TRANSISTOR DE UNIÓN

BIPOLAR
BJT

Ing. Jhon Jairo Ramírez Echeverry

1. Introducción

2. Estructura del dispositivo y operación física

3. Símbolos del transistor, modelo Ebers Moll

4. Curva característica corriente voltaje

5. Análisis circuitos con transistores con voltaje

s D.C.
 INTRODUCCIÓN
Bipolar Junction Transistor

1904

1906
 Dispositivo de tres terminales
 Aplicaciones:

◦ Amplificación de señales
◦ Diseño lógico digital (TTL)
◦ Circuitos de memoria
 Su principio de operación: La corriente en la

malla de salida es controlada por la tensión de

entrada
 Trabajo en condiciones ambientales extremas,

muy alta frecuencia, lógica digital de alta

velocidad, combinación con el MOSFET.
 Polarización Polarización
MODO Unión Unión Aplicaciones
Base - emisor Base - colector

Activo Directa Inversa Amplificador

Corte Inversa Inversa Conmutación

Saturación Directa Directa Conmutación

Activo Inversa Directa

inverso
Los tres terminales del transistor pueden ser
usados para poner la entrada, salida y el terminal
común (de in y out).

Dependiendo de cómo se configure el circuito se

encuentran:
 Emisor común (CE)
 Base común (CB)
 Colector común (CC)
 Unión BE en directo, Unión base colector en inverso
 IE suma de electrones desde emisor hacia la base y
huecos desde la base hacia el emisor.
La primera componente es mayor que la segunda
debida al dopado de los materiales. (Emisor altamente dopado )
 ¿Qué ocurre con los electrones que llegan desde el
emisor a la base?
 Los es inyectados en la base serán
portadores minoritarios, siendo mayor
su concentración hacia la unión BE y
casi cero hacia la unión BC.

Debido a la base “delgada” la

concentración de portadores
minoritarios a medida que se aleja de
la unión BE es LINEAL y no
EXPONENCIAL. (Recordar secondclass)

npo Concentración de es en la base (material tipo

n p ( x  0)  n p 0 e VBE / VT P) en equilibrio térmico, unión polarizada en directo

VBE Voltaje polarización Base Emisor
VT Voltaje térmico
dn p ( x)
J n  qDn
dx In Corriente debida a portadores minoritarios (e s)

 n p ( 0)  AE Área sección transversal unión base emisor

I n  A E qDn   
 W  q Carga del electrón
Dn Constante de difusión de los electrones en la base
La concentración de es (portadores
minoritarios) llega a CERO al lado del
colector debido a la fuente VCB.

Los electrones inyectados desde el

emisor hacia la base, alcanzan la
región del colector.

Debido al:
 Perfil lineal** y no exponencial, por
la delgadez de la base, muchos
electrones están más cerca de la
unión BC.
 **Bajo dopado de huecos de la base
(construcción) hace que pocos
electrones tomen el camino hacia el
terminal de la base (recombinación).
 El terminal de colector es más
positivo que el terminal de base, por
lo tanto atrae con mayor fuerza a los
electrones.
 Corriente de colector:
 n p (0) 
I n  I C  A E qDn   
 W 
n p (0)  n p 0 eVBE / VT

IC  I se VBE / VT

2 2
A qD n n
IS  E n i n p0  i
N AW NA

 La magnitud de IC es INDEPENDIENTE de VCB.

 I depende de W y A (construcción física del transistor) y
S E
de ni2 (de la temperatura de trabajo), por lo tanto IC depende
de la construcción del transistor y de la temperatura.
 No fue considerada la corriente de portadores minoritarios

en el colector (ICO)
 Corriente de base: (1ª componente)
2 VBE
A E qD p ni
I B1  e VT

N D Lp
Dp Constante de difusión de los huecos en el emisor
AE Área sección transversal unión base emisor
q Carga del electrón
Lp Longitud de difusión de los huecos en el emisor
ND Concentración de dopado en el emisor

 IB1es la corriente de huecos que inyecta la fuente de

base hacia el emisor (unión polarizada en directo).
Recordar corriente de difusión de huecos en la región N
(emisor) para obtener su expresión. (Second class)

Depende de Lp (longitud de difusión de huecos en N) ya

que la concentración de portadores minoritarios (huecos
en el emisor) es exponencial y NO lineal.
 Corriente de base: (2ª componente)
Qn
I B2 
b
Qn Total carga de portadores minoritarios en la base
b Tiempo de vida de portadores minoritarios en la base
antes de recombinarse con los huecos de la base

