Rectificadores 3

TEMA 4 Convertidores alterna-continua
Leccin 9: Introduccin
Leccin 10: Rectificadores monofsicos
Leccin 11: Rectificadores trifsicos
TEMA 4 Convertidores alterna-continua

11.1 Introduccin
11.2 Rectificadores no controlados de media y doble onda
11.3 Asociacin de rectificadores no controlados
11.3.1 Asociacin serie
11.3.2 Asociacin paralelo
11.4 Rectificadores controlados
11.4.1 Circuitos de media onda
11.4.2 Semiconvertidor trifsico
11.4.3 Convertidor controlado
11.5 Convertidor trifsico dual (de cuatro cuadrantes)

11.1 Introduccin
Rectificacin trifsica
RECTIFICADORES
Controlados (tiristores)
No controlados (diodos)
Semicontrolados (mixtos)
CARGA DE CONTINUA:
Motores de continua
Hornos de induccin
Fundiciones
Proc. electrolticos
CONTINUA
ALTERNA
RED
TRIFSIC
A
INVERSOR NO
AUTNOMO
FUENTE DE CONTINUA:
Bateras
Generadores elicos
Paneles solares

11.1 Introduccin
Ventajas del rectificador trifsico frente al monofsico
Mayor potencia de salida.
Mayor tensin de salida.
Menor rizado de la tensin de salida.
Menores exigencias para el filtro de la tensin de salida.
Aplicaciones como corrector del factor de potencia.

11.1 Introduccin
Tensiones de fase
Sistema trifsico de tensiones

Fase R
Cronograma
Fase S
uR(t)
Fase T
uR(t)
uS(t)
uS(t)
uT(t)
uT(t)
Diagrama Fasorial
uT(t)
uS(t)
uR(t)
0
60 120 180 240 300 360

11.1 Introduccin
Tensiones de lnea

Fase R
Cronograma
uRS(t)
Fase S
uST(t)
Fase T
uTR(t) uR(t)
uRS(t)
uR(t)
uS(t)
uST(t)
uS(t)
uTR(t)
uT(t)
uT(t)
Diagrama Fasorial
uRS(t)
uT(t)
uTR(t)
uS(t)
uR(t)
uST(t)
60 120 180 240 300 360

11.1 Introduccin
Tensiones de fase
Cronograma
uR (t ) Umax sen (t )
uR(t)
uRS(t)
uST(t)
uTR(t)
uS (t ) Umax sen (t 120o )
uR(t)
uT (t ) Umax sen (t 120o )
uS(t)
uT(t)
Tensiones de lnea
uRS (t ) 3Umax sen (t 30 )
uST (t ) 3Umax sen (t 90 )
uTR (t ) 3Umax sen (t 210o )
60 120 180 240 300 360

Circuito de media onda,
carga resistiva
uR(t)
uR(t)
uS(t)
uS(t)
uT(t)
uT(t)
Necesita neutro.
La tensin en la carga es la mxima
de cualquiera de las de fase en cada
momento
uR(t)
30
uS(t)
uT(t)
90 150 210 270 330
60 120 180 240 300 360
uO(t)
RL

carga resistiva
Tensiones de fase
uR(t)
uR(t)
uS(t)
uS(t)
uT(t)
uT(t)

uR(t)
uS(t)
uT(t)
Tensin en la carga
30 t 150
uO (t ) uR (t ) Umax sen (t )
30
90 150 210 270 330
60 120 180 240 300 360
uO(t)
RL

carga resistiva
Tensiones de fase
uR(t)
uR(t)
uS(t)
uS(t)
uT(t)
uT(t)

uR(t)
uS(t)
uT(t)
Tensin en la carga
30 t 150
150 t 270
uO (t ) uS (t ) Umax sen (t 120 )
30
90 150 210 270 330
60 120 180 240 300 360
uO(t)
RL

carga resistiva
Tensiones de fase
uR(t)
uR(t)
uS(t)
uS(t)
uT(t)
uT(t)

uR(t)
uS(t)
uT(t)
Tensin en la carga
30 t 150
150 t 270

150 t 270
30
90 150 210 270 330
60 120 180 240 300 360
uO(t)
RL

Circuito de media onda, carga resistiva
uO(t)
uR(t)
Valor medio de tensin
UO
AVG
5
6
uS(t)
uT(t)
UM sen(t )d(t )
3
3 3
UM sen
UM 0.827UM
3
2

Valor eficaz de tensin
UO RMS
UM
3
2
3
2
5
6
UM sen 2 (t )d(t )
30
90 150 210 270 330
60 120 180 240 300 360
1
2
sen
0,841UM
3
2
3
Factor de forma
FF
UO RMS
UO DC
3
2
2
1
sen
3
3 2
3 3
2
Factor de rizado
1,017
r FF2 1 0,182

carga resistiva
uO(t)
uR(t)
uS(t)
uT(t)
Corriente instantnea
iO ( t )
iO(t)
uO ( t )
RL
Valor medio de corriente

