2 3 Transistor Potencia Relacion

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif.
f. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Relaciones de potencia en los amplificadores con transistores Analizaremos a continuacin las relaciones existentes entre la potencia elctrica que entrega la fuente de alimentacin, y las potencias elctricas que se disipan en el transistor y la resistencia de carga. Utilizaremos para el anlisis, una etapa bsica amplificadora de seal analgica, que utiliza un transistor de unin bipolar; no obstante estas relaciones tienen validez para cualquier tipo de transistor semiconductor que se emplee, como elemento amplificador analgico. El amplificador adems se excitar con una seal senoidal que denominaremos ve Supondremos adems, que el punto de polarizacion esta ubicado, en la recta de carga, de manera tal que se pueda amplificar linealmente toda la seal analgica senoidal, dentro de su periodo (funcionamiento en clase A) . Adems no tendremos en cuenta la potencia que entregamos para polarizar la entrada del amplificador, suponindola despreciable. Esta ultima suposicin, no es el caso para amplificadores de potencia.
Potencia elctrica entregada por la fuente de alimentacin VCC Partimos de la potencia elctrica instantnea, pcc , para luego encontrar la potencia elctrica promedio que entrega VCC. pCC = VCC . iC (potencia instantnea) T T PCC = 1 / T VCC.iC dt = VCC / T ( IC+ic) dt 0 0 T T PCC =VCC / T IC dt + VCC / T ic dt = VCC . IC (potencia promedio) 0 0 Siendo: iC = IC + ic corriente instantnea del colector IC componente continua de la corriente iC o sea la corriente del punto de polarizacion. ic componente de corriente alterna generada en el colector por la fuente de seal ve. Potencia elctrica consumida por la resistencia de carga RC 2 pR = RC .iC potencia disipada instantnea. La potencia promedio vale: T T T PR = 1 / T pR dt = 1 / T RC . iC dt = 1 / T RC .(IC+ic) dt 0 0 0 ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------2 2 PR = RC. IC + RC ic(rms) Potencia disipada en el transistor La potencia instantnea vale: pT = vCE . iC = ( VCCRC .iC). iC = VCC . iC RC .iC2 pT = pCC pR Vemos que la potencia instantnea disipada por el transistor es igual a la diferencia entre la potencia entregada por VCC y la potencia instantnea disipada en RC. De la misma manera, resultaran las potencias promedios: PT = PCC PR De lo desarrollado, podemos sacar las siguientes conclusiones: a) La potencia elctrica que entrega la fuente de alimentacin VCC, es independiente de la presencia o no de la seal de entrada. b) La potencia elctrica disipada o consumida en RC, tiene dos componentes; una parte corresponde a la corriente de polarizacion IC, produciendo solamente aumento de temperatura en RC, sin ningn beneficio. La otra, corresponde a la componente alterna de la corriente de colector que al pasar por RC provoca una variacin en la tensin de colector vc y si RC RL representa la seal til aplicada sobre la carga. Esta componente alterna aparece cuando aplicamos la seal alterna de entrada ve. c) La potencia elctrica consumida en RC por la componente alterna de la corriente de colector, es funcin de su amplitud. d) La potencia elctrica disipada en el transistor (provoca aumento de la temperatura del transistor) resulta de la diferencia entre la potencia entregada por VCC y la consumida en RC. Cuando tenemos seal aplicada a la entrada del amplificador, la potencia consumida en RC, aumenta, y por lo tanto la disipada en el transistor, disminuye. e) La condicin mas desfavorable para el transistor, en lo que respecta a la potencia disipada, se produce cuando no tenemos seal de entrada aplicada. En este caso su valor lo determinamos como: PT = PCCPR = VCC.IC RC . IC .IC = ( VCCRC.IC) .IC PT = VCE . IC resultando el producto de la tensin y corriente del punto de polarizacion. Disipacin de la potencia elctrica en los transistores El anlisis que sigue, tiene validez para cualquier tipo de transistor semiconductor. La potencia elctrica instantnea disipada en el transistor la expresamos como pT= vCE .iC, siendo iC y vCE, los valores instantneos de la corriente de colector y de tensin colectoremisor, del circuito analizado. La potencia elctrica disipada promedio, en un periodo T la expresamos matemticamente como: T PT = 1 / T . pT.dt 0 ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Esta potencia elctrica que se genera en el interior del transistor (en la juntura de colector) se disipa al ambiente exterior. En rgimen, se establece un circuito trmico entre la generacin de calor (en JC) y el ambiente exterior. Esto provoca una elevacin de la temperatura de la juntura de colector, respecto a la temperatura ambiente. Esta variacin T, se incrementara con el aumento de la potencia elctrica disipada en el transistor. La mxima potencia promedio disipada por un transistor, depende de sus caractersticas constructivas, pudiendo estar comprendida entre unos pocos milivatios a cientos de vatios. Para los transistores bipolares, esta potencia elctrica disipada, esta limitada por la mxima temperatura soportada por la juntura de colector JC. Para una aplicacin en particular, esta mxima potencia, se producir cuando el transistor trabaje en la zona activa. PTsat. < PTact. > PTcorte Los transistores de silicio, pueden soportar temperaturas mximas en JC entre 150C y 225C. (para Ge entre 60C y 100C). Los valores mximos, lo especifica el fabricante. La temperatura de la juntura de colector, bsicamente podemos decir que puede aumentar por tres causas: a) Por aumento de la potencia elctrica disipada, por cambio de la zona de funcionamiento del transistor (autocalentamiento). b) Por aumento de la temperatura exterior, producida por cambios en las condiciones ambientales. c) Por resistencia al paso del calor desde su generacin en JC hasta el ambiente exterior. El auto calentamiento en zona activa es mayor que en las otras dos zonas, considerndose la disipacin de energa en la base del transistor despreciable. En la zona de saturacin (vCE0) y en la zona de corte (iC0) la disipacin de potencia es prcticamente nula. No obstante los transistores que trabajan en conmutacin sufren autocalentamiento en el proceso de conmutacin, que depender del grado de saturacin, grado de corte y frecuencia de la conmutacin. En este ultimo caso, las perdidas de la base pueden ser importantes, especialmente en transistores de potencia El anlisis de las prdidas por conmutacin se analizara en la materia Electronica II. En el caso de los transistores bipolares, el autocalentamiento, puede ser regenerativo, dado que si no se toman medidas de compensacin o estabilizacin, la corriente de polarizacion de colector IC puede aumentar con la temperatura. Este aumento, puede provocar mayor potencia disipada y con ello mayor aumento de temperatura y as el ciclo se hace regenerativo hasta la ruptura del transistor por efecto trmico. Resistencia trmica Cuando se llega al rgimen permanente o equilibrio entre la potencia elctrica generada y la potencia elctrica disipada, la diferencia de temperatura entre la juntura de colector y la temperatura ambiente, resulta proporcional a la potencia elctrica disipada. Matemticamente esta relacin la podemos expresar como: T = Tj Ta = RT . PT Esta expresin, se la conoce como la ley de Ohm trmica por su similitud con la ley de Ohm elctrica donde se pueden hacer las siguientes equivalencias: T(diferencia de temperatura) V (diferencia o cada de tensin elctrica) RT(resistencia trmica) RE(resistencia elctrica) IE(corriente elctrica) PT(potencia disipada) ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 3
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------La resistencia trmica se expresa en C / vatios[C/w] o en C / milivatios [C/mw]. Su valor puede variar, para los transistores, en 0,2C/w para transistores de potencia a 1C/mw para transistores de seal. Potencia mxima disipada por un transistor bipolar Para encontrar este valor, debemos considerar dos aplicaciones prcticas, en el uso del transistor: Sin elemento disipador y con disipador incorporado a la carcaza del transistor. Considerando la utilizacin del transistor sin disipador, la PTmax. depender fundamentalmente de la temperatura ambiente. Los fabricantes, suelen dar informacin, mediante grficos de la potencia disipada mxima en funcin de la temperatura ambiente, como lo muestra el siguiente grafico: PTmax
25C
150C
Ta
Como puede observarse la mxima disipacin se producir para menores valores de la temperatura ambiente hasta el valor mximo de Ta =150C donde PTmax = 0 . Este valor de Ta, corresponde a la mxima temperatura de la juntura (Tj) permitida por el fabricante. Si la Tj supera dicho valor, el transistor se degrada. Otros datos tiles que se obtienen en las caractersticas tcnicas, figura la mxima temperatura de la juntura Tjmax y la resistencia trmica entre la juntura y el medio ambiente RTja . Con estos dos valores mas la temperatura ambiente, podemos, por aplicacin de la ley de Ohm trmica, encontrar la mxima disipacin de potencia del transistor. Problema De los datos tcnicos obtenidos del transistor 2N3903, determinar la potencia disipada mxima para una temperatura ambiente de 40C. Datos: Ta =40C ; Tjmax = 150C ; Rja = 0,357C/mw Aplicamos la ley de Ohm trmica, despejando la potencia disipada mxima: T = Tj Ta = RTja . PT Ptmax = (Tjmax Ta) / RTja = (15040) / 0,357 = 308 mw
___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema Determinar la potencia disipada por el transistor del problema anterior (2N3903), si por razones de confiabilidad, la temperatura de la juntura Tj no debe superar los 100C , para una temperatura ambiente de Ta = 40C. Otra forma de especificar la mxima potencia disipada, consiste en suministrar su valor para una determinada temperatura ambiente o sino tambin suministrar su valor mximo para una temperatura ambiente de 25C, con un termino de disminucin por cada grado centgrado de aumento de la temperatura, por encima de los 25C. Ejemplo: PTmax(PDmax) = 250 mw para Ta = 60C PTmax = 350 mw para Ta = 25C Por encima de los 25C se deber disminuir en 2,8 mw /C Por ejemplo si necesitamos determinar la potencia mxima disipada para una temperatura ambiente de 35C entonces: PTmax = 350 2,8. (3525) =322 mw Los transistores de potencia, normalmente se los utiliza con disipadores de calor adheridos firmemente a la carcasa del transistor. Su finalidad es evacuar con ms facilidad el calor generado y disipado al ambiente, por el transistor. En este caso el fabricante especifica adems, la resistencia trmica entre la juntura y la carcaza o base de montaje del disipador RTjc. Si se va a utilizar el transistor sin disipador, entonces el clculo se realizara teniendo en cuenta la resistencia trmica entre la juntura y el medio ambiente RTja. Si se lo utilizara con disipador, la potencia mxima disipada, quedara definida por las resistencias trmicas junturacarcaza, carcaza disipador y disipador medio ambiente, segn el siguiente circuito trmico:
PT
