Captulo

6

Transistores unipolares de efecto de campo



os transistores unipolares de efecto de campo o FET fueron los
precursores del gran avance de la electrnica, al posibilitar la
produccin en grandes cantidades de este tipo de dispositivos.
L

Gracias a las mejoras que aport respecto de los transistores
bipolares, se pudieron realizar circuitos ms rpidos, econmicos y
fiables. A principios de la dcada de los 50 nada haca presagiar el
influyente elemento que ide W. B. Shockley.

Durante su evolucin, han pasado desde los originales JFET,
MESFET, NMOSPMOS, hasta los actuales y verstiles CMOS.

El FET es un dispositivo unipolar, ya que la corriente existe tanto
en forma de electrones como de huecos. En un FET de canal N, la
corriente se debe a electrones, mientras que en un FET de canal P,
se debe a huecos.




Contenido

6.1 Resea histrica
6.2 Conceptos bsicos
6.3 El JFET. Constitucin y funcionamiento
6.4 La transconductancia en un JFET
6.5 Modelo en pequea seal del JFET
6.6 Otros efectos a tener en cuenta en los JFET
6.7 Polarizacin de los JFET
6.8 Ejercicios tipo
6.9 Problemas propuestos
6.10 Bibliografa

106
Electrnica analgica: Anlisis y diseo





6.1 Resea histrica

Julius Edgar Lilienfeld (1881-1963), nacido en
Polonia y doctorado en fsica en 1905 en Berln,
emigr a USA en 1927 huyendo del
antisemitismo nazi. En octubre de 1926 present
una patente (1.745.175) como Method and
apparatus for controlling electric currents,
que sera el precursor de lo que hoy conocemos
como transistor de unin FET, con el propsito
de utilizarle como amplificador. Dada la tecnologa existente en aquellos aos, no pudo conseguir un
dispositivo utilizable para la fabricacin industrial.

























William Bradford Shockley (1910-1989). Fsico estadounidense, naci en Londres
de padres estadounidenses. Trabaj en los laboratorios de la Compaa Telefnica
Bell desde 1936 hasta 1956. Sus investigaciones sobre los semiconductores le
llevaron al desarrollo del transistor en 1948. Por esta investigacin comparti en
1956 el Premio Nobel de Fsica con sus asociados John Bardeen y Walter H.
Brattain. Posteriormente, Shockley desarroll sus investigaciones para el
perfeccionamiento de los transistores, que culminaron con la invencin en 1952
del transistor unipolar de efecto de campo. Este fue el paso ms importante para
la fabricacin de dispositivos en masa y a bajo coste. Recurdese que los primeros
transistores se realizaban a mano y de forma individual. Conjuntamente con otros hechos, en 1956,
ao en que fue nombrado director de la Shockley Transistor Corporation en Palo Alto, California,
empez a gestarse lo que hoy en da es Silicon Valley. La historia cuenta que la invencin del
transistor, denominado entonces Point contact germanium transistor, ocurri el ao 1948 sin
embargo, fue el 16 de Diciembre de 1947 cuando Shockley, Bardeen y Brattain descubrieron este
efecto. Dadas las especiales fechas, no se publicaron las investigaciones y logros conseguidos hasta
meses despus, tiempo que aprovecharon los Bell Laboratories para patentar estas ideas.
Captulo 6: Transistores unipolares de efecto de campo
107



Despus de la invencin del transistor, sucedieron rpidamente diferentes hechos que
cin del transistor JFET por parte de Shockley. ste, trabajando en
creto en el Laboratorio de su empresa, alejado de sus colegas Bardeen y Brattain que
6.2 Conceptos bsicos


culminaron con la realiza
se
siguieron en Bell Laboratories, pretenda idear un dispositivo que se pudiese fabricar a nivel
industrial, y no como hasta entonces que cada transistor de punta de contacto de Germanio se
realizaba a mano. Tras unos aos de ferviente investigacin, aparecieron en el mercado
diferentes dispositivos, ms o menos relacionados entre s, que solucionaron el inconveniente
de la fabricacin en grandes series.

Se podra considerar como vlida la clasificacin siguiente, a efectos de las diferentes
familias que se obtuvieron.

FET
(Shockley 1952)
JFET
Canal P, Canal N
(Shockley 1952)
MOSFET
(Hofstein-Heiman 1962)
Acumulacin
Canal P, Canal N
Deplexin
Canal P, Canal N
MESFET
(Mead 1962)


Figura 6.1: Clasificacin constructiva de transistores


Estos dispositivos s de alta velocidad y
ajo consumo. Probablemente no existiran microprocesadores con las prestaciones actuales si
o se hubiera desarrollado la tecnologa MOS. En la actualidad se dispone de transistores de
metal s
titucin y funcionamiento
han sido los artfices de los circuitos digitale
b
n
emiconductor MESFET y de arseniuro de Galio GASFET para aplicaciones de muy
alta frecuencia. De igual manera para aplicaciones de potencia naci el FET de estructura
vertical o VMOS.


