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CARRIN
FACULTAD DE INGENIERA
ESCUELA DE FORMACIN PROFESIONAL
DE METALURGIA
-Estructuras cermicas.
-Estructuras polimricas.
-Estructuras semiconductoras.
CURSO:
Metalurgia Fsica I
DOCENTE:
Ing. PALOMINO ISIDRO, Rubn Edgar
ALUMNO:
LANDA QUILCA, Lean
SEMESTRE:
VIII
07 de octubre de 2014
PASCO-PERU
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DEDICATORIA
Dedico con mucho amor a mis padres
Y hermanos quienes depositan su apoyo
Y confianza.
AGRADECIMIENTO
Agradezco a mis padres por los momentos ms
Difciles que permanecieron en m,
A todos los maestros de una u otra manera
Hacen posible la enseanza.
INTRODUCCIN
Estructura es la disposicin y orden de las partes dentro de un todo. Tambin puede
entenderse como un sistema de conceptos coherentes enlazados, cuyo objetivo es
precisar la esencia del objeto de estudio, es la distribucin de las partes de un cuerpo,
aunque tambin puede usarse en sentido abstracto. El concepto, que procede del
latn estructura, hace mencin a la disposicin y el orden de las partes dentro de
un todo.
A partir de esta definicin, la nocin de estructura tiene innumerables aplicaciones.
Puede tratarse de la distribucin y el orden de las partes principales, en particular,
puede referirse a:
-Estructuras qumicas.
-estructura de categora.
-estructura de musical.
-estructura de ciencias.
-estructura estelar.
-estructura social, etc.
OBJETIVO GENERAL:
Definir las estructuras cermicas, polimricas y semiconductoras.
OBJETIVOS ESPECIFICOS:
Definir y clasificar los materiales cermicos y las cermicas tradicionales.
Aprender las propiedades de las cermicas.
Basndonos en la estructura cristalina de los semiconductores, y ms
Concretamente en el enlace covalente.
Desde el punto de vista energtico nos basamos en las estructuras, es decir, a
travs del modelo de bandas.
NDICE
CARATULA---------------------------------------------------------------------------------------------------1
DEDICATORIA-----------------------------------------------------------------------------------------------2
AGRADECIMIENTO ---------------------------------------------------------------------------------------3
INTRODUCCION--------------------------------------------------------------------------------------------4
OBJETIVOS ALCANZADOS -------------------------------------------------------------------------------5
Objetivo general
Objetivos especficos
NDICE--------------------------------------------------------------------------------------------------------6
CAPTULO 1: ESTRUCTURA CERMICA---------------------------------------------------------------7
CAPITULO 2: ESTRUCTURA POLIMRICA----------------------------------------------------------19
CAPITULO3: ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA--------------------------------------------------29
CONCLUSIN----------------------------------------------------------------------------------------------49
BIBLIOGRAFA---------------------------------------------------------------------------------------------50
1.3.2.-ESTRUCTURA NO CRISTALINA:
Los tomos se acomodan en conjuntos irregulares y aleatorios. Los slidos no
cristalinos con una composicin comparable a la de las cermicas cristalinas se
denominan vidrios. La mayor parte de los vidrios que se comercializan son silicatos.
1.4.-ESTRUCTURAS CRISTALINAS DE CERMICAS SENCILLAS:
Algunos compuestos con estructuras cristalinas relativamente sencillas estn rgidos en
la tabla con sus puntos de fusin.
En los compuestos cermicos listados, el enlace atmico es una mezcla de los tipos
inico y covalente, valores aproximados de los porcentajes de carcter inico y
covalente para los enlaces entre tomos en estos compuestos se pueden obtener
considerando las diferencias de electronegatividad entre los diferentes tipos de
tomos en los compuestos.
La tabla Muestra la cantidad de enlace inico o covalente entre los tomos de estos
compuestos es importante porque determina, en alguna medida que tipo de
estructura cristalina se forma en el compuesto cermico.
