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Electronica Analogica I
Electronica Analogica I
VicerrectoradodeInvestigacin
ElectrnicaAnalgicaI
TINSBsicos
FacultaddeIngenieraElectrnicayMecatrnica
TEXTOSDEINSTRUCCINBSICOS(TINS)/UTP
LimaPer
ElectrnicaAnalgicaI
DesarrolloyEdicin:VicerrectoradodeInvestigacin
ElaboracindelTINS:Ing.MoissLeureyrosPrez
Ing.JosAndresSandovalValencia
DiseoyDiagramacin:JuliaSaldaaBalandra
Soporteacadmico:InstitutodeInvestigacin
Produccin:ImprentaGrupoIDAT
Quedaprohibidacualquierformadereproduccin,venta,comunicacinpblicaytransformacinde
estaobra.
stematerialesdeusoexclusivodelosalumnosydocentesdelaUniversidad
Tecnolgica del Per, preparado para fines didcticos en aplicacin del
Artculo41inc.CyelArt.43inc.A.,delDecretoLegislativo822,Leysobre
DerechosdeAutor.
Presentacin
ElpresentetextoelaboradoenelmarcodedesarrollodelaIngeniera,esunmaterialde
ayuda instruccional, en las carreras de Ingeniera Electrnica y Mecatrnica para la
Asignatura de Electrnica Analgica I correspondiente al sexto y quinto ciclo de estudios
respectivamente.
Plasmalainiciativainstitucionaldeinnovacindelaprendizajeeducativouniversitarioque
enaceleradacontinuidadpromuevelaproduccindematerialeseducativos,actualizados
enconcordanciaalasexigenciasdeestostiempos.
Laconformacindeltextohasidoposiblegraciasalesfuerzoydedicacinacadmicadelos
Profesores:Ing.MoissLeureyrosPrezyJosAndrsSandovalValencia;ellosbasadosen
su reconocida labor profesional acadmica han hecho posible la presente estructura
capitular:
Enelsegundocaptulo:Filtros;estudialosfiltrospasivos,losdiferentestiposdefiltrosy
familiasdetalmaneraqueseentiendasuaplicacin.
Enelquintocaptulo:Amplificadores;seestudialascaractersticasdellosamplificadores,
culminandoconamplificadoresoperacionales.
Ing.LucioH.HuamnUreta
VicerrectoradodeInvestigacin
ndice
UnidadTemticaNo.I
Diodosemiconductor ........................................................................................................ 11
Diodoconpolarizacininversa ......................................................................................... 12
Caractersticatensincorriente........................................................................................ 12
Dependenciaconlatemperatura ..................................................................................... 13
Resistenciadeldiodo......................................................................................................... 14
Modeloscircuitalesdeldiodo ........................................................................................... 15
Capacidadesinternaseneldiodosemiconductor ............................................................ 16
Diodosespeciales .............................................................................................................. 22
Especificacionesdelosdiodos .......................................................................................... 24
Circuitosenclavadoresdefijacin..................................................................................... 38
UnidadTemticaNo.2
Filtros ............................................................................................................................. 43
Tiposdefiltros................................................................................................................... 43
UnidadTemticaNo.3
Eltransistorbipolar(BJT) .................................................................................................. 59
Representacindeltransistorbipolar............................................................................... 60
Regionesdetrabajoeneltransistorbipolar..................................................................... 61
Tcnicasdecompensacin................................................................................................ 70
ParmetrosK ..................................................................................................................... 83
Parmetrosadmitancia ..................................................................................................... 85
Modelosdeparmetroshibridos.................................................................................. 93
Tecnologadeltransitor .................................................................................................... 94
Formasdeconstruccindeltransitor ............................................................................... 95
UnidadTemticaNo.4
Eltransistorunipolar(FET)................................................................................................. 99
Principiodefuncionamiento ............................................................................................. 99
UnidadTemticaNo.5
Gananciasdelamplificador ............................................................................................... 127
Configuracionesdetransistores........................................................................................ 134
UnidadTemticaNo.6
Reguladores....................................................................................................................... 189
Tiposdereguladores ......................................................................................................... 191
Ejemplosdereguladoreslineales...................................................................................... 193
7
DistribucinTemtica
Clase
N
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
Tema
Circuitos con diodos. Estabilidad trmica. Circuitos de
conmutacin,limitadores,enclavadores.
Circuitos equivalentes, curvas VI. Diodos especiales.
Amplificaciones.
Circuitos de rectificacin con diodos Rectificacin de
media onda y onda completa. Factor de rizado.
Aplicaciones.
FILTROS Y REGULADORES. Filtro a condensador. Filtro a
inductancia.FiltroLC.
Filtro de varias etapas. Reguladores con Zener y C.I.
Aplicaciones
EltransistorBipolar.Mtodosdepolarizacin.Comparaci
losdiferentesmtodos.
Factores de estabilidad. Rectas de carga en contnua y
alternaaplicaciones.
El transistor de efecto de campo. Curvas, caractersticas
delFET.Zonaomisayactiva.
MtodosdePolarizacinyestabilidad.Aplicaciones
EXAMENPARCIAL
Anlisis en pequeas seales del amplificador de audio
frecuencia. Modelo de parmetros hbridos. Clculo de
ganancia.
FormadeAcoplodelosAmplificadores.
Amplificador Multietapas y configuraciones notables. El
amplificadorcascodeyamplificadordarlington.
El Amplificador Diferencial. Amplificador Operacional.
Aplicaciones.
Respuesta enfrecuenciadeamplificadoresdeuna o ms
etapas. Funciones de transferencias. Ceros y Polos
diagramadeBode.
Frecuenciasdecorteinferiorysuperior.
Semana
Horas
10
11
12
13
14
15
16
Clase
N
17
18
Tema
Respuesta en frecuencia del transistor bipolar BJT.
Aplicaciones.
Respuestaenfrecuenciadeltransistordeefectodecampo
FET.Aplicaciones.
Semana
Horas
17
18
19
EXAMENFINAL
19
20
EXAMENSUSTITUTORIO
20
10
ElectrnicaAnalgicaI
UNIDADTEMTICA
No.1
DIODOSEMICONDUCTOR:
Es un dispositivo formado por una capa de semiconductor tipo P junto a otra de
tipoN.
Conducecorrienteenunsolosentido,segnlapolaridaddesusterminales.Enlas
siguientesgrficassemuestranlasconcentracionesdecargasdentrodesuscapas
sinpolarizacin,conpolarizacindirectayconpolarizacininversa:
Diodosinpolarizacin
Aqu vemos que las concentraciones de cargas se mantienen constantes en el
cuerpodelmaterial.
Ppo
P
Npo
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
Nno
N
Pno
Donde:
PPO=Concentracindecargaspositivaslibres(mayoritarias)enlazonaP.
NPO=Concentracindecargasnegativaslibres(minoritarias)enlazonaP.
NNO=Concentracindecargasnegativaslibres(mayoritarias)enlazonaN.
PNO=Concentracindecargaspositivaslibres(minoritarias)enlazonaN.
Diodoconpolarizacindirecta
Aquvemosquelasconcentracionesdecargasdelosportadoresminoritarioshan
aumentadoaloscostadosdelaregindetransicin.Estoquieredecirquehayun
excesodecargasaambosladosdelazonadetransicin.
11
ElectrnicaAnalgicaI
Ppo
Nno
N1
N1
Npo
P1
(Vo
+
V)
+
V
Pno
>
Diodoconpolarizacininversa
Aquvemosquelasconcentracionesdecargasdelosportadoresminoritarioshan
disminuidoaloscostadosdelaregindetransicin.Estoquieredecirquehayuna
escasezdecargasminoritariasaambosladosdelazonadetransicin.
Enestasituacin,eldispositivonoconducecorriente.
ObsrvesequelafuenteVtienesupolonegativoenlareginPyelpositivoenla
reginN.
PPO
NNO
P
NPO
PNO
+
V
Acontinuacinsemuestraelsmboloqueseusapararepresentarlo:
CARACTERSTICATENSINCORRIENTE:
Laecuacindeldiodosemiconductores:
ID=Io(V/VT1)
12
ElectrnicaAnalgicaI
Donde:
V=tensineneldiodo
ID=corrientedeldiodo
Io=corrienteinversadesaturacin
VT=kT/e=Tensintrmica(25.8mVT=300K)
=Coeficientedeemisin(1paraelgermanioy12paraelsilicio)
k=ConstantedeBoltzman=8.62x105eV/K)
e=Magnituddelacargadelelectrn=1.602x1019C
T=TemperaturaabsolutaenK
Eldiodoempiezaaconducirconpolarizacindirectasilatensinsuperaladecodo
oumbral,V.Estatensinvale:0.10.2Vparaelgermanioy0.6Vparaelsilicio.
Esposiblesimplificarlaecuacindeldiodositenemosencuentaque,porejemplo,
undiododesilicioprcticamentenoconducesisutensindirectaesdelordende
0.5V.
Enestecaso,con=2:
ID=Io(V/VT1)=Io(0.5/2x0.02581)=9.691=16,1541
DEPENDENCIACONLATEMPERATURA:
Losdispositivossemiconductoresdependenmuchodelatemperatura.Lacorriente
inversadesaturacindeldiodoesdadaporlaecuacin:
Io=KTmeVGO/VT
Donde:
TeslatemperaturaabsolutaenK.
Kesunaconstante
VGO=EGO/e:Eselequivalenteentensindelanchodelabandaprohibida0K
VT=kT/e:Eslatensintrmica.
Sedemuestraque:
Ioseduplicaporcadaaumentodelatemperaturaen10C
ElectrnicaAnalgicaI
RESISTENCIADELDIODO:
SiundiodotieneaplicadaunatensinVyconduceunacorrienteID,sepresentan
dostiposdeefectosresistivos:
RESISTENCIAESTTICA:
En el grfico siguiente vemos la curva del diodo y las coordenadas del punto de
trabajo,Q,son:(VQ,IDQ)
Laresistenciaestticaesdefinidacomo:
RE=VQ/IDQ
ID
IDQ
VQ
Esteconceptoesaplicablecuandoeldiodoestsometidoatensionesycorrientes
constantes.
RESISTENCIADINMICA:
Esta resistencia se emplea cuando el diodo es sometido a corrientes y tensiones
quevaranconeltiempo.
14
ElectrnicaAnalgicaI
ID
IDQ + id
VQ - vd
VQ
VQ + vd
IDQ
IDQ - id
Enlagrficapuedeversequelasealmontadaenelniveldelpuntodeoperacin
hacevariarlatensinycorrienteenV(=vd)yID(=id),alrededordelpuntode
trabajo, Q. En este caso es ms til el concepto de resistencia dinmica, definida
como:
rd=dV/dID
Lacualesevaluadaenelpuntodetrabajo,Q.
Podemosverquelaresistenciadinmicaeslainversadependientedelatangente
en el punto de trabajo, Q, del diodo. Se obtiene la ecuacin de la resistencia
dinmica partiendo de la ecuacin del diodo. Si derivamos ID respecto de V,
obtenemosinicialmentelaconductanciadinmica:
gd=dID/dV=Io[eV/VT]/VT=IDQ/VT
Luegolaresistenciadinmicaes:
rd=1/gd=VT/IDQ
MODELOSCIRCUITALESDELDIODO:
El concepto de resistencia dinmica nos permite hacer un modelo linealizado del
diodoparasimplificarlosclculosyevitarelempleodelaecuacinexponencial:
15
ElectrnicaAnalgicaI
ID
1/rd
V
V
Elgrficomostradosepuederepresentarporelsiguientecircuito:
rd
+
A
DIODO IDEAL
- C
Eldiodoidealesundispositivoquenoexistefsicamente,peroquenossirvepara
hacerelmodelocircuital.Enestedispositivo:rd=0,V=0,Io=0ypuedemanejar
cualquier corriente a cualquier frecuencia y puede soportar cualquier tensin
inversa. Su grfico corresponde a una lnea vertical que, con polarizacin directa,
coincideconelejedecorrientesyconpolarizacininversa,sugrficacoincidecon
elejedetensiones.
Sedebeindicartambinquesisequierelograrmsprecisin,sepuedenemplear
mssegmentos,yelmodelocircuitalsecomplicarms.
CAPACIDADESINTERNASENELDIODOSEMICONDUCTOR
Otra de las caractersticas notables de la unin PN es que en la regin de
transicinsepresentandostiposdeefectocapacitivo.Uno,predominacuandohay
polarizacininversayelotropredominacuandohaypolarizacindirecta.
Empezaremosestudiandoelcasoconpolarizacininversa
Capacidaddetransicin(CT):
Alestablecerselaunin,seproduceunflujoinicialdecargasatravsdeelladebido
a los gradientes de concentracin. Los tomos de impurezas a los costados de la
16
ElectrnicaAnalgicaI
Uninabrupta:Esaquellaenlaqueelmaterialtipopcambiabruscamenteatipon
oviceversa.
W=anchototaldelaregindetransicin.
Wp=anchodelaregindetransicinenlazonaP.
Wn=anchodelaregindetransicinenlazonaN.
A=Area(oseccin)transversaldeldiodo.
Elprimerpasoeshallarladistribucindecargaspartiendodeladensidaddecarga:
Si la concentracin de impurezas es uniforme, en estado de equilibrio, las cargas
negativasaunladodelaunin,debenserigualesalaspositivasalotrolado.Osea:
AWpeNd=AWneNa
Dedonde:
WpNd=WnNa
V +
W
Wp
Wn
- - - + + +
- - - + + +
P
A
- - - + + +
- - - + + +
- - - + + +
- - - + + +
Vo - V
0
Wp
Utilizandolaspropiedadesdelasproporciones:
Wp=WND/(NA+ND)
17
ElectrnicaAnalgicaI
Wn=WNA/(NA+ND)
eNDNAW2
VoV=
2(NA+ND)
Lacapacidaddetransicinseobtieneconlasiguienteecuacin:
A
CT=
DespejandoWyreemplazando:
A[eNAND]1/2
CTo
CT==
[2(NA+ND)]1/2[VoVD]1/2[1V/Vo]1/2
Esteresultadoesvlidoparauninabrupta.
Sepuedededucirenformaanlogaparaotrostiposdeuniones.Enestecaso:
CTo
CT=
[1V/Vo]m
CTo eslacapacidaddetransicincuandonohaypolarizacinexterna.
m es el coeficiente de gradiente de unin y su valor est comprendido entre
0.33y0.5
Capacidaddedifusin(CD):
Estecomportamientosepresentaprincipalmentecuandolapolarizacinesdirecta.
Comoyasehavisto,enestecasolasconcentracionesdeportadoresminoritarios
aumentanaloscostadosdelazonadetransicin.Elaumentodehuecosenunlado
secorrespondeconlareduccinenelotrolado,generndoseunefectocapacitivo
porhuecos,algoanlogosucedeconloselectrones.Estascapacidadestambinson
nolineales,porloquesedefine:
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ElectrnicaAnalgicaI
CD=CDp+CDn=dQp/dV+dQn/dV
Donde:
Qprepresentaelexcesodecargaspositivas(huecos)
Qnrepresentaelexcesodecargasnegativas(electrones)
Q=QoV/VT
Luegoobtenemos:
CD=gpp+gnn
Donde:
gpeslaconductanciadinmicadehuecosenlazonaP.
gneslaconductanciadinmicadeelectronesenlazonaN.
peseltiempodevidamediodeloshuecosenlazonaP.
neseltiempodevidamediodeloselectronesenlazonaN.
Enelcasoparticularque:
p=n=
Laecuacinsereducea:
CD=g
Donde:geslaconductanciadinmicadeldiodo.
SOLUCION:
Laconductanciadinmicadeldiodoestdadapor:
g=ID/VT=1mA/26mV=0.04A/V
Lacapacidaddedifusines:CD=g=40nF
ElectrnicaAnalgicaI
Laadmitanciadeldiodoa1MHzes:
Y=g+jwCD=0.04+j0.025
SOLUCION:
Lacorrientedeldiodoestdadaporlaecuacin:
ID=Io[V/VT1]
Entonces:
0.9Io=Io[V/VT1]
0.9=V/VT1
exp(V/VT)=0.1
Dedonde:V=(26mV)ln(0.1)=59.87mV
Tiemposdeconmutacindeldiodosemiconductor:
Cuando el diodo trabaja en conmutacin ( o sea, pasando de su estado de
conduccin al de no conduccin y viceversa), demora para pasar de un estado al
otro.
Altiempoquedemoraenpasardelestadodeconduccinaldenoconduccinsele
llama:tiempoderecuperacininversa(trr).
Altiempoquedemoraenpasardelestadodenoconduccinaldeconduccinsele
llamatiempoderecuperacindirecta(trd).
Es importante tener cuidado con estos tiempos debido a que durante los
transitorioslosdiodospuedenverseafectadoseinclusodestruirse,especialmente
cuandotrabajanconcorrientesaltas.
Tiempoderecuperacininversa(trr):
Cuandoeldiodoconduce,hayunexcesodecargasaambosladosdelareginde
transicin. Al invertirse la polaridad este exceso debe ser eliminado para que el
diodo pase a su estado de no conduccin. Por ese motivo, el diodo conducir en
sentidoinversoduranteunosinstantes,comosemuestraenlasiguientefigura:
20
ElectrnicaAnalgicaI
0.7
ID
ta
I
tb
- 0.2 IR
t
t
- IR
ta eseltiempoquepasadesdequelacorrienteescerohastaquellegaasupico
inverso(IR)
tb eseltiempoquepasadesdequelacorrienteestaensupicoinversohastaque
sereduceal20%desuvalor.
Luego:
trr=ta+tb
Delasgrficasvemosquesecumpleaproximadamente:
QR=IRta+IRtb=IRtrr
Luego:
IR=2QR/trr
Alarelacinentretb/taseledaelnombredefactordesuavidad,FS
FS=tb/ta
Tiempoderecuperacindirecta(trd):
Cuandoeldiodonoconduce,hayunaescasezdecargasaambosladosdelaregin
detransicin.Alponersepolarizacindirecta,estaescasezdebepasaraexcesode
cargasydeberlimitarselavelocidaddevariacindelacorriente(dI/dt)porqueel
dispositivo puede daarse, especialmente cuando est trabajando con corrientes
altas.
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ElectrnicaAnalgicaI
a) Lacargadealmacenamiento,QR
b) Lacorrientepicoinversa,IR
Solucin:
a) Sabemosque:
trr=ta+tb=ta(1+FS)
Luego:
ta=trr/(1+FS)=5s/(1+0.5)=10/3s
tb=trrta=5/3s
Sabemostambinque: IR/ta=dI/dt
Adems:
QR=IRtrr
Reemplazando: QR=(tadI/dt)trr=(5/3*80)5s=(2000/3)C
DIODOSESPECIALES:
La unin PN es muy importante porque presenta una serie de fenmenos tiles
quedeterminanlaconstruccindediodosespeciales:
Smbolo:
Diodozener:Diododiseadoparatrabajarensureginderuptura.Seleemplea
comoreguladordetensinocomolimitador.
Diodo varicap: Diodo usado como capacidad variable con la tensin. Se polariza
inversamente.
Diododeavalancha:Diodousadocomoproteccincontrasobretensiones.Seusa
sureginderuptura.
Fotodiodo:Diodousadoparaconvertirluzenelectricidad.
Diodoemisordeluz:Diodousadoparaemitirluz.
22
ElectrnicaAnalgicaI
Diodotnel:Diodoconaltaconcentracindeimpurezas.Usadocomoosciladorde
altafrecuencia.
TIPOSDEDIODOSDEPOTENCIA:
Sepuedenclasificaren:
Diodosdeusogeneral:Trabajanhasta1KHz,connivelesdetensininversadesde
50Vhasta5KVynivelesdecorrientedesde1Ahastavariosmilesdeamperios.
Diodosderecuperacinrpida:Sutiempoderecuperacininversaesdelordende
5s, con niveles de tensin inversa desde 50V hasta 3KV y niveles de corriente
desde1Ahastavarioscientosdeamperios.
RECTIFICADORESDEPOTENCIA:
La historia de la Electrnica de Potencia comenz en 1900 con un dispositivo
denominadorectificadordearcodemercurio.Fueelprecursordelosdispositivos
semiconductores,quediogranimpulsoalaingenieradeconvertidores.Consista
en un tubo de acero en el que se haca el vaco, dotado de un nodo de grafito
aislado y de un ctodo de mercurio que emita electrones a travs de un arco
excitador.Entreelnodoyelctodoseponaunarejilla.Alaplicarunimpulsode
tensin positivo en la rejilla se iniciaba el arco y la conduccin entre nodo y
ctodo.Entresusventajasestaban:Laelevadaresistenciaalassobretensionesya
las variaciones bruscas de corriente. Posteriormente aparecieron los dispositivos
termoinicosyagas,talescomoelfanotrn,eltiratrnyelignitrn.
ElectrnicaAnalgicaI
DesdequeseconstruyelprimerSCR,losrectificadorescontroladosdesiliciohan
logrado un gran avance y actualmente pueden llegar a manejar niveles de
corrientes del orden de los 10,000 amperios. Otro tanto ha sucedido con los
transistores bipolares que tambin han logrado un alto nivel de desarrollo y los
conocimientosadquiridosconlhanservidoparacrearnuevosdispositivosqueen
la actualidad pueden ser usados en controles de velocidad, UPS, rels de estado
slido,etc.
PROBLEMA1.4:Losvaloresmedidosenundiodoatemperaturade25Cson:
V=1VconID=50AyV=1.5VconID=600A.Determine:
a) Elcoeficientedeemisin,
b) Lacorrienteinversa,Io.
SOLUCIN:
Laecuacindeldiodoes:
ID=Io(V/VT1)
Luego:
50=Io(1/VT1)=Io1/VT
Adems:
600=Io(1.5/VT1)=Io1.5/VT
Dividiendo:
600 1.5/VT
==0.5/VT
50
1/VT
Despejando:
0.5
==7.8
VTln(12)
ESPECIFICACIONESDELOSDIODOS:
Para poder seleccionar un diodo los fabricantes dan un conjunto de
especificaciones:
Tensin inversa de pico repetitiva (VIP PRV): Es el mximo voltaje inverso que
puedesoportareldiodo.
24
ElectrnicaAnalgicaI
Estastensionessonproducidasporcargasdetipoinductivaconectadasaldiodoo
conectadasalareddeAC.
Corrientedirectapicorepetitiva(IPmaxIFRM):Cuandoeldiodoconducecorrientes
quevaranconeltiempo,puedenhaberinstantesquealcancevalorespico.Elvalor
mximoqueeldiodopuedesoportareselespecificado.
Haydostiposbsicosderectificadormonofsico:
- Elrectificadordemediaonda,y
- Elrectificadordeondacompleta.
El rectificador de onda completa puede ser, a su vez, con toma central y tipo
puente.
25
ElectrnicaAnalgicaI
RECTIFICADORDEMEDIAONDA:Enelsiguientegrficosemuestraunrectificador
demediaondaconcargaresistiva:
Lossiguientesgrficosmuestranlasformasdeondadelatensindeentrada(Vin),
latensinenlacarga(VL)ylacorrienteenlacarga(IL):
LasiguienteecuacindalaseriedeFourierdelatensindesalida.
VmVm
2Vmcos(kwt)
VL(t)=+sen(wt)
2
k=2,4,...(k+1)(k1)
Podemosobservarqueelniveldecontinuaqueentregaelrectificadores:
VLDC=Vm/
Yqueelprimerarmnicotienelamismafrecuenciaquelaentrada.
26
ElectrnicaAnalgicaI
Acontinuacinsemuestraunrectificadordemediaondaconcargainductiva:
Seobservaquelainductanciaobligaraldiodoaseguirconduciendoapesarquela
tensindeentradacambiadepolaridad.
RECTIFICADORESDEONDACOMPLETA:
En el siguiente esquema se muestran los dos tipos de rectificadores monofsicos
deondacompletaconcargaresistiva:
27
ElectrnicaAnalgicaI
Lossiguientesgrficosmuestranlasformasdeondadelatensindeentrada,(Vin),
lacorrientedeentrada(Iin),latensinenlacarga(VL)ylacorrienteenlacarga(IL):
LasiguienteecuacindalaseriedeFourierdelatensindesalida.
2Vm 4Vm
cos(kwt)
VL(t)=
k=2,4,...(k+1)(k1)
Podemosobservarqueelniveldecontinuaqueentregaelrectificadoreseldoble
queeldemediaonda:
VLDC=2Vm/
28
ElectrnicaAnalgicaI
IL
D1
D1
IL
LL
AC
VL
D2
VL
LL
AC
+
D3
D4
D2
RECTIFICADOR CON TOMA CENTRAL
Lossiguientesgrficosmuestranlasformasdeondadelatensindeentrada,(Vin),
lacorrientedeentrada(Iin),latensinenlacarga(VL)ylacorrienteenlacarga(IL):
Seobservaquelacorrienteenlacargainductivaaumentarcontinuamente;esto
sedebealcontenidodecontinuadelatensindesalida.Tambinlacorrientede
entrada(Iin)aumentar,continuamente,tendrarmnicasynoestarenfasecon
laentrada.EstosignificaqueelcircuitointroducearmnicasalafuentedeACyel
factordepotenciasedeteriora.
ESPECIFICACIONESDELOSRECTIFICADORES
Losrectificadorespuedenserdescritosmedianteunconjuntodeparmetrosque
permitencompararlosyconloscualespodemosdeterminaralmsadecuadopara
laaplicacinquesedesea.
29
ElectrnicaAnalgicaI
Estosparmetrossonlossiguientes:
1)
VOLTAJEPROMEDIOENLACARGA(VLDC)
2
T
1
1
V LDC = V L (t )dt =
V L ( )d
T 0
2 0
2)
CORRIENTEPROMEDIOENLACARGA(ILDC)
Eslacorrientecontinuaquellegaalacarga.Sehallamediantelasiguiente
expresin:
I LDC =
3)
4)
1
1
I L (t )dt =
T 0
2
( )d
POTENCIADCPROMEDIOENLACARGA(PLDC)
Es la potencia en DC que llega a la carga. Se halla mediante la siguiente
expresin:
V Lef
5)
1
V L2 (t )dt =
=
T 0
1
2
2
L
( )d
CORRIENTEEFICAZENLACARGA(ILef)
Incluye la corriente DC y los armnicos que llega a la carga. Se halla
mediantelasiguienteexpresin:
I Lef =
1 2
i L (t )dt =
T 0
30
1
2
i
0
2
L
( )d
6)
ElectrnicaAnalgicaI
POTENCIAACPROMEDIOENLACARGA(PLAC)
Eslapotenciaenlacargaproducidaportodaslascorrientesytensiones(DC
yarmnicos.Sehallamediantelasiguienteexpresin:
7)
EFICIENCIA()
Es la relacin entre las potencias DC y AC que llegan a la carga. El valor
mximoes100%.
8)
PLDC
PLAC
TENSINEFICAZDELRIZADOENLACARGA(VLR)
Es la tensin eficaz de todos los armnicos que llegan a la carga. No
incluyenalatensincontinua.Sehallamediantelasiguienteexpresin:
2
2
VLR = VLef
VLDC
9)
FACTORDEFORMA(FF)
EslarelacindelatensineficazenlacargaconlatensinDCenlacarga.
Sehallamediantelasiguienteexpresin:
FF =
10)
VLef
VLDC
FACTORDERIZADO(r)
Es la relacin de la tensin eficaz del rizado, sin incluir la DC y la tensin
continuaenlacarga.Sehallamediantelasiguienteexpresin:
2
2
V Lef
V LDC
V LR
r=
=
= ( FF ) 2 1
V LDC
V LDC
11)
FACTORDEUTILIZACINDELTRANSFORMADOR(TUF)
Eslarelacindelapotenciacontinuaenlacargaylapotenciadisponibleen
eltransformador.Sehallamediantelasiguienteexpresin:
31
ElectrnicaAnalgicaI
TUF =
PLDC
VS I S
12)
VS=Tensineficazenelsecundario.
IS=Corrienteeficazenelsecundario.
DISTORSIONARMONICA(THD):
Ladistorsinnosrelacionaelvaloreficazo(laamplitud)deunaarmnica
respecto al valor eficaz (o amplitud) de la fundamental, expresada en
porcentaje.
TomandocomoejemplolaseriedeFourierdelrectificadordemediaonda
concargaresistiva:
V L (t ) =
Vm
Vm
2V
2V
2V
sen(t ) m cos(2t ) m cos(4t ) m cos(6t )....
2
3
15
35
D2a=(4Vm/3)/Vm=4/3=42.44%
Ladistorsindecuartaarmnicareferidaalaarmnicafundamentales:
D4a=(4Vm/15)/Vm=4/15=8.49%
Comnmenteseemplealadistorsinarmnicatotal(THD)como:
THD=[V2m2+V3m2+V4m2+....]1/2/Vm]x100%
Donde:
Vm=Amplituddelaprimeraarmnica
V2m=Amplituddelasegundaarmnica
V3m=Amplituddelaterceraarmnica
V4m=Amplituddelacuartaarmnica
....
32
ElectrnicaAnalgicaI
PROBLEMA 1.5: Halle los parmetros del rectificador de media onda con carga
resistiva.
+
RL
220 V , 60Hz
VLdc
-
SOLUCIN:
1)
Voltajepromedioenlacarga(VLDC)
Vm=tensinpicodeentrada
VLDC=(1/T)VL(t)dt=Vm/
0
2)
Corrientepromedioenlacarga(ILDC)
T
ILDC=(1/T)iL(t)dt=Vm/(RL)
0
3)
Potenciadcpromedioenlacarga(PLDC)
PLDC=VLDCILDCPLDC=V2m/(2RL)
4)
Voltajeeficazenlacarga(VLef)
VLef=(1/T)V2L(t)dt=Vm/2
5)
Corrienteeficazenlacarga(ILef)
2
ILef=[(1/T)i L(t)dt]1/2=Vm/(2RL)
33
ElectrnicaAnalgicaI
6)
7)
PotenciaACpromedioenlacarga(PLAC)
PLAC=VLefILef=V2m/(4RL)
Eficiencia()
Es la relacin entre las potencias DC y AC que llegan a la carga. El valor
mximoes100%.
8)
9)
PLDC V2m/2RL4
====40.53%
PLAC V2m/4RL 2
Tensineficazdelrizadoenlacarga(VLR)
VLR=V2LefV2LDC=0.3856Vm
Factordeforma(FF)
EslarelacindelatensineficazenlacargaconlatensinDCenlacarga.
Sehallamediantelasiguienteexpresin:
VLef
Vm/2
FF====1.57
VLDCVm/2
10)
Factorderizado(r)
VLR [V2LefV2LDC]1/2
r===[(1.57)21]1/2=1.21
VLDC
VLDC
11)
Factordeutilizacindeltransformador(TUF)
PLDC V2m/2RL
TUF===28.66%
VSIS (Vm/2)(Vm/2RL)
34
ElectrnicaAnalgicaI
PROBLEMA1.6:Hallelosparmetrosdelrectificadordeondacompletaconcarga
resistiva.
IL
D1
D2
VL
RL
AC
D3
D4
SOLUCIN:
1)
Voltajepromedioenlacarga(VLDC)
VLDC=(1/T)VL(t)dt=2Vm/
Vm=tensinpicodeentrada
0
2)
Corrientepromedioenlacarga(ILDC)
T
ILDC=(1/T)iL(t)dt=(2Vm)/(RL)
3)
Potenciadcpromedioenlacarga(PLDC)
PLDC=VLDCILDCPLDC=(4V2m)/(2RL)
4)
Voltajeeficazenlacarga(VLef)
T
VLef=(1/T)V2L(t)dt=(Vm)/(2)
5)
Corrienteeficazenlacarga(ILef)
35
ElectrnicaAnalgicaI
6)
7)
T
ILef=(1/T)i2L(t)dt=Vm/(2RL)
PotenciaACpromedioenlacarga(PLAC)
PLAC=VLefILef=(V2m)/(2RL)
Eficiencia()
Es la relacin entre las potencias DC y AC que llegan a la carga. El valor
mximoes100%.