6.3 El JFET. Cons




Figura 6.2: Distribucin de las zonas de dopado del JFET

108
Electrnica analgica: Anlisis y diseo



Constructivamente, el transistor unipolar de efecto de campo est formado por una
ola capa de semicond
uyo d
-
na zona de agotamiento entre la puerta y el canal, debida a la recombinacin
roduc
uctor de tipo N
-
sobre un substrato de tipo P
-
. Se distingue el canal s
c opado es N y las conexiones al exterior denominadas drenador y fuente, que son del
tipo N
+
. Encima del canal, que conecta drenador y fuente, se ha difundido una capa adicional
de tipo P. Las dos zonas dopadas tipo P se conectan conjuntamente y se llama terminal de
puerta.

Su funcionamiento es algo diferente al del BJT. Como en cualquier unin P-N se
orma u f
p ida durante la unin metalrgica de ambas zonas. Si aplicamos tensin a algunos
terminales del JFET, se producen ciertos fenmenos que nos resultarn de utilidad.

Zona de transicin en zona
poco dopada Ancha
Puerta (G
2
)
Drenador (D) Fuente (S)
Zona de transicin en zona
muy dopada Estrecha
N
-
P
+
P
+
Puerta (G
1
)


a)

Figura 6.3: a) Zonas de dopado cercanas a anal, b) Smbolos esquemticos del JFET


Si dor a una
nsin positiva, obtendremos una tensin inversa aplicada a la zona de agotamiento entre
renad
b)
l c
interconectamos los terminales puerta-fuente a masa y adems, el drena
te
d or-puerta con una corriente de circulacin pequea. Por otro lado, si variamos esta
tensin V
DS
, provocaremos un cambio de tamao de la zona de agotamiento y con ello la
anchura del canal. Es decir, con esta tcnica podremos controlar la conductividad del canal.

N
-
G
S
P
+
P
+
D
V
1
< V
2
< V
3
V
DS


Figura 6.4: Crecimiento de las zonas de transicin


Si continuamos au dar ms an la zona de
gotamiento, pudiendo suceder la estrangulacin completa del canal.
J FET (canal N) J FET (canal P)
mentando la tensin de drenador, se agran
a


G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
Captulo 6: Transistores unipolares de efecto de campo
109



Como el canal es de un nico tipo de material, tendr una resistencia determinada en
ncin de la tensin que apliquemos (Evolucin lineal). La curva que obtendramos en estas fu
condiciones est representada en la figura siguiente. En la cual, se muestra un
comportamiento lineal, hasta que alcancemos ciertos valores de tensin en los cuales el
crecimiento de corriente deja de ser proporcional. Este fenmeno se debe al estrechamiento
del canal y consiguiente aumento de la resistencia del mismo (Evolucin real).

Evolucin ideal
G
D
S
+
-
V
DS
I
D
I
D
V
DS
V
1
V
2
V
3
Evolucin real
I
G
0


Figura 6.5: Zona hmica de funcionamiento del JFET

Esta zona de com racterstica del JFET, y
s la que nos ofrece la posibilidad de utilizarle como resistencia variable con la tensin. A esta
JFET de este montaje, corresponde con la
orriente de puerta I
G
, que es muy reducida, ya que corresponde con la corriente de prdidas
de una
tensin V
DS
y sta alcanza
ierto valor, el estrechamiento del canal se convierte en estrangulamiento del mismo. La
tensin
portamiento casi lineal, es parte de la curva ca
e
zona se le conoce como zona hmica del JFET.

La otra corriente de circulacin por el
c
unin p-n inversamente polarizada. Por tanto, el error es mnimo si consideramos que
la corriente de fuente es igual a la corriente de drenador (I
S
= I
D
).

Como se ha comentado, si continuamos aumentando la
c
a la que esto sucede se llama tensin de estrangulamiento o "pinch off", V
P
.
Recordemos que, a travs del canal siempre circulan portadores mayoritarios, que lo hacen
por arrastre y debido al campo elctrico creado por la tensin externa aplicada. Por tanto, la
conduccin en los JFET se debe a portadores mayoritarios no como en los BJTs.

V
DS
N
-
G
S
P
+
P
+
D
V
P
+
-


Figura 6.6: Tensin de estrangulamiento del canal, V
P



En estas circunstancias de estrangulamiento del canal, se esperara que no pasasen
ortadores, sin embargo no es as. Circula una corriente de saturacin y que es debida a
portadores altamente energticos que son capaces de atravesar la zona de agotamiento.
p
110
Electrnica analgica: Anlisis y diseo



Adems, la corriente ser constante a partir de ese momento y se llama corriente drenador-
fuente de saturacin, I
DSS
.

