1

Universidad Politcnica Salesiana. Fernando Chacn. Amplificadores de pequea seal con BJT

Practica # 3
AMPLIFICADORES DE PEQUEA SEAL CON BJT
Fernando Chacn
fchacon@est.ups.edu.ec
Universidad Politcnica Salesiana
Resumen en el siguiente informe veremos la
prctica de amplificadores con el transistor BJT, en el
cual haremos diferentes circuitos: emisor comn,
colector comn y base comn. En todos estos circuitos
lo realizaremos con y sin capacitor. Para esto
tendremos que realizar los clculos de resistencias
mediante el divisor de tensin, en las grficas que
realizamos identificaremos el funcionamiento correcto
del circuito.
I.

El emisor es comn a entrada y salida, la entrada es la

base y la salida es el colector. Es la configuracin ms
empleada por sus buenas prestaciones de ganancia e
impedancias de entrada y salida.

OBJETIVOS

1) Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de

los siguientes amplificadores con transistor BJT y
frecuencia de corte 1kHz.
a. Amplificador emisor comn con y sin
condensador en el emisor, ganancia de voltaje
= 40 V
b. Amplificador colector comn con y sin
condensador en el colector, ganancia de voltaje
=1V

Fig. 1. Amplificador a emisor comn.

Amplificador colector comn

La seal de salida est en fase con la seal de entrada y

tiene una ganancia de tensin ligeramente menor que
uno. Por otro lado la ganancia de corriente es
significativamente mayor que uno.

c. Amplificador base comn con y sin

condensador en la base, ganancia de voltaje =
8V

II.

MARCO TERICO

Transistor BJT NPN

El transistor de unin bipolar es un dispositivo
electrnico de estado slido consistente en dos uniones
PN muy cercanas entre s, que permite controlar el
paso de la corriente a travs de sus terminales.
-

Amplificador emisor comn:

Fig. 2 Amplificador colector comn

-

Amplificador base comn

2
Universidad Politcnica Salesiana. Fernando Chacn. Amplificadores de pequea seal con BJT

Se caracteriza por tener baja impedancia de entrada, no

presenta ganancia de corriente pero si de voltaje.
Adems tiene propiedades tiles en altas frecuencias.

CALCULOS:
Datos:

V cc =15 V

Vcc

R1

Rc

I c =2mA

Cs

V CE =7 V

Q
Ci

rs

RL

Cb
R2

V C =7 V

Re
es

V E =1 V
Fig. 3 Amplificador base comn

=37 3

Rl=1 k
IV.

LISTA DE MATERIALES Y EQUIPOS

Resistencias
Potencimetro
Transistor BJT
Capacitor

Av =4 0

3,7; 2,2; 1,2; 130 [k]

1 [k]
2n3904

=37 3

10,

Clculos en DC:

Multmetro
Fuente DC
Generador de funciones
Osciloscopio
Sondas
Protoboard
V.

DESARROLLO

I B=

Ic
=5.361uA
B

26 mV
=13
IE

AMPLIFICADOR EMISOR COMUN

VCC
12V

R4
104.7k

R6
V150
1Vrms
60Hz
0

C2
Q1

C1
450nF

VccVc=RcIc+Vce+ ReIE

R1
1.5k

2N5655*
C3
R3
39k

R2
1.2k

15=RcIc+7+ REIE

63.66nF

R5
1k

=0.5 k

13.33F

VccVc=RCIC
Fig. 4 Amplificador emisor comn

3
Universidad Politcnica Salesiana. Fernando Chacn. Amplificadores de pequea seal con BJT

157=RC2

4 K =RC

Zi=Rb / Bre
Zi=167.877 /373 (0.5)

Rth=

Vth2.4
=111.919 K
IB

Zi=88.349 K

Zo=Rc

R 2=R 1(

R 1=(

R 1=(

Vth
)
VccVth

Vcc
) Rth
2

15
) 111.919
2

Zout = 4 K

Calculo Ganancia total:

ing=

Zi
88.349 k
=
=0.999
Zi+rs 88.349 k +50
A VTOT = ing AV

R=839.39 K

A VTOT =40 ( 0.999 )=39.977

R 2=R 1(

Vth
)
VccVth

Calculo condensadores:

Ci =

3
R 2=839.39(
)
153
R 2=209.847 K

Ci =

1
2 f c ( Zi+ rs)

1
=1.791nF
2 1000 (88.349 k +50)
C o=

C o=

1
2 f c (R L + R C )

1
2 1000 (1 k +4 k )
C o=31.830 nF

C E=

Fig. 5 Circuito equivalente emisor comn

Calculo de impedancias:

C E=

1
2 f c (R E )

1
=13.51 F
2 1000 (0.5 k 13 )

4
Universidad Politcnica Salesiana. Fernando Chacn. Amplificadores de pequea seal con BJT

C E=12.561 F

200
300
400
500
1K
2K
3K
4K
5K
6K
7K
8K
9K
10 K

Mxima dinmica:

Vcep=IcRpc

Rpc=Rc / Rl
Rpc=4 /1

40 mv
40 mv
40 mv
40 mv
40 mv
40 mv
40 mv
40 mv
40 mv
40 mv
40 mv
40 mv
40 mv
40 mv

403 mv
607 mv
810 mv
993 mv
1.56 mv
1.62 mv
1.66 mv
1.71 mv
1.75 mv
1.81 mv
1.86 mv
1.92 mv
1.97 mv
2.02 mv

20.4v
22.7v
23.9v
26.3v
36.1v
37.3v
98.6v
40.1v
41.7v
42.3v
43.2v
46.1v
47.2v
49.3v

15.34
18.44
21.6
44.2
51.2
63.1
72.4
78.6
80.3
81.6
82.72
83.5
83.9
84.30

-18.4
-15.2
-13.4
-8.03
-3.09
-2.93
-2.74
-2.60
-2.40
0.017
0.150
0.08
0.04
0.008

SIMULACION:

Rpc=0.8 k

Vcep=2 mA0.8 k

Vce=1.6V

Vespp=2Vcep

Vespp=2(1.6)
Vespp=3.2

Fig. 6 Simulacin forma de onda emisor comn.

.

e spp =

V CEpp
A VTOT

e spp =

3.2
40

e spp =0.08 v
Tabla 1. Datos obtenidos laboratorio emisor comn
F(Hz)

Vi

Vs

Av

50
60
70
80
90
100

40 mv
40 mv
40 mv
40 mv
40 mv
40 mv

162 mv
173 mv
179 mv
186 mv
195 mv
202 mv

4.05v
7.06v
9.10v
11.4v
13.9v
16.7v

2.86
3.10
3.704
5.11
5.71
11.30

Av
(DB)
-21.9
-21.6
-20.9
-20.7
-20.4
-20.1

Fig. 7 Diagrama de bode emisor comn.

5
Universidad Politcnica Salesiana. Fernando Chacn. Amplificadores de pequea seal con BJT

V CE =7 V
V C =1 V
V E =7 V
=37 3

Fig. 8 Diagrama de bode emisor comn.

Rl=1 k
Av =1

Fig. 9 Simulacin desfasaje emisor comn.

AMPLIFICADOR COLECTOR COMUN

I B=

Ic
=5.361uA
B

26 mV
=13
IE

VccVc=RcIc+Vce+ ReIE

VCC

15=RcIc +7+ REIE

12V

R4
220k

50F

0.076Vrms
60Hz
0

50F

2N5655*
R3
47k

=3 k

C2
Q1

C1
V1

R1
3.3k

R2
470

R5
1k

VccVc=RCIC
151=RC2

Fig. 10 Amplificador colector comn

7 K =RC

CALCULOS:
Datos:

Vth=

Vcc
R 1+ R 2

V cc =15 V
I c =2mA

3=

15
60+ R 2

6
Universidad Politcnica Salesiana. Fernando Chacn. Amplificadores de pequea seal con BJT

R 2=15 K

ing=

Zi
11.530 k
=
=0.995
Zi+rs 11.530 k +50
A VTOT = ing AV

Req=R 1/ R 2

A VTOT =0.995 ( 1 )=0.995

Req=60 / 15

Req=12 K
Calculo condensadores:

Ci =

Ci =

1
2 f c ( Zi+rs)

1
=13.743 nF
2 1000 (11530 +50)
Ci 5 nF
1

C o=
Fig. 11 Circuito equivalente colector comn

2 f c R L+ R E

Calculo impedancias:

Zi=R EQ (+ RE R L )
Zi=12 k 373 (13 +3.5 k 1 k )

R L +R E

( R + hib)] ( rs )
B

C o=159.133 nF
Mxima dinmica:

Vcep=IcRpc
Rpc=Rc / Rl

RS' =rs R1 R 2=49.792

49.792
Zo=3.5 k
+ 13
373

[ 1 k + 3.5 k ( 43.911 ) ] ( 0.1340 )

Zi=11.530 k
R S'
Zo=R E
+

( R +hib )] ( rs )

Rpc=3/ 1
Rpc=0.775 k

Zo=13.083

Vcep=2 mA0.775 k
Calculo Ganancia total:

7
Universidad Politcnica Salesiana. Fernando Chacn. Amplificadores de pequea seal con BJT

Vce=1.556V

Vcepp=2 Vcep
Vcepp=2(1.6)

Vcepp=3.2

V
e spp = CEpp
A VTOT
espp
e spp =
2
e sp =850 mv

100

0,87
5

0,448

0,00452

0,512

164

-5,8146

0,0099

200

0,87
5

0,616

0,00236

0,704

169

-3,04854

0,00504

250

0,87
5

169

2,50208
4

0,004

500

0,87
5

166

1,40870
5

0,00202

1000

0,87
5

170

1,04292
6

0,00101

2000

0,87
5

171

0,95383
9

0,0005

4000

0,87
5

167

0,95383
9

0,00025
2

5000

0,87
5

166

0,86565
7

0,00020
4

0,00012
6

0,0001

0,656

0,744

0,776

0,784

0,784

0,00188

0,00093

0,000476

0,000238

0,000117

0,7497142

0,850285

0,8868571

0,896

0,896

0,792

0,000094

0,9051428

8000

0,87
5

0,8

0,000058
8

0,914285

168

0,77836
1

1000
0

0,87
5

0,8

0,000047
6

0,9142857

171

-0,77836

SIMULACION:

Fig. 12Simulacin forma de onda colector comn

Diagrama Av dB:

Tabla 2. Datos obtenidos laboratorio colector comn.

f

espp

Vo(pp)

t desfase

Vo/espp

Av (db)

8
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10=

RC 1 k
13

RC =134.7 150
Fig. 13 Simulacin diagrama de bode colector comn

V RC +V CE +V V CC =0

2 mA 150 +7.5 V + ( 2 mA ) R E 15V =0

R E=2.519 k 2.7 k
Fig. 14 Simulacin diagrama de fase colector comn

V be +V V B =0
AMPLIFICADOR BASE COMUN

V B =3 V
CALCULOS:

R E 10 R 2

Datos:

=373 V

R2

RE
10

fc=1 kHz

R2

I C =2 mA

373 2.7 k
10

R2 91.80 k

V CE =7 V

R2=82 k
I B=

I C 2 mA
=
=5.361 A

373

I E =( +1 ) I B =( 341 ) 7.53=2.818 mA
=

25 mV
=13
2 mA

AV =

RC R L

V B=

3V=

R2
V
R 1+ R 2 CC

82 k
(15 V )
R1+82 k

R1=1.015 M 1 M

9
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Ci =

1
=26.32 F
2 1000 (60.48 )
Ci 24.7 F
C o=

Fig. 15 Circuito equivalente base comn

C o=

1
=138.4 nF
2 1000 (1150 )
C o=150 nF

Calculo impedancias:

Zi=R E

1
2 f c (R C + R L )

C B=

1
2 f c ( R EQ ( + R E ) )

Zi=2.7 k 11.87

R EQ ( + R E )

Zi=11.82
Zo RC
Zo=150

75.79 k 340 ( 11.87 + 150 )=31.88 k

C B=

1
2 1000(31.88 k )

Calculo Ganancia total:

ing=

Zi
11.82
=
=0.191
Zi+rs 11.82 +50
A VTOT = ing AV
A VTOT =0.191 ( 10 )=1.91

Calculo Condensadores:

Ci =

1
2 f c ( R E +rs )

C B=50 nF
Mxima Dinmica.

