los m om entos de giro y de retorno son

igu ales, cs d ecir,

P 0E sen (p y) = P ln, sen y.

(8.33)

De aq u b a ila m o s sen y . P ara esto sim p lificam o s (8 .3 3 ). Cuando

E < i t tenem o s que sen (p y) sen p. De este modo,
son y ,:g son P;

(8 .3 4 )

\ - J - s o n *p .
*' Jllt

(8 .3 5 )

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318

Cap. 8. PropindadtiB fsicas de los diolctricoa

Para caracterizar el enlace se suele u tiliz a r jn o ln intensidad del

cnnipo in t r n s e c o A ',,,!, s in o ln o n o rfjn d e l <1i p o lo en el rtn n p n l \IM:
U

Do donde E ,nl =
obtenemos

O S V

I n

Ai f

j U |/7. Poniendo osle valor do E Jllt on (S.3.r>),

=,

E.

( 8 .3 7 )

De esta form a, la polarizabilidad de la polarizacin dipolar elstica es

<*d - j f l j T s e n * P -

( 8 .3 8 )

Como puede verse, a depende de la direccin dol campo elctrico.

E s m xim a para p = n/2 y 3n/2, es decir, cuando E _L 'Int> y nula,
cuando E || Alnl. P or lo tanto, la aportacin do esta forma do polari
zacin puedo condicionar la anisotrop a do la perm ilividnd. La
polarizabilidad do las m olculas polares con enlace elstico depende
tam bin del m om ento do cada m olcula y do la enorga Ua de los
enlaces intcrm oleculares.

8.6.
P articu larid ad es
de la polarizacin trm ica
Una diferencia im portante do la polarizacin trm ica respecto de
la clstica es la fuerte dependencia do su polarizabilidad respecto de
la tem peratu ra. Do lo anteriorm ente expuesto se sigue que cuando 1.a
polarizacin tien e carcte r trm ico el momento dipolar inducido por
el cam po exterio r viene determ inado no slo por la intensidad do
dicho campo, sino tam bin por la intensidad del m ovim iento trm ico
de las p artcu las que p articipan en la polarizacin. E sta s partculas
son dipolos, iones y electrones. De acuerdo con esto d istinguen las
polarizaciones trm icas sig u ien lcs: d ip olar trm ica , inica trmica
y electrnica trmica.
A diferencia de ln elstica, la polarizacin trm ica se establece
bastan te despacio. La aplicacin de un campo e lctrico exterio r al
d ielctrico , en estado de equ ilib rio term odinm ico ocasiona una
determ inada reconstruccin del sistem a (d ielctrico). Como resulta
do do esto, al cabo do cierto tiem po, llam ado tiem po de relajacin,
se establcco un nuevo estado do equilibrio polarizado. S i el campo
e lctrico so desconecta, a expensas de las vibraciones trm icas
y do ln traslacin de las partcu las, so restablece la orientacin
catica do los dpidos o Ja d istribucin catica do los electrones
o iones en las trampas. E l estado polarizado desaparece al cabo do

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8.7. Polarizacin inica trm ica

3 1

cierto tiem po. Ln dism inucin de la polarizacin con el tiempo se

describe por la expresin

P = P 9 exp (//t).

(8.39>

E n (8.39) figura el parm etro t , que cs el tiem po durante cl cual

la polarizacin disminuyo e voces en com paracin con su magnitud
in icia l. ste es cl tiem po de relajaci n. l caracteriza no slo la
velocidad con que desaparece la polarizacin una vez desconectado
el cam po, sino tam bin la velocidad do crecim iento de P despus de
conectarlo. L a polarizacin trm ica tambin se conoce con el nombre
de polarizacin de relajacin .
Dobe ad vertirse que la polarizacin e lstica se establece con una
velocidad m uchas veces m ayor que la do establecim iento del equili
brio trm ico en ol sistem a.
L a form a ms sim ple de polarizacin dependiente del m ovim iento
trm ico de las p artcu las es la polarizacin debida al m ovim iento
de iones aislados dentro del d ielctrico . P or eso vamos a estudiar
prim eram ento las loyes fundam entales de la polarizacin inica
trm ica.

8.7. P olarizacin inica trm ica

E n muchos d ielctrico s existen iones d bilm ente ligados. stos
pueden sor iones in te rsticiale s o iones localizados cerca de los defec
tos estru ctu rales. A expensas de la s fluctuaciones trm icas estos iones
pueden pasar de unas posiciones de e q u ilib rio a otras saltando barre
ras de p o ten cial. E n ausencia de cam po elctrico exterior estos tras
laciones son casu ales y el d ielctrico perm anece no polarizado. Perob ajo la accin de un cam po vara el reliev e do potencial y se origina
cie rta traslacin p rio rita ria de los iones en las regiones defectuosas.
As so produco la polarizacin. E n dopondencia do las peculiaridades
do ln ostructuro del d ielctrico y del tipo do defoelos, el tiempo de
relajaci n a la tem peratura am
bien te oscila entro 1 0 '8 y 10~* s.
Supongamos que el ion slo pue
de moverse dentro de una regin
lim itad a. A dm itam os quo la de
pendencia de la energa potencial
del ion respecto de la d istancia
tien e en esta regin la forma quo
m uestra la fig. 8 .5 . E l ion que se
encuentra en la posicin do e q u ili
brio 1 puodc s a lta r n olrn posicin
do e q u ilib rio 2, quo so b aln a la
d istan cia do la prim era, si en
distancia, en f un enropo
un instnnlo cualquiera su energa
exterior = 0

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Ciip. 8. P ropiedad es fsic a s de loa d ielctrico s

es m ay o r que U0. Como la posibiliiluil dol s a llo os e x p | //(A- 7)!,

ol nm ero ilo p e rifo n a s por u n id a d
ilo volum on quo s a lla n la harrora
en ln d irecci n x 011 1 s, ser
g ^ - j.

(8 .4 0 )

A qu 11o os el nm ero to ta l do iones

d cb ilm en to lig ad os que h a y en el
volu m en unidad y v , la frecu en
c ia de la s v ib ra cio n e s del ion.
U i g . 8 . 0 . D e p e n d e n c ia do la e n e r g a
Do quo la oxpresin (8-40) es
.pntonciai tlol ion con re la c i n a la
co rre cta no es d ifc il cercio rarse.
distancia, en presencia de 1111 ca m
E n e fe cto , a cau sa d el m o v im ien to
po e x te rio r
trm ico c a tic o puede suponerse
que a lo largo de cad a uno de los tres e je s perp en d icu lares entro s
so m ueve una torcera parto de los iones. L a m ita d de olio s, o soa
so m over on el sen tid o p o sitiv o del e je x. P u esto que cad a ion
oscilan to so m uevo v veces por segundo 011 d ich o sen tid o , el nm ero
do intentos de s a lta r la b arre ra por unid a de tiem p o ser re0v/G. Pero
la b arrera Ja sa lta n no todas la s p a rtcu la s. P a ra c a lc u la r e l nm ero
do slas quo s a lta n la barrera h ay que m u ltip lic a r nv/6 por la pro
b a b ilid a d del s a llo oxp [ U0l( k B T)\.
E 11 au sen cia de cam p o e x te rio r todas las d irocciones de s a llo de
la b arrera de p o ten cial por los iones son o q u ip ro b ab les. P o r eso la
distribucin do los iones es uniform e.
L a su p erp o sicin de un cam po e x te rio r hom ogneo a lo largo dol
ojo x hace quo v are la d ependencia U (a:). L a en erg a p o ten cial del
ion 011 este cam p o debe v a ria r lin e a lm e n te con la d is ta n c ia . De
esta fo rm a, la cu rv a U (x) es e l resu ltad o de la superposicin do la
d ependencia rep resentad a en la fig. 8 .5 y de u n a ro e la in clin a d a
(fig . 8 .6 ). Do la fig. 8.G se sigue quo la p ro b a b ilid a d do que el ion
s a lte de la p osicin 1 a la 2 , au m en ta, y la p ro b ab ilid ad de los sa lto s
en sen tid o c o n tra rio , d ism in u y e . E sto ocurro porque, a exp en sas do la
su p erp o sici n del cam p o , la b arrera de p o te n cia l d ism in u ye en Ai/, en
el prim or caso , y au m en ta cu A U, en e l segundo. S i la carga d el
ion es igu al a e, ser A U = eE d /2 . Com o es n a tu ra l, e l nm ero do
tra n s icio n e s por unidad de tiem p o en el sen tid o / -*- 2 es ahora m ayor
queen e lse n tid o o p iie slo . Como re su lta d o , on el d ie l ctric o se e sta b le ce
una d istrib u c i n a sim tric a de las ca rg a s, os d ecir, se crea c ie rto m o
m en to d ip olar.
L lam e m o s An a la d ism inu ci n del nm ero de iones en la p o si
ci n /, igu al al aum ento dol nm ero do ionos en 1a po sicin 2 . E s
ovidenlo que al cab o de c ie rto tiem p o de haberse con ectad o el cam po
11 , --=

-----A rt y

n2 =

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An.

(8 .4 1 )

321

8.7. Polarizacin inica trmica

Cada ion excedente que sa lta la barrera croa un m om ento dipolar

igual a e. Por lo la u to , el momento elctrico del volumen unidad
(p iih iiiz iu i o ) ,

ser

P -= Anefi.

(8.42)

T.n polnrizabilidad equ iv alen te, es decir, la polnrizabilidad refe

rida a cada ion dbilm ente ligado, es

An r

/0
<8 4 3 >

Para poder calcu lar a.iT hay que hallar la magnitud Ara, que dopende
de la intensidad del cam po y de la tem peratura. E st claro que
rl (A m)

di

di

di '

A su vez, dra,/rU se expresa por la ecuacin

- g L ,_ a^

p(

+ V M p

( - ^

) .

(8.44)

E l prim er trm ino en (8.44) es el nmero de partculas que han aban

donado la posicin 1, y el segundo, el de partculas que han pasado
a la posicin 1 desdo la posicin 2. Poniendo en (8.44) los valores de
rai y 2 (8 .4 1 ), obtenemos
Js _ f
/
tf
\
,
an
JtL il
v e ' V [ - - ( e " V - o *r ) + Ara ( e ' "b* + o V ) ] .
(8.45)
Considerem os el caso de los campos
cuales A U < k B T. En este caso
e111 ' * 1 - b

k tT

elctricos dbiles, para ios

=1

-*

. e 6 li

2k n T

'

Teniendo esto en cuenta, la ecuacin (8.45) toma la forma

(8.40)
H allar la dependencia Ara (/) partiendo do (8.4(1) no es d ifcil, si S8
supone que el cam po que acta sobro cada ion es igual al campo
m acroscpico medio que hay en el dielctrico y que, por consiguiente,
al establecerse ln polarizacin dicho campo no v ara. En la realidad
esto no os as, pero pitra sim p lificar vamos a suponer que E
= const y A U = con st. De ju stificaci n a esla suposicin puede
servir el quo los clcu lo s m s am plios conducen n los mismos resul
tados fundam entales.
21 0 1 1 4 7

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Cap. & Propiedades fsicos do los Ji'o lee treos

322

H agam os en (8.46) las su stitu cio n es

1

( <1 \

nmrltK

L a magnitud t tien e dim ensin de tiom po y os el tiem po de relajacii

S ustitu yend o U m liicu <I,AI/ por d (An)AI/, obtenem os

Ln solucin

ti (A a )

A n -C

ii(

de e sta ecu acin

A

-|-

II

cs
e x p (

ilt ) .

L a con stan te de integracin B se h alla por las condiciones in iciales

Cumulo l 0 , deliu ser Aw 0 . De donde II ^ C. De. esta forntt
A" =

<8 ' 47

S ustitu yend o en (8.48) An por su v alo r (8.47), obtenem os la

sin de la p olarizabilid ad i n ica trm ica
i r - T K F ( 'SS i el cam po acta d urante mucho tiem p o, es d ecir, si t
estab lece la p o larizacin con stan te
- - - s r -

expre

( :
oo, s<

<8 - >

L a polnrizabilidad dism inuye al aum entar la tem peratu ra, ya que

el m ovim iento trm ico d ificu lta la d istrib u ci n ordenada de los
iones.
P ara term in ar ind icarem os que la p o larizabilid ad trm ica eq u iv a
lente a T de cada ion (8 .4 9 ), que liem os h allad o , se d iferencia esen
c ia lm e n te de la polarizabilid ad in ica a. para el d esplazam iento
e l stico . L a m agnitud a se d eterm in (vase el 8 .4 ) com o e l coefi
cie n te
do proporcionalidad entre el m om ento d ipolar y el cam po
e x te rio r y se expresaba por la razn del cuadrado dola carga dol ion
al co e ficie n te de enlace e l stico . E u cl caso de la polarizacin trm i
c a , el m om ento d ipolar, que surge cada vez que se d esplaza un ion,
es con stan te y no depende de la intensidad del cam po (P = e). P or
eso ln p olarizabilid ad de cada ion es inversam ente proporcional
al cam po E :

1>

rf,

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S.H . P o l a r i z a c i n

e le c tr n ic o

t r m ic a

323

E n o tra s p a la b ra s, a tT es un c o e ficie n te que no depende do la in te n

sidad dol c a m p o . E l m o i i i o i i l o e l c tric a di p o l a r d o l v o l u m e n unidad,
que ap arece d u ran te ln po larizacin in ica trm ica, depende do E
slo porque do F dependo ol nm ero de iones que s a lla n on oxees o ln
barrera do p o te n cia l.

8.8. P o la riz a ci n electr n ica trm ica

E n los d ie l ctric o s s lid o s, que tienen un tipo determ inad o do
d efecto s, es p osible la p o larizaci n electr n ica con d icio n ad a por el
m o v im ien to trm ico . E l m ecanism o de e sta p olarizaci n vam os
a e stu d ia rlo tom an d o com o ejem p o un c ris ta l de T iO a (ru tilo ), quo
c o n tie n o nudos iin i niros v a ca n tes. E l m odelo bidim unsioonl de ln
e stru c tu ra del T i 0 2 con un nudo an i n ico v acan te se ha representad o
en la fig. 8 .7 .
E n uno de Jos nudos fa lta ol ion de oxg eno O *- . L a com pensacin
de la carga del ion ausente se efect a a expensas de los tres iones
de tita n io m s pr xim o s (en el caso trid im en sio n al estos iones son seis).
D ich o s iones se con v ierten on triv a le n te s , o sea, tien en en la capa
e x te rio r un electr n d b ilm ente ligado cada uno. S e supone quo,
b ajo ln in flu e n cia do las flu ctu acio n e s trm icas, dos electro no s sa lla n
e n tre lo s iones de tita n io m s prxim os al nudo v acan te com o se
in d ica en la fig u ra . A l h a ce rlo vencen c ie rta barrera de p o ten cial.
E n au sen cia de cam po e l c tric o e x te rio r, en d istin to s nudos am
nicos v a ca n tes estos tran sicio n es se producen c a tica m e n te y la
p o larizaci n no se m a n ifie sta . L a a p licaci n de un cam po e l c trico
h ace que los s a lto s sean con cord an tes en grado con sid erab le. E n esto
caso surge una d irecci n predom inante de los salto s y , por lo t anto,
.aparece un m om ento d ip o lar re s u lta n te . E l tiem po de re la ja ci n do
la p o larizaci n e le c tr n ic a trm ica es b astan te grand e: de 10~7
a 1 0 -a s.
Ln p o larizaci n e le c tr n ic a t rm ica desem pea un papel im p o r
ta n te en m uchos d ie l ctric o s, en p a rtic u la r en los c ris ta le s nlcnlino halgonos. E n esto s ltim o s d i
0 '
T * >
cha p o larizaci n
est
co n d icio
nada por la e x c ita c i n de los cen
tro s F .
L a ap o rtaci n de este tip o de
O O Q M O O
p o larizaci n a l v alo r de e puede
ser b a s ta n te im p o rta n te con una
co n ce n traci n do d efectos no m uy
elev ad a. E s to se debe a la gran
p o larizab ilid ad de lo s olectro n es,
d bilm ento ligarlos con los de
fectos.
F i g . 8 . 7 . E s t r u c t u r a d e l r u t i lo

d o o o >o

o o jOPo o
o o o\do o
o o oT, % o

21*

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3 2 4 _______________

C~!;i|.

H.

I 'r o p i c i ln ilp a

fs ic a s

de

l o s i l i '- l r l r i & o s ___________________

S i para calcu lar la polarizacin electrn ica trm ica so u tiliza

las rcpivsonlacioiH's clsica*, los rosa liarlos sern nprox hunda nunil
los m isinos ijua uii el naso ilu la polarizacin inica tnaic.a. Si
em bargo, est claro <|iin al d escrib ir cl innvim icn lo do los olectroae
cu los cristales no se pueden o m itir los olelos cu nticos. Hay qn
tonar en m enla quo la masa e fectiv a do los electrones en el c rista l s
diferencia mucho de la m asa del electrn lib re, que los electrones c
el slido se subordinan a la e stad stica de b erm i _ D irac, e tc . Lo
clcu lo s exactos de la polarizabilid ad en esto caso son m uy con
pilcados.

8.9. P olarizacin dipolar trm ica

S i en el d ielctrico e xisten m olcu las polares y el enlace e a tr
ellas no os grande, b ajo la accin de un cam po, stas pueden giro
con re lativ a facilid ad . Ln orientacin do los dipolos en cl cam po s>
ve d ificu ltad a por el m ovim iento trm ico. Como resultado surge un.
polarizacin dipolar dependiente del m ovim iento trm ico.
L a polarizabilidad d ipolar trm ica puede calcu larse aprovochandt
la analoga entro osle m ecanism o de p o larizacin y el m ecanism o dt
la polarizacin inica trm ica. L a d iferencia entre ellos consisto sola
m ente en quo cl iori pasa de una posicin de e q u ilib rio a o tra a expon
sas del m ovim ionto do traslaci n , m ientras que la m olcu la p o lar b
hace a expensas do m ovim iento de rolnoin. E ste c lcu lo coiiduc
a una dependencia inversam ente proporcional de la p olarizab ilid ac
respecto de la tem peratu ra:

a dT = P l W Bn

(8-5:

en ln que P es ol m om ento d ipolar o lcctcico de la m o lcu la. L f

expresin (8.50), lo m ism o que la correspondiente a e lla para la
polarizacin inica trm ica (8.49), se ha obtenido suponiendo que el
trab ajo del cam po es mucho m enor que ia energa del m ovim ientotrm ico (AU<Z kfT)Cuando las intensidades del cam po son grandes, el m ovim iento
trm ico casi no d ificu lta la o rientacin de los dipolos en la direccin
de aqul. De esto modo, la inm ensa m ayora de las m olcu las gira
en ol sentido dol cam po y el m om ento d ipolar m ed ise independenliza
de ste. E m pieza la satu raci n . Como cl clcu lo ofrecido de <%iT
lione ca r cte r de aproxim acin burda, basada eu la an aloga con
la polarizacin inica trm ica, no perm ite resolver el problem a de
la saln-acin.
Un c lcu lo ms riguroso de la polarizacin d ipolar fue propuesto
por Doliye. Siguiend o a sto vam os a estu d iar un d ielctrico que
con ten ga
dipolos
Supongam os un <1i polo cuya d ireccin formo

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S.9. Polarizacin dipolar trmica

u ni O l i m p o ol ngulo 0 (fig. 8 .8 ).
Mu oslo caso
ow (I ser ln
componeiiLe del m ntenlo dipolar
de la m olcula en ln direccin del
rantpo. L a energa potencial del
dipolo en el cam po e lctrico sera:

U P E cos 0.
E l v alo r m nim o de U se obtiene
cuando 0 0. P recisam ente por eso
todos los dpolos tienden a orien
Fig. 3.6. Orientacin (lol <1i polo
tarse en la d coccin del cam po.
en ol campo
Pero el m ovim iento trm ico deso
rie n ta las m olcu las. E l m om ento
d ip olar resu ltan te, del d ielctrico, se determ ina por el e q u ilib rio
estad st ico entro la accin orientadora del campo y la desorientodora
del m ovim iento trm ico.
E l m om ento d ipolar inducido por ol cam po es

P = N ( P > -= a dTE ,

(8.51)

donde (P > os c! m om ento e lctrico m edio de las m olculas que

surge en el cam po E . E l problem a se reduce de esta form a a buscar
el m om ento dipolar medio de las m olculas en la direccin del entupo.
S i los dipoloS estn Jigndos d bilm ente entre s, pueden orientarse
en el cam po do nn modo arb itrario , es decir, el ngulo 0 puedo lom ar
cu alesqu iera valores.
Ln probabilid ad de que el m om ento dipolar esto dirigido con
relacin al cam po b ajo un ngulo com prendido entre 0 y 0 + dO
es decir, que est dentro del ngulo slido d fi (fig. 8 .8 ), se determ ina
por el facto r de B o ltzm an n :
d = A t exp ( -

J L ? ) <l2 = A , exp (

) dO.

Aqu A i es una con stan te. Por ln fig. 8 .8 hallam os l2. Como puede
verse, el ngulo slido d2 so apoya sobre el anillo cortado, en una
esfera de rad io r, por dos superficies cnicas. E l rea de este anillo
es igual a la longitud de su circu nferencia 2nr sen 0 m u ltiplicad a
por la altu ra le anillo r d0, es d ecir, d S = 2 n r! sen 0 dO. S i r = 1,
ser d S = d2 = 2n sen 0 dO. P o r lo tan to,
du>= /I exp (

1) 8011 ^

donde la nueva con stan te A = 2n/t,.

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(8..52)

320

Cip. 8. Pnipicd,KI03

de Ins

ts ic a s

d ie l c tr ic o s

H aciendo uso de ia definicin de m edia e sta d stica , escribim os

j c o s O c * h' r "

O ) =

eos 0) -

M s o tld d

/ ** -
r p . bcw e/(,n7)
J e

11

(8.5.M)

s e n 0 ilO

ii

H acem os P aE / ( k f ) = a
(8 .5 3 ) tom a la forma

</-)

y eos 0 = x. T eniendo esto en cu enta,

+1
j taXr dx
/>0 _ i ----------- .
j
-1

(8.r,/t)

ilr

Despus do calcu lar las in teg rales, obtenem os

= M

S S ~ T ) - ,,* ( elUa~ ! )

<)

L a funcin (clh a 1 la) = L (a) so llam a funcin de Langevin.

E sta funcin fue introducida por voz prim era en la teora de la
susceptibilidad param agntica. Cuando los valores de a son peque
os (os d ecir, on la regin do tem peraturas no m uy b ajas y cam pos no
domasiado intonsos), L (a) se puede d esarrollar en serie rpid am ente
convergente: L (a) = a /'i a 3/45 + . . . Como resultado obtenem os

bien
<8 - 5 6 >

S i \ E I(I, b T ) ^ 1, el trm ino l nJP I(\ k n T) y lodos los sucesivos de

la serio pueden om itirse en v irtud de su pequenez. Entonces

( P ) = P IE / (SkBT ),

(8.57)

es d ecir, cuando los cam pos son pequeos, el m om ento d ipolar medio
en la direccin del campo es proporcional a la intensidad do este
ltim o. Por lo tanto, la p olarizabilidad de las m olculas polares es

a dT = P y (3 k MT).

(8.58)

Uno expresin exactam en te igual se oblieno en el clcu lo aproxim ado

Ivaso (8.50)].
Puro do (8.50) se sigue quo en los cam pos intensos, en los cu ales
la energa p otencial del dipolo en ol cam po elctrico es com parable
con la energa trm ica (P E I(kn T) ~ 1), el inom onto d ipolar m edio
en la direccin del cam po ya no es proporcional a la intensidad do

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6.10. R o l a r i

onlro

la

p erm iliv id n d

ln

p o ln riziih ilu tad

ste. Al crecer la intensidad dol cam po, (P > aum enta y tiende
pniiliilinnuiKiilii a ln sa lm a ri n .
1tira fin alizar el estudio do las diversas form as do polarizacin,
advertim os quo la polarizacin do los dioico treos reios tiono do
o rd in ario un carcter com plejo. E s un conjunto do determ inados tipos
de polarizacin sim ples. En el caso general, el m om ento dipolar
resu ltan te del volumen unidad del dielctrico (p olarizab ilid ad ) es

P = G v m )-E ,
m

<8 59)

dondo a m os la polarizabilid ad dol tipo m-simo de polarizacin

y
la concontrnciii do p n rtfru las quo p articip an on dicho Upo do
p o larizaci n . S i en el d ielctrico se dan todos los tipos do m ecanis
m os do p olarizaci n an te s estu diad os, ser m = 1, 2 , . .
6.

8.10. R elacin en tre la perm itividad

y la polarizabilidad
D el 8 .2 se sigue que el parm etro m acroscpico ms im por
ta n te de un d ielctrico es 1a perm itivid ad e, relacionad a con la
m agnitud do la polarizabilid ad P y con ln intensidad del campo E
p or m edio de la frm ula

8=

1+

<8.r.O)

A p rim era v is ta parece que si se conocen los mocntiismos de polariza

c i n , quo perm iten ca lcu la r los diversos tipos de polarizabilidad
y , por co n sigu ien te, la p olarizab ilid ad por la frm ula (8 .5 9 ), se
puede tam b in sin d ificu ltad ca lcu la r e. Pero esto no siem pre es
f c il. E s el caso quo el cam po e lctrico que acta sobro el tom o o la
m o lcu la dentro del d ielctrico (quo llam arem os cam po local E ,c),
no coincido con el cam po m acroscpico medio E quo hay en el d ie
l ctrico . Cada m olcu la (o tom o) se encuentra ante todo en el cam po
de accin de las m olculas que la rodean. E ste cam po v ara ni super
ponerle un cam po e x te rio r, puesto que las m olcu las se polarizan.
Un mtodo para ca lcu la r el cam po lo cal fue propuesto por prim era
vez por L orontz. E ste m todo es ap licable a los gases, lquidos no po
la re s y c rista le s de singona c b ica.
E l cam po E loC que act a sobre una m olcu la cualquiera dentro
d el c rista l se puede representar en form a de sum a:

El00 = E 0 + E i + E i + E j,

(8.61)

en Ja que E 0 es el cam po e x te rio r; E el llam ado cam po despola, rizadot :, debido a las cargas quo aparecen on ln superficie dol d iele trico com o resultado de la p olarizacin do la m uestra (fig. 8 .9 , a);

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328

C ap. 8.

P r o p ie d a d e s

fs ic a s

do

lo s

d ie l c tr ic o s

b)

a)

I'lg. 8 .9 . Esqu em a'para ca lcu la r ol campo local por el mtodo de Lorentz

E 2 y E.r son cam pos cuyo origen so aclarar ms adelanto. Ln suais

E 0 4- E , representa el campo macroscpico E , croado en el d ielctri
co por las cargas elctricas situadas fuera de l (E ft) y por su polari
zacin (E ,). Como cl campo E , est dirigido en sentido con trario a la
polarizabilidad , so le da el nombre de despolarizador. Ln intensidad
del campo E puedo hallarse partiendo do (8.14):

eo (a 1)

(8.C.2)

Para aclarar ol sentido fsico do los campos E 2 y E 3 cortem os

m entalm onte on el d ielctrico una esfera en cuyo centro se halle la
m olcula elegida por nosotros (fig. 8 .9 , a). E l radio r de esta esfera
debo ser mucho m ayor jno la d istancia cutre las m olculas. A s, ln
parle del d ielctrico situada fuera de la esfera se puede considerar co
mo un medio con tin uo. Por otra p arte, r debe ser pequeo en com
paracin con las dim ensiones de la m uestra. E stas dos condiciones
se cumplen cuando r es igual a varias decenas de d istancias interalm icas.
En el modelo considerado, la accin de las m olculas que estn
fuera do la esfera vamos a describirla por medio del campo E 2, y la
de las m olculas que so encuentran dentro de la esfera, por medio
dol campo E.v L a idea do introducir osla esfera, quo recibi ol nombro
de esfera de Lorentz, consiste en quo ol campo E 3 dentro de la esfera
se puedo interpretar como m icroscpico y el E 2, quo acta por porte
del resto de la m uestra, como m acroscpico.
Calculem os ol campo E 2. Para oslo supondremos que todas las
m olculas que hay dentro de la esfera de Lorentz, excepto la que
hemos elegido, se excluyen. Como el d ielctrico est polarizado,
sobre la superficie do la esfera existe c ie rta carga ligada. E l problema
se reduce a h allar el campo elctrico quo crea la esfera d ielctrica
polarizada.
Sobro la esfera elegim os una superficie elem ental d.9, en forinn
de an illo , situada bajo un ngulo Ocon la direccin del campo exterio r
(fig. 8.1), b). La carga sobre Ja superficie d S la designaremos por d q.

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8 . . Pcpondoncin ciiLro lu pennilividm l y fn froctipncin

Ln intonsidnd dol cam po quo croa osta carga on el contro do la esfera

Moni
''

~ T n v 3" C0S '

Ln carg a d ( es igual al producto do ta densidad do carga p por o

rea del a n illo , o sea, d q = pc d S . L a densidad de carga sobro la
esfera p0 = P eos 0 depende de la polarizacin P del d ie l ctric o
y del ngulo 0. T eniend o on cu en ta que d S = 2n r1 sen G d9, obtenom os que (Iq P eos 0 - 2 n r2 sen 0 dO. E n (8 .6 3 ) se su stitu y e <\q
por la exp resin ob tenid a y so efect a la integracin exten d id a a tuda
la su p crfice do la esfera do Lorontz:
n
Z?2 -J f cus^ 0 son 0 dll =
. '
(8 .0 4 )'
o
J8o
o
L a intensid ad del cam po E a, es d ecir, del cam po que crean las m o l
cu la s, que h ay dentro tic la esfora do L o rcn tz, no so puode ca lcu la r
sin tener en cuenta la estru ctu ra del d ielctrico . En et caso de los
gases, de los lq u id os no polares o de los c rista les cbicos se puede
suponer E 3 = 0 . E n efecto , cuando las m olcu las estn d istrib u id as
caticam e n te (gas, liqu id o no polar), para cada m olcu la en el seno
de la esfera do Lorontz siem pre se puedo oncontrar o tra m olcula
cu ya accin sobre la elegid a com pense la accin do la prim era. En los
c ris ta le s esta com pensacin slo es posible on las estru ctu ras a l t a
m ente sim trica s (por e je m p lo , on las c b icas). A s, pues, on la
ap ro xim acin de L o rcn tz, E 3 = 0 . Tom an do
en consideracin lo
expuesto
p
_________ i t*
e ~t~^
.o i;r\
lo c e0(e 1) + 3e0 ~ e 1
3e
<8.(w>
Su stitu y e n d o (8 .6 5 ) en (8 .5 9 ), hallam os que

T + T ~ 357 2

(8.6()>

L a ecu acin (8 .6 6 ), conocida com o ecuacin de

estab lece la re la ci n entre la p erm itivid ad y
Su bray am o s una vez m s que e sta ecu acin slo
estru ctu ras c ris ta lin a s en las cu ales, en virtud
cam po E 3 = 0.

C lau siu s M ossolllr

la p o larizab ilid ad .
es correcta para las^
do la sim etra , ol

8.11. D epend encia de la perm itividad respecto

de la frecu en cia
S i el d ie l ctrico se en cu en tra on un cam po e lctrico co n stan te ,
todas las form as do polarizaci n , propias do la substancia d ad a,
tienen tiem po de e stab lecerse. En este caso hacen aportacin a tr-

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330

Cap. 8. P ropiedades fsicas do los tliolc-lricoa

Kig. 8 .1 0 . IVppinlpnri ilp f respecto do ln frecuencia v

ta n lo los m ecanism os (lo polarizacin rpid os, com o los len to s. E n

im cam po e lctrico altern o , a m edida que aum enta la frecuencia v,
em piezan a retrasarse prim ero las form as do polarizacin m s len tas
y luego las otras. E sto ocasiona la variacin de la porm itiv id ad
(d ispersin do e).
La forma general de la dependencia e (v) so m uestra en la fig. 8 .1 0 .
En la regin de frecuencias b a ja s hacen aportacin a e(1( todas las
form as de p olarizacin, pero cuando v (104 10*) Jlz em piezan a
desconectarse d istin ta s form as de polarizacin do carga e sp acial,
relacio n ad a con ol m ovim iento y acum ulacin do p artcu las cargad as
(electrones, iones) en los lm ite s de separacin del d ie l ctrico no
hom ogneo. En la gam a do rad iofrecu en cias (de 1 0 l a 1 0 " H z) dojan
de hacer aportacin a e.rf los m ecanism os trm icos de p olarizacin
(e le ctr n ica , inica y d ip olar). Con las frecuencias correspondientes
a la regin in frarroja del espectro (do 1 0 " a 1016 H z), se produce el
retraso do las polarizaciones i n ica e l stic a y d ipolar e l stic a (vase
e.r). En la regin de frecuencias p ticas (de 1015 a 1017 H z), la perm iliv id a d e ^ t slo e st con dicionad a por la p olarizab ilid ad e le c tr
n ica e l stic a . A e stas frecu en cias tan a lta s, a cau sa de la in ercia,
ningn otro m ecanism o do polarizacin tien e tiem po de estab lecerse.
E n los cam pos con frecuencias m ayores que 1017 1 0 18 Hz la p o lari
zacin os im posible y e = 1.
E st claro que estu diand o la dependencia de la perm itiv id ad
respecto do la frecuencia so pueden d istin g u ir exp erim en tal mente
la s ap ortacion es de los d istin to s tipos de p olarizacin. A s, por
e je m p lo , la aportacin de la p o larizaci n e lectr n ica e l stic a se
puede h allar m idiendo e en las frecu en cias p ticas (e<)pt)- De las
e cu acio n es de M axw ell se sigue que el n d ice de refracci n p tica de
una su bstan cia n = \ sp., siendo, p la perm eabilid ad m ag n tica
re la tiv a . P ara las frecuencias p ticas | i l , por lo que pt = *
D r este modo, on la goma do frecuencias p ticas tenem os que
( 8 . fifia)

? J

ti1 4 -

3 o

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8 ,1 2 .

l* o la r iz n c -iim

do d i d lf i c o s s in c e n t r o d e s im e tr n

331

Do Ja ecuacin (8.6(>n) so pueden deducir las polarizabilidnriea ciecIi'iiii'n.H ilt< loa tomos y do los unios.
E l anlisis de la depundenciu do la pcrrailiviriad respecto du lu
frecuencia o, on oleas palabras, de los cspeclros dielctricos, pro
porciona una inform acin im portante sobre las propiedades de los
d ielctricos. Por esln dependencia pueden Uacorso deducciones cuali
tativ as acerca de la naturaleza fsica de los mecanismos de polariza
cin dielctrica y obtener datos cuantitativos sobro las aportaciones
de estos mecanismos.

8., 12. A lgunas peculiaridades de la polarizacin

de los dielctricos sin centro de sim etra
En los dielctricos con estructura carente do centro de sim otrn,
adem s de los mecanismos antes estudiados do polarizacin, induci
da por un campo exterior, os posible la polarizacin forzada, en la
cual el momento dipolar se produce bajo la accin do un esfuorzo
m ecnico (piezopolarizacin), bajo la influencia de I03 cambios do
tem peratura (piropolarizacin ) o bajo la influencia de radiaciones
(fotopolarizacin). En algunos dielctricos la polarizacin puede exis
tir en ausencia du eualesquior influencias ( polarizacin espontnea).
E l fenmeno de la polarizacin de un dielctrico bajo la accin
de esfuerzos m ecnicos recibe el nombre de efecto piezoelclrico
directo. Adornas do slo existe cl efecto piezoelclrico inverso. Este
ltim o consisto en quo, si se superpone un campo elctrico oxtorinr,
el cristal so contrae o so d ilata un poco. E l efecto piezoclctrico
se observa en lodos los orislnlcs do estructura careo (o rio centro do
sim etra. B a jo la accin del esfuorzo mecnico llene lugar cierto
desplazam iento de las partculas cargadas y, de esta forma, surge
e l momento dipolar. E l desplazamiento de las partculas cu los
cristales con centro do sim olra no ocasiona la aparicin del estado
polarizado, ya que en esto caso, cu virtud de la existencia del cenLro
do sim etra, se produce la nuilpcnsaciu elctrica de los momentos
originados por el desplazamiento de las partculas cargadas positiva
mente y negativam ente.
Vam os a estudiar el mecanismo generador de la piezopolarizacin
sirvindonos del ejem plo dol cuarzo. En la fig. 8.11 so representa
la celd illa elem ental hexagonal del S i 0 2, en la cual se suceden alter
n ativ am ente los iones positivos y negativos. Se ve con facilidad
que, en ausencia de un esfuorzo exterior, et momento dipolar de la
celd illa es nulo. Pero supongamos que bajo la accin de unos esfuorzos mecnicos la celd illa elem ental se alarga (fig. 8 .1 1 , b). E sta
deformacin haco que aparezca un momento dipolar P q Aa,
siendo q la carga do los iones y Aa, ln longitud dol alnrgamionlo do
la celd illa. En la fig. 8 .1 1 , c puede verse quo si la celd illa se com -

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3:vi

C ap. 8.

