Parmetro de dispersin S

Los parmetros-S son usados principalmente para redes que

operan en radiofrecuencia (RF) y frecuencias de microondas,
ya que representan parmetros que son de utilidad particular
en RF.
Muchas propiedades elctricas tiles de las redes o de
componentes pueden expresarse por medio de los
parmetros-S, como por ejemplo la ganancia, prdida por
retorno, relacin de onda estacionaria de
tensin (ROEV), coeficiente de reflexin y estabilidad
de amplificacin.
Parmetros de Dispersin (S)

Definicin
Son propiedades usadas en ingeniera elctrica, ingeniera
electrnica, e ingeniera de sistemas de comunicacin y se
utilizan para describir el comportamiento elctrico de redes
elctricas lineales cuando se someten a varios estmulos de
rgimen permanente por pequeas seales.
En el contexto de los parmetros-S, dispersin se refiere a la
forma en que las corrientes y tensiones que se desplazan en
una lnea de transmisin.

La diferencia fundamental con los otros juegos de
parmetros es que mientras estos miden relaciones entre
tensiones y corrientes totales medidas sobre los puertos, los
parmetros S miden la relacin entre las amplitudes de
tensin reflejadas e incidentes.

As, definimos a la matriz de scattering (que contiene a los
parmetros S) de la siguiente manera:









Podemos tambin realizar el producto entre matrices para
explicitar un sistema de ecuaciones de la siguiente manera:







De donde podemos calcular un parmetro Sij genrico como:



Es decir que es el coeficiente de reflexin visto hacia el port i
cuando todos los otros ports estn adaptados, mientras que
si los subndices son diferentes se interpreta al parmetro S
como el coeficiente de transmisin visto desde el port j hacia
el port i cuando todos los otros ports estn terminados en
cargas adaptadas.
Ondas de potencia

Dado que hay ciertas cantidades como por medio de las
cuales es posible caracterizar el comportamiento de un port
i, nos preguntamos si a la hora de analizar el sistema bajo
estudio podemos definir a partir de las cantidades anteriores
nuevas cantidades que proporcionen informacin acerca del
flujo de potencia desde o hacia el sistema. Estas nuevas
cantidades que definiremos a continuacin reciben el
nombre de ondas de potencia.


Potencia promedio total sobre un dispositivo
Resulta evidente que la potencia total sobre un dispositivo
ser igual a la sumatoria de las potencias promedio totales
sobre cada port.


As:



Finalmente, dado que las matrices columna ay b no son
independientes entre s, sino que estn relacionadas a
travs de la matriz de scattering, podemos poner a una en
funcin de la otra para as obtener una frmula de clculo
que caracterice la potencia promedio sobre el sistema a
travs de sus parmetros S:




Donde U es la matriz unitaria de dimensiones NxN

De la ecuacin anterior se observa claramente que la matriz
H juega un rol fundamental a la hora de caracterizar el
balance de potencia del sistema ya que si H=0 (la matriz
nula) no habr prdidas. De aqu que los sistemas sin
prdidas queden caracterizados por una matriz de scattering
unitaria:


Ejemplo de Aplicacin:
Atenuador de 3 dB
Para el atenuador de 3 dB de la figura se pide:
Determinar la matriz de scattering del mismo
considerando que trabaja en un sistema de Z0=50 .
Realice un anlisis desde el punto de vista de las
ondas de potencia que justifique que es un atenuador
de 3 dB.

Resolucin

Ejemplo:

Un transistor tiene los siguientes parmetros S a 200 Mhz., con un V
CE
= 10 V y un
I
C
= 10 mA:

S
11
= 0.4 / 162
S
22
= 0.35 / -39
S
12
= 0.04 / 60
S
21
= 5.2 / 63

El amplificador debe operar entre terminaciones de 50 ohm.
Disear las redes de adaptacin de entrada y salida, para adaptacin conjugada
simultnea del transistor, para obtener la ganancia mxima.

