Resistividad elctrica y Efecto Hall en pelculas delgadas

de ZnO depositadas por evaporacin reactiva

Hall effect and electrical resistivity of ZnO thin films deposited
by reactive evaporation
Fredy Giovanni Mesa Rodrguez, Ph.D.1*, Carlos Andrs Arredondo Orozco, Ing. PhD (c)2
2

1
Docente Investigador Departamento de Ciencias Bsicas, Facultad de Ingeniera, Universidad Libre, Bogot-Colombia. * fgmesar@unal.edu.co.
Docente Investigador Facultad de Ingeniera Electrnica y Biomdica, Universidad Antonio Nario, Bogot-Colombia; Departamento de Fsica, Universidad
Nacional de Colombia, Bogot-Colombia. caarredondoo@unal.edu.co.

Fecha de recepcin del artculo: 14/10/2010: Fecha de aceptacin del artculo: 26/01/2011

Resumen
La investigacin del presente trabajo muestra
que el parmetro de mayor influencia sobre la
figura de mrito de pelculas delgadas de ZnO
depositadas por el mtodo de evaporacin
reactiva, es el contenido de oxigeno en la cmara
de preparacin. Se establece que la mejor figura
de mrito est definida en trminos de resistividad
y de transmitancia espectral, con contenido de
oxigeno correspondiente a una presin parcial de
0.3 mbar. La muestras presentan simultneamente
alta transmisin (>80%) y conductividad (>103
W-1cm-1) adecuadas para ser usadas como contacto
elctrico transparente en celdas solares. El especial
nfasis esta dedicado a la determinacin de la
resistividad elctrica y concentracin de portadores
de carga a travs del mtodo de van der Pauw.

Palabras clave

Abstract
In this work, results about theconcerning of the
most influential parameter on the figure of merit
of ZnO thin films deposited by the reactive
evaporation method are showed. This parameter is
the content of oxygen in the preparation chamber.

It was established that the best figure of merit

defined in terms resistivity and the transmittance,
is achieved for oxygen contents corresponding to a
partial pressure of around 0.3 mbar. This samples
present simultaneously high transmission (>80%)
and high conductivity (>103 (cm)1), which make
them adequate for being used as transparent electric
contact in thin film solar cells. Special emphasis
was devoted to the determination of the electrical
resistivity and carrier density by van der Pauw method.

Keywords
ZnO, thin films, reactive evaporation, Hall effect,
electrical resistivity.

Introduccin
El xido de zinc (ZnO) es un material
semiconductor tipo n que presenta muy buenas
propiedades pticas, elctricas y piezoelctricas;
stas hacen que este material sea utilizado en la
fabricacin de mltiples dispositivos electrnicos,
optoelectrnicos, mecnicos y fotovoltaicos [1,2].
Pertenece a grupo II-IV con estructura tipo wurzite
y puede depositarse en forma de pelcula delgada
por diferentes tcnicas [3,4], y como resultado, se
presentan pticamente transparentes en el espectro
visible y elctricamente conductoras.
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En este trabajo se hace nfasis en la utilizacin de este

material depositado por el mtodo de evaporacin
reactiva (en atmsfera de oxgeno) como contacto
elctrico transparente de celdas solares, ya que
depositado en forma de pelcula delgada presenta alta
transmitancia (@80% - 90%) y altas conductividades
elctricas (mayores de103 (Wcm)-1). El uso del ZnO
como contacto transparente conduce a un aumento
significativo de la fotocorriente generada en la
celda solar y por consiguiente en la eficiencia de
conversin del dispositivo. En particular se estudia
el efecto de la presin parcial de oxgeno sobre las
propiedades elctricas del ZnO a travs de medidas
de transmitancia espectral, efecto Hall y de la
resistividad elctrica.

Experimental
Las pelculas delgadas de ZnO fueron depositadas
a temperatura ambiente en sustrato de vidrio
tipo soda-lime a travs de una reaccin qumica
entre el Zinc ionizado y el oxigeno: Zn+-1e +
O-+ 1e ZnO. Inicialmente, en la cmara de
deposicin la presin es de alrededor 1x10-3 mbar
y secuencialmente, se introduce el oxigeno en la
cmara hasta presurizarla, en donde es utilizado un
control electrnico, permitiendo crecer pelculas
delgadas de ZnO manteniendo el vaco. El zinc
es suministrado por evaporacin, utilizando una
celda Knudsen, tal como lo ilustra la Figura 1, la
ionizacin de especies reactantes es obtenida a
travs de una descarga elctrica.
Primero, nosotros encontramos condiciones de
preparacin para el crecimiento de pelculas de ZnO
presentando simultneamente alta conductividad y
alta transmitancia en la regin del espectro visible.
En la Tabla 1 se encuentran los parmetros de
pelculas de ZnO transparentes y conductoras.
Las medidas de transmitancia se realizaron
usando el Perkin Elmer Spectrophotometer. La
concentracin de carga y la movilidad Hall son
calculadas a travs de medidas de coeficiente Hall
y conductividad elctrica usando un equipo basado
en Keithley Hall Effect Card model 7065.
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Sustrato
Obturador

