UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL DEL TACHIRA

DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRONICA

NUCLEO DE ELECTRONICA Y SISTEMAS DIGITALES
CIRCUITOS DE ALTAS FRECUENCIAS

CIRCUITOS DE ALTAS FRECUENCIAS

Reyes Vargas Emily Carolina

C.I. 16.611.374

San Cristóbal, Mayo de 2008.

Los circuitos de altas frecuencias
 Se fabrican en técnicas híbridas, actualmente en la región de los
GHz (en técnicas superficiales, con plásticos y cerámicas, con
unidades de componentes pasivos y componentes semiconductores
activos ).
 Los circuitos de altas frecuencias de silicio se fabrican en una sola
tecnología para todos sus componentes, y operan en la región baja
de los GHz.
 Los circuitos integrados monolíticos de GaAs operan hasta
frecuencias de 40 GHz.
Los circuitos de altas
frecuencias
 Los circuitos integrados de microondas (MMIC) se fabrican de
GaAs y heteroestructuras.
 La técnica híbrida es la más usada por su bajo costo y se denomina
MIC.
 Las causas para el desarrollo de circuitos de alta frecuencia en
técnica integrada son: facilidad en la fabricación y fácil
acoplamiento a las dimensiones de los componentes activos
semiconductores.
 Las técnicas de fabricación MICROSTRIP muestran grandes
ventajas.
 El uso de guías de ondas metálicas no encuentran aplicación en la
tecnología integrada.
 TIPOS DE GUÍAS DE ONDAS
PELICULARES
 Las guías de ondas peliculares son líneas de transmisión de
microondas. Tienen la forma de cintas planas conductoras sobre un
sustrato dieléctrico.

 Línea MICROSTRIP invertida.

 Estructura de fácil fabricación.
 Bajo costo de diseño.
 Es la estructura más usada.
 TIPOS DE GUÍAS DE ONDAS
PELICULARES
 La línea MICROSTRIP de tres platos se fabrica de sustratos de
plásticos.

 La linea MICROSTRIP de sustrato suspendido tiene un alto

rendimiento debido a su estructura blindada y presenta alta
precisión en sus características eléctricas.
 TIPOS DE GUÍAS DE ONDAS
PELICULARES
 La línea MICROSTRIP flotante presenta una baja atenuación y se
encuentra en un sustrato metalizado.

 En la línea MICROSTRIP de imagen dieléctrica las ondas se

alimentan por medio de una pista metálica depuesta en el dieléctrico
 TIPOS DE GUÍAS DE ONDAS
PELICULARES
 En la micro guía la pista más ancha determina la frecuencia de la
operación. Es posible lograr resonancia en el primer armónico.

 La MICROSTRIP de cámara se fabrica con un blindaje metálico.

 TIPOS DE GUÍAS DE ONDAS
PELICULARES
 La MICROSTRIP guiado invertido facilita el desacoplamiento
contra masa.

 La MICROSTRIP de tres pitas de alto rendimiento.

 La MICROSTRIP elevada.
 TIPOS DE GUÍAS DE ONDAS
PELICULARES
 La MICROSTRIP invertida.
TIPOS DE MODOS DE PROPAGACIÓN
TIPOS DE MODOS DE PROPAGACIÓN
 En forma general se denominan estos campos:
– Onda o Modo HEn
 n: es el número de veces que la DENSIDAD DE
CORRIENTE en la dirección “y”, cambia de sentido.
 El modo fundamental es la onda HE0.
– Este modo tiende a convertirse en una Onda Plana TEM,
 Para las bajas frecuencias,
 Donde el Grosor del dieléctrico “h” se hace muy pequeño
respecto a la longitud de Onda.
 El modo HE0 se denomina MODO PSEUDO-TEM.
 DISTRIBUCIÓN DEL CAMPO DEL
MODO FUNDAMENTAL
 El sistema MICROSTRIP está formado por:
– Un conductor de ida,
– Un conductor de vuelta,
 Por lo tanto no se encuentran ni en el infinito,
– Entonces, LA FRECUENCIA DE CORTE está dada por: »
fg0=0
• Como una aproximación generalizada,
– Para la región estable del PSEUDO MODO TEM HE0
– Se puede tomar para la frecuencia de corte del primer modo
superior: HE1
 La aproximación de la Guía de Onda Rectangular TE1,0:
 DISTRIBUCIÓN DEL CAMPO DEL
MODO FUNDAMENTAL
– Por lo tanto la frecuencia de corte del primer modo superior
se simplifica a la expresión:

– c0= es la velocidad de la luz en el vacío

 Es válido entonces, para la región estable del modo fundamental de
la línea MICROSTRIP:
 DISTRIBUCIÓN DEL CAMPO DEL
MODO FUNDAMENTAL
 En una línea MICROSTRIP la onda híbrida se propaga:
– Una parte por el aire,
– Otra parte por el sustrato
– A diferentes Velocidades de propagación.
 Cs dentro del sustrato.
 Ca en el aire
 DISTRIBUCIÓN DEL CAMPO DEL
MODO FUNDAMENTAL
 Este tipo de problema de campo se soluciona por métodos
numéricos:
•Método de elementos finitos.
•Método de las diferencias finitas.
•Método de las integraciones finitas.
•Método de la líneas de transmisión.
•Des
 En la figura se muestra cualitativamente la distribución de la
componente “JZ” de la densidad de corriente en:
-La cara superior de la pista para x=h+t.
-En cara inferior de la pista para x=h, y
-En la pista de masa para x=0.
•En la dirección “y” no presenta cambio de sentido,
-Por lo tanto se trata del MODO HE0arrollo ortogonal.
 DISTRIBUCIÓN DEL CAMPO DEL
MODO FUNDAMENTAL
 En la figura se observa la distribución de las líneas de campo deuna
MICROSTRIP con blindaje metálico en un cote transversal
z=contante.
 Para simplificar el problema se usó en la solución, un blindaje
metálico.
 Por lo que el campo a grandes distancias no corresponde a la
distribución de la línea MICROSTRIP abierta.
 DISTRIBUCIÓN DEL CAMPO DEL
MODO FUNDAMENTAL
 Representación tridimensional del campo magnético en una línea
MICROSTRIP.

 Representación tridimensional del campo eléctrico y

magnético en una línea MICROSTRIP.

Campo eléctrico Campo magnético

 DISTRIBUCIÓN DEL CAMPO DEL
MODO FUNDAMENTAL
 Matemáticamente se pueden expresar los campos como:

 Se puede obtener una Impedancia de Onda, fija, de la relación:

 Con el incremento de la frecuencia los modos superiores pueden

tener otros valores de Impedancia de Onda.
DISTRIBUCIÓN DEL CAMPO DE LOS
MODOS SUPERIORES

 De acuerdo al diagrama anterior.

 En la altas frecuencias.
 Se agregan MODOS HÍBRIDOS, los cuales presentan
 una CONSTANTE DE FASE β altamente dependiente de la
frecuencia.
 En la región rayada se representa.
 La cantidad de la RADIACIÓN.
 Que incrementa la ATENUACIÓN DE POTENCIA en la línea
MICROSTRIP ABIERTA.
 El Modo Superior TM0 como el MODO FUNDAMENTAL HE0 del
MICROSTRIP no presenta una FRECUENCIA DE CORTE.
 Lo que genera radiación e incrementa la Atenuación.
DISTRIBUCIÓN DEL CAMPO DE LOS
MODOS SUPERIORES
DISTRIBUCIÓN DEL CAMPO DE LOS
MODOS SUPERIORES
 Densidad de corriente normada longitudinal y transversal del Modo
 Fundamental HE0 y de los Modos Superiores HE1 y HE2 de una
línea MICROSTRIP para le frecuencia f=12GHz (fg1=5,27GHz)
 La densidad de corriente longitudinal del Modo Fundamental sobre
la pista,
 Es aproximadamente constante a todo lo ancho de la pista.
 Sólo hacia los cantos se incrementa debido al EFECTO PIEL que
produce una alta concentración del campo en esta región
 Sólo fluyen mínimas corrientes transversales,
 Lo que comprueba su comportamiento de Pseudo Modo TEM.
 Los Modos Superiores muestran ceros y cambio de sentido de las
densidades de corrientes longitudinales.
 En estructuras abiertas y sustratos de gran espesor,
 Deben tomarse en cuenta Modos Superiores, los cuales se generan
por defectos y discontinuidades.
Distribución del campo de los modos
superiores:

• La figura muestra la distribución de campo del Modo Superior TM0.

• La frecuencia de corte del Modo Superior mas cercano la: TE0 se
obtiene de la relación:
 Distribución del campo de los modos
superiores:
 Para los Modos Superiores más altos TMn o bien TE0 es
válida la relación general con n=0,1,2,…….

