Transistores Notas para su utilizacin en aplicaciones de conmutacin

Autor: Fernando Cofman

Transistores
Notas para su utilizacin en aplicaciones de conmutacin
El transistor es un dispositivo semiconductor, que presenta dos modos de funcionamiento: lineal y no lineal. El inters en las aplicaciones de conmutacin se centra en la parte no lineal, que permite utilizar dos estado claramente diferenciados (corte y saturacin; 1 lgico y 0 lgico). Las ecuaciones que describen el modelo lineal se pueden utilizar para calcular el comportamiento hasta que el dispositivo entra en la zona no lineal, siendo que una vez en sta, dichas ecuaciones dejan de tener validez. Existen diversos tipos de transistores, entre ellos los TBJ BJT (Transistor Bipolar de Juntura), los TECJ JFET (Transistor de Efecto de Campo de Juntura), MOS-FET TECMOS y otros. Los ms habituales son los TBJ y en ellos se centrar esta referencia. Estos transistores se modelan a travs de dos mallas: la malla de entrada y la de salida. La de entrada est dada por la base B y el emisor E mientras que la de salida por el colector C y el emisor E. Resulta evidente que el E resulta comn a ambas. A su vez, existen dos tipos de TBJ y su diferencia radica en el sentido de circulacin de las corrientes:

Nota: En lo que sigue, se utilizar como ejemplo el tipo NPN dado que es el ms comn, aunque para el PNP sigue siendo todo vlido (con la precaucin de que los sentidos de referencia han cambiado).

Las ecuaciones que relacionan las distintas corrientes quedan dadas por: I C = .I B +1 I E = I B + I C = I B .(1 + ) = I C . donde es la denominada ganancia de corriente y es una caracterstica de cada transistor. En la prctica se observa que el valor de es bastante mayor a la unidad ( 100 a 800) y se suele aproximar: +1 I E = I C . IC Adems, es muy variable de un transistor a otro, incluso del mismo modelo (por ejemplo en el TBJ NPN 2N3904, su valor vara entre 100 y 300), por lo que se vuelve necesario disear circuitos cuyo comportamiento sea poco dependiente de su valor.

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Otro aspecto importante es que entre los terminales de entrada B y E se observa el comportamiento de un diodo, de modo que existir una diferencia de potencial VBE que rondar los 0,7 V. Si dicha tensin cae por debajo de este valor, la corriente IB ser prcticamente nula (dando lugar al corte del transistor) y consecuentemente tambin lo ser IC. Adems, existe una limitacin en la malla de salida, siendo que hay una mnima tensin entre el C y el E. Dicha tensin (que da lugar al estado de saturacin) se denomina tensin VCE de saturacin (VCEsat) que es del orden de 0,3 a 0,7 V. Las razones por la que se utilizan estos dos estados en este tipo de aplicaciones pueden resumirse en dos: Estabilidad: Se observa que estos dos estados constituyen valores extremos (o lmites) por lo que variaciones (o ruido) en la entrada no tendr gran incidencia en la salida. Potencia: La potencia que consume el transistor est dada por: PD = VCE .I C En cualquiera de los dos estados, ese producto es mnimo; no lo sera si se buscaran puntos intermedios.
Nota: Adems de la mxima potencia disipada, existen otros lmites que especifica el fabricante dentro de los cuales es seguro operar el dispositivo, por ejemplo IC mxima, VBE mxima, VCE mxima, etc. que tambin constituyen condicionamientos de trabajo.