P r o p ie d a d e s

fs ic a s d e

lo g d ;(Icr.1 r i c o s

Fig. 8 .1 1 . Mecanismo fiel surgim iento de la piozopolarizacin en o cuarzo

n, ppltlilln cicmPiilal en ansern ia <1e arcin e\terior; b, celdilla alargada; c , celdilla compri
mida

prime, el signo del inojncnlo dipolar cam bia: P = q Aa. S i e.

esfuerzo u n iaxial, por ejem plo, do traccin, est aplicado al crista,
de cuarzo n lo largo do uno do los ejes de segundo orden, el momento
dipolar se determ ina por la relacin

da,

(3.97',

en la que d es el llam ado mdulo piezoelctrico.

Kn el caso general, como ya vim os en el cap. 4, ol estado de
tensin se ciirarlerzn p o r no v erter de segundo rango con nueve
com ponentes. A su vez, la polarizabilidad P es un vector definido
por tres com ponentes. Por va experim ental so lia establecid o que
ruando un esfuerzo arbitrario acta sobre un crista l do estructura
carente de centro de sim etra, cada componenLc P de la polarizabili
dad est relacionada linonJiiieiito con lodos las com ponentes del
tensor de las tensiones a:

P i = duiOii + d||2a )2 -(- d n 30|3 + d|2lo 2l -t~ dI22cr22 -j"1" d ,2:,a 23 -j- d]3,0 3l -| dJ32o 32 -(- d i 3.j03;).

(8.(i*S)

E cuaciones anlogas pueden escribirse para P y P 3. Por Jo tanto,

en la forma general

P =~- d ijha Jh.

(8.(19)

Aqu d t)i, es el tensor de los mdulos piezoelctricos (tensor de tercer

rango).
Adems del cuarzo poseen propiedades piezoelclricas cristales
tan em pleados en la tcnica como el diliidrofosfalo do potasio
( K I I J O.,), el diliidrofosfalo de amonio (N H 4H 2P 0 4) y diversos tipos
de cerm ica piezoolcrlrica. Los piezoelctricos se utilizan como po
tentes em isores y receptores sensibles de ultrasonido, estabilizadores
de frecuencia, filtros elctricos de frecuencias altas y bajas y trans
formadores de tensin y de corriente.
JCI cam bio de polarizacin del c rista l al calentarlo o enfriarlo
recibe el nombre de efecto piroelclrico. Este efecto slo se observa

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P.I2. Polarizacin rli* dielctricos sin centro (ln simetra

on los cristales que posuon Un olelucillo particular de siiiiclrn, cl

llam ado efe polar. Guando existe
e je polar 110 existe centro de simetria . Por eso, todo cuerpo piroe lctrico es a la vez piezoelccl rico
{pero no lodos los piezocletricos
son piroelctricos). Do ejem plo de
piroelclrico puede servir la tur-

p u ed e

o c u r r ir

n ic a -

l~v

M t t

\t\v

. . . .
f i f i

t\ t\

k k k k
I T TT

|f f f

..

Ak i j
T\ T /
\ t f\

En ausencia de campo exterior,

el cam bio do polarizacin con la
te m p e ra tu ra

333

bl
Fig. 8 .1 2 .

Mecanismo

do

surg-

m ente en aquellos dielctricos en

de la p.ropolamacion:
,
a, cuando r =. 0; b, cuando r *= O
que la polarizacin existe espon
tneam ente. La existen cia de la
polarizacin espontnea significa que en el cristal todos los dipolos
elem entales tienen la misma direccin (fig. 8 .1 2 ). E st claro que
eslo slo puedo ocurrir en algn caso idealizado cuando T = 0. S i
T > O los dipolos se desordenan parcialm ente a expensas del m ovi
m iento trm ico. Esto hace que la polarizacin disminuya a medida
que se elevo la tem peratura. E ste es el efecto piroelclrico prim ario
o rerdaderoo. E xiste tam bin el efecto piroelclrico secundario o
falso. Su origen est relacionado con la dilatacin trm ica del
d ielctrico. Al aum entar la temperatura varan las dimensiones
lineales del cristal y eslo hace quo la polarizacin cam bie.
T an to el ofoelo piroelclrico primario como ol secundario depen
den linealm ente de la tem peratura. En el caso del efecto primario los
dipolos bajo la accin del m ovim iento trm ico se desvan cierto
ngulo medio 6 de la direccin principal (fig. 8.12, b). Con esto
vara la polarizacin en AP = P (t eos 0). Cuando los ngulos
son pequeos, el ngulo de desviacin es proporcional a /rIt T, de
donde AP P , A'/', siendo P , la magnitud llam ada coeficiente

piroelctrico.
Para el efecto piroelctrico secundario la proporcionalidad entre
AP y A71 se infiere de l ley de dilatacin trm ica Al = a A71 y del
efecto piozoelctrico aritos estudiado.
S i a la variacin de la polarizacin contribuyen ambos efectos
piroelctricos,
AP = (P , + P 2 )A r ,
donde P 2 os ol ooofioionto piroelclrico corrospond ionio ni ofocto
secundario. E l ofocto piroelctrico se utiliza mucho en la tcnica.
Sobre la base de m ateriales piroelctricos se construyen captadores
de calor muy sonsiblcs.

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334

C.:i[>. 8 .

P r o p ie d a d e s

fs ic a s

<lc l o s lo l c t r ic o a

lili algunos cristales sin rehiro do sim etra ln polarizacin surge

o vara bajo ln nocin de flujos luminosos intensos. Este fonmouo
se donomina fotapolarizacin. L a folopolarizacin ha sido bastante
bien estudiada y tiene aplicaciones tcnicas (cristales del tipo del
niobalo de litio , LiN hO n). La anchura de la banda prohibida en el
LiNbO., os aproximadamente de 3,G eV. Con esta ancha banda pro
hibida los portadores pueden ser generados por la luz nicam ente
a expensas do la oloionizacin de las impurezas. Cttaudo la ilu m i
nacin no es uniforme, los portadores de carga que hay en las zonas
ilum inadas se liberan de los niveles de impureza y, bajo la accin
del campo elctrico Intrnseco, so trasladan a la zona no ilum inada,
en la cual son capturados por las trompas. As se produce la redistri
bucin de la carga. S i los portadores son electrones, en las zonas ilu
minadas .se croa un exceso de carga positiva y en las no iluminadas,
un exrcso de carga negativa. Por consiguiente, 011 el cristal surge
una carga elctrica espacial cuya configuracin viene determinada
por la distribucin de la intensidad de ln luz. Esto puede utilizarse
para registrar Iiologramns.
En muflios dielctricos el estado polarizado, creado por un pro
cedim iento cualquiera, se puede fijar de manera quo se conserve
durante mucho tiempo, despus de desconectar el campo exterior,
sin necesidad de que sobre ellos se ejerza influencia exterior alguna.
Estos dielctricos se llam an electretos. E l estado eloctreto puede crear
se por diversos mtodos. De acuerdo con olios los olectrotos so dividen
en: termo, oto, elclro, magneto, trtbo , mecano y radioeleclrelos.
Los torm ooleclelos se obtienen de la forma siguienlo. A tem fiela
tura elevada el dielctrico se polariza en un campo exterior intenso
y despus se enfra dentro de dicho campo. Corno resultado de este
tratam iento c! estado polarizado se congela, ya que el tiempo de
relajacin de los mecanismos trm icos lentos disminuyo m illares
y hasta m illones de veces cuando desciende T (x ~ exp ( f//(Ag T)).
El estado polarizado del tcrm oolcctrolo so puode conservar durante
muchos aos. E l clectrelo crea en el espacio circundante un campo
elctrico continuo, do un modo sem ejante n como croa ol imn 1111 1
campo m agntico continuo. E l estado electrtico es m otacslahlo.
S i el clcctrcto se calien ta, siendo E 0, se despolariza.
Los fotoeleclrotos se forman de dielctricos poseedores de foto
conductibilidad elevada, al someterlos sim ultneam ente a la accin
de un campo elctrico y de la luz. E l estado fotoclcctrtico puede
hacerse desaparecer sometiendo el clectrelo a un campo elctrico
intonso.
Por la accin sim ultnea de un campo elctrico y otro magntico
so puode obtener un inagiielooleclroto.
Los electro, L ib o , mecano y rad ioeleclrelos so obtienen por la
accin de un factor nico, que respectivam ente ser un campo elctri
co intenso, friccin, deformacin m ecnica o irradiacin.

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8 .1 3 . F e r r a d c t r i c o s

8.13. Ferroelctricos
Vii humos iclio nulos quo cu imn sur/u du tr is lulos d ielctrico s
e x iste ln polarizacin espontnea, es decir, ol crisl.nl osl. polarizado
incluso en ausencia co cam po elctrico e xlorior. L a polarizacin
espoiitnon se m nnifiostn en ol oferto piroelclrico debido n ln desordciiaciii trinicn de los dipolos. En los piroolclricos lin eales
ordinarios la polarizacin P dism inuye al elevarse la tem peratura.
L a direccin de la polarizacin espontnea no puede cam biarla cam po
elctrico alguno, ni siquiera aquellos con los cuales se produce la
perforacin del d ielctrico. E x iste , sin embargo, un gran grupo de
d ielctrico s para los cuales el fenmeno de la polarizacin espont
nea cs c a ra cte rstico , cuya polarizacin depende no iin ealm cntc de
la intensidad del cam po y puede invertirse, listo s cristales piro*
olctricos reciben el nom bre de ferroelctricos, elctricos Seignette o
elctricos R ockelle. Las ltim as denom inaciones provienen del nom
bre de la primera substancia en que se m anifesl Ja dependencia no
lineal de 1 (E ): la sal de S eig n ette o de itoclielle N aKC.,H <0 e-4 H 20 .
El estudio m s d etallado de la sal de S eig n ette lo llev a cabo, en los
ios 1930^ -1934, 1. V . K u rch lo v con sus colaboradores. H izo una
pran aportacin al estudio de los ferroelctricos el grupo de fsicos
loviticos dirigido por B . M. V id . En los aos 1944 1940, B . M. V ul
i I . M. Goldm an descubrieron un nuevo ferroelctrico, ol titan ato de
tario ( B a T i 0 3). L a s investigaciones sobre las propiedades de este
o aterial realizad as por ellos contribuyeron notablem ente a la com irensin de la naturaleza de la ferroelectricid ad.
L a peculiaridad m s c aracte rstica do los ferroelctricos es que
a dependencia de su polarizacin P respecto del campo E tiene la
orina de bucle de h istrosis (fig. 8 .1 3 ). L a existen cia de histresis
n los ferroelctricos est relacionad a con la presencia de los dom iios ferroelctricos, regiones esp dalos on cada una do las cuales los
om enlos dipolares tienen u i i r m ism a orientacin, pero en los dom iios vecinos los vectores P tienen direcciones d istin tas. E stos domiios fueron d escubiertos experim en talm ente en el tita n a to de b ario .
E l surgim iento de los dom iP
ios podemos figurrnoslo del modo
guente. L a interaccin entre los
polos vecinos ocasiona su ordencin en ol c rista l. E sta lendena a la ordenacin se transm ite de
i dipolo a otro de m anera que
giones m acroscpicas onteras dol
ilido quedan polarizadas en una
reccin dada. Pero desde el punto
i v ista energtico es m s conveFlg. 8 ,13. Bii<-l de hlslresis do,
oilte ln form acin no do una oslrucun ferroolctrico

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(.wp. X. Propiedades tsicas de los dielctricos

b)

b)

c)

Fig. 8 .1 4 . D ivisin do un ferro clclrico en dom inios

tu ra de dom inio nico, sino de dom inios m ltiples. E l c rista l do un

solo dom inio crea en el espacio quo lo rodea un cam po e lctrico quo,
corno d ijim os antes, se llam a despolarizador (fig. 8 .1 4 , a). En la
fig. 8 .1 4 , b puode verso que en un crista l con dos dom inios la energa
del cam po despolarizador os menor. Cuando so form an estructuras
con m ayor nmero do dom inios se obsorva que la energa de despolarizacirt sigue dism inuyendo (fig. 8 .1 4 , c).
De eslo modo, la d ivisin del ferroclclrico en dom inios liace
quo dism inuya Ja energa de despolarizacin. Al m ism o tiem po crece
la energa relacionada con la form acin de las paredes de los dominios,
capas delgadas que separan las regiones con d istin tas direcciones de
p olarizabilidad . En la fig. 8 .1 4 so han representado dom inios en los
cu ales el ngulo entre los vectores P es de 180 (dom inios de 180 g ra
dos). E ste ngulo puedo sor lam bin de 90 o tener otros valores. Los
clcu lo s m uestran que el espesor de la capa (pared) que separa los
dom inios do 180 grados no supera unas dcim as de nanm otro. L a
energa do la pared es b astan te grande ( ~ 1 0 -6 J/cm). E l proceso de
d ivisin en dom inios term ina cuando la dism inucin de la energa
del cam po despolarizador so hace igual al aum ento do la energa de
superficie de las paredes do los dom inios. L a polarizacin to ta l de
un crista l ferro clclrico es igual a la sum a v ecto rial de las polariza
ciones de loilos sus dom inios.
Ln variacin do la p olarizabilidad (le una m uestra m acroscpica
do ferroclclrico en un cam po e lctrico exterio r puede efectu arse a
expensas do los procesos siguientes: t ) la polarizacin de cada uno
do los dom inios puede v ariar on m dulo; 2) los voctorcs polarizacin
do los dom inios por separado pueden cam b iar do direccin (girando
en la direccin del cam po); 3) los dom inios, cuya direccin es ms
convonionto, pueden aum entar do tam ao a expensas de los dom inios
orientados menos convenientem ente, es d ecir, se puedo observar el
desplazam iento de las paredes de los dom inios.
Un la fig. 8 .1 3 puede verse que con un v alor determ inado de ln
intensidad K dol cam po, ln polarizacin alcanza la satu racin P<.
S i despus do Jlegar a la saturacin disminuyo hasta coro ln in te n si
dad del cam po, se conserva la polarizacin P r, llam ad a residual.
Para reducir n cero la polarizacin hay quo ap licar un campo exterio r

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8.13. Ftfrj-oolcLriQos

337

<lo son litio con trario. Ln inlonsidad do esto cam po E t rocibe oi nom
bre <\&fu erza coercitiva. L a polarizacin residual y la fuerza coercitiv a
dependen ta n to do la iinturnloza dol m aterial, com o do ios factores
que influyen sobre el m ovim iento do las paredes de los dom inios:
d im ensiones do los cris tn lilo s , impurezas y defectos.
Como la p olarizabilid ad 1* de los ferroclcctricos depende no lin ealm onlo dol cam po e x te rio r 12, u n e s lao fcil dolerniinar la p erm iliv idad de estos m ateriales com o antes so h all la de los no forroelctricos. En esto caso la m ism a e os funcin do la intensidad del cam po.
P or eso para los fcrro elctricos so introduce ol concepto do perm itivid a d relativa d iferen cial (ad icion al)
edJf

fD

(8.70)

3E

L a p o larizacin espontnea de los ferroolctricos depende mucho

do la tem p eratu ra. Cuando sta se elev a, P dism inuye, y a cierta
tem p eratu ra T c, llam ad a punto ferroelctrico de C u rie , se anula. De
esta form a, cuando T > Ti; el m ovim iento trm ico destruye el
estado ferro elctrico y el m ato rial pasa al estado paraelctrico. En
la fase p araclctrica la dependencia do 6 respecto de la tem peratura
viene definid a por la ley do C urioVVciss:

C
r~ rc

(8 .7 1 )

L os valores do la tom poratura de Curie para diversos f o t o e l c t r i

cos se da en la ta b la 8 .1 . En e lla se puede ver quo el efecto forroe l c trico ex isto en la sal do S eig n e tte dentro de una regin muy estre
cha de tem peratu ras.
Tabla 8.1. T em p eratu ra de Curie de los fcrro elctrico s
Substancia

Niohato de litio
Niobato de potasio
Titanato de bario
Dihidrofosfato de potasio
Sal do Seignette

frmula polnico

Temperatura
c Curie. Tc

LiNbOj
KNbOj
BaTiOa

1500
085
/.oo
123
207
255

K H .ro ,

KNaC,II40 ,-4 H .0

U na serio de c rista les inicos que poseen polarizacin espont

nea carecen a l m ism o tiem po de m om ento elctrico perm anente.
E sto s crista les se pueden considerar com o el conjunto de dos subredes.
una dentro do o tra, polarizadas cii sentidos opnostos. E stos cristales
22- 01147

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C ap. S.

P r o p ie d a d e s

f s i c a s de- lu s d i e l c t r i c o s

se llaman an lijerroe lee tricas. A cierla temperatura, denominada iwiparalara anliferraelrlriea de Curie , so convierten en parnclclricos.
Lo mismo (|m> los pieznelelricos, los forroolclrieos so iililiziui
mucho on diversos apralos do tcnica electrnica.
<S. \'t. IY 'i'd id iis d io l t V l li r a s
S e llaman perdidas la parle de la energa elcrtica que so trans
forma en calor en un dielctrico. Corno los dielctricos poseen cierla
roudiielihilidnd (aunque muy insignificante), en ellos se desprende
calor de Joiihj incluso en nn campe elctrico conslanlc. Poro bajo
la accin do n n rampa elclrico allerno los dielctricos, por lo gene
ral, se calientan con mucha mayor intensidad pie bajo la inrincncla
de un campo conslanlc igual. Su calentam iento ,es particularmente
iiilCliso cuando se conectan a canipos do alta frecuencia, El despicad i inionio de calor en el dielctrico se debe no slo a la accin de la
corriente que pasa por l, sino tambin a Jos procesos de estableci
miento de la polarizacin dentro del campo elctrico alterno. La
parle du las prdidas originada por la corriente pasante se llama
prdidas hmicas, y la relacionada con el desplazamiento de las cargas
ligadas, prdidas dielctricas.
Una tle las primeras investigaciones experim entales sobre las
prdidas dielctricas fue llevada a cabo un 1886, en Rusia, por el
profesor I. I. Ilorgmao, ipie mostr que ol calentam iento del vidrio
depende no slo de la frecuencia, sino tambin de la diferencia de
potencial en las armaduras del condensador.
Lus prdidas dielctricas dependen mucho de la concentracin
do defectos o de alomes de Impureza. Por osla razn, el estudio de
las prdidas diolclricas puede dar una valiosa informacin acerca
de los defuclns y del contenido de impurezas. Por otra parlo, varian
do la densidad de defectos o de. impurezas un ol cristal, se pueden
obtener dielctricos con on amplio intervalo de variacin de las
prdidas dielctricas. En este caso adquiere especial importancia el
problema de la disminucin do.
dichas prdidas. Los dielctricos
se emplean mucho, por ejem plo, en
la m icroelectrnica. La densidad
de elementos ctt los circuitos in
tegrales puede llegar hasta 10
107 cm "2. Est claro que el proble
ma de la disminucin dol despren
dimiento de calor en este caso
tiene extraordinaria importancia.
'a
V
En un campo alterno 7 = /iX
X oxp ( o r ) , a travs del dielctrico
b'ig. 8.1 S, Diagrama vectorial (le
pasa una corriente cuyo intvusidail
las riirrifiilcs

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S .M .

P 'n l l i s

( i i 'l i 'c l i i c ;t s

es igual n la sum a ele la s densidades de la corrien te posante /, y de

la e n m o n t o ilo d o s p la / n i u i o n l n / , :

ii + i i .

siendo
(8 .7 2 )

la los cam pos e l c trico s a lie m o s la perm itiv id ad e es funcin com

plejo de la frecuencia
f * (ot) -

k' ( ) la" (o>).

(8 .7 8 )

101 sen tid o fsico do la purinilividud com p leja con siste en i|ut' el
v ector d esplazam iento l>
f k1S tiene dos com ponentes, una e' 10
en ase con 10, y o tra e " E con retard o de fase en un ngulo igual a
j i /2 respecto de 10. Y como
cl M A t

e ur.*iu)E,

j = o E -p 8in) (s ' f " ) E

resulta

= (a -|- KF" cu) E -p ie 0e.'u>E.

(8 .7 4 )

A s, la densidad to tal de corrien te j = / -p i j T tiene la com ponente

a c tiv a / . aE -| cut:0 t?"E y la re a ctiv a ; r - - o i f k /0.
En la p r c tica , por lo g en eral, so d eterm inan no las prdidas
m ism as, sino la tangente del n gu lo d e p rd id as dielctricas. E sta
m agnitud so introd uce com o sigue. So construyo ol diagram a v ecto rial
do las co rrien te s para el condensador lleno con cl d ielctrico cu yas
prdidas se bu scan . Como es sabid o, en e le c tro te cn ia los prdidas
se d efinen por cl ngulo en tre los v ectores tensin e intensidad
(lg . 8 .1 5 ). Como el ngulo cp difiere poco de n/2, esta m agnitud no
es cnnvouionlo. En el d ie l ctrico so ad m ite ca ra cte riz a r las prdidas
culi el ngulo 6, com p lem en tario do <|> (basta jc/2). I'or la fig. 8 .1 5
puede verse que la rozn do la corrien te a c tiv a a la reactiv a es la
tang ente del ngulo :
(8.75)

tg = ///f

L o m isin o que e, ln m agnitud tg 6 os lina c a ra c te rstic a m acros

cp ica del d ie l ctric o . Como la co n d u ctib ilid ad pasante os en cl
d ie l ctrico re la tiv a m e n te pequea, se puede o m itir. E ntonces
(8 .7 0 )
J or la teo ra de la rtm e n lo a llo m a saltem os i|iio la potencia activ a
(es d ecir, las prdidas d ie l ctrica s en el d ielctrico ) os

Al

1 7 e o s tp -

VI

V I , Ig .

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(8 .7 7 )

(sq>. 8. I'ropnodailcs fsica s lie los liK'kVt 1'LOS

K m Ins d iololricos riiyn polarizacin os puram ente olootrnicn (po

nrbiirirn y o r o s ) , las prdid
d ielctricas son muy pequeus, Itf fi (10
I 0 " 1). Kn oslo en
lo no ilcpoiulo do la tem peratura y do la frcoiioiicia haslii IIcjxj
a 10a I I * . K m los d ielctrico s con polarizacin do relajaci n l{
vara soiisilileineiiLe al cam b iar 7' y o. Uasmlnse on el an lisis
Jas expresiones de la s corrien tes a ctiv a y re a ctiv a , relacionad as c<
Jas diversas form as de polarizacin, se puedo o btener inforniacb
acerca de lu aportacin que hace uno u otro m ecanism o do poluriz
(cin a las prdidas d ielctricas.
n lilrtio, pnlicMi i i - ii i i , pliiMi on

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C a p itu lo 0

Propiedades pticas
de los slidos

9.1. Formas de interaccin

tic la luz con el slido
L as propiedades pticas de Jos slidos o, m ejor diclio, los procesos;
fsicos que transcurren cu los cristales, cumulo nloraccionnii con
una radiacin electrom agntica on la gama ptica do longitudes de
onda, son muy variados. L as interacciones de la luz con el slidose pueden dividir en dos tipos: interacciones on las cuales se conserva'
la energa del cuanto de luz, o interacciones en que la energa dol
cuanto se transform a.
Al primer tipo do interacciones pertenecen la transmisin, refle
xin y difusin de la luz, la rotacin dol plano do polarizacin, ole.
La conservacin de la energa del cuanto de luz (fotn) significa quo

Dispersin

Reflexin

Generacin de

un excKn

hueco

Fig. 0.1 . Interaccin de la luz con mi slido:

, procesos en que se conserva la energa del cuanto: h y c . procesos en que la energa de!
cuanto se transmite al solido (l>, no c!6c1 ricos; c , o 16ctreos)

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!1

'M

l'rt)|no<l.ulrs pticos (lo los slidos__________________

dorante Iii inlcrnrein i*ni rl slido no existe i'f(>rlo do transmisin

do l'lieig.ll.
ln las interacciones dol segundo tipo Ji energa del fotn so
Irinisinilo il slido y i eansn do oslo se pueden generar diversascnnsipnrlciilas. li sias interneciones se pueden d ivid ir n su vez en dos
grupos: no elctricas (A) y elctricos (13).
101 grupo A lo forman los fenmenos en los m a le s como resultado
do la inlerarcin do los fotones con el slido se generan enasiparlcillas sin carga elctrica: foliones, excitnos n otros fotones.
lin el grupo II figuran los fenmenos denominados lolocln h iitiw
lin ellos la energia de los fotones es absorbida por el slido y se
generan electrones libres, huecos o pares electrn linceo, so observa
la omisin fotoelectrn ira, se producen diversos fenmenos super
ficiales y espaciales con participacin de pa n cu la s cargadas, ele.
L a s distintas furnias de interaccin do la luz con el slido se repre
sentan ps<|tu<inl irnmenlo on la fig. 51.1.
L a s in leracriones en ipie se conserva la energa del cnanto, es
decir, en las m a le s la luz no es absorbida, se estudian en la ptica
clsica. A continuacin vam os a exam in ar algunos procesos poiicneeienles al segundo grupo. Ior la fig. 51.1 puede verse <|iie lodos los
fenmenos de esle grupo transcurren con absorcin de la luz. Los
procesos de absorcin de la luz vam os a tratarlos ms
le.
51.2. ( niisl.ntiL .'s p t i c a s
Kn el capitulo anterior, para describir las propiedades de los
dielrlricos en campos elctricos a lie m o s se introdujo la perm itlvilad compleja
r* z in".
Anlogamente, para describir las propiedades pticas de los sli
dos se iiilruduee el udiee de refrnrein rom dejo
li* = n -

ik.

(i. 1)

Las magnitudes e*y n* caracterizan las interacciones de la onda

electromagntica con una substancia, en la m a l la energa luminosa
es parcialmente absorbida.
De las ecuaciones de M axwell se signo que una onda electromagnli r a que so propaga en una substancia, cuyo ndice de refraccin es
ii * en la direccin ,r, se describe por medio de la expresin
---

e x p lio) (I n*.r/c) I,

(51.2)

en la que /, es la emuponente del vector intensidad del campo ele c

tro
la direccin .i. Teniendo en cuenta (I. I) escribim os (51.2) en
la forma
A',

e x p ( (iik.r/c) e x p lio) (i n x /c ) I.

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(9 .3 )

C k m s lu n tc fl i'f* i . i s

La expresin (9.d) describe ma onda do frecuencia o* que so

propaga con ia velocidad u _\ so ainort ignn di' muerdo ron la ley
e x p ( 0)/ivr/r). lil ooofioioiilo k representa la parlo im aginaria dol
in1 ico do refraccin oomplojo y cnniClciizn In absorcin por ln .milis
1inicia, lisio ('oofirioiilo s<> conoce con ol nomliro do roeficicnte /!r
extincin, l or (9,1$) puedo verso tam bin que n no es uns que el
ndice de refraccin ordinario do la luz en el cristal, lio ln p rctica se
mido, por lo general, la inlensidad I de la luz. la enal es proporcional
al rnadrado de la inlensidad del campo elctrico (o m agntico) de la
onda electro m ag ntica, lie (9.1$) se sigue que la intensidad de la
mida lum inosa, al propagarse, cn el c ris ta l, disminuye al aum entar
la profundidad do peol racin ,r, <le acuerdo con la ley

I (.r)

exp ( ~ 2 w kx/c) --- exp ( a x ),

(l.)

a = 2 tklc ~ n k /k .

(0,5)

on ln que
lin (9.5) X es la longitud de la onda en el vaco. Ln magnitud
se llam a coeficiente d e absorcin. 151 carcter exponencial del d eb ilita
m iento de ia Juz cn el slido perm ite interp retar cl coeficiente a
com o Iii probabilidad de la absorcin do un feln por una muestra
do espesor unidad, lie acuerdo con eslo, la magnitud ot*' puede consi
derarse como la longitud m edia del recorrido libre del fotn on la subs
tan cia. list claro (pie cl coeficiente de absorcin a tiene dimensin
de longitud recproca y, de ord inario, so expresa en m _1.
P arte do la energa luminosa tpio incido sobre el slido es reflejada
p or la superficie del c rista l. L5I coeficiente J i , que representa la parle
reflejad a de la luz y se determ ina por la relacin

n -

///,

(9.9)

s e llam a coeficiente de reflexin. A qu / e / son, respectivam ente,

las intensidades de la onda lum inosa reflejada e incidente. E l coefi
cien te de reflexin es una magnitud dim ensional. Suelo expresarse
on tantos por ciento.
Llam em os // a Ja intensidad de la luz transm itida por la muestra.
M coeficien te T , que caracleriza la parle transm itida de la luz y so
determ ina por la expresin

r = /7./f,

(9.7)

recibo el nom bre (le coeficiente de transmisin y, lo misino que cl

coeficiente do reflexin, es una magnitud dim ensional.
Todos Jos coeficientes pticos son funciones de ln longitud (le
onda de la radiacin incid ente. Ln dependencia del coeficiente de
absorcin respecto de la longitud de onda a (X) de ln luz nenenle
i de la energa ct (hv) se Huma espectro de absorcin de la substancia.
La dependencia li (X) o li (hv) se denomina espectro de reflexin.

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Cap, i). Propicdados pticas de los slidos

l.il. A b s o r c i n

de

1 i l u z

p o r l o .s c r i s t a l e s

Duranto la absorcin do Ja luz por lo.s slidos la energa to los

fotones so transform a en otros tipos de energa. Puedo servir para
camlu'nr el oslado do energa de los electrones lib res o ligados coa
los tom os y en v ariar la energa de vibracin do los tom os. La
absorcin so debo fundam entalm ente a la accin de los mecanismos
siguientes:
1) do transicin do Jos electrones do la banda do v alen cia a la
banda do conduccin. La absorcin relacionada con este mecanismo
so llam a intrnseca o fun dam en tal ;
2) do transicin por medio do los oslados c-vcilnicos (absorcin

excitnica)',
3) do transicin do los electrones o los huecos dentro de las res
pectivas bandas perm itid as, os d ecir, do las transiciones relaciona
das con la existen cia do portadores de carga lib res, lis ta absorcin
so conoce con el nom bre de absorcin por los portadores de carga libres;
) do transicin por medio do los estados do impureza (absorcin

por las impurezas);

13) do absorcin do la enorga de la onda lum inosa por las vibra
ciones do la red c rista lin a (absorcin >or la red cristalina o fonnica).
Y a se ha dicho antes (po ol c o d ice n lo do absorcin a (X) liono
sentido de probabilidad de la absorcin de un fotn de longitud do
onda X por o! espesor unidad do Ja m uestra. S i en ol cristal actan
varios mecanism os do absorcin y stos no dependen uno do otro,
la probabilidad total do la absorcin so expresa con la relacin
a ( ) - 2 ;<*/(>)-

CJ-8)

lie osla forma ol espectro do absorcin com pleto d d slido so

com pone de los espectros do absorcin relacionados con la accin de
los (listin lo s mecanism os. Kn diferentes intervalos esp ectrales predo
m inan unos u otros m ecanism os de absorcin.
E st claro que en las interacciones de la luz con los electrones d d
slido deben cum plirse las leyes de conservacin de la energa y del
im pulso. L a condicin de cum p lim iento de estas leyes conduce a que
en casi todos los mecanism os de absorcin do la luz, relacionados con
las d istin ta s transiciones de electrones (o linceos), p articipan los
fonones. E sto ocurre porque la im portan te variacin del impulso
de los electrones en algunas transiciones no puede e sta r condicionada
por lo.s pequeos impulsos do los fotones absorbidos durante estas
transiciones, lis ta variacin del impulso se consigue a expensas de la
particip acin , en el proceso de absorcin, de fonones que pueden
tener un impulso bastan te grande.
E xam inem os ms deten idam ente d istin tos m ecanism os de absor
cin de la luz basndonos en el ejem plo de los .semiconductores.

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9 .3 . A b s o r c i n d e l a lu z p o r l o s c r i s t a l e s

345

Fig. 9.2. Transiciones pticas directas o indirectas

Absorcin intrnseca, list relacionada con las transiciones d
os electrones do la banda do valencia a la de conduccin. Con nnlerioidad se indic que en nn sem iconductor perfecto a T = 0 K la
tanda de valencia est totalm ente ocupada por los electrones, do
nanera que las transiciones de stos por ln accin de una excitacin
i un oslado de mayor energa dentro de dicha banda son imposibles.
51 nico proceso posible en este caso es la absorcin de un fotn cuya
morgn son suficiente para hacer quo un electrn sa lle la banda prolibida. Como resultado do esto en la banda du conduccin aparece un
lectrn libro y on la de valencia, un hueco. S i al cristal so aplica,
ut campo elctrico, los portadores lo carga libres, formados en
irtud de la absorcin do la luz, so ponen en movimiento, es decir,
urge la fotoconductibilidad. De esta forma, para los futimos con.
norga hv < E e el sem iconductor es transparente (o son, los fotones
0 son absorbidos). Kn la regin de longitudes de onda pequeas
)s decir, do /tv grande) so observa un espectro continuo de absorcin
nlonsa lim itad a por un borde de absorcin ms o monos pendiente
ara hv < E K. La mayora do los semiconductores tienen este borde
n la regin Infrarroja del espectro. Un dependencia de la estructura
e las bandas energticas, la absorcin entre bandas puede estar
darionada con las transiciones pticas directas o indirectas.
A] tratar del efecto Gunn dijim os ya que la estructura de las
andas energticas en los semiconductores puedo ser muy com pleja,
onsideremos como ejemplo las estructuras do bandas rcprcsontndns
a la fig. 9.2. E n la fig. 9 .2 , a se muestra una estructura para la cual
m nim o de energa en la banda de conduccin, caracterizado por
vertor de onda kmi, y el mximo (le energa en la banda de valena, determinado por el veclor de onda k .n j, se encuentran en un
smo punto de la zona de B rillou in (on ei punto k = 0), es decir,
nin
knirtx- E sta estructura do bandas la tiene el nnlimoniuro1 indio. Kn ln mayora de bis stMiiieondiirlores los extroilios de la
tuda do valencia y de ln de conduccin tienen valores distintos dei'
ictor de onda k, o sea, k min # k,nai (fig. 9 .2 , b). E sta estructura.

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:|i. !l. I ii>|>i<;ilmli's pticas o io s slidos

de bandas 1a I ictM'n i>i g e m a n lo , el .lirio, ol arpen uro de galio

o lio s sem ir on dur (oros.
Supongam os <|iio los lm ites do las bandas de energa en el espaci
k son los representados en la fig. i).2, a. En osle caso las transioiono
electrn icas a travs do la llanda prohibida se producen ante Ind
entro los oslados en ergticos corresp ondientes a los oxtrcinos de ln
bandas perm itid as, es d ecir, donde los valores del v e cto r rio onda I
o del ciiiisiinipulso I* so aproxim an a cero. Para las tran sicion es dol
cum plirse la regla inccnnoounticn de seleccin
k ' k = k (,

(!).!

e n la 11ni- k y k' son los vectores de onda del electrn en los estado,
in icial y riual y k, os idvector rio onda dol fotn. Como para la radia
rin con longitud do onda dol orden de 1 jim o m ayor, ol v alo r de k
es muy poi|neiio com parado con el de k, la regla de selecci n to m
la furnia
k' = k

(9.10;

>' = P.

(M I)

o bien

listas relaciones m uestran que los electron es con determ inado vecloi
de onda pasan, durante el proceso de in teracci n con los fotones,
a estados <|tie se encuentran en una banda ms a lta y , al o cu rrir esto,
el vector de onda (o el cuasiim puiso) se con serva. E stas transiciones
so llam an directas o verticales. P ara un sem icond uctor con bandas
energ ticas sem ejantes a las representadas en la fig. 9 .2 , u, la absor
cin debo sor intensa cuanto hv > E a y decrecer b astan te brusca
m ente cuando h v <C /ig.
Los clcu lo s m uestran qtte para las tran sicion es d irectas p e rm iti
das la dependencia del co e ficie n te do absorcin respecto de la energa
de los fotones tien e la forma
a = a (/,v

to de la energa del faln en las

transicion es d irectas

(l.1 2 ).

donde /I es un co eficien te, lista

relacin se cum ple en una regin
lim itad a de v ariacion es de (hv

La dependencia de a - respecto
de hv en un in terv alo determ inado
do hv es lin eal (fig. 9 .3 ). P or el
punto de interseccin de la recta
(hv) con el e je hv se puedo b a ila r
la anchura de la banda prohibida
A' para las transiciones d irectas.
P or la frm ula (9 .1 2 ) puede ver
se que en el caso de la s tran siclo -

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i).3 .

A b s o r c i n

ili-* la luz por los i'i

37

n e s d i r e c t a s 110 d e b e e x i s t i r a b s o r c i n d o f u l o n c s i o n e n e r g a m e n o r
i|iio A ,.. t o i o s o o l Im r ilo 1I 0 a b s o r c i n i 111 ri o s e r a dol>o s o r m u y Imiis o o .
E s lo o c u r r e en r e a lid a d , p o r e je m p lo , en lo s c r l s la l c s d e n n tim o n in r o
d e in d io n m y p u r o s .

