CONTENIDO DETALLADO:

Diodos y aplicaciones con diodos.

1.1 Introduccin a los diodos y diodo ideal.
1.2 Materiales semiconductores tipo N y tipo P.
1.3 Curvas caractersticas (ideal, real y aproximadas) de un diodo.
1.4 Algunas imperfecciones del diodo y sus hojas de especificaciones.
1.5 El diodo Zener, el diodo emisor de luz (LED) y otros tipos de diodos.
1.6 Comportamiento de CC de un diodo.
1.7 El rectificador de media onda.
1.8 El rectificador de onda completa.
1.9 Recortadores y sujetadores.
1.10 Multiplicadores de voltaje.
El transistor de unin bipolar (BJT).
2.1 Introduccin al BJT y principios de construccin.
2.2 Configuracin de base comn.
2.3 Configuracin de emisor comn.
2.4 Configuracin de colector comn.
2.5 Lmites de operacin del transistor.
2.6 Hoja de especificaciones del transistor.
Polarizacin de CD del BJT.
3.1 Punto de operacin o punto Quiescente.
3.2 Circuito de polarizacin fija.
3.3 Circuito de polarizacin estabilizada de emisor.
3.4 Polarizacin con divisor de voltaje.
3.5 Diversas configuraciones de polarizacin.
1
3.6 Conmutacin con transistores.
3.7 El transistor PNP
Modelado del transistor BJT.
4.1 Amplificador en el dominio de CA.
4.2 Modelado del transistor BJT.
4.3 Parmetros importantes: Zi, Zo, Av, Ai, Vi, Vo, Ii, Io. (Redes de dos puertos).
4.4 El modelo re del transistor.
4.5 El modelo equivalente hbrido.
Anlisis de pequea seal del BJT.
5.1 Polarizacin por divisor de voltaje.
5.2 Configuracin de polarizacin de emisor para emisor comn.
5.3 Configuracin de emisor seguidor.
Apndice al captulo 5
Transistor de efecto de campo (FET).
6.1 Introduccin al transistor de efecto de campo.
6.2 Construccin y caractersticas de los JFET.
6.3 Caractersticas de transferencia.
Polarizacin de CD del FET.
7.1 Configuracin de polarizacin fija.
7.2 Configuracin de autopolarizacin.
1.1 Introduccin a los diodos y diodo ideal.
Las dcadas que siguieron a la introduccin del transistor en los aos cuarenta han atestiguado un cambio
sumamente drstico en la industria electrnica. La miniaturizacin que ha resultado nos maravilla cuando
consideramos sus lmites. En la actualidad se encuentran sistemas completos en una oblea miles de veces
menor que el ms sencillo elemento de las primeras redes. Las ventajas asociadas con los sistemas
semiconductores en comparacin con las redes con tubos de los aos anteriores son , en su mayor parte,
obvias: ms pequeos y ligeros, no requieren calentamiento ni se producen prdidas trmicas (lo que s sucede
en el caso de los tubos), una construccin ms resistente y no necesitan un periodo de calentamiento.
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La miniaturizacin de los ltimos aos ha producido sistemas semiconductores tan pequeos que el propsito
principal de su encapsulado es proporcionar simplemente algunos medios para el manejo del dispositivo y
para asegurar que las conexiones permanezcan fijas a la oblea del semiconductor. Tres factores limitan en
apariencia los lmites de la miniaturizacin: la calidad del propio material semiconductor, la tcnica del diseo
de la red y los lmites del equipo de manufactura y procesamiento.
El primer dispositivo electrnico que se presentar se denomina diodo. Es el ms sencillo de los dispositivos
semiconductores pero desempea un papel vital en los sistemas electrnicos, con sus caractersticas que se
asemejan en gran medida a las de un sencillo interruptor. Se encontrar en una amplia gama de aplicaciones,
que se extienden desde las simples hasta las sumamente complejas. Aparte de los detalles de su construccin y
caractersticas, los datos y grficas muy importantes que se encontrarn en las hojas de especificaciones
tambin se estudiarn para asegurar el entendimiento de la terminologa empleada y para poner de manifiesto
la abundancia de informacin de la que por lo general se dispone y que proviene de los fabricantes.
Antes de examinar la construccin y caractersticas de un dispositivo real, consideremos primero un
dispositivo ideal, para proporcionar una base comparativa. El diodo ideal es un dispositivo de dos terminales
que tiene el smbolo y las caractersticas que se muestran en la figura 1.1a y b, respectivamente.
(a)
3
(b)
Figura 1.1 Diodo ideal: (a)smbolo; (b) caracterstica.
En forma ideal, un diodo conducir corriente en la direccin definida por la flecha en el smbolo y actuar
como un circuito abierto para cualquier intento de establecer corriente en la direccin opuesta. En esencia:
Las caractersticas de un diodo ideal son las de un interruptor que puede conducir corriente en una sola
direccin.
En la descripcin de los elementos que sigue, un aspecto muy importante es la definicin de los smbolos
literales, las polaridades de voltaje y las direcciones de corriente. Si la polaridad del voltaje aplicado es
consistente con la que se muestra en la figura 1.1.a, la parte de las caractersticas que se consideran en la
figura 1.1.b, se encuentra a la derecha del eje vertical. Si se aplica un voltaje inverso, las caractersticas a la
izquierda son pertinentes. En el caso de que la corriente a travs del diodo tenga la direccin que se indica en
la figura 1.1.a, la parte de las caractersticas que se considerar se encuentra por encima del eje horizontal, en
tanto que invertir la direccin requerir el empleo de las caractersticas por debajo del eje.
Uno de los parmetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o regin de operacin. Si
consideramos la regin definida por la direccin de ID y la polaridad de VD en la figura 1.1.a (cuadrante
superior derecho de la figura 1.1.b), encontraremos que el valor de la resistencia directa RF, de acuerdo a
como se define con la ley de Ohm es
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(corto circuito)
donde VF es el voltaje de polarizacin directo a travs del diodo e IF es la corriente en sentido directo a
travs del diodo.
El diodo ideal, por consiguiente, es un corto circuito para la regin de conduccin.
Si consideramos la regin del potencial aplicado negativamente (tercer cuadrante) de la figura 1.1.b,
(circuito abierto)
donde VR es el voltaje de polarizacin inverso a travs del diodo e IR es la corriente inversa en el diodo.
El diodo ideal, en consecuencia, es un circuito abierto en la regin en la que no hay conduccin.
En sntesis, se aplican las condiciones que se describen en la figura 1.2.
Figura 1.2 Estados (a) de conduccin y (b) de no conduccin del diodo ideal.
En general, es relativamente sencillo determinar si un diodo se encuentra en la regin de conduccin o en la
de no conduccin observando tan solo la direccin de la corriente ID establecida por el voltaje aplicado. Para
el flujo convencional (opuesto al de los electrones), si la corriente resultante en el diodo tiene la misma
direccin que la de la flecha del mismo elemento, ste opera en la regin de conduccin. Esto se representa en
la figura 1.3a. Si la corriente resultante tiene la direccin opuesta, como se muestra en la figura 1.3b, el
circuito abierto equivalente es el apropiado.
5
Figura 1.3 (a) Estado de conduccin y (b) de no conduccin del diodo ideal determinados por la
direccin de corriente de la red aplicada.
Como se indic con anterioridad, el propsito principal de esta seccin es el de presentar las caractersticas de
un dispositivo ideal para compararlas con las de las variedades comerciales.
1.2 Materiales semiconductores tipo N y tipo P.
Configuracin Electrnica de los elementos Semiconductores:
Elemento _electrones 1S 2S 2P 3S 3P 3d 4S 4P 4d 4f 5S 5P
Boro _____ B __ 5 2 2 _ 1
Carbono __ C __ 6 2 2 _ 2
Aluminio __ Al __13 2 2 _ 6 2 _ 1
Silicio ____ Si __ 14 2 2 _ 6 2 _ 2
Fsforo ___ P __15 2 2 _ 6 2 _ 3
Galio ____ Ga __31 2 2 _ 6 2 _ 6 _ 10 2 _ 1
Germanio__Ge __32 2 2 _ 6 2 _ 6 _ 10 2 _ 2
Arsnico __As __33 2 2 _ 6 2 _ 6 _ 10 2 _ 3
Indio _____In __ 49 2 2 _ 6 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 2 _ 1
Estao ____Sn__ 50 2 2 _ 6 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 2 _ 2
Antimonio__Sb_ 51 2 2 _ 6 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 2 _ 3
Electrones por
Nivel (2
)
2 8 18 32
6
Enlace covalente: En este tipo de enlace los electrones se comparten, pero no se transfieren. Un enlace
covalente consiste en un par de electrones (de valencia) compartidos por dos tomos.
El mtodo ms sencillo para liberar los electrones de valencia ligados consiste en calentar e cristal. Los
tomos efectan oscilaciones cada vez ms intensas que tienden a romper los enlaces y liberar as los
electrones. Cuanto mayor sea la temperatura de un semiconductor, mejor podr conducir.
Material Intrnseco
Cristal de Silicio
Material Intrnseco Tipo N
Cristal de Silicio "dopado" con tomos de Arsnico. tomos "Donadores"
Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se denominan tomos donadores.
Los materiales tipo N se crean aadiendo elementos de impureza (tomos) que tengan cinco electrones de
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valencia, "Pentavalentes".
Material Extrnseco Tipo P
Cristal de Silicio "Dopado" con tomos o impurezas de Galio. tomos "Aceptores"
Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se denominan tomos aceptores.
Los materiales tipo P se crean aadiendo elementos de impurezas (tomos) que tengan tres electrones de
valencia.
Por las razones antes expuestas, en un material tipo N el electrn se denomina portador mayoritario y el
hueco, portador minoritario.
Cuando el quinto electrn (electrn sobrante) de un tomo donador abandona al tomo padre, el tomo que
permanece adquiere una carga positiva neta: a ste se le conoce como ion donador y se representa con un
circulo encerrando un signo positivo. Por razones similares, el signo negativo aparece en el ion aceptor.
Tipo N
Iones Donadores (tomos de impurezas con 5 electrones).
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Portadores Mayoritarios.
+ Portador Minoritarios.
(Huecos generados cuando algunos electrones de tomos de silicio adquieren suficiente energa para romper el
enlace covalente y convertirse en electrones libres y/o portadores Mayoritarios).
Tipo N
Tipo P
Iones Aceptores (tomos de impurezas con 3 electrones).
+ Portadores Mayoritarios.
Portadores minoritarios.
(electrones libres generados cuando estos adquieren suficiente energa para romper el enlace covalente, el
hueco que dejan se convierte en portado mayoritario).
Tipo P
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Diodo Semiconductor
El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales deben estar construidos a
partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si.
Las dimensiones de los bloques de material tipo N y tipo P, as como las tcnicas y tecnologas que se utilizan
para unirlos no son parte de los objetivos del curso y por esa razn no se abordar el tema, si alguien desea
saber un poco ms de esto, puede consultar el captulo 13, 20 y/o 21 del libro de texto.
Regin de Agotamiento
En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y los huecos que
estn en , o cerca de, la regin de "unin", se combinan y esto da como resultado una carencia de portadores
(tanto como mayoritarios como minoritarios) en la regin cercana a la unin. Esta regin de iones negativos y
positivos descubiertos recibe el nombre de Regin de Agotamiento por la ausencia de portadores.
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Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a travs de las terminales del diodo:
No hay polarizacin (VD = 0 V).
Polarizacin directa (VD > 0 V).
Polarizacin inversa (VD < 0 V).
VD = 0 V. En condiciones sin polarizacin, los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo N que se
encuentran dentro de la regin de agotamiento pasarn directamente al material tipo P y viceversa. En
ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier direccin es
cero para un diodo semiconductor.
La aplicacin de un voltaje positivo "presionar" a los electrones en el material tipo N y a los huecos en el
material tipo P para recombinar con los iones de la frontera y reducir la anchura de la regin de agotamiento
hasta desaparecerla cuando VD 0.7 V para diodos de Silicio.
ID = Imayoritarios IS
Condicin de Polarizacin Inversa (VD < 0 V). Bajo esta condicin el nmero de iones positivos descubiertos
en la regin de agotamiento del material tipo N aumentar debido al mayor nmero de electrones libres
arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. El nmero de iones negativos descubiertos en el
material tipo P tambin aumentar debido a los electrones inyectados por la terminal negativa, las cuales
ocuparn los huecos.
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El fenmeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P, provocar que la regin de
agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una barrera tan grande que los portadores mayoritarios no
podrn superar, esto significa que la corriente ID del diodo ser cero.
Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estarn entrando a la regin de agotamiento no
cambiar, creando por lo tanto la corriente IS.
La corriente que existe bajo condiciones de polarizacin inversa se denomina corriente de saturacin inversa,
IS.
El trmino "saturacin" proviene del hecho que alcanza su mximo nivel (se satura) en forma rpida y no
cambia significativamente con el incremento en el potencial de polarizacin inversa, hasta que al valor VZ o
VPI, voltaje pico inverso.
El mximo potencial de polarizacin inversa que puede aplicarse antes de entrar en la regin Zener se
denomina Voltaje Pico Inverso o VPI nominal.
Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de VPI y de corriente ms altos e intervalos de
temperatura ms amplios que los diodos de germanio.
1.3 Curvas caractersticas (ideal, real y aproximadas) de un diodo.
La curva de un diodo semiconductor (o diodo real) se puede definir por la siguiente ecuacin:
K = 11,600/ 1 para Ge
12
TK = TC + 273 para Si
Para un diodo de silicio la corriente de saturacin inversa IS aumentar cerca del doble en magnitud por cada
10 C de incremento en la temperatura.
Debido a la forma que tiene la curva caracterstica del diodo, mostrada anteriormente, y la forma compleja de
la ecuacin, con frecuencia se utiliza un modelo simplificado:
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El modelo simplificado se puede utilizar siempre que la resistencia de la red y/o de los dispositivos junto a los
cuales se conectar el diodo sea mucho mayor que la resistencia promedio del diodo rd, la cual se podra
calcular como rd, en promedio, la resistencia de un diodo de pequea seal es de 26. Red >> rd
1.4 Algunas imperfecciones del diodo y sus hojas de especificaciones.
Los dispositivos electrnicos (entre ellos los semiconductores) son sensibles a frecuencias muy elevadas. En
los diodos se presentan dos efectos principales a altas frecuencias:
Capacitancias parsitas de Transicin y de Difusin.
Tiempo de recuperacin en Sentido Inverso.
En la regin de polarizacin inversa se presenta principalmente la capacitancia de la regin de agotamiento
(CT), en tanto que en la de polarizacin directa se presenta principalmente la capacitancia de difusin o de
almacenamiento (CD).
14
El tiempo de recuperacin en sentido inverso se representa por trr. Cuando el diodo est polarizado
directamente y el voltaje aplicado se invierte repentinamente, idealmente se debera observar que el diodo
cambia en forma instantnea del estado de conduccin al de no conduccin. Sin embargo, debido a un nmero
considerable de portadores minoritarios en cada material, el diodo se comportar como se muestra en la
siguiente figura:
ts Tiempo de almacenamiento. Tiempo requerido para que los portadores minoritarios regresen a su estado
de portadores mayoritarios en el material opuesto.
tt Intervalo de Transicin. Tiempo requerido para que la corriente inversa se reduzca al nivel asociado con
el estado de no conduccin.
5ns trr 1 s en diodos de recuperacin muy rpida (trr 150 Pseg.)
Hojas de especificaciones del diodo.
1. El voltaje directo VF (a una corriente u temperatura especfica).
2. Mxima Corriente Directa IF (Temp. especfica).
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3. Corriente de Saturacin Inversa IR (voltaje y temperatura especficos).
4. Voltaje inverso Nominal VPI o VBR (Temperatura).
5. Mximo nivel de disipacin de Potencia PDmx (Temperatura).
6. Capacitancias parsitas.
7. Tiempo de recuperacin en sentido inverso trr.
8. Intervalo de temperatura de operacin.
1.5 El diodo Zener, el diodo emisor de luz (LED) y otros tipos de diodos.
DIODOS ZENER
La corriente en la regin Zener tiene una direccin opuesta a la d un diodo polarizado directamente.
El diodo Zener es un diodo que ha sido diseado para trabajar en la regin Zener.
De acuerdo con la definicin, se puede decir que el diodo Zener ha sido diseado para trabajar con voltajes
negativos (con respecto a l mismo).
Es importante mencionar que la regin Zener (en un diodo Zener) se controla o se manipula variando los
niveles de dopado. Un incremento en el nmero de impurezas agregadas, disminuye el potencial o el voltaje
de Zener VZ.
As, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde 1.8 V a 200 V y potencias de 1/4 a
50 W.
El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual cuando ha alcanzado su potencial VZ se comporta
como un corto. Es un "switch" o interruptor que se activa con VZ volts. Se aplica en reguladores de voltaje o
en fuentes.
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En el circuito que se muestra, se desea proteger la carga contra sobrevoltajes, el mximo voltaje que la carga
puede soportar es 4.8 volts. Si se elige un diodo Zener cuyo VZ sea 4.8 volts, entonces este se activar cuando
el voltaje en la carga sea 4.8 volts, protegindola de esta manera.
EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED)
El LED es un diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando se encuentra polarizado.
El voltaje de polarizacin de un LED vara desde 1.8 V hasta 2.5 V, y la corriente necesaria para que emita la
luz va desde 8 mA hasta los 20 mA.
Principio de Funcionamiento:
En cualquier unin PN polarizada directamente, dentro de la estructura y principalmente cerca de la unin,
ocurre una recombinacin de huecos y electrones (al paso de la corriente). Esta recombinacin requiere que la
energa que posee un electrn libre no ligado se transfiera a otro estado. En todas las uniones PN una parte
de esta energa se convierte en calor y otro tanto en fotones. En el Si y el Ge el mayor porcentaje se
transforma en calor y la luz emitida es insignificante. Por esta razn se utiliza otro tipo de materiales para
fabricar los LED's, como Fosfuro Arseniuro de de Galio (GaAsP) o fosfuro de Galio (GaP).
