Teoría Electrónica de

Semiconductores

Gerardo Sánchez
Introducción a la Electrónica de
Dispositivos
Conductores: En los conductores sólidos la corriente eléctrica es
transportada por el movimiento de los electrones; y en disoluciones y
gases, lo hace por los iones.
Conductores sólidos: Metales
Características físicas:
estado sólido a temperatura normal, excepto el mercurio que es
líquido.
opacidad, excepto en capas muy finas.
buenos conductores eléctricos y térmicos.
brillantes, una vez pulidos, y estructura cristalina en estado sólido.
dureza o resistencia a ser rayados;
resistencia longitudinal o resistencia a la rotura;
elasticidad o capacidad de volver a su forma original después de
sufrir deformación;
maleabilidad o posibilidad de cambiar de forma por la acción del
martillo; (puede batirse o extenderse en planchas o laminas)
resistencia a la fatiga o capacidad de soportar una fuerza o presión
continuadas
ductilidad: permite su deformación forzada, en hilos, sin que se
rompa o astille.
Aislantes:
Presentan una resistencia al paso de corriente eléctrica
miles (millones) de veces mayor que la de los buenos
conductores eléctricos como la plata o el cobre.
Aislantes sólidos:
En los sistemas de aislación de transformadores destacan
las cintas sintéticas PET (tereftalato de polietileno), PEN
(naftalato de polietileno) y PPS (sulfido de polifenileno) que
se utilizan para envolver los conductores magnéticos de los
bobinados. Tienen excelentes propiedades dieléctricas y
buena adherencia sobre los alambres magnéticos.
Un buen aislante entre vueltas de las bobinas de
transformadores es el cartón prensado o pressboard, el
cual da forma a estructuras de aislación rígidas.
Semiconductor es un elemento que se comporta como
un conductor o como un aislante dependiendo de diversos
factores, como por ejemplo:
• El campo eléctrico o magnético,
• La presión,
• La radiación que le incide,(La luz)
• La temperatura del ambiente en el que se encuentre.
Los elementos químicos semiconductores de la tabla
periódica se indican en la tabla adjunta.
El elemento semiconductor más usado es
el silicio, el segundo el germanio, aunque
idéntico comportamiento presentan las
combinaciones de elementos de los grupos 12 y
13 con los de los grupos 16 y 15
respectivamente (GaAs, PIn, AsGaAl, TeCd,
SeCd y SCd). Posteriormente se ha comenzado
a emplear también el azufre. La característica
común a todos ellos es que son tetravalentes,
teniendo el silicio una configuración electrónica
s²p².
 Materiales semiconductores (I)
Semiconductores elementales: Germanio (Ge) y Silicio (Si)
Compuestos IV: SiC y SiGe
Compuestos III-V:
Binarios: GaAs, GaP, GaSb, AlAs, AlP, AlSb, InAs, InP y InSb
Ternarios: GaAsP, AlGaAs
Cuaternarios: InGaAsP
Compuestos II-VI: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe y CdTe

Son
Son materiales
materiales de
de conductividad
conductividad intermedia
intermedia entre
entre la
la
de
de los
los metales
metales yy la
la de
de los
los aislantes,
aislantes, que
que se
se modifica
modifica
en
en gran
gran medida
medida por por lala temperatura,
temperatura, lala excitación
excitación
óptica
ópticayylas
lasimpurezas.
impurezas.

ATE-UO Sem 01
 Materiales semiconductores (II)

•Estructura atómica del Carbono (6 electrones)

1s2 2s2 2p2
•Estructura atómica del Silicio (14 electrones)
1s2 2s2 2p6 3s2 3p2

•Estructura atómica del Germanio (32 electrones)

1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p2

44 electrones
electrones en
en la
la última
última capa
capa
ATE-UO Sem 02
Estructura atómica del germanio y el silicio (un átomo)
 Diagramas de bandas (IV)
Banda de Banda de Banda de
conducción conducción conducción
Eg Eg

Banda de Banda de Banda de

valencia valencia valencia
Aislante Semiconductor Conductor
Eg=5-10eV Eg=0,5-2eV No hay Eg

