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LABORATORIO 4 DE FISICA

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FOTOCONDUCTIVIDAD

Objetivos.
• • Estudio de la fotoconductividad estacionaria de un semiconductor Estudio de la fotoconductividad transitoria de un semiconductor

Introducción teórica.
La fotoconductividad es definida como el cambio de la conductividad eléctrica (σ) de un material debido a la acción de radiación incidente. El primer reporte sobre fotoconductividad ocurrió en 1873 por W. Smith, quien observa que la resistividad del selenio disminuía por efecto de la radiación del sol. El principio básico sobre el que se basa la fotoconductividad es muy simple: • Cuando un fotón de energía mayor o igual que la brecha del material incide sobre un semiconductor puede ser absorbido por el material, pasando un electrón a la banda de conducción, dejando un hueco (vacío) en la banda de valencia; estos dos portadores contribuyen al aumento de la conductividad del material. En este caso la conductividad es denominada intrínseca. • En el caso de materiales con defectos, impurezas o cualquier tipo de distorsión puede ocurrir que un fotón de energía menor que la brecha del material sea absorbido y los electrones pasen a la banda de conducción o se formen huecos en la banda de valencia, en este caso solo se incrementa un tipo de portador. Este proceso da lugar a la fotoconductividad extrínseca.

De la anterior explicación se puede ver que el fenómeno de fotoconductividad es un proceso complicado dentro del semiconductor ya que se origina del equilibrio entre la generación de portadores libres y su posterior recombinación, primer y segundo termino de la ecuación:

dn n = ηα (λ ) I 0 − dt τ

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donde n es el número de portadores η es la eficiencia del proceso α es el coeficiente de absorción para cada longitud de onda Io es la intensidad de la radiación incidente

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τ es el tiempo de relajación de los electrones

Esta ecuación también puede ser escrita en la forma: Δσ = e( μ e Δn + μ h Δp) donde μe, μh son las movilidades de los electrones y huecos del material Δn, Δp son las variaciones de las densidades de portadores. Si se aplica una diferencia de potencial V, se genera una fotocorriente, dada por

A Δσ V d Donde A es la sección transversal en la trayectoria de la corriente .d es la distancia entre los electrodos (contactos) I=
La existencia de esta corriente que depende de la irradiancía es el principio básico para muchas aplicaciones, por ejemplo medidores de intensidad de la luz, interrupores, etc. De la ecuación 1 se puede entender que los procesos de fotoconductividad se dividan en dos regímenes: Estacionario y transitorio. El régimen estacionario ocurre cuando los procesos de generación y recombinación se han igualado, este régimen tiene muchas similitudes con las técnicas de absorción óptica y fotoluminiscencia, en general las estructuras que aparecen en este régimen se definen para la menor energía donde comienza el cambio de conductividad, ver figura 1 El régimen transitorio tiene dos partes cuando el semiconductor es iluminado y se mueve al punto de la fotoconductividad estacionaria y cuando es dejado en la oscuridad y va al equilibrio termodinámico, en los dos casos se obtiene información sobre los tiempos de relajación de los diferentes procesos internos del material, por ejemplo: trampas, centros de recombinación, tiempo de vida de los portadores libres, etc.

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Figura1. Comparación entre los procesos de fotoconductividad estacionaria y absorción

Figura 2. Curvas típicas fotoconductividad transitoria

del

proceso

de

El análisis de estos casos dependen de los procesos que se asuma a ocurrir en la recombinación del material, para los casos más simples donde la recombinación es proporcional al exceso de portadores, se tiene: Δn = no (1 – exp(-t/τi)) Δn = no exp (-t/τi) Curvas de subida Curvas de decaimiento

Donde se a supuesto que los portadores de carga sean electrones, similares ecuaciones pueden ser escritas para los huecos, el termino τi representa cada uno de los procesos involucrados en el sistema.

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Técnicas de medición.
Para las mediciones de fotoconductividad de un material, se deben seguir los principios para las medidas eléctricas de cualquier material, por lo cual se requiere de contactos ohmicos en todo el rango de medida; la realización un contacto ohmicos depende de diversos factores: • El material del contacto debe ser escogido para que tengan un potencial de trabajo inferior al del semiconductor, en general se puede utilizar indio o plata por materiales de brecha de energía pequeña y oro para materiales de brecha energía (Eg>2 eV). • La superficie debe estar limpia y libre de grasa, oxido y otros contaminantes • La distancia entre contactos debe ser estudiada en las medidas de fotoconductividad transitoria, para disminuir el tiempo de transito de los electrones. La forma, realización y ubicación de los contactos afecta significativamente la respuesta del material, debido a la alteración del campo eléctrico dentro del semiconductor, las mejores técnicas de deposición son: electrodeposición y evaporación. Las mediciones mismas de fotoconductividad deben ser cuidadosas para evitar problemas de ruido, en general se utilizan dos técnicas de medidas dependiendo si el material es un buen o mal conductor, siendo estas medidas en DC o AC Técnica de Medidas DC. Esta es realizada cuando tenemos un material con buena respuesta, en general se mide la corriente directamente en un electrómetro, en algunos casos se utiliza la técnica de colocar la muestra en un puente de wheatstone para eliminar la corriente de la oscuridad. Técnica de medidas AC Es utilizada para materiales de muy poca señal, la mayoría de los materiales existentes. Consisten en modular la luz incidente y medir la corriente a esta modulación, esta técnica es ampliamente utilizada en materiales de alta velocidad de respuesta.