En los sem iconductores con blindas energticas com plejas

(fig. 9 .2 , b) son posibles no slo las transiciones d irectas, sino lambin las transiciones para las cuales k ' k
0, llam adas transicio
nes indirectas. En el caso de estas ltim as es necesario que p artici
pen fonones que aseguren lo conservacin del cuasiirnpulso al variar
el vector do onda de) electrn. En el proceso de absorcin ptica los
fonones pueden ser absorbidos o em itidos. L11 regla de seleccin tiene
en este raso la forma
k' U

q.

(li.i:)

L a energa dol fotn que se necesita para la transicin de un

electrn a travs tle la banda prohibida es kx > AL -|- Af si es e m iti
do un fonn de energa Ar, o /v ^ tie Ji s el timn es absorbido.
Ln probabilidad de las transiciones indirectas es mucho menor
que lade las d irectas, ya que en ellas participan ms partculas
(electrn, fotn y fonn). Io re so la absorcin debida a las transiciones
ind irectas es ms d bil que la ocasionada por las directas.
L a dependencia espectral dol coeficiente de absorcin para las
transiciones ind irectas viene dada por la expresin
a (Av)

- i i (/v /g

(9.1 )

en ln que ti es cierto cooficiente en el cual figura com o factor la

funcin de distribucin de los fonones:
w

= 7

7 '

(9 - 15)

S i el proceso se desarrolla con absorcin de un folin, (9.1 ), teniendo

en cuenta (9.15), loma la forma
rlhv
1
('> )-
7.yu,)T)_ t
para k x > E t /f. E n el caso de la emisin de un fonn, el coefi
ciente de absorcin ser

( 5 M 7 )

(para hv > A'g /i'f), puesto que ln probabilidad de la emisin de

un Timn es proporcional a { ) |- 1.
Absorcin cxcitnica. H asta ahora hemos estudiado la absorcin
de la luz que lince que se form en olcctronos libres y huecos. Iero

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f'.'ip. !).

P r o p ie d a d e s

pticas

de

los slidos

11111111i<i> os posible oleo tiicennisino

iii iilisorrin, io n ni -mil ol oloctrn de la banda de v alen cia se hace
pasar a mi estado e x c ita d o , pero
perm aneciendo ligado al hueco que
se genera en el estado iiidrogonoide. La energa de form acin
de dicho estado excitad o , llam ado
ex cit , es menor qm; la anchura
de la banda prohibida, puesto tlle
la ltim a no es ms que la enorga
Fig. 0 .4 . T ran sici n ilo un olorlrt'ni
lib re di-litro do los lim ites <le lo
m nim a necesaria para la creacin
lia ma de conduccin
de un par separado. E le x c il n pue
de trasladarse por el c r is ta l, pero
en este caso no se produce fo to co n d u ctib ilid ad , porque el electrn
y ol hueco se mueven ju n to s, luis exciLones pueden form arse con
bastan te facilidad en lo.s d iel ctrico s, ya que en ello s la atraccin
con lon ih iaiia dol oloolrn y ol lineen es notoria, E n lossem icond H elo
res esta atraccin os pequea y por lo tan to la energa de enlace dol
exciltm tam bin lo es. A causa de esto las rb itas e x c il n ic a s abarcan
varias celd illa s cln n iciilales dol cristal (ol radio do la rb ita os do
~ 1 .r) nm ). lin los m tales la absorcin o x cit n ica os muy poco pro
bable.
Los estados excit iiico s conducen a la absorcin por a parlo d
las am ias bu-gas del bordo de absorcin. Las lneas de absorcin uxcilnie.a corresponden a los valores de la energa do los fotones
w = 1, 2 ,

(9 .1 8 )

donde /s es la energa de enlace del e x cil n .

Absorcin por portadores libres. La absorcin do fotones puedeestar relarium nla ron las transiciones de olectrones (o huecos) do un
nivel a otro dontro de una m ism a banda perm itid a (fig. D/i). La
absorcin ilopi-iullonto ib- oslo proceso so observa m s all dol bordo
de absorcin intrn seca cuando las con cen tracio n es de portadores de
carga en los sem iconductores son b astan te grandes, lis ta absorcin
alim enta snaxem ento con la longitud do onda b a sta longitud es muy
grandes (le-- Hit) p in). E l co eficien te de absorcin para una longitud
de onda dada es en este caso proporcional a la con centracin de
portadores de carga m ay oritarios. E s ta absorcin recibe el nombre
de no selectiva.
E sta s tran sicio n es dentro de una m ism a banda se realizan in
fringiendo las reglas do selecci n . T ien en lu g ar cuando al mismo
tiem po que so absorbe el fotn es absorbido o om itido un folin, o
cuando existo dispersin tle los portadores por im purezas ionizadas,
lis ta condicin la impone la ley de conservacin del im pulso. Los-

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0.3. Absorcin de la luz por Ins n is tn lc s

349

clculos m uestran que el cooficicnto do absorcin por los portadores

do carga lib res viono determ inado por la conductibilidad do la subs
tancia:
a a /(c e 0n).
(9.19)
A qu c es la velocidad de la luz en el vaco y n, el ndice de refraccin
del medio.
La con d u ctibilid ad do la substancia dependo dol tiem po de rela
jaci n t , determ inado por el mecanism o de dispersin. De esta form a,
sobre el cooficicnto de absorcin por los portadores de carga libres
ejerce in flu en cia el mecanism o de dispersin. En efecto, en los sem i
conductores, la dispersin en los fonones acsticos ocasiona una
absorcin quo v ara como X V , en los fononos pticos, com o X V , y en
las impurezas ionizadas, como X V . Si en la substancia tionen lugar
los tres tipos de dispersin, el coeficiente de absorcin por los porta
dores libres es igual a una sum a de tres trm inos:
a (X) = /IXV + /?XV + C X V ,

(9.20)

n la que A , D y C son ciertas constantes.

Adems de la absorcin por los portadores libres no selectiva
puedo observarse la selectiva. sta haco quo surjan bandas de absor
cin relativ am en te ostrochas.
L a banda de valen cia de la m ayora de los sem iconductores cons
ta do tros subbaiidas separadas a causa do la interaccin ospn-rbita
(fig. 9 .5 ). P or eso en los sem iconductores en quo ol v rtice do la ban
da do valoncia est ocupado por huecos son posibles tres tipos de
transiciones relacionadas con la absorcin de fotones. E n la fig. 9 .5
estos tres tipos de transiciones se representan por medio de las fiech ita s a, b , c. L a regla de seleccin se cumple en estas transiciones
d irectas.
L a absorcin por las impurezas se observa en los sem iconductores
y en los d ielctrico s que contienen tom os de impureza. En este
caso Ja ibsorcin de la Juz va lig a
da a la excitacin de los con tros de
impureza o a su ionizacin. P or
ejem plo, en un m aterial tipo n los
electrones de los niveles donadores
pueden ser excitad os a la banda
de conduccin. S i los donadores (o
accptores) introducen en la banda
prohibida niveles pequeos, la ab
sorcin por las impurezas puede
observarse nicam ente a tem pe
ratu ras suficientem ente bajas, En
F ig. 9 .5 . Estructura do las snbbonefecto, on 1a regin de a ltas tem
das y do las transiciones dentro de
peraturas todos estos niv eles estn
las bandas

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( '..iI>. II. I r u | n c i l . u k S a p l i c a s ili; l u s s l a l a s

ionizados i r\peosas do la excitacin trm ica. Conm ln energa il

ionizacin de lus niveles de iutpuruzu es menor <[iie ln energa noccsa
ra pnra ln transicin de los electrones do ln linnda de valencia a I
de conduccin, las liudas de absorcin por las impurezas se cncncn
Irn ms all del borde de absorcin intrnseca.
La absorcin por la red so observa on los cristales inicos o c
aquellos en los cuales el enlace inlcralniic es on cierto grado inic
(por ejem plo, en los sem iconductores binarios In S b , (LiAs y otros)
listos cristales so pueden considerar como un conjunto de dipolo
elctricos. Dichos dipolos pueden absorber la energa do la radiacii
electrom agntica (lum inosa). La absorcin ser m xim a cuando I
frecuencia de la radiacin sea igual a la do las vibraciones entrale
u propias de lo.s dipolos. L a absorcin <lo la luz, dependiente do I
excitacin de vibraciones en la red crista lin a , se llam a absorcii
por la red, lisie tipo de absorcin se observa en la regin nfrarroj
remota dol espectro.
L a ley de conservacin del cuasiimpulso impone que los fonono
tomen parle en la absorcin por la red. En efecto, slo pueden se
absorbidos aquellos fotones cuyo impulso sea igual al cuasiimpulsi
de los fonones. El impulso del fotn h/K es despreciable comparadi
con el cuasiim pulso del fonn, quo puede llegar a tener el valor Illa
Ln ley de conservacin del cuasiim pulso slo se cumple en el casi
de ser em itidos dos o ms fonones. Todo esto Itco que l eslructuri
del espectro di absorcin por la red sea muy com plejo.
La absorcin de la luz por Jos cristales determ ina el color di
stos. Por ejem plo, muchos dielctricos a la tem peratura ambionli
son pticam ente transparentes. E sta transparencia est condicionad,
por la ausencia eu ellos de transiciones electrnicas o vibraciones 01
la regin visible del espectro. L a regin v isib le se extiende desdi
740 basta UtiO nm, lo que corresponde al intervalo de energas desdi
1,7 basta
eV. E sta energa de radiacin es insuficiente para bacei
pasar los electrones de la banda de valencia n la de conduceiii (si b
anchura de la banda prohibida os m ayor que 3,5 oV). A s, por ojem
po, los cristales de diam ante puros, cuya banda prohibida tiene
una anchura de 5 ,2 eV, son transparentes. Pero si en el diam ante st
introducen impurezas o defectos, ste adquiere color. Lo misim.
puede decirse del corindn A l2( ) 3, cuya banda prohibida tiene 7 eV
de anchura. .Si el A l2() 3 contiene, por ejem plo, un 0 ,5 % do impureza
de Cr** (ru b), se colorea. Su coloracin se debo a la absorcin de la
luz por la impureza de cromo. El color do ios cristales alcalno-hal
genos, corno ya se d ijo , puede deberse a ia absorcin relacionada con
los centros /.
El estudio de los espectros de absorcin proporciona una informa
cin muy am plia acerca de las bandas energticas de los solidos,
de los estados de impureza, defectos y vibraciones de Ja red.

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i.'i. Hjifint'.in <ic rocom binncmn i?i los scm ioom liicloirs

9.4, R a d ia ci n de recom bin acin

(mi loa S (M n icrtn (liic l(iri a
I,i rad iacin lo luz por los slid o s cn oslado u.vrilnilo fin* lesrnb ierla liaco m ucho tiem p o. A s, on 1!)(l7, lloiind observ ln omisin
do luz por ol rn rln iro lo s ilic io condicionndn por ln rocomliinnr.in
do e lectro n e s y huecos. Ln lum inosidad en el ponto de con tacto le
una pnnln m e t lica con nn c ris ta l de carburo de silic io fue duar.ith icrla por el fsico s o v i tico O. V . Lsov (1I2H), cuando investigaba
las propiedades de los d etectores de c rista l.
La lum inosidad de los slid o s so puede obten er e xcitn d o lo s por
d iversos m tod os. A lgunos procesos de generacin lo luz por c rista les
se lian representad o e sq u em ticam en te en la fig. !).('. listo s procesos
pueden d iv id irse en trm icos y no trmicos. Los ltim os reciben el
nom bre de procesos de lum iniscencia.
lil proceso do rad iacin trm ica se puede con sid erar com o un pro
ceso inverso al de la absorcin de la luz por la red c ris ta lin o .
L a d efin ici n de lu m in iscen cia dada por S . I. Vnvlov ofrece la
p o sib ilid ad le sep arar sta do ia rad iacin trm ica del slido y de
otros tipos de ra d ia ci n , tales com o Ja radiacin do frenad o, la le
V a v lo v C herenkov y o tra s. Segn V u v lov Ja lum iniscencia es un
exceso de ra d ia r iSo, sobre la trm ica del cuerpo, citando esta rad ia
cin exce siv a tien e una d uracin fin ita mucho m ayor que el perodo
de las v ib ra cio n e s lum inosas. L a lu m in iscen cia pertenece al grupo
do rad iacio n es no e q u ilib ra d a s. A d iferen cia de otros tipos do rad ia
cin no e q u ilib ra d a , cu y a duracin es aproxim adam ente igual al
perodo de las v ib racio n e s lum inosas (1 0 " ,s s), la lum iniscencia se
cara cte riz a en que on e lla los acto s de absorcin y rad iacin de la

Radiacin

L u m in is c e n c ia

t r m ic a

catdica

Fotoluminiscencia
F ig

P .O .

P ro e rn o s

(lo

lectroiumimsccncia

g n u rrm r ti

iT r 'lu z

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en

Itw m I i Iu s

:352

Cap. 9. Propiedades pticas ilo los slelos

1nv. estn separados por Intervalos <lc tiem po b astan te grande. P

significa <|no onLro la excitaci n dol slido y la rad iacin do la
se desarrollan oros procesos que hacen que la lu m in iscen cia persi
mucho tiem po despus do cesar la excitaci n .
Una su b stancia se puedo hacer pasar al estado excitad o
varios procedim ientos. Do acuerdo con estos, la Luminiscencia
divide on: fotolum iniscencia, catodolum iniscencia, roengenoluminisc
ca, radlolum iniscencia, electrolum iniscencia y tribolum iniscencia.
la fo tolu m iniscencia la em isin de luz se produce a expensas de
absorcin de la energa de la luz. L a calodolntnini.scencia es
omisin de luz debida a l bom bardeo de un slido por electrn
La irradiacin du una su b stan cia con rayos X ocasiona la roenge:
lu m in isce n cia, y la irrad iacin con rayos y, la rad iolu niiniscenc
Lo electrolu m in iscen cia puede producirse por la accin de un carr
elctrico, y ln trib o lu m in iscen cia, por acciones m ecnicas.
E n ol sem icond uctor excitad o hay portadores do carga, eloctvm
y huecos, no equ ilibrad os. L a lum iniscencia se debe a Ja recom hii
cin de estos portadores. A con tin uacin vam os a estu d iar m s de
indam ente los m ecanism os de rad iacin do recom binacin.
Radiacin de recom binacln entre bandas. Se indic con an
riondnd quo la absorcin da la luz por un sem icond uctor puedo o<
sionor la generacin de un electrn en la banda de conduccin y
un linceo en la de valen cia. S i la tran sici n entre las bandas os dir
ln, los vectoras do onda de estos portadores do carga son gnu
.k' - k . Los portadores do carga lib re s as form ados p articip an
los procesos de d ispersin, como resultado do lo cual d urante
tiem po de relajaci n (de 1 0 -10 a 1 0 _ll s) el electrn desciendo ha:
el fondo de la banda de conduccin y el hueco se elev a hasta el lee
de la banda de v ale n cia. Cuando se rccom binan se genera un fotc
es d ecir, se produce em isin du luz. L as tran sicio n es do los olectroi
ale la banda de conduccin a la de v alo n cia pueden ser d irectas c
d ir e c ta s (lo mismo que las transiciones d uran te la absorcin do
luz). La transicin d irecta con i
E
<1acin se representa en la fig. ) .
V. Van R u sbrck y S e h o ck k
para la velocidad de rcco m bin aci
r en eq u ilib rio term odinm ico,
sea, para la cantid ad de pares clt
hv
tre n hueco
que so recom bin
por segundo en 1 m3, obtuvieron
siguiente expresin:
( 0 .2
f i g . *>.7. T r a n s ic io n e s d ir e c ta s <ibaudn de c o n d u c c i n b a n d a de v a
len cia co n ra d ia c i n

en la que V h v /(kBT).

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9.4. Radiacin de recom blnacin en los semiconductores

353

E sta expresin puede utilizarse para h allar la forma del espectro

de radiacin de recomhinncin a una tom prrnhira dudn si se conoce
ln dependencia ol (/v). (ionio se d ijo untes, para las transiciones direc
tas el coeficiente de absorcin o aum enta proporcionalinonte a
[h\ li,Y11, de donde se signo po ol espectro do radiacin debe
inlerrninpirso por la parte de las energas bajas cunado hv =- /:e .
En con ju n to, la dependencia de la intensidad de la radiacin respecto
le hv cs nnn curva con un m xim o. Ln aparicin de la cola do nltu
mergn ost relacionada con la radiacin quo snrgo duranto las tran
siciones desdo los estados ms elevados a la banda de conduccin,
Jichos estados se llenan cuando aum enta la onerga de excitacin
i ln tem peratura.
En los sem iconductores, con eslructuru com pleja do las bandas
nergticas, son posibles las transiciones indirectas do los oloctronos
le la banda de conduccin a la de valencia acompaadas do la em i
sin de un fotn. En esto raso la recomblnncin del electrn libre
t el hueco se desarrolla con la participacin do un fonn, lo que ase;nrn la conservacin del ruasiim pulso. Lo ms probable es que el
onn soa em itido. S i en el sem iconductor se desarrollan procesos de
ccornbinacn entro bandas tanto directas como indirectas, en el
ispectro do radiacin so observan dos bandas de lum iniscencia.
Rccom binacin mediante los centros localizados. En la banda
irohibidn de los sem iconductores reales existe una gran cantidad
le estados localizados, que estn ligados a los tomos do impureza,
(efectos de la estructura, infracciones de la periodicidad de la estrucura on la superficie, etc. E sto s estados localizados desempean un
>apel im portante on los procesos de lum iniscencia.
Las transiciones de los electrones do la banda de conduccin a
os niveles de los pequeos donadoros (o de los huecos de lo banda
le v alen cia a los niveles de los pequoos acoptorcs), quo hacen que
tos ltim os se n eu tralicen, pueden ser con radiacin. E n esto cuso
s do esperar la upuriciu de luminosidad en la regin infrarroja
em ota dol espectro. Pero los clcu los muestran que en estas transiones lo ms probable es que son em itido un fonn, y no un fotn,
s decir, que el proceso de recom binacin se desarrolle sin rad iacin.
,a recom binacin con radiacin se produce, por lo general, como
ene mostrado on la fig. 9 .8 . P rinero un electrn de la banda de
onduccin cs capturado por un ni
el local situado un poco ms abajo
no c , y despus so efecta la room binacin de oslo electrn looaizado con un hueco do la banda de
atoncin,
la cual
va. . acom
paada
...
A- a,
,
.
,4 , ,
1' ic . 9 .8 . Transiciones con radiacin
e la omisin do un folon. LI olee- onlro ma lmala y las estados lo
rn puede tam bin realizar una
impureza
3 - 0 1 1(7

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354

Cap. 9. Propiedades pticaa de los slidos

transicin con radiacin de ln banda (lo conduccin a un nivol a

tur y despus rceomhmnr.so con un li lloco.
l estudio de los espectros de lu m iniscencia relacionados
diversas impurezas y defectos perm ite obtener inform acin s>
estas infracciones de la estructura.
liccoinbinacin cxcit n ica. Como ya se ad v irti , durante
absorcin de la luz pueden surgir en los sem iconductores pares (
tr n hueco ligados por la atraccin cou lom biana, es d ecir, ex(
nos. S i uno de estos pares so an iqu ila, se produce la em isin d<
fotn. La energa de osla radiacin es

hv = E e E ,

(9

dondo E es la energa de enlace del oxcitn .

Como ol oxcitn puede tener estados excitad os, la radiacin d
da a la rccom biuncin excitn icn pnede co n sistir en unn serie
rayos estrechas correspondientes a los transiciones desde los este
excitad as.

9.5. R ad iacin espontnea e inducida.

L seres slidos
La transicin de un sistem a cuntico desde un astado excilad i
fundam ental puedo realizarse espontneam ente o bajo la inflner
do acciones exteriores. Eli el primor caso so ilico que la trunsicii
espontnea , y en ol segundo, quo es inducida {orzada). L as trans
nos forzadas pueden tener lugar, por ejem plo, bajo la accin
fotones cuya energa sea hv i-, /?, (siendo
la energa
estado excitad o y
la del estado lib re). T a n to las tran sicio
espontneas como las inducidas pueden efectuarse con radiaci
La radiacin que surge en las prim eras se llam a espontnea y
quo,so produce en las .segundas, inducida (o orzada).
L as transiciones espontneas en d istin ta s parles del sistem a
independientes y no sim u ltneas, por lo que las fases de los totol
eo! tidos en estas transiciones no estn ligadas entro s. Adems,
direccin en que se propaga el fotn em itido y su polarizacin licr
ca rcte r fortu ito, lor lo tan to, ln rad iacin espontnea no es col
rente.
Ln radiacin inducida, por el con trario , tien e las m ism as can
te rslicn s que la radiacin estim u lan te. Los fotones inducidos tien
la misma frecuencia, direccin de propagacin, fase y polarizaci
que los fotones que provocan Jas transiciones forzadas.
Eli el fenmeno de la radiacin inducida de ondas electroinagi
ticas tvxrilnrius
sistem as cu ntico s .so luisa ol funcionam iento
los generadores p icos cunticos (generadores de luz coherente
lseres). E l principio del funcionam iento del lser se puode compre

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9.5. Radiacin espontnea e inducida. Lseres slidos

355

der estudiando las transicionescunticas entre dos niveles de onerga

K , y /?, (/'* > 1 ).
En estado do equilibrio termo
dinm ica la prolmldlidml do <]no
algn nivol nnorgclico osl ocupa
do por com pleto disminuyo con ol
aumento de su energa. De esto mo
Fig. 9.9 . Esquema de los transi
do en ol sistem a cuntico el nme
ciones do tres niveles
ro de partculas a que hay en el
estado E 2 es menor quo el nmero n1
de las que se encuentran en el estado E x. E n otras palabras, la pobla
cin del nivel superior es menor que la del inferior. Adems de las
radiaciones espontnea c inducida, en esto sistema tnm bn puedo
tener lugar la absorcin de energa electrom agntica. Los fotones con
energas hv = E , E , son absorbidos y las partculas del nivel E
pasan al nivel E 2. Como n > n 2, la absorcin es predominante. Las
transiciones inducidas E -* E v en este caso, slo liacon quo dism i
nuya ol coeficiente de absorcin.
La situacin cam bia, sin embargo, si en el sistem a so croan con
diciones con las cuales n2 > n. De este estado se dice que es un
estado con poblacin invertida. E n esto caso el procoso de emisin
do radiacin inducida predomina sobro ol proceso do absorcin basta
que la'p o b laci n dol nivel superior so iguale con la del inferior. Do
este modo, on un medio con poblacin invertida so puede am plificar
la luz. E l problema fundamenta) consiste en cmo crear la poblacin
invertid a. Una de las ingeniosas soluciones de esto problema so
reduce a u tilizar un sistem a de tres niveles.
E n la fig. 9 .9 se lia representado un sistema de oslo tipo. Si
sobre este ltim o sistem a acta una radiacin do frecuencia v =
{E 1 E 0)/h, el pasar al estado excitado. Los cuantos do luz
son absorbidos y las partculas pasan del estado do energa E 0 al
estado de energa E 2. E sta ocupacin del nivel E 2 se llama bombeo
ptico. L a inversin de la poblacin puedo'Conseguirse aqu ya sea
entre los niveles E z y E , (es decir, n2 > ni) o bien entro los E y
E o ( j > n0). En ol primer caso la am plificacin so produce en la
transicin E 2 - y E x y en el segundo, en la transicin /?,-*- E 0.
E st claro que para crear la poblacin invferlida entre, los niveles
E 2 y E , os necesario que el nivel E z, a causa do los transiciones
E 2 *- E x, se vace ms despacio que ei nivel E por cuenta de las
transiciones E x -* E a. En esto caso en el estado E 2 se acumularn
ms p artculas que en el E x. Pero para que" esto proceso se realice
es preciso tam bin quo la probabilidad da la transicin E - * - E 0
sea suficientem ente pequoa.
P or el esquema do tres niveles funcionan los lseres slidos do
cristal do rub. E l ru b cs el cristal de corindn A lz0 3 con impureza
23*

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350

Cap. 9. Propiedades pticaa de los slidos

resal |* ^

reqin n

regin p

-------

regJryn /

Regln de problacn
invertida

a)

b)

F ig. 9 .1 0 . Diagrama energtico de uno transicin p-n degenerado

de lom os rio cromo C r * . La poblacin invertida y las transicin

inducidas se obtienen aqu entre los niveles del cromo.
En los lseres sem iconductores el mtodo ms difundido pa
crear la poblacin invertida es cl de inyectar portadores de carga i
equilibrados a travs de una unin p-n . La unin electrn-hue
(p-n) cs una regin de transicin por uno de cuyos lados ol somicondu
lor tiene conduccin por huecos (p) y por ol otro, conduccin p
electrones (). Conviene advertir que so tra ta de una sola mucstr
y no del co n ta d o entro dos muestras, una tipo p y otra tipo n.
Al formarse la unin p-n, los electrones do la regin n se difund
en la regin p, y los buceos de la regin p , en la regin n. Como resi
Indo de eslo, cu la regin /;, junto a la unin p-n, so forma una cari
espacial negativa, y en la regin de tipo n, una carga espacial posil
va. Do esta forma surge ol campo elctrico de ln unin p-n , cl cu
impide que los portadores so sigan difundiendo. Las cargas espacial
bacon que so desplacen las bandas energticas. E l diagram a encrgti,
resultante de la unin p-n se muestra en la fig. 9 .1 0 . La condicin i
poblacin invertida significa que los niveles superiores deben cst
ocupados ms do la mitad respecto de los inferiores. Por consiguie
te, cn ol raso de la unin p-n los portadores do carga deben encontrar
en estado degenerado. En la fig. 9 .1 0 , a los nivclos de energa o cud
dos por los electrones se han rayado.
S i a la unin p-n se aplica una tensin exterior en sentido direct
cs decir, una Icnsio que cree un campo do sentido opuesto al de
unin p-n, la barrera de potencial entre las regiones p y n dism
nuir. Y si e l campo exterior es suficientem ente grande, el diagran
energtico de la unin p-n tom ar la forma representada en
fig. 9 .1 0 , b. En estas condiciones los electrones de la regin n puodi
pasar a la regin p , es decir, a la regin p se inyectan portadores i
carga m inoritarios. Do este modo, cerca de la unin p -n se crea ui
poblacin invertid . Los electrones inyectados se rocontbinan c.<
ios tinocos de la banda de v alencia. Al ocurrir esto son om itidos fot.
nes, cuya energa se aproxim a a la anchura de la banda prohibid

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9.5. Radiacin espontnea e inducida. Lasares glidos

357

Como os n atu ral, n travos to ln unin p-n pasan a ln regin n huecos

do la rogiti p . E stos so rocombinnn con los ulocl.rnnos do ln regin n.
En dependencia de la con centracin re lativ a de im purezas, la m ov i
lidad y el tiem po de vida de los portadores m in o ritario s predomina
uno u otro proceso.
L a rad iacin que se produco en las transiciones desde los niveles
superiores a los inferiores es espontnea. E n el m edio con poblacin
inv ertid a esta rad iacin espontnea induco transiciones ad icionales.
P ara crear el generador cu ntico, en o medio con poblacin in v e rti
da hay que asegurar la condicin de rgimen de autooscilaciones.
E ste rgim en se consigue colocando un medio activ o , o sea, una
su bstan cia en la cual so crea la poblacin inv ertid a, en un resonador,
el cual desempea el papel de realim entacin p o sitiva. E l resonador
asegura tam b in la coherencia de espacio y de tiem po de ln rad ia
ci n . E l resonador m s sim ple consisto en dos espejos planos parale
los, uno de los cuales es sem itransparente. En ol lser do rub hacon
las veces de resonador los extrem os, pulim entados y recubiertos de
una tenue capa de m e ta l, de la barra do rub. En el lser sem iconduc
to r de inyeccin, a base de arseniuro do galio, hacen de resonador
las caras la tera le s, p u lim entad as, perpendiculares al plano de la
unin p-n.
En las transiciones espontneas los fotones son om itidos con igual
probabilid ad en todas las direcciones. Pero aquellos fotones que se
propagan on diroccin porpondiculnr n los planos do los espejos se
reflejan en stos y vulven a dirigirse al inedio con poblacin inv er
tid a . Cum pliendo ln m isin de radiacin estim u lan te, ellos provocan
transiciones forzadas, se reflejan por segunda vez en los ospejos y as
sucesivam ente. Cada voz que la rad iacin pasa a travs de la subs
ta n c ia , su intensidad aum enta. P arte de la energa lum inosa salo al
e x te rio r, por el espejo de transparen cia p arcial, en forma de flujo
lum inoso coherente. E l resonador selecciona do entro todos los
fotones em itid o s slo aquellos quo lionon determ inadas frecuencias y
direccin de propagacin. L a rad iacin tiene nicam ente las fre
cuencias con las cu ales entre los espejos cabe un nmero entero de
sem iondas.
A la creacin de ios generadores cunticos pticos condujeron
las inv estigacion es fundam entales, llevad as a cabo casi sim u ltnea
m ente en la U R S S y en los E E .U U . L o s fsicos soviticos N. G . Bsov
y A . M. P rjorov y el fsico norteam ericano Ch. Townes fuoron
galardonados con el P rem io N obel de fsica 1964 por sus trab ajos en
este cam po.

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Captulo 10

Propiedades m ag n ticas
de Jos slidos

A nlogam ente a com o en una su b stan cia cu alqu iora som etida
un cam po e lctrico surge un m om ento e lctrico d ipolar P , en tod.
su b stan cia som etid a a un cam po m ag n tico aparece un momonti
m agntico M . E ste m om ento m ag n tico es la sum a de los m om ento
m agnticos oiom ontales m 0 de todas la s p a rtcu la s por separado qui
form an el cuerpo, M = 2 m o- E x a cta m e n te lo m ism o quo oxistei
tom os y m o lcu las con m om entos e lctrico s co n stan tes, h a y tom o
y m olcu las que poseen m om entos m agnticos. E n e l cap . 8 se indici
que algunos slidos poseen m om ento e l c trico espontneo. A nloga
m en te, una serie de m ate ria le s posee m om ento m ag n tico espontneo
En o tras p alab ras, ol com p o rtam ien to de las d istin ta s su b stan cias 01
un cam po m agntico es sem ejan te, en a lto grado, al com p ortam ienti
de los d ie l ctrico s en un cam po e lctrico . E n v irtu d de esto , a) cstu
liar los fenm enos m agnticos se ostablecen frecuentom euto las co
rrespond ientes analogas con los fenm enos e lctrico s.

10.1. C la sifica ci n de los cuerpos m agn ticos

E l trm ino m agnticos se ap lica a todos los m ate riale s cuando
se estu d ian sus propiedades m ag n ticas. U na do las p rin cip ales c a ra c
te rs tic a s de cu alq u ier m agntico es su im an acin J , o m om ento m agn
tico do su volum en unid ad :
J = M IV .

(1 0 .1 )

L a im anacin es una m agnitud v e c to ria l. A um enta al aum entar la

induccin 13 (o la intensidad H) d el cam po m agntico:
J = fcmH =

/cmB .

(1 0 .2 )

Aqu p = 4 ji-1 0 ~ 7 M/in es la constante m agn tica. L a m agnitud p,

llam ad a p erm eabilid ad m agn tica relativ a del m edio, in d ica cu n tas
veces m ayor es la ind uccin m ag n tica del cam po en ol m edio dado
que la induccin m agntica on ol v ario . Ln m agnitud km so llam a
su sceptibilidad m agn tica. P a ra m uchas su b stan cias lcm y p son
escalares.

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10.1, Clasificacin do los cuerpos magnticos

359

L a su scep tibilid ad m agntica puede ser tanto positiva com o nega

tiv a . S i k m < 0 , ol v ecto r J os antiparalolo ni vector H. L as subs
ta n cia s en que se cum ple e sta condicin reciben el nom bre de d ia
m agnticas. Cuando lcm > 0 , el vector J es paralelo al vector H.
L os m ateriales m agnticos que poseen esta propiedad se denominan
param agnticos. En la m ayora de los casos la susceptibilidad magn
tica de los m ateriales param agnticos supera, on m dulo, la suscep
tib ilid a d m agntica de los diam agnticos. L a dependencia de ia
im anacin de estos dos tipos de m ateriales m agnticos respecto de la
intensid ad del cam po es lin eal (ig. 1 0.1). H ay que ind icar, sin
em bargo, que la dependencia lin eal J (H ) para los param agnticos
slo se observa en la regin de los cam pos dbiles y a tem peraturas
altas. En los campos intensos y a tem peraturas bajas J (H ) tiende
p au latin am en te a la saturacin. T a n to en las substancias diam agn
tic a s como en las param agnticas, en ausencia de campo m agntico
la im anacin es nula.
Adem s de las d iam agnticas y param agnticas, existe un gran
grupo de su bstancias que poseen im anacin espontnea, es decir,
que tienen im anacin d istin ta de cero incluso en ausencia de campo
m ag ntico. L a s substancias m agnticas que forman esto grupo se
Llaman ferrom agnlicas. Para e llas la depondencia J (H) es una
funcin no lin ea l y el ciclo com pleto de inversin del m agnetism o
describo un bucle de histresis (fig. 10.2). En estas substancias la
su scep tib ilid ad m agntica m ism a depende de H.
L a induccin m agntica B so relacio na con la intensidad del
cam po m agntico H por m edio de la frm ula
B = pp0H.

(10.3)

A dvortim os que on lodo una serio de substancias las direcciones de

1$ y l f no coinciden. En oslo caso jt os un lonsor. En adelanto vamos
a considerar nicam ente m ateriales istropos, para los cuales p

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360

finp. 10. Propiedades m agnticas de loa slidos

es un nmoro sim ple. L lam am os la atencin sobre el hecho le <

la perm eabilidad m agntica re la tiv a i de los m ateriales m agntic
os la anloga do la perniitividad e do los d ielctricos.
P ara la induccin m agntica so puede escrib ir
U = p 0H

n 9J .

(10.'

De a|u, lenieiido en cu en ta (10.2) y (10.3), obtenem os que

= M 1.

(10.1

E sta expresin tam bin es anloga a la correspondiente olitonida e

Ja teora de los d ielctrico s.
Pasem os ahora a estu diar la naturaleza de los m ateriales diauia;
n licos, param agnticos y ferrom agnticos. Al hacerlo subrayan
una vez m s quo todos los cuerpos sin excepcin revelan actividn
m agntica. P or consiguiente, son responsables do las propiedad*
m agnticas de la su bstan cia las p artcu las elem entales que entra
en la com posicin delodo tom o. E stas p artcu las son los protones
neutrones y olectrones. L a oxperiencia m uestra que el m oinent
m agntico lol ncleo, constituid o por protones y neutrones, e
unos tres ordeos menor que el m om ento m agntico del electrn
P or eso, al estudiar las propiodades m agnticas de los slidos s<
suelen o m itir los m om entos m agnticos de los ncleos. Pero no deb
pensarse que el m agnetism o nuclear no desempea papel alguno ei
genorul. E xisto una .serie d> fenmenos (por ojom plo, la rosonancii
m agntica nuclear) en la cual este papel es extraordinariam en ti
im portan te.
P or el curso do fsica atm ica sabem os que al m om ento magu
tico rosu llan lc de un tom o libre hacen aportacin : a) los momentos
m agnticos de espn de los electrones y b) los m om entos m agnticos
o rb itale s, relacionados con el m ovim iento do los electrones alrededor
del ncleo. L os m om entos m agnticos de espn M s y o rb ita l l\fL
estn ligados con los respectivos m om entos m ecnicos P s y P, por
m edio do las relaciones girom agnticas

Mk

I>s

_1VMr,

y P.

o_

2m '

1 0 6)

Como los m om entos m ecnicos P s y P l estn cuantizad os, tam bin

resultan cuantizados los m om entos m agnticos. E l cu anto de m om en
to m agntico es igual al m agnetn de B o h r : fiB = eh/(2m ) = 9,27 x
X 4 0 '2J A -in 2. Al m om ento m ecnico to tal dol tom o, determ inado
com o la suma vectorial P j = P t + Ps , corresponde ol m om ento
m ag ntico to tal del tom o M j, cuya proyeccin sobre la direccin
dol entripo I f se determ ina por ln expresin M n = m jg p u- Aqu
m es ol nmero cunli'O m agntico y g, ol a d o r de desdoblaniiento de
L au d, llam ado tam bin /actor g . P ara el m agnetism o de espn puro,
g 2, y para el puro o rb ita l, g 1. En todos los tom os o iones.

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10.2. N alurnlota dol diauiagnetism o

361

que tien en la s copas e le c tr n ic a s to ta lm e n te ocupadas, los m om entos

m ag n tico * du Hpin y u rb iln lo * resulta ules son nulos. A entisn du
e sto tam b in es igu al a cero el m om ento m ag n tico to ta l. Los tom os
o iones, con cap as c lo c lr n ic a s in terio res pnrciaJm onlo desocupadas
(elem en to s de tran sici n y tierras raras) o la cap a do v a le n cia con
nm ero im par de e lectro n e s, tien e n m om ento m ag n tico re su ltan te
d is tin to de cero. T a m b i n posee m om ento m ag n tico d istin to de cero
e l tom o do oxg en o , aunque tien e un nm ero par de electron es, ya
que los m om entos de esp n de dos de stos no estn com pensados.

