Diodo Semiconductor 2022

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Tema: EL Diodo Semiconductor. Inst. Ing. Helmer A. Huatuco Buitrón. 1
Curso: DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Autor: Inst. Ing. Helmer Huatuco Buitrón

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Contenidos de Aprendizaje
PROYECTOS/TAREAS DE CONOCIMIENTOS TECNOLÓGICOS
Objetivo General APRENDIZAJE
.
TAREA N° 2
Identifica, Verificar
Identifica dispositivos y El diodo semiconductor
condiciones y montar circuitos
componentes electrónicos, • La juntura PN, símbolo,
verificar su estado, montar con diodos semiconductores.
curva característica del diodo
circuitos de aplicación sin error,
rectificador.
aplicando normas de seguridad y
OPERACIONES • Ecuación de Boltzmann.
cuidado del medio ambiente,
verifica y monta circuitos • Especificación técnica del
integrados lineales y digitales.  Identificar y comprobar el estado de diodo, aplicaciones del diodo,
un diodo rectificador. el diodo rectificador tipo
• Montaje de circuitos rectificadores puente.
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Contenidos de Aprendizaje
Objetivo General CONOCIMIENTOS AUTOESTUDIO
COMPLEMENTARIOS
Identifica dispositivos y
• Indicar cuál es la
componentes electrónicos, 
• Características
verificar su estado, montar
técnicas de los diodos diferencia entre
circuitos de aplicación sin error,
rectificadores. resistencia estática y
aplicando normas de seguridad y
cuidado del medio ambiente,
dinámica de un diodo
verifica y monta circuitos semiconductor.
integrados lineales y digitales.
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DISPOSITIVOS Y COMPONENTES
ELECTRÓNICOS
DIODO SEMICONDUCTOR

Charla de 5 minutos

Charla de 5 minutos

Materiales
• Tipos:
– Conductores
– Aislantes
– Semiconductores

Material conductor
 Los materiales que oponen baja resistencia eléctrica
intrínseca con las menores perdidas posibles al paso de la
corriente se le denomina conductor.
 Sin embargo, no todos los metales son buenos conductores,
pues existen otros que ofrecen gran resistencia al paso de la
corriente.
 Por ello se emplean como resistencia eléctrica para producir
calor; un metal que se comporta de esa forma es el alambre
nicromo (NiCr).

Material Conductor
 El más utilizado de todos los metales en cualquier tipo de
circuito eléctrico es el cobre (Cu); sin embargo, los mejores
metales conductores son el oro (Au) y la plata (Ag), aunque
ambos se utilizan muy limitadamente por su alto costo.
 El uso de la plata en electrónica, se da por ejemplo, en los
contactos de circuitos integrados y teclados de la
computadora.

Material Conductor
• El uso del oro en electrónica se emplea en el diseño de pistas y
como enlace entre los contactos del chip y los terminales
externos del microcontrolador ó microprocesador.

Diagramas de bandas (II)
Diagrama de bandas del Carbono: grafito
4 estados/átomo Banda de
Energía conducción
- -
- - Banda de
4 electrones/átomo valencia
No hay banda prohibida. Los electrones de la banda de

valencia tienen la misma energía que los estados vacíos
de la banda de conducción, por lo que pueden moverse
generando corriente eléctrica. A temperatura ambiente
es un buen conductor.
Materiales Conductores

Material Aislante
• Los materiales aislantes son aquellos cuyos átomos ni ceden ni
captan electrones.
• Al someter un material aislante a una diferencia de potencial
no se produce desplazamiento de electrones.
• Entre esos materiales se encuentran el plástico, la mica, el
vidrio, la goma, la cerámica, etc.
• Estos esos materiales y otros similares se oponen al paso de
la corriente eléctrica.

Diagramas de bandas (I)
Diagrama de bandas del Carbono: diamante
4 estados/átomo Banda de conducción

Energía
Banda prohibida
Eg=6eV
- - 4 electrones/átomo Banda de valencia

- -
Si un electrón de la banda de valencia alcanzara la energía

necesaria para saltar a la banda de conducción, podría moverse al
estado vacío de la banda de conducción de otro átomo vecino,
generando corriente eléctrica. A temperatura ambiente casi ningún
electrón tiene esta energía.
Es un aislante.
ATE-UO Sem 05
Material Aislante

Semiconductor
• Las propiedades eléctricas de un material semiconductor vienen
determinadas por su estructura atómica.
• En un cristal puro de germanio o de silicio, los átomos están unidos entre
sí en disposición periódica, formando una rejilla cúbica tipo diamante
perfectamente regular.
• Cada átomo del cristal tiene cuatro electrones de valencia, cada uno de
los cuales interactúa con el electrón del átomo vecino formando un enlace
covalente.