En la carga
iO
AVG
UO
30
AVG
RL
U
3 3 UM
0.827 M 0
2 RL
RL
Por fase:
iD
AVG
UO
90 150 210 270 330
60 120 180 240 300 360
Valor eficaz de corriente

AVG
3RL
3 UM
2 RL
En la carga
iO RMS
Por fase:
UO RMS
RL
U
0.841 M
RL
iD RMS
UO RMS
3 RL

uO(t)

carga inductiva
uR(t)
uS(t)
uT(t)
iO(t)
Corriente instantnea
iO ( t )
UO
AVG
RL
Valor medio de corriente

En la carga
iO
AVG
UO
30
AVG
AVG
60 120 180 240 300 360
RL
Por fase:
iD
90 150 210 270 330
UO
Valor eficaz de corriente

AVG
3RL
En la carga
iO RMS
UO
Por fase:
AVG
RL
iD RMS
UO
AVG
3 RL

Circuito de media onda
Tensin soportada por los diodos
Tensin en D1
uRS(t)
uR(t)
D1
uO(t)
uO(t)
uS(t) D2
uR(t)
RL
uS(t)
uT(t)
uT(t)
D3
D1 cortado, D2 encendido, D3 cortado
150 t 270
uD1(t ) uR (t ) uS (t ) uRS (t )
30
0
90 150 210 270 330
60 120 180 240 300 360

uTR(t)
Tensin en D1
uRS(t)
uR(t)
D1
uO(t)
uO(t)
uS(t) D2
uR(t)
RL
uS(t)
uT(t)
uT(t)
D3
D1 cortado, D2 cortado, D3 encendido
270 t 390 30
uD1(t ) uR (t ) uT (t ) uTR (t )
30
0
90 150 210 270 330
60 120 180 240 300 360

Cadas de tensin no deseadas
Componentes no ideales:
1.- Cadas de tensin el nos diodos del rectificador (tensin de codo)
2.- Resistencia de los devanados del trasformador (prdidas en el cobre)
3.- Inductancia de dispersin (efecto ms significativo); depende de LD y de iD(t)
Si tenemos carga fuertemente inductiva y adems inductancias de dispersin:
uR(t) LD
D1
iR(t)
LD
D2
iS(t)
LD
D3
iT(t)
uS(t)
uT(t)
Transformador ideal
iO(t)=IO
uO(t)
LL
RL

Efecto de la inductancia de dispersin (carga inductiva)
Durante la conmutacin, D1 y
D2 conducen simultneamente
iR (t ) iS (t ) I
di ( t ) iS ( t )
uR ( t ) uS (t ) 2uO ( t ) LD R
dt
uR(t) LD
D1
iR(t)
LD
D2
iS(t)
LD
D3
iT(t)
uS(t)
uT(t)
Transformador ideal
uO ( t )
1
uR (t ) uS (t )
2
iO(t)=IO
uO(t)
LL
RL

Durante la conmutacin, D1 y
D2 conducen simultneamente
di ( t ) iS ( t )
uR ( t ) uS (t ) 2uO ( t ) LD R
dt
iR (t ) iS (t ) I
uO(t)
uR(t)
uS(t)
uT(t)
iO(t)
30
90 150 210 270 330
60 120 180 240 300 360
1
uR (t ) uS (t )
2
uO ( t )
1
uR (t ) uS (t )
2

Evolucin de las corrientes:
3 UM
iS ( t )
2LD
di ( t )
LD S
uS ( t ) u0 ( t )
dt
sen
dt
5
6
Ec. diferencial en la conmutacin:
diS ( t ) uS ( t ) uR ( t )
3 UM sen(t 150 )
dt
2LD
2LD
La conmutacin termina en el ngulo , cuando iS ( t ) IO
2LD IO
5
ar cos1
6
3UM
Valor medio de la cada de tensin, en funcin de

u0
3
2
uO(t)
5
6
u ( t ) uS ( t )
3
L D IO
uS ( t ) R
dt
2
2
iO(t)
1
uR (t ) uS (t )
2
uS(t)
uR(t)

Efecto neto sobre la tensin de salida::
UO
AVG
3
3
UM sen
L D IO
3 2
UO
3
UM sen
AVG
La tensin de salida DISMINUYE
uO(t)
3
pendiente L D
2
iO(t)
IO
1
uR (t ) uS (t )
2
uS(t)
uR(t)
uO(t)
D1
Circuito de doble onda.
D1
D3
D2
uS(t)
uS(t)
uT(t)
uT(t)
uST(t)
uTR(t)
uRS(t)
uS(t)
uT(t)
uR(t)
D3
uR(t)
uR(t)
D1
D2
Conexin
en estrella
D4
D5
D6
D1, D2, D3
En cada instante, conduce el diodo con
mayor tensin positiva en el nodo
D4, D5, D6
D6
D4
D5
30 90 150 210 270 330

0
60 120 180 240 300 360
D6
En cada instante, conduce el diodo con

mayor tensin negativa en el ctodo
RL
uO(t)

