Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
La Memoria Ram - Trabajo Final
La Memoria Ram - Trabajo Final
TRABAJO DE INVESTIGACION
MEMORIA RAM
TACNA – PERU
1
2
INTRODUCCION
Cada ordenador viene con cierta cantidad de memoria física, referida generalmente
como memoria principal o RAM. Se puede pensar en memoria principal como arreglo
de celdas de memoria, cada una de los cuales puede llevar a cabo un solo byte de
información.
Un ordenador que tiene 1 megabyte de la memoria, por lo tanto, puede llevar a cabo
cerca de 1 millón de Bytes (o caracteres) de la información.
Para leer la memoria, el procesador envía la dirección para los datos requeridos. De
inmediato, el controlador de la memoria encuentra los bits de información contenidos
en el cubículo adecuado y los envía al bus de datos del procesador.
3
I. HISTORIA DE LA MEMORIA RAM
“La memoria RAM es una memoria volátil, es un tipo de memoria temporal que
pierden sus datos cuando se quedan sin energía. Se utiliza generalmente para
almacenar temporalmente datos, con este trabajo pretendemos mostrar la historia y
la evolución de la memoria RAM a través del tiempo desde un punto de vista
técnico.” Mensionaremos clases de memorias
Ejemplo:
Cuando damos doble clic a la aplicación Microsoft® Word, el programa será leído
desde el disco duro e inmediatamente la computadora buscará almacenarlo en la
memoria RAM, ello para que el usuario lo utilice sin la lentitud que implicaría
trabajarlo desde el disco duro, y una vez terminada de usar la aplicación, la RAM se
libera para poder cargar el próximo programa.
4
III. TIPOS DE MEMORIAS DRAM COMERCIALES
Hay tres tipos de memorias RAM, las primeras son las DRAM, SRAM y una
emulación denominada Swap:
DRAM:
Las siglas provienen de ("Dinamic Read Aleatory Memory") ó dinámicas, debido a
que sus chips se encuentran construidos a base de condensadores, los cuáles
necesitan constantemente refrescar su carga (bits) y esto les resta velocidad pero a
cambio tienen un precio económico.
Ejemplo:
Hagamos una analogía con una empresa que fabrica hielo pero no cuenta con una
toma de agua, sino que constantemente necesita de pipas con agua para realizar
su producto. Esto la hace lenta ya que tiene que esperar que le lleven las pipas ó
carros tanque, descargarlas, etc.
La siguiente lista muestra las memorias RAM en modo descendente, la primer liga
es la más antigua y la última la más reciente.
5
CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LA MEMORIA TSOP
Básicamente había de diferentes formas y tamaños como cualquier otro
circuito integrado.
Cuentan con una forma física como cualquier otro chip y se introducen las
terminales en el espacio asignado para ello
Conector Figuras
Conector de la
TSOP de 20 memoria
terminales
Zócalos de la tarjeta
principal
6
LA MEMORIA DE PARIDAD
Carácter
Byte Número de unos Impar ó par Bit de paridad
Humano
A 0100 0001 2 Par 1
L 0100 1100 3 Impar 0
7
SIP es la sigla de ("Single In-line Package"), lo que traducido significa soporte
simple en línea: son los primeros tipos de memorias DRAM (RAM de celdas
construidas a base de capacitores), que integraron en una sola tarjeta varios
módulos de memoria TSOP, lográndose comercializar mayores capacidades en
una sola placa. Las terminales se concentraron en la parte baja en forma de
pines (30) que se insertaban dentro de las ranuras especiales de la tarjeta
principal (Motherboard).
Las memorias SIP fueron rápidamente reemplazadas por las memorias RAM
tipo SIMM ("Single In line Memory Module"), ya que las terminales se
integraron a una placa plástica y se hizo mas resistente a los dobleces.
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
básicamente los siguientes:
8
1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál
están soldadas los componentes de la memoria.
2.-Chips: son módulos de memoria volátil.
3.- Conector (30 pines): son terminales tienen
forma de pin, que se insertan en el módulo especial
para memoria SIP.
Figura 3. Esquema de una
memoria RAM tipo SIP.