RTjc Rthj-c : Resistencia trmica entre la juntura y la carcaza. RTcdRthc-d: la carcaza y el disipador RTdaRthd-a el disipador y el medio ambiente T = RTja . PT TjTa = ( RTjc + RTcd + RTda) . PT Si el fabricante suministra la mxima potencia disipada con disipador, y si quisiramos aprovechar esa mxima disipacin, el clculo se reduce a determinar RTda ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 5
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Con el valor de la resistencia trmica del disipador, nos queda seleccionar o calcular sus dimensiones de manera tal que su valor real de RT sea igual o menor al calculado. Problema Un amplificador de pequea potencia, tiene en su salida, un transistor BC547, sin disipador, polarizado en el punto Q ubicado en el centro de la recta de carga y definido por IC=50 ma y VCE = 5 volt. El transistor, cuando tiene seal aplicada, esta excitado para los valores extremos de iC y vCE. Determinar: a) La temperatura mxima de la juntura de colector, sin seal aplicada, para Ta = 50C b) la temperatura mxima de la juntura de colector, cuando tiene seal aplicada, para Ta=50C c) La temperatura mxima de la juntura de colector, en la condicin mas desfavorable, cuando la temperatura ambiente que lo rodea llega a Ta= 85C Datos: Tjmax = 150C PDmax(PTmax) = 300 mw para Ta = 75C RTja = 0,25C/mw RTjc = 0,17C/mw Problema En las especificaciones tcnicas de los transistores 2N3903 y 2N3904 (Motorola), nos suministran la siguiente informacin: -PTmax = 1watt para temperatura de carcaza Tc = 25C; valor de ajuste para valores superior a 25C P= --8,0mw/C. -Tjmax= 150C -RTja = 357C/w -RTjc = 125C/w. Teniendo en cuenta estos datos determinar: a) La temperatura ambiente necesaria para disipar la potencia de 1 watt, sin disipador b) La temperatura ambiente necesaria para disipar la potencia de 1watt, con un disipador de valor RTdisip. = 125C/w c) La potencia disipada mxima, para una temperatura ambiente Ta= 40C sin disipador d) La potencia disipada mxima para Ta = 40C, con disipador de valor RTd=125C/w. Problema Un fabricante especifica lo siguiente: para el transistor TIP29 (Texas inst) -PTmax=30watt para Tc=25C (disipacin continua) -Tjmax=150C -RTjc=4,17C/w -RTja=62,5C/w Determinar: a) Mxima potencia disipada para Ta =40C con disipador de valor RTd=2,5C/w b) Mxima potencia disipada para Ta=40C sin disipador c) La temperatura ambiente necesaria para disipar 30watt con RTd=2,5C/w d) La resistencia trmica del disipador para disipar una potencia mxima de 10 watt para TJmax= 130C y Ta =40C
___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Eficiencia en los amplificadores Cuando analizamos las relaciones de potencia de un amplificador con transistores, vimos que la potencia elctrica que entrega la fuente de alimentacin, una parte se disipa como calor en el transistor y en la carga, y otra parte se convierte en seal til, en corriente alterna, sobre la carga. 2 2 PCC = PT + PR = VCE . IC + RC . IC + RC . ic(rms) = VCC . IC VCC . IC : potencia que entrega la fuente de alimentacin al amplificador, despreciando la corriente de polarizacion de base. VCE . IC : potencia promedio (CC), disipada en el transistor 2 RC . IC : potencia promedio (CC), disipada en la carga RC 2 RC . ic(rms) : potencia til (en ca) , convertida en corriente alterna til sobre la carga. Las condiciones ideales referentes a las potencias elctricas desarrolladas en el amplificador, seria que toda la potencia elctrica que entrega la fuente de alimentacin VCC, se convirtiera en potencia til de corriente alterna sobre la carga; sin embargo, parte de esa potencia que entrega VCC, se disipa como calor en el transistor y la carga. A los fines de establecer la relacin entre la potencia elctrica til y la que entrega VCC, se define la eficiencia del amplificador Potencia en ca sobre la carga (%) = -------------------------------------- x 100 Potencia que entrega VCC Para el caso del amplificador que estamos tratando esta eficiencia se define como: 2 (%) = RC . ic(rms) / VCC . IC Analizaremos a continuacin las eficiencias de los distintos amplificadores, respecto a la ubicacin del punto de polarizacion Q. Eficiencia en el amplificador clase A con carga acoplada directamente Un amplificador trabaja en clase A cuando la corriente de colector, nunca se hace cero, durante el periodo de la seal de entrada. En este amplificador el punto de polarizacion, se ubica en la recta de carga entre los valores de corte y saturacin. Es el amplificador que hemos estudiado hasta ahora Vamos a determinar el valor numrico de su eficiencia terica. Para ello resulta conveniente, ubicar el punto de polarizacion o funcionamiento, en el centro de la recta de carga. De esta manera, tendremos excursiones iguales de la corriente instantnea de colector, desde el punto Q al punto de corte y saturacin, en las intersecciones de la recta de carga con los ejes coordenados. La amplitud mxima de la componente alterna de la corriente de colector vale: ic = iCsat IC = 2IC IC = IC ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 7
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------La componente alterna de la tensin sobre la carga vale: vl = VCC VCE = VCC VCC/2 = VCC/2
ic t 0
iC iCmax =2IC Q
IC
VCE 0
VCC vCE vl
t La potencia elctrica til sobre la carga vale: _ _ _ _ PR = ic/ 2 . vl/ 2 =IC / 2 . (VCC/2)/ 2 = VCC. IC /4 PCC = VCC . IC La eficiencia resulta: (%) = ( PR / PCC ) . 100 = 25 % Este valor es el mximo terico, cuando la carga esta conectada directamente al colector del transistor, y el punto de polarizacin, en el centro de la recta de carga. En la prctica, no podemos llegar a este valor, dado que tendramos que trabajar en los lmites de la saturacin y corte, lo que provocara una distorsin de la seal de alterna de salida. Eficiencia del amplificador clase A con carga acoplada con transformador En este caso la carga se acopla al circuito de colector del transistor, mediante un transformador adaptador de impedancia que hace presentar en su primario una carga reflejada de valor conveniente ( RL), que da lugar a una recta de carga dinmica, calculada en base al valor de RL, conectado al secundario del transformador, y la relacin de vueltas primario/secundario. Este tipo de conexin mejora la eficiencia del amplificador, dado que se elimina la disipacin de potencia en la carga por la circulacin de la corriente de polarizacion ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 8
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin ---------------------------------------------------------------------------------------------------------
Ic 2IC Recta de carga esttica Q Recta de carga dinmica --1/RL
IC
0 VCC 2VCC vCE
RL = (n2/n1) . RL _ _ _ _ PR = ic/ 2 . vl/ 2 =IC / 2 . VCC/ 2 = VCC. IC /2 PCC = VCC . IC (%) = ( PR / PCC ) . 100 = 50 % Como vemos colocando un transformador para adaptar la carga, hemos mejorado la eficiencia. Uno de los inconvenientes del transformador por ejemplo para seales de audio es la produccin de distorsin en las altas frecuencias, adems de su volumen y peso. No obstante en aplicaciones especializadas como ser la transmisin de informacin por onda portadora, aprovechando las lneas elctricas de alta tensin, el ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 9
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------uso del transformador es muy adecuado para acoplar y aislar el equipo de comunicaciones. Eficiencia del amplificador clase B Decimos que un amplificador trabaja en clase B, cuando la corriente del colector circula solamente durante medio ciclo de la seal de entrada. Para este caso, el punto de polarizacin, se fija justo en el punto de corte del transistor. En las caractersticas de salida, el punto se ubica en la interseccin de la recta de carga con el eje de absisas o de las tensiones. Veamos a continuacin, el circuito bsico y la ubicacin del punto de polarizacion en la recta de carga:
iC VCC/RC Q
0 VCC iC VCC/RC vL ve vCE
wt VCC
wt
___________________________________________________________________ 10 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Al polarizar en el punto de corte., la corriente de colector circulara solamente durante el semiciclo positivo de la seal de entrada. La potencia promedio que entrega la fuente de alimentacin vale: PCC = 1/2 . VCC . iC .dt = VCC/2. IC . sen wt dwt = VCC.IC/2.[-coswt] 0 0 0 PCC = VCC . IC / La potencia de alterna en la carga vale el producto de los valores eficaces de la tensin y corriente alterna: PR = vl(rms) . il(rms) = VCC/2 . IC/2 = VCC . IC / 4 (%)=PR/PCC . 100 = /4 . 100 = 78,54 % Trabajando en clase B , hemos logrado mejorar la eficiencia. En este caso lo logramos a costa de mucha distorsin de la seal de salida, dado que el semiciclo negativo de la seal de entrada no se amplifica. Esta distorsin se reduce como veremos mas adelante, con el amplificador en contrafase clase B. Amplificador clase AB El amplificador clase AB surge del clase B, con la diferencia que se le suministra una pequea polarizacion en la base (el valor de la tensin umbral 0,6 volt), para evitar la denominada distorsin de cruce por cero. En cuanto a la eficiencia, con esta polarizacion, su valor terico es similar al de clase B.
Amplificador clase C
Un amplificador trabaja en clase C cuando la corriente de colector circula durante un periodo menor a 180 del ciclo de la seal de entrada. Esto significa que estos amplificadores estn polarizados por debajo del punto de corte, es decir polarizados con tensin negativa. Cuando ingresa la seal de entrada, la corriente de salida muestra variaciones pulsantes menores a 180. Si la carga es una resistencia o impedancia en gral, la distorsin es muy grande; pero si la carga es un circuito tipo LC (denominado ___________________________________________________________________ 11 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------circuito tanque LC) sintonizado a la frecuencia fundamental de la seal de entrada, el circuito LC acta como filtro pasa banda con la frecuencia central dada por la frecuencia resonante del circuito, w = 1/LC . De esta forma, se restaura la seal fundamental, por atenuacin de las frecuencias armnicas, aparecidas durante el proceso de amplificacin con polarizacion clase C. Los amplificadores claseC no se emplean como amplificadores de audiofrecuencias; su uso esta restringido como amplificadores de potencia de radiofrecuencias, en equipos transmisores de comunicaciones, con circuitos sintonizados. Su eficiencia es muy alta pudiendo llegar tericamente al 100% Amplificadores clase D Los amplificadores que trabajan en esta clase, se los utiliza como amplificadores de potencia para amplificar seales de audiofrecuencias con una eficiencia practica, prxima al 90%. Los elementos activos del amplificador, trabajan conmutados; Si se usan transistores bipolares, trabajan al corte y la saturacin. SI se usan transistores de efecto de campo MOS, trabajan al en la zona de corte y zona ohmica. Para amplificar seales analgicas de audiofrecuencias, previamente es necesario convertir estas seales en digitales, de ancho de pulso variable, para luego ser amplificada por el amplificador de potencia (clase D) que trabaja en conmutacin.
vs ve 0
ve t Generador Diente de sierra vs ve ve

