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Circuitos de Disparos
Circuitos de Disparos
Flujo de Potencia
Carga
Elementos de clculo
Esquema de un convertidor de potencia. En este tema estudiaremos circuitos amplificadores (Drivers) siguientes caractersticas: con las
Toman seales procedentes de un sistema digital (5V, 3.3V...) y las amplifican a niveles adecuados para la conmutacin de dispositivos de potencia. Dependiendo de las caractersticas del dispositivo a controlar, podrn ser de baja o media potencia. Deben generar seales adecuadas para garantizar: La conmutacin rpida con prdidas mnimas. La entrada en conduccin segura del dispositivo, con prdidas en conduccin mnimas. El corte seguro evitando que entre en conduccin espontneamente. Deben incluir las protecciones adecuadas para evitar la destruccin del dispositivo que controlan: Sobrecorriente. Tiempos muertos en ramas de puentes.
Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 2 de 27
Circuito de Mando
Amplificadores de potencia
Dispositivo de Potencia
V BB I2 TB
Comparador
VBE (TA )
Circuito de VBB Disparo
Comparador
Vcc
Carga
VBB R1
R1 R2
ts
Circuito de Disparo
Vcc
Carga
I1
TA
I B (TA )
R1 R2 CGS
Comparador
M1
T1 R G T2 CGS
M1
(a) Circuito de Control de la Corriente de Base de un BJT. (b) Formas de Onda de Tensin y Corriente durante el Corte
R2 =
V BE almacenamiento I Balmacenamiento
VBB
I Bon = I 1
VBEon (TA )
Circuitos de Control de Puerta de un Interruptor MOSFET o IGBT de Potencia En el circuito a): on=(R1+R2)CGS y off= R2CGS ; Problemas: Si se necesita conmutar a alta velocidad, deben ser ambas resistencias de valor pequeo. Aparece una disipacin de potencia importante durante toff debido al 2 pequeo valor de R1: Poff(toff/T)(VBB /R1). En el circuito b): on= off= RGCGS. No se presenta el problema de disipacin, al conducir slo uno de los dos transistores a la vez. Puede hacerse RG muy pequea (incluso cero). La carga y descarga de la capacidad de puerta podr hacerse mucho ms rpido y por tanto la conmutacin del dispositivo (MOS o IGBT). Existen en el mercado numerosos CI con salida anloga a esta ltima, por ejemplo DS0026 UC1707 que pueden suministrar hasta 1Amp.
1. Se parte de una velocidad de corte deseada, a partir de la cual se estima el valor de la corriente negativa que debe circular por la base durante el tiempo de almacenamiento (corte del BJT de potencia, ecuacin 9-1). 2. Conocido el valor de la corriente de base y de tensin base-emisor con el BJT en estado de conduccin, se determina I1 de la ecuacin 9-2. 3. Se calcula R1 de la ecuacin 9-3, suponiendo que VBB vale unos 8 Volt. Un valor pequeo de VBB disminuye las prdidas (del orden de VBB.I1) en el circuito de base pero, un valor excesivamente pequeo de VBB aumenta la influencia de VBEon en el circuito de base (ecuacin 9-3).
Circuito de Disparo
Comparador Tensin de Referencia
VBB+ Con
RB
Vcc
Circuito de control
+
Tb+ TA Tb
BJT MOS Divisor de tensin capacitivo
Vcc
VBB
Tb+
A
VBB 2
La tensin Vcc vale 55Volt., la resistencia de puerta es de 50 Ohmios y la tensin VGS vale inicialmente +20Volt. cambiando a 0Volt. en el caso Unipolar y a 20Volt. en el caso Bipolar. El retraso que se observa entre ambos casos es de unos 35nS.
Tb
IB
VBB 2
TA
Se puede comprobar, que gracias al divisor de tensiones capacitivo, se puede aplicar al transistor de potencia (MOS o IGBT) una tensin negativa a su entrada (al saturar el transistor Tb- cuando se corta el transistor Tb+ ).
VBB
Optoacoplador
Salida hacia el driver
Referencia Digital
Seal de Control Optoacoplada El fotoacoplador permite conseguir un buen aislamiento elctrico entre el circuito de control y el de potencia. Este tipo de aislamiento ofrece como inconveniente la posibilidad de disparos espreos en las conmutaciones del interruptor de potencia, debido a la capacidad parsita entre el LED y el fototransistor. Otro problema se debe a la diferencia de potencial entre las tierras del fotodiodo y del fototransistor que no debe superar la tensin de ruptura. Para minimizar estos dos inconvenientes se pueden usar fibras pticas, (inmunidad al ruido EMI, aislamiento de alta tensin y evitan el efecto inductancia de los cables largos). No permiten transportar potencia, slo seal, por lo que ser necesario una fuente de alimentacin auxiliar y un amplificador.