G
S
D
V
DS
N
-
P
+
P
+
L
C
V
DS
= V
4
> V
P
L
ZTC


Figura 6.7: Comienzo de la zona de saturacin


Esto se debe a que, strangulamiento del canal,
zona de contacto o de transicin del canal, L
ZTC
, no crece proporcionalmente y,
omparndola con la longitud total del canal es pequea, L
C
.
al aplicar una tensin superior a la de e
la
c

I
D
V
DS
V
DS
=V
5
V
5
V
DS
=V
4
V
4
V
DS
=V
P
V
P
V
DS
=V
2
V
2
V
DS
=V
1
V
1
V
DS
=0
Comportamiento
resistivo
Comportamiento como
fuente de corriente
0


Figura 6.8: Modos de funcionamiento del JFET


A esta situacin se argo. Durante la cual, si
ontinuamos aumentando la tensin de drenador, al permanecer la longitud del canal casi
onstante, la corriente no aumentar, obtenindose de esta forma la citada corriente I
DSS
.

la conoce como hiptesis del canal l
c
c
Resumiendo, existen dos modos de trabajo en el JFET, el lineal u hmico inicialmente
y el de saturacin posteriormente. Figura 6.8.

V
GS
= -V
P
+
-
G
S
G
S
P
+
P
+
D
P
+
U
B1
N
-
V
GS
+
-

P
+
D
N
-
U
B1
< U
B2


Figura 6.9: Efecto que provoca V
GS
sin aplicacin de V
DS



Si ahora anulam a que alcance un valor
egativo suficientemente grande, la zona de transicin invade igualmente la totalidad del
os la tensin V
DS
y aplicamos la tensin V
GS
hast
n
Captulo 6: Transistores unipolares de efecto de campo
111



anal, provocando su estrangulacin. Este valor coincide con la tensin de estrangulamiento
del can
c
al, V
P
, pero con el signo cambiado. Figura 6.9.

Estrangulamiento del canal |V
DS
| =|V
P
|
I
D
(mA)
V
GS
=0V
V
GS
=-0.5V
V
GS
=-1V
V
GS
=-1.5V
V
GS
=-2V
Contraccin del canal |V
DS
| =|V
P
| - |V
GS
|
V
DS
(V)
4
2
4 2 6
0
G
D
S
+
-
V
DS
I
D
+
-
V
GS


Figura 6.10: Curvas reales de salida del JFET Canal N


Si aplicamos las por un lado la tensin
GS
menor que cero y vamos aumentando la tensin V
DS
, observamos que estrangulamos el
anal a una tensin menor que con cada tensin por separado. A este fenmeno se le conoce
como c
|V
DS
| = |V
P
| - |V
GS
| (6.1)

Si mantenemos el valor de V
DS
y seguimos aumentando la tensin inversa V
GS
, llegar
o habr portadores suficientemente energticos para atravesar la zona de agotamiento y el
JFET e
dos tensiones anteriores de forma simultnea,
V
c
ontraccin o estrechamiento del canal.

Con el canal contrado, la estrangulacin se produce a una tensin de

un momento en el que estrangularemos completamente el canal. A partir de estos valores ya
n
star cortado completamente. La tensin de puerta a la que se estrangula el canal
completamente se llama tensin de corte o extincin del JFET, V
GS(OFF)
.

|V
GS(OFF)
| = |V
P
| (6.2)

V
DS
(V)
I
D
(mA)
4
2
8 4
12 0
V
GS
= -2.5V
V
GS
=-1.5V
V
GS
=-1V
V
GS
=-0.5V
V
GS
= 0V
V
GS(OFF)
= -V
P
I
DSS
V
P
Corte

h
m
i
c
a
Saturacin


Figura 6.11: Zonas de trabajo y puntos conocidos del JFET Canal N
112
Electrnica analgica: Anlisis y diseo



La ecuacin emprica para obtener los valores de I
D
en la zona de saturacin se rige
por la ecuacin general para canal N o canal P, es decir

2 2
P GS GS
D DSS DSS
P P
V V V
I I I 1
V V

= =






2
GS
D DSS
GS( OFF )
V
I I 1
V

=


(6.3)

( )
2
S DSS
2 S DSS
D D D 2
GS( off ) GS( off )
R I
2 R I
SS
I I 1 I 0
V V

+ + =




DSS
obtenemos un valor de V
GS

GSoff
, para Canal N, lo cual tampoco tiene sentido fsico.

Esta ecuacin tambin se puede transformar en
Al obtener dos resultados de esta ecuacin deberemos tomar el que tenga sentido
sico. Uno de los valores suele superar I . En otras ocasiones, f
inferior a V

2
GS
D
DSS GS( OFF )
V
I
1
I V

(6.4)
Que se conoce como ecuacin de Shockley para el JFET.