10.2. N atu raleza del d iam agn etism o

Al c la s ific a r los m a te ria le s m ag n tico s in clu im o s en los d iam agn
tic o s la s su b sta n cia s on la s cu ales la im an acin J tione sen tid o
co n tra rio al del cam po m ag n tico H y e st relacio n ad a con ste
por una d ependencia lin e a l, en tan to quo la m agnitud
es con s
ta n te y no dependo del cam po. Gomo k m es n e g a tiv a , la induccin
B en el m a te ria l d iam ag n tico es m enor que en el v a co . T od as la s
con d icio n es enu m erad as la s cum p len las su b stan cias cuyos tom os
y m o lcu las carecen da m om entos m ag n tico s in trn seco s. L a im a n a
ci n es ind ucid a en ello s por el cam po m ag n tico e x te rio r.
L a n atu raleza fs ic a de lo s d iam agn tico s se puede com prender
tom an do com o base el m od eio c l sic o del tom o en que se considora
que los e leclro n o s so m ueven alrededor dol ncleo siguiendo rb ita s
cerrad as. Cada rb ita e lec tr n ic a es anloga a una e sp ira con co rrien
te . E l co m p o rtam ien to de la e sp ira con corrien te en un campo|magntico es b ien con ocid o por la te o ra del e lectro m ag n etism o. De acuerdo
con la ley do L en z, a l v a ria r el flu jo m ag n tico que a trav iesa un
c irc u ito Con corrien to , surge en ste una f.e .m . de ind u ccin y , comore su lta d o , v a ra la c o rrie n te . E sto hace que aparezca un m om ento
m a g n tico a d ic io n a l, d irig id o de m an era que se oponga a la accin
del cam po m ag n tico o x te rio r. E n o tra s p alabras, el m om ento m ag n
tic o inducido est d irig id o co n tra el cam p o . E n el c irc u ito form ado
por el e lectr n que se m uevo por la rb ita , a d iferen cia de la espira
o rd in aria con co rrien to , la re siste n cia es n u la. P o r eso la co rrien te
in d u cid a por el cam po m ag n tico so conserva m ien tras existo el
cam p o. E l m om ento m ag n tico relacio n ad o con e sta co rrien te es
p recisam en te el m om ento d iam ag n tico .
P a ra c a lc u la r la su sce p tib ilid a d m ag n tica considerarem os una
rb ita e le c tr n ic a c irc u la r de rad io r (fig. 1 0 .3 , a ). D esignarem os por
o)0 la v elo cid ad an g u lar del m o v im ien to del electr n . E l m om ento
m ag n tico o rb ita l (por an alo g a con la e sp ira con corrien te i) ser:

M = $ = 2~S.
31

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(10.7)

362

Cap. 10. Propiedades m agn ticas de los slidos

A qu i es la co rrien te en el circu
t.n y
el ron de in rb ita . Do
anted ich o so sigue que, cum ulo
superpone el cam po m ag n tico ,
volocidad angular v a ra en Ac,
quo liaoo quo nparozca ol monionl
d iam agntico

A M = --^ -A c o .

Fig. 10.3. Orbita electrnica circulnr on un campo magntico

1

(10.1

S i d eterm inam os Ato, podomos h

lla r el m om ento m ag n tico indi
cido
l .
,
Ln

a u s e n c ia

do

cam po

m agm

tic o , sobre el olectrn act a la fuors

ra d ia l F 0 meojr, on la que m es la m asa d el electr n . S i in trod u c
nios la rb ita e le c tr n ic a on el cam po m ag n tico de m an era que i
vector B sea porpendicutar al plano de la rb ita , sobre el electro
em pieza a a ctu ar la fuerza ad icion al de L o rontz F L = ev0B , lam bi
ra d ia l. (A qu
es la v elocid ad lin ea l del m o v im ien to del electro
y B , la induccin del cam p o.) L a fuerza cen trfu g a re su ltan te F =
= mcujr es igual a la sum a F 0 + F L o m t f r = meojr -f- ev0B . E scr
bim os esta rolacin en la forma

(cu!

o j) r = m r

(ce, cu0) (cu, + cu0) =

evaB .

E st claro que la v docidad angular cu, no puede d iferir m ucho de cu.

P or lo tan to ,

mr

(cu, cu0; (o, +

<d0)

mr Acu2cu0 = ev^B = ea>0rB .

Do donde
Acu = eB I(2m ).

(1 0 .

Como puede ve.'sc, ol cam po m ag n tico hace que v are la veloci

dad angular dol m o vim iento del electr n por la rb ita proporcional
m en te a la induccin del cam po. Como en la expresin (1 0 .9 ) n
figu ra el radio de la rb ita ni la volocidad do ro taci n del electrn
Acu os la m ism a cu alqu iera que sea la rb ita . S i la rb ita e st ineli
nada resp ecto del cam po (fig. 1 0 .3 , b), es d ecir, si el ngulo entro e
vector B y ol p la n " de la rb ita no os igu al a 90, b a jo la accin de
cam p o ln rb ita adquiere precesin. L a no rm al al plano de la rb it
describo un cono con respecto u la d ireccin de JB con la frociionci
Acu. L a m agnitud Acu recib e el nom bre de frecu en cia de Lartnor.
En la fig. 10.;% h so vc quo, com o resultado do la precesin, 1
rliila dol olor Ipi roa liza un m o v i m ion lo c irc u la r ad icion al airado

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10.2. Naturaleza del diataagnetiam o

363

dor do la direccin dol cam po. E sto hace quo surja un momento
m agntico, fcil lo calcu lar com binando (1 0 .S) y (10.d):

AM =

r B-

E l m om ento m agntico A M B do un tom o m ullioloctrnico se

com pone de los m om entos de las d istin tas rbitas electrnicas. S i el
tom o tiene Z electrones

<">)
A qu (a3 ) es ol cuadrado medio do la d istancia do los electrones al
o je que pasa por el ncleo paralelam ente ol campo. Para un tomo
de sim etra esfrica <a2 > = V 3 <r2 ). Por lo tan to ,

S i en ol volum en unidad de la substancia hay N tom os, la im a

nacin ser

J = NAM =

B.

(10.12)

De aqu obtenem os la expresin de la susceptibilidad diam agntica

para el volu m en unidad)
I.

km

JV L

7T~

NyjgZe* (r-)

ir* ,
(tu. id)

D e (10.13) se siguo que la susceptibilidad diam agntica no dopende

de la tom peratura y croco proporcionalm entc al nmero de orden
dol elem ento. E sto concuerda bien con la exporicncia. Suponiondo
N = 5-10'22 c m -3 y r = 1 0 8 cm , oblenomos que /rm - 1 0 * .
Como ol diam agnetism o est rolacionado con el m ovim iento
o rb ita l de los electrones on los tom os, es propio de todos los cuerpos
sin excepcin, es decir, es una propiedad m agntica universal. En
cualqu ier su bstan cia, independientem ente do su estado de agrega
cin o de su oslrucl.ura, est presente el diam agnetism o. Poro a
menudo e st cubierto por otros electos m agnticos ms intensos, como
el param ngnotismo o cl ferrom agnetism o.
A l calcu lar la susceptibilidad diam agntica (10.13) se supuso
que en el slido todos los electrones estn ligados a sus tomos. Esto,
evid entem ente, es correcto para los d ielctricos. Pero en los m etales,
y on los sem iconductores a altas tem peraturas, oxiston electrones de
conduccin. E l gas electrnico tam bin revela actividad m agntica.
Por eso, cuando se calcu la la susceptibilidad m agntica de los sli
dos con olootronos do conduccin, adems do la susceptibilidad do
lo s restos atm icos hay que tener on cuenta la susceptibilidad mngn-

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364____________ c:.-i|i. 10. Propicilodoa m a g n tica s do lo s slidos

tic a de] gas e lec tr n ic o . E l problem a del com p o rtam ien to de los
electro n es do conduccin 011 ol cam p o m ag n tico so e stu d iara ms
ad elante. A ltera vam os a pasar al ostudio do la n atu raleza del paramnguot.i.smo.

0.3. N atu raleza d el p aram ag n etism o

A d iferen cia do los d iam ag n tico s, on los p aram agn licos la im a
nacin est d irig id a en el sen tid o del cam po, es d ecir, k m > 0 . L a
su sce p tib ilid a d p aram agn lica depende de la tem p eratu ra:
km =

c T.

(1 0 .1 4 )

E sta dependencia la e sta b le ci por v e2 prim era P . Curio y lle v a el

nom bre do le y de Curie. L a m agnitud C es una con stan te d enom inad a

constante de C urie.
Poseen p aram agn etism o:
1) los tom os y las m o lcu las que tien en un nm ero im p ar de
electron es (por ejem p lo , los tom os lib ros de los elem en to s a lca lin o s,
la m o lcu la de .\ido n trico NO y algunos ra d ica le s orgnicos lib res).
E sto s tom os y m o lcu las tionen m om ento m ag n tico de espn no
com pensado;
2) los tom os libros c iones con cap as e lectr n ica s in te rn a s in com
p letas (por e je m p lo , los elem en tos do tran sici n F e , Co, N i, e tc .,
y los olem cn los de Jas tierras raras). E n esto caso a cada tom o o ion
est ligado un m om ento m ag n tico con dicionad o por los espinos no
com pensados de uno o v ario s o lectrones de la cap a in co m p leta d o } .
E n una serio do casos el param agn etism o se m a n ifie sta tam b in en
los slidos com puestos por los tom os ind icad os;
3) algunas m o lcu las con nm ero par de e lectro n e s (por ejem p lo ,
O 2 y S j) . En ollas tam b in existo un m om ento m ag n tico debido a
la no com pensacin de los espines de los electro n es;
4) los defectos de la red c ris ta lin a con nm ero im par de e le c tro
nes. De ejom plo pueden servir los cen tro s F en los c ris ta le s a lca lin o halgenos, los huecos (nudos v acan tes) y los d obles huecos (en d e te r
m inad os estad os de carga) en el s ilic io y en otros e lem en to s sem e
ja n te s ;
5) los m etales.
L a prim era teo ra de la su scep tib ilid ad p arn m ag ntica fue cread a
por P . L a n g e v in . Siguiend o a L a n g e v in , vam os a a n a liz a r un m ed io
que con tien e N tom os en el volum en unidad. Supon gam os quo cada
tom o tien e un m om ento m ag ntico M c o n sta n te y quo no e x iste
in teracci n entro lo s m om entos m ag nticos ilc los tom os. En au sen
c ia de cam po m ag n tico esto s m om entos estn orien tad os a le a to ria
m en te, por lo que la im anacin re su lta n te es nu la. Cuando se super
pone el cam po m ag n tico , estos m om entos se o rien tan en la d ireccin

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10.3. Naturaleza del parainagnetism o

365

del cam po. Como resultado apa

rece una im anacin d irigid a en el
sontido del cam po. L a nocin orien
tadora del cam po est d ificu ltad a
por el m ovim iento trm ico.
E l problem a de ia bsqueda
dol mniiMiiitouingnl mmi rosoli nulo
'IT. W-'i. Monomio ni ugnllr. il
on e l cam po m agntico es to ta l- uu tom on u" cnml> magntico
m ente anlogo al problem a do h allar
el m om ento d ipolar e lctrico de un d ielctrico , que con tien e dipolos,
en el cam po e lctrico . L a energa del dipolo m agntico M en un
cam po m ag ntico cu ya induccin sea B ser:

U = M B eos 0 =

eos 0,

(10.15)

en la que 0 es el ngulo entre los vectores 11 y B (fig. 1 0 .4 ). E sta

energa es m n im a cuando 0 = 0 .
E l m om ento m ag ntico de la substancia so compone de las pro
yecciones de los m om entos m agnticos do los tom os por separado
sobre la direccin del cam po. A nlogam ente a com o se hizo al e stu
d iar la p olarizacin dipolar trm ica, escribim os ol valor medio de
la proyeccin del m om onto m agntico:
r

M B

J eos de

eos

Q /Utn T )

JA

son 0 d0

{M) = ( M eos 0) = M S

J e MJ,CMW
0

(10.10)

, sen0d0

E l clculo del v alo r promedio nos llev a al conocido resultado

( M ) = M ( c t h p y ) = A fX (P ).

(1 0 .1 7 )

A qu , lo m ism o que nulos, L (P) os la funcin doLangovin, y P =

= M B /(k s T). L a im anacin resu ltan te es
/ = N ( M ) = N M L (P).
E n el cap. 8 se ind ic que, cuando p
De este modo,

(10.18)

1, la funcin L (p) s p/3.

(10.19)

De aqu obtenem os para la susceptibilid ad pninm agnlica quo

(ia20)
Vem os que lcm es inversam ente proporcional a la tem peratura, lo
que concuerda totalm en to con la exp eriencia (ley de Curie). L a cons
iento do Curio C = Arp/WI/(3/rD).

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Cap. 10. P ro p iedade; m agnticas de loa slidos

L a s e x p r e s io n e s ( 1 0 . 1 0 ) y ( 1 0 . 2 0 ) se lian o b t e n i d o su pon iend o
1 i , lo <ii> eoiTOsfnti.d.* i cio. ios d b ilo s y I o in p e ra llira s lio m uy

:i& i . U - . t >. .a s , le .-icam anto cuando

los cam pos son m uy in teosos y e s tor/ircre-, s s ja ja s , i y
relaciones (10.151) y (10.20 ) no so cumpoa. ; & >c th .J - 1 ,
B (P) 1 y la im anacin lendor pau latinam en te n ln satu racin :
J -* J s = N M . En este caso lodos los m om entos m agnticos de los
tomos estarn orientados rigurosam enlo en la direccin del cam po.
E ste resultado tam bin concuerda con la exp erien cia.
Pero al m ism o tiem po la frm ula (1 0 .1 8 ), do la cual se lia dedu
cido la expresin de la su scep tibilid ad pararnagnlica, contrad ice
el tercer principio do la term od inm ica. Cumulo T >-0 K , la entro
pa de) sistem a debe tender a cero . E l clcu lo do lo en tro p a dentro
dol m arco dol modelo clsico de parnm agnolisino de L ongevin con
duce a que 8 * oo cuando T -* 0 K . L a causa do esta con trad ic
cin con siste en quo al deducir in frm ula (10.18) no se tu vo en cuenta
la cuantizacin esp acial do los m om entos m ag nticos. Para lom arla
en consideracin b ay que ad m itir que eos 0 en (10.16) vara no con timm m onle, sino de un modo d iscreto.
A ntes ya so in d ic que la pro y ecci n dol m o m o n lo m a g n t ic o
del t o m o so bre la d ir e c c i n del c a m p o m a g n t ic o M jn TO/gpnA q u el n m ero c u n t i c o m a g n t i c o m j puede tene r 2/ -f- 1 v alores:
j , j 1, . . . , /. T e n i e n d o es t o en c u e n t a , el v a l o r m e d i o do la
p ro y eccin del m o m e n t o m a g n t i c o so bre la d ir e cci n del c a m p o se
puede e s c r i b i r en la form a
+j

mu

2j

I M'b H

">/e*p l ~ k r mn

{M u) = ---------------

I R\Lhl

(1 0 .2 1 )

exp ( - f i f - m j )

n ijT r-j

Calculando las sum as obtenem os la siguiente expresin:

<A/;H) = g p B; , ( - g - B ) = g p Bj B } (P),

(1 0 .2 2 )

on la que se han hecho Jas su stitu ciones

P= M *B & W ),

(10.23)

^ (W = ^ i c t . . ^ l p - J rC l l . 4 - .

(10.2A)

L a funcin B (P) es la fun cin generalizada de L an g ev in , tam bin

llam ada funcin de B rillou in . A plicand o (10.22) es fcil h a lla r la
imimnciii
J = N g ^ B j (P).
(10.25)

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10.3. Naturaleza del paramagnotisroo

367

Cuando - oo (10.25) se transform a en la frm ula clsica de Langevin (10.18). E fectivam ente, si j -* oo, clh lp/(2/')] s s 2//p + . . .
Por coiisiguioiito,

- -C U .i-.-i

y ^

01)

Gil. P J-

(P).

S i el mom ento m agntico del tomo depende solam ente dol espn
del electrn (no existe momento o rb ital), el nmero de posibles
orientaciones del m om ento en el campo m agntico dism inuye hasta
dos (L = 0; = 5 = l/2). En este caso (10.25) tom a la forma m s
sim ple
/ = tVgpB- i t l . ( - f f i f ) .

(10.26)

En el caso de campos dbiles y tem peraturas no muy bajas (f)

de (10.25) se obtiene para la susceptibilidad param agntica

NWWHJ + D
l%m-----------3* f ---------

1),

<10l27>

E sta expresin no es ni ms ni menos que la ley deCurie. Lo mismo

que antes la con stan te de Curie C = JVp0fl/2/(3A:D) y slo M- se ha
sustituido por pugV (/ -f- 1).
D eterm inando experim enlalm enle C para valores conocidos de
Po, /fn y tV, se puede calcu lar el nmero efectivo de magnetones de
B o h r (pcf) correspondiente a un tom o del param agnlico:
Pe

-sVi

(/ + !)

(1 0 -2 8 )

En campos intonsos y n tcm pornluras muy hojas, la imanacin

llega a la saturacin:

J = N gfia .
Como

oo en este caso, cth

2;^~1 P

(10.29)
1, c lh *- 1

yfi;(P)-l.
V am os a exam in ar ahora con ms d etalle el problema de la natu
raleza de los m om entos m agnticos quo hacen aportacin al param agnetism o. Y a se ha dicho anteriorm ente que el momento magntico
de un tomo lib re es igual a la suma v ectorial de los momentos tanto
orbitales como de espn de todos los electrones. Los tomos cuyas
capas electrnicas estn ocupadas totalm ente tienen momento magn
tico rosultaute nulo. E stos tom os son diam agnticos.
E l param agnetism o se m an ifiesta en los tomos con espines no
acoplados o momento do impulso (dinm ico) no compensado, es do-

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308

Cap. 10. Propiedades m agn ticas de loa slidos

o r, on los tom os con mimoro im par do oloclrones o con unn copa

electr n ica in terior pnrcinlinonto ocupada. E l enrelor do la ocu pa
cin da los capas e lectr n icas se d eterm ina por la reglo de Hutid.
Do ncuerdo con esta regla los espines de los electrones de una capa se
com ponen siem pre uno con otro de ta l form a que dan los valores
m xim os posibles del m om ento de im pulso y del m om ento m agntico.
Considerem os, por ojem plo, la ocupacin de la capa d . En esta
capa son posibles 10 estados: 5 con espn dirigido hacia arrib a y
5 con espn h acia a b a jo . S i en la capa d hay 2, 3, 4 5 electro nes, sus
esp ines estn orientados en una d ireccin, por ejem p lo, hacia arrib a.
E sto da el v alo r m xim o dol m om ento do esp n. E l sex to electr n ,
de acuerdo con la regla do H und, debe tener el espn dirigid o hacia
ab ajo . E sto so refiere tam bin al sp tim o, octavo, noveno y dcim o.
Com o el principio de Paul i no p erm ite quo en un m ism o estad o, en
un in stan te dado, se encuentren dos electrones con espines dirigidos
en el m ism o sen tid o, los electron es con espinos paralelos estn sep a
rados en el espacio.
Tithla II).I. N tnrni e le c tiv o de m ugar len es (le llolir
para los ooes del grupo del hierro
Ion

Cundan meln

p = e V i 0 + i )

pexp

p = 2 V"S<S +' i)

T c s*. V " '

y.-.Or2*, V 2*
MnJ ' . C r2*
1-V*. Mu2*
Pe2*
Co! *
N i2*

3d*
3(23r/
3(2
3rf5
3 il"
:>
3 rfs

1 ,5 5
1 ,0 3
0 ,7 7
0
5 ,9 2
0 ,7 0
0 ,0 3
5 ,5 9

1 ,8
2 ,8
3 ,8
,9
5 ,9
5 ,4
4 ,8
3 ,2

1 ,7 3
2 .8 3
3 ,8 7
4 ,9 0
5 ,9 2
4 ,9 0
3 ,8 7
2 ,8 3

En la la b ia 10.1, lom ada del libro de C. K i t l c l , los valores exp e

rim e n tale s del nmero efectiv o de inngnetonos de B oh r, para los
iones de los elem entos de transicin del grupo del hierro (so e stu d ia
ron las sales correspondientes), se com paran con los calcu lad os por
la frm ula (1 0 .2 8 ).
Como puedo verse, para las sales do los elem entos (le tran sici n
los valores exp erim n talos dol m om ento m agntico concuerdan m ejor
con los te rico s prediclios por la frm ula p = 2 V 5 (S + 1), y no
por la (1 0 .2 8 ). E slo m ueslra que ('1 mom ento o rb ita l, on osle caso,
paroeo no e x is tir en ab solu to . En e sla circo nal nimia se dice que los
m om entos o rb ita le s estn congelados.

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<0.4. D ininagnelism o y pam m agnetism o de los slidos

369

10.4 D iam ag netism o y param agnetism o

do los slidos
lili los prrafos preced;nLes so lian csliid iad o (linningn ticos y
'xii'iimiifrjiLiofjS que on osoiiciu urini uu gas enrarecid o. Se supona
l o o r.n iln tom o n o dependo d o los domas. C o m o resultado do oslo
ie consiguieron soslayar las dificulLados rolacioiiadas con la s in leraciones entre los tom os. Poro al mismo tiem po, los d alos do la
.abla 10.1 m u estran que en el caso de los slidos es necesario tom ar
su con sid eracin una serie de efecto s com plem entarios.
Todos los slidos se dividen convencionalm ente en no m etales
t n id a le s . Supongam os que la red c rista lin a est construida con
iloiuos sin capas electr n icas interiores incom pletas. T an to on cl
aso de los m tales com o en cl de los no m etales la red revela d iau agnetism o. So b re el m om enlo diam agntico do los tom os quo
icupnn la s capas in terio res no ejoccu in flu en cia la proxim idad de
>tros tom os. P or eso la aportacin de estas capas al m om ento magnico re su ltan te os la m ism a que en los tom os aislad os.
S i en un c ris ta l no m e t lico hay tom os con capas electrn icas
larcinlm onte ocupadas, d icha su b stan cia es p arainagntica. Poro
1 m om ento m ag ntico de las capas incom pletas puode sor en ol
ristnl d istin to dol m om onto del tom o aislad o. P oroso , en la m ayora
le los casos, el m om ento pnram agntico do un c ris ta l lio se puodo
a lla r sum ando los m om entos do todos los tom os libres que lo
ornian.
Do acuerdo con la c la sific a ci n propuesta por J . V an V le k , hay
(ue d istin g u ir tres tip o s de param agn licos cristalin o s no m tales:
1. C ristales con en lace interinico d b il. A ellos pertenecen los s lilos en los cu ales los enlaces entro los iones son tan dbiles que el
nom enlo p aram agn lico se puode ca lc u la r sumando los m om entos
lo los tom os libros (como on uri gas). E sta condicin la satisfneon
m ichas sales do los e le m e n to s do las tierras rarus.
2. C ristales con los mom entos orbitales <tcongelados. En ello s las
n teracciones entre los tom os congelan los m om entos orb itales,
>ero los m om entos de espn perm anecen prcticam en te libros. E sta
.tu aci n tien e lugar en la m ay o ra de las sales de los m etales del
;rupo de tran sici n del hierro.
3. C ristales con los momentos orbitales y de espn congelados .
V este tip o do su b stan cias perlcnocon los c rista les on los cuales
xiste un enlace m agntico in terio r tan fuorto que las fuerzas intertlm icas congelan ta n to los m om entos o rb ita le s com o los de espn.
3ste caso so ofecta en las sales do los m etales do transicin dol
;rnpn del p latin o y dol grupo dol palndio.
E u los m etales hacen aportacin a ln su scep tib ilid ad m agntica,
uloms do los restos atm icos que so oncuentran en los nudos do la
0 ( 1, los electrones do conduccin socializad os. Los dalos oxporim onL01 1-1 7

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370

;i|>. 1U. lM'opimUuloa m agnticas Jo los

B0

B #0

s lid o s

B #0

Fig. 10.5. F.squonm para calcular la susceptibilidad paramagntica de los clocliorii* do conduccin.
Sobre el eje de ordenadas se ha lomado ln enenda de los lee iroes; sobre el de abscisas, la
densidad de estados.
estados ocupados se hnu rayado. J as Hcchltas indican el sentido
de los momentos magnticos de esjdn

tnles m uestran, por ejem plo, que todos los m etales alcalinos son
parninagnticos. Su sensibilid ad param agntica no dependo de la
tem peratura. Como la rotl de los m etales alcalinos es d iam agntica,
sil param agnetism o slo puede e star condicionado por el param agne
tism o del gas electrnico. De la independencia del param agnetism o
de los m etales alcalinos respecto do la tem peratura se saca la con
clusin de <|ur* tam bin es independiente de la tem peratura la sus
cep tibilid ad param agntica del gas electrnico.
121 parnm agnelism o del gas electrnico est relacionado con el
hecho do que los electrones tengan m om ento m agntico de espo,
igual al mngnoln de B olir. En un campo m agntico los m om entos
m agnticos do espn so orientan principalm ente en el sentido del
cam po, creando un m om ento m agntico resu ltante. S i para calcu lar
esto m om ento m agntico se utilizan las representaciones clsicas,
obtendrem os que la su sceptibilidad param agntica dependo do la
tem peratura do acuerdo con la ley do Curie. E l resultado correcto
lo da la teora elaborada por P au li, que tiene oh cuonln quo los
electrones on el m etal se subordinan a la estad stica do F erm i
D irnc.
En ausencia de campo m agntico exterior (B = 0) ol m om ento
m agntico resu ltante del gas electrnico a T 0 K es nulo. Los
cloclron s ocupan en Ja banda de conduccin todos los niveles hasta
el de Ferm i, do manera quo en cada nivel hay dos olectrones con
espines dirigidos en sentidos opuestos. E sto se ilu stra con la
fig. 10.5, a , en la cual la banda de conduccin se ha dividido on dos
som bandas quo so diferencian por el sentido de los espines.
A nles de con ectar el campo m agntico, la funcin do densidad
do oslados N .t. ( ) do los olectronos con espines h acia arriba y la

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IQ/i, Dinimijritrlr.sino y iMrnninKnctiflnio <h los slidos

371

funcin iV_ (/?) para los electrones con espines liaein abajo tienen
in Corma do |tundilas i^nnios. I'.ti rslnx roiuf ir mos

N + (/:') -

A'_ (/;) -

V2/V (/').

Kn un campo m agntico 1 1 ^ 0 la semillan<la. en la cual los momen

t o s m agnticos tle espn estn dirigidos on el sentido dol ennipo, so
desplaza n lo largo dol e je J i hacia ahajo en {in/y, y la sem ihanda, on
que los m om entos m agnticos do espn estn dirigidos en sentido
con trario, so desplaza hacia arriba en Pb^- De esta forma las dos
sem ibandas se desplazan una respecto do otra en 2iut (fig. 10.5, b).
Como el sistem a tiende al m nim o de energa, una parte do los
electrones do la somihnnda derecha pasa a la izquierda, cam biando
d mismo tiem po la direccin del espn (fig. 1 0 ., c). (mino resultado
surge un m om ento m agntico dirigido en el sentido del campo:

M = |iD (Ar+ -

N .),

(10.30)

lunilo (iV+ Ar_) es el nmero do electrones emigrados;

(A + -

N .) s N + (E r ) A E = JV+ (E F) p BZ?.

(10.31)

Conociendo la expresin de la densidad de oslados, es fcil obtener

a su scep tibilid ad param agntica dol gas electrnico:
_

lm ~

3AP.P},
3iyp.pt
2A>
~ 2kBTF

(iQ

(10.32)

Vqu Ar es el nmero de electrones de conduccin que hay en el volunen unidad del m etal y T F, la tem peratura de degeneracin del gas
lectrnico. P or d efinicin,
T

Ef

( 3 N S2/3

(lr j

(1 0 -33>

lomo T f 'S* 7^,i. (siendo T tm la tem peratura de fusin del m etal),

m no depende de la tem peratura, ya que
T F.
E l v alo r de la su sceptibilidad param agntica, calculado por
10.32), es solam ente un poco m ayor que la susceptibilidad dialagntica de la s capas electr n icas internas, saturadas, do los loos. P o r eso la susceptibilidad m agntica to tal de los m etales norm
is (es docir, no de transicin) es solam ente un poco m ayor que cero,
s ms, existe una serio de m etales que, a posar do la aportacin
aram agntica del gas electr n ico, son en total diam agnticos,
a ta b la 1 0.2 ilu stra lo dicho.
Una de las causas del diam agnetism o resu ltante de algunos m clas es que en ello s, debido a que la densidad do estados es pequea,
param 8gnetism o del gas electrnico tam bin lo os [vase (10.31)].
sin situ aci n tien e lugar, por ejem plo, en el berilio. Los tomos
i berilio tienen dos electrones do v alen cia cada uno. Por lo tan to .

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372

Cap. 10. Propiedades m agnticas ln loa slidos

7'ith tr

. S u sco p lh iIid n d ningnlion do lo.s m e ta le s n o rm a le s

Nmero

Metal

Li
Na
K
Rb
Cs
Cu
Ag
An
15o
Mr
Ca
Sr
Ba
Zn

atmico Oc]
elemento
3
11
1!
37
55
20
47
70
4
12
20
38
58
3U

+ 1 ,8 9
-1-0,68
+ 0 ,4 7
+ 0 ,3 3
+ 0 ,4 2
- 0 ,7 6
- 2 ,i
20
t ,8 3
+ 0 ,9 5
+ 1 ,7
+ 2 ,0 5
+ 0 ,5 8
-1 ,2 4

Nmero

Metal

atmico del

Cd
He
Af
On
lu
c t-T l
Sn (blanco)
Su (gris)
rb
As
Sb
Te
13

48
80
13
31
49
81
50

elemento

50

82
33
51
52
83

*ra -to

-1 ,5 2
-2 ,2 5
+ 1,87
-1 ,8 4
-0 ,8
-3 .3 7
+ 0 ,2 7 0
-0 .1 8 4
1,30
-0 ,4 2
- 5 ,9
-2 ,0
-1 3 ,0

la banda de videncia del b erilio osl lotulm onle ocupada. S i esta

banda no so recubriera con la sig u iente banda perm itid a, ol b erilio
sera d ielctrico . L as propiedades m etlicas del berilio se deben al
recubrim iento ele las bandas. E s te recubrim iento e x iste , pero es
pequeo y la densidad to estad os sobre c) nivel de Ferm i tam bin lo
es. P or eso la su scep tib ilid ad paran)ignlicn d el gas e lectr n ico es
pequea y el berilio m an ifiesta diainagnotism o.
O tra causa del diainagnotism o resu ltan te de los m etates es el
gran nmero de rb ita s electr n icas en los tom os y los grandes
radios de stas (Cu, Ag, Au, Zn, G a, e tc .).
Aadam os, por fin , que los electrones de conduccin poseen no
slo param agnelsm o, sino tam bin diam ngnctism o. Segn la teora
c l sic a , el diainagnetisnio del gas electrnico debe ser nnlo. listo
se infiero, por ejem plo, de los razonam ientos energticos. E l campo
m agntico deforma las tray ecto rias del m ovim iento de los electrones 1
de condu ccin, sin v ariar los m dulos do sus velocidades. P or lo
tan to , cuando se conecta el cam po m agntico, la energa cin tica
do los electrones no v ara.
L a lom a en consideracin de las propiedades cu n ticas del elec
trn perm iti a L . D . Landu d escubrir el diam agneU sm o del gas
electrnico. E l dem ostr que la su scep tib ilid ad d iam agntica del
gas electrnico es
-

A p |' u /(2A-b 7V ),

(10 .34 )

es d ecir, con stitu y e un tercio de su su scep tib ilid ad parm nagnliea.

P o r con sigu ien te, la su scep tibilid ad m agntica to tal del gas ctcctr -

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10.5. Ferroniognetisroo. Campo m olecular de VVeiss

373

nico ser
*111

'V i w f c l W y ) .

(1U.35)

Para term inar diremos cpie rn muchos slidos pnrnmagntlcos Ja

dependencia de )n susceptibilid ad magntica respecto de la tempera
tura viene definida no por Ja ley de Curio, sino por la ley de C yrie-W eiss:

k m = CI(T -

0),

(10,36)

en la que 0 es cie rta tem peratura, quo puede ser positiva o negativa.
La dependencia tipo (10.36) est relacionada con la aparicin en
estas substancias del ferrom agnetism o o anliferrom ngnelism o cuando

r = o.

10.5. Ferrom agnetism o.

Campo m olecular de W eiss
A l c la sific a r los m ateriales m agnticos so indic que o los ferrom agnticos pertenecen las substancias que poseen im anacin espont
nea, es decir, im anacin d istin ta de cero incluso en ausencia de campo
m agntico exterior. M anifiestan tener ferrom agnetism o solam ente
ios c rista les de nueve elem entos qum icos: tres m etales 3rf (Fe, Co, Ni)
y seis m etales 4/ (G d , D y , T b , l i o , E r y Tan). Pero existe un nmero
enorme de aleaciones y com puestos qum icos forrom agnticos. Todas
estas su bstancias tienen d istin ta estructura cristalin a, so diferencian
por los valores de la im anacin de saturacin y por otras propiedades.
E l nico in d icio comn a todos los ferrom agnticos es la existen cia
pn ellos de tom os ron capas d o / incom pletas. E stos tomos, como
antes se d ijo , tienen momento m agntico no compensado. L a im ana
cin espontnea patentiza que los momentos magnticos do los to
mos estn orientados no de un modo aleatorio, como en los pnram ngnticos, sino ordenado, paralelos unos a otros.
Cuando estudibam os la naturaleza de los momentos m agnticos
en las sales parainagnticas do los elem entos do transicin se indic
que los mom entos o rb itales de los electrones de la capa 3 d estn
congelados. Por consiguiente, debe esperarse que el ferrom agnelismo est relacionado con la ordenacin de ios momentos do espn.
E sta hiptesis, expresada la prim era vez por, el cien tfico ruso
B. R zing on 1892, fue confirm ada en los experim entos de E in ste in
Haas y B a rn e tt, realizados en 1915. E n ol experim ento do A . E in stein
y W . de H aas, cuyo esquema reproduce la fig. 10.6, se observ ol
giro do una m uestra ferrom agntica (es decir, la aparicin del momen
to m ecnico) al v ariar el momento m agntico condicionado por un
campo m agntico exterio r. La variacin del momento m agntico do
la m uestra cilin d rica 4 so efectuaba a expensas de hacer pasar Corrien
te por el solonoide 3. Al ocurrir esto la muestra giraba y torca el

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374

Cn]i. <0. Propiedades m agn ticas do lo s slidos

hilo /. P or el ngulo a girad o se

poda d clerm inn r J.i relaci n giro2 m ag n tica. Jtcs u lt que

i
s
"

M IP p 0c/m,

'

es d ecir, coincido con la relacin

girom ngn lica de los m om entos
de espn m ecnico y m agntico dol
electrn .
I3 a r n e t t, por el c o n tra rio , ob
serv la i m a n a c i n do una b a r r a de
hierro c u a n d o esta g i r a b a rp id a
m e n t e . Ln r e l a c i n Af/P b a i l a d a en
este experim en to t a m b i n c o i n c i l'ig. 10.0. Esquema rtul
expori- cl ro n ln relacin c i r o r n a g n l i c a
meato do tin s lo ir.-- a .s :
(|e ,
monllltos ()(J o sp n . Do
. hilo elstico de suspensin; 2, espojo;
, r
i r. i
i
3, snlcnolc; 4, muestra funomugntlca; esta fo rm a q u e d C-JarO q u e cn los
s, roca do lu
forrom agnlicos se ordenan los mo
m entos m ag nticos do espn no
compoitsados do los tom os con capas e lectr n ica s in te rn a s incom
p letas. Q u naturaleza tien e esta ordenacin m agntica?
P ara e x p lica r la e x iste n cia del m om ento m ag ntico espontneo,
P . W eiss supuso que on ol ferrom agntico e x is ta un cam po m olecu lar
interno 11/. Segn YVYiss, esto cam po, do un modo sem ejan te al cam po
m agntico oxlo rio r II cn un p araraagntico, crea en el c ris ta l ferrom ag ntico la o rien tacin paralela de los m om entos m agnticos do
los tom os cuando II = 0 . S e supone que c l cam po B es proporcional
a la im anacin , es d ecir,

B = p0J .

(10.37)

L a m agnitud ). se conoce ron cl nom bre de constante del cam po m ole

cular.
A s, pues, el cam po total que act a sobre un tom o en el ferrom agntico es:
Bt =

B +

J i p 0J .