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Otros diodos son:
Diodos Schottky (Diodos de Barrera).
Diodos Varactores o Varicap.
Diodos Tunel.
Fotodiodos.
Diodos emisores de luz infrarroja.
Diodo de inyeccin lser (ILD).
Los diodos emisores de luz se pueden conseguir en colores: verde, rojo, amarillo, mbar, azul y algunos otros.
En este punto del curso vale la pena tomar en cuenta los siguiente comentarios:
Qu tan vlido es utilizar las aproximaciones ?
Qu tan exacto puede ser un clculo y/o una medicin realizada en el laboratorio ?
Hay que tener en cuenta que las caractersticas obtenidas de las hojas de especificaciones pueden ser distintas
para los diodos (p. e. 1N4001) aunque ambos hayan sido producidos en el mismo lote.
Tambin hay que tener en cuenta otro tipo de tolerancias como los resistores, uno marcado de 100 puede ser
realmente de 98 o de 102 o tal vez si ser exacto, y una fuente "ajustada" a 10V puede estar ajustada
realmente a 9.9V o a 10.1V o tal vez a 10V.
1.6 Comportamiento de CC de un diodo.
18
ANLISIS POR RECTA DE CARGA
La carga o la resistencia de carga (RL o R) aplicada a un circuito, tendr un efecto importante sobre el punto
de regin de operacin de un dispositivo (en este caso el diodo).
Si se aplica la ley de voltajes de Kirchoff:
V VD VL = 0
V = VD + IDRL
Si se realiza un anlisis en esta malla, de tal manera que pueda trazarse una lnea recta sobre la curva de
caractersticas del diodo, entonces la interseccin de stas representar el punto de operacin de la red o punto
Q.
Ntese que la recta de carga queda determinada en sus extremos por RL y V, de tal manera que representa las
caractersticas de la red. Si se modifica el valor de V o de RL o de ambos, entonces la recta de carga cambiar
tambin.
19
Los extremos de la recta de carga se obtienen buscando las intersecciones con los ejes (ID = 0 y despus VD =
0):
Si VD = 0:
V = IDRL ID = V / RL
Si ID = 0:
V = VD VD = V
Como se mostr anteriormente, una lnea recta trazada entre estos dos puntos define la recta de carga.
Es muy vlido tambin utilizar para el diodo, en lugar de la curva real, la curva del modelo simplificado. En
este caso, el punto Q no cambiar o cambiar muy poco.
Si en lugar del modelo simplificado se utilizara el modelo del diodo ideal, entonces s cambiara mucho el
punto Q.
20
COMPORTAMIENTO DE CC DE UN DIODO
En esta seccin se utilizar el modelo simplificado, o modelo aproximado del diodo para analizar el
comportamiento en diversas configuraciones en serie y en paralelo con entradas de CD.
Para cada configuracin o circuito debe determinarse primero el estado de cada diodo (Conduccin o No
Conduccin). Despus de determinar esto se puede poner en su lugar el equivalente adecuado y determinar los
otros parmetros de la red.
En lo subsecuente, se utilizar el modelo simplificado, o modelo aproximado del diodo para analizar el
comportamiento en diversas configuraciones en serie y en paralelo con entradas de CC (Corriente Continua,
Corriente Directa).
A continuacin se abordarn algunos puntos y conceptos a tomar en cuenta previos y para el anlisis de un
circuito con diodos:
1. Un diodo estar en estado activo si VD = 0.7V para el Si y VD = 0.3 para el Ge.
2. Para cada configuracin o circuito debe determinarse primero el estado de cada diodo (conduccin o no
conduccin).
3. Despus de verificar el punto anterior, en ocasiones es conveniente poner en lugar del diodo, el circuito
equivalente adecuado y posteriormente determinar los otros parmetros de la red.
4. Hay que tener en cuenta que:
Un circuito abierto puede tener cualquier voltaje a travs de sus terminales (hasta VPI en el
caso de un diodo), pero la corriente siempre es cero (IS en el caso de un diodo, aunque IS
0).

21
Un corto circuito tiene una cada de cero volts a travs de sus terminales (0.7 volts para un
diodo de Si, 0.3 volts para un diodo de Ge, 0 volts para un diodo ideal) y la corriente estar
limitada por la red circundante.

En los diversos circuitos que se muestran a continuacin, determine VD, ID y VR.
1.
Con V = 12 volts
Realizando la malla:
V VT VR = 0
12 0.7 IR = 0
Despejando I de la ecuacin anterior:
I = (12 0.7)/1.2 k = 9.42 mA
Si en el ejemplo anterior se invierte el diodo:
2.
Con el diodo invertido la corriente por l
ser cero (si se utiliza el modelo simplificado)
22
y entonces I = 0.
12 VD VR = 0, donde VR = IR = 0
VD = 12 volts
I = ID = 0 A
3.
En este caso, aunque la polaridad del voltaje de la
la fuente es adecuada para polarizar el diodo, el ni
vel de voltaje es insuficiente para activar al diodo
de silicio y ponerlo en el estado de conduccin.
De acuerdo con la grfica ID = 0
23
0.4 0.4 VR = 0
0.4 0.4 IR = 0
I = 0 VR = 0
4.
12 VTSi VTGe IDR = 0 , si ID = I
12 0.7 0.3 I (5.6k) = 0
I = 11V / 5.6k = 1.96 mA
VR = (1.96 mA)(5.6 k) = 11
Vo = VR = 11V
5.

24
6.
V1 VR1 VD VR2 + V2 = 0
10 IR1 0.7 IR2 + 5 = 0
14.3 I(R1 + R2) = 0
I = 14.3 / (4.7k + 2.2k) = 2.1 mA
Vo = VR2 V2 = (4.56 5)v = 0.44v
VR2 = (2.1 mA)(2.2k) = 4.56v
7.
25
10 VR 0.7 = 0
10 (I)(R) 0.7 = 0
I = 9.3 / 3.3k = 2.8 mA
VR = (I)(R) = (2.8m)(3.3k) = 9.3 v
8.
9.
26
10.
VR2 + 20 VD1 VD2 = 0
1.7 El rectificador de media onda.
27
El Vprom o Vcd de esta seal rectificada es:
, pero f y f = 1/T
28
Si Vm es mucho mayor que VT Vcd 0.318Vm
29
Vpp = Valor pico a pico = 2Vp
Vp = Valor pico
Vpromedio = 0
Ejemplo: Dibuje la salida Vo y calcule el nivel de cd para la siguiente red.
a) con Vi = 20 sen t volts y con diodo ideal.
30
Con el diodo conectado de esta manera, ste conducir nicamente en la parte negativa de Vi.
Vcd = 0.318Vm = 0.318(20)
Vcd = 6.36 volts
b)Repita el inciso anterior si el diodo se sustituye por uno de silicio.
Vcd = 0.318(Vm VT)
Vcd = 0.318(20 0.7)
Vcd = 6.14V
31
c) Repita el inciso a) si el diodo ideal se sustituye por uno de silicio y Vi = 179.6 sen t volts.
d) Repita el inciso anterior con diodo ideal.
El voltaje pico inverso del diodo es de fundamental importancia en el diseo de sistemas de rectificacin.
El VPI del diodo no debe excederse (Vm < VPI) ya que de lo contrario, el diodo entrara en la regin de
avalancha o regin Zener.
La mayor parte de los circuitos electrnicos necesitan un voltaje de c.d. para trabajar. Debido a que el voltaje
de lnea es alterno, lo primero que debe hacerse en cualquier equipo electrnico es convertir o "rectificar" el
voltaje de alterna (c.a.) en uno de directa (c.d.).
La tarea de la "fuente" o fuente de alimentacin de cualquier equipo o aparato electrnico es obtener el o los
niveles adecuados de c.d. a partir del voltaje de linea (127 VRMS).
32
El transformador es un dispositivo que se utiliza para elevar o reducir el voltaje de CA, segn como sea
necesario.
donde:
V1 = Voltaje en el devanado primario
V2 = Voltaje en el devanado secundario
N1 = # de vueltas en devanado primario
N2 = # de vueltas en el devanado secundario
P.e. Si la razn de vueltas es 6:1 y Vin es el voltaje de la lnea:
33
1.8 El rectificador de onda completa (R.O.C.)
Se conocen y se utilizan dos configuraciones para rectificadores de onda completa. La primera de ellas es el
"Puente" rectificador de onda completa:
34
Rectificador de onda completa utilizando Transformador con Derivacin Central
35
Para diodos reales: Vprom = Vcd = 0.636 (VmVT)
Para cada diodo: VPI 2Vm
2.1 Introduccin al BJT y principios de construccin.
Durante el periodo 19041947, el tubo de vaco fue sin duda el dispositivo electrnico de inters y desarrollo.
En 1904, el diodo de tubo de vaco fue introducido por J. A. Fleming. Poco despus, en 1906, Lee, De Forest
agreg un tercer elemento, denominado rejilla de control, al tubo de vaco, lo que origin el primer
amplificador: el triodo. En los aos siguientes, la radio y la televisin brindaron un gran impulso a la industria
de tubos electrnicos. La produccin aument de cerca de 1 milln de tubos en 1922 hasta aproximadamente
36
100 millones en 1937. A principios de la dcada de los treinta el ttrodo de cuatro elementos y el pntodo de
cinco elementos se distinguieron en la industria de tubos electrnicos. Durante los aos subsecuentes, la
industria se convirti en una de primera importancia y se lograron avances rpidos en el diseo, las tcnicas
de manufactura, las aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia y la miniaturizacin.
Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947 la industria electrnica atestigu el advenimiento de una direccin
de inters y desarrollo completamente nueva. Fue en el transcurso de la tarde de ese da que Walter H.
Brattain y John Bardeen demostraron el efecto amplificador del primer transistor en los Bell Telephone
Laboratorios. El transistor original (un transistor de punto de contacto) se muestra en la figura 3.1. De
inmediato, las ventajas de este dispositivo de estado slido de tres terminales sobre el tubo electrnico fueron
evidentes: era ms pequeo y ligero; no tena requerimientos de filamentos o prdidas trmicas; ofreca una
construccin de mayor resistencia y resultaba ms eficiente porque el propio dispositivo absorba menos
potencia; instantneamente estaba listo para utilizarse, sin requerir un periodo de calentamiento; adems, eran
posibles voltajes de operacin ms bajos. Obsrvese en la presentacin anterior que este captulo es nuestro
primer estudio de dispositivos con tres o ms terminales. El lector descubrir que todos los amplificadores
(dispositivos que incrementan el nivel de voltaje, corriente o potencia) tendrn al menos tres terminales con
una de ellas controlando el flujo entre las otras dos.
Figura 3.1 El primer transistor.
CONSTRUCCION DEL TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas, compuesto ya sea de dos capas de material tipo n y
una de tipo p o dos capas de material tipo p y una de tipo n. El primero se denomina transistor npn, en tanto
que el ltimo recibe el nombre de transistor pnp. Ambos se muestran en la figura 3.2 con la polarizacin de cd
adecuada. En el captulo 3 encontraremos que la polarizacin de cd es necesaria para establecer una regin de
operacin apropiada para la amplificacin de ca. Las capas exteriores del transistor son materiales
semiconductores con altos niveles de dopado, y que tienen anchos mucho mayores que los correspondientes al
material emparedado de tipo p o n. En los transistores que se muestran en la figura 3.2, la relacin entre el
ancho total y el de la capa central es de 0.150/0.001 = 150:1. El dopado de la capa emparedada es tambin
considerablemente menor que el de las capas exteriores (por lo general de 10:1 o menos). Este menor nivel de
dopado reduce la conductividad (incrementa la resistencia) de este material al limitar el nmero de portadores
"libres".
En la polarizacin que se muestra en la figura 3.2, las terminales se han indicado mediante letras maysculas,
E para el emisor, C para el colector y B para la base. Una justificacin respecto a la eleccin de esta notacin
37
se presentar cuando estudiemos la operacin bsica del transistor. La abreviatura BJT (bipolar junction
transistor = transistor de unin bipolar) se aplica a menudo a este dispositivo de tres terminales. El trmino
bipolar refleja el hecho de que los electrones y los huecos participan en el proceso de inyeccin en el material
polarizado opuestamente. Si slo uno de los portadores se emplea (electrn o hueco), se considera que el
dispositivo es unipolar.
Figura 3.2 Tipos de transistores: (a) pnp; (b) npn.
OPERACION DEL TRANSISTOR
La operacin bsica del transistor se describir ahora empleando el transistor pnp de la figura 3.2a. La
operacin del transistor npn es exactamente igual si se intercambian los papeles que desempean los
electrones y los huecos. En la figura 3.3 se ha redibujado el transistor pnp sin la polarizacin base a colector.
Ntense las similitudes entre esta situacin y la del diodo polarizado directamente en el captulo 1. El ancho
de la regin de agotamiento se ha reducido debido a la polarizacin aplicada, lo que produce un denso flujo de
portadores mayoritarios del material tipo p al tipo n.
38
Figura 3.3 Unin polarizada directamente de un transistor pnp.
Eliminaremos ahora la polarizacin base a emisor del transistor pnp de la figura 3.2a como se indica en la
figura 3.4. Recurdese que el flujo de portadores mayoritarios es cero, por lo que slo se presenta un flujo de
portadores minoritarios, como se ilustra en la figura 3.4. En resumen, por tanto:
Una unin pn de un transistor est polarizada inversamente, en tanto que la otra presenta polarizacin
directa.
En la figura 3.5 ambos potenciales de polarizacin se han aplicado a un transistor pnp, con un flujo de
portadores mayoritario y minoritario que se indica. En la figura 3.5 ntense los anchos de las regiones de
agotamiento, que indican con toda claridad qu unin est polarizada directamente y cul inversamente. Como
se indica en la figura 3.5, un gran nmero de portadores mayoritarios se difundirn a travs de la unin p~n
polarizada directamente dentro del material tipo n. La pregunta es entonces si estos portadores contribuirn en
forma directa a la corriente de base IB o pasarn directamente hacia el material tipo p. Puesto que el material
tipo n emparedado es sumamente delgado y tiene una baja conductividad, un nmero muy pequeo de estos
portadores seguir la trayectoria de alta resistencia hacia la terminal de la base. La magnitud de la corriente de
base es por lo general del orden de microamperes en comparacin con los miliamperes de las corrientes del
emisor y del colector. El mayor nmero de estos portadores mayoritarios se difundir a travs de la unin
polarizada inversamente dentro del material tipo p conectado a la terminal del colector, como se indica en la
figura 3.5. La causa de la relativa facilidad con la que los portadores mayoritarios pueden cruzar la unin
polarizada inversamente puede comprenderse si consideramos que para el diodo polarizado en forma inversa,
los portadores mayoritarios inyectados aparecern como portadores minoritarios en el material tipo n. En otras
palabras, ha habido una inyeccin de portadores minoritarios al interior del material de la regin base de tipo
n. Combinando esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios, en la regin de agotamiento
cruzarn la unin polarizada inversamente, se explica el flujo que se indica en la figura 3.5.
Figura 3.4 Unin polarizada inversamente de un transistor pnp.
39
Figura 3.5 Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor pnp.
Aplicando la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 3.5 como si fuera un solo nodo, obtenemos
IE = IC + IB
y descubrimos que la corriente en el emisor es la suma de las corrientes en el colector y la base, Sin embargo,
la corriente en el colector est formada por dos componentes: los portadores mayoritarios y minoritarios como
se indica en la figura 3.5. La componente de corriente minoritaria se denomina corriente de fuga y se
simboliza mediante ICO (corriente IC con la terminal del emisor abierta = open). Por lo tanto, la corriente en
el colector se determina completamente mediante la ecuacin (3.2).
IC = ICmayoritaria + ICOminoritaria
En el caso de transistores de propsito general, IC se mide en miliamperes, en tanto que ICO se mide en
microamperes o nanoamperes. ICO como Is para un diodo polarizado inversamente, es sensible a la
temperatura y debe examinarse con cuidado cuando se consideren aplicaciones de intervalos amplios de
temperatura. Si este aspecto no se trata de manera apropiada, es posible que la estabilidad de un sistema se
afecte en gran medida a elevadas temperaturas. Las mejoras en las tcnicas de construccin han producido
niveles bastante menores de ICO, al grado de que su efecto puede a menudo ignorarse.
2.2 Configuracin de base comn.
La notacin y smbolos que se usan en conjunto con el transistor en la mayor parte de los textos y manuales
que se publican en la actualidad, se indican en la figura 3.6 para la configuracin de base comn con
transistores pnp y npn, La terminologa relativa a base comn se desprende del hecho de que la base es comn
a los lados de entrada y salida de la configuracin. Adems, la base es usualmente la terminal ms cercana o
en un potencial de tierra. A lo largo de estos apuntes todas las direcciones de corriente se referirn a la
convencional (flujo de huecos) en vez de la correspondiente al flujo de electrones. Esta eleccin se
fundamenta principalmente en el hecho de que enorme cantidad de literatura disponible en las instituciones
educativas y empresariales hace uso del flujo convencional, de que las flechas en todos los smbolos
electrnicos tienen una direccin definida por esta convencin. Recurdese que la flecha en el smbolo del
diodo define la direccin de conduccin para la corriente convencional. Para el transistor:
La flecha del smbolo grfico define la direccin de la corriente de emisor (flujo convencional) a travs del
dispositivo.
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Figura 3.6 Notacin y smbolos en la configuracin de base comn.
Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura 3.6 son las direcciones reales, como se definen
con base en la eleccin del flujo convencional. Ntese en cada caso que IE = IC + IB. Tambin advirtase que
la polarizacin aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se establezca la corriente en la direccin indicada
para cada rama. Es decir, comprese la direccin de IE con la polaridad o VEE para cada configuracin y la
direccin de IC con la polaridad de ICC.
Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, tales como los
amplificadores de base comn de la figura 3.6, se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para los
parmetros de entrada o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El conjunto de entrada para el
amplificador de base comn, como se muestra en la figura 3.7, relacionar una corriente de entrada (IE) con
un voltaje de entrada (VBE ) para varios niveles de voltaje de salida (VCB).
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Figura 3.7 Caractersticas del punto de excitacin para un transistor amplificador de silicio de base
comn.
El conjunto de salida relacionar una corriente de salida (IC) con un voltaje de salida VCB para diversos
niveles de corriente de entrada (IE), como se ilustra en la figura 3.8. El conjunto de caractersticas de salida o
colector tiene tres regiones bsicas de inters, como se indican en la figura 3.8: las regiones activa, de corte y
de saturacin. La regin activa es la regin empleada normalmente para amplificadores lineales (sin
distorsin). En particular: En la regin actva la unin colectorbase est inversamente polarizada, mientras
que la unin baseemisor se encuentra polarizada en forma directa.
La regin activa se define por los arreglos de polarizacin de la figura 3.6. En el extremo ms bajo de la
regin activa la corriente de emisor (IE) es cero, la comente de colector es simplemente la debida a la
corriente inversa de saturacin ICO , como se indica en la figura 3.8. La corriente ICO es tan pequea (del
orden de microamperios) en magnitud comparada con la escala vertical de IC (del orden de los miliamperios),
que aparece virtualmente sobre la misma lnea horizontal que IC = 0. Las condiciones del circuito que existen
cuando IE = 0 para la configuracin base comn se ilustran en la figura 3.9. La notacin usada con ms
frecuencia para ICO, en hojas de datos y de especificaciones es ICBO como se indica en la figura 3.9. A causa
de las tcnicas mejoradas de construccin, el nivel de ICBO para transistores de propsito general
(especialmente silicio) en los intervalos de potencia bajo y medio es por lo general tan reducido que su efecto
puede ignorarse. Sin embargo, para unidades de mayor potencia ICBO an aparecer en el intervalo de los
microamperios. Adems, recurdese que ICBO para el diodo (ambas corrientes inversas de fuga) es sensible a
la temperatura. A mayores temperaturas el efecto de ICBO puede llegar a ser un factor importante ya que se
incrementa muy rpidamente con la temperatura.
Figura 3.9 Saturacin de corriente inversa.
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Ntese, en la figura 3.8, que conforme la corriente del emisor aumenta sobre cero, la corriente del colector
aumenta a una magnitud esencialmente igual a la corriente del emisor determinada por las relaciones bsicas
del transistorcorriente. Advirtase tambin el casi desdeable efecto de VCB sobre la corriente del colector
para la regin activa. Las curvas indican claramente que una primera aproximacin a la relacin entre IE e
IC en la regin activa la da
IC IE
Como se deduce de su nombre, la regin de corte se define como aquella regin donde la corriente de colector
es de 0 A, como se demuestra en la figura 3.8. En suma:
En la regin de corte ambas uniones, colectorbase y baseemisor, de un transistor estn inversamente
polarizadas.
La regin de saturacin se define como la regin de las caractersticas a la izquierda de VCB = 0 V. La escala
horizontal en esta regin se ampli para mostrar claramente el gran cambio en las caractersticas de esta
regin. Ntese el incremento exponencial en la comente de colector a medida que el voltaje VCB se
incrementa ms all de los 0 V.
En la regin de saturacin las uniones colectorbase y baseemisor estn polarizadas directamente.
Las caractersticas de entrada de la figura 3.7 muestran que para valores fijos de voltaje de colector (VCB), a
medida que el voltaje de base a emisor aumenta, la corriente de emisor se incrementa de una manera que se
asemeja mucho a las caractersticas del diodo. De hecho, los niveles de aumento de VCB tienen un efecto tan
insignificante sobre las caractersticas que, como una primera aproximacin, la variacin debida a los cambios
en VCB puede ignorarse y se dibujan las caractersticas como se ilustra en la figura 3.10a. Si aplicamos
entonces el mtodo del modelo de segmentos lineales del diodo ideal, se obtendrn las caractersticas de la
figura 3.10b. Adelantando un paso ms e ignorando la pendiente de la curva y por tanto la resistencia asociada
con la unin directamente polarizada, se obtendrn las caractersticas de la figura 3. lOc. Para los siguientes
anlisis en estos apuntes, el modelo equivalente de la figura 3.l0c se emplear para todos los anlisis de cd
para redes de transistores. Es decir, una vez que el transistor esta en el estado "encendido" o de conduccin, se
supondr que el voltaje de base a emisor ser el siguiente:
VBE = 0.7 V
Alfa ( )
En el modo de cd los niveles de IC e IE debidos a los portadores mayoritarios estn relacionados
por una cantidad denominada alfa y que se define por medio de la siguiente ecuacin:
cd = IC / IE
donde IC e IE son los niveles de corriente al punto de operacin. Aun cuando las caractersticas de la figura
3.8 parecen sugerir que = 1, para dispositivos prcticos el nivel de alfa se extiende tpicamente de 0.90 a
0.998, aproximndose la mayor parte al extremo superior del intervalo. Ya que alfa se define nicamente por
los portadores mayoritarios, la ecuacin (3.2) se convierte en
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IC = IE + ICBO
Para las caractersticas de la figura 3.8 cuando IE = 0 mA, IC es por tanto igual a ICBO, pero como se
mencion con anterioridad el nivel de ICBO es por 1o general tan pequeo que es virtualmente indetectable
en la grfica de la figura 3.8. En otras palabras, cuando IE = 0 mA en la figura 3.8, IC aparece tambin con 0
mA para el intervalo de valores de VCB.
Para las situaciones de ca en donde el punto de operacin se mueve sobre la curva de caractersticas, un alfa
de ca se define por
El alfa de ca se denomina formalmente el factor de amplificacin de base comn en corto circuito, por
razones que sern obvias cuando examinemos los circuitos equivalentes de transistor en el capitulo 4. Por el
momento, admitamos que la ecuacin (3.7) especifica que un cambio relativamente pequeo en la corriente de
colector se divide por el cambio correspondiente en IE manteniendo constante el voltaje colector a base. Para
la mayora de las situaciones las magnitudes de ca y de cd se encuentran bastante cercanas, permitiendo
usar la magnitud de una por otra.
Polarizacin
La polarizacin adecuada de la base comn puede determinarse rpidamente empleando la aproximacin IC
IE y suponiendo por el momento que IB 0 uA. El resultado es la configuracin de la figura 3.11 para el
transistor pnp. La flecha del smbolo define la direccin del flujo convencional para IC IE. Las
alimentaciones de cd se insertan entonces con una polaridad que sostendr la direccin de la comente
resultante. En el transistor npn las polaridades estarn invertidas.
Figura 3.11
A algunos estudiantes les parece que pueden recordar si la flecha del smbolo del dispositivo apunta hacia
afuera haciendo corresponder las letras del tipo de transistor con las letras apropiadas de las frases "apuntando
hacia adentro" o "apuntando hacia afuera".
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ACCION AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR
Ahora que se ha establecido la relacin entre IC e IE, la accin bsica de amplificacin del transistor se puede
introducir en un nivel superficial utilizando la red de la figura 3.12. La polarizacin de cd no aparece en la
figura puesto que nuestro inters se limitar a la respuesta de ca. Para la configuracin de base comn, la
resistencia de entrada de ca determinada por las caractersticas de la figura 3.7 es bastante pequea y vara
tpicamente de 10 a 100 ohms. La resistencia de salida determinada por las curvas de la figura 3.8 es bastante
alta (cuanto ms horizontal est la curva mayor ser la resistencia) y vara normalmente de 50 kohms a 1
Mohms, La diferencia en resistencia se debe a la unin polarizada directamente en la entrada (base a emisor) y
la unin polarizada inversamente en la salida (base a colector). Usando un valor comn de 20 ohms para la
resistencia de entrada, encontramos que
Si suponemos por el momento que ca = 1,
IL = Ii = 10 mA
VL = ILR
= (10 mA)(5 kohms)
= 50 V
Figura 3.12
La amplificacin de voltaje es
Los valores tpicos de amplificacin de voltaje para la configuracin de base comn varan de 50 a 300. La
amplificacin de corriente (IC/IE) siempre es menor que 1 para la configuracin de base comn. Esta ltima
caracterstica debe ser evidente ya que IC = IE y siempre es menor que 1.
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La accin bsica de amplificacin se produjo transfiriendo una corriente I de un circuito de baja resistencia a
uno de alta. La combinacin de los dos trminos en cursivas produce el nombre de transistor, es decir,
transferencia + resistor > transistor
2.3 Configuracin de emisor comn.
La configuracin de transistores que se encuentra con mayor frecuencia se muestra en la figura 3.13 para los
transistores pnp y npn. Se denomina configuracin de emisor comn porque el emisor es comn tanto a las
terminales de entrada como a las de salida (en este caso, es tambin comn a las terminales de la base y del
colector). De nuevo se necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir en forma completa el
comportamiento de la configuracin de emisor comn: una para la entrada o circuito de la base y una para la
salida o circuito del colector. Ambas se muestran en la figura 3.14.
Figura 3.13
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Figura 3.14
Las corrientes del emisor, colector y la base se muestran en su direccin de comente convencional real. Aun
cuando la configuracin del transistor ha cambiado, siguen siendo aplicables las relaciones de comentes
desarrolladas antes para la configuracin de base comn.
En la configuracin de emisor comn las caractersticas de la salida sern una grfica de la corriente de salida
(IC) versus el voltaje de salida (VCE) para un rango de valores de la corriente de entrada (IB). Las
caractersticas de la entrada son una grfica de la comente de entrada (IB) versus el voltaje de entrada (VBE )
para un rango de valores del voltaje de salida (VCE).
Obsrvese que en las caractersticas de la figura 3.14 la magnitud de IB es del orden de microamperes
comparada con los miliamperes de IC. Ntese tambin que las curvas de IB no son tan horizontales como las
que se obtuvieron para IE en la configuracin de base comn, lo que indica que el voltaje de colector a emisor
afectar la magnitud de la corriente de colector.
La regin activa en la configuracin de emisor comn es aquella parte del cuadrante superior derecho que
tiene la linealidad mayor, esto es, la regin en la que las curvas correspondientes a IB son casi lneas rectas y
se encuentran igualmente espaciadas. En la figura 3.14 a esta regin se localiza a la derecha de la lnea
sombreada vertical en VCEsat por encima de la curva para IB igual a cero. La regin a la izquierda de VCEsat
se denomina regin de saturacin. En la regin activa de un amplificador emisor comn la unin
colectorbase est polarizada inversamente, en tanto que la unin baseemisor est polarizada
directamente.
Se recordar que stas fueron las mismas condiciones que existieron en la regin activa de la configuracin de
base comn. La regin activa de la configuracin de emisor comn puede emplearse en la amplificacin de
voltaje, corriente o potencia.
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La regin de corte en la configuracin de emisor comn no est tan bien definida como en la configuracin de
base comn. Ntese, en las caractersticas de colector de la figura 3.14 que IC no es igual a cero cuando IB =
0. En la configuracin de base comn, cuando la corriente de entrada IE = 0, la corriente de colector fue slo
igual a la corriente de saturacin inversa ICO, por lo que la curva IE = 0 y el eje de voltaje fueron (para todos
los propsitos prcticos) uno.
La razn de esta diferencia en las caractersticas del colector puede obtenerse mediante la manipulacin
adecuada de las ecuaciones (3.3) y (3.6). Es decir,
Ecuacin (3.6): IC = IE + ICBO
La sustitucin da Ecuacin (3.3): IC = ( IC + IB) + ICBO
Reordenando obtenemos:
Si consideramos el caso discutido anteriormente, donde IB = 0 A, y sustituimos un valor tpico de a
tal como 0.996, la corriente de colector resultante es la siguiente:
Si icbo fuera de 1 uA, la corriente de colector resultante con IB = 0 A sena 250 (1 pA) = 0.25
mA, como se refleja en las caractersticas de la figura 3.14.
Para referencia futura, a la corriente de colector definida por la condicin IB = 0 uA se le asignar
la notacin indicada por la ecuacin (3.9):
En la figura 3.15 las condiciones que envuelven a esta corriente definida nuevamente se muestran con su
direccin de referencia asignada.
Para propsitos de amplificacin lineal (la menor distorsin) el corte para la configuracin de emisor comn
se determinar mediante IC = ICEO
En otras palabras, la regin por debajo de IB = 0 uA deber evitarse si se requiere una seal de salida sin
distorsin.
Cuando se emplea como interruptor en la circuitera lgica de una computadora, un transistor tendr dos
puntos de operacin de inters: uno en el corte y el otro en la regin de saturacin. La condicin de corte, en
el caso ideal, sera IC = O mA para el voltaje VCE elegido. Puesto que ICEO es por lo general de pequea
magnitud para los materiales de silicio, el corte existir para propsitos de conmutacin cuando IB = O uA o
IC = ICEO nicamente en el caso de transistores de silicio. En los transistores de germanio, sin embargo, el
corte para propsitos de conmutacin se definir como aquellas condiciones que existen cuando IC = ICBO.
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Esta condicin puede obtenerse normalmente en los transistores de germanio polarizando inversamente la
unin de base emisor, polarizada por lo regular en forma directa a unos cuantos dcimos de volt.
Recurdese para la configuracin de base comn que el conjunto de caractersticas de entrada se aproxim por
una lnea recta equivalente que result en VBE = 0.7 V para cualquier nivel de IE mayor de O mA. Para la
configuracin de emisor comn puede tomarse la misma aproximacin, resultando en el equivalente
aproximado de la figura 3.16. El resultado apoya nuestra anterior conclusin de que para un transistor en la
regin "activa" o de conduccin el voltaje de base a emisor es 0.7 V. En este caso el voltaje se ajusta para
cualquier nivel de la corriente de base.
Beta( )
En el modo de cd los niveles de IC e IB se relacionan por una cantidad denominada beta y definida por la
siguiente ecuacin:
cd = IC / IB
El nombre formal para ca es factor de amplificacin de corriente directa de emisor comn. Puesto que la
corriente de colector es por lo general la corriente de salida para una configuracin de emisor comn y la
corriente de base es la corriente de entrada, el trmino amplificacin se incluye en la nomenclatura anterior.
Aunque no son exactamente iguales, los niveles de ca, y de cd estn por lo general razonablemente
cercanos y con frecuencia se utilizan en forma intercambiable.
Se puede desarrollar una relacin entre y empleando las relaciones bsicas presentadas con anterioridad.
Utilizando = IC /IB obtenemos IB = IC / , y de = IC/IE tenemos que IE = IC / Sustituyendo en
IE = IC + IB
IC / = IC + (IC / )
y dividiendo ambos lados de la ecuacin por IC resultar en
IC / = 1 + (1 / )
de modo que
encontramos que
ICEO = ( + 1) ICBO
ICEO ICBO
como se indica en la figura 3.14a. La beta es un parmetro particularmente importante porque proporciona un
enlace directo entre niveles de corriente de los circu Los de entrada y salida para una configuracin de emisor
comn. Es decir,
49
IC IB
Y puesto que
IE = IC + IB
= IB + IB
IE = ( + 1) IB
2.4 Configuracin de colector comn.
La tercera y ltima configuracin de transistores la de colector comn, mostrada en la figura 3.20 con las
direcciones apropiadas de corriente y la notacin de voltaje. La configuracin de colector comn se emplea
fundamentalmente para propsitos de acoplamiento de impedancia ya que tiene una elevada impedancia de
entrada y una baja impedancia de salida, que es lo opuesto a las configuraciones de base comn y de emisor
comn.
Figura 3.20 Notacin y smbolos en la configuracin de colector comn.
La configuracin del circuito de colector comn se muestra en la figura 3.21 con la resistencia de carga del
emisor a tierra. Ntese que el colector est conectado a tierra aun cuando el transistor est conectado de
manera similar a la configuracin de emisor comn. Desde el punto de vista de diseo, no es necesario elegir
para un conjunto de caractersticas de colector comn, los parmetros del circuito de la figura 3.21. Pueden
disearse empleando las caractersticas de emisor comn de la seccin 3.6. Para todos los propsitos
prcticos, las caractersticas de salida de la configuracin de colector comn son las mismas que las de la
configuracin de emisor comn. En la configuracin de colector comn las caractersticas de salida son una
grfica de IE versus VEC para un intervalo de valores de IB. Por ellos, la corriente de entrada es la misma
tanto para las caractersticas de emisor comn como para las de colector comn. El eje de voltaje para la
configuracin de colector comn se obtiene cambiando simplemente el signo de voltaje de colector a emisor
de las caractersticas de emisor comn. Por ltimo, hay un cambio casi imperceptible en la escala vertical de
IC de las caractersticas de emisor comn si IC se reemplaza por IE en las caractersticas de colector comn
(puesto que = 1). En el circuito de entrada de la configuracin de colector comn, las caractersticas de la
base de emisor comn son suficientes para obtener la informacin que se requiera.
50
Figura 3.21 Configuracin de colector comn empleada para propsitos de acoplamiento de
impedancia
2.5 Lmites de operacin del transistor.
Para cada transistor existe una regin de operacin sobre las caractersticas, la cual asegurara que los valores
nominales mximos no sean excedidos y la seal de salida exhibe una distorsin mnima. Una regin de este
tipo, se ha definido para las caractersticas de transistor de la figura 3.22. Todos los lmites de operacin se
definen sobre una tpica hoja de especificaciones de transistor descrita en la seccin 2.6.
Algunos de los lmites se explican por s mismos, como la corriente mxima de colector (denominada, por lo
general, en la hoja de especificaciones, como corriente continua de colector) y el voltaje mximo de colector a
emisor (abreviada a menudo como vCeo.) Para el transistor de la figura 3.22, ICmx se especific como de 50
mA y vCeo como de 20 V. La linea vertical de las caractersticas definida como vCEsat especifica la mnima
vCE que puede aplicarse sin caer en la regin no lineal denominada regin de saturacin.