Alimentacin de Potencia
Entradas de control
Necesidad de aislamiento de la Seal Lgica de Control: Tensiones elevadas (lineas rojas). Necesidad de proteccin del personal que maneja los equipos de control. Diferentes niveles de tensin dentro del convertidor y por tanto diferentes referencias para las salidas Base-Emisor (Puerta-Fuente) de los drivers. Se necesitan diferentes fuentes de alimentacin auxiliares para los diferentes niveles de tensin. Existen diferentes mtodos que se estudiarn en los prximos apartados. El aislamiento galvnico se consigue empleando optoacopladores o transformadores de pulsos.
DA
RG
VBB
Optoacoplador
Optoacoplador
Circuito de Control de Puerta, con Aislamiento Optoacoplado de la Seal de Control Este circuito es til para hacer funcionar interruptores MOS a velocidades bajas (Los circuitos integrados digitales CMOS tienen una impedancia de salida alta). Para velocidades mayores pueden usarse circuitos especializados con impedancia de salida mucho menor, por ejemplo IXLD4425, 3Amp y 15Volt.
Circuito de Control de Base, con Aislamiento Optoacoplado de la Seal de Control El diodo DA sirve para evitar la saturacin completa del BJT de potencia y as acelerar su conmutacin.
Vo
Vd
Seal de Control de Alta Frecuencia, Aislada con Transformador de Pulso El transformador de pulsos permite transportar una seal de cierta potencia, y a veces puede evitarse el uso de una fuente de alimentacin auxiliar. El problema es que no pueden usarse pulsos de baja frecuencia debido a la inductancia de magnetizacin. Para pulsos de frecuencias superiores a la decena de kHz y con D0.5 pueden conectarse directamente, conectndose bien a la puerta de transistores de potencia, o en circuitos anlogos a los vistos sustituyendo a fotoacopladores.
Modulador
Demodulador
Seal de Control de Baja Frecuencia Aislada con Transformador de Pulso La frecuencia del oscilador podra ser por ejemplo de 1MHz, y los diodos rectificadores sern de alta frecuencia, pero de seal.
Vc Q /Q Vo Vd
Entrada al driver
Circuito de potencia Cp
ic N1
BJTPotencia
Q
Oscilador
ib N2
T2
R2
Buffer
Vcontrol
C2
C1
RG
Buffer Schmitt-trigger
T1
Circuito de disparo
DB
N3
vi
vo
Circuito de Base con Seal de Control Aislada mediante Uso de Transformadores de Pulso. Aplicacin para Frecuencias de Trabajo Elevadas y Ciclo de Trabajo Aproximadamente Constante. Evita Fuente de Alimentacin. Si T1 est conduciendo, ib sera negativa y por tanto, T2 se cortar. La corriente de magnetizacin por el transformador (por Lm) ser transcurrido un tiempo: ipVBB/Rp. Al cortar T1 cuando por Lm circula ip, se hace circular una corriente por la base, y por tanto por el colector, de forma que al interactuar los devanados 2 y 3 ser: ib=icN3/N2. Adems, durante el tiempo que est cortado T1 Cp se descargar por Rp. Si en estas condiciones se vuelve a saturar T1, la tensin aplicada al devanado 1 es VBB y la corriente ip por el transformador podr ser muy alta, de forma que: ib= icN3/N2- ipN1/N2 Si se eligen adecuadamente las relaciones de transformacin, podr hacerse la corriente de base negativa y se cortar el transistor de potencia.
Vcontrol Q
Q
vi
vo
Circuito de Puerta con Seal de Control Aislada con Transformador de Pulso. Aplicacin para Bajas Frecuencias de Trabajo Si Vcontrol=1, aparece una seal de AF en el transformador, cargando una vez rectificada los condensadores C1 y C2 Vi=0 y el CI est alimentado, al ser inversor dar una salida Vo=1 , haciendo que el MOS de potencia conduzca. Si Vcontrol=0, no hay tensin de AF en el transformador y C2 se descarga por R2 Vi=1, mientras que C1 se mantiene en carga (DB impide que se descargue), luego Vo=0. Si el circuito integrado es de bajo consumo (p.ej. 7555) se puede mantener cargado C1 hasta el prximo disparo.
Vcc
Circuito de disparo
Vcc 2
Carga
C2 D2 D1 VBB C1
VBB
VBB1 VBB2
Circuito de disparo
Vcc 2
CD-1
Osc.
VBB
VBB
CD-2
Montaje Semipuente
Vcc
VBB1
CD-1
Circuito de Disparo con Bombeo de Carga por Condensador Simplifica el circuito total, al evitar tres fuentes auxiliares en los puentes trifsicos. No se ve afectado por el rgimen de disparo de los interruptores de potencia. Los transistores MOS, y dems componentes auxiliares deben trabajar a altas tensiones (aunque con corrientes bajas). Los drivers usados para el disparo de los interruptores de la mitad superior de cada rama deben ser de alta tensin.
VBB2
CD-3
VBB3
CD-5
VBB
CD-2 CD-4 CD-6
Esquema de un Inversor Trifsico Son necesarias dos fuentes auxiliares de alimentacin para un montaje semipuente y cuatro para un puente trifsico. La complejidad y el costo es elevado, pero no hay restricciones respecto al rgimen de disparo de los interruptores de potencia.