D1
D5
D1 D2
D6 D6
D2
D4
D3
D4
Conexin en estrella
D3 D1
D5 D5
D1
D2
D3
uR(t)
D1
D6
uS(t)
uT(t)
uST(t)
uTR(t)
uRS(t)
uS(t)
uT(t)
uR(t)
D4
D5
RL
D6
Intervalo D1-D5
30 t 90
En la carga aparece la tensin

uO (t ) uR (t ) uS (t ) uRS (t )
Que es una tensin de lnea, y por tanto

30 90 150 210 270 330
0
60 120 180 240 300 360
uO (t ) 3UMsent 30
uO(t)

D1
D5
D1 D2
D6 D6
D2
D4
D3
D4
Conexin en estrella
D3 D1
D5 D5
D1
D2
D3
uR(t)
D1
D6
uS(t)
uT(t)
uST(t)
uTR(t)
uRS(t)
uS(t)
uT(t)
uR(t)
D4
D5
RL
D6
Intervalo D1-D6
90 t 150

uO (t ) uR (t ) uT (t ) uTR (t )

30 90 150 210 270 330
0
60 120 180 240 300 360
uO (t ) 3UMsent 30
uO(t)

D1
D5
D1 D2
D6 D6
D2
D4
D3
D4
Conexin en estrella
D3 D1
D5 D5
D1
D2
D3
uR(t)
D1
D6
uS(t)
uT(t)
uST(t)
uTR(t)
uRS(t)
uS(t)
uT(t)
uR(t)
D4
D5
RL
D6
Intervalo D2-D6
150 t 210

uO (t ) uS (t ) uT (t ) uST (t )

30 90 150 210 270 330
0
60 120 180 240 300 360
uO (t ) 3UMsent 90
uO(t)

D1
D5
D1 D2
D6 D6
D2
D4
D3
D4
Conexin en estrella
D3 D1
D5 D5
uST(t)
uTR(t)
uRS(t)
uS(t)
uT(t)
uR(t)
D1
D2
D3
uR(t)
D1
D6
uS(t)
uT(t)
uO(t)
D4
D5
RL
D6
Seis diodos.
Mayor tensin media en la salida.

Menor rizado de tensin en la salida.
Frecuencia seis veces superior a la de red.
30 90 150 210 270 330

0
60 120 180 240 300 360

D1
D5
D1 D2
D6 D6
D2
D4
D3
D4
C. en estrella
D3 D1
D5 D5
uST(t)
uTR(t)
uRS(t)
uS(t)
uT(t)
uR(t)
D1
D6
Valor medio de tensin en la carga

90
90
3 3UM
3
uRS ()d
sen( 30o )d
30
30
UO AVG
uO(t) 3 3 U 1,653U
M
M
UM: amplitud de fase
Valor eficaz de tensin en la carga

90
UO RMS
3
3 9 3
2
uRS ()d UM
1,655UM
30
2 4
Factor de forma
FF
30 90 150 210 270 330

0
60 120 180 240 300 360
UO RMS
UO AVG
3 9 3
2 4
1,0008
3 3
UM
UM
Factor de rizado
r FF2 1 0,04

Circuito de doble onda, carga resistiva
D1
D5
D1 D2
D6 D6
D2
D4
D3
D4
D3 D1
D5 D5
Conexin en estrella
D1
D6
uO(t)
iO(t)
Valor medio de
corriente en la carga
IO
AVG
UO
AVG
RL
Valor eficaz de
IO RMS
30 90 150 210 270 330
0
60 120 180 240 300 360
UO RMS
RL
Valor medio de
corriente por diodo
IO
AVG
UO
AVG
3RL
Valor eficaz de
corriente por diodo
ID RMS
UO RMS
3 RL

Circuito de doble onda, carga resistiva
D1
D5
D1 D2
D6 D6
D2
D4
D3
D4
D3 D1
D5 D5
Conexin en estrella
D1
D6
uO(t)
iO(t)
Valor medio de
IO
AVG
UO
AVG
RL
Valor eficaz de
IO RMS
30 90 150 210 270 330
0
60 120 180 240 300 360
UO
AVG
RL
Valor medio de
corriente por diodo
IO
AVG
UO
AVG
3RL
Valor eficaz de
corriente por diodo
ID RMS
UO
AVG
3 RL
uO(t)

Circuito de doble onda, carga inductiva Conexin en estrella
D1 D1
D5
D2 D6 D2
D3
D4 D4
D6
D3
D5
D1
iR(t)
D1 D1
D5
D2
D3
uR(t)
D6
uS(t)
uO(t)
iO(t)
uT(t)
D4
D5
RL
D6
Forma de onda de corriente por fase

Por la fase R circula corriente siempre que
D1 o D4 estn conduciendo.
iR(t)

Conexin en estrella
Circuito de doble onda

Tensin en D1
D1
D2
uO(t)
uRS(t)
uO(t)
D3
uR(t)
uR(t)
uS(t)
uT(t)
uS(t)
uT(t)
RL
D1 cortado, D2 encendido, D3 cortado

150 t 270
uD1(t ) uR (t ) uS (t ) uRS (t )
30
0
90 150 210 270 330
60 120 180 240 300 360