51
Figura 3.22
El nivel de VCEsat est regularmente en la vecindad de los 0.3 V especificada para este transistor. El mximo
nivel de disipacin se define por la siguiente ecuacin:
PCmx = VCEIC
Para el dispositivo de la figura 3.22, la disipacin de potencia de colector se especific como de 300 mW.
Surge entonces la cuestin de cmo graficar la curva de disipacin de potencia de colector especificada por el
hecho de que
PCmx = VCEIC = 300 mW
En cualquier punto sobre las caractersticas el producto de VCE e IC debe ser igual a 300 mW. Si elegimos
para IC el valor mximo de 50 mA y lo sustituimos en la relacin anterior, obtenemos
VCEIC = 300 mW
VCE(50 mA) = 300 mW
VCE = 6 V
Como un resultado encontramos que si IC = 50 mA, entonces VCE = 6 V sobre la curva de disipacin de
potencia, como se indica en la figura 3.22. Si ahora elegimos para VCE su valor mximo de 20 V, el nivel de
IC es el siguiente:
(20 V)IC = 300 mW
IC = 15 mA
definiendo un segundo punto sobre la curvatura de potencia. Si ahora escogemos un nivel de IC a la mitad del
intervalo como 25 mA, resolvemos para el nivel resultante de VCE obtenemos
VCE(25 mA) = 300 mW
VCE = 12 V
como tambin se indica en la figura 3.22. Una estimacin aproximada de la curva real puede dibujarse por lo
general empleando los tres puntos definidos con anterioridad. Por supuesto, entre ms puntos tenga, ms
precisa ser la curva, pero una aproximacin es generalmente todo lo que se requiere. La regin de corte se
52
define como la regin bajo IC = ICEO. Esta regin tiene que evitarse tambin si la seal de salida debe tener
una distorsin mnima. En algunas hojas de especificaciones se proporciona solamente ICBO. Entonces uno
debe utilizar la ecuacin ICEO = ICBO para establecer alguna idea del nivel de corte si la curva de
caractersticas no est disponible. La operacin en la regin resultante de la figura 3.22 asegurar una mnima
distorsin de la seal de salida y niveles de voltaje y corriente que no daarn al dispositivo. Si las curvas de
caractersticas no estn disponibles o no aparecen en la hoja de especificaciones (como ocurre con frecuencia),
uno simplemente debe estar seguro que IC, VCE y su producto caigan dentro del intervalo que aparece en la
siguiente ecuacin:
ICEO IC Icmx
VCEsat VCE VCEmx
VCEIC PCmx
Para las caractersticas de base comn la curva de potencia mxima se define por el siguiente producto de
cantidades de salida;
PCmax = VCBIC
2.6 Hoja de especificaciones del transistor.
Puesto que la hoja de especificaciones es el enlace de comunicacin entre el fabricante y el usuario, es de
particular importancia que la informacin proporcionada sea reconocida y correctamente comprendida.
Aunque no se han presentado todos los parmetros, un amplio nmero ser ahora familiar. Los parmetros
restantes se introducirn en los captulos siguientes. Se har referencia a esta hoja de especificaciones para
revisar la manera en la cual se presenta el parmetro.
La informacin proporcionada en la figura 3.23 se ha tomado directamente de la publicacin SmallSignal
Transistors, FETs, and Diodes preparada por Motorola Inc. El 2N4123 es un transistor npn de propsito
general con el encapsulado y la identificacin de terminales que aparecen en el extremo superior derecho de la
figura 3.23a. La mayora de las hojas de especificaciones se dividen en valores nominales mximos,
caractersticas trmicas v caractersticas elctricas. Las caractersticas elctricas se subdividen adems en
caractersticas en estado "encendido", en estado "apagado" y de pequea seal. Las caractersticas en estado
activo y pasivo se refieren a los limites de cd, mientras que las caractersticas de pequea seal incluyen los
parmetros de importancia para la operacin de ca.
Ntese en la lista de valores nominales mximos que vcemax = VCEO = 30 V con ICmax = 200 mA. La
mxima disipacin de colectora . = 625 mW. El factor de degradacin bajo los valores nominales mximos
especifica que el valor nominal mximo debe descender 5 mW por cada grado de incremento en la
temperatura sobre los 25C. En las caractersticas durante el estado "apagado" ICBO se especifica como de 50
nA y durante el estado "encendido" VCEsat = 0.3 V. El nivel de hFE tiene un intervalo de 50 hasta 150 a una
IC = 2 mA y VCE =1 V y un valor mnimo de 25 a una corriente mayor de 50 mA para el mismo voltaje.
Los limites de operacin se han definido ahora para el dispositivo y se repiten a continuacin en el formato de
la ecuacin (3.17) empleando hFE = 150 (el lmite superior). En realidad, para muchas aplicaciones, los 7.5
uA = 0.0075 mA se pueden considerar como 0 mA sobre una base aproximada.
53
Lmites de Operacin
7.5 uA IC 200 mA
0.3 V VCE 30 V
VCEIC 650 mW
En las caractersticas de pequea seal el nivel de hfe ( ca) se proporciona junto con una grfica de cmo
vara con la corriente de colector en la figura 3.23f. En la figura 3.23j se demuestra el efecto de la temperatura
y la comente de colector sobre el nivel de hFE ( ca). A temperatura ambiente (25C), advirtase que hFE (
cd) tiene un valor mximo de 1 en la vecindad alrededor de los 8 mA. A medida que IC, se incrementa ms
all de este nivel, hFE cae a la mitad de su valor con IC igual a 50 mA. Tambin decae a este nivel si IC
disminuye al nivel inferior de 0.15 mA. Puesto que esta es una curva normalizada, si tenemos un transistor
con cd = hFE = 50 a temperatura ambiente, el valor mximo a 8 mA es de 50. A IC = 50 mA habr decado
a 50/ 2 = 25. En otras palabras, la normalizacin revela que el nivel real de hFE a cualquier nivel de IC se ha
dividido por el valor mximo de hFE a esa temperatura e IC = 8 mA.
54
Figura 3.23 Hoja de especificaciones del transistor.
55
3.1 Punto de operacin o punto Quiescente.
El anlisis o diseo de un amplificador de transistor requiere del conocimiento de la respuesta del sistema,
tanto de cd como de ca. Con demasiada frecuencia se supone que el transistor es un dispositivo mgico que
puede alcanzar el nivel de la entrada aplicada de ca sin la asistencia de una fuente de energa externa. En
realidad, el nivel mejorado de potencia de salida de ca es resultado de una transferencia de energa de las
fuentes aplicadas de cd. Por lo tanto, el anlisis o diseo de cualquier amplificador electrnico tiene dos
componentes: la parte de cd y la correspondiente de ca. Afortunadamente, el teorema de superposicin es
aplicable y la investigacin de las condiciones de cd puede separarse por completo de la respuesta de ca. Sin
embargo, hay que tener presente que durante el diseo o etapa de sntesis, la seleccin de los parmetros para
los niveles de cd requeridos afectarn la respuesta de ca, y viceversa.
El nivel de cd de operacin de un transistor se controla por varios factores, incluyendo el rango de posibles
puntos de operacin sobre las caractersticas del dispositivo. Una vez que se han definido los niveles deseados
de corriente y voltaje de cd, debe construirse una red que establecer el punto de operacin deseado (algunas
de estas redes se analizan en este captulo). Cada diseo tambin determinar la estabilidad del sistema, es
decir, qu tan sensible es el sistema a las variaciones de temperatura (otro tema que se investiga en una
seccin posterior de este captulo). Aunque se analizan diversas redes en este captulo, existe una similitud
fundamental en e) anlisis de cada configuracin, debida al uso recurrente de las siguientes relaciones bsicas
importantes para un transistor:
VBE = 0.7 V
IE = ( + 1)IB IC
IC = IB
De hecho, una vez que el anlisis de las redes iniciales se comprenda con claridad, la ruta por seguir hacia la
solucin de las redes comenzara a ser ms evidente. En la mayora de los casos la corriente de base IB es la
primera cantidad que se determina. Una vez que IB se conoce, las relaciones de las ecuaciones anteriores
pueden aplicarse para encontrar las restantes cantidad de inters. Las similitudes en el anlisis sern
inmediatamente obvias a medida que avancemos en este captulo. Las ecuaciones para IB son tan similares
para diversas configuraciones que una ecuacin puede derivarse de otra sencillamente quitando o agregando
un trmino o dos. La funcin primordial de este capitulo es desarrollar cierto nivel de familiaridad con el
transistor BJT, el cual permitira un anlisis de cd de cualquier sistema que deba emplear el amplificador BJT.
PUNTO DE OPERACIN
El trmino polarizacin que aparece en el titulo de este captulo es un vocablo que incluye todo lo referente a
la aplicacin de voltajes de cd para establecer un nivel fijo de corriente y voltaje. Para amplificadores de
transistor, el voltaje y la comente de cd resultantes establecen un punto de operacin sobre las caractersticas,
el cual define la regin que se emplear para la amplificacin de la seal aplicada. Ya que el punto de
operacin es un punto fijo sobre las caractersticas, se le conoce tambin como punto quiesciente (abreviado
punto Q). Por definicin, quiesciente significa quieto, inmvil, inactivo. La figura 4.1 muestra una
caracterstica general de salida de un dispositivo con cuatro puntos de operacin indicados. El circuito de
polarizacin puede disearse para establecer la operacin del dispositivo en cualquiera de estos puntos o en
otros dentro de la regin activa. Los valores nominales mximos se indican sobre las caractersticas de la
figura 4,1, por una linea horizontal para la corriente de colector mxima ICmx y por una lnea vertical para el
56
voltaje de colectoremisor mximo VCEmax. La mxima potencia de operacin mxima se define por la
curva Pcmx en la misma figura. En el extremo inferior de las escalas se localizan la regin de corte, definida
por IB 0 uA, y la regin de saturacin, definida por VCE VCEsat.
Figura 4.1 Diversos puntos de operacin dentro de los lmites de operacin de un transistor.
El dispositivo BJT podra polarizarse para operar fuera de estos puntos limite mximos, pero el resultado de
tal operacin causara ya sea el acortamiento de la vida de servicio del dispositivo, o bien su destruccin.
Concentrndonos en la regin activa es posible elegir muchas reas o puntos de operacin diferentes. El punto
Q depende a menudo del uso que se dar al circuito. No obstante, es posible considerar algunas diferencias
entre la operacin en puntos diferentes de la figura 4.1 para presentar algunas ideas bsicas en tomo al punto
de operacin y, por ello, al circuito de polarizacin.
Si no se utilizara la polarizacin, el dispositivo estara al principio totalmente cortado (desactivado), lo cual
producira la A, esto es, corriente cero a travs del dispositivo (y voltaje cero a travs del mismo). Es necesario
polarizar el dispositivo de modo que pueda responder o cambiar sus valores de corriente y voltaje en todo el
intervalo de una seal de entrada. En tanto que el punto A no resultara apropiado, el punto B proporciona esta
operacin deseada. Si se aplica una seal al circuito, ademas del nivel de polarizacin, el dispositivo variar
sus valores de corriente y voltaje a partir del punto de operacin B, lo que permite que el dispositivo reaccione
(y posiblemente amplifique) tanto la parte positiva como la parte negativa de la seal de entrada. Si, como
podra suceder, la seal de entrada es pequea, el voltaje y la corriente del dispositivo variarn, pero no lo
suficiente para llevarlo al nivel de corte o saturacin. El punto C permitira cierta variacin positiva y
negativa de la seal de salida, pero el valor pico a pico sera limitado por la proximida de vCE = 0V/IC =
0mA. La operacin en el punto C tambin tiene algo que ver con las no linealidades introducidas por el hecho
de que el espacio entre las curvas IB cambia rpidamente, en esta regin. En general, es preferible operar
donde la ganancia del dispositivo es ms constante (o lineal), de tal modo que la cantidad de amplificacin en
toda la excursin de la seal de entrada es la misma. El punto B es una regin de espaciamiento ms lineal y,
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por consiguiente, su operacin tiene un mayor grado de linealidad, como se indica en la figura 4.1. El punto D
fija el punto de operacin del dispositivo cerca del valor de voltaje y potencia mximo. La excursin del
voltaje de salida en la direccin positiva est de este modo limitada si no se excede el voltaje mximo. En
consecuencia, el punto B aparece como el mejor punto de operacin en trminos de la ganancia lineal o de la
excursin de voltaje y corriente ms grande posible. Esta es casi siempre la condicin que se desea en los
amplificadores de pequea seal, pero no necesariamente para los amplificadores de potencia. En este
anlisis, nos concentramos fundamentalmente en la polarizacin del dispositivo para la operacin de
amplificacin de seales pequeas.
Debe considerarse otro factor de la polarizacin muy importante. Habiendo seleccionado y polarizado un BJT
en un punto de operacin deseado, tambin debe tomarse en cuenta el efecto de la temperatura. La
temperatura provoca cambios en las caractersticas del dispositivo, tales como la ganancia de corriente ( ca)
y la corriente de fuga del transistor (ICEO). Las altas temperaturas conducen a un incremento de corrientes de
fuga en el dispositivo, por lo que cambian la condicin de operacin establecida por la polarizacin de la red.
El resultado es que el diseo de la red tambin debe proporcionar un grado de estabilidad de temperatura de
modo que los cambios de temperatura resulten en cambios mnimos en el punto de operacin. Este
mantenimiento del punto de operacin puede especificarse por un factor de estabilidad, S, el cual indica la
magnitud del cambio en el punto de operacin debido a una variacin de temperatura. Es deseable un circuito
altamente estable y se comparar la estabilidad de algunos circuitos de polarizacin bsicos. Para el BJT que
se polarizar en su regin de operacin lineal o activa debe cumplirse:
1. La unin de base a emisor debe estar polarizada directamente (voltaje de la regin p ms positivo) con un
voltaje resultante de polarizacin directa entre la base y el emisor de aproximadamente 0.6 a 0.7 V.
2. La unin de base a colector debe estar polarizada inversamente (regin n ms positiva), estando el voltaje
de polarizacin inversa en cualquier valor dentro de los lmites mximos del dispositivo.
[Ntese que en la polarizacin directa el voltaje en la unin pn es ppositivo, en tanto que en la polarizacin
inversa es opuesto (inverso) con npositiva. El nfasis que se hace sobre la letra inicial debe brindar un medio
que ayude a memorizar la polaridad de voltaje necesaria.]
La operacin en las regiones de corte, de saturacin y lineal de la caractersticas del BJT se obtienen de
acuerdo con lo siguiente:
Operacin en la regin lineal: Unin basecolector con polarizacin directa, Unin basecolector con
polarizacin inversa

Operacin en la regin de corte: Unin baseemisor con polarizacin inversa
Operacin en la regin de saturacin: Unin baseemisor con polarizacin directa, Unin basecolector
con polarizacin directa

3.2 Circuito de polarizacin fija.
El circuito de polarizacin fija de la figura 4.2 proporciona una introduccin relativamente directa y simple al
anlisis de polarizacin de cd de transistor. Aun cuando la red emplea un transistor npn, las ecuaciones y
clculos se aplican en forma correcta por igual a una configuracin pnp con slo cambiar todas las direcciones
de corriente y polaridades de voltaje. Las direcciones de corriente de la figura 4.2 son las direcciones de
corriente reales, y los voltajes se definen por la notacin estndar de subndice doble. Para el anlisis de cd la
red puede aislarse de los niveles de ca indicados, remplazando los capacitores por un circuito abierto
58
equivalente. Adems, la fuente de cd VCC puede dividirse en un par de fuentes (para propsitos del anlisis
solamente), como se ilustra en la figura 4.3, para permitir una separacin de los circuitos de entrada y de
salida. Esto reduce tambin el enlace entre las dos a la corriente de base IB. La separacin es ciertamente
vlida, como observamos en la figura 4.3, ya que VCC se conecta directamente a RB y RC del mismo
modo,que en la figura 4.2.
Figura 4.2 Circuito de polarizacin fija.
Figura 4.3 Equivalente de cd de la figura 4.2
POLARIZACIN DIRECTA DE BASEEMISOR
Considrese primero la malla circuito baseemisor que se muestra en el diagrama de circuito parcial de la
figura 4.4. Escribiendo la ecuacin de voltaje de Krchhoff para la malla obtenemos
VCC IBRB VBE = 0
Ntese la polaridad de la cada de voltaje a travs de RB, como se establece por la direccin indicada de IB.
Resolviendo la ecuacin para la corriente IB se tendr el siguiente resultado:
59
IB = (VCC VBE) / RB
En realidad, la ecuacin (4.4) no es difcil de recordar si se considera simplemente que la corriente de base es
la corriente a travs de RB y, por la ley de Ohm, esa corriente es el voltaje a travs de RB dividido entre la
resistencia RB. El voltaje a travs de RB es el voltaje aplicado VCC en uno de los extremos menos la cada a
travs de la unin baseemisor (VBE).
Figura 4.4 Malla de baseemisor
Ademas, puesto que la fuente de voltaje VCC y el voltaje de base a emisor VBE son constantes, la seleccin de
un resistor de base, RB, establece el nivel de la corriente de base para el punto de operacin.
Malla de colectoremisor
La seccin de colectoremisor de la red aparece en la figura 4.5 con la direccin indicada de la corriente IC y
la polaridad resultante a travs de RC. La magnitud de la corriente de colector se relaciona directamente con
IB por medio de
IC = IB
Es interesante notar que, en vista de que la corriente de base se controla por el nivel de RB e IC se relaciona
con IB por una constante la magnitud de IC no es una funcin de la resistencia RC. El cambio de RC a
cualquier nivel no afectar el nivel de IB o IC en tanto que permanezcamos en la regin activa del dispositivo.
Sin embargo, como veremos posteriormente, el nivel de RC determinar la magnitud de VCE, el cual es un
parmetro importante.