ESTABILIDAD

El Factor de Estabilidad de Rollett (K):


GANANCIA MXIMA DISPONIBLE


21 12 22 11
S S S S D
s
=
12 21
2
22
2
11
2
2
1
S S
S S D
K
S

+
=
2 2
22
2
11
1
1
S
D S S B + =
1 log 10 log 10
2
12
21
+ = K K
S
S
MAG
Coeficiente de reflexin de la carga
( )
-
=
11 22 2
S D S C
S
2 2
11
2
22 2
1
S
D S S B + =
2
2
2
2
2 2
2
4
C
C B B
L

= I
( )
-
(

I
I
+ = I
22
21 12
11
1 S
S S
S
L
L
S
Primero, calculamos el factor K para ver si el transistor es estable en la
frecuencia de operacin y en el punto de polarizacin:
D
S
= (0.4 / 162) (0.35 / -39) 0.04 / +60) (5.2 / 63)
= 0.14 / 123 - 0.208 / 123
= 0.068 / -57
K= [1+ (0.068)
2
(0.4)
2
(0.35)
2
] / [2 (5.2) (0.04)]
= 1.74
B
1
= 1+ (0.4)
2
(0.35)
2
(0.068)
2

= 1.03
La ganancia mxima disponible se calcula por la ecuacin que la define:

MAG= 10 log (5.2 / 0.04) + 10 log |1.74 [(1.74)
2
-1]|
= 21.14 + (-5)
= 16.1 dB



El prximo paso es encontrar el coeficiente de reflexin en la carga necesario para una adaptacin
conjugada. Las dos cantidades intermedias (C
2
y B
2
) primero deben ser encontradas.
C
2
= 0.35 / -39 - [(0.068 / -57) (0.4 / -162 ]
= 0.272 j0.22 [- 0.021 + j0.017]
= 0.377 / -39

B
2
= 1 + (0.35)
2
(0.4)
2
(0.068)
2

= 0.958
De esta forma, la magnitud del coeficiente de reflexin de la carga puede obtenerse:


|I
L
|= [0.958 ((0.958)
2
4(0.037)
2
)] / [2 (0.377)]
= 0.487

El ngulo del coeficiente de reflexin de la carga es simplemente el opuesto del ngulo de C
2
, o +39.
Por lo tanto,

I
L
= 0.487 / 39

Usando I
L
, se calcula I
s
:

I
s
=
(((0.4 / 162)+ ((0.04 / 60) (5.2 / 63) (0.487 / 39)) / (1 (0.487 / 39) (0.35 / -39)))*

= [0.052 / 162 ]*
= 0.522 / 162
El objetivo del diseo es forzar la fuente de 50 ohm para presentar un
coeficiente de reflexin de 0.522 / -162. Con I
s
graficada como se
muestra, la impedancia normalizada correspondiente deseada se lee
directamente del diagrama como Z
s
= 0.32 j0.14 ohm. Esta es un
impedancia normalizada, por lo que hay que multiplicarlo por 50 ohm
para obtener la real.
50 (0.32 j0.14) = 16 j7 ohms.
El coeficiente de refleccin en la carga es graficado en el otro baco de
Smith de este ejemplo y representa una impedancia de carga deseada
(como se lee del diagrama) de Z
L
= 50 (1.6 + j1.28) ohms, o 80 + j64
ohms.


Arc AB = C en paralelo = j1.45 mhos
Arc BC = L en serie = j0.33 ohm

Los valores de los componentes reales son :

C
1
= 1.45 / [2t (200 x 10
6
) 50]
L
1
= [(0.33) (50)] / [2t (200x 10
6
)]
= 13 nH
Arc AB = C en serie = -j1.3 ohms
Arc BC = L en paralelo = -j0.78 mho

De donde:

C
2
= 1 / [2t (200x10
6
) (1.3)(50)]
= 12 pF

L
2
= 50 / [2t (200x10
6
)(0.78)
= 51 nH

El diseo final, excluyendo el circuito de
polarizacin, se muestra en la siguiente figura.