Circuito de doble onda
D2
uTR(t)
Tensin en D1
D1
Conexin en estrella
uO(t)
uRS(t)
uO(t)
D3
uR(t)
uR(t)
uS(t)
uT(t)
uS(t)
uT(t)
RL
D1 cortado, D2 cortado, D3 encendido

270 t 390 30
uD1(t ) uR (t ) uT (t ) uTR (t )
30
0
90 150 210 270 330
60 120 180 240 300 360
uO(t)
D1
D2
D3

uR(t)
uS(t)
uS(t)
uT(t)
uT(t)
RL
uR(t)
uT(t)
uR(t)
uS(t)
Conexin
en tringulo
D4
D5
D6
Siempre conducen el par de diodos que

tenga la mayor tensin, medida entre el
nodo del diodo superior y el ctodo del
diodo inferior
-uT(t)
30 90 150 210 270 330

0
60 120 180 240 300 360
-uR(t)
-uS(t)
uO(t)

D1
D2
D3
Conexin en tringulo
uS(t)
uR(t)
D1
D5
+
uR(t)
uS(t)
uT(t)
RL
uT(t)
D4
D5
D6

diodo inferior.
Ejemplo: D1- D5
-uT(t)
-uR(t)
-uS(t)
uD1(t ) uO (t ) uD5 (t ) uS (t )
uO (t ) uS (t )
30 90 150 210 270 330

0
60 120 180 240 300 360
Para que D1 y D5 conduzcan uS(t) debe

ser la mayor tensin de todas.
uO(t)

D1
D2
D3
Conexin en tringulo
uS(t)
D1
D5
uR(t)
D1
D6
uR(t)
+
uS(t)
uT(t)
Conexin
en tringulo
uT(t)
D4
RL
D5
D6

diodo inferior.
Ejemplo: D1- D6
-uT(t)
-uR(t)
-uS(t)
uD1(t ) uO (t ) uD6 (t ) uR (t )
uO (t ) uR (t )
30 90 150 210 270 330

0
60 120 180 240 300 360
Para que D1 y D6 conduzcan uR(t) debe

uO(t)

D1
D2
D3
Conexin en tringulo
uS(t)
D1
D5
D1
D6
uR(t)
D2
D6
D2
D4
uS(t)
D3
D4
uR(t)
D3
D5
uT(t)
Conexin
en tringulo
uT(t)
D4
RL
D5
D6

diodo inferior.
Ejemplo: D1- D6
-uT(t)
-uR(t)
-uS(t)
uD1(t ) uO (t ) uD6 (t ) uR (t )
uO (t ) uR (t )
30 90 150 210 270 330

0
60 120 180 240 300 360

uO(t)

D1
D2
D3
Conexin en tringulo
uS(t)
D1
D5
D1
D6
uR(t)
D2
D6
D2
D4
uS(t)
D3
D4
uR(t)
D3
D5
uT(t)
Conexin
en tringulo
uT(t)
D4
RL
D5
D6

diodo inferior.
Ejemplo: D1- D6
-uT(t)
-uR(t)
-uS(t)
uD1(t ) uO (t ) uD6 (t ) uR (t )
uO (t ) uR (t )
30 90 150 210 270 330

0
60 120 180 240 300 360


iS(t)
iR(t)
D2
IO
D3
D1
L
uS(t)
uR(t)
Corriente por la fase R
uO(t)
IO
D1
Conexin en tringulo
D2
uO(t)
D3
iS(t)
iR(t)
uS(t)
uT(t)
RL
uR(t)
RL
+ uT(t)
D4
D5
D6
D1- D5
iR (t ) IO iS (t )
2iR (t ) iS (t )
D4
D5
D6
D1- D6
I
iR ( t ) O
3
iR (t ) IO iS (t )
iR (t ) 2iS (t )
iR ( t )
2IO
3

D1
D5
D1
D6
uR(t)
D2
D6
D2
D4
uS(t)
D3
D4
Conexin en tringulo
Corriente por la fase R
D3
D5
uO(t)
uT(t)
D1
D2
D3
uS(t)
uR(t)
+
-uT(t)
-uR(t)
-uS(t)
iR(t)
30 90 150 210 270 330

0
60 120 180 240 300 360
uT(t)
D4
RL
D5
D6

Utilidad de la asociacin de rectificadores
Disminuir el rizado de
la tensin de salida
Asociacin de rectificadores (de

onda completa), no controlados,
en tringulo y en estrella
Aumentar la
tensin de salida
Repartir la
corriente de
salida
Mejorar el
factor de
potencia

11.3.1 Conexin serie -
rt1uR(t)
rt1uS(t)
rt1uT(t)
uR(t)
uO1(t)
uO(t)
uT(t)
rt2uR(t)
uS(t)
uO2(t)
Aumentar la tensin de salida

Disminuir el rizado de la tensin de salida
Para ello debe cumplirse que el valor
medio de uO1 sea igual que el de uO2
3 3 rt1UM 3(rt 2 UM )
rt 2 3 rt1