En la mayora de las hojas de los fabricantes aparecen los valores de I
DSS
y V
GS(OFF)
,
on lo cual resulta sencillo dibujar la curva de transferencia de un JFET si no disponemos de
mism


c
la a. Figura 6.12a.


a) Caracterstica de transferencia b) Curvas de drenador
.4 La transconductancia en un JFET

Los transistores BJT sustituyeron a las vlvulas de vaco por su capacidad para
amplificar/controlar mediante tensiones/corrientes pequeas grandes cantidades de tensin o


Figura 6.12: Curvas del BF245B. JFET canal N


6
Captulo 6: Transistores unipolares de efecto de campo
113



corriente. Esta idea estaba expresada en los transistores bipolares mediante la ganancia de
corriente en directa ( , h
fe
), que como se recordar estaba definida como I
C
/I
B
.

Para obtener una medida de la amplificacin posible con un JFET y poder compararla
con la de los BJT, se introduce el parmetro g
m
, que es la transconductancia en directa. Por
definicin, relaciona el cambio en la corriente de drenador y la tensin puerta-fuente. Esto se
puede expresar como


DS
D D
m
GS GS
on
V V
V C state
I I
g

=

(6.5)

Desarrollando esta e

cuacin, nos queda

2
GS GS DSS
m DSS
GS GS(OFF ) GS( OFF ) GS( OFF )
V V V V

V
g = I 1-

V 2 I
= 1

(6.6)
ya que, es
ependiente de la tensin V . Su medida es el Siemens, aunque en la prctica, dado su
peque

Como se aprecia, la transconductancia o g
m
, no permanece constante,
d
GS
o valor, se emplea el Siemens o S.

Si definimos la transconductancia cuando la tensin V
GS
= 0, nos queda

DSS
m0
GS( OFF )
2 I
g =
V
(6.7)

Como se coment anteriormente, los datos para obtener g
m0
, aparecen en la tabla de

La transconductancia quedara entonces como


datos de los fabricantes, y es un valor constante.


GS
m m0
GS( OFF )
V
g =g 1
V

(6.8)

endiente de la curva I
D
y V
DS
en la regin de
turacin, esto es

Otro dato que se utiliza en el clculo del JFET es la resistencia dinmica en inverso,
r
DS
, que se define como el inverso de la p
sa

GS
D D
DS DS DS
V
I I 1
r V V

Constante
(6.9)

Como la pendiente de esta curva es muy pequea en la regin de saturacin, r
DS
es
grande. Figura 6.12b. Dado su alto valor, en los clculos no simulados, este parmetro se
uele despreciar. s
114
Electrnica analgica: Anlisis y diseo



6.5 Mo
Con la misma idea de linealizacin en torno al punto de trabajo de un BJT, en un JFET
e sigue un procedimiento similar. Teniendo en cuenta qu
la corriente que tiene efecto es nicamente I
D
, ya que I
D
= I
S
. Por tanto, la ecuacin de partida
ara obtener el modelo es la siguiente
delo en pequea seal del JFET

s e en un JFET I
G
0, la ecuacin de
p

DS
D m GS
DS
V
I g V
r
= + ( )
( )
DS DS
D D m GS GS
V V
I I g V V
r


+
+ = + +
DS
Tomando nicamente los incrementos, nos queda


D m GS DS
1
I
DS
g V V
r
= +

o bien, sustituyendo los incrementos por letras minsculas para c.a., nos queda


D m GS DS
DS
r

Esta ecuacin conduce al circuito equivalente para c.a. mostrado en la figura 6.13a.
Debido a que r
DS
es muy grande, por lo general se puede utilizar el circuito simplificado de la
1
i g v v = + (6.11)
gura 6.13b para determinar el funcionamiento en la regin activa (zona de saturacin) de un
trada est abierta (I
G
= 0). La ecuacin anterior se reduce entonces a


fi
JFET. Ntese que la en
D m GS
i g v = (6.12)

G
S
D
m GS
g v
DS
r
GS
v
+
-
D
i
G
S
D
m GS
g v
GS
v
+
-
D
i


a) Completo

Figura 6.13: Modelo equivalente en pequea seal de un JFET

b) Simplificado

Si partimos de los circuitos equivalentes de un BJT y un JFET y deseamos comparar
las ganancias de tensin entre ambos, nos queda

D B G
S
C
B
i
r

m GS
g v
E


Captulo 6: Transistores unipolares de efecto de campo
115



Out B
V POL POL
In B
V i 200
A ( BJT ) r r 0.06( dcimas )
V r i r 3000


= = = =

3
m GS
V POL m POL
GS
g V 21010 3
A ( JFET ) r g r 1 0.0016( centsimas )
V 6 6

= = =





Es decir, lo lificadores
que los JFET.
Ventajas Inconvenientes
s transistores BJT estn ms indicados para utilizarles como amp