Comparador
Amplificador de potencia pulsante
Filtro pasabajo
vo
Realimentacin ve ___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------La figura muestra una seal senoidal que luego de ser diferenciada con la seal de realimentacin, es convertida a pulsos digitales, de ancho variable, logrado, mediante la comparacin de una onda en diente de sierra. (Sistema modulacin de ancho de pulso PWM). El filtro pasabajo, convierte la seal digital amplificada por el amplificador de potencia digital, en nuevamente una seal analgica senoidal. La alta eficiencia se logra por el hecho que en corte y saturacin (o zona ohmica para los MOS), la disipacin de potencia de los transistores de potencia conmutados es muy baja. Actualmente para este tipo de amplificadores, se utilizan transistores MOSFET de potencia como los denominados V-MOS. Amplificador de potencia clase B en contrafase Habamos analizado que con el amplificador clase B, logrbamos una eficiencia terica del 78,54 %, con el inconveniente de que solo amplificaba medio ciclo de la seal de entrada lo que provocaba una fuerte distorsin. Para evitar este inconveniente y mantener la alta eficiencia, se recurre entonces al amplificador en contrafase clase B, muy utilizado como amplificador de potencia en etapas finales, tanto en circuitos discretos, hbridos e integrados. Este, bsicamente consiste de dos etapas amplificadoras, trabajando en clase B, en la cual cada una de ellas se encarga de amplificar un solo semiciclo, el positivo una, y la otra el negativo de la seal de entrada. Para mejor comprensin analizaremos el amplificador en contrafase clase B donde la carga se acopla al colector mediante un transformador con punto medio en su primario. Cabe aclarar que este tipo de amplificador ya no se usa como amplificador de potencia de seales de audio, por su volumen, precio y distorsin producida por el trafo.
Para el funcionamiento, necesitamos generar dos tensiones de excitacin iguales en magnitud pero desfasadas 180. En este caso hemos utilizado un simple transformador T1 con punto medio en su secundario (existen muchos circuitos para lograr este cometido). De esta forma tendremos en la salida de T1, dos tensiones +ve y -ve , que producen las corrientes iB1 e iB2 respectivamente. Cuando estamos en el semiciclo positivo de la seal de entrada, se activa el transistor Q1 con la corriente de base iB1 y la corriente de colector IC1. Esta ultima, al circular por uno de los bobinados del primario, induce la tensin vo en el secundario de T2, que hace circular sobre la carga RL, la corriente io. Durante este semiciclo, Q2 esta cortado, no funciona.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------ve
t ve
-ve
t iC1 iB1
iB2 iC2
vo io
Durante el semiciclo negativo el proceso es similar pero el transistor que conduce es Q2 y entonces Q1 esta cortado. Las graficas muestran las tensiones y corrientes circulantes en las distintas partes del circuito. Distorsin por cruce por cero del amplificador en contrafase clase B Este amplificador, tiene un inconveniente que produce una distorsin de la seal en la salida, en el punto de cruce por cero, dado que los transistores solamente se activan ___________________________________________________________________ 14 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------cuando la tensin base emisor supera a la tensin umbral de aproximadamente 0,5 a 0,6 volt.
ve
t Distorsin Cruce cero
vo
La solucin a esta distorsin es darle una pequea polarizacion en zona activa, de valor igual a la tensin umbral de los transistores. En el dibujo que sigue se ve el circuito con las resistencias de polarizacion y estabilizacin RA, RB y RE. En estos casos no se coloca capacitor de desacople de RE, dado que la corriente alterna de emisor es unidireccional, lo cual no descargara al capacitor en paralelo con RE, llevando a los transistores al corte en unos pocos ciclos. Este amplificador polarizado a la tensin umbral de la juntura base emisor, se le denomina clase AB.
Amplificador en contratase clase B con transistores complementarios Los amplificadores de audiofrecuencias, por los motivos expuestos, no utilizan transformadores para acoplar la carga. Para ello se recurre a la conexin colector comn ___________________________________________________________________ 15 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------que permite conectar y adaptar cargas de bajo valor, directamente conectadas al emisor del transistor. Los parlantes de la salida de un equipo de audio presentan impedancias entre 4 y 8 ohm. Por otra parte, se emplean dos transistores, uno NPN y el otro PNP. Estos semiconductores, tienen que tener similitudes en lo que se refiere a sus parmetros elctricos. Los fabricantes suministran estos pares denominados complementarios. Veamos el circuito bsico de esta configuracin, alimentado con dos fuentes de alimentacin, una positiva y otra negativa, respecto al Terminal comn:
Durante el semiciclo positivo de la seal de entrada, conduce corriente el transistor Q1, entregando corriente a la carga, mientras que Q2 esta cortado. Durante el semiciclo negativo se invierte la situacin y es Q2 el que conduce, mientras Q1 se encuentra cortado. Como puede verse esta etapa, no tiene ganancia de tensin pero si la tiene en cuanto a la potencia elctrica entregada a la carga. Esta etapa tambin reduce la distorsin, dado que al no tener capacitor de desacople para la carga, tiene una fuerte realimentacin negativa para la seal alterna. Veamos una modificacin de este circuito:
En este circuito, durante el semiciclo positivo de la seal de entrada, conduce Q1 mientras Q2 esta cortado. La corriente de emisor pasa a l carga ZL a travs del capacitor de acoplamiento Co. Este ltimo a su vez se carga elctricamente con la polaridad indicada. Durante el semiciclo negativo, ahora el que conduce es Q2 y Q1 esta cortado, En este caso el capacitor Co cumple la funcin de fuente de alimentacin de Q2, entregando corriente a la carga.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Polarizacin del amplificador en contrafase clase AB simetra complementaria Con fuente nica Normalmente se utilizan dos mtodos para polarizar en clase AB, para evitar la distorsin de cruce por cero. Una es utilizando un divisor resistivo y otra es utilizar diodos de compensacin.
En el primer circuito la cada de tensin en R1 lleva a la tensin de base VB prxima a la mitad de VCC (15,7 volt). Con la cada de tensin VBE, el punto de unin de los emisores de los transistores se lo lleva a VE=VCC/2 = 15 volt. De esta manera se podr obtener en ZL, un valor de amplitud mximo terico de vl = 15 volt. Las dos resistencias iguales R2, polarizan a ambos transistores en clase AB, con una cada total Vp=2.R2.IB=2.VBE. En gral estas resistencias son ajustables para llevar el punto Q al valor deseable. Respecto a la estabilidad de Q, con relacin a la temperatura, no es buena dado que las resistencias R2, no pueden compensar las variaciones en VBE de ambos transistores, pudiendo provocar un escape trmico por aumento de la corriente de colector de los transistores que llevara a mas aumento de la temperatura. Una solucin a este inconveniente, es reemplazar las resistencias por dos diodos con cadas y variaciones de tensin, similares a las de las junturas baseemisor de los transistores. En el segundo circuito se puede ver los diodos de polarizacin. Amplificador bsico en contrafase clase AB con etapas de excitacin Veremos a modo de ejemplo, un amplificador completo bsico en tecnologa discreta, compuesto de tres etapas: el transistor Q1 actuando como amplificador de tensin (clase A) para seales pequeas. El transistor Q2, actuando como amplificador clase A para seales grandes (excitador de la etapa final), y finalmente los transistores Q3, Q4 actuando como amplificador de potencia clase AB (seguidor por emisor, con ganancia de tensin AV1)
Problema Para el circuito de la figura determinar: a) Las tensiones de polarizacion de base, colector y emisor respecto al Terminal comn. b) Las ganancias incrementales parciales de tensin y total del amplificador. c) La mxima amplitud de la seal de entrada, que no provoque distorsin en la salida d )La mxima potencia entregada a la carga ZL. NOTA: Emplear aproximaciones en los clculos. Relaciones de potencia elctrica para el amplificador en contrafase clase B De forma similar como lo hemos hecho con el amplificador clase A, determinaremos la potencia elctrica entregada por la fuente de alimentacin VCC y la potencia elctrica consumida por los transistores para el amplificador en contrafase clase B. Para determinarlo, graficaremos primero la recta de carga dinmica compuesta en ambas caractersticas de salida de los transistores: iC1 ___ IC1= VCC/ZL PT1max
Q ___ IC2= VCC/ZL
VCC
VCC
VCC=1/2 VCC
PT2max iC2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------La potencia promedio que entrega la fuente de alimentacin la determinamos teniendo en cuenta la grafica de la corriente que suministra a ambos transistores para una seal de entrada senoidal: iC1 iC iC2 iC1
