Ejercicios resueltos de tecnologa electronica.

Boletn 3. Transistor bipolar.

18 de agosto de 2008
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8. Si el transistor de silicio de la figura tiene un valor mnimo de = hF E de 30 y si

ICBO = 10nA a 25oC:
a) Hallar Vo para Vi = 12V y demostrar que Q esta en saturacion.
b) Hallar el valor minimo de R1 para que el transistort del aparatado a) este en la
region activa.
c) Si R1 = 15k y Vi = 1V , hallar Vo y demostrar que Q esta en corte.
d) Hallar la temperatura maxima a la cual el transistor del apartado c) permanece
en corte seguro (VBE e IE nulas)
+12V
RC = 2k2
Vo
R1 = 15k

Vi

Q
R2 = 100k

-12V

Soluci
on:
a) Hacemos Thevenin entre B y masa:

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R1 = 15k
B
R2 = 100k

Vi

-12V

RT =

100 15
= 13,04K
100 + 15

Vi + 12
Vi (12)
=
R1 + R2
115
Vi + 12
20Vi 36
VT =
100 + (12) =
115
23
I=

Vi = 12V
VT (Vi = 12V ) = 8,87V
+12V
RC = 2k2
C

Vo

RT = 13K04
B
VT = 8,87V

SAT

VBESAT = 0,8V
VCESAT = 0,2V

Vo = 0,2V
8,87 0,8
= 0,62mA
13,04
12 0,2
ICSAT =
= 5,36mA
2,2

IB =

min IB = 30 0,62 = 18,6mA > 5,36mA = ICSAT Q SAT.

b) R1 mnima para Q ACT.

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+12V
RC = 2k2
C
R1

Vi

B
Q

IR!

IB
R2

= 30

Vo

IR2

VBESAT = 0,8V
VCESAT = 0,2V
QSAT /ACT.

ICSAT = IB

-12V

IB =

ICSAT
5,36
=
= 0,1787 mA

30

0,8 (12)
= 0,128 mA
100
12 0,8
R1 =
= 36,52 K
0,3067
IR2 =

c) V1 = 1V ; Q CORTE
IC = 0

+12V
RC = 2k2

Vo = 12V

RT = 13K04
B
IB = 0
VT = 0,69V

VBE = 0,69V > V = 0,5V Q OFF

d) V = 0 (corte estricto)
+12V
RC = 2k2
13,04K

C
ICBO

B
ICBO
VT = 0,69V

VBE = ICBO 13,04 0,69 = 0

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ICBO = 0,053 mA
T = 148,7o C
Feb-96. En el circuito de la figura, determinar:
a) Punto de funcionamiento del BJT y valor de Vo , con el interruptor S en la posicion 1, si ha permanecido en dicha posicion tiempo suficiente para alcanzar las
condiciones finales.
b) Punto de funcionamiento del BJT y valor de Vo , con el interruptor S en la
posicion 2, si ha permanecido en dicha posicion tiempo suficiente para alcanzar las
condiciones finales.
c) Valor de Vo para t = 1mseg. y para t = 10mseg, si en t = 0mseg el interruptor
S pasa de la posicion 1 a la 2 despues de permanecer elevado tiempo en la 1.
VCC = +15V
C = 1F
1

RB = 2K

2
Vo

RE = 1K

DZ

VZ = 4,7V
IZ min = 1mA
DZ

RZ = 0

V = 0,5V

VBE = VBE SAT = 0,7V

BJT
VCESAT = 0V

= 200
Soluci
on:

a) Pto. funcionamo con S = 1 y Vo (Reg. permanente)

VCC = +15V

RB = 2K

0,7V

Vo

DZ

RE = 1K

Vo = VCC = 15V

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Suponemos que DZ esta en Zener y el BJT en activa:

VCC = +15V
IRB
RB = 2K

Vo

IB

IZ
0,7

IRB =

IE
RE = 1K

15 4,7
= 5,15mA
2

VE = VB VBE = 4,7 0,7 = 4V

IE =

4V
= 4mA
1k

VCE = 14 4 = 11V
VCE > VCESAT No esta en saturacion.
IC IE

IC
IB =

IRB >> IB IRB IZ > 1mA DZ en Zener

b) Pto. funcionamiento y Vo con S = 2 (Reg. est. perm.)
VCC = +15V

RB = 2K

Vo

IB
0,7

IE
RE = 1K

Suponemos que DZ esta en Zener y el BJT en saturacion:

