Captulo

4

Transistores Bipolares



l trmino transistor es la contraccin de transfer resistor, es
decir, de resistencia de transferencia. El transistor es un
dispositivo electrnico semiconductor que se utiliza como
amplificador o conmutador electrnico. El transistor se utiliza, por
tanto, como amplificador, como oscilador, como rectificador y
como conmutador on-off.
E

Es un componente clave en nuestra civilizacin ya que toda la
electrnica moderna los utiliza en: circuitos integrados,
microprocesadores, controladores de motores elctricos de
corriente continua y, actualmente, estn integrados a todos los
dispositivos electrnicos de utilizacin diaria: radios, televisores,
grabadores, etc.




Contenido

4.1 Resea histrica
4.2 Conceptos bsicos
4.3 Constitucin fsica
4.4 Modelo de comportamiento
4.5 Estados del transistor
4.5.1 Estado activo directo. Configuracin emisor comn
4.5.2 Estado cortado
4.5.3 Estado saturado
4.5.4 Estado activo inverso
4.6 Modulacin de la anchura de la base del transistor. Efecto Early
4.7 Variacin de la ganancia de corriente
4.8 Bibliografa
64
Electrnica analgica: Anlisis y diseo




4.1 Resea histrica

(1910-1989) William Bradford Shockley, fsico estadounidense, premiado con el Nobel y
coinventor del transistor. Naci en Londres de padres estadounidenses. Trabaj en los
laboratorios de la Compaa Telefnica Bell desde 1936 hasta 1956, ao en que fue nombrado
director de la Shockley Transistor Corporation en Palo Alto, California (su propia empresa).
Dio conferencias en la Universidad Stanford desde 1958 y fue profesor de ingeniera en 1963.
Sus investigaciones sobre los semiconductores le llevaron al desarrollo del transistor en 1948.
Por esta investigacin comparti en 1956 el Premio Nobel de Fsica con sus asociados John
Bardeen y Walter H. Brattain.

(1902-1987) Walter Houser Brattain, fsico y premio Nobel estadounidense, nacido en Amoy,
China. Despus trabaj como fsico en la divisin de radio del Instituto Nacional de Modelos y
Tecnologa. En la poca en que trabajaba all, l y los fsicos estadounidenses William
Shockley y John Bardeen inventaron un pequeo dispositivo electrnico llamado transistor. Se
anunci por primera vez en 1948 y se termin en 1952. Por su trabajo con los
semiconductores y por el descubrimiento del transistor, Brattain comparti con Shockley y
Bardeen en 1956 el Premio Nobel de Fsica.


(1908-1991) John Bardeen, fsico y premio Nobel estadounidense, naci en Madison
(Wisconsin) y estudi en las universidades de Wisconsin y Princeton. Como fsico investigador
(1945-1951) en los Laboratorios Telefnicos Bell, fue miembro del equipo que desarroll el
transistor. Por este trabajo, comparti en 1956 el Premio Nobel de Fsica con dos
compatriotas, los fsicos William Shockley y Walter H. Brattain. En 1972 comparti nuevamente
el Premio Nobel de Fsica con los fsicos estadounidenses Leon N. Cooper y John R. Schrieffer
por el desarrollo de una teora que explicaba la superconductividad. Bardeen fue el primer
cientfico que gan dos premios Nobel en la misma disciplina.


(1922-2004) James M. Early, ingeniero estadounidense. Se doctor en Ingeniera elctrica en
la Universidad de Ohio en 1951, a partir de entonces, estuvo 18 aos trabajando en los
Laboratorios de la compaa Bell. Posteriormente trabaj para Fairchild, donde invent
diferentes dispositivos que concluyeron con la cmara CCD. Early desarroll los transistores
para el primer satlite de comunicaciones Americano, el Telstar I.




A mediados de los 50, Raytheon Manufacturing Company distribua comercialmente el primer
transistor de Germanio, al precio de 99 centavos de dlar. El modelo fue el CK722. La foto
muestra uno de ellos, que se fabric la semana 17 del ao 1956 (617). An hoy, se sigue esta
nomenclatura en la fabricacin de los circuitos integrados, indicando la semana y el ao de
fabricacin de los mismos.