+V
Electrodos

V
I
Celda Knudsen

Zn

O2

Figura 1. Equipo para depositar pelculas delgadas

de ZnO por evaporacin reactiva.
Tabla 1. Lista de parmetros usados en la preparacin
de pelculas delgadas de ZnO por evaporacin reactiva.
Parmetros de deposicin
Corriente de iones (mA)

Valores de
parmetros
2

Temperatura de evaporacin del Zn C)

540-560

Presin de O2 (mbar)

0.15-0.35

Separacin Electrodos (cm)

Espesor de las pelculas (nm)

570-838

Resultados y discusin
Las pelculas delgadas de ZnO preparadas durante
el presente trabajo se usan como contacto elctrico
transparente en celdas solares, por lo tanto se
requiere que stas sean altamente transparentes
y conductoras. Generalmente el aumento en
conductividad va acompaado de una disminucin
en la transmitancia de las pelculas delgadas de
ZnO, por consiguiente se acostumbra a usar una
figura de mrito F para definir la calidad de las
pelculas de ZnO, la cual est dada por el cociente
de la transmitancia y la resistitividad elctrica
(F=Transmitancia / Resistitividad) [5]. La mayora
de los parmetros de deposicin afectan la figura
de mrito; sin embargo, el parmetro que ms

fuertemente la afecta es la cantidad de oxgeno

usado durante la descarga elctrica, el cual est
determinado por la presin parcial de oxgeno
dentro de la cmara de deposicin del ZnO.

La Figura 2, muestra el efecto de la presin parcial

de oxigeno sobre la transmitancia de las pelculas
depositadas usando los parmetros indicados en la
Tabla 1.
Se observa que la presin parcial de oxigeno afecta
significativamente la transmitancia, especialmente
en las regiones azul y verde del espectro visible.
Las pelculas de ZnO preparadas a grandes
presiones de oxigeno presentan alta transmitancia
en la regin espectral correspondiente a la
azul, indicando que en este tipo de muestras la
absorcin de los fotones es asociada a transiciones
fundamentales y existencias de bandas de
absorcin dentro del gap.
En la Figura 3, se observa el efecto de la presin
parcial de oxigeno sobre la resistividad.

Transmitancia

0.8

0.6

0.4

0.15mbar(ZnOF1)
0.2

0.25mbar(ZnO72)
0.35mbar(ZnO93)

350

550

750

950

 (nm)

Figura 2. Efecto de la presin parcial de oxgeno

sobre la transmitancia espectral.

Los resultados de r vs T de las muestras

ZnO-F1 y ZnO-93 son atpicos para un material
semiconductor degenerado como el ZnO ya que
lo normal es que la resistividad no disminuya al
aumentar la temperatura debido a que todas las
impurezas estn ionizadas a cualquier temperatura.
Por consiguiente, la disminucin de la resistividad
que presentan las muestras F1 y 93 al aumentar
la temperatura por encima de 400K podra ser
atribuida a un aumento de la concentracin de
portadores causado por excitacin trmica de
portadores atrapados en estados dentro de las
fronteras de grano durante la preparacin de las
muestras hacia la banda de conduccin.

Figura 3. Variacin de la resistividad en dependencia

de la temperatura de pelculas delgadas de ZnO
depositadas a diferentes presiones parciales de O2

A altas temperaturas todas las tres muestras

presentan resistividades similares indicando que
la resistividad de pelculas delgadas de ZnO
depositadas por evaporacin reactiva est afectada
bsicamente por la concentracin de portadores
libres causadas por vacancias de oxgeno y por la
densidad de portadores atrapados en estados de
frontera de grano [6].

Por otra parte, las medidas de efecto Hall son

importantes para la caracterizacin de materiales
semiconductores, por eso a partir de medidas de
voltaje Hall se obtiene la densidad de portadores
de carga, la movilidad y el tipo de conductividad
elctrica [7,8]. Cuando es aplicado un campo

Resistividad (Ohm x cm)

3.0E-03

2.5E-03

ZnO72

2.0E-03

ZnOf1
1.5E-03

ZnO93
1.0E-03

5.0E-04

0.0E+00

70

170

270

370

470

570

670

Temperatura (K)

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magntico, se mide el voltaje Hall usando la

configuracin mostrada en la Figura 4.
A partir de las 8 mediciones de voltaje Hall, el
coeficiente Hall se calcul de la siguiente manera:
(1)

R HC 

(2) R HD 

d (V4  2  V 2 4   V 2 4  V 4 2  )
BI
d (V31  V1 3  V1 3  V31 )
BI

Donde RHC y RHD son los coeficientes Hall, V

representa los voltajes medidos, I la corriente que

pasa a travs de la muestra y B el campo magntico.