Semiconductor
• Al no tener los electrones libertad de movimiento, a bajas
temperaturas y en estado cristalino puro, el material actúa como
un aislante.

Representación plana
del Germanio a 0º K
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - -
- - - -
- - - - -
G
- G - G - G
e
- e
- e
- e
-
No hay enlaces covalentes rotos. Esto equivale a
que los electrones de la banda de valencia no
pueden saltar aInst.
Tema: EL Diodo Semiconductor.
la Ing.
banda de conducción.
Helmer A. Huatuco Buitrón. 21
Situación del Ge a 0ºK
300º K (I)
- - - -
- - - - -
G - G - G - G
e
- e
- e e
- - -
- - -
+
-
- - - - -
G
- G - G - G
e- e
- e
- e
-
•Hay 1 enlace roto por cada 1,7·109 átomos.
•Un electrón “libre” y una carga “+” por cada
enlace roto.
Situación del Ge a 300º K (II) -
- -
- Generación
+
-
- Muy - - - -
importante
G - G - G - Recombinación
G
e e e e
- - - - Generación - -
- -
Generación -
+
-
-
G
-
-
G -
Recombinación
-
G -
-
G
+ -
e
- e
- e
- e
-
Siempre se están rompiendo (generación) y
reconstruyendo (recombinación) enlaces. La vida media
de un electrón puede ser del orden de milisegundos o
microsegundos. Inst. Ing. Helmer A. Huatuco Buitrón.
Tema: EL Diodo Semiconductor. 23
Aplicación de un campo externo (I)
- - - - -
++++++
-
- - - - -
G - G - G - G
e e e e
-
- - - - -- - - -
- - -
+
-
- -
G
-
-
G -
-
G -
-
G
-
- e- e
- e- e
-
-
•El electrón libre se mueve por acción del campo.
+
•¿Y la carga ”+” ?.
- Aplicación de un campo externo (II)
+++++++
- - - -
- -Muy
G -
-
G -
-
G -
-
G
-
-
importante
e
- e
- - e-- e
-
-
- -
+ +
- -
- -
-
- - - -
G G - G - G
e e e e
-
- - - -
- -
•La carga “+” se mueve también. Es un nuevo
+
portador de carga, llamado “hueco”.
Movimiento de cargas por un campo
eléctrico exterior (I)


-
+++++
- - - - -
- +
-
+
-
+
-
+
-
+
-
- + + + + +
- 
jp

jn
-
Existe corriente eléctrica debida a los dos portadores de carga:
 
jp=q·p·p· es la densidad de corriente de huecos.
 
jn=q·n·n· esInst.laIng.
Tema: EL Diodo Semiconductor.
densidad de corriente de electrones.
Helmer A. Huatuco Buitrón. 26
Diagramas de bandas (III)
Diagrama de bandas del Ge
4 estados/átomo
Energía Banda de conducción
Eg=0,67eV Banda prohibida
- - 4 electrones/átomo Banda de valencia

- -
Si un electrón de la banda de valencia alcanza la energía necesaria para saltar a la

banda de conducción, puede moverse al estado vacío de la banda de conducción de
otro átomo vecino, generando corriente eléctrica. A temperatura ambiente algunos
electrones tienen esta energía. Es un semiconductor.

Diagramas de bandas (IV)
Banda de Banda de Banda de
conducción conducción conducción
Eg Eg
Banda de Banda de Banda de

valencia valencia valencia
Aislante Semiconductor Conductor
Eg=5-10eV Eg=0,5-2eV No hay Eg
A 0ºK, tanto los aislantes como los semiconductores no
conducen, ya que ningún electrón tiene energía suficiente para
pasar de la banda de valencia a la de conducción. A 300ºK,
algunos electrones de los semiconductores alcanzan este nivel. Al
aumentar la temperatura aumenta la conducción en los
semiconductores (al contrario que en los metales).

Definición de electrónica
“Electrónica es la rama de la Ciencia y la tecnología que se

ocupa del estudio de las leyes que rigen el transito
controlado de los electrones a través del vació, de gases ó
de semiconductores, así como del estudio y desarrollo de
los dispositivos en los que se produce este movimiento
controlado y de las aplicaciones que de ello se deriven”

Salto tecnológico

Era del tubo de vació


Era del tubo de vacio

1946 Eckert y Mauchly
construyen el primer ordenador
electrónico (ENIAC)
• Diseñado para calcular tablas
balísticas
• Utilizaba unos 18000 tubos de
vació.
• Ocupaba una habitación de 100 m2,
pesaba 40 Tnl. y consumía 150 kW.
• Trabajaba a una frecuencia de
reloj de 100kHz; multiplicación e
2,8 ms.


