Diapositiva 1

FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Estructura cristalina de un semiconductor.
Electrones y huecos.
n Estructura de enlaces covalentes
n Cristal tetraédrico con un átomo en cada vértice

Hueco

T= 0ºK T> 0ºK

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Semiconductores intrínsecos: estructura
cristalina de un solo tipo de átomos
n Característica: n = p = ni
n Par electrón-hueco
w Generación (agitación térmica)
w Recombinación (centros de recombinación)
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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Procesos
Procesos de
de generación
generación yy
recombinación.
recombinación.
nn Vida
Vida media
media dede los
los portadores
portadores
nn Naturaleza
Naturaleza dede los
los centros
centros de
de
recombinación
recombinación
nn Efectos
Efectos de
de los
los centros
centros de
de recombinación
recombinación
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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Mecanismo de contribución del hueco a la
conducción.
n Los electrones de valencia ligados “saltan”, con
relativa facilidad, al hueco dejado por otro
electrón al pasar a su estado libre
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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES

Aplicación de un campo eléctrico a

un semiconductor intrínseco

n Densidad de corriente J =σ ×E

n Conductividad σ = qni ( µ n + µ p )
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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Ejercicio 1 . Una muestra de germanio intrínseco de 1 cm de longitud y 2 x
2 mm de sección cuadrada, es atravesada por una corriente de 6 mA
cuando se aplica una diferencia de tensión entre sus extremos de 1 V.
La movilidad de los electrones es de 3.800 cm2 /V.s y de los huecos
1.800 cm2/V.s. Calcular:
a) la densidad electrónica
b) Las velocidades de desplazamiento o de arrastre de los portadores.
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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES

Distribución en energía de los electrones

libres en un semiconductor
n Función de distribución de energía o densidad de
electrones por unidad de energía

ρ E = f ( E) × N ( E)
n Densidad de estados cuánticos por unidad de
energía
1
N ( E ) = γ ( E − EC ) 2

n Función de probabilidad de Fermi-Dirac

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES
Función de probabilidad de Fermi-Dirac
n Probabilidad de que un estado cuántico de energía

E esté ocupado por un electrón, también

especifica la fracción de todos los estados de
energía E ocupados en condiciones de equilibrio
térmico Banda de
conducción

EC
1
f (E ) = E− EF EV
1+ e kT Banda de
valencia

Banda
prohibida
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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES
Densidad electrónica en la banda de conducción.
n Representa el número de electrones libres por

unidad de volumen con energías comprendidas

entre el nivel de energía más bajo de la banda de
conducción EC y la energía más alta (+∞).
n Expresión:

∞ EC − EF
n = ∫ ρ E dE n = NC e
−
kT
EC
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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES

Distribución en energía de los huecos en un

semiconductor
n Función de distribución de energía o densidad de
huecos por unidad de energía

ρ P = (1 − f (E )) × N (E )
n Densidad de estados cuánticos por unidad de
energía
N ( E ) = γ ( EV − E)
1
2

n Función de probabilidad de Fermi-Dirac

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES
Función de probabilidad para los huecos
n Probabilidad de que un estado cuántico de
energía E en la banda de valencia esté vacío,
también especifica la fracción de todos los estados
de energía E vacíos en condiciones de equilibrio
térmico

E −EF

e kT

1 − f (E ) = E− EF

1+ e kT
Diapositiva 12

FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES
Densidad de huecos en la banda de valencia.
n Representa el número de huecos por unidad

de volumen con energías comprendidas entre

la energía más baja (-∞) y el nivel de energía
más alto de la banda de valencia EV
n Expresión:

E F − EV
EV −
p = ∫ ρ P dE p = NV e kT
−∞
Diapositiva 13

FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES
Nivel de Fermi en un semiconductor intrínseco
n Expresión:

Banda de
conducción

E + EV kT N EC
EF = C − Ln C EF
2 2 NV EV
Banda de
valencia

Banda
prohibida
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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Ejercicio 2 . Cálculo de la distancia de la energía de Fermi al centro de la
banda prohibida.

DATOS INCOGNITAS
mn /mp 2,00 Distancia (eV) -2,24E-02

Temperatura (ºK) 500 Posición respecto a la mitad de la B.P. de bajo

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Concentración
Concentración intrínseca
intrínseca en
en los
los
semiconductores
semiconductores
nn Dependencia
Dependencia con
con la
la temperatura
temperatura

EGO
−
ni2 = AoT e 3 kT