11.3.1 Conexin serie -
uO1(t) Salida (estrella)
uO(t)
Salida (total)
uO2(t) Salida (tringulo)
El nivel de rizado disminuye

notablemente

11.3.2 Conexin paralelo -
uR(t)
rt1uR(t)
D1
rt1uS(t)
D2
rt1uT(t)
D3
uS(t)
rt1uR(t) D
4
uT(t)
rt1uS(t)
rt1uT(t)
iO1(t)
iO(t)
iO2(t)
uO(t)
D5
D6
Repartir la corriente de salida

Disminuir el rizado de la tensin de salida
Para ello deben estar los devanados
en oposicin de fase
Forma de onda equivalente al rectificador de

onda completa con salida en tringulo

11.3.2 Conexin paralelo -
rt1uR(t)
D1
D3
rt1uS(t)
D2
uT(t)
rt1uT(t)
D3
Sistema hexafsico
D5
D1
uR(t)
D6
D2
uS(t)
D4
iO1(t)
iO2(t)
rt1uR(t) D
4
rt1uS(t)
rt1uT(t)
30 90 150 210 270 330

0
60 120 180 240 300
El clculo de corrientes es complejo
iO(t)
uO(t)
D5
D6
Cada diodo conduce toda la corriente de

salida durante un sexto del periodo:
ID PK IO
ID AVG
IO
6

11.3.2 Conexin paralelo - con toma media.
Para igualar la corriente instantnea de los

dos rectificadores se emplea una bobina
ecualizadora.
uR(t)
uS(t)
uT(t)
La bobina:
Presenta alta inductancia.
Soporta la diferencia de tensin entre rectif.
D1
rt1uR(t)
iO1(t)
iO(t)
rt1uS(t)
D2
rt1uT(t)
D3
uO1(t)
iO2(t)
rt1uR(t) D
4
rt1uS(t)
rt1uT(t)
D5
uO(t)
uO2(t)
D6
uL (t ) uO1(t ) uO2 (t )
Efecto de la bobina sobre la tensin:
uO ( t ) uO1( t )
u ( t ) uO2 ( t ) uO1( t ) uO2 ( t )

uL ( t )
uO1( t ) O1
2
2
2
Semisuma de tensiones.

11.3.2 Conexin paralelo - con toma media.
D1
D2
D3
D1
rt1uR(t)
D1
iO1(t)
iO(t)
rt1uS(t)
D2
rt1uT(t)
D3
uO1(t)
iO2(t)
rt1uR(t) D
4
rt1uS(t)
D5
D6
D4
D5
D6
rt1uT(t)
D5
uO(t)
uO2(t)
D6
La tensin de salida de los rectificadores es

la suya caracterstica.
La tensin de salida es la media de ambas.
La tensin de la bobina es la diferencia entre
uO1(t) y uO2(t), y se puede considerar lineal
(rampas de color verde).
Pueden calcularse las corrientes

de forma sencilla, aplicando
Fourier.

11.4 Rectificadores trifsicos controlados
11.4.1 Circuito de media onda (carga inductiva)
uR(t)
uS(t)
uT(t)
uR(t)
iO(t)
uO
uS(t)
uT(t)
RL
uO(t)
Tres tiristores.
Tensin de salida variable. Depende de (ngulo de disparo).
Tensin positiva y negativa.
Potencia variable.
Funcionamiento en dos cuadrantes.
Entrada en conduccin
Pulso de corriente en
la puerta del tiristor
iO
Convertidor de
2 cuadrantes

uR(t) S
1
uS(t) S2
uT(t) S3
iGS1(t)
iGS2(t)
iO(t)
L
iGS3(t)
uR(t)
uS(t)
uT(t)
uO(t)
RL
El ngulo se mide a partir del cruce de

fases en el cronograma (=30).
iGS1(t)
El ngulo es el mismo para todas las

fases.
iGS2(t)
Solo sirven las frmulas para carga

inductiva.
iGS3(t)
30 90 150 210 270 330
0
60 120 180 240 300 360

uR(t) S
1
uS(t) S2
uT(t) S3
iGS1(t)
iGS2(t)
iO(t)
L
iGS3(t)
uR(t)
uS(t)
uT(t)
uO(t)
RL
30 t 150
iGS1(t)
iGS2(t)
iGS3(t)
30 90 150 210 270 330
0
60 120 180 240 300 360

uR(t) S
1
uS(t) S2
uT(t) S3
iGS1(t)
iO(t)
iGS2(t)
iGS3(t)
uR(t)
uS(t)
uT(t)
uO(t)
RL
30 t 150
iGS1(t)
150 t 270
iGS2(t)
iGS3(t)
30 90 150 210 270 330
0
60 120 180 240 300 360

uR(t) S
1
uS(t) S2
uT(t) S3
iGS1(t)
iGS2(t)
iO(t)
L
iGS3(t)
uR(t)
uS(t)
uT(t)
uO(t)
RL
Tensin de salida instantnea

