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Versin 2

LABORATORIO 4 DE FISICA

FOTOCONDUCTIVIDAD

Objetivos.
Estudio de la fotoconductividad estacionaria de un semiconductor Estudio de la fotoconductividad transitoria de un semiconductor

Introduccin terica.
La fotoconductividad es definida como el cambio de la conductividad elctrica () de un material debido a la accin de radiacin incidente. El primer reporte sobre fotoconductividad ocurri en 1873 por W. Smith, quien observa que la resistividad del selenio disminua por efecto de la radiacin del sol. El principio bsico sobre el que se basa la fotoconductividad es muy simple: Cuando un fotn de energa mayor o igual que la brecha del material incide sobre un semiconductor puede ser absorbido por el material, pasando un electrn a la banda de conduccin, dejando un hueco (vaco) en la banda de valencia; estos dos portadores contribuyen al aumento de la conductividad del material. En este caso la conductividad es denominada intrnseca. En el caso de materiales con defectos, impurezas o cualquier tipo de distorsin puede ocurrir que un fotn de energa menor que la brecha del material sea absorbido y los electrones pasen a la banda de conduccin o se formen huecos en la banda de valencia, en este caso solo se incrementa un tipo de portador. Este proceso da lugar a la fotoconductividad extrnseca.

De la anterior explicacin se puede ver que el fenmeno de fotoconductividad es un proceso complicado dentro del semiconductor ya que se origina del equilibrio entre la generacin de portadores libres y su posterior recombinacin, primer y segundo termino de la ecuacin:

dn n = ( ) I 0 dt

donde n es el nmero de portadores es la eficiencia del proceso es el coeficiente de absorcin para cada longitud de onda Io es la intensidad de la radiacin incidente

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es el tiempo de relajacin de los electrones

Esta ecuacin tambin puede ser escrita en la forma: = e( e n + h p) donde e, h son las movilidades de los electrones y huecos del material n, p son las variaciones de las densidades de portadores. Si se aplica una diferencia de potencial V, se genera una fotocorriente, dada por

A V d Donde A es la seccin transversal en la trayectoria de la corriente .d es la distancia entre los electrodos (contactos) I=
La existencia de esta corriente que depende de la irradianca es el principio bsico para muchas aplicaciones, por ejemplo medidores de intensidad de la luz, interrupores, etc. De la ecuacin 1 se puede entender que los procesos de fotoconductividad se dividan en dos regmenes: Estacionario y transitorio. El rgimen estacionario ocurre cuando los procesos de generacin y recombinacin se han igualado, este rgimen tiene muchas similitudes con las tcnicas de absorcin ptica y fotoluminiscencia, en general las estructuras que aparecen en este rgimen se definen para la menor energa donde comienza el cambio de conductividad, ver figura 1 El rgimen transitorio tiene dos partes cuando el semiconductor es iluminado y se mueve al punto de la fotoconductividad estacionaria y cuando es dejado en la oscuridad y va al equilibrio termodinmico, en los dos casos se obtiene informacin sobre los tiempos de relajacin de los diferentes procesos internos del material, por ejemplo: trampas, centros de recombinacin, tiempo de vida de los portadores libres, etc.

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Figura1. Comparacin entre los procesos de fotoconductividad estacionaria y absorcin

Figura 2. Curvas tpicas fotoconductividad transitoria

del

proceso

de

El anlisis de estos casos dependen de los procesos que se asuma a ocurrir en la recombinacin del material, para los casos ms simples donde la recombinacin es proporcional al exceso de portadores, se tiene: n = no (1 exp(-t/i)) n = no exp (-t/i) Curvas de subida Curvas de decaimiento

Donde se a supuesto que los portadores de carga sean electrones, similares ecuaciones pueden ser escritas para los huecos, el termino i representa cada uno de los procesos involucrados en el sistema.

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Tcnicas de medicin.
Para las mediciones de fotoconductividad de un material, se deben seguir los principios para las medidas elctricas de cualquier material, por lo cual se requiere de contactos ohmicos en todo el rango de medida; la realizacin un contacto ohmicos depende de diversos factores: El material del contacto debe ser escogido para que tengan un potencial de trabajo inferior al del semiconductor, en general se puede utilizar indio o plata por materiales de brecha de energa pequea y oro para materiales de brecha energa (Eg>2 eV). La superficie debe estar limpia y libre de grasa, oxido y otros contaminantes La distancia entre contactos debe ser estudiada en las medidas de fotoconductividad transitoria, para disminuir el tiempo de transito de los electrones. La forma, realizacin y ubicacin de los contactos afecta significativamente la respuesta del material, debido a la alteracin del campo elctrico dentro del semiconductor, las mejores tcnicas de deposicin son: electrodeposicin y evaporacin. Las mediciones mismas de fotoconductividad deben ser cuidadosas para evitar problemas de ruido, en general se utilizan dos tcnicas de medidas dependiendo si el material es un buen o mal conductor, siendo estas medidas en DC o AC Tcnica de Medidas DC. Esta es realizada cuando tenemos un material con buena respuesta, en general se mide la corriente directamente en un electrmetro, en algunos casos se utiliza la tcnica de colocar la muestra en un puente de wheatstone para eliminar la corriente de la oscuridad. Tcnica de medidas AC Es utilizada para materiales de muy poca seal, la mayora de los materiales existentes. Consisten en modular la luz incidente y medir la corriente a esta modulacin, esta tcnica es ampliamente utilizada en materiales de alta velocidad de respuesta.