AA 0ºK,
0ºK, tanto
tanto los
los aislantes
aislantes como
como loslos semiconductores
semiconductores no no
conducen,
conducen, yaya que
que ningún
ningún electrón
electrón tiene
tiene energía
energía suficiente
suficiente para
para
pasar
pasar de
de la
la banda
banda de de valencia
valencia aa la
la de
de conducción.
conducción. AA 300ºK,
300ºK,
algunos
algunoselectrones
electronesde delos
lossemiconductores
semiconductoresalcanzan
alcanzaneste
estenivel.
nivel.Al
Al
aumentar
aumentar la la temperatura
temperatura aumenta
aumenta la la conducción
conducción en en los
los
semiconductores
semiconductores(al (alcontrario
contrarioque
queen
enlos
losmetales).
metales).
ATE-UO Sem 08
Representación plana del Germanio a 0º K
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - -
- - - -
- - - - -
G G G G
- - -
e- e
- e
- e
-

No
No hay
hay enlaces
enlaces covalentes
covalentes rotos.
rotos. Esto
Esto equivale
equivale aa
que
que los
los electrones
electrones dede la
la banda
banda dede valencia
valencia no
no
pueden
pueden saltar
saltar aala
labanda
bandadedeconducción.
conducción.
Nota: 0 grado K equivale a -273 grados Celsius
ATE-UO Sem 09
 Situación del Ge a 0ºK
300º K (I)
- - - -
- - - - -
G - G - G - G
e
- e
- e e
- - -
- -
+
- -
- - - - -
G G G G
- - -
e- e
- e
- e
-
••Hay
Hay 1 enlace roto por cada 1,7·10 átomos.
1 enlace roto por cada 1,7·10 99
átomos.
••Un
Un electrón
electrón “libre”
“libre” yy una
una carga
carga “+”
“+” por
por cada
cada
enlace
enlace roto.
roto.
300 grados K equivale a 27 grados Celsius
ATE-UO Sem 10
 Situación del Ge a 300º K (II) -
Generación
- - -
+
-
- Muy - - - -
importante
G - G - G - Recombinación
G
e e e e
- - - - Generación - -
Generación
- -
+
- -
-
G
-
-
G -
Recombinación
-
G -
-
G
+ -
e
- e
- e
- e
-
Siempre
Siempre se se están
están rompiendo
rompiendo (generación)
(generación) yy
reconstruyendo
reconstruyendo (recombinación)
(recombinación) enlaces.
enlaces. La
La vida
vida media
media
de
de un
un electrón
electrón puede
puede ser
ser del
del orden
orden de
de milisegundos
milisegundos oo
microsegundos.
microsegundos.
ATE-UO Sem 11
- Aplicación de un campo externo (I)

+++++++
- - - -

- -
G -
-
G -
-
G -
-
G
-

- e
- - e
- - e
-- -
e
- -
-
- -
+
- -
-
-
- - - -
G G G G
- - -
e e e e

-
- - - -

- ••El
- +
Elelectrón
electrónlibre
librese
semueve
muevepor
poracción
accióndel
delcampo.
campo.
••¿Y
¿Ylalacarga
carga”+”
”+”?.
?.
ATE-UO Sem 12
- Aplicación de un campo externo (II)

+++++++
- - - -

- -
G
Muy
importante
-
-
G -
-
G -
-
G
-

- e
- e
- - e
-- e
-
-
- -
+ +
- -
-
-
- - - -
G G G G
- - -
e e e e

-
- - - -

- -
••La
+
Lacarga
carga“+”
“+”se
semueve
muevetambién.
también.Es
Esun
unnuevo
nuevo
portador
portadorde
decarga, llamado “hueco”
carga,llamado “hueco”..
ATE-UO Sem 13
Movimiento de cargas por un campo
eléctrico exterior (I)


-

+++++
-
- - - - -
+ + + + +
- - - - - -
- + + + + +

- 
jp

jn
Existe
Existecorriente
corrienteeléctrica
eléctricadebida
debidaaalos
losdos
dosportadores
portadoresde
decarga:
carga:
 Es Esla
la corriente
corrientede
dehuecos.
huecos.
 Es
Esla
la corriente
corrientede
deelectrones.
electrones.

