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Formulario Basico Elec y Electr
Formulario Basico Elec y Electr
EOUIVALENCIAS
S I M B O L Oi F O R M U L A S
M A G N I T U D/ U f ' l r D A D
l n t e n s r d a dd e c o r n e n t e
AMPERiO
C a n t i d a od e e l e c t r i c i d a d
CULOMBIO
V o l t a 1 eF u e r z a e l e c t r o m o t r i z
VOLTIO
Re s i s t e n c r a
OHMIO
Capaodad
FARADIO
Conductancia
SIEMENS
F l u j od e i n d u c c i nm a g n t r c a
WEBER
l n d u c c i nm a g n t i c a
TESLA
Inductancia
HENRIO
Densidadde corriente
A M P E R I OP O R M E T R O '
I n t e n s i d a dd e c a m p o e l c t r i c o
V O L T I OP O R M E T R O
Intensrdade campomagntico
A M P E R I OP O R M E T B O
Cargavolmica
C U L O M B I OP O R M E T R O 3
Desplazamientoelctrco
C U L O M B I OP O R M E T R O '
Permitividad
FARADIO POR METRO
Permeabilidad
H E N R I OP O R M E T R O
Energa- Trabajo- Cantidadde calor
JULIO
Potencia
VATIO
Frecuencia
HERCIO
1 f r a n k l r n /=s 3 , 3 3 5 6. 1 0 ' A
1 o r o t= l 0 A
A
A=V/9;=W//
\.
C= s ' A
1 f n i d a do e c a r g ad e l e l e c t r n= 1, 6 0 2 . 1 0 ' C
V=WA,V=AQ
1 Amperio/pulgadacuadrada= 15504,/m:
1 Voltio/mrl= 39370 V/m
V/m
'l
Ailm
Oersted = 79,5775Nm
C/m3
C/m2
Flm
= 1,2566.10" H/m
1 Gauss/Oersted
H/m
l k i l o g r m e t=r 9o , 8 1J
l e r g i o= 1 0 7 J
1 pie- librafuerza= 1,356J 1 calora= 4,185J
-hora= 3,6. 1Cl6
J
1 kilovatio
1 terma= 106cal
= 1,6022.10-1s
1 electrovoltio
J
t hp = 745,70W
1 CV = 735,75W
1 Btu/hora= 0.293W
W
W=Jis
Hz
s-1
Ley de Ohm:
Aluminio
0,028
Carbn
35,00
Constantn 0.50
Cobre
0.0172
Hierro
0,10
Latn
0,07
Manganina
0,46
Mercurio
0,94
Nicrom
Plata
Plomo
Wolframio
Cinc
Niquelina
Platino
Estao
1,12
0,016
0,21
0,053
0,057
0,44
0.109
0,130
Maillechort
Nquel
Oro
Cadmio
Magnesio
Ferronquel
0,40
0,123
0,022
0,100
0,043
0,0860
Ambar
Azufre
Baquelita
Cuarzo
Ebonita
Madera
Mica
Vidrio
5 ' 1020
102'
2 . 1gt:- 2 .1gzo
75 .1gzz
10'e- 10' 5
- 1017
1014
- 1021
1017
' 1020
10'6-
Conductanciade un conductor:
l ,f r e o a t e r i ao
d u e u n c o n d u c t o rd, e d e t e r m i n a dm
M i d el af a c i l i d a q
de la resistencia.
ce al pasode la corriente.Es la^inversa
oC:
Siendo Rola resistenciaa 0 "C y R la resistenciaa t
G = 9 .,
R = R o . ( 1+ c . t )
a = coeficiente de temoeratura del conductor {'Ct} (ver tabla}
(inversa-Oe
la resistividad)
g = 1/p= conductividaO
(.CJ)
DETEMPERATURA
COEFICIENTES
0,0039
0,0005
0,000002
0,00393
Aluminio
Carbn
Constantn
Cobre
Hierro
Latn
Manganina
Mercurio
Micron
Plata
Plomo
Wolframio
0,005
0,002
0,000
0,00088
0,0003
0,0038
0,0043
0.0045
Niquelina
Maillechort
Oro
Nquel
0,00020
0,00360
0,00367
0,00618
Ley de Joule:
I al cabode un tiempot
en unaresistencia
R,porlaquepasaunaintensidad
Determina
el calordisipado
R en ohmiosy t en segundos
O en julios,con I en amperios,
O=l' .R.t
Resistenciaequivalentede resistenciasconectadasen
paralelo:
Resistenciaeqivalentede resistenciasconectadasen
serre:
----.-F
R,
R
"z
R=Rr+R,+ +Rn
---t
1
R,
1
+
R.
