Propiedades electrónicas de los

semiconductores

Dopaje y funcionalización
 Dopaje

El dopaje de nanoestructuras hace

referencia a retirar uno o mas
átomos de la estructura pristina y
sustituirlos por un átomo
diferente, ocasