Diodos en Conmutacion

Dispositivos Electrnicos II
CURSO 2010-11
Temas
Temas 1,2
1,2
Conmutacin
Conmutacin
Profesores:
Miguel ngel Domnguez Gmez
Camilo Quintns Graa
DEPARTAMENTO DE
TECNOLOGA ELECTRNICA
UNIVERSIDAD DE VIGO
ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE

INGENIEROS DE TELECOMUNICACIN
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS II
CURSO 1010-11
DEDE-II
Dispositivos
Dispositivoselectrnicos
electrnicosen
enconmutacin
conmutacin
1. Conmutacin del diodo de unin.
NDICE
NDICE
El diodo metal-semiconductor.
2. Conmutacin del transistor bipolar.

Condensador de aceleracin.
El transistor Schottky.
3. Conmutacin de transistores unipolares.
Temas 1,2: Conmutacin
Conmutacin del transistor de efecto de campo de unin, JFET

Conmutacin del MOS.
Circuitos
Circuitosde
deconmutacin
conmutacinbsicos
bsicos
1.
2.
3.
4.
5.
6.
Emisor comn con carga resistiva.

Emisor comn con carga capacitiva.
Seguidor de emisor con carga capacitiva.
Emisor comn con carga inductiva.
Fuente comn con carga capacitiva.
Control de una carga capacitiva con transistores MOS.
CURSO 1010-11
DEDE-II
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
Tema
Tema1:
1:Dispositivos
Dispositivoselectrnicos
electrnicosen
enconmutacin
conmutacin
INTRODUCCIN
CIRCUITOS
DIGITALES
SEALES CON
DOS ESTADOS:
(BINARIAS)
Las SEALES a manejar tienen TENSIONES CORRIENTES que

CAMBIAN MUY BRUSCAMENTE DE VALOR entre NIVELES
PREDETERMINADOS, en los que permanecen durante ciertos periodos
de tiempo.
dos niveles, que permiten

DIGITALIZAR la informacin.
Los dos estados de la seal que vamos a manejar

representan, normalmente, una excursin en
magnitud que podemos denominar grande.
Ante esta situacin los dispositivos electrnicos

no pueden simularse con un MODELO lineal, sino
con uno marcadamente NO LINEAL.
ESTUDIO ANALTICO DE
LOS CIRCUITOS DE
CONMUTACIN DIFICIL !!
Ejemplo:
Mrgenes de
la tensin de
salida para la
familia lgica
7400 ALS TTL.
5,0 V
3,0V
Estos valores
de tensin se
producen slo
durante las
transiciones
0,5 V
0V
CURSO 1010-11
DEDE-II
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
Caso ms general
SEALES
BINARIAS
los dispositivos trabajan

en slo 2 situaciones:
CONDUCCIN FCIL (tendiendo a un cortocircuito)

NO CONDUCCIN (tendiendo a un circuito abierto)
CONMUTADOR
CONMUTADOR
Se utilizan
fundamentalmente
TRANSISTORES
debido a:
Niveles de seal que manejan

Su rapidez de conmutacin
(transicin entre ambas situaciones)
Su estructura simple de fabricacin
Posibilidad de integracin
Aparte de los 2 ESTADOS EXTREMOS para cada dispositivo (conduccin y corte), interesa
mucho conocer la RAPIDEZ con que l efecta la CONMUTACIN o transicin entre ambas
situaciones.
Esta velocidad de conmutacin influir,
evidentemente, en el comportamiento del
circuito digital final.
CIRCUITO DIGITAL:
2 cuestiones
bsicas a resolver:
(1) Conocer los valores de V e I estacionarios

que corresponden a los dos niveles de las
seales binarias (0 y 1)
jo
p le
m
o
sc
(2) RAPIDEZ DE CONMUTACIN
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
DEDE-II
CURSO 1010-11
Anlisis circuito digital en el dominio del tiempo:
Tcnica
frecuentemente
utilizada:
Tema 1
1.
Suponer que los dispositivos tienen tconmutacin nulos (i.e. efectan

instantneamente paso de un estado a otro) y estudiar slo la
respuesta del circuito pasivo exterior al dispositivo.
2.
Posteriormente, como segunda aproximacin, se pueden corregir los

resultados obtenidos introduciendo el comportamiento real de los
dispositivos.
ESTUDIO DEL COMPORTAMIENTO TRANSISTORIO DINMICO, de los

dispositivos que se utilizan en los Circuitos Digitales: DIODOS, TRANSISTORES
BIPOLARES Y UNIPOLARES
Inicialmente: estudio unin p-n;

sus conclusiones sern de gran ayuda
para determinar el comportamiento del
transistor bipolar.
Ambos casos: DISPOSITIVOS CONTROLADOS

POR MINORITARIOS. Sern ellos los que
impongan sus limitaciones al responder ms o
menos lentamente a la excitacin exterior.
Dispositivo de MAYORITARIOS inherentemente muy rpido.

Transistor unipolar:
Su ESTRUCTURA CAPACITIVA va a determinar el modo de

funcionamiento y su velocidad.
ESTUDIO RIGUROSO DE ESTOS

PROBLEMAS: COMPLEJO Y DIFCIL
Tema 2
Slo efectuaremos una descripcin cualitativa
CIRCUITOS DE CONMUTACIN BSICOS
CURSO 1010-11
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
DEDE-II
BIBLIOGRAFA
BIBLIOGRAFAESPECFICA
ESPECFICA
CIRCUITOS ELECTRNICOS DIGITALES I, Tomo 3

