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Universidad Privada de Tacna

TRABAJO DE INVESTIGACION
MEMORIA RAM

CURSO : ARQUITECTURA DE COMPUTADORAS

INTEGRANTES : LUIS PALACIOS MARTÍNEZ


CARLOS VALENCIA VELA
MELVYN ARIAS MOREYRA

TACNA – PERU

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INTRODUCCION

Su definición es almacenes internos en el ordenador. El término memoria identifica el


almacenaje de datos que viene en forma chips, y el almacenaje de la palabra se utiliza
para la memoria que existe en las cintas o los discos. Por otra parte, el término
memoria se utiliza generalmente como taquigrafía para la memoria física, que refiere a
los chips reales capaces de llevar a cabo datos. Algunos ordenadores también utilizan
la memoria virtual, que amplía memoria física sobre un disco duro.

Cada ordenador viene con cierta cantidad de memoria física, referida generalmente
como memoria principal o RAM. Se puede pensar en memoria principal como arreglo
de celdas de memoria, cada una de los cuales puede llevar a cabo un solo byte de
información.

Un ordenador que tiene 1 megabyte de la memoria, por lo tanto, puede llevar a cabo
cerca de 1 millón de Bytes (o caracteres) de la información.

La memoria funciona de manera similar a un juego de cubículos divididos usados para


clasificar la correspondencia en la oficina postal. A cada bit de datos se asigna una
dirección. Cada dirección corresponde a un cubículo (ubicación) en la memoria.

Para guardar información en la memoria, el procesador primero envía la dirección para


los datos. El controlador de memoria encuentra el cubículo adecuado y luego el
procesador envía los datos a escribir.

Para leer la memoria, el procesador envía la dirección para los datos requeridos. De
inmediato, el controlador de la memoria encuentra los bits de información contenidos
en el cubículo adecuado y los envía al bus de datos del procesador.

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I. HISTORIA DE LA MEMORIA RAM

“La memoria RAM es una memoria volátil, es un tipo de memoria temporal que
pierden sus datos cuando se quedan sin energía. Se utiliza generalmente para
almacenar temporalmente datos, con este trabajo pretendemos mostrar la historia y
la evolución de la memoria RAM a través del tiempo desde un punto de vista
técnico.” Mensionaremos clases de memorias

II. DEFINICIÓN DE MEMORIA RAM

Proviene de ("Read Aleatory Memory") ó memoria de lectura aleatoria: es un


dispositivo electrónico que se encarga de almacenar datos e instrucciones de
manera temporal, de ahí el término de memoria de tipo volátil ya que pierde los
datos almacenados una vez apagado el equipo; pero a cambio tiene una muy alta
velocidad para realizar las acciones.
En la memoria RAM se carga el sistema operativo (Linux Ubuntu, Apple® MacOS,
Microsoft® Windows 7, etc.),  los programas (Office, Winzip®, Nero®, etc.),
instrucciones desde el teclado, memoria para desplegar el video y opcionalmente
una copia del contenido de la memoria ROM.

Ejemplo:

Cuando damos doble clic a la aplicación Microsoft® Word, el programa será leído
desde el disco duro e inmediatamente la computadora buscará almacenarlo en la
memoria RAM, ello para que el usuario lo utilice sin la lentitud que implicaría
trabajarlo desde el disco duro, y una vez terminada de usar la aplicación, la RAM se
libera para poder cargar el próximo programa.

Memoria RAM tipo DDR, marca Kingston®, modelo KVR266,


capacidad 128 Mb, bus 266 MHz.

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III. TIPOS DE MEMORIAS DRAM COMERCIALES
Hay tres tipos de memorias RAM, las primeras son las DRAM, SRAM y una
emulación denominada Swap:

DRAM:
Las siglas provienen de ("Dinamic Read Aleatory Memory") ó dinámicas, debido a
que sus chips se encuentran construidos a base de condensadores, los cuáles
necesitan constantemente refrescar su carga (bits) y esto les resta velocidad pero a
cambio tienen un precio económico.

Ejemplo:
Hagamos una analogía con una empresa que fabrica hielo pero no cuenta con una
toma de agua, sino que constantemente necesita de pipas con agua para realizar
su producto. Esto la hace lenta ya que tiene que esperar que le lleven las pipas ó
carros tanque, descargarlas, etc.

La siguiente lista muestra las memorias RAM en modo descendente, la primer liga
es la más antigua y la última la más reciente.

1- MEMORIA RAM TIPO TSOP

TSOP proviene de ("Thin Small Out-line Package"), lo que traducido significa


conjunto de bajo perfil fuera de línea. Son un tipo de memorias DRAM (RAM de
celdas construidas a base de capacitores), los primeros módulos de memoria
aislados que se introducían en zócalos especiales de la tarjeta principal
("Motherboard"). Estos chips en conjunto iban sumando las cantidades de memoria
RAM del equipo.
Las memorias TSOP no fueron totalmente reemplazados en aquel tiempo, sino
que se conjuntaron los módulos en una placa plástica especial y se organizaron las
terminales con forma de pin en un solo lado de la tarjeta, naciendo el estándar de
memorias SIP ("Single In-line Package").

Memorias RAM tipo TSOP, KM41464AP-12, 18 pines.

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CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LA MEMORIA TSOP
 Básicamente había de diferentes formas y tamaños como cualquier otro
circuito integrado.
 Cuentan con una forma física como cualquier otro chip y se introducen las
terminales en el espacio asignado para ello

PARTES QUE COMPONEN LA MEMORIA TSOP


Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
básicamente los siguientes:

1.- Encapsulado: integra dentro de


sí una gran cantidad de elementos
electrónicos microscópicos
(transistores, capacitores,
compuertas, etc.), formadores de la
memoria RAM.
2.- Pines: se encargan de
transmitir las señales eléctricas y
los datos. 
3.- Punto de referencia: indica
Esquema de una memoria cuál es la terminal No. 1.
RAM tipo TSOP. 4.- Módulo ó zócalo: permite
albergar e insertar la memoria
TSOP.

CONECTORES - PINES PARA LAS TERMINALES


Se muestra un ejemplo de memoria TSOP del equipo Acer 915 con
microprocesador AMD 286.