__ IC 0 pCC = VCC . iC iC=iC1 = iC2 2 3 wt
__ __ T PCC =1/ T. VCC.iC dt = 1 / VCC.IC . senwt dwt = VCC.IC / .[-coswt] 0 0 0 __ PCC = 2.VCC. IC / 2 La potencia promedio en la carga vale: _ __ _ __ PL = vl(rms). Il(rms) = VCC/ 2 . IC / 2 = VCC . IC / 2 La eficiencia la calculamos como : (%) = PL / PCC . 100 = / 4 . 100 = 78,54 % La potencia promedio disipada por ambos transistores la calculamos como la diferencia entre la potencia que entrega la fuente de alimentacin y la potencia convertida en corriente alterna sobre la carga: 2.PT = PCC PL Reemplazando por los valores calculados y despejando la potencia disipada por cada transistor nos queda la siguiente expresin en funcin de la potencia promedio en la carga: PT = PL . ( 2/ 1/2 ) PL . 1/7 Por ejemplo si necesitamos una potencia PL = 70 vatios sobre la carga, necesitamos entonces dos transistores que disipen 70/7 = 10 vatios cada uno de ellos. No obstante estamos hablando de potencias disipadas promedios, lo cual resulta no conveniente por el hecho que en algn momento se supera la mxima temperatura de la juntura. Un diseo conservador seria tener en cuenta la mxima potencia disipada por el transistor sin que se superen los lmites de temperatura en la juntura de colector. ___________________________________________________________________ 19 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Calculamos entonces la mxima potencia disipada por el transistor en la grafica de salida compuesta. Esta se va a dar en la tangente a la hiprbola con la recta de carga compuesta: __ PTmax = VCC / 2 . IC / 2 = 1 / 2 . VCC.IC / 2 = 1 / 2 PL Volviendo al ejemplo anterior para PL = 70 watios , entonces para un diseo conservador PTmax = 1/2 . 70 = 35 watios para cada transistor. Amplificador en contrafase clase AB en simetra cuasi complementara Los pares complementarios no se pueden obtener para potencias disipadas superiores a 50 watios. Para esos casos se realiza una modificacin en los transistores de salida de la etapa en contrafase. En el circuito anterior, el transistor npn Q3, se reemplaza por un par Darlington Q3 , Q5 y el transistor pnp Q4,se reemplaza por el par compuesto Q4, Q6 , de tal forma que Q3 es complementario con Q4.
El circuito modificado nos queda de la siguiente forma:
En este nuevo circuito, adems de reemplazar los transistores de salida, se le han hecho algunas modificaciones, para mejorar la estabilidad de la polarizacion frente a los cambios de temperatura y adems mejorar la distorsin causada por las alinealidades de los semiconductores reales. Para ello se recurri a la realimentacin negativa tanto en corriente continua como en corriente alterna. Con la realimentacin en CC, se mejora la estabilidad de la polarizacion; para ello el transistor Q2 se polariza con el divisor R5, ___________________________________________________________________ 20 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------R6 alimentado desde la tensin continua de salida, en la unin de los emisores de los transistores Q5, Q6. Por otra parte se agrego un capacitor C3 que acta como circuito bootstrap (tirabotas) para elevar la tensin de colector de Q2 y y asimismo aumentar la polarizacion de base de Q4 para lograr el limite extremo de saturacin del par Darlington. Este capacitor tambin cumple la misin de desacoplar cualquier tensin residual de la fuente de alimentacin, proveniente de las etapas excitadoras y preexcitadoras. La resistencia R10 acta como realimentacin para la seal alterna y con esto disminuir la distorsin y mejorar la respuesta en baja frecuencias. Estas mejoras, se logran a costa de una disminucin de la ganancia efectiva de la tensin. Respecto a la ganancia de potencia, esta es funcin de la capacidad de disipacin de los transistores de salida y del valor de la tensin de la fuente de alimentacin VCC, que alimenta la etapa final. Problema Determinar la mxima potencia de salida a una carga efectiva ZL = 4 Ohm y la capacidad mxima de disipacin de los transistores de salida, para un amplificador con una etapa de salida en contrafase clase B,en simetra complementaria, que esta alimentado por una fuente de tensin nica de +30 volt. __ La mxima amplitud de tensin sobre la carga vale VL = VCC / 2 = 30 / 2 = 15 volt __ _ _ VL(rms) = VL / 2 = 15 / 2 = 10,64 volt PL (rms) = VL2(rms) / ZL = 28,4 vatios Este valor es terico, dado que la amplitud de vl se la limita a un valor menor de su mximo para no provocar demasiada distorsin en la zona de saturacin. PTmax = PL = 28,4 / 2 = 14,2 vatios Necesitamos dos transistores complementarios que puedan soportar una disipacin mxima de 14,2 vatios cada uno de ellos. Amplificadores de potencia en circuitos integrados Los circuitos vistos hasta ahora, son los empleados en la tecnologa discreta, hoy en da ya en desuso. Estos circuitos se siguen tratando a nivel educativo dado que nos da una formacin de cmo se deben analizar los circuitos electrnicos, como as tambin nos permite el tratamiento de conceptos especficos de estos circuitos, relacionados a circuitos de polarizacion y estabilizacin, circuitos equivalentes incrementales , impedancias de entrada y salida, ganancias de tensin ,corriente y potencia, eficiencia, etc. Estos conceptos, tambin estn incorporados en los circuitos desarrollados con tecnologa integrada, ms otros especficos de la misma. En lo referente a los amplificadores de potencia con esta tecnologa, se presentan problemas propios debido a la elevada disipacin de los mismos y a la necesidad de prever ajustes para minimizar la distorsin ante una excitacin y carga determinada. Como ejemplo de la gran variedad disponible comercialmente, podemos mencionar el clsico amplificador de potencia en CI MC1554, que puede entregar una potencia efectiva de 1watt sobre un parlante con ZL=8 ohm. Este circuito integrado monoltico, presenta algunos terminales para conectar capacitores que no se pueden integrar. Veamos a continuacin, su aplicacin como amplificador o excitador de audio de una etapa de mayor potencia de salida: ___________________________________________________________________ 21 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
En este circuito, la red C5-R3 acta como compensadora para evitar oscilaciones de alta frecuencia en la salida. La red C3-R2 desacopla la fuente de alimentacin. Evitando que ingresen seales alternas que podran producir oscilaciones. El capacitor C4 acta como compensacin para estabilizar el circuito integrado, dado que internamente esta realimentado. El capacitor de salida Co desacopla de la CC a la carga y a su vez provee tensin de alimentacin al transistor interno pnp que forma parte de la etapa de salida en simetra complementaria. El capacitor C1 desacopla cualquier CC en la entrada. Finalmente el potencimetro me permite un control de ganancia o volumen si la carga es un parlante. Otra solucin para obtener mas potencia de salida, es la aplicacin de un CI monoltico como puede ser un amplificador operacional que trabaje como excitador de una etapa de potencia en simetra complementaria o cuasi complementaria discreta, como lo muestra el circuito bsico de la siguiente figura:
Actualmente existen en el mercado una gran variedad de circuitos electrnicos de potencia, (donde incluimos a los amplificadores de potencia), denominados circuitos integrados hbridos en tecnologa thick film o de pelcula gruesa que contienen los transistores de salida, elementos pasivos asociados (resistores y capacitores) y los operacionales de excitacin en CI monoltico, todo este conjunto, en un solo encapsulado, constituyendo un bloque funcional integrado. Algunos de estos bloques funcionales podemos citar a modo de ejemplo el SK9189 que es un amplificador de
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------potencia de audio de dos canales con una potencia de salida por canal de 25 watios, o el SK7661 de un solo canal con una potencia de salida de 50 watios. Caractersticas elctricas especificas de los amplificadores de potencia para seales de audiofrecuencias Mencionaremos a continuacin, algunas de las caractersticas elctricas que identifican a los amplificadores de potencia de audio: a) Sensibilidad: Se la define como la seal que debemos aplicar en la entrada del amplificador para que entregue su potencia nominal. Los valores normales, para este tipo de amplificador, esta comprendido entre 100 y 200 mv. Para equipos profesionales oscila entre 0,7 a 1 volt (rms), para una frecuencia de normal de 1000 Hz. b) Impedancia de entrada: Es la que presenta en la entrada para una seal alterna de audio de 100Hz. Esta impedancia debe ser mayor o igual a la impedancia de salida del circuito que excita al amplificador. c) Impedancia de salida: Es la que presenta el amplificador a la carga. Esta debe ser lo mas baja posible. Suele estar comprendida entre 2 y 32 ohm. Son comunes 4 y 8 ohm. La carga debe adaptarse a estos valores sino no entrega la potencia mxima o puede distorsionar. ) Respuesta en frecuencia: Es la banda de frecuencias a la cual amplifica por igual. Lo normal es de 10 Hz a 20 Khz. Lo mnimo exigible para reproduccin de msica de audio, es de 40 Hz a 16 Khz, con una tolerancia de 3 db en su amplitud. Cabe destacar que para transmisiones de comunicaciones telefnicas, la seales audio se restringen (por razones practicas de densidad de envo de informacin) a una banda comprendida entre 300 Hz a 3000 Hz, sin deterioro de la comunicacin. Margen dinmico: Se entiende como el margen de sonoridad o intensidad sonora dentro del cual puede fluctuar el volumen de sonido de un programa de msica. Un amplificador ha de poseer gran potencia para reproducir sin distorsin los sonidos fuertes y debe ser poco ruidoso para reproducir los sonidos dbiles (Sin seal aplicada, el ruido o zumbido debe ser menor a 50 db). f) Ancho de banda de potencia: Son las frecuencias extremas de la banda, para las cuales la potencia de salida desciende 3db, sin que se deteriore el coeficiente de distorsin no lineal. Lo mnimo se exige entre 40 Hz a 16 KHz. g) Potencia de salida: Es la potencia nominal (eficaz) que entrega el amplificador sobre la carga nominal (4-8 ohm) a una frecuencia de 1000 Hz, manteniendo la distorsin por debajo del valor limite fijado (0,1 0,5 o 1 %), durante 10 minutos. h) Potencia musical: Se designa a la potencia que el amplificador entrega al parlante, manteniendo el coeficiente de distorsin no lineal, cuando La fuente de alimentacin es constante e independiente de la carga. Cuando la fuente de alimentacin del amplificador de potencia es estabilizada, la potencia musical coincide con la potencia de salida. ___________________________________________________________________ 23 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------i) Potencia senoidal de pico: Es el valor de pico o cresta de la potencia