1.5.-DISPOSICIONES INICAS SENCILLAS ENCONTRADAS EN SOLIDOS CON ENLACE
INICO
1.5.1.- el tamao relativo de los iones en el slido inico (considerado los iones como
esferas compactas de radios definidos).
1.5.2.- la necesidad de equilibrar las cargas electrnicas para mantener la neutralidad
elctrica en el slido inico.
Puede verse como un catin que abandona su posicin normal y se mueve a una
posicin intersticial manteniendo su contribucin de carga positiva, lo que asegura la
neutralidad.
Otro tipo de defecto encontrado en materiales AX es un par vacante catinica- vacante
aninica conocido como defecto Schottky, creado por la eliminacin de un catin y un
anin desde el interior de un cristal. El hecho de que para cada vacante aninica exista
una vacante catinica asegura que la neutralidad de la carga del cristal se mantenga.
Estos dos defectos, por otra parte, no alteran las proporciones de aniones y cationes
manteniendo la estequiometria en el material.
-Impurezas en cermicas:
Los tomos de impurezas pueden formar soluciones slidas en los materiales
cermicos tanto intersticiales como sustituciones En el caso de las intersticiales, los
radios inicos de las impurezas deben ser pequeos en comparacin con los del anin.
Una impureza sustituir al tomo disolvente que sea ms similar en
el comportamiento elctrico. Para que en el estado slido haya una solubilidad
apreciable de los tomos de impurezas sustituciones, los tamaos inicos y la carga
deben ser casi iguales a los de los iones disolventes. Si una impureza tiene una carga
distinta a la del ion al cual sustituye red como los anteriormente descriptos.
-Dislocaciones:
En algunos materiales cermicos incluyendo el lif, el zafiro (Al2O3) y el MgO se
observan dislocaciones. Sin embargo estas no se mueven con facilidad debido a un
vector de Burguers grande a la presencia de relativamente pocos sistemas de
deslizamientos y a la necesidad de romper enlaces inicos fuertes para despus obligar
a los iones a deslizarse a los de carga opuesta. Como consecuencia las grietas no se
redondean por la deformacin del material que se encuentra en la punta de la grieta y
su propagacin contina. Eso es lo que hace de los cermicos, materiales frgiles.
1.8.2.-Defectos superficiales:
Los lmites de grano y las superficies de las partculas son defectos superficiales
importantes en los cermicos. Un cermico con grano de tamao fino tiene mayor
resistencia que uno de grano ms grueso. Los granos ms finos ayudan a reducir los
esfuerzos que se desarrollan en sus bordes debido a la expansin y a la contraccin
aniso trpica, Normalmente se produce un tamao de grano fino utilizando desde el
principio materias primas cermicas de partculas ms finas (en el caso de sinterizado).
Las superficies de las partculas que representan planos de uniones covalentes o
inicas rotas y no satisfechas, son reactivas. Distintas molculas pueden ser absorbidas
en la superficie para reducir la energa superficial, alterando su composicin, sus
propiedades y su confortabilidad.
-Porosidad:
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B es la densidad en masa
c es la densidad real del cermico.
Ejemplos de materiales cermicos Nitruro de silicio (Si3N4), Utilizado como polvo
abrasivo.
Carburo de silicio (SiC), empleado en hornos de microondas, en abrasivos y como
material refractario.
xido de cinc (ZnO), semiconductor.
Magnetita (Fe3O4), es utilizado en ncleos de transformadores magnticos y en
ncleos de memorias magnticas.
Esteatita, utilizada como un aislante elctrico.
Ladrillos, utilizados en construccin.
1.9.-PROPIEDADES:
C = (E. k . A) / d
C: capacidad
E: Permeabilidad en el vaco (ctte)
k: constante dielctrica d: distancia entre placas
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Referencia:
K Vaco
K Aire
1.00059
Rigidez dielctrica:
Entendemos por rigidez dielctrica el valor lmite de la intensidad del campo elctrico
en el cual un material pierde su propiedad aisladora y pasa a ser conductor (ruptura
elctrica). Tambin podemos definirla como la mxima tensin que puede soportar un
aislante sin perforarse. A esta tensin se la denomina tensin de rotura.