TIPOS DE MODOS Y
 IMPEDANCIA DE ONDA Y
PERMITIVIDAD APROXIMACIÓN
ESTÁTICA
 En las bajas frecuencias se propaga en la línea MICROSTRIP
aproximadamente el modo TEM.
• La Impedancia de Onda ZL
• Y la Constante de Fase β
• Se obtienen de una IMAGEN CONFORME.
 Para esto se determinan en el PLANO DE LA IMAGEN
CONFORME.
• La Capacidad superficial C’
•Y la Velocidad de Fase vφ
 Despreciando la atenuación es válido:
 IMPEDANCIA DE ONDA Y
PERMITIVIDAD APROXIMACIÓN
ESTÁTICA
 Se obtiene para la Inductancia Superficial:
 APROXIMACIÓN ESTÁTICA
 Se obtiene para la Impedancia de Onda:

 Es válido para una línea con dieléctrico homogéneo:

 La Velocidad de propagación se obtiene para una línea con

Dieléctrico No Homogéneo:
 APROXIMACIÓN ESTÁTICA
 La capacidad superficial C’ de la línea se expresa:
 Si C0’ es la capacidad superficial de la línea con AIRE como
dieléctrico
 APROXIMACIÓN ESTÁTICA
 La Constante Dieléctrica relativa efectiva εr,eff para un medio
homogéneo se puede calcular aproximadamente comparando una
con otra, las componentes de campo en cada una de las superficies.
(En forma general por aproximación y a través de Imagen
Conforme).
 εr,eff se determina de curvas y diagramas.
 VKF Es el factor abreviado para la Longitud de Onda de la Línea λ.
 λ0 Es la longitud de Onda en el Vacío.
 APROXIMACIÓN ESTÁTICA
 Se obtiene para la Impedancia de Onda:

 Donde ZL0 es la Impedancia de la línea con un Dieléctrico de aire

 APROXIMACIÓN ESTÁTICA
DETERMINACIÓN DE LA CAPACIDAD
SUPERFICIAL
 Para determinar la CAPACITANCIA SUPERFICIAL de acuerdo al
ejemplo de la línea MICROSTRIP con dieléctrico de aire en la
figura a.
 En la figura b se muestra una IMAGEN CONFORME del corte
transversal.

Paredes eléctricas Paredes magnéticas

MICROSTRIP con Dieléctrico de aire

 APROXIMACIÓN ESTÁTICA
DETERMINACIÓN DE LA CAPACIDAD
SUPERFICIAL
 Debido a que la cinta superior contribuye a la generación de la
capacitancia superficial C’, es la anchura real de la cinta weff que
debe considerarse en los cálculos, mayor que la anchura geométrica
de la cinta w.
 APROXIMACIÓN ESTÁTICA
DETERMINACIÓN DE LA CAPACIDAD
SUPERFICIAL
 De acuerdo a la figura c anterior a través de la IMAGEN
CONFORME se obtiene una distribución de campo homogénea.
 Las paredes verticales representan bordes de campo magnético.
 Las paredes horizontales representan bordes de campo eléctrico.
 Por lo que se obtiene para LA CAPACITANCIA SUPERFICIAL:
 APROXIMACIÓN ESTÁTICA
DETERMINACIÓN DE LA CAPACIDAD
SUPERFICIAL
 Se obtiene la Impedancia de onda:
 APROXIMACIÓN ESTÁTICA
PARÁMETROS CARACTERÍSTICOS DE
LA LÍNEA
 A partir de la IMAGEN CONFORME es posible determinar el
comportamiento asimptótico de las MAGNITUDES de la línea
MICROSTRIP para determinadas condiciones de borde:
• Para: w/h<<1 para εr aprox. Igual a 1
• Y para: w/h>>1.
 Conociendo a partir de mediciones y tratamiento teórico, se
obtienen:
• La ecuación analítica: ZL(w/h, εr,t=0)
• La ecuación sintetizadora: w/h(ZL, εr,t=0)
•Para ≤ ≤∞ y ≤ ≤∞
 APROXIMACIÓN ESTÁTICA
PARÁMETROS CARACTERÍSTICOS DE
LA LÍNEA
 Ecuación analítica:

 Ecuación sintetizadora:
 APROXIMACIÓN ESTÁTICA
PARÁMETROS CARACTERÍSTICOS DE
LA LÍNEA