Captulos I y IV
Elas Muoz Merino
Universidad Politcnica de Madrid
ISBN: 84-7402-067-0
CURSO 1010-11
DEDE-II
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
1.
1.CONMUTACIN
CONMUTACINDEL
DELDIODO
DIODODE
DEUNIN
UNIN
Relacin V-I
para una unin p-n :
qV
nkT
I = I o e 1
lo : corriente inversa de saturacin

kT/q = VT = 26 mV a 300 K
n: factor con valores entre 1 y 2
Conduccin plena:
Tpicamente, cuando la corriente directa IF =
1 a 20 mA
VF correspondiente: V
depende marcadamente de datos
tcnicos diodo (semiconductor
empleado en la fabricacin, rea,
resistencia serie, conexiones al
exterior, etc.).
Tpicamente = 0,75 a 0,9 V (para Si)
No conduccin:
Para considerar no conduccin: no hace falta
exigir polarizacin nula inversa: Aunque
circulen unos A se considera, en general, que
el diodo est en no conduccin.
Como reduccin de corriente en dos rdenes
de magnitud cambia VF en slo 120 mV
Cuando tensin de la unin < V en ms
de 120 mV : EL DIODO SE CONSIDERA EN
CORTE
Tensin umbral debajo de la cual el diodo "no
conduce: V. (tpicamente Si V. =0,6V)
CURSO 1010-11
DEDE-II
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
1.
1.CONMUTACIN
CONMUTACINDEL
DELDIODO
DIODODE
DEUNIN
UNIN
Relacin V-I
para una unin p-n :
qV
nkT
I = I o e 1

kT/q = VT = 26 mV a 300 K
Unin p-n como

conmutador:
1.
1. Valores
Valores VV ee II que
que corresponden
corresponden aa estados
estados de
de
Conduccin
Plena
y
de
No
Conduccin.
Conduccin
Conduccin Plena y de No Conduccin.
Conduccin plena:
1 a 20 mA
exterior, etc.).
No conduccin:
CORTE
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DEDE-II
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
1.
1.CONMUTACIN
CONMUTACINDEL
DELDIODO
DIODODE
DEUNIN
UNIN
Conduccin
plena
Relacin V-I
para una unin p-n :
qV
nkT
I = I o e 1

kT/q = VT = 26 mV a 300 K
Unin p-n como

conmutador:
1.
1. Valores
que corresponden
estados de
de
Conduccin
Plena
y
de
No
Conduccin.
Conduccin
Conduccin plena:
1 a 20 mA
exterior, etc.).
No conduccin:
CORTE
CURSO 1010-11
DEDE-II
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
1.
1.CONMUTACIN
CONMUTACINDEL
DELDIODO
DIODODE
DEUNIN
UNIN
No conduccin
Conduccin
plena
Relacin V-I
para una unin p-n :
qV
nkT
I = I o e 1

kT/q = VT = 26 mV a 300 K
Unin p-n como

conmutador:
1.
1. Valores
que corresponden
estados de
de
Conduccin
Plena
y
de
No
Conduccin.
Conduccin
Conduccin plena:
1 a 20 mA
exterior, etc.).
No conduccin:
CORTE
CURSO 1010-11
DEDE-II
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
2.
2. Velocidad
Velocidadde
deconmutacin.
conmutacin.Descripcin
Descripcincualitativa
cualitativa
Si la corriente que se hace
circular por el diodo vara
con el tiempo:
v (t )
qnkT
i (t ) = I o e
1
CONMUTACIN: i(t) puede

llegar a ser una funcin escaln
La relacin v-i no est ahora
descrita por la anterior ecuacin
Las trayectorias de
conmutacin nos indican
un comportamiento
distinto frente al caso
casi-esttico
Slo vlida cuando v(t) e i(t) cambian

lentamente (regimen cuasi-esttico)
(distribuciones de minoritarios a ambos lados

de la unin tienen el mismo perfil que en
continua)
CURSO 1010-11
DEDE-II
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
CONMUTACIN DE CORTE A CONDUCCIN
Hay un tiempo de retardo entre la aplicacin del pulso

de corriente y el instante en que el diodo alcanza su
tensin final: TIEMPO DE RECUPERACIN EN
DIRECTA, tfr.
Medida de retraso entre tensin en el diodo y el
pulso de corriente
Adems si el pulso de corriente aplicado es muy

intenso, v(t) presenta un sobreimpulso.
Durar el tiempo que lleve a los portadores difundirse
hasta las cercanas de la zona de carga espacial de la
unin.
En general, esta conmutacin no suele ser
problemtica a pesar de la existencia de tfr.
Si inicialmente el diodo en polarizacin inversa, el paso
a la conduccin producira una v(t) an ms retrasada
respecto a i(t):
Hara falta cierto tiempo para pasar de la ancha
zona de carga espacial en inversa a la de tensin
nula, y a partir de aqu se repite la situacin
anterior.
Conmutacin de corte a
conduccin:
10
CURSO 1010-11
DEDE-II
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
CONMUTACIN DE CONDUCCIN A CORTE
Diodo conduciendo en directa: bruscamente se

polariza en inversa para pasar al corte
(VR < Tensin Avalancha):
Excitacin tambin en corriente, simulada ahora

mediante batera y gran resistencia en serie R.
La corriente en lugar de anularse a partir de t=t1 es

inversa con un valor VR/R hasta el instante t2 y
luego, por fin, decrece hacia 0.
El tiempo t2 -t1 : tiempo de almacenamiento, ts
Tiempo transcurrido entre t2 y el instante en que el
diodo se ha recuperado hasta la tensin -VR :
tiempo de transicin tt
Tiempo de recuperacin en inversa: trr = ts + tt
Se comprueba experimentalmente que ts aumenta
para mayores corrientes directas iniciales.
Adems, normalmente ts >> tt
Conmutacin de conduccin a
corte:
11
CURSO 1010-11
DEDE-II
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
COMPORTAMIENTO DE LOS PORTADORES DURANTE LA CONMUTACIN

Estudio de los procesos fsicos que ocurren en la
conmutacin:
Ley de una unin p-n:
La TENSIN aplicada a la unin est relacionada en
cada instante con las concentraciones de minoritarios
en los bordes de la zona de transicin (carga
espacial) segn:
pn (t ) x =0 = p n o e
Perfiles de distribucin de minoritarios:
n p (t )
y =0
= npo e
Sin
polarizar
q v (t )
kT
q v (t )
kT
Los perfiles de distribucin de minoritarios en

cada instante sirven para calcular la corriente
por el diodo (bsicamente la difusin de
minoritarios).
Si se calcula como varan con tiempo las
Concentraciones y Perfiles de Minoritarios,
Minoritarios
en cercanas zona de carga espacial por
efecto de la conmutacin se puede
relacionar la V y la I en el diodo, an en el
transitorio
Polarizacin
Directa
Polarizacin
Inversa
12
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
DEDE-II
CURSO 1010-11
Perfiles de distribucin de minoritarios:
Sin
polarizar
Polarizacin
Directa
Polarizacin
Inversa
Durante el tiempo de almacenamiento, el

exceso de huecos (electrones) es extrado
hacia la zona p (n) del diodo.
Distribucin de minoritarios durante la

conmutacin de Conduccin a Corte:
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CURSO 1010-11
DEDE-II
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
EJEMPLO:
La tensin en el diodo contina

siendo positiva durante el ts el
diodo contina actuando como si
estuviese en P.D., aunque la
corriente ya haya invertido su
direccin.
Inversin de polaridad
de la cada de tensin
en la resistencia
hmica del diodo
14
CURSO 1010-11
DEDE-II
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
DISMINUCIN DE ts
I
t s = p ln 1 + F
IR
En diodo real, p = tiempo de vida efectivo:

Funcin de los tiempos de vida media de los minoritarios a ambos
lados de la unin.
Depende de las caractersticas propias del semiconductor.
Mecanismo obvio para

controlar ts : a travs de p
IF: corriente directa antes de la conmutacin

IR: corriente inversa durante el tiempo de almacenamiento
14
CURSO 1010-11
DEDE-II
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
DISMINUCIN DE ts
I
t s = p ln 1 + F
IR

lados de la unin.

(1) Diodos de conmutacin rpidos

p puede disminuirse
introduciendo en la estructura
impurezas (Au, Pt) que actan
como centros de recombinacin
ts

14
CURSO 1010-11
DEDE-II
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
DISMINUCIN DE ts
I
t s = p ln 1 + F
IR

lados de la unin.


(2) Utilizacin de un condensador de aceleracin
(1) Diodos de conmutacin rpidos

p puede disminuirse
introduciendo en la estructura
impurezas (Au, Pt) que actan
como centros de recombinacin
ts
Suministra impulsos de
corriente que inyectan/extraen
con rapidez los minoritarios
Tericamente, si C= p/R, ts 0.
(pero se hace un ajuste final en el laboratorio)
Mediante este mtodo, se puede llegar a
multiplicar x10 la frec. utilizacin del diodo.
Tensin en
el diodo en
funcin del
valor de C
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CURSO 1010-11
DEDE-II
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
(3) Diodo MetalSemiconductor o Schottky
A
METAL
Si tipo N
Desarrollo ms notable en diodos rpidos para

conmutacin.
Polarizacin Directa:
e- del semiconductor pasan con facilidad al metal
tras sobrepasar una pequea barrera potencial.
Al, Pt
No hay carga de minoritarios almacenada, ni

tiempo de almacenamiento: ts=0 (transitorio
de conmutacin mucho menor que en una
unin PN).
A
K
Polarizacin Inversa:
e- del metal tienen que sobrepasar una barrera
de potencial mucho ms elevada, y la corriente
es casi nula.
Caractersticas estticas v-i : misma forma
que unin p-n, excepto que la tensin umbral V
es ms pequea, tpicamente V =0,2V a 0.4V y
V = 0,6V para Si.
Muy utilizados en Circuitos Integrados para
aplicaciones de Conmutacin de Alta Velocidad
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CURSO 1010-11
DEDE-II
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
2.
2.CONMUTACIN
CONMUTACINDEL
DELTRANSISTOR
TRANSISTORBIPOLAR.
BIPOLAR.
Someter a conmutacin a un transistor es pedirle
que acte como INTERRUPTOR, cambiando su
estado, por ej.:
desde Tensin Alta - Corriente Pequea
(OFF), a la situacin de Baja Tensin - Alta
Corriente (ON)
en un tiempo que, normalmente, se desea

sea muy pequeo.
2 modos de operacin:
(en funcin de la regiones
de operacin)
(1) Modo de saturacin (+ habitual)

(2) Modo de corriente
En modo de corriente: el estado de conduccin no llega a

la regin de saturacin CONMUTACIN MS RPIDA AL
ESTADO DE CORTE.
MUY ADECUADO PARA

CIRCUITOS DE ALTA
VELOCIDAD.
17
CURSO 1010-11
DEDE-II
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
Respuesta
Respuestatransitoria
transitoriadel
delBJT
BJT(rapidez
(rapidez
con
conque
quepasa
pasade
deOFF
OFFaaON
ONyyviceversa)
viceversa)
La corriente de colector ic no responde inmediatamente a
la seal de excitacin.
Conmutacin de saturacin
Transistor
gobernado por iB
Tiempo
tr)
d+
Tiempototal
totalde
deconmutacin
conmutacinde
deOFF
OFFaaON:
ON:(t(t
d+ tr)
Tiempo
Tiempode
deretraso,
retraso,tdt:d:tiempo
tiempoque
quetranscurre
transcurredesde
desde
que
quelalaseal
sealde
deentrada
entradacambia
cambiahasta
hastaque
quelalacorriente
corriente
alcanza el 10% de su valor mximo.
de
decolector
colectoricic alcanza el 10% de su valor mximo.
Tiempo
que transcurre desde
Tiempode
desubida
subidatrt:r:tiempo
tiempo que transcurre desde
que
quelalacorriente
corrientede
decolector
colectoricicalcanza
alcanzaelel10%
10%de
desu
su
valor
valormximo
mximohasta
hastallegar
llegaralal90%
90%del
delmismo.
mismo.
Tiempo
tf)
s+
Tiempototal
totalde
deconmutacin
conmutacinde
deON
ONaaOFF:
OFF:(t(t
s+ tf)
TIEMPO
TIEMPO DE
DE ALMACENAMIENTO,
ALMACENAMIENTO, tst:s: tiempo
tiempo desde
desde
que
la
seal
de
entrada
cambia
hasta
que
que la seal de entrada cambia hasta que lala icic
decrece
decrece alal 90%
90% del
del valor
valor mximo
mximo en
en su
su paso
paso hacia
hacia
corte.
corte.
Tiempo
Tiempode
decada,
cada,tft:f:tiempo
tiempoen
enelelque
quelalaicicdecrece
decrece
desde
el
90%
hasta
el
10%
de
su
valor
mximo
desde el 90% hasta el 10% de su valor mximoICsat
ICsat
en
ensu
supaso
pasohacia
haciaelelcorte.
corte.
La transicin ON-OFF va seguida por una corriente inversa
de base que permanece el tiempo ts + tf. Durante el mismo la
unin B -E permanece polarizada directamente, a pesar de la
tensin negativa aplicada -V2
OFF-ON
ON-OFF
18
CURSO 1010-11
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
DEDE-II
Lentitud
Lentitudyyformas
formasde
deonda
ondade
derespuesta:
respuesta:
originadas
por
la
necesidad
de
entregar
originadas por la necesidad de entregarextraer
extraerde
de
la
labase
baselos
losminoritarios
minoritariosque
quecorresponden
correspondenaalas
las
distribuciones
distribucionesde
deequilibrio
equilibrioen
enlos
losestados
estadosON
ONyyOFF.
OFF.
Conmutacin de saturacin
Transistor
gobernado por iB
OFF-ON
ON-OFF
Procesos responsables de las formas de onda:

Distribucin de minoritarios (npn)
EQUILIBRIO
(sin polariz)
ACTIVA
(E inyecta een B, y C los
aspira)
SATURACIN
(E y C inyectan
e- en B)
SATURACIN
con dominio de
inyeccin de C
CORTE
(B vaca de
minoritarios)
19
Ejemplo: INVERSOR LOGICO CON BJT
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
DEDE-II
CURSO 1010-11
tSUBIDA
t=100ns, vin=3V
iB rpidamente. La corriente carga la
capacidad de transicin de la unin haciendo
que vBE
Parte de iB fluye por capacidad unin C, y
sale por l (sentido contrario a reg activa).
Esta corriente hace que vout ligeramente
(por encima de VCC).
Poco despus, vB suficientemente alta para
polarizar en directa la unin E los e- cruzan
desde E hacia B, y se difunden hacia union C.
vC comienza a caer.
En t 190ns, transistor entra en saturacin,
y vo (vCE) cte = decimas de voltio. Ambas
uniones estn PD, y existe alta concentracin
de minoritarios (e-) en B.
tRETRASO
20
DEDE-II
CURSO 1010-11
Ejemplo: INVERSOR LOGICO CON BJT
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
tALMACENAMIENTO
tSUBIDA
t=300ns, vin=0V
La vo sin embargo permanece baja hasta
aproximadamente t=520ns, debido al exceso
de minoritarios (e-) almacenados en B.
Hasta que no hayan sido extrados de B,
sigue fluyendo corriente a travs de las
uniones.
iB cambia de sentido al final del pulso de
entrada debido a la carga almacenada que
sale del terminal de B.
En t 520ns, mayor parte de exceso carga
de B ha sido extraido, e iC comienza a caer,
haciendo que vo .
Este crecimiento es lento a causa de las
capacidades parsitas de la unin.
Al final, transistor vuelve al corte.
tRETRASO
tCAIDA
21
CURSO 1010-11
DEDE-II
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
TCNICAS DE ACELERACIN DE LA CONMUTACIN

(1) CONDENSADOR DE ACELERACIN en paralelo con la
resistencia de base
C permite que durante los pasos OFF-ON y ON-OFF
circulen impulsos de corriente elevados capaces de
entregar o extraer los minoritarios necesarios.
(2) TRANSISTOR SCHOTTKY
Diodo impide la saturacin del BJT: D conduce

antes de que la unin BC llegue a PD (V0.4V)
21
CURSO 1010-11
DEDE-II
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
TCNICAS DE ACELERACIN DE LA CONMUTACIN

(1) CONDENSADOR DE ACELERACIN en paralelo con la
resistencia de base
C permite que durante los pasos OFF-ON y ON-OFF
circulen impulsos de corriente elevados capaces de
entregar o extraer los minoritarios necesarios.
(2) TRANSISTOR SCHOTTKY
Diodo impide la saturacin del BJT: D conduce

antes de que la unin BC llegue a PD (V0.4V)
Ejemplo anterior, con C y diodo Schottky:
22
CURSO 1010-11
DEDE-II
DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS
ELECTNICOS EN
EN
ELECTNICOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
3.
3.CONMUTACIN
CONMUTACINDE
DETRANSISTORES
TRANSISTORESUNIPOLARES
UNIPOLARES
Transistores unipolares: gobernados por portadores mayoritarios parte de los
mecanismos limitativos descritos anteriormente no son aplicables
Su estructura, geometra, tecnologa de fabricacin y condiciones de
utilizacin imponen las limitaciones de velocidad.
Circuito equivalente:
JFET y MOSFET : presentan una entrada capacitiva (CGS) una
capacidad de acoplo a la salida (CGD) y una capacidad de salida (CDS).
Capacidades en un transistor MOS
Zonas de transistor nMOS en las que se identifican estructuras de tipo capacitivo.
Es la carga y descarga de stas capacidades la que limita la

velocidad de conmutacin, haciendo que los Dispositivos
Unipolares sean, por lo general, ms lentos conmutando que los
Bipolares.
FETs
actuales
en CI:
geometras
muy reducidas
Capacidades
muy pequeas
Compiten o
superan a los
bipolares en
rapidez
23
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
DEDE-II
CURSO 1010-11
Tema
Tema2:
2:Circuitos
Circuitosde
deconmutacin
conmutacinbsicos
bsicos
La claridad con que los transistores bipolares y unipolares pueden presentar 2 estados bien
diferentes de conduccin ha motivado que los circuitos lgicos digitales actuales
procesen la informacin en FORMA BINARIA.
Aunque en principio es posible conseguir varios estados de conduccin en estos dispositivos, los
circuitos lgicos de 3, 4 estados, por ejemplo, no tienen inters prctico en la actualidad.
Nuestro inters se centra en CIRCUITOS CON 2 NIVELES DE

TENSIN/CORRIENTE CLARAMENTE DIFERENCIADOS
(en realidad sern 2 mrgenes de valores elctricos que
correspondern a los 2 estados binarios mencionados).
En este tema estudiaremos: Circuitos elementales de conmutacin tanto con transistores

bipolares como unipolares.
Circuitos con Slo situaciones de pequea potencia y carga capacitiva (situacin bsica
T. Unipolares: en los circuitos integrados MOS).
Circuitos con
T. Bipolares:
Otro tipo de cargas y situaciones de potencia deben ser considerados
24
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
DEDE-II
CURSO 1010-11
TRANSISTOR: dispositivo de 3 terminales
Para estudiar su comportamiento en un circuito, se analiza como un