Si el dielctrico es sometido a una diferencia de voltaje suficientemente alta, el
esfuerzo de los electrones y los iones en su intento por pasar a travs del dielctrico
puede superar la rigidez dielctrica ocasionando que el material empiece a fallar y
finalmente se produzca el paso de electrones.
La tabla 10.7 muestra valores de rigidez dielctrica de algunos materiales aislantes
cermicos.
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Factor de prdida:
Es una medida de la energa elctrica perdida (en forma de calor) por un capacitor en
un circuito de corriente alterna.
La tabla 10.7 muestra valores de factor de prdida de algunos materiales aislantes
cermicos.
Comportamiento piezoelctrico:
Efecto electromecnico por el cual una fuerza mecnica en un material ferro elctrico
produce una respuesta elctrica o fuerzas elctricas una respuesta mecnica.
Algunos pocos materiales cermicos como el titanato de bario los cuales son cermicos
denominados ferro elctricos que se caracterizan por ser cermicos inicos cristalinos
cuyas celdas unidad no poseen centro de simetra y por ende contienen pequeos
momentos dipolares que en su sumatoria darn un momento dipolar total.
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1.9.2.-SEMICONDUCTORES CERMICOS:
Mediante soluciones slidas de xidos metlicos sintetizados de Mn, Ni, Fe, Co y Cu
con alta diferencia de resistividad se pueden crear semiconductores con una
conductividad intermedia por combinacin de xidos metlicos.
EJ: El compuesto cermico magnetita Fe3O4 tiene una resistividad de 10-5 O.m
La mayora de los xidos metlicos de transicin tienen una resistividad de 10 8 O .m
Si a la magnetita Fe3O4 de alta conductividad le aditamos cantidades crecientes de
MgCr2O4 de alta resistividad lograremos reducir gradualmente la conductividad de la
solucin slida.
Aplicaciones:
Circuitos integrados, transistores, microprocesadores.
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Conductividad trmica:
La conduccin trmica es un fenmeno por el cual el calor se transporte de una regin
de alta temperatura del material a otra de baja temperatura. La conductividad trmica
caracteriza la capacidad de un material de transferir calor
Los materiales que no poseen electrones libres son aislantes trmicos y solo existe
transporte de calor por vibraciones de la red.
El vidrio y otras cermicas amorfas tienen conductividades menores que las cermicas
cristalinas por su estructura atmica altamente desordenada e irregular.
Esfuerzos trmicos tensiones:
Las tensiones trmicas son tensiones inducidas en un cuerpo como resultado de
Cambios en la Temperatura.
Tensiones resultantes de la expansin y contraccin trmicas confinadas.
Lo cual puede producir fracturas y agrietamiento, lo cual se da por lo general en
los procesos de secado.
Choque trmico de un material frgil:
El enfriamiento rpido de un material introduce en las tensiones superficiales de
reaccin, contribuyendo a la formacin de grietas y su propagacin a partir de
defectos superficiales y pudiendo producir rotura. La capacidad de un material de
soportar esta clase de falla se llama resistencia al choque trmico. Para un cuerpo
cermico que es rpidamente enfriado, la resistencia al choque trmico depende no
solo de la magnitud del cambio de la Temperatura sino tambin de las propiedades
mecnicas y trmicas del material.
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Porosidad:
Los poros cumplen una funcin importante, al permitir soportar shocks trmicos
(quebraduras como resultado del rpido cambio de temperatura). Cuando la porosidad
es ms baja se produce una prdida de la capacidad aislante y de la resistencia al
shock.
Punto de fusin:
En general, los cermicos tienen alto punto de fusin, debido a sus uniones inico
covalentes.