VCC
+
VBB
Driver
VBB
C Driver
VBB
C Driver
VBB
Driver
Fase A Driver
Fase B
Fase C
VBB
Driver
VBB
Tierra de Potencia
VGK + VGGL
Inversor Trifsico con Circuitos Bootstrap El circuito resultante es bastante simple, al conseguirse las tensiones requeridas con un diodo y un condensador. Los drivers usados para el disparo de los interruptores de la mitad superior de cada rama deben ser de alta tensin. El rgimen de disparo de los interruptores debe tenerse en cuenta para que no se descarguen los condensadores. Al iniciar el funcionamiento, deben dispararse todos los interruptores de la mitad inferior de cada rama para arrancar con los condensadores cargados.
RG VGGH
D1 15v VGK D2 RG
Vcontrol
VD
Circuito de Control de Puerta del Tiristor con Amplificacin del Pulso de Corriente
V BB
RBSO
4*iDnom
Seal de Control
Conmutacin
iDnom
log iD
ic
v CE
Circuito de Control en Serie con el Emisor del Interruptor de Potencia Para circuitos de disparo de BJTs puede aprovecharse que si se provoca el corte anulando IE el rea de operacin segura ser la correspondiente al diodo C-B (no avalancha secundaria) luego ser cuadrada y con un valor lmite de VCE casi el doble (BVCB02*BVCE0). El transistor MOS empleado no necesita ser de alta tensin.
vDS
El problema que se plantea al intentar proteger contra sobrecorrientes a dispositivos tipo BJT, MOS o IGBT, es que la corriente no sube a valores lo bastante altos para que actuen a tiempo los fusibles, por ello debe realizarse la proteccin desde el circuito de disparo, as en los IGBTs: Al aplicar la tensin VGS de 15 voltios (recomendada por los fabricantes) en caso de cortocircuito la corriente se multiplica por cuatro y el circuito de control tiene entre 5 y 10 s para quitar la tensin de puerta (si la temperatura inicial es menor que 125C). Si se aplicase la tensin mxima permitida por el espesor del xido (20V), la corriente de cortocircuito subira mucho ms y el fabricante no garantiza el corte del dispositivo a tiempo. En un cortocircuito, pueden darse dos casos: a) Cierre del interruptor cuando ya se ha producido un cortocircuito b) Se produce un cortocircuito cuando el dispositivo est conduciendo.
VGS=RG*CGD*dVDS/dt+VGG
Al cerrar el IGBT sobre un cortocircuito, la tensin VDS cae ligeramente, pero se mantiene a un valor muy alto, lo que permite al circuito de control detectar el malfuncionamiento y dar orden de cortar al dispositivo. b) Se produce un cortocircuito cuando est conduciendo el dispositivo
vDS iD 4*iDnom iD iDnom t vDScc vDS
El problema se agrava en este caso, ya que al subir la tensin de drenador, se acopla la subida a travs de la capacidad Miller y se polariza la puerta con una tensin mayor, con lo cual la corriente de drenador puede subir hasta valores que impidan el corte del dispositivo. Se debe limitar la tensin de puerta a 15 voltios empleando un par de diodos Zener:
CGD RG VGG
Tambin es necesario emplear para cortar el IGBT una tensin de puerta negativa (al menos 5V, mejor 15V), porque: Se acelera el corte disminuyendo las enormes prdidas debidas a las elevadas tensiones y corrientes del cortocircuito. Se asegura el corte, ya que la tensin umbral de corte disminuye en unos 10mV por cada grado de temperatura que suba la temperatura de la unin, de forma que durante un cortocircuito dicha tensin puede valer casi 2V menos que el valor que da el fabricante a 25C. Debido a que la derivada de la corriente de drenador es muy alta, aparecen cadas de tensin extra en las inductancias parsitas internas y del cableado externo, la tensin que ve la puerta es menor que la esperada.
Al producirse un cortocircuito cuando el IGBT est conduciendo, la corriente sube hasta aproximadamente 4 veces la corriente nominal y la tensin sube hasta prcticamente el valor de corte. Se produce una subida muy rpida de la corriente y de la tensin.
VCC
Entrada de Control
Interr. Cerrado
Interr. Abierto
T+
Control
D+
t a)
Control T-
T-
D-
V2
b)
t t
Control
tmin
tmin
tmin
V1 V2 T+ T
tc
tc
Circuito de Control con Generacin de Tiempos Muertos Si est circulando corriente por T+ (I saliente de la rama), cuando se da la orden de corte a T+ debe esperarse un tiempo (tc) antes de dar orden de cierre a T- para que d tiempo a cortarse a T+ y evitar un cortocircuito entre VCC , T+ y T-. El tiempo tc debe ser mayor que el tiempo de almacenamiento de T+. Si la corriente circula por T- (I entrante en la rama), el efecto es el mismo debiendo retrasarse el cierre de T+.