PLDC 4V2m/2RL8
===
=81.06%
2
2
PLAC V m/2RL
8)
9)
10)
Tensineficazdelrizadoenlacarga(VLR)
VLR=[V2LefV2LDC]1/2=[V2m/24V2m/2]1/2=0.095Vm
Factordeforma(FF)
Eslarelacindelatensineficazenlacargaconlatensinenlacarga.Se
hallamediantelasiguienteexpresin:
Vm/2
VLef
FF====1.11
VLDC2Vm/22
Factorderizado(r)
[V2LefV2LDC]1/2
r=VLR/VLDC==[(1.11)21]1/2=0.234
VLDC
11)
Factordeutilizacindeltransformador(TUF)
PLDC 4V2m/2RL 8
TUF====81.06%
VSIS (Vm/2)(Vm/2RL)2
36
ElectrnicaAnalgicaI
CURVADEREGULACIN:
Cuando la resistencia de carga es menor, la tensin DC disminuye debido a la
resistenciaquetieneneldevanadodeltransformadorylosdiodosrectificadores.Si
se hace un grfico de la tensin DC en la carga vs. la corriente DC en la carga,
tendrlaformasiguiente:
VLDC
ILmax
IL
Vm
VLDC=ILDCRf
Paraunrectificadordeondacompleta,laecuacindelacurvaderegulacin:
2Vm
VLDC=ILDCRf
PROBLEMA1.7:Serequiereunrectificadordeondacompletaparaalimentaruna
cargacon400VDCy40A,apartirdelaredde220VAC.Determine:
a)
Lasespecificacionesdelosdiodos
b)
Lasespecificacionesdeltransformador
SOLUCIN:
La tensin pico del secundario del transformador la hallamos con la
a)
ecuacindelatensinpromedioparaelrectificadordeondacompleta:
37
ElectrnicaAnalgicaI
2Vm
VLDC= =400
b)
Luego:Vm=400/2=628.32V
Comoenelrectificadordeondacompletacadaparejadediodosconduce
enformaalternadaconlosotrosdos,cadaparejaentregarlamitaddela
corrienteDCalacarga.
Luego:IDC=20A
Especificacindelosdiodos:
Tensininversadepicorepetitivo>628.32V
Corrientepromedio>20A
Corrientedirectadepicorepetitivo>628.32/10=62.8A
Podemospartirdelfactordeutilizacindeltransformadorenelrectificador
deondacompleta:
400*40
PLDC
TUF===0.8106
VSIS (Vm/2)(Vm/2RL)
Luego:Vs*Is=400*40/0.8106=19378,47W
Latensineficazdelsecundarioes: Vs=Vm/2=444.29V
Lacorrienteeficazdelsecundarioes: Is=19378,47/444.29=43.62A
Lapotenciadeltransformadores: Ps=19378,47W
CIRCUITOSENCLAVADORESODEFIJACIN:
Son circuitos cuyo objetivo es desplazar una onda alterna en un nivel positivo o
negativodetensincontinua.
Enlasiguientefigurasemuestraunejemplo:
38
ElectrnicaAnalgicaI
C1
Vg
D1
+
Vo
-
Duranteelsemiciclonegativodelaentrada,Vg,C1secarga,prcticamente,alvalor
picodelaalternadeentrada.
DOBLADORDETENSIN:
Esuncircuitoquerecibeunatensinalternayentregaunatensincontinuacuyo
voltajeeseldobledelvalorpicodelaalterna.
Estformadoporuncircuitofijadoryundetectordepicos.
Puedenser:
39
ElectrnicaAnalgicaI
C1
Vp
D1
D2
C2
Vs
D1
+
RL Vo
-
C1
Vs
RL
C2
D2
+
Vo
-
El voltaje de salida no llega instantneamente al doble del valor pico, sino que
subirsuvalorgradualmenteyalcanzareldobledespusdeunoscuantosciclos.
Elvoltajedesalidaesunatensincontinua.
Invirtiendoambosdiodosseobtienenvoltajesconpolaridadopuesta.
PROBLEMA1.8:Enelcircuitodelafigura,losdiodossonideales.Halle:
a)
LagrficadelaformadeondadeVL.
b)
ElvoltajepicodelrizadoenVL.
c)
ElvoltajepromediodeVL.
40 uF
50K
40 uF
220V 60Hz
+
VL
-
40
ElectrnicaAnalgicaI
Solucin:
a)
LagrficadelaformadeondadeVL.
A: c2_2
700.0 V
500.0 V
300.0 V
100.0 V
-100.0 V
0.000ms
b)
c)
50.00ms
100.0ms
150.0ms
ElvoltajepicodelrizadoenVL.
Elvoltajemximoenlasalidaes:
Vm=2(220)2=622.25
Elperododelaondadeentradaes:
T=1/60=16.67ms
V1=622.2516.67/2000=617V
Elvoltajepicopicodelrizadoes:
Vr=622.25617=5.25V
Vr/2=2.625V
Elvoltajepicoderizadoes:
ElvoltajepromediodeVL.
Elvoltajepromedioenlacargaes:
VLDC=619.6V
VLDC=622.25Vr/2
LIMITADORES: Son circuitos cuyo objetivo es evitar que una seal sobrepase el
niveldetensindeseado.
Puedelimitarseunpicodelasealoambos.
Enlasiguientefigurasemuestranalgunostiposdelimitadores:
41
ElectrnicaAnalgicaI
R
D
D
Vi
D
RL
Vi
RL
VCC
VCC
VCC
Las fuentes de tensin DC pueden ser reemplazadas por diodos zener o por
resistencias.
42
ElectrnicaAnalgicaI
UNIDADTEMTICA
No.2
FILTROS:
Los filtros son circuitos que dejan pasar frecuencias dentro de un determinado
rango.Fueradeesterango,atenanlassealesosusarmnicas.
TIPOSDEFILTROS:
Podemos clasificarlos segn el rango de frecuencias que dejan pasar. Entre ellos
tenemos:
Filtro pasa bajo: Dejan pasar las frecuencias que estn por debajo de un
determinadovalor(fL)
Filtro pasa alto: Dejan pasar las frecuencias que estn por encima de un
determinadovalor(fH)
Filtropasabanda:Dejanpasarlasfrecuenciasqueestnentreunrangodevalores
(fLyfH)
Filtroderechazodebanda(Notch):Rechazanlasfrecuenciasqueestnentreun
rangodevalores(fLyfH)
Filtropasatodo(odesfasador):Dejanpasartodaslasfrecuencias,peroproducen
desfasaje.Seleempleacomodesfasador.
FAMILIASDEFILTROS:
Lafuncindetransferenciadeunfiltropasabajotienelaformasiguiente:
H(s)=N(s)/D(s)
N(s)yD(s)sonpolinomiosens
Hay muchas familias de filtros. Cada filtro de una familia posee una funcin de
transferencianica.Lalocalizacinycomplejidaddelospolosycerosdelafuncin
detransferenciadefinenporcompletolarespuestadelfiltro.Lamayorpartedelos
requisitos que debe cumplir un filtro se satisfacen eligiendo cualquiera de las
siguientesfamilias:
43
ElectrnicaAnalgicaI
1)
2)
3)
4)
Butterworth:Suspoloscaendentrodeunacircunferenciaderadio1dentro
delplanocomplejo.Elfiltropasabajonotieneceros.Poseencaractersticas
transitorias relativamente buenas. Su respuesta en frecuencia es bastante
planaysuatenuacinesconpendienterelativamenteacentuada.Sepueden
disearconcomponentesdevaloresprcticoscontoleranciaspococrticas
Chebyshev: Presentan una pendiente de atenuacin ms aguda que el
Butterworth, pero, su respuesta no es plana y presenta rizado; adems su
respuesta transitoria no es tan buena como los Butterworth. El filtro pasa
bajo no tieneceros. La mayor amplitud del rizo hacequela atenuacinsea
ms aguda, pero su respuesta a los transitorios empeora. Sus polos se
localizanenunaelipseenelplanocomplejo.
Bessel:Seempleanparalareproduccinfieldelaondadeentrada.Ofrecen,
para ello, un retardo constante en la banda pasante. El filtro pasa bajo no
tiene ceros. Su respuesta en frecuencia no es tan buena como los de las
familias anteriores, pero sus excelentes propiedades transitorias lo hacen
muytil.
Funcin elptica: Su funcin de transferencia posee polos y ceros; esto
permitequesupendientedeatenuacinseainclusomsagudaqueladela
familiaChebyshev,peropresentarizadotantoenlabandapasantecomoen
la rechazada. Sus circuitos son ms complejos, pero requieren menos
seccionesparaunaatenuacindada.
Porestarazn,estasfuentesrequierenfiltrospasabajo.Lafrecuenciadecortede
estosfiltrosdebesermenorqueladelarmnicomsbajo.
FILTROSPASABAJO:
Losfiltrospasabajomsusadosenlasfuentesdealimentacinson:
44
FILTROPORCONDENSADOR
Eselmsusadoparacorrientespequeasomedianasdebidoasusencillezybajo
costo.Sufuncionamientosebasaenqueelcondensadoralmacenaenergacuando
el diodo conduce y luego la entrega a la carga cuando el diodo no conduce. Si la
capacidad es grande, no se descarga demasiado y tiende a mantener la tensin
constanteenlasalida.Unodesusprincipalesinconvenientesesquehaceconducir
corrientesmuyintensasalosdiodosdurantepequeosintervalosdetiempo.Sila
capacidad aumenta o la resistencia de carga disminuye, el diodo conduce una
corrientepicomsalta.Lascorrientesdeentradatipoimpulsoquegenera,pasana
la red AC haciendo aumentar su contenido de armnicos y afectan al factor de
potencia.
Enelcasodeunrectificadordeondacompleta:
D2
D1
VAC
RL
+
C
60 Hz
D3
D4
EnlasiguientegrficasevelaformadeondadecorrientequeentregalafuenteAC
(de17voltiospico),paraunacapacidadde2200Fyunacargade100:
45
ElectrnicaAnalgicaI
Anlisisaproximadodelfiltroporcondensador:
Comoelcondensadorentregaenergaalacargacuandolosdiodosnoconducen,
una forma prctica de hacer que la tensin en la carga sea ms constante y
disminuyaelrizadoeshacer: RLC >> T/2 para el rectificador de onda completa
RLC>>Tparaelrectificadordemediaonda
Enelgrficoanteriorsemuestralaformadevariacindelrizadoenlacargayseve
quepodemosrepresentarelrizadocomosegmentosdebidoaquelaconstantede
tiempo es grande. El flanco de subida corresponde a los instantes que el
condensador carga y los diodos conducen; el flanco de bajada corresponde a los
instantesenqueelcondensadorsedescargaylosdiodosnoconducen.:
VL
T1
T2
Vm
Vr
Vldc
LosdiodosconducenyelcondensadorsecargaduranteeltiempoT1ylosdiodos
noconducenyelcondensadorsedescargaduranteeltiempoT2.
Hallaremosinicialmenteelfactorderizadoyluegolacurvaderegulacin:
Comoelcircuitoesunrectificadordeondacompleta,Secumple:
46
T/2=T1+T2
Vreselvoltajepicopicodelrizado.
Vmeselvoltajepicodelatensindeentrada.
LatensinDCenlacargasepuedeexpresarcomo:
VLDC=VmVr/2
Elvoltajeeficazdelaondatriangulardelrizadoesdadopor:VLr=Vr/(23)
DuranteeltiempoT2,elcondensadorsedescargaenformaprcticamentelineal:
Usandolaecuacindelcondensador:Q=CV=CVr
Entonces:
Q/T2=CVr/T2=ILDC
ILDCeslacorrientecontinuaenlacarga.
PodemosdespejarVrdeestaecuacin:
Vr=ILDCT2/C
Reemplazandoenelvoltajeeficaz:
VLr=ILDCT2/(23)C
Comnmentesecumple:
T2>>T1
Entonces:
T2=T/2
Adems:
VLDC=ILDCRL
Reemplazando:
r=
(43)fCRL
Podemoshallartambinlaecuacindelacurvaderegulacin:
VLDC=VmILDC/(4fC)
Estasecuacionesnossirvenparahacereldiseodelfiltro.
PROBLEMA 2.1: Se quiere disear un rectificador con filtro por capacidad para
alimentarunacargacon12Vdcy1Aconrizadonomayordel5%,empleandoun
rectificadordeondacompletacontomacentral.Determinelacapacidadnecesaria,
laespecificacindelrectificadorylatensindeentradaAC.
SOLUCIN:
Comonosindicanelrizado:
0.05=
(43)fCRL
47
ElectrnicaAnalgicaI
LafrecuenciaACes60Hz
RL=12V/1A=12
1
HallamosC:
C==4009F
(43)(0.05)fRL
Elvalorcomercialmscercanoes4700F.Tambinpodemosponer2capacidades
de2200Fenparalelo.Adoptaremosestaltimasolucin.
DelacurvaderegulacinhallamoslatensinpicoACnecesaria:
VLDC=VmILDC/(4fC)
Vm=VLDC+ILDC/(4fC)=12+(1)/(4)(60)(4400*106)=12.95V
Elvaloreficazdelatensindeentradaes: Vs=12.95/2=9.16V
La capacidad debe soportar una tensin mxima igual al voltaje pico de entrada:
12.95V
Los componentes elegidos debern soportar ms que los valores calculados para
quepuedantenerunmayortiempodevidatil.
FILTROPORINDUCTANCIA
Estetipodefiltroseusamuchoenequiposcargadoresdebaterasparacorrientes
mediasyaltas.
PartimosdelaseriedeFourierdelasalidadelrectificadordeondacompleta:
2Vm 4Vm
4Vm
4Vm
VL(t)=cos(2wt)
cos(4wt)cos(6wt)..........
15
35
48
D1
D2
VAC
RL
D5
60 Hz
D3
D4
Enestecaso,observamosqueelarmnicodefrecuenciamsbajaeselsegundo.
Losarmnicossuperiorestienenmenoramplitud.
Lacorrienteenlacargasepuedeexpresarcomo:
2Vm 4Vm
4Vm
4Vm
iL(t)=cos(2wt)cos(4wt)cos(6wt).....
Z(0) 3Z(2w)
15Z(4w)
35Z(6w)
Z(0)eslaimpedanciadecargadelrectificadorenDC=RL
Z(2w)eslaimpedanciadecargadelrectificadoralafrecuencia2w=RL+j2wL
Z(4w)eslaimpedanciadecargadelrectificadoralafrecuencia4w=RL+j4wL
Z(8w)eslaimpedanciadecargadelrectificadoralafrecuencia6w=RL+j6wL
Vemosquelabobinaaumentasureactanciaconformeaumentalafrecuenciadel
armnico. Adems el armnico disminuye su amplitud conforme aumenta su
frecuencia.
Porello,podemostomarslolosdosprimerostrminosdelaserieydespreciarlos
demsparahacerunanlisisaproximado.
UncriterioprcticoeselegirLdemaneraquecumpla:
L>>RL/2w
Podemoshallar,acontinuacin,elfactorderizado:
49
ElectrnicaAnalgicaI
D5
(4Vm/3) cos(2wt)
RL
+
2Vm/
-
Elvoltajeeficazdelrizadoenlacargasepuedehallarconlaexpresin:
4Vm
2VLDC
VLr==
(32)(1+(2wL/RL)2)
(32)(1+(2wL/RL)2)
Luego,elfactorderizadoes:
2
r=
(32)(1+(2wL/RL)2)
Podemoshallartambinlaecuacindelacurvaderegulacin:
2Vm
VLDC=ILDCRf
Rfeslaresistenciatotalformadaporlaresistenciadeltransformador,delosdiodos
ydelabobina.
Estasecuacionesnossirvenparahacereldiseodelfiltro.
50
FILTROLC
Es otro filtro muy usado para corrientes medias y altas, especialmente en
reguladores de tensin con SCR. La inductancia evita el paso de los armnicos y
dejapasarlacontinua.Elcondensadorevitaquelosarmnicoslleguenalacarga,
actuandoanteelloscomounareactanciapequeaycomocircuitoabiertoparala
continua..
Acontinuacinsemuestrauncircuitodeestosconrectificadordeondacompleta
contomacentral.
D1
n:1
D3
Vs
VAC
RD
Vs
RL
+
VL
-
D2
AnlisisaproximadodelfiltroLC
AligualqueenelfiltroporinductanciapodemosconsiderarslolaDCyelsegundo
armnico,despreciandolosdems.Deestamanera,llegamosalsiguientecircuito
equivalente:
L
(4Vm / 3pi)cos(2wt)
D3
RD
RL
+
2Vm / pi
-
Uncriterioprcticoparadisearelfiltroeshacer:
51
XC<<RL//RDy
XL>>XC
ElectrnicaAnalgicaI
LacurvaderegulacinpuedeobtenerseparaDCcomo:
2Vm
VLDC=ILDCRf
Rfrepresentalaresistenciadeltransformador(RT)mslaresistenciadinmicade
losdiodos(rd)ylaresistenciaDCdelabobina(rL): Rf=RT+nrd+rL
n=1,paraelrectificadordeondacompletacontomacentral.
n=2,paraelrectificadordeondacompletatipopuente.
Parahallarunaexpresindelfactorderizado,primerohallamoslatensineficaz
delrizadoenlacargayluegolatensinDCenlacarga.
4Vm
XC
(2)VLDCXC
VLr==
(32)(XL+XC)
3XL
Luego:
2
r=
(3)(2wL)(2wC)
Para:f=60Hz
0.83x106
r=
LenHenrys y CenFaradios
LC
Inductanciacrtica(LC)
Sinohayinductancia,elfiltroactacomoporentradaacondensadorylosdiodos
conducirn corrientes pulsantes slo unos instantes y el resto del tiempo no
conducirn.
VLDC 2Vm
4Vm
=
RL//RD(RL//RD)3XL
Luego:
2(RL//RD)
XL
3
Paraelsegundoarmnico:RL//RD
LC
3w
Para:f=60Hz:
RL//RD
LC=
1131
Debemoselegirunainductanciaquecumpla:
RL//RD
L>
1131
Resistenciadedrenaje
Vemos que la inductancia crtica depende del valor de RL, de manera que si RL
aumenta, la inductancia crtica tambin; lo que significa que si la carga vara, la
inductanciaquehabremospuestopuedellegaranosersuficiente.Paraevitareste
inconveniente, se emplea la resistencia de drenaje RD. Esta resistencia queda
conectadayenningnmomentosedesconectaovara.Deestamanera,aunquese
desconecte la carga, no hay riesgo que la inductancia crtica aumente. La
resistenciadedrenajedebeelegirsedemaneraquenodisipedemasiadapotencia
y,alavez,impidalaelevacindelainductanciacrtica
PROBLEMA2.2:DiseeunrectificadortipopuenteconfiltroLCparaobteneruna
tensin de 65VDC y 10 A, con factor de rizado de 0.1%. Especifique todos los
componentesylatensindeentradaalrectificador.
Culeselvoltajepicoderizadoenlacarga?
Asuma:Rt=0.1,Rb=0.1
53
ElectrnicaAnalgicaI
SOLUCIN:
Esquemadelcircuito:
L
D1
D2
D5
Vs
D3
RD RL
+
65 V
-
D4
Hallamoslaresistenciadecarga:RL=65V/10A=6.5
ElegimosRD=10RL=65
Hallamoslainductanciacrtica:Lc=RD/1131=57.5mH
Hemosasumidoelpeorcaso,cuandoRLesdesconectada.
ElegimosL>Lc
L=60mH
HallamosCdelaecuacindelfactorderizado:
0.001=0.83x106/LC
6
C=13,800F
C=0.01=0.83x10 /(60mH)(0.001)=13,800F
Tensindeentradaalrectificador:
65=(2Vm/)(10)(0.1+0.1)
DespejandoVm: Vm=(652)()/2=98.96V
Leaumentamoslacadadirectaen2diodos: Vp=100.36V
54
Especificaciones:
Condensador:
13,800F/65V
Bobina:
60mH/10A
Diodos:
5A/10.36V
Diodovolante:
4A/65V
Resistenciadedrenaje:
65/65W
Transformador:
220V71V/750W
Voltajepicodelrizadoenlacarga:
Reactanciadelabobinaalsegundoarmnico:XL=(2)()(120)(60mH)=45.24
Reactanciadelcondensadoralsegundoarmnico:XC=1/(2)()(120)(0.0138)=
0.1
ElvoltajepicodelsegundoarmnicoalasalidadelrectificadoresV2=4Vm/3El
Luego:V2=42V
Latensinpicodelrizadoenlacargaes:Luego:V2L=42(0.1)/(45.14)=0.09V
V2L=0.09V
FILTRODELCDEVARIASSECCIONES
Cuandosequieremejorarmselfiltrado,sepuedenempleardosomssecciones
defiltroLCencascada.Enelsiguientegrficoseveunodedossecciones:
L1
D1
T1
L2
C1
Vs
D2
C2
RD
RL
220Vac
Vs
D2
ParaelanlisispodemosseguirlosmismoscriteriosqueparaelfiltroLCyhallar
unaexpresinaproximadaparaelfactorderizado:
55
ElectrnicaAnalgicaI
2XC1XC2
2
r==
3XL1XL2 3(4w2)2L1C1L2C2
ConlasmismasaproximacionesdelfiltroLCsepuedeextenderparaunfiltroden
seccionesiguales:
r=
(3)(4w2)n(LC)n
ParalainductanciacrticabastasloconsiderarlabobinaL1
FILTRO
Estefiltropermiteobtenerunrizadomuypequeo.Comoempleacondensadorde
entrada, tiene los mismos inconvenientes que el filtro por capacidad. Se usa
cuandosequiere,conelmismotransformador,tenermstensindesalidaquela
quepuedeobtenerseconunfiltroLCydisminuirelrizado.
Acontinuacinsemuestrauncircuito:
L1
D1
D2
T1
C1
Vs
C2
Vac
RL
D3
D4
56
Vr
sen(4wt)
sen(6wt)
VC1=VDC[sen(2wt)+....]
2
3
Adems:
Vr=ILDCT2/C1=ILDC/2fC1
Despreciandolosarmnicossuperiores,latensineficazdelsegundoarmnicoes:
Vref=Vr/(2)=2ILDCXC1
Utilizando los mismos criterios que para el filtro LC podemos hallar el factor de
rizado:
XC1XC2
r=2
RLXL1
57
ElectrnicaAnalgicaI
UNIDADTEMTICA
No.3
ELTRANSISTORBIPOLAR(BJT)
A los dispositivos que se construyen con combinaciones de bloques formados de
semiconductores N y P se les llama genricamente transistores (de: Transfer
Resistor).
Enelaode1956Bardeen,ShockleyyBrattainrecibieronelPremioNobeldeFsica
porelbrillantetrabajoquedesembocenlainvencindeltransistor.
Lostransistorestienenvariasventajassobrelostubosalvaco:
El voltaje tpico que se requiere para lograr esto es de 250 V. Una vez
conectadoestevoltajesenecesitaesperardeterminadotiempohastaque
secalienteelctodo.
Ensegundolugar,larespuestadeltransistorasealesdefrecuenciasmuy
altasesmuyefectiva,locualnoocurreconlostubosalvaco.
59
ElectrnicaAnalgicaI
Engranmedida,enlasdcadasmencionadaslostransistoressustituyerona
los tubos al vaco. Sin embargo, para ciertas aplicaciones muy especficas
lostuboshantenidoventajassobrelostransistores.As,seempleanpara
transmisoresderadiodepotenciaaltaymediana,paraamplificadoresde
microondas y osciladores, para tubos de rayos catdicos como los que se
usan en los televisores, monitores, pantallas de diversos aparatos, en
equiposprofesionalesdeaudio,etctera.
REPRESENTACINDELTRANSISTORBIPOLAR
Lossiguientesesquemasmuestranlarepresentacindeltransistorensuformade
construccin y smbolo circuital. El transistor PNP se puede interpretar como dos
diodos unidos por su ctodo. El transistor NPN se puede interpretar como dos
diodos unidos por su nodo. Estas representaciones permiten idear la forma de
probarelbuenestadodeltransistormidiendolasunionesconunmultmetro.
Susterminalessondenominados:
E=Emisor(ingresalascargasaldispositivo)
C=Colector(recibelascargasqueprovienendelemisor)
B=base(controlaelflujodecargasalcolector)
Paraobtenerelefectoamplificadordeltransistorsehacequelabaseseaangosta
en comparacin con las regiones de colector y emisor. Adicionalmente, la
concentracin de impurezas es menor en la base para lograr que las regiones de
transicin sean mayores en ella, lo cual permite reducir su ancho efectivo y
aumentarlaganancia.
60
ElectrnicaAnalgicaI
N
C
PNP
NPN
Esquemasdeltransistorbipolar
REGIONESDETRABAJOENELTRANSISTORBIPOLAR:
ComoelBJTposeedosunionesPNysabemosqueellaspuedenserpolarizadasen
forma directa o inversa, surgen 4 formas posibles de polarizacin, las cuales se
indicanenlasiguientetabla:
Je=Junturadeemisor
Jc=Junturadecolector
TENSION
Je
VEB>0,VCB
PD
>0
PD=Polarizacindirecta
PI=Polarizacininversa
TRANSISTORPNP
Jc
ZONA
PD
SATURACIN
CARACTERISTICA
Se comporta como
interruptorcerrado
PI
PI
CORTE
Se comporta como
interruptorabierto
VEB>0,VCB
PD
<0
PI
ACTIVA
Se comporta como
amplificador
VEB<0,VCB
>0
PD
ACTIVA
INVERSA
VEB<0,VCB
<0
PI
61
Se comporta como
amplificador con muy
bajaganancia
ElectrnicaAnalgicaI
TENSION
Je
VBE>0,VBC
PD
>0
VBE<0,VBC
PI
<0
VBE>0,VBC
PD
<0
VBE<0,VBC
>0
PI
TRANSISTORNPN
Jc
ZONA
PD
SATURACIN
PI
CORTE
PI
ACTIVA
PD
ACTIVA
INVERSA
CARACTERISTICA
Se comporta como
interruptorcerrado
Se comporta como
interruptorabierto
Se comporta como
amplificador
Se comporta como
amplificador con muy
bajaganancia
Modelomatemticodeltransistorbipolar:
UnodelosmodelosmuyusadosenelanlisisdecircuitoseseldeEbersMoll.
ComoeltransistoresformadopordosunionesPN,lasecuacionestienenlaforma
deladeldiodo,tantoparalaunindeemisorcomoladecolector:
IE=[IEBO/(1NI)](VBE/VT1)+[IICBO/(1NI)](VBC/VT1)
IC=[NIEBO/(1NI)](VBE/VT1)[ICBO/(1NI)](VBC/VT1)
Adems,setienemediantelasleyesdeKirchhoff:
IE=IB+IC
VCE=VCB+VBE
EnlazonaactivalasecuacionesdeEbersMollsereducena:
IE=[IEBO/(1NI)]VBE/VT[IICBO/(1NI)]
IC=[NIEBO/(1NI)]VBE/VT+[ICBO/(1NI)]
Definiendo:
=N/(1N)
62
ElectrnicaAnalgicaI
SellegaalasiguienteecuacinparaIC:
IC=IB+(1+)ICBO
Curvasdeltransistorbipolar:
El transistor posee un conjunto de curvas que representan la relacin entre sus
corrientesytensionesexternas.
Curvadetransferencia:
Se emplea como entrada la juntura baseemisor. Por ello, las curvas de entrada
tendrn mucha similitud con la curva del diodo. En realidad son una familia de
curvas que dependen de la tensin colectoremisor, pero se considera una sola
porquetiendenaestarmuyjuntas.
Enlasiguientegrficaselemuestra:
0.09
0.08
0.07
0.06
IE
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
10
15
VBE / VT
20
25
CURVASDESALIDA:
Las curvas ms usadas son la que relacionan IC vs VCE usando como parmetro la
corrientedebase(IB)
63
ElectrnicaAnalgicaI
Vemosqueposeevariaszonasdeoperacin:
En la zona de saturacin, acta como interruptor cerrado (tensin pequea,
corrientealta)
Enlazonaderupturamanejatensionesycorrientesaltas,conunagrandisipacin
depotencia.Comnmenteseevitatrabajarenestazonaparaevitarladestruccin
deltransistor.
Elpuntodeoperacin:
DadoqueelBJTposeevariaszonasdetrabajo,esnecesariodarleunacoordenada
enbaseatensionesycorrientesconstantesparaubicarloenunadeellas.Aesta
coordenadaseledenominapuntodeoperacin(Q).
Ennuestrocursoestudiamossuusocomoamplificador.Porello,debemosponerlo
en la zona activa. Sabemos que, en este caso, debe tener su unin baseemisor
polarizadadirectamenteysuuninbasecolectorpolarizadainversamente.
Aesteproceso,dedarleunpuntodeoperacin,selellamapolarizacin.
Mtodosdepolarizacin.Comparacinentrelosdiferentesmtodos:
Acontinuacinveremosdiferentesformasdepolarizaraltransistor.
64
VBC
RC
ElectrnicaAnalgicaI
VCB
RB
RC
RB
NPN
PNP
VBE
VEB
POLARIZACIN BASICA
Losmtodosprcticossonlossiguientes:
Polarizacinfija:
Estemtodoessencillo,fcildedisearyutilizaslounafuente.Suinconveniente
est en que el punto de operacin vara mucho con la temperatura, es decir, no
tieneestabilidad.Estosedebealagransensibilidaddelossemiconductoresalos
cambiosdetemperatura.
Parapoderhacerbuenosamplificadores,unrequisitoesqueelpuntodeoperacin
tengaestabilidadtrmica.
RB
RC
RB
RC
VCC
NPN
VCC
PNP
POLARIZACIN FIJA
PolarizacinColectorBase:
Este mtodo es un poco ms complejo que el anterior, pero posee mejor
estabilidad.Tambinutilizaunasolafuente.
65
ElectrnicaAnalgicaI
RB
RC
RC
RB
VCC
VCC
NPN
PNP
POLARIZACIN COLECTOR-BASE
Autopolarizado:
Estemtodoesmuyusadoporqueposeemuybuenaestabilidadtrmica,aunque
sudiseoesmscomplejo.
R1
RC
RC
VCC
NPN
R2
R1
PNP
RE
R2
AUTOPOLARIZADO
VCC
RE
66
RB
RC
NPN
RB
RC
ElectrnicaAnalgicaI
RC
RB
VCC
RB
RC
VCC
PNP
RE
VCC
NPN
RE
PNP
RE
VCC
RE
METODOS ALTERENATIVOS
Polarizacinmediantefuentesdecorriente:
Estos mtodos son muy usados, especialmente en circuitos integrados, porque
permiten economizar espacio, muy buena estabilidad y lograr la mxima
amplificacin.
RC
RC
RB
NPN
IC
PNP
VCC
VCC
NPN
IE
RE
IE
IE
RB
VCC
PNP
VCC
RE
Estabilizacindelpuntodeoperacin:
Comoyasehamencionado,esnecesarioqueelpuntodeoperacinseaconstante
y no vare por efectos de la temperatura, rizado de la fuente de alimentacin,
cambiodelosparmetrosdeltransistor,etc.
Lastcnicasquepermitenestabilizarelpuntodeoperacinpuedenclasificarseen
doscategoras:
ElectrnicaAnalgicaI
Tcnicasdeestabilizacin:
El punto de operacin de un transistor puede variar por cambios sufridos en la
corriente inversa de la juntura ColectorBase (ICBO), por las variaciones de la
tensin BaseEmisor (VBE), la ganancia (), variaciones de la fuente de
alimentacin,loscomponentesdelcircuito.
IC=SIICBO+SVVBE+S+SVCCVCC+SR1R1+....
SI= Factordeestabilidaddecorriente.
SV= Factordeestabilidaddetensin.
S= Factordeestabilidaddeganancia.
SVCC= Factordeestabilidaddelafuente.
SR1= FactordeestabilidaddelaresistenciaR1.
IC= Variacintotaldelacorrientedecolector.
ICBO=VariacintotaldelacorrienteICBO
VBE=VariacintotaldelatensinBaseEmisor
= Variacintotaldegananciadecorriente
VCC=Variacintotaldefuentedealimentacin.
R1= VariacintotalderesistenciaR1
Cadafactordeestabilidadpuededeterminarseasumiendoquelasdemsvariables
Semantienenconstantes.