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Mtodo experimental
Monte el circuito de la figura 3, tenga cuidado de no daar la superficie del material Importante: Cuide que la radiacin no incida sobre los contactos Cheque la ley de ohm en los contactos en la oscuridad. Mida la conductividad residual (corriente de residual o oscuridad Io) Mida la fotoconductividad en estado estacionario para cada longitud de onda Mida la seal de la lmpara para cada longitud de onda, corrija segn la respuesta del detector (utilizando una regla de tres) Calcule la fotoconductividad corregida a una intensidad de lmpara dada, en general 1 mW/cm2, calcule la brecha aproximada del material Para dos longitudes de onda mida la fotoconductividad transitoria tanto en la subida como el decaimiento, grafique y calcule los tiempo de recombinacin.

Nota:

No exceda potencia mxima de disipacin de la fotorresistencia 0,2W Durante todo el experimento evite cambios en la iluminacin del cuarto.

Figura 3. Montaje experimental para las medidas de fotoconductividad en un material con alta respuesta.

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Preguntas del prelaboratorio

1. Explique que quiere decir que los portadores de carga pueden ser electrones o huecos 2. Explique el movimiento de los huecos en la banda de valencia 3. Suponga que tiene un material muy puro, que tipo de conduccin Ud. esperara de este material 4. Cmo puede Ud. obtener la brecha de energa de la curva de fotorespuesta en estados estacionario? 5. Explique por que la fotoconductividad estacionaria es utilizada en conjunto con otras tcnicas experimentales para la determinacin de los niveles o bandas involucradas en una transicin dada 6. Como puede obtener el tiempo de vida de los portadores mayoritarios en una curva de fotoconductividad transitoria. 7. Que tipo de asuncin sobre la recombinacin es realizado para obtener la ecuacin N3

Manejo de Instrumentos
Espectrofluorimetro modelo MK-1
El equipo consta de un monocromador, una fuente de luz intensa, un sistema de deteccin y un sistema de barrido, se describirn las partes utilizadas en este experimento. El sistema de iluminacin esta formado por una lmpara de Xenn de 150W que emite en UV, visible y cercano infrarrojo. Antes de prender la lmpara active el sistema de enfriamiento, colocando el equipo la posicin (STAND BY) en el botn de funciones del panel frontal. Para conectar la lmpara: Presione el botn POWER de la fuente de poder, despus de que estabilice unos segundos, presiones el botn LAMP para activa la descarga de alto voltaje inicial, al encender la lmpara suelte inmediatamente el botn. La lmpara esta enfocada sobre el monocromador y no necesita ajuste por parte del estudiante, si tiene alguna duda sobre el correcto enfoque llame al profesor o al tcnico para que revise el sistema y realice las correcciones. PRECAUSION: NO MIRE LA LAMPARA EMITE LUZ ULTRAVIOLETA

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Monocromador: Sistema cerrado consistente en una red de difraccin de 1200 lneas/mm y dos espejos de enfoque, no requiere calibracin por parte del estudiante. Las caractersticas de este sistema son: Rango espectral 220 nm a 700 nm Dispersin reciproca promedio 10 nm/mm. Juego de rendijas para la entrada y salida del equipo Importante para disminuir los problemas de difraccin cuide que la rendija de entrada sea aproximadamente el doble de la de salida. Sistema de deteccin: Esta formado por un fotomultiplicador IP28 montado en su base, con rango de trabajo entre 200 nm y 750nm, el alto voltaje es aplicado por el mismo espectrmetro y no se tiene control directo; cuide de no exponer el fotomultiplicador a la luz directa por ser muy sensible.

Micro-ampermetro.
El laboratorio IV de Fsica cuenta con un micro- nano ampermetro marca Keytley modelo 150B, este es un electrometro de alta impedancia de entrada (>1014 ). En figura N5 se muestra las principales conexiones de este equipo, a continuacin describiremos el uso de cada parte del aparato: Botn de POWER SUPPLY interruptor de poder, para conectarlo, trabaja nicamente en AC, el equipo no tiene bateras. Control de ZERO SUPRESS botn de supresin de corriente, permite bajar la corriente sin voltaje aplicado a cero, cada posicin (ajuste grueso) suprime diez veces la anterior, se cuenta adems con un ajuste fino Conector de entrada, para cable coaxial especial, el caimn rojo es positivo y el negro es neutro o tierra Selector de funciones FUNCTION, permite medir voltajes o corrientes; para medir voltajes coloque en open o 100k dependiendo si la impedancia del sistema es mayor o no de 100K, respectivamente, para la medicin de corrientes coloque en amps Interruptor de filtro (FILTER), conecta un filtro para disminuir el ruido, aumenta el tiempo de respuesta. Selector de rango (RANGE), selecciona el rango de medida del equipo, cambia entre mili, micro y nano amperios. El equipo tiene una salida de 1 Voltios fondo de escala, en la parte trasera. Esta debe estar conectada al canal Y del registrador. Observacin se recomienda prender el equipo aproximadamente 30 minutos antes de comenzar las medidas para que se estabilicen los circuitos.