S
icador.
Puede ser utilizado como almacenador de carga.
Generan un nivel de ruido menor. Son ms estables
con la temperatura y ms pequeos que los BJT.
Se comportan como resistencias variables controladas
por tensin para valores pequeos de tensin
drenador-fuente.
Al tener una R
DS(ON)
baja, los FET de potencia pueden
disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.
capacidad de entrada.
Algunos tipos de FET presentan
una linealidad muy pobre.
Se pueden daar al manejarlos,
por electricidad esttica, debido a
la puerta aislada que poseen.
on dispositivos con alta impedancia de entrada
(10
7
a 10
12
). Debido a esto, se prefieren los FET a
los BJT para la etapa de entrada de un amplif
Exhiben una respuesta en
frecuencia pobre, debido a la alta

o Tabla 6.1: Ventajas e inc nvenientes de los JFET


.6 Otros efectos a tener en cuenta en los JFET
iconductores, el JFET se ve afectado por la temperatura, aunque
enos que los BJT, por tanto, debemos conocer estas variaciones para evitar que afecten

de
Es decir,
os
con la temperatura, o dicho de otra
mente, V
GS(OFF)
tiene un coeficiente
de +2.2mV/C.

Por parte del segundo efecto, al reducirse la movilidad de los portadores por la
isminucin de la temperatura, se reduce la corriente de drenador.
6

Afectacin con la temperatura

Al igual que otros sem
algo m
al punto de funcionamiento de nuestros diseos. Los dos p
temperatura en los JFET son

Un incremento de temperatura prov
rincipales efectos producidos por la
oca una disminucin de la zona
e la anchura del canal. agotamiento, lo que provoca un aumento d
aumenta la corriente de drenador.
Una disminucin de la temperatura provoca u
portadores mayoritarios.

na reduccin de la movilidad de l
El primer efecto hace que la corriente I
D
aumente
manera, que V
GS(OFF)
aumente con la temperatura. Tpica
de temperatura
d


116
Electrnica analgica: Anlisis y diseo



s de forma simultnea, significa que existir un punto de
peracin en el que se cancelarn y las curvas del JFET no variarn con la temperatura. Esto
ocurre
el JFET de canal N BF245B, es la siguiente

donde 25C. En la siguiente figura se muestra en lnea

Al producirse estos dos efecto
o
para una tensin de puerta V
GS
para la cual la corriente de drenador no depende de la
temperatura. Este fenmeno se observa tanto en las curvas de drenador como en la curva de
transconductancia y es dependiente del modelo de JFET utilizado. La tensin puerta-fuente a
la que sucede este hecho, para

V
GS
= V
P
- 1.3V (6.13)
V
P
es la tensin de estrangulamiento a
continua las curvas de drenador a 25C y en lnea discontinua a 45C.


Figura 6.14: JFET BF245B. Efectos de temperatura para 25C y 45C
En la figura 6.14, se observa claramente que existe una tensin de puerta-fuente para
tivo al principio, cero
onde desaparece el efecto de temperatura y coeficiente de temperatura positivo para valores
cercanos a la extincin del JFET.

Este fenmeno tambin se observa en las curvas de transconductancia para el mismo
JFET a 25, 55 y 150C. La lnea continua corresponde a 25C, la punteada a 55C y la de
guiones a 150C. El punto de corte de las tres grficas corresponde, aplicando la ecuacin
6.13, a una V
GS
de 1.4V = 2.7V - 1.3V. Figura 6.15.

Otro parmetro que se ve afectado por la temperatura es la generacin de portadores
minoritarios en la zona de agotamiento. Estos portadores son los responsables de la corriente
de prdidas de puerta, I
GSS
. Esta corriente es equivalente a la corriente de puerta estando
cortocircuitados drenador y fuente. Al igual que en cualquier otra unin p-n inversamente
polarizada, la corriente de conduccin en inversa se duplica cada 10C.





la cual la corriente de drenador no vara con la temperatura. Adems, se muestra un
comportamiento de las curvas con coeficiente de temperatura nega
d


Captulo 6: Transistores unipolares de efecto de campo
117





Figura 6.15: JFET BF245B. Efectos de temperatura sobre la curva de g
m



Capacidades parsitas
El transistor de efecto de campo se ve afectado por efectos capacitivos entre sus tres
rminales, al igual que sucede en el BJT en menor cuanta. Para el JFET tendremos unas
capacidades asociadas con las uniones inversamente polarizadas y que, en funcin de sus
terminales, se denominan C
dg
y C
gs
. Por ltimo, existe una capacidad asociada al canal, C
ds
,
que se debe generalmente a la fabricacin del componente sobre la oblea.