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff en la direccin de las manecillas del reloj a lo largo de la malla
indicada en la figura 4.5, se obtendr el resultado siguiente
VC + ICRC VCC = 0
VCE = VCC ICRC
el que establece en palabras que el voltaje a travs de la regin de colectoremisor de un transistor en la
60
configuracin de polarizacin fija es la fuente de voltaje menos la cada a travs de RC. Como un breve repaso
de la notacin de subndice y doble subndice, recurdese que
VCE = VC VE
donde VCE es el voltaje de colector a emisor y VC y VE son los voltajes de colector y emisor a tierra,
respectivamente. Pero en este caso, ya que VE = 0 V, tenemos
VCE = VC
Adems, puesto que
VBE = VB VE
y VE = 0 V, entonces
VBE = VB
Tngase en cuenta que los niveles de voltaje como el de VCE se determinan situando la punta roja (positiva)
del voltmetro en la terminal de colector con punta negra (negativa) en la terminal del emisor, como se ilustra
en la figura 4.6. VC es el voltaje del colector a tierra y se mide como se muestra en la misma figura. En este
caso, las dos lecturas son idnticas, pero en las redes que se vern ms adelante, ambas pueden llegar a ser
bastante diferentes. Comprender con claridad la diferencia entre las dos mediciones probar ser de suma
importancia en la deteccin de fallas de las redes de transistores.
Figura 4.5 Malla de colectoremisor
61
Figura 4.6 Medicin de VCE y VC.
Saturacin del transistor
El termino saturacin se aplica a cualquier sistema, donde los niveles han alcanzado sus valores mximos.
Una esponja saturada es aquella que no puede contener una gota ms de liquido. Para un transistor que opera
en la regin de saturacin, la corriente es un valor mximo para el diseo particular. Modifquese el diseo y
el correspondiente nivel de saturacin podr elevarse o decaer. Por supuesto, el mayor nivel de saturacin se
define por la mxima corriente de colector, tal como se proporciona en la hoja de especificaciones.
Las condiciones de saturacin se evitan por lo general debido a que la unin de base a colector ya no est
inversamente polarizada y la seal amplificada de salida estar distorsionada. Un punto de operacin en la
regin de saturacin se representa en la figura 4.8a. Ntese que se encuentra en una regin donde se unen las
"curvas de caractersticas y el voltaje de colector a emisor se halla en o sobre VCEsat . Adems, la corriente
de colector es relativamente alta sobre las caractersticas.
Figura 4.8 Regin de saturacin (a) real (b) aproximada
62
Si juntarnos las curvas de la figura 4.8a con las que aparecen en la figura 4.8b, se llegar a un mtodo rpido y
directo para determinar el nivel de saturacion.Enlafigura4.8b la corriente es relativamente alta y se supone que
el voltaje VCE es de cero voltios. Al aplicar la ley de Ohm, la resistencia entre las terminales de colector y
emisor se puede determinar como sigue:
RCE = VCE / IC = 0 V / ICsat = 0 ohms
Aplicando los resultados al esquema de la red resultara la configuracin de la figura 4.9.
Figura 4.9 Determinacin de ICsat.
Por consiguiente, en el futuro, si hubiera necesidad inmediata de conocer la corriente mxima de colector
aproximada (nivel de saturacin) para un diseo en particular, simplemente inserte un corto circuito
equivalente entre el colector y el emisor del transistor y calcule la corriente de colector resultante. En
resumidas cuentas, haga VCE = 0V. Para la configuracin de polarizacin fija de la figura 4.10, se utiliz el
corto circuito, ocasionando que el voltaje a travs de RC sea el voltaje aplicado VCC. La corriente de
saturacin resultante para la configuracin de polarizacin fija es:
ICsat = VCC / RC
Figura 4.10 Determinacin de ICsat, para la configuracin de polarizacin fija.
Una vez que se conoce ICsat, tenemos una idea de la mxima corriente de colector posible para el diseo
elegido y del nivel bajo el cual permanecer si esperamos una amplificacin lineal.
63
Anlisis por recta de carga
Hasta aqu, el anlisis se ha realizado haciendo uso de un nivel de correspondiente con el punto Q
resultante. Ahora investigaremos cmo los parmetros de la red definen el posible rango de puntos
Q y cmo se determina el punto Q real. La red de la figura 4.11a establece una ecuacin. para la
salida que relaciona las variables IC y VCE de la siguiente manera:
VCE = VCC ICRC
Las caractersticas de salida del transistor tambin relacionan las mismas dos variables IC y VCE,
como se ilustra en la figura 4.11b. Por o tanto, tenemos, en esencia, una ecuacin de red y un
conjunto de caractersticas que utilizan las mismas variables. La solucin comn de las dos ocurre
donde las restricciones establecidas por cada una se satisfacen simultneamente. En otras palabras,
esto es similar a encontrar la solucin de dos ecuaciones simultneas: una establecida por la
red y otra por las caractersticas del dispositivo.
Figura 4.11 Anlisis de recta de carga (a) la red (b) las caractersticas del dispositivo.
Las caractersticas del dispositivo de IC contra VCE se proporcionan en la fgura 4.11b. Ahora
debemos sobreponer la linea recta definida por la ecuacin 4.12 sobre las caractersticas. El mtodo
64
ms directo para trazar la ecuacin (4.12) sobre las caractersticas de salida es empleando el hecho
de que una recta est definida por dos puntos. Si elegimos IC con un valor de 0 mA, estaremos
especificando el eje horizontal como la lnea sobre la cual se localizar un punto. Al sustituir IC = 0
mA en la ecuacin (4.12), encontraremos que
VCE = VCC para IC = 0 mA
definiendo un punto para la linea recta, como se ilustra en la figura 4.12.
Figura 4.12 Recta de carga de polarizacin fija.
Si ahora escogemos el valor de 0 V para VCE, con el que se establece el eje vertical como la lnea sobre la
cual se definir el segundo punto, encontraremos que IC se determina por la siguiente ecuacin: como aparece
en la figura 4.12. La lnea resultante sobre la grfica de la figura 4.12 se denomina recta de carga, puesto que
est definida por el resistor de carga RC. Al resolver para el nivel resultante de IB, el punto Q real se puede
establecer como se ilustra en la figura 4.12, Si el nivel de IB se modifica al variar el valor de RB, el punto Q se
mueve hacia arriba o hacia abajo de la recta de carga, como se muestra en la figura 4.13. Si VCC se mantiene
fijo y RC cambia, la recta de carga subir como se representa en la figura4,14. Si IB es la que se mantiene
constante, el punto Q se trasladar como se ilustra en la misma figura. Si RC se fija y VCC vara, la recta de
carga se desplazar como se muestra en la figura 4,15.
65
Figura 4.13 Movimiento del punto Q con respecto al incremento en los niveles de IE
Figura 4.14 Efectos del incremento en los niveles de RC sobre la recta de carga y el punto Q.
66
Figura 4.15 Efecto de la disminucin en los valores de VCC sobre la recta de carga y el punto Q.
3.3 Circuito de polarizacin estabilizada de emisor.
La red de polarizacin de cd de la figura 4.17 contiene un resistor en el emisor para mejorar el nivel de
estabilidad sobre el de la configuracin de polarizacin fija. La estabilidad mejorada se demostrar ms
adelante en esta seccin mediante un ejemplo numrico. El anlisis se realizar examinando, en primer lugar,
la malla de base a emisor y luego, con los resultados, se investigar la malla de colector a emisor.
Figura 4.17 Circuito de polarizacin BJT con resistor de emisor.
Malla de baseemisor
67
La malla de base a emisor de la red de la figura 4.17 se puede volver a dibujar, como se ilustra en la figura
4.18. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en direccin de las manecillas del
reloj, obtendremos como resultado la siguiente ecuacin:
VCC IBRB VBE IERE = 0
Recordando del capitulo 2 que
IE = ( + 1)IB
Sustituyendo a IE en la ecuacin (4.15) da por resultado
VCC IBRB VBE ( + 1)IBRE = 0
Agrupando trminos, nos da lo siguiente:
IB(RB + ( + 1)RE) + VCC VBE = 0
Multiplicando todo por (1), obtenemos
IB(RB + ( + 1)RE) VCC + VBE = 0
y resolviendo IB llegamos a
IB = (VCC VBE)/(RB + (RC+RE))
Ntese que la nica diferencia entre esta ecuacin para IB y la obtenida para la con figuracin de polarizacin
fija es el trmino ( + 1) RE. Hay un resultado interesante que puede derivarse de la ecuacin (4.17) si la
ecuacin se utiliza para trazar una red en serie que resultara en la misma ecuacin. Tal es el caso para la red
de la Figura 4.19. Resolviendo para la corriente IB resultar la misma ecuacin obtenida anteriormente.
Advirtase que al lado del voltaje de base a emisor VBE el resistor RE es reflejado a la entrada del circuito de
base por un factor ( + 1). En otras palabras, el resistor de emisor, el cual es parte de la malla de
colectoremisor, "parece como" ( + 1 )RE en la malla de baseemisor. Puesto que es por lo general 50 o
ms, el resistor de emisor parece ser mucho ms grande en el circuito de base; tanto, para la configuracin de
la figura 4.20.
Figura 4.18 Malla de baseemisor
68
Figura 4.19
Figura 4.20 Nivel de impedancia reflejada de RE
La ecuacin (4.18) probar su utilidad en los anlisis que siguen. De hecho, proporciona una manera bastante
fcil de recordar la ecuacin (4.17). Empleando la ley de Ohm, sabemos que la corriente a travs de un
sistema es el voltaje dividido entre la resistencia del circuito. Para el circuito de baseemisor, el voltaje neto
es VCC VBE. Los niveles de resistencia son RB ms RE reflejado por ( + 1). El resultado es la ecuacin
(4.17).
Malla de colectoremisor
La malla de colectoremisor se vuelve a dibujar en la figura 4.21. Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff
para la malla indicada en direccin de las manecillas del reloj, resultar que
IERE + VCE +ICRC VCC = 0
Sustituyendo IE =IC y agrupando trminos, se obtiene
VCE VCC + IC(RC + RE) = 0
VCE = VCC + IC(RC + RE)
69
El voltaje con subndice sencillo VE es el voltaje de emisor a tierra y se determina por
VE = IERE
mientras que el voltaje de colector a tierra puede determinarse a partir de
VCE = VC VE
VC = VCC ICRC
E1 voltaje en la base con respecto a tierra puede determinarse a partir de
VB = VCC IBRB
VB = VBE + VE
Estabilidad de polarizacin mejorada
La adicin de la resistencia de emisor a la polarizacin de cd del BJT proporciona una mejor estabilidad; esto
es, las corrientes y voltajes de polarizacin de cd se mantienen ms cerca de los puntos donde fueron fijados
por el circuito aun cuando cambien las condiciones externas como el voltaje de alimentacin, la temperatura e
incluso la beta del transistor. Aunque el anlisis matemtico se brinda en la seccin 4.12, puede obtenerse
cierta comparacin del mejoramiento como lo muestra el siguiente ejemplo.
Ejemplo
Elabore una tabla en la que se comparen el voltaje y las corrientes de polarizacin de las figuras 4.7 y 4.22
para el valor de = 50 y para un nuevo valor de = 100. Compare los cambios en IC. para el mismo
incremento en .
Solucin
Empleando los resultados obtenidos en el ejemplo 4.1 y repitiendo despus para un valor de = 100, se
produce lo siguiente:
Se observa que la corriente de colector del BJT cambia en un 100% debido a un cambio de 100% en el valor
de . IB es igual y VCE se decrementa en un 76%.
70
Utilizando los resultados que se calcularon en el ejemplo 4.4 y repitiendo despus para el valor de = 100,
obtenemos lo siguiente: La corriente de colector del BJT aumenta a cerca del 81% debido al cambio del 100%
en . Ntese que el decremento de IB ayuda a mantener el valor de IC, o al menos a reducir el cambio total en
IC. debido al cambio en .
Nivel de saturacin
El nivel de saturacin del colector o la comente del colector mxima para un diseo polarizado de emisor
puede determinarse mediante el mismo enfoque empleado en la configuracin de polarizacin fija: aplicar un
corte circuito entre las terminales colectoremisor, como se ilustra en la figura 4.23, y calcular la corriente del
colector resultante. Para la figura 4.23:
ICsat = VCC / (RC +RE)
La adicin del resistor de emisor reduce el nivel de saturacin del emisor debajo del nivel que se obtiene con
una configuracin de polarizacin fija por medio del mismo resistor del colector.
Figura 4.23 Determinacin de ICsat para el circuito de polarizacin de emisor.
3.4 Polarizacin con divisor de voltaje.
En las configuraciones polarizadas precedentes, la comente de polarizacin ICQ y del voltaje Vceq eran una
funcin de la ganancia de corriente ( ) del transistor. Sin embargo, ya que es sensible a la temperatura,
especialmente para transistores de silicio, y el valor real de beta normalmente no est bien definido, sera
deseable desarrollar un circuito de polarizacin menos dependiente, de hecho, independiente de la beta del
transistor. La configuracin de polarizacin con divisor de voltaje de la figura 4.25 es una red de ese tipo. Si
se analiza sobre una base exacta, la sensibilidad a los cambios en beta es bastante pequea. Si los parmetros
del circuito se escogen apropiadamente, los niveles resultantes de ICQ y vCEQ pueden ser casi totalmente
independientes de beta. Recuerde, de las discusiones anteriores, que un punto Q se define por un nivel fijo de
71
ICQ y VCEQ, como se ilustra en la figura 4.26. El nivel de IBQ se modificar con el cambio en beta, pero el
punto de operacin sobre las caractersticas, definido por ICQ y VCEQ puede permanecer fijo si se utilizan los
parmetros apropiados del circuito.
Como se observ anteriormente, existen dos mtodos que se pueden aplicar al anlisis de la configuracin con
divisor de voltaje. La razn para la eleccin de los nombres para esta configuracin se har evidente en cuanto
avancemos en los anlisis siguientes. El primero que se demostrar es el mtodo exacto que puede aplicarse a
cualquier configuracin con divisor de voltaje. El segundo se denominar como mtodo aproximado, y puede
aplicarse slo si se satisfacen ciertas condiciones especificas. El enfoque aproximado permite un anlisis ms
directo con un ahorro en tiempo y energa. Es tambin particularmente til en el modo de diseo que se
describir en una seccin posterior. Sobre todo, el enfoque aproximado puede aplicarse a la mayora de las
situaciones; por ello, debe examinarse con el mismo inters que el mtodo exacto.
Figura 4.25 Configuracin de polarizacin con divisor de voltaje.
Figura 4.26 Definicin del punto Q para la configuracin de polarizacin con divisor de voltaje.
72
Anlisis exacto
La parte de entrada de la red de la figura 4.25 puede volverse a dibujar, como se muestra en la figura 4.27,
para el anlisis de cd. La red de Thvenin equivalente para la red a la izquierda de la terminal de base puede
hallarse entonces de la siguiente manera:
RTh: La fuente de voltaje se reemplaza por un corto circuito equivalente, como se ilustra en la figura 4.28.
RTh = R1 R2
ETh: La fuente de voltaje VCC se reintegra a la red y el voltaje Thvenin del circuito abierto de la figura 4.29
se determina como sigue: Aplicando la regla del divisor de voltaje:
ETh = VR2 = R2VCC / (R1 + R2)
La red Thvenin se vuelve a dibujar entonces, como se ilustra en la figura 4.30,e IBQ se puede determinar al
aplicar en primer lugar la ley de voltaje de Kirchhoff en direccin de las manecillas del reloj para la malla
indicada:
ETh IBRTh VBE IERE = 0
Sustituyendo IE = ( + 1)IB y resolviendo IB, llegamos a
Aunque inicialmente la ecuacin (4.30) parece distinta de las desarrolladas con anterioridad, ntese que el
numerador es de nueva cuenta una diferencia de dos niveles de voltaje, mientras que el denominador es la
resistencia de base ms el resistor de emisor reflejado por ( + 1), en verdad muy parecido a la ecuacin
(4.17).
Una vez que se conoce IB, las cantidades restantes de la red pueden encontrarse del mismo modo que se hizo
para la configuracin polarizada de emisor. Esto es:
VCE = VCC IC(RC + RE)
que es exactamente igual que la ecuacin (4.19). Las ecuaciones restantes para VE, VC y VB son tambin las
mismas que se obtuvieron para la configuracin polarizada de emisor.
Figura 4.27 Detalle del extremo de entrada para la red de la figura 4.25
73
Figura 4.28 Determinacin de RTh
Figura 4.29 Determinacin de ETh
Figura 4.30 Insercin del circuito equivalente de Thvenin
Anlisis aproximado
La seccin de entrada de la configuracin con divisor de voltaje puede representarse por medio de la red de la
figura 4.32. La resistencia R es la resistencia equivalente entre base y tierra para el transistor con un resistor
de emisor RE. Recuerde que la resistencia reflejada entre la base y el emisor se define por Ri = ( + 1) RE, Si
Ri es mucho mayor que la resistencia R2, la corriente IB ser mucho menor que I2 (la corriente siempre busca
la trayectoria de menor resistencia) e I2 ser aproximadamente igual a I1. Si aceptamos la aproximacin de
que IB es de 0 amperios comparada con I1 o I2 entonces I1 = I2 y R1 y R2 pueden considerarse elementos en
serie. El voltaje a travs de R2, que es en realidad el voltaje de base, puede determinarse por medio de la regla
del divisor de voltaje (y de aqu proviene el nombre para la configuracin). Es decir,
VB = R2VCC / (R1 + R2)
74
Puesto que R1 = ( + 1) RE = RE la condicin que definir si el enfoque aproximado puede aplicarse ser la
siguiente:
RE 10 R2
En otras palabras, si el valor de beta multiplicado por RE es al menos 10 veces el valor de R2, el enfoque
aproximado puede aplicarse con un alto grado de precisin. Una vez que se determina VB, el nivel de VE se
puede calcular a partir de
VE = VB VBE
y la comente de emisor se puede determinar a partir de
IE = VE / RE
ICQ IE
El voltaje de colector a emisor se determina por
VCE = VCC ICRC IERE
pero, ya que IE = IC,
VCEQ = VCC IC(RC + RE)
Advierta que en la secuencia de los clculos, de la ecuacin (4.33) a la ecuacin (4.37), no aparece beta e IB
no fue calculada. El punto Q (como se determina por ICQ y VCEQ) es por tanto independiente del valor de
beta.