LA MEMORIA DE PARIDAD
9
número de "unos" del byte es impar, el "bit extra ó bit de paridad" será 0,
ejemplo:
Carácter
Byte Número de unos Impar ó par Bit de paridad
Humano
A 0100 0001 2 Par 1
L 0100 1100 3 Impar 0
10
3.- MEMORIA RAM TIPO SIMM.
Las memorias SIMM reemplazaron a las memorias RAM tipo SIP ("Single In-
Line Package").
Las memorias SIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DIMM
("Dual In line Memory Module").
Figura 2. Memoria RAM tipo SIMM, Figura 3. Memoria RAM tipo SIMM,
genérica, L-9645-8ML-194V-0, 3 genérica, HYM591000PM, 12 chips, 72
chips, 30 pines, capacidad de 1 Mb. pines, capacidad 32 Mb.
11
Pueden convivir en la misma tarjeta principal ("Motherboard") ambos tipos
si esta tiene las ranuras necesarias para ello.
Conector Figuras
Conector
de la
memoria
SIMM 30
Ranura
terminales
de la
tarjeta
principal
VELOCIDAD DE LA MEMORIA SIMM
12
LA MEMORIA DE PARIDAD
Esto se logra añadiendo un "bit extra" por cada byte (8 bits), de modo que si el
número de "unos" del byte es par, el "bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el
número de "unos" del byte es impar, el "bit extra ó bit de paridad" será 0,
ejemplo:
ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa código
para corrección de errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de
detectar y corregir errores de 1 ó más bits, de tal suerte que el usuario no
detecta la falla, pero en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad.
13
MODO DE ACCESO FPM
FPM son las siglas de ("Fast Page Mode") ó modo rápido de paginación. Es
una tecnología que mejora el rendimiento de las memorias DRAM ("Dinamic
Read Aleatory Memory", es decir memorias con almacenamiento basado en
capacitores , accediendo a las direcciones solicitadas por medio de cambios de
página.
14
DIMM proviene de ("Dual In line Memory Module"), lo que traducido significa
módulo de memoria de línea dual (este nombre es debido a que sus contactos
de cada lado son independientes, por lo tanto el contacto es doble en la tarjeta
de memoria): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a
base de capacitores), las cuáles pueden tener chips de memoria en ambos
lados de la tarjeta ó solo de un lado, cuentan con un conector especial de 168
terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). Cabe destacar
que la característica de las memorias de línea dual, es precursora de los
estándares modernos RIMM y DDR-X), por ello no es de extrañarse que
también se les denomine DIMM - SDRAM tipo RIMM ó DIMM - SDRAM DDR-X.
Las memorias DIMM - SDRAM fueron reemplazadas por las memorias tipo
RIMM ("Rambus Inline Memory Module") y las memorias tipo DDR ("Double
Data Rate").
Memoria RAM tipo DIMM - SDRAM, marca Kingston® PC133, sin capacidad
definida, 168 pines.
CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LA MEMORIA DIMM – SDRAM
Cuenta con conectores físicamente independientes en ambas caras de
la tarjeta de memoria, de allí que se les denomina duales.
Todas las memorias DIMM - SDRAM cuentan con 168 terminales.
Cuentan con un par de muescas en un lugar estratégico del conector,
para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera
incorrecta.
La memoria DIMM - SDRAM permite el manejo de 32 y 64 bits.
La medida del DIMM - SDRAM es de 13.76 cm. de largo X 2.54 cm. de
alto.
15
Puede convivir con SIMM en la misma tarjeta principal ("Motherboard")
si esta cuenta con ambas ranuras.
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
básicamente los siguientes:
16
La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz
(MHz). En el caso de los DIMM - SDRAM, tiene varias velocidades de trabajo
disponibles, la cuál se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del
sistema. Básicamente fueron las siguientes:
LA MEMORIA DE PARIDAD
Es una característica integrada en los chips de memoria, la cuál consiste en la
detección de errores durante las operaciones de lectura dentro de la memoria,
antes de que la computadora utilice el dato.