Los fabricantes suelen medir tres capacidades diferentes a las que acabamos de definir,
que son, la capacidad de entrada con la salida en cortocircuito para corriente alterna, C
iss
o
capacidad de entrada; la capacidad de salida con la entrada en corto para corriente alterna,
C
oss
o capacidad de salida y por ltimo, la capacidad inversa de transferencia o C
rss
. Los
valores tpicos de estas capacidades suelen estar entre 1pF y 8pF medidas a 1MHz.


te
D
S
G
C
dg
C
gs
C
ds


dg rss
Figura 6.16: Capacidades parsitas de los JFET entre terminales

Se puede deducir fcilmente la relacin entre las capacidades existentes entre
terminales y las capacidades ofrecidas por los fabricantes. Estas relaciones son

C = C

C
gs
= C
iss
- C
dg
= C
iss
- C
rss


C
ds
= C
oss
- C
dg
= C
oss
- C
rss

118
Electrnica analgica: Anlisis y diseo



D
C
oss
=C
dg
+C
ds
C
o
r
t
o
c
ir
c
u
it
o

p
a
r
a

C
.
A
.
D
S
G
C
dg
C
gs
C
iss
=C
dg
+C
gs
C
o
r
t
o
c
ir
c
u
it
o

p
a
r
a

C
.

A
.
S
G
C
dg
C
ds


Figura 6.17: Capacidades parsitas de los JFET ofrecidas por los fabricantes



oja de caractersticas del BF245B

H


Tabla 6.2: Distribucin de terminales de un JFET BF245





Tabla 6.3: Datos de referencia rpida de un JFET BF245



Captulo 6: Transistores unipolares de efecto de campo
119





Tabla 6.4: Valores lmite de un JFET BF245





Tabla 6.5: Caractersticas estticas de un JFET BF245





Tabla 6.6: Caractersticas dinmicas de un JFET BF245



120
Electrnica analgica: Anlisis y diseo



.7 Polarizacin de los JFET
utopolarizacin

Con esta disposicin de resistencias conseguimos polarizar el JFET de una manera
sencilla, econmica y sin complicaciones en su obtencin de valores.

6

A


Figura 6.18: Circuito de autopolarizacin de un JFET
tensin entre puerta y fuente utilizaremos la siguiente ecuacin



Para obtener la

V
GS
= V
G
V
S
= 0 (I
D
R
S
) = I
D
R
S
(6.14)

Si operamos con la ecuacin 6.3, nos queda

2
2
GS GS GS
D DSS DSS
GS( OFF ) GS( OFF ) GS( OFF )
V V V
I I 1 I 1 2
V V V




= = +









Sustituyendo en esta ecuacin los valores de la ecuacin 6.14, nos queda


( )
2
D S D S
D DSS 2
GS( OFF ) GS( OFF )
I R 2 I R
I I 1
V V

= +


(6.15)


Resolviendo esta ecuacin de segundo grado, obtendremos dos valores de I
D
, uno de
ellos lo deberemos despr ircuito.
olarizacin por divisor de tensin, tambin llamada de cuatro resistencias o, por
ompar acin de fuente.
eciar, ya que no tendr sentido fsico para el c


Polarizacin por divisor de tensin

Para mejorar la dispersin de caractersticas de los JFET, se puede utilizar la
p
c acin con la polarizacin de los BJT, polariz
Captulo 6: Transistores unipolares de efecto de campo
121





Figura 6.19: Polarizacin por divisin de tensin de un JFET
Para calcular esta polarizacin, seguimos con el procedimiento habitual, es decir,




calculamos la tensin puerta-fuente y posteriormente, la corriente de drenador. Por tanto, la
tensin V
GS
valdr, utilizando el equivalente Thevenin

GS G S TH D S
V V V V I R = = (6.16)

Siendo V
TH



2
TH CC
1 2
R
V V
R R
=
+
(6.17)

A partir de aqu seguiramos con el procedimiento habitual de clculo.

2 2
2 S DSS DSS S TH DSS S TH TH
D D DSS 2 2 2
GS( off ) GS( off ) GS( off ) GS( off ) GS( off )
R I 2 I R 2V I R V 2V
I I 1 I 1 0
V V V V V


+ + + =








Para obtener la a de transferencia del
ET. Debido a la dispersin de caractersticas de la mayora de los JFET, nos saldran dos
medida a las configuraciones de
utopolarizacin.
El punto de partida de V
GS
, con signo positivo, ser el valor de la tensin Thevenin en
icando la ecuacin 6.17. Y el corte con el eje de ordenadas (I
D
) ser el
efinido por el valor de V
GS
= 0V y la resolucin de la ecuacin 6.16, es decir

JF
recta de carga en este circuito utilizaremos la curv
puntos de trabajo. Segn la tabla 6.3, V
GS(OFF)
puede estar entre dos valores muy diferentes
entre s (-0.25V y -8V). Como es de suponer, esto acarrear dificultades en el clculo exacto
del punto de polarizacin del circuito. Esta polarizacin de divisor de tensin atena en gran
medida esta dispersin, que afecta en mayor
a


continua, es decir, apl
d

TH D S
0 V I R =


122
Electrnica analgica: Anlisis y diseo



( )
CC 2 TH
D
S 1 2
V R V
I
S
R R R R
= =
+
(6.18)