1.9.3.-PROPIEDADES MECNICAS DE LOS CERMICOS:
Considerando a los cermicos como una clase de material, podemos decir que estos
son relativamente frgiles, en estos la resistencia a la traccin (o tensin) que soportan
los materiales cermicos vara enormemente pero en ningn caso soporta los 172 Mpa
Mientras que la resistencia a la compresin es de 5 a 10 veces superior.
Por lo general los materiales cermicos son duros y tienen baja resistencia al impacto
debido a sus uniones inico covalentes.
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2.1.-RESUMEN:
En este tema se pretende dar una visin general de la estructura de los polmeros y de
la relacin entre la misma y las propiedades. Se profundiza especialmente en aquellas
propiedades que tienen mayor inters prctico durante la vida de servicio de los
materiales. A si mismo se estudia el comportamiento reo lgico de los polmeros y su
relacin con la estructura del material.
2.2.-INTRODUCCIN:
Son macromolculas (cadenas polimricas) formadas por la unin de molculas de
menor tamao que se conocen como monmeros.
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En las poliamidas y los poliuretanos, las intensas fuerzas intermoleculares del tipo
puente de hidrgeno mantienen unidas las cadenas polimricas:
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muy elevadas o irradiacin con luz de onda corta para general un radical a partir de un
monmero vinlico.
Reaccin de iniciacin:
Reaccin de propagacin:
El radical formado a partir del iniciador se adiciona al doble enlace del monmero
generando un nuevo radical. En monmeros de tipo vinlicos asimtricos (RCH=CH2), el
iniciador se une al carbono menos sustituido de los alquenos para dar el radical ms
sustituido (el ms estable):
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Reaccin de terminacin:
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Polimerizacin inica:
La reaccin de polimerizacin en cadena puede proceder con iones en lugar de
radicales libres como partculas propagadoras de la cadena polimrica. Estas pueden
ser cationes o aniones, dependiendo del iniciador que se emplee.
-Polimerizacin catinica:
Los iniciadores son cidos (H2SO4, KHSO4) o complejos de cidos de Lewis y agua o
alcohol como catalizador. Un sistema muy usado es BF3/ROH:
Alcoholes o agua, los cuales reaccionan con el macro catin para dar un polmero
neutro:
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PIGMENTOS:
Son slidos finamente divididos que se agregan para colorear plsticos. Si el polmero
es transparente le impartirn opacidad. Ej.: TiO2, CaCO3 (tambin utilizado como
filler), carbn.
COLORANTES:
Son compuestos coloreados que se unen a travs de fuerzas intermoleculares intensas
con grupos polares del polmero o reaccionan para formar enlaces covalentes con
grupos funcionales en el polmero.
PLASTIFICANTES:
Son compuestos orgnicos de bajo peso molecular que reducen la rigidez del polmero.
Un plastificante forma uniones intermoleculares con las molculas del polmero
separndolas, proveyendo a las cadenas polimricas de mayor espacio para moverse,
dando como resultado una msa ms fcilmente deformable.
El polmero ms comnmente plastificado es el PVC, siendo un plastificante tpico de
PVC el ftalato de dioctilo, el dister del cido ftlico y el 2-etilhexanol:
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Para comprenderla, hay que tener en cuenta que tanto el Si como el Ge poseen 4
electrones de valencia, esto es, 4 electrones externos. Pues bien, en la estructura
diamantina, cada tomo est rodeado de 4 tomos vecinos y, adems, cada tomo
tiende a compartir uno de sus cuatro electrones de valencia con cada uno de los
cuatro tomos vecinos de los que toma otro electrn en proceso anlogo (Figura Las
barras de conexin de la Figura pueden considerarse como pistas a lo largo de cada
una de las cuales se mueven dos electrones en uno y otro sentido entre los tomos
asociados. Esta disposicin de pares de electrones compartidos entre tomos vecinos
es lo que se denomina enlace covalente.