Saturacin del transistor
El circuito colectoremisor de salida para la configuracin con divisor de voltaje tiene el mismo aspecto que
el circuito polarizado de emisor analizado en la seccin 4.4. La ecuacin resultante para la corriente de
saturacin (cuando VCE se establece a cero voltios en el diagrama) es, por tanto, la misma que se obtiene para
la configuracin polarizada de emisor. Es decir,
ICsat = ICmx = VCC / (RC + RE)
Anlisis por recta de carga
Las similitudes con el circuito de salida de la configuracin polarizada de emisor resultan en las mismas
intersecciones para la recta de carga de la configuracin con divisor de voltaje. La recta de carga tendr por
consiguiente el mismo aspecto que la de la figura 4.24, con
75
El nivel de IB se determina, por supuesto, por una ecuacin distinta para la polarizacin con divisor de voltaje
y las configuraciones polarizadas de emisor.
3.5 Diversas configuraciones de polarizacin.
Hay un nmero de configuraciones de polarizacin BJT que no coinciden con el molde bsico d las que se
han analizado en las secciones precedentes. De hecho, existen variaciones de diseo que requeriran muchas
ms pginas de las que son posibles en un texto de esta clase. Aqu, sin embargo, el propsito primordial es
enfatizar aquellas caractersticas del dispositivo que permitan un anlisis de cd de la configuracin y que
establezcan un procedimiento general para encontrar la solucin deseada. Para cada configuracin discutida
hasta aqu, el primer paso ha sido la derivacin de una expresin para la corriente de base. Una vez que se
conoce la corriente de base, la comente de colector y los n i veles de voltaje del circuito de salida se pueden
determinar ya directamente. Esto no implica que todas las soluciones tomarn este rumbo, pero s sugiere una
posible ruta por seguir si llega a encontrarse una nueva configuracin.
El primer ejemplo es simplemente uno donde el resistor de emisor se ha retirado de la, configuracin de
retroalimentacin de voltaje de la figura 4.34. El anlisis es bastante similar, pero requiere eliminar RE de la
ecuacin aplicada.
Ejemplo:
Para la red de la figura 4.39:
Determine Icq y vceq.
Encuentre VB, VC, VE y VBC.
Figura 4.39 Retroalimentacin en colector con RE = 0ohms.
Solucin
La ausencia de RE reduce la reflexin de los niveles resistivos a simplemente el nivel de RC, y la ecuacin
para IB se reduce a
76
En el siguiente ejemplo, el voltaje aplicado se conecta a la terminal del emisor, y RC directamente a tierra. Al
principio, la tcnica parece un tanto heterodoxa y bastante diferente a las empleadas hasta ahora; sin embargo,
una aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de base dar por resultado la corriente de base
deseada.
Ejemplo:
Determine VC y VB para la red de la figura 4.40.
Figura 4.40 Ejemplo
Solucin
77
Al aplicar la ley del voltaje de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj a la malla de base a emisor,
el resultado es
El siguiente ejemplo emplea una red conocida como configuracin de emisorseguidor. Cuando la misma red
se analiza sobre una base de ca, encontraremos que las seales de entrada y salida estn en fase (una siguiendo
a la otra) y el voltaje de salida es ligeramente menor que la seal aplicada. Para el anlisis de cd, el colector se
conecta a tierra y el voltaje aplicado est en la terminal del emisor.
Ejemplo:
Determine VCEQ e IE para la red de la figura 4.41
78
Solucin
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada obtenemos
Sustituyendo valores tenemos
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida obtenemos
79
Hasta aqu, todos los ejemplos han empleado una configuracin de colector comn o de emisor comn. En el
siguiente ejemplo, investigaremos la configuracin de base comn. En esta situacin se utilizar el circuito de
entrada para determinar IE ms que IB. La corriente de colector est disponible entonces para realizar un
anlisis del circuito de salida.
Ejemplo
Determine el voltaje VCB y la corriente IB para la configuracin de base comn de la figura 4.42.
Solucin
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada obtenemos
VEE + IERE + VBE = 0
IE = (VEE VBE) / RE
Sustituyendo valores obtenemos
IE = (4 V 0.7 V) / 12 Kohms = 2.75 mA
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida obtenemos
80
VCE + ICRC VCC = 0
VCB = VCC ICRC con IC = IE
= 3.34 V
IB = IC / = 2.75 mA / 60 = 45.8 uA
El ejemplo anterior emplea una fuente de alimentacin doble y requerir la aplicacin del teorema de
Thvenin para determinar las incgnitas deseadas.
Ejemplo:
Determine VC y VB para la red de la figura 4.43
Figura 4.43
Solucin
La resistencia de Thvenin y el voltaje determinan para le red a la izquierda de la terminal de base, como se
muestra en las figuras 4.44 y 4.45
81
Figura 4.44
Figura 4.45
La red puede volverse a dibujar, como se ilustra en la figura 4.46 y al aplicarle la ley de voltaje de Kirchhoff,
da por resultado
ETh IBRTh VBE IERE + VEE = 0
82
Figura 4.46
Al sustituir IE = ( + 1)IB obtenemos
OPERACIONES DE DISEO
Hasta este punto las discusiones se han enfocado en el anlisis de las redes existentes. Todos los elementos
estn en su lugar y es simplemente asunto de resolver para los niveles de voltaje y corriente de la
configuracin. El proceso de diseo es donde puede especificarse una comente y/o un voltaje y donde deben
determinarse los elementos requeridos para establecer los niveles Ideados. Este proceso de sntesis supone un
claro entendimiento de las caractersticas del Impositivo, las ecuaciones bsicas para la red y un firme
conocimiento de las leyes bsicas del anlisis de circuitos, la ley de Ohm, la ley de voltaje de Kirchhoff, etc.
83
En la mayora de las situaciones el proceso mental se pone a prueba en alto grado en la operacin de diseo
ms que en la secuencia de anlisis. La trayectoria hacia una solucin es menos definida y de hecho puede
requerir algunas suposiciones bsicas que no se pueden hacer analizando sencillamente una red.
La secuencia de diseo es obviamente sensible a los componentes que ya se han especificado y los elementos
que van a determinarse. Si se especifican el transistor y las fuentes, el proceso de diseo simplemente
determinar los resistores requeridos para un diseo particular. Una vez que se determina el valor terico de
los resistores, se elige por lo general el valor comercial estndar ms cercano y cualquier variacin debida a
no usar el valor exacto de la resistencia se acepta como parte del diseo. Esto es ciertamente una
aproximacin vlida si se toma en consideracin las tolerancias normalmente asociadas con los elementos
resistivos y los parmetros del transistor.
Si se van a determinar los valores resistivos, una de las ecuaciones ms poderosas es sencillamente la ley de
Ohm en la forma siguiente:
Rdesconocida = VR / IR
En un diseo particular, el voltaje a travs de un resistor puede determinarse a menudo a partir de los niveles
especificados. Si otras especificaciones definen el nivel de comente, la ecuacin (4,44) puede entonces
utilizarse para calcular el nivel de resistencia requerido. Los ejemplo iniciales demostrarn cmo elementos
particulares pueden determinarse a partir de nivel especificados. Luego se introducir un procedimiento
completo de diseo para un par de configuraciones comunes.
Ejemplo:
Dadas las caractersticas del dispositivo de la figura 4.47a, determine VCC, RB y RC para la configuracin de
polarizacin fija de la figura 4.47b.
Figura 4.47
Solucin
De la recta de carga
84
Ejemplo:
Dados ICQ = 2 mA y VCEQ = 10 V, determine R1 y RC para la red de la figura 4.48
Figura 4.48
Solucin
85
Los valores comerciales estndar ms prximos para R1 son 82 k y 91 k . Sin embargo, haciendo uso de la
combinacin en serie de los valores estndar de 82 k y 4.7 k = 86.7 k resultara en un valor muy cercano al
nivel diseado.
Ejemplo:
La configuracin con la polarizacin de emisor de la figura 4.49 tiene las siguiente s especificaciones: ICQ =
ICsat, ICsat = 8 mA, VC = 18 V y = 110. Determine RC, RE y RB.
Figura 4.49
Solucin
86
El anlisis siguiente presenta una tcnica para disear un circuito completo para operar en un punto de
polarizacin especifico. Con frecuencia las hojas de especificaciones de los fabricantes brindan informacin
que establece un punto de operacin apropiado (o regin de operacin) para un transistor particular. Adems,
otros factores del circuito relacionados con la etapa del amplificador dado pueden dictar tambin algunas
condiciones de la excursin de corriente, excursin de voltaje, el valor de voltaje de alimentacin comn, etc.,
los cuales pueden utilizarse para la determinacin del punto Q en un diseo.
En la prctica real, muchos otros factores tienen que considerarse y pueden influir en la seleccin del punto de
operacin que se desea. Sin embargo, por el momento nos concentraremos en la determinacin de los valores
de los componentes para obtener un punto de operacin especificado. El anlisis se limitar a las
configuraciones de polarizacin de emisor y de polarizacin de divisor de voltaje, aun cuando el
procedimiento puede aplicarse a otros circuitos de transistores.
87
Diseo de un circuito de polarizacin con resistencia de retroalimentacin en emisor
Considrese primero el diseo de los componentes de polarizacin de cd de un circuito amplificador que tiene
estabilizacin de polarizacin por resistencia de emisor (vase la figura 4.50), El voltaje de alimentacin y el
punto de operacin se seleccionarn a partir de la informacin del fabricante sobre el transistor utilizado en el
amplificador.
Figura 4.50 Circuito de polarizacin con estabilizacin de emisor para consideraciones de diseo.
Figura 4.50 Circuito de polarizacin con estabilizacin de emisor para consideraciones de diseo.
La seleccin de las resistencias de colector y emisor no puede desprenderse directamente de la informacin
que acaba de especificarse. La ecuacin que relaciona los voltajes alrededor de la malla colectoremisor, tiene
dos cantidades desconocidas: los valores de las resistencias de colector y emisor, RC y RE. En este punto debe
hacerse alguna evaluacin de ingeniera, como la del nivel del voltaje de emisor comparado con el voltaje de
la fuente aplicada. Recurdese que la necesidad de incluir un resistor del emisor a tierra fue brindar un medio
de estabilizacin de la polarizacin de cd de manera que el cambio de la comente de colector debido a las
corrientes de fuga en el transistor y la del mismo no ocasionaran un gran corrimiento (si lo hay) en el punto
de operacin. La resistencia del emisor no puede ser irrazonablemente grande porque el voltaje que se genera
en l limita el nivel de la excursin del voltaje del colector al emisor (que se mencionar cuando se discuta la
respuesta de ca). Los ejemplos examinados en este capitulo revelan que el voltaje de emisor a tierra esta por lo
regular alrededor de una cuarta o una dcima parte de la fuente de voltaje. Seleccionando el caso conservador
de una dcima parte, nos permitir calcular el resistor de emisor RE y el resistor RC de manera semejante a los
ejemplos apenas vistos. En el siguiente ejemplo realizaremos un diseo completo de la red de la figura 4.49
empleando los criterios recientemente introducidos para el voltaje de emisor.
Ejemplo
Determine los valores de los resistores para la red de la figura 4.50, para la fuente de voltaje y el punto de
operacin indicados.
Solucin
88
Diseo de un circuito de ganancia en corriente estabilizada (independiente de )
El circuito de la figura 4.51 brinda estabilizacin tanto para la corriente de fuga como para los cambios en la
ganancia de corriente . El valor de las cuatro resistencias que se muestran debe obtenerse para un punto de
operacin especificado. El criterio de ingeniera en la seleccin de' un valor para el voltaje de emisor, VE,
como en el criterio de diseo previo conduce a una simple solucin directa para todos los valores de la
resistencia. Todos los pasos de diseo se muestran en el siguiente ejemplo.
Figura 4.51 Circuito con estabilizacin de ganancia de corriente para consideraciones de dideo.
Ejemplo:
Determine los niveles RC, RE, R1 y R2 para la red de la figura 4.51, para el punto de operacin indicado.
89
Solucin
Las ecuaciones para los clculos de los resistores de base R1 y R2 requerirn de un poco de consideracin.
Usando el valor del voltaje de base calculado anteriormente y el valor de la fuente de voltaje se obtendr una
ecuacin, pero existen dos incgnitas, R1 y R2. Se puede tener una ecuacin adicional mediante el
conocimiento de la operacin de estos dos resistores al proveer el voltaje de base necesario. Para que el
circuito opere con eficacia, se supone que la corriente a travs de R1 y R2 debe ser aproximadamente igual y
mucho mayor que la corriente de base (al menos en proporcin de 10:1). Este hecho y la ecuacin de di visor
de voltaje para el voltaje de base proporcionan las dos relaciones necesarias para determinar los resistores de
base. Es decir,
3.6 Conmutacin con transistores.
La aplicacin de los transistores no se limita solamente a la amplificacin de las seales. Por medio de un
diseo adecuado pueden utilizarse como interruptor para aplicaciones de control y computadoras. La red de la
figura 4.52a puede emplearse como un inversor en circuitos lgicos de computadoras. Ntese que el voltaje de
salida VC es opuesto al que se aplica a la base o terminal de entrada. Adems, advirtase la ausencia de una
fuente de cd conectada al circuito de base. La nica fuente de cd est conectada al extremo de colector o
salida, y para las aplicaciones de computadoras es tpicamente igual a la magnitud del flanco de subida de la
seal de salida, en este caso. de 5 V.
90
Figura 5.52 Inversor de transistor
El diseo adecuado para el proceso de inversin requiere que el punto de operacin cambie desde el estado de
corte hasta el de saturacin, a lo largo de la recta de carga trazada en la figura 4.52b. Para nuestros propsitos
supondremos que IC = ICEq = 0 mA cuando IB = 0 uA (una excelente aproximacin a la luz de las tcnicas
mejoradas de construccin), como se muestra en la figura 4.52b. Adems, supondremos VCE = vcesat = 0 V
en lugar del nivel tpico de 0.1 a 0.3 V.
Cuando Vi = 5 V, el transistor estar en estado "encendido" y el diseo debe asegurar que la red est
completamente saturada con un nivel de IB mayor que el asociado con la curva de IB que aparece cerca del
nivel de saturacin. En la figura 4.52b esto requiere que IB > 50 uA. El nivel de saturacin para la comente de
colector del circuito de la figura 4.52a se define como
ICsat = VCC / RC
91
El nivel de IB en la regin activa, justo antes de que se presente la saturacin puede aproximarse mediante la
siguiente ecuacin:
IBmx = ICsat / cd
Por tanto, para el nivel de saturacin, debemos asegurar que se satisfaga la condicin siguiente:
IB > ICsat / cd
Saturacin Suave
BJT saturado ligeramente
RB = (Vi 0.7V)/IB
IB ICsat / mn
RB = (Vi 0.7V) mn /ICsat
Saturacin Dura
BJT debe saturarse para cualquier valor de beta.
= 10
RB = (Vi 0.7V)10 /ICsat
Para ICsat hay que tomar en cuenta la caida de voltaje de la carga
ICsat = (VCC Vcarga)/RC
3.7 El transistor PNP.
Hasta este punto el anlisis se ha limitado exclusivamente a los transistores npn para asegurar que el anlisis
inicial de las configuraciones bsicas fuera lo ms claro posible y sin complicaciones al intercambiar entre
diferentes tipos de transistores. Afortunadamente, el anlisis de los transistores pnp sigue el mismo patrn
establecido para los transistores npn. El nivel de IB se determina en primer lugar, seguido por la aplicacin de
las relaciones de transistor apropiadas para determinar la lista, de cantidades desconocidas. De hecho, la nica
diferencia entre las ecuaciones que se obtienen para una red en la que se ha reemplazado un transistor npn por
otro de tipo pnp es el signo asociado a cantidades particulares.
Como se advierte en la figura 4.63, la notacin de subndice doble contina como fue definida normalmente.
Sin embargo, las direcciones de la corriente se han invertido para reflejar las direcciones de conduccin reales.
Empleando las polaridades definidas de la figura 4.63, tanto VBE como VCE sern cantidades negativas.
92
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff a la malla de base a emisor obtendremos la siguiente ecuacin para la
red de la figura 4.63:
IERE + VBE IBRB +VCC = 0
Sustituyendo IE = ( + 1 )IB y resolviendo para IB, llegamos a
La ecuacin resultante es la misma que la ecuacin (4.17), a excepcin del signo para VBE Sin embargo, en
este caso VBE = 0.7 V y la sustitucin de los valores resultar en el mismo signo para cada trmino de la
ecuacin (4.49), como la ecuacin (4.17). Recurdese que la direccin de IB se define ahora como opuesta a la
de un transistor pnp, como se ilustra en la figura 4.63. Para VCE, la ley de voltaje de Kirchhoff se aplica a la
malla de colector a emisor, lo que da por resultado la siguiente ecuacin:
IERE + VCE ICRC +VCC = 0
Sustituyendo IE = IC, obtenemos
VCE = VCC + IC(RC +RE)
La ecuacin resultante tiene el mismo formato que la ecuacin (4.19), pero el signo enfrente de cada trmino a
la derecha del signo de igualdad ha cambiado. Puesto que VCC ser mayor que la magnitud del trmino
siguiente, el voltaje tendr un signo negativo, como se advirti en un prrafo anterior.
Ejemplo:
Determine VCE para la configuracin de polarizacin con divisor de voltaje de la figura 4.6
Figura 4.64 Transistor PNP en una conguracin de polarizacin con divisor de voltaje.
Solucin
Probando la condicin
93
RE 10 R2
132 k 100 k (satisfactorio)
Resolviendo para VB, tenemos que
Ntese la similitud en el formato de la ecuacin con el voltaje negativo resultante para VB.
