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Piezoelectricidad.
Objetivo
Analizar el comportamiento de un material piezoelctrico sometido a un campo
elctrico de frecuencia variable.
Estudiar el modelo elctrico equivalente, determinado a partir de las frecuencias de
resonancia serie y paralelo, y del factor de mrito del piezoelctrico.
El efecto piezoelctrico
Un material tiene caractersticas piezoelctricas cuando al ser sometido a
compresiones o deformaciones mecnicas (adems de variar sus dimensiones fsicas
de acuerdo con las leyes de la elasticidad), produce una polarizacin elctrica, dada
por la relacin
P = d .
(1)
rango, o sea una matriz de 3x3), y d el tensor piezoelctrico (de tercer rango). La
componente jk del tensor de tensiones indica la componente j de la tensin del cuerpo
a travs de un rea unitaria perpendicular al eje k. As, al escribir (1) en forma ms
explcita
Pi = d ijk jk
(2)
j ,k
queda claro que d es un tensor propio del material, que determina cul es la
polarizacin inducida en cada direccin por las tensiones mecnicas aplicadas al
mismo.
De la misma forma, un material piezoelctrico se deformar mecnicamente al
aplicrsele un campo elctrico E , segn la siguiente regla:
ij = d ijk Ek ;
(3)
se puede ver que es el mismo tensor d el que determina cul ser la componente i de
la deformacin a travs de un rea perpendicular al eje j ( ij ), producida por un campo
elctrico E .
Entonces un material piezoelctrico, si es sometido por ejemplo- a vibraciones
acsticas, generar entre sus caras un campo elctrico de la misma frecuencia que la
V2
C
R2
V1
d2x
dx
+b
+ kx = F (t )
dt
dt 2
(4)
d 2i
di 1
dV
+R + i = 1 .
dt C
dt
dt 2
(5)
La diferencia est dada por lo que se denomina el factor de mrito o de calidad del
resonador, Q. En dicho circuito, este factor se define como
Q = s
L
R
(6)
s
+
(7)
donde + y - son las frecuencias para las cuales la potencia transferida del generador
al cristal (anlogamente, de 1 a 2 en el circuito de la figura 1) cae a la mitad de la
L4-Piezoelectricidad
Z s = R + j L
(8)
V1
= V1 exp ( j t )
V2
V1 I Z
= V1
R2
exp ( j t )
R2 + Z
(9)
V2
=
V1
R2
( R + R2 )
+ L
(10)
1
=
2
V12 ( R + R2 )
( R + R2 )
+ L
C
(11)
donde los corchetes indican un valor medio sobre un perodo. La potencia mxima
transferida corresponde a la frecuencia de resonancia, s = 1 LC .Para definir el
factor Q en trminos de los elementos del circuito, a partir de (11) se encuentran las
frecuencias + y -, para las cuales la potencia transferida cae a la mitad. As, Q
resulta
Q=
s L
R + R2
(12)
L4-Piezoelectricidad
como una capacidad adicional, en paralelo con el oscilador cristalino. Es por esto que
en el circuito elctrico equivalente hay que incluir este efecto, como una capacidad C2
en paralelo con el piezoelctrico (figura 3):
PZT
V2
V1
C2
R1
R2
= R + j L
;
C
.
1
= j
;
C2
(13)
L
1
R
C
C
.
Y =
+
j
2
2
2
Z
1
1
R 2 + L
R 2 + L
C
C
(14)
R + L
L4-Piezoelectricidad
2 C 22 R 2 + 1 C 2 L
(15)
las resonancias del circuito de la figura 3, en principio se pueden obtener de (10), pero
2
(16)
LC
1 1
1
+
L C C2
(17)
T ( ws ) =
R2
R + R2
El experimento
En esta prctica se estudiarn las caractersticas de un cristal de cuarzo como
resonador piezoelctrico, siguiendo la analoga con circuitos elctricos. Sobre el cristal
se aplica una seal elctrica armnica, que genera oscilaciones mecnicas. Estas
oscilaciones, a su vez, generan una seal elctrica que se registra en otra regin del
cristal. Concretamente, el objeto de estudio es un monocristal de cuarzo cortado a +5
de uno de los ejes cristalinos, en forma de prisma de base cuadrada de 4mm de lado y
50mm de longitud. Dos de sus caras laterales estn metalizadas y poseen dos
L4-Piezoelectricidad
alambres soldados. Sobre uno de ellos se aplica la seal de entrada (V1) y sobre el
otro se registra la seal transmitida (V2), como se muestra en la figura 2.
V2
V1
PZT
R1
R2
generador de
funciones
Bibliografa
1)
Iberoamericana, 1987).
2)
L4-Piezoelectricidad