UNIDAD IV

TRANSISTORES DE UNIÓN
BIPOLAR
INSTITUTO TECNOLÓGICO DE MINATITLÁN
MATERIA: DIODOS Y TRANSISTORES
PROFESOR:
ALUMNO: MARTÍNEZ DE LA CRUZ KEVIN MIGUEL
 TRANSISTOR BJT

Los transistores bipolares son dispositivos

semiconductores que basan su proceso de
conducción mediante la participación de los dos tipos
de portadores de carga (electrones y huecos).
El transistor bipolar es un
dispositivo de tres
terminales: emisor,
colector y base.
 El emisor es una zona muy
dopada . Cuanto más dopaje
tenga el emisor, mayor cantidad
de portadores podrá aportar a
la corriente.
 La base es muy estrecha y
poco dopada, para que tenga
lugar poca recombinación en la
misma, y prácticamente toda la
corriente que proviene del
emisor pase al colector.
 El colector es la zona menos
dopada. Las características de
esta región tienen que ver con
la recombinación de los
portadores que provienen del
emisor.
Es muy importante
conocer la relación de los
tamaños entre cada
zona, debido a que si la
proporción no es la
correcta, su
funcionamiento no será el
correcto.
El transistor se fabrica
sobre un substrato de
silicio, en el cual se
difunden impurezas.
Sobre una base n
(substrato que actúa como
colector), se difunden
regiones p y n+, en las que
se ponen los contactos de
emisor y base.
Entre las terminales del
colector (C) y emisor (E)
se aplica la potencia a
regular, y en la terminal de
base (B) se aplica la señal
con la que controlamos la
potencia.
Existen dos tipos de
transistores bipolares:
NPN y PNP
La forma de distinguir
uno del otro es el sentido
que tiene la corriente y el
voltaje que circula en el
transistor
En las imágenes de la
izquierda se trata de un
tipo NPN.
En las imágenes de la
derecha un tipo PNP.
 Parámetros de corriente (alfa y beta);
corriente de fuga.

Definimos los parámetros α y β como la relación

existente entre la corriente de colector y la de emisor,
o la de emisor y la de base.
En un transistor se tienen
3 corrientes, la corriente
del emisor, del colector y
de la base (IE, IB e IC).
Cuando la corriente del emisor
cruza al transistor se divide en
dos, dando como resultado la
corriente del colector y la
corriente de la base.
La siguiente imagen nos da la
relación entre las tres
corrientes.
Beta (β) es la relación entre
la corriente de colector IC y la
corriente de base IB , o sea,
cuantas veces es mayor la
primera que la segunda.
Alfa (α) es la relación entre
la corriente de colector IC y
la corriente de emisor IE.
Gracias a estos dos
parámetros tenemos las
siguientes relaciones que
se muestran en la
imagen.
Utilizando las formulas
anteriores llegamos a las
siguientes relaciones
entre Alfa (α) y Beta (β).
Dentro del BJT, cuando esta
polarizado, existe un parámetro
denominado corriente de fuga o
corriente de saturación inversa
(Similar a la de un diodo), a este
parámetro se le define con las
siglas ICBO. Esta corriente es la
que circula por el colector, cuando
la corriente de emisor es cero, por
lo que dicho flujo de corriente se
da a través de la unión C-B,
estando esta polarizada
inversamente.
Funcionamiento del transistor bipolar BJT.