30 t 150
150 t 270
270 t 30
uR ( t )
uO ( t ) uS ( t )
u ( t )
T
iGS1(t)
iGS2(t)
Valor medio del a tensin de salida

UO
AVG
3 3
UM cos
2
UM sen t dt
iGS3(t)
30 90 150 210 270 330
0
60 120 180 240 300 360

uR(t) S
1
uS(t) S2
uT(t) S3
iGS1(t)
iGS2(t)
iO(t)
L
iGS3(t)
uR(t)
uS(t)
uT(t)
uO(t)
RL
Valor eficaz de la tensin de salida

UO RMS
3 UM
3
2
UM sen 2 t dt
2
iGS1(t)
1
3
cos2
6 8
iGS2(t)
iGS3(t)
30 90 150 210 270 330
0
60 120 180 240 300 360

uR(t) S
1
uS(t) S2
uT(t) S3
iGS1(t)
iO(t)
iGS2(t)
iGS3(t)
uR(t)
uS(t)
uT(t)
uO(t)
RL
Corrientes por las fases

Si la carga es inductiva, circula
siempre corriente por la fase
cuyo tiristor est activado.
iGS1(t)
iGS2(t)
iGS3(t)
30 90 150 210 270 330
0
60 120 180 240 300 360

uR(t) S
1
uS(t) S2
uT(t) S3
iGS1(t)
iO(t)
iGS2(t)
iGS3(t)
uR(t)
uS(t)
uT(t)
uO(t)
RL
Distintos ngulos de disparo.

Si 0< 30
uO ( t ) 0
UO
AVG
pO ( t ) 0
PO
AVG
iO(t)
30 90 150 210 270 330

0
60 120 180 240 300 360

uR(t) S
1
uS(t) S2
uT(t) S3
iGS1(t)
iO(t)
iGS2(t)
iGS3(t)
uR(t)
uS(t)
uT(t)
uO(t)
RL

Si 0< 30
Si 30< 90
uO ( t ) 0
UO
AVG
pO ( t ) 0
PO
AVG
UO
AVG
0 PO
AVG
iO(t)
30 90 150 210 270 330

0
60 120 180 240 300 360

uR(t) S
1
uS(t) S2
uT(t) S3
iGS1(t)
iO(t)
iGS2(t)
iGS3(t)
uR(t)
uS(t)
uT(t)
uO(t)
RL

Si 0< 30
uO ( t ) 0
UO
AVG
pO ( t ) 0
PO
AVG
Si 30< 90
UO
AVG
0 PO
AVG
Si =90
UO
AVG
0 PO
AVG
iO(t)
30 90 150 210 270 330

0
60 120 180 240 300 360

uR(t) S
1
uS(t) S2
uT(t) S3
iGS1(t)
uR(t)
uS(t)
uT(t)
iO(t)
iGS2(t)
iGS3(t)
uO(t)
RL

Si 0< 30
uO ( t ) 0
UO
AVG
pO ( t ) 0
PO
AVG
Si 30< 90
UO
AVG
0 PO
AVG
Si =90
UO
AVG
0 PO
AVG
Si 90< 150
UO
AVG
0 PO
AVG
iO(t)
30 90 150 210 270 330

0
60 120 180 240 300 360

uR(t) S
1
uS(t) S2
uT(t) S3
iGS1(t)
iO(t)
iGS2(t)
iGS3(t)
uR(t)
uS(t)
uT(t)
uO(t)
RL

Si 0< 30
uO ( t ) 0
UO
AVG
pO ( t ) 0
PO
AVG
Si 30< 90
UO
AVG
0 PO
AVG
Si =90
UO
AVG
0 PO
AVG
Si 90< 150
UO
AVG
0 PO
AVG
iO(t)
30 90 150 210 270 330

0
60 120 180 240 300 360
Si >150
uO ( t ) 0
UO
AVG
pO ( t ) 0
PO
AVG

11.4.1 Circuito de media onda (carga resistiva)
uR(t) S
1
uS(t) S2
uT(t) S3
iGS1(t)
iGS2(t)
uR(t)
uS(t)
uT(t)
uO(t)
RL
iGS3(t)
uO ( t ) 0
UO
AVG
pO ( t ) 0
PO
AVG
Valor medio de la tensin de salida

UO
AVG
3 3
UM cos
2
iO(t)
Las frmulas dependen del ngulo de

disparo.
Si 0< 30
UM sen t dt
iO(t)
30 90 150 210 270 330

0
60 120 180 240 300 360

11.4.1 Circuito de media onda (carga resistiva)
uR(t) S
1
uS(t) S2
uT(t) S3
iGS1(t)
iO(t)
uR(t)
iGS2(t) D3
uT(t)
uO(t)
RL
iGS3(t)
uS(t)
Las frmulas dependen del ngulo de

disparo
Si >30
uO ( t ) 0
UO
AVG
pO ( t ) 0
PO
AVG

UO
AVG
UM sen t dt
3
UM 1 cos 30
2
iO(t)
30 90 150 210 270 330

0
60 120 180 240 300 360

11.4.1 Circuito de media onda (carga inductiva con diodo de libre circulacin)
iGS1(t)
uR(t) S
iO(t)
uO(t)
1
uS(t) S2
uT(t) S3
iGS2(t)
DLIBRE
uR(t)
uS(t)
uT(t)
iGS3(t)
RL
Si la tensin por la carga intenta hacerse