Conector Figuras

Conector de la

TSOP de 20 memoria

terminales
Zócalos de la tarjeta
principal

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LA MEMORIA DE PARIDAD

Es una característica integrada en los chips de memoria, la cuál consiste en la


detección de errores  durante las operaciones de lectura dentro de la memoria,
antes de que la computadora utilice el dato.
Esto se logra añadiendo un "bit extra" por cada byte (8 bits), de modo que si el
número de "unos" del byte es par, el "bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el
número de "unos" del byte es impar, el "bit extra ó bit de paridad" será 0, ejemplo:

Carácter
Byte Número de unos Impar ó par Bit de paridad
Humano
A 0100 0001 2 Par 1
L 0100 1100 3 Impar 0

Entonces al momento de utilizar el byte, si este no coincide con su paridad


asignada, se produce error de paridad pero no se corrige, para ello se desarrollo
posteriormente la tecnología ECC.

CAPACIDADES DE ALMACENAMIENTO TSOP

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria


TSOP es el Kilobyte (Kb) y se muestra un ejemplo de una memoria para placa
915P(N) de Acer®.

Tipo de memoria Capacidad en Kilobytes (Mb)


TSOP KM41464AP-12 128 Kb

USOS ESPECÍFICOS DE LA MEMORIA TSOP

Los TSOP se utilizaron básicamente en computadoras con microprocesadores de


la familia Intel® 286 y modelos anteriores.

2.- MEMORIA RAM TIPO SIP.

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SIP es la sigla de ("Single In-line Package"), lo que traducido significa soporte
simple en línea: son los primeros tipos de memorias DRAM (RAM de celdas
construidas a base de capacitores), que integraron en una sola tarjeta varios
módulos de memoria TSOP, lográndose comercializar mayores capacidades en
una sola placa. Las terminales se concentraron en la parte baja en forma de
pines (30) que se insertaban dentro de las ranuras especiales de la tarjeta
principal (Motherboard).

Las memorias SIP fueron rápidamente reemplazadas por las memorias RAM
tipo SIMM ("Single In line Memory Module"), ya que las terminales se
integraron a una placa plástica y se hizo mas resistente a los dobleces.

Memoria RAM tipo SIP.

CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LA MEMORIA SIP

 Solo se comercializó una versión de memoria SIP de 30 terminales.


 Cuentan con una forma física especial,  pero tenían el inconveniente de
que al tener los pines libres y en línea corrían el riesgo de doblarse y
romperse.
 La memoria SIP de 30 terminales permite el manejo de 8 bits.  
 La medida del SIP de 30 terminales es de 8.96 cm. de largo X 1.92 cm.
de alto.

PARTES QUE COMPONEN LA MEMORIA SIP

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
básicamente los siguientes:

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1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál
están soldadas los componentes de la memoria.
2.-Chips: son módulos de memoria volátil.
3.- Conector (30 pines): son terminales tienen
forma de pin, que se insertan en el módulo especial
para memoria SIP.
Figura 3. Esquema de una
memoria RAM tipo SIP.

CONECTORES - PINES PARA LA RANURA


Son 2 versiones:
Conector Figuras
Conector
de la
memoria
SIP 30
"Ranura"
pines
de la
tarjeta
principal

VELOCIDAD DE LA MEMORIA SIP

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz


(MHz). En el caso de los SIP su velocidad de trabajo  era la misma que los
microprocesadores del momento, esto es aproximadamente entre 25 MHZ y 33
MHz.

LA MEMORIA DE PARIDAD

Es una característica integrada en los chips de memoria, la cuál consiste en la


detección de errores  durante las operaciones de lectura dentro de la memoria,
antes de que la computadora utilice el dato.
Esto se logra añadiendo un "bit extra" por cada byte (8 bits), de modo que si el
número de "unos" del byte es par, el "bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el

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número de "unos" del byte es impar, el "bit extra ó bit de paridad" será 0,
ejemplo:

Carácter
Byte Número de unos Impar ó par Bit de paridad
Humano
A 0100 0001 2 Par 1
L 0100 1100 3 Impar 0

Entonces al momento de utilizar el byte, si este no coincide con su paridad


asignada, se produce error de paridad pero no se corrige, para ello se
desarrollo posteriormente la tecnología ECC.

EL TIEMPO DE ACCESO DE LA MEMORIA SIP

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado


que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tiempo de respuesta en nanosegundos


Tipo de memoria
(nseg)
SIP 30 pines 60 nseg

CAPACIDADES DE ALMACENAMIENTO SIP

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una


memoria SIP es Kilobyte (Kb) y el Megabyte (Mb). En este caso como hubo 2
versiones, estas varían de acuerdo al modelo y se comercializaron
básicamente las siguientes capacidades:

Tipo de memoria Capacidad en Megabytes (Mb)


SIP 30 pines 256 Kb, 512 Kb, 1 Mb?

USOS ESPECÍFICOS DE LA MEMORIA SIP

Los SIP de 30 pines se utilizaron básicamente en computadoras con


microprocesadores de la familia Intel® 286.

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3.- MEMORIA RAM TIPO SIMM.

SIMM proviene de ("Single In line Memory Module"), lo que traducido significa


módulo de memoria de únicamente una línea (este nombre es debido a que
sus contactos se comparten de ambos lados de la tarjeta de memoria): son un
tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores),
las cuales tienen los chips de memoria de un solo lado de la tarjeta y cuentan
con un conector especial de 30 ó 72 terminales para ranuras de la tarjeta
principal (Motherboard).

Las memorias SIMM reemplazaron a las memorias RAM tipo SIP ("Single In-
Line Package").

Las memorias SIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DIMM
("Dual In line Memory Module").

Figura 2. Memoria RAM tipo SIMM, Figura 3. Memoria RAM tipo SIMM,
genérica, L-9645-8ML-194V-0, 3 genérica, HYM591000PM, 12 chips, 72
chips, 30 pines, capacidad de 1 Mb. pines, capacidad 32 Mb.

CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LA MEMORIA SIMM

 Hay 2 versiones de memoria SIMM, con 30 y con 72 terminales, siendo el


segundo el sucesor.
 Cuentan con una forma física especial,  para que al insertarlas, no haya
riesgo de colocarla de manera incorrecta. Adicionalmente el SIMM de 72
terminales cuenta con una muesca en un lugar estratégico del conector.
 La memoria SIMM de 30 terminales permite el manejo de 8 bits y la de 72
terminales 32 bits.
 La medida del SIMM de 30 terminales es de 8.96 cm. de largo X 1.92 cm.
de alto.
 La medida del SIMM de 72 terminales es de 10.88 cm. de largo X 2.54 cm.
de alto.