CUADRIPOLO:
I1
V1
ENTRADA
(2 terminales)
I2
V2
SALIDA
(2 terminales)
Uno de los 3 terminales deber ser comn a la ENTRADA y

a la SALIDA
3 CONFIGURACIONES:
(El terminal comn a la E y a la S da el nombre al montaje)
25
CURSO 1010-11
DEDE-II
1.
1. EMISOR
EMISORCOMN
COMNCON
CONCARGA
CARGARESISTIVA.
RESISTIVA.CIRCUITO
CIRCUITOINVERSOR
INVERSOR
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
Existen varias formas para acoplar generador a BJT, en EC

por ejemplo, que funcione en el modo de saturacin:
Acoplo directo a travs de una resistencia
Con una resistencia con condensador de aceleracin
Mediante un diodo
etc.
Modo de acoplo interesante: a travs de Condensador
normalmente grande, que permite paso de Corte a
Saturacin con independencia del Valor Medio de la
Seal de Entrada.
Segn niveles seal de entrada:
habr que polarizar B de forma
que se asegure paso consecutivo
de conduccin a corte.
Suponemos que se trata de

CIRC. SATURANTE, i.e. en
ausencia de excitacin, R
lleva a saturacin al
transistor (fijador).
25
CURSO 1010-11
DEDE-II
1.
1. EMISOR
EMISORCOMN
COMNCON
CONCARGA
CARGARESISTIVA.
RESISTIVA.CIRCUITO
CIRCUITOINVERSOR
INVERSOR
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
Existen varias formas para acoplar generador a BJT, en EC

por ejemplo, que funcione en el modo de saturacin:
Acoplo directo a travs de una resistencia
Con una resistencia con condensador de aceleracin
Mediante un diodo
etc.
Modo de acoplo interesante: a travs de Condensador
normalmente grande, que permite paso de Corte a
Saturacin con independencia del Valor Medio de la
Seal de Entrada.
Segn niveles seal de entrada:
habr que polarizar B de forma
que se asegure paso consecutivo
de conduccin a corte.
Suponemos que se trata de

CIRC. SATURANTE, i.e. en
ausencia de excitacin, R
lleva a saturacin al
transistor (fijador).
Anlisis en conmutacin
t = 0-
vg(0-)= V1,
vB(0-)=V (0.7V para Si)
T SATURACIN
Vk(0-)V1-V.
Vo(0-)=VCEsat
26
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
DEDE-II
t t==00++
CURSO 1010-11
Se produce en Vg
una transicin
negativa a V2 que
suponemos lleva al
T a CORTE:
Como vk no puede cambiar instantneamente VB (0+)

ser:
VB (0 ) = VCC i R = VCC
Si Rg es muy pequea
(Rg<<R):
VCC + VK (0 ) V2
R
R + Rg
VB1 V + (V2 V1 )
+
00
+ t T1 t T1
Durante el intervalo T1, vB tender a

VCC con una constante de tiempo:
v B (t ) = VCC (VCC V B 1 ) e t 1
requirindose que
esta cantidad lleve al
T a corte
27
CURSO 1010-11
DEDE-II
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
t=T
1 t=T
1
siendo :
La tensin en el condensador
en ese instante ser:
siendo i(T1-) la comente que circula por

el circuito de entrada en ese instante:
28
DEDE-II
+
t=T
1 +
t=T
1
CURSO 1010-11
Salto positivo de la excitacin a V1. T se SATURA
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
Circuito equivalente de base:

(ahora el diodo B-E conduce)
Normalmente rbb<< Rg << R
Se produce un pico de tensin en vB por encima de v

que lleva a una saturacin ms intensa
Para evaluar dicho pico, se puede considerar dicho circuito

equivalente aproximado pero slo con rbb tal que :
}
VB' 1 VB1
) rR
bb '
g
Sobreimpulso en VB que
lleva a una saturacin ms
intensa Pico en Vc,
29
CURSO 1010-11
DEDE-II
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
2.
2. EMISOR
EMISORCOMN
COMNCON
CONCARGA
CARGACAPACITIVA
CAPACITIVA
Emisor comn cuya salida o carga tiene una capacidad
(Situacin real siempre)
Valor de CL
depende de:
Cables de conexin
Entrada de la siguiente etapa
En muchos casos de la propia
impedancia de carga ZL
Acoplamiento capacitivo de la excitacin: Igual que antes, se puede

considerar la excitacin acoplada al transistor por un condensador y con
comportamiento de fijador, bien que lo est por una resistencia.
29
CURSO 1010-11
DEDE-II
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
2.
2. EMISOR
EMISORCOMN
COMNCON
CONCARGA
CARGACAPACITIVA
CAPACITIVA
Emisor comn cuya salida o carga tiene una capacidad
(Situacin real siempre)
Valor de CL
depende de:
Cables de conexin
Entrada de la siguiente etapa
En muchos casos de la propia
impedancia de carga ZL
Acoplamiento capacitivo de la excitacin: Igual que antes, se puede

considerar la excitacin acoplada al transistor por un condensador y con
comportamiento de fijador, bien que lo est por una resistencia.
t t=0
=0-
Cuando ve en su pico positivo: hay fijacin, T

SATURADO, y, supuesto transitorios pasados,
Vo=VCEsat
+
t t=0
=0+
Salto negativo de ve T CORTE.
+
00
t tT
+
T11-
CL tender a cargarse desde su valor inicial VCEsat

a VCC con una constante de tiempo =RCCL
Depender de la relacin entre y T1 el

que Vo llegue no a VCC para t = T1(figura, supuesto <<T1)
30
DEDE-II
CURSO 1010-11
t t=T
=T1 1
+
t t=T
=T1 +
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
Salto positivo de ve fijacin
Si no consideramos el pico inicial de iB del fijador, la

corriente de base ser lB1=(VCC-V)/R.
iC : suministrada por VCC y por CL
que tender a descargarse
mientras ambos suministradores lo
permitan, IC=hFEIB1 (hFE)
CL tender a pasar desde su valor

de carga inicial VCC al valor final
VCCRChFEIB1 con una constante de
tiempo =RCCL
Cuando Vo=VCEsatT SATURACIN,