V CEp=I C R PE
V CEp=2mA (95.65 )=0.286 V

V CEpmax =V CE +V CEp
V CEpmax =7 V + 0.286 V =7.286 V

R E +rs
2.7 k 11.87 +50 =60.48

V CEpmin =V CE V CEp
V CEpmin =7 V 0.286 V =6.714 V

10
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F(Hz)

V CEpp=2 V CEp
V CEpp=2 (0.286 V )=0.572 V

e spp =

e spp =

V CEpp
A VTOT

0.572V
=0.390V
1.466 V
e sp=

e sp =

e spp
2

0.390 V
=0.195 V
2

Tabla 3. Datos obtenidos laboratorio base comn.

Vi

Vs

Av

Av
(DB)

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Universidad Politcnica Salesiana. Fernando Chacn. Amplificadores de pequea seal con BJT
50
60
70
80
90
100
200
300
400
500
1K
2K
3K
4K
5K
6K
7K
8K
9K
10 K

400 mv
400 mv
400 mv
400 mv
400 mv
400 mv
400 mv
400 mv
400 mv
400 mv
400 mv
400 mv
400 mv
400 mv
400 mv
400 mv
400 mv
400 mv
400 mv
400 mv

70.1mv
71.6 mv
72.3 mv
83.7 mv
110.6 mv
149.4 mv
223.6 mv
245.7 mv
253.6 mv
261.3 mv
324.7 mv
325.6 mv
327.7 mv
329.1 mv
330.6 mv
331.6 mv
361.6 mv
382.3 mv
385.7 mv
388.2 mv

3.10
3.60
3.74
3.96
4.12
4.23
4.56
4.81
5.01
5.12
7.13
7.42
7.79
8.10
8.42
8.71
8.94
9.10
9.43
9.95

2.86
3.10
3.704
5.11
5.71
11.30
15.34
18.44
21.6
44.2
51.2
63.1
72.4
78.6
80.3
81.6
82.72
83.5
83.9
84.30

-15.1
-15
-14.8
-13.2
-11.2
-8.6
-5.1
-4.9
-4.7
-4.1
-1.8
-1.79
-1.75
-1.72
-1.67
0.90
0.26
0.20
1.18
0.17

SIMULACION:

Fig. 16 Simulacion forma de onda base comn

Diagrama Av dB

Fig. 18 Simulacion diagrama de fase colector comn

VI.

CONCLUCIONES

Las aproximaciones estndar de los parmetros

hbridos del transistor no son exactas, estos cambian
dependiendo del tipo de transistor. El amplificador a
emisor comn es un amplificador de tensin y de
corriente, adems la seal de salida tiene 180 grados
de desfasamiento con respecto al ingreso, y tiene
impedancia de ingreso y salida altos.
Al momento de hacer la prctica debemos tomar en
cuenta y usar la herramienta de simulacin la cual nos
ayudara en el diseo del circuito. Y en el momento de
la prctica los capacitores ponerlos ms altos de los
capacitores calculados.
The standard approximations hybrid transistor
parameters are not accurate, they change depending on
the type of transistor. The common emitter amplifier is
a voltage amplifier and current, the output signal also
has 180 degrees of phase shift with respect to income,
and has high impedance input and output.
At the time of practice we must take into account and
use the simulation tool which will help us in designing
the circuit. And at the time of putting practice
capacitors higher capacitors calculated.

Fig. 17 Simulacion diagrama de bode base comn

Diagrama fase:

VII.
BIBLIOGRAFIA
[1]http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecni
cas/electro_gen/t
[2] http://unicrom.com/transistor-bipolar-o-bjt-npnpnp/
[3]
http://electronica.ugr.es/~amroldan/asignaturas/curso0
304/cce/practicas/manuales/osciloscopio/terminos.htm

12
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VIII.

REFERENCIAS

[1]
Roberto L. Boylestad. Teoria de circuitos y
dispositivos electrnicos. Dcima edicin.