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 Pueden convivir en la misma tarjeta principal ("Motherboard") ambos tipos
si esta tiene las ranuras necesarias para ello.

PARTES QUE COMPONEN LA MEMORIA SIMM


Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
básicamente los siguientes:

1.- Tarjeta: es una placa plástica


sobre la cuál están soldadas los
componentes de la memoria.
2.-Chips: son módulos de memoria
volátil.
3.- Conector (30 terminales): base
de la memoria que se inserta en la
Esquema externo de una memoria ranura especial para memoria SIMM.
RAM tipo SIMM.

CONECTORES - TERMINALES PARA LA RANURA


Son 2 versiones:

Conector Figuras
Conector
de la
memoria
SIMM 30
Ranura
terminales
de la
tarjeta
principal
VELOCIDAD DE LA MEMORIA SIMM

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz


(MHz). En el caso de los SIMM su velocidad de trabajo  era la misma que los
microprocesadores del momento, esto es aproximadamente entre 25 MHZ y 33
MHz.

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LA MEMORIA DE PARIDAD

Es una característica integrada en los chips de memoria, la cuál consiste en la


detección de errores  durante las operaciones de lectura dentro de la memoria,
antes de que la computadora utilice el dato.

Esto se logra añadiendo un "bit extra" por cada byte (8 bits), de modo que si el
número de "unos" del byte es par, el "bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el
número de "unos" del byte es impar, el "bit extra ó bit de paridad" será 0,
ejemplo:

Carácter Número de Bit de


Byte Impar ó par
Humano unos paridad
A 0100 0001 2 Par 1
L 0100 1100 3 Impar 0
    
Entonces al momento de utilizar el byte, si este no coincide con su paridad
asignada, se produce error de paridad pero no se corrige, para ello se utiliza la
tecnología ECC.

TECNOLOGÍA DE CORRECCIÓN DE ERRORES (ECC)

La tecnología ECC en memorias SIMM se utilizaba básicamente para equipos


que manejaban datos sumamente críticos, ya que no era común su uso en
equipos domésticos porque esta tecnología aumentaba en gran medida los
costos de la memoria.

ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa código
para corrección de errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de
detectar y corregir errores de 1 ó más bits, de tal suerte que el usuario no
detecta la falla, pero en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad.

Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemático de parte del ECC, el


cual se almacena junto con los otros datos, así al ser solicitados estos, se
comparará el código almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la
no coincidencia exacta de lo anterior el código original se decodificará para
determinar la falla y se procede a corregirlo.

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MODO DE ACCESO FPM

FPM son las siglas de ("Fast Page Mode") ó modo rápido de paginación. Es
una tecnología que mejora el rendimiento de las memorias DRAM ("Dinamic
Read Aleatory Memory", es decir memorias con almacenamiento basado en
capacitores , accediendo a las direcciones solicitadas por medio de cambios de
página.

EL TIEMPO DE ACCESO DE LA MEMORIA SIMM

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado


que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
Tiempo de respuesta en nanosegundos
Tipo de memoria
(nseg)
SIMM 30 terminales 60 nseg
SIMM 72 terminales 40 nseg

CAPACIDADES DE ALMACENAMIENTO SIMM


La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una
memoria SIMM es Kilobyte (Kb) y el Megabyte (Mb). En este caso como hubo 2
versiones, estas varían de acuerdo al modelo y se comercializaron
básicamente las siguientes capacidades:
Tipo de memoria Capacidad en Megabytes (Mb)
SIMM 30 terminales 256 Kb, 512 Kb, 1 Mb, 2 Mb, 4 Mb, 8 Mb
SIMM 72 terminales 4 Mb, 8 Mb, 16 Mb, 32 Mb, 64 Mb

USOS ESPECÍFICOS DE LA MEMORIA SIMM

Los SIMM de 30 terminales se utilizaron básicamente en computadoras con


microprocesadores de la familia Intel® 386 y 486.
Los SIMM de 72 terminales fueron posteriores a los SIMM de 30 terminales,
pero algunas placas integraban ranuras para ambos. Se utilizaban en
computadoras con básicamente procesadores de la familia Intel® 486 y
Pentium.

4.- MEMORIA RAM TIPO DIMM - SDRAM.

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DIMM proviene de ("Dual In line Memory Module"), lo que traducido significa
módulo de memoria de línea dual (este nombre es debido a que sus contactos
de cada lado son independientes, por lo tanto el contacto es doble en la tarjeta
de memoria): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a
base de capacitores), las cuáles pueden tener chips de memoria en ambos
lados de la tarjeta ó solo de un lado, cuentan con un conector especial de 168
terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). Cabe destacar
que la característica de las memorias de línea dual, es precursora de los
estándares modernos RIMM y DDR-X), por ello no es de extrañarse que
también se les denomine DIMM - SDRAM tipo RIMM ó DIMM - SDRAM DDR-X.

SDRAM proviene de (Synchronous Dynamic Random Access Memory),


memoria de acceso aleatorio sincrónico, esto significa que existe un cierto
tiempo entre el cambio de estado de la misma sincronizado con el reloj y bus
del sistema, en la práctica se le denomina solo DIMM.
Reemplazaron a las memorias RAM tipo SIMM ("Single In line Memory
Module").

Las memorias DIMM - SDRAM fueron reemplazadas por las memorias tipo
RIMM ("Rambus Inline Memory Module") y las memorias tipo DDR ("Double
Data Rate").

Memoria RAM tipo DIMM - SDRAM, marca Kingston® PC133, sin capacidad
definida, 168 pines.
CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LA MEMORIA DIMM – SDRAM
 Cuenta con conectores físicamente independientes en ambas caras de
la tarjeta de memoria, de allí que se les denomina duales.
 Todas las memorias DIMM - SDRAM cuentan con 168 terminales.
 Cuentan con un par de muescas en un lugar estratégico del conector,
para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera
incorrecta.
 La memoria DIMM - SDRAM permite el manejo de 32 y 64 bits.
 La medida del DIMM - SDRAM es de 13.76 cm. de largo X 2.54 cm. de
alto.

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 Puede convivir con SIMM en la misma tarjeta principal ("Motherboard")
si esta cuenta con ambas ranuras.