ElfactordeestabilidadSIseobtieneconlasiguienteecuacin:
SI=IC/ICBO,
cuando:VBE=0y=0
MientrasmsgrandeesSI,elpuntodeoperacinesmsinestable.Elmnimovalor
posibledeSIes1.
LoscircuitosqueestabilizanelpuntodeoperacinrespectoavariacionesdeICBO,
tambinsecomportansatisfactoriamenteantevariacionesdeVBE,,etc.Porello,
bastaobtenerunbuenfactordeestabilidadSI.
Laecuacingeneralquegobiernalacorrientedecolectordeltransistores:
IC=IB+(1+)ICBO
68
ElectrnicaAnalgicaI
DerivandorespectoaICobtenemos:
SI=(1+)/(1dIB/dIC)
EltrminodIB/dICseobtieneapartirdelcircuitoqueutilicemos.Paraelclculo
deSIseconsideraqueVBE,,etc.novaran.
Tomemoscomoejemploelcircuitoautopolarizado,cuyoequivalentedethevenin
seencuentraacontinuacin:
R1
RC
NPN
R2
RC
RBB
VCC
NPN
VBB
RE
VCC
RE
RBB = R1//R2
VBB = VCC R2/(R1 + R2) = VCC RBB/R1
EnlamallaBaseEmisorpodemosplantearlasiguienteecuacin:
VBB=IBRB+VBE+(IC+IB)RE
DerivandoestaecuacinrespectoaIC:
dIB/dIC=(Re/(Re+RBB))
ReemplazandoenlaecuacindeSIobtenemos:
SI=(1+RBB/Re)/(1+(RBB/(1+)Re))
Sihacemos:RBB=(1+)Re/10,tendremos:SI=(11+)/11
Paraunvalorde=50,setiene:SI=5.55;elcualesunbuenfactor,siendo3el
valorptimo.Tambinobservamosquesiesmsgrande,elfactordeestabilidad
empeora.Porejemplo,si:=100,SI=10.1.Enestecasoelfactordeestabilidadha
aumentadoytendremosqueelegirotrarelacindeRBBconREparamantenerSI
pequeo.
69
ElectrnicaAnalgicaI
Tcnicasdecompensacin:
Paraobtenermejorregulacinycompensacindetemperaturaconlaredresistiva,
se puede conectar un diodo entre las base y referencia de los transistores. Estos
diodos deben elegirse cuidadosamente para permitir la exacta cada de voltaje
necesaria.Pero,siestapolarizacincambiaconlaedaddelequipo,lapolarizacin
tambinsufrircambios.
Enlafigurabesmostradalapolarizacinpordiodo,estostrabajanpolarizadosen
sentido directo y deben exhibir el mismo coeficiente de temperatura que el
correspondientealdiodobaseemisordeltransistor.
70
R1
RC
NPN
R1
RC
VCC
NPN
R2
R2
RE
ElectrnicaAnalgicaI
R1
RC
VCC
NPN
RE
Q2
VCC
RE
(a)
(b)
(c)
EnlafiguraceltransistorQ2seencargadecontrolarenformaprecisaelpuntode
operacin del transistor principal, actuando como regulador. Tambin compensa
automticamentecontravariacionesdetemperatura.
Rectasdecarga:RectadecargaDC.RectadecargaAC.
ParaelestudiodeloscircuitosutilizamoslasleyesdeKirchhoffylaleydeOhm.
Enelsiguientecircuitousadocomoamplificador:
R1
RC
VCC
Vg
R2
RE
CE
Lacorrientedecolectorestformadaporlacorrientedelpuntodeoperacinyla
corrientedeseal: IC=ICQ+ic
Enformaanlogaparalatensin: VCE=VCEQ+vce
71
ElectrnicaAnalgicaI
PlanteandolaleydeKirchhoffenlamallacolectoremisor:
VCC+0=ICQRC+VCEQ+IEQRE+icRC+vce
Aqusehanconsideradomuypequeaslasreactanciasdeloscondensadoresala
frecuenciadelaseal.
Los3primerostrminosdeladerechasonDCysecumple:
VCC=ICQ(RC+(1+1/)RE)+VCEQ
YrecibeelnombredeRectadecargaesttica(oDC)
Los2trminossiguientesdeladerechasonACysecumple:
0=+icRC+vce
YrecibeelnombredeRectadecargadinmica(oAC)
LoanteriorindicaquepodemosestudiaralamplificadorsloenDCyluegoslo
enAC.
Estasecuacionespuedensergraficadasenlascurvasdesalidadeltransistoryson
unparderectas.
Configuracionesdeltransistor:Emisorcomn,colectorcomnybasecomn.
El transistor posee 3 terminales y podemos considerarlo como un cuadripolo,
siempre que tomemos un terminal comn a la entrada y a la salida, como se
observaenlassiguientesfiguras.
ic
ib
B
ie
C
+
vce
-
+
vbe
-
ie
ib
C
+
vcb
-
+
veb
E
EMISOR COMUN
ic
BASE COMUN
E
+
vec
-
+
vbc
-
COLECTOR COMUN
Enemisorcomn(EC):
Laentradaeslauninbaseemisorylacorrientedebase.
Lasalidaesentrecolectoremisorylacorrientedecolector.
72
ElectrnicaAnalgicaI
Enbasecomn(BC):
Laentradaeslauninemisorbaseylacorrientedeemisor.
Lasalidaesenlaunincolectorbaseylacorrientedecolector.
Encolectorcomn(CC):
Laentradaeslauninbasecolectorylacorrientedebase.
Lasalidaesentreemisorcolectorylacorrientedeemisor.
Modelosdebajafrecuenciaypequeasealdeltransistor:
Cuando trabaja en la zona activa, con seales pequeas, el transistor puede ser
representado por un modelo de cuadripolo lineal. Esto podemos explicarlo en la
siguienteforma:
IE=[IEBO/(1NI)]VBE/VT=IESVBE/VT
IC=IEsVBE/VT
Si:
VBE=VBEQ+vbe
VBEQ=TensinDCdelpuntodeoperacin
vbe=Tensindeseal
ReemplazandoenIc: Ic=Iese(VBEQ+vbe)/VT=IeseVBEQ/VTevbe/VT
Sivbeespequeaseal:
Ic=IEQevbe/VT
Eldesarrollodelaexponencialenseriesdepotenciaes:
x=1+x/1!+x2/2!+x3/3!+.....
Donde:gm=transconductanciaparapequeaseal=IEQ/VT
ICQ=IEQ
73
ElectrnicaAnalgicaI
Parateneroperacinconpequeaseal,debecumplirsequelaamplitudmxima
delasealseamuchomenorqueVT:
vbe<<VT
Atemperaturaambiente:
vbe<<25.8mV
Tomandounarelacinde101:
vbe2.6mV
Cuando trabajemos con seales pico menores o iguales a 2.6 mV, estaremos
trabajandoconsealespequeas.Cuandosepuedaaceptarunniveldedistorsin
mayor, podremos utilizar ms tensin de seal, pero sin sobrepasar los 26 mV a
temperaturaambiente.
MODELOT:
ElmodeloTsecaracterizaporqueestbasadoenlaestructurafsicadeltransistor
ypermiteexpandirsealmodelohbrido(odeGiacoletto).Elmodelosemuestra
acontinuacin,paraelcasodeuntransistorNPN:
C
N
B Ib
B
Ib
Ib
B Ib
B
Ib
E
(A)
re
(B)
(C)
ElectrnicaAnalgicaI
re=VT/IEQ
Donde:
VT=Tensintrmica(25.8mVatemperaturaambiente).
IEQ=Corrientedeemisorenelpuntodeoperacin.
Modelodeparmetroshbridos:
Estemodeloseusabastanteenbajafrecuencia
Lasvariablesindependientesson:Lacorrientedeentradaylatensindesalida.
Modelodeemisorcomn:
ib
ic
+
vbe
vbe=hieib+hrevce
ic=hfeib+hoevce
notacinmatricial:
+
vce
vbe
hie
hre
ib
ic
hfe
hoe
vce
75
ElectrnicaAnalgicaI
Estasecuacionespuedenserrepresentadasporunmodelodecircuitoqueemplea
fuentesdependientes,comosemuestraacontinuacin:
ib
B
+
vbe
-
ic
hie
1 / hoe
hre vce
-
Modelodebasecomn:
hfe ib
ic
+
veb
ie
notacinmatricial:
+
vce
-
+
vcb
veb=hibie+hrbvcb
ic=hfbie+hobvcb
veb
hib
hrb
ie
ic
hfb
hob
vcb
Larepresentacinconcircuitoeslasiguiente:
76
ElectrnicaAnalgicaI
ie
E
+
veb
-
ic
hib
1 / hob
hrb vcb
-
hfb ie
+
vcb
-
Modelodecolectorcomn:
ib
ie
+
vbc
notacinmatricial:
+
vec
-
vbc=hicib+hrcvec
ie=hfcib+hocvec
vbc
hic
h
hfc
h
ie
hrc
ib
hoc
vec
Eldeterminantedelamatrizcuadradadeparmetroshbridosencolector
comnes:Dhc=hichochfchrc
Larepresentacinconcircuitoeslasiguiente:
ib
B
+
vbc
-
ie
hic
+
1 / hoc
hrc vec
-
hfc ib
77
+
vec
-
ElectrnicaAnalgicaI
Puedenhacerseconversionesdeparmetrosdeunaconfiguracinaotra.Comoel
cuadripolo es lineal, sus parmetros no dependen de las variables y podremos
hacerunadelasvariablesceroparacalcularlos.
Problema3.1:HalleLosparmetroshbridosenemisorcomnenfuncindelosde
basecomn.
Modeloenbasecomn:
ie
E
ic
+
veb
-
hib
1 / hob
hrb vcb
-
+
vcb
-
hfb ie
Lodibujamosenemisorcomn:
hfb ie
ib
B
vbe
E
ic
C
+
hrb vcb
+
1 / hob
hib
vce
-
ie
Lasecuacionesparaemisorcomnson:
vbe=hieib+hrevce
ic=hfeib+hoevce
Haciendovce=0podemoshallar:
hie=vbe/ib
y
hfe=ic/ib
78
ElectrnicaAnalgicaI
Efectuando:
hfb ie
ib
B
+
vbe
E
ic
+
hrb vcb
+
1 / hob
hib
vce = 0
-
ie
Adems:
vbe=hibie+hrbvcb=hib(ibic)hrbvbe
vbe=hib(ib+ic)+hrbvbe
(1hrb)vbe=hibib+hibic ........(1)
Tambin:
ic=hfbie+hobveb=hfb(ibic)hobvbe
(1+hfb)ic=hfbibhobvbe........(2)
Reemplazando2en1:
(1hrb)vbe=hibib+hib[(hfb/(1+hfb))ib(hob/(1+hfb))vbe
[(1hrb)(hibhob/(1+hfb)]vbe=[hib/(1+hfb)]ib
hib
hib
hie==
1+hfbhrb+DhbHb
Donde:
Hb=1+hfbhrb+Dhb yDhb=hibhobhrbhfb
Acontinuacin:
De2: vbe=((1+hfb)/hob)ic(hfb/hob)ib................(3)
Reemplazando3en1:
[((1hrb)(1+hfb)/hob]ic(1hrb)hibic=[hfb/hob+hib]ib
79
ElectrnicaAnalgicaI
(hfb+Dhb)
hfe=
1+hfbhrb+Dhb
Haciendoib=0podemoshallar:
hre=vbe/vce
Efectuando:
hoe=ic/vce
1 / hob
ib = 0
ic
V3
hrb vcb
+
vbe
hfb ie
+
vce
hib
ie
Delcircuitoobtenemos:
ie=icvbe=iehibhrbvcb
vce=ic/hobhfbie/hob+vbe)
Luego:
vbe=ichibhrb(vcevbe)........(4)
(1+hfb)ic=hob(vcevbe)/(1+hfb)..........(5)
Reemplazando5en4:
vbe=hrbvce+hibhob(vcevbe)....................................(6)
De6:
Dhbhrb
hre=
Hb
Finalmente,
De4y6:
80
vcb=vcevbe
ElectrnicaAnalgicaI
hob
hoe=
Hb
PROBLEMA3.2:Enelcircuitomostradodetermine:
a)Elvalordehi
b)Elvalordehf
c)Elvalordehr
d)Elvalordeho
V1=hiI1+hrV2
I2=hfI1+hoV2
I1
+
V1
-
I2
100K
10K
gmV1
+
V2
-
100K
gm=2mS
Solucin:
a) Elvalordehi:
Modeloparahallarhiyhf:
I1
+
V1
-
I2
100K
10K
gmV1
100K
Planteamosecuaciones:
I1=V1/10K+V1/100K
hi=V1/I1=10K//100K=9.09Khi=9.09K
81
ElectrnicaAnalgicaI
b) Elvalordehf:
Enelcircuitoanterior: I2=gmV1V1/100K=gm(hiI1)(hiI1)/100K
hf=I2/I1=gm(9.09K)(9.09K)/100K=9.09K(2mS)0.091
hf=18.09
c) Elvalordehr:
Modeloparahallarhryho:
I1 = 0
+
V1
-
I2
100K
10K
gmV1
100K
+
V2
-
Planteamosecuaciones:
V1=V2(10K)/(10K+100K)
hr=V1/V2=10K/(10K+100K)=0.091
hr=0.091
d) Elvalordeho:
I2=V2/100K+gmV1+V2/(100K+10K)=V2(1/100K+1/110K)+gmhrV2
ho=I2/V2=1/100K+1/110K+0.091(2mS)
ho=0.20mS
Valorestpicosdelosparmetroshbridos:
BASECOMUN
EMISORCOMUN
COLECTORCOMUN
hib=21.6
hie=1100
hic=1100
4
4
hrb=2.9x10
hre=2.5x10
hrc=1
hfb=0.98
hfe=50
hfc=51
6
6
Hob=0.49x10 S
hoe=25x10 S
hoc=25x106S
Enlasiguientetablasemuestranlasfrmulasdeconversindelosparmetros
hbridos,deunaconfiguracinaotra:
82
ElectrnicaAnalgicaI
BASECOMUN
EMISORCOMUN
COLECTORCOMUN
hib
hib=hie/He
hib=hic/Hc
hie=hib/Hb
hie
hie=hic
hic=hib/Hb
hic=hie
hic
hrb
hrb=(Dhehre)/He
hrb=(1+hfc)/Hc
hre=(Dhbhrb)/Hb
hre
hre=1hrc
hrc=(1+hfb)/Hb
hrc=1hre
hrc
hfb
hfb=(hfe+Dhe)/He
hfb=(hrc1)/Hc
hfe=(hfb+Dhb)/Hb
hfe
hfe=(1+hfc)
hfc=(hrb1)/Hb
hfc=(1+hfe)
hfc
hob
hob=hoe/He
hob=hoc/Hc
hoe=hob/Hb
hoe
hoe=hoc
hoc=hob/Hb
hoc=hoe
hoc
Dhb=hibhobhrbhfb
Dhe=hiehoehrehfe
Dhc=hichochrchfc
Hb=1+hfbhrb+Dhb
He=1+hfehre+Dhe
Hc=1+hfchrc+Dhc
Lademostracindetodasestasecuacionesesunbuenejercicioparapracticarlas
leyesdeKirchhoff,laleydeOhmyelfuncionamientodelasfuentesdependientes.
PARAMETROSK:
Estemodelotambinseusapararepresentaraltransistor.Lasvariablessedefinen
enformaopuestaqueenparmetroshbridos.Estilcuandolaexcitacinescon
fuentedecorrienteylasalidaesunaconexinserie.
Lasvariablesindependientesson:Latensindeentradaylacorrientedesalida.
Modelodeemisorcomn:
ib=kievbe+kreic
vce=kfevbe+koeic
notacinmatricial:
ib
vce
kie
kre
kfe
koe
vbe
ic
Eldeterminantedelamatrizcuadradadeparmetroskenemisorcomnes:
83
ElectrnicaAnalgicaI
Dke=kiekoekfekre
Estasecuacionespuedenserrepresentadasporunmodelodecircuitoqueemplea
fuentesdependientes,comosemuestraacontinuacin:
ib
+
vbe
-
koe
+
1 / kie
kre ic
ic
C
+
vce
-
kfe vbe
-
Modelodebasecomn:
notacinmatricial:
ie=kibveb+krbic
vcb=kfbveb+kobic
ie
kib
krb
veb
vcb
kfb
kob
ic
Eldeterminantedelamatrizcuadradadeparmetroskenbasecomnes:
Dkb=kibkobkfbkrb
Larepresentacinconcircuitoeslasiguiente:
E
ie
+
veb
-
kob
+
1 / kib
krb ic
kfb veb
-
ic
+
vcb
B
Modelodecolectorcomn:
ib=kicvbc+krcie
vec=kfcvbc+kocie
84
ElectrnicaAnalgicaI
notacinmatricial:
ib
vec
kic
h
kfc
h
krc
vbc
koc
ie
Eldeterminantedelamatrizcuadradadeparmetroskencolectorcomn
es:
Dkc=kickockfckrc
Larepresentacinconcircuitoeslasiguiente:
ib
+
vbc
-
koc
+
1 / kic
krc ie
ie
+
vec
-
kfc vbc
-
Puedenhacerseconversionesdeparmetrosdeunaconfiguracinaotra.Comoel
cuadripoloeslineal,susparmetrosnodependendelasvariablesysepuedehacer
unadelasvariablesindependientesceroparacalcularlos.
PARAMETROSADMITANCIA:
Estemodelotambinseusabastanteenaltafrecuencia.
Lasvariablesindependientesson:Latensindeentradaylatensindesalida.
Modelodeemisorcomn:
ib=yievbe+yrevce
ic=yfevbe+yoevce
notacinmatricial:
ib
yie
ic
yfe
yre
yoe
vbe
vce
85
ElectrnicaAnalgicaI
Eldeterminantedelamatrizcuadradadeparmetrosadmitanciaenemisor
comnes:Dye=yieyoeyfeyre
Estasecuacionespuedenserrepresentadasporunmodelodecircuitoqueemplea
fuentesdependientes,comosemuestraacontinuacin:
ib
ic
C
B
+
vbe
-
yoe
yie
yre vce
yfe vbe
+
vce
-
Modelodebasecomn:
notacinmatricial:
ib=yibveb+yrbvcb
ic=yfbveb+yobvcb
ib
yib
yrb
veb
ic
yfb
yob
vcb
Eldeterminantedelamatrizcuadradadeparmetrosadmitanciaenbase
comnes:Dyb=yibyobyfbyrb
Larepresentacinconcircuitoeslasiguiente:
ie
ic
C
E
+
veb
-
yob
yib
yrb vcb
yfb veb
+
vcb
B
86
ElectrnicaAnalgicaI
Modelodecolectorcomn:
ib=yicvbc+yrcvec
ie=yfcvbc+yocvec
notacinmatricial:
ib
vbc
yic
yrc
h
ie
vec
yfc
yoc
h
Eldeterminantedelamatrizcuadradadeparmetrosadmitanciaencolector
comnes:
Dyc=yicyocyfcyrc
Larepresentacinconcircuitoeslasiguiente:
ib
ie
E
B
+
vbc
-
yoc
yic
yrc vec
yfc vec
+
vec
-
Talcomoenlosparmetroshbridos,puedenhacerseconversionesdeparmetros
admitancia de una configuracin a otra. Podemos hacer una de las variables
independientesceroparapodercalcularlosparmetros.
Problema3.3:Hallelosparmetrosadmitanciaenbasecomnenfuncindelosde
emisorcomn.
Modeloenemisorcomn:
B
+
ib
Vbe
E
ic
yie
yre Vce
yfe Vbe
yoe
+
Vce
E
87
ElectrnicaAnalgicaI
Lodibujamosenbasecomn:
yoe
E
ic
ie
+
Veb
-
yfe Vbe
yie
+
Vcb
-
yre Vce
ib
Lasecuacionesparabasecomnson:
ie=yibVeb+yrbVcb
ic=yfbVeb+yobVcb
HaciendoVcb=0podemoshallar:
yib=ie/Veb
y
yfb=ic/Veb
Efectuando:
yoe
E
ic
ie
+
Veb
-
yfe Vbe
yie
yre Vce
+
Vcb = 0
-
ib
Vemosque: Vbe=Veb
Vce=Veb
ie+ic+ib=0
Luego:
ib=yieVebyreVeb
Adems:
ic=yoeVebyfeVeb
Reemplazando:
ie=ibic=yieVeb+yreVeb+yoeVeb+yfeVeb
88
Dedonde:
yib=yie+yre+yoe+yfe
Delaecuacindeic: yfb=(yfe+yoe)
HaciendoVeb=0podemoshallar:
yrb=ie/Vcb
y
Efectuando:
ElectrnicaAnalgicaI
yob=ic/Vcb
yoe
ie
ic
yfe vbe
+
vcb
-
yie
yre vce
ib
Vemosque:
Vbe=Veb=0Vce=Vcb
yfevbe=0
ie+ic+ib=0
Luego:
ie=yoeVcbyreVce
Adems:
ic=yoeVcb
Delaecuacindeie: yrb=(yre+yoe)
Delaecuacindeic: yob=(yoe+yfe)
89
ElectrnicaAnalgicaI
BASECOMUN
EMISORCOMUN
COLECTORCOMUN
yib
yib=ye
yib=yoc
yie=yb
yie
yie=yic
yic=yb
yic=yie
yic
yrb
yrb=(yre+yoe)
yrb=(yfc+yoc)
yre=(yrb+yob)
Yre
yre=(yic+yrc)
yrc=(yib+yfb)
yrc=(yie+yre)
yrc
yfb
yfb=(yfe+yoe)
yfb=(yrc+yoc)
yfe=(yfb+yob)
yfe
yfe=(yic+yfc)
yfc=(yib+yrb)
yfc=(yie+yfe)
yfc
yob
yob=yoe
yob=yc
yoe=yob
yoe
yoe=yc
yoc=yib
yoc=ye
yoc
Dyb=yibyobyrbyfb
Dye=yieyoeyreyfe
Dyc=yicyocyrcyfc
Matrizdeadmitanciaindefinida:
Parahacerlaconversindeparmetrosadmitanciadeunaconfiguracinaotra,es
convenienteelempleodelamatrizdeadmitanciaindefinida.Estamatrizsedefine
teniendoencuentaqueeltransistornotieneningnterminaldereferenciayque
funcionaconpequeaseal,comosemuestraacontinuacin:
I1
C
B
E
V1
I3
V3
I2
V2
90
ElectrnicaAnalgicaI
I1
y11
y12
y13
V1
I2
y21
y22
y23
V2
I3
y31
y32
y33
V3
Como:I1+I2+I3=0yvbe+vec+vcb=0
Secumple:y11+y21+y31=0
y12+y22+y32=0
y13+y23+y33=0
y11+y12+y13=0
y21+y22+y23=0
y31+y32+y33=0
Conociendo4deestas9admitanciassepuedenhallarlas5restantes,siempreque
nocaigan3delas4,enlamismacolumnaofila.
yie=(2+j2)*103
yre=(2j20)*106
yoe=(20+j60)*106
yfe=(20j3)*103
Solucin:
91
ElectrnicaAnalgicaI
I1
yie
y12
yre
V1
I2
y21
y22
y23
V2
I3
yfe
y32
yoe
V3
Calculamoslasotrasadmitanciasdelamatriz:
y12=(yie+yre)=(1.998j1.98)*103
y32=(yfe+yoe)=(20.02+j2.94)*103
y22=(y12+y32)=(22.018j0.96)*103
y21=(yie+yfe)=(22+j)*103
y23=(yre+yoe)=(18j40)*106
Lamatrizresultantees:
(2 + j2)ms
(-1.998 - j1.98)ms
(-2 - j20)us
(-22 + j)ms
(22.018 - j0.96)ms
(-18 - j40)us
(20 - j3)ms
(-20.02 + j2.94)ms
(20 + j60)us
Parahallarlosparmetrosadmitanciaenbasecomnseeliminanlafilaycolumna
debaseylosquequedansonlosbuscados:
yib=y22=(22.018j0.96)*103
yrb=y23=(18j40)*106
yob=yoe=(20+j60)*106
yfb=y32=(20.02+j2.94)*103
92
ElectrnicaAnalgicaI
yrc=(1.998j1.98)*103
yic=yie=(2+j2)*103
3
yfc=y21=(22+j)*10
yoc=y22=(22.018j0.96)*103
TABLADECONVERSINENTREMODELOSDEPARMETROS
Z
zi
zr
zf
zo
yo/Dy
yr/Dy
yf/Dy
yi/Dy
Dh/ho
hr/ho
hf/ho
1/ho
zo/Dz
zr/Dz
zf/Dz
zi/Dz
yi
yr
yf
yo
1/hi
hr/hi
hf/hi
Dh/hi
Dz/zo
zr/zo
zf/zo
1/zo
1/yi
yr/yi
yf/yi
Dy/yi
hi
hr
hf
ho
Dzb=zibzobzrbzfb
Dyb=yibyobyrbyfb
Dhb=hibhobhrbhfb
Dzc=ziczoczrczfc
Dyc=yicyocyrcyfc
Dhc=hichochrchfc
Dze=ziezoezrezfe
Dye=yieyoeyreyfe
Dhe=hiehoehrehfe
Elempleodeunmodelouotrodependedelcircuito,suimpedanciadeentrada(Zi),
su impedancia de salida (Zo), la impedancia de salida del generador (RG) y de la
impedanciadecarga(RL).
MODELODEPARMETROSHIBRIDOS:
Elmodelodeparmetroshbridos(odeGiacoletto)esunaextensindelmodelo
T.Secaracterizaporquesusvalorespermanecenprcticamenteconstantesconla
frecuencia.Esunmodelofsicodeltransistorqueincluyelosfenmenoscapacitivos
internosdeltransistorysemuestraacontinuacin:
93
ElectrnicaAnalgicaI
C
rx
B
C
+
V
-
r
r
gm V
rc
E
rx=Eslaresistenciadedispersindebase.Suvalorespequeo,delordendelas
decenasdeohmios.
V=Tensindesealdeentrada
r=Resistenciadeentrada=hfeVT/IEQ
C=Capacidaddelaunindeemisor
r=Resistenciaderealimentacininterna
C=Capacidadderealimentacininterna
rc=Resistenciadesalida
gm=Transconductanciadeltransistor=IEQ/VT
TECNOLOGADELTRANSISTOR:
El germanio fue descubierto por Winkler en 1886, despus que Mendeleiev
predijerasuexistenciaymuchasdesuspropiedadesgraciasalsistemaperidicode
loselementos,en1869.Mendeleievledioelnombredeelkasiliciumdebidoasu
analogaconelsilicio.
Elgermanioprocededelmineralllamadogermanita,enelqueseencuentraenuna
proporcin aproximada de 7%. Tambin se le encuentra en los desperdicios
procedentesdelaextraccindezincydelascenizasdelahulla.
Los semiconductores a emplear deben tener una gran pureza debido a que una
pequea cantidad de impurezas cambia completamente sus propiedades
elctricas.Adems,suestructuracristalinadebesersimtrica(monocristal).
Lasimpurezaspuedenincluirseenelsemiconductordediferentesformas:
94
b)
c)
d)
ElectrnicaAnalgicaI
FORMASDECONSTRUCCINDELTRANSISTOR:
Transistordepuntasdecontacto:ConstandeunaplaquitadematerialbasetipoN
oPsobrelaqueestnaplicadasdospuntasmetlicas.Elmaterialdelcolectorydel
emisorseobtienealsoldarlaspuntasconelmaterialbasemedianteunimpulsode
corriente,haciendoqueseintroduzcanimpurezasdetipoopuestoaladelabase.
Estemtodofueunodelosprimerosenrealizarseyactualmenteestendesuso.
95
ElectrnicaAnalgicaI
Transistormesa:Esfabricadoconelprocesoepitaxial.Sehacecrecerunadelgada
capa de silicio poco dopado (que constituir la base) sobre un sustrato de silicio
fuertementedopado(queconstituirelcolector).Labasesecubreconunacapade
xidodesilicioyluegosepracticaunaventanadondesedifundeelemisor.Debido
a que el proceso de formacin de la base es muy lento, puede controlarse su
espesor con mucha exactitud, por lo que se pueden lograr espesores muy
reducidos, permitiendo su empleo en frecuencias altas. Pueden trabajar con
corrientes altas y tensiones del orden de 200 V. Se fabrican en versiones PNP y
NPN.
Nomenclaturadelostransistoresparabajafrecuencia:
Nomenclaturaamericana:Lostransistores,seacualseasuaplicacin,sedesignan
conelprefijo2N(dosuniones)seguidoporunnmerodadoporelfabricante.
Nomenclaturaeuropeaantigua:Seutilizaban23letrasseguidasdeunnmero.
LaprimeraletraesunaO,queindicaqueesunsemiconductor.Lasegundaletraes
unaAparalostransistores.
96
ElectrnicaAnalgicaI
Laprimeraletrapuedeser:
A
paralosdispositivosdegermanio
B
paralosdispositivosdesilicio
Lasegundaletrapuedeser:
C
paralostransistoresdebajafrecuenciaybajapotencia
D
paralostransistoresdebajafrecuenciaypotencia
97
ElectrnicaAnalgicaI
UNIDADTEMTICA
No.4
ELTRANSISTORUNIPOLAR(FET)
Sontransistoresquefuncionancontrolandolacorrientequecirculaporelcuerpo
delsemiconductor,medianteuncampoelctricodistribuidoentodasuextensin.
Lamagnituddelcampoelctricoesdeterminadaporelvoltajeexternodecontrol
aplicadoaldispositivo.
Lacorrientequeconducenesfundamentalmentedeunsolotipodecarga,porlo
queselesconocecomodispositivosunipolares
PRINCIPIODEFUNCIONAMIENTO
La diferencia entre un transistor bipolar (BJT) y un transistor unipolar (FET) es el
modo de actuacin sobre el terminal de control. En el transistor bipolar se debe
inyectarunacorrientedebasepararegularlacorrientedecolector,mientrasque
enelFETelcontrolsehacemediantelaaplicacindeunatensinentrecompuerta
y fuente. Esta diferencia viene determinada por la estructura interna de ambos
dispositivos,quesonsustancialmentedistintas.
Enresumen,destacamostrescosasfundamentales:
EnuntransistorbipolarIBcontrolalamagnituddelacorrienteIC.
EnunFET,latensinVGScontrolalamagnituddelacorrienteID.
En ambos casos, con una potencia pequea puede controlarse otra bastante
mayor.
TIPOSDEFET
Porsuformadeconstruccin,existen:
FETdejuntura(JFET):PuedensercanalNP
FETmetaloxidosemiconductor(MOSFET):PuedensercanalNP
99
ElectrnicaAnalgicaI
Estosasuvezsedividenen:
MOSFETdeacumulacin(oenriquecimientooincremental)
MOSFETdereduccin(odeestrangulamiento)
FETmetalsemiconductor(MESFET):PuedensercanalNP
MOSFET
Esuntransistordeefectodecampodemetalxidosemiconductor.
MOSFETDEACUMULACIN:
Eseltipomssencillodetodosy,enlaactualidad,elmsusado.
Acontinuacinsemuestrasuesquemadeconstruccin(paraunMOSFETcanalN):
W=Anchodelcanal
L=Longituddelcanal
tox=Espesordelacapadexido
D=Drenador(oDrainosumidero)
S=Fuente(oSourceosurtidor)
G=Compuerta(oGate)
B=Sustrato(oBulk)
G
S
tox
N+
N+
L
P
x
B
100
ElectrnicaAnalgicaI
Enlosdispositivosdiscretos,lafuente(S)estcomnmenteunidaconelsustrato
(B). Cuando no hay esta unin, el voltaje entre fuente y sustrato (VSB) tambin
afectaalfuncionamientodeldispositivo.