ATE-UO Sem 15
 Semiconductores Intrínsecos
Todo lo comentado hasta ahora se refiere a los llamados
“Semiconductores Intrínsecos”, en los que:
•No hay ninguna impureza en la red cristalina.
•Hay igual número de electrones que de huecos n = p = ni
Ge: ni = 2·1013 portadores/cm3
Si: ni = 1010 portadores/cm3
AsGa: ni = 2·106 portadores/cm3
(a temperatura ambiente)

¿Pueden
¿Puedenmodificarse
modificarseestos
estosvalores?
valores?
¿Puede
¿Puededesequilibrarse
desequilibrarseel
elnúmero
número de
de electrones
electrones yyde
de
huecos?
huecos?
La
Larespuesta
respuestason los Semiconductores
sonlos Semiconductores Extrínsecos
Extrínsecos
ATE-UO Sem 17
 Semiconductores Extrínsecos (I)
Introducimos pequeñas cantidades de impurezas del grupo V
- - - -
- - - - -
G - G - G - G
e
- e
- e e
-
0ºK
-
- 1
- - 5 - -
2
- -
- - -
G G G
-
Sb
- -
e
- - 4 e
- e
3 -
Tiene 5 electrones en la A
A 0ºK,
0ºK, habría
habría un
un electrón
electrón
última capa adicional
adicional ligado
ligado al
al átomo
átomo
de
de Sb
Sb
ATE-UO Sem 18
 Semiconductores Extrínsecos (II)
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - 5 -
300ºK
-
0ºK
-
- 1 5
- - - -
2
- -
- - -
G G G
-
Sb
- -
e- Sb+ - 4 e
- e
3 -
AA 300ºK,
300ºK, todos
todos electrones
electrones adicionales
adicionales de
de los
los átomos
átomos dede Sb
Sb están
están
desligados
desligados dede su
su átomo
átomo (pueden
(pueden desplazarse
desplazarse yy originar
originar corriente
corriente
eléctrica).
eléctrica). El
El Sb
Sb es un donador
es un donador yy enen el
el Ge
Ge hay
hay más
más electrones
electrones
que
quehuecos.
huecos.Es Esun semiconductor tipo
unsemiconductor tipoN.
N.
ATE-UO Sem 19
 Semiconductores Extrínsecos (III)
Interpretación en diagrama de bandas de un
semiconductor extrínseco Tipo N

3
4 est./atm. 300ºK
0ºK
Energía

- 1
0 electr./atm.
-
+
ESb=0,039eV Eg=0,67eV
- -
- - 4 electr./atm.

El
El Sb
Sb genera
genera unun estado
estado permitido
permitido enen la
la banda
banda
prohibida,
prohibida, muy
muy cerca
cerca de
de la
la banda
banda de
de conducción.
conducción. LaLa
energía
energía necesaria
necesaria para
para alcanzar
alcanzar lala banda
banda de de
conducción
conducciónse seconsigue
consigueaala latemperatura
temperaturaambiente.
ambiente.
ATE-UO Sem 20
 Semiconductores Extrínsecos (IV)
Introducimos pequeñas cantidades de impurezas del grupo III
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - -
0ºK
-
- - 1 - -
2
- -
- - -
G G G
-
Al
-
e
- - e
- e
3 -
Tiene 3 electrones en la A
A 0ºK,
0ºK, habría
habría una
una “falta
“falta de
de
última capa electrón”
electrón” adicional
adicional ligado
ligado
al
al átomo
átomo dede Al
Al
ATE-UO Sem 21
 Semiconductores Extrínsecos (V)
- - - -
- - - - -
Ge - Ge -
+ Ge - Ge
-
300ºK
-
0ºK
- -
- - 1 - -
2
- -
- - -
G G G
-
Al
-
-
-
e- Al - 4 (extra) e e
3
- -
AA 300ºK,
300ºK, todas
todas las
las “faltas”
“faltas” de
de electrón
electrón de
de los
los átomos
átomos dede
Al
Al están
están cubiertas
cubiertas concon unun electrón
electrón procedente
procedente de de un
un
átomo
átomo dede Ge,
Ge, en
en elel que
que se
se genera
genera un
un hueco.
hueco. ElEl Al
Al es
es un
un
aceptador
aceptador yy en
en el
el Ge
Ge hay
hay más
más huecos
huecos que
que electrones.
electrones. Es
Es
un
un semiconductor
semiconductor tipotipoP.P.
ATE-UO Sem 22
 Semiconductores Extrínsecos (VI)
Interpretación en diagrama de bandas de un
semiconductor extrínseco Tipo P