Esto se logra añadiendo un "bit extra" por cada byte (8 bits), de modo que si el
número de "unos" del byte es par, el "bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el
número de "unos" del byte es impar, el "bit extra ó bit de paridad" será 0,
ejemplo:
17
ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa código
para corrección de errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de
detectar y corregir errores de 1 ó más bits, de tal suerte que el usuario no
detecta la falla, pero en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad.
Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemático de parte del ECC, el
cuál se almacena junto con los otros datos, así al ser solicitados estos, se
comparará el código almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la
no coincidencia exacta de lo anterior el código original se decodificará para
determinar la falla y se procede a corregirlo.
18
La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una
memoria DIMM - SDRAM es el Megabyte (Mb). Actualmente en México todavía
se venden de manera comercial algunas de las siguientes capacidades:
Tipo de memoria Capacidad en Megabytes (Mb)
DIMM - SDRAM 168 terminales PC100 32 Mb, 64 Mb, 128 Mb, 256 Mb, 512 Mb
DIMM - SDRAM 168 terminales PC133 32 Mb, 64 Mb, 128 Mb, 256 Mb, 512 Mb
19
DDR proviene de ("Dual Data Rate"), lo que traducido significa transmisión
doble de datos (este nombre es debido a que incorpora dos canales para
enviar los datos de manera simultánea): son un tipo de memorias DRAM (RAM
de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de
memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de
184 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). También se
les denomina DIMM tipo DDR, debido a que cuentan con conectores
físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.
Compitió directamente contra las memorias RAM tipo RIMM ("Rambus In line
Memory Module").
Estas memorias están siendo reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR2
("Double Data Rate - 2").
Memoria RAM tipo DDR, marca Kingston®, modelo KVR266, capacidad 128
Mb, bus 266 MHz.
CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LA MEMORIA DDR
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
básicamente los siguientes:
20
1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la
cuál están soldadas los componentes de
la memoria.
2.-Chips: son módulos de memoria volátil.
3.- Conector (184 terminales): base de
la memoria que se inserta en la ranura
especial para memoria DDR.
4.- Muesca: indica la posición correcta
Esquema de partes de la
dentro de la ranura de memoria DDR.
memoria RAM tipo DDR
Conector Figuras
Conector
de la
memoria
DDR 184
Ranura
terminales
de la
tarjeta
principal
21
Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side
Nombre asignado
Bus")
PC-2100 266 MHz
PC-2700 333 MHz
PC-3200 400 MHz
ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa código
para corrección de errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de
detectar y corregir errores de 1 ó más bits, de tal suerte que el usuario no
detecta la falla, pero en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad.
Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemático de parte del ECC, el
cual se almacena junto con los otros datos, así al ser solicitados estos, se
comparará el código almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la
no coincidencia exacta de lo anterior el código original se decodificará para
determinar la falla y se procede a corregirlo.
22
toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor está
relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que
al aumentar está, también aumenta la latencia.
Todas las memorias SODDR cuentan con 200 terminales, especiales para
computadoras portátiles, mientras que las microDDR cuentan con 172
terminales.
Las demás especificaciones como latencia, capacidades de almacenamiento,
velocidad, etc., son iguales a la del formato DDR para computadora de
23
escritorio.
Se buscaba que fueran el estándar que reemplazaría a las memorias RAM tipo
DIMM ("Dual In line Memory Module").
Las memorias RIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR
("Double Data Rate") las cuáles eran más económicas.
24
Memoria RAM tipo RIMM, marca Samsung®, modelo PC800, 184 terminales,
chips RDRAM, capacidad 256 Mb, con ECC.
Los componentes internos están cubiertos por una placa metálica que actúa
como disipador de calor:
1.- Disipador: es una placa
metálica que cubre la tarjeta
plástica y los chips, ya que tienden
a sobrecalentarse y de este modo
absorbe el calor y lo transmite al
ambiente.
2.- Conector (184 terminales):
base de la memoria que se inserta
Figura 3. Esquema externo de en la ranura especial para memoria
una memoria RAM tipo RIMM RIMM.
3.- Muescas: son 2 hendiduras
características de la memoria RIMM
y que indican la posición correcta
25
dentro de la ranura de memoria.