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff a lo largo de la malla de base a emisor, nos lleva a
VB VBE VE = 0
VE = VB VBE
VE = 3.16 V (0.7 V)
= 2.46 V
Advierta que en la ecuacin anterior se emplea la notacin estndar de subndice sencillo y doble Para un
transistor npn la ecuacin VE. = VB VBE sera exactamente la misma. La nica diferencia surge cuando se
sustituyen los valores. La corriente
IE = VE / RE = 2.46 V / 1.1 k = 2.24 mA
Para la malla de colector a emisor:
IERE + VCE ICRC +VCC = 0
Sustituyendo IE = IC y agrupando trminos, tenemos que
VCE = VCC + IC(RC +RE)
Sustituyendo valores, obtenemos
VCE = 18 V + (2.24 mA)(2.4 k + 1.1 k ) = 10.16 V
4.1 Amplificador en el dominio de CA.
La construccin bsica, aspectos y caractersticas del transistor se presentaron en el capitulo 1. Despus, en el
capitulo 2 se examin en detalle la polarizacin de cd del dispositivo. Empezaremos ahora a estudiar la
respuesta ca a pequea seal del amplificador BJT revisando los modelos que se utilizan con mayor
frecuencia para representar el transistor en el dominio de ca senoidal.
Una de nuestras primeras inquietudes en el anlisis de ca senoidal en redes de transistores es la magnitud de la
seal de entrada. Ello determinar si deben aplicarse tcnicas de pequea seal o tcnicas de gran seal. No
existe una lnea divisoria entre las dos, peso la aplicacin, as como la magnitud de las variables de inters
relativas a las escalas de las caractersticas del dispositivo, determinarn casi siempre con bastante claridad
94
cul mtodo es el apropiado. La tcnica de pequea seal se presenta en este capitulo.
Hay dos modelos que se utilizan por lo comn en el anlisis de ca de pequea seal de redes de transistor: el
modelo equivalente hbrido y el modelo re. Este capitulo no slo presenta ambos modelos, sino que define el
papel que cada uno desempea y la relacin que existe entre ellos.
En el captulo 1 se demostr que el transistor puede emplearse como un dispositivo amplificador. Es decir, la
seal de salida senoidal es mayor que la seal de entrada o, establecindolo de otra manera, la potencia de ca
de salida es mayor que la potencia de ca de entrada. La pregunta que surge entonces es cmo la salida de
potencia de ca puede ser mayor que la potencia de ca de entrada? La conservacin de la energa dicta que en
funcin del tiempo, la salida de potencia total, Po de un sistema no puede ser mayor que su entrada de
potencia, Pi y que la eficiencia definida por = Po/P no puede ser mayor que 1. El factor que no se
considera en la discusin anterior, que permite una salida de potencia de ca mayor que la potencia de entrada
de ca, es la potencia aplicada de cd. Representa una contribucin a la potencia de salida total aun cuando parte
de ella se disipa a travs del dispositivo y los elementos resistivos. En otras palabras, existe un intercambio"
de potencia de cd al dominio de ca, el cual permite establecer una muy alta potencia de salida de ca. De hecho,
una eficienciade conversin se define por medio de = Po(ca)/Pi(cd) donde Po(ca) es la potencia de ca en la
carga, y P(cd) la potencia suministrada de cd.
Quizs el papel que juega la fuente de cd se describa mejor al considerar primero la red simple de cd de la
figura 7.1. La direccin resultante del flujo se muestra en la figura con una grfica de la corriente i contra el
tiempo. Insertemos ahora un mecanismo de control, como se muestra en la figura 7.2. El mecanismo de
control se constituye de tal forma que la aplicacin de una seal relativamente pequea al mecanismo de
control puede resultar en una oscilacin mucho ms grande en el circuito de salida.
Figura 7.1 Corriente estacionaria establecida por una fuente de cd.
Para el sistema de la figura 7.2 el valor pico de la oscilacin se controla mediante el nivel establecido de cd.
Cualquier intento de exceder el lmite establecido por el nivel de cd resultar en un "recorte" aplanado de la
regin pico de la seal de salida. Por lo tanto, en su totalidad, un diseo apropiado de amplificador requiere
que los componentes de cd y de ca sean sensibles a cada uno de los otros requerimientos y limitaciones. Sin
embargo, es en verdad un hecho afortunado que los amplificadores de pequea seal de transistor puedan
considerarse lineales para la mayora de las aplicaciones, permitiendo el uso del teorema de superposicin
para separar el anlisis de cd del anlisis de ca.
95
Figura 7.2 Efecto de un elemento de control sobre el flujo en estado estacionario del sistema elctrico de
la figura 7.1
LNEA DE CARGA DE CA.
Excursin mxima de salida de ca al voltaje de ca pico a pico mximo, sin recortes, que puede proporcionar
un amplificador.
La lnea de carga de ca es una ayuda visual para entender la operacin con seales grandes.
96
4.2 Modelado del transistor BJT.
La clave del anlisis de pequea seal de transistor es el empleo de los circuitos equivalentes (modelos) que
sern introducidos en este captulo. Un modelo es la combinacin de elementos de circuito, seleccionados
adecuadamente, que mejor aproximan el comportamiento real de un dispositivo semiconductor en
condiciones especficas de operacin,
Una vez determinado el circuito equivalente de ca, el smbolo grfico del dispositivo puede sustituirse en el
esquema mediante este circuito, y se pueden aplicar los mtodos bsicos del anlisis de circuitos de ca
(anlisis de nodos, anlisis de mallas y el teorema de Thvenin) para determinar la respuesta del circuito.
Hay dos teoras actuales acerca de cul ser el circuito equivalente que ha de sustituir al transistor. Durante
muchos aos la industria y las instituciones educativas confiaron ampliamente en los parmetros hbridos
97
(que se presentarn en breve). El circuito equivalente de parmetros hbridos seguir siendo muy popular, aun
cuando en la actualidad debe competir con un circuito equivalente derivado directamente de las condiciones
de operacin del transistor, el modelo re. Los fabricantes siguen especificando los parmetros hbridos para
una regin de operacin particular en sus hojas de especificaciones. Los parmetros (o componentes) del
modelo re pueden derivarse directamente de los parmetros hbridos en esta regin. Sin embargo, el circuito
equivalente hbrido adolece de estar limitado a un conjunto particular de condiciones de operacin si se
considerara preciso. Los parmetros del otro circuito equivalente pueden determinarse para cualquier regin
de operacin dentro de la regin activa y no estn limitados por un solo grupo de parmetros incluidos en la
hoja de especificaciones. A su vez, no obstante, el modelo re no tiene un parmetro que defina el nivel de
impedancia de salida del dispositivo y el efecto de retroalimentacin de la salida a la entrada.
Puesto que en la actualidad ambos modelos se emplean de manera extensa, los dos se examinan en detalle en
este libro. En algunos anlisis y ejemplos se emplear el modelo hbrido, en tanto que en otros se utilizar en
forma exclusiva el modelo re. No obstante, en el texto se har todo lo necesario para mostrar la forma tan
estrecha en que se relacionan los dos modelos y cmo la habilidad en el manejo de uno de ellos conduce a una
destreza natural en el manejo del otro.
Con el fin de mostrar el efecto que tendr el circuito equivalente de ca sobre el anlisis que sigue, considrese
el circuito de la figura 7.3. Supongamos por e] momento que el circuito equivalente de ca de pequea seal
para el transistor ya ha sido determinado. Puesto que slo nos interesa la respuesta de ca del circuito, todas las
alimentaciones de cd pueden sustituirse por equivalentes de potencial cero (corto circuito), ya que determinan
nicamente el nivel de cd (nivel quiesciente) o de operacin del voltaje de salida y no la magnitud de la
excursin de la salida de ca. Esto se muestra claramente en la figura 7.4. Los niveles de cd fueron importantes
simplemente para determinar el punto Q de operacin adecuado. Una vez determinado, es posible ignorar los
niveles de cd en el anlisis de ca de la red. Adems, los capacitores de acoplamiento C1 y C2 y el capacitor de
desvo C3*** se eligieron de modo que tuvieran una reactancia muy pequea a la frecuencia de aplicacin.
Por lo tanto, es posible tambin reemplazarlos para todos los propsitos prcticos por medio de una
trayectoria de baja resistencia (corto circuito). Ntese que esto producir el "corto circuito" de la resistencia
de polarizacin de cd, RE. Recurdese que los capacitores tienen un equivalente de circuito abierto en
condiciones de estado estable cd, permitiendo un aislamiento entre etapas en los niveles de cd y las
condiciones de operacin.
Figura 7.3 Circuito de transistor examinado en este anlisis introductorio.
98
Figura 7.4 Red de la figura 7.3 despus de eliminar la alimentacin de cd.
La conexin comn de tierra y el rearreglo de los elementos de la figura 7.4 dar como resultado una
combinacin en paralelo de los resistores R1, R2, y RC que aparecer del colector al emisor como se muestra
en la figura 7.5. Como los componentes del circuito equivalente del transistor insertado en la figura 7.5 son
aquellos con los que ya nos hemos familiarizado (resistores, fuentes controladas, etc.), las tcnicas de anlisis
tales como superposicin y el teorema de Thvenin, entre otras, pueden aplicarse para determinar las
cantidades deseadas.
Figura 7.5 Circuito de la figura redibujado para el anlisis de pequea seal ca.
Examinaremos an ms la figura 7.5 e identifiquemos las cantidades importantes que se determinarn en el
sistema. Puesto que sabemos que el transistor es un dispositivo amplificador, esperaramos alguna indicacin
de cmo se relacionan el voltaje de salida Vo y el de entrada Vi, es decir, la ganancia en voltaje. Note en la
figura 7.5 que para esta configuracin Ii = Ib, e Io = Ic lo cual define la ganancia en corriente Ai = Io / Ii. La
impedancia de entrada Zi y la impedancia de salida Zo probarn ser de particular importancia en el anlisis
que se detalla a continuacin. Se proporcionar mucha ms informacin acerca de estos parmetros en las
secciones siguientes. Por tanto, el equivalente de ca para una red se obtiene por medio de:
1. El establecimiento de todas las fuentes de cd a cero y su reemplazo por un corto circuito equivalente
2. El reemplazo de todos los capacitores por un corto circuito equivalente
99
3. La eliminacin de todos los elementos sustituidos por los corto circuitos equivalentes introducidos en los
pasos 1 y 2
4. El dibujar de nuevo la red en una forma ms lgica y conveniente.
En las secciones siguientes se presentarn los circuitos equivalentes re e hbrido para completar el anlisis de
ca de la red de la figura 7.5
4.3 Parmetros importantes: Zi, Zo, Av, Ai, Vi, Vo, Ii, Io. (Redes de dos puertos).
Antes de investigar los circuitos equivalentes para BJT con ms detalle, concentrmonos en los parmetros de
un sistema de dos puertos que son de capital importancia desde un punto de vista de anlisis y diseo. Para el
sistema de dos puertos (dos pares de terminales) de la figura 7.6, el extremo de entrada (el lado donde
normalmente se aplica la seal) se encuentra a la izquierda y el extremo de salida (donde se conecta la carga)
se halla a la derecha. De hecho, para la mayora de los sistemas elctricos y electrnicos el flujo general se
tiene normalmente de izquierda a derecha. Para ambos conjuntos de terminales la impedancia entre cada par
de terminales en condiciones normales de operacin es bastante importante.
Figura 7.6 Sistema de dos puertos.
Impedancia de entrada, Zi
Para el extremo de entrada, la impedancia de entrada Z se define por la ley de Ohm como se indica a
continuacin:
Zi = Vi / Ii
Si se modifica la seal de entrada Vi, la corriente Ii, puede calcularse mediante el uso del mismo nivel de
impedancia de entrada. En otras palabras:
Para el anlisis de pequea seal una vez que se ha determinado la impedancia de entrada, el mismo valor
numrico puede utilizarse para modificar los niveles de la seal aplicada.
De hecho, en las secciones siguientes encontraremos que la impedancia de entrada de un transistor puede
determinarse aproximadamente por medio de las condiciones de polarizacin de cd, condiciones que no
cambian slo porque la magnitud de la seal aplicada de ca se haya modificado.
100
Es particularmente interesante que para las frecuencias en el intervalo de los valores bajos a los medios
(normalmente <100 kHz):
La impedancia de entrada de un amplificador de transistor BJT es de naturaleza puramente resistiva y,
dependiendo de la manera en que se emplee el transistor, puede variar de unos cuantos ohms hasta el orden
de los megaohms.
Adems:
No puede emplearse un hmetro para medir la impedancia de entrada de pequea seal de ca puesto que el
hmetro opera en modo de cd.
La ecuacin (7.1) es particularmente til en la medida en que proporciona un mtodo para medir la resistencia
de entrada en el dominio de ca. Por ejemplo, en la figura 7.7 se ha agregado un resistor sensor al extremo de
entrada para permitir una determinacin de Ii*** empleando la ley de Ohm. Un osciloscopio o un multimetro
digital (DMM) sensible puede utilizarse para medir el voltaje Vs y V. Ambos voltajes pueden ser de pico a
pico, pico o valores rms, siempre que ambos niveles empleen el mismo patrn. La impedancia de entrada se
determina entonces de la siguiente manera:
Ii = (Vs Vi) / Rsensor
y
Zi = Vi / Ii
Figura 7.7 Determinacin de Zi.
La importancia de la impedancia de entrada de un sistema puede demostrarse mejor mediante la red de la
figura 7.8. La fuente de seal tiene una resistencia interna de 600 el sistema (posiblemente un amplificador
de transistor) tiene una impedancia de entrada de 1.2 k .
101
Figura 7.8 Demostracin del impacto de Zi sobre una respuesta de amplificador.
Impedancia de salida, Zo
La impedancia de salida se define en forma natural para el conjunto de salida de las terminales, pero la manera
en la cual se define es bastante diferente de la correspondiente a la impedancia de entrada. Es decir,
La impedancia de salida se determina en las terminales de salida viendo hacia atrs. dentro del sistema con
la seal aplicada fijada en cero.
En la figura 7.10, por ejemplo, la seal aplicada se ha establecido a cero voltios. Para determinar Zo, se aplica
una seal, Vs, a las terminales de salida, y el nivel de Vo se mide con un osciloscopio o DMM sensible. La
impedancia de salida se determina entonces de la siguiente manera:
Io = (V Vo) / Rsensor
y
Zo = Vo / Io
Figura 7.10 Deteminacin de Zo.
En particular, para las frecuencias de rango bajo y medio (normalmente < 100 kHz): La impedancia de salida
de un amplificador de transistor BJT es resistiva por naturaleza y depende de la configuracin y de la
colocacin de los elementos resistivos, Zo puede variar entre unos cuantos ohms y un nivel que puede exceder
los 2M .
Adems:
No puede utilizarse un hmetro para medir la impedancia de salida de pequea seal de ca debido a que el
hmetro opera en modo de cd.
Ganancia de voltaje Av
102
Una de las caractersticas ms importantes de un amplificador es la ganancia de voltaje de pequea seal de
ca, que se determina por
Av = Vo / Vi
Para el sistema de la figura 7.13, no se ha conectado una carga a las terminales de salida y el nivel de ganancia
determinado por la ecuacin (7.6) se denomina como la ganancia de voltaje sin carga. Es decir,
Figura 7.13 Determinacin de la ganancia de voltaje sin carga
Para amplificadores de transistor, la ganancia de voltaje sin carga es mayor que la ganancia de voltaje con
carga.
Ganancia de corriente, Ai
La ltima caracterstica numrica por discutir es la ganancia de corriente definida por
Ai = Io / Ii
Aunque por lo regular recibe menos atencin que la ganancia de voltaje, es, sin embargo, una cantidad
importante que puede tener un impacto significativo en la eficiencia global de un diseo. En general:
Para amplificadores BJT, la ganancia de corriente oscila entre los valores apenas menores que I y un nivel
que puede exceder los 100.
Para la situacin con carga presente de la figura 7.15,
Ii = Vi / Zi
y
Io = Vo / RL
103
Figura 7.15 Determinacin de la ganancia de corriente con carga.
Ai = Av(Zi / Ii)
La ecuacin anterior permite la determinacin de la ganancia de corriente a partir de la ganancia de voltaje y
los niveles de impedancia.
Relacin de fase
La relacin de fase entre las seales senoidales de entrada y salida es importante por una variedad de razones
prcticas. Sin embargo y por fortuna: Para el amplificador de transistor tpico, a frecuencias que permiten
ignorar el efecto de elementos reactivos, las seales de entrada y salida estn ya sea en fase o desfasadas por
180.
La razn de esta situacin ambivalente con respecto a la fase se aclarar en los captulos siguientes.
Resumen
Los parmetros de principal importancia para un amplificador ya se han presentado; la impedancia de entrada
Zi, la impedancia de salida Zo, la ganancia de voltaje Av, la ganancia de corriente Ai y las relaciones de fase
resultantes. Otros factores, tales como la frecuencia aplicada para los lmites inferior y superior del espectro
de frecuencias, afectarn algunos de estos parmetros. En las secciones y captulos siguientes, todos los
parmetros se determinarn para una variedad de redes de transistores con el fin de permitir una comparacin
de las ventajas y desventajas de cada configuracin.
4.4 Modelado re del transistor.
El modelo re emplea un diodo y una fuente controlada de corriente para duplicar el comportamiento de un
transistor en la regin de inters. Recurdese que una fuente de corriente controlada por corriente es aqulla
donde los parmetros de la fuente de corriente se controlan por medio de una corriente en otra parte de la red.
De hecho,en general:
Los amplificadores de transistor BJT se conocen como dispositivos controlados por corriente.