(W -S S )

A hora ya no es d ifcil b a ila r la su scep tib ilid ad m ag n tica. H ay

que a n a liz a r el com portam iento de los m om entos m ag n tico s M
do los to m o s en el cam po m agntico B gf. E l resu ltad o ya lo con o ce
mos si so tien e cn cu en ta Ja frm ula (1 0 .2 6 ) antes ob tenid a y se hace
cn e lla la su stitu ci n de B por B cf. P a ra cam pos d biles y tem p era
turas no m uy b ajas obtenem os ap roxim ad am ente:
( 1 0 .39)

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10.5. Ferrom ngnetisnio. Campo m olecular de W alss

donde Al3 .

j i J iV (./

-I

I). I >* dolido

NAI-B

375

NM-B

(10.40)

o bien
c

: tC T-

(10.41)

A qu, lo^ mismo que antes, C = A p 0/7(3A:B) y el parmetro

0 = ArXp0A/2/(3/cB), que tien e dimensin do tem peratura, se llam a
tem peratura de Curie. La expresin (10.41) es la ley do Curie W ciss.
Analicem os qu ocurrir si en la frm ula (10.41) se supone T < 0.
Al parecer, la susceptibilidad m agntica k m debe hacerse primero
in fin ita (cuando T = 9) y despus negativa. Para responder a la
pregunta de qu es lo que ocurre en realidad en este caso, hoy quo
retornar a la relacin (10.26) y resolver la ecuacin

J = N (M ) = ~y N g p b th [ - ^

(B + p0N </W].

(10.42)

En osta ecu acin, lo mismo quo al escrib ir la expresin (10.26), se

lia supuesto que el mom ento m agntico del tomo est condicionado
solam ente por ol espn del electrn.
Sea B = 0. S i T > 0, la ecuacin (10.42) tione la solucin {\ I)
0. P or lo tan to , cuando T > 0, el ferrom agntico se com porta como
un pnrnm agntico ord inario. S i T < 0, existe adornas una solucin
</1) # 0 . JC.st.u segunda raz to la ecuacin (10.42) so puede h allar
grficam ente (fig. 10.7). E l momento m agntico resultante del volu
men unidad, es d ecir, la im ana
cin, tiende, cuando f - r O K , al
valor
/ s = N gp b/2.

(10.43)

E sto sig n ifica que todos los espi

nes estn orientados paralelam ente,
es decir, tien e lugar la ordenacin
ferrom agntica
(en ausencia de
campo m agntico exterio r). Al olovarso la tem peratura, la im anacin
espontnea dism inuye y a la tem
peratura do Curio desaparece, liste

Fig. 10.7. Dependencia de la imnnncin espontnea do un errom agnlico rospoclo do la tomporntura

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376

Cap. 10. Propiedades m agn ticas le los slidos

com portam iento concu erd a bien con ia ex p e rie n cia. E l cam po moler
o ii Itir in te rio r, introd ucid o por W eiss, p erm iti e x p lic a r im irlia
propiedades do los ferrom ngnlicos. l'e ro la n atu raleza del cam pe
m ism o sig u i sin conocerse d u ran te mucho tiem p o. L a suposicin
de <|iie las fuor/.as o rien tad o ras de los m om entos m ag n ticos de espn
liciten en el rerrooiagnel ieo origen puram ente magnt ico fue lefnladn
exp ern n en ln lin eiile por Y a . G . Dorfm an en 11)27.

10.6. E x p erim en to de D orfm an

S i el cam po de W eiss tu v iera en realid ad natu raleza m agntica
d ebera ser m uy intenso. L a energa de in teraccin de este cam po con
el m om ento m agntico del tom o s era , ap roxim ad am ente, igual a la
energa trm ica m edia corresp on d iente a un tom o en el punto de
Curio (puesto que, cuntido T = 0, el orden m ag n tico so destruye).
P ara m uchos ferroinngnticos la tem p eratu ra de Curie es de v arios
cen tonares o incluso supera el m illa r de k lv in es. P or lo ta n to ,
A ,nt

/.n0

. S -IO -53 J K - M O K = 1 .3 8 - 1 0 - 50 J .

Y com o |i f s Pb/L'

1 ,3 8 .1 0 - " J
0,tn7-t(t- J / T ~

D orfm an procur v a ria r B . E l esquem a de su exp erim en to se

rep resenta, en dos proyeccion es, en fa fig. 1 0 .8 . U n estrecho haz de
electrones procedente del foco 1 se h aca pasar a trav s de una lam i
n illa de nqu el 2 (de d f a 2 0 prn do espesor), situ a d a entre los polos
de tin electro im n 4. S obro ln placa foto g rfica 3 se reg istrab a la traza
del haz. A l hacer el exp erim en to se supona que si la la m in illa estaba
im anada hasta la satu raci n p aralelam ente a su su p erficie, el cam po
m o lecu lar U, deba e sta r orientad o en led a la m u estra p aralela
m ente al cam pe e x te rio r B , cs d ecir, pcrpcu d icu larm nnlc a la v e lo ci
dad de los electrones en el haz (fig. 1 0 .8 , a). S i ol cam po in te rio r B
tu v iera n atu raleza m ag n tica, el haz do electro n es, a) atrav esar la
la m in illa , debera d esv iarse b a jo la accin del cam po to ta l B
B ;.
E s to d ebera hacer que se despinzara la hu ella de los electro n es sobre
la p laca fo to g r fica . E n las con d icio nes elegid as por D orfm an pora
hacer el exp erim en to se esperaba o b ten er tina d esviacin b 10 mtn
(fig. 1 0 .8 , b). l ero result que la d esviacin del haz de electrones
fue m ucho m enor (b 0 .3 m ni). E s ta d esviacin corresp onda a la
interaccin do un cam po l i 1 T , es d ecir, al v alo r de la induccin
m agntica en la m u estra. Do aqu se sac la conclusin de que la
natu raleza del cam po m olecu lar de W eiss w es m agn tica. E x p e ri
m en tes realizad os m s tard e sobre la d esv iacin de electro n es y meso
nes por m u estras de hierro y de aleacin h ierro -co b alto conirm aron
le ta l m ente el resultado obtenid o por D orfm an. Q u ed aba, pues, supo-

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10.7. Intornccin de> intercam bie y el ferrnmngno tierno

377

F i g . 1 0 . 8 . E s q u e m a d e l e x p e r im e n to de D o rfm a n
1, fuente de electrones; 2, laminilla de nquel; 3, place fotogrfica; 4, polos del electroimn

ner que el cam po

d entro del m arco
tico puro com o
cualesqu iera, fue
este problem a.

B es de natu raleza elctrica. X o o bstan te, e x p lica r

do la teo ra cl sica un fenmeno, al parecer m agn
el forrom agnetism o, por interacciones e lctrica s
im posible. Slo la m ecnica cu n tica pudo resolver

10.7. In tera cci n de in tercam bio y su papel

en la ap aricin del ferrom agnetism o
Los exp erim en tos girom agnticos de E in s te in H aas y B a rn e tt
dem ostraron que en los ferrom agnticos la im anacin espontnea
se debe a l m agnetism o de espn de los electrones, y de la experiencia
de D orfm an se dedujo quo la interacci n entre Jos electrones de los
tom os vecinos con capas incom p letas, conducente a l ferrom ognetismo, no es do n atu raleza m agntica.
En 1928, F ren k el, y algo despus H eiscnbcrg, establecieron que
el ferrom agnetism o es una propiedad especial de un sistem a do
electrones que interaccionan eleclrostticum enle. A l estudiar el
param agnotism o del gas electrn ico vim os ya que su onerga est
n tim am en te relacionad a con la im anacin. E sto es consecuencia dei
princip io de P a u li. L a energa m nim a del gas electrnico libro se
observa cuando los espines do los electrones estn to talm en te com
pensados.
F re n k e l y H eisenberg m ostraron que, si e x iste una interaccin
e le c tro s t tic a intonsa entre los electro n es, puede resultar convenien
te , desde el punto de v ista en ergtico, el estado con orientacin
paralela do los espines, es d ecir, el estado im anado. Los clcu los
m ecanoeunticos d etallados do la interaccin e lctrica de dos electro
nes, teniendo en cu en ta su mom ento do espn, omluccn a ln siguien
te con clu sin. E n la expresin de la energa de internecin resultante,
adem s del trm ino coiilom binno puram ente clsico , figura un
trm ino ad icion al esp ecficam ente cu n tico , dependiente de la orlen-

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378

Cap. 10. Propiedades m agnticas do los slidos

tacin m utua Jo los espinos. E s ta energa ad icion al recibo el nombre

de energa de inlerenmliio o de can je, En el e.nso ms sim p le, de interne
cin du ilos olee tronos, dielm energa so puedo representar en la forma
U n,t = A

( o - o .) ,

(K J.4 1 )

A es un parm etro, con dim ensin do energa, llam ado

de intercam bio; <r, y or2, los vectores un itario s do los espinos.

en ln <|ne

integral

Si .1 >
U, alm nim o do energa correspondo la o rien taci n paralela
de los espines: (ffi-O j) = 1. Y cuando A < 0 , el m nim o do energa
so observa con la orientacin an tip aralo la (<Vcr2) = 1.
En el caso du la interaccin de un gran nmero do electrones
(como ocurre en el slido), la energa do intercam bio so puede exp re
sa r a menudo en form a anloga a (10.44):
=

A tJ ( S r Sj).

(10.45)

A qu S y S j son los espinos resu ltan tes de los tom os quo intoracCionan.
La integral de intercam bio on cl caso ms sim plo, do un sistem a
do dos electrodos, os igual a la scm id iforencia de las energas de los
estados sin glle y (rip ete:

A = V j ( , -

A ,).

(10.40)

lleeord am os que el estndo sin glete es el estado con espn resu ltan te
nulo S = 0, y ol trip leto , ol de esp a 5 = 1. Cuando A > 0 , tenem os
que /i"c < E , y en el estado trip leto fundam ental los espines de am bos
olee tronos son p aralelos. E s te caso corresponde a la ordenacin
ferrom agutica. S i A < 0 , al con trario , E a < E ,, es d ecir, los espines
son aii ti paralelos. Eli esto caso existo antiferroinagnotism o.
Inrn e x p lica r el fenmeno dol ferrom agnetism o, en la teora
cu n tica se ul.ilizan dos otifoqnos fundam ntalas. Uno do ello s so
basa on ol modelo de loa electrones colectivizados , que cum plen la e sta
d stica de F o rm i D irac, propuesto por F re n k e l. E ste modelo tien e
en cuenta la interaccin de in tercam bio . E n teora se ha dem ostrado
que con cie rta densidad del gas electrnico es posible la aparicin
<lel estado im anado espontneo, independientem ente de que la
energa c in tic a de los electrones alim ento en este caso. Rocordarem os
una voz ms quo cl aum ento de la energa c in tic a est relacionad o
con ol hecho de que, en virtud del principio de P a u li, los electrones
con orien taci n paralela de los espines no pueden ocupar un mismo
nivel energ tico . P or oso, al in v ertirse ol espn, el electrn se ve
obligarlo a ocu par ('sim ios en m ayor energa. S in em bargo, on la
actualid ad e x iste la opinin de que, por lo v isto , ol gas do oloctronos
de conduccin, cualesqu iera que sean las con d iciones en que so
encuentro, no es fem im agut eo. An no pxist.o una d em ostracin
rigurosa de oslo. Poro al mismo tiem po, ni on mi solo exp erim en to

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1 0 .7 . I n t e r a c c i n

d e in te r c a m b io - y e l

so lia podido d escu b rir ol forroinngiicl Mino oo lux rnoInloN t|iii' nti
contienen lom os o ioiuis con capas
<1 o / ncoinp iolas. I.a paricin
<lel forromapnol ismo on n sistem a
<lc electrones d o / e s t relacion ad a
con lo densidad de estad os, anorm alm en tc a lta (com parada con la
de electron es s) en las band as d y / .
E n cl segundo enfoque, clab o rado por H eisenborg, se supone que
los m om entos m ag n tico s, que form an la estru ctu ra ferrom agnticn
(o nn tifo rroinag ntica)
ordenada,
esli'm localizados cerca de los mulos

fe rro m a g n e tism o

379

"XX X X -X

___
ffO

(fT fi

.* f
^

(TT^

/jt
\

X^
*'

V*"
c)
...

s t f K

s f f f c r

d lo el forrom agtilisino se debo ni

(|el supcrinlorwunbio (b) y le
ord enam iento de los m om entos m agintercambio indirecto (.)
n lico s de los iones vecinos con
cap as d o / incom p letas. L a in teracci n de intercam b io de electrones
e n tre los iones v ecinos so llam a do intercam bio directo. Se debe a la
superposicin de las d istrib u cion es de carga de d istin to s iones
m agnticos (es d ecir, iones con capas d o / incom pletas). Pero en
m uchas aleacio n es y com puestos qum icos lo.s iones inngnlicos
estn separados uno de o tro por un 011 no m agntico (o sen, por un
ion 011 el cual todas la s cap as electr n icas estn to talm en te llenas).
E n este coso la interaccin de in tercam b io entre los iones magn
ticos so puedo efectu ar por medio de los oleclronos del ion no m agn
tico com n a am bos. E sta form a de intercam bio recibo el nom bre de
su perin tercam bio .
S . P . S lm b in y S . V . V onsovski establecieron que, adem s del
in tercam b io d irecto y del superinlorcam bio, el ferrom agnetism o
puede e sta r ocasionado por c l intercam bio indirecto de electrones
localizad os por medio do los electron es de condu ccin. E l in te r
cam b io in d irecto os ms c a ra cte rstico en los m etales y aloaciones de
tierras raras. L as d istin ta s form as do interacci n do intercam bio se
m uestran esqu em ticam en te en la fig . 10.9.
E l v alo r y el signo de la intogral de intercam bio dependen de la
d ista n c ia entro los tom os. E sto so ve bien en la expresin de A
obtenid a al resolver el problem a de la inloraccin en tre los dos tom os
en la m olcu la de hidrgeno:
^ =

-ir)

M 2 )d M V

(1 0 .4 7 )

A q u i|>0 (1) os la funcin do olida dol electr n I 011 el cam po dol

n cleo dol tom o a ; i|>, (2), la funcin de onda del oloctru 2 en el

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38n

C .'ip ,

10. P r o p ie d a d e s m a g n t ic a s d e lo s s lid o s

Fig. IU. 10. HeprcsontnriAii esquem alira ele ln m olcula di* imlrgpnn

l'ig . 10.11. Depondencia del intervalo

do intercam bio A respecto do la razn
do la d istancia in lera l m ica H al ra
dio n de la capa in terio r incom pleta

cam po dol m irlen dol Atomo b y as sucesivam ente; r, la d istan cia

entre los electrones en ln m olcula; ru2 y rhx, las d istan cias del ncleo
del tom o a ni electrn 2 y dol ncleo <lcl tom o b al electrn 1,
respectivam ente (fig. 10.10). Como en la expresin do A figuran
trm inos tanto p ositivos como negativos, el signo do la integral do
intercam bio puede ser tanto positivo como negativo (en dependencia
de 1a d istancia in terat m ica).
E n la fig. 10.11 so m uestra Ja dependencia de la integral de
intercam bio respecto do la razn de la d istan cia in terat m ica R
al radio a de la capa electr n ica incom pleta del tom o. De esta
figura se sigue que de los m etales de transicin del grupo deJ hierro,
solam ente en el hierro a , en el cob alto y en el nquel puede e x is tir
erroniagnelisiiK. E l Fe y , Mn y otros elem entos de este grupo no
deben poseer ferrom agnetism o. La experiencia con firm a esto . AI
mismo tiem po existe una serio de aleaciones y com puestos qum icos
de m anganeso, por ejem p lo, M nSb, M n ti y otros, que revelan pro
piedades ferrum ngnticas. En estas su b stan cias los tom os de Mn
se encuentran a mayores d istan cias uno de otro que en el c ris ta l de
manganeso puro y por eso ia integral de intercam bio se hace p o sitiv a.
E l clcu lo de la energa de intercam bio do un sistem a de JV to
mos es un problem a bastan te com plicad o. E li prim era aproxim acin
se supone que la integral de intercam bio es d istin ta do cero solam ente
para Jos tom os i y / vecinos m s prxim os en Ja red c ris ta lin a , en
tan to que para les tom os ms lejan os A a > 0. Designem os A j A
(aqu i y j son nudos vecinos). E l clcu lo del v alo r uiedio de la
energa de intercam bio, de acuerdo con (1 0 .4 5 ), da el siguiente
re so llad o :

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(1 0 . )

1 0 .8 . O n d a s J e

e s p in

381

mi ol q u o z o s ol n m e ro (o ro o r d in n rin n ;;/ //(/Viu), lo i ru m ia ci n

r e l a t i v a . D o (10/ iiS) so s ig n o q u o al m n im o rio e n e r g a Je c o rre s p o n d e

1 estado y = 1 , es d ecir, ol estado co n im anacin do saturacin.

A s, pues, las condiciones favorables para que su rja ol orromagnetisrao son:
1) la existen cia de momentos m agnticos localizados, por ejem plo,
on tom os con las capas d o / incom pletas;
2) la integral de intercam bio debe ser positiva;
3) la densidad de estados en las bandas d o / debo ser grande,
para que el aum ento de la energa cin tica debido a ia ocupacin
por los olectrones do niveles libres ms elevados (principio de P auli)
no sea m ayor que la dism inucin de la energa a expensas de la in te
raccin do intercam bio.
Conviono ad vertir que los momentos m agnticos localizados
pueden e star ligados no slo con los tomos magnticos. A s,
A . F . Jo jlo v y P . V . P vlov observaron lu aparicin del orden forrom agntico en el s ilicio amorfo. E n l no hay tomos con capas inter
nas incom pletas, pero s enlaces covalentes rolos. En cada enlace
<le stos est localizado un electrn no acoplado. En las condiciones
ord in arias la concentracin de enlaces rotos en el silicio amorfo es
pequea ( d e ~ 1 0 le a 11U em -3), por lo que no existe interaccin
en tre los momentos m agnticos localizados en los enlaces. E sta
su b stancia os param agntica. Pero con la a lta densidad de enlaces
rotos, quo puodo croarse irradiando ol silicio amorfo con iones acele
rados de gases inertes, so produce la interaccin de intercam bio que
ocasiona ol ferrom agiiclisino.

10.8. Ondas de espn

La orientacin rigurosam ente paralela do los espinos en un forroinagnlico slo so observa a O K . E sta disposicin de ios espines
corresponde al m nim o de onerga. E n estas condiciones la imanacin
resol Lauto os igual a la im anacin do saturacin J . A medida que la
tem peratura del ferrornagntico se eleva, su enorga croco a expensas
do la aparicin do los espines inversos. A diferoncia del estado
fundam ental (para T = 0 K ), el de espinos inversos os un estado
excitado. S i el acoplam iento de los espines vecinos se debo a una
interaccin de la form a (10.45), la inversin de un espn requiere un
gasto ad icion al de energa A E uc 4 A S 3. E n otras palabras, a causa
de la interaccin de intercam bio, el estado con momento m agntico
inverso en uno de los nudos de la red no es conveniente desde el punto
do vistn onorgticn. Los espinos vecinos tienden n hacer quo ol espn
uvorso retorne al estado in icia l. L a internecin do intercam bio
conduce con esto a que se inv ierta el espn vecino mismo. Por el
c rista l pasa as una onda de invorsionos do los ospines. La existencia

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382

C a p . 10. P r o p ie d a d e s m a g n t ic a s do

lo s s lid o s

b)

l-'ig. 1 0 .12. Omln do espn;

i. vista la le m i do ln cadena de espinos; !>, vista superior

d oslas ondas fue osla Idee da por ]'. Dlorli on i 1)30 y d ichas ondas
rccliicrott ol nom in e do ondas de espn .
Una e x cita ci n de energa m ucho m enor so origina on el caso
en que lodos los espinos slo giren p arcialm en te. E s la onda de espn
se representa esqu em ticam ente en la fig. 1 0 .1 2 . E n e lla se vc que
Jas ondas de e.spn son oscilacion es de la orientacin re lativ a do los
espines en el c r is ta l. Son sem ejan tes a las ondas e l stica s (fonones).
Las ondas do espn lam inen estn cuantizad ns. E l cnanto de energa
tic la onda de espn se llam a m agnn. Al elevarse la tem peratura
aum enta ol nmero tle niagnones y el m om ento m agntico resu ltan te
del forrom ngnliro dism inuye resp ectiv am ente. Si la densidad de
mngnoncs es pequea, su interaccin m utua puede om itirse y, por lo
tan to , los magnolias pueden considerarse com o un gas perfecto. E l
gas de magunos, lo mism o que el gas de fonones, cum ple la e sta d sti
ca de B o se E in sle in . S i so conocen las propiedades e stad sticas
de los m agunos, se puede h allar la dependencia del nmero de
mngnoncs excitad o s respecto de la tem p eratu ra. R e su lta que el
nmero de magnonos crece con la tem peratura proporcionalm cnte
a T3/'i . Respectivarn n le , la im anacin del ferroinagnlico d ism inuye
proporcionalm cnte a y5*/2:

J (T) = J , 11 -

p (2V6)3/2]

(10 49) _

cuando T <S. 0. A qu J s es la im anacin de saturacin y ($ 1, tm

co eficien te.
La relaci n (10. i!)) se llam a ley Td- de Itlocli. L as m ediciones
realizad as para d eterm inar cm o v a ra ln im anacin de los Jerrom ag n iicos respecto de la tem peratu ra confirm an que la expresin
(10.49) es correcta.
Los m agnonos, lo m ism o que otras cu n sip artcu ln s, hocen aporta
cin a la capacidad c a lo rfic a , a la dispersin do electro n es, e tc.
Una exposicin d etallad a de la teo ra de las ondas do espn se
linee on el libro de S . V. V onsovski, M agnetismo, M osc, 11171

(ed. en ruso).

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1 0 .9 . A n l i f c r r o m a g n e l i s m o

fe r r in ia g n e tis m o

10.9., A ntifcrrom opncl.ism o y foi rim agnotism o

Adem s do los ferrom agnticos existe un grupo grande de subs
tan cias m agnticam ente orientadas, en las cuales los mom entos
m agnticos de espn do los tom os con capas incom pletas estn orien
tarlos an tip aralelam en te. L a orientacin antipnralela de los momen
tos m agnticos de espn, com o ya hemos v isto , se produce cuando Ja
interaccin do intercam bio es negativa (A < 0). L o mismo quo en
los ferrom agnticos, el orden m agntico se m an ifiesta en este caso
en el in terv alo de tem peraturas desde 0 K b asta cierta tem peratura
c rtic a On , llam ad a tem peratura de N iel. S i, siendo antipnralela la
o rien tacin de los m om entos m agnticos localizados, la im anacin
resu ltante del crista l es nu la, se tien e el antiferrom agnetism o. S i en
estas m ism as con diciones no existe una com pensacin to tal del
niomonto m ag n tico, resulta el errim agnetism o. La fig. 10.13 muestra
los diversos tipos do ordenacin m agntica. Los ferrlm ngntieos ms
tp icos son las ferriln s xidos dobles de m etales cuya com posicin
es M O -F o jO j, siendo M un m etal divnlente (Mg2\ Zn2+, Cu2+, N i2+,
F c 2+, M n2+).
L as ferritas tienen estructura c bica del tipo do la espinela
iM gA lj04. L a c eld illa elem ental co n o n o 8 unidades-frm ula, es decir,
32 tom os do oxgeno, 8 tom os del m etal d iv nlente M y 16 tom os
de hierro triv a le n te . Los tom os de oxgeno forman un em paqueta
m iento denso. Considerem os, pur ejem plo, la ferrita de hierro o
m ag n etita (F eO -F cg O ,). L as ocho cavidades o ctad ricas de la c el
d illa elem ental do la m agnetita estn ocupadas por los iones triv a
len tes F e 3+ y en las 16 cavidades tctrad ricas sq encuentran ocho F e 2 +
y ocho F e 3+. Los m om entos m agnticos de los iones triv a le n te s
situados en las cavid ades octad ricas y tetra jlricas son an tip arale
los entre s dos a dos, de m anera que el mome.nto m agntico que se
observa se debo nicam ente a los iones F e 2+ (fig. 10.14).
L a m ayora de los ferrim ag nticos pertenecen a los cristales
inicos, por lo que poseon b a ja con du ctivid ad e lctrica . E n com bi
nacin con las buenas propiedades m agnticas (tilla perm eabilidad
m ag n tica, gran im anacin de satu raci n y otras), sta es una v en taja
im p ortan te en com paracin con los ferrom agnticos ordinarios. E sta
cualidad prccisam enlo es la que perm ite u tiliz a r las ferritas on la

b)

F g . 1 0 .1 3 . O rdenacin do los m om entos m agnticos de ospn:

a , ferro magntica; b, antifcrromagntlca; c, fcrrlmagnlica

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384

C a p . lu . P r o p ie d a d e s m a g n t i c a s d e lo s s l i d o s

luniionu 1 im1 it^di ic j i

S-

5'7
8Fe3<

8Fe7Posiciones

octadricas
lemcntal
magntica

Clula elemental
Qumica

8Fe>

Fig. 10.14. Disposicin osipiemtica

de les momentos magnticos de espn
en ln mognotiU FeO I'e.O.-,

Fig. 10.15. Estructura magntica del

antierromngnliro MnO. Slo se mues
tran los Iones Mu**. Los iones O2no se han representado

tcnica de frecuencias extraaltas, donde hicieron una verdadera

rovoluciti. Los materiales fcrromagnticos ordinarios, con alta
conductividad, no pueden utilizarse 011 esto caso a causa de las
grandes prdidas en corrientes parsitas.
Las substancias en que se produce el ferrimagnetismo compensado
son antifcrromagnticas. lin la fig. 10.15 so muestra como ojemplo
la disposicin ordenada de los espines Mna+ en el antiferromagnlico
ms caracterstico: MnO. La estructura magntica del xido de
manganeso su dclunmii por el mtodo de difraccin de neutrones.
A temperaturas bajas (7' < KJ se observa la orientacin antiparalela
de los momentos magnticos de espn cu planos vecinos (111).
Al elevarse la temperatura, la imanacin do cada una de las
subredesdel antiferromagntico dis
minuyo de tal modo quo a todas
las temperaturas se compensan
entre s los momentos magnticos
de las subredes. Bn el punto de
Nol la imanacin de cada subred so
anula y el antiferromagntico pasa
al estado paramagntico.
L a dependencia de la su scep ti
Fig. 10.16. Dopomloiicia de la susceplibiliilnd magntica <ln m anli-

bilidad m agn tica de un a n liferro m agnlico respecto de la tom peralura t ono la form a representada en
,
f.
, () 1(. Cnnlulo f > ()
|a

forroiiiULnioUco rosiiociu lo lu teuiporulurn

susceptibilidad so desenlio pul' la

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..

10.10. Dominios forroroagnticos

385

l e y <ln C u r io W e is s :

*=

(10.50)

Pora term inar diromos que la interaccin de intercam bio en los

antiforrom agnticos y en los errim agnticos es in d irecta. E n dicha
interaccin p articipan los electrones de los iones m agnticam ente
neutros de oxgeno, azufre y otros elem entos que se encuentran
entre los iones magnticos.

10.10. Dominios ferrom agnticos

Con anterioridad hemos establecido quo en un ferrom agntico,
cuando T < 0, todos los momentos de espn do los tomos con capas
d o / incom pletas estn orientados paralelam ente unos a otros. Como
resultado de esto, la im anacin do la muestra macroscpica dobe
estar prxim a a la im anacin de saturacin. La experiencia muestra,
sin em bargo, que la im anacin de un trozo de ferrom agntico tomado
arb itrariam en te suele ser nula. S i esta muestra se som ete a un campo
m agntico, ol momento m agntico resultante crece y en campos
bastan te dbiles alcanza la saturacin.
La prim era explicacin c u a lita tiv a de este com portam iento de
los ferrom agnticos fue dada por W eiss en 1910, basndose en su
h iptesis sobre la existen cia en el ferrom agntico de regiones de
im anacin espontanea o dominios. L os fundam entos tericos de la
hiptesis de W eiss los sentaron L . D. Landu y E . M; Lffshitz.
W eiss supuso que la muestra m acroscpica del feTromngntico
est dividid a en un gran nmero de dom inios. Cada uno de ellos est
imanado hasta la saturacin , pero sus im anaciones estn d istin ta
m ente orientadas. L a im anacin del cuerpo en conjunto es la suma
vectorial de las im anaciones de los dominios por separado. En la
fig. 10.17 so representan ostrur,turas de dominios cuyas im anaciones
resultantes son nulas.
La domostrncin oxporim ental d irecta do la oxistencia de los
dom inios se obtuvo muchos aos despus. En 1931, N. S . Alclov,
c independientem ente de l F . B itte r , propusieron el mtodo de
observacin de los lm ites de los
dom inios. E l m todo de A k lov
B itte r consisto en lo siguiente. S o
\ - /
bre la superficie pulim entada do la
muestra del ferrom agntico se ex
I
1
tiende una solucin coloidal de
polvo ferrom agntico fino y so ob
servan al microscopio las figuras
que se form an. L as partculas do pg 10.17. Muestra ferromngntica
polvo ferrom agntico so concentran
con imanacin rosultnnio nulo

25-01147

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386

C ap.

1 0 . P r o p io d n d o B m a g n t i c a s d o l o s s l i d o s

a,

H =0;

F ig . 10.18. Procoso de im anacin de un fenromagnlico:

b . d esplazam iento de lees lim ite s de Jos dominios; c , proceso de ro ta ci n ;

d, cu rva de im anacin (I. desplazamiento reversib le de Joa limites; I I , d esplazam iento

Irrev ersible; I T1, proersos dr ro ta ci n : I V , p.un proceso)

a lo largo do lns lneas quo sirven de lm ites a los dom inios. E n ln

actualid ad tam bin su utilizan para observar la estructura de domi
nios mtodos basados cn Jos efectos de Farnday "(rotacin del plano
de polarizacin de la luz al pasar sta a travs de una muestra ferrom agntica) y do K err (rotacin dol plano de polarizacin de la luz
al reflejarse sta en la muestra im anada).
A dvertim os que la divisin del ferrom agntico en dominios cs
anloga a Ja divisin en dominios de los ferroolelricos, sobre la
cual so liabl en el cap. 8. Tam bin se forman dominios en los a u liferrom agnlicos, antiforroelctricos y superconductores.
La im anacin do una muestra erromagn tica, con momento
m agntico resultante nulo siendo H = 0 , se produce a expensas do
la variacin de la forma y orientacin de los dom inios (fig. 10.18).
En los cam pos dbiles se obsorva un aum ento del volumen de los
dom inios situados ventajosam ente con respecto al campo exterior,
u expensas de los dom inios orientados desventajosam ente, es decir,
se produce un proceso de des plaza m i tilo de los lm ites do los dominios.
E l proceso do im anacin en campos dbiles es reversible. Si el campo
e xterio r so elim ina, los dominios recobran su forma y dim ensiones
in icalas. E l aumento de la intensidad del cam po hace quo el creci
m iento de los dom inios orientados ventajosam ente se efecto tam
bin a expensas de procesos irreversibles. Al desplazam iento rever
sib le do los lm ites de los dominios pueden oponerse, por ejem plo,
los defectos de la estructura crista lin a . Para vencer su resistencia
la pared dol dominio debe recib ir del campo e x te rio r una energa
bastante grande. S i despus el campo im anante se elim in a, los defec
tos impiden (pie los lm ites de los dom inios vuelvan a la posicin
in icial. Los procesos do desplazam iento irreversible do los lim ites
do los dom inios condicionan el electo de /iarkhau sen , consistente on
que cuando la tensin del campo aumenta gradualm cnto, el valor
(lo J crece en el ferrom agaelIco no con suavidad, sino a salto s
(fig. 10.18, d).

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10.10. Dominios ferromagnticos

387

Kn ln regin <le los c m u |><ks iln intensidad elovadn ln imanacin

.ve efecta a oxpansas dol giro de las imanaciones do los dominios
hacia la direccin del campo. Con esto la imanacin tiendo paulati
nam ente a la llam ada saturacin tcnica (tramo I I I ) . Una vez alcan
zada dicha saturacin se observa un crecim iento muy lento de la
im anacin. E sto se debe a que, cuando r ^ O K , no todos los espi
nes, dentro de los dominios, tienen orientacin rigurosamente para
lela. En los campos muy intensos se logra ln orientacin paralela
de los dominios magnticos. E ste proceso recibe ol nombro de paraproceso.
,
La teora de los procesos de desplazamiento fue elaborada en
1038 por E . 1. K ondorski, y la de los procesos de rotacin, por N. S .
Aklov.
Supongamos quo la muestra est imanada hasta la saturacin,
Vam os a intentar desimanarla disminuyendo paulatinam ente el cam
po exterior hasta cero. La variacin de la imanacin no seguir
ahora la curva que se observ durante la imanacin de la muestra
(fig. 10.18, d). A causa de que tuvo lugar el desplazamiento irre
versible do los lm ites de los dominios, cuando H = 0 se conserva
cierta imanacin J n , llam ada remanente. Para conseguir que la ima
nacin sea nula hay que aplicar un campo desimanador Hc, denomi
nado fuerza coercitiva. Cuando el campo H alcanza grandes valores
negativos, la muestra so imana liasta la saturacin en sentido con
trario. E l ciclo do reiinanacin completo cuando ol campo vario
desde H basta H, describe el bucle de hislcresis representado on la
fig. 10.2.
La fig. 10.18, d, en la cual so representa parto dol bucle de histrosis, muestra claram ente que el proceso de desimanacin se retrasa
respecto de la disminucin dol campo. Esto significa que a energa
recibida por el fcrroniagnlico durante la imanacin no es cedida
totalm ente en el proceso do desimanacin. Parlo de la energa so pier
do. Vuinos n hallar ol valor do la onorga perdida. Supongamos quo
cuando ora H = 0, la muestra no estaba imanada (es decir, ora J =
= 0). L a energa magntica acumulada por la muestra al aumentar
el campo desde H = 0 hasta H = H, se determina por la expresin
(10.51)
o
en la que J es ln imanacin alcanzada con el campo H ,. La energia
to tal acumulada es proporcional al rea de la parle rayada en la
ig . 10.19, a. Cuando el campo disminuye hasta cero, la curva J (H)
marcha como murslra la fig. 10.19, b. Ln energa quo so desprende
durnnlu ln desimiinncin es proporcional al rea do la parlo rayada
en dicha figura. La diferencia entre estos dos reas, es decir, el rea
rayada en ln fig. 10.19, c. es proporcional a la energa que queda en
25

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388_______________Cjiji. 1(1. Propiedades m agnticas do los slidos

Fig. 1 0 .1 9 . Esquemas pura ol clcu lo de los prdidas do energa al inverLir el

miigiiolsmo dol forroinngntico:
a

, e n e r K n q u e A d q u ie re e l f c r r o m n a n i H l c o a l I m a n a r ? ; b , e n e r g a q u o a c d e s p r e n d e a l d e s niiiiiitrsc: , r u o r u ln pordiiln

ol forromngnl ico. U aznim rnioiilos anlogos pueden referirse a otros

tram os del bucle du h istresis. P or lo tan to , el bucle d eh istresis
es una ca ra cte rstica muy im portan te de los m ateriales ferrom agntico s, ya quo perm ito ca lcu la r Jas prdidas de energa en los opuratos en que se u tilizan estos m a te ria le s.
P o r la form a dol bucle quo h istresis, lodos los m ateriales m agn
ticos so puoden d iv id ir en dos grandes grupos: m agnticam ente bla n
dos y m agnticam ente duros. A los m ag nticam en te blandos pertenecou los m aloriales quo lioiion valores b ajo s do la fuerza co ercitiv a
(Hc < 8 0 0 A/m), y a los m agnticam en te duros, los m a te ria le s cuya
fuerza co o rcitiv a es grande (Hc > 4 kA/m). L os m ate riale s m agn
ticam en te bland os se u tilizan p rincipalm ente para hacer ncleos do
transform adores, y los m agnticam en te duros, para fa b rica r im anes
perm anentes.
;
P o r qu so form an los dom inios fcrrornngnticos? A osla pre
gunta dieron respuesta Laudan y L fsliilz , que dem ostraron que la
form ncin de la estru ctu ra de dom inios es consecuencia de que en la
muestra ferrom agntica existo com petencia entre las ap ortacion es a
la energa lo la l dol cuerpo. L a energa to ta l E del fcrrom agntico so
com pone de: 1) la cncrgia do in tercam bio ,nl; 2) la energa de la
anisolropn m agntica cristalo g rfica E DT\ 3) la energa de d eform a
cin m ag n elo slricliv n
4) la energa m ag n elo elstica E\ 5) la
energa rnugnclosll <a A m.c. ; C) la energa m agntica E maB. De esta
forma

E A|| -f- cr -f- Ax -|- E a - r E m.e -1- A ,n1g.