e ic decrece al valor ICsat.
Th
30
DEDE-II
CURSO 1010-11
t t=T
=T1 1
+
t t=T
=T1 +
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
Salto positivo de ve fijacin
Si no consideramos el pico inicial de iB del fijador, la

corriente de base ser lB1=(VCC-V)/R.
iC : suministrada por VCC y por CL
que tender a descargarse
mientras ambos suministradores lo
permitan, IC=hFEIB1 (hFE)
CL tender a pasar desde su valor

de carga inicial VCC al valor final
VCCRChFEIB1 con una constante de
tiempo =RCCL
Th
Cuando Vo=VCEsatT SATURACIN,

e ic decrece al valor ICsat.
EMISOR COMN: DESCARGA RAPIDAMENTE CL

Cada de vo exponencial y con = que el flanco de subida, pero
ahora es una evolucin entre un valor inicial y final muy
separados el tramo de exponencial que aparece en caida de vo
suele ser casi lineal
La descarga del condensador es muy rpida y el

tiempo de cada de Vo es mucho ms pequeo
que el de subida.
Carga CL: lenta
31
CURSO 1010-11
DEDE-II
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
3.
3. SEGUIDOR
SEGUIDORDE
DEEMISOR
EMISORCON
CONCARGA
CARGACAPACITIVA
CAPACITIVA
Para que se llegase a saturar el transistor hara falta que el
pico de vB fuese superior a VCC y por tanto el de ve.
Lo usual es que ve como mucho llegue a VCC vamos a
considerar un FUNCIONAMIENTO NO SATURANTE,
permaneciendo T en ZONA ACTIVA cuando est en
conduccin.
RB : resistencia global, que puede ser externa
del generador ve, e incluye a rbb
Propiedades complementarias
al circuito anterior
31
CURSO 1010-11
DEDE-II
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
3.
3. SEGUIDOR
SEGUIDORDE
DEEMISOR
EMISORCON
CONCARGA
CARGACAPACITIVA
CAPACITIVA
Para que se llegase a saturar el transistor hara falta que el
pico de vB fuese superior a VCC y por tanto el de ve.
Lo usual es que ve como mucho llegue a VCC vamos a
considerar un FUNCIONAMIENTO NO SATURANTE,
permaneciendo T en ZONA ACTIVA cuando est en
conduccin.
RB : resistencia global, que puede ser externa
del generador ve, e incluye a rbb
ve a nivel bajo
T CORTE
Si transitorios han desaparecido, vo(0-)=0
t t=0
=0-
Propiedades complementarias
al circuito anterior
+
t t=0
=0+
T 1 1
t T
+ t
0 +
0
ve T CONDUCCIN, con fuerte corriente de

base inicial lB1 = (Vcc-VBE)/RB que provoca una
corriente de emisor iE(0+)=hFEIB1 muy intensa,
que tiende a cargar rpidamente a CL
hierbe
vo evoluciona desde 0 a (VCC-VBE)VCC-V .
Como normalmente <<T1, la subida de vo es casi lineal,

rpida, con tiempo subida pequeo.
32
CURSO 1010-11
DEDE-II
+
t t=T
=T1 +
1
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
Cada ve T CORTE
CL se descarga lentamente
a travs de RE con =CLRE
(>)
EL SEGUIDOR DE EMISOR ES CAPAZ

DE CARGAR RPIDAMENTE CL
La descarga es ms lenta
COMPLEMENTARIO AL EMISOR COMN !!
Mediante configuraciones compuestas se pueden conseguir circuitos

que carguen y descarguen rpidamente la capacidad de carga.
Totem-Pole
Push-pull
33
CURSO 1010-11
DEDE-II
4.
4. EMISOR
EMISORCOMN
COMNCON
CONCARGA
CARGAINDUCTIVA
INDUCTIVA
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
Mismo inversor saturante, pero con carga inductiva
R: Resistencia
equivalente de prdidas
de una bobina real, o
Resistencia Externa
Rs: Resistencia
limitadora cuando
T saturacin
t t=0
=0-
Al aplicar ve en intervalo fijacin, si han decado transitorios,

en t=0- Io circulando por la inductancia, T SATURADO,
vo(0-)=VCC.
+
t t=0
=0+
Transicin negativa que lleva al

CORTE.
Como iL(t) no puede cambiar
bruscamente Io deber circular
por R Pico de valor VCC+IoR,
que decaer con =L/R
Circuito equivalente corte
+
00
+ t T1 t T1
vo (t ) = VCC + I o R e t
Acoplo por condensador, y fijacin

mediante circuito de base.
i L (t ) = 0 + (I o 0 ) e t
33
CURSO 1010-11
DEDE-II
4.
4. EMISOR
EMISORCOMN
COMNCON
CONCARGA
CARGAINDUCTIVA
INDUCTIVA
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
Mismo inversor saturante, pero con carga inductiva
Acoplo por condensador, y fijacin

mediante circuito de base.
R: Resistencia
equivalente de prdidas
de una bobina real, o
Resistencia Externa
Rs: Resistencia
limitadora cuando
T saturacin
t t=0
=0-
Al aplicar ve en intervalo fijacin, si han decado transitorios,

en t=0- Io circulando por la inductancia, T SATURADO,
vo(0-)=VCC.
+
t t=0
=0+
Transicin negativa que lleva al

CORTE.
Como iL(t) no puede cambiar
bruscamente Io deber circular
por R Pico de valor VCC+IoR,
que decaer con =L/R
Circuito equivalente corte
+
00
+ t T1 t T1
vo (t ) = VCC + I o R e t
i L (t ) = 0 + (I o 0 ) e t
Pico de tensin: puede ser grande y

sobrepasar la mxima tensin C-E
tolerable para el transistor
Conviene DIODO PROTECTOR en //
34
CURSO 1010-11
DEDE-II
+
t t=T
=T1 +
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
T SATURACIN
Inicialmente una corriente de saturacin

lo circular por R, determinada porque
en ese instante la carga del transistor
es R+Rs .
+
TT
t tTT
1 +
2
1
2
vo (t ) = VCC I o ' R e (t T1 ) '
' =
ve : flanco positivo fijacin
L
L
R // (Rs + rCEsat ) R // Rs
(rCEsat<<Rs)
La corriente ir circulando por L a medida que se va cargando