R2
1
1
+...+
R-
P s e m i d e e n v a t i o s ,c o n U e n v o i t i o s ,I e n a m p e r i o sy F e n o h m r o s
Le'de Coulomb:
E x p r e s al a f u e r z ad e s a r r o i i a deai r l r c d o s c a r q a se i e c i . . o s O I r O 2 , s e p a r a d a su n a d t s t a n c r ad
o .'J
F =
4.t.d
| = p e r n r r t r v r d adde l n r e d r o .E n e l v a c or = 3 , 8 5 1 C C / l l - ( r - - r ' . r ' ) = p e r m i t i v i d a dr e l a t r v a{ v e rt a b l a )
F s e r t d e e n n e w l o n s ,c o n O y O e n c l l l o r l b r o s' i a . : r r r i e l r o s
L a s c a r g a sp u e d e ns e r p o s r t r v a os n e g a t r v a sr . a , g e sr ) e n ^ s n r o s r g n os e ' e p e e n . c a r g a sd e s i g ' o s c a ' t ' r , o ss e a t r a e '
V:c,c
Az,lire
Eboita
H r e l o( a - 5 a C )
R e sn a
P a c . )d e a b e i o
P a p e ld e s e d a
P a p e lp a r a f i n a d o
P a p e ls e c o
Cera
C a u c h od u r o
C a u c h ov u l c a n r z a d o
I
4
2,5a 3,5
2,9
2,5
2,1
2
3,6
3.5
1, 8 5
2,8
2,7 a 2,95
3 8
I
I a9
4,2
4.5
81.0
1,6
2,5
5,8
1, 9 a 2 , 3
28,4
54,6
Mrca
V r d r r of r n o
Vrdrro rdrnarro
C r i s t a cl o m n
Cuarzo
Agua
Nylon
Polietileno
Baquelita
P a r arfn a
A l c o h o le t l i c o( O q C )
A l c o h o le t l i c o( - 1 2 O a C )
A , ' ; o b o el i l r ; o ( c o g e l a d o ) 2 , 1
Ssnceno
2,3
G tc e r r n a
56,0
Petrleo
2
Arqu'trn
1,8
Cermrca
5,5
lvladera
2,5 a B
llrmol
B
Celuloide
4
A r h d r ' r d coa r b n r c o
1, 0 0 0 9 8 5
V a p o rd e a g u a ( 4 a t m )
1,00705
A,re
1,00059
Capacidadde un condensador:
Es el cociente entre la carga de sus placas(O) y la diferenciade potenciaiexistente entre ellas (U)
C= U
C s e m i d ee n f a r a d i o sc,o nO e n c u l o m b i oys U e n v o l t i o s .
IHHH:F
cl c2 c3 c4
1-+ 1
-=
cr
cl
1
c2
.{.,1..1..1 cil
cn
TTTT I
1
1
1
+-+--.+c3
c4
cn
Cr = Cl + Cr+ C. + Co+--+Cn
W - -
:z
1
o U 2 o C - -
. O . U
Flujo magntico:
La intensidad
de campomagnticoen un puntovienemedidapor la
fuerzaque se eercesobre la unidadde masa magnticapositiva
situadaen ese punto.Se representacon la letra H y se mide en
Amperios- vueltapor metro
Induccin magntica:
Es la densidadde flujo,es decir,es el flujopor unidadde superficie.
Se mide en Teslas(T] cuandoel flujo se expresaen webersy la
seccinen m2.
l-=L,+Lr+Lr+...+L^
q
B = S
Permeabilidad
magntica:
1
L"
B
,=
material,
sinoque varacon
F no es constanteparaun determinado
la induccin(curvasde Pistoye).
En el vaco:Vo=4n. l0t henrios/m.
relativa
de un materiales $, = p/Fo
La permeabilidad
o
t
y t en segundos.
I se mideen amperios,
con O en culombios
con L en h e n r i o s y R e n o h m i o s
t se mideen segundos,
Densidadde corriente:
R
.\- _
S
t se mide en segundos,con R en ohmios y C en faradios
de una corrientealtcrna:
Tensine intensidadinstantneas
s ^ r m odse t e n s j en i n t e n s i d aIda, f r e U . ,e l . l c sv a l o r em
Siendo
c u e n c dae l ac c r . ' e n t ye t e l t t e m p o :
- = U . , .s e n2 r . f . t
r=1,'Sr\2t'f't.-ql
q , e s e l d e s f a s ee n t r e t e n s r ne r n t e n s r d a d .
Angulo de desfasevoltaje-intensidad:
T e n s i n c i n t e n s i d a dc f i c a c e s :
I
t -
t t _
1
, a
U . . e 1 . .s o n t e n s l o n e se i n t e n s r d a d ems x r m a s
2t.' .L
2 t ___
.f.C arc
q = arc. tg ____
R
X _Xrv
Tensine intensidadmedias:
S e r e f i e r e na u n s e m r c i c l o
2.1
2'U'.'