En la prctica, se busca alcanzar alguno de estos dos estados (corte y saturacin) segn cierta salida lgica (de una compuerta, un microcontrolador, etc.). Un circuito muy sencillo que suele utilizarse con bastante frecuencia es el siguiente:

Las resistencias que aparecen pueden ser reales o el equivalente de algn dispositivo que se conectar en su lugar; ej.: un buzzer que requiere de 5 V / 20 mA para accionarse puede modelarse como una resistencia de 250 . Siguiendo un anlisis formal, se pueden extraer expresiones que permitan calcular los distintos parmetros de diseo que se presentan en un caso real: Para que este circuito funcione correctamente ante un 1 l gico, debe cumplirse que VBE = 0,7 V, por lo tanto se puede escribir la ecuacin de la malla de entrada como: Vi = I B . R B + V BE = I B . RB + 0,7V

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Ahora, la malla de salida queda descripta por: VCC = I C .RC + Vo Vo = VCC I C .RC Dado que el terminal E se encuentra conectado a masa (VE = 0 V), resultar que la tensin de salida Vo = VC = VCE se puede obtener a partir combinando ambas expresiones, por lo que: V i 0,7V Vo = VCC (.I B ).RC = VCC . R B .RC

Debe recordarse que Vo = VC = VCE no debe ser inferior a VCEsat, por lo que una vez excedido este lmite, Vo = VCEsat independientemente de cuanto se incremente Vi. Para el caso en que la entrada al circuito es un 0 lgico, se desea que el diodo est cortado, es decir IB < IBmin . Esto, en general no resulta difcil de cumplir. A continuacin se ilustrar el procedimiento de diseo con un ejemplo: Supngase que se desea conectar a la salida de una compuerta a un relay con las especificaciones: Compuerta NAND (74S00) VOH 2,7 V VOL 0,5 IOH -1 mA IOL 20 El circuito resultante ser: Relay 12 350 50 2

VL VSmax IL ISmax

V mA A

En este caso, por los datos del problema, VCC = 12 V, RC = 240 y Vi = 0,5 V 2,7 V. Adicionalmente, debe seleccionarse un transistor con la suficiente ganancia de corriente, capaz de manejar la corriente requerida y soportar las tensiones que se emplean en el circuito ( mnimo > 100, IC mxima > 100 mA y VCE mxima > 12 V). Adems, debe considerarse que el costo de los TBJ (para aplicaciones afines) suele estar asociado a su capacidad tanto de manejar corriente as como tambin de disipar potencia. De todo esto, se encuentra que el modelo 2N3904 resulta adecuado, ya que cumple con los requisitos anteriores y a su vez no resulta sobredimensionado.

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Sus caractersticas son: TBJ NPN 2N3904 PD mxima 625 VBE on 0,7 VCE mxima 40 VCE saturac. 0,3 IC mxima 200 IB mnima 0,05 100 mnimo

mW V mA -

Si la salida de la compuerta es un 0, habr 0 ,5 V en la entrada del circuito (que es menor que los 0,7 V requeridos), resultando: I B 0 I C 0 Vo = VCC por lo que no circular corriente por la bobina del relay. Para verificar la potencia requerida, se tiene: PD = VCE .I C = VCC .0 = 0 Cuando la salida sea un 1, habr 2,7 V en la entrada del circuito y se desea que esa condicin sature al transistor (se busca una corriente levemente superior a la que produce que VCE = VCEsat). Adems, el peor caso es el que es mnimo, por lo que: Vi 0,7V V o = VCEsat = VCC . R .RC B 2,7V 0,7V 0,3V = 12V 100. .240 RB Despejando RB se obtiene el mximo valor con el que se alcanza saturacin dada una entrada 1: RB = mn .RC .(Vi 0,7V ) VCC VCEsat 100.240 RB = .2V = 4,1k 11,7V

El mayor valor comercial inferior al calculado corresponde a 3,9 k, que ser la mejor opcin para este circuito. Con este valor, se debe verificar que la corriente que demanda puede ser suministrada por la compuerta: IB = Vi 0,7V 2V = RB 3,9k I B = 512A < I OH
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Solo resta verificar que la potencia que se disipar en esta condicin tampoco excede el lmite: PD = VCE .I C VCEsat .I C = 0,3V .50mA PD = 15mW Un componente adicional que figura en el circuito y aun no se ha mencionado es el diodo en paralelo con la bobina. El mismo se utiliza cuando se conectan cargas con importantes componentes inductivas y es para que absorba los sobrepicos que se puedan producir debido a los transitorios. La caracterstica principal a la hora de elegir este diodo ser la tensin inversa que es capaz de soportar.

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