El coeficiente Hall promedio es calculado por
(RHC+ RHD)/2.
Los resultados obtenidos para la concentracin de
portadores de carga son observados en la Tabla 2.
Se observa que las altas conductividades
elctricas de las pelculas de ZnO son causadas
fundamentalmente por una alta concentracin de
portadores libres generados mediante vacancias de
oxgeno, ya que este tipo de material no es dopado
extrnsecamente. En general, un aumento de la
presin de oxgeno da lugar a un aumento de la

Figura 4. Esquema de las ocho configuraciones de medicin del voltaje Hall por el mtodo de van der Pauw.
Tabla 2. Efecto de la presin parcial de oxgeno sobre las propiedades electricas de pelculas delgadas de ZnO.
Muestra
ZnOF1
ZnO72
ZnO93
18

PO2 (mbar)
0.15
0.25
0.35

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r (W x cm)
2.7x10-3
3.4x10-4
6.4x10-4

N (cm-3)
1.51x1019
1.60x1020
3.40x1019

fig. merito f = (T/r)

259.2
2441.1
1468.7

transmitancia en el azul. A presiones del orden de

0.35 mbar se logran transmitancias muy altas en el
azul (94%); sin embargo, la mejor figura de mrito
se obtiene a presiones del orden de 0.25 mbar
porque a estas presiones se obtienen los mnimos
valores de conductividad. Los valores de movilidad
de las pelculas de ZnO son relativamente bajos por
el carcter degenerado de este tipo de muestras, el
transporte de portadores es fuertemente limitado
como consecuencia de la interaccin de estos con
impurezas ionizadas.

Conclusiones
Se encontraron las condiciones de deposicin para
preparar pelculas delgadas de ZnO altamente
transparentes y conductoras por el mtodo de
evaporacin reactiva. Los estudios revelan que: el
contenido de oxigeno en la reaccin, es un parmetro
de crecimiento de pelculas delgadas de ZnO que
presentan alta transmitancia y alta conductividad
en la regin visible. Estos resultados hacen que
estas pelculas sean usadas como contacto elctrico
transparente en dispositivos fotovoltaicos.
El mejor funcionamiento de estas pelculas,
determinado por la figura de merito, se encontraron
para pelculas de ZnO preparadas con parmetros:
presin de O2 alrededor de 0.3 mbar, temperatura
de evaporacin de Zn en 550 C, corriente de
iones en 2 mA. Se presentan pelculas delgadas
con transmitancia del 85% y resistividades del
orden de 6.4 x104 Wcm. Pelculas depositadas
a bajas presiones de O2 de 0.2 mbar presentan
una disminucin de la transmitancia en la regin
espectral del azul y el verde.

grupo de Materiales Semiconductores y Energa

Solar, y nuestro especial agradecimiento al profesor
Gerardo Gordillo. Tambin agradecemos el apoyo
brindado por la Universidad Libre (sede Bogot) y
la Universidad Antonio Nario (sede Bogot).

Referencias bibliogrficas
1. Srikan, V. and Clarke, D. Optical absortion edge
of thin films: The effect of substrate, Journal of
Applied Physics, 81(1997) 9.
2. Caldern, C.; Ortega, A. and Gordillo, G.
Desarrollo de sensores de CO2 basados en pelculas
delgadas de ZnO, Revista Colombiana de Fsica,
Vol. 28 N.2 (1996) 107-110.
3. Mandelis, A. and Cristofides, C. Physics,
Chemistry and technology of solid state gas devices,
Chemical analisys, Vol. 125 (A Wiley-interscience
publication 1993).
4. Contreras, M. et al. Progress toward 20%
eficience in Cu(In, Ga)Se2 thin films solar
cells, to be publish in the journal progress in
photovoltaic, 1999.
5. Mesa, F.; Gordillo, G. and Caldern, C. Study
of optical properties ZnO thin films deposited by
reactive evaporation, Phy. Stat. Sol, (c) 1, N S1, S1S4 (2004)
6. Mesa, F.; Quiones, C. y Gordillo, G. Diseo
y construccin de un sistema de caracterizacin
elctrica en celdas solares, Rev. Col. de Fsica Vol.
36 (2003).

Agradecimientos

7. Instruction Manual Modell 7065 Hall Effect

Card Keithley Instruments, 1986.

Este trabajo fue realizado en la Universidad

Nacional de Colombia en colaboracin con el

8. American Society for Testing and Materials.

Annual Book of ASTM Standards, Vol 10.05. 1991.

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