Electrónica de estado sólido
• El gran avance de la electrónica; que ha permitido alcanzar el nivel
de desarrollo actual, fue la sustitución de los tubos de vació por los
dispositivos semiconductores.
• La utilización de contactos entre materiales sólidos diferentes
para controlar la corriente eléctrica fue relativamente temprana.
• 1874 Braun hizo notar la dependencia de la resistencia de una
union metal-semiconductor con respecto a la polaridad de la
tensión aplicada y las condiciones de las superficie de contacto.

Electrónica de estado solidó
• 1904 se utiliza un dispositivo de puntos de contacto como
rectificador (Diodo)
• 1920 se había generalizado el uso comercial de rectificadores
cobre-oxido de cobre ó hierro-selenio.

El diodo semiconductor
• Es un dispositivo unidireccional, es decir permite el flujo de
electrones es una sola dirección; es sensible a la polaridad y se debe
tener cuidado al reemplazarlo.
• Los materiales más comunes utilizados en la construcción de diodos
son tres; germanio, silicio y arseniuro de galio.
• En general el silicio ha reemplazado al germanio en la fabricación de
diodos debido a que su temperatura de operación es más alta, y los
costos de material son mucho menores.

Proceso de fabricación
• Los diodos se construyen como una sola pieza de material
semiconductor (Si).
• En un lado, se contamina mayoritariamente con material
trivalente (Al, Ga, B) y en menor medida con material
pentavalente (P, Sb, As) generándose un material tipo “p”.
• En el otro lado, se contamina mayoritariamente con material
pentavalente (P, Sb, As) y en menor medida con material
trivalente (Al, Ga, B) generándose un material tipo “n”.

Semiconductores Intrínsecos
Todo lo comentado hasta ahora se refiere a los llamados
“Semiconductores Intrínsecos”, en los que:
•No hay ninguna impureza en la red cristalina.
•Hay igual número de electrones que de huecos n = p = ni
Ge: ni = 2·1013 portadores/cm3
Si: ni = 1010 portadores/cm3
AsGa: ni = 2·106 portadores/cm3
(a temperatura ambiente)
¿Pueden modificarse estos valores?
¿Puede desequilibrarse el número de electrones y de huecos?
La respuesta son los Semiconductores Extrínsecos

Semiconductores Extrínsecos (I)
Introducimos pequeñas cantidades de impurezas del grupo V
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - -
0ºK
-
- 1
- - 5 - -
2
- -
- - - -
G Sb
- G - G
e
- - 4 e
- e
3 -
Tiene 5 electrones en la A 0ºK, habría un electrón adicional
ligado al átomo de Sb
última capa

Semiconductores Extrínsecos (II)
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - 5 - -
- 1 5
- 300ºK
0ºK
- - - -
2
- -
- - - -
G Sb
- G - G
e
- Sb+ - 4 e
- e
3 -
A 300ºK, todos electrones adicionales de los átomos de Sb están
desligados de su átomo (pueden desplazarse y originar corriente
eléctrica). El Sb es un donador y en el Ge hay más electrones que huecos.
Es un semiconductor tipo N.

Semiconductores Extrínsecos (III)
Interpretación en diagrama de bandas de un
semiconductor extrínseco Tipo N
3
4 est./atm. 300ºK
0ºK
Energía
- 1
0 electr./atm.
-
+
ESb=0,039eV Eg=0,67eV
- -
- - 4 electr./atm.
El Sb genera un estado permitido en la banda prohibida, muy
cerca de la banda de conducción. La energía necesaria para
alcanzar la banda de conducción se consigue a la temperatura
ambiente.

Semiconductores Extrínsecos (IV)
Introducimos pequeñas cantidades de impurezas del grupo III
- - - -
- - - - -
G
- G
- G
- G
e
- e
- e
- e
-
- 1
- - 0ºK -
- 2
- - - -
-
G Al G - G
e
- - e
- e
-
3
Tiene 3 electrones en la A 0ºK, habría una “falta de electrón”
última capa adicional ligado al átomo de Al

Semiconductores Extrínsecos (V)
- - - -
- - + - - -
G
- G
- G - G
e
- -e e 300ºK
- e
-
- -1 - 0ºK -
- 2
- - - - -
- -
G AlAl 4 (extra) G - G
e
- - e
- e
-
3
A 300ºK, todas las “faltas” de electrón de los átomos de Al están cubiertas con un
electrón procedente de un átomo de Ge, en el que se genera un hueco. El Al es un
aceptador y en el Ge hay más huecos que electrones. Es un semiconductor tipo P.