Reactanciacapacitiva:
1
Xc= 2n.f.C
Es la potenciamediasuministrada
a un dispositivo,
sometidoa una
l, siendiferencia
de tensineficazU, porel que pasaunaintensidad
do g el ngulode desfasetensin-intensidad.
P=U.l.cose
Reactanciainductiva:
O=U.l.senco
O en VAr,U en voltiose I en amperios
u = U" sen2.f.t
U
Potenciaaparente monofsica:
=U l
S en VA.
Tensinporfase
Tensin
entreconductores
Corrienteen la fase
Corrienteen el conductor
Potenciaaoarente
Potenciaactiva
Potenciareactva
Factorde potencia
%u:
U:
/ru'
t:
S:
P.
lJ.u
o:
cos ?:
"str -
U
_.-_
fJ
/ -- /ao
lSl= VA
s={T.u.l
s=,rP'Toz
P= { T . U l - c o s q
tfl=w
[O] = VAr
Tensinporfase
Tensinentreconductores
Corriente
en lafase
en el conductor
Corriente
Potenciaaparente
Potenciaactiva
reactiva
Potencia
Factorde potencia
U^:
U:
(,,,
t:
S:
P.
u'.
cosE:
r= {s tu
s =r F . u . /
lS] = VA
S = r-p4foz
p={ l u .t . c o s p
tfl=W
O=-rc.U.l.senq
tOl = VAr
Potenciaactivaen el circuito
en estrella
Potenciaactivaen el circuito
en tringulo
Pr:
P,:
Circuitos trifsicosperturbados:
Circuitoen
Circuitoen estrella
Fallo
Fallo
oe un con- de dos faductor ex- S E S
terior
2
3
s i nN
D -
"
1
D
D ,
'
-----l
^\.'
//
v
/ -- \ l
sinN
con N
1
P
P =
I
D
D _
D _
-Ihi
1
D -
p - _ P
P . P o t e n c iean c a s od e f a l l o ;P . P o I e r l , : ao r i g r n aslr n lc ; N . n e , : t r o
sAr,rD
o __\yrn
I e n h e r c r o sc, o n L e n h e n r o s y C e n f a r a d i o s
10
' =
1
t . l (
F r e c u e n c i ad e c o r t e d e u n f i l f r o p a s a b a n d a :
F l f r l t r op a s aa l t o p e r m r t ee l p a s or J e a s f r e c u e n c r as u p e r l o r e sa l a d e
c o r l e V e l r m r n ai a s r n e ; ' r o r e s
C
C
l:rrraroa
| !
sLDA
' - - r [, t
L a f r e c u e n c r ad e l a b a n d ao
' a s a n t ee s . f =
f e n h e r c i o s ,c o n L e n h e n r i o sy C e n f a r a d i o s .
)-. | ,-
- , ,
L . -
X = reactancia
de la bobina(Al; R = resistencia
de la bobina(Q)
X
F
La frecuenciacentralde la bandaeliminadaes.
f
'
1
=---=:
2/LC
La anchurade bandaeliminadadependedel factor de calidad(O)del filtro, que mide su agudezaen la seleccinde una frecuenciadeterminada (a mayor calidad,menor anchurade banda que acompaaa la frecuenciaseleccionada).
fc
anchurade banda = -
+
'" -_
z.'fl.c
2e cifra
3acifra*
Multiplicador
0
1
0
'I
100
10'
102
103
'r00
'105
1ecifra
o
1
8
o
I
:
106
10'
108
10e
10{
10'
*
Tolerancia*
+1o/o
+2o/o
x5V:o
+10Vo
+10o/o
+5o/o
** Sin indicacint207o
* Segnla seriede resistencia,statenedos o tres cifras.
Ejemplos:
concoloresrojo,violeta,amarilloy
Unaresistencia
oro (en este orden),vale:
R=270000+57o
con coloresamarillo,marrn,verde,platay
Una resistencia
rojovale:
R=4,5+2Vo
11
FRANJA
Indicacin
1' cifra
2ecitra
Multiplcador
Negro
Marrn
Rojo
Naranja
Amarillo
Verde
Azul
Violeta
Gris
Blanco
0
1
2
1
10
100
'r000
4
5
8
9
tt
1
I
10000
100000
1000000
0,001
0,01
0,'r
de
Coeficiente
temperatura
Tolerancia
C>10PF
C>10pF
2OVo
1Vo
2/o
3Vo
TC
0
-33.106
-1 00.106
-1 20.10-.