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Método experimental
• Monte el circuito de la figura 3, tenga cuidado de no dañar la superficie del material Importante: Cuide que la radiación no incida sobre los contactos Cheque la ley de ohm en los contactos en la oscuridad. Mida la conductividad residual (corriente de residual o oscuridad Io) Mida la fotoconductividad en estado estacionario para cada longitud de onda Mida la señal de la lámpara para cada longitud de onda, corrija según la respuesta del detector (utilizando una regla de tres) Calcule la fotoconductividad corregida a una intensidad de lámpara dada, en general 1 mW/cm2, calcule la brecha aproximada del material Para dos longitudes de onda mida la fotoconductividad transitoria tanto en la subida como el decaimiento, grafique y calcule los tiempo de recombinación.

• • • • • •

Nota:

No exceda potencia máxima de disipación de la fotorresistencia 0,2W Durante todo el experimento evite cambios en la iluminación del cuarto.

Figura 3. Montaje experimental para las medidas de fotoconductividad en un material con alta respuesta.

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Preguntas del prelaboratorio

1. Explique que quiere decir que los portadores de carga pueden ser electrones o huecos 2. Explique el movimiento de los huecos en la banda de valencia 3. Suponga que tiene un material muy puro, que tipo de conducción Ud. esperaría de este material 4. ¿Cómo puede Ud. obtener la brecha de energía de la curva de fotorespuesta en estados estacionario? 5. Explique por que la fotoconductividad estacionaria es utilizada en conjunto con otras técnicas experimentales para la determinación de los niveles o bandas involucradas en una transición dada 6. Como puede obtener el tiempo de vida de los portadores mayoritarios en una curva de fotoconductividad transitoria. 7. Que tipo de asunción sobre la recombinación es realizado para obtener la ecuación N°3

Manejo de Instrumentos
Espectrofluorimetro modelo MK-1
El equipo consta de un monocromador, una fuente de luz intensa, un sistema de detección y un sistema de barrido, se describirán las partes utilizadas en este experimento. El sistema de iluminación esta formado por una lámpara de Xenón de 150W que emite en UV, visible y cercano infrarrojo. Antes de prender la lámpara active el sistema de enfriamiento, colocando el equipo la posición (STAND BY) en el botón de funciones del panel frontal. Para conectar la lámpara: Presione el botón POWER de la fuente de poder, después de que estabilice unos segundos, presiones el botón LAMP para activa la descarga de alto voltaje inicial, al encender la lámpara suelte inmediatamente el botón. La lámpara esta enfocada sobre el monocromador y no necesita ajuste por parte del estudiante, si tiene alguna duda sobre el correcto enfoque llame al profesor o al técnico para que revise el sistema y realice las correcciones. PRECAUSION: NO MIRE LA LAMPARA EMITE LUZ ULTRAVIOLETA

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Monocromador: Sistema cerrado consistente en una red de difracción de 1200 líneas/mm y dos espejos de enfoque, no requiere calibración por parte del estudiante. Las características de este sistema son: Rango espectral 220 nm a 700 nm Dispersión reciproca promedio 10 nm/mm. Juego de rendijas para la entrada y salida del equipo Importante para disminuir los problemas de difracción cuide que la rendija de entrada sea aproximadamente el doble de la de salida. Sistema de detección: Esta formado por un fotomultiplicador IP28 montado en su base, con rango de trabajo entre 200 nm y 750nm, el alto voltaje es aplicado por el mismo espectrómetro y no se tiene control directo; cuide de no exponer el fotomultiplicador a la luz directa por ser muy sensible.

Micro-amperímetro.
El laboratorio IV de Física cuenta con un micro- nano amperímetro marca Keytley modelo 150B, este es un electrometro de alta impedancia de entrada (>1014 Ω). En figura N°5 se muestra las principales conexiones de este equipo, a continuación describiremos el uso de cada parte del aparato: • Botón de “POWER SUPPLY” interruptor de poder, para conectarlo, trabaja únicamente en AC, el equipo no tiene baterías. • Control de “ZERO SUPRESS” botón de supresión de corriente, permite bajar la corriente sin voltaje aplicado a cero, cada posición (ajuste grueso) suprime diez veces la anterior, se cuenta además con un ajuste fino • Conector de entrada, para cable coaxial especial, el caimán rojo es positivo y el negro es neutro o tierra • Selector de funciones “FUNCTION”, permite medir voltajes o corrientes; para medir voltajes coloque en “open o 100k” dependiendo si la impedancia del sistema es mayor o no de 100K, respectivamente, para la medición de corrientes coloque en “amps” • Interruptor de filtro (“FILTER”), conecta un filtro para disminuir el ruido, aumenta el tiempo de respuesta. • Selector de rango (RANGE), selecciona el rango de medida del equipo, cambia entre mili, micro y nano amperios. • El equipo tiene una salida de 1 Voltios fondo de escala, en la parte trasera. Esta debe estar conectada al canal Y del registrador. Observación se recomienda prender el equipo aproximadamente 30 minutos antes de comenzar las medidas para que se estabilicen los circuitos.