(1921) John Louis Moll, se doctor en Ingeniera Elctrica en la Universidad estatal de Ohio en
1952, trabajando en multitud de empresas como RCA, BTL, Fairchild, Hewlett-Packard, etc. Su
trabajo ms conocido es el modelado del transistor bipolar realizado junto a Jewell J. Ebers.




(1921) Jewell James Ebers, contribuy de forma decisiva al modelo del transistor bipolar junto con
John L. Moll. El IEEE estableci en 1971 un premio en su honor. El primer ganador de este
galardn fue su compaero de desarrollo del modelo del transistor bipolar John L. Moll.


Captulo 4: Transistores Bipolares
65



4.2 Conceptos bsicos

Antecedentes

Para comprender algunas de las ecuaciones que conforman el funcionamiento del
transistor, se hace necesario recordar algunas ecuaciones y relaciones previas.

Relacin de Einstein

q
kT
V

D
T
n
n
p
p
= = =



D
p
, D
n
= Constante de difusin de huecos y electrones.

n
,
p
= Movilidad de electrones y huecos.
V
T
= Tensin trmica = 25.84mV 26mV a 300K.
k = Constante de Boltzman 1.38x10
-23
J/K.
T = Temperatura absoluta 27C = 300K.
q = Carga del electrn 1.602x10
-19
C.


Ecuacin del diodo, ley del diodo o ecuacin de Shockley

Teniendo en cuenta la suma de corrientes de electrones y huecos, la corriente que
circula por un diodo viene definida por:

F F
T T
V V
V V 2 P P
F i s
d P a N
D D
i An q e 1 I e 1
N L N L



= + =

A = rea de Silicio.
n
i
2
= Concentracin de huecos o electrones.
(Ley de accin de masas: Producto de huecos y electrones libres es constante).
L
P
, L
N
= Longitudes de difusin de huecos y electrones.
N
d
, N
a
= Concentraciones de tomos donadores y aceptores.
= Parmetro dependiente del material (1 para el Germanio y 2 para el Silicio).


4.3. Constitucin fsica

Descripcin cualitativa

Una de las muchas clasificaciones que pueden realizarse de los transistores, es la
debida a las dos grandes familias que los componen, es decir, Bipolares y no bipolares.

Cada una de estas familias estn, a su vez, subdivididas en los dos tipos de impurezas
que se les aade a los materiales semiconductores, tipo P o tipo N.



66
Electrnica analgica: Anlisis y diseo






Figura 4.1: Clasificacin constructiva de los transistores

MOSFET: Transistores de Efecto de Campo de Metal-Oxido-Semiconductor.

ustra muy bien las variables a las que estn sometidos la obtencin de transistores bipolares.
bipolar que cumpla con los requisitos vlidos para el funcionamiento de los mismos,
saber:

BJT: Transistores Bipolares de Unin.
FET: Transistores de Efecto de Campo.
JFET: Transistores de Efecto de Campo de Unin.
MESFET: Transistores de Efecto de Campo de MEtal Semiconductor.


Si atendemos a la forma en la cual se fabrican los transistores, el siguiente grfico
il

Por un lado, los materiales que dopan al Silicio puro y, por otro lado, la concentracin
de stas impurezas. Si controlamos adecuadamente estos valores, podremos construir un
transistor
a
Fsforo
Boro
Fsforo
f/cm
3
Distancia a la superficie
Boro: 3 electrones Exceso de huecos
Fsforo: 5 electrones Exceso de electrones
10
20
10
17
10
15
E
N
+
B
P
-
C
N


Figura 4.2: Grfico de concentraciones de portadores de un transistor NPN. (Escalado)
o ms pequea que la longitud de difusin de los
portadores mayoritarios del emisor.

uiremos un elemento de tres uniones NPN o PNP en
l cual se produzca el efecto transistor.