PARTES QUE COMPONEN LA MEMORIA DIMM – SDRAM

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
básicamente los siguientes:

1.-  Tarjeta: es una placa plástica sobre la cual


están soldadas los componentes de la
memoria.
2.-Chips: son módulos de memoria volátil.
3.- Conector (168 terminales): base de la
memoria que se inserta en la ranura especial
para memoria DIMM - SDRAM en la tarjeta
principal (Motherboard).
Figura 3. Esquema de la
4.- Muesca: indica la posición correcta dentro
memoria RAM tipo DIMM -
de la ranura de memoria.
SDRAM.

CONECTORES - TERMINALES PARA LA RANURA


Solo hay una versión física:
Conector Figuras
Conector
de la
DIMM -
memoria
SDRAM 168
Ranura de
terminales
la tarjeta
principal

VELOCIDAD DE LA MEMORIA DIMM – SDRAM

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La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz
(MHz). En el caso de los DIMM - SDRAM, tiene varias velocidades de trabajo
disponibles, la cuál se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del
sistema. Básicamente fueron las siguientes:

Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side


Nombre asignado
Bus")
---- 25 MHz, 33 MHz, 50 MHz
PC66 66 MegaHertz (MHz)
PC100 100 MHz
PC133 133 MHz
PC150 150 MHz

LA MEMORIA DE PARIDAD
Es una característica integrada en los chips de memoria, la cuál consiste en la
detección de errores  durante las operaciones de lectura dentro de la memoria,
antes de que la computadora utilice el dato.

Esto se logra añadiendo un "bit extra" por cada byte (8 bits), de modo que si el
número de "unos" del byte es par, el "bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el
número de "unos" del byte es impar, el "bit extra ó bit de paridad" será 0,
ejemplo:

Caracter Número de Bit de


Byte Impar ó par
Humano unos paridad
A 0100 0001 2 Par 1
L 0100 1100 3 Impar 0
Entonces al momento de utilizar el byte, si este no coincide con su paridad
asignada, se produce error de paridad pero no se corrige, para ello se utiliza la
tecnología ECC.

TECNOLOGÍA DE CORRECCIÓN DE ERRORES (ECC)

La tecnología ECC en memorias DIMM - SDRAM se utilizaba básicamente para


equipos que manejaban datos sumamente críticos, ya que no era común su
uso en equipos domésticos porque esta tecnología aumentaba en gran medida
los costos de la memoria.

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ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa código
para corrección de errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de
detectar y corregir errores de 1 ó más bits, de tal suerte que el usuario no
detecta la falla, pero en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad.
Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemático de parte del ECC, el
cuál se almacena junto con los otros datos, así al ser solicitados estos, se
comparará el código almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la
no coincidencia exacta de lo anterior el código original se decodificará para
determinar la falla y se procede a corregirlo.

MODO DE ACCESO FPM


FPM son las siglas de ("Fast Page Mode") ó modo rápido de paginación. Es
una tecnología que mejora el rendimiento de las memorias DRAM ("Dinamic
Read Aleatory Memory"), es decir memorias con almacenamiento basado en
capacitores, accediendo a las direcciones solicitadas por medio de cambios de
página.

EL TIEMPO DE ACCESO DE LA MEMORIA DIMM – SDRAM


Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado
que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
Tiempo de respuesta en nanosegundos
Tipo de memoria
(nseg)
DIMM - SDRAM 168 terminales 12 nseg - 10 nseg - 8 nseg

LATENCIA DE LA MEMORIA DIMM – SDRAM

CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria


en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es "Tiempo que
toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor está
relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que
al aumentar está, también aumenta la latencia.

Tipo de memoria Latencia promedio CAS


DIMM - SDRAM 168 terminales 3
Capacidades de almacenamiento DIMM – SDRAM

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La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una
memoria DIMM - SDRAM es el Megabyte (Mb). Actualmente en México todavía
se venden de manera comercial algunas de las siguientes capacidades:
Tipo de memoria Capacidad en Megabytes (Mb)
DIMM - SDRAM 168 terminales PC100 32 Mb, 64 Mb, 128 Mb, 256 Mb, 512 Mb
DIMM - SDRAM 168 terminales PC133 32 Mb, 64 Mb, 128 Mb, 256 Mb, 512 Mb

USOS ESPECÍFICOS DE LA MEMORIA DIMM – SDRAM

Los DIMM - SDRAM de 168 terminales se utilizaron básicamente en


computadoras de escritorio con microprocesadores de la familia Intel® Pentium
Pro, Pentium II, Celeron y algunos modelos Pentium III.

LA MEMORIA SODIMM - SDRAM (VARIANTE DE DIMM - SDRAM)

Significado de SODIMM - SDRAM: proviene de ("Small Outline Dual In line


Memory Module"), siendo la variante de memorias DIMM - SDRAM para
computadoras portátiles.|

CARACTERÍSTICAS DE LA MEMORIA SODIMM - SDRAM:


 Todas las memorias SODIMM - SDRAM cuentan con 144 terminales,
especiales para computadoras portátiles.

 Las demás especificaciones como latencia, capacidades de almacenamiento,


velocidad, etc., son iguales a la del formato DIMM - SDRAM para computadora
de escritorio.

Memoria SODIMM - SDRAM, 144 terminales, 100/133 MHz.

5.- MEMORIA RAM TIPO DDR.

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DDR proviene de ("Dual Data Rate"), lo que traducido significa transmisión
doble de datos (este nombre es debido a que incorpora dos canales para
enviar los datos de manera simultánea): son un tipo de memorias DRAM (RAM
de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de
memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de
184 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). También se
les denomina DIMM tipo DDR, debido a que cuentan con conectores
físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.
Compitió directamente contra las memorias RAM tipo RIMM ("Rambus In line
Memory Module").
Estas memorias están siendo reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR2
("Double Data Rate - 2").

Memoria RAM tipo DDR, marca Kingston®, modelo KVR266, capacidad 128
Mb, bus 266 MHz.
CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LA MEMORIA DDR

 Todos las memorias DDR cuentan con 184 terminales.


 Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que
al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.
 La medida del DDR mide 13.3 cm. de largo X 3.1 cm. de alto y 1 mm.
de espesor.
 Como sus antecesores (excepto la memoria RIMM), pueden estar ó no
ocupadas todas sus ranuras para memoria.