 El error para “ZL” queda definido en la región válida para la

aproximación estática, para todos los casos por debajo del 1% al
2%
 APROXIMACIÓN ESTÁTICA
PARÁMETROS CARACTERÍSTICOS DE
LA LÍNEA
 Es posible hacer uso de soluciones analíticas que permiten
determinar la impedancia de onda para la línea con aire como
dieléctrico ZLO con un error máximo de 0,3%, así como de la
Constante dieléctrica efectiva εr
 APROXIMACIÓN ESTÁTICA
PARÁMETROS CARACTERÍSTICOS DE
LA LÍNEA
 Para la Constante dieléctrica efectiva εr se obtiene un error máximo
de 0,2%, expresado como:
 APROXIMACIÓN ESTÁTICA
PARÁMETROS CARACTERÍSTICOS DE
LA LÍNEA

 Los cálculos descritos para la Impedancia de Onda ZL y para la

constante dieléctrica efectiva εr se presentan en las curvas a
continuación:
• Para las condiciones de borde:
• w/h<<1 o bien w/h>>1
 APROXIMACIÓN ESTÁTICA
PARÁMETROS CARACTERÍSTICOS DE
LA LÍNEA
-LÍMITE DEL CÁLCULO ESTÁTICO:
 La frecuencia límite superior se puede determinar empíricamente
de la relación siguiente, en el diseño práctico de circuitos y
aplicación de la aproximación estática:
 APROXIMACIÓN ESTÁTICA
PARÁMETROS CARACTERÍSTICOS DE
LA LÍNEA

•Impedancia de onda ZL calculada numéricamente y Permitividad

efectiva εr,efec dependiente de la anchura normada del conductor
w/h=0-1,8
 APROXIMACIÓN ESTÁTICA
PARÁMETROS CARACTERÍSTICOS DE
LA LÍNEA

 Impedancia de onda calculada numéricamente ZL y Permitividad

efectiva εr dependiente de la anchura normada del conductor
w/h=1,5-5
 Análisis dinámico
 Numéricamente se determina un sistema de funciones considerando
la dependencia de la frecuencia y de la componente longitudinal del
campo, como solución.
• Se representa la ecuación, tomando como magnitudes
conocidas:
• La anchura del conductor: w/h
• La Permitividad del sustrato: εr.
• El Producto h.f en GHz.mm para un grosor de la línea
MICROSTRIP t=0.
Análisis dinámico
Análisis dinámico
 Análisis dinámico
 Las variables R1 hasta R17 y P1 hasta P5 son magnitudes
intermedias de ayuda sin dimensiones.
•De las ecuaciones definidas anteriormente de determinan tanto
ZL,estat como εr,efect,estat
 Análisis dinámico
 La Impedancia de onda estática ZL,estat, se puede determinar con
la Permitividad efectiva:
 EFECTO DEL GROSOR DEL
CONDUCTOR SOBRE
ZL Y εr,,eff
 ZL y εr,efect no experimenta variación alguna si las
dimensiones transversales se incrementan o
disminuyen en valores múltiplos de las dimensiones
de diseño.
• Para líneas de cobre se diseñan para un grosor del
conductor de t=35μm o de 17,5μm, independiente de
la altura h.
• Para valores de la altura h muy grandes se obtienen
las Magnitudes Características de la línea para t=0.
• Disminuyendo la altura h manteniendo constante la
relación w/h,
• Se incrementa la componente de las líneas de Campo
Eléctrico E,
• Las cuales inician o finalizan en la superficie lateral
y=±w/2 de la línea pelicular. Siendo Δw el
Ensanchamiento equivalente del conductor.
• Esto tiene como efecto:
 EFECTO DEL GROSOR DEL
CONDUCTOR SOBRE
ZL Y εr,,eff

 1. Se incrementa el revestimiento
capacitivo total disminuyendo el
revestimiento inductivo.
• Manteniendo la relación w/h invariable,
• t constante y h pequeño,
• Presenta la línea una pequeña
impedancia de Onda 2. Se incrementa la
componente de campo en el aire.
• Manteniendo la relación w/h invariable,
• Con una altura h pequeña,
• La línea presentará el mayor valor del
factor de reducción VKF y por lo tanto
menor reducción.
 EFECTO DEL GROSOR DEL
CONDUCTOR SOBRE
ZL Y εr,,eff
A continuación se muestra el ejemplo de la dependencia
que presenta respecto al grosor del conductor ZL,dyn y
VKFdyn para un sustrato del material EPSILAM 10.