4 est./atom. 300ºK
0ºK
Energía

EAl=0,067eV Eg=0,67eV
-
+- - 43 electr./atom.
- - 01 huecos/atom.
hueco/atom.

El
El Al
Al genera
genera unun estado
estado permitido
permitido en
en la
la banda
banda prohibida,
prohibida,
muy
muy cerca
cerca de
de la la banda
banda dede valencia.
valencia. La
La energía
energía necesaria
necesaria
para
para que
que un
un electrón
electrón alcance
alcance este
este estado
estado permitido
permitido se
se
consigue
consigue aa la
la temperatura
temperatura ambiente,
ambiente, generando
generando unun hueco
hueco
en
enla
labanda
bandadedevalencia.
valencia.
ATE-UO Sem 23
 Electrónica

4.- SEMICONDUCTORES: El diodo

• Gráfica I – V del diodo

Si medimos los valores de I y de V en el diodo tanto en polarización directa como
inversa podemos obtener la siguiente gráfica:

Tensión mínima Vu: es la V mínima de la pila en

polarización directa para que conduzca el diodo.
Intensidad máxima: si la intensidad que circula a través del diodo es
elevada el diodo se quema.
Avalancha: cuando polarizamos en inversa y aumentamos la tensión en
exceso se llega a la avalancha que produce la destrucción del
diodo
 Electrónica

4.- SEMICONDUCTORES: El diodo

• El diodo
Es la unión de dos semiconductores extrínsecos, uno tipo P
y otro tipo N.
 Electrónica

4.- SEMICONDUCTORES: El diodo

• Representación del diodo

Diodo real

El símbolo del diodo es el siguiente:

En este símbolo la base del triángulo representa al ánodo

(zona P) y el vértice y la línea vertical al cátodo (zona N)
 Electrónica

4.- SEMICONDUCTORES: El diodo

• Tipos de diodos

– Diodos de potencia: aguantan tensiones altas ( los de Silicio, con

tensiones umbrales de 0,6 a 0,8 voltios aprox.)

– Para rectificación de la corriente: los de Germanio con tensión

umbral de 0,2 o 0,3 voltios.

– LED’s: diodos que emiten luz cuando se les polariza directamente.

LED real Símbolo

 Electrónica

4.- SEMICONDUCTORES: El diodo

• Tipos de diodos (continuación)

– Zener:
Se comporta como un diodo “normal” en polarización
directa pero cuando se polariza en inversa y
llega a una tensión Vz (tensión zéner) el diodo
zéner permite el paso de corriente a su través.
Además tiene la ventaja de que en esta situación
mantiene constante la tensión .

Símbolo
 DIODO REAL

i [mA]
ánodo cátodo
p n Ge Si

A K
V [Volt.]
Símbolo 0
-0.25 0.3 0.7
Silicio
Germanio
 DIODO: Parámetros facilitados por fabricantes
id

IOmax

VR = 1000V Tensión inversa máxima

IOMAX (AV)= 1A Corriente directa máxima VR
VF = 1V Caída de Tensión directa
IR = 50 nA Corriente inversa iS Vd

NOTA:
VR = 100V Tensión inversa máxima Se sugiere con un buscador obtener
IOMAX (AV)= 150mA Corriente directa máxima las hojas de características de un
VF = 1V Caída de Tensión directa diodo (p.e. 1N4007). Normalmente
IR = 25 nA Corriente inversa aparecerán varios fabricantes para el
mismo componente.
fin