Conector
de la
memoria
RIMM 184
Ranura de
terminales la tarjeta
principal
(viene por
pares)
ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa código
para corrección de errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de
detectar y corregir errores de 1 ó mas bits, de tal suerte que el usuario no
detecta la falla, pero en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad.
26
Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side
Nombre asignado
Bus")
PC600 300 MegaHertz (MHz)
PC700 356 MHz
PC800 400 MHz
PC1066 533 MHz
(...) 800 MHz
27
USOS ESPECÍFICOS DE LA MEMORIA RIMM
Capacidad comercial
Tipo de RAM Características
instalada Mb/Gb
Basada en tecnología DDR2,
esta nueva especificación para
tarjetas gráficas de alto
GDDR5 "Graphics Double 1.024 Gb, 1.536 Gb, hasta
rendimiento, provee un doble
Data Rate 5" 4 Gb
ancho de banda a diferencia
de GDDR4, que permite ser
configurada a 32 y 64 bits,
GDDR4 "Graphics Double Es un tipo de memoria que 256 Mb
Data Rate 4" también se basa en la
28
tecnología DDR, que mejora
las características de consumo
y ventilación con respecto a la
GDDR3.
Es un tipo de memoria
adaptada para el uso con
tarjetas de video, con 256 Mb, 384 Mb, 512 Mb,
GDDR3 "Graphics Double
características de la memoria 768 Mb, 896 Mb, 1 Gb,
Data Rate 3"
DDR2, mejoradas para reducir 1.792 Gb
consumo eléctrico y hacer
eficiente la disipación de calor.
Es un tipo de memoria
GDDR2 "Graphics Double adaptada para tarjetas de
256 Mb, 512 Mb, 1 Gb
Data Rate 2" video, con características de la
memoria DDR y DDR2.
Es un estándar de RAM que
transmite datos de manera
GDDR "Graphics Double doble por canales distintos de 64 Mb, 128 Mb, 256 Mb,
Data Rate" manera simultánea, en este 512 Mb
caso está diseñada para el uso
en tarjetas de video.
DDR-2 proviene de ("Dual Data Rate 2"), lo que traducido significa transmisión
doble de datos segunda generación (este nombre es debido a que incorpora
dos canales para enviar y además recibir los datos de manera simultánea): son
un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de
capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la
tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la
tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR2,
debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas
caras como el primer estándar DIMM.
Actualmente compite contra un nuevo estándar: las memorias RAM tipo DDR-3
"Double Data Rate -3 ".
29
Memoria RAM tipo DDR-2, marca Kingston®, capacidad para 512 Mb,
velocidad 667 MHz, tipo PC5300.
CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LA MEMORIA DDR-2
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
básicamente los siguientes:
Conector Figuras
DDR-2 240 Conector
terminales de la
memoria
Ranura de
30
la tarjeta
principal
31
CAPACIDADES DE ALMACENAMIENTO DDR-2
Proviene de ("Small Outline Dual Data Rate 2"), siendo la variante de memoria
DDR2 para computadoras portátiles.
DDR-3 proviene de ("Dual Data Rate 3"), lo que traducido significa transmisión
doble de datos tercer generación: son el mas moderno estándar, un tipo de
memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las
cuales tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con
32
un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal
(Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR3, debido a que
cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el
primer estándar DIMM.
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
básicamente los siguientes:
33
1.- Tarjeta: es una placa plástica
sobre la cuál están soldadas los
componentes de la memoria.
2.-Chips: son módulos de memoria
volátil.
3.- Conector (240 terminales): base
de la memoria que se inserta en la
ranura especial para memoria DDR2.
4.- Muesca: indica la posición
Figura 3. Esquema de partes de
correcta dentro de la ranura de
la memoria DDR-3
memoria DDR3.
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el
34
sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
35
Los DDR-3 de 240 terminales se comienzan a utilizar en equipos con el
procesador iX (i5 e i7) de la firma Intel® y también en equipos con procesador
AMD® Phenom y AMD® FX-74.
Todas las memorias SODDR3 cuentan con 204 terminales, especiales para
computadoras portátiles.
36
4) Este tipo de celdas tienen un fenómeno de recarga constante ya que
tienden a descargarse, independientemente si la celda almacena un 0 ó un
1, esto se le llama "refrescar la memoria", solo sucede en memorias RAM y
ello las vuelve relativamente lentas.