PARTES QUE COMPONEN LA MEMORIA DDR

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
básicamente los siguientes:

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1.-  Tarjeta: es una placa plástica sobre la
cuál están soldadas los componentes de
la memoria.
2.-Chips: son módulos de memoria volátil.
3.- Conector (184 terminales): base de
la memoria que se inserta en la ranura
especial para memoria DDR.
4.- Muesca: indica la posición correcta
Esquema de partes de la
dentro de la ranura de memoria DDR.
memoria RAM tipo DDR

CONECTORES - TERMINALES PARA LA RANURA


Solo hay una versión física:

Conector Figuras
Conector
de la
memoria
DDR 184
Ranura
terminales
de la
tarjeta
principal

VELOCIDAD DE LA MEMORIA DDR

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz


(MHz). En el caso de los DDR, tiene varias velocidades de trabajo disponibles,
la cuál se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema.
Básicamente se comercializaron las siguientes:

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Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side
Nombre asignado
Bus")
PC-2100 266 MHz
PC-2700 333 MHz
PC-3200 400 MHz

TECNOLOGÍA DDR ECC

La tecnología ECC en memorias DDR se utiliza básicamente para servidores


que manejan datos sumamente críticos, ya que no es común su uso en equipos
domésticos porque esta tecnología aumenta en gran medida los costos de la
memoria.

ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa código
para corrección de errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de
detectar y corregir errores de 1 ó más bits, de tal suerte que el usuario no
detecta la falla, pero en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad.
Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemático de parte del ECC, el
cual se almacena junto con los otros datos, así al ser solicitados estos, se
comparará el código almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la
no coincidencia exacta de lo anterior el código original se decodificará para
determinar la falla y se procede a corregirlo.

EL TIEMPO DE ACCESO DE LA MEMORIA DDR

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado


que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tiempo de respuesta en nanosegundos


Tipo de memoria
(nseg)
DDR PC2100 7.5 nseg
DDR PC2700 6 nseg, 
DDR PC3200 5 nseg

LATENCIA DE LA MEMORIA DDR

CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria


en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es "Tiempo que

22
toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor está
relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que
al aumentar está, también aumenta la latencia.

Tipo de memoria Latencias (CL)


DDR PC2100 2.5
DDR PC2700 2.5
DDR PC3200 2.5 hasta 4

CAPACIDADES DE ALMACENAMIENTO DDR

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una


memoria DDR es el Megabyte (Mb). y el Gigabyte (Gb). Actualmente en México
se comercializan las siguientes capacidades:

Tipo de memoria Capacidad en Megabytes (Mb)


DDR 184 terminales 128 Mb, 256 Mb, 512 Mb y 1 Gb

USOS ESPECÍFICOS DE LA MEMORIA DDR

Los DDR de 184 terminales se utilizaron inicialmente en computadoras con


microprocesadores de la familia AMD® Athlon y por su bajo precio y eficiencia
también la firma Intel® lo adopto para sus productos Pentium 4.

LA MEMORIA SODDR (VARIANTE DE DDR)

Proviene de ("Small Outline Dual Data Rate"), siendo la variante de memoria


DDR para computadoras portátiles. Otro tipo de memorias DDR para
computadoras portátiles son las microDRR, utilizadas en ciertos modelos de
portátiles de las marcas Toshiba® y Sony®.

CARACTERÍSTICAS DE LA MEMORIA SODDR:

 Todas las memorias SODDR cuentan con 200 terminales, especiales para
computadoras portátiles, mientras que las microDDR cuentan con 172
terminales.
 Las demás especificaciones como latencia, capacidades de almacenamiento,
velocidad, etc., son iguales a la del formato DDR para computadora de

23
escritorio.

Memoria SODDR, 200 terminales, 266/333 MHz.

6.- MEMORIA RAM TIPO RIMM.

RIMM proviene de ("Rambus In line Memory Module"), lo que traducido


significa módulo de memoria de línea con bus integrado (este nombre es
debido a que incorpora su propio bus de datos, direcciones y control de gran
velocidad en la propia tarjeta de memoria): son un tipo de memorias RAM del
tipo RDRAM ("Rambus Dynamic Random Access Memory"): es decir, también 
están basadas en almacenamiento por medio de capacitores), que integran
circuitos integrados y en uno de sus lados tienen las terminaciones, que sirven
para ser insertadas dentro de las ranuras especiales para memoria de la tarjeta
principal (Motherboard).  También se les denomina DIMM tipo RIMM, debido a
que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras
como el primer estándar DIMM.

Se buscaba que fueran el estándar que reemplazaría a las memorias RAM tipo
DIMM ("Dual In line Memory Module").

Las memorias RIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR
("Double Data Rate") las cuáles eran más económicas.

24
Memoria RAM tipo RIMM, marca Samsung®,  modelo PC800, 184 terminales,
chips RDRAM, capacidad 256 Mb, con ECC.

CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LA MEMORIA RIMM


 Este tipo de memorias siempre deben ir por pares, no funcionan si se coloca
solamente un módulo de memoria.
 Todos las memorias RIMM cuentan con 184 terminales.
 Cuentan con 2 muescas centrales en el conector, para que al insertarlas, no
haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.
 La memoria RIMM permite el manejo de 16 bits.
 Tiene una placa metálica sobre los chips de memoria, debido a que estos
tienden a calentarse mucho y esta placa actúa como disipador de calor.
 Como requisito para el uso del RIMM es que todas las ranuras asignadas para
ellas estén ocupadas.
 
PARTES QUE COMPONEN LA MEMORIA RIMM

Los componentes internos están cubiertos por una placa metálica que actúa
como disipador de calor:
1.-  Disipador: es una placa
metálica que cubre la tarjeta
plástica y los chips, ya que tienden
a sobrecalentarse y de este modo
absorbe el calor y lo transmite al
ambiente.
2.- Conector (184 terminales):
base de la memoria que se inserta
Figura 3. Esquema externo de en la ranura especial para memoria
una memoria RAM tipo RIMM RIMM.
3.- Muescas: son 2 hendiduras
características de la memoria RIMM
y que indican la posición correcta

25
dentro de la ranura de memoria.

CONECTORES - TERMINALES PARA LA RANURA


Solo hay una versión física:
Conector Figuras

Conector
de la
memoria

RIMM 184
Ranura de
terminales la tarjeta
principal
(viene por
pares)

TECNOLOGÍA DE CORRECCIÓN DE ERRORES (ECC)

La tecnología ECC en memorias RIMM se utiliza básicamente para equipos


que van a manejar datos sumamente críticos, ya que no es común su uso en
equipos domésticos porque esta tecnología aumenta en gran medida los costos
de la memoria.

ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa código
para corrección de errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de
detectar y corregir errores de 1 ó mas bits, de tal suerte que el usuario no
detecta la falla, pero en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad.

Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemático de parte del ECC, el


cuál se almacena junto con los otros datos, así al ser solicitados estos, se
comparará el código almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la
no coincidencia exacta de lo anterior el código original se decodificará para
determinar la falla y se procede a corregirlo.

VELOCIDAD DE LA MEMORIA RIMM

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz


(MHz). En el caso de los RIMM, tiene varias velocidades de trabajo disponibles,
la cuál se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema.
Básicamente fueron las siguientes:

26
Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side
Nombre asignado
Bus")
PC600 300 MegaHertz (MHz)
PC700 356 MHz
PC800 400 MHz
PC1066 533 MHz
(...) 800 MHz

EL TIEMPO DE ACCESO DE LA MEMORIA RIMM


Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado
que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
Tiempo de respuesta en
Tipo de memoria
nanosegundos (nseg)
RIMM 184 terminales 40 nseg aproximadamente

LATENCIA DE LA MEMORIA RIMM

CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria


en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es "Tiempo que
toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor está
relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que
al aumentar está, también aumenta la latencia.

Tipo de memoria Latencia CAS


RIMM 184 terminales 4y5

CAPACIDADES DE ALMACENAMIENTO RIMM


La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una
memoria RIMM es el Megabyte (Mb). Se comercializaron básicamente las
siguientes capacidades:

Tipo de memoria Capacidad en Megabytes (Mb)


RIMM 184 terminales 64 Mb, 128 Mb, 256 Mb

27
USOS ESPECÍFICOS DE LA MEMORIA RIMM

Los RIMM de 184 terminales se utilizaron inicialmente en computadoras con


microprocesadores de la familia Intel® Pentium 4, pero era muy caro y tendía a
sobrecalentarse, por lo que terminó siendo reemplazado en el ámbito general
por las memorias RAM tipo DDR que eran más económicas y no necesitaban
ventilación adicional.
7.- MEMORIA G-RAM / V-RAM (ACTUAL).

TIPOS DE MEMORIA INTEGRADA Y CAPACIDADES

Las tarjetas de video, además de integrar su propio microprocesador, también


integran cierta cantidad de memoria RAM especial llamada VRAM ó GRAM
("Video Read Only Memory ó Graphic Read Only Memory"), la cual se encarga
exclusivamente de almacenar datos referentes a gráficos mientras una
aplicación gráfica los solicite, esto permite que la memoria RAM principal se
mantenga disponible para otros procesos, aunque es importante mencionar
que mientras la VRAM no sea solicitada, esta se utilizara como RAM por la
computadora.

MEMORIAS Y SIGNIFICADO DE GDDR: ("Graphics Double Data Rate"), la


memoria integrada en las tarjetas de video es de tipo RAM ("Read Aleatory
Memory"), por lo que es volátil, es decir, al apagar la computadora, todos los
datos almacenados en ella se pierden. Se muestra en la siguiente tabla los
tipos básicos de memoria que se han integrado actualmente, en este momento
es la GDDR5 la que comienza a ser introducida al mercado comercial.

Capacidad comercial
Tipo de RAM Características
instalada Mb/Gb
Basada en tecnología DDR2,
esta nueva especificación para
tarjetas gráficas de alto
GDDR5 "Graphics Double 1.024 Gb, 1.536 Gb, hasta
rendimiento, provee un doble
Data Rate 5" 4 Gb
ancho de banda a diferencia
de GDDR4, que permite ser
configurada a 32 y 64 bits,
GDDR4 "Graphics Double Es un tipo de memoria que 256 Mb
Data Rate 4" también se basa en la

28
tecnología DDR, que mejora
las características de consumo
y ventilación con respecto a la
GDDR3.
Es un tipo de memoria
adaptada para el uso con
tarjetas de video, con 256 Mb, 384 Mb, 512 Mb,
GDDR3 "Graphics Double
características de la memoria 768 Mb, 896 Mb, 1 Gb,
Data Rate 3"
DDR2, mejoradas para reducir 1.792 Gb
consumo eléctrico y hacer
eficiente la disipación de calor.
Es un tipo de memoria
GDDR2 "Graphics Double adaptada para tarjetas de
256 Mb, 512 Mb, 1 Gb
Data Rate 2" video, con características de la
memoria DDR y DDR2.
Es un estándar de RAM que
transmite datos de manera
GDDR "Graphics Double doble por canales distintos de 64 Mb, 128 Mb, 256 Mb,
Data Rate" manera simultánea, en este 512 Mb
caso está diseñada para el uso
en tarjetas de video.

8.- MEMORIA RAM TIPO DDR2

DDR-2 proviene de ("Dual Data Rate 2"), lo que traducido significa transmisión
doble de datos segunda generación (este nombre es debido a que incorpora
dos canales para enviar y además recibir los datos de manera simultánea): son
un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de
capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la
tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la
tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR2,
debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas
caras como el primer estándar DIMM.

Actualmente compite contra un nuevo estándar: las memorias RAM tipo DDR-3
"Double Data Rate -3 ".

29
Memoria RAM tipo DDR-2, marca Kingston®, capacidad para 512 Mb,
velocidad  667 MHz, tipo PC5300.
CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LA MEMORIA DDR-2

 Todos las memorias DDR-2 cuentan con 240 terminales.


 Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que
al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.
 Como sus antecesores, pueden estar ó no ocupadas todas sus ranuras
para memoria.
 Tiene un voltaje de alimentación de 1.8 Volts.

PARTES QUE COMPONEN LA MEMORIA DDR-2

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
básicamente los siguientes:

1.-  Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál


están soldadas los componentes de la memoria.
2.-Chips: son módulos de memoria volátil.
3.- Conector (240 terminales): base de la memoria
que se inserta en la ranura especial para memoria
DDR2.
4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la
Figura 3. Esquema de partes ranura de memoria DDR2.
externas de una memoria DDR-2

CONECTORES - TERMINALES PARA LA RANURA


Solo hay una versión física:

Conector Figuras
DDR-2 240 Conector
terminales de la
memoria
Ranura de

30
la tarjeta
principal

VELOCIDAD DE LA MEMORIA DDR-2

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz


(MHz). En el caso de los DDR-2, tiene varias velocidades de trabajo
disponibles, la cual se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del
sistema. Básicamente se comercializaron las siguientes:

Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side


Nombre asignado
Bus")
PC5300 667 MHz
PC6400 800 MHz

EL TIEMPO DE ACCESO DE LA MEMORIA DDR-2

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado


que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tiempo de respuesta en nanosegundos


Tipo de memoria
(nseg)
DDR-2 PC5300 6 nseg
DDR-2 PC6400 5 nseg, 

LATENCIA DE LA MEMORIA DDR-2


CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria
en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es: Tiempo que
toma a un paquete de datos en llegar a su destino. Este factor está relacionado
directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que al aumentar
está, también aumenta la latencia.