(10..>2)

E n erga de intercam bio (o de c a n je ). Se d eterm ina por la exp re

sin (1 0 .4 5 ). E l m nim o do energa de in tercam bio corresponde en el
fcrrom agntico a l oslado de im anacin hom ognea.
E nerga de la anisotropa m agntica cristalo g rfica. E l an lisis
do las curvas de im anacin do los m onnrrialnlos feiTomngulic.os
m uestro que en olios e xisten direcciones (o ejes) p riv ilegiad as o de
im anacin f c il y d irecciones no priv ilegiad as o de im anacin d ifc il.

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10.10. Dominios fon-omagnticos

389

As, por ejemplo, ln direccin

11001 on los cristo les cbicos de
11ierro os ol ojo do ininiincin
fcil, y ln [1111, cl ojo de ima
nacin d ifcil (fig. 10.20).
I.n nnlnrnlczn fisin do ln
nnisntropia magntica fue establccida por vez primera por
S. N. Aklov. En on cristal ferromagntico existen interaccio
Fig. 10.20. Forma aproximada do las
nes que orientan la imanacin curvas
do imanacin de un monoeriaa lo largo de determinadas di lal do hierro en distintas direccionos
recciones cristalogrficas (ejes
de imanacin fcil). A esto
conduce la superposicin de las rbitas electrnicas: los momentos
de espn interaccionan con los orbitales debido a la existoncia del
acoplam iento espn-rbila, y los momentosorbitales interaccionan
a su vez con la red cristalin a a expensas de los campos electro stti
cos que hay en ella y do la superposicin de las funciones de onda de
los tomos vecinos.
Energa de la deformacin magnetostricliva. Se llama magnetostriccin la variacin de las dimensiones do un cuerpo al imanarlo.
P or ejem plo, ol nquel al imanarlo hasta la saturacin se contrao en
la direccin de la imanacin y se dilata on la direccin transversal.
El hierro, al contrario, en los campos dbiles so dilata en la direc
cin de la imanacin. La magnitud Ai/i = Xa se llama constante de
magnetostriccin (aqu Ai es el incremento de la longitud de la muestra
al imanarla hasta la saturacin y l, su longitud inicial). La energa
de la deformacin m agnclostrictiva es

E\ = W 2 ,

(10.53)

donde E y es el mdulo de Young. El efecto inugnetostrictivo os re

versible. Esto significa que, si las dimensiones de la muestra ferrom agntica varan al im anarla, su imanacin tambin vara cuando
bajo la accin de otros esfuerzos cambian dichas dimensiones.
Consideremos como ejemplo la influencia de los efectos magnelostrictivos sobre la estructura de dominios dol hierro. En ste jo s do
minios estn imanados hasta la saturacin a lo largo de las direccio
nes tipo 11001. Debido a la magnotoslriccin, estos dominios estn
algo alargados en la direccin de la imanacin. Supongamos que esta
imanacin coincide con el eje 1100], Entonces tos dominios estn algo
comprimidos en las direcciones transversales [0101 y [0011, Dos
dominios contiguos con los vectores imanacin dirigidos en sentidos
opuestos (11001 y 11001) no poseen energa elstica, ya que en ellos
las l , son iguales (fig. 10.21, a). La energa do la muestra ferromagntira, ropresonlndn en ln fig. 10.21, a, disminuye n i formarse ol do-

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390

C ap.

10. P r o p i e d a d e s m a g n t i c o s d o l o s s l i d o s

minio t'i) forma ilo prisma trian

gular <|IM! cierra el flujo magnlico (fig. 10.21, ). E slc do
minio est imanado on direc
cin perpendicular n la imana
cin de los dos primeros domi
nios, es decir, segn el eje 1010).
Por eso tiendo n alargarse en la
direccin 10101. De osta forma,
en el dominio que cierra el flu
Fig. 10.21. Estructura do dominios
jo se concentra ciorla reserva de
do un forromagntico
energam agnetoelslica. E sta ener
ga es proporcional al volumen
de dicho dominio. En la fig. 10.21, c so muestra una estructura de
dominios on la cual, a expensas do la disminucin del volumen de
lo.s dominios que cierran los flujos y de la form acin do nuevos do
minios planos, la energa m agnetoelstica ha disminuido. Pero osta
estructura poseo ms enorga de los lm ites do los dominios. S i los
dems factores no ejercen influencia im portante, se forma un n
mero do dominios con el cual se consigne el m nim o de la suma de
estas dos energas.
Energa niagiictosllica. Se determina por la expresin

E m.t = m>AV/V2,

(1 0 .5 4 )

en la que NA es una magnitud llamnda (actor de desim anacin. La

aparicin de la energa E m r so doho a que cuando oxislcn polos l i
bres surge un campo desimanante. La energa m agnetosltica dism i
nuyo si ia muestra so divido cu dominios an lp aralelo s imanados.
E l valor de E mr puedo dism inuir prcticam ente hasta cero si se
forman dominios que cierren los flujos m agnticos dentro do la subs
tancia fcrromagnticn.
Energa m agntica. Es la enorga dol forromagntico on ol campo
m agntico exterio r 11:
fim ag = - P o ( J - H ) .

(10.55)

Al mnimo de la energa lolu l del ferrom agntico (10.52) corres

ponde no la configuracin saturada, sino cierta estructura de domi
nios.
Los dominios estn separados unos de otros por lm ites cu los
cuales se realiza el cumbio de orientacin de los espines. La estruc
tura del lm ite , llamado tambin pared de JHoch, desempea un papel
im portante en los procesos de im anacin. E l giro com pleto de los
espines desdo la direccin que tienen en uii dominio basta la que ad
quieren 0 1 1 e l dominio vecino lio puedo ofeelluirse de salto en l i l i plano
(ig. 1U.22, a). La formacin de un lim ite tan brusco ocasionara
una prdida muy grande de energa de intercam bio. Pero si la rola-

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391

1 0 .1 0 . D o m i n i o s f e r r o i n n g n l i r o s

HW H
t ttl H
t M H I
Ht!*H

\IU

tltjiH
ai

\*h

Fig . 10.22. V ariacin del sentido de los espines on ol lm ite do los dominios
(pared do Bloch).
L a p e r d id a de e n e r g a de I n ic r e n m b lo e s m e n o r e n n n lim i t e (u e nlm ri|uc m u ch o s p la n o s a n
m ic o s (b )

cin de los espines se realiza paulatinam ente y abarca muchos planos

atm icos (ig. 10.22, b), la prdida de energa de intercam bio es menor.
Supongamos que ol giro del ospn est distribuido entre n planos.
E n este caso, al pasar a travs
dela
pared
de B loch , las direc
de losespino3 vecinos difieren en un ngulo it tn. De acuerdo con(10.45),
la energa dointercam bio de dos espines contiguos tiene no ei valor
m nim o ^152,
sino que es igual a .AS2 eos (n /n). Como el giro
com pleto dol espn cu 180" se efecta on n pasos, para oso se necesita
un gasto de energa
A

= n \A S 2 eos (n/n) -

( - / 1 S 2)].

(10.56)

S i el numero n es bastante grande, resulta que eos (n/n)

n 2/(2n2), y entonces
A l n t - | - , 4 S 2.

(10.57)

E ste v alo r es 2n/n2 veces menor que la prdida de energa en el

caso del giro brusco (como en la fig. 10.22, a). E l espesor de la pared
de B lo ch aum entara ilim itad am ente si no se lo im pidiera la anisotro p a m agntica. En la pared de B lo ch la inmensa m ayora de los
espines estn orientados no a lo largo del oje de imanacin f cil.
Por eso la parle de la energa anisolrpica, relacionada con dicha
pared aum enta aproxim adam ente de un modo proporcional a su
espesor. E l balance cutre la energa de intercam bio y la energa onisolrp ica determina el espesor de la pared del dominio. En el hierro
este espesor es aproxim adam ente igual a 300 constantes de la red.
ltim am ente, con m otivo de la m icrom iniaturizacin do los
aparatos radioelectrnicos, so presta gran atencin al ostudio, y a su
omploo para procesar inform acin, de estructuras de dominios espe
cficas (dominios magnticos en bandas, cilindricos (DMC) y otros
m uchos). D urante largo tiem po in m icrom iniaturizacin do los ele-

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Caji. 10. P ropiedad es m a g n tica s do los slidos

F ig . 1 0 .2 4 . E s tru ctu ra do d om in ios

do una p e lcu la u ltra c rtic a .
Los dominios en bandas, rayados y en b lan
co , estn Imanados en sentidos opuestos
(perpendiculares a la pelcula)

m en tos y a p a ra to s m a g n tico s fue a la zaga do la m ic ro m in ia tu riz a ci n do los ap a ra to s sem ico n d u cto res. P ero en los ltim o s aos se lian
lograd o grand es x ito s en este c a m p o . sto s se deben a la p o s ib ili
dad de u tiliz a r un d om in io m a g n tico n ico com o p o rtad o r e le m e n ta l
de in fo rm a ci n . P or lo g en eral este p o rtad o r do in fo rm aci n su ele
sor un ncloo to ro id a l de fe rrita , o sea, un D M C , al c u a l, en d e te r
m in ad as co n d ic io n e s, so le da la fo rm a de l m in a s m o n o c ris ta lin a s
o de p e lcu la s do c ie r ta s fo rrita s.
Ln e stru c tu ra de d o m in ios de la s p e lcu la s fe rro m a g n tica s d e l
gad as es m u y o sp o cfirn . E l c a r c te r de los d o m in ios y do ios lm ite s
oritro e llo s depende m u ch o d el grosor de la p e lc u la . C uando el espesor
os p eque o, (lobido a que el fa c to r do d esim an aci n es m u ch as veces
m en or en el p lan o do Ja p e lcu la que en d ire c c i n n o rm al a l, la
im an acin se sit a p ara le la m e n te a d icho p lan o . E n e ste caso 110 se
form an d om in ios en sen tid o s opuestos de im an acin en e l espesor de
Ja p e lcu la . L a e stru c tu ra do d om in ios en e ste caso puede ser sem e
ja n te a ln rep resen tad a en la fig . 1 0 .2 3 . E n las p e lcu la s , cu yo esp esor
es m ay o r que c io rlo v a lo r c r tic o d c , es p o sib le la fo rm aci n de d o
m in io s de co n fig u raci n e,n b a n d a s. L a p o lcu la so d iv id e en d o m in io s
estrech o s y largo s cu y a an ch u ra puede ser desde una fra c ci n de m ic r m e lro h a s ta v a rio s m icr m e tro s, con la p a rtic u la rid a d de que los
d o m in ios v e cin o s estn im anad os en sen tid o s op u esto s a lo larg o de
la n o rm al a la su p erficie (fig . 1 0 .2 4 ). E sta s p e lcu la s m a g n tic a s se
lla m a n su p o rcrlico s. E l esp esor d c o sc ila en tro los lm ite s de 0 ,3
n 10 p m .
Ln a p lic a c i n de un cam p o m a g n tico o x le rio r d irig id o perpeud ic u ln rm e n te ni p lan o lo la p e lcu la con los d o m in io s en b and os hace
quo v aren la s d im en sio n es y la form a de lo s d o m in io s. C uando au
m en ta el c a m p o , d ism in u y o ln longitu d de los d o m in ios on b an d as y
d espus ol d o m in io m s pequeo so tran sfo rm a en c ilin d r ic o . E n c ie rto
in te rv a lo de v a lo re s del cam p o m a g n tico e x te r io r , en la p e lc u la

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10.11. R esonancia inagnlirn

puedo h aber ta n to dom inios en bandos como DMC. S i el cam po sigue

inmumtnnd, ol ilintnolio do los DMC. dism inuyo v los dom inios on
bundiis quo an (|iiodan su convioi'lcn on cilin d rico s. Los DMC puoden
desaparoc.or ( tcolapsarse ) ni llo g n re l cam po a un do term inad v alor,
y do calo modo toda ta p elcu la so im ana hoinogiioam cnto. Los DMC
so observaron por prim era v o z on pelculos do n r l n f o i T i l n s , su b stan cias
cuya frm ula q u m ica es R K e 0 3, siendo H un elem ento de tie rra s
raras.
L os DMC se pueden u tiliz a r para croar m em orias y d ispositivos
lgicos. E n este caso la e x iste n cia de un dom inio en un punto dado
de la p elcu la corresponde al v alo r 1, y su ausencia, al v alo r 0.
P ara poder nlm nccnar y tra n sm itir la inform acin valindose do
DMC liay quo sabor lorm ur los dom inios, alm acenarlos, traslad arlo s
a un punto dado, f ija r su prosoncia o ausencia (es d ecir, leer la in
form acin) y , tam bin , destru ir los DMC innecesarios. Los inv esti
gaciones y tra b a jo s realizad os on esta direccin perm itieron u tiliz a r
los d isp ositivos con ncleos toroidales de ferritas com o elem entos
bsicos fu n d am entales en ios ordenadores de las nuevas generaciones.

10.11. R eso n a n cia m agn tica

St> llam a resonancia m agntica a la absorcin selectiv a (de re
sonancia) de la en erg a de un cam po electrom agntico a ltern a tiv o
jo r los su b sistem as electr n ico o nu clear de una substancia que se
uicueulra en un cam po m agntico perm anente. L a absorcin est
e lacio n ad a con las tran sicio n es cu n ticas entre los niveles de energa
iiscreto s, que surgen ou esto s subsistem as b ajo la accin del cam po
nagntico perm anento. A con tin u acin vam os n estu diar dos tip os
le resonancias m ag n ticas: la resonancia p aram agn tica electrnica
U P E ) y la resonancia m agn tica n u clear (RM N ).
R eso n an cia param agntica c le clr n ica . Se observa on todas la s
u bstancin s en que e xisten electrones no acoplados (no com pensados),
ara esclarecer la natu raleza fsic a de la R P E vam os a consid erar un
tom o (o ion) aislad o, poseedor de m om ento m agntico resu ltan te,
'uando a un tom o con m om ento to tal do im pulso (o angular) j
e superpone un cam po m agntico e x te rio r H 0 se produce la cu an tiacin del m om ento m agntico del tom o. Cada nivel con nmero
un lico j determ inad o so dcscompono en 2 j + i subm veles de disin to s v alo res del nm ero cu n tico m agntico
(desdoblam iento

e Zeem an):
E n, g l W o f f 0m j.

(1 0 .5 8 )

qu g es ol fa cto r do Lando y ^ m ^ j. E n el caso ms sim p le,

uainl se tra ta do un m oinonlo do uspn puro, g 2. Para el molen to o rb ita l, g = 1.

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Cap. 10. Propiedades m agnticas to los slidos

/ii (li.stmirin ruin dos siilm iv rlrs cqu id sl aillos os

~ t'|iu|i0//o-

(i.r>)

Unjo I accin de un campo m agntico alternativo de frecuencia v,

en tre lns suhnivclcs son posibles las transiciones cunticas. L as re
glas de seleccin para el nmero cuntico magntico (A nij 1)
slo perinilcn las transiciones entre subniveies vecinos. Por lo tanto,

hv = AE, = gpB|i//0.

(10.G0)

S i la frecuencia v es lal que la condicin (10.G0) se cumple, se observa

una inlensa absorcin tic energa del campo electrom agntico. La
frmula (10.G0) es la condicin de resonancia magntica elem ental del
tomo (o ion). L e (1 0 .G0) so sigue quo para loscam pos H a que se suelen
utilizar en los experim entos, cn los cunlcs i//o 1 T , la frecuencia
do resonancia es do, aproxim adam ente, 30 000 MHz, a lo que co
rrespondo una longitud de onda de w lO "! m.
Pasemos ahora do la partcula pnrnmagnclioa aislada a un cuerpo
macroscpico que contenga un gran nmero de estas partculas. En
osle caso tiene im portancia no slo la existencia de muchos mo
mentos magnticos, sino tambin el quo stos interaccionan entre
s y con el medio circundante. E stas interacciones conducen al esta
blecim iento dol equilibrio Icnnodinm icu si ste, en virtud do causas
cualesquiera, resulta alterado. L as interacciones en el interior del
paran)agnlico influyen tambin en la forma dol espectro energ
tico que surge bajo Ja accin dol campo //. Do no ser por esta in
fluencia, cl sistem a do niveles de energa se determ inara, como antes,
por la frmula (10.58) y slo existira una raya de absorcin, defi
nida por la relacin (1 0 .G0). Sin embargo, cn muchos param agnclicos,
y especialm ente en aquellos cn que cl magnetismo no es puramente de
espn, el sistem a de subniveies m agnticos deja de ser equidistante.
A causa de eslo, on vez do una raya de absorcin surgen varias. En
este caso se dice quo so m anifiesta la estructura fina dol espectro de
resonancia pnrnmagnlica electrnica. H ay que indicar tambin
quo, debido a la iiilorarrin interna pueden variar lns reglas de selec
cin. Se hacen posibles las transiciones no slo entro los niveles de
Zccm an contiguos. Todo esto com plica mucho la forma del espectro
de J tP E . Sobre el espectro energtico ejercen tam bin gran influen
c ia los campos elctricos interiores debidos a que cl m aterial no sea
homogneo, a los defectos de la estructura, a las impurezas, etc.
E l fenmeno de la U PE fue predicho por Y a . G. Dorfman eu
1923 y descubierto e.vpcrimciilalmcnto por E . K . Zavoiski en 1944.
En la actualidad la II PE se utiliza como uno de los mtodos ms po
derosos para el estudio de los slidos. Sobro la base de la interpreta
cin fio los ospcclros do ItP E so oblicuo informacin acorra fio los
d e fe r io s c im p u re z a s en los slidos y on la estructura electrnica,
sobre los mecanismos do las reacciones qum icas, etc.

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ld .ll.

H r s o n m ic ia

n m g n c lir a

Flasonancia magntica nuclear. Su (la este nombre n la absorcin

.li'rtvil di' la i'iiiign ili>l campo i'li'd roinnjiii'l ico rnlm'biiimlu n>n
las transiciones m n lcu s un ol subsistema nuclear du una substancia,
quo su oucuojilni on mi i'.niiipu magntico pcrmanento. Un ncleo
atm ico con nionieiiln / d istinto de coro, .loado on un campo mag
ntico //, tambin u.\|ieriiueiilu la cnaiiti/acin espacial, dada nivel
de energa se dcscoinpuno en 21 -f 1 subnivcles du energa
E = gnH-i.mtfo i -

(10.61)

Aqu, j i = |e | /i/(4rcM) es el magricln nuclear de Bolir y A/, la

masa del ncleo.
La absorcin de energa dol campo elcclrom ngnliro do frocuonria
v empieza cuando se cumple la condicin
hV = gnPnPo/70,

(10.62)

anloga a la condicin (10.60) para la H PE. Como ln masa dol ncleo

es aproxim adam ente I0:l voces mayor quo la masa dolelectrn,
p 10"3pB- E slo conduce a quo la frecuencia de la RMN sen no
tablem ente menor que la recuoncia de la U P E . En ol caso de un pro
tn, por ejem plo, en un campo de p0/fn = l T , la frecuencia es de
4 2 ,6 M liz.
El mtodo do la RMN so emploa muclio no ou la fsica dol slido,
sino en qum ica orgnica, en la que principalmente) se u tiliza con efi
cacia para estudiar la estructura de las m olculas complejas.
En los slidos pueden ex istir, ndoms de la U PE y de la RMN,
otros tipos de resonancias m agnticas, como la resonancia ciclotrnica, la resonancia ferroinagntica electrnica y la resonancia antiferromngntica electrnica. Una descripcin detallada de estos fen
menos se puede ver en cl libro de S . V . Vousovski, Magnetismo,
Mosc, 1971 (ed. en ruso).

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Captulo l

P ropied ad es fsic a s

de los slidos am orfos

D u ran te los ltim o s aos so e st d esarrolland o e x tra o rd in a ria

m ente la fsica tle las su b sta n cia s no c ris ta lin a s , a las cu ales perte
necen los m e ta le s y sem icond u ctores lq u id o s, ol v id rio , las a le a c io
nes m e t lica s a m o rfa s,o to . 151 rasgo c a ra c te rs tic o fu n d am en tal de
un c ris ta l os que Jos to m os o m olcu las que lo co n stitu y e n form an una
estru ctu ra ord enad a, con periodicid ad de orden le ja n o . E n v irtu d de
las sim p lifica c io n e s m a te m tic a s, re la cio n a d a s con e sta propied ad,
los fenm enos fsico s 011 los slid o s c ris ta lin o s fueron bien com p ren
didos in m ed iatam en te despus do la creacin de la m e cn ica cu n
tic a .
L a inm ensa m ay o ra de las su b sta n cia s que nos rodean son s is te
m as no ordenados, es d ecir, en los cu ales no e x iste orden le ja n o , pero
s orden p rxim o 011 la d istrib u ci n do los tom os. E sta s su b sta n cia s
se lla m a n am or ja s, no cristalin as o no ordenadas. E n tro la s su b sta n
c ia s no ordonndas Itay algu nas quo poseen propiedades m e cn icas
sem e ja n te s a las de los slid o s c ris ta lin o s . L a s su b sta n cia s no c r is
ta lin a s 011 las cu ales el c o e ficie n te do v iscosidad de co rte os m ay o r quo
1 0 1'1 1 0 u N -s/m 2 suelen llam arse slidos am orfos (el v a lo r tp ico de
la v iscosidad para los lq u id o s cerca de la tem p eratu ra de fusin
es de fO "3 N -s/m 2). N um erosas in v estig acio n es e x p e rim en ta le s lian
d em ostrado que los slid o s am oros, do un m odo sem e jan te a los
c ris ta lin o s , puoden ser d ie l ctrico s, sem icon d u cto res y m talo s.
L a e x is te n c ia de los m etales, sem icond u ctores y d ie l ctric o s se
e x p lic a , com o ya sabem os, por ia teo ra de las band as on los slid o s,
to ta lm e n te fu n d am entad a en la e x iste n cia del orden le ja n o . E l des
c u b rim ie n to do que las su b sta n cia s am orfas pueden ten er las m ism as
propied ades e l c tric a s que los c ris ta le s in d u jo a reco n sid erar e l papel
de la p eriod icid ad . En 1HS0, A . F . lo ffe , y A . R . R g u el lanzaron la
idea de que la s propiedades e l c tric a s de los sem ico n d u ctores am orfos
no se deben aL o rd en le ja n o , sino al p r xim o. S o b re la base de esta
idea se d esarro ll la teo ra de los m a te ria le s no ordenados que ha
perm itid o com prend er m u chas de las propiedades de la s su b sta n cia s
no c r is ta lin a s . Una gran ap o rtaci n al d esarrollo do la fs ic a du los
slid o s am orfos so (labe a los c ie n tfic o s so v i tic o s A . F . lo ffe , A. II.
R g u e l, 13. T . K o lo m e tz , A . i . Ciubnov, V . L . B o n ch -B ru i v ich

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11.1. ICslriictiira do los slidos amorfos

3117

y otros. Gubnov fue e) primero on dar un fundamento terico a la

npliniliiliilm l di' las losis |irin<'ipnlos do ln teora do las liudas n tas
substancias no ordenadas.

11.1. Estructura de los slidos amorfos

Los datos sobre la estructura de las substancias amorfas se ob
tienen por lo general de experimentos de difraccin de rayos X o
de electrones. Vamos a introducir el concepto do densidad p (r) de
tom os a la distancia r del tomo inicial. E l nmero de tomos en
una capa osfrica de espesor dr a la distancia desdo r hasta r -j- dr
de c.ierlo tomo inicial es igual a nr2p (r) dr. Esta expresin recibe
el nombre do funcin de distribucin radial de los tomos. La funcin
4jir*p (r) dr tiene mximo3 a las distancias correspondiontos a las
interatm icas. El rea que hay debajo de cada punta de la curva de
la funcin de distribucin radial determina el nmero de coordina
cin. ,
En la fig. 11.1, como ejem plo, se da la curva de la distribucin
radial para el silicio amorfo obtenida por S . Moss y D. Grachik.
En la misma figura se muestra la curva correspondiente ol silicio
cristalin o. Los nmeros de coordi
nacin z(, las distancias medias r,
4 n r J p (r )
dol tomo dado a un tomo de la
esfera de coordinacin nmero i,
as como los cuadrados medios de
la desviacin (i? del tomo t-simo
de dicha esfera respecto de su posi
cin m edia, hallados por los datos
reprosentados en la fig. 11.1, se
han agrupado en la tabla 11.1, por
la cual puede verso que las primeras
esferas de coordinacin son prc
ticam ente iguales en el silicio amor
fo y en el cristalin o. L a segunda
esfera de coordinacin oii e l s ili
cio amorfo est menos claram ente
determ inada: el valor p es aqu
mucho mayor que en el m aterial
cristalin o. L a diferencia ms evi
dente entre la estructura del silicio
amoro y la del cristalino os la
com pleta desaparicin del tercer m
ximo de coordinacin de la curva
F ie. 11.1 Curvas de distribucin
de distribucin radial del amorfo,
radial para el silicio rimarlo (linca
prosonto en la correspondiente de to trazos) y para el silicio crista
lino (linca continua)
pendencia p (r) para ol cristalin o.

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398

Cap.

II.

P r o p ie d a d e s f s i c a s d e lo s s lid o s a m o r f o s

F ijj. 1 1 .2 . R slrn rliirn s do un c rista l (a) y do nn slido am orfo (b)

E n o irs palabras, la estru ctu ra del silicio am oro so caracteriza

por tenor ol m isino orden prxim o quo la estructura del cristalin o,
pero la regin en que so conserva el orden prxim o riguroso se lim ita
nicam ente a la prim era esfera do coordinacin. U na situ acin an
loga tiene lugnr cm o irs su bstan cias am orfas.
Tabla 11.t
Silicio aioorfo
1

1
2

'<

4 ,o n ,i

it,fio,r>

r , 1l l - fc piii

2 .3 5
3 ,8 8

Silicio cristalino

a?

'1

i j, 10-8 cm

0,014
0,0 5 1

2 ,3 5

12

3 .8 0

a?

0 ,0 1 0
0 ,0 2 0

En 10112 W . Zacb a liasen propuso la idea de que los tom os en el

slido amorfo se encuentran form ando una red tridim ensional con
tin u a, parecida n la red c ris ta lin a del correspondiente c ris ta l. Pero a
diferencia de osla ltim a , dicha red es irregu lar: cada una do sus c el
d illas est un puco deform ada. L as alteracio n es casu ales do las longi
tudes de los enlaces y de los ngulos onlre ello s, acum ulndose poco
u poco, ocasionan la d esaparicin del orden lejano. Con esto, por
ejem plo, en la estructura lotradrica cada tom o, lo m ism o que
antes, se encuentra en el cen tro de un tetraedro deformado aleato ria
m ente. L a desaparicin del orden lejan o puede estar relacionad a,
adem s, con la rotura de los enlaces y con las altoraciones del orden
debidas a flu ctu acion es casu ales do la com posicin (desorden en ln
com posicin de los com puestos amorfos). En la fig. 1 1.2 se represen
tan esqu em ticam ente las estructuras de un slido c rista lin o y otro
am orfo.
O tra representacin algo d istin ta do la estru ctu ra do los slidos
am oros fue d esarrollada por A. A. Lbedev. ste supuso que las
su bstan cias no c ris ta lin a s estn form adas por dim in utos c ris la lito s
o regiones en que la ordenacin do los tom os es m xim a.

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11.2.

E s p e c tr o

e n e r g tic o

11.2.

de lu

s lid o s

na cristalinos

Espectro energtico

lo lo s s lid o s no c r i s i s lin o s
Numerosos linios exporimonlides, obtenidos en )n nrlnnliilinl,
muestran la existencia en los slidos amorfos, lo mismo que en los
cristales, lo regiones pene lillas y prohibidas <lol ospoCI.ro enorg
tico, es decir, de bandas permitidas y prohibidas. Pero en la banda
prohibida de las substancias amorfas hay algunos estados, perm iti
dos, parecidos en parlo a los niveles locales ordinarios de los slidos
cristalin os, debidos, por ejem plo, a impurezas o n defectos. Al mismo
tiem po los experim entos dan base para afirmar que los niveles que
se encuentran en ln banda prohibida de un m aterial no cristalino
pueden deberse no slo a tomos de impureza, sino tambin a otras
causas relacionadas con la estructura de la substancia dada.
A s, la experiencia demuestra con bastante precisin que, a pesar
de la ausencia en las substancias amorfas del orden lejano, aunque
slo sean, algunos rasgos aislados de la teora de las bandas conservan
su sentido en ellas. Al mismo tiempo, en virtud de la ausencia del
orden lejano on los sistem as considerados, los estados con valores
dados del cuasiimpulso no son estacionarios. En esencia esto sig
nifica que la dispersin de los portadores de carga en el campo aperi
dico es ton intensa que el cuasiimpulso no se conserva ni siquiera
aproxim adam ente. Por eso deja de tener sentido ln idea de la ley
de dispersin como relacin funcional entre la energa y el cuosiimpulso. Esto significa que en el caso de los slidos 110 ordenados os
imposible Introducir el concepto do superficie ele Ferm i. En ellos
tampoco puede introducirse el concepto de zonas de Urilloiiin. Todos
estos conceptos, como sabemos, tienen mucha importancia en la teora
ordinaria do las bandas en el slido.
En estas condiciones hay que esclarecer ante todo qu conceptos
relacionados con e l cristal conservan su sentido y son aplicables a
los sistem as no ordenados. Uno de estos conceptos, aptos tanto para
las substancias cristalin as como para las no cristalinas, es el de den
sidad de estados N (E). Fue introducido ya en la teora elemental
del gas perfecto y, como liemos visto, ,se utiliza ampliamente en la
fsica del slido. La magnitud N (E) IE es el nmero de estados en
el volumen unidad, permitidos para un electrn de ospn determi
nado cuya enorga se encuentro en ei intervalo de E a E + <\E. En las
substancias amorfas los estados pueden estar ocupados o libres y et
producto N ( E ) / (E ) dE es ol nmero de estados ocupados en el volu
men unidad. Aqu / (E) os la funcin do Ferm i Dirac:
( f l = - 1 M PW V ) + 1
La densidad de estados so puede determinar experimental mente,
por ejemplo, por la foloomisiii u por el oferto do. campo.

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4CH

Cn>>. J f .

P r o p io f ln d o B f s i c a s d o l o s s l i d o s n m o r f o s

i n n n n r
aj

~ u m

n jr
'

V'ig. 11.3. Enorga potencia! en ol nodulo de t fsh ilz (a) y oa o! de A.adarsor. (fc)

A ntes so mostr t|no puru un slido c rista lin o con periodicidad

perfecta la densidad lo oslados en los bordos do las bandas dism inuye
bruscam ente Imsln coro. La segunda consecuencia im p o rtan te do la
periodicidad es pie los estados no estn lo calizad o s en el espacio, es
d ecir, la funcin de onda se propaga por toda la red. L as infracciones
locales do la periodicidad, relacion ad as con la introd uccin do tom os
do impureza o defectos o i i ol c ris ta l, ocasionan la ap aricin do algunos
estad os perm itid os en la banda prohibida. A d iferencia de los estados
en bandas, oslos oslados estn localizad os en el ospaclo, os decir,
el electrn que se encuentra en la regin de uno de los centros de im
pureza no se corre a otros cen tros. Su funcin de onda decrece exponcncialm enlo h asta cero, es decir, perm anece lo calizad a.
Los estados localizad os desempean un papel e x tra o rd in a ria
m ente im portan te en las su b stan cias no c rista lin a s. Su surgim iento
en osto caso se debe en prim er lugar a la ausencia de periodicidad.
Veam os lo que ocurre con una banda energtica si la energa potencial
no es peridica. P ara esto es necesario resolvor la ecu acin de Sch rodinger para un electrn on un campo de potencial aperidico V:
( 11 . 1)

E l potencial aperidico puede crearse por dos procedim ientos:

1) desplazando cada centro (tom o) una d istan cia ale ato ria y alte
rando de esta form a el orden lejano (fig. 1 1 .3 , a );
2) nndiondo una energa potencial U aleato ria a cada pozo do
potencial (fig. 1 1 .3 , ).
E l problem a con potencial de la form a 1) fue resuelto por I . M. L fsh itz , y el dol potencial do la form a 2), por P . Anderson.
A nalicem os prim eram ente el resultado obtenido por Anderson.
U tilizan d o un p otencial de la forma 2 ), Anderson se p lante el pro
blem a siguionte. Supongam os que en ol in stan te t = O el electrn se
en cuentra en uno de los pozos. Qu ocurrir cuando -* oo? E x is
te una probabilid ad fin ita de que el olec.trn, a O K , se difunda a
gran d ista n cia , o la probabilid ad de h allar el oloctrn a gran d istan
c ia dism inuyo oxponcncialm onte con la d ista n cia y, por lo tan to,
no existo difusin?
E l resultado fue que si U J l (siondo I la intogral de recubri
m iento entro los pozos vecinos) es m ayor quo cio rta c o n sta n te , no hay
difusin. E sto sig n ifica que las funciones de onda de todos los elec
trones dol sistem a son docrecieuLus expononcinlm ente con la d istan-

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11.2. Espectro encrulico du los slidos no cristalinos

101

in r ilosdo ol pozo respectivo. En

Irus piiliihrn.s, s los vu loivs del
nrmclro U0/J son .suiciciiloiiion3 grandes, lodos lo.s estados son
icalizados. Y si ( J J I os nicnor
uc el valor crtico estipulado, en ol
entro do la banda surgen estados
eslocal izados1) (fig. 11.4).
Una situ acin anloga tiene
Fig. 1 1 .4 . Densidad do oslados en
.ignr si se utiliza el potencial de
el modelo do Anderson.
/fsliitz.
Los estados localizados so han ra y a d o .
sep a
Los estados localizados que le Los valorea do la en erga E c y
ran las reglones de enorga en quo los
los exam inado estn relacionados estados
estn localizados y d e slo ca llon las fluctuaciones de la energa
zadoa
o ten cial y por eso so los suelo liar
1 nombre de estados do fluctuacin. M ott postul que existe una onora lm ite E 0 en ia banda de conduccin de los cuerpos amorfos y,
espoctivam onte, una energa E y en la banda do v alen cia, que divide
os estados localizados y no localizados. La energa c (o E'v) puede
encr un valor tal, que la densidud do estados N (E,.) sea ya bastante
raudo, por ejem plo, para cl silicio amorfo N (/Tc) 1 0 1<>oV~1 x
< cn r*.
En dopendoncia do la naturaleza de la substancia no cristalin a
uiedo realizarse una de las dos posibilidades siguientes:
1) e x iste nn lm ite inferior exacto (contando desdo E c) dol especro do los estados de flu ctu acin: la probabilidad do que surja un ni
el de flu ctu acin con energa de ionizacin superior a cierta energa
rlica es idnticam onto igual a cero;
2) no existe un lm ite inferior exacto del espectro de los niveles do
luclu acin o, m ejor diclio, esto lm ite so encuentra ms all de los
im ites de la banda prohibida.
La dependencia do I densidad do estados respecto a ln energa,
lara estos dos casos, se muestra en la fig. 11.5. En ella misma, para
|uc pueda com pararse, so da la correspondiente dependencia pnra
in c rista l.
E s t claro que en cl prim er caso (fig. 11.5, b) la roprcsontacin
le la banda prohibida conserva su sentido exacto: existe una rogin
le energas en la cual la densidad de estados es idnticaroento igual
i cero. Se supone que este espectro energtico lo tienen las substan
cias no c rista lin a s transparentes. E n el segundo caso todo el inter
calo de energas E y < E < E a est lleno do niveles discretos, es
iecir, en ol sentido antes considerado, aq u no existe banda probi>da. No obstan te, la regin E c E y indicada se diferencia por prinl) E sto se refiero al caso trid im en sion al. En un sistem a unidimensional
os estados siempre son localizados.
.00 1 147

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402

Cap. H. Propiedades fsicos dc los slidos amorfos

N (E)

b)

N ' E>

c|

N (E)

Fig. U .5. Dependencia do la densidad de estados respecto de la energa para ui

cristal (a) y para slidos amoros (b y c). Los estados localizados se han rayad<
ripio dc las bandas perm itidas. A s, los electrones localizados aqu
on los nivoles discretos slo pueden p articip ar a salto s en el transpor
te de carga. Guando T -* 0 K , la probabilidad de estos ltim os tien
de a cero, dc manera quo su aportacin a la conduccin elctrica
desaparoce to talm en te. En virtud de esto, la regin de energas ocu
pada por los estados localizados tam bin puede llam arse banda pro
hibida.
Para denom inar este intervalo do energas se suele u tilizar el
trm ino vana de iiwriUtlttd. Su origen se debo a la circu nstan cia.siguien
te. Si en Ja conduccin participan los eJectronos que ocupan los
oslados con E < E c , su m ovilidad es pequea a causa del carcter
a salto s do su m ovim iento. Cumulo Vi > ic ol transporto se efecta
por los estados lio localizados, de manera que Ja m ovilidad crece en
varios rdenes. A s, pues, cuando la energa E pasa por el valor Vic
(o /iv on la banda do valencia), se observa un s a llo on la m ovilidad.
Los trm inos banda de conduccin y banda do valencia tam bin
se em pican en la fsica de las substancias no c ristalin as. En este caso
se refieren a las regiones ce energa ocupadas por los estados no loca
lizados para electrones y huecos.
Adems (le los oslados localizados originados por las flu ctu acio
nes, en los slidos amorfos pueden surgir tam bin estados localizados
debidos a tom os do impureza y defectos de la estructura del tipo
de enlaces rotos y otros. S i existen estos oslados, la densidad de esta
dos N (li) resulta sor funcin no montona de la energa. E l pico do
los estados localizados ocasionados por los defectos do la estructura
so encuentra por lo general en el centro del vano do m ovilidad
(fig. 1 1 .6 ). S i la densidad de estados localizados es a lta , en el vano
do m ovilidad el niv el do Ferm i so encuentra en la banda de estados
do defectos. E ste modelo de densidad de estados fue propuesto por
M ott y D avis.
Las representaciones asim iladas dan la posibilidad do ap licar a
las su bstancias amorfas la explicncin de la diferencia mitro los
d ielctricos, los sem iconductores y los m tales que se dio en ln leoru

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11.3. Semiconductores amorfos

403

ordinaria do las bandas r>i los sli

dos. S i ol nivol do l''orm so oncucntra en la regin de los estados
no localizados, la substancia ser
m etal. Su resistencia cuando T
-O K tiende a cierto v alor fin ito .
S i, por el con trario, oi nivel de
Ferm i a tem peraturas b ajas se halla
en ol intervalo do energas ocupa
do por los estados localizados, el
m aterial podr ser sem iconductor
o d ielctrico . E n este caso son po
Fig. 11,6. Dependencia de la den
sibles dos tipos de conduccin:
sidad do estados respecto do la
1)
la traslacin de los portado
energa, en un slido cristalin o
res de carga por los estados no loca con estados de defectos localiza
dos. Los estados localizados se
lizados es anloga a la que tiene
han royado
lugar en los sem iconductores cristalin os. E s evidento quo en este caso los electrones deben excitarse
de los estados localizados a los no localizados;
2)
la traslacin se efecta por salto s de un estado localizado a
otro. E sto tipo do traslacin es anlogo a la conduccin n saltos por
las impurezas en ios sem iconductores cristalin os.

11.3. Sem iconductores am orfos

E n 1950, N. A. (loriu nova y B . T . K o io iticlz descubrieron que
algunos vidrios calcognidos (do azufre, selenio y teluro) poseen pro
piedades sem iconductoras. E sto liecho y los posteriores trab ajos
fundam entales do A. F . I o f f e y A . R . R gu el, A. 1. Gubnov, N .M o tt
y E . D av is, sirvieron do estm ulo para el desarrollo do un gran n
mero de investigaciones tericas y experim entales do som iconducloros amorfos.
E n la actualidad est claro que los sem iconductores amorfos so
puodon d iv id ir en tres grupos.
1. S lid os amorfos con enlaces tetradricos, como o silicio , el germ anio y lo s com puestosA n l B v . E sto s sem iconductores cn estado amor
fo no so pueden obtener por enfriam iento de la mnsn fundida. So
consiguen de ordinario en forma de pelculas delgadas por diversos
mtodos de precip itacin (evaporacin trm ica al vaco, aspersin
catd ica, e tc .). Sus propiedades son sem ejantes en grado considerable
a las de sus anlogos cristalin os.
2. V id rios calcognidos, substancias no cristalin as que contienen
tom os calcgenos (do azufre, selenio y teluro), obtenidos como re
sultado dol enfriam iento do una mnsn fundida. Son, en lo fimdntnonta l, insensibles a las impurezas, tienen caractersticas tcnsin-corricnlo sim tricas y sufren diversas variaciones estructurales.
26

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404

Cap. II

Propiedades fsicas de los slidos am orfos

.'t. V iilrin s cuyo com pm ionle prinr.ipnl son los (demonios dol V gru
pu do ln lnliln do Mondolciliv. I'oi' sus jiropiodudas oslo gruji do so
mi con duelo res am orfos ocupa una posicin interm edia entre los vi
drios culcognidos y los sem iconductores amorfos con enlacos telra
dricos.
Vamos a estu d iar las propiedades fundam entales de los sem icon
ductores amorfos.
Dependencia de la electroconductibilidad (en corrionte continua
respecto de la tem peratura. Supongam os que en el sem iconductoi
amorfo la densidad do estados lione la form a reprosontada en li
fig. 11.(1. D entro dol m arco de esto modelo do la densidad do oslado;
liay que d istin gu ir tres mecanism os de conduccin.
1. La conduccin est relacionad a con los portadores excitados
que se oncuonlran en los oslados no localizados. E n este caso la tras
lacin so efecta nniilogumonte a como ocurro on los somiconductoros
cristalin o s. Ln experiencia dem uestra quo on muchos sem iconductores
amorfos la corrien te es transportada por Jos huecos. E n este caso

^ l^ l^ l

I---(AV Ey)/(l|} f)J,

(11.2)

dondo el factor preexponencial o0 no dependo de T. Segn M o tl,

o fu 1150 J - '- c m '. Los oxperim onlos m uestran quo para la m ayora
de los som iconductoros amorfos los valores de a 0 se encuentran en ol
intervalo do 100 a 500 ' ^ c m -1. E ste facto r so puede expresar en la
forma siguionlo:
a = eN (E w) /cB r , i 0.

(11.3)

Lomo la exp eriencia dem uestra que o 0 no dependo de la tem peratura,

debo esperarse que la m ovilidad do los portadores en los estados no
localizados vare on proporcin inversa a la tem peratura.
2. Ln conduccin ost relacionada con los portadores excitad os
en los estados localizad os que so encuentran en las colas de las liu
das, es decir, cerca de l i A o E , (fig. 1 1.0). S i la corriento tainliin
es transportada por los huecos, la conduccin, que en esto caso es a
salto s, su determ ina por la expresin
ff = CTj exp [ (E t E u +

A E )/(kBT)],

(11.4)

en la qiio E es la energa del extrem o do la cola de los ostados do

fluctuaciones y A E ,, la energa de activ acin de los salto s.
Y a se lia dicho antes que la m ovilidad do los portadores por los
estados localizad os os mucho menor que la m ovilidad por los estados
no localizados. Adem s, en la cola la densidad do estados es menor
quo on la Imndn perm itid a. A causa do esto cr, es, por lo genera), do
1 0 a n K f veces m enor que (X0.
3. La conduccin est colacionada con los portadores quo sallan
entre los estados localizados cerca dol nivel de F crm i. E ste proceso

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11.3. Semiconductores am orfos

405

es anlogo a la conduccin n saltos por impurezas cu los .scinirondiicloros extrnsecos (fuertcm onlo aleados) compensados. En la regin
do los estados localizados un electrn con energa dada no puede alo
jarse a bastan te d istancia de su centro de localizacin. Aunque puedo
e x istir superposicin de las funciones do onda de algunos estados,
correspondientes a pozos da potencial bastan te prximos, sta es
insuficiente para quo la con du ctibilid ad del sistem a a T 0 IC sea
d istin ta de cero. E n la regin de los estados localizados ol transporto
de carga estacion ario slo puede realizarse por saltos de los portadores
de carga entre estados con d istin tos energas (fig. 11.7).
P ara s a lta r a un estado de energa ms a lta , el electrn debe re
c ib ir energa de un fonn. E st claro que los fonones slo desempean
papel cuando las tem peraturas son d istin tas de cero. S i el nivel de
Ferm i se encuentra en la banda de los estados localizados y T -* 0 K ,
la conduccin de corrien te continua se anula. E sto ocurro porque los
saltos a un n iv el de energa inferior a no son posibles (en virtud
dol principio do P a u li), y los salto s a un nivel E > Ev requieren gas
tos de energa. De este modo, en las regiones de energa ocupadas
por los ostados localizados ( v < E < E c), cuando T = 0 K , la
electrocon du ctibilid ad tam bin se anula.
E s evidente que en la conduccin por saltos participan sola
mente los electrones cuya energa se encuonlra on un intervalo de
orden k BT prxim o al nivel do Ferm i. E l nmero de estos electrones
es

n = N (E P) kBT,
siendo N (E B) la densidad de estados cerca del nivel do Ferm i. La
probabilidad do que un electrn salte do un estado localizado a otro
con m ayor energa es proporcional al facto r do Boltzm ann exp ( SE/
J(kBT), en el quo AE es la diferencia de energa ontre ambos estados
y depende do la superposicin de las funciones de onda. Teniendo eslo
on cuenta, M olt obtuvo quo iu conduccin a saltos por los oslados
localizados cerca del nivel de Ferm i se determ ina por la expresin

a = e-p JE N (E v).

(11.5)

A qu la probabilidad del salto es

pr=v( oxp( 2a/? r) ;

(*l-6)

Ii, la d istan cia a la cual se efecta el sallo ; a , un coeficiente que de

pende del grado de recubrim iento de las funciones de onda (cuando
el recubrim iento es grande, el facto r dependiente de ste on (11.6)
es nulo); v t, un factor dependiente dol espectro do los foliemos. Los
valores de v f pueden variar dentro de un am plio intervalo, .lnra mu
chos sem iconductores amorfos se puedo lom ar vf s (1 0 12 . . . 1015) s " '.

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Cap. II. I'iopiedades fsica s de los slidos am orfos

1/T
F ig . 1 1 .7 . M ecanism o do la conduc
cin a sa lto s
Por ilcbajo de e f los oslados estn ocupados
por los cloctrones; por encima, desocupados
(cuando r = 0 K): las flrcliltns Indican tres
saltos, consecutivos

Kig. 11.8. Dependencia, respecto do

la temperatura, do la conductibilidad
de un semiconductor amorfo cuya
densidad de estados es la representada
en la fig. 11.0

Ln energa m edia de activ aci n de los salto s A E es ta n to m enor

cu anto m ayor sea la densidad do estados. Cuando e x iste una fu erte
lo calizaci n , el electr n slo s a lta a los estados localizad os ms pr
xim os. Do esta form a,

Kit la regin do tmpora turas b a ja s rosulla quo \ E no es con stan te.

Aqu los electrones pueden con m ayor p rob abilid ad s a lta r a estados
ms lejanos entre los cuales la d iferencia do energa puodo sor menor
que para Jos estad os ms prxim os. E n esto caso la conduccin por
sa lto s so determ ina por la expresin

n = 0 J oxp [ ( 7 y 7 y i 4),

(1 1 .8 )

llam ad a ley lo M olt. Los pnrm otros a 2 y 7'0 dopenden to la donsidatl do ostntlos cerca to V y dol radio do lo calizaci n de las fu n cio
nes do onda.
Kn la fig . 1 1.8 so da la v ista general de la d ependencia de la con
d u c tib ilid a d , en coordenadas ln o, respecto de T~l, teniend o en cuen
ta todos los m ecanism os do traslaci n enum erados. L a regin 1
corresponde a la traslaci n por los estad os no lo calizad o s; la 2, por
los estad os on las colas de las band as; las 3 y 3 ', por los estad os lo
calizad os cerca dol nivel do F e rm i. E n el tram o 3' so cum plo la ley
de M o tl. Si la densidad do estados rolacionad os con los defectos es
gratulo, os de esperar quo no Itaya ti ti in terv alo de. tmpora (tiras en el
citiii predomino o proceso 2. E n oste caso el tram o 3 pasa in m e d iata
m en te al tram o 1.

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1.3. Sem iconductores amorfos

c. rr fem"1

Fijf- 1 1 - 9 - D e p e n d e n c ia , ro sp octo d e la to m p e ra tu ra , d e la c o n d u c tib ilid a d de

a lg u n 0 9

se m ic o n d u c to re s c a lc o g n ld o s

Num erosas investigacion es experim entales confirm an los razo

nam ien tos quo acabam os de exponer. As, por ejem plo, en la mayora
de los vidrios calcognidos la con d u ctibilid ad elctrica en corriente
con tin u a a tem peratura prxim a a la am biento se describe bien por
medio de la expresin
ct

c e x p I

EI(ka T)\.

E n la fig. 11.9 se m uestran algunas dependencias tp icas de ln o,

respecto de T~\ para los vid rios calcognidos, en los cuales E vara
desde 0 ,3 hasta i eV.
Todos los m ecanism os de traslacin antes onumerados se m an ifies
tan con especial clarid ad en el silicio amorfo que contieno hid r
geno. E n este m ate rial el hidrgeno satura los enlaces rotos y con
esto hace quo d ism inu ya considorablem ento la densidad do ostados
de defectos localizados. Do ordinario N (V) no os m ayor on osto
caso quo 1 0 lfl 1017 e V -1 -cm -3. E n la regin de tem peraturas infe
riores a 130 140 K , en este sem iconductor se observa la conduccin
por los estados prxim os a E y. en el intervalo 130 <C T < 250 K ,
por los estados en las colas de las bandas; y cuando T > 250 K ,
por los estados no localizad os. Pero si el silicio amorfo contione gran
densidad de estados de defectos ( ~ 1 0 ie 1020 e V -1 - c m '3), desde las
tem peraturas ins b ajas hasta la am biente, la dependencia de la con
d u ctib ilid ad cum ple la le y de M o tt, es d ecir, predomina la tra sla
cin a salto s por los estados prxim os al nivel de Ferm i.
M ovilidad. Lo mism o que para los crista les, para los sem icon
ductores am orfos, on la regin do los estados no localizados, se puede
intro d u cir el concepto do m ovilidad:
|i =

et/ m .

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(11.9)

Cn|). ti. Propiedades fsicas (le los slidos amorfos

en el que t cs el lieinpn de relajacin. Valindonos del concepto de

longitud dol recorrido libro, escribimos
p =

(11.10)

donde l es ln longitud inedia del recorrido libre y vmri, la velocidad

inedia dol movimiento del electrn. Cuando E ;> E c , el movimiento
de los portadores Heno carcter puramente do banda y so describe
por la ecuacin de Bollztnann. Aqu, lo mismo quo en el caso do los
semiconductores cristalinos, l > X (X es la longitud do onda del elec
trn).
Si se conoce la densidad de estados cerca de los lm ites del vano
de movilidad A' (/i'c), el nmero do electrones con energa prxima
a /'.'c ser:
n = N ( J kBT exp [ -

(11.11)

Como la conductibilidad en este caso es

a = o 0 exp l - ( E c -

E ?)l(kB7)]

(11.12)

y, adems, o = enp, para la movilidad cerca de E c se obtiene

, . c = o 0/(eN (E c) kBT).

(11.13)

Aqu, lo mismo que antes, n ft 350 S2"1.c n i_l. Segn M o lt, a la

temperatura ambiento ic 12 c m *.V |. s _l. Expresiones anlogas
se pueden obtener para los huecos en la banda de valencia.
La movilidad tambin se puede introducir form alm ente en la
regin E < /?c , en la cual la traslacin viene determinada por los
saltos. Si la conductibilidad so describe por medio de una expresin
de la forma (11.5), resulta que
1

IW T

e f
V' V

P '

l
P

'

donde se ha omitido el factor o *2a, lo que puede hacerse cuando

el grado do localizacin es alto. Por lo general v, 10* s~l . En las
proximidades de E c puede adm itirse que A E ^ k BT. Por lo tanto,
cuando la energa pasa por el valor E ~ E c (o E v en la banda de va
lencia), ia movilidad disminuye 10-J veces aproximadamente. E ste
es el salto de movilidad.
Influencia de las impurezas sobre las propiedades elctricas de
los semiconductores amorfos. Durante mucho tiempo se crey que
los semiconductores amorfos, a diferencia de los cristalinos, eran
insensibles a las impurezas. Los intentos de alearlos con tomos que
en los semiconductores cristalinos son donadores o acoptores no die
ron resultado. Una do las explicaciones do este com portam iento la
dio Gnbnov y, algo ms Larde, M ott. Se reduce sta a que en las
substancias amorfas puede efectuarse un reajusto do los enlaces ta l.

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11.3. Sem iconductores am orfos

40V

S> C.

Fig . 1 1 .1 0 . P osicin que so supone que ocupa el loino do fsforo en ol s ilic io

c rista lin o (a) y en ol amorfo (h)

<1no todos los electro n es rio v alencia tlel lom o de impureza p articip arn
en ello s. A s, por ejem p lo, en cl s ilicio cristalin o un tom o do fsforo
forina cu atro en laces cov alen les. E l quinto electrn do v alen cia dei
tom o de im pureza no tom a parte en la form acin de enlaces. Se supono que en el silic io amorfo (o en el gernianio) el tomo de fsforo
est rodeado por cin co loinos de silic io (fig. 11 .1 0 ). S i esto es as,
en los sem icond uctores am orfos no deben form arse niveles de im
pureza.
B.
T . K o lo m e tz y sus colaboradores expusieron otro punto de
v isto. Ln ausencia de conduccin por impurezas la relacionan ellos
con la com pensacin de las im purezas por los estados localizad os en
el vano de m o v ilid ad . Supongam os que en el sem iconductor amorfo
el tom o de im pureza (por ejem p lo, ol fsforo en ol silicio amorfo)
se encuentra cercado de la m ism a form a que en el cristalin o y form a
un nivol donador en ln banda prohibida. A dm itam os quo la d is tri
bucin de los estados localizad os en esta banda tiene la form a pre
v ista por M o lt. Iin v irtu d do que la estructura del sem iconductor
es am orfa, las posiciones de los niv eles do impureza, pertenecientes
a d istin to s tom os de im pureza, se diferencian algo unas do otras.
P o r esta razn, cuando la con centracin de impurezas es su ficien te
m ente a lta , se form a una banda de impureza (fig. 11.11).
A d iferencia del sem icond uctor cristalin o , en el cual a la tem pe
ratu ra am b ien te los electrones de los pequeos niv eles donadores pa
san a la banda de condu ccin, en los amorfos pasan en lo fundam en
tal a los estad os lo calizad os cerca dol nivel de F e rm i. Cuando la con
cen tracin de estados es a lta , esto conduce a un desplazam iento in
sig n ific a n te dol n iv el do F erm i desdo la posicin V , a la f s y las
propiedades e lc trica s del sem icond uctor no varan prcticam ente.
La nueva posicin dol nivel de F erm i se puede h a lla r por la condicin

w= ^ = i 1+e<-S/an E + A * ( gC),

(1115)

en la quo n es Jn con centracin lo ln l do electrones y An (E c), la con

cen traci n do electro n es en la banda de conduccin. Do ia fig . 11.11

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410

Ci|>. I I .

P r o p ie d a d e s f s i c a s d e lo s

s lid o s a m o r fo s

y la expresin (11.15) se sigue que

la conduccin por impurezas si'
puede obtener si por un prucodiinionlo cualquiera so consigue hacer
descender la densidad do estados
en la hundo prohibida. O tr a va
es introducir en el sem iconductor
una gran cantidad do tomos do
impureza para que compensen los
estados dc defectos. Todo esto es
posible, claro est, a condicin do
quo los Hornos do impureza formen
Kig. 11.11. Mecanismo do compen
niveles donadores (o aceploros) en
sacin do los niveles donadores en
la handa prohibida.
un sem iconductor amorfo
Kn 15)75, W . Spir y I 1. L e Comb
consiguieron obtener silicio amor
fo tipo n y tipo p on el proceso de crecim iento por descomposicin
del silano (SiT I,). Para obtener capas tipo n, al silano se adiciona fosfina (lJ f 3), y para que se formen pelculas tipo p , diborano (B 2IIe).
E l silicio amorfo obtenido do osta forma contieno basta A tantos
por ciento atm icos do hidrgeno, ol cu al, como ya so indic, satura
los enlaces rolos y hace descender considorablomonto la densidad do
estados en el vano dc m ovilidad. La dependencia de la con d u ctibi
lidad elctrica del silicio amorfo respecto del contenido de fosfina
y diborano en el silano, obtenida por S p ir y Lo Comb se muestra
en la fig. 11.12. E sto s datos corroboran que, por lo monos, una parte
de los tom os dc fsforo y dc boro, quo penetran en la pelcula dc si
licio amorfo, ocupan posiciones de sustitu cin y forman una configura
cin de enlaces como la del silicio cristalin o.
En la actualidad pava alear el silicio amorfo (y el germ anio) se
utilizan, adems del fsforo y el boro, impurezas do arsnico, an ti
monio, indio, alum inio y otras. P or un mtodo directo se lia estab le
cido que el nmoro de coordinacin del tom o dc arsnico en el s i
licio amorfo, lo mismo que en ol cristalin o , es igual a cuatro. Para
obtener capas tipo n en el silicio amorfo con baja densidad dc estados,
tambin se introducen en l elem entos alcalinos, los cualos m anifies
tan propiedades donadoras cuando se encuentran en los intersticios.
La concentracin de impurezas introducidas, utilizando los m
todos de aleacin en equilibrio term odnm ico trad icionales, como,
por ejem plo, Ja difusin, no supera cierto lm ite determ inado por
a solu bilidad . Pero por el mtodo de im plantacin inica se puede
introducir en el scniconductor una cantidad dc tom os de impureza
prcticam ente ilim itada. Do osla forma se ofrece la posibilidad de
realizar I otra vfa, cs decir, la do obtener la conduccin por impurezas
a expensas do intrndiieir una gran cantidad do donadores (o aceptores). Nosotros, sin dism inuir provinmonto ln densidad dc estados

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11.3. Semiconductores o morios

nb , h6% ih 4

411

nph/ nsh <

F ig. 11.12. Conductibilidad elctrica del silicio amorfo aleado con fsforo o con
boro (datos de Spir y Le Comb)

localizados, bombardeando con tomos do fsforo, arsnico y boro,

liemos conseguido obtener silicio amorfo cuya conductibilidad ost
determ inada por el tipo de impureza y su concentracin. Bombarden
dolo con fsforo y arsnico se han obtenido pelculas tipo n, e irra
dindolo con boro, del tipo p .
L a dependoncia de la conductibilidad elctrica del silicio amorfo
respecto de la dosis do irradiacin so da en la fig. 11.13. Como puede
verse, m ientras la irradiacin no supera cierto valor umbral, no se
observa aumento brusco do la conductibilidad. Lln oslas condiciones
prcticam ente todos ios electrones pasan de los niveles do impureza
donadores a Jos estados localiza
o, ir '-cm~1
dos corea do E\t. Slo despus de
quo todos estos oslados so lian tO '-1
llenado, empieza a predominar la
conduccin per impurezas, dobitla
a los saltos do los eloclronos de
t
< 7
la banda donadora a la banda de 10
'/
conduccin. Una situacin anloga
tiene lugar en el germanio amorfo.
10-5
De este modo, on los sem icon
- A -'
ductores amorfos con enlaces teiotradricos las impurezas desempe
10'* 1 0 'S
1016
10 '
O, 0i/cm3
an el mismo papel que en sus an
Fig.
11
.1
3
.
Influencio
de
la dosis
logos cristalin os, poro la eficacia do
do irrndincidn con ionos do fsforo
la aleacin do los sem iconducto
(1) o do boro (21 sobro la conduc
res amorfos es menor a causa de
tib ilid ad del silicio amorfo

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412

Cap. II. Propiedades fsica s de los slidos am orfos

o , c m '*

ln a lia densidad de oslados lo

calizad o*
en el viino do m o v i
lid ad .
Los sem iconductores v itreos calcognidos son
menos
sen sibles
a la introduccin de impurezas en
ellos. E sto so debo a la s peculiari
dades de los enlaces qum icos en
estos m ateriales. S in em bargo, las
in vestigacion es llevad as a cabo
d urante los ltim o s aos dan pie
Fig. 1 1 .1 4 . Extrem o del espectro
para d ecir que es posible v a ria r o
do absorcin
ptica del silicio
am oro (i) y riel c rista lin o (2)
espectro de los estados localizados
en la banda prohibida de estos
sem iconductores por introd uccin en ellos de tom os de impu
reza.
Propiedades pticas. E l estudio de las propiedades pticas de
los sem iconductores crista lin o s proporciona una am p lia inform acin
acerco de su estru ctu ra de bandas. De las m ediciones p ticas tam bin
pueden obtenerse datos sobre el espectro energtico do los sem icon
ductores am orfos. Un papel de prim er orden se concede en este caso
a las m ediciones do los espectros de absorcin. L os espectros do ab
sorcin de los sem iconductores am orfos conviene com pararlos con
los espectros de los m ism os m ateriales en estado crista lin o . E sto
puede hacerse un los easos del g e rm a n io ,s ilicio , com puestos A m l3v
de! selcn io y telu ro. E n la fig. 11.1 4 se da como ejem plo el extrem o
(bordo) del espectro ptico do absorcin del silic io am orfo, el cual
se com para con el espectro correspondiente al s ilic io crista lin o . D a
tos anlogos se han obtenido para el germ anio am orfo, nrsouiuio y
antim nniuro de indio y otros sem iconductores.
E l a n lisis de las cu rv as de absorcin tom adas do d istin ta s subs
tancias crista lin a s perm ite ind icar lo sig u ien te.
1.
E l coericiiuifu de absorcin a do lus su b stan cies um oriis dis
m inuye sensiblem ente para c ie rta frecuencia um bral v prxim a al
lim ite rojo de absorcin entro bandas de la luz en el m ate rial c ris
talin o. En dependencia de las condiciones de proparacin del s e
m icondu ctor am oro se observan dos tipos de com portam iento:
a) el coeficien te de absorcin so interrum pe bruscam ente cerca
de la frecuencia v0, y cuando v < v0 se anu la (curva 2 en la fig. 1 1 .1 4 ).
E sta form a de la dependencia a (v) dem uestra que en la substancia
am orfa los extrem os de las bandas son b a sta n te bruscos;
b) cl coeficien te de absorcin cuando v < v0 dism inuye con b as
tan te suavid ad , perm aneciendo fin ito tam bin en la regin de las
frnriiom;in.s m enores (curva 1 en la fig. 11 .1 4 ). L a existen cia do esta
Cola ptica est relacionad a con las tran sicio n es p ticas entre los
estados localizarlos on los extrem os de las bandas, cuya densidad

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jj.4 .

A p lic a c i u

d e lo s s o m ic o n d u c io r c s a m o rfo s

4t3

disminuyo expnnene, nI me ulo con ln energa. Kn una serio ,1o somiconducimos amorfos, utilizando diversas [orinas ,1o trnlnm iciil
se puede pasar de la dependencia tipo 6 a la dependencia tipo a.
En ol silicio amoro esta transicin se observa, por ejemplo, cuando
se introduce hidrgeno. Esto se debe a la disminucin de la densidad
de estados do defectos en el vano do movilidad.
2. En la mayora de los semiconductores amorfos 1a depondoncia,
respecto de la frecuencia, del coeficiente do absorcin en la regin
de la cola (v < v 0) so describe por la expresin
g g0cxp [

(1 1 .1 0 )

en la que y es una constante; E e , la anchura de la banda prohibida;

T coincide con la temperatura termodinmica, mientras la tempera
tura sigue siendo superior a cierto valor crtico T0\ cuando la tem
peratura se hace monor que T0, la magnitud quo figura on (11.16)
coincido con T0. De este modo, el oxtremo de absorcin no depende
de la temperatura en la regin de las temperaturas bajas, y a tem
peraturas ms altas se hace ms borroso. La dependencia de la for
ma (11.16), observada desdo hace mucho tiempo en los cristales alcalino-halgenos y en el selenio trigonal, CdS, recibe oi nombro de
regla de Urbach. L a naturaleza de la borrosidad exponencial del
extrem o de absorcin en los semiconductores amorfos no ha sido an
totalm ente esclarecida.
3. En la regin de las frecuencias superiores a la umbral (v > v),
la dependencia, respecto de la frecuencia, de) coeficiente do absor
cin tiene la forma
g = const ( AVftvg )

(11-17)

Esta expresin os anloga en forma a la que existo para ol coefi

ciente do absorcin en las transiciones indirectas en ios semiconduc
tores cristalinos. Midiendo ol cooficionto do absorcin para v < v 0
y el la regin v > vn, se puedo determinar la anchura ptica do
la banda prohibida E s . La magnitud E s correspondo al valor do la
energa con el cual la dependencia de ln a , respecto de hv, deja de sor
funcin lineal do hv.

11,4, Aplicacin de los semiconductores amorfos

E l conjunto, muy incom pleto, de propiedades de los slidos amor
fos n quo nos hornos referido nntoriormonle, amostra quo las subs
tancias no cristalinas forman una clase do m ateriales con gran va
riedad de propiedades fsicas. E l hecho de que su sensibilidad a las
impurezas extraas sea relativam ente dbil, da la posibilidad do

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Cn|i.

II.

P r o p ie d a d e s f is ic a s d o lo s s lid o s a m o r f o s

hacer los slidos amorfos por procedimientos ms sim ples y ccon

micos qnc cu ol caso del crecim iento de los policrstales. Todo ost<
perm ite a s e g u r a r que la utilizacin de los slidos no cristalin os cad
vez ser an ms am plia.
En la actualidad los campos de aplicacin que ofrecen mejore!
perspectivas para los sem iconductores amorfos son los siguiontes
L a eleclrojolograja (xerografa ), proceso en el cual se aprovechar
las propiedades folocom luctoras del vidrio selnico. Este proceso,
que durante mucho tiempo no tuvo explicacin, se comprende ahora
en lo esencial. Para obtener una copia se carga prim cram enlo la cara
superior de la pelcula de vidrio selcnico, pulverizando sobre ella
iones positivos. Sobre la base m etlica en que est extendido el
vidrio se forma una carga negativa de la imagen. S i despus se ilu
m ina ia pelcula con luz reflejada en el original que se copia, donde
on ste hay letras, la luz es absorbida, y donde no las hay, la luz
se refleja en la hoja y despus de incidir en el vidrio su energa es
absorbida por los paros electrn-hueco que hay cerca de la cara su
perior. Un fuerte campo elctrico dentro del sem iconductor separa
los pares. Los electrones van hacia arriba y neutralizan o los iones
quo hay en la superficie superior; los liuecos se mueven hacia la base
m etlica y neutralizan sobro ella la carga negativa. Como resultado
de esto ia superficie del vidrio selnico se hace elctricam ente neutra
dundo un el original no baha letras y sigue teniendo carga positiva
donde las haba. Luego lus regiones cargadas positivam ente atraen
partculas de tinta con carga negativa, stas se transfieren a una hoja
do papel cargada positivam ente y despus se fijan por calentam iento.
Con esto finaliza ol proceso de copiado.
E l campo de aplicacin de las propiedades folocom luctoras de
los vidrios calcognides se extiende cada voz ms. Sobre la base de
com plejos de tres capas de estos vidrios se han creado aparatos para
copiar en color. En ellos, valindose de filtros y do tin ta s de colores
se pueden obtener rpidam ente copias de originales en color.
L a produccin de buleras solares, dispositivos para transform ar
directam ente la radiacin solar en energa elctrica. L a seguridad de
las bateras solares lia sido demostrada en muchos aparatos csmicos.
El m aterial fundamental utilizado para hacer las bateras solares es
el silicio , elem ento que por su abundancia en la corteza terrestre
ocupa el segundo puesto. Pero el elevado coste de fabricacin de ios
modernos cristales de silicio de gran pureza es un obstculo serio
para que oslas baleras alcancen gran difusin, a pesar de la nece
sidad imperiosa de nuevas fuentes do energa.
La utilizacin para estos fines del silicio amorfo abro grandes pers
pectivas. Adems dn una tecnologa menos costosa, la sustitucin
del silicio cristalin o por el amorfo tiene una serio de ventajas. Entre
ellas, por ejem plo, estn la posibilidad do obtener ol silicio amorfo
en forma de capas delgadas de gran superficie, la alia estabilidad a

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11.4. A plicacin da loa sem iconductores am orfos____________ 415

F ig . 1 1 .1 5 . C aractersticas tensin -corriente con conm utacin

las rad iacion es do los d ispositivos basados en el silicio am orfo, la

p o sib ilid ad de co n stru ir b a le ra s sobre soportes flex ib le s, etc.
L a fa b rica c i n de dispositivos de conm utacin y m em orizacin. E sto s
d isp o sitivo s se u tiliz a n m uclio en la produccin de ordenadores m o
dernos.
E n el perodo de 1958 a 1968, S . O vshinski descubri e inv estig
la s e x tra o rd in a ria s propiedades de conm utacin de los vidrios calco
gnidos. S e entiend e por con m u tacin la capacidad de una substancia
para pasar rev ersiblem ente do un estado a otro bajo la influencia
ilo una accin e x te rio r cu alq u iera. Los dos tipos do conm u tacin
e x iste n te s en los v id rio s calcognid os se representan en la fig. 1 1 .1 5 ,
en la cu al se dan las c a ra c te rstic a s tensin-corriento de dichos sem i
condu ctores. L a fig. 1 1 .1 5 , a corresponde a la llam ada conm utacin
de u m bral. S i al v id rio se ap lica una tensin superior a la um bral
(V), en la c a ra cte rstica tensin-corriento se produce un sa lto do la
ram a 1 a la 2, con lo que la con d u ctib ilid ad del sem iconductor au
m en ta un m ill n do voces ap roxim adam ente (estado conectado).
S i la tensin ap licad a a oslo conm u tador en estado conductor d is
minuyo h asta el punto de retorno, el vidrio pasa de nuevo al estado
de conduccin pequea (ram a 1). E sto corresponde a l estado des
conectado.
L a s c a ra cte rstica s tensi n-corriente representadas en la fig.
1 1 .1 5 , b se refieren a la conm utacin con m em orizacin. E stas c a ra c
te rs tic a s las tien en v id rios con o tras propiedades. A l lleg ar a la te n
sin um bral ( P u) se produce en esto caso la conm utacin al estado de
conduccin (1 *- 2). E ste estad o se conserva en el vidrio incluso
cuando la tensin ap licad a se an u la. P ara o bten er el estado des
conectado hay que hacer pasar un im pulso de corrionte determ inado.
E l m ecanism o do con m u taci n , lo m ism o que otras m uchas pro
piedades de los sem icond uctores am orfos, ha sido com prendido hace
pocos aos. E s t relacionad o con las peculiarid ad es de la estructura
electrn ica do los vid rios calcognid os. Ha quedado ostnblecido que

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Cap. H. P ro p icjad o s fsica s de los slidos am orfos

(lo conduccin so alcanza n icam en te cuando todas las tram

pas, con niiipi positiva y carga llamativa, proselos mi id vidrio se
llenan do portadores do carga, excitad o s por el cam po elctrico a p li
cado. Con oslo ol tiem po de vida de los portadores inyectados crece
bruscam ente. S i antes de llenarse las tram pas este tiom po ora mucho
m enor que el que los portadores necesitan para cruzar lodo el espe
sor de la p elcu la, una vez llenas so huco m ayor que este ltim o .
E sto ocasiona ol aum ento do ia corrien te y la dism inucin do la ten
sin, es decir, el com ienzo del perodo de conduccin.
La conm utacin con m em orizacin so observa en los vidrios que
pueden crista liz a r con re lativ a facilid ad . Guando la tensin alcanza
el valor um bral, en estos m ateriales so forman filam en to s delgados
de substancia cristalin a que hacen posible la m em orizacin. Cuando
se linee pasar un impulso do corrien te apropiado, ol filam en to c ris
talin o so fundo y se restablece ol estado vitreo uniform e. A s, pues,
la conm utacin con m em orizacin es consecuencia de la transicin
enlro los oslados am orfo y c rista lin o la cu a l, cn una serie do vid rios
calcognid os, es reversible.
En algunos sem iconductores vitreos la transicin al estado de
alta conduccin se puede efectu ar por la accin de la luz. E sto abre
grandes posibilidades para u tilizarlo s en ol campo de la tip ografa.
De un sem iconductor am orfo con esta conm u tacin m cm orizable se
puode hacer una m atriz perm anente y obtener de ella un nmero
ilim itad o do copias fotogrficas sin necesidad de exposiciones a d i
cionales. E n general, uno de los cam pos de ap licacin do los sem i
conductores no cristalin o s que ofroce m ejores perspectivas es el de
obtenci n de im genes im presas.
o l c s Iik Io

11.5. D ielctrico s am orfos

Los d ielctricos am orfos en forma de pelcu las delgadas se u ti
lizan m ucho en m icroelectrnica. En muchos do estos d ielctrico s,
lo m ism o que en los sem iconductores am orfos la conduccin (muy
in sig n ifican te) se efecta a saltos de un estado localizad o a otro.
La energa do activ aci n de osle proceso es m ucho m enor que la de
activ aci n de la conduccin por im purezas en los d ielctrico s cris
talin o s.
Como los d ielctricos am orfos tienen m enor densidad que los co
rrespondientes cristales, su p en n itiv id ad cs algo m s b aja que la de
los anlogos cristalin os.
L a s prdidas d ielctricas de los d ielctrico s am orfos dependen
con sid erablem en te de ln anchura dol vano de m ov ilid ad . S i osla
anchura no es grande, las prdidas se deben en lo fundntnoiilnl a la
condu ccin por salio s.

