y La memoria de acceso aleatorio (en ingls: random-access memory

cuyo acrnimo es RAM) es la memoria desde donde el procesador recibe las instrucciones y guarda los resultados. Es el rea de trabajo para la mayor parte del software de un computador.Existe una memoria intermedia entre el procesador y la RAM, llamada cache pero sta slo es una copia (de acceso rpido) de la memoria principal (tpicamente discos duros) almacenada en los mdulos de RAM.[ y Se trata de una memoria de estado slido tipo DRAM en la que se puede tanto leer como escribir informacin. Se utiliza como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayora del software. Es all donde se cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de cmputo. Se dicen "de acceso aleatorio" porque se puede leer o escribir en una posicin de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posicin, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la informacin de la manera ms rpida posible.

La denominacin de Acceso aleatorio surgi para diferenciarlas de las memoria de acceso secuencial, debido a que en los comienzos de la computacin, las memorias principales (o primarias) de las computadoras eran siempre de tipo RAM y las memorias secundarias (o masivas) eran de acceso secuencial (cintas o tarjetas perforadas). Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de ncleo magntico, desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo de circuitos integrados a finales de los aos 60 y principios de los 70. Antes que eso, las computadoras usaban reles y lneas de retardo de varios tipos construidas con tubos de vaco para implementar las funciones de memoria principal con o sin acceso aleatorio. En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de silicio por parte de Intelc on el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el siguiente ao se present una memoria DRAM de 1 Kilobite

y En 1973 se present una innovacin que permiti otra miniaturizacin

y y y

y se convirti en estndar para las memorias DRAM: la multiplexacin en tiempo de la direcciones de memoria. MOSTEK lanz la referencia MK4096 de 4Kb en un empaque de 16 pines,mientras sus competidores las fabricaban en el empaque DIP de 22 pines. A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el aumento en el ancho de banda requerido, dejaron rezagadas a las memorias DRAM con el esquema original MOSTEK, de manera que se realizaron una serie de mejoras en el direccionamiento como las siguientes: Mdulos formato SIMM de 30 y 72 pines, los ltimos fueron utilizados con integrados tipo EDO-RAM FPM-RAM (Fast Page Mode RAM) Inspirado en tcnicas como el "Burst Mode" usado en procesadores como el Intel 486, se implanto un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria enva una sola direccin y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones consecutivas.

y Se fabricaban con tiempos de acceso de 70 60 ns y fueron muy y y

y y

populares en sistemas basados en el 486 y los primeros Pentium. EDO-RAM (Extended Data Output RAM) Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos de 40 o 30ns supona una mejora sobre su antecesora la FPM. La EDO, tambin es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la informacin de la columna anterior, dando como resultado una eliminacin de estados de espera, manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el prximo ciclo de lectura. BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM) Fue la evolucin de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y acceda a mas de una posicin de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeo un 50% mejor que la EDO.

y Mdulos de memoria RAM y Los mdulos de memoria RAM son tarjetas de circuito

impreso que tienen soldados integrados de memoria DRAM por una o ambas caras. La implementacin DRAMse basa en una topologa de Circuito elctrico que permite alcanzar densidades altas de memoria por cantidad de transistores, logrando integrados de cientos o miles de Kilobits. Adems de DRAM, los mdulos poseen un integrado que permiten la identificacin del mismos ante el computador por medio del protocolo de comunicacin SPD.

y Relacin con el resto del sistema y El controlador de memoria debe ser diseado basndose en una tecnologa de memoria, por lo general soporta solo una, pero existen excepciones de sistemas cuyos controladores soportan dos tecnologas (por ejemplo SDR y DDR o DDR1 y DDR2), esto sucede en las pocas de entrada de un nuevo tipo de RAM. Los controladores de memoria en sistemas como PC y servidores se encuentran embebidos en el llamado "North Bridge" o dentro del mismo procesador (en el caso de los procesadores AMD Athlon e Intel Core i7) y son los encargados de manejar la mayora de informacin que entra y sale del procesador.