La capa de xido (cuyo espesor se indica con tox) est hecha de xido de silicio
(SiO2) posee una permitividad elctrica indicada con ox y la carga elctrica que
contiene,indicadaconQox,influyemuchoenlascaractersticasdeldispositivo.Qox
esenrealidadunadensidaddecargasuperficialformadaporionesdeimpurezas,
tomosdesilicioionizados,ambosdentrodelacapadexidoytambinporcargas
enlosbordesdelaunindelxidoconelsemiconductordebidoalafinalizacinde
laestructuracristalinadelsilicio.Estascargasnosemuevenyestnmuycercade
lasuperficiedelsemiconductor.Qox nodependedeltipodesustrato,perosdesu
orientacincristalogrfica.Cuandoelxidoesformadopormediostrmicos,Qoxes
formadaporcargapositiva.
ElMOSFETpresentatrestiposdecondicinelctricaenlasregionescercanasala
superficiedeuninconlacapadexido:
ACUMULACIN:Sienelesquemamostradoaplicamosunatensinnegativaentre
la compuerta y sustrato (VGS), se atraern ms cargas positivas a las regiones
cercanas a la superficie de unin con la capa de xido. Por ello, la densidad de
cargasuperficialaumentarenestazonaenunacantidadquepodemosindicarcon
QA.
NAS=NAxd
NAeslaconcentracindetomosaceptadoresenelsustrato
Si,mediantelaaproximacinindicada,consideramosqueestdistribuidade
manerauniformeenlazonadedeplexin,entonces,elcampoelctricoenesta
reginpodemosexpresarlopor:
Eo=eNAS/ox=eNAxd/ox
101
ElectrnicaAnalgicaI
INVERSIN:Sienelesquemamostradohacemosquelatensinpositivarespecto
alsustratoseamsalta,aparecertambinunadensidadsuperficialdeelectrones
libres, ns, que formar un canal de unin entre las regiones n+ del drenador y la
fuente.ParaellosenecesitarquelatensinVGSalcanceunvalorumbral(VTH).El
campoelctricoproducidoatravsdelxidoserahora:
Eo=e(NAS+ns)/ox
Despejandons:ns=(oxEo/e)NAS
ECUACIONESDELMOSFET
Paraelloconsideraremostrescasos:
1.
Cuandoelvoltajedrenadorfuente(VDS)espequeocomparadocon(VGS
VTH).
Enestecaso,lascargaslibresestarndistribuidasuniformementeentodo
elcanalypodemoshablardeunadensidaddecorrientelinealalolargodel
canal,dadaporlaexpresin:
Js=ID/W
Enestaregin,lacorrientededrenadortienelasiguienteecuacin:
ID=2K1[VGSVTH]VDS
Sedefinen:
Tensinumbral:
VTH=eNAStox/ox=eNAS/Cox
K=(W/L)(ox/tox)(n/2)
Bajoestascondiciones,sedicequeelMOSFETactaenlareginhmicay
selepuedeusarcomoresistenciacontroladaporvoltaje.Laresistenciadel
canalesdadapor:
Rds=VDS/ID=1/[2K(VGSVTH)]
2.
Cuando el voltaje drenadorfuente (VDS) no es despreciable respecto a
(VGSVTH)
Enestecaso,elcampoelctricoalolargodelcanalyanoesuniformeyel
potencial VDS ya no es lineal a lo largo del canal. Esto obligar a que el
campoelctricoenelxidotampocoseauniformeyvareconladistancia.
Enestecasolacorrientededrenadoresdadaporlaecuacin:
102
ElectrnicaAnalgicaI
ID=2K[(VGSVTH)VDSVDS2/2]
3.
Estaecuacinesvlidaparavaloresde:VDS<(VGSVTH)
ObservamosqueyanohaydependencialinealconVDS
Aestareginselesiguellamandozonahmica,aunquetambinrecibeel
nombrederegintriodo.
Cuandoelvoltajedrenadorfuente(VDS)esmayorque(VGSVTH)
Enestecasoapareceenelcanalunazonadeagotamiento,delongitud,
quereduceellargodelcanal,yhacequeIDsehagaindependientedeVDS
Estecomportamientosecumpleapartirde: VDS=VGSVTH
ReemplazandoestaecuacinenlaanteriordeID,llegamosa:
ID=[W/(L)](n/2)(ox/tox)](VGSVTH)2
AquvemosqueIDsehaceindependientedeVDS
EnlasgeometrasusadasparaelMOSFET,generalmentesecumpleque:
<<L,porloquesepuedehacerlasiguienteaproximacin:
ID=K(VGSVT)2=IDSS(1VGS/VTH)2
SmbolosdelosMosfetdeacumulacin:
EnlasfigurassonmostradoslosmodelosdelosMosfetdeacumulacincanalNy
canal P. Tambin se indican las polaridades de los voltajes y los sentidos de
circulacindecorriente.
103
ElectrnicaAnalgicaI
ID
ID
+
VDS
ID
VDS
+
ID
+
VGS
-
VGS
+
CANAL N
CANAL P
PROBLEMA 4.1. Un MOSFET puede ser usado como resistencia variable con la
tensin para valores pequeos de VDS. Suponga: VT = 1V, tox = 500, ox =
3.5x1013 F/cm, n = 1500 cm2/Vs. Qu valor de W/L dar un transistor NMOS
cuyaresistenciadecanalcambiade1K200para:3VVGS11V.
Solucin:
Enlazonahmicasecumple:
Rds=VDS/ID=1/[2K(VGSVTH)]
K=(W/L)(ox/tox)(n/2)
Para: Rds=1K=1/[(W/L)(3.5x1013/500x108)(1500)(31)]
Despejando: W/L=100/21=4.762
VerificandoparaRds=200
200=1/[(W/L)(3.5x1013/500x108)(1500)(111)]
Despejando: W/L=100/21=4.762
ConlocualseverificaquelarelacinW/Lhalladasatisfacelascondicionesdadas
CurvascaractersticasdelMosfetdeacumulacin.
LascurvasmsimportantesquedescribenenfuncionamientodelFETsonlasde
transferenciaylasdesalida.
104
ElectrnicaAnalgicaI
- ID
ID
VTH
VGS
- VTH
- VGS
CANAL N
CANAL P
Observamosqueparaquehayacorriente,lamagnituddelvoltajedeentrada(VGS)
debesuperarladelatensinumbral(VTH).Encasocontrario,nohabrcorriente
desalida.
Comolaecuacinescuadrtica,habrndosresultadosparaID.Estacurvatambin
estilparasaberculdelasdossolucioneseslacorrecta.
Curvas de salida: Estas curvas forman una familia, una para cada valor de VGS y
relacionanlacorrientedesalida(ID)yversuslatensindesalida(VDS).
Sontilesparaverlaszonasdeoperacindeldispositivoydefinirlosconceptosde
puntodeoperacinyrectasdecargaestticaydinmica.
LasiguientefiguramuestraestasgrficasparacanalN.ParacanalPsonsimilares,
soloquelaspolaridadesylossentidosdelacorrienteseinvierten.
105
ElectrnicaAnalgicaI
ID
VDS = VGS - VTH
VGS4
OHMICA
VGS3
SATURACION O
CORRIENTE CONSTANTE
VGS2
VGS1
CORTE
VDS
MOSFETDEREDUCCIN:
Este Mosfet tiene una construccin parecida a la del de acumulacin, con la
diferenciaqueelcanalyahasidohechoduranteelprocesodefabricacin.
Acontinuacinsemuestrasuesquemadeconstruccin(paraunMOSFETcanalN):
G
D
S
tox
N
N+
N+
L
B
x
106
ElectrnicaAnalgicaI
W=Anchodelcanal
L=Longituddelcanal
tox=Espesordelacapadexido
D=Drenador(oDrainosumidero)
S=Fuente(oSourceosurtidor)
G=Compuerta(oGate)
B=Sustrato(oBulk)
Enlosdispositivosdiscretos,lafuente(S)estcomnmenteunidaconelsustrato
(B). Cuando no hay esta unin, el voltaje entre fuente y sustrato (VSB) tambin
afectaalfuncionamientodeldispositivo.
La capa de xido (cuyo espesor se indica con tox) est hecha de xido de silicio
(SiO2)poseeunapermitividadelctricaindicadaconox
Elcontroldelacorrienteentredrenadoryfuentesehaceahorahaciendoreducirel
canalyaexistente.Paraello,seaplicaunatensinentrecompuertayfuenteque
induzca cargas de signo opuesto a las que abundan en el canal. Estas, al
recombinarse con las inducidas, hacen disminuir las cargas netas libres y en
consecuencia,tambinalacorriente.
LasecuacionesdelMOSFETdereduccinsonlasmismasquelasdelJFET,quese
estudiamsadelante.
SmbolosdelosMosfetdereduccin:
En las figuras son mostrados los modelos de los Mosfet de reduccin canal N y
canal P. Tambin se indican las polaridades de los voltajes y los sentidos de
circulacindecorriente.
107
ElectrnicaAnalgicaI
ID
+
VDS
ID
VGS
+
+
VGS
-
ID
VDS
+
ID
CANAL P
CANAL N
CurvascaractersticasdelMosfetdereduccin.
LascurvasmsimportantesquedescribenenfuncionamientodelFETsonlasde
transferenciaylasdesalida.
ID
-ID
IDSS
IDSS
VP
VGS
VP
VGS
CANAL N
CANAL P
Observamosqueparaquehayacorriente,lamagnituddelvoltajedeentrada(VGS)
debe ser menor que la tensin de contraccin (VP). En caso contrario, no habr
corrientedesalida.
108
ElectrnicaAnalgicaI
Comolaecuacinescuadrtica,habrndosresultadosparaID.Estacurvatambin
estilparasaberculdelasdossolucioneseslacorrecta.
IDSSeslacorrientededrenadorcuandoVGS=0
VPeslatensinVGSquehacecerrarelcanaly,portanto,lacorrientededrenador
sehacecero.
Estosdosparmetroslosdaelfabricanteenlahojatcnicadeldispositivo.
Curvas de salida: Estas curvas forman una familia, una para cada valor de VGS y
relacionanlacorrientedesalida(ID)yversuslatensindesalida(VDS).
Sontilesparaverlaszonasdeoperacindeldispositivoydefinirlosconceptosde
puntodeoperacinyrectasdecargaestticaydinmica.
LasiguientefiguramuestraestasgrficasparacanalN.ParacanalPsonsimilares,
soloquelaspolaridadesylossentidosdelacorrienteseinvierten.
ID
VDS = VGS - VP
VGS4
OHMICA
VGS3
SATURACION O
CORRIENTE CONSTANTE
VGS2
VGS1
CORTE
VDS
JFET
EstetipodeFETseconstruyemedianteunmaterialsemiconductortipoPNya
susladosseformanunionesconmaterialopuestoydemuchomayordopajeque
enelcuerpo.EnelsiguientegrficosemuestraunJFETconcanalN.
109
ElectrnicaAnalgicaI
VemosqueelcuerpoestipoNyaloscostadoshay2regionestipoPcondopaje
mucho mayor que en el tipo N. Esto se hace para que las regiones de transicin
seanmayoresenelmaterialtipoN
Elprincipiodefuncionamientosebasaenhaceraumentarodisminuirlasregiones
detransicinparacontrolarelflujodecorrienteentredrenadoryfuente(ID).Las
regiones de transicin (indicadas con lneas punteadas) se controlan mediante la
tensinVGS.;paraello,esnecesarioquepolarizarinversamentelasunionesPN.
P+
Id
+
VGS
G
P+
- VDS +
VemosqueelcuerpoestipoNyaloscostadoshay2regionestipoPcondopaje
mucho mayor que en el tipo N. Esto se hace para que las regiones de transicin
seanmayoresenelmaterialtipoN
ECUACIONESDELJFET
AligualqueenelMOSFETdeacumulacin,seconsiderarnloscasos
1.
Cuandoelvoltajedrenadorfuente(VDS)espequeocomparadoconVGS:
a
b
+
VGS
G
P+
- VDS +
110
Id
ElectrnicaAnalgicaI
Enestecaso,lascargaslibresestarndistribuidasuniformementeentodo
elcanalypodremosdecir:
Jn=ennEDS
ID=2bAeNDnEDS
ComoVDSespequeo,podemoshacerlasiguienteaproximacin:
EDS=VDS/L
Donde:L=longituddelcanal.
Entonces:
ID=2bAeNDnVDS/L
EnlauninPNabrupta,elpotencialenlajunturaesdadopor:
VoVGS=[eNDNA/(2(NA+ND)]W2
ComoNA>>ND,
DespejandoW:
entonces:
VoVGS=[eND/2]W2
1/2
W=[2/eND] (VoVGS)1/2
Delgrficovemostambinqueelanchodelaregindetransicin(W)se
W=ab
puedeexpresarcomo:
ReemplazandoydespejandoVoVGS:
VoVGS=[ea2AND/2](1b/a)2
Entonces:
Sisecumple: VGS>>Vo,
2
VGS=[ea A ND/2](1b/a)2
CuandoVGSsehacetannegativoqueelcanalsecierra:b=0
111
ElectrnicaAnalgicaI
Enestecaso,lamximatensinVGSquecierraelcanales:
Vp=[ea2AND/2]
Estevoltajerecibeelnombredetensindecontraccin(odePinchOff)y
es un parmetro dado por el fabricante en los manuales tcnicos. Este
voltajeesnegativoparalosJFETdecanalNypositivoparalosdecanalP.
Acontinuacin:VGS=Vp(1b/a)2
Despejandob:
b=a[1(VGS/Vp)1/2]
ReemplazandoenlaecuacindeID:
ID=[2AaeNDn/L][1(VGS/Vp)1/2]VDS
VemosquehayunarelacinlinealentreIDyVDS.Luego,podemoshallarla
resistenciadelcanalparatensionesVDSpequeas:
RDS=VDS/ID=1/[2AaeNDn/L][1(VGS/Vp)1/2]
Definimos:
ron=1/[2AaeNDn/L]
EstaresistenciaeslamnimaqueofreceelcanalcuandoVGS=0
Entonces:
RDS=ron/[1(VGS/Vp)1/2]
EstaesunaresistenciacuyovalorpuedesercontroladoconlatensinVGS
(tambinllamadaVDR).Estacaractersticaestilparacontrolarlaganancia
delosamplificadores.
2.
Cuandoelvoltajedrenadorfuente(VDS)esmayorque(VGSVp):
Cuando:VDS=VGSVp
setiene:
ID=KpVDS2
Laecuacin: VDS=VGSVpcorrespondealareginumbralentrelazona
hmicaydesaturacin.
ParavaloresVDS>VGSVp,elJFETllegaalazonadesaturacinysehace
prcticamenteindependientedeVDS.Entonces:
ID=Kp[(VGSVp)2
112
FactorizandoVp:
ElectrnicaAnalgicaI
ID=IDSS[(1VGS/Vp)2
QueeslaecuacintpicadelJFETenlaregindesaturacin.
SmbolosdelosJfet:
EnlasfigurassonmostradoslosmodelosdelosjfetcanalNycanalP.Tambinse
indicanlaspolaridadesdelosvoltajesylossentidosdecirculacindecorriente.
ID
+
VDS
ID
VGS
+
+
VGS
-
ID
VDS
+
ID
CANAL N
CANAL P
Curvascaractersticasdeljfet:
Las curvas ms importantes que describen en funcionamiento del FET son las de
transferenciaylasdesalida.SonanlogasalasdelMosfetdereduccin.
ID
-ID
IDSS
IDSS
VP
VGS
VP
VGS
CANAL N
CANAL P
113
ElectrnicaAnalgicaI
Observamosqueparaquehayacorriente,lamagnituddelvoltajedeentrada(VGS)
debe ser menor que la tensin de contraccin (VP). En caso contrario, no habr
corrientedesalida.
Comolaecuacinescuadrtica,habrndosresultadosparaID.Estacurvatambin
estilparasaberculdelasdossolucioneseslacorrecta.
IDSSeslacorrientededrenadorcuandoVGS=0
VPeslatensinVGSquehacecerrarelcanaly,portanto,lacorrientededrenador
sehacecero.
Estosdosparmetroslosdaelfabricanteenlahojatcnicadeldispositivo.
Curvas de salida: Estas curvas forman una familia, una para cada valor de VGS y
relacionanlacorrientedesalida(ID)yversuslatensindesalida(VDS).
Sontilesparaverlaszonasdeoperacindeldispositivoydefinirlosconceptosde
puntodeoperacinyrectasdecargaestticaydinmica.
LasiguientefiguramuestraestasgrficasparacanalN.ParacanalPsonsimilares,
soloquelaspolaridadesylossentidosdelacorrienteseinvierten.
ID
VDS = VGS - VP
VGS4
OHMICA
VGS3
SATURACION O
CORRIENTE CONSTANTE
VGS2
VGS1
CORTE
VDS
Regionesdeoperacindeltransistor:
Enlascurvasdesalidaseobservanlasregionescomunesdeoperacin:
Zona hmica: En esta zona el transistor acta como interruptor cerrado. Aqu
tambin,enlaszonascercanasalorigen(VDSpequea)eldispositivosecomporta
114
ElectrnicaAnalgicaI
Zonadecorte:Enestaregineldispositivoactacomointerruptorabierto.
Junto con la zona hmica permiten hacer circuitos digitales y tambin ser usado
comointerruptorparacircuitosdepotencia.
Polarizacin:
ParaqueelFETamplifiqueesnecesarioubicarsupuntodeoperacinenlazonade
corriente constate. Para ello, necesitamos establecer una tensin y corriente
constantequeloubiquendichazona.
AcontinuacinsonmostradaslasformastpicasdepolarizaralFET:
115
ElectrnicaAnalgicaI
JFET:
VDD
VDD
RD
VDD
RD
RD
RF
R1
- VDD
- VDD
RD
- VDD
RD
RG
RD
RF
R1
RG
RS
R2
RG
RS
RS
CANAL N
R2
RG
RS
CANAL N
RS
CANAL N
CANAL P
CANAL P
- VDD
- VDD
RS
CANAL P
MOSFETDEREDUCCIN:
VDD
VDD
RD
VDD
RD
RF
R1
RD
RD
RD
RF
R1
RG
RD
RG
RS
RS
R2
CANAL N
- VDD
RS
CANAL N
RG
R2
RG
RS
CANAL N
RS
CANAL P
116
CANAL P
RS
CANAL P
ElectrnicaAnalgicaI
MOSFETDEACUMULACIN:
VDD
VDD
RD
R1
R2
- VDD
RD
RD
RF
RS
CANAL N
- VDD
RG
RD
R1
RS
RF
R2
CANAL N
RS
RG
CANAL P
CANAL P
Rectasdecarga:RectadecargaDC.RectadecargaAC.
ParaelestudiodeloscircuitosutilizamoslasleyesdeKirchhoffylaleydeOhm.
Enelsiguientecircuitousadocomoamplificador:
VDD
RD
R1
C2
C1
+
vg
-
RL
R2
RS
CS
117
RS
ElectrnicaAnalgicaI
Lacorrientededrenadorestformadaporlacorrientedelpuntodeoperacinyla
corrientedeseal: ID=IDQ+id
Enformaanlogaparalatensin: VDS=VDSQ+vds
PlanteandolaleydeKirchhoffenlamalladrenadorfuente:
VDD+0=IDQRD+VDSQ+IDQRS+id(RD//RL)+vds
Aqusehanconsideradomuypequeaslasreactanciasdeloscondensadoresala
frecuenciadelaseal.
Los3primerostrminosdeladerechasonDCysecumple:
VDD=IDQ(RD+RS)+VDSQ
YrecibeelnombredeRectadecargaesttica(oDC)
Los2trminossiguientesdeladerechasonACysecumple:
0=+id(RD//RL)+vds
YrecibeelnombredeRectadecargadinmica(oAC)
LoanteriorindicaquepodemosestudiaralamplificadorsloenDCyluegoslo
enAC,enformaanlogaalBJT.
Estasecuacionespuedensergraficadasenlascurvasdesalidadeltransistoryson
unparderectas.
PROBLEMA4.2.HallelosvaloresdeRD,RS,R1,R2yR3parapolarizarunMOSFETde
acumulacinconVTH=1V,enelpuntodeoperacin:
VDSQ=15V,IDQ=4.5mA,VGSQ=2V.Adems:Zi=10M.
Asumaque:
Rs=(VGSQ+VTH)/IDQ
Paraminimizarlasvariacionesportemperatura.
118
ElectrnicaAnalgicaI
0.1 mA
+ 24 V
RD
R1
R3
C1
+
vg
-
R2
RS
CS
Solucin:
RectaDC:
24=ID(RD+RS)+VDS
Reemplazandovalores:
24=(4.5)(RD+RS)+15
Obtenemos:
(RD+RS)=2K
Enlareddepolarizacindecompuerta:
24=(0.1mA)(R1+R2)
Obtenemos:
(R1+R2)=240K
HallamosRS:
Rs=(VGSQ+VTH)/IDQ
Reemplazandovalores:
Rs=(2+1)V/4.5mA=667
Rs=667
ObtenemosRD:
RD=2KRS=1.33K
RD=1.33K
ElvoltajeenR2es:
VR2=VGSQ+IDQRs
Reemplazandovalores:
VR2=2+(4.5mA)(667)=5V
ObtenemosR2.
R2=5V/0.1mA=50K
R2=50K
119
ElectrnicaAnalgicaI
ObtenemosR1.
R1=240K50K=190K
R1=190K
Laimpedanciadeentradaparasealqueofreceelamplificadores:
Zi=R3+R1//R2=1M
DespejandoR3:
R3=1MR1//R2=1M39.58K=960.42K
R3=960.42K
ConfiguracionesdelosFET:
Cuando trabaja con seales pequeas, el Fet puede ser considerado como un
cuadripolo. Como el dispositivo tiene slo 3 terminales, deber considerarse uno
comnalaentradaysalida,comosemuestraacontinuacinparaelJfet.
Fuentecomn:
Esta configuracin usa el terminal de fuente comn a la entrada y salida. Se
caracteriza por amplificar tensin y corriente. La seal de salida est desfasada
180respectoalaentrada.
Elsiguienteesquemamuestraestaconfiguracin:
id
D
ig = 0
+
vds
-
G
+
vgs
S
S
FUENTE COMUN
Drenadorcomn:
Esta configuracin usa el terminal de drenador comn a la entrada y salida. Se
caracterizaporamplificarcorriente.Lasealdesalidaestenfaseconrespectoa
laentrada.
120
ElectrnicaAnalgicaI
Elsiguienteesquemamuestraestaconfiguracin:
is
S
ig = 0
+
vsd
-
G
+
vgd
D
D
DRENADOR COMUN
Compuertacomn.
Estaconfiguracinusaelterminaldecompuertacomnalaentradaysalida.Se
caracterizaporamplificartensin.Lasealdesalidaestenfaseconrespectoala
entrada.
Elsiguienteesquemamuestraestaconfiguracin:
Is
id
S
+
vsg
-
D
+
vdg
-
G
COMPUERTA COMUN
ModelosdebajafrecuenciaypequeasealdelFET:
El FET presenta efectos capacitivos internos, los cuales deben ser considerados
cuando trabaja con frecuencias altas. Cuando las frecuencias son bajas estas
capacidades tienen reactancias muy elevadas y se les puede considerar circuitos
abiertos.
121
ElectrnicaAnalgicaI
Hay dos modelos tpicos que se usan para todos los FET: El modelo Norton y el
modeloThevenin.Elusodecadaunodeellosdependerdeltipodecircuitousado.
Seempleaelquefacilitemselanlisis.
AmbosmodelosseempleanparacualquierconfiguracinycualquiertipodeFET.
ModelotipoNortonparapequeasealyaltafrecuencia:
Un modelo muy empleado para pequea seal en todos los FETs es el siguiente,
expresandoelcircuitodesalidaporunequivalenteNorton:
Cgd
G
+
Vgs
-
gm Vgs
Cgs
rds
Cds
S
Cgs,CgdyCdsseempleanslocuandosetrabajaconfrecuenciasaltas
Cgseslacapacidaddeentrada,entrecompuertayfuente
Cgdeslacapacidadderealimentacin,entredrenadoryfuente
Cdseslacapacidaddesalida,entredrenadoryfuente
gm=transconductanciadelFETparapequeaseal.
rds=Resistenciadelcanalparapequeaseal.
ModelotipoNortonparabajafrecuencia:
Enestecaso,noseconsideranlascapacidadesylaentradadelFETesuncircuito
abierto.Aqu:
ElFETsecomportacomofuentedecorrientecontroladaportensin.
ig = 0
id
G
D
+
vgs
-
rds
gm vgs
122
+
vds
S
ElectrnicaAnalgicaI
ModelotipoTheveninparapequeasealyaltafrecuencia:
OtromodelomuyempleadoparapequeasealentodoslosFETseselexpresando
consucircuitodesalidaporunequivalenteThevenin:
Cgd
ig
rds
id
D
+
vgs
-
u vgs
+
Cgs
Cds
+
vds
S
ModelotipoTheveninparapequeasealybajafrecuencia:Enestecaso,nose
consideranlascapacidadesylaentradadelfetesuncircuitoabierto.Aqu:
=Factordeamplificacindelfetparapequeaseal=gmrds
rds=Resistenciadelcanalparapequeaseal.
ig = 0
rds
id
D
+
vgs
-
u vgs
+
+
vds
S
PROBLEMA4.3.EnelsiguientecircuitoconMOSFET,hallelagananciadetensin,
laimpedanciadeentradaylaimpedanciadesalida.
Datos: gm=2mS,rds=15K
123
ElectrnicaAnalgicaI
100K
Zo
+
Vo
-
Zi
5K
RL
10K
Vi
VDD
C es muy grande
Solucin:
Hacemoselmodeloparapequeasealybajafrecuencia:
100K
ig
+
vi
-
5K
gm vgs
+
vgs
-
15K
Gananciadetensin: Av=Vo/Vi
Usndolemtododenodos: (VgsVi)/5K=(VgsVo)/100K
NudoVgs:
(ViVgs)/5K=(VgsVo)/100K
DespejandoVgs:
Vgs(1/5K+1/100K)=Vi/5K+Vo/100K
Vgs=(20/21)Vi+Vo/21
NudoVo:
(VoVi)/105K+Vo/10K+Vo/15K+gmVgs=0
124
RL = 10K
+
vo
ElectrnicaAnalgicaI
Ordenando: Vo(1/105K+1/10K+1/15K)Vi/105K+gmVgs=0
ReemplazandoVgs:
Vo(1/21+1/2+1/3+10/21)=Vi[1/21200/21]
DespejandoAv:
Vo(1/21+1/2+1/3+10/21)=Vi[1/21200/21]
Av=(1/21200/21)/[1/21+1/2+1/3+10/21]=1.905/1.357
Efectuando: Av=9.476/1.357=6.976
Av=6.976
Impedanciadeentrada(sinincluirlos5K):Zi=Vgs/Ig
Sabemosque:Ig=(VgsVo)/100K
Adems:
Vgs=(20/21)Vi+Vo/21=Vi(20/21+Av/21)=0.15Vi
DividiendoporIg:
Zi=0.62(5K+Zi)
DespejandoZi:Zi=0.62(5K)/(10.62)=8.16K
Zi=8.16K
125
ElectrnicaAnalgicaI
UNIDADTEMTICA
No.5
GANANCIASDELAMPLIFICADOR:
Tiposdeamplificadores
Antesdeiniciarelanlisisdecircuitos,indicaremoslostiposycaractersticasdelos
amplificadores.
a)
AmplificadordeTensin:Esunamplificadorquerecibetensinyentrega
tensin. Su impedancia de entrada debe ser elevada y su impedancia de
salida pequea. Su circuito de salida es mejor representado por un
equivalentedeThevenin.Lasalidaesunafuentedetensincontroladapor
tensin.
Rg
+
Vg
-
Zo << RL
+
Vi
-
Zi
Zo
Av Vi
-
RL
+
VL
-
Zi >> Rg
b)
Av=VL/Vi=Gananciadetensin.
Zi=Impedanciadeentrada.
Zo=Impedanciadesalida.
ElectrnicaAnalgicaI
Ii
Zo >> RL
IL
Ai Ii
Ig
Rg
Zi
Zo
RL
Zi << Rg
Ai=IL/Ii=Gananciadecorriente.
Zi=Impedanciadeentrada.
Zo=Impedanciadesalida.
c)
Rg
Zo >> RL
IL
+
Vg
-
+
Vi
-
Gm Vi
Zi
Zo
RL
Zi >> Rg
128
ElectrnicaAnalgicaI
Gm=IL/Vi=Transconductanciaotransadmitancia.
Zi=Impedanciadeentrada.
Zo=Impedanciadesalida.
d)
Ii
Zo << RL
Ig
Rg
Zi
Zo
Rm Ii
-
RL
+
VL
-
Zi << Rg
Rm=VL/Ii=Transrresistenciaotransimpedancia.
Zi=Impedanciadeentrada.
Zo=Impedanciadesalida.
129
ElectrnicaAnalgicaI
Impedanciadeentrada,Zi:
Eslaimpedanciaqueofreceelamplificadorensuentrada.Esimportanteconocerla
parapoderacoplarlasealdeentradaeimpedirquedisminuyalaamplificacin.
Delgrficovemosquesepuedehallarcomo:Zi=Vg/Ig
Ig
+
Vg
RL
Impedanciadesalida,Zo:
Eslaimpedanciaqueofreceelamplificador,ensusalida,alacarga.Esimportante
conocerla para poder acoplarlacarga al amplificadoreimpedir que disminuyala
amplificacin.
LasalidasepuedemodelarcomouncircuitoTheveninouncircuitoNorton,como
semuestraenelgrfico:
Zo
Ig
+
Vg
-
Zi
+
Av Vg
-
UnaformadehallarZoes,viendoelgrfico:
1)HacerVg=0
2)Sacarlacargay,ensulugar,ponerunafuenteV
3)Seobtiene: Zo=V/I
130
RL
+
VL
-
ElectrnicaAnalgicaI
Ig = 0
Zo
V
Zi
-
OtraformadehallarZoes,viendoelgrfico:
1)
Sacarlacargaymedirlatensindesalidaenvaco:VL1=AvVg.
Ig
Zo
Zi
+
Vg
-
2)
+
Av Vg
-
+
VL1 = Av Vg
-
Ponerlacargaymedirnuevamenteelvoltajedesalida:
Ig
IL
Zo
+
Vg
-
Zi
+
Av Vg
-
RL
+
VL2 = IL RL
-
131
ElectrnicaAnalgicaI
3)
Seobtiene:
Zo=(VL1VL2)/IL=(VL1/VL21)RL
Anlisisdeunamplificadorusandoparmetroshbridos:
Haremos el anlisis, mediante un problema, representando al transistor
consumodelo:
Problema5.1:Enelsiguienteesquemasimplificadodeunamplificadordepequea
seal,conparmetroshbridos,hallelasexpresionesde:
a)Lagananciadetensin(Av)
b)Laimpedanciadeentrada(Zi)
c)Laimpedanciadesalida(Zo)
Rg
hi
+
+
Vg
+
RL
hr VL
hf i
1 / ho
VL
-
Solucin:
a)
Obtencindelagananciadetensin:Av=VL/Vg
Delcircuitodeentrada:
VghrVL
i=
Rg+hi
Delcircuitodesalida:
VL=hfi(RL//(1/ho))
Reemplazando:
VghrVL
VL=hf()(RL//(1/ho))
Rg+hi
Simplificando: VL
hfRL
Av==
Vg
Rg(1+hoRL)+hi+RL(Dh)
Donde:Dh=hihohfhr
132
b)
c)
ElectrnicaAnalgicaI
Obtencindelaimpedanciadeentrada:Zi=Vg/i
Delcircuitodeentrada:
VghrVL
i=
Rg+hi
Luego:
i(Rg+hi)=VghrVL
ReemplazandoVL:
i(Rg+hi)=Vghr(hfi(RL//(1/ho))
Finalmente:
Vg
hi+Rg(1+hoRL)+RLDh
Zi==Rg+hihrhf(RL//(1/ho)=
I
1+hoRL
hi+Rg(1+hoRL)+RLDh
Zi=
1+hoRL
Obtencindelaimpedanciadesalida:Zo=V/IcuandoVg=0
EsquemaparahallarZo:
Rg
hi
+
i
+
hr V
hf i
1 / ho
V
-
Tenemos:
I=hoV+hfi
Adems,enlaentrada:
hrV
i=
Rg+hi
Reemplazandoi:
hrV
I=hoV+hf()
Rg+hi
133
ElectrnicaAnalgicaI
hrhf
hoRg+Dh
Yo==ho=
Zo
hi+Rg hi+Rg
hi+Rg
Zo=
hoRg+Dh
Estasexpresionessonvlidasparacualquierconfiguracindeltransistor.