 IB2 es la corriente de huecos que inyecta la fuente de base

para mantener la cantidad de huecos en la base que se
pierden por la recombinación.
Recordar tiempo de vida de portadores minoritarios para
obtener su expresión. (Second class)
1 2 VBE
AE q * n p (0)W 1 AE qWni
I B2  2 I B2  e VT

b 2 bNA
 Corriente de base TOTAL

I B  I B1  I B 2
 A E qD p ni 2 1 AE qWni 2  VVBE
IB    e T
 N D Lp 2  N 
 b A 
Sabiendo que:
 N A D p W 1 W 2  VVBE
A E qDn ni
2
IB  IS   e T
IS   N D L 2 D 
N AW  D n p b n 

IC
I C  I s eVBE /VT IB 

1 
 N A Dp W 1 W 2 
    en transistores comerciales
N D L 
 D n p 2  b Dn  entre 50 y 300
Corriente de base TOTAL:
 El factor  depende del ancho de la base, del dopaje
relativo (NA/ND) entre la base y el emisor.
 Dos transistores de la misma referencia pueden

tener  diferentes.
 Los fabricantes especifican  en un rango.
 Corriente de emisor:
I E  IC  I B
 1
IE  IC

I C  I E  
 
I C  I B  1 1
 Físicamente IB es << que IC, por lo tanto   1
 , llamado ganancia de corriente en base común.
(Porcentaje de electrones enviados desde el emisor que
alcanzan el colector).
 , llamado ganancia de corriente en emisor común.
 Pequeñas variaciones de , grandes variaciones de .
 C
En modo activo:
 I depende de V
B
C BE, en una
E
D1
DIODE

IC relación que es
exponencial e
I C  I s eVBE / VT independiente de VCB
(Debe ser >0).
IB  El colector es una
FUENTE DE CORRIENTE
CONSTANTE controlada
VBE + por una tensión.
-
I es IC/
IE B
I = I + I
E B C
 I es << que I , por lo
B C
tanto IEIC
 Variable Modelo matemático

Corriente de Colector
IC  I se VBE / VT

IC I s VBE / VT
IB  IB  e
Corriente de Base  
IC I s VBE / VT
IE  IE  e
Corriente de Emisor  
 
 
Constantes  1 1
k *T
VT 
Voltaje Térmico q
 VEB E
VCB B
C
Q1
Q2 B PNP

NPN

VBC
VBE C
E

IE
IC

Q3
P NP

IB
IB
IE IC

Símbolos circuitales para el BJT, tanto NPN como

PNP, con función descriptiva de su funcionamiento
Se muestran los sentidos de las corrientes
trabajando en modo activo
 ANÁLISIS DE CIRCUITOS EN
D.C. CON TRANSISTORES BJT
Curva característica de
entrada:

 Relación de la malla de
entrada del circuito.

 Gráfica del comportamiento

de la corriente de entrada (IE
o IB) en función del voltaje de
entrada (VBE) a VCE constante.

Agrega, además, la recta de

carga DEL CIRCUITO y punto
de trabajo Q.
Curva característica de salida:

 Relación de la malla de
salida del circuito.

 Gráfica del comportamiento

de la corriente de salida (IC)
en función del voltaje de
salida (VCB o VCE) a IB
constante.

Agrega, además, la recta de

carga y punto de trabajo Q.
 ZONA DE
CARACTERÍSTICAS
TRABAJO
Parte “horizontal” de la curva.
Unión BE en directo y unión
BC en inverso (El VCE no
ZONA ACTIVA
influye en la IC). Se ubica el
punto Q en esta zona para
AMPLIFICACIÓN.

ZONA DE Se presenta cuando se supera

RUPTURA el VCE máximo del transistor.

Se presenta cuando IB=0 y por

ZONA DE
lo tanto IC=0 aun cuando VCE
CORTE
exista. Aplicaciones LÓGICAS.

