Hecho Por:

Molina R., Franklin O.

V-17.810.058
 MODELO DE KRONIG-PENNY
Este es un modelo matemático de potencial iónico periódico, que permite
describir el comportamiento de los electrones dentro de un cristal. El modelo
considera un único electrón desplazándose a través de la red, de tal manera que en la
energía potencial Ep, es nulo en las regiones de tipo I y Eo en las de tipo II. Los iones
se ubican en las regiones del tipo I y la separación entre los mismos genera una
barrera de potencial para los electrones.
El movimiento de la
partícula está determinado
por la ecuación de
Schrödinger independiente
del tiempo:

La solución de la
ecuación es una función de
onda de Bloch:
 MODELO DE KRONIG-PENNY

El modelo de Kronig-Penny puede simplificarse de la siguiente

manera:

Simplificando:

Esta función debe quedar

nula entre -1 y +1 puesto
que es igual al Cosφ
ESPACIO K
 RELACIÓN ESTRUCTURA DE BANDAS (E) VS. K DEL ELECTRON

Los valores de K
son aquellos para los
cuales la red lineal
impide el movimiento de
electrones en una
dirección dada y obliga a
moverse en la dirección
opuesta.
El conjunto de
los valores de K
comprendidos entre –π/a
y +π/a constituye la
primera zona de
Brillouin.
 FUERZA EXTERNA SOBRE MASA EFECTIVA

Si F es la fuerza externa sobre el electrón, el trabajo hecho por

esta fuerza sobre el electrón durante el tiempo dt es dE = Fvdt. Esto trae
como consecuencia una variación dE en la energía del electrón. La energía
cinética del electrón es:

MODELO SENCILLO DE BANDAS DE ENERGIA

CONOCIMIENTOS BASICOS
 SEMICONDUCTORES INTRINSECOS

Son los semiconductores puros, en los que la conducción se

debe al aumento de electrones originados por la temperatura. Los
portadores de carga son los electrones y los huecos. Están
constituidos solamente por el elemento tetravalente semiconductor,
Germanio y Silicio puro.
 SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS

Son los semiconductores NO puros. La aparición de

impurezas crea bandas de nuevos niveles de energía. Existen tres
tipos de procesos para la adición de impurezas a la red cristalina:
difusión, implantación de iones y crecimiento epitaxial.
El efecto de añadir
impurezas causará el incremento de
la concentración de uno de estos
portadores de carga (electrones o
huecos) y, en consecuencia,
afectará considerablemente la
conductividad eléctrica. A estas
impurezas se conoce como
sustancias dopantes, y al proceso
de adición de impurezas se llama
dopado del semiconductor.
SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS –
TIPO N
SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS –
TIPO P
 NIVEL DE FERMI (PORTADORES EN
EQUILIBRIO TERMICO) - INTRINSECO
 NIVEL DE FERMI (PORTADORES EN
EQUILIBRIO TERMICO) – EXTRINSECO TIPO N
 NIVEL DE FERMI (PORTADORES EN
EQUILIBRIO TERMICO) – EXTRINSECO TIPO P
 PROCESO DE RECOMBINACION
(TRANSPORTE DE PORTADORES)

Un Solo Nivel Múltiples Niveles

Franklin Omar Molina Rosales

V – 17.810.058

Electrónica del Estado Sólido

Clases 3 y 4