senoidal eficaz, o sea el doble de esta ultima. Notacin en decibeles Es de practica usual, expresar la ganancia de los amplificadores en gral, (sea en potencia tensin o corriente), en forma logartmica. Esto ocurre en el caso particular de los amplificadores de audio, ya que el odo humano responde de manera logartmica. En gral los potencimetros de control de volumen tienen una variacin logartmica de su resistencia con el desplazamiento angular de la perilla; esta accin dada la respuesta del odo, nos da la sensacin de una proporcionalidad entre el ngulo de desplazamiento de la perilla de control de volumen y la intensidad del sonido en el parlante. Otra ventaja de expresar cantidades en forma logartmica, es la contraccin de las escalas de representacin que nos permite graficar grandes variaciones de las variables que nos interesan, en un segmento acotado de pocos centmetros. Volviendo a la ganancia de los amplificadores, si denominamos P2 a la potencia de salida, y P1 a la potencia de entrada, el nmero de belios de ganancia de potencia esta dado por: N de belios = log P2 / P1 10 El belio resulta una unidad demasiado grande, lo cual da valores de belio menores que uno (1). Por esta razn se utiliza como unidad de expresin el decibel que es la dcima parte del belio 1 belio = 10 decibeles (db) la expresin anterior dada en decibeles nos queda: N de decibeles (db) = 10. log P2 / P1 10 Si la impedancia de entrada del amplificador es puramente resistiva e igual a R1 y si la impedancia de la carga es puramente resistiva e igual a R2, tenemos que: 2 2 2 2 N de db = 10 log[ |V2| / R2] / [ |V1| R1] = 10 log[ |I2| / R2] / [ |I1| R1 Si R1 = R2 nos queda. N de db = 20 log |V2 / V1| = 20 log |I2 / I1| Como aclaracin la ultima expresin solo tiene validez cuando repetimos R1=R2. Si R1 R2 la expresin anterior no es valida y solamente expresa una relacin de tensiones o corrientes expresada en decibeles. Si denominamos como Av y Ai respectivamente la ganancia de tensin y corrientes, sus valores expresados en decibeles sern: Av (db) = 20 log Av 10 Ai (db) = 20 log Ai 10 ___________________________________________________________________ 24 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Si resulta R1=R2 estos dos valores sern iguales y expresaran la ganancia de potencia en decibeles. Nivel absoluto de potencia (dbm) Aunque la notacin en decibeles es una razn de potencias, en ocasiones se modifica para indicar un nivel absoluto de potencia. En tales casos se escoge un nivel de referencia normalizado. Por ejemplo, el dbm es el nmero de decibelios por encima de un milivatio y esta dado por: Dbm = 10 log P / 1mw 10 100w -10 dbm 1mw 0 dbm 10mw 10 dbm 100mw 20 dbm 10w 40 dbm 20w 43 dbm Nivel relativo de la potencia (dbr) El dbr es obtenido de la relacin entre una seal en cualquier punto de un circuito y la seal en el origen de dicho circuito. Se usan niveles relativos y no absolutos y la unidad es simplemente el resultado neto de todas las ganancias y prdidas en un circuito desde un punto especifico de origen, al punto de medida. Nivel cero relativo de potencia ( dbr=0) : Este es el nivel absoluto de la potencia en dbm, medido en el punto definido para dbr= 0 . Relacin entre niveles absoluto relativo y y cero de la potencia Nivel absoluto = nivel relativo + nivel cero ( dbm) (dbr) (dbm) El dbr no es una potencia real susceptible de medir, sino simplemente una diferencia de niveles. Nivel absoluto de la tensin (dbu) Indica el nivel absoluto de la tensin en relacin a 775 milivoltios: V1 (dbu) = 20 log V1 / 0,775 voltios siendo V1 la tensin del punto de medida en voltios. Cuando una tensin de 775 mv es medida a travs de una resistencia de 600 ohm, una potencia de 1 mw es disipada. Los instrumentos con escala en dbu, como por ejemplo los voltmetros selectivos, estn calibrados a una carga de 600 ohm. Cuando la impedancia de carga es otra, la lectura de dbu, debe ser corregida de acuerdo a la siguiente formula: Correccin en db = 10 log 600/R ___________________________________________________________________ 25 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------10 R: impedancia de la carga Ejemplo: Medida de nivel en voltios = 34,6 voltios 33 dbu 33 dbm (para R = 600 ohm) Con diferentes impedancias tenemos que hacer correcciones: Carga 600 150 125 75 50 correccion 0 db +6 +7 +9 +11 potencia +33 dbm +39 +40 +42 +44
Aplicacin de los decibelios a una cascada de amplificadores
ve
A1 (30db)
A2 (20db)
A3 (10db)
vo
ZL
Habamos determinado que la ganancia total de los mdulos de las tres etapas (tensin, corriente o potencia), resulta igual al producto de las ganancias parciales de cada una de las etapas, (calculadas con la impedancia de entrada de la etapa que le precede) |AT| = |A1| . |A2| . |A3| Podemos entonces recordar que la conexin en cascada, me permite obtener una ganancia total suficientemente grande para la aplicacin del amplificador, partiendo de etapas parciales con moderados niveles de ganancia. Veamos ahora una ventaja si trabajamos en decibelios: 20 log |AT| = 20 log (A|1| . |A2| . |A3| ) 10 10 |AT|(db) = 20 log |A1| +20 log |A2| + 20 log |A3| 10 10 10 |AT|(db) = |A1|(db) + |A2|(db) + |A3|(db) Vemos que la ganancia total de las tres etapas en decibelios es igual a la suma de las ganancias parciales de las etapas, expresadas en decibelios.
Problema Aun amplificador de tensin, esta compuesto de tres etapas con ganancias de tensin Av1= 30 db , Av2 = 20 db y Av3 = 10 db. Calcular la tensin de salida para una tensin de entrada de 1 mv Distorsin en los amplificadores electrnicos La distorsin se la define como el conjunto de modificaciones no deseadas, que introduce el amplificador a la seal de salida, respecto a la seal de entrada. En un amplificador ideal, sin distorsin, la aplicacin de una seal senoidal en su entrada, da como resultado en su salida, de otra seal senoidal proporcional, de mayor amplitud. En los amplificadores reales, la seal de salida, no resulta una replica exacta de la forma de onda de la seal de entrada; se producen una serie de distorsiones que pueden existir en forma separada o simultneamente. Estas distorsiones, segn la fuente de generacin, se pueden clasificar en los siguientes tipos: Distorsin no lineal, Distorsin por frecuencia, Distorsin por retardo o desplazamiento de fase, Distorsin por generacin de ruido interno. Distorsin no lineal Esta se produce por la falta de linealidad de los elementos activos amplificadores como lo son, los transistores en gral. Podemos distinguir dos tipos de distorsin alineal: Distorsin alineal por amplitud y distorsin alineal por nter modulacin. Distorsin alineal por amplitud Representa el grado de distorsin de amplitud, introducida por el amplificador respecto a la seal de entrada. Ante una seal de entrada por ejemplo cosenoidal, la forma de onda de salida, diferir de ella, debido a la falta de linealidad, fundamentalmente, de las caractersticas elctricas VI de salida del transistor. Por ejemplo si excitamos con una corriente de base cosenoidal ib(t) = IBcoswt, la corriente instantnea de colector, la podemos expresar como un desarrollo en serie de Fourier, de la siguiente forma: (2) (3) iC(t) = IC + G1. ib + G2 . ib + G3.ib + .. iC(t) = IC + Bo + B1.cowt + B2.co2wt + B3.co3wt + .. IC : corriente de colector del punto de polarizacion. Bo : termino independiente B1 : Amplitud de 1 armnica cuya frecuencia coincide con la seal de entrada. B2 : Amplitud de 2 armnica de frecuencia doble a la frecuencia de la seal de entrada. B3 : Amplitud de 3 armnica de valor 3f En forma practica se pueden hallar los valores de Bo, B1, B2; B3, .. Un mtodo consiste en suponer un numero finito de trminos del desarrollo anterior e igualar este desarrollo con un numero idntico de valores conocidos de iC(t), correspondientes a distintos instantes elegidos adecuadamente ( se resuelve aplicando matrices). La distorsin armnica se define como: ___________________________________________________________________ 27 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------D2 = |B2| / |B1| D3 = |B3| / |B1| D4 = |B4| / |B1| La distorsin total o factor de distorsin se define como: ________________/ (2) (2) (2) D = D2 + D3 + D4 .. La potencia de salida PL, esta relacionada con la potencia proporcionada por la fundamental P1 por la siguiente expresin: _(2) _(2) _(2) PL = (B1/2). RL + (B2/2). RL + (B3/2). RL + . (2) (2) PL = [ 1 + (B2/B1) + (B3/B1) + .]. B1/2 . RL Finalmente reemplazando por las expresiones de las distorsiones armnicas y total, tenemos: (2) PL = ( 1 + D ) . P1 Por ejemplo para D = 10% PL = ( 1 + 0,01). P1 = 1,01 . P1 o sea un error del 1% Esto significa que si tenemos un factor de distorsin del 10%, el 99% de la potencia de salida, es proporcionada por la seal alterna fundamental o de 1 armnica. El factor D para una seal de audio, no esta relacionada directamente con la sensacin de molestia o indicacin subjetiva que se produce en el oyente, ya que dicha sensaciones mas desagradaba cuanto mayor es el orden del armnico distorsionante. Distorsin alineal por nter modulacin Esta se produce cuando la entrada del amplificador contiene dos o mas componentes senoidales. La alinealidad de los elementos activos, da lugar a que en la salida, se presenten seales elctricas cuyas frecuencias sean sumas y diferencias de todas las existentes en la entrad, producindose seales de alta frecuencia (agudos) desagradables. Analticamente, el proceso lo podemos explicar de la siguiente manera: ib(t) = IB1cow1t + IB2 . cow2 t + .. (2) (3) iC(t) = G1.ib(t) + G2.ib + G3. ib + (2) iC(t) = G1( IB1.cow1t +IB2.cow2t) + G2. ( IB1.cow1t +IB2.cow2t) + .. Desarrollando esta expresin y reemplazando los cosenos elevados al cuadrado por sus reemplazos trigonomtricos, se llega al siguiente desarrollo: iC(t) = G1. IB1.cow1t +G1.cow2t +G2.IB1/2 + G2.IB2/2 + G2.IB1.cos2w1t + G2.IB2.cos2w2t + G2.IB1.IB2.cos(w1+w2)t + G2.IB1.IB2.cos(w1-w2)t +......
