Ejercicios resueltos de tecnologa electronica.

Tema 1. Diodo de union.

23 de abril de 2008

((Estas
son las expresiones que vamos a manejar para resolver problemas.))
V

I = I0 (e VT 1)
VT =

T
kT
=
q
11600

VT |300o K = 26mV
Io (T ) = Io1 2

=2

T T1
10

V
I
dV
VT
=
=
dI
I + Io

Rest. =
Rdin.
1.

a) A que tension la corriente inversa de un diodo p-n de silicio alcanza d 95 %

de su valor de saturacion a temperatura ambiente?
b) Cual es la relacion entre la corriente con polarizacion directa de 0,1 V y la
corriente con polarizacion inversa del mismo valor?
c) Si la corriente inversa de saturacion es de 10 nA, calcular la corriente directa
para las tensiones de 0,5 V, 0,6 V y 0,7 V, respectivamente.
Soluci
on:
V

a) 0,95I0 = I0 (e VT 1)
V
= ln 0,05 = 3
VT
V = 3,2 0,026 = 0,156V
100

I0 (e 226 )
6,84 1
ID |0,1V
=
= 6,84
=
b)
100
II |0 ,1V
0,146 1
I0 (e 226 )
c) I0 = 10nA
500

I = 10 109(e 226 1) = 0,15mA

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600

I = 10 109(e 226 1) = 1,026mA

700

I = 10 109(e 226 1) = 7,02mA

6. Un diodo de silicio tiene una corriente inversa de saturacion de 0,1A a 1250 C.
Hallar, a 1050C, la resistencia dinamica para una polarizacion de 0,8V : a) en sentido
directo b) en sentido inverso.
Soluci
on:
I0 |1050 C = 0,1A 2
VT |1050 C =
a) Rf =

105125
10

= 25nA

273 + 105
T
=
= 32,59mV
11600
11600
VT
I + I0
800

I = 25 109(e 232,59 1) = 5,35mA

Rf =

232,59
= 12,18
5,35 + I0

b) V = 800mV
VT
VT
2 32,99 103 V
VT
=
= 558 109 =
=
=
800
V
V
9
I + I0
232,54
VT
VT
25 10 e
I0 (e
I0 e
1) + I0
558G
RR =

8. Un diodo de silicio esta en serie con una resistencia de 2k y con una fuente de
tension de 10 V. Cual sera, aproximadamente, la intensidad en el circuito si el
diodo tiene polarizacion directa?
b) Si la cada medida en el diodo es de 0,6 V con 1 mA, hallar con mas exactitud d
valor de la corriente en el circuito.
c) Si se invierte la batera y la tension de ruptura del diodo es de 7 V, hallese la
corriente en el circuito.
d) Si se a
nade en serie y oposicion (los dos anodos unidos) un segundo diodo identico
al anterior, cua sera aproximadamente la corriente en el circuito?
e) Si se reduce a 4V la tension de alimentacion del apartado d), cual sera la corriente?
Soluci
on:
2K

10V

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a) I? Diodo silicio
I=

V = 0,6V
VD = 0,7V

VR
10 0,7 V
=
= 4,65mA
R
2
K
V

b) I = I0 (e VT 1)
I0 =

103
600

e 226 1

= 0,75

Para I = 4,65mA VD ?
V

4,65 103 = 9,75 109 (e 226 1)

VD = 679,9mV
I =

10 0,6799
= 4,66mA
2

c) Se invierte VBAT y VZ = 7V
2K

7V = VZ

10V
I

I=

10 7
= 1,5mA
2

d) Se a
nade otro diodo en serie y oposicion
2K

7V

10V
I

0,7V

I=

10 0,7 7
VR
=
= 1,15mA
R
2

e) Se reduce VBAT a 4V.

