Prctica 1

Amplicadores de RF
1. Objetivo
Figura 2: Circuito amplicador de tensin

En primer lugar, en esta prctica montaremos un amplicador de banda ancha mediante una etapa emisor comn y mediante una etapa cascodo, con el n de estudiar la respuesta en frecuencia de estas dos conguraciones. A continuacin, disearemos un amplicador sintonizado, que permite el paso slo de las componentes de la seal de entrada dentro de un rango determinado de frecuencias.

Zf por dos impedancias conectadas entre cada nodo y tierra de forma que desven la misma corriente que Zf (como se indica en la gura 1-c). Los valores de estas impedancias son: Z1 = Zf (impedancia entre el nodo 1 y tierra), A + 1 Zf (impedancia entre el nodo 2 y tierra). Z2 = 1 1 A (2a) (2b)

2.
2.1.

Amplicadores de banda ancha

Introduccin

Antes de comentar el circuito que se montar en el laboratorio, realizaremos un repaso del efecto Miller. 2.1.1. El efecto Miller

Como se sabe, el efecto Miller se presenta cuando se sita una impedancia realimentando dos puntos entre los cuales existe la siguiente relacin: V2 = AV1 , siendo A cierta ganancia. Esta situacin se ilustra en la gura 1. (1)

Estas impedancias que representan la inuencia de la impedancia de realimentacin (efecto Miller) se denominan impedancias Miller. La inuencia de la impedancia de realimentacin es mayor desde el punto de vista del nodo 1 (para los casos usuales con |A| 1), como resulta lgico al observar que una variacin en la tensin V1 se propaga al nodo V2 amplicada en un factor A. Si la impedancia de realimentacin es la correspondiente a una capacidad Cf y la ganancia A es negativa, las impedancias Miller son: 1 , jCf (1 + |A|) 1 . Z2 = 1 jCf 1 + |A | Z1 = (3) (4)

Es decir, desde el punto de vista del nodo 1 es como si colocsemos una capacidad (1 + |A|) mayor que Cf , lo cual puede limitar notablemente el comportamiento en frecuencia del circuito como comprobaremos a continuacin (bsicamente, la impedancia Z1 baja la tensin del nodo 1 al establecer un camino hacia tierra de baja impedancia a altas frecuencias). 2.1.2. Inuencia del efecto Miller sobre el ancho de banda de un amplicador de tensin

Figura 1: Efecto Miller

Desde el punto de vista del terminal 1, la inuencia de Zf consiste en desviar corriente hacia el nodo 2, y viceversa. Podemos, por tanto, substituir la impedancia 1

Supongamos el circuito de la gura 2, que est formado por un amplicador de tensin de ganancia A y con cierta impedancia de entrada Zin . Como entrada del circuito tenemos la seal Vs proporcionada por una fuente de tensin con resistencia interna Rs . Supongamos que el amplicador no est realimentado y que su impedancia de entrada es puramente resistiva. En este caso: Zin = Rin , 2 (5)

y la relacin entre la salida y la seal de entrada es (si Rs Rin ): V0 Rin =A ' A. Vs Rin + Rs (6)

Como puede verse, esta relacin es independiente de la frecuencia (si lo es A). Sin embargo, veamos qu sucede si realimentamos la entrada del amplicador con la salida mediante una capacidad Cf . Entonces, segn el efecto Miller la impedancia de entrada Zin vendr dada por: Zin = Rin ||Z1 = Rin , 1 + jCRin (7)

con C = Cf (1 A) y, por tanto, se cumple que (si Rs Rin ): Zin V0 =A =A Vi Zin + Rs 1+

Rs Rin

1 1 'A , 1 + jCRs + jCRs

(8)

Como vemos, ahora la salida depende de la frecuencia, segn una funcin de transferencia de primer orden con un polo situado en: c = 1 1 = . CRs Cf (1 A)Rs (9)

Figura 3: Amplicador emisor comn sin resistencia de emisor.

Por tanto, se verica que cuanto mayor sea la ganancia del amplicador, mayor ser el efecto de la impedancia Miller y menor ancho de banda tendr el amplicador realimentado. Adems, para ganancias |A| 1 se cumple que el producto del ancho de banda del amplicador realimentado por la ganancia A es constante: A 1 ' = cte. Ac = Cf (1 A)Rs Cf Rs 2.1.3. (10)

Si aumentamos la frecuencia, se debe considerar el efecto de las capacidades parsitas. Adems, la capacidad C realimenta la salida y la entrada del BJT, por lo que sufre efecto Miller de forma que desde la entrada aparece como una capacidad de valor1 (1 A)C . Por tanto, la impedancia de entrada viene realmente dada por: Zin = r , 1 + jr (C + (1 A)C ) (13)

Inuencia del efecto Miller sobre el ancho de banda de una etapa emisor comn sin resistencia de emisor

A continuacin vamos a estudiar la respuesta en frecuencia de una etapa emisor comn sin resistencia de emisor (gura 3) aplicando las conclusiones que hemos visto, en el apartado anterior, para amplicadores de tensin en general. Para esta etapa, y con frecuencias sucientemente bajas como para poder despreciar las capacidades internas del modelo de pequea seal (C y C ), la resistencia de entrada viene dada por (ver gura 4): Rin = r ||RBB r , y la ganancia (teniendo en cuenta la resistencia de la fuente) por: V0 Rin =A A, Vs Rin + Rs siendo A = gm (Rc ||ZL ). 3 (12) (11)

como puede deducirse de (7) teniendo en cuenta, adems, la contribucin de C . Como puede verse, el mdulo de Zin decrece al aumentar la frecuencia, por lo que la ganancia del amplicador (desde el punto de vista de la fuente, V0 /Vs ) tambin disminuir (ecuacin (8)). Adems, si C << (1 A)C , se cumple que el producto c A es constante, como se ha demostrado en el apartado anterior.

2.2.

Laboratorio

1. Disear una etapa emisor comn sin resistencia de emisor con ganancia igual a 200 (gura 3) y alimentada entre - 15 y 0 V. 2. Comprobar en el laboratorio la ganancia y la frecuencia superior de corte.
1 Para aplicar la transformacin de Miller es necesario que entre la tensin de salida y de entrada del amplicador haya una relacin proporcional (con cierta ganancia A) que no se vea afectada al aadir la impedancia de realimentacin. Al ser el BJT en emisor comn un amplicador de transconductancia esto no es estrictamente cierto, pues la ganancia depende de la corriente que desva C . No obstante, el error cometido no es mucho porque el valor de C es muy pequeo y la intensidad que pasa por ella despreciable frente a la que proporciona la fuente gm vbe . En el libro de Gray y Meyer (captulo 7) se muestra una comparacin con un clculo exacto.

En determinadas aplicaciones conviene que slo se ampliquen las componentes de la seal dentro de un determinado rango de frecuencias. Esto se puede lograr haciendo que el valor de la impedancia de carga ZL sea muy bajo excepto para las frecuencias de inters.

3.2.

Adaptacin de impedancia con una red tapped-capacitor

Figura 4: Modelo de pequea seal de un BJT

3. Colocar varias resistencias de carga (de valor comprendido en el intervalo [50, RC ]) y comprobar cmo afecta a la ganancia y al ancho de banda. 4. Disear una etapa cascodo de forma que tenga la misma ganancia que el anterior diseo y repetir los pasos 2 y 3. Alimentar entre -15 y 15 V. Obsrvese que la etapa emisor comn la hemos alimentado entre 0 y -15 V. Con esto conseguimos que aadir la etapa base comn suponga nicamente conectar el colector del transistor con el emisor del nuevo BJT (el que acta en BC), situar la impedancia de colector y de carga en el colector de este transistor (BC) y llevar su base a tierra. Adems, la corriente de colector est bsicamente jada por la polarizacin del primer transistor, por lo que ser la misma en las dos conguraciones. Por tanto, como se puede demostrar fcilmente, la ganancia de las dos etapas (EC y cascodo) debe ser la misma. Para conseguir seales de entrada de pequea amplitud (la amplitud mnima proporcionada por el generador de seales es 200 mV) se debe usar un divisor de tensin cuya resistencia Thevenin equivalente sea pequea (50 a 100 ohmios).