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Como se puede observar, en la salida aparecen trminos continuos que modifican el punto de polarizacin, trminos de frecuencia de las seales de entrada y trminos con nuevas frecuencias, relacionadas a las sumas y diferencias de las seales de entrada. Distorsin de fase Esta se produce como consecuencia de que algunos de los componentes de la seal de entrada tardan mas tiempo en atravesar el circuito amplificador que otros, provocando el desfase. La causa se debe a los elementos inductivos y capacitivos del amplificador. Matemticamente, lo explicamos en el campo complejo donde el ngulo complejo de la ganancia compleja AV(wj), depende de la frecuencia. Para las frecuencias de audio no tiene ningn efecto desde el punto de vista de la sensacin auditiva. Si tiene importancia para la transmisin de imgenes por televisin, causando deformacin de ellas. Tambin el defasaje tiene importancia en la transmisin de datos por pulsos digitales codificados. Distorsin en frecuencia Esta relacionada con la distorsin que recibe una seal compuesta de varias frecuencias, debido a la variacin de la ganancia compleja A(jw) con la frecuencia. Una forma de comparar o establecer la fidelidad o linealidad en la reproduccin amplificada de una seal compuesta, por parte de un amplificador, es a travs de su denominada respuesta en frecuencias. Esto parte de las siguientes consideraciones: Cualquier forma de onda elctrica de entrada, puede desarrollarse en un espectro de Fourier. Si la onda es peridica, el espectro estar constituido por una serie de senos y cosenos cuyas frecuencias son mltiplos enteros de la frecuencia fundamental, siendo la frecuencia fundamental, la inversa del tiempo que media hasta que la onda se repite (periodo T). Si la onda no es peridica, entonces el periodo fundamental se prolonga desde un tiempo a +. Entonces la frecuencia fundamental (inversa del periodo) es infinitamente pequea. Para este caso las frecuencias de los trminos sucesivos de la serie de Fourier, difieren en su valor infinitesimal, en lugar de un valor finito y la serie de Fourier, se transforma en una integral de Fourier. Para cualquier caso (peridica o no peridica) el espectro incluye trminos cuyas frecuencias van de cero a infinito. Consideraciones sobre la fidelidad o linealidad
Vi(t) Av
Vo(t)
Consideremos una seal elctrica dada por: ___________________________________________________________________ 29 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Vi(t) = Vm.sen (wt+) Si el amplificador tiene una ganancia de tensin Av (modulo o amplitud) y si la seal sufre un cambio de fase (Angulo de desviacin), entonces la tensin de salida del amplificador tendr la siguiente forma: Vo(t) = Av. Vm . sen (wt + + ) donde: Av. Vm : amplitud de la seal de salida : Angulo de fase de entrada para t= 0 Wt : Angulo instantneo : Angulo de desviacin Esta expresin tambin la podemos expresar como: Vo(t) = Av . Vm . sen [ w (t+/w) + ] Donde D /w resulta el tiempo de desplazamiento que tuvo la seal de entrada al pasar por el amplificador. Como conclusin, podemos decir que si el valor de Av es independiente de la frecuencia y si el desplazamiento de fase es proporcional a la frecuencia (o es nulo), el amplificador conservara la forma de onda de la seal de entrada, si bien la seal se desplaza en un tiempo D /w. Esto nos lleva a considerar que el punto hasta el cual la amplitud de la respuesta del amplificador no es uniforme y el desplazamiento del tiempo no es constante con la frecuencia, nos servir para medir la falta de linealidad o fidelidad que se espera del amplificador. En gral no es necesario especificar la respuesta de amplitud y fase. Conociendo solo uno de ellos, el otro esta determinado.
Vo Vomax 0,707 Vomax
0 f1 10f1 0,1f2 f2 f
Para una etapa amplificadora, la caracterstica o respuesta en frecuencia, se divide en tres regiones: a) La regin de frecuencias medias, donde el modulo de Av es prcticamente constante y el desplazamiento D /w = cte b) La regin de las frecuencias bajas, donde el amplificador puede compararse a un circuito pasivo pasa altos en donde |Av| aumenta con el aumento la frecuencia. c) La regin de las frecuencias altas donde el amplificador se asemeja a un circuito pasivo pasa bajos, en donde |Av| disminuye con el aumento de la frecuencia. ___________________________________________________________________ 30 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------La figura anterior muestra la curva tpica de la respuesta en frecuencia de un amplificador, respecto a la tensin de salida. En ella f1y f2 de denominan frecuencias criticas o de corte. Los valores de la s frecuencias de corte corresponden para un valor vo = 0,707. Vomax , siendo Vomax el valor de la tensin de salida para frecuencias medias. Para los valores de f1 y f2 la potencia de salida cae a la mitad del valor a frecuencias medias. Si expresamos la tensin de salida en decibelios, entonces para f1 y f2 Vomax(db) cae en - 3 db. El intervalo de las frecuencias medias, se establece entre 10.f1 y 0,1.f2. Al valor de frecuencia f1 se le denomina tambin frecuencia de corte inferior y a f2, se le denomina frecuencia de corte superior La forma de la grafica para las bajas frecuencias, se deben fundamentalmente a los capacitores de acoplamiento entre etapas y capacitores de desacoplo CE en el caso del amplificador en emisor comn con resistencia de emisor para polarizacion y estabilizacin. La respuesta en altas frecuencias se debe a las capacidades de los elementos activos e inductancias y capacidades parasitas del resto del circuito. El estudio de cada regin, requiere analizar el circuito incremental con los elementos reactivos asociados a cada circuito electrnico en particular. Para simplificar y comprender de manera mas sencilla el fenmeno, desarrollaremos el circuito pasivo pasa altos, para las bajas frecuencias y el circuito pasivo pasa bajos para las altas frecuencias Anlisis de la respuesta en baja frecuencia con el filtro pasivo pasa alto
Resolviendo con la transformada de Laplace tendremos: V2(S) = R . V1(S) / ( R + 1/SC ) La funcin de transferencia en la variable S nos da: Ab(S) = V2(S)/V1(S) = S / ( S + 1/RC ) Vemos que esta funcin tiene un cero en el origen y un polo en S= -1/RC. En el dominio de las frecuencias reales, hacemos S = jw y reemplazamos en la funcin de transferencia: Ab(jw) = V2(jw) / V1(jw) = jw / (jw + 1/RC ) = 1 / ( 1 + 1 / RC. Jw) si hacemos wb 1/RC ; fb = wb/2 ___________________________________________________________________ 31 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Ab(jf) 1 / [ 1 j(wb/w)] = 1 / [ 1 j(fb/f)]
Determinando el modulo de Ab(jf) tendremos: ________ / 2 |Ab(jf) = 1 / 1 + (fb/f)| __ Para f = fb |Ab(jf)| = 1/ 2 = 0,707 (frecuencia de corte inferior) __ En decibelios |Ab(jf)| = 20 log 1/ 2 = -3 db 10 Para f = fb/10 (fb/f) >> 1 por tanto |Ab(jf)| = 1/10 En decibelios |Ab(jf)| = 20 log 1/10 = -20 db 10 Decimos entonces que el modulo (amplitud) cae -20 db por dcada Si calculbamos para f = fb/2 corresponda una cada del modulo de -6 db y decimos entonces que la amplitud cae en -6 db por octava La representacin grafica del modulo y del defasaje, en funcin de la frecuencia, se muestra en la siguiente figura
|Ab(jf)| 0db -3db fb/10 fb Log (f) 10
-20db +90
Defasaje = arc tg (fb / f)
45 0 fb
Anlisis de la respuesta en alta frecuencia con el filtro pasivo pasa bajos
Resolviendo con la transformada de Laplace tendremos: V2(S) = 1/SC . V1(S) / ( R + 1/SC ) La funcin de transferencia en la variable S nos da: Ab(S) = V2(S)/V1(S) = 1 / ( 1 + S.RC ) Vemos que esta funcin tiene un polo en S= -1/RC. En el dominio de las frecuencias reales, hacemos S = jw y reemplazamos en la funcin de transferencia: Ab(jw) = V2(jw) / V1(jw) = 1 / (1 + jw.RC ) = 1 / ( 1 + jw RC) si hacemos wa 1/RC ; fa = wa/2 Ab(jf) 1 / [ 1 + j(w/wa)] = 1 / [ 1 +j(f/fa)] Determinando el modulo de Ab (jf) tendremos: ________ / 2 |Ab(jf)| = 1 / 1 + (f/fa)| __ Para f = fa |Ab(jf)| = 1/ 2 = 0,707 (frecuencia de corte superior) __ En decibelios |Ab(jf)| = 20 log 1/ 2 = -3 db 10 Para f = 10. fb (f/fa) >> 1 por tanto |Ab(jf)| = 1/10 En decibelios |Ab(jf)| = 20 log 1/10 = -20 db 10 Decimos entonces que el modulo (amplitud) cae -20 db por dcada Si calculbamos para f = 2. fb, corresponda una cada del modulo de -6 db y decimos entonces que la amplitud cae en -6 db por octava
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------La representacin grafica del modulo y defasaje en funcin de la frecuencia, se muestra en la siguiente figura: |Ab(jf)| 0db -3db fa 10fa Log (f) 10
-20db 0 fa f
-45 -90
Defasaje = -arc tg (f / fa)
Respuesta global con la respuesta para un amplificador Vo Vomax 0,707 Vomax
0 fb 10fb ve A 0,1fa fa vo f
La grafica muestra la respuesta global con la frecuencia de la tensin de salida del amplificador (vo), donde fb y fa son las frecuencias de corte inferior y superior respectivamente. Previamente hemos analizado las regiones de baja y alta frecuencia, utilizando los circuitos sencillos pasa altos y pasa bajos. Un anlisis cuantitativo de las ___________________________________________________________________ 34 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------tres regiones requiere hacerlo sobre el circuito incremental real del amplificador. El resultado, nos lleva a graficas parecidas a las obtenidas con los circuitos simples antes mencionados. La diferencia sustancial surge en las frecuencias medias que si bien vo se mantiene prcticamente cte., su valor es sustancialmente mayor en los circuitos analizados de los amplificadores, dado el factor ganancia que lo afecta (vo = Av.ve) (los circuitos pasivos tienen ganancia unitaria en la regin que correspondera a las frecuencias medias) Utilizando las formulas desarrolladas anteriormente para determinar la variacin del modulo con la frecuencia, en los circuitos pasivos, podemos presentar una ecuacin global que me represente la variacin de la tensin de salida del amplificador (o en su defecto su ganancia Av) , en todo el rango de frecuencias de funcionamiento. _________ ________ / 2 / 2 | vo | = | vomax | / 1 + (fb/f) . 1 + (f/fa) Analicemos esta ecuacin en las tres regiones: a) frecuencias medias: 10 fb f 0,1 fa 2 2 En este caso se verifica que (fb/f) 0 y (f/fa) 0 | vo | = | vomax | b) Frecuencias bajas: 2 En este caso (f/fa) 0 f 10 fb
