Parametros Del Mosfet

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UNIVERSIDAD DE PAMPLONA FACULTAD DE INGENIERAS Y ARQUITECTURA DEPARTAMENTO DE INGENIERAS ELCTRICA ELECTRNICA, SISTEMAS Y TELECOMUNICACIONES
Universidad de Pamplona - Ciudad Universitaria - Pamplona (Norte de Santander - Colombia) Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 Fax: 5682750 www.unipamplona.edu.co
PARAMETROS DEL MOSFET
PRESENTADO POR:
Jess David Zapata Rodrguez Cd. 90072861387
PRESENTADO A: Ing. Esp. Julio Csar Ospino Arias
UNIVERSIDAD DE PAMPLONA FACULTAD DE INGENIERAS Y ARQUITECTURA PAMPLONA- NORTE DE SANTANDER 2011 OBJETIVOS
OBJETIVO GENERAL Estimar los parmetros del MOSFET IRF510 experimentalmente y compararlos con los valores tericos. OBJETIVOS ESPECFICOS Encontrar a partir de los resultados del MOSFET en estado de saturacin la constante KN mediante la regresin lineal realizada en un software. Hallar el Valor del RDon a partir de los datos del MOSFET en zona hmica Observar la recta de carga del MOSFET (ID VS VGS)
MARCO TERICO MOSFET de Enriquecimiento
El MOSFET de empobrecimiento fue parte de la evolucin hacia el MOSFET de enriquecimiento que es tambin llamado de acumulacin. Sin el MOSFET de enriquecimiento no existiran los ordenadores En la Figura 1a se presenta un MOSFET de enriquecimiento. El substrato p se extiende a lo ancho hasta el dixido de silicio; ya no existe un canal n entre la fuente y el drenador. La Figura 1b muestra las tensiones de polarizacin normales. Cuando la tensin de puerta es nula, la corriente de fuente y el drenador es nula.
Figura 1. MOSFET de enriquecimiento a) No polarizado b) Polarizado
Por esta razn, el MOSFET de enriquecimiento est normalmente en corte cuando la tensin de puesta es cero. La nica forma de obtener corriente es mediante una tensin de puerta positiva. Cuando la puerta es positiva, atrae electrones libres dentro de la regin p, y stos se recombinan con los huecos cercanos al dixido de silicio. Cuando la tensin de puerta es lo suficientemente positiva, todos los huecos prximos al dixido de silicio desaparecen y los electrones libres empiezan a circular desde la fuente hacia el drenador. Esta capa conductora se denomina capa de inversin tipo n. Cuando existe, los electrones libres pueden circular fcilmente desde la fuente hacia el drenador. La VGS mnima que crea la capa de inversin de tipo n se llama tensin umbral, simbolizada por VGS(th). Cuando VGS es menor que VGS(th) la corriente de drenador el nula. Pero cuando VGS es mayor
que VGS(th) , una capa de inversin tipo n conecta la fuente al drenador y la corriente de drenador es grande. Los valores tpicos de VGS(th) para dispositivos de pequea seal puede variar entre 1 y 3 V. [1] Smbolo elctrico Cuando VGS=0, el MOSFET de enriquecimiento est en corte al no haber canal de conduccin entre la fuente y el drenador. El smbolo elctrico de la Figura 2a tiene una lnea de canal a trazos para indicar esta condicin de corte. Una tensin de puerta mayor que la tensin umbral crea una capa de inversin de canal tipo n que conecta la fuente con el drenador. La flecha apunta hacia esta capa de inversin, la cual acta como un canal tipo n cuando el dispositivo est conduciendo. Tambin hay un MOSFET de enriquecimiento de canal p. El smbolo elctrico es similar, excepto que la flecha apunta hacia fuera, como se muestra en la Figura 2b. [1]
