1.

-A partir de los datos experimentales, determine el voltaje de umbral (V u), la constante de fabricación
(η),y la corriente de fuga (Io) de los diodos de silicio, germanio, arseniuro de galio y schottky.

Ecuación que describe el comportamiento eléctrico de un diodo semiconductor:

VD
ηV T
I D =I 0 (e −1)
Diodo de Silicio
V u=0.7 V
η=2

V T =26 mV

V D=0.7V

I D =4.3 mA

I 0=?

Despejamos I 0 de la ecuación y obtendríamos:

ID
I 0= VD
ηVT
(e −1)

Calculamos la corriente de fuga en el diodo de silicio:

−3
4.3 x 10
I 0= 0.7 V
=6.12628 x 10−9
−3
2(26 x 10 V )
(e −1)
Diodo de Germanio
V u=0.3 V
η=1

V T =26 mV

V D=0.7 8V

I D =4. 29 mA

I 0=?

Despejamos I 0 de la ecuación y obtendríamos:

 I D
I 0= VD
ηVT
(e −1)
Calculamos la corriente de fuga en el diodo de silicio:
−3
4. 29 x 10
I 0= 0.7 8 V
=4.01442 x 10−9
−3
1(26 x 10 V )
(e −1)
Diodo de Arseniuro de Galio
V u=0V
η=1

V T =26 mV

V D=5 V

I D =3.05 mA

I 0=?

Despejamos I 0 de la ecuación y obtendríamos:

ID
I 0= VD
ηVT
(e −1)
Calculamos la corriente de fuga en el diodo de silicio:
−3
3.05 x 10
I 0= 5V
=0
−3
1(26 x 10 V )
(e −1)
Diodo de schottky
V u=0.2 V
η=-1

V T =26 mV

V D=0.78V

I D =4.2 7 mA

I 0=?

Despejamos I 0 de la ecuación y obtendríamos:

 I D
I 0= VD
ηVT
(e −1)
Calculamos la corriente de fuga en el diodo de silicio:
−3
4.27 x 10
I 0= 0.78 V
=−4.27 x 10−3
−3
−1 (26 x10 V )
(e −1)
Jesús Gilberto Angulo Cabrera

En conclusión, de la práctica realizada podemos notar la variación de voltajes y corrientes entre los
distintos diodos utilizados, donde observamos que algunos no tienen medición al invertir la polarización
a excepción de nuestro diodo Zener que funciona con ambas polarizaciones. Mostramos una grafica que
muestra el voltaje y corriente de los diodos donde podemos ver de una mejor forma la relación que
presentan, por último, medimos el voltaje de caída en los diodos ajustando la frecuencia para una mejor
visualización de nuestra señal resultante.