Semiconductores Extrínsecos (VI)
Interpretación en diagrama de bandas de un
semiconductor extrínseco Tipo P
300ºK
0ºK
Energía
4 est./atom.
- EAl=0,067eV Eg=0,67eV
+- - 34 electr./atom.
electr./atom.
- - 10 hueco/atom.
huecos/atom.
El Al genera un estado permitido en la banda prohibida, muy cerca de
la banda de valencia. La energía necesaria para que un electrón
alcance este estado permitido se consigue a la temperatura ambiente,
generando un hueco en la banda de valencia.

Semiconductor
• Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de
electrones del cristal N al P (Je).
• Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una
zona a ambos lados de la unión, zona que recibe diferentes
denominaciones como:
• Zona ó región prohibida
• Zona ó región de agotamiento
• Zona ó región de deflexión
• Zona ó región de vaciado, etc.

Semiconductor
• La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el

equilibrio, suele ser del orden de 0,5 μm pero cuando uno de los
cristales está mucho más dopado que el otro, la zona de carga
espacial es mucho mayor.

Semiconductor

Polarización Inversa
• Se dice que un diodo semiconductor esta polarizado en
inversa si el diodo esta conectado a la fuente como se
muestra:

• El numero de cargas negativas en la región de agotamiento del
material tipo n aumentara debido al mayor número de
electrones “libres” rechazados por el potencial negativo del
voltaje aplicado.
• En el material tipo p el numero de cargas positivos (huecos) en
la región de agotamiento se incrementaran debido al mayor
número de electrones “libres” atraídos por el potencial positivo
del voltaje aplicado.

• El efecto “neto”, en consecuencia es un ensanchamiento
de la región de vaciamiento que establecerá una barrera
demasiado grande como para que los portadores
mayoritarios puedan superarla debido a la recombinación
par electrón hueco lo que deja muy poco de portadores
minoritarios libres para circular.

• La corriente total es la suma de los portadores minoritarios y
se denominan corriente inversa de saturación (Is); el valor
de esta corriente es muy pequeño (nA).

Polarización Directa
Se dice que un diodo semiconductor esta polarizado en directa
si el diodo esta conectado a la fuente como se muestra:



Polarización
• Existen dos tipos de polarización eléctrica de
un diodo semiconductor:
– Polarización Inversa
– Polarización Directa.
Simbología:

Polarización

Diodos

Curva de diodo ideal

Curva de diodo real

Características estáticas

• Parámetros en bloqueo
• Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser
soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de
entrar en ruptura por avalancha.
• Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser
soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma
continuada.
• Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que
puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o
más.
• Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola
vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las
características del mismo.
• Tensión inversa continua (VR): es la tensión continua que

soporta el diodo en estado de bloqueo.

• Parámetros en conducción
• Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la
máxima intensidad de impulsos sinusoidales de 180º que el
diodo puede soportar.
• Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede

ser soportada cada 20 ms , con una duración de pico a 1 ms, a
una determinada temperatura de la cápsula (normalmente 25º).

• Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo

pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una
duración de 10 ms.
• Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo

cuando se encuentra en el estado de conducción.

Aplicaciones del diodo
rectificador

Onda senoidal
2V MAX
V PROM 

V MAX
V RMS  V EFICAZ 
2

Rectificador de media onda
V MAX
V PROM 

V MAX
V RMS 
2

Rectificador de onda completa

Rectificador de onda completa

Aplicación del diodo
rectificador

Filtro

Curvas en carga

Bibliografía que debes utilizar
• Textual
• Albert Paul . MALVINO. Principios de Electrónica. Referencia: Cap. II
pág. 33, Semiconductores. Cap. III pág. 65, Teoría de los Diodos
• Virtual:
https://www.youtube.com/watch?v=MhlPBzNkDeg . Diodos: Parte 1, 2

v

Tema: Resistencia Eléctrica.
www.senati.edu.pe Inst. Ing. Helmer A. Huatuco Buitrón. 93

Diodo Semiconductor 2022

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No hay banda prohibida. Los electrones de la banda de

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4 estados/átomo Banda de conducción

- - 4 electrones/átomo Banda de valencia

Si un electrón de la banda de valencia alcanzara la energía

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Eg=0,67eV Banda prohibida

- - 4 electrones/átomo Banda de valencia

Si un electrón de la banda de valencia alcanza la energía necesaria para saltar a la

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Banda de Banda de Banda de

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“Electrónica es la rama de la Ciencia y la tecnología que se

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• La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el

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• Tensión inversa continua (VR): es la tensión continua que

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• Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede

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