Notas.

A menudo, en los circuitos sintonizados, la resistencia de carga est jada de antemano. Supongamos que para seleccionar slo ciertas frecuencias en torno a la frecuencia de resonancia se emplea una red RLC en paralelo, con R igual a la resistencia de carga. El valor de R ser justamente el valor de la impedancia de la red RLC a la frecuencia de resonancia (Rt ). Sin embargo, normalmente interesa que la impedancia sea mucho mayor o tenga determinado valor (para conseguir ms ganancia o el mximo de transferencia de potencia, por ejemplo). Se puede usar entonces la conguracin L||RC , mostrada en la gura 5. Con este circuito se puede obtener una impedancia Rt (distinta de R) a la frecuencia de resonancia que viene dada por: (14) Rt = R Q2 t +1 , sin ms que elegir adecuadamente el factor de calidad del circuito (Qt ).

2.3.

Cuestiones

Figura 5: Circuito L||RC

1. Justicar los resultados obtenidos en el punto 3 del apartado 2.2. 2. Comparar los anchos de banda obtenidos con la etapa emisor comn y con la conguracin cascodo. Justicar los resultados. 3. Simular con Pspice y comparar los resultados. Sin embargo, jada R, la frecuencia de resonancia y el valor de Rt , el ancho de banda del circuito queda determinado. Si tenemos una especicacin adicional sobre el ancho de banda se puede usar una red tapped-capacitor (ver gura 6), en la que se aade una capacidad para tener un parmetro libre adicional. Para encontrar los valores adecuados de L, C1 y C2 se transforma el paralelo formado por C2 y RL en una red serie (ver gura 8) para obtener el circuito L||RC de la gura 5, y poder aplicar las ecuaciones de diseo correspondientes (gura 9). La gura 7 esquematiza este proceso.

3.
3.1.

Amplicadores sintonizados
Introduccin

Como se sabe, la ganancia de las dos etapas empleadas en esta prctica (emisor comn sin resistencia de emisor y cascodo) es directamente proporcional a RC ||ZL . 5

3.3.

Laboratorio

1. Disear una red tapped-capacitor que cumpla los siguientes requisitos: 6

Figura 6: Red tapped-capacitor para la adaptacin de la impedancia RL .

Figura 8: Frmulas de conversin paralelo-serie para redes RC.

Figura 7: Conversin de una red tapped-capacitor en su equivalente L||RC. Figura 9: Frmulas de diseo para el circuito resonante RC||L.

Resistencia de carga, RL = 50 Frecuencia de resonancia, f0 = 0.5 MHz Ancho de banda, B = 50 KHz Impedancia equivalente a la frecuencia de resonancia, Rt = 500 2. Determinar experimentalmente la impedancia del circuito. Determinar la frecuencia de resonancia, el ancho de banda y la resistencia equivalente a la frecuencia de resonancia de la red tapped-capacitor. 3. Montarla como impedancia de carga de uno de los amplicadores que hemos usado anteriormente. 4. Comprobar la frecuencia de resonancia, ganancia y ancho de banda del amplicador resultante

3.4.

Cuestiones

1. Comparar con los resultados obtenidos mediante simulacin con Pspice. 2. Hay discrepancia entre la frecuencia de resonancia de la red tapped-capacitor y la del amplicador sintonizado? En caso armativo, por qu?

4.

Importante
Para la realizacin de las prcticas es importante tener en cuenta que: Es obligatorio llevar al laboratorio la prctica con los montajes previamente diseados y simulados con Spice (tambin se aconseja montarlos antes de la sesin de prcticas para optimizar el tiempo de laboratorio). Las fuentes de alimentacin proporcionan una tensin de 15 V. Se usan transistores BC547B de Philips.