y Las seales bsicas en el mdulo estn divididas en dos buses y

un conjunto miscelneo de lneas de control y alimentacin. Entre todas forman el bus de memoria: y Bus de datos: Son las lneas que llevan informacin entre los integrados y el controlador. Por lo general estn agrupados en octetos siendo de 8,16,32 y 64 bits, cantidad que debe igualar el ancho del bus de datos del procesador y Bus de direcciones: Es un bus en el cual se colocan las direcciones de memoria a las que se requiere acceder. No es igual al bus de direcciones del resto del sistema, ya que est multiplexado de manera que la direccin se enva en dos etapas.Para ello el controlador realiza temporizaciones y usa las lneas de control. En cada estndar de mdulo se establece un tamao mximo en bits de este bus, estableciendo un lmite terico de la capacidad mxima por mdulo

y Seales miscelneas: Entre las que estn las de la alimentacin

(Vdd, Vss) que se encargan de entregar potencia a los integrados. Estn las lneas de comunicacin para el integrado de presencia que da informacin clave acerca del mdulo. Tambin estn las lneas de control entre las que se encuentran las llamadas RAS (row address strobe) y CAS (column address strobe) que controlan el bus de direcciones y las seales de reloj en las memorias sincrnicas SDRAMEntre las caractersticas sobresalientes del controlador de memoria, est la capacidad de manejar la tecnologa de canal doble (Dual Channel)o tres canales, donde el controlador maneja bancos de memoria de 128 bits. Aunque el ancho del bus de datos del procesador sigue siendo de 64 bits, el controlador de memoria puede entregar los datos de manera intercalada, optando por uno u otro canal, reduciendo las latencias vistas por el procesador.

y Tecnologas de memoria o Tipos de memoria y Memoria SDR SDRAM. y Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) es una memoria

dinmica de acceso aleatorio (DRAM) que tiene una interfaz sncrona. Tradicionalmente, la memoria dinmica de acceso aleatorio (DRAM) tiene una interfaz asncrona, lo que significa que el cambio de estado de la memoria tarda un cierto tiempo, dado por las caractersticas de la memoria, desde que cambian sus entradas. En cambio, en las SDRAM el cambio de estado tiene lugar en el momento sealado por una seal de reloj y, por lo tanto, est sincronizada con el bus de sistema del ordenador. El reloj tambin permite controlar una mquina de estados finitos interna que controla la funcin de "pipeline" (segmentacin) de las instrucciones de entrada. Esto permite que el chip tenga un patrn de operacin ms complejo que la DRAM asncrona, que no tiene una interfaz de sincronizacin. y Las SDRAM son ampliamente utilizadas en los ordenadores, desde la original SDRAM y las posteriores DDR (o DDR1), DDR2 y DDR3. Actualmente se est diseando la DDR4 y se prev que estar disponible en 2012.

y El mtodo de segmentacin significa que el chip puede aceptar

una nueva instruccin antes de que haya terminado de procesar la anterior. En una escritura de datos, el comando "escribir" puede ser seguido inmediatamente por otra instruccin, sin esperar a que los datos se escriban en la matriz de memoria. En una lectura, los datos solicitados aparecen despus de un nmero fijo de pulsos de reloj tras la instruccin de lectura, durante los cuales se pueden enviar otras instrucciones adicionales. (Este retraso se llama latencia y es un parmetro importante a considerar cuando se compra una memoria SDRAM para un ordenador.) y Las SDRAM son ampliamente utilizadas en los ordenadores, desde la original SDRAM y las posteriores DDR (o DDR1), DDR2 y DDR3. Actualmente se est diseando la DDR4 y se prev que estar disponible en 2012.