El emisor debe estar mucho ms dopado que la base.
La longitud de la base debe ser much
Sin estas dos premisas, no conseg
e



Captulo 4: Transistores Bipolares
67




E B C
P
+
N
-
P
E B C
N
+
P
-
N
Colector (P)
Emisor (P)
Base (N)
PNP
Colector (N)
Emisor (N)
Base (P)
NPN


Figura 4.3: Dibujo esquemtico de un transistor PNP y NPN con sus terminales identificativos. (No a escala)

de una misma red cristalina y pueden
omunicarse. Este efecto nuevo es el efecto transistor.
o que, slo aquellos con
na alta energa cintica sern capaces de llegar hasta el colector. Figura 4.4.


En el transistor esquematizado en la figura 4.2, existen dos uniones NP, que se
comportan de manera individual como dos diodos, siguiendo su ecuacin de comportamiento
la ecuacin del diodo. Sin embargo al estar unidas las tres regiones de esta forma, aparece un
nuevo fenmeno debido a que las uniones estn dentro
c

En un transistor sin polarizar, es decir, en ausencia de voltajes, el potencial que deben tener
los electrones del emisor para poder atravesar la regin de la base es tan alt
u
N P N
Emisor Base Colector
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
-
-
-
-
Potencial
de electrones
x

Figura 4.4: Regiones de deplexin de un transistor sin polarizar
enta el de BC, con el consiguiente cambio en los potenciales de los electrones. Figura
.5b.
travesa por la base, y la disminucin de
t
, se hace la regin de la base muy
estrecha.


Si polarizamos las regiones como se indica en la figura 4.5a, se produce un cambio en
los potenciales de barrera de las uniones. Se reduce el ancho de deplexin de la regin BE y
se aum
4

Como consecuencia de ello, los electrones son inyectados desde el emisor en la base
del transistor, donde se convierten en portadores minoritarios. Gran parte de estos electrones
se difunden por la base y llegan hasta el colector, atrados por el alto potencial existente, el
resto se recombinan con los huecos mayoritarios de la base. Los electrones que alcanzan el
colector lo hacen en una cantidad llamada factor de transporte o
t
. Este valor debe ser lo
ms cercano a la unidad que sea posible. Para compensar la recombinacin de electrones
durante su
Potencial
de electrones
N P N
Emisor Base Colector
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
-
-
-
-
x
C E
B
I
E
I
C
I
B
V
CB
V
BE

a) b)

68
Electrnica analgica: Anlisis y diseo



Figura 4.5: Regiones de deplexin de un transistor polarizado en Directa-Inversa
Estos electrones que llegan desde el emisor ms los correspondientes a la polarizacin
inversa BC, conforman el total de la intensidad de colector, I
C
. Una pequea corriente de base,
I
B
, recoge los electrones recombinados en su travesa y genera nuevos huecos para permitir el
funcionamiento del dispositivo de forma continuada, figura 4.6. A esta configuracin se la
enomina activa directa. d

N P N
Corriente de electrones
i
E
i
E

t
(i
E
) =
F
i
E
Corriente
total del
colector
}
{
Corriente
total del
emisor
{
Corriente total de la base
Corriente de huecos
Corriente de
saturacin inversa
Recombinacin


Figura 4.6: Flujo de corrientes y cargas en un transistor polarizado en Directa-Inversa
F E
F


Al reducir el potencial de barrera de la unin base emisor se produce una
recombinacin indeseable de huecos de la base hacia el emisor. Para lograr que esta fraccin
sea lo ms pequea posible, el denominado rendimiento de la inyeccin, ; se dopa al emisor
con mayor cantidad de impurezas que la base. Esta caracterstica est recogida
atemticamente en la ecuacin del diodo. m

Al estar polarizada inversamente la unin base-colector, lnea punteada de la figura
4.6, aparece una componente de saturacin inversa entre BC. Esta componente es de pequeo
alor comparado con los electrones que llegan al colector, I . v

Resumiendo, una parte importante de los electrones que salen del emisor llegan al
olector. Al parmetro que indica esa proporcin se la denomina alfa directa, . c

( )
C t E F E F t
i i i = = =

Este parmetro,
F
, es muy importante dentro del funcionamiento en directa del
ansistor. Su valor tiene oscilaciones entre 0.98 y 0.999. tr