El modelo Ebers-Moll describe el funcionamiento del BJT. Nos

centramos en el transistor NPN ya que todas las ecuaciones
que vamos a presentar para éste son aplicables al PNP sin
más que cambiar el signo de todas las corrientes y voltajes
(Cambio de polaridad).
Aparentemente, el BJT no es
más que dos uniones PN
enfrentadas que comparten
el ánodo (la base del
transistor). Por ello una
primera aproximación al
modelado podría consistir en
la propuesta de la imagen.
Llamemos IF a la corriente que
atraviesa la unión de emisor e IR
a la que fluye por la de colector.
Utilizando el modelo exponencial
del diodo tenemos la siguiente
imagen, donde las corrientes
inversas de saturación de las
uniones de emisor y colector son
IES e ICS, respectivamente. Vt
se llama tensión térmica y a la
temperatura ambiente su valor
es 0.026 V.
Con las formulas
anteriores se obtienen las
ecuaciones que
aparecen en la imagen.
Las uniones PN están muy
próximas; tan próximas que
la corriente que fluye por
una, afecta a la corriente que
atraviesa la otra. Este
fenómeno se llama
inyección de portadores y lo
podemos modelar mediante
sendas fuentes
dependientes conectadas
Las fuentes son fuentes de
corriente controladas por la
corriente que atraviesa la
otra unión. Los parámetros
de control se llaman
ganancia en corriente directa
en base común ( αF ) y
ganancia en corriente inversa
en base común ( αR ).
 Curvas características y regiones de
operación.

Al ser el transistor bipolar un dispositivo con tres terminales, es

necesarios seis parámetros para determinar el estado eléctrico
del mismo: tres tensiones y tres corrientes.
Aplicando las leyes
básicas de resolución de
circuitos pueden
presentarse dos
ecuaciones:
Características VBE-IB
Mediante esta curva
podemos determinar los
efectos que producen las
variaciones de la tensión de
polarización VBE sobre la
corriente de base IB.
Características VCE-IC
Estas características son las
correspondientes a la tensión
e intensidad del colector. En
la siguiente figura, se
muestran una familia de
curvas de colector para
diferentes valores constantes
de la corriente base. La
corriente del colector depende
exclusivamente de la de base,
a través de la relación IC=βIB
Parámetros de salida
Corriente de colector IC y
voltaje colector base VCB
para varios niveles de
corriente de entrada IE.
Las curvas horizontales
de IE indican que el
efecto de VCB sobre IC
son casi de efecto
despreciable.
 Configuraciones básicas (BC, EC, CC).

Dado que el transistor únicamente tiene tres terminales, estos

dos circuitos de polarización deberán compartir un terminal,
esto dará lugar a las configuraciones de base común, emisor
común y colector común, en función de quien sea la terminal
que comparten ambos circuitos de polarización.
Estos son los
tres tipos de
configuraciones
que hay.
Configuraciones EC.
“El emisor es común, tanto para
la entrada como para la salida”
 Parámetros de entrada:
corriente de base IB y voltaje
base emisor VBE para varios
niveles de voltaje de salida
VCE.
 Parámetros de salida:
corriente de colector IC y
voltaje colector emisor VCE
para varios niveles de corriente
de entrada IB.
Efecto Early en
las
características de
entradas.
En esta imagen
tenemos la curva
característica de
la salida de un
emisor común.
Para la configuración de colector
común, las características de
salida son una gráfica de IE en
función de VEC para un rango de
valores de IB. Por lo tanto, la
corriente de entrada es la misma
tanto para las características del
emisor común como para las de
colector común.
 APLICACIONES BÁSICAS

Las aplicaciones del BJT, se pueden dividir en dos, aquellas en

las que se utiliza como un interruptor o drive y en las que
funciona como una amplificador.
Conmutador o Interruptor.

Estas aplicaciones requieren únicamente utilizar las regiones de Corte y Saturación del
transistor. Cuando la unión B-E del BJT se polariza inversamente, este dejara de conducir,
funcionando como un interruptor abierto y cuando este es polarizado directamente, aplicando
una corriente de base capaz de hacer circular una corriente en colector igual a la IC(MAX)
especificada por el fabricante, decimos que esta en saturación. (Interruptor encendido).
Amplificador.

Estas aplicaciones, requieren de una red de polarización mucho mas completa, ya que es
necesario operar al BJT en la región activa. Para esto es necesario establecer un punto de
operación en CD para después aplicar la señal que se desea amplificar.
 BIBLIOGRAFÍAS

https//www.scribd.com/document/261190350/fucionamiento-Del-
Transistor-BJT
https//electrónica.ugr.es/amroldan/deyte/cap03.htm
B.G. Streetman, S. Banerjee, “Solid State Electronic Devices”,
Prentice Hall, 2000.
S. Dimitrijev, “Understanding Semiconductor Devices”, Oxford
University Press, 2000.