La unión BC NO está
polarizada en inverso. Ocurre
ZONA DE cuando VCE=0 debido a
SATURACIÓN condiciones de diseño del
circuito. Aplicaciones
LÓGICAS.
Su objetivo es alimentar con ANÁLISIS:
voltaje de DC las uniones base-
colector (polarizar en inverso) y Malla de entrada:
base-emisor (polarizar en VBB  I B * RB  VBE
directo) con el fin de ubicar el
punto de trabajo Q.
VBB  VBE
IB 
RB
Diagrama circuital
Malla de salida:
RC

I C  I B
RB Q1 VCC
NP N

VBB

VBB  VBE
IC  
RB
VCC  I C * RC  VCE
VCE  VCC  I C * RC
Punto de trabajo del BJT:
Q  VCE , I C 
Se traza aumentando el voltaje VBB
(incremento de VBE) Vs. la corriente
de entrada IB, para niveles distintos
de VCE.

Comportamiento: IC
 Exponencial IC  I seVBE / VT I B 

 Si V
CE es menor, la curva IB tiene
mayor valor para la misma tensión
de umbral de la unión BE en directo
(VBE).
2 1
A qD n  
IS  E n i  N A Dp W 1 W 2 
  
N AW N D L 
 D n p 2  b Dn 
Ancho efectivo de la base W es
mayor, al disminuir VCB, por lo que
IS y  son menores pero  en mayor
proporción, por lo cual IB será
mayor.
 Se traza aumentando el
voltaje VCE Vs. la corriente de
salida IC, para niveles distintos
de IB, fijados por VBB y RB.

Comportamiento: VBB  VBE

 “Plano” I C  
RB
 Si I es mayor, la I es mayor
B C
para el mismo valor de (VCE).
I C  I B
 aumenta ya que el
incremento de VCB disminuye
W, por lo tanto IC tiene
pendiente positiva para un
mismo valor de IB.
 es denominada ganancia de
corriente en emisor común.
RECTA DE CARGA
Punto de saturación:
VCC  VCE  I C * RC
I C MÁX
VCE  0

VCC
I C MAX 
RC
Punto de corte:
VCE MÁX I C 0
VCE MAX  VCC
Punto de trabajo:
Q  VCE , I C 
Ejercicio:
Para el siguiente circuito determine el punto de trabajo y
la recta de carga.
=100
RC
3k

RB Q1 VCC
NP N

500k 15V
VBB
15V

Solución: Q (6.42 V, 2.86 mA), ICMÁX=5 mA, VCEMÁX=15 V

Ejercicio:
1. ¿En el circuito anterior qué ocurre si =50 ó si
=150 ?
2. ¿En el circuito anterior qué ocurre si RB=1M ó si
RB=300 k con =100 ?
RC
3k

RB Q1 VCC
NPN

500k 15V
VBB
15V
Ejercicio:
1. ¿El siguiente transistor en el circuito se encuentra
saturado ? ¿Por qué?

=50
RC
10k

RB Q1 VCC
NPN

100k 20V
VBB
10V

Solución: forced=21.5
Aplicación especial del
transistor en la configuración
de emisor común.

Su característica es que el
punto de trabajo Q, en un
instante se encuentra en la
zona de saturación, y en otro
instante en la zona de corte.

Su objetivo es generar “1” y

“0”, a partir de una señal de
entrada “0” y “1”,
respectivamente.
Análisis:
VIN  VBE IC  
VIN  VBE
IB  RC

RB
Vout

RB
RB Q1 VCC
NPN

VIN

VOUT  VCC  I C * RC
Diseño
Saturación:
VCC  VCESAT I C SAT
I C SAT  I B SAT 
RC 
VIN  I B SAT * RB  VBE
Corte:
VIN  0 V
 ANÁLISIS:
Su objetivo es alimentar con
voltaje de DC las uniones base- Malla de entrada:
colector (polarizar en inverso) y VBB  VBE  I E * RE
base-emisor (polarizar en VBB  VBE
directo) con el fin de ubicar el IE 
RE
punto de trabajo Q. IC 
IE  
  1
RC

Q1
NP N
VCC

 VBB  VBE
VBB
RE

IC 
  1 RE
Malla de salida:
VCC  I C * RC  VCE  I E * RE
 1  
VCC  I C  RC    1 RE   VCE
   
 1  
VCE  VCC  I C  RC    1 RE 

   

Punto de trabajo del BJT:

Q  VCE , I C 
Se traza aumentando el voltaje
VBB (incremento de VBE) Vs. la
corriente de entrada IE, para
niveles distintos de VCB o VCE.