negativa, el diodo DLIBRE conduce.
Si >30
uO ( t ) 0
UO
AVG
pO ( t ) 0
PO
AVG

UO
AVG
UM sen t dt
3
UM 1 cos 30
2
iO(t)
30 90 150 210 270 330

0
60 120 180 240 300 360

11.4.1 Circuito de media onda (carga inductiva con diodo de libre circulacin)
iGS1(t)
uR(t) S
iO(t)
uO(t)
1
uS(t) S2
uT(t) S3
iGS2(t)
DLIBRE
uR(t)
uS(t)
uT(t)
iGS3(t)
RL
Si la tensin por la carga intenta hacerse

negativa, el diodo DLIBRE conduce.
Si >30
uO ( t ) 0
UO
AVG
pO ( t ) 0
PO
AVG

UO
AVG
UM sen t dt
3
UM 1 cos 30
2
iO(t)
30 90 150 210 270 330

0
60 120 180 240 300 360

11.4.1 Circuito de media onda
3 3
UM
2
UO<AVG>
Carga resistiva (o inductiva con
diodo de libre circulacin)
Carga inductiva
3 3
UM
2
Si UO<AVG>>0: rectificador
0
30 60
90 120 150 180
Si UO<AVG><0: inversor

uO(t)
11.4.2 Circuito de onda completa semicontrolado (carga inductiva)

Tres tiristores y tres diodos
Tensin de salida variable. Depende
de (ngulo de disparo).
Potencia variable.
Funcionamiento en un cuadrante.
uR(t)
S1
S2
S3
iO(t)
L
uS(t)
uT(t)
RL
D1
Pulso de corriente en la puerta del tiristor
D2
uO
Expresin de la tensin de salida
uO (t ) uRMO controlado (t ) uRMO no controlado (t)
uO (t ) uRMO controlado (t ) uRMO no controlado (t)

UO
AVG
3 3
3 3
3 3
UM cos
UM
UM 1 cos
2
2
2
D3
Convertidor de
1 cuadrante
iO

uO(t)
uR(t)
S1
S2
S3
iO(t)
L
uS(t)
uT(t)
RL
D1
D2
D3

Si 0< 60
uO ( t ) 0
UO
AVG
pO ( t ) 0
PO
AVG
0
30
0
90 150 210 270 330
60 120 180 240 300 360

Si 0< 60

UO
AVG
90
30
URS ()d
UTR ()d
90
150
3 3
UM 1 cos( )
2

3
2
URS ()d
2 30
90
UO RMS
3 UM
150
90
3 2
3 cos2 ( )
4 3
2
TR
()d
30
0
90 150 210 270 330
60 120 180 240 300 360

uO(t)
uR(t)
S1
S2
S3
iO(t)
L
uS(t)
uT(t)
RL
D1
D2
D3

Si 0< 60
Si 60< 180
uO ( t ) 0
UO
AVG
pO ( t ) 0
PO
AVG
uO ( t ) 0
UO
AVG
AVG
pO ( t ) 0
PO
30
0
90 150 210 270 330
60 120 180 240 300 360

Si 60< 180

UO
AVG
UTR ()d
30
90
3 3
UM 1 cos( )
2

UO RMS
120
3
2
UTR ()d
2 30
3 UM
3
1
sen(2 )
4
2
30
0
90 150 210 270 330
60 120 180 240 300 360

3 3
UM
UO<AVG>
Carga inductiva
0
0
30 60
90 120 150 180

uO(t)
11.4.3 Circuito de onda completa controlado (carga inductiva)

Seis tiristores
Tensin de salida variable. Depende
de (ngulo de disparo igual para
todos los tiristores).
Tensin media positiva o negativa
Potencia variable.
Funcionamiento en dos cuadrante.
uR(t)
S1
S2
S3
iO(t)
L
uS(t)
uT(t)
RL
S4
S5
S6
Pulso de corriente en la puerta del tiristor
uO
Expresin de la tensin de salida
uO (t ) 2uRMO controlado (t )
UO
AVG
3 3
UM cos
Convertidor de
2 cuadrantes
iO

11.4.3 Circuito de onda completa controlado
(carga inductiva)
Si 0< 90
uO(t)
uR(t)
S1
S2
S3
iO(t)
uS(t)
uT(t)
RL
S4
S5
S6

(carga inductiva)
Si 0< 90
uO(t)
uR(t)
S1
S2
S3
iO(t)
uS(t)
uT(t)
RL
S4
S5
S6

(carga inductiva)
Si 0< 90
uO(t)
uR(t)
S1
S2
S3
iO(t)
uS(t)
uT(t)
RL
S4
S5
S6

(carga inductiva)
Si 90< 180
uO(t)
uR(t)
S1
S2
S3
iO(t)
uS(t)
uT(t)
RL
S4
S5
S6

UO
AVG
URS ()d
30
90
3 3
UM cos( )

UO RMS
3 UM
90
3
2
URS ()d
30
1 3 3
cos2
2
4
uO(t)
uR(t)
S1
S2
S3
iO(t)
L
uS(t)
uT(t)
RL
S4
S5
S6

3 3
UM
UO<AVG>
Si UO<AVG>>0: rectificador
Si UO<AVG><0: inversor
3 3
UM
30 60
90 120 150 180

11.5 Rectificadores trifsicos de cuatro cuadrantes (dual)
Todos los tiristores disparan con el mismo ngulo
uS
iS
Convertidor de
4 cuadrantes
Funcionamiento en los cuatro cuadrantes.