La Figura es una representacin en dos dimensiones de la estructura diamantina para
un semiconductor puro (sin defectos ni elementos extraos) a una temperatura muy
baja, esto es, cuando todos los electrones de valencia permanecen ligados en los
enlaces covalentes no disponindose, por lo tanto, de cargas libres que puedan
moverse por el cristal bajo la presencia de un campo elctrico externo aplicado.
En este caso, el material se comporta como un aislante.
covalente ha de ser igual o mayor que EG (el significado fsico de este parmetro
energtico lo veremos posteriormente en el modelo de las bandas de energa). EG es,
en esencia, una energa de ionizacin, pero mucho menor que las energas de
ionizacin de los tomos aislados ya que muchos tomos del cristal influyen sobre el
movimiento de cada electrn ligado. Algunos datos: EG (Si) 1,12 eV y EG (Ge) 0,7
eV a Ta = 300 K.
La peculiaridad ms destacable de la vacante dejada en el enlace covalente es que se
comporta como si fuera una nueva partcula libre de carga positiva +q
(q =1,610-19 C) y de masa comparable a la del electrn. Esta partcula aparente recibe
el nombre de hueco.
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Desde
este
punto
de
vista,
los
materiales
pueden
clasificarse
en conductores y conductores. Un material es conductor cuando puede desempear
esa funcin en un circuito, independiente del valor de su conductividad.
Los conductores en general pueden clasificarse en: metlicos, electrolticos y gaseosos.
En los conductores metlicos la conduccin es electrnica, es decir, los portadores de
cargas son electrones libres. Pertenecen a este grupo los metales y aleaciones. Se
suele hablar en estos casos de conduccin metlica.
En los conductores electrolticos la conduccin es inica; pertenecen a este grupo los
llamados electrolitos, es decir, los cidos (bases o sales, disueltos o fundidos). Las
molculas de estas sustancias, cuando se disuelven o funden, de disocian total o
parcialmente formando iones positivos o negativos, y estos iones son portadores de
cargas. En estos casos, el paso de la corriente elctrica corresponde a un
desplazamiento de material, y viene acompaada de una reaccin qumica.
En los conductores metlicos la electricidad circula a travs de la materia, mientras
que en los conductores electrolitos circula con la materia.
Los gases pertenecen a un tercer grupo de conductores, los conductores gaseosos; en
estado normal, los gases no son conductores, pero pueden convertirse relativamente
en buenos conductores cuando estn ionizados. Normalmente no se utilizan los gases
para conducir corriente, salvo en casos muy especiales. La conduccin a travs de los
gases no cumple con la Ley de Ohm.
La mayor parte de los dispositivos electrnicos modernos estn fabricados a partir de
semiconductores. Para comprender el funcionamiento de estos dispositivos cuando se
insertan en un circuito elctrico, es necesario conocer el comportamiento de los
componentes desde un punto de vista fsico. Por ello, en este tema se presentan las
propiedades y caractersticas fundamentales de este tipo de materiales. Si los
conductores son materiales que disponen de electrones libres y los aislantes carecen
de ellos, los semiconductores se encuentran en una situacin intermedia: a la
temperatura de 0 K se comportan como aislantes, pero mediante una aportacin de
energa puede modificarse esta situacin, adquiriendo un comportamiento ms
cercano al de los conductores.
Los materiales semiconductores de uso comn en la tecnologa microelectrnica son el
silicio, el germanio y el arseniuro de galio. Se trata de elementos del grupo IV de la
tabla peridica, o bien combinaciones de elementos de los grupos III y V. De todos
ellos, el ms empleado actualmente es el silicio, por lo que la discusin en este tema
va a estar centrada en dicho elemento. No obstante la gran mayora de lo aqu
expuesto puede aplicarse a cualquier semiconductor.
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los electrones, y los minoritarios los huecos. Con la tabla siguiente se pretende
rematar estos conceptos.
Material
Portadores
mayoritarios
Portadores
minoritarios
Silicio Puro
Silicio tipo P
Huecos
Electrones
Silicio tipo N
Electrones
Huecos
Hay que resaltar nuevamente que el dopado no altera la neutralidad elctrica global
del material.