IC = 0; BJT = sat VCE = VCE
IE = IB + IC = IB =

SAT

= 0V

4,7 0,7
= 4mA
1

Vo = VCESAT + VE = 0 + 4 = 4V

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IRB =

15 4,7
= 5,15mA
2

IZ = IRB IB = 5,15 4 = 1,15mA > IZ

c) Vo para t =
i(t) = C

min

1ms
, si en t = 0 S pasa de 1 a 2 (reg, est. en 1)
10seg.

dv(t)
dt

1
i(t) dt
C
Z
Z t0
1 t0
i(t) dt =
dv(t) = V (t0 ) V (0) = V (t0 )
C 0
0
Suponiendo que el transistor BJT esta en activa:
IC = IB = cte.
1
V (t0 ) =
C

t0

i dt =

Vo (t = 1ms) = VCC

1
1
i t0 = IC t0
C
C

4 102 103
= 11V
V (t0 = 1ms) = 15
102

Vo (t = 10s) = VCC V (t0 = 10s) = 15

Vo (t = 10s) = 4V

4 102 10
< 0 BJT sat
106

Sep-93. En el circuito de la figura y suponiendo T1 y T2 transistores de silicio con 1 = 50

y 2 = 20, determinar:
a) Punto de funcionamiento (IC , VCE ) de cada uno de los transistores para Vi = 10V .
b) Valor mnimo de Vi que satura a alguno de los transistores y punto de funcionamiento en este caso de T1 y T2 .
VCC = 30V
RE = 10K
T2
Vi

R1 = 20K

T1

R2 = 80K

Vo
RC = 10K

IC1 = 1 IB1
VBE1 = 0,7V
T1 =

IE1 = (1 + 1 )IB1
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IC2 = 2 IB2
VBE2 = 0,7V
T2 =

IE2 = (1 + 2 )IB2

Soluci
on:

a) Pto. trabajo / Vi = 10V

Thevenin en la base de T1 :
RT = R1 k R2 =

R1

Vi

R2

VT = Vi

1600
= 16K
100

R2
80
= 10
= 8V
R1 + R2
100

VCC = 30V
IE2
10K
IC1 = IB2
T2
16

T1

IB1

IC2
Vo
IE1 + IC2

Ecuacion malla base T1

0,8Vi = IB1 RT + VBE1 + (IE1 + IC2 )RC = IB1 RT + VBE1 + ((1 + 2 )IB1 +
2 1 IB1 )RC
((Es un montaje Darlington en el sentido de que = 1 2 ))
Para Vi = 10V :
8 = IB1 16 + 0,7 + (51IB1 + 1000IB1 ) 10
IB1 = 0,693A
IC1 = 1 IB1 = 0,0346mA = IB2
IC2 = 2 IB2 = 0,693mA
Malla de colector de T2

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VCC = IE2 RE + VEC2 + (IE1 + IC2 ) RC

VEC2 = . . . = 15,45V Activa.
VCE1 = VEC2 = VEB2 = . . . = 14,75V Activa, suposicion correcta.
b) Valor de Vi que sature al grupo de los transistores y pto. func.

IC1 = IB1
VCE1 = 0,8V
T1 SAT

VBE1 = 0,8V

Malla colector T1 :
VCE = (1 + 2 )1 IB1 RE + VEB2 + VCE1 + [(1 + 1 )IB1 + 1 2 IB1 ] RC
30 = 21 50 IB1 10 + 0,7 + 0,2 + [51IB1 + 1000IB1 ] 10
IB1 = IB1
IC1

SAT

SAT

= IB1

= 1,385A
SAT

= 0,0692mA

IC2 = IB2 = 1,385mA

VCE1 = VCE

SAT 1

= 0,2V

VEC2 = VEB2 + VCE1 = 0,7 + 0,2 = 0,9V

0,8Vi = IB1 RT + VBE1

SAT

+ (IB1 + IC2 ) RC

Vi = 19,22V

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