Figura 2. MOSFET de enriquecimiento a) Canal N b) Canal P MOSFET IRF510 Este MOSFET de enriquecimiento canal N de silicio de alimentacin en la puerta, est diseado, probado y garantizado para soportar un nivel determinado de energa en el modo de avalancha desglose de operacin. este MOSFET de potencia est diseado para aplicaciones tales como reguladores de conmutacin, convertidores de conmutacin, controladores de motor, los conductores de relevo, y los conductores de alta potencia, el transistores bipolar de conmutacin requiere alta velocidad y baja
potencia en la puerta. Este tipo puede ser operado directamente desde circuitos integrado. [2]
Figura 3. MOSFET IRF510
Caractersticas ID = 6.5 A a VDSmax=100V RDS(on) = 0.4 tpica 0.540 mxima (VGS = 10V, ID = 3.4A) Un solo pulso avalancha de energa nominal SOA (rea de operacin segura) Disipacin de potencia limitada Velocidades de conmutacin de nanosegundos Caractersticas de transferencia lineal Alta Impedancia de entrada [2]
PREDISEO
Figura 4. Diagrama de Conexin Modos de operacin 1) Corte No Conduccin
Canal N: ( En el canal N )
Canal P:
En el canal P Grficamente
Canal N
Figura 5. Recta de carga del MOSFET cana N Canal P
Figura 6. Recta de carga del MOSFET cana P 2) Zona Activa o Saturacin Conduccin
Se debe cumplir que
Funcin de transferencia
Nota 1. La potencia del MOSFET potencia de disipacin mxima
tiene que ser menor que la
3) Zona lineal u hmica Conduccin
Funcin de transferencia
Aparece
Figura 7. Potencia Vs Temperatura en el MOSFET RESULTADOS
VGG (V) 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,1 3,2 3,3 3,4 3,5 3,6 3,7 3,8 3,9 4 4,1 4,2 4,3 4,4 4,5 4,6 4,7 4,8 4,9 5 5,1 5,2 5,3 5,4 5,5 5,6
VGS (V) 0 0,44 0,99 1,48 1,95 2,41 3,02 3,1 3,23 3,3 3,39 3,473 3,58 3,629 3,717 3,86 3,95 4,09 4,14 4,28 4,37 4,44 4,63 4,7 4,88 4,92 5,01 5,17 5,24 5,31 5,41 5,5 5,65
ID (A) 0 0 0 0 0 0 0 0,001 0,002 0,004 0,007 0,019 0,031 0,039 0,065 0,094 0,157 0,223 0,282 0,378 0,531 0,546 0,714 0,765 0,766 0,777 0,79 0,793 0,796 0,797 0,799 0,799 0,801
VDS (V) 18,04 18,04 18,04 18,04 18,04 18,04 18,04 18,02 17,98 17,97 17,79 17,69 17,42 17,23 16,66 16,01 14,57 12,9 11,85 9,78 6,35 4,26 1,43 1,03 0,87 0,78 0,72 0,65 0,62 0,6 0,57 0,55 0,52
5,7 5,8
5,7 5,81
0,804 0,805
0,49 0,46
ANALISIS DE RESULTADOS VGG (V) 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,1 3,2 3,3 3,4 3,5 3,6 3,7 3,8 3,9 4 4,1 4,2 4,3 4,4 4,5 4,6 4,7 4,8 4,9 5 5,1 5,2 VGS (V) 0 0,44 0,99 1,48 1,95 2,41 3,02 3,1 3,23 3,3 3,39 3,473 3,58 3,629 3,717 3,86 3,95 4,09 4,14 4,28 4,37 4,44 4,63 4,7 4,88 4,92 5,01 5,17 5,24 ID (A) 0 0 0 0 0 0 0 0,001 0,002 0,004 0,007 0,019 0,031 0,039 0,065 0,094 0,157 0,223 0,282 0,378 0,531 0,546 0,714 0,765 0,766 0,777 0,79 0,793 0,796 VDS (V) 18,04 18,04 18,04 18,04 18,04 18,04 18,04 18,02 17,98 17,97 17,79 17,69 17,42 17,23 16,66 16,01 14,57 12,9 11,85 9,78 6,35 4,26 1,43 1,03 0,87 0,78 0,72 0,65 0,62 Estado Del MOSFET Corte Corte Corte Corte Corte Corte Corte Saturado Saturado Saturado Saturado Saturado Saturado Saturado Saturado Saturado Saturado Saturado Saturado Saturado Saturado Saturado hmica hmica hmica hmica hmica hmica hmica
5,3 5,4 5,5 5,6 5,7 5,8
5,31 5,41 5,5 5,65 5,7 5,81
0,797 0,799 0,799 0,801 0,804 0,805
0,6 0,57 0,55 0,52 0,49 0,46
hmica hmica hmica hmica hmica hmica
Id Vs Vgs
0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 0 1 2 3 Vgs 4 5 6 7
Id
Id(A)
Figura 8. Recta de carga (Experimental)
0.6 0.5 y = 0.3088x - 0.0336 0.4 0.3 Id Series2 0.2 0.1 0 0 -0.1 0.5 1 (Vgs-Vth)^2 1.5 2 Linear (Series2)
Figura 9. Grafica para la estimacin de KN
BIBLIOGRAFIA [1] www.esimerobotica.tripod.com/MOSFET2.pdf [2] http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/IRF510.pdf

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