Configuracionesdetransistores:
Hay ocasiones en las que es necesario hacer combinaciones de transistores para
modificarlaganancia,lacapacidaddecorriente,detensin,etc.
Acontinuacinsemuestranlasmscomunes:
Darlington:
Enlasiguientefiguraesmostradalaformadeconexin.
Q1
Q1
Q2
Q2
Q3
DARLINGTON
CON 2 TRANSISTORES
DARLINGTON CON
TRES TRANSISTORES
Puedeobservarsequeloscolectoresestnunidosyelemisordeunovaalabase
delsiguiente.
Caractersticas:
1) Lagananciadeltransistorequivalenteesmuyelevada.
2) Laresistenciadeentradaequivalenteesmselevada.
3) Lacorrientedeentradaesreducida(ofrecemenorcarga).
4) Mayorinestabilidadtrmica,porloquedebetenersecuidadodeestabilizarlo.
Estaempeoracuandoconstademsdedostransistores.
134
Q1
R1
ElectrnicaAnalgicaI
R3
Q2
R2
PNPsimulado:
Enlasiguientefiguraesmostradalaformadeconexin.
IE
IB
Q1
PNP
Q2
NPN
IC
Observamosquehaydoscorrientesquesalenyunaqueingresa,loqueestpico
deltransistorPNP.
Caractersticas:
1) Lagananciadeltransistorequivalenteesmuyelevada.
2) Laresistenciaequivalentedeentradaesalta.
3) Lacorrientedeentradaesreducida(ofrecemenorcarga).
4) Mayor inestabilidad trmica, por lo que debe tenerse cuidado de
estabilizarlo.
5) Muy usado en amplificadores de potencia de audio porque evita el empleo
detransistoresPNPdealtapotenciaenlaetapadesalida.
NPNsimulado.
Enlasiguientefiguraesmostradalaformadeconexin.
135
ElectrnicaAnalgicaI
IC
Q2
PNP
IB
Q1
NPN
IE
Observamosquehaydoscorrientesqueingresanyunaquesale,loqueestpico
deltransistorNPN.
Caractersticas:
1) Lagananciadeltransistorequivalenteesmuyelevada.
2) Laresistenciadeentradaequivalenteesalta.
3) Lacorrientedeentradaesreducida(ofrecemenorcarga).
4) Mayorinestabilidadtrmica,porloquedebetenersecuidadodeestabilizarlo.
Transistoresenparalelo.
Enlasiguientefiguraesmostradalaformadeconexin.
Q1
Q2
Q1
PARALELO CON
2 TRANSISTORES
Q2
Q3
PARALELO CON
3 TRANSISTORES
Caractersticas:
1) Lagananciadeltransistorequivalenteesigualaladeunsolotransistor.
2) Laresistenciadeentradaequivalenteesbaja.
3) Lacorrientetotaldesalidaeselevada(ofrecemenorcarga).
4) Lacorrientetotaldeentradaesmsalta(ofrecemayorcarga).
5) Mayorinestabilidadtrmica,porloquedebetenersecuidadodeestabilizarlo.
6) Debeasegurarsequeserepartanlacorrienteequitativamente.
7) Respuestaenfrecuenciamenorqueladeunsolotransistor.
136
R1
ElectrnicaAnalgicaI
Q1
R1
Q2
R2
R2
Transistoresenserie.
Enlasiguientefiguraesmostradalaformadeconexin.
Q1
Q2
Caractersticas:
1) Muyusadaparaconstruirelamplificadorcascode.
2) La ganancia de corriente del transistor equivalente es igual a la de un solo
transistor.
3) Laresistenciadeentradaequivalenteesrelativamentebaja.
4) Lacorrientetotaldesalidaeslamismaquedeunsolotransistor.
5) Serepartenelvoltajedelafuente.
6) Debetenersecuidadoconlareddepolarizacin.
7) Debeasegurarsequeserepartanlatensinequitativamente.
8) Mejorrespuestaenfrecuencia.
Formasdeacoplodelosamplificadores:
Debido a que las impedancias de entrada y salida de los amplificadores
transistorizados en montaje de emisor comn, que es el ms utilizado, son del
orden de 1 K 20 K, respectivamente, el acoplamiento directo de dos etapas
137
ElectrnicaAnalgicaI
Paraadaptarlasimpedanciasdeentradaysalidadedosetapasamplificadorasse
utilizandiversostiposdeacoplamiento:
Acoploportransformador:
Semuestraenelsiguienteesquema.Eselqueofrecemayorgananciadepotencia,
peronoesmuyutilizadoporquesurespuestaenfrecuencianoesmuyamplia.
C1
Q1
TR
Q2
C2
R1
R2
VCC
Acoploportransformador
n=(20000/1000)0.5=4.47
Acoploporautotransformador:
Emplea un autotransformador en lugar de transformador. A continuacin se
muestrandosformasdeusodeestemtodo:
C1
R3
Q1
C3
Q2
R1
R2
R4
C2
C4
VCC
138
ElectrnicaAnalgicaI
C1
Q1
C3
Q2
R1
R2
C2
R3
R4
C4
VCC
Acoploporautotransformador
Acoploporresistenciacapacidad(RC):
Este es uno de los ms usados y, aunque no permite acoplar perfectamente las
impedanciasylagananciaesmenor,suprecioyespacioocupadoesmsreducido.
Permite tambin una buena respuesta en frecuencia si C1 es lo suficientemente
elevado.
C1
Q2
Q1
R1
R2
VCC
Acoploporresistenciacapacidad(RC)
Acoplodirecto:
Este es tambin muy usado, especialmente en circuitos integrados. Debe tenerse
cuidadoconlaestabilidaddelospuntosdeoperacindebidoaqueinfluyendeuna
etapaaotra.Permiteunabuenarespuestaenbajafrecuencia(desdeDC).
VCC
R1
R4
Q1
Q2
R2
R3
R5
C1
139
ElectrnicaAnalgicaI
VCC
R1
R2
R6
R5
Q1
Q2
R4
R7
C1
R3
Acoplodirecto
Acoplodirectocomplementario:
Estaesotraformadeacoplomuydifundidaquepermitemuybuenarespuestaen
bajafrecuencia(desdeDC)ysecaracterizaporempleartransistoresNPNyPNP.
Cuandoseempleaacoplodirectoconunsolotipodetransistor,latensincontinua
desalidatiendeaacercarsealvalordelafuentedealimentacin,restringiendoel
nivelmximodeamplificacin.Esteproblemaseevitaempleandolosdostiposde
transistor para que la tensin DC en la salida no se eleve demasiado, como se
muestraacontinuacin:
VCC
R1
R2
R6
R5
Q2
Q1
R4
R7
C1
R3
Acoplodirectocomplementario
140
ElectrnicaAnalgicaI
Controlesdevolumenydetono
El control de volumen, como su nombre lo indica, consiste en un potencimetro
queregulaelvolumensonoroproporcionadoporelamplificadordesdecerohasta
sumximapotencia.
Debesercolocadoenunaposicintalquenoafectelascorrientesdepolarizacin
nilasimpedanciasdecargadelostransistores.Tampocodebensercausaderuido,
lo cual puede suceder cuando es colocado a la entrada, porque el ruido ser
amplificadoysedeteriorarlarelacinseal/ruido.Siselecolocaenunaetapa
intermediapuedeserquenoajustelasalidaaunnivelsuficientementebajo.Por
ello, su ubicacin deber elegirse con cuidado para evitar estos efectos
desfavorables. Estos controles son hechos mediante potencimetros logartmicos
debidoalascaractersticasdefuncionamientodelodohumano.
Configuracionesdeamplificadorescontransistoresy/oFET.
VeremosaqulaformadeanlisisdelasconfiguracionesdeamplificadoresconBJT
yFET.
Amplificadorenemisorcomn:
Estaconfiguracinsecaracterizaporamplificartensinycorriente.Enfrecuencias
mediaseldesfasajeenlasalidarespectoalaentradaes180.
Enelsiguienteesquemaseobservaestaconfiguracin:
VCC
R1
RC
C2
+
C1
1kHz
RL
R2
Vg
RE
CE
R1,R2,RCyREfijanelpuntodeoperacinenlazonaactivadirecta.
141
ElectrnicaAnalgicaI
CEeslacapacidaddebypassodesacoplodeemisor.Sumisinesconectar,para
seal,elemisoralareferenciaparaevitarquedisminuyalaamplificacin.
Problema5.2:EnelcircuitomostradoconBJT,calcule:
a) Elpuntodeoperacindeltransistor.
b) Lagananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=Io/Ig)
c) Laimpedanciadeentrada,(Zi=Vi/Ii).
d) Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVi=0)
+ 25 V
100K
7K
150K
C3
Zo
Zi
C2
C1
Ii
Q
5K
+
Vi
-
1K
C4
Transistor:Silicio,VBE=0.6V,=100,hie=1K,hfe=150,hre=0,hoe=0
Solucin:
a) Puntodeoperacindeltransistor:
142
+
Vo
-
ElectrnicaAnalgicaI
25 V
7K
250K
1K
b)
RectaDC:
25=8KIE+VCE=8KIC+VCE >>1
Adems:
VCE=250KIEB+VBE=2.5KIC+0.6
Resolviendo: ICQ=2.32mA
VCEQ=6.4V
Gananciadecorrienteparapequeaseal:
Modeloparaseal:Usamoselmodelosimplificadoenemisorcomn.
ib
1K
Io
Ii
Vi
100K
150 ib
150K
7K
Delcircuitodeentrada:
ib=Ii(100K)/(100K+1K)
Delcircuitodesalida:
Io=150ib(150K//7K)/[5K+(150K//7K)]
Reemplazandoyefectuando:
AI=85.04
143
5K
ElectrnicaAnalgicaI
c)
Impedanciadeentrada,(Zi=Vi/Ii).
Delcircuitodeentradaobtenemos: Zi=100K//1K
Zi=0.99K
d)
Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVi=0)
Delcircuitodesalidaobtenemos:
Zo=150K//7K
Zo=6.7K
Amplificadorencolectorcomn(oseguidordeemisor):
Esta configuracin se caracteriza por amplificar corriente, pero no tensin. En
frecuenciasmediaseldesfasajeenlasalidarespectoalaentradaes0.
Enelsiguienteesquemaseobservaestaconfiguracin:
VCC
R1
C1
Vg
1kHz
+
R2
RE
CE
RL
R1,R2,RCyREfijanelpuntodeoperacinenlazonaactivadirecta.
Enelesquemanohayresistenciaenelcolector,aunquehaycasosenquetambin
existe.
144
ElectrnicaAnalgicaI
Problema5.3:Enelcircuitomostrado,halle:
a) Lagananciadetensin,AV=VL/Vi
b) Lagananciadecorriente,AI
c) Laimpedanciadeentrada,Zi
d) Laimpedanciadesalida,Zo
91K
Zi
C
100K
2N2222
2N3904
B
+
Vg
10uF
+
Vin
-
Zo
12V
E
15K
100uF
1K
+
VL
-
RL
100
Solucin:
a) Lagananciadetensin,AV=VL/Vi
Modeloparaseal:
100K
+
Vi
-
12.88K
1K 100
+
Vg
-
+
VL
-
120 ib
ib
100K
3.5K
+
Vi
-
12.88K
1K
100
+
VL
-
Delosdatosdelahojatcnicadel2N3904tenemos:
hfe=120,hoe=9uS,hre=1.3x104,hie=3.5K
Despreciamoslosparmetroshreyhoeporserpequeos.
Aplicandoreflexindeimpedanciasysustitucin:
145
ElectrnicaAnalgicaI
ib
3.5K
+
Vi
-
12.88K
(121)1K (121)100
b)
+
VL
-
Luego: VL=121(1K//100)Vi/[3.5K+121(1K//100)]=0.76Vi
Dedonde:
AV=0.76
Lagananciadecorriente,AI=iL/ig
ig
121 ib
ib
3.5K
+
Vi
-
12.88K
1K
c)
d)
iL
100
+
VL
-
Delgrfico:iL=121ib(1K)/(1K+0.1K)=110ib
Adems: ib=ig(12.88K)/[12.88K+3.5K+121(1K//0.1K)]
Reemplazandoenlaecuacinanterioryefectuando:
iL=47.04ig
Dedonde:
Laimpedanciadeentrada,
Delgrficovemos:
Efectuando:
AI=47.04
Zi=Vi/ig
Zi=12.88K//[3.5K+121(1K//0.1K)]
Zi=6.82K
Laimpedanciadesalida,Zo
CircuitoequivalenteparahallarZo:
146
ElectrnicaAnalgicaI
120 ib
ib
3.5K
12.88K
100K
+
V
-
1K
Aplicandoelmtododenodos:
Iib120ib+V/1K=0
Adems:
ib=V/[100K//12.88K+3.5K]
Reemplazando:
I=121V[1/1K+1/14.91K]
Dedonde:
Zo=7.75
Problema5.4:Enelcircuitomostrado,halle:
a) Lagananciadetensin,AV
b) Lagananciadecorriente,AI
c) Laimpedanciadeentrada,Zi
d) Laimpedanciadesalida,Zo
+ 15V
12K
Ig
+
Vg
220K
IL
C
2K
2K
+
VL
-
147
ElectrnicaAnalgicaI
Transistor:Silicio,VBE=0.6V,=100,hie=1K,hfe=150,hre=0,hoe=0
Asumaquetodosloscondensadoressonmuygrandes.
Solucin:
a) Lagananciadetensin,AV:Modeloparaseal
Ig
150 ib
ib
1K
+
12K
Vg
220K
IL
2K
2K
+
VL
-
Aplicandovoltajedenudosenelemisor:
VL/2K+VL/2K+(VL+Vg)/(12K//220K)+ib=ib+hfeib=151ib
Adems:
ib=Vg/1K
Reemplazando:
VL[1/2K+1/2K+1/11.38K]=Vg[150/1K1/11.38K]
Deestaecuacinhallamoslagananciadetensin:
Av=137.8
b) Gananciadecorriente,AI
AI=AVZI/RL=137.8(Zi)/2K
Ig=ib+(VL+Vg)/(12K//220K)=Vg/1K+Vg(Av+1)/(12K//220K)
Zi=Vg/Ig=0.076K
AI=5.22
148
ElectrnicaAnalgicaI
c) Laimpedanciadeentrada,Zi
Ig=ib+(VL+Vg)/(12K//220K)=Vg/1K+Vg(Av+1)/(12K//220K)
Zi=Vg/Ig=0.076K
Zi=76
d) Laimpedanciadesalida,Zo
ModeloparahallarZo.
150 ib
ib
1K
12K
220K
I
+
V
2K
Vemosque: Ib=0
hfeib=0
Luego:
Zo=2K//12K//220K=1.70K
Zo=1.70K
Amplificadorenbasecomn:
Esta configuracin se caracteriza por amplificar tensin, pero no corriente. En
frecuenciasmediaseldesfasajeenlasalidarespectoalaentradaes0.
Enelsiguienteesquemaseobservaestaconfiguracin:
149
ElectrnicaAnalgicaI
VCC
R1
RC
C2
+
CE
RL
Vg
+
C1
R2
RE
1kHz
R1,R2,RCyREfijanelpuntodeoperacinenlazonaactivadirecta.
Problema5.5:EnelcircuitomostradoconBJT,calcule:
a) Lagananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vi)
b) Lagananciadecorrienteparapequeaseal.(AI=IL/Ig)
c) Laimpedanciadeentrada,(Zi=Vi/Ii).
d) Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVg=0)
2N2222
2N3904
1K
E
100uF
+
Vg
1K
5.6K
+
Vin
-
RL
10K
15K
-
10uF
91K
10uF
+
VL
-
12V
-
150
ElectrnicaAnalgicaI
Solucin:
a) Gananciadetensin,AV=VL/Vi
Modeloparaseal:
ig
+
Vg
-
ig
1K
ie
1K
+
Vi
-
1K
10K
5.6K
+
Vg
-
+
VL
-
hfb ib
1K
10K
hib
5.6K
+
VL
-
Delosdatosdelahojatcnicadel2N3904tenemos:
hfe=120,hoe=9uS,hre=1.3x104,hie=3.5K
Delatabladeconversindeparmetros:
hib=hie/He,hrb=(Dhehre)/He,hfb=(hfe+Dhe)/He,hob=hoe/He
Donde:
He=1+hfehre+Dhe
Efectuando:
Dhe=hiehoehrehfe
Dhe=31.5x10315.6x103=15.9x103
He=1+1201.3x104+15.9x103=121
Luego:hib=hie/He=29
hrb=(Dhehre)/He=1.58x104
hfb=(hfe+Dhe)/He=0.99
hob=hoe/He=0.074uS
Despreciamoslosparmetroshrbyhobporserpequeos.
Entonces: VL=hfb(5.6K//10K)ie=3.55Kie
Adems: ie=Vi/(hib)=Vi/29
Reemplazando: VL=3.55K(Vi/29)=122.4Vi
AV=122.4
Dedonde:
b) Gananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
Delgrfico:
iL=hfbie(5.6K)/(5.6K+10K)=0.355ie
Adems: ie=ig(1K)/(1K+hib)=0.97ig
Reemplazando: iL=(0.355)(0.97ig)=0.345ig
Dedonde:
AI=0.345
151
ElectrnicaAnalgicaI
c) Impedanciadeentrada,(Zi=Vi/Ig).
Delgrfico:
Zi=1K//hib=28.2
Zi=28.2
d) Impedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVi=0)
ig
I
ie
1K
1K
hfb ib
hib
5.6K
hfbie=0
Zo=5.6K
+
V
-
Delgrfico:
ie=0
Luego:
CaractersticasdelasconfiguracionesdelBJT:
Configuracin Desfasaje
Av
Ai
Zi
Zo
BaseComn
0
Alta
Cerca1
Baja
Alta
EmisorComn
180
Alta
Alta
Mediana
Alta
Colector
0
Cerca1
Alta
Alta
Baja
Comn
EmpleodelFETcomoresistorcontroladoporvoltaje.
Esta es una aplicacin del Fet que permite su uso en controles automticos de
gananciayeninterruptoresanalgicos.
PROBLEMA 5.6. Un MOSFET puede ser usado como resistencia variable con la
tensin para valores pequeos de VDS. Suponga: VT = 1V, tox = 500, ox =
3.5x1013 F/cm, n = 1500 cm2/Vs. Qu valor de W/L dar un transistor NMOS
cuyaresistenciadecanalcambiade1K200para:3VVGS11V.
Solucin:
Enlazonahmicasecumple:
152
ElectrnicaAnalgicaI
Rds=VDS/ID=1/[2K(VGSVTH)]
K=(W/L)(ox/tox)(n/2)
Para: Rds=1K=1/[(W/L)(3.5x1013/500x108)(1500)(31)]
Despejando: W/L=100/21=4.762
VerificandoparaRds=200
200=1/[(W/L)(3.5x1013/500x108)(1500)(111)]
Despejando: W/L=100/21=4.762
ConlocualseverificaquelarelacinW/Lhalladasatisfacelascondicionesdadas
Amplificadorenfuentecomn:
Estaconfiguracinsecaracterizaporamplificartensinycorriente.Enfrecuencias
mediaseldesfasajeenlasalidarespectoalaentradaes180.
Enelsiguienteesquemaseobservaestaconfiguracin:
VDD
RD
iL
ig
C
+
Vg
RL
Rg
Rs
+
VL
-
153
ElectrnicaAnalgicaI
Problema5.7:EnelcircuitomostradoconFET,calcule:
a) Lagananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vg)
b) Lagananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
c) Laimpedanciadeentrada,(Zi=Vg/Ig).
d) Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVi=0)
24 V
8K
iL
ig
C
C
10K
+
Vg
500K
1K
+
VL
-
Transistor:Silicio,gm=5mS,rds=10K
Solucin:
a) Gananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vg)
Modeloparaseal:UsamoselmodeloNorton.
iL
ig
ig
+
Vg
500K
-
8K 10K
+
VL
-
iL
+
Vg
500K
-
+
Vgs
-
gm Vgs
10K
Delcircuitodeentrada: Vgs=Vg
Delcircuitodesalida:
VL=gmVgs(10K//8K//10K)
Reemplazandoyefectuando:
AV=15.38
b) Lagananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
Delcircuitodeentrada: Vgs=500Kig
Delcircuitodesalida:
iL=gmVgs(10K//8K)/(8K//10K+10K)
Reemplazandoyefectuando:
AI=769.2
154
8K 10K
+
VL
-
c)
d)
ElectrnicaAnalgicaI
Impedanciadeentrada,(Zi=Vg/Ig).
Delcircuitodeentradaobtenemos: Zi=500K
Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVg=0)
Delcircuitodesalidaobtenemos:
Zo=4.44K
Amplificadorendrenadorcomn(oseguidordefuente):
Esta configuracin se caracteriza por amplificar corriente, pero no tensin. En
frecuenciasmediaseldesfasajeenlasalidarespectoalaentradaes0.
Enelsiguienteesquemaseobservaestaconfiguracin:
VDD
ig
iL
C
+
Vg
Rg
Rs
RL
+
VL
-
Problema5.8:EnelcircuitomostradoconFET,calcule:
a)Lagananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vg)
b)Lagananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
c)Laimpedanciadeentrada,(Zi=Vg/Ig).
d)Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVi=0)
24 V
ig
iL
C
+
Vg
500K
2K
2K
+
VL
-
155
ElectrnicaAnalgicaI
Transistor:Silicio,=50,rds=10K
Solucin:
Gananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vg)
a)
Modeloparaseal:UsamoselmodeloThevenin.
ig
10K
ig
G
+
500K
2K
2K
Vg
+
VL
-
iL
+
Vgs
-
iL
Vg
50 Vgs
500K
2K
2K
+
VL
-
Delcircuitodeentrada:
Vgs=VgVs VL=Vs
Delcircuitodesalida: VL=50Vgs(2K//2K)/(2K//2K+10K)=4.545Vgs
Reemplazandoyefectuando:
VL=4.545(VgVL)
AV=0.82
b) Gananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
Delcircuitodeentrada: Ig=Vg/500K iL=VL/2K
Dividiendo:
(Ai=IL/Ig)=(VL/2K)/(Vg/500K)=AV(500K/2K)
Luego:
Ai=(0.82)(500K/2K)=204.92
Ai=204.92
c) Impedanciadeentrada,(Zi=Vg/Ig).
Zi=500K
Delcircuitodeentradaobtenemos:
d) Impedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVg=0)
-
50 Vgs
10K
ig
G
+
Vgs
-
I
S
500K
2K
V
-
156
ElectrnicaAnalgicaI
Delcircuitodeentradaobtenemos: Vgs=V
Delcircuitodesalidaobtenemos:
I=V/2K+(V+50V)/10K
Despejandoyefectuando:
Zo=178.6
Amplificadorencompuertacomn:
Esta configuracin se caracteriza por amplificar tensin, pero no corriente. En
frecuenciasmediaseldesfasajeenlasalidarespectoalaentradaes0.
Enelsiguienteesquemaseobservaestaconfiguracin:
VDD
RD
C2
IL
+
Ce
Ig
RL
VL
+
C1
RG
RS
Vg
-
Problema5.9:EnelcircuitomostradoconFET,calcule:
a)Lagananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vg)
b)Lagananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
c)Laimpedanciadeentrada,(Zi=Vg/Ig).
d)Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVi=0)
24 V
8K
iL
C
500K
ig
10K
+
2K
+
VL
-
Vg
-
Transistor:Silicio,=50,rds=10K
Solucin:
157
ElectrnicaAnalgicaI
a) Gananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vg)
Modeloparaseal:UsamoselmodeloThevenin.
iL
50 Vgs
S
ig
10K
+
500K
iL
ig
2K
Vg
+
VL
-
+
Vg
-
8K
2K
Vgs
+
10K
10K
8K
+
VL
-
Delcircuitodeentrada: Vgs=Vg
Delcircuitodesalida:
VL=(Vgs+50Vgs)(8K//10K)/(10K+8K//10K)
Reemplazandoyefectuando:
VL=(51Vg)(8K//10K)/(10K+8K//10K)=15.7Vg
AV=15.7
b) Gananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
Delcircuitodeentrada: Vgs=Vg
Ig=Vg/2K51Vgs/(10K+8K//10K)
ReemplazandoVgs:
Ig=Vg/2K+51Vg/14.44K=Vg/248.1
Delcircuitodesalidaobtenemos:
iL=(51Vg/14.44K)(8K)/(10K+8K)=(22.67)Vg/14.44K
ReemplazandoVg:
iL=(22.67)(0.2481K)ig/14.44K
Dedonde:
AI=0.39
c) Impedanciadeentrada,(Zi=Vg/Ig).
Delcircuitodeentrada: Ig=Vg/2K51Vgs/(10K+8K//10K)
Vgs=Vg
Reemplazando: Ig=Vg/2K+51Vg/14.44K=Vg/4.03K
Luego:
Zi=4.03K
158
ElectrnicaAnalgicaI
d) Impedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVg=0)
50 Vgs
S
2K
Vgs
+
10K
+
V
8K
G
Delcircuitodeentradaobtenemos: Vgs=0y
50Vgs=0
Delcircuitodesalidaobtenemos:
Zo=8K//10K
Efectuando:
Zo=4.44K
CaractersticasdelasconfiguracionesdelFET:
Configuracin
Desfasaje
Av
Ai
Zi
Zo
Compuerta
0
Alta
Menorque1
Baja
Alta
Comn
FuenteComn
180
Alta
Alta
Alta
Alta
DrenadorComn
0
Menorque1
Alta
Alta
Baja
Amplificadoresencascada.
Cuandolaamplificacindeunasolaetapanoessuficiente,sepuedenconectardos
omsetapas,unadespusdelaotra.
AestadisposicinseleconocecomoAmplificadoresencascada.Laformadeacolo
puedesercualquieradelasqueyahemosvisto.
EnlafigurasiguientesemuestrauncasoconetapasconacoploRC:
159
ElectrnicaAnalgicaI
VDD
RD
Ce
Ig
R3
R1
C2
Q1
R7
R5
C5
C3
Q3
Q2
RL
+
RS
Vg
-
RG
R8
R2
R4
+
VL
-
C4
C1
R6
R9
C6
Problema5.10:Enelsiguienteamplificadorencascada,halle:
a)Av
b)AI
c)AP
d)Zi
e)Zo
+ 9V
2.2K
1.3K
IL
Ig
C2
C1
Q2
Q1
200
1.8K
Vg
-
600
Q1yQ2:
hfe1=hfe2=100, hie1=1K,
Loscondensadoressonmuygrandes.
Solucin:
160
2K
+
VL
-
C3
hie2=2K,hre=0,hoe=0
ElectrnicaAnalgicaI
a)Av=VL/Vg
ModeloenAC:
IL
Ig
Q2
Q1
200
+
Vg
-
600
1.3K
2.2K
1.8K
2K
+
VL
-
Reemplazandolostransistoresporsumodelodecuadripolo:
ib2
Ig
IL
ib1
+
Vg
-
200
600
2.2K
1.8K
1K
100 ib1
2K
100 ib2
1.3K
2K
+
VL
-
Delcircuitodesalida: VL=100ib2(1.3K//2K)
Delcircuitocentral:
ib2=100ib1(2.2K/(2.2K+2K))
Delcircuitodeentrada:
ib1=Ig(0.6K//1.8K)/(0.6K//1.8K+1K))
Ig=Vg/(0.2K+0.6K//1.8K//1K)
Finalmenteobtenemos:
Av=(VL/ib2)(ib2/ib1)(ib1/Ig)(Ig/Vg)
Reemplazando:
Av=[78.79K][52.38][0.273)][1/0.51K]=2209.17
Av=2209.17
b)AI=IL/Ig
Delcircuitodeentrada:
ib1=Ig(0.6K//1.8K)/(0.6K//1.8K+1K))=0.273Ig
Delcircuitocentral:
ib2=100ib1(2.2K/(2.2K+2K))=52.38ib1
Delcircuitodesalida: IL=100ib2(1.3K/(1.3K+2K)=39.4ib2
161
ElectrnicaAnalgicaI
Finalmenteobtenemos:
AI=(IL/ib2)(ib2/ib1)(ib1/Ig)=(39.4)(52.38)(0.273)=563.4
AI=563.4
c) AP=PL/Pg=(VLIL)/(VgIg)=AVAI=(2209.17)(563.4)=1244646.38
AP=1244646.38
d) Zi
Delcircuitodeentrada: Zi=Vg/Ig=0.2K+0.6K//1.8K//1K=510
Zi=510
e) Zo
Zo=1.3K
Delcircuitodesalida:
AmplficadorDarlington.
Cuando la amplificacin de una sola etapa no es suficiente, se pueden conectar
tambin una configuracin Darlington para aumentar la ganancia y elevar la
impedanciadeentrada.Estosamplificadorestienenelinconvenientedeteneruna
respuestaenfrecuenciamsreducidaypuedenoscilar,porloquedebentomarse
las precauciones adecuadas. En la figura siguiente se muestra uno de estos
circuitosenlaconfiguracindeemisorcomn.
+ VCC
RC
R1
Ig
IL
C2
Q1
+
C1
Q2
Vg
R2
R3
RE
RL
+
VL
-
C3
162
ElectrnicaAnalgicaI
Problema5.11:EnelsiguienteamplificadorDarlington,halle:
a)Av
b)AI
c)Zi
d)Zo
Q1:hie1=3K,1=hfe1=50,hre1=0,hoe1=0.
Q2:hie2=1K,2=hfe2=100,hre2=0,hoe2=0.
+ 30V
10K
282K
Ig
IL
C2
Q1
+
C1
Q2
Vg
18K
10K
0.3K
10K
+
VL
-
C3
Solucin:
a)
Av:
Modeloparaseal:
Ig
IL
Q1
+
Vg
-
Q2
282K
10K
10K
18K
+
VL
-
10K
163
ElectrnicaAnalgicaI
Reemplazandocadatransistorporsucuadripolo:
ib1
50 ib1
Ig
Vg
-
IL
3K
+
282K
ib2
18K
10K
100 ib2
1K
Enelcircuitodesalida:
VL=(50ib1+100ib2)5K
ib2=(51ib1)(10K)/(10K+1K)=(510/11)ib1
Reemplazando:
VL=50(1+1020/11)(ib1)5K
Enelcircuitodeentrada:
Vg=3Kib1+51ib1(10K//1K)=[3K+51(10K//1K)]ib1
Deestasdosecuacionesobtenemoslagananciadetensin:
Av=[50(5)(1+1020/11)]/[3+51(10//1)]=474.7
Av=474.7
b)
c)
AI:
Enelcircuitodesalida:
IL=(50ib1+100ib2)(10K/(10K+10K))=25(ib1+2ib2)
ib2=(51ib1)(10K)/(10K+1K)=(510/11)ib1
Reemplazando:
IL=25(1+1020/11)(ib1)
Enelcircuitodeentrada:
Ib1=Ig(18K//282K)/[18K//282K+3K+51(10K//1K)]
Ib1=0.2553Ig
Deestasdosecuacionesobtenemoslagananciadecorriente:
AI=25(1+1020/11)(0.2553)=598.2
AI=598.2
Zi:
Enelcircuitodeentrada:
Vg=3Kib1+51ib1(10K//1K)=49.364Kib1
164
10K
10K
+
VL
-
d)
ElectrnicaAnalgicaI
Ig=Vg/18K+Vg/282K+ib1
Reemplazandoib1:
Ig=Vg(1/18K+1/282K+1/49.364K)
Zi=18K//282K//49.364K=12.6K
Zi=12.6K
Zo:
ModeloparahallarZo:
ib1
50 ib1
I
3K
282K
ib2
18K
10K
100 ib2
1K
V
10K
Aplicandoreflexindeimpedancias:
ib1
I
3K
ib2/51
282K
50 ib1
18K
(51)10K
(51)1K
100 ib2
10K
Observamos: ib1=ib2=0
Entonces:
Zo=10K
Amplificadorcascode.
Estetipodeamplificadoresmuyusada,inclusoencircuitosintegrados.
Estbasadoenlaconexindetransistoresenserie.
165
ElectrnicaAnalgicaI
VDD
RL
+
VL
-
Q2
+
VGG2
-
Q1
+
Vg
+
VGG1
-
Problema5.12:EnelsiguienteamplificadorCascode:
Q1=Q2:hfe=150,hie=3.5K,hre=0,hoe=0.Halle:
12V
12K
100uF
3K
100uF
Q1
8K
100uF
Vg
a)Av
Q2
10K
VL
-
2.4K
1K
100uF
b)AI
c)Zi
d)Zo
166
ElectrnicaAnalgicaI
Solucin:
a) Av:
Modeloparaseal:
Ig
ib
ie
IL
+
Vg
b)
c)
d)
8K
2.4K
3.5K
150 ib
hib
- 0.99 ie
3K
10K
VL
-
Enelcircuitodesalida: VL=0.99ie(3K//10K)
Enelcircuitocentral: ie=150ib
Enelcircuitodeentrada:
Vg=3.5Kib
Deestastresecuaciones:
Av=[0.99(3K//10K)][150][1/3.5K]
Av=97.9
AI:
Enelcircuitodesalida: IL=0.99ie(3K)/(3K+10K)
Enelcircuitocentral: ie=150ib
Enelcircuitodeentrada:
ib=Ig(8K//2.4K)/[3.5K+8K//2.4K]
Deestastresecuaciones:
AI
=
[0.99
(3)
/
13][
150][(8K//2.4K)/[3.5K+8K//2.4K]]
AI=11.83
Zi:
Enelcircuitodeentrada:
Zi=8K//2.4K//3.5K=1.21K
Zi=1.21K
Zo:
ModeloparahallarZo:
167
ElectrnicaAnalgicaI
Ig
ib
ie
I
+
8K
2.4K
3.5K
150 ib
hib
- 0.99 ie
3K
V
-
Podemosobservar:
Ig=0,ib=0,150ib=0,ie=0,0.99ie=0
Entonces:
Zo=3K
Amplficadorbootstrap:
Esteamplificadoractaenformasimilaralseguidoremisivo,conladiferenciaque
evita reducir la impedancia de entrada debido a la red de polarizacin. Puede
lograrseconl,unaimpedanciadeentradamuyelevada
+ VCC
R1
Ig
C1
R3
+
Vg
R2
C2
RE
+
VL
-
168
ElectrnicaAnalgicaI
Problema5.13:EnelsiguienteamplificadorBootstrap,halle:
a)Av b)Zi
Transistor:hie=2K,hfe=100,hre=0,hoe=0.
+ 12V
4K
Ig
C1
10K
+
Vg
4K
C2
2K
+
VL
-
Solucin:
a) Av:
Modeloparaseal:
4K
Ig
Ig
ib
10K
10K
+
Vg
2K
4K
2K
+
VL
-
100 ib
Vg
2K
2K
+
VL
-
Enelnudodesalidaaplicamoslaleydecorrientes:
VL/2K+VL/2K=101ib+(VgVL)/10K
169
ElectrnicaAnalgicaI
Adems:ib=(VgVL)/2K
Reemplazando: VL/2K+VL/2K=101(VgVL)/2K+(VgVL)/10K
Separandotrminos:
VL[1/2K+1/2K+101/2K+1/10K]=Vg[101/2K+1/10K]
Deestaecuacinhallamoslagananciadetensin:
Av=0.98
b) Zi:
Enelcircuitodeentrada:
Ig=(VgVL)/10K+ib=(VgVL)/10K+(VgVL)/2K
Ig=(VgVL)[1/10K+1/2K]=Vg(1Av)[1/10K+1/2K]
DespejandoZi=Vg/Ig:
Zi=83.33K
Amplificadordiferencial.
Uno de los amplificadores ms importantes en Electrnica es el amplificador
diferencial.
EspartefundamentaldelAmplificadorOperacional.
Acontinuacinsemuestraunesquemabsicoempleandotransistoresbipolares:
170
ElectrnicaAnalgicaI
VCC
Rc
Vs1
Rc
Vs2
C
Q1.
V1
Q2
Rb
Io
Rb
V2
Ioesunafuentedecorrienteconstantequedebeofrecerunaaltaimpedanciaala
seal.
Salidabalanceadaysalidadesbalanceada.
Si la salida se toma en Vs1 Vs2 respecto a tierra, se dice que la salida es
desbalanceada.
SilasalidasetomaentreVs1yVs2,sedicequelasalidaesbalanceada.
V1yV2sonlassealesdeentrada.
Lasalidadebeserproporcionalaladiferenciadelassealesdeentrada,esdecir:
Vs=Ad(V1V2)
Adeslagananciaenmododiferencial
La ecuacin anterior corresponde a la respuesta ideal del A.D., sin embargo, los
A.D.realespresentanunasalidadadaporlaecuacinsiguiente:
Vs=Ad(V1V2)+Ac(V1+V2)/2
Mododiferencialymodocomn.AdeslagananciaenmododiferencialYAcesla
gananciaenmodocomn.
171
ElectrnicaAnalgicaI
GeneralmentesebuscaqueAcsealomspequeaposible.Idealmentedeberaser
cero.
Sedefine:
Mododiferencial=Vd=V1V2
Modocomn=Vc=(V1+V2)/2
Debeindicarsequeelmodocomnnoestformadosolamenteporelpromediode
las seales de entrada, sino tambin por cualquier seal no deseada (ruido,
interferencia, etc.) acoplada a ambas entradas a la vez. Si ello sucede, el
amplificadortenderaeliminarlasdesusalida.
Porloanterior,podemosdecirqueestetipodeamplificadortiendeaeliminarlas
sealesnodeseadasquesepresentenensusentradas.
Paraefectuarelanlisisdelcircuitoseexpresanlassealesdeentradamedianteel
modocomnyelmododiferencial.
V1=Vc+Vd/2
V2=VcVd/2
Cuandoseanalizaconpequeasealpodemosutilizarlosmodelosdecuadripolo
linealdeltransistor.
Cuando se analiza con gran seal, debemos utilizar la caracterstica no lineal del
transistor(porejemplo,lasecuacionesdeEbersMoll).
FactordeRechazoalModoComn(CMRR):
EsteesunparmetromuytilparasaberlacalidaddelA.D.Seledefinecomo:
CMRR=|Ad|/|Ac|
Tambinseacostumbraexpresarloendecibeles:
CMRRdb=20log(|Ad|/|Ac|)
IdealmenteelCMRResinfinito.
EnunA.D.realconvienequesealomsaltoposible.
172
ElectrnicaAnalgicaI
Problema5.14:Enelcircuitomostrado,determine:
a)Lospuntosdeoperacin.
b)Lagananciaenmododiferencial.
c)Lagananciaenmodocomn.
d)ElCMRR.
+ 15V
2K
Q1
4K
Q2
C
C
V1
12K
V2
50K
4mA
+
VL
-
50K
Q1=Q2:=100,hie=1K,hfe=150,hre=0,hoe=0,VBE=0.7V,Z=2M
SOLUCION:
a) Lospuntosdeoperacin.
Comolostransistoressonigualesysusredesdepolarizacintambin,elA.D.
estbalanceadoysecumple: IEQ1=IEQ2=2mA
Comoesgrandesecumple:ICQ1=ICQ2=2mA
ElvoltajeDCenlosemisoreses:
VE=0.750K(2mA/100)=1.7V
Acontinuacin:
VCE1=15(2mA)(2K)VE=15(2mA)(2K)(1.7)=12.7V
VCE2=15(2mA)(4K)VE=15(2mA)(4K)(1.7)=8.7V
VCE1=12.7V
VCE2=8.7V
b) Lagananciaenmododiferencial.
Modeloequivalenteparaseal:
173
ElectrnicaAnalgicaI
ib1
ib2
1K
1K
V1
50K
c)
d)
V2
302M
50K
150 ib2
12K
4K
+
VL
-
RepresentamosV1yV2enfuncindelmododiferencialyelmodocomn:
V1=Vc+Vd/2
V2=VcVd/2
Mododiferencial:Hacemos
Vc=0
Entonces:
Enlaentradayaplicandosimetra:
Ib2=Vd/2K
Enlasalida:
VL=150ib2(4K//12K)
Reemplazandoib2:
VL=150(Vd/2K)(4K//12K)
Finalmente:
Avd=VL/Vd=150(1/2K)(4K//12K)=150(1/2K)(3K)
Avd=225
Lagananciaenmodocomn.
Modocomn:Hacemos
Vd=0
Entonces:
Enlaentradayaplicandosimetra:
Ib2=Vc/(1K+604M)
Enlasalida:
VL=150ib2(4K//12K)
Reemplazandoib2: VL=150Vc/(1K+604M)(4K//12K)
Finalmente:
Avc=VL/Vc=150(1/(1K+604000K))(4K//12K)=150(1/604001K)(3K)
Avc=0.0007
ElCMRR.
CMRR=Ad/Ac=225/0.0007=321428.6
Endb:
CMRRdb=20log[321428.6]=110.1db
174
ElectrnicaAnalgicaI
Amplificadoroperacional(OPAMP).
La designacin OPAMP originalmente fue adoptada para una serie de
amplificadores de gran rendimiento usados en computadoras analgicas. Estos
amplificadoresfuerondiseadospararealizaroperacionesmatemticasaplicables
acomputacinanalgica(sumatoria,escalamiento,sustraccin,integracin,etc.)
SIMBOLODEUNOPAMP
Elsmboloaceptadoparaunopampesuntringuloylasalida,Vo,estrelacionada
conlasentradasV+yVcomosemuestraenlafigurasiguiente
Vo
+ SATURACION
V+
V-
Voffset
Vo
V+ - V-
- SATURACION
+
V seaplicaalaentradanoinversorayValaentradainversora.
EJEMPLODELOPAMPLM741
Fuentes de corriente
de polarizacin
Entrada inversora
Salida
+
Entrada no inversora
A = 200
A = 1000
175
A = 1
ElectrnicaAnalgicaI
Amplificadorinversor:
Enestecasolasealdeentradaseaplicaporlaentradainversora.
If
R2
R1
VAv
ideal
+
I1
Ve
V+
+
Vs
R3
-
If=(VVs)/R2
Tenemos:
I1=(VeV)/R1
Adems:
Vs=Av(V+V)
Comonohaysealaplicadaalaentradanoinversoraylaimpedanciadeentrada
deloperacionalesmuyalta: V+=0
Entonces:
Vs=AvV
Dedonde: V=Vs/Av
Comolagananciadeunamplificadoroperaconalidealesmuyalta:Av
Sededuce: V0
Ylaentradainversorasecomportaenestecasocomotierravirtual.
Acontinuacinpodemosobtenerlagananciaconrealimentacin:
Entonces:
(Ve)/R1=(Vs)/R2
Finalmente:
Avf=R2/R1
176
ElectrnicaAnalgicaI
Adicionalmentepodemosobtenerlaimpedanciadeentradadelcircuito:
Zinf=Ve/I1=R1
NOTA:ElresultadoanteriorpuedesergeneralizadositomamosencuentaqueR1y
R2puedenserreemplazadasporcualquierimpedancia(Z1yZ2respectivamente):
Avf=Z2/Z1
Zinf=Z1
Problema5.15:Enelsiguientecircuito,halle:
a)ElvoltajeV.
b)Elvoltajedesalida.
4K
6K
8K
2K
1V
+
VL
-
SOLUCION:
a) ElvoltajeV.
Comoestrealimentadonegativamente,elamplificadoractalinealmente
Ysecumple:V+=V
Lacorrientequeentregaelgeneradores:
I=Vg/2K=0.5mA
Estacorrientecirculaporlaresistenciade4Kysecumple:
V=4KI=4K(0.5mA)=2V
V=2V
b) Elvoltajedesalida.
AplicandolaleydecorrientesenelnudoV:
0.5mA=V/6K+(VVL)/8K
177
ElectrnicaAnalgicaI
ReemplazandoVydespejandoVL:
12V=4(2V)+3(2VL)
VL=(26/3)V=8.67V
Amplificadornoinversor:
Enestecasolasealdeentradaseaplicaporlaentradanoinversora.
R2
If
R1
V-
Av
ideal
I1
V+
+
Vs
R3
-
Ve
-
Tenemos:
Adems:
Dedonde:
Perocomolagananciadeunamplificadoroperaconalidealesmuyalta:
Av
Sededuce:
V+V0
Ysecumple:
V+=V
Laentradadiferencialsecomportaenestecasocomocortocircuitovirtual.
Acontinuacinpodemosobtenerlagananciaconrealimentacin:
I1=If
Entonces:
(Ve)/R1=(VsVe)/R2
Avf=1+R2/R1
Finalmente:
Adicionalmentepodemosobtenerlaimpedanciadeentradadelcircuito:
Zinf=R3
178
ElectrnicaAnalgicaI
Problema5.16:EnelcircuitoconOPAMPmostrado,halleelvoltajedesalida,VL,si;
V1=0.2V,V2=0.1VyV3=0.15V.AsumaqueelOPAMPesideal.
3K
6K
-
V1
1K
V2
1K
100
+
VL
-
V3
1K
SOLUCION:
Latensindeentradaingresaporeltertminalnoinversoryladenominamos:V+
HallamosV+enfuncindelastensionesdeentrada,aplivcandosuperposicin:
V+=[V1(1K//1K//0.1K)+V2(1K//1K//0.1K)+V3(1K//1K//0.1K)]/(1K+1K//1K//0.1K)
V+=[V1+V2+V3]]1K//1K//0.1K]/(1K+1K//1K//0.1K)
Reemplazandovalores:
V+=[0.2+0.10.15][1K//1K//0.1K]/(1K+1K//1K//0.1K)
V+=[0.15][83.3]/(1083.3)=11.5mV
VL=(1+6K/3K)V+=3V+=34.6mV
VL=34.6mV
Anlisiscongransealconlaecuacindetransferenciadeltransistor.
CuandoelBJTestenlazonaactiva,sucorrientedecolectorpuedeexpresarsecon
laecuacin:
I C (t ) = I ES
VBE
VT
Sienlaentradadeltransistoraplicamoslatensin:
179
ElectrnicaAnalgicaI
I C (t ) = I ES
VBEQ
Vbe
VT
Vbe = Vm cos(wo t )
Si:
y x =
Vm
VT
Desarrollandolaexponencial,conseal,enseriedeFourier:
Vbe
VT
Vm cos ( wo t )
VT
Estasfuncionespuedenhallarse,paracadavalorden,resolviendolaintegral:
1
I n (x ) =
z cos ( ) cos(n )d
ReemplazandoenIc(t):
VBEQ
I c (t ) = I ES VT I 0 ( x ) + 2 I n ( x ) cos(nwo t )
VBEQ
Secumple:
I CQ = I ES VT
Reemplazando:
I c (t ) = I CQ I 0 ( x ) + 2 I n ( x ) cos(nwo t )
1
FactorizandoIo(x):
I (x )
I c (t ) = I CQ I 0 (x )1 + 2 n cos(nwo t )
1 I 0 (x )
Llamando: I DC = I CQ I 0 ( x )
180
ElectrnicaAnalgicaI
ICQ=Corrientedebias(polarizacin)deltransistor.
Desarrollandoic(t):
I (x )
I (x )
I (x )
I C (t ) = I DC + 2 I DC 1 cos(wo t ) + 2 I DC 2 cos(2 wo t ) + 2 I DC 3 cos(3wo t ) + K
I 0 (x )
I 0 (x )
I 0 (x )
Silaentradaesunasealsinusoidal,debidoalasarmnicas,lasealdesalidano
sersinusoidalytendrdistorsin
Acontinuacinsemuestrantablasconvaloresdelasfuncionesdebessel:
x
Io(x)
I1(x)
I2(x)
I3(x)
0.0
1.0000
0.00000
0.00000
0.00000
0.5
1.0635
0.25789
0.03191
0.00265
1.0
1.2661
0.56516
0.13575
0.02217
1.5
1.6467
0.98167
0.33783
0.08077
2.0
2.2796
1.59060
0.68895
0.21274
2.5
3.2898
2.51670
1.27650
0.47437
3.0
4.8808
3.9534
2.2452
0.95975
3.5
7.3782
6.2058
3.8320
1.82640
4.0
11.3020
9.7595
6.4222
3.33730
4.5
17.4810
15.3890
10.6420
5.93010
5.0
27.2400
24.3360
17.5060
10.33100
5.5
42.695
38.588
28.663
17.743
6.0
67.234
61.342
46.787
30.150
6.5
106.290
97.735
76.220
50.830
7.0
168.590
156.040
124.010
85.175
7.5
268.16
249.580
201.610
142.060
8.0
427.56
399.87
327.59
236.07
8.5
683.16
641.62
532.19
391.17
9.0
1093.6
1030.9
864.49
646.69
9.5
1753.5
1658.4
1404.30
1067.20
10.0
2815.7
2671.0
2281.50
1758.40
181
ElectrnicaAnalgicaI
Silacarga(RL)estenelcolector,latensindesalidaser:
VL (t ) = I c (t )RL = I DC RL + 2 I DC RL
I (x )
I (x )
I1 (x )
cos(wo t ) + 2 I DC 2 cos(2wo t ) + 2 I DC 2 cos(3wo (t )) + K
I 0 (x )
I 0 (x )
I 0 (x )
Laarmnicafundamentalser:
V L1 (t ) = I c1 (t )R L = 2 I DC R L
I 1 (x )
cos(wo t )
I 0 (x )
Definimoslatransconductanciaparagransealcomo:
I c1 pico
2 I (x )
Gm (x ) =
= I DC 1
Vm
Vm I 0 ( x )
DividiendonumeradorydenominadorporVTobtenemos:
Gm (x ) 2 I1 (x )
=
gm
xI 0 ( x )
TablaconvaloresdeGm(x)/gm:
Gm (x )
Gm (x )
x
x
gm
gm
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0000
0.9987
0.9950
0.9888
0.9804
0.9699
0.9574
0.9432
0.9275
0.9106
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
0.8926
0.8738
0.8544
0.8347
0.8147
0.7946
0.7747
0.7549
0.7354
0.7163
Gm (x )
gm
Gm (x )
gm
Gm (x )
gm
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
0.6976
0.6794
0.6617
0.6445
0.6279
0.6118
0.5963
0.5814
0.5670
0.5532
3.0
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
3.9
0.5399
0.5270
0.5147
0.5029
0.4915
0.4805
0.4700
0.4598
0.4501
0.4407
4.0
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.6
4.7
4.8
4.9
0.4317
0.4230
0.4146
0.4065
0.3987
0.3912
0.3839
0.3769
0.3702
0.3636
182
Gm (x )
gm
Gm (x )
gm
Gm ( x )
gm
ElectrnicaAnalgicaI
Gm ( x )
gm
Gm (x )
gm
SOLUCION:
La distorsin de segundo armnico se define como el valor eficaz del segundo
armnicodivididoporelvaloreficazdelaarmnicafundamental.Estadivisinse
expresaenporcentaje:
D2=[2IDC[I2(x)/Io(x)]/2]/2IDC[I1(x)/Io(x)]/2]=[I2(x)]/[I1(x)]
Reemplazandovaloresyefectuandoparax=26mV/26mV=1:
D2=I2(1)/I1(1)=0.13575/0.56516=0.24=24%
D2=24%
Estosignificaquelaamplituddelasegundaarmnicaesel24%delaamplituddela
fundamental
TeoremadeMiller.
Este teorema es til para simplificar circuitos y en clculos de respuesta en alta
frecuencia.
SeaelcasodeunaimpedanciaZcolocadaentrelosnudosAyBdeunared:
LacorrientequesaledelnudoAhaciaBes:
IA=(VAVB)/Z=VA(1K)/Z
183
ElectrnicaAnalgicaI
Donde:K=VB/VA
Esdecir,quesiconocemoselvalordeKpodemosponerunaimpedanciaentreel
nudoAytierraconvalor:ZA=Z/(1K)ylacorrientequesalgadelnudoAserla
mismaIA.
Enformasimilar,lacorrientequesaledelnudoBhaciaAes:
IB=(VBVA)/Z=VB(11/K)/Z
Donde:K=VB/VA
Esdecir,quesiconocemoselvalordeKpodemosponerunaimpedanciaentreel
nudoBytierraconvalor:ZB=ZK/(K1)ylacorrientequesalgadelnudoBserla
mismaIB.
B
A
B
A
RED
(1-K)
(K-1)
ParapoderusarelTeoremadeMillerdebemosconocerpreviamentelarelacinde
tensiones entre los nudos B y A. Este teorema es til para determinar el polo
dominanteencircuitosconrealimentacincapacitiva.
Problema5.18:Enelcircuitomostrado,halleelcircuitoequivalenteMiller
1pF
0.5K
+
Vg
2K
+ ib
Vb
-
150 ib
40K
4K
+
VL
184
ElectrnicaAnalgicaI
SOLUCION:
Sisecumplequela reactancia de1pFes mucho mayor que: 40K//4K,podemos
hallarfcilmenteK: K=VL/Vb
VL=150ib(40K//4K)
ib=Vb/2K
Luego: VL=150(Vb/2K)(40K//4K)=75Vb(40//4)
Finalmente: K=VL/Vb=272.7
Entonces:
ZA=Z/(1K)=1/jwC(273.7)=1/jw(273.7pF)
ZB=ZK/(K1)=1/jw(1pF)
ModeloequivalentedeMiller:
0.5K
+
Vg
+
Vb
-
2K
ib
150 ib
273.7pF
1pF
40K
4K
+
VL
-
Teoremadesustitucin.
Este teorema es muy til para hacer modelos simplificados de los circuitos
electrnicos.Esteteoremaestablecelosiguiente:
Unacorrienteconocidaenuncircuitopuedeserreemplazadaporunafuentede
corrienteideal.
Problema5.19:Enelcircuitomostrado:
a) Calculelastensionesycorrientesencadacomponente
b) ReemplacelaresistenciaR3porunafuentedetensinidealconlatensinV3y
calculelastensionesycorrientesencadacomponente
c) ReemplacelaresistenciaR3porunafuentedecorrienteidealconlacorriente
I3ycalculelastensionesycorrientesencadacomponente
185
ElectrnicaAnalgicaI
I1
12V
R1 = 2K
+ V1 - +
V2 R2 = 6K
I2
+
V3
-
R3 = 3K
I3
a) Tensionesycorrientesencadacomponente
HallamosI1:
I1=12V/(2K+6K//3K)=3mA
Luego:
V1=(3mA)(2K)=6V
Entonces: V2=V3=12V6V=6V
Finalmente:
I2=V2/6K=1mA
I3=V3/3K=2mA
b) ReemplacelaresistenciaR3porunafuentedetensinidealconlatensinV3y
calculelastensionesycorrientesencadacomponente
I1
12V
R1 = 2K
+ V1 - +
V2 R2 = 6K
I2
+
V3=6V
I3
HallamosI1:
I1=(12V6V)/2K=3mA
Delcircuito:
V2=V3=6V
Finalmente:
I2=V2/6K=1mA
I3=I1I2=2mA
Vemos que ninguna tensin ni corriente ha variado al sustituir V3 por una
fuentedetensinideal.
186
c)
ElectrnicaAnalgicaI
I1
12V
R1 = 2K
+ V1 - +
+
R2
=
6K
V2
V3
I2
I3=2mA
I3
Empleandoelmtododenodos:
(12V2)2K=V2/6K+2mA
Resolviendo:
V2=6V=V3
Luego:V1=12V6V=6V
Finalmente: I1=6V/2K=3mA
I2=6V/6K=1mA
I3=2mA
Vemos que ninguna tensin ni corriente ha variado al sustituir I3 por una
fuentedecorrienteideal.
187
ElectrnicaAnalgicaI
UNIDADTEMTICA
No.6
REGULADORES
REFERENCIASDEVOLTAJE:Hay2tiposdereferenciadevoltajecomnmenteusada
enlosreguladores.
Uncircuitobsicosemuestraacontinuacin:
I
+ Vref
I2
R3
I1
+
R2 V2
Q3
Q2
+
VBE
-
Q1
R1
Sedemuestraque:
+
V1
-
V1=VBE=VTln(I1/I2)
189
ElectrnicaAnalgicaI
2)
Adems:
V2=(R2/R1)VBE
Luego:
Vref=VBE3+(R2/R1)VBE
Ventajas:
Bajoruido
Mejorestabilidadalargoplazo.
Desventajas:
Dificultadparacontrolarlatoleranciainicialdevoltajedebidoaqueelvoltaje
baseemisorvaraconelanchodelabase.
Mayorderivatrmica
Losefectosdelosgradientestrmicossonmsseveros.
La referencia con diodo zener: Este mtodo consiste en un diodo zener
trabajandoensuzonaderuptura.Esusadoenlosreguladoresintegradosde
bajacorriente(0.1A0.25A).
Ventajas:
Pocoscomponentes.
Buencontroldevoltajeinicial.
Desventajas:
Malaestabilidadalargoplazo.
Altoruido.
Puede ser mejorado si se hace un implante inico de una regin altamente
contaminadapordebajodelasuperficie.
REGULADORESDETENSIN.
Soncircuitosqueseconectanentrelafuenteprimariaylacarga.Debeadaptarsea
lascaractersticasdelafuenteprimariayalacarga.
190
ElectrnicaAnalgicaI
TIPOSDEREGULADORESDETENSIN:
Podemosclasificarlos,porsuformadeoperacin,en:
1.
Reguladoreslineales.
Reguladoresnolinealesodeconmutacin.
2.
REGULADORESLINEALES:
Operansiempreconunniveldetensindeentradasuperioraldesalida.Equivalen
a una resistencia cuyo valor se ajusta automticamente para que la salida se
mantengaconstante.
Disipanenergaynotienenmuybuenaeficiencia.
ProducenmenosruidoenlacargayenlaredAC.
Asuvez,sepuedenclasificarcomo:
1.
Reguladorparalelo:Cuandoeldispositivoderegulacinestenparalelocon
la carga. Un ejemplo de ello es el regulador con diodo zener. Es el menos
eficienteycomnmentesele emplea paracorrientes bajas ocomocircuito
dereferenciadetensin.
R
Reg.
RL
VCC
Problema6.1:Enelcircuitomostradosetiene:
20mAILDC200mAy20VVCC30V
Halle:
191
ElectrnicaAnalgicaI
a)
ElvalormsadecuadoylapotenciamximadeR.
ILDC
15V
VCC
Izk = 5mA
Lapotenciamximaquedisiparelzener.
+
RL VDC
-
b)
Solucin:
a)
ValormsadecuadoylapotenciamximadeR:
R=(VCC15)/(5+ILDC)
R=(2015)/(5+200)=24.39
R=24.39
Lapotenciaser,mximaenRcuandoVCCseamxima:
Pmx=9.23W
Pmx=(3015)2/(24.39)=9.23W
b)
Potenciamximaquedisiparelzener:
El zener disipar mxima potencia cuando la tensin de entrada sea
mximaylacorrienteenlacarga,mnima:.
Pzmx=(15V)[(15/24.39)20mA]=8.93W
Pzmx=8.93W
192
ElectrnicaAnalgicaI
Reg.
RL
VCC
Tiposdereguladoresserie:
Hay diversos tipos de reguladores serie y que pueden tener protecciones
paraevitarexcesodecorrientey/otensinenlacargaodedisipacinde
potencia de los dispositivos de regulacin. Un diagramas de bloque tpico
eselsiguiente:
Dispositivo
Regulador
Idc
I
RL
Comparador
FUENTE NO REGULADA
Referencia
de Voltaje
Salida
EJEMPLOSDEREGULADORESLINEALES:
Acontinuacinsonmostradosalgunosejemplosdereguladoresdiscretos.
Fuentereguladaconproteccincontracortocircuito:
Este regulador incluye proteccin contra cortocircuito. Q2 hace el papel de
comparador. Vz produce la tensin de referencia. El potencimetro sirve para
ajustarelvoltajedesalida.R1sirveparadarelarranqueinicialalafuente.
193
ElectrnicaAnalgicaI
R1
Q1
R3
VZ
POT
RL
Q2
FUENTE NO REGULADA
Salida
R2
R4
FuentereguladaconBJT:
En este regulador la fuente de corriente es representada por Q1. Q2 es el
dispositivoregulador.Obsrvesequeestenlaconfiguracindeseguidoremisivo
para reducir la impedancia de salida. Vz1 produce la tensin de referencia. El
potencimetrosirveparaajustarelvoltajedesalida.
Q2
R2
R3
R4
VZ1
Q1
VCC
RL
POT.
Q3
R1
R5
VZ2
SALIDA
REGULADORESNOLINEALESODECONMUTACIN(SWITCHING).
Sufuncionamientoescompletamentediferentealreguladorlineal,conelobjetivo
denodesperdiciarenergaenformadecalor.
Debidoaqueevitaneldesperdiciodeenerga,sueficienciapuedesercercanaala
unidad.
194
ElectrnicaAnalgicaI
Asuvez,sepuedenclasificarcomo:
1.
Reguladorconmutadoafrecuenciadelared:Empleainterruptoresquese
bloquean cuando la tensin de la red AC cambia de polaridad.
ComnmentelosinterruptoressonrealizadosmedianteSCR.Requierenun
circuitodecontrolquedetectelospasosporcerodelatensinAC.
T1
T2
D1
C
RD
RL
220Vac
CONTROL
D1
D1
SALIDA
2.
Q1
D1
VCC
RD
RL
CONTROL
SALIDA
195
ElectrnicaAnalgicaI
Diseodeunreguladordiscreto:
Acontinuacin,semuestraeldiseodeunreguladortpicoenelqueseempleaun
transistorcomocomprador.Ensulugartambinsepuedeemplearunamplificador
diferencialounoperacional.
Problema6.2:Diseeelsiguientereguladordiscretoparaobtenerunatensinde
salidade12Vdcy1A.
Q2
R2
R3
R4
VZ1
Q1
VCC
RL
POT.
Q3
R1
R5
VZ2
SALIDA
Solucin:
ElegimosuntransistorQ2conganancia=50
Paraqueeldiodozener,Z2,estensuzonaderupturalopolarizaremoscon10mA.
Porlareddemuestreodelvoltajedesalida,haremospasarunacorrientemucho
mayorqueladebasedeQ2.Elegimos:IR4=5mA
LacorrientedeemisordeQ2ser: IE2=1A+10mA+5mA=1.015A
LacorrientedebasedeQ2ser:
IB2=1.015A/51=19.9mA
LacorrientedecolectordeQ1debesermayorqueIB2paraqueQ3semantenga
enlazonaactiva.Lafijamosen:
IC1=25mA
Paralograrestabilidadtrmica,elegimosZ1yZ2de6.2V.estonospermitehallar
R2
R2=(6.20.7)/25mA=220
R2=220
Z1=Z2=Zenerde6.2V
196
ElectrnicaAnalgicaI
Luego: R3=(126.2)/10mA=560
R3=560
Adems:
R4+Pot+R5=12V/5mA=2.4K
Tambindebecumplirse:
(5mA)R5<6.2V+0.7V=6.9V
R5<6.9V/5mA=1.38K
R5=1K
Entonces:
R4+Pot=1.4K
Adems:
(5mA)(R5+Pot)>6.9V
(R5+Pot)>1.38K
Pot>380
Pot=500
Finalmente, R4=2.4K1K0.5K=0.9K
R4=910
Para que Q2 siempre est en la zona activa, haremos que el voltaje colector
emisordeQ2noseamenorque12V.EstoaseguraqueQ1tambinestenlazona
activa.
Entonces,latensindeentradadeberser:
VCC=12V+12V=24V
VCC=24V
HaremosquelacorrienteenZ1sea10mA
Deaqu:
R1=(246.2)/10mA=1.78K
R1=1.8K
Acontinuacinsemuestraelcircuitoconsusvalores:
Q2
2N3055
R2
220
Z1
R4
910
6V2
R3
560
Q1
2N2905
+ VCC
24V
Pot
500 86%
Q3
2N2222
R1
1.8k
Z2
6V2
RL
12
R5
1k
197
ElectrnicaAnalgicaI
Tensindesalidaenvaco=12.07V
Tensinaplenacarga=11.84V
Regulacin=1.9%
REGULADORESCONCIRCUITOSINTEGRADOS:
Acontinuacinveremoslosreguladoresmscomunesascomosuscaractersticas
yaplicaciones:
ReguladorparaleloprogramableTL431:
Actaenformasimilaraundiodozener,conladiferenciaquesuvoltajepuedeser
ajustadoenunrangode2.5V36V.Puederecibircorrientesentre1y100mA.Su
resistenciadinmicaesde0.2.