(y no por R) hasta llegar al nuevo valor de saturacin lo.
(Io<Io)
DIODO DE PROTECCIN
Normalmente: DIODO DE
AMORTIGUAMIENTO por el cual
se deriva la corriente Io en el
momento de cortarse el transistor:
Evita que vCE supere vCEmax
tolerable por T en casos de
pico de tensin grande.
Si el diodo se invierte, desaparecera pico
Io R por debajo de Vcc.
35
CURSO 1010-11
DEDE-II
5.
5. FUENTE
FUENTECOMN
COMNCON
CONCARGA
CARGACAPACITIVA
CAPACITIVA
en general,
circuito discreto
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
Estudio de la Respuesta utilizando el

CIRCUITO EQUIVALENTE DEL DISPOSITIVO,
incluyendo las Capacidades pertinentes:
JFET canal n con tensin de
estrangulamiento Vp (<0)
CL>>CGD, CGS
RD>>RG, rON
t =0- t =0
INVERSOR
INVERSOR
CON
CONJFET
JFET
T. OFF
V1<Vp, T CORTE (OFF)
Circuito equivalente a considerar:

CL cargado a VDD y CGS a V1
+
t t=0
=0+
ve conmuta de V1 a 0
Inicialmente, T. sigue en OFF (CGS est cargada a V1)

vGS 0 con:
1 = RG CGS +
CGD C L
CGD + C L
Segn vGS 0, si se considera

que 2=RD(CL+CGD)>>1, esta
evolucin aparece en vo a travs
del divisor de tensin capacitivo
CGD-CL se produce en vo un pico
positivo :
v0
CGD
vGS
CGD + C L
vGS=0-(-|V1|)=|V1|
OFF a ON
ON a OFF
36
CURSO 1010-11
DEDE-II
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
La evolucin de vGS hacia 0 la llevar a llegar al valor

Vp y posteriormente a vGS=0:
El FET conducir:
9 primero en SATURACIN (intervalo t2)
9 despus en ZONA OHMICA (intervalo t3)
t t=t
=t1
T. en zona de corriente cte. (SATURACIN), pues vDS es

alta ya que CL estaba cargado a VDD
Circuito equiv.
a considerar:
0V
T. SATURACIN
RD
VDD-RDIDSS
CL+CGD
Inmediatamente hay corriente de drenador (IDSS, pues

ya vGS=0) suministrada por VDD y por CL
vo va decayendo hacia VDD-RDIDSS con
2=RD(CL+CGD) (suponiendo 2>>1)
Hay por tanto un nuevo TIEMPO DE CADA t2 corto
(mismas razones que descarga condensador en EC),
hasta que:
vo = vDS = -Vp
en que T. entra en ZONA HMICA
(vDS=-Vp+vGS=-VP)
OFF a ON
ON a OFF
37
CURSO 1010-11
DEDE-II
t t=(t
=(t1+t
+t2))
1
T. ZONA HMICA (vDS=-Vp+vGS=-VP)
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
T. ZONA OHMICA
rON//RD
0V
VDD
CL+CGD
OFF a ON
vo(t) tender al valor final:
con:
rON
rON + RD
vo( ON ) = VDD
rON
rON + RD
3 (rON // RD ) (CGD + C L ) rON (CGD + C L )
Normalmente 3<<2 DESCARGA DE CL RPIDA
Un sobreimpulso a la salida
Conmutacin
OFF ON
incluye 3 ctes.
de tiempo:
Una cada rpida (casi lineal)

de descarga del condensador
CL bajo saturacin
Una ltima descarga an ms
rpida hasta el valor vo(ON)
ON a OFF
38
DEDE-II
+
t t=T
=T1 +
1
CURSO 1010-11
ON a OFF
Proceso inverso
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
ve : salto negativo de 0 a V1 (<0), tendente a llevar

a T. nuevamente al CORTE
1.
Inicialmente, vGS evoluciona con modelo ZONA

OHMICA.
En cuanto vGS llega al valor Vp, T. CORTE.
Para simplificar se supone q. evolucin de vGS
desde 0 a V1 se efecta en su totalidad, con
1 (deducida antes para T. CORTE).
2.
Notemos que en paso de zona OHMICA al CORTE,

la evolucin negativa de vGS llega a vo otra vez a
travs del divisor capacitivo CLCGD, producindose
el mismo pico Vo por debajo de vo(ON) al cabo de t4
3.
Por otra parte, CL se ir cargando a travs de RD ms

lentamente, con 2, tendiendo vo a VDD durante t5
notablemente mayor que t2 (misma situacin q. EC)
OFF a ON
ON a OFF
38
DEDE-II
+
t t=T
=T1 +
1
CURSO 1010-11
ON a OFF
Proceso inverso
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
ve : salto negativo de 0 a V1 (<0), tendente a llevar

a T. nuevamente al CORTE
1.
Inicialmente, vGS evoluciona con modelo ZONA

OHMICA.
En cuanto vGS llega al valor Vp, T. CORTE.
Para simplificar se supone q. evolucin de vGS
desde 0 a V1 se efecta en su totalidad, con
1 (deducida antes para T. CORTE).
2.
Notemos que en paso de zona OHMICA al CORTE,

la evolucin negativa de vGS llega a vo otra vez a
travs del divisor capacitivo CLCGD, producindose
el mismo pico Vo por debajo de vo(ON) al cabo de t4
3.
Por otra parte, CL se ir cargando a travs de RD ms

lentamente, con 2, tendiendo vo a VDD durante t5
notablemente mayor que t2 (misma situacin q. EC)
Este anlisis aproximado del inversor con JFET es un

ejemplo ilustrativo de circuito con varias capacidades, que
sera complejo de resolver con exactitud:
Para cada transicin, se han efectuado los
clculos utilizando solamente la cte. de tiempo
dominante.
Estudio slo ser vlido cuando: RD >> RG y RD > rON,
(permite separar las ctes. tiempo de E de las de S)
OFF a ON
ON a OFF
39
CURSO 1010-11
DEDE-II
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
5.
5. CONTROL
CONTROLDE
DECARGA
CARGACAPACITIVA
CAPACITIVACON
CONTRANSISTORES
TRANSISTORESMOS
MOSCOMPLEMENTARIOS
COMPLEMENTARIOS
INVERSOR
INVERSORCON
CONMOSFET
MOSFET
DE
ACUMULACIN
DE ACUMULACIN
Vamos a considerar slo MOSFETS
ACUMULACIN: (sin VG : no canal)
DE
Caso de inters normal en CI digitales.