Desde el punto de vista grafico, las curvas quedaran de la siguiente manera
I
D
(mA)
0
V
TH
V
P
Mx.
Recta de carga
V
P
Mn.
V
GS
(V) -V
GS
(V)
( )
CC
+
2
D
1 2 S
V R
I
R R R
=
I
D
Mximo
I
D
Mximo


Figura 6.20: Recta de carga y dispersin de caractersticas de I
D

Dependiendo de la inclinacin de la recta de carga, el corte con las dos curvas de
ansferencia ser mayor o menor. Para esta polarizacin, como se muestra, la diferencia no es
uy ac

Fuente de corriente

Esta disposicin es bastante sencilla y est basada en la explicacin de las propias
curvas de JFET sin tensin entre puerta y fuente, es decir con V
GS
= 0V, apartado 6.2. La
curva del JFET en estas circunstancias tiene un comportamiento resistivo hasta alcanzar el
punto de estrangulamiento o V
P
. A partir de aqu la corriente que atraviesa el JFET es
prcticamente constante, hiptesis de canal largo.

El nico cuidado que deberemos tener es mantener la tensin V
DS
por encima del valor
V
P
. Este valor de estrangulamiento viene especificado en las hojas de datos del componente
como V
GS(OFF)
. Aunque expresado como un valor negativo para un JFET canal N, se tomar la
cantidad en positivo, ya que, como se coment, V
GS(OFF)
= -V
P
. La corriente de drenador de
saturacin I
DSS
tambin aparece como dato del fabricante.
Por tanto, teniendo en cuenta la malla de drenador-fuente, el mximo valor que
odrem



tr
m usada, es decir, la estabilidad de la corriente de drenador es de tipo medio.



p os utilizar de R
Load
ser de

CC Load DSS DS Load DSS P Load DSS GS( OFF )
V R I V R I V R I V = + = + =

CC P
Mximo
DSS
V V
RLoad
I

= (6.19)

Captulo 6: Transistores unipolares de efecto de campo
123



Con lo cual, R
Load
podr variar desde cero Ohmios hasta el que se obtenga en la
ecuacin 6.19 como mximo.




Figura 6.21: Fuente de corriente constante (I
D
= I
DSS
)
.8 Ejercicios tipo
rriente de drenador.
--- 000 ---


Utilizando las ecuaciones 6.14 y 6.15, podremos calcular la tensin V
GS
y el valor de
I
D
. Por otro lado, conocemos los siguientes datos para el BF245B.

V
P
2.5V I
DSS
= 10mA


6

6.8.1 Calcular, para el circuito de autopolarizacin de la figura, la tensin V
GS

y el valor de la co





Sustituyendo datos en la ecuacin 6.15, nos queda


124
Electrnica analgica: Anlisis y diseo



( ) ( )
( )
2 2
D
GS( OFF )
GS( OFF )
I I
V 2.5 2.5
V

D S D D S D
DSS 2 2
I R I 860 2 I R 2 I 860
1 0.01 1

=

+ = +






2
D D
1183.36 I 7.88I 0.01 0 + =
Resolviendo esta ecuacin, obtenemos

I
D1
= 4.952mA
I
D2
= 1.706mA

Con estos datos, no es posible saber con seguridad cual ser el valor con sentido fsico
y cual no. La mayora de las veces uno de estos valores supera la corriente de drenador de
saturacin, I
DSS
= 10mA.

Calculando ahora los valores de V
GS
mediante la ecuacin 6.14, nos queda
4.258V
1.467V
El valor de V
GS1
= 4.258V no es posible, ya que supera ampliamente el valor de
strangulamiento del canal, V
GSoff
= 2.5V.

Para averiguar el valor de la tensin V
DS
a la cual el JFET entrar en zona de
saturacin, teniendo en cuenta la contraccin del canal, tendremos
|V
DS
| = |V
P
| |V
GS2
| = 2.5 1.467 = 1.033V
V
GS1
, obtendramos un valor de V
DS

veriguar en la
CC D D S
.033V. Por
nto, e
De forma grf uito quedaran de la
iguiente forma

V
GS1
= I
D
R
S
= 0.004952 860 =
V
GS2
= I
D
R
S
= 0.001706 860 =


e


Si opersemos en esta ecuacin con el valor de
negativo, que igualmente, no tendra sentido en el circuito.