Enlagrficasiguientesemuestransustiposdeencapsuladosyterminales.
Topview=VistasuperiorBottomview=VistainferiorFrontview=Vistafrontal
Cathode=Ctodo
Anode=Anodo REF=Referencia
Diagramadebloquesysmbolo:
CATODO
REF.
CATODO
REF.
2.5 Vref.
ANODO
ANODO
198
ElectrnicaAnalgicaI
CIRCUITOEQUIVALENTEDELTL431:
CATODO
800
800
20pF
REF.
150
3.28K
10K
4K
2.4K
7.2K
20pF
1K
900
ANODO
Caractersticasdeoperacinrecomendadas:
CARACTERISTICA
MINIMO
Voltajedectodo
Vref=2.5V
Corrientedectodo
1mA
199
MAXIMO
36V
100mA
ElectrnicaAnalgicaI
Aplicaciones:
1. Reguladorparalelo:
R
+
R1
Vz = Vref(1+ R1/R2)
VCC
R2
+
Vref
-
LaresistenciaRdefinelamximacorrientedelregulador.
LacorrientequecirculaporR2es: I=Vref/R2
LatensinenR1esprcticamente: V=IR2=Vref(R1/R2)
Finalmente:
Vz=V+Vref=Vref(1+R1/R2)
2.
Reguladorparalelodealtacorriente:
R
R3
VCC
R2
R1
Vz = Vref(1+ R1/R2)
+
Vref
-
LaresistenciaR3definelamximacorrienteporeltransistor.
200
ElectrnicaAnalgicaI
Problema6.3:Enelreguladormostradosequiereobtener:VL=15VIL=0.5A.
a) CalculelosvaloresdeR1yR2.
b) CalculeelvalordeRsiVCC=30V.
c) Qucorrientemanejaeltransistorcuando:IL=0.5A?
d) QuvalordebetenerR3?
R3
R1
Vz = Vref(1+ R1/R2)
RL
VCC
R2
+
Vref
-
TL 431
Datos:
TL431:Vz=2.5(1+R1/R2) corrientemnima:Izmn=2mA
Asuma:IR1=1mA
Transistor:VEB=0.7V,=50Icmn=10mA
SOLUCION:
a) ValoresdeR1yR2.
Elvoltajeenlacargaes15V.Entonces:15=2.5(1+R1/R2)
Dedonde: R1/R2=(15/2.5)1=5
Elegimos: R2=1.5K
luego: R1=7.5K
R2=1.5KR1=7.5K
b) ValordeRsiVCC=30V.
Considerandolamximacorrienteenlacarga:
30=R(500mA+30V/(7.5K+1.5K)+2mA+10mA/50+10mA)+15
DespejandoR: R=15/(515.53mA)=29.1
R=29.1
201
ElectrnicaAnalgicaI
c) Qucorrientemanejaeltransistorcuando:IL=0.5A?
Segndatos,debemanejarIcmn=10mA
Icmn=10mA
d) QuvalordebetenerR3?
ParaasegurarIzmn=2mAenelregulador: R3=0.7V/2mA=350
R3=350
ReguladorvariableLM317:
Es un circuito cuyo voltaje puede ser variado entre 1.2V y 37V, con corriente
mxima de 1.5 Amperios. Posee tambin limitacin de corriente y proteccin
trmica.
AcontinuacinsemuestraelencapsuladoTO220delLM417yterminales:
LM317T
202
ElectrnicaAnalgicaI
Diagramadebloques:
3 = Input
+
Circuito de
Proteccin
1.25 Vref.
R lim.
2 = Out
1 = Adj.
CIRCUITOEQUIVALENTEDELLM338:
3 Vin
R1
330
R2
330
R3
190
R4
82
R5
5.6K
Q22
R19
370
Q10
Q23
R16
6.7K
Q18
Q2
Q4
Q8
Q1
Q16
R18
130
Q20
R27
47K
5pF
C3
R23
18K
R21
400
Q13
200K
D2
6.3V
Q26
Q27
R6
Q25
R17
12K
Q14
R22
160
R8
12.4K
Q15
Q19
R7
130
Q21
D3
R20
13K
Q17
Q24
6.3V
Q9
Q6
Q11
Q7
Q12
R15
2.4K
C1
Q3
Q5
R10
4.1K
6.3V
R24
160
C2
D1
R11
5.8K
R12
72
R13
5.1K
30pF
30pF
R14
12K
R26
0.03
R7
130
6V
R25
3
R27
50
D4
2 Vout
1 Adj
Caractersticasdeoperacin:
CARACTERISTICA
Iadj
VinVout
Vref
Iout
MINIMO
3V
1.2V
12mA
203
MAXIMO
100mA
40V
1.3V
1.5A
ElectrnicaAnalgicaI
Aplicaciones:
1. Reguladorvariable:
VIN
LM317
VOUT
Salida
ADJ
Entrada
R1
0.1uF
1uF
R2
Vsalida=1.25V(1+R2/R1)
Reguladorvariableconproteccincontradescargacapacitiva:
D1
1N4002
Entrada
Salida
VIN
LM317
VOUT
ADJ
2.
R1
C > 25uF
0.1uF
R2
D2
1N4002
1uF
204
3.
ElectrnicaAnalgicaI
Reguladorvariableconsalidade030V:
D1
1N4002
Entrada
Salida
VIN
LM317
VOUT
ADJ
R1
0.1uF
C > 25uF
10uF
R2
D2
1N4002
1uF
-12 a -18V
470
LM329C
205
ElectrnicaAnalgicaI
4.
Cargadordebaterade12VconLM317:
500
0.5
Salida
VIN
LM317
VOUT
3
LED
ADJ
15
1K
230
0.1uF
LM741
15K
1N4148
1uF
BATERIA
12V
U9
3
2
2N2905
4
3K
ReguladorvariableLM723:
Es un circuito muy verstil, con el cual se pueden hacer reguladores fijos y
variables,positivosonegativoseinclusodealtovoltajeyaltacorriente.
LM723
1
2
3
4
5
6
7
NC
NC
CL
FC
CS
V+
IN-
VC
IN+
Vout
Vref
VZ
V-
NC
14
13
12
11
10
9
8
206
Pin1:NC=Noconectado
Pin2:CL=Lmitedecorriente
Pin3:CS=Sensadodecorriente
Pin4:IN=Entradainversora
Pin5:IN+=Entradanoinversora
Pin6:Vref=Tensindereferencia
Pin7:V=Tierra
Diagramadebloques:
ElectrnicaAnalgicaI
Pin8:NC=Noconectado
Pin9:Vz=Zener
Pin10:Vout=Salida
Pin11:Vc=Tensindecontrol
Pin12:V+=Tensindealimentacin
Pin13:FC=Compensacindefrecuencia
Pin14NC=Noconectado
12
V+
11
Vc
7
13
FC
VZ2
6
Vref
13
Vout-10
VZ - 9
V7
CL - 2
CS - 3
207
ElectrnicaAnalgicaI
REGULADORDE35V20ACONLM723:
D1
6A / 600V
R13
2N3055
+VDC
Q1
+ 35 VDC
0.47 / 5W
R7
47
R1
470
R14
2N3055
Q2
R8
47
0.47 / 5W
R2
470
R15
2N3055
Q3
0.47 / 5W
R9
47
R3
470
R16
2N3055
Q4
R10
47
0.47 / 5W
R4
470
R17
2N3055
Q5
0.47 / 5W
R11
47
R5
470
R18
2N3055
Q6
R12
47
R6
470
0.47 / 5W
R19
100
R20
5.6K
GND
- VDC
TIP31C
R21
470
C1
0.1uF
R23
Q7
R22
470
P1
100K
3K3
17 VAC
14
U1
OUT
VC
18
D3
1N4004
VCC+
D2
1N4004
16
Z1
3V 9
D6
3
CL
LM723
1N4148
VCC-
CS
10
VREF
IN+
8
FC
C3
D5
1N4004
19
D4
1N4004
IN-
C2
2200uF / 25V
R28
R29
100K
680pF
100K
R25
3K3
C4
R30
3K3
R27
680
100uF / 16V
R24
1K
R26
3K3
D7
1N4148
P2
100K
C5
10uF / 63V
208
REGULADOR DE 35 V / 20 A
ElectrnicaAnalgicaI
REGULADORDE5V/1.5A
1N4005
LM317
1
VIN
VOUT
3
+ 5 VDC / 1.5A
ADJ
121
1N4005
0.1uF/50V
1000uF/50V
100uF/25V
365
-
100uF/50V
REGULADORDE20V/5A
1N4005
LM338K
1
VIN
VOUT
+ 20 VDC / 5A
ADJ
+
0.1uF/50V
0.1uF/50V
121
22000uF/50V
100uF/25V
0.1uF/50V
22uF/50V
1.82K
-
100uF/50V
REGULADORDE20V/1.5A
1N4005
LM337
1
VOUT
3
- 20 VDC / 1.5A
ADJ
VIN
1N4005
121
0.1uF/50V
1000uF/50V
100uF/25V
100uF/50V
1.82K
+
209
ElectrnicaAnalgicaI
REGULADORDE25V/6A
0.1uF
MJ3000
0.1uF
0.2/5W
220
9
VZ
11
10
OUT
VC
VCC+
0.2/5W
10K
MJ3000
0.2/5W
-
GND
10
1K
VREF
0.2/5W
IN+
IN-
27V
LM723
CL
1nF
FRQCOMP
2.2/10W
CS
47K
VARISTOR
12
8A
13
30V
390pF
50pF
+ 20V
5.1K
1K
47K
Q3
SCR
1N4148
3.3V
3.3V
390pF
390pF
5K
1K
1uF/50V
33K
1K
1nF
560
100
Limitacindecorriente:
Unaproteccinmuycomnenlosreguladoresesellmitedecorriente.
Allimitarlacorrienteenlacarga podemosevitarqueelreguladorsedestruyaal
excedersucapacidaddecorrienteydeconsumodepotencia.
EneldiagramadebloquesdelLM723setieneesetipodeproteccin:
210
ElectrnicaAnalgicaI
12
V+
11
Vc
7
13
FC
VZ2
6
Vref
13
Vout-10
VZ - 9
V7
CL - 2
CS - 3
LosterminalesCLyCSpermitenactivarestaproteccinenelregulador.Cuandoel
voltajeVCLCSesiguala0.6V,eltransistorcomienzaaconduciryquitacorriente
de base al transistor de salida, impidiendo que su corriente exceda un lmite
prefijado.EntreCLyCSseponeunaresistenciashuntdebajovalor,lacualdetecta
lacorrientedecarga.
Acontinuacinesmostradalagrficaderespuestatpicaenunregulador:
VL
IL
ILmx Icc
211
ElectrnicaAnalgicaI
Icceslacorrientedecortocirciuito(conRL=0).
Vemosquealactivarselaproteccin,latensindesalidaempiezaareducirsepara
evitarquelacorrientesubaexcesivamente.
Eltransistorreguladordebedisearseparasoportarlapotenciaquedisiparconla
corrienteIcc.
Limitacintipofoldback:
Esta proteccin es una versin mejorada del lmite de corriente. Hace que la
corriente de cortocircuito sea menor que ILmx. Esto permite que ante un
cortocircuitoeltransistorreguladornodisipeunapotenciamuyelevada.
Acontinuacinesmostradalagrficaderespuestatpicadeunreguladorconeste
tipodeproteccin:
VL
IL
Icc ILmx
Proteccincontracortocircuito:
Esotrotipodeproteccinenlosreguladoresqueimpidelacirculacindecorriente
cuandosepresentauncortocircuitoenlasalida.
212
ElectrnicaAnalgicaI
Unejemploeselsiguiente:
R1
Q1
R3
VZ
POT
RL
Q2
FUENTE NO REGULADA
Salida
R2
R4
EltransistorQ2entregacorrientealtransistorreguladorQ1.Anteuncortocircuito
enlasalida,Q2pasaalazonadecorteydejadedarlecorrienteaQ1,conloquel
tambinpasaalazonadecorteyyanohaycorrientedesalida.
Limitacindepotencia:
Esta proteccin consiste en detectar tanto la tensin como la corriente del
transistor de potencia y conectarlas a un circuito multiplicador para obtener una
seal proporcional a la potencia que disipa. Esta se compara con el nivel de
referenciaqueestablecelamximapotenciaquedebedisipar.Cuandoseproduce
unexceso,elcontrolloobligaradisminuirsuconsumodepotencia.
Esunaproteccincostosaporquerequiereelusodecomponentesespecialespara
laproteccin.
Proteccincrowbar:
Estetipodeproteccinesusadoparaevitarqueseprduzcaunasobretensinenla
salida que pueda daar la carga. Esto puede producirse cuando se cruzan los
transistoresdepotenciadesalida.
Unejemploeselsiguiente:Reguladorde25V/6A
213
ElectrnicaAnalgicaI
0.1uF
MJ3000
0.1uF
0.2/5W
220
9
VZ
11
10
OUT
VC
VCC+
0.2/5W
10K
MJ3000
0.2/5W
-
GND
10
1K
VREF
0.2/5W
IN+
IN-
27V
LM723
CL
1nF
FRQCOMP
2.2/10W
CS
47K
VARISTOR
12
8A
13
30V
390pF
50pF
+ 20V
5.1K
1K
47K
Q3
SCR
1N4148
3.3V
3.3V
390pF
390pF
5K
1K
1uF/50V
33K
1K
1nF
560
100
AnteunafalladelostransistoresMJ3000,aparecerunatensinmayorde25Ven
lasalida.Alsuperarlos30V,elzenerde30VconduciryhardispararalSCRQ3,el
cualharuncortocircuitoalaentradaobligandoaquemarseelfusiblede8A,con
ocuallafuentequedardesconectada.LaresistenciaenserieconelSCRseemplea
paraevitarqueestedispositivoconduzcademasiadacorrienteysedestruya.
Reguladoresfijosconcircuitointegrado:
Sonreguladoreslinealescuyasalidanopuedevariarse.Sonmuypopularesporque
facilitanmuchoeldiseodefuentesdealimentacin.
Haymodelosqueentregantensinpositivayotrosqueentregantensinnegativa.
Setienen2familiasmuyconocidas:
Lasiguientefiguramuestraunencapsuladotpicoconsudisposicindepines:
214
ElectrnicaAnalgicaI
LaserieLM79xxesunafamiliadereguladoresnegativos.Igualmente,elnmeroxx
indicalatensin.Ejemplo:LM7905=Reguladornegativode12voltios.
Lasiguientefiguramuestraunencapsuladotpicoconsudisposicindepines:
En este caso vemos que los terminales se numeran empezando del pin marcado
con el crculo, el cual indica al terminal 1. El encapsulado mostrado corresponde
tambin al cdigo TO220. El terminal 1 (Ground) es el de referencia (Tierra). El
terminal2(Input)eslaentradaprovenientedelatensinrectificadayfiltrada.El
terminal 3 (Output) es la salida del voltaje regulado, respecto al de referencia. El
terminal 2 est tambin conectado a la lmina metlica, la cual se emplea para
montajeenundisipador.
215
ElectrnicaAnalgicaI
UNIDADTEMTICA
No.7
RESPUESTAENFRECUENCIA
Hasta ahora hemos considerado que los parmetros de los transistores son
constantes. Sin embargo, en la prctica, esto no es cierto. Dichos parmetros
dependendelospuntosdeoperacin,delatemperatura,delafrecuencia,etc.
Actualmente,paraunestudiomsdetallado,contamosconprogramasdeclculo
(como MATLAB y MATHEMATICA) y de simulacin (como SPICE, EMTP, CIRCUIT
MAKER,WORKBENCH,SIMCAD,MULTISIM,etc.).
MATLABesunprogramadeclculo,muypopular,basadoenmatrices,queadems
permiteefectuarprogramacionesycuentaconpaquetesespecializados.
Losprogramasdesimulacinsonmuytilesparaanalizarelcomportamientodeun
circuitoypermitentenerunlaboratoriovirtualconelcualpodemoshacerrpidos
ajusteshastalograrlarespuestadeseada,paraluegopasaralapruebadelcircuito
enellaboratorio.Tambinnossirvencomoherramientadeestudiopuespodemos
verificar nuestros clculos tericos y explorar lo que podra suceder sI se varan
determinadosparmetros.
217
ElectrnicaAnalgicaI
Unodelosmtodosmsutilizadosparaestudiarlarespuestaenfrecuenciadeun
amplificadorsonlosDiagramasdeBode(diagramaslogartmicosdelagananciayla
faseenfuncindelafrecuencia).Lafrecuenciaserepresentaenescalalogartmica
ylafaseygananciaenescaladecimal(engradosydecibeles,respectivamente).
Unapendientede20db/dcadaesprcticamenteequivalenteaunapendientede
6db/octava.
5.1. RESPUESTAENFRECUENCIADELOSAMPLIFICADORES:
Larespuestaenfrecuenciaserefierealcomportamientodelosdispositivos
yamplificadoresalcambiarlafrecuencia.
2) RESPUESTAENFRECUENCIASMEDIAS:Enestareginelamplificador
actaconsumximagananciaysusparmetrospuedenconsiderarse
comonmerosreales.Aquseutilizanlosmodelosdebajafrecuencia
del transistor. Las reactancias externas pequeas pueden ser
218
ElectrnicaAnalgicaI
3)
PUNTOSDEMEDIAPOTENCIAYANCHODEBANDA:
Comnmente las frecuencias fL ( wL) y fH ( wH), anteriormente
mencionadas,sedeterminanenlospuntosenquelasealdesalidaposee
la mitad de la potencia que tiene en frecuencias medias. Cuando la
ganancia se expresa en decibeles, los puntos de media potencia se
determinanrestando3dbalagananciaenfrecuenciasmedias.
Elanchodebandadeunamplificadorsedefinecomoladiferenciaentrelas
frecuenciasdecortesuperiorydecorteinferior:
BW=fHfL(usandolafrecuenciacclica)
BW(rad/s)=wHwL(usandolafrecuenciaangular)
Haycasosenloscualeselanchodebandasedefinecondiferentecriterio,
como es el caso de los amplificadores de vdeo, donde se determina
restandoslo1dbalagananciaenlaregindefrecuenciasmediasdebido
a que la vista puede detectar variaciones ms pequeas en los niveles de
iluminacin
Actividad.Pasividad.
Un transistor es pasivo cuando la potencia promedio total en pequea
seal que ingresa por todos sus puertos es cero o positiva. (Si es cero, el
circuitonotieneprdidas.Siespositivo,elcircuitotieneprdidas).
Enelcasocontrario,eltransistoresactivo.
219
ElectrnicaAnalgicaI
Modelodeparmetroshbridosdeltransistor
Estemodelodealtafrecuenciaypequeasealdeltransistoresmuyusado
porque sus parmetros se mantienen casi constantes con la frecuencia.
Puedenserusadoshastalafrecuenciadecortealfa(f)deltransistor.
Acontinuacinsemuestraelmodelo:
C
ib
ic
rx
C
+
vbe
-
+
V
-
ro
gm V
+
vce
E
rx=resistenciadedispersindebase
r=resistenciadeentrada
r=resistenciaderealimentacin
ro=resistenciadesalida
C=capacidaddecentrada
C=capacidadderealimentacin
Estemodelopuedesersimplificadosegnlafrecuenciadeoperacin,
teniendoencuentalasredesenparalelo:rCyrC
1
rylareactanciadeCsonigualesalafrecuencia: f1 =
2r C
Afrecuenciasmuchomenoresquef1sepuededespreciarCysloqueda
r
Afrecuenciasmuchomayoresquef1sepuededespreciarrysloqueda
C
rylareactanciadeCsonigualesalafrecuencia: f 2 =
2r C
220
ElectrnicaAnalgicaI
Afrecuenciasmuchomenoresquef2sepuededespreciarCysloqueda
r
Afrecuenciasmuchomayoresquef2sepuededespreciarrysloqueda
C
Comnmentesecumpleque:C>>Cyr>>r>>rx
Segnlosvaloresdeestosparmetros,podremossimplificarmsalcircuito
equivalente.
Afrecuenciasdeaudio,elmodelopuedereducirsea:
B
+
V
-
C
r
gm V
Medianteestosparmetrospodemoshallarlamximafrecuenciahastala
cualeltransistorsecomportacomodispositivoactivo:
1
gm
f max =
2 4rx C C
RESPUESTAENFRECUENCIADELTRANSISTOR.
Losparmetrosdeltransistortambinvaranconlafrecuencia.
Respuestaenfrecuenciaenemisorcomn:Aqugraficamoslamagnitudasinttica
delaganancia,hfe,endbvsfrecuencia:
221
ElectrnicaAnalgicaI
h fe
db
h feo
fT
f=Frecuenciadecorte.Eslafrecuenciadelpuntodemediapotenciadehfe.
fT=Frecuenciadetransicin.Eslafrecuenciaaacuallamagnituddehfesehace
igual1.Tambinselellamaproductogananciaanchodebanda.
Productogananciaanchodebanda.
Lafrecuenciadetransicin(fT)esdadapor:
g
fT = m
2C
Estafrecuenciatambinrecibeelnombredeproductogananciaanchodebanda
Lagananciadecorrienteenbajafrecuenciaes: h fe = g m r
Frecuenciasdecorte.
Lafrecuenciadecorte(f)esdadapor:
f =
fT
1
=
h fe 2r C
db
222
ElectrnicaAnalgicaI
f=Frecuenciadecorte.Eslafrecuenciadelpuntodemediapotenciade.Su
valoresmuycercanoafT.
METODOSDERESPUESTAENFRECUENCIA
Haytresmtodosderepresentacindefuncionesdetransferenciasinusoidales,los
cualesson:
DiagramasdeBode(diagramaslogartmicos)
DiagramapolarodeNyquist
Diagramadellogaritmodelaamplitudenfuncindelafase.
DIAGRAMASDEBODE:
Son diagramas logartmicos que representan la funcin de transferencia en el
estado estacionario con excitacin sinusoidal. Debido a que la funcin de
transferenciaeneldominiodelafrecuenciayenestadoestacionarioconpequea
seal, es un nmero complejo, tendr magnitud y fase, por lo general, ambas
dependientesdelafrecuencia.
La magnitud se expresa en decibeles (db, que es la dcima parte del Bel, una
unidaddepotenciasonora),lafaseengradossexagesimales;ambassegraficanen
escala decimal y la frecuencia se representa en un eje logartmico. El uso de los
decibelesparalagananciafacilitalaobtencindelosdiagramasdesistemasms
complejos debido a que losproductosseconvierten ensumasylasdivisiones en
restas. Esto a su vez permite tener la representacin de magnitud y fase de
factores elementales para, en base a ellos, obtener las grficas de sistemas ms
complejos.
Por ese motivo estudiaremos primero los cuatro factores bsicos que pueden
intervenirenlafuncindetransferencia:
Factorganancia(Ao):Elfactorgananciaesunnmeroreal.Cuandoesexpresado
endb,serpositivosiAoesmayorque1ysernegativocuandoAoesmenorque
1.LasecuacionesparasudiagramadeBodeson:
Lamagnitudendbes:Ao(db)=20log(Ao)
Sitienesignopositivo,lafaseser0y,siesnegativo,lafaseser180.
Tantolamagnitudcomolafasesonconstantesconlafrecuencia.
223
ElectrnicaAnalgicaI
F a c t o r G a n a n c ia
30
25
Ao(db)
20
15
10
0
10
-1
10
f (H z )
10
Factoresintegralesyderivativos:Sondelaforma:G(jw)=1/jwG(jw)=jw
1) Paraelfactorintegral:
Lamagnitudendbes: |G(jw)|db=20log(1/w)=20log(w)
Lafaseesconstante: (jw)=90
F a c t o r In t e g r a l
20
10
p e n d ie n t e = -2 0 d b / d e c
|G(jw)|db
-1 0
-2 0
-3 0
-4 0
-1
10
10
10
w ( fr e c u e n c i a a n g u l a r )
224
10
ElectrnicaAnalgicaI
F a s e d e l F a c t o r In t e g r a l
-8 9
-8 9 .2
-8 9 .4
-8 9 .6
-8 9 .8
F a s e c o n s ta n te =
-9 0
- 9 0 g ra d o s
-9 0 .2
-9 0 .4
-9 0 .6
-9 0 .8
-9 1
1 0
-1
1 0
1 0
w
1 0
( fr e c u e n c i a a n g u l a r )
F a c t o r D e riva t ivo
4 0
3 0
p e n d ie n t e
2 0
|G(jw)|db
Paraelfactorderivativo:
Lamagnitudendbes: |G(jw)|db=20log(w)=20log(w)
Lafaseesconstante: (jw)=90
+ 2 0 d b /d e c
1 0
-1 0
-2 0
1 0
-1
1 0
1 0
w
( fr e c u e n c ia
1 0
a n g u la r)
F a s e d e l F a c t o r D e r i va t i vo
91
9 0 .8
9 0 .6
9 0 .4
9 0 .2
Fase
2)
F a s e c o n s t a n t e = 9 0 g ra d o s
90
8 9 .8
8 9 .6
8 9 .4
8 9 .2
89
10
-1
10
10
w ( fr e c u e n c i a a n g u l a r )
225
10
ElectrnicaAnalgicaI
Factoresdeprimerorden:Sondelaforma:
G(jw).=(1+jwT)G(jw)=1/(1+jwT)
1) Cerodeprimerorden:G(jw)=1+jwT
Lamagnitudendbes: |G(jw)|db=10log(1+(wT)2)
Lafasees:
(jw)=arctan(wT)
Estas grficas se representan muchas veces por sus asntotas, las que la
describen en forma bastante aproximada, pudindose llegar con bastante
precisin a la grfica real haciendo algunas correcciones. Estas asntotas se
obtienenparawT<<1yparawT>>1:
Para:wT>>1,lamagnitudseaproximaa20log(wT);porlotanto,lasegunda
asntota ser una recta con pendiente = 20 db/dec (similar al factor
derivativo).
Elmximoerrorentrelarepresentacinrealylaasintticasepresentaen
wT=1.Enestecasoelerroresde:3.03db.
Estepuntoequivalealpuntodemediapotencia.
Unaoctavaantes,elerrores:0.97db
Unaoctavadespuselerrortambines:0.97db
Unadcadaantes,elerrores:0.0432db
Unadcadadespuselerrortambines:0.0432db
226
C e ro
d e
P rim
e r
ElectrnicaAnalgicaI
r d e n
4 5
4 0
3 5
p e n d ie n t e
+ 2 0 d b / d e c
|G(jw)|db
3 0
2 5
2 0
1 5
1 0
5
C u r v a
re a l
G
0
1 0
- 1
1 0
r a fic a
a s in t o t ic a
1 0
w ( fr e c u e n c ia
a n g u la r )
2)
Polodeprimerorden:G(jw)=1/(1+jwT)
Lamagnitudendbes:|G(jw)|db=10log(1+(wT)2)
Lafasees:
(jw)=arctan(wT)
Estasgrficastambinserepresentansusasntotas.
EstasasntotasseobtienenparawT<<1yparawT>>1:
1 0
227
ElectrnicaAnalgicaI
Elmximoerrorentrelarepresentacinrealylaasintticasepresentaen
wT=1.Enestecaso,elerroresde:3.03db.Estepuntoequivalealpunto
demediapotencia.
Unaoctavaantes,elerrores:0.97db
Unaoctavadespuselerrortambines:0.97db
Unadcadaantes,elerrores:0.0432db
Unadcadadespuselerrortambines:0.0432db
P o lo d e P rim e r O rd e n
0
G r fi c a a s i n t t i c a
C u rva re a l
-5
-1 0
|G(jw)|db
-1 5
-2 0
-2 5
-3 0
-3 5
-4 0
10
-2
10
-1
10
( fr e c u e n c i a a n g u l a r )
10
10
228
ElectrnicaAnalgicaI
Acontinuacindamoslatablaconlosfactoresdecorreccinparamagnitudyfase:
wT
0.1
0.5
1
2
10
|G(jw)|db +/0.0432
+/0.97
+/3.03
+/0.97
+/0.0432
Fase
+/5.7
+/26.6
+/45
+/63.4
+/84.3
Factorescuadrticos:
Sondelaforma:
G(jw).=[1+2(jw/wn)+(jw/wn)2]G(jw)=1/[1+2(jw/wn)+(jw/wn)2]
wnrecibeelnombredefrecuencianatural
recibeelnombredefactordeamortiguamiento
Estosfactorestienen3tiposderespuesta:
Cuando>1,larespuestaessobreamortiguadaylasracessonreales.
Cuando 0 < > 1, la respuesta es sub amortiguada y las races son complejas y
conjugadas.
La respuesta con que acte depende de los valores de y wn; stos a su vez
dependendelosvaloresdeloscomponentesdelamplificador.
1)
Cerosdesegundoorden:G(jw)=[1+2(jw/wn)+(jw/wn)2]
Lamagnitudendbes:|G(jw)|db=10log{[1(w/wn)2]2+(2w/wn)2)}
(jw)=arctan{(2w/wn)/[1(w/wn)2]}
Lafasees:
B o d e
D ia g ra m
M a g n it u d
4 0
P e n d ie n t e = 4 0 d b / d e c
F a c t o r
d e
a m
o r t ig u a c i n
0 . 1
- 2 0
w / w n
2 0 0
( fr e c u e n c ia
a n g u la r
n o rm
a liz a d a )
( fr e c u e n c ia a n g u la r n o r m
F r e q u e n c y
(r a d / s e c )
a liz a d a )
1 5 0
Fase
2 0
F a c t o r
1 0 0
d e
a m
o rt ig u a c i n
0 . 1
5 0
0
1 0
-1
1 0
w / w n
229
1 0
ElectrnicaAnalgicaI
B o d e D ia g ra m s
M a g n itu d
50
P e n d ie n t e = 4 0 d b / d e c
40
20
10
F a c t o r d e a t e n u a c i n = 1
0
200
w / w n (fre c u e n c ia a n g u la r n o rm a liz a d a )
150
Fase
30
100
F a c t o r d e a t e n u a c i n = 1
50
0
1 0 -1
100
101
w / w n (fre c u e n c ia a n g u la r n o rm a liz a d a )
F re q u e n c y (ra d / s e c )
B o d e D ia g ra m s
M a g n itu d
100
P e n d ie n t e = 4 0 d b / d e c
80
40
F a c t o r d e a t e n u a c i n = 5
20
0
200
w / w n (fre c u e n c ia a n g u la r n o rm a liz a d a )
150
Fase
60
100
F a c t o r d e a t e n u a c i n = 5
50
0
1 0 -2
1 0 -1
100
101
102
w / w n (fre c u e n c ia a n g u la r n o rm a liz a d a )
F re q u e n c y (ra d / s e c )
Observandolasgrficasdecadacaso,podemosdecirque:
Cuandoelsistemaessubamortiguado,apareceunpicoderesonanciaenelcualla
ganancia disminuye, la pendiente en esa regin es ms pronunciada (ms
selectiva),llegandoaunapendientede40db/dcadaparafrecuenciasaltas.
230
ElectrnicaAnalgicaI
2)
Para:G(jw)=1/[1+2(jw/wn)+(jw/wn)2]
Lamagnitudendbes:|G(jw)|db=10log{[1(w/wn)2]2+(2w/wn)2)}
(jw)=arctan{(2w/wn)/[1(w/wn)2]}
Lafasees:
Observandolasgrficassiguientesdecadacaso,podemosdecirque:
Cuandoelsistemaessubamortiguado,apareceunpicoderesonanciaenel
cuallagananciaaumenta,lapendienteenesareginesmsinclinada(ms
selectiva), llegando a una pendiente de 40db/dcada para frecuencias
altas.
r = n 1 2 2
Podemosobservarquerexistesloparavaloresde:0<<0.707
1
Elvalordelpicoderesonanciaesdadopor: M r =
2 1 2
vlidoparavaloresdelarelacindeamortiguacin():0<<0.707
Paravaloresde:>0.707entonces:Mr=1
Paravaloresdequeseacercanacero:Mr=tiendeainfinito
231
ElectrnicaAnalgicaI
Cuandoelsistemaessobreamortiguado,tampocohaypicoderesonancia,
la pendiente inicial es la ms baja (la menos selectiva), cayendo a
40db/dcadaparafrecuenciasaltas.