Tensin
de
alimentacin:
misma
polaridad que la de puerta para crear
canal (Ej: nMOS, VDS>0 Y VT>0) .
Los circuitos MOSFET

requieren RESISTENCIAS
DE CARGA ELEVADAS.
Solucin que ocupa menos rea

para su integracin:
Utilizacin de transistores MOS
convenientemente diseados y
polarizados para realizar
dichas resistencias.
40
CURSO 1010-11
DEDE-II
TRANSISTOR MOS COMO CARGA
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
Resistencias no lineales mediante

transistores MOS enriquecidos
Permiten realizar resistencias difundidas de valor
elevado en CI en un pequeo espacio de integracin.
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
41
DEDE-II
CURSO 1010-11
42
CURSO 1010-11
DEDE-II
INVERSOR MOS CON CARGA CAPACITIVA
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
No vamos a determinar los picos planteados para el caso

del JFET, sino que:
Estudio analtico del Comportamiento del circuito
para Cargar y Descargar la Capacidad de Carga CL.
Estudio aproximado, utilizando

el MODELO ESTTICO del
MOSFET sin sus CAPACIDADES
INTERNAS.
Respuesta transitoria:
Aproximacin que permite

resultados rpidos e ilustrativos
NOTA: MOSFET en conmutacin:

Formas de onda parecidas al JFET, pero no
estrictamente exponenciales en la carga y descarga
de CL ya que este se lleva a cabo a travs de una
RESISTENCIA NO LINEAL (TL: IDL=f(VDSL2))
t t=0
=0-
TA OFF
vo VDD VT
( )
vC L 0 VDD VT
OFF a ON
ON a OFF
43
CURSO 1010-11
DEDE-II
+
t t=0
=0+
TA CONDUCE
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
1. Inicialmente
( )
vC L 0 VDD VT
TA SATURACIN
VDSA alta
El punto de trabajo pasa

instantneamente de A a C
CL se descargar
fundamentalmente por medio
del generador de corriente IA
TA y TL estn en saturacin.
E.D.
2. El punto de trabajo se va desplazando por la caracterstica
VGS = V1 hasta llegar a C' (FRONTERA ZONA OHMICA), en t1,
tal que:
OFF a ON
3. La ltima parte de la descarga de CL en ZONA OHMICA a

travs de rON de TA:
E.D.
La descarga contina durante t2 hasta que Vo(t1+t2) = VON
y el punto de trabajo llega a B.
ON a OFF
44
CURSO 1010-11
DEDE-II
+
t t=T
=T1 +
1
TA OFF
TA OFF
CIRCUITOS DE
DE
CIRCUITOS
CONMUTACIN
CONMUTACIN
BSICOS
BSICOS
Cuando en T1 se produce el salto en ve desde V1 a 0, TA pasa

instantneamente a CORTE (Pto. funcionamiento B D)
CARGA DE CL A TRAVS DE UNA

RESISTENCIA NO LINEAL !!
E.D.
Valor inicial:
Valor final:
vo inicial = VON
vo final = VDD VT
t3
OFF a ON
ON a OFF

Diodos en Conmutacion

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Dispositivos Electrnicos II

ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE

2. Conmutacin del transistor bipolar.

3. Conmutacin de transistores unipolares.

Temas 1,2: Conmutacin

Conmutacin del transistor de efecto de campo de unin, JFET

Emisor comn con carga resistiva.

Temas 1,2: Conmutacin

Las SEALES a manejar tienen TENSIONES CORRIENTES que

dos niveles, que permiten

Los dos estados de la seal que vamos a manejar

Ante esta situacin los dispositivos electrnicos

Temas 1,2: Conmutacin

los dispositivos trabajan

CONDUCCIN FCIL (tendiendo a un cortocircuito)

Niveles de seal que manejan

(1) Conocer los valores de V e I estacionarios

(2) RAPIDEZ DE CONMUTACIN

Temas 1,2: Conmutacin

Anlisis circuito digital en el dominio del tiempo:

Suponer que los dispositivos tienen tconmutacin nulos (i.e. efectan

Posteriormente, como segunda aproximacin, se pueden corregir los

ESTUDIO DEL COMPORTAMIENTO TRANSISTORIO DINMICO, de los

Inicialmente: estudio unin p-n;

Ambos casos: DISPOSITIVOS CONTROLADOS

Dispositivo de MAYORITARIOS inherentemente muy rpido.

Su ESTRUCTURA CAPACITIVA va a determinar el modo de

ESTUDIO RIGUROSO DE ESTOS

Slo efectuaremos una descripcin cualitativa

CIRCUITOS DE CONMUTACIN BSICOS

Temas 1,2: Conmutacin

CIRCUITOS ELECTRNICOS DIGITALES I, Tomo 3

Temas 1,2: Conmutacin

lo : corriente inversa de saturacin

Temas 1,2: Conmutacin

lo : corriente inversa de saturacin

Unin p-n como

Temas 1,2: Conmutacin

lo : corriente inversa de saturacin

Unin p-n como

Temas 1,2: Conmutacin

lo : corriente inversa de saturacin

Unin p-n como

Temas 1,2: Conmutacin

CONMUTACIN: i(t) puede

Slo vlida cuando v(t) e i(t) cambian

(distribuciones de minoritarios a ambos lados

CONMUTACIN DE CORTE A CONDUCCIN

Hay un tiempo de retardo entre la aplicacin del pulso

Temas 1,2: Conmutacin

Adems si el pulso de corriente aplicado es muy

CONMUTACIN DE CONDUCCIN A CORTE

Diodo conduciendo en directa: bruscamente se

Excitacin tambin en corriente, simulada ahora

Temas 1,2: Conmutacin

La corriente en lugar de anularse a partir de t=t1 es

COMPORTAMIENTO DE LOS PORTADORES DURANTE LA CONMUTACIN

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Durante el tiempo de almacenamiento, el

Distribucin de minoritarios durante la