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2K
D1

4V
I

D1

D1 OFF I = I0
I = I0 = 9,75nA
10. Las corrientes de saturacion de los dos diodos de la figura son de 1 y 2A, respectivamente. La tension de ruptura es la misma en ambos diodos y vale 100 V.
a) Calcular la corriente y la tension en cada diodo si V=80 y V=120 V.
b) Repetir d apartado a) si se coloca en paralelo con cada diodo una resistencia de
81V.
V

Soluci
on:
I
I0 = 1A
VZ = 100V

VZ

V
0,6

I0 = 2A
VZ = 100V

a)

I) V = 80, hallar I, VD1 , VDZ

Ambos diodos en OFF. I = I01 = 1A
V

I = I0 (e VT 1)
V

1 106 = 2 106 (e 226 1)

V

e 52 = 0,5 VD2 = 36mV

VD1 = 80 VD2 = 80 0,036 = 79,96V

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II) V = 120V
V > VZ D1 Zener D2 OFF

VD1 = VZ = 100V
120V

I
VD2 = 120 100 = 20V

I = I02 = 2A
b)

I) V = 80V
I1
1A

8M

2A

8M

80V

I2

D1 = D2 = OFF

ID1 = I01
ID2 = I02

80V = I1 8 + I2 8
I1 + I2 = 10
I1 + 1 = I2 + 2 I1 = I2 + 1 2I2 + 1 = 10

I2 = 4,5A
I1 = 5,5A

VR1 = VD1 = I1 R1 = 5,5A 8M = 44V

VR2 = VD2 = I2 R2 = 4,5A 8M = 36V
II) V = 120V
1A

8M

2A

8M

120V

D1 = D2 = OFF

ID1 = I01
ID2 = I02

120 = 8I1 + 8I2 I1 + I2 = 15

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I1 + 1 = I2 + 2 I1 = I2 + 1 2I2 + 1 = 15

I2 = 7A
I1 = 8A

VR1 = VD1 = I1 R1 = 8A 8M = 64V

VR2 = VD2 = I2 R2 = 7A 8M = 56V
15. Supongase que los diodos del circuito de la figura tienen Rf = 0, Vv = 0,6V y
Rr = , con una cada del diodo en conduccion de 0,7V . Hallar I1 , I2 , I3 y Vo en
las siguientes condiciones:
I4

+40V
20K

I1

D1

1K

V1
D2

V2

V0

1K
I2

D3

I3
+5V

Soluci
on:
a) V1 = 0v; V2 = 25V
I4

+40V
20K

I1

1K

I2

D1
D2

V0

1K
25V
D3

I3
+5V

D1ON
D2OF F
Suponemos

D3ON

40 = I4 20 + 0,7 + I1 1 I4 =

40 0,7 I1
20

5 = 0,7 + 0,7 + I1 1 I1 = 3,6mA I4 = 1,785mA

Vo = 5 0,7 = 4,3V

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La suposicion es correcta.
b) V1 = V2 = 25V
I4

+40V
20K

I1

1K

D1

25V
I2

D2

25V

V0

1K
D3

Suponemos

I3
+5V

D1 = D2 = ON
D3 = OF F

I3 = 0
I1 = I2
I4 = I1 + I2 = 2I1 = 2I2
40 = 20I4 + 0,7 + 1I1 + 25
I1 = I2 = 0,3488mA
I4 = 2I1 = 0,6976mA
Vo = 40 I4 20 = 26,05V
Sep-91 En el circuito de la figura, la tension de ruptura inversa de los diodos es VZ1 = 10V
y VZ2 = 8V . Hallar las intensidades I1 , I2 e I3 , indicando el estado de los dos diodos.
I1

I2

600

400

I3

20V

300

Soluci
on:
I) Suponemos D1 = D2 = Zener.

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20V

I1

I2

600

400

10V

8V

8V
= 26,66mA
I3 =
300
I2 =

10 8
= 5mA
400

I3

300

Suposicion incorrecta.

20 10

I1 =
= 16,66mA
600

II) Suponemos D1 Zener, D2 OFF.

20V

I1

I2

600

400

I3

10V

300

10
= 14,285mA
400 + 300
20 10
I1 =
= 16,66mA
600

I2 = I3 =

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