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11.6. Metates amorfos

417

11.6. M etales amorfos

Durnul.o los ltim os aos so proal n oxlruordiimrin nlonciii n tina
nueva clase do m alcrales, los m tales amorfos, lam bida llamados
nidrios metlicos. E l oslado amorfo do los malulos so linbn obsorvndn
ya desde hacia mucho tiempo al precipitar capas do m etal de un elec
trlito y iluranio la aspersin trniiea sobro soporte fri. En la actu a
lidad existe una tecnologa muy econmica y productiva para obte
ner m etales amorfos basada en cl enfriam iento rpido (con velocidad
de ms de 10 K/s) de un chorro delgado de m etal fundido. Por lo
v isto, cualquier masa fundida se puede convertir al estado slido
am orfo. No obstante se ha establecido que la formacin de las capas
amorfas se facilita si al inolal se aade cierta cantidad de impurezas.
Condiciones an ms favorables para obtener vidrio m etlico se
crean precipitando aleaciones m etalmetal y metal metaloide.
Los vidrios m etlicos obtenidos de este modo poseen propiedades
muy interesantes condicionadas por las particularidades de su estruc
tura atm ica.
Estructura atm ica de los vidrios m etlicos. Como en cualquiera
otra substancia no cristalin a en cl m etal amorfo no existo el orden
lejano de disposicin de los tomos. Los datos proporcionados por la
dispersin de rayos X por los cuerpos amorfos so puede intentar ex
p licar tanto en el marco de la estructura microcristalina, como on
cl marco dol modelo do la roil continua. L as investigaciones llevadas
a cabo durante los ltim os aos y en particular los experimentos sobre
la aniquilacin electrn-positrn dan razones de peso para conside
rar que en cl m etal amorfo existe una distribucin de los tomos sin
interrupciones del tipo de los lm ites intergranulares y de los de
fectos puntuales caractersticos de los cristales. Se supone que on el
vidrio m etlico oxiste una d istribucin catica continua de p art
culas esfricas que so caracteriza por el empaquetamiento denso.
Los nmeros do coordinacin, determinados por ol ron quo hay de
bajo del primer pico de la funcin de distribucin rad ial, en la mayora
de los casos resultan ser iguales a 12, es decir, son mayoros que para
los m etales lquidos.
Al calen tar los m etales amorfos se producen variaciones estruc
turales. A diferencia de los vidrios ordinarios (de xidos), que al
calentarse se ablandan y pasan a ser una masa fundida, y al enfriar
esta masa vuelve a form arse vidrio, los vidrios m etlicos al elevarse
la tem peratura cristalizan . E sta particularidad se debe al tipo me
tlico do los enlaces. L a s tem peraturas de cristalizacin (Te,) de las
aleaciones m etlicas amorfas en estado slido son bastante elevadas.
P or ojomplo, para las aleaciones do los m tales do transicin con los
inelatoidos Tcr os m ayor quo (0,4 . . . 0,6) 7,.
Propiedades m ecnicas y anticorrosivas. La peculiaridad do la
estructura atm ica de los vidrios m otlicos, que conduce a ln nu270 1 147

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I'ii| i.

II.

l Y p p ji 't l m l p s f s i c a s

Ir l o s

s lid o s

n m u rfo s

soncin en olios do defectos com o las d islocacio n es, los lm ite s in lci
granularos, ol e. , con d icionan una ri'stsloncia a la rol lira y al di'si'tisl
m uy clav ad a. A s, jm r juilipo, la rosislancia a ln rolu ra <lo las alca
c,iones am orfas a liase <lo hierro es consi dora blemoril.o m ay or quo I
do los coros m s rosislodos. l'Jn los ensayos por tracci n do las alea
cinos in o tlicn s am orfas so pono do m n nifioslo su nlargitm iiiilo, o
d ecir, a d iferencia dc los v id rio s dc xid os, stas son p lsticas.
L o s rasgos m s c a ra c te rs tic o s de la e stru ctu ra dc la s seccio n es d
rotu ra do las aloacionos am o rfas son : 1) la rotura (por tracci n ) s.
produce segn una su p erficie que form a un ngulo do 45 con el oji
do carg a, os d ecir, por ol plano on que act an los esfuerzos cortan te,
m x im o s; 2) la seccin in clu y e siem p re uno o dos p lanos do esfuerzo:
o rlan tes m xim o s que so con v ierten uno on o lro ; 3) en ln e stru cln r
do la secci n hay dos zonas d iferen tes; secto res casi lisos y zonas di
estru ctu ra venosa. Todo esto , ju n to con la form acin do desgarradu
ras on los bordes de la secci n , sa lie n te s y cu e llo s en s itio s aislad o s
dem uestran que d uran te la rotu ra de los m e ta le s am orfos so dosa
rro lla n procesos lo lueneiu v iscosa,
L a s a lta s propiedades do resisten cia a la rotu ra y al desgaste hm
dado ya a los m etales am orfos im p o rtan tes osforas do a p lic a c i n (poi
e je m p lo , en los cab ezales do grabaci n m ag n tica).
L as aleacio n es m e t lica s am orfas poseen gran re siste n cia a la
corro si n . Sobro todo las do hierro y nqu el que co n tie n en crom o.
L a gran resisten cia a la corrosin de los v id rio s m e t lico s se debe prin
cip alm en te a la au sen cia en ello s de lm ite s in te rg ran u lare s, in c lu
siones, e tc.
Propiedades clclrio n s. Por su c o n d u ctib ilid a d e l c tric a los
m etales am orfos estn m s cerca de los m e ta le s lq u id o s que de los
c ris ta lin o s . L a ro sisliv id ad p de las ale acio n e s m e t lic a s am o rfas a
la tem p eratu ra a m b ie n te cs de (1 . . . 2 )- 1 0 ~ l Q - c m , es d ecir, 2
2 veces m ayor quo la do la s aleacio n es c ris ta lin a s corresp on d ien tes.
E sto est relacionad o con las p ecu liarid ad es do la e stru ctu ra le b a n
das de los m etales am orfos. En los m etales c ris ta lin o s la longitud
del reco rrid o lib re del el coirn es ap ro x im ad am en te igual a 5 0 pe
riod os de la red , inclu so a lem pnrnluras T p r xim as a la dc fusin.
Ln au se n cia del orden lejan o en los v id rio s m e t lico s con d icion a la
pequeoz del recorrid o lib ro en e llo s, con m en su rab le con la d is ta n
cia in te rn t m ica . C onsecuencia de eso es la al t a resistiv id ad y la d bil
d ependencia do sta respecto do la te m p eratu ra.
M uchas aleacio n es m e t lica s am orfas a b a ja s tem p eratu ras pasan
a l estad o dc su p erco iu lu ctib ilid ad . E l estu d io de sus propiedades
sup ercond u ctores tien e gran inters ta n to desdo ol punt o le v is ta dol
d esarrollo de la teora le la su p e rco iu lu ctib ilid a d , com o desde el
punto de v ista lo sus a p lica cio n e s t cn ic a s. L a tem p eratu ra le tran
sici n a la su p erc.on iliirtibilid ad ('/) para los m tales am orfos <'s lo

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ti.(i. M etales <morios

valores de 7*s para d iversas aieacio n es estn com prendidos un et in

te rv alo do 2/i a l.O K .
Lu v e n ta ja de les siipeirnixlnvluro nnim fos im com paracin con
los c ris ta lin o s es la e sta b ilid a d do sus c a ra c te rstic a s supcroonducto
ras y m ucnicus a la accin do fas radiacioiins. lisio liunu im p ortan cia
p r c tic a , por e je m p lo , cunad o so u tilizan on los electro im an es su
percond uctores de los reactores nucleares.
Propiedades m ag nticas. L as quo m ayor in ters ofrecen son las
de la s a le a cio n e s am orfas de los m etales do tran sici n (Mn, F e , Co,
N i, . . .) y do la s tierras raras (E u , G d , y otros) con os m talo s y
los m e ta lo id e s. A te m p e ratu ras su ficien tem en te a lta s estas aleacio n es
so h a lla n en estad o p aran iag n tico. L a dependencia do la su sce p ti
b ilid a d m ag n tica respecto do la tem peratura concuerda bien con la
ley de C urio W e iss. Cuando la tem peratu ra desciende por d eb ajo
do 0 en e llo s se produce la ord enacin m ag n tica. E sta puedo ser ferrom a g n tica , antifevvom agnctica o ferrim ag n tica. En una serie, de
casos se observa el estad o de vidrio d e espn . E l v id rio do espn so caroctoriza por la con gelaci n de los m om entos m ag nticos do espn tm
d ireccion es a le a to ria s a tem p eratu ra in ferio r a una c a ra c te rstic a .
E l estad o do v id rio de espn se ha d escubierto tam bin en algu nos
c ris ta le s .
E n m u chos casos la s aleacio n es m e t lica s am orfas so ordenan com o
o s forrom ogntieos, a pesar de que sus anlogos c ris ta lin o s son a u life rro m ag n tico s. E sto dem uestra que cuando la estru ctu ra es am orfa
puede c a m b ia r el ca r cte r de la in teracci n de intorcam bio . Con a n
teriorid ad se d ijo que la desordenacin de la estru ctu ra at m ica haco
que d ism inu ya la longitud del recorrido lib re de los electrones de con
d uccin, la cu a l, en Tos m e ta le s y aleacio n es am orfos, puede ser del
orden do la d ista n c ia in te ra t m ica . E sto sig n ifica que desciende con
sid erab lem en te la ap o rtaci n de la in teraccin do in te rcam b io a
trav s do lo s electron es do condu ccin.
E n la ta b la 11. 2 se com paran algu nas propiedudes m ag n ticas
de ale acio n e s am orfas y c ris ta lin a s de m etales de la s tierras raras
con m etales no de tra n sici n . E l cam bio do signo de 0 evid encia la
v ariaci n del c a r cte r de la in teracci n do in te rca m b io .
L a s ale acio n e s am orfas que p rcticam en te interesan m s en la
a c tu a lid a d son la s que tien en por base los m etales do transicin del
grupo d el h ierro . E s ta s p ertenecen a la clase do m ate ria le s m ag n ti
cam e n te b land os y se d istin gu en por su a lta su sce p tib ilid ad m agn
tic a y b a ja fuerza c o e rc itiv a . E l v a lo r de la. fuerza co e rcitiv a c u estas
aleacio n es depende de su com posicin q u m ica. E n com paracin con
lo s m a te ria le s p o lic risla lin o s m ag n ticam en te blandos, las a le a cio
nes am o rfas tien en una sorio de v e n ta ja s: prdidas menores quo las
del acero para transform ad ores, resisten cia a la rotura elevad a, sen
sib ilid a d m s b a ja de Jas propiedades m ag n ticas a las deform aciones.
O tra v e n ta ja im p rtan lo es que su coste de produccin es m s b ajo .
27*

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Cap. I i . I'ippicdados fsicas de los slidos amorfos

Tabla U .2 . Propiedades m agnticas He las aleaciones am orfas

y c r is ta lin a s He los m etlica He la s tie r ra s ra ra s con tos
m e ta le s no ilc tran sici n
A leacin

amorfa

GMAgk0
Tkf>AS60
NdMAgc0
T b s2A u
Cd8,C ii3,

0, K

i 3(1
70
20
-3 7 ,5
38
ISO

nf
(lig/Atomo R)

8 ,3 6
9 ,8
10,08
-i, 11
9 ,8 3

A leacin
cris ta lin a

GdAg
TbA g
DyAg
NdAg
TbAu
GdCn

B. K

(Pg/tomo R)

-8 4
-3 6
-2 3
-3
-2 3
-7 0

8 ,2 4
10,15
10,45
3 ,5 3
9,54
8 ,0

M m enlo m agntico e fic a z per tom o d el elem en to de loa tie rra s ra ra s

R.

Todo esto abre perspectivas a la utilizacin de las aleaciones m agn

ticas am orfas.
E l prim er intento d e crear la teora de los ferrom agnticos amorfos
lo hizo A. 1. Gubnov en 19G0. E n la actualidad so trabajo mucho
en esta direccin y tlivorsos modolos tericos son objoto de amplia
discusin c ie n tfica . A los que quieran profundizar ms en este pro
blem a les recomendamos que consulten la literatu ra especializada.

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L iteratu ra que se recomienda

Fundam ental
1. Ashcrolt V. A i., Afermln N . B . So lid S ta to P hyaics. Now Y o rk . 1970.
2. Davldou A. S. T eo ra dol slido. E d ito ria l M ili. Mosc. 1981.
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8. Wert Ch., Thomson /I. P hysics o solids. New Y o rk , 1964.
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Introd uccin a la teora de los m tales.)
10. raAKun A . A . (Pnaima xaepnoro te n a . K n es, 19 8 6 . (Galktn A . A . F sica
del estad o s lid o .)

1.

Com plem entara

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B tA O e

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Propiedades m ecn ico s
de lo s m eta le s.)
4 . BoAmanc E . H . tinjutiyaim n Toncnutia eileicra n uonynpoBOjtmiKnx. J I .,
1972. (B oltaks B . I . D ifusin y defectos puntuales en los sem iconductores.)
5. BoHH-BpyeeuH B . J I ., Seneun I I . t i . u flp. Sjioiapom iun rcopnn noy no >>ino'iOHnux noaynpOBOjuurKOB. M ., 19 8 1 . (Bonch-Bruvtch V. L ., Zviaguln J . P . y otros. T eo ra electr n ica de los sem iconductores no ordena
dos.)
6- DoncoecKurt C . B . M ainernsM . M ., 1971. (Voneooskt S . V. M agnetism o.)
7. JIu(pMuti II. M ., Ae6eAu M- t i., Kazanoe AI. II. SnoitTpo luan reopiin
MBTajinon. M ., 1971. (Lijshitz 1. AI., Azbel AI. Y a ., K agnov Al. I. T eora
e lectr n ica de los m e ta le s.)
8 . M ott N . P ., D avis
A . E lo clro n processes in n o u -cry stallin e m a lcri is.
O xford, 1979.
9 . UanAaeno 10. AI. Pisima RaaaeKTpuKOB. Kucn, 1 9 8 0 . (Poplavho Yu. AI.
Fsico de los d ielctrico s.)
10 . F ried el J . D islo ca tio n s. O xford, 1964.
11 . U lajuM oea K . B . linauna noayiipoBOauiiKoa. M ., 1976. (Shalm ova K . V.
F sica de los sem icond uctores.)
12. W nudm B . B . Bsejien u e b cjmauiry CBopxnpoBOgmiicoB. M ., 1982.
(Shm idt V. V. Intro d u cci n a la fsica do los superconductores.)
13. AtafleAyue O. <I>iiamta TBpAoro roa. JIoKaaiiuooaiutuo cocrroflimn. M .,
1985. (M delung O. F sica dol estado slido. E sta d o s lo calizad os.)

E.

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Apndices
Apndices

1. Unidades S I i|e se em plean en la fsica del oslado slido

Unidad

Magullad
ti infusin

naiMlirc

designacin

namlirc

Unidades /undamentales
Longitud
Al asa
Tiem po
Inlensiiiad de la eorrienle
Tem prala
Cantidad de siilislanri
Intensidad de la luz

I,
M
T
1

metrn
kilogram o
segando
amperio

m
kg
s
A

0
N

keivin
mol

K
mol

candela

cd

i rnidadrs derivadas
Velocidad
Aceleracin

f,T->
I.T -*

luorr.n
Presin
Impulso

l,M T -L - 'M T * 1
L M T -'

Knergiu
Potencia
Cnerga interna
Knlalpia
l'n rrg in lilire
Puncin ile Gil)l)s
Cantidad de calor
T rabajo
Superite in
Volonion
Volumen .....lar
Volunten especfico

I/-MT"3
L -M T L2M T *3
Is*M T-*
AAIT*5
rs*M T-*
L -M T "L2
IA
IAN -'
IAM -1

Densidad (lo masa

M L -'

Calor ile transform a

cin de fase (ca
lor laten te)
Capacidad c a lo rfic a
Cntropa
Masa m olar
Concentracin

LVMT-3
iA M T - e -
fAM l- * -1
MN-*
I. 3

Com presibilidad

I.M -T 5

Coefieienln de lenijierotura de d ila ta

cin lineal

metro por segundo

metro por segundo al
cuadrado
ncsvUni
pascal
kilogram o-m etro por
segundo
ju lio
vatio
ju lio
ju lio
ju lio
ju lio
ju lio
ju lio
metro cuadrado
motro cbico
metro cbico por mol
metro cbico por kilo
gramo
kilogram o por m clro
cbico
ju lio
ju lio por kclvin
ju lio por keivin
kilogram o por mol
m clro elevado o me
nos tres
pnsenl elevado a me
nos uno
kclvin elevado a me
llos uno

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m/s
m/s2
N
Pa
kg-m/s
J
W
J

.1
J
J
J
rti2
m3
nrVniol
m /kg
kg/'m5
J
J/K
J/K.
kg/mol
m3
P a -
K -

Apndices

423

Afhi<irr
Magnitud
dimensin

nombre

Coeficiente de tempe
ratura de d ila ta
cin cbica
Alargamiento relativo
Cizallnm iento relativo
Mdulo do Young
Mdulo do rigidez
Tensin tangencia)
Coeficiente de Poisson
Mdulo de compresin
cu b i ca
llocorrido libre medio
Frecuencia de co lilisin
Conductibilidad calo
rfica
Coeficiente de difusin

/ (roi//rtiirtffw)

UnidAil

e -1
(adimensional)
(adiinensional)
L - MT-=
I r 'M T " *
L -'M T * 1
(adimensional)
L - M T -1
L

rp-l

L M T -6 -1
L*T

disignacin

nombre

kelvin elevado n me
nos uno

K -

Pascal
Pascal

Pa
Pn
Pa

Pascal

Pa

Pascal

uiolro
m
segundo elevado o me
9_ l
nos uno
vatio por metro-kel- W/(m-K)
vin
metro cuadrado por m*/s
segundo

2. Constantes bciis
Smbolo

Constante

Velocidad do la luz en el vaco

Carpa del electrn
Constante do Planck
Constante de Avogndro
Unidad de masa atmica
Masa en reposo del electrn
Masa en reposo del protn
Relacin do la masa del protn a la
masa del electrn
Radio de Uohr
Magnotn do Dohr
Constante do Rydberg
Constante di* BolUnimn
IVrm itividad dol vaco
Perm eabilidad dol vaco

c
c
h
h = h/(2n)
Nk
u.m .a.

mc
Mp

M p jm c

0
PB

Rvo

*0
Po

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Valor

2,1)1171)25-1(1" m/s
l,G 0 2 t -1 0 - C
0,0 2 0 2 0 -1 0 - * J-s
1 ,0 5 4 5 8 -1 0 - J-s
0,02 2 1 7 -1 0 m ol-1
1,00053-10-* kg
0 ,1 0 9 5 0 -10- 1 kg
1,07261-10-* kg
1830,11
5 ,2 9 1 7 7 -1 0 -'1 m
9,27410-10-** A-m*
1,09737-10 ro*1
1,380110-10-* J/K
10/(4e)
4 n -l0 -

424

A p n d ic e s

.'i. Ilclac-in c o l re Ins u n id ades S I y COIS

Smbolos <lo las unidades

Nombro de |:i magnitud

SI

Longitud
Masa
Tiempo
Fuerza
Presin
Uucrga
Potencia
Cantidad de electricidad
intensidad do la corriente
Diferencia d<* potencial
Intensidad de campo elctrico
Induccin di: campo elctrico
R esistencia e lctrica
Capacidad elctrica
Flu jo de induccin m agntica
Induccin m agntica
Intensidad de campo m agntico
Inductancia

4.

m
kg
s
N
Pa
3
W
C
A
V
V/in
C/m1

GRS
cm
g
9
dyn
dyn/cm2
erg
crg/s
___

F
Wb
T
A/m
H

___

Mx
Gs
Oe
cm

ltrlacidn ilc
la unidad
SI a la f*OS
iip

np
i
10
10
JO5
10
3-10
3-10
1 /30O
1/(3 -KV)
3-10
1/19-1011)
fl-1011
10
104
4 -n -IO -3
10

Factores do reduccin

L on g itu d de on d a, correspon dien te a 1 eV,

1 2 3 9 6 ,4 4 -1 0 " 10 m .
F recu en cia, corresp on d ien te a eV,
2 ,4 1 8 3 5 7 -1 0 s - 1.
E n erg a , correspondiente a 1 eV,
1,001864 1 0 -1 J .
E n erg a , correspondiente a l vector de onda de J cnt ~1,
1 ,9 8 5 7 4 2 -1 0 ' 53 i .
V elocidad de un electrn con en erg a d e 1 e V ,
5 ,9 3 1 0 9 9 -106 m -S "1.
E n erg a , correspondiente a 1 K ,
8 ,0 1 6 5 6 2 -1 0 -5 oV = 1 3 ,8 0 2 6 -1 0 - J .
T em p eratu ra, correspondiente n la en erga d e 1 eV ,
11605, 56 K .
5. M etal estndar
Bs un m etal con 6 ,0 -1 0 oleclronos por cen tm etro cuadrado y, por consi
guim e, con las propiedades electrnicas que signen:
fla d io de la esfera de Ferm i lev 1,21-10 c m -1.
A rea de ia seccin m x im a A m x = 4 , 6 0 - 1016 cm -2 .
V elocidad d e F erm i v|r = 1 ,4 0 -1 0 * c in -s -1 .

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425

A p n d ic e s

C o n d u c tib ilid a d elctrica ( cs la lon gitu d d el r eeo rrld llib re eri[cm)

1 , 2 1 - l O ' 1 l U - ' . c i i r 1.

Coeficiente de capacidad calorfica especifica

y - C,3 2 -1 0 J - K - J - c m - .
Energa de Fermi Ep = 5,56 eV.
Temperatura de Fermi T p = Eplk% = 64 700 K .
6. Propiedades de los semiconductores
SomtCOnuctor

Si
Go
a-Sn
a-SC
P-SiC
Se
Te
GnP
GaAs
GaSb
lnP
ln As
InSb
CdS
CdSo
CdTo
PbS
PbSe
PhTo
Sn'fe

C onsu m e

de ln red a.
nm

0,543
0,566
0,649
(a) 0,308
(e) 1,511
0,435
0,545
0,565
0,609
0,587
0,000
0,648
(a) 0,414
(e) 0,671
(a) 0,420
(c) 0,701
0,648
0,594
0,612
0,646
0,633

Anchura itu la

I>\ndn

L*g

(d

p rohbala

300 K ), cV

t,ii
0,66
0 ,0 8
2 ,8 - 3 ,2
2 ,2
1,74
0 ,3 6
2,25
1.43
0 ,6 9
1,28
0,36
0,1 7
2,53

Movilidad (a 300 K>

Url, cm2 - V - i . s - i

1350
3 900
2000
400
400
1
1700
120
8 600
4 000
4 000
30 IKK)
76000
210

1,74

500

1,50
0,37
0 ,2 6
0 ,2 9
0,18

600
550
1020
1 620

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Mp. cm J * v - i . s - i

480
1900
100(1

1200
120
400
650
050
240
5000(78 K)

600
930
750

Apndices
7. Propiedades ! las dielctricos (con ln Irccuciicln de I k llz )
n*<*16ct ro

SiO
GcO
S iO j
A IA

Al A
Y A

Y -O ,
Y j Oj
Y s0 ,
T A

Ilf0 2
Z rO j

Procedimiento de obtencin

(a 300 K>

Evaporacin trm ica 0 11 ol vaco

4 6
Evaporacin trm ica en el vacio
9 -1 2
P recipitacin un descarga Iumiuiscento 4 , 9 - 5 , 4
Evaporacin catdica
7 , 2 5 - 9 ,0 7
Anndizncin
9 ,0 3
Evaporacin catdica
1 3 ,5
Anodizacin
17,1
Pulverizacin roactiva
15,0
Pulverizacin por a lta frecuencia
11,1
Evaporacin catdica
27
Evaporacin catdica
18
Evaporacin catdica
20

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igfl
<8 300 K)

0 ,0 0 2 0,01
0 ,0 0 2 0,01
0 ,0 0 1 2 - 0 ,0 1 6
0 ,0 0 5 0,01
0,011
0 ,0 0 4
0 ,0 0 8
0 ,0 0 4 5
0,003
0 ,0 0 7
0 ,0 0 2
0 ,0 0 2

 n d i c e a lfa b tic o d e n o m b re s y m a te ria s

A bsorcin do ln luz 344

c x cit n ica 344, 347
in trn seca o fundam ental 344
por la red c rista lin a o fonnica 344
las im purezas 344
los portadores do carga libros
344

Acritud 152

A finidad por el electrn 65

Anchura dc la banda prohibida 259
A nisotropa m agn tica 388
A ntiferrom agnetism o 383
A proxim acin a d ia b tica 88, 238
do Born O |i>i'lilli'il!H T 238
valencia 239
m onoelcclrnicn 239
tom os in te rstic ia le s 98
Autodifusin 224

Banda do conduccin 259

valen cia 258
Bandas to onorga 205
im pureza 285
perm itirlas 253
prohibidas 253, 259
Bardeen Cooper Sch rieffer teora
299
Barkhauson, efecto 386
Baso 17
B lo ch , fu ncin 242
, parod 390
, ley T/ 382
B o ltzm an n , distrib u ci n 200, 208
Bom beo ptico 355
Born K arm n , condiciones de fron
tera 161). 174, 181, 247
B o ro l. n iu l , frm ula 82
Bo rn M ayor, frmula 84
Boso K in stem , distribucin 184
Bragg, reflexin 44

B rillo u in , funcin 366

B rillo u in , zona 170, 175,

182,

246

Cadena b iatm ica lineal 172

m onoatm ica lineal 165
Calentam iento dol gas clcctrnicu 287
Capacidad c a lo r fic a do la red 186, 197
del gas electr nico 200
C eld illa centrada en el cuerpo 17
en la s bases 17
caras 17
los lados 17
do Bravnia 22, 160
W igucr Soitz 23
elem ental 15
p rim itiv a 15
Centros do color 100
Claso do sim etra 19
Clausius M ossotti, ecuacin 329
Cocficicnto dc Absorcin 343
conductibilidad calorfica 212
difusin 227, 228, 230
extin ci n 343
Coeficiente de la fuerza cuasiulstica
208
reflexin 343
transicin 343
Colas dc las bandas 404
Com presibilidad 83
Condiciones do frontera de B orn
K rm n
109, 174, 181, 247
Conduccin por iones 308
potronos 307
sa lto s 308
Conductibilidad calorfica do los di
elctrico s 212, 215
m etales 217. 220
elctrica do ios dielctricos 416
m etales amorfos 4 ) 8
extrn seca 281
iiilrinsocn 272

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428

Indico olfnbctico de nombres y m aterias

Constante do Hall 293

Mmlclung 81
ninglIclosU'irr nm 389
dol cam|m m olecular '174
Constan tos pticas .Vi 2
C ristales con enlace irilcriniro dbil

.too

los momentos orbitales congela

dos .')I9

y do espn congelados
309
envalentes 03
m oleculares 03, 73
Cunxiiinpnlso 244
Curie, constante de 8114
, ley de 304
, punto fcrrociclrico de 337
, temperatura 338, 375

Debye, frecuencia 195

, funcin 190
, tem peratura 190
, vector de onda 195
Defecto de em paquetam iento 120
Frenkel 98
S d io llk y 99
Defectos lineales (unidimensionales)
97, 109
Deformacin 133, 130, 142, 145
plstica 145, I47
Degeneracin 201, 277
Densidad de estados 274, 399
modos normales 194
D iam agnticas 359, 301, 309
D ielctrico 80, 305, 410
por defecto 300
exceso 3(1.4
D ielctricos amoros 410
Difusin 223
D ilatacin 207
Direcciones cristalogrficas 28, 29
D islocaciones de borde 110
helicoidales 110
m ixtas 111
parciales 120
Dispersin en las impurezas 284
vibraciones trm icas de la
red 279
Distribucin
de
Itnllzmnim 20(1,
208
Itoso Ein slein 1,84
Formi Drac. 2U2
D ominios 335, 385
Dulong y le t il, ley I8<

licuacin de Clausius M ossotti 329

lilis*,l.o de ItnrkliauHcn 330
(m ili 288
H all 292
isotpico 298
Joscplisou estacionario 297
- - no estacionario 297
Meissner Okscneld 297
piezoolcctrico directo 331
inverso 331
piroelc trico 332
primario 333
secundario 333
Zcncr 287
D iodos JosephsOn 297
lije do sim etra per rotacin id
especular 18
helicoidal 19
E lectrocond uctibilid ad do los sem i
conductores 404
Electronogatividad GG
Elem entos do sim etra 18
Em paquetam iento denso de esferas 33
Energa do canjo 8 9 , 378
m agntica 390
En lace covalente 07, 85, 91
do hidrgeno G3
Van der W aals 74, 85
inico G7, 79, 8 4
m etlico 67, 92
Esfera de Ewald 47
Lorentz 328
Espectro de absorcin 343
reflexin 343
Esquema do las zonas reducidas 255
zonal peridico 255
am pliado 256
Estadas superficiales 270
E x cten os 348
Experim ento de Gutin 289

Facto r atm ico 49

de desdoblam iento do Dando 360
desimanacin 390
estructura 51
temperatura 52
Fermi Diruc, distribucin 202
Ferm i, nivel 201, 278, 283
Fcrrim agnetism o 383
Ferroelctrieos 335
Fcrrninagntieos 359, 373
F ic k , leyes 230, 231
FPitones 101
Frmula de Itera - I.mul 82
Itere
Mayor 84
W ul Drogg 44, 47, 48

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Indica alfabtico de nombres y materias

Fortalecim iento de los cristales 152
Fotopolnrizncin 331
l'\ mrl i'r ,

ley

211

Frecuencia do Dubyu 195

Lnrmor 352
ionoplsinica 18(1
Fmnkol, defecto 98
Fuerza ouereUivu 387
Funcin de Blocli 242
Brillou in 368
Debye 196
distribucin radial do los to
mos 397
errores 232
Fermi D irac 202
Greou 250
Langovin 326
espectral do distribucin do las
frecuencias 194

Gas clsico 200, 270

ile fonones 184
degenerado 202, 277
electrnico 336
Gunn, efecto 288

H all, constante 293

, efecto 292
H istresis elctrica 335
m agntica 359, 387
Hueco 264

im anacin 358
de los paramagnticos 359
diam agntica 359
d ifcil 388
fcil 388
Impulso del electrn 244
Indico de coordinacin 36
refraccin com plejo 342
ndices do M iller 26
Integral do canje 89
superposicin 89
Intercam bio 379
directo 379
indirecto 379
ionizacin por choque 291

Joaoplisun, efectos 297

429

Langevin, teora del pararaognotismo

364
l.nriiHM', frccutmriu 362
Lser 354
Loy do Curio 364
Curio Woiss 373, 375
Dnlong y P etit 186
Fick 23(1, 231
Fouricr 211
Hooko 140
M ott 406
Wiedomann Franz 217
TP do Bloch 382
Lim ites intcrgranularos 128
Longitud coheronto 303
Lonsdalo K . 52
Lorcntz, octor do 54
Lum iniscencia 351.

M aclaje 146
Magnotn de Bolir 360
Magnn 382
Masa ofuinva 2>
Meissner
OksemiU, Giecto 397
Metales im prfos 417
Mtodo de Hartrco Fock 239
Laue 56
Mtodos de drftaccio-40
Modos acsticos
normales de las vibraciones 166,
170, 132
pticos do oscilaciones 176
Mdulo de rigidoz 140
Momento elctrico 74, 179
M ott, ley 406
Movilidad du los portadoras do carga
273, 279, 284, 289, 407

Nel, temperatura 383, 384

Nivel de Fermi 201, 278 , 283
Niveles acoptores 269
de Tamm 272
donadores 207

Ondas do espo 381

elsticas 162
Ordonncin magntica 383
Orden prximo 398
Oscilador armnico 172, 182, 187

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Indico a lfa b tico ilf n o m in es y m aterias

lorai ngnllcns 3 5 9 , Sil!)
Pn r me I ros de i n n '<1 (Ti
l*riil Ii* lll.n lt 3 9 ( 1
Puros <l<> lloop er .Ii)
l iillli, p rin cip io de exclu si n L'tiO
P rd id as d ie l ctric a s 338
eire tr ic a s 338
lilu irus 338
P erm itiv id ad ,'S(l!l, 327
re la tiv a d iferen cia l 3 3 7
PioznoliV treo s 331
Pieznpcdaiiy.noin 331
P iro clc trico s 1132
P iro p lam n ci n 331
P lan o esp ecu lar 13
P lan os re ticu la res 24
P oblacin in v rr ti'ia 255
Pulnriziiliilidiul elc c lr u ic a 3 1 3 , 323
i n ica 31 5 , .HUI
P olarizacin d ip o la r e l stic a 3 ll
- - t rm ica 324
e le c tr n ic a c l stic a 312
t rm ica 323
i n ica e l s tic a 314
trm ica 319
P elron os 397
P ortad ores de carga m uyn ritarios 282

m in o rita rio s 282
P o ten cia l rio Itorn M ayor 84
la red 73
Lcnnnrd Jo n e s 71!
peridico 2 4 1 . 242
P rin cip io de ln n li 2()(|
Proceso iionrnil 214
de inversin n U 214
P lin to frrrnolec trico de Curie 337

liad aci n espontnea 334

ind ucido 3S4
Itccoin b in ac.io de portadores 272
R ecorrid o lib re m edio 2 1 5 , 2 1 8
Red re cp ro ca 29, 41!, 4 7 , 57
Hedos do lira vais 23
H eflcxin de Rragg 44
esp ecu lar 18
R e siste n c ia do los crista le s 154
m a g n tica n u clear 395
R eso n an cia m agn tica 3 9 3
n u clea r 395
p aram ag n tica electr n ica 393
R igidez e l stic a 14 0 , 142

S a tu ra ci n (de im an aci n ) 3 8 7
Sem ico n d u cto r por d e fre lo 282

Sem icond uctor por exceso 282

S c n iin n u ln rtu re s (!4, 2 3 5 , 257,
41 )3 . 413
am oros 4 0 3 , 4 1 3
Srlinlllt.v, d efectos 99
S c in iin e la l 285
S m b o lo s ci'istalo g r rico s 25
S im e tra 1,3
Sin g o n a s 22
S is Una us c rista lo g r fic o s 22
Su m as estru ctu ra les 77
Su percoiul ue ti v i dad 294
S u p erficie de Form i 301
Su sce p tib ilid a d m a g n tica 358

272

T iim n i, n iv eles 272

T em p eratu ra c a ra c te rstic a di- Deliyt
190
T em p eratu ra c r t ic a de tran sici n a lt
su p erco n d u ctiv id ad 295
de Curio 338, 3 7 5
D obye 190
E in ste in 190
Nel 3 8 3 , 384
T en si n m ec n ica 131
T en so r de la deform acin 138
tensiones 132
T eo ra de P ardeen Cooper Schvieffer 299
T iem p o do re la ja c i n 2 1 8 . 2 89
T ra n sicio n es d en tro de una m ism a ban
da 348

directas 340
en tro ban das 3 5 2 , 353
in d irecto s 347
pticas 3 4 5 , 3 4 8 , 352
v e rtic a le s 3 4 0
T ra sla c io n e s 14, 19

U m klapprozessc

214

V a ca n cia s 9 6 , 99
V an d er W a a lf, e n la ce 7 4, 85
V a n o de m ovilid ad 4 0 2
el le trien 303
V ecto r de llu rg ers 111
c i/ a lla m iriitn 111
. - orida 48, 104
V ib ra cio n es de la red lf>n, 1 8 9

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n d ic o

a lfa b tic o

V ibracion es do los tom os en

red tridim ensional ftffi

de n o m b res

una

431

m a lc r a s

W ignor So ilz ,

celdilla

2H

W u iff

fr/nnla

44

O ffl^ ,

lina rod on a lineal b iat m ica 171!

m onoatm ica l!>

in a rm n icas 2 0 7 ,

d l ' i

unidim ensionales

du una

lunintKhcu

cuerda

Vounu, mdulo de 140

1 CIO

Wii>dD3ann Franz,

ley

217

Zona de UriMotiirr 170, 175, 182, 240

agotam iento de lu impureza 284

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A N U R S 'J
A lir e d ita

i,

I' j O

lib r o s s o v i t ic o s tr a d u c id o s

n i e s p a o l. in g l s , f r a n c s , A rn b o y o t r o s
id io m a s e x Ir lija r o s . K n l r o o lio s ( ig u n a i
ln s m e j o r e s o b r n .s d o l n s d i s t i n t o s r a m o s d e
l a c i e n c i a y lu t c n i c a , i n n i n i u l o s jin r u l o s
e e i i l i n , * i l e e n s e a ii / .n

s u p e r io r

o sc u o ln s

te c n o l g ic a s , lit e r a tu ra so b ro c ie n c ia s n a
tu r a le s

m d ic a s .

T a m b i n

so

iu c lu y o n

m o n o g r a f a s , 'l i b r o s d o d i v u l g a c i n c i e n t
fic a y c ie n c ia - fic c i n .
A lir ,

D i r i j a n s u s o p in io n e s o ia F ,d il o r ia t
1 lii/ .lis k i p o r ., 2 , 1 2 9 8 2 0 , M o s c ,

I-1 U . S I \

IJIIS S .

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