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MODELO TÉRMICO DE UN TRANSISTOR

Elaborado por:
 Efrain Mateo Puma Cahuapaza
 Ronal Ademir Aro Ticona
TRANSFERENCIA DE CALOR

Por radiación
Proviene del movimiento de partículas y se emite como fotones electromagnéticos
principalmente como ra
Por convección
Se da a través de un fluido circundante(que circula a través de un objeto),
La convección suele ser la forma dominante de transferencia de calor en líquidos y gases.
Por conducción
Es la transferencia de calor por contacto físico sin intercambio de materia.
PROCESOS TÉRMICOS:

• Lo que se busca en tal proceso es una variación de la temperatura. En una regadera es


necesario aumentar la temperatura, así como en hornos, también en elementos
electrónicos tales como la resistencia y transistores la temperatura se aumenta, tambien
hay casos en los que se busca disminuir la temperatura.
• Para el presente trabajo se usará un transistor BJT(El transistor de unión bipolar (del
inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de
estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite
aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a
través de sus terminales.)
Ahora analizaremos las entradas y salidas de
temperatura en el transistor para hacer el análisis:
Las temperaturas de entrada, La temperatura
aumentará a medida que se aumente la corriente en
el dispositivo,
Las temperaturas de salida, La energía que se
disipa del transistor es provocado por los
mecanismos de convección y radiación, para fines
didácticos se procederá a considerar solo la
transferencia de calos por convección.
Nuestro modelo quedaría de la siguiente manera.

Q Qin   Qi
 Qin  Qout
t 4 4
Qout  kT (T  T )   A(T  T ) 

 : Parámetro que relaciona la salida del calentador.(W/%calor generado)


Qi : Es el porcentaje de salida del calentador(calor generado por el paso de corriente en
el transistor)
kT (T  T ) :Transferencia de calor por convección (Ley de enfriamiento de Newton)
 A(T 4  T4 ) : Transferencia de calor por radiación (Ley de Stefan-Boltzmann)

kT (T  T )
Entonces tenemos qué:
kT :Constante de pérdida de calor para el ambiente
T :Temperatura del transistor
T :Temperatura del aire
 :Emisividad
 :Constante de Stefan Boltzman
A : Es el área del transistor
Luego pasaremos a sustituir en:

Q
 Qin  Qout
t
Q
  Qi  kT (T  T )   A(T 4  T4 )
Qin   Qi t
Qout  kT (T  T )   A(T 4  T4 )
Hacemos: k T  UA
Dónde:

U : Coef. De transferencia de calor.


A : Area por el que se realiza la transferencia.
;
Luego nuestra ecuación queda de la siguiente manera.
Q
  Qi  UA(T  T )   A(T4  T 4 )
t
Como tenemos varaciones, podemos llevarlo a variaciones pequeñas aplicando la derivada.

dQ
  Qi  UA(T  T )   A(T4  T 4 )
dt
Podemos calcular el calor liberado o absorbido utilizando el calor específico “, la
masa,“m”, del componente electrónico y el cambio de temperatura“

(T  Tref ) . Y tenemosQ  mc p (T  Tref ) en la ecuación

d (mc p (T  Tref ))
  Qi  UA(T  T )   A(T4  T 4 ) esta ecuación es equivalente a:
dt
. dT dTref
mc p  mc p   Qi  UA(T  T )   A(T4  T 4 )
dt dt

; donde Tref es la temperatura de referencia que puede ser la temperatura ambiente, o con la que se
dTref
inicia el modelo matemático, que es constante, entonces: mc p 0
dt
Y llegamos a la ecuación matemática de nuestro transistor
dT
mc p   Qi  UA(T  T )   A(T4  T 4 )
dt
dT 4 4
mc p   Qi  UA(T  T )   A(T  T )
dt