.4. Modelo de comportamiento 4

escripcin cuantitativa D

Los investigadores Ebers y Moll introdujeron una descripcin general del transistor
til para todas las configuraciones del mismo. A este modelo de comportamiento se le
enomin Modelo Ebers-Moll. Figura 4.7. d


Captulo 4: Transistores Bipolares
69

R
i
DC

F
i
DE
E
i
DE
i
DC
i
B
B
C
i
E
i
C

Figura 4.7: Circuito equivalente del Modelo de Ebers-Moll
Aplicando la primera ley de Kirchoff al colector, nos queda




DC DE F C
i i i =

Donde i
DC
es la corriente de la unin base-colector como diodo y
F
I
DE
es el efecto
transistor de esta unin. Si sustituimos estos valores en la ecuacin del diodo, sin tener en
uenta las polarizaciones de las uniones, nos queda c

( ) ( ) 1 1 =
T BC T BE
V / V
CS
V / V
ES F C
e I e I i Ec. 4.1
Donde I
ES
e I
CS
son las corrientes de saturacin inversas de las respectivas uniones.
vo inverso, los electrones inyectados desde el
olector son recogidos por la base y el emisor.

nsporte.
Aplicando la primera ley de Kirchoff al emisor del modelo de Ebers-Moll, nos queda




Si hacemos trabajar el transistor con la unin colector-base en directa y la unin
emisor-base en inversa, esto es, en modo acti
c
De la misma forma que existe una alfa directa existe una alfa inversa,
R
. De la misma
forma que
F
,
R
, es el producto de un rendimiento de inyeccin por un factor de tra
( ) ( ) 1 1 =
T BC T BE
V / V
CS R
V / V
ES E
e I e I i Ec. 4.2
in de deplexin dentro de la base. Normalmente se encuentra entre
alores de 0.05 a 0.5.
, cuya explicacin cae fuera del estudio que nos ocupa, se la denomina ley de
reciprocidad.

Dado que el transistor est construido para una alfa directa grande, la alfa en inversa
deber ser pequea. Adems, el colector est poco dopado con respecto a la base para limitar
la expansin de la reg
v

De esta circunstancia se intuye que hay una relacin entre la alfa directa y la inversa.
A esta relacin
S CS R ES F
I I I = =

Como se ha comentado anteriormente el valor de
F
es muy prximo a la unidad, con
que el valor de I
S
es muy similar al valor de I
S
de la ecuacin del diodo.
metro, I
S
, en las ecuaciones 4.1 y 4.2, nos quedan
efinidas las ecuaciones de Ebers-Moll.
lo

Sustituyendo el valor de este par
d
70
Electrnica analgica: Anlisis y diseo





( ) ( ) 1 1 =
T BC T BE
V / V
R
S
V / V
S C
e
I
e I i

Ec. 4.3


( ) ( ) 1 1 =
T BC T BE
V / V
S
V / V
F
S
E
e I e
I
i

Ec. 4.4
6 que la corriente de emisor se desdobla en la corriente de base y la
orriente de colector. Por lo tanto


Queda claro en la figura 4.
c

B C E
i i i + = Ec. 4.5
si contemplamos todos los estados de conduccin de las uniones del
ansistor, nos queda

ionamiento r or

Por otro lado,
tr
Modo de func Pol. Base-Emiso Pol. Base-Colect
Activo directo Directa (V
BE
V) Inversa (V
BC
V)
Activo inverso Inversa (V
BE
V) Directa (V
BC
V)
Cortado Inversa (V
BE
V) Inversa (V
BC
V)
Saturado Directa (V V) Directa (V
BC
V)
BE

Tabla 4.1: Definiciones de los estados del transistor
.5. Estados del transistor
.5.1. Estado activo directo. Configuracin emisor comn
funcionamiento el transistor trabaja como una fuente de corriente
controlada por corriente.