Antes debido a que los equipos contaban con memoria RAM limitada, existían
utilerías que reacomodaban los programas cargados en memoria para
optimizar su funcionamiento, inclusive el sistema operativo Microsoft® Ms-DOS
necesitaba de un controlador especial (himem.sys), para reconocer la memoria
extendida, sin él solo reconocía 640 Kb aunque hubiera instalados 16 ó 32 Mb.
DEFINICION DE
UN BUFER DE
MEMORIA
37
Un Buffer (amortiguador), es un espacio físico en cualquier dispositivo de
almacenamiento masivo de lectura/escritura, comúnmente en RAM, que se
asigna para almacenar información que será procesada casi inmediatamente y
tenerla en espera de proceso, hasta que una vez utilizados los datos, estos se
borren para esperar nuevos. Estos segmentos se utilizan mucho en las
impresoras, que guardan en Buffer los documentos en cola de impresión, en
los antiguos Discman®, que para evitar que la melodía se detuviera, iban
almacenando unos segundos más de música en caso de un movimiento brusco
en el aparato y finalmente en Youtube mientras reproduce, se va adelantando
en descargar el resto del video.
Tipo de
Significado Descripción
memoria
Tipo RAM
Memoria primaria de la computadora, en la
"Random Aleatory que puede leerse y escribirse información en
RAM Memory", memoria de cualquier momento, pero que pierde la
acceso aleatorio información al no tener alimentación
eléctrica.
EDO RAM "Extended Data Out Tecnología opcional en las memorias RAM
Random Access utilizadas en servidores, que permite acortar
Memory", memoria de el camino de la transferencia de datos entre
38
acceso aleatorio con
salida de datos la memoria y el microprocesador.
extendida
"Burst EDO Random
Access Memory", Tecnología opcional; se trata de una
memoria de acceso memoria EDO RAM que mejora su velocidad
BEDO RAM
aleatorio con salida de gracias al acceso sin latencias a direcciones
datos extendida y contiguas de memoria.
acceso Burst
Es el tipo de memoria mas común y
"Dinamic Random
económica, construida con capacitores por lo
Access Memory",
DRAM que necesitan constantemente refrescar el
memoria dinámica de
dato que tengan almacenado, haciendo el
acceso aleatorio
proceso hasta cierto punto lento.
Tecnología DRAM que utiliza un reloj para
sincronizar con el microprocesador la
"Synchronous Dinamic
entrada y salida de datos en la memoria de
Random Access
un chip. Se ha utilizado en las memorias
SDRAM Memory", memoria
comerciales como SIMM, DIMM, y
dinámica de acceso
actualmente la familia de memorias DDR
aleatorio
(DDR, DDR2, DDR3, GDDR, etc.), entran en
esta clasificación.
"Fast Page Mode
Tecnología opcional en las memorias RAM
Dinamic Random Access
FPM utilizadas en servidores, que aumenta el
Memory", memoria
DRAM rendimiento a las direcciones mediante
dinámica de paginación
páginas.
de acceso aleatorio
Memoria DRAM de alta velocidad
"Rambus DRAM",
desarrollada para procesadores con
memoria dinámica de
RDRAM velocidad superior a 1 GHz, en esta
acceso aleatorio para
clasificación se encuentra la familia de
tecnología Rambus
memorias RIMM.
Memoria RAM muy veloz y relativamente
cara, construida con transistores, que no
"Static Random Access necesitan de proceso de refresco de datos.
SRAM / Memory", memoria Anteriormente había módulos de memoria
Caché estática de acceso independientes, pero actualmente solo se
aleatorio encuentra integrada dentro de
microprocesadores y discos duros para
hacerlos mas eficientes.
BIBLIOGRAFIA
PAGINA WEB
http://ensanblaje.blogspot.com/2009/01/historia-de-la-memoria-
ram.html
http://www.monografias.com/trabajos11/memoram/memoram.shtml
http://www.profesormolina.com.ar/electronica/componentes/int/me
m_intr.htm
39
http://informaticamoderna.com/Memoria_RAM.htm#defin
40