Comportamiento:
 Exponencial I C  I s eVBE /VT
 Si V
CB es mayor, la curva IE
tiene mayor valor para el
mismo valor de voltaje de
umbral de la unión BE en
directo (VBE). 2
A E qDn ni
IS 
N AW
Ancho efectivo de la base W es
menor, al aumentar VCB.
 también cambia debido a W,
pero en este circuito se
compensa. (ver IC, diapositiva anterior)
 Se traza aumentando el
voltaje VCE (incremento de
VCB) Vs. la corriente de salida
IC, para niveles distintos de IE,
fijados por VBB y RE.

Comportamiento:  VBB  VBE

 Plano
IC 
  1 RE
 Si I es mayor, la I es mayor
E C
para el mismo valor de (VCB).
I C  I E
 cambia debido a que el
incremento de VCB hace
cambiar W, pero en este
circuito se compensa.
 es denominada ganancia
de corriente en base común.
RECTA DE CARGA
Punto de saturación:
VCC  I C * RC  VCE  VRE
I C MÁX
VCE  0

VCC  VRE
I C MAX 
RC
Punto de corte:
VCE MÁX I E 0 VR  Cons tan te
E

VCE MAX  VCC  VRE

Punto de trabajo:
Q  VCE , I C 
Ejercicio:
Para el siguiente circuito determine el punto de trabajo
RC
1k

Q1 VCC
NPN

15V

VBB
RE
5.0V 2.2k

=100

Solución: Q (8.76 V, 1,93 mA)

¿En el circuito anterior qué ocurre si =50 ó si =150 ?
Ejercicio:
¿Cuál es la corriente IB en el primer transistor?
10V

5V
B=100
NPN

B=50
NPN

R1
100
Combinaciones o arreglos especiales de los anteriores
dos casos analizados (polarización de base común y
de emisor común).

Se analizarán rápidamente:
 Polarización por divisor de tensión (base común)
 Polarización con realimentación de emisor
 Polarización con realimentación de colector
 Polarización con realimentación de colector y emisor
Usa una sola fuente de
alimentación para las mallas de
entrada y salida. RC

Análisis
RB1

Vout
Q1 VCC
NPN

RB2
RE

Malla de entrada:
RB1 * RB 2 RB 2
RB  VBB  VCC
RB1  RB 2 RB1  RB 2
VBB  I B * RB  VBE  I E * RE
VBB  VBE
IE 
RB
 RE
 1
Malla de salida:
VCC  I C * RC  VCE  I E * RE
 1  
VCE  VCC  I C  RC    1 RE 
   
RECTA DE CARGA
Punto de saturación:
VCC  I C * RC  VCE  I E * RE
I C MÁX VCC
IC 
VCE  0
RC  RE
 R 
VCC 1  B   0.7  VBB
 RE 
IC 
 R 
RC  RB 1  C 
 RE 
Punto de corte:
VCE MÁX I E  I C  0
VCE MAX  VCC
Punto de trabajo:
Q  VCE , I C 
Ejercicio:
Determine el punto de trabajo para el siguiente circuito con BJT de
=100
RC
RB1 3.6k
10k
Vout
Q1 VCC
NPN

10V

RB2
2.2k RE
1k
Análisis
Malla de entrada: (Realimentación Vcc

NEGATIVA debida a RE)

RC

RB
Vout
Q
NPN

VCC  I B RB  VBE  I E RE
RE

VCC  VBE
IB 
RB  (   1) RE

Malla de salida:
VCC  VBE
IC 
1 (   1)
RB  RE
 
VCC  I C RC  VCE  I E RE
  1 
VCE  VCC  I C  RC  RE 
  
Análisis
Malla de entrada: (Realimentación
Gráfica circuital
NEGATIVA debida a RC) Vcc

RC

VCC  I E RC  I B RB  VBE
RB
Q
NPN

VCC  VBE
IB 
(   1) RC  RB

Malla de salida:
VCC  VBE
IC 
 1 R
RC  B
 
VCC  I E RC  VCE
VCE  VCC  I E RC
Análisis Gráfica circuital
Malla de entrada: (Realimentación Vcc

RC

NEGATIVA debida a RE y RC) RB

Q
NPN

VCC  I E RC  I B RB  VBE  I E RE
RE

VCC  VBE
IB 
(   1)( RC  RE )  RB

Malla de salida:
VCC  VBE
IC 
(   1) RB
( RC  RE ) 
 
VCC  I E RC  VCE  I E RE
VCE  VCC  I E  RC  RE 