Tipo de memoria Latencias (CL)


DDR2 PC5300 4y5
DDR2 PC6400 4, 5 hasta 6

31
CAPACIDADES DE ALMACENAMIENTO DDR-2

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una


memoria DDR-2 es el Megabyte (Mb) y el Gigabyte (Gb). Actualmente en
México se comercializan las siguientes capacidades:

Tipo de memoria Capacidad en Megabytes (Mb)


256 Mb, 512 Mb, 1 Gb, 2 Gb, y 4
DDR-2 240 terminales
Gigabytes (Gb)

USOS ESPECÍFICOS DE LA MEMORIA DDR-2

Los DDR-2 de 240 terminales se utilizan en equipos con microprocesadores de


la firma AMD®: Athlon 64, Athlon 64 X2, Athlon 64 X2 Dual Core. En el caso de
Intel® se utilizan en equipos: Pentium 4, Core 2 Duo,  Core 2 Quad y Core
Quad.

LA MEMORIA SODDR (VARIANTE DE DDR2)

Proviene de ("Small Outline Dual Data Rate 2"), siendo la variante de memoria
DDR2 para computadoras portátiles.

CARACTERÍSTICAS DE LA MEMORIA SODDR2:

 Todas las memorias SODDR2 cuentan con 200 terminales, especiales


para computadoras portátiles.
 Las demás especificaciones como latencia, capacidades de
almacenamiento, velocidad, etc., son iguales a la del formato DDR2
para computadora de escritorio.

9.- MEMORIA RAM TIPO DDR3 (ACTUAL).

DDR-3 proviene de ("Dual Data Rate 3"), lo que traducido significa transmisión
doble de datos tercer generación: son el mas moderno estándar, un tipo de
memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las
cuales tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con

32
un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal
(Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR3, debido a que
cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el
primer estándar DIMM.

Actualmente compite contra el estándar de memorias RAM tipo DDR-2


("Double Data Rate - 2 ") y se busca que lo reemplace.

Memoria RAM tipo DDR-3, marca Kingston, ValueRAM, 240 terminales,


capacidad para 2 Gb, latencia CL 9, voltaje 1.5V.

CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LA MEMORIA DDR3

 Todas las memorias DDR-3 cuentan con 240 terminales.


 Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que al
insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta ó para evitar
que se inserten en ranuras inadecuadas.
 Como sus antecesores, pueden estar ó no ocupadas todas sus ranuras para
memoria.
 Tiene un voltaje de alimentación de 1.5 Volts.

 Con los sistemas operativos Microsoft® Windows más recientes en sus


versiones de 32 bits , es posible que no se reconozca la cantidad de memoria
DDR3 total instalada, ya que solo se reconocerán como máximo 2 Gb ó 3 Gb,
sin embargo el problema puede ser resuelto instalando las versiones de 64
bits.

PARTES QUE COMPONEN LA MEMORIA DDR3

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
básicamente los siguientes:

33
1.-  Tarjeta: es una placa plástica
sobre la cuál están soldadas los
componentes de la memoria.
2.-Chips: son módulos de memoria
volátil.
3.- Conector (240 terminales): base
de la memoria que se inserta en la
ranura especial para memoria DDR2.
4.- Muesca: indica la posición
Figura 3. Esquema de partes de
correcta dentro de la ranura de
la memoria DDR-3
memoria DDR3.

CONECTORES - TERMINALES PARA LA RANURA


Solo hay una versión física:
Conector Figuras
Conector de la
DDR-3 240 memoria
terminales Ranura de la tarjeta
principal

VELOCIDAD DE LA MEMORIA DDR3

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En


el caso de los DDR-3, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cuál se tiene
que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente se
comercializaron las siguientes:

Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side


Nombre asignado
Bus")
DDR3 PC3-8500 1066 MHz
DDR3 PC3-10666 1333 MHz
DDR3 PC3-12800 1600 MHz
DDR3 PC3-14900 1866 MHz

EL TIEMPO DE ACCESO DE LA MEMORIA DDR-3

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el

34
sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tiempo de respuesta en nanosegundos


Tipo de memoria
(nseg)
DDR3 PC3-8500 7.5 nseg.
DDR3 PC3-10666 6 nseg, 
DDR3 PC3-12800 5 nseg, 
DDR3 PC3-14900 ±4 nseg, 

LATENCIA DE LA MEMORIA DDR-3

CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria


en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es "Tiempo que
toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor está
relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que
al aumentar está, también aumenta la latencia.

Tipo de memoria Latencias (CL)


DDR3 PC3-8500 6 hasta 8
DDR3 PC3-10666 7 hasta 10
DDR3 PC3-12800 8 hasta 11
DDR3 PC3-14900 11 hasta 13

CAPACIDADES DE ALMACENAMIENTO DDR-3

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una


memoria DDR-3 es el Gigabyte (Gb). Actualmente se comercializan módulos
independientes y también en tipo Kit; es importante mencionar que las
memorias de más de 6 Gb no vienen en un sólo módulo de memoria, sino que
vienen en Kit (esto es, se venden 4 memorias de 2 Gb, dando resultado 8 Gb),
por lo que al momento de decidir cómo comprar la memoria, hay que tomar en
cuenta el número de ranuras con que cuenta la tarjeta principal y cuál es su
máxima capacidad en caso de que después queramos escalarla.

Tipo de memoria Capacidad en Megabytes (Mb)


DDR-3 240 terminales en un sólo módulo 1 Gb, 2 Gb,  4 Gb y 6 Gb

USOS ESPECÍFICOS DE LA MEMORIA DDR-3

35
Los DDR-3 de 240 terminales se comienzan a utilizar en equipos con el
procesador iX (i5 e i7) de la firma Intel® y también en equipos con procesador
AMD® Phenom y AMD® FX-74.

