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Hecho Por:

Molina R., Franklin O.


V-17.810.058
RECTIFICADOR

Se denomina rectificador al circuito capaz de convertir la corriente alterna en corriente


continua. También recibe esa denominación el diodo, que es el componente electrónico usado
para ello.
La rectificación de la corriente eléctrica puede hacerse de dos maneras:
 Eliminando la parte negativa de la señal de entrada: rectificador de media onda empleando un
único diodo.
 Convirtiendo la parte negativa de la señal en positiva: rectificador de onda completa o puente
de diodos, según se empleen dos o cuatro diodos respectivamente.
El circuito más empleado es el rectificador de onda completa, usado junto con un transformador
en la conversión de la corriente alterna de 220V y 50 Hz de la red, en la corriente continua de 3
a 24V con que funcionan los aparatos electrónicos.
El efecto semiconductor del rectificado de la corriente eléctrica se observó por vez primera en
los cristales de Galena (sulfuro de plomo) que se emplearon, embebidos en un estuche de
plomo sobre los que se arrollaba un fino alambre, en los primitivos receptores de radio (radio
galena).
REGULADOR DE TENSION Y VARISTOR

Un Regulador de Tensión
es un diodo PN operando con
polarización inversa hasta la tensión de
ruptura. Antes de ocurrir la ruptura, el
diodo presenta una alta resistencia. De
esta manera, la tensión de ruptura limita
o regula tensión. Puede ser Paralelo ó
serie:
Paralelo: Es el regulador de
tensión más sencillo. Consiste en una Paralelo Serie
resistencia serie de entrada y el diodo
zener en paralelo con la carga como se Un varistor es un resistor variable de
muestra en la siguiente imagen. dos terminales que presenta un comportamiento
no óhmico. El varistor protege el circuito de
Serie: Este tipo de regulador variaciones y picos bruscos de tensión. Se coloca
utiliza un transistor en serie con la carga, en paralelo al circuito a proteger y absorbe todos
como puede observarse en el esquema. los picos mayores a su tensión nominal. El varistor
Este regulador tiene un mayor sólo suprime picos transitorios; si lo sometemos a
rendimiento que el anteriormente visto, una tensión elevada constante, se quema.
por lo que se utiliza en circuitos de
mayor potencia
VARACTOR

El Diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa su


funcionamiento en el fenómeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unión
PN varíe en función de la tensión inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha tensión,
aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo así la capacidad del diodo. De este modo se
obtiene un condensador variable controlado por tensión. Los valores de capacidad obtenidos van
desde 1 a 500 pF. La tensión inversa mínima tiene que ser de 1 V.

Símbolo

Formulas
DIODO DE CONMUTACION RAPIDA

En un generador de corriente alterna el cambio de polaridad se produce de forma


instantánea. Un diodo ideal respondería de forma instantánea a este cambio, pasando de conducir
grandes valores positivos de corriente a no conducir nada (como se ha visto en el párrafo anterior).
Sin embargo, en la realidad, cuando se produce el cambio de polaridad aparece un valor de corriente,
de signo negativo y de valor absoluto muy alto, en un instante t1 que se reduce exponencialmente
hasta llegar a 0 en el instante t2, como muestra la siguiente gráfica (en la cual se ha representado en
azul la onda cuadrada del generador de alterna y en rojo la onda rectificada por el diodo real):
Esto es debido a la inercia de los
portadores mayoritarios; en el instante de
inversión de polaridad, y durante una
pequeñísima fracción de segundo, el mismo
nº de portadores mayoritarios sigue
atravesando la zona de agotamiento y por tanto
la corriente es la misma (en valor absoluto,
pero ahora con el signo cambiado) que en el
semiciclo positivo. De aquí se deduce que
grandes corrientes no pueden invertirse en
tiempo nulo, ni siquiera despreciable. Al
tiempo que tarda el diodo en reaccionar frente
al cambio de polaridad se denomina trr o
tiempo de recuperación en inversa, que
coincide con la diferencia t2-t1.
DIODO DE ALMACENAMIENTO DE CARGA

El diodo de almacenamiento de carga se diseña para almacenar carga durante la


conducción en la dirección de polarización directa y conmuta para conducir por un corto período
en la dirección inversa.
Algunos tipos de diodos de almacenamiento de carga se fabrican de Si con
portadores minoritarios con tiempo de vida relativamente grandes, dentro de un rango de 0.5
hasta 5μS
Se puede notar que los tiempos de vida son unas 1000 veces mas grandes que para
diodos de conmutación rápidas.
Si la frecuencia de la señal del
generador de alterna supera fD, la señal de
llegada del semiciclo positivo se producirá
antes de que llegue el instante t2 de puesta a
0 y tendremos lo que se llama un diodo de
conmutación lenta.
La línea azul representa la onda
cuadrada del generador de alterna y la línea
roja representa la onda rectificada por el
diodo real
DIODO PIN

El diodo PIN es un diodo que


presenta una región P fuertemente dopada y
otra región N también fuertemente dopada,
separadas por una región de material que es
casi intrínseco.
Cuando se le aplica una polarización
directa al diodo PIN, conduce corriente y se
comporta como un interruptor cerrado. Si se le
aplica una polarización inversa se comporta
como un interruptor abierto, no dejando pasar la
señal.

Este diodo tiene aplicaciones en


circuitos donde utilizan frecuencias muy altas
como VHF, UHF y circuitos de microondas
debido a su capacidad de manejar altas
potencias. Símbolo

Aspecto Real
HETEROUNION O
HETEROJUNTURA

Se trata de dos semiconductores


diferentes a ambos lados de la juntura. Las
herojunturas pueden cambiar de tipo de
dopante en la interfaz (de igual o de distinto
tipo) y también se las clasifica en abruptas y
graduales.
En la interfaz, para densidades
menores a 1010 cm-2 – 1011 cm-2, la
curvatura de las bandas de energía no se
modifican con respecto a una juntura libre
de defectos. En cambio para densidades
mayores, la curvatura de las bandas
depende del valor. Las heterojunturas n-n o
p-p se emplean en celdas solares para
modificar las propiedades asociadas a los
portadores minoritarios de carga,
cambiando, por ejemplo, la velocidad de
recombinación superficial posterior.
Franklin Omar Molina Rosales

V – 17.810.058

Electrónica del Estado Sólido

Clase 7

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