B o d e
P o lo s
D ia g ra m s
d e S e g u n d o O rd e n
2 0
F a c to r d e
a t e e n u a c i n = 0 . 1
-2 0
P e n d ie n t e
-4 0
w /w n
( fr e c u e n c i a
-4 0
d b /d e c
a n g u la r n o rm a liz a d a )
-5 0
Fase
F a c to r d e
-1 0 0
a t e e n u a c i n = 0 . 1
-1 5 0
-2 0 0
1 0
-1
1 0
w /w n
1 0
( fr e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
F re q u e n c y (ra d /s e c )
B o d e
P o lo s
D ia g ra m
d e
S e g u n d o
O r d e n
F a c t o r
d e
a t e n u a c i n
- 2 0
- 3 0
P e n d ie n t e
- 4 0
w / w n
( fr e c u e n c ia
a n g u la r
-4 0
n o rm
a liz a d a )
( fr e c u e n c ia a n g u la r n o r m
F re q u e n c y (ra d / s e c )
a liz a d a )
d b / d e c
- 5 0
Fase
- 1 0
F a c t o r
- 1 0 0
d e
a t e n u a c i n
- 1 5 0
- 2 0 0
1 0
-1
1 0
w / w n
232
1 0
ElectrnicaAnalgicaI
B o d e D ia g ra m s
P o lo s d e S e g u n d o O r d e n
0
-20
F a c t o r d e a t e n u a c i n = 5
-60
-80
P e n d ie n t e = -4 0 d b / d e c
-100
w / w n ( fr e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
0
-50
Fase
-40
-100
F a c t o r d e a t e n u a c i n = 5
-150
-200
1 0 -2
1 0 -1
100
101
102
w / w n ( fr e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
F re q u e n c y (ra d / s e c )
RESPUESTAENBAJAFRECUENCIA
Estudiaremos el caso de un amplificador en emisor comn como el mostrado a
continuacin:
+VCC
R1
RC
C2
C1
Q
RL
Vg
R2
RE
+
Vo
-
CE
Acontinuacinrepresentamosalcircuitoconsumodeloparaseal:
233
ElectrnicaAnalgicaI
C2
C1
Q
Rb
Vg
RC
RE
RL
+
Vo
-
CE
Rb=R1//R2
C2
C1
ib
hie
Vg
hfe ib
Rb
RC
RE
RL
CE
PlanteamoslasecuacionesdeKirchoffparaobtenerlafuncindetransferencia:
Enelcircuitodesalida:
(h fe RC RL C2 s )(ib )
Vo =
1 + (RC + RL )C 2 s
Enelcircuitodeentrada:
(Rb C1 s )(1 + RE C E s )
ib
=
V g (1 + h fe RE )(1 + Rb C1 s ) + (1 + RE C E s )(1 + Rb C1 s )hie + (1 + RE C E s )Rb
234
+
Vo
-
ElectrnicaAnalgicaI
Finalmente:
h fe RC RLC2 2
s (1 + RE CE s)
h
R
C
Vo (s)
ie E E
Av (s) =
=
Vg (s)
2 1
1 + h fe Rb + hie + (1 + h fe )RE
1
1
+
[1 + (RL + RC )s]s + s
+
+
+
( )
Observamosqueestafuncindetransferenciatiene3ceros:
Dosenelorigen:s=0
y
Unoen:s=1/RECE
- Unoen:s=1/(RC+RL)C2
Enestecasopodemosdecirqueelpolodesalidaseobtieneconlaresistenciaque
``veC2cuandolosdemscondensadoressecomportancomocortocircuitosyno
haysealdeentrada.
235
ElectrnicaAnalgicaI
Segnesto,laresistenciaque``veC1es:Rb//hie
Luego,elpoloaproximadoproducidoporC1es: s =
C1 (Rb // hie )
h
Segnesto,laresistenciaque``veCEes: R E // ie = RE // hib
1+ h
fe
1
Luego,elpoloaproximadoproducidoporCEes: s =
hie
C E RE //
1+ h
fe
Dondehibeslaresistenciadeentradadeltransistorenbasecomn.
Supongamosahoraquealafuncindetransferenciaanteriorpodemosfactorizarla
yexpresarlaenlaformasiguiente:
s
Ao (s 2 )1 +
zE
V (s )
Av (s ) = o
=
Vi (s )
s
s
s
1 + 1 +
1 +
p1
p E
p 2
p p p
Multiplicandoelnumeradoryeldenominadorpor: 1 E3 2 ydesarrollando
s
Obtenemosenelestadoestacionario:
Av (s ) =
Vo (s )
=
Vi (s )
1 +
1
1
Ao
+
jw
z
E
1
1
( p1 + p2 + p E ) + 2 ( p1 p2
jw
jw
p1 p 2 p E
1
+ p1 p E + p 2 p E ) + 3 p1 p 2 p E
jw
236
ElectrnicaAnalgicaI
L = p1 + p 2 + p E
Asuvez,p1,p2,ypEsepuedenhallarbajoelcriterioanterior,determinandola
resistencia que ``ve cada condensador cuando los dems se comportan como
cortocircuitoylasealdeentradasehacecero.
+VCC
R1
RC
C2
C1
Q
RL
Vg
R2
+
Vo
-
RE
CE
Elmodeloparaseal,conlascondicionesdadas,eselsiguiente
C1
ib
hie
Rb
Vg
hfe ib
RC
Vo = h fe (RC // RL )ib
ib =
Finalmente:
Av (s ) =
V g (s )
hie (1 + (Rb // hie )C1 s )
237
RL
+
Vo
-
ElectrnicaAnalgicaI
Podemosverqueapareceunceroenelorigenyunpoloen: s =
Rb//hieesjustamentelaresistenciaque``veC1cuandolosdemscondensadores
secomportancomocortocircuitoynohaysealdeentrada.
PROBLEMA7.2:Repitaelproblemaanteriorhallandoelpoloyelcerointroducido
porCEcuandoC1yC2secomportancomocortocircuito
Elmodeloparasealenestecasoeselmostradoenelsiguientegrfico.
Igualmente:
Vo = h fe (RC // RL )ib
Adems:
ib =
Vg
hie + (1 + h fe ) RE
1
//
CE s
(1 + RE C E s )Vg
Finalmente:
ib
hie
hfe ib
Rb
Vg
RC
RE
238
+
Vo
-
CE
Vo (s ) ( h fe )(RC // RL )(1 + R E C E s )
=
1
Vemosquehayunceroen: s =
RE C E
(hie + (1 + h fe )RE )
1
s=
Yunpoloen:
=
(hib // RE )C E
hie RE C E
Av (s ) =
RL
ElectrnicaAnalgicaI
Igualmente,podemosdecirqueelpoloseobtienepormediodelaresistenciaque
``veCEcuandolosdemscondensadoressecomportancomocortocircuitoyno
hay seal de entrada. Podemos darnos cuenta fcilmente de ello si usamos el
modelodebasecomnparaeltransistor.
RC
2K
Rg
1K
R1
10K
C2
C1
Q
2N2222
12Vdc
Vg
R2
3k
RE
820
CE
RL
10K
ComoCEeselcapacitorquevelamenorresistencia,haremosquesealelque
determinelafrecuenciadecorteinferior(100Hz).Paraquelosotrosdospolosno
afectenapreciablemente,haremosqueactenunadcadaantes(10Hz).
Bajoestascondiciones,cuandoactanC1yC2,CEannoactaypodemoshacerel
siguientemodeloparapequeaseal:
239
ElectrnicaAnalgicaI
C2
Rg
1K
Vg
C1
Q
2N2222
Rb
2.3k
RE
820
RC
2K
RL
10K
Reemplazandovalores:
RC1=2.22K
Entonces:C1=1/2(10)(2.22K)=7.15uF
Podemoselegirelvalorcomercialsuperiormsprximo:C1=10uF
Entonces:C2=1/2(10)(12K)=1.33uF
Podemoselegirelvalorcomercialsuperiormsprximo:C2=2.2uF
AlafrecuenciaqueactaCE,C1yC2yahanactuadoypodemosconsiderarquese
comportan como cortocircuitos. Bajo estas condiciones, podemos hacer el
siguientemodeloparapequeaseal:
240
Rg
1K
ElectrnicaAnalgicaI
Q
2N2222
Rb
2.3k
Vg
RC
2K
RE
820
RL
10K
CE
Reemplazandovaloresyefectuando:RCE= 820//[49.3]=46.5
Entonces:CE=1/2(100)(46.5)=34.2uF
Podemoselegirelvalorcomercialsuperiormsprximo:CE=39uF
Conestosvalorespodemoshacerunasimulacindelarespuestaenfrecuencia:
CALCULODELARESPUESTAENFRECUENCIAUSANDOMATLAB:
Usaremoscomoejemploelcasodeunfiltroactivopasabajocomoelsiguiente:
R
10K
+ 12 V
LM741
6
+
Vs
-
10K
R1
5.6K
Vi
C
0.1uF
C
0.1uF
241
- 12 V
R1
5.6K
ElectrnicaAnalgicaI
AV(s)=[2(1+2R1Cs)]/[1+R1Cs+R1Cs2]
Reemplazandolosvaloresdeloscomponentesobtenemos:
AV(s)=[2+0.00224s)]/[1+0.00056s+0.0000003136s2]
Conlafuncindetransferenciayadeterminada,ingresamosalprogramaMATLAB
Cuandoapareceelprompt(>>)deMATLABescribimos:
>>num=[00.002242]
<enter>
>>den=[0.00000031360.000561] <enter>
>>bode(num,den)
<enter>
>>title(RespuestaenFrecuenciadelFiltroActivoPasabajo) <enter>
Larespuestaenfrecuenciaempleandounsimuladornosdalagrficasiguiente:
A: u1_6
4.500 V
3.500 V
2.500 V
1.500 V
0.500 V
-0.500 V
0.000 Hz
200.0 Hz
400.0 Hz
600.0 Hz
800.0 Hz
DISEODEFILTROSACTIVOSMEDIANTEAMPLIFICADORESOPERACIONALES
Entrelostiposdefiltrostenemos:
- Filtropasabajo:Dejanpasarlasfrecuenciasqueestnpordebajodeun
determinadovalor(fL)
- Filtropasaalto:Dejanpasarlasfrecuenciasqueestnporencimadeun
determinadovalor(fH)
- Filtropasabanda:Dejanpasarlasfrecuenciasqueestnentreunrangode
valores(fLyfH)
- Filtro de rechazo de banda (Notch): Rechazan las frecuencias que estn
entreunrangodevalores(fLyfH)
242
ElectrnicaAnalgicaI
Filtro pasa todo (desfasador): Dejan pasar todas las frecuencias, pero
producendesfasaje.Selesempleacomodesfasador.
Lafuncindetransferenciadeunfiltropasabajotienelaformasiguiente:
H(s)=N(s)/D(s)
N(s)yD(s)sonpolinomiosens
Hay muchas familias de filtros pasa bajos. Cada filtro de una familia posee una
funcindetransferencianica.Lalocalizacinycomplejidaddelospolosycerosde
lafuncindetransferenciadefinenporcompletolarespuestadelfiltro.Lamayor
partedelosrequisitosquedebecumplirunfiltrosesatisfaceneligiendocualquiera
delassiguientesfamilias:
1) Butterworth:Suspoloscaendentrodeunacircunferenciaderadio1dentro
delplanocomplejo.Elfiltropasabajonotieneceros.Poseencaractersticas
transitorias relativamente buenas. Su respuesta en frecuencia es bastante
planaysuatenuacinesconpendienterelativamenteacentuada.Sepueden
disearconcomponentesdevaloresprcticoscontoleranciaspococrticas
2) Chebyshev: Presentan una pendiente de atenuacin ms aguda que el
Butterworth, pero, su respuesta no es plana y presenta rizado; adems su
respuesta transitoria no es tan buena como los Butterworth. El filtro pasa
bajo no tieneceros. La mayor amplitud del rizo hacequela atenuacinsea
ms aguda, pero su respuesta a los transitorios empeora. Sus polos se
localizanenunaelipseenelplanocomplejo.
3) Bessel:Seempleanparalareproduccinfieldelaondadeentrada.Ofrecen,
para ello, un retardo constante en la banda pasante. El filtro pasa bajo no
tiene ceros. Su respuesta en frecuencia no es tan buena como los de las
familias anteriores, pero sus excelentes propiedades transitorias lo hacen
muytil.
4) Funcin elptica: Su funcin de transferencia posee polos y ceros; esto
permitequesupendientedeatenuacinseainclusomsagudaqueladela
familiaChebyshev,peropresentarizadotantoenlabandapasantecomoen
la rechazada. Sus circuitos son ms complejos, pero requieren menos
seccionesparaunaatenuacindada.
Parafacilitareldiseoseempleanfiltrosnormalizados.
Porejemplo,paraunfiltronormalizadoButterworthdesegundoorden(n=2)es:
2
H(s)=1/[s +1.414s+1]
243
ElectrnicaAnalgicaI
Lospolosson: s1=0.707+j(0.707) y
s2=0.707j(0.707)
Para el diseo se tienen grficos y tablas normalizados para cada familia, las que
permitencalcularloscomponentesparalatopologaseleccionada
PROBLEMA7.4:Diseeunfiltroactivopasabajodesegundoorden,tipoBessel,
congananciaunitariayfrecuenciadecortede100Hz.
C1
+
R
+
Vi
-
V1
C2
+
VL
-
Solucin:
Planteamos las ecuaciones de nudo mediante la transformada de La place
considerandoeloperacionalideal:
(ViV1)/R=(V1VL)C1s+(V1VL)/R
Luego:
Vi=V1(2+RC1s)(1+RC1s)VL
Adems:
(VLV1)/R+VLC2s=0
Luego:
VL(1+RC2s)=V1
Medianteestasecuacioneshallamoslafuncindetransferencia:
244
ElectrnicaAnalgicaI
1
H(s)=
R2C1C2s2+2RC2s+1
DelastablasparadiseodefiltrostipoBesseldesegundoorden,normalizados,
obtenemos:
Polos: 1.1030j0.6368
Lafrecuenciaangulardecortees: wc=2fc=628rad/s
ElegimosunvalorarbitrariodeR:
R=43K
HallamoslosvaloresrealesdeC1yC2,demaneraqueseaproximenavalores
comerciales:
0.9060
0.68
C1==33.55nFC2==25.18nF
(628)(43K)
(628)(43K)
Laatenuacina500Hzser20.4db
PROBLEMA7.5:Diseeunfiltroactivopasabajodesegundoorden,tipoBessel,
congananciaiguala2yfrecuenciadecortede100Hz.
R
R
R1
+
Vi
-
R2
V1
C
+
VL
-
Solucin:
DelastablasparadiseodefiltrostipoBesseldesegundoorden,normalizados,
obtenemos:
245
ElectrnicaAnalgicaI
Polos: j=1.1030j0.6368
Elegimosunvalorarbitrariodelacapacidad,devalorcomercial: C=27nF
Lafrecuenciadecortees:
fc=100Hz
Luego:
1
R1==26.67K R2==80.16K
4fcC
fcC(2+2)
ACOPLOCONTRANSFORMADORESENBANDAANCHA:
En el siguiente grfico mostramos un transformador con dos arrollamientos. Si
utilizamoslatransformadadeLaPlaceobtenemoslasecuacionesquedescribensu
funcionamiento.Enellasestamosdespreciandolasresistenciasdelosdevanados.
V1 = sL p I 1 + sMI 2
V2 = sMI 1 + sLs I 2
Enconsecuencia,todocircuitoquetengalasmismasecuacionesdeltransformador
podrserreemplazadoporl,sinquevarenlastensionesnicorrientes.
Ademssecumpleque:
M = k L p Ls
k=Factordeacoplo
Unodesusmodelosmsutilizadossemuestraenlafigurasiguiente:
246
rp
Ldp
ElectrnicaAnalgicaI
rs
n:1
Lm
IDEAL
rp = resistencia del primario
rs = resistencia del secundario
Ldp = Inductancia de dispersin del primario
Lm = Inductancia de magnetizacin
n = relacin de transformacin
Puedeexpresarse:
Ldp=(1k2)Lp
;
Lm=k2Lp
y
n=k(Lp/Ls)1/2
Cuandoelfactordeacoploseacercaalaunidad,sepuedehacerlasiguiente
aproximacin:
n=(Lp/Ls)1/2
Consideremoselcasosiguiente,enelcualnotomaremosencuentaotrosefectos
de segundo orden que se presentan en el transformador, tales como las no
linealidadesdelncleoylacapacidaddelosarrollamientos,comosemuestraenla
figurasiguiente:
Rg
rp
Ldp
rs
n:1
Vg
Lm
RL
+
Vo
-
ideal
Rg=resistenciadelafuentedesealdeentrada
RL=resistenciadecarga
247
ElectrnicaAnalgicaI
Podemosobtenerlafuncindetransferencia:
nRL
L
V o (s )
dp
=
H (s ) =
Vi (s )
R p Rs
R p Rs
R
2
s
+
+
+
s + s
L
L L
L
L
m
dp
dp m
dp
Donde:
Rp=Rg+rp
y
Rs=n2(RL+rs)
Observamosque:
Albajarlafrecuencia,lafuncindetransferenciadisminuyedebidoaque
LdpyLmtiendenacomportarsecomocortocircuitos.
Enlaregindefrecuenciasmedias,lafuncindetransferenciaseconvierteen:
R g + rp (nR L )
V (s )
=
H (s ) = o
Vi (s ) R g + rp + n 2 (R L + rs )
DerivandoH(s)respectoden,eigualandoacero,podemosobtenerelvalorden
R g + rp
quehacemximaaH(s):
nm =
RL + rs
ReemplazandoenH(s)obtenemos:
Hm =
RL
2 (R g + rp )(RL + rs )
Loanteriorquieredecirquesiqueremosquelatensindesalidaseamximaenla
carga,debemoshacerquelarelacindetransformacinseadadaporlaecuacin
denm.
248
ElectrnicaAnalgicaI
T =
PL
PLideal
Donde:
V g2
RL2
PL =
2 RL 4(R g + rp )(R L + rs )
V g2
PLideal =
8Rg
Reemplazando:
T =
PL Rg RL
=
PLideal Rg + rp RL + rs
Delaexpresinanteriorconcluimosque:
Paraelevarlaeficienciadebecumplirse:Rg>>rp y
RL>>rs
Comnmente,losfabricantesdetransformadoresdeaudioindicanlos valoresde
Rg y RL necesarios para que se cumpla esta condicin y, con la ecuacin anterior
podemoshallarlarelacindetransformacin.
LaecuacindeH(s)nosmuestraquehayunceroenelorigenydospolos.
Dependiendodelosvaloresdelosparmetros,estospolospuedenserrealeso
complejos:
p1=(0.5)[Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp]+0.5[(Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp)24
RpRs/LdpLm]1/2
p2=(0.5)[Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp]0.5[(Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp)24
RpRs/LdpLm]1/2
Sinembargo,enlostransformadoresdebandaanchasecumple:Lm>>Ldp
249
ElectrnicaAnalgicaI
Debidoaello,lospolosestarnmuyalejadosunodelotroypodremosobtener
expresionesaproximadasparaellos:
(R p + Rs )
p1 =
Ldp
(R p // Rs )
p2 =
Lm
Sisecumple: Rp=Rsy
Lm>10Ldp
Entonceslosvaloresaproximadosdelospolostienenunerrordentrodel5%
SisecumpleLm>100Ldp,elerrorbajaal1%paracualquierrelacinentreRpyRs
REDESLINEALESDESEGUNDOORDEN
Este tipo de redes poseen dos elementos reactivos y responden a la siguiente
ecuacindiferencial:
d2y/dt2+2dy/dt+o2y=f(t)
Lasolucinparat>0esdelaforma:
p1t
y(t)=A1e +A2ep2t+yss(t)
250
ElectrnicaAnalgicaI
Sedenomina:
=factordeamortiguacin
o=frecuencianatural
Sedefinen:
Q=factordecalidad=o/2
=relacindeamortiguacin=/o
BW=anchodebanda=2
p1=+(2o2)
Adems:
p2=(2o2)
Cuando:
1.
>osetieneestadotransitoriosobreamortiguado
Enestecaso,silaredslotieneenergaalmacenadayf(t)=0,lasolucin
tomalaforma:
y(t)=A1ep1t+A2ep2t
Enelcasoquef(t)seacontinua:f(t)=B,lasolucintomalaforma:
y(t)=A1ep1t+A2ep2t+B
2.
=osetieneestadotransitoriocrticamenteamortiguado
Enestecaso,silaredslotieneenergaalmacenadayf(t)=0,lasolucin
tomalaforma:
y(t)=et(A1+A2t)
Enelcasoquef(t)seacontinua:f(t)=B,lasolucintomalaforma:
y(t)=et(A1+A2t)+B
3.
<osetieneestadotransitoriosubamortiguado
Enestecaso,silaredslotieneenergaalmacenadayf(t)=0,lasolucin
tomalaforma:
y(t)=Aetcos(dt+)
Donde:d=(o22)
deslafrecuenciaamortiguada
Enelcasoquef(t)seacontinua:f(t)=B,lasolucintomalaforma:
y(t)=Aetcos(dt+)+B
251
ElectrnicaAnalgicaI
CIRCUITORLCPARALELO
Este circuito se muestra en la figura 5.29 y podemos aplicar los conceptos
anterioresparaentenderelcircuito:
I(t)
+
Vo
-
Aplicandoelmtododetensionesdenodopodemoshallarlaecuacindiferencial
paraelvoltajeVo:
d2Vo/dt2+(1/RC)dVo/dt+(1/LC)Vo=(1/C)dI/dt
=1/2RC
o=(1/LC)1/2
Q=oRC=R(C/L)1/2
Lospolosresultanteseneldominiodelafrecuenciaresultanser:
p1=+[22o]1/2=+j[4Q21]1/2
p2=[22o]1/2=j[4Q21]1/2
PodemosverqueparaunvalordeQde5ms,lospolossepuedenaproximar
conlasexpresiones:
p1=+jo
p2=jo
CIRCUITOLCYBOBINACONPERDIDAS
Estecircuitosemuestraenlafigura5.30.Lasprdidasdelabobinaserepresentan
medianteunaresistencia,r,enserieconella:
252
ElectrnicaAnalgicaI
I(t)
C
r
+
Vo
-
Obteniendolaecuacindiferencial:
Aplicandoelmtododetensionesdenodopodemoshallarlaecuacindiferencial
paraelvoltajeVo:
d2Vo/dt2(r/L)dVo/dt+(1/LC)Vo=(r/LC)I+(1/C)dI/dt
Estaecuacinsecomparaconlacorrespondientealossistemaslinealesde
segundoordenyobtenemos:
=r/2L
o=(1/LC)1/2
Q=oL/r=(1/r)(L/C)1/2
ZL=r+joL
Suadmitanciaser: YL=1/(r+joL)=r/(r2+(oL)2)joL/(r2+(oL)2)
Laparterealcorrespondeaunaresistenciaequivalenteenparalelocuyovalores:
Req=(r2+(oL)2)/r=(1+Q2)r
Para: Q>10sepuedeaproximar: Req=Q2r
Ypodemosusaruncircuitoequivalente,comosemuestraenlafigura5.31:
253
ElectrnicaAnalgicaI
I(t)
I(t)
C
+
Vo
-
Req
+
Vo
-
CIRCUITOLCYCONDENSADORCONPERDIDAS
Este circuito se muestra en la figura siguiente. Las prdidas de la bobina se
representanmedianteunaresistencia,rc,enserieconella:
+
C
I(t)
Vo
L
r
Obteniendolaecuacindiferencial:
Aplicandoelmtododetensionesdenodopodemoshallarlaecuacindiferencial
paraelvoltajeVo:
d2Vo/dt2(r/L)dVo/dt+(1/LC)Vo=(r/LC)I+(1/C)dI/dt
=r/2L
o=(1/LC)1/2
Q=oL/r=(1/r)(L/C)1/2
254
ElectrnicaAnalgicaI
Suadmitanciaser: YL=1/(r+joL)=r/(r2+(oL)2)joL/(r2+(oL)2)
Laparterealcorrespondeaunaresistenciaequivalenteenparalelocuyovalores:
Req=(r2+(oL)2)/r=(1+Q2)r
Para: Q>10sepuedeaproximar: Req=Q2r
Ypodemosusaruncircuitoequivalente,comosemuestraenlafigura5.31:
I(t)
I(t)
+
Vo
-
C
r
Req
+
Vo
-
CONTROLDEGRAVESYAGUDOS
Acontinuacinsemuestrauncircuitodecontroldetonosparaaudio.Estecontrol
detonostienedospotencimetrosquepermitenajustarlapresenciadegravesy
agudosenunasealdeaudio.
100K
10K
NE5532
22K
1K5
20K
100K
56nF
10K
56nF
10nF
10nF
100pF
22K
10K
2K2
6
5
2K2
10uF / 16v / NP
4K7
2K2
7
NE5532
50K
2.2uF
10K
255
ElectrnicaAnalgicaI
Seutilizauncircuitointegradodealtasprestacionesparaaudioquecontieneensu
pastilla dos amplificadores operacionales. Se trata del NE5532, el cual se alimenta
con+/15V.Elpotencimetrode50Kalaentradaestableceelniveldeentradao
sensibilidaddelsistema.Elpresetde20Kprimeramentedebesituarsealcentrode
sucursor.Sisepresentasendistorsinodeformacionesenelaudiodisminuirste
hastalograrunareproduccinfiel.Elpotencimetrode100Kajustalacantidadde
graves,mientrasqueelde10Khacelomismoconlosagudos.
Comolaalimentacinessimtricaporelterminal4delintegrado(MarcadoGNDen
laimagendearriba)debeira15Vmientrasqueelterminal8(MarcadocomoVcc)
debeira+15V.Lamasadebecablearsea0V,queenintegradonoseconectamas
quealaentradanoinversoradelsegundooperacional(terminal5).
SERIEDEPROBLEMAS
PROBLEMA1:UncircuitoparaleloRLC,comoelmostrado,seusacomofiltro
pasabanda.
Z(jw)
L
1
256
a)
b)
c)
ElectrnicaAnalgicaI
Hallelaexpresindesuimpedanciaenfuncindelafrecuencia.
Si:R=10k,C=10nfyL=100h,determinesuimpedanciaalasfrecuencias
de:50KHz,100KHz,160KHz,200KHzy250KHz
Hagalosdiagramasdelamagnituddelaimpedanciaydelafaseenfuncin
delafrecuenciaydeterminesuanchodebanda.
PROBLEMA2:UncircuitoserieRLC,comoelmostrado,seusacomofiltropasa
banda.
2
R
Z(jw)
a)
b)
c)
C
L
Hallelaexpresindesuimpedanciaenfuncindelafrecuencia.
SiR=10k,C=10nfyL=100h,determinesuimpedanciaalasfrecuencias
de:50KHz,100KHz,160KHz,200KHzy250khz
Hagalosdiagramasdelamagnituddelaimpedanciaydelafaseenfuncin
delafrecuenciaydeterminesuanchodebanda.
PROBLEMA3:Eneltransformadormostradoenlafigura5.28,halle:
a) El valor de Ls necesario para acoplar una carga de 8 a una cuente con
3200enelrangodefrecuenciasmedias...
b) DetermineLyHparaestecaso
c) Laeficienciadeltransformador
PROBLEMA5:Enelcircuitodelproblema4,halleelvoltajetotaldesalidaenel
drenadordelFET
Asuma:L=4H,C=2500pF,R=2K,o=10**(7)ym=10**(5)
LosparmetrosdelFETsonlosmismos.
257
ElectrnicaAnalgicaI
PROBLEMA6:Unamplificadortienelasiguientegananciadevoltaje:
Av(s)=(100s)/[(1+s/100)(1+s/1000)]
a) TracelasgrficasdeBodedemagnitudyfaseenfuncindelafrecuencia.
b) Determineelmargendeganancia,elmargendefaseylafrecuenciade
transicincuandolagananciasehaceiguala1.
PROBLEMA7:Enelcircuitomostrado,hallelacorrientetotaldedrenador.
Elcircuitotanqueestsintonizadoalafrecuenciawo.
Cualdebeserlafrecuenciawmparaqueeltanqueslodejepasarelrangode
frecuenciaswo+/wm?
2
R
2K
+10V
L
2uH
2.5nF
1
C2
+
Q1
JF1033B
10 uF
Idss = 4 mA
Vp = -4V
1M
cos(wo t)
2V
+
cos(wm t)
PROBLEMA8:Enelsiguientecircuito,,medianteelanlisiseneldominiodela
frecuencia,determine:
a) Lafrecuenciadecorteinferior(fL)
b) Lafrecuenciadecortesuperior(fH)
c) Elanchodebanda
d) Lagananciaenfrecuenciasmedias
+
Vs
-
Rs
C1
1K
20 pF
+
Vi
-
Ri
25K
Ci
gm Vi
20 pF
gm = 15 mA/V
258
Ro
10K
Co
10 pF
RL
10 K
+
Vo
-
ElectrnicaAnalgicaI
T(jw)=2/(1+jw)3
Determinetambinelmargendefaseyelmargendeganancia.
10
H (s ) =
s
s
s
1 + 1 +
1 +
25 2500 200000
PROBLEMA11:Diseeunamplificadorenemisorcomn,comoelmostrado,con
gananciaenfrecuenciasmediascomprendidaentre:
40|Ao|50
Frecuenciadecorteinferior:fL1KHz
VCC
R1
Rs
RC
C2
C1
Q
2N2222
Vs
R2
RE1
RE2
RL
2K
+
Vo
-
CE
Utiliceeltransistor2N2222(silicio,=100,VT=26mV,ICQ=2mA,VCEQ=5V)
VCC=12Vdc
259
ElectrnicaAnalgicaI
PROBLEMA12:Diseeunamplificadordedrenajecomn,comoelmostrado,para
obtener una impedancia de entrada en frecuencias medias: Zi 1 M, una
frecuenciadecorteinferior:fL1KHzyunafrecuenciadecortesuperior:fH=50
KHz
DatosdelMOSFET:Cds=1pF,Cgs=10pF,Cgd=10pF,ro=50K,gm=20mA/V,
Paraelpuntodeoperacin:IDQ=2mA,VGSQ=6VyVDSQ=10V
15 V
R1
C4
Rg
Q
C2
1K
CAP NP
R2
Vg
RL
1K
Rs
PROBLEMA13:Determinelarespuestaenfrecuenciadelsiguientecircuito.Asuma
queelOPAMPsecomportaenformaideal
56.44K
U7
7
56.44 K
+ 15V
1 Vpico
C1
47 nF
C2
47 nF
uA741
R3
28.22K
OS2
OUT
OS1
5
6
1
Vs
V+
R2
V-
R1
C3
CAP NP
RL
100K
- 15 V
260
ElectrnicaAnalgicaI
gm = 0.002 s
rds = 50K
Cgs = 2 pF
Cds = 2 pF
Cgd = 0
VCC
10K
1uF
1uF
+
1M
Vi
1k
RL
10K
Vo
-
100uF
+ 12 V
10 M
1M
3K
Co
C3
+
Q1
10 K
+
Vi
Vo
-
5M
1K
gm = 0.002 s
rds = 100K
Cgs = 2 pF
Cgd = 3 pF
Cs
261
ElectrnicaAnalgicaI
Ls
2 MHz
A
Cs
Rs
CRISTAL
Co
a) HallelaimpedanciaqueofreceentrelosterminalesAyB,emplendola
transformadadeLaplace
b) HallelagrficaasintticadeamplituddeBode.
c) Quanchodebandatieneelcristal?.
262
ElectrnicaAnalgicaI
BIBLIOGRAFIA
1)
2)
3)
4)
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