LA MEMORIA SODDR3 (VARIANTE DDR3)


Proviene de ("Small Outline Dual Data Rate 3"), siendo la variante de memoria
DDR3 para computadoras portátiles.

CARACTERÍSTICAS DE LA MEMORIA SODDR3:

 Todas las memorias SODDR3 cuentan con 204 terminales, especiales para
computadoras portátiles.

 Las demás especificaciones como latencia, capacidades de almacenamiento,


velocidad, etc. son iguales a la del formato DDR3 para computadora de
escritorio.

FUNCIONAMIENTO DE UNA MEMORIA RAM

Como apoyo a la comprensión del tema, te ofrecemos una animación sobre


el funcionamiento interno de una memoria RAM:

Animación de funcionamiento interno de una memoria RAM

1) La celda de memoria se carga de una corriente eléctrica alta cuándo


indica el valor 1.

2) La celda de memoria se carga de una corriente eléctrica baja cuándo


indica el valor 0.

3) Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la


información se pierde.

36
4) Este tipo de celdas tienen un fenómeno de recarga constante ya que
tienden a descargarse, independientemente si la celda almacena un 0 ó un
1, esto se le llama "refrescar la memoria", solo sucede en memorias RAM y
ello las vuelve relativamente lentas.

ESTRUCTURA LOGICA DE UNA MEMORIA RAM

Desde las primeras computadoras, la estructura lógica ha sido la siguiente:

 Memoria base: desde 0 hasta 640 Kb (Kilobytes), es en esta zona


dónde se almacena la mayoría de los programas que el usuario utiliza.
 Memoria superior y reservada: de 640 a 1.024 Mb (Megabytes), carga
unas estructuras llamadas páginas de intercambio de información y
unos bloques de memoria llamados UMB.
 Bloques UMB (Upper Memory Blocks): se trata de espacios
asignados para el sistema dentro de la memoria superior, pero debido a
la configuración de diversos dispositivos como el video, en algunos
casos estos espacios quedaban sin utilizar, por lo que se comenzó a
 Memoria expandida: se trata de memoria paginada que se asigna a
programas en memoria superior, la cuál algunas veces no se utilizaba
debido a la configuración del equipo y con este método se puede
utilizar.
 Memoria extendida: de 1.024 Mb hasta 2 Gb (Gigabytes), se cargan
todas las aplicaciones que no caben en la memoria base.

 Antes debido a que los equipos contaban con memoria RAM limitada, existían
utilerías que reacomodaban los programas cargados en memoria para
optimizar su funcionamiento, inclusive el sistema operativo Microsoft® Ms-DOS
necesitaba de un controlador especial (himem.sys), para reconocer la memoria
extendida, sin él solo reconocía 640 Kb aunque hubiera instalados 16 ó 32 Mb.

DEFINICION DE
UN BUFER DE
MEMORIA

37
Un Buffer (amortiguador), es un espacio físico en cualquier dispositivo de
almacenamiento masivo de lectura/escritura, comúnmente en RAM, que se
asigna para almacenar información que será procesada casi inmediatamente y
tenerla en espera de proceso, hasta que una vez utilizados los datos, estos se
borren para esperar nuevos. Estos segmentos se utilizan mucho en las
impresoras, que guardan en Buffer los documentos en cola de impresión, en
los antiguos Discman®, que para evitar que la melodía se detuviera, iban
almacenando unos segundos más de música en caso de un movimiento brusco
en el aparato y finalmente en Youtube mientras reproduce, se va adelantando
en descargar el resto del video.

TABLA DE TIPOS DE MEMORIAS ACTUALES EN GENERAL

Tipo de
Significado Descripción
memoria
Tipo RAM
Memoria primaria de la computadora, en la
"Random Aleatory que puede leerse y escribirse información en
RAM Memory", memoria de cualquier momento, pero que pierde la
acceso aleatorio información al no tener alimentación
eléctrica.
EDO RAM "Extended Data Out Tecnología opcional en las memorias RAM
Random Access utilizadas en servidores, que permite acortar
Memory", memoria de el camino de la transferencia de datos entre

38
acceso aleatorio con
salida de datos la memoria y el microprocesador.
extendida
"Burst EDO Random
Access Memory", Tecnología opcional; se trata de una
memoria de acceso memoria EDO RAM que mejora su velocidad
BEDO RAM
aleatorio con salida de gracias al acceso sin latencias a direcciones
datos extendida y contiguas de memoria.
acceso Burst
Es el tipo de memoria mas común y
"Dinamic Random
económica, construida con capacitores por lo
Access Memory",
DRAM que necesitan constantemente refrescar el
memoria dinámica de
dato que tengan almacenado, haciendo el
acceso aleatorio
proceso hasta cierto punto lento.
Tecnología DRAM que utiliza un reloj para
sincronizar con el microprocesador la
"Synchronous Dinamic
entrada y salida de datos en la memoria de
Random Access
un chip. Se ha utilizado en las memorias
SDRAM Memory", memoria
comerciales como SIMM, DIMM, y
dinámica de acceso
actualmente la familia de  memorias DDR
aleatorio
(DDR, DDR2, DDR3, GDDR, etc.), entran en
esta clasificación.
"Fast Page Mode
Tecnología opcional en las memorias RAM
Dinamic Random Access
FPM utilizadas en servidores, que aumenta el
Memory", memoria
DRAM rendimiento a las direcciones mediante
dinámica de paginación
páginas.
de acceso aleatorio
Memoria DRAM de alta velocidad
"Rambus DRAM",
desarrollada para procesadores con
memoria dinámica de
RDRAM velocidad superior a 1 GHz, en esta
acceso aleatorio para
clasificación se encuentra la familia de 
tecnología Rambus
memorias RIMM.
Memoria RAM muy veloz y relativamente
cara, construida con transistores, que no
"Static Random Access necesitan de proceso de refresco de datos.
SRAM / Memory", memoria Anteriormente había módulos de memoria
Caché estática de acceso independientes, pero actualmente solo se
aleatorio encuentra integrada dentro de
microprocesadores y discos duros para
hacerlos mas eficientes.

BIBLIOGRAFIA

PAGINA WEB

http://ensanblaje.blogspot.com/2009/01/historia-de-la-memoria-
ram.html

http://www.monografias.com/trabajos11/memoram/memoram.shtml

http://www.profesormolina.com.ar/electronica/componentes/int/me
m_intr.htm

39
http://informaticamoderna.com/Memoria_RAM.htm#defin

40

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