y DDR (Double Data Rate) significa doble tasa de transferencia de datos en espaol. Son mdulos de memoria RAM compuestos por memorias sncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultneamente en un mismo ciclo de reloj. Los mdulos DDR soportan una capacidad mxima de 1 nibble. y Fueron primero adoptadas en sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Intel con su Pentium 4 en un principio utiliz nicamente memorias RAMBUS, ms costosas. Ante el avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados en DDR SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR, lo que le permiti competir en precio. Son compatibles con los procesadores de Intel Pentium 4 que disponen de un Front Side Bus (FSB) de 64 bits de datos y frecuencias de reloj desde 200 a 400 MHz y Muchas placas base permiten utilizar estas memorias en dos modos de trabajo distintos: y Single Memory Channel: Todos los mdulos de memoria intercambian informacin con el bus a travs de un slo canal, para ello slo es necesario introducir todos los mdulos DIMM en el mismo banco de slots. y Dual Memory Channel: Se reparten los mdulos de memoria entre los dos bancos de slots diferenciados en la placa base, y pueden intercambiar datos con el bus a travs de dos canales simultneos, uno para cada banco.

y DDR2 es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM

de tecnologas de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la DRAM. y Un mdulo DDR2 de 1 GB con disipador y Los mdulos DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (si una DDR a 200 MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200 MHz reales entrega 800 MHz nominales). Este sistema funciona debido a que dentro de las memorias hay un pequeo buffer que es el que guarda la informacin para luego transmitirla fuera del modulo de memoria, este buffer en el caso de la DDR convencional trabajaba tomando los 2 bits para transmitirlos en 1 slo ciclo, lo que aumenta la frecuencia final. En las DDR2, el buffer almacena 4 bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la frecuencia nominal sin necesidad de aumentar la frecuencia real de los mdulos de memoria.

y DDR3 es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM

de tecnologas de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la SDRAM. y El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de hacer transferencias de datos ocho veces mas rpido, esto nos permite obtener velocidades pico de transferencia y velocidades de bus ms altas que las versiones DDR anteriores. Sin embargo, no hay una reduccin en la latencia, la cual es proporcionalmente ms alta. Adems la DDR3 permite usar integrados de 512 megabits a 8 gigabytes, siendo posible fabricar mdulos de hasta 16 Gb y La memoria GDDR3, con un nombre similar pero con una tecnologa completamente distinta, ha sido usada durante varios aos en tarjetas grficas de gama alta como las series GeForce6x00 ATI Radeon X800 Pro y es la utilizada como memoria principal de la Xbox 360. A veces es incorrectamente citada como "DDR3".

y RDRAM y La RDRAM es un tipo de memoria sncrona, conocida como Rambus DRAM. ste es un tipo de memoria de siguiente generacin a la DRAM en la que se ha rediseado la DRAM desde la base pensando en cmo se debera integrar en un sistema. y El modo de funcionar de estas memorias es diferente a las DRAM, cambios producidos en una serie de decisiones de diseo que no buscan solo proporcionar un alto ancho de banda, sino que tambin solucionan los problemas de granularidad y nmero de pins. Este tipo de memoria se utiliz en el sistema de videojuegos Nintendo 64 de Nintendo y otros aparatos de posterior salida. y Caractersticas RDRAM y Una de las caractersticas ms destacable dentro de las RDRAM es que su ancho de palabra es de tan slo 16 bits comparado con los 64 a los que trabajan las SDRAM, y tambin trabaja a una velocidad mucho mayor, llegando hasta los 400Mhz. Al trabajar en flancos positivos y negativos, se puede decir que puede alcanzar unos 800 Mhz virtuales o equivalentes; este conjunto le da un amplio ancho de banda. Por eso, a pesar de disearse como alternativa a la SDR SDRAM, se convirti en competidora de la DDR SDRAM.

y En la poca en la que se disearon suspusieron un gran reto para los ingenieros, debido principalmente a la necesidad de utilizar chips estables a alta frecuencia, lo que requera un silicio especialmente puro y que encareci el precio de las memorias por encima de sus competidoras. y Posteriormente nos encontramos que la frecuencia principal de las RDRAM lleg a los 1200 Mhz, incorporando dos canales RDRAM separados, a 1200 Mhz en un solo mdulo RIMM 4800. Adems, han pasado de RIMMs de 16 bits a conseguir mdulos de 32 y