3.4.- INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA SOBRE LOS SEMICONDUCTORES:
Al presentar el concepto de portadores mayoritarios y minoritarios se ha asumido una
hiptesis de trabajo: que a temperatura ambiente (25C) la concentracin de
portadores provocada por generacin trmica es mucho menor que la causada por los
dopados. Pues bien, si se eleva la temperatura sobre la de ambiente se aumentar la
tasa de pares electrn/hueco generados. Llegar un momento en el que, si la
temperatura es lo suficientemente elevada, la cantidad de pares generados enmascare
a los portadores presentes debidos a la impurificacin. En ese momento se dice que el
semiconductor es degenerado, y a partir de ah no se puede distinguir si un material es
de tipo N o P: es la temperatura a la cual los dispositivos electrnicos dejan de operar
correctamente. En el caso del silicio, esta temperatura es de 125 C.
3.4.1.- CONDUCCION ELECTRICA EN SEMICONDUCTORES
Dada la especial estructura de los semiconductores, en su interior pueden darse dos
tipos de corrientes:
-Corrientes por arrastre de campo
-Corrientes por difusin
En los siguientes sub apartados se explica cada uno de estos tipos de conduccin.
CORRIENTE POR ARRASTRE DE CAMPO
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Electrones libres:
Obviamente, la fuerza que el campo elctrico ejerce sobre los electrones provocar el
movimiento de estos, en sentido opuesto al del campo elctrico. De este modo se
originar una corriente elctrica. La densidad de la corriente elctrica (nmero de
cargas que atraviesan la unidad de superficie en la unidad de tiempo) depender de la
fuerza que acta (qE), del nmero de portadores existentes y de la facilidad con que
estos se mueven por la red, es decir:
Je = en(qE)
En donde:
Je = Densidad de corriente de electrones
e = Movilidad de los electrones en el material
n = Concentracin de electrones
q = Carga elctrica
E = Campo elctrico aplicado
La movilidad e es caracterstica del material, y est relacionada con la capacidad de
movimiento del electrn a travs de la red cristalina.
Huecos: El campo elctrico aplicado ejerce tambin una fuerza sobre los electrones
asociados a los enlaces covalentes. Esa fuerza puede provocar que un electrn
perteneciente a un enlace cercano a la posicin del hueco salte a ese espacio. As, el
hueco se desplaza una posicin en el sentido del campo elctrico. Si este fenmeno se
repite, el hueco continuar desplazndose. Aunque este movimiento se produce por
los saltos de electrones, podemos suponer que es el hueco el que se est moviendo
por los enlaces. Este ltimo prrafo se entiende a la perfeccin con Figura 3.
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Jh = hp(qE)
En donde:
Jh = Densidad de corriente de huecos
h = Movilidad de los huecos en el material
p = Concentracin de huecos
q = Carga elctrica del hueco: igual y de signo opuesto a la del electrn
E = Campo elctrico aplicado
La movilidad h es caracterstica del material, y est relacionada con la capacidad de
movimiento del hueco a travs de los enlaces de la red cristalina. La facilidad de
desplazamiento de los huecos es inferior a la de los electrones.
Consideremos ahora el caso de un semiconductor que disponga de huecos y
electrones, al que sometemos a la accin de un campo elctrico. Hemos visto cmo los
electrones se movern en el sentido opuesta a la del campo elctrico, mientras que los
huecos lo harn en segn el campo. El resultado es un flujo neto de cargas positivas en
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el sentido indicado por el campo, o bien un flujo neto de cargas negativas en sentido
contrario. En definitiva, se mire por donde se mire, la densidad de corriente global es
la suma de las densidades de corriente de electrones y de huecos:
J = Jh + Je = hp(qE) + en(qE)
CONDUCCION POR DIFUSION DE PORTADORES:
Antes de entrar en el fenmeno de conduccin por difusin vamos a explicar el
concepto de difusin.