-220.104
-330.10-6
-470.10j
-750.10
2Vo
0,1vo
0,25Vo
5o/o
0,570
10%
1o/o
Otros
250
400
100
630
Indicador
direccional
de lectura
Y MICA
DE PAPEL
CONDENSADORES
B
A_
B_
D-
T -
TC
C o n d e n s a d od
r e mrca
C d i g oA m e r r c a n oo l n g l s
12
350
10
1,6
4
40
6,3
to
25
2,5
A
B
D
Tensinde trabajo
Tntalo
Mica
Diodos:
Esquema
Valores caracterstrcos
Aplicaciones
Diodo
Diodos de silicio:
Diodos de silicio:
= 0 . 6V . . . 0 , V
8
=30v..3,5kv
= 1 5 0m A . . 7 5 0A
= 0 , 5m A . . . 5 0m A
=-40"C. +150"C
"ro
A
K
---> f'rl
vl
lF
-----+
Diodo Z
r'l
Efectoestabilizador
al trabajaren
^
^^^^
td vvo
+#j
t1uz
!^
uY
^^.-^-^
vot I Yt o .
u z = 1 , 8v . . . 2 0v0
P,",< 50W
q < 150"c
Para U.< 5,1 V, coeficiente de
temperaturanegativo y para U,
> 5,1 V, coeficientede temperatura positivo
Diodo
Schottky
(esquemano
normalizado)
Tiemposde conmutacin
<1ns
< 300 mV
Uro
=70
V
4"
!#
IF
lr
/R
q,
Estabrlizacin
o limitacinde tensionescontinuas
Conexinen contrafasede diodosZ y diodos normales
formandodiodosde referenciacon una dependencra
muy reducidarespectoa la temperatura
DiodosTAZ (TransientAbsorptionZenerl,paraproteger
contraountasde tensindemasiadoelevadas
<80 A
< 200 nA
. 125'C
= -5"C..+
Aplicacin,valorescaractersticos
Tiristorde puertaP
Rectificador
de corrientehastapotenciasmximas.
'100
V ...4.000V, corrientessegn construccin
Desde
por
hastamx. 1.000A en tiristoresde disco,refrigerados
agua.
Tiristor desconectable
(GTO.Gateturn off)
Posicionador
de corrientecontinuahastaunagamade
potenciasmedias.
Tensin< 1.200V
Corrientes 400 A
y contactores
Controlesde cortede fase.relselectrnicos
en la gamade pequeasy medianaspotencias.
Tensioneshasta1.200V. corrienteshastaaprox.300 A.
13
bipolares:
Transistores
TransistorNPN
'E
TransistorPNP
=l^+l^
I u^^
'"'u-.
,+
l.
P
'
p
'
tot
tot
=Ucetla+Urr.l,
-uce'lc
1,,,
ll.
1'.
U..
Ft --
Ucc
---O
I'c
B+ -''-'
lB
lu^-
l-r
l-r.,
l8
:2
(V);l, = intensidad
de base(A)
Ucc= Tensinde alimentacin
H
SALIDA
'c
p=I
de colector(A)
ls= corriente
de base(A);lc= corriente
Rt=
lc
Ucc= Tensinde alimentacin(V);U., = tensincolector-emisor(V);
l^ = intensidadde colector(A)
U..- u.,
U^
' R -
R.
-s
i l
); = reU . = t e n s i n d e s a l i d a NU) ;, = t e n s r nc o l e c t o r - e m i s o r ( VR
s i s t e n c rd
a e c o l e c t o r( Q ) .
lc
t
It
l i = Q a n a n c rdae l i r a n s s t o r
(iananciacn decitlelios
de un transistor:
A = 10.tog
P
P
=20.tog
il
= 20.1o9
I
i
I ' y P , - p o t e n o a s c j es a L r d a y e r r t r a(dW
a i ,U , y U = t e r s r o n e s o ee n t r a
o a y s a l i d a( V ) , 1e | = c o r r e n t e sd e e n l r a d ay s a d a ( l ^ )
14
l r -
2i2fc
| - c o r r i e n t ed e s a l l d ad e l c r r c u r t o( A ) | = U l R , f - f t e c r e n c r ad e a
c o r r r e n t e( H z ) ;C = c a p a c i d a dd e l c o n d e n s a c j o( rf a r a d r o s )
'fcnsin
'Iensin
de salidade un rcctificadorde onda complcta:
2V
t
U = tensinde salidamediaV); U
= tensinde salidamxrma(V)
para mantenimiento
Comprobaciones
Tiristor
Diodo
U n p o l m e t r oe n l a p o s i c i nd e Q , c o n s t ad e u n a p i l ae n s e r i ec o n u n a
resistencia.Colocandola borna positivadel polmetroen el nodo y la
a la
negativaen el ctodo,nos marcarpoca resistenciay al polarizarlo
inversa,marcaro.
Triac
Transistor
R.,
{ o
d siempreo, quieredecir
esta operacn
En casode que realizando
que el colectorest mal supuesto,tomandoel otro termnalcomo
colectory repitiendola operacins debede darcorrectamente.
o l l
Yry/
LADO
PATILLAS
15