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UDA

FACULTAD DE CIENCIA Y TECNOLOGIA


ELECTRONICA DE POTENCIA II.

SEMICONDUCTORES

Diego Cabrera Pauta.
Juan Carlos Ronquillo Ordoez.

DIODOS DE POTENCIA
El diodo es una estructura P-N que permite
el paso de corriente en un solo sentido. Este
diodo se caracteriza por soportar mayores
corrientes (de acuerdo a su rea) y mayores
tensiones inversas (de acuerdo a su
longitud).
La cada de tensin en estos diodos es de 1
a 2V dependiendo de la corriente que
circule.

ESTRUCTURA INTERNA DE UN DIODO DE
POTENCIA
SMBOLO Y CARACTERSTICA ESTTICA
CORRIENTE-TENSIN DE UN DIODO DE
POTENCIA
TIRISTORES
Tipos de tiristores:
SCR
TRIAC
GTO

SCR
(RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO)
Esta formado por cuatro niveles P-N-P-N.
Dispone de un terminal de control llamado
GATE que es el encargado de establecer el
paso de corriente entre A y K. Este
dispositivo puede trabajar solo en 180 ya
que el gate se dipara solo con el positivo de
la onda alterna.

ESTRUCTURA Y SMBOLO DEL SCR
CARACTERISTICAS Y VENTAJAS.
En OFF no permite el paso de corriente
bloqueando la tensin.
La cada de tensin en ON es de pocos
voltios.
Cuando se le retira la corriente al GATE
queda retenida su corriente de A a K.

TIPOS DE DISPARAR EL SCR.
Disparo por tensin excesiva
Disparo por impulso de puerta
Disparo por derivada de tensin
Disparo por temperatura
Disparo por Luz


TRIAC
(TRIODE OF ALTERNATING CURRENT)

Permite el paso de la corriente en ambos
sentidos y puede ser disparado con
Voltajes en el GATE de ambos signos de
la onda alterna (360).
Esquema equivalente de un
TRIAC.
SMBOLO Y ESTRUCTURA INTERNA DE UN TRIAC
Caractersticas y Ventajas.
Las tensiones y corrientes necesarias para
producir la transicin del TRIAC son
diferentes segn las polaridades de las
tensiones aplicadas.
Requiere un nico circuito de control lo que
hace que este dispositivo sea muy compacto.

Desventajas.
Es un dispositivo con una capacidad de
potencia muy reducida en el control.
Trabajan a frecuencias pequeas, como
mximo la frecuencia de la red monofsica.
CARACTERSTICAS I-V DEL TRIAC
GTO
(GATE TURN-OFF THYRISTOR)

Es un tiristor que puede manejar el paso
de on-off y viceversa desde un circuito
externo.
El GTO es un tiristor con capacidad
externa de bloqueo.
SMBOLO Y ESTRUCTURA INTERNA DE UN GTO
Caractersticas y Ventajas.
Si la corriente del GATE es positiva pasara
de OFF a ON y si es negativa ira de ON a
OFF.
El voltaje anodo-catodo en polarizacin
directa es mas elevada que para los tiristores
convencionales.

Desventajas.
Es mas caro que un SCR.
El rango de Tensiones y corrientes es mas
pequeo que de un SCR.

CARACTERSTICA ESTTICA (I V) DE UN GTO
TRANSISTORES
Tipos de transistores:

TBP (Transistor Bipolar de Potencia)
MOSFET
IGBT

Transistor Bipolar de Potencia (TBP)

Son transistores controlados por corriente. Funcionan
en forma de interruptores y pueden ser de 2 tipos pnp
o npn.

Caractersticas y Ventajas.
Una ventaja es que son totalmente controlados y que
no disponen de un terminal de control.
Soporta tensiones elevadas ya que tiene una baja
concentracin de impurezas en el colector.
Baja cada de tensin en saturacin.
Desventajas.
Poca ganancia con v/i grandes.
Consume mas energa al no tener el terminal de
control ya que funciona directamente.

SMBOLOS DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES
NPN Y PNP
ESTRUCTURA BSICA DEL TRANSISTOR BIPOLAR
ZONAS
Corte: Se comporta como un interruptor abierto, que nos permite la
circulacin de corriente entre colector y emisor. Por tanto, en sta
zona de funcionamiento el transistor est desactivado.

Activa: se inyecta corriente a la base del transistor, y ste soporta
una determinada
tensin entre colector y emisor, en la regin activa, el transistor
acta como un
amplificador, donde la corriente del colector queda amplificada
mediante la ganancia y el voltaje VCE disminuye con la corriente de
base: la unin CB tiene polarizacin inversa y la BE
directa.

* Saturacin: se inyecta suficiente corriente a la base para disminuir
la vCE y conseguir que el transistor se comporte como un
interruptor cuasi ideal. La tensin que soporta entre sus terminales
es muy pequea y depende del transistor. En ste caso ambas
uniones estn polarizadas directamente. Se suele hablar de la
tensin colector-emisor en saturacin.
CARACTERSTICAS V-I DE LOS TRANSISTORES
BIPOLARES
CONEXIN DARLINGTON
No es mas que la conexin de varios transistores para
aumentar la ganancia total del transistor.

Caractersticas y Ventajas.
Mayor ganancia de corriente.
Tanto el disparo como el bloqueo son secuenciales.
La cada de tensin en saturacion es bastante
constante.

Desventajas.
Se utilizan para potencias medias y frecuencias de
trabajo medias.

MOSFET (METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR
FIELD EFFECT TRANSISTORS)
Son transistores controlados por tensin. Existen dos
tipos de canal N y canal P.

Caractersticas y Ventajas
Presenta menores perdidas
Mayor velocidad de Conmutacion.
Facilidad de control gracias al aislamiento de la
puerta.
El consumo de corriente de puerta es pequeo.

Desventajas
La resistencia en saturacin Ron varia mucho con la
temperatura y la corriente que circula.
La potencia que maneja es bastante reducida.

SMBOLOS DE LOS TRANSISTOR MOSFET DE
CANAL N Y CANAL P
IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
Es una mezcla entre el MOSFET y el BJT con cada
una de sus caracteristicas, ya que, pequeas perdidas
en conduccion y facilidad de disparo.

Caractersticas y Ventajas.
Puede soportar tensiones elevadas, con un control
sencillo de tensin en el GATE.
Permite trabajar en rangos de frecuencias medias,
controlando potencias bastante elevadas.

Desventajas.
La velocidad a la que trabajan no es tan elevada como
la de los MOSFETS

SMBOLOS ALTERNATIVOS DE LOS
TRANSISTORES IGBTS
COMPARACIN ENTRE LOS DIFERENTES
TRANSISTORES DE POTENCIA

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