Imaginad (el que no tenga mucha imaginacin que mire la Figura 4) que tenemos una
caja con dos compartimentos separados por una pared comn. En un compartimento
introducimos un gas A, y en el otro un gas B.
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En donde:
J difusin = Densidad de corriente de difusin
q = Carga del electrn
De, Dh = Difusividad de los electrones y de los huecos
n = Concentracin de electrones
p = Concentracin de huecos
El segundo trmino de la expresin tiene signo negativo porque la pendiente negativa
de los huecos da lugar a una corriente de los huecos.
Calcular el nmero de portadores generados debido a la temperatura a 300K para
silicio y el arseniuro de galio.
Apoyndose en el apartado anterior, estimar la resistividad del Silicio y el arseniuro de
galio a 300K. Datos: La movilidad de los electrones y huecos en el arseniuro de galio a
300K es de 8600 cm2/s y 250cm2/s respectivamente.
Explique porqu, segn la grfica de densidad de dopado resistividad, para una
misma densidad de dopado la resistividad es mayor cuando se utiliza el boro y no el
fsforo.
Si se desea obtener silicio tipo P con una resistividad de 1 Wcm a 300K, indicar con que
material y concentracin de dopante que se debe emplear. y si se deseara obtener
silicio N de idntica resistividad?
Se define la resistencia por cuadrado de un material como el cociente entre la
resistividad y el espesor, tal y como se indica en la figura
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Un conductor es un material a travs del cual puede fluir la corriente elctrica. Para ser
un conductor, un material debe contener cargas elctricas libres. Hay muchos tipos de
conductores, y difieren en el tipo de cargas libres disponibles y en cmo son creadas.
En materiales como los metales, algunos electrones no se hallan ligados a sus tomos
individuales, sino que son libres de moverse a travs del material: en efecto son
compartidos por todos los tomos.
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Sin embargo no hace falta que un material sea un metal para que conduzca la
electricidad. Cuando encendemos una luz fluorescente, algunos de los tomos en el
gas se ionizan y pierden electrones.
Esos electrones libres pueden moverse cuando es aplicado un voltaje. Del mismo
modo, si disolvemos sal en agua, habr iones cargados flotando en el agua.
Esos iones son libres de moverse, y en consecuencia pueden constituir una corriente
elctrica. Tanto el agua salada como los gases ionizados son ejemplos de conductores
no metlicos.
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Para que un material que transporte electricidad sea asequible, debe ser barato y buen
conductor elctrico, por lo cual el cobre es ideal ya que rene esas dos caractersticas.
Por ello es el conductor ms usado, como por ejemplo en los cables elctricos de las
casas.
El aluminio es tambin usado ocasionalmente con esa finalidad, pero no es tan buen
conductor como el cobre. En situaciones en las que el coste no es una objecin, como
en los satlites espaciales, en los circuitos elctricos se usa el oro y la plata porque son
ligeramente mejores conductores que el cobre, aunque son mucho ms caros.
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CONCLUSION:
Estructura cermica:
Los materiales cermicos son materiales inorgnicos, no metlicos formados
por elementos metlicos y no metlicos unidos primariamente mediante
enlaces inicos y/o covalentes.
En general, la mayora de los materiales cermicos son tpicamente duros y
quebradizos con poca resistencia a los impactos y a la ductilidad.
Los cermicos cuentan con importantes propiedades elctricas y trmicas con
importantes aplicaciones en la industria.
Los vidrios son productos inorgnicos cermicos de fusin que se han enfriado
hasta un slido rgido sin cristalizacin.
Estructuras semiconductoras:
Estudiamos las caractersticas de los materiales y la estructura atmicas de los
materiales semiconductores.
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BIBLIOGRAFA:
http://www.monografias.com/trabajos-pdf5/materiales-ceramicos/materialesceramicos.shtml#ixzz3FV94tPLB
https://sites.google.com/site/materialesceramicoseq6/estructuras-de-silicatos
http://www.monografias.com.-.materiales-ceramicos/materiales-ceramicos.shtml
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