F
I
E
y, teniendo en
uenta la ecuacin 4.5, nos queda



4

4

En este modo de

Segn vimos en la figura 4.6 I
C
=
c
( ) ( )
F B F C C B F C
I 1 I I I I = + =


B F B
F
F
C
I I
1

I =

= Ec. 4.6
parmetro de fcil medicin en los transistores, con un valor comprendido
ntre 20 y 800.
ensin V
BE

st comprendida entre 0.5-0.7V y la tensin V
CB
es mucho mayor que este valor.
I
E
I
C
I
B
V
CE V
BE


Figura 4.8: Configuracin en emisor comn

A este parmetro
F
o , se le denomina ganancia de corriente en directa o Beta
Forward. Es un
e

Se dice que un transistor est en la configuracin activa directa cuando la t
e


Captulo 4: Transistores Bipolares
71






Figura 4.9: Circuito emisor comn



Figura 4.10: Curvas de colector de la configuracin emisor comn (1mA mx.)

Z
o
n
a

A
c
t
i
v
a
Zona de corte
S

a

t

u

r

a

c

i

n
Z
o
n
a

A
c
t
i
v
a
Zona de corte
S

a

t

u

r

a

c

i

n


Figura 4.11: Zonas de trabajo del transistor
72
Electrnica analgica: Anlisis y diseo






Figura 4.12: Zonas de funcionamiento del transistor y su comportamiento
odelo de gran seal
tensin base-emisor corresponde con la tensin de un
diodo estndar, es decir, V
BE
= 0.7V.


M

Los modelos de gran seal se utilizan para estudiar la polarizacin de los componentes
en corriente continua. El valor de la
i
b

F
C
B
E
V
BE


Figura 4.13: Modelo de gran seal del transistor en emisor comn
.5.2. Estado cortado
Este dato se utiliza para situaciones de funcionamiento en corte a altas
mperaturas.
.5.3. Estado saturado
nto, el transistor se comporta como un
ortocircuito entre C-E, con la citada cada de 0.2V.


4

Si las dos uniones se encuentran polarizadas en inversa, se dice que el transistor est
en corte. En esta situacin, el transistor se considera abierto. Algunos fabricantes ofrecen el
dato de I
CB0
, indicado para polarizacin inversa del diodo colector-base con emisor
desconectado.
te


4

En este estado el transistor deja de funcionar como tal, de hecho, no son vlidas las
ecuaciones anteriores de funcionamiento del transistor. Cuando las dos uniones estn
polarizadas en directa, existe una cada de 0.8V entre base-emisor y una diferencia de
potencial de 0.2V entre colector-emisor. En este pu
c





Captulo 4: Transistores Bipolares
73




C
B
E
0.8V 0.2V
C
B
E
0.8V 0.2V


Figura 4.14: Estado de saturacin de un transistor bipolar
.5.4. Estado activo inverso
.7V y la fuente de
orriente dependiente est ahora en sentido emisor-colector. Figura 4.15.



4

Si permutamos los terminales de emisor y colector obtendremos la configuracin
activo-inverso. Con ello, la unin colector-base queda polarizada a 0
c

R
i
B
E
B
C
0.7V


Figura 4.15: Funcionamiento activo-inverso
En estas circunstancias, la corriente de emisor viene definida por
R
i
B
, donde




R
R
R
1

=

Denominndose el valor de
R
, beta inversa del transistor. Aplicando la ecuacin 4.5,
nos queda
( )
B R B E C
i 1 i i i + = =

Esta ecuacin describe las curvas del colector de esta configuracin. Teniendo en
cuenta que
R
+1 <<
F
las curvas de la figura 4.16 estn mas juntas que sus homnimas de la
figura 4.10. Los valores de estas curvas son de bajo valor debido a la configuracin inversa de
unin colector-base. la







74
Electrnica analgica: Anlisis y diseo






Figura 4.16: Curvas del transistor activo inverso
.6. Modulacin de la anchura de la base del transistor. Efecto Early
ase disminuye. Igualmente, tambin se ve afectado el valor de la
anancia de corriente
F
.
ue
descubri. Este fenmeno se muestra ms acentuado en la configuracin emisor comn.

de la corriente de base se unen en un valor de tensin
egativa, la citada V
A
o tensin Early.
mbio que se produce en la
orriente de colector afecta a la ecuacin 4.6. Quedando sta como




4

Al estar polarizado el transistor en activa directa, la unin colector-base se estrecha y
la zona de unin base-emisor prcticamente desaparece, figura 4.5b. Con este fenmeno, la
cantidad de electrones que circulan por el colector es mayor, el valor de
F
se acerca a la
unidad y la corriente de b
g

Si continuamos aumentando el valor de la tensin inversa entre la unin colector-base,
este fenmeno se ve incrementado, hasta un valor en el cual crece tanto i
C
, que acaba por
destruir el transistor. A esta tensin V
A
, se la denomina tensin Early, debido a la persona q
la
De forma grfica podemos observar esta tensin en la continuacin de las curvas de la
base en sentido -V
CE
. Todas las curvas
n

Antes de que alcancemos el valor de la tensin Early, el ca
c
B
A
CE
B CE C
i
V
V
1 ) i , V ( f i

+ = = Ec. 4.7
ulos que
alicemos. Por tanto, no se contemplar en las ecuaciones salvo indicacin expresa.



Como se observa, dado el alto valor de la tensin Early respecto de las tensiones de
polarizacin que vamos a utilizar tiene un efecto casi despreciable en los clc
re
Captulo 4: Transistores Bipolares
75





Figura 4.17: Representacin grfica del Efecto Early. Tensin Early = 126V


En los clculos por ordenador se suele incluir este efecto para aumentar la precisin de
los mismos. Para ello, aadimos al modelo del transistor de Ebers-Moll una resistencia de
salida, r
o
. Que se define como
puntoQ
CE
C
o
v
i
r
1

=


Derivando la ecuacin 4.7 y evalundola respecto del punto de funcionamiento en
continua, nos queda
B
A o
I
V
1
r
1
=


Teniendo en cuenta la ecuacin 4.6 y siendo V
CE
<< V
A
, nos queda

C
A
o
I
V
r =


Como se ha comentado, esto supone aadir una resistencia de alto valor entre colector
y emisor en el modelo del transistor. Esta circunstancia no perjudica el clculo que se realice
si despreciamos la misma.

Al disminuir el ancho efectivo de la base, y por ello las corrientes de base y colector,
se produce un fenmeno de interactuacin entre el circuito de entrada, la base del transistor, y
el circuito de salida, es decir, el colector. A este hecho se le denomina de realimentacin
interna dentro del transistor. Por ello, se hace necesario modificar el modelo de gran seal en
emisor comn de la figura 4.13.
76
Electrnica analgica: Anlisis y diseo



i
b

F
C B
E
V
BE
+ -

F
V
CE
r
o
V
CE


Figura 4.18: Modelo en emisor comn teniendo en cuenta el Efecto Early


4.7. Variacin de la ganancia de corriente

Como se ha comentado anteriormente, es variable, sin embargo, la ganancia de
corriente en directa, , definida como /(1-) es bastante sensible a las pequeas variaciones
de , a la temperatura y al propio valor de las corrientes. Por si esto fuese poco, adems es
dependiente de la fsica del transistor. Podemos comprobar como pequeos cambios en
afecta bastante a la ganancia de corriente.

Si =0.99 =0.99/(1-0.99) =99
Si =0.999 =0.999/(1-0.999) =999



Figura 4.19: Variacin de con T (-20C +27C y 125C) e I
C
. 2N3055



Figura 4.20: Variacin de con T (-20C +27C y 125C) e I
C
. BC547
Captulo 4: Transistores Bipolares
77



Log I
B
V
BE
Log I
C
Log
F


Figura 4.21: Grfico de Gummel-Poon: Variacin de con la V
BE
(0.35-0.85V)



Bibliografa

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1998, ISBN: 84-89660-03-4.
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1989, ISBN: 0-201-60143-5.
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Telecomunicacin (U.P.M.), 1986, ISBN: 84-7402-066-2.
4. A.P. Malvino, Principios de Electrnica. Ed. Mc Graw Hill, 1996, ISBN: 84-481-1999-1.
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Ed. Addison-Wesley Iberoamericana, 1992, ISBN: 0-201-62925-9.
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Editores. 2000. ISBN: 968-7529-79-2