Si calculamos ahora la tensin existente entre drenador-fuente, para a
zona en la que est trabajando el JFET, al aplicar Kirchoff a la malla de drenador, nos queda

V
DS
= V I (R + R ) = 24 7.096 = 16.903V

Este valor es muy superior al de comienzo de zona de saturacin, V
DS
= 1
l JFET est trabajando en zona de saturacin. ta

ic obre as urvas de drenador, los datos del cir a, s l c c
s









Captulo 6: Transistores unipolares de efecto de campo
125



I
D
(mA)
V
P
V
GS
=0V
V
DS
(V)
10
1.706
V
GS
= -1.46V
16.903
2.5 24 0
I
Dss
1.033
Recta de carga
Punto Q
Contraccin del canal

La simulacin del circuito ofrece las grficas siguientes



V
GS
= -1.32V V
DS
= 18V



I
D
= 1.54mA


6.8.2 Calcular una fuente de corriente constante de 10mA mediante JFET.
Comprobar su funcionamiento para diferentes valores de resistencia de
carga.


La corrie te de saturacin
el JFET, I
DSS
, que para nuestro caso, el fabricante indica un valor de 9.48mA (media
geomtrica de los datos de la tabla 6.3 correspondientes a I
DSS
).
--- 000 ---
nte que ser capaz de suministrar corresponde con la corrien
d
126
Electrnica analgica: Anlisis y diseo



El nico cuidado que deberemos llevar ser conseguir una tensin drenador-fuente
mayor que la tensin de estrangulamiento, V
P
o V
GS(OFF)
, dado que V
GS
= 0.

Utilizando la malla de drenador nos queda

CC D Load DS
V I R V = +

Teniendo en cuenta los datos ofrecidos por el fabricante V
DS
= V
P
= -V
GS(OFF)
= 2.5V,
la corriente de saturacin I
DSS
= 9.48mA y lo citado anteriormente. Al sustituir en la ecuacin
anterior, obtendremos el mximo valor de R
Load
que podremos utilizar. El valor mnimo ser
de cero Ohmios.



CC DS
V V 17 2.5
Load( Max.)
DSS
R 1530
.00948 I 0


= = =
Si la resistencia estuviese fijada con anterioridad, podramos calcular el circuito
odific



m ando el valor de la tensin de alimentacin.

Al simular el circuito, la grfica que nos resulta es la siguiente

I
D
(mA)
V
DS
(V)
10
2.5
0
V
GS
= 0V
V
P
I
Dss


Grfica esperada Grfica simulada: V
GS
= 0V, I
D
= 8.4mA, V
P
= 2.3V

Los datos que toma el programa para la simulacin son:
I
DSS
= 8.4mA
V
GS(OFF)
= - 2.3V


Captulo 6: Transistores unipolares de efecto de campo
127



Al sustituir estos datos en las ecuaciones anteriores, se acercan mucho ms a los



valores esperados.


Load( Max.)
17 2.3
R 1750
0.0084

= =



6.9 Problemas propuestos

6.9.1 C
corriente de drenador.
GS(OFF)
.4mA
alcular, para el circuito de la figura, la tensin V
GS
y el valor de la
Utilizar los valores del fabricante siguientes:
V = +2.3V
I
DSS
= 8



V
GS
= 1.63V
I
D
= 1.63mA
1587.9I
D
-7.73I
D
+ 0.0084 = 0


6.9.2 Para el circuito anterior, calcular la contraccin del canal producida al
ser V
GS
0.(|V
DS
| = -0.668V)


6.9.3 Calcular, para el circuito de la figura, en cual zona est trabajando el
JFET. Utilizar los valores del fabricante siguientes:
V
GS(OFF)
= -3V
I
DSS
= 9mA

V
DS
= 11.11V (Saturacin)
1000I
D
-6.33I
D
+ 0.009 = 0
128
Electrnica analgica: Anlisis y diseo






6.9.4 Calcular, para el circuito de la figura, en cual zona est trabajando el
JFET. Represente la recta de carga del circuito. Utilizar los valores del
fabricante siguientes:
V
DS
= 15.89V (Saturacin)
110976I
D
-79.64I
D
+ 0.0139 = 0
V
GS(OFF)
= -2.5V

I
DSS
= 15mA



6.10 Bibliografa
. Malik, Norbert R., Circuitos Electrnicos. Anlisis, Simulacin y Diseo, Prentice Hall,
2. S tos y
Sistemas americana, 1992, ISBN: 0-20
3. Hambley, Allan R ntice-Hall, 2000, ISBN:
4. E. Sanchs, Transistores Unipolares, Dpto. de Ingeniera Electrnica, Universidad de
Politcnica de Valencia, 2002.
5. J. Sebastin Ziga, Introduccin a la Electrnica de dispositivos: Transistores JFET,
Dpto. de Ingeniera Elctrica, Electrnica, de Computadores y de Sistemas, Universidad
de Oviedo, 2003.

1
1999, ISBN: 84-89660-03-4.
avant, Jr., C. J., Roden, Martin S., Carpenter, Gordon L., Diseo Electrnico. Circui
. Addison-Wesley Ibero 1-62925-9.
., Electrnica, Pre 84-205-2999-0.