_________ / 2 | vo | = | vomax | / 1 + (fb/f) c) Frecuencias altas: 2 En este caso (f/fa) 0 f 0,1 fa
| vo | = | vomax | /
_________ / 2 1 + (f/fa)
Representacin de bode (curvas de Bode) Vimos que la respuesta en frecuencia de un amplificador, o de cualquier red lineal, se determina por medio de las graficas del modulo y del defasaje de la funcin de transferencia ( sea tensin, corriente o potencia). Estas graficas, se les denomina curvas de Bode. Estas curvas, pueden aproximarse mediante porciones lineales. Esta caracterstica de tramos lineales, interconectados, se denomina curvas de Bode idealizadas. Tanto para la representacin del modulo como la fase, se utiliza al eje X, para representar a la frecuencia. Como la variacin de esta ultima, puede comprender un rango de frecuencias desde 0Hz a cientos de KHz o cientos de MHz, resulta ___________________________________________________________________ 35 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------prcticamente imposible su representacin en una escala lineal. Es por ello que para representar a los valores de la frecuencia, se recurre a una escala logartmica. En ocasiones, se suele representar el valor relativo de la frecuencia, respecto a alguna frecuencia de corte y en escala logartmica, y no su valor absoluto. Por ejemplo se puede representar en el eje de las X el log (f/fa) o log (fb/f). Respecto al eje Y, se representa el modulo de la funcin de transferencia, expresado en decibelios o sea 20 log |A|. Tambin se puede expresar el valor relativo del modulo respecto al valor del modulo para las frecuencias medias, como 20 log (|A| / |Am|). Para el cambio de fase o argumento de la funcin de transferencia se utiliza el eje Y en escala lineal, el valor dado normalmente en grados. Ejemplo: La funcin de transferencia de un amplificador presenta la siguiente caracterstica: _________ / 2 Modulo: | Aa(jf) | = | Am | / 1 + (f/fa) _________ / 2 1 + (f/fa)
Modulo normalizado:
| Aa(jf)| / |Am | = 1 /
Defasaje:
a = -arc tg (f/fa)
Representaremos a continuacin las curvas de Bode, incluyendo las idealizadas. Para estas representaciones, conviene utilizar papel con escala semilogaritmica donde se representar la frecuencia normalizada, respecto a la de corte fa y en ordenadas se utiliza una escala lineal pero expresado el modulo en decibelios.
Modulo 20log|A|/|Am| 0,1 0db -3db -6db 1 2 10 f / fa
-20 db Fase (grados) 0 f/fa -45 -90 ___________________________________________________________________ 36 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Para determinar la curva idealizada, vemos que para frecuencias menores a fa, la curva se aproxima a la asntota que coincide con el eje de absisas (frecuencia normalizada). Para frecuencias mayores a fa, la curva se aproxima a la asuntota que tiene una cada de 20 db por dcada (10 veces la frecuencia normalizada) o 6 db por octava (el doble de la frecuencia normalizada. Por lo tanto, la curva idealizada de Bode, para una funcin que tiene un polo, esta dada por las dos asuntotas que se cruzan en la frecuencia fa. No obstante el valor real de la funcin en la frecuencia fa, esta por debajo de 3db. La curva idealizada de la fase se representa por tres asntotas: a) Una horizontal coincidente con el eje de absisas hasta f = 0,1 fa. b) Una asuntota con pendiente -45 que pasa por f =fa y f = 10.fa con una cada de 45 por dcada. c) Una asuntota horizontal que parte desde f= 10.fa hasta f = Las curvas de Bode, se utilizan para representar la respuesta en frecuencia de un amplificador y analizar la estabilidad de los amplificadores realimentados. Distorsin por generacin de ruido en los amplificadores Existe un lmite en la amplificacin de un circuito electrnico. La causa del mismo se debe a la aparicin de una pequea seal en la salida aun cuando no tengamos la seal elctrica de entrada; a este fenmeno, se le denomina ruido del amplificador. Para el caso de recepcin de pequeas tensiones, como las de radiofrecuencias de radio, televisin o radar, puede que sea imposible distinguirlas del ruido de fondo. El termino ruido proviene de la circunstancia que, en ausencia de seal en la entrada, en el parlante de salida de un amplificador de audio, con el control de volumen puesto al mximo, se escucha un chasquido o soplido. El caso de un amplificador de video, suele emplearse la palabra nieve en lugar de ruido, debido a la aparicin de una imagen parecida a la nieve en la pantalla de televisin cuando esta sintonizando una seal muy dbil. Analizaremos a continuacin las diversas causas que pueden provocar estos ruidos. Ruido trmico o de Johnson: Los electrones de un conductor poseen distintos valores de energa debido a la temperatura del conductor. Ligeras fluctuaciones de de energa en torno a los valores de su distribucin mas probable, producen pequeos potenciales de ruido dentro del conductor. Los valores eficaces de la tensin de ruido Vn debido a una resistencia a una resistencia elctrica, dentro de un margen de frecuencias fa fb vienen expresados por la siguiente ecuacin: Vn2 = 4 . K .T. R .B K : constante de Boltzman, en J/k T : temperatura de la resistencia , en k R : resistencia electrica, en, B : ancho de banda , fa fb Debe destacarse que la potencia de ruido existir en un ancho de banda dado, independiente de la frecuencia central del mismo. Tal distribucin, que nos da el mismo ruido por unidad de ancho de banda en cualquier lugar del espectro, se denomina ruido blanco ___________________________________________________________________ 37 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Por ejemplo si consideramos la resistencia de entrada (Rs) de un amplificador ideal (sin ruido), la tensin de ruido a la entrada del amplificador, la podemos obtener con la formula anterior; para R =1 M , a temperatura ambiente y un ancho de banda de 10 KHz, la tensin de ruido Vn = 13 V. Vemos entonces que si el amplificador tiene un ancho de banda grande, entonces la resistencia de entrada, de la fuente de excitacin (Rs) debe ser baja para no tener excesivo ruido en la salida, teniendo en cuenta que la tensin de ruido tambin sufre el efecto de amplificacin. Efecto Shot o Schottky El ruido Schottky se atribuye a la naturaleza discreta de los portadores de corriente en los semiconductores. Se supone que la corriente de polarizacin es un valor constante en todo instante. Sin embargo la corriente de emisor a colector esta constituida por un flujo de electrones o huecos y solamente es constante el valor medio. La fluctuacin en el numero de portadores se denomina efecto Schottky. El valor cuadrtico medio de la corriente de ruido en un elemento ser: In2 = 2.q.Idc.B q : carga del electrn Idc : corriente continua B : ancho de banda. Si la resistencia de carga es RL, aparecer una tensin de ruido de valor In. RL a travs de la carga. Figura o factor de ruido Definamos los siguientes trminos: SPi (SVi ) Potencia (tensin ) de entrada de la seal NPi (NVi ) Potencia (tensin ) de entrada del ruido debido a RS . Nvi = Vn SPo (SVo) Potencia (tensin ) de salida de la seal NPo (SVo ) Potencia (tensin ) de salida de ruido debido a RS y a cualquier otra fuente de ruido dentro del dispositivo activo. El factor de ruido se define como: NF 10 log10 Potencia de salida del ruido total / potencia de salida del ruido debido a Rs NF = 10 log10 NPo / AP . NPi donde Ap = SPo / SPi ; reemplazando :
NF = 10 log10 NPo. SPi / SPo . NPi = 10 log10 SPi / NPi / SPo / NPo El cociente SP / NP se denomina Relacin de potencia seal-ruido El factor de ruido es la relacin de potencia seal-ruido a la entrada y la relacin de potencia seal-ruido a la salida. Expresado en decibelios resulta la diferencia, en decibelios, entre las relaciones potencia seal-ruido en la entrada y la salida. Puesto que la seal y el ruido aparecen en la misma carga, toma la forma de : ___________________________________________________________________ 38 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------NF = 20 log10 SVi / NVi / SVo / NVo = 20 log10 SVi / NVi - 20 log10 SVo / NVo Donde la relacin SV / NV se denomina relacin de tensin seal-ruido Ruido del transistor bipolar Adems del ruido trmico de un transistor, existe un ruido debido al movimiento al azar de los portadores que atraviesan las uniones de emisor y colector, y a la recombinacin fortuita de huecos y electrones en la base. Hay tambin un efecto de reparo debido a las fluctuaciones casuales de la divisin de corriente entre el colector y la base. La experiencia demuestra que un transistor no genera ruido blanco, excepto en la mitad de la banda. La cantidad de ruido generada depende tambin de las condiciones de polarizacin y de la resistencia de la fuente. Por lo tanto para especificar el ruido de un transistor bipolar, hay que dar la frecuencia central, el punto de funcionamiento y Rs. Los fabricantes suministran curvas del factor de ruido para un determinado ancho de banda, y punto de polarizacin y distintos valores de la resistencia de fuente Rs. Tambin suministran curvas del factor de ruido incremental o de una sola frecuencia, para condiciones especificas de polarizacin y resistencia de fuente y distintos valores de la frecuencia de la seal de entrada. Ruido en los transistores de efecto de campo (FET) Los FET, tienen una excelente caracterstica de ruido. Las principales fuentes de ruido son el ruido trmico del canal de conduccin, el efecto Skothhky, provocado por las corrientes de fuga de puerta, y el ruido proporcional a 1/f de los efectos superficiales.