Alimentacin de motores de continua a velocidad variable.
Funcionan de forma simultanea los dos convertidores.
Necesita una bobina limitadora de corriente, LR.
Similar al monofsico.
Suponemos iS continua

Problema 1
En el circuito de la figura, obtener las formas uR(t)
de onda de la tensin y corriente en la
carga, tensin y corriente en el tiristor S1, la
corriente por la fase R del primario para los
casos =30 y =120.
uS(t)
Si la cada de tensin en conduccin en
cada tiristor se admite 1,1V Qu potencia
disipa cada uno de ellos despreciando las
prdidas de conmutacin?.
Cul es el rendimiento aproximado del
uT(t)
rectificador?.
Cunto vale el valor medio de la tensin
de salida en ambos casos? y el rizado?.
Si la tensin de entrada baja un 10%
respecto del valor nominal indicado en la
figura, Cunto vale el nuevo ngulo de
disparo para mantener el valor de la tensin
que tenamos con =30?.
neutro
S1
S2
S3
RL

Problema 2
El rectificador trifsico semicontrolado
de la figura est alimentado por un
sistema trifsico de tensiones de 50Hz y
220Vrms de tensin de fase.
Supngase que durante el
funcionamiento del rectificador, se
estropea el tiristor S2, que pasa a
comportarse como un circuito abierto
perfecto:
Representar las formas de onda que
tendran la tensin uO(t) y las corrientes
iS1(t) e iS2(t) en estas condiciones, para
un ngulo de disparo de 60.
Calcular las expresin del valor medio
de la tensin de salida uO(t) en este
caso.
NOTA: considerar que el valor de la
inductancia es suficientemente grande
para suponer iO(t)=cte.
uR(t)
S1
S2
S3
iO(t)
uO(t)
uS(t)
L=100mH
uT(t)
RL=15
D1
D2
D3

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TEMA 4 Convertidores alterna-continua

TEMA 4 Convertidores alterna-continua

Leccin 11: Rectificadores trifsicos

Leccin 11: Rectificadores trifsicos

Leccin 11: Rectificadores trifsicos

Sistema trifsico de tensiones

60 120 180 240 300 360

Leccin 11: Rectificadores trifsicos

Sistema trifsico de tensiones

60 120 180 240 300 360

Leccin 11: Rectificadores trifsicos

uS (t ) Umax sen (t 120o )

uT (t ) Umax sen (t 120o )

60 120 180 240 300 360

Leccin 11: Rectificadores trifsicos

90 150 210 270 330

60 120 180 240 300 360

Leccin 11: Rectificadores trifsicos

uS (t ) Umax sen (t 120o )

90 150 210 270 330

60 120 180 240 300 360

Leccin 11: Rectificadores trifsicos

uS (t ) Umax sen (t 120o )

uO (t ) uS (t ) Umax sen (t 120 )

90 150 210 270 330

60 120 180 240 300 360

Leccin 11: Rectificadores trifsicos

uS (t ) Umax sen (t 120o )

uO (t ) uS (t ) Umax sen (t 120 )

uO (t ) uS (t ) Umax sen (t 120 )

90 150 210 270 330

60 120 180 240 300 360

Leccin 11: Rectificadores trifsicos

Valor medio de tensin

90 150 210 270 330

60 120 180 240 300 360

Leccin 11: Rectificadores trifsicos

Valor medio de corriente

90 150 210 270 330

60 120 180 240 300 360

Valor eficaz de corriente

Leccin 11: Rectificadores trifsicos

Circuito de media onda,

Valor medio de corriente

60 120 180 240 300 360

90 150 210 270 330

Valor eficaz de corriente

Leccin 11: Rectificadores trifsicos

Tensin soportada por los diodos

90 150 210 270 330

60 120 180 240 300 360

Leccin 11: Rectificadores trifsicos

Tensin soportada por los diodos

90 150 210 270 330

60 120 180 240 300 360

Leccin 11: Rectificadores trifsicos

Cadas de tensin no deseadas

Leccin 11: Rectificadores trifsicos

Efecto de la inductancia de dispersin (carga inductiva)

Leccin 11: Rectificadores trifsicos

Efecto de la inductancia de dispersin (carga inductiva)

90 150 210 270 330

60 120 180 240 300 360

Leccin 11: Rectificadores trifsicos