Configuracin de base comn
104
En la figura 7.16a se ha insertado un transistor pnp de base comn dentro de la estructura de dos puertos
empleada en nuestra discusin de las recientes secciones. En la figura 7.16b se ha colocado el modelo re para
el transistor entre las mismas cuatro terminales. Como se observ en la seccin 7.3, el modelo (circuito
equivalente) se escoge de una forma tal que se tenga una aproximacin del comportamiento del dispositivo al
reemplazarlo en la regin de operacin de inters. En otras palabras, los resultados obtenidos al colocar el
modelo deberan estar relativamente cercanos a los obtenidos con el transistor real. Usted recordar, del
captulo 1, que una de las uniones de un transistor en operacin se polariza en forma directa mientras que la
otra se polariza inversamente. La unin directamente polarizada se comportar de manera muy parecida a un
diodo (despreciando los efectos de los niveles cambiantes de VCE), como se verific mediante las curvas de la
figura 3.7. Para la unin de baseemisor del transistor de la figura 7.16a, el diodo equivalente de la figura
7.16b entre las mismas dos terminales parece ser bastante apropiado. Para el extremo de salida, recurdese
que las curvas horizontales de la figura 3.8 revelaban que IC = Ie (como se dedujo de Ic = Ie) para el
intervalo de valores de vce. La fuente de corriente de la figura 7.16b establece el hecho de que Ic = Ie con la
corriente de control Ie que aparece en el extremo de entrada del circuito equivalente, como se indica en la
figura 7.16a. Por consiguiente, hemos establecido una equivalencia en las terminales de entrada y salida con la
fuente controlada por corriente, proporcionando un vnculo entre las dos (una revisin inicial sugerira que el
modelo de la figura 7.16b es un modelo vlido del dispositivo real).
Figura 7.16 (a) Transistor BJT de base comn; (b) modelo re para la configuracin de la figura 7.16a.
Recurdese del capitulo 1, que la resistencia de ca de un diodo puede determinarse mediante la ecuacin rca =
26 mV/ID, donde ID es la corriente de cd a travs del diodo en el punto Q (esttico). Esta misma ecuacin
puede utilizarse para encontrar la resistencia de ca del diodo de la figura 7.16b si sustituimos simplemente la
corriente de emisor, como se muestra a continuacin:
re = 26 mV / IE
El subndice e de re se eligi para enfatizar que es el nivel cd de la corriente de emisor que determina el nivel
ca de la resistencia del diodo de la figura 7.16b. Al sustituir el valor resultante de re en la figura 7.16b se
obtendr el modelo de suma utilidad que se muestra en la figura 7.17:
105
Figura 7.17 Circuito equivalente re de base comn.
A causa del aislamiento existente entre los circuitos de entrada y de salida de la figura 7.17, debera ser
bastante obvio que la impedancia de entrada Zi para la configuracin de base comn de un transistor fuera
simplemente re. Es decir,
Zi = re
Para la configuracin de base comn, los valores tpicos de Z, varan entre unos cuantos ohms y un valor
hasta de alrededor de 50 .
Para la impedancia de salida, si establecemos la seal a cero, entonces Ie = O A e IC = Ie = (0 A) = O A,
resultando en un equivalente de circuito abierto en las terminales de salida. El resultado es que para el modelo
de la figura 7.17,
Zo
En realidad:
Para la configuracin de base comn, los valores tpicos de Zo se hallan en el orden de los megaohms.
La resistencia de salida de la configuracin de base comn se determina por medio de la pendiente de las
lneas caractersticas de las caractersticas de salida, como se muestran en la figura 7.18. Suponiendo que las
lneas sean perfectamente horizontales (una excelente aproximacin) resultara en la conclusin de la ecuacin
(7.13). Si se tuviera el cuidado de medir Zo grfica o experimentalmente, se obtendran los niveles tpicos en
el intervalo de 1 a 2 M .
Figura 7.18 Definicin de Zo.
En general, para la configuracin de base comn, la impedancia de entrada es relativamente pequea
mientras que la impedancia de salida es bastante alta.
La ganancia de voltaje se determinara ahora para la red de la figura 7.19.
Vo = IoRL = (IC)RL = IERL
106
Vi = IEZi = Iere
Av = Vo / Vi = IeRL / Iere
Av = RL / re RL / re
Para la ganancia de corriente
Ai = Io / Ii = IC / Ie = Ie / Ie
Ai = 1
7.19 Definicin de Av para la configuracin de base comn.
El hecho de que la polaridad del voltaje Vo tal como se determina a partir de la corriente IC sea la misma que
se define mediante la figura 7.19 (o sea, el extremo negativo est al potencial de referencia, o tierra) revela
que vo y V estn en fase para la configuracin de base comn. El equivalente para un transistor NPN en la
configuracin de base comn aparecera como se ilustra en la figura 7.20.
Figura 7.20 Modelo aproximado para una configuracin de transistor NPN de base comn.
Configuracin de emisor comn
Para la configuracin de emisor comn de la figura 7.21a, las terminales de entrada son las terminales de base
y emisor, pero el conjunto de salida lo componen ahora las terminales de colector y emisor. Adems, la
terminal de emisor es ahora comn entre los puertos de entrada y salida del amplificador. Sustituyendo el
circuito equivalente re para el transistor npn dar por resultado la configuracin de la figura 7.21b. Advirtase
que la fuente controlada por corriente an esta conectada entre las terminales de colector y de base y el diodo,
entre las terminales de base y de emisor. En esta configuracin, la corriente de base es la corriente de entrada,
mientras que la corriente de salida aun es Ic. Recuerde, del captulo 1, que las corrientes de base y de colector
107
estn relacionadas por la siguiente ecuacin:
Ic = Ib
La comente a travs del diodo se determina por lo tanto mediante
Ie = ( + 1)Ib
Sin embargo, ya que la beta de ca es normalmente mucho mayor que 1, haremos uso de la siguiente
aproximacin para el anlisis de comente:
Ie Ib
La impedancia de entrada se determina por medio de la siguiente relacin:
Zi = Vi / Ii = Vbe / Ib
El voltaje Vbe se halla a travs de la resistencia del diodo, como se muestra en la figura 7.22. El nivel de re
todava se determina por la corriente de cd IE***. El uso de la ley de Ohm conduce a
Vi = Vbe = Ie re Ibre
Figura 7.21 (a) Transistor BJT de emisor comn (b) modelo aproximado para la configuracin de la
figura 7.21
108
Figura 7.22 Determinacin de Zi empleando el modelo aproximado.
La sustitucin nos lleva a
Zi re
En esencia, la ecuacin (7.19) establece que la impedancia de entrada para una situacin tal como la mostrada
en la figura 7.23 es beta veces el valor de re. En otras palabras, un elemento resistivo en la terminal del emisor
se refleja en el circuito de entrada por un factor multiplicativo . Por ejemplo, si re = 6.5 ohms como en el
ejemplo 7.4, re = 160 (situacin bastante comn a la impedancia de entrada se incrementa a un nivel de
Zi re = (160)(6.5 ohms) = 1.04 kohms
Figura 7.23 Impacto de re sobre la impedancia de entrada.
Para la configuracin de emisor comn, los valores tpicos de Zi que se definen mediante re, oscilan desde
unos cuantos cientos de ohms hasta el orden los kilohms, con valores mximos de entre 6 y 7 kilohms.
Para la impedancia de salida las caractersticas de inters son el conjunto de salida de la figura 7.24,
Obsrvese que la pendiente de las curvas se incrementa con el aumento en la comente de colector. Cuanto ms
elevada sea la pendiente, menor ser el nivel de la impedancia de salida (Zo). El modelo re de la figura 7.21
no incluye una impedancia de salida, pero si se halla disponible a partir de un anlisis grfico o de hojas de
109
datos, puede incluirse como se ilustra en la figura 7.25.
Figura 7.24 Definicin de ro para la configuracin de emisor comn.
Figura 7.25 Insercin de ro en el circuito equivalente de transistor.
Para la configuracin de emisor comn, valores tpicos de Zo se encuentran en el intervalo que va de los 40 a
los 50 kohms.
Para el modelo de la figura 7.25, si se establece a cero la seal aplicada, la corriente es de O A y la
impedancia de salida es
Zo = ro
Por supuesto, si la contribucin debida a ro se ignora como en el caso del modelo re la impedancia de salida
se define por Zo = .
La ganancia de voltaje para la configuracin de emisor comn se determinar ahora por la configuracin de la
figura 7.26 haciendo uso de la suposicin que Zo = . El efecto de incluir ro se considerar en el captulo 6.
Para la direccin definida por Io y polaridad de Vo,
Vo = IoRL
110
Figura 7.26 Determinacin de la ganancia de voltaje y corriente para el amplificador de transistor de
emisor comn.
El signo menos refleja simplemente el hecho de que la direccin de Io en la figura 7.26 establecer un voltaje
Vo con polaridad opuesta. Al continuar llegamos a
Vo = IoRL = ICRL = IbRL
Vi = IiZi = Ib re
Av = Vo / Vi = IbRL / Ib re
Av = RL / re
El signo menos resultante para la ganancia de voltaje revela que los voltajes de entrada y salida se encuentran
desfasados en 180. La ganancia de corriente para la configuracin de la figura 7.26:
Ai = Io / Ii = IC / Ib = Ib / Ib
Ai =
Utilizando el hecho de que la impedancia de entrada es re que la corriente de colector es Ib y que la
impedancia de salida es ro el modelo equivalente de la figura 7.27 puede ser una herramienta efectiva para el
anlisis que sigue a continuacin. Para valores de parmetros tpicos la configuracin de emisor comn puede
considerarse como aquella que disfruta de un nivel moderado de impedancia de entrada, un voltaje y una
ganancia de corriente altos, y una impedancia de salida que puede tener que incluirse en el anlisis de la red.
Figura 7.27 Modelo re para la configuracin de transistor de emisor comn.
Configuracin de colector comn
111
Para la configuracin de colector comn normalmente se aplica el modelo definido para la configuracin de
emisor comn de la figura 7.21, en vez de definir un modelo propio para la configuracin de colector comn.
En captulos subsecuentes se investigarn varias configuraciones de colector comn y llegara a ser evidente el
efecto de utilizar el mismo modelo.
4.5 El modelo equivalente hbrido.
En la seccin 4.4 se seal que el modelo re para un transistor es sensible al nivel de operacin de cd del
amplificador. El resultado es una resistencia de entrada que variar en el punto de operacin de cd. Para el
modelo equivalente hbrido que se describir en esta seccin se definen los parmetros en un punto de
operacin que puede o no reflejar 1as condiciones de operacin reales del amplificador. Esto se debe al hecho
de que las hojas de especificaciones no pueden proporcionar los parmetros para un circuito equivalente para
todo punto de operacin posible. Los fabricantes deben escoger las condiciones de operacin que creen que
reflejarn las caractersticas generales del dispositivo.
Figura 7.32 Circuito equivalente hbrido completo.
5.1 Polarizacin por divisor de voltaje.
Los modelos de transistores que se presentan en el captulo 3 se utilizarn ahora para realizar el anlisis de ca
de pequea seal de un buen nmero de configuraciones estndar de redes con transistor. Las redes que se
analizarn representan la mayor parte de las que aparecen en la prctica actual. Las modificaciones de las
configuraciones estndar se examinarn con relativa facilidad una vez que el contenido de este capitulo se
haya revisado y entendido.
Ya que el modelo re es sensible al punto de operacin real, ser nuestro modelo principal para el anlisis que
se realizar. Sin embargo, para cada configuracin se examina el efecto de una impedancia de salida como se
proporciona mediante el parmetro hoe del modelo equivalente hbrido. Para demostrar las semejanzas que
existen en el anlisis entre los modelos, se ha dedicado una seccin al anlisis de pequea seal de redes BJT
empleando nicamente el modelo equivalente hbrido.
112
Circuito equivalente para CD
Circuito equivalente para CA.
113
Zi:
Zo:
Zo = Rc
Av:
Vo = IORL
IO = (ICRC)/(RC+RL) VO = (ICRC)RL /(RC+RL)
Vo = ViR'L / re Vo / Vi = R'L / re
Av = R'L / re
114
Ai: Frecuentemente el valor de R' es muy cercano a re por lo tanto no puede ser ignorado.
Ib = R'Ii / (R' + re)

Ib / Ii = R' / (R' + re)

En la salida
Efecto de ro: Zi no cambia pero Zo = ro
Rc
ro = 1 / hoe
Ai = Io / Ii
Ejemplo:
Calcule el punto Q, re, Zi, Zo, Av, Ai para el amplificador que se muestra:
115
f = 1 kHz
Xc 0.1 R
C1 10 / 2 f 0.22 uF
C2 1.3 uF
C3 1.06 uF
Anlisis de CD:
RE = (90)(1.5 k ) = 135 k
10R2 = (10)(8.2 k ) = 82 k , RE > 10R2
se puede emplear el anlisis aproximado
VE = VB VBE = 2.81 0.7 = 2.11 Vcd
116
IE = VE / RE =2.11 V / 1.5 k = 1.41 mA
VCE = VCC IC(RC + RE), donde IC IE
VCE = 22 (1.41mA)(6.8 k + 1.5 k ) = 10.297 Vcd
Punto Qcd: (10.297 V, 1.41 mA)
Anlisis de CA:
re = 26 mV / IE = 26 mV / 1.41 mA
re = 18.44
re =(90)(18.44) = 1.66 k
Zi = 1.35 k
Zo = Rc = 6.8 k , si se toma en cuenta ro suponga que el transistor es el 2N4123: hoe = 14 u para Ic 1.41
mA
Av = 66.64
Ai = 59.84
117
5.2 Configuracin de polarizacin de emisor para emisor comn.
Circuito equivalente de CD
118
Circuito equivalente de CA
Como Vi est en paralelo con RB y con la suma de re + RE Vi = IRB RB
Vi = Ib re + IeRE = Ib re + ( + 1)IbRE
Zb = Vi / Ib = re + ( +1)RE
Zb (re + RE), si RE >> re Zb RE
Zi:
Ejemplo
Dado el siguiente circuito encuentre:
Punto Q y valor exacto para IE
Zi
Zo (sin ro y con ro) suponga que hoe = 55 uU
Av
Ai
119
a)
IE = ( + 1)IB = (121)(46.5 uA) = 5.63 mA
Ic = IB =(120)(46.5 uA) = 5.58 mA
VCE = Vcc Ic (Rc + RE) = 20 (5.58 mA)(1.3k + 1.2k) = 6.05 Vcd
Punto Q (6.05 Vcd, 5.58 mA)
IE = 5.63 mA
b)
re = 26 mV / 5.63 mA = 4.62 ohms
Zi = 94.65 kohms
c)
Zo = Rc
120
Zo = 1.3 k (sin ro)
Si ro = 1 / hoe =1 / 55 uU =18.18 k
Zo = 1.21 k (con ro)
d)
Av = 0.3
e)
Ai = 40.52
Zo:
Si Vi = 0, Ib = 0 y Ib es un corto circuito
Zo = Rc
Av:
121
Av: Frecuentemente la magnitud de RB es muy cercana a Zb, por lo tanto no se puede aproximar Ib = Ii. Es
necesario aplicar la regla del divisor de corriente.
Efecto de ro: La colocacin de ro para esta configuracin es tal que para los valores de parmetros tpicos, el
efecto de ro sobre la impedancia de salida y ganancia de voltaje se pueden ignorar:
5.3 Configuracin de emisor seguidor.
Cuando la salida se toma en la terminal del emisor, en lugar de en el colector, la red recibe el nombre de
emisor seguidor.
El voltaje de salida (CA) siempre es un poco menor que la seal de entrada, debido a la cada de base a
emisor, a pesar de esto la aproximacin Av 1 casi siempre es satisfactoria.
A diferencia del voltaje en el colector, el voltaje en el emisor est en fase con la seal Vi, de ah el nombre de
"emisor seguidor".
122
En la figura se muestra la configuracin ms comn de emisor seguidor. Como se puede observar, para
anlisis de CA el colector est conectado a tierra, as que sta es una configuracin de colector de colector
comn.
Esta configuracin se utiliza con propsitos de acoplamiento de impedancia. Presenta una elevada impedancia
de entrada y una baja impedancia de salida, lo cual es opuesto por completo a las configuraciones anteriores.
El efecto resultante es muy similar al que se obtiene con un transformador.
Circuito equivalente de CD
Malla de Entrada
123
Malla de Salida
Circuito equivalente de CA
Ntese que Vi est en paralelo con RB, pero tambin con re + R'L, as que: Vi = ZbIb
Zi:
As que
Zo:
, y en trminos de Ie multiplicando por + 1
124
Si se dibujara un circuito representando a esta ecuacin:
Recuerde que para obtener Zo, Vi se establece a cero volts, as que:
Si se toma en cuenta ro R'L est en paralelo con ro
Av: De la figura anterior se puede obtener la ganancia de voltaje.
Ai: De la figura del circuito equivalente:
125
La siguiente es tambin una red de emisor seguidor, pero se polariza por divisor de voltaje.
En este caso para CA se sustituye RB por R1 paralela a R2 y para CD se aplica lo visto para la polarizacin
por divisor de voltaje, si RE 10R2 Anlisis aproximado. En el caso contrario se aplica el anlisis exacto.
La siguiente tambin es una red de emisor seguidor, la cual utiliza polarizacin por divisor de voltaje y
adems se incluye una resistencia en el colector para controlar el VCE.
126
Para el anlisis en CA, la RC incluida no tiene efecto, ni en Zo, ni en la ganancia y RB se sustituye por R1
paralela a R2.
Para CD es un circuito de polarizacin por divisor de voltaje.
Ejemplo:
Para la red de emisor seguidor que se muestra en la figura calcule:
Punto Q
re
Parmetros: Zi, Zo, Av, Ai.
a) Circuito equivalente de CD:
127
b)
c)
Apndice al captulo 5.
128
CONFIGURACIN DE EMISOR COMN CON POLARIZACIN FIJA
Circuitos Equivalentes de CA
Zi:
Zo: Impedancia de salida = Zo para Vi = 0 Ib = 0, Zo = Rc
Av:
El signo menos indica que la polaridad de Vo es opuesta a la definida por la direccin indicada de Io.
129
Ai:
Efecto de ro: Zi no cambia, pero
130