2 3 Transistor Potencia Relacion

Cargado por

Información del documento

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

2 3 Transistor Potencia Relacion

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif.

___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Ic 2IC Recta de carga esttica Q Recta de carga dinmica --1/RL

0 VCC 2VCC vCE

0 VCC iC VCC/RC vL ve vCE

___________________________________________________________________ 10 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

ve t Generador Diente de sierra vs ve ve

Amplificador de potencia pulsante

Realimentacin ve ___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

___________________________________________________________________ 13 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

t Distorsin Cruce cero

___________________________________________________________________ 16 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

___________________________________________________________________ 17 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Q ___ IC2= VCC/ZL

___________________________________________________________________ 18 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

__ IC 0 pCC = VCC . iC iC=iC1 = iC2 2 3 wt

El circuito modificado nos queda de la siguiente forma:

___________________________________________________________________ 22 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Aplicacin de los decibelios a una cascada de amplificadores

___________________________________________________________________ 26 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

___________________________________________________________________ 28 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Vo Vomax 0,707 Vomax

|Ab(jf)| 0db -3db fb/10 fb Log (f) 10

Defasaje = arc tg (fb / f)

___________________________________________________________________ 32 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Anlisis de la respuesta en alta frecuencia con el filtro pasivo pasa bajos

___________________________________________________________________ 33 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Defasaje = -arc tg (f / fa)

Respuesta global con la respuesta para un amplificador Vo Vomax 0,707 Vomax

_________ / 2 | vo | = | vomax | / 1 + (fb/f) c) Frecuencias altas: 2 En este caso (f/fa) 0 f 0,1 fa

Modulo 20log|A|/|Am| 0,1 0db -3db -6db 1 2 10 f / fa

___________________________________________________________________ 39 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

También podría gustarte