La masa por la capacidad calorífica que multiplica a la variación de la


temperatura del transistor con respecto al tiempo es igual al calor generado
por nuestro calentador que es el mismo transistor por el paso de corriente
menos todo lo que pierde por transferencia de calor por convección y
radiación
Usaremos los siguientes datos para nuestro modelo:
Cuantificador o constante Valor:
Temperatura inicial ( ) 296.15K(23°C)
Temperatura ambiente ( ) 296.15K(23°C)
Salida del calentador () 0a1W
Factor del calentador () 0.014 W/(% de calentador)
Capacida calorífica () 500J/kg-K
Area de la superficie del BJT()
Masa ( ) 0.004 kg(4 gramos)
Coeficiente de transferencia de calor () 5W
Emisividad ( ) 0.9
Constante de Stefan Boltzmann ( ) W
Estos parámetros fueron extraídos de una página que tiene por autor a John D. Hedengren y
su equipo de investigación cuyo enlace es el siguiente :
https://apmonitor.com/pdc/index.php/Main/ArduinoModeling
Seguidamente pasaremos a sacar la función de transferencia, pero antes linealizaremos la
ecuación:
dT
mc p   Qi  UA(T  T )   A(T4  T 4 )
dt
Llamaremos a la función:
dT  Qi UA(T  T )  A(T4  T 4 )
f (T , Qi )     hallaremos el punto de equilibrio.
dt mc p mc p mc p

0   Qi  UA(Ts  Ts )   A(T4s  Ts4 )


4 4
0   Qi  UA(Ts  Ts )   A(T  T ) tenemos:
s s

( A)T4s  (UA)Ts  ( Qis  UATs   AT4s )  0

Y hallaremos la temperatura de equilibrio (), en la que ya no variará, hallando la raíz real y


positiva con, por ejemplo .=0.5 W en porcentaje seria 50 % desera la temperature en estado
estacionario.
La siguiente diapositiva presenta una función en MATLAB que puede ayudarlo a encontrar
la raíz positiva de ese polinomio y entregar su resultado en grados Kelvin o en grados
Celsius.  debe ser ingresada en Kelvin.

function [TK,TC] = T_ss(eps,sigma,A,U,Qi,Ta,alpha)


%Equilibrio
p=[eps*sigma*A 0 0 U*A -alpha*Qi-U*A*Ta-eps*sigma*A*Ta^4];
rp=roots(p);
Ts=[];
for i=1:4
if isreal(rp(i)) && rp(i)>0
Ts=[Ts;rp(i)];
end
end
TK=Ts;
TC=TK-273.15;
Linealizaremos el sistema con Series de Taylor:
dT  Qi UA(T  T )  A(T4  T 4 )
f (T , Qi )    
dt mc p mc p mc p
dT f f
 (T  Ts )  (Qi  Qis )  f (Ts , Qis ) evaluando en los puntos y
dt T Ts ,Qis Qi Ts ,Qis

UA 4 A 3 
  Ts mc p
mc p mc p

dT f f
 (T  Ts )  (Qi  Qis )  f (Ts , Qis )
dt T Ts ,Qis Qi Ts ,Qis
dT  UA 4 A 3     dT dT
   Ts  T     Q  ; pasa a restar y tenemos:

dt  mc p mc p  
  mc p  dt Ts ,Qis dt Ts ,Qis

d T  UA 4 A 3    
   Ts  T    Q esta ecuación ya está linealizada.
dt  mc mc   mc
 p p   p 

Ahora aplicando transformada de Laplace y hallando la función de transferencia.


 UA 4 A 3    
T ( s ) s   
 mc

mc p
Ts  T ( s)  
  mc  Q ( s) ;
 p   p 

 UA 4 A 3    
T ( s ) s    Ts  T ( s )    Q ( s )
 mc mc   mc
 p p   p 
G(s) queda de la siguiente manera
  
 
T ( s )  mc p 
 pasamos a reemplazar los valores según el cuadro:
Q( s )  UA 4 A 3 
s  Ts 
 mc mc 
 p p 

Con tenemos que es la solución de la ecuación:

4 4
( A)T  (UA)Ts  ( Qis  UATs   AT )  0
s s
Tenemos que:
0.007 1.127
G ( s)   G ( s) 
s  0.006213 160 s  1
Para aproximar mejor a la realidad, en muchas veces un Sistema térmico demora en calentar y
para modelar esa demora se añade que será el retardo del Sistema.

1.127  Ls
La ecuación queda así: G ( s )  e
160 s  1

donde: es el tiempo de demora del Sistema en responder o calendar. Se puede hallar mediante
la experiemntación, para este trabajo se tomará un .

1.127 10 s
G(s)  e
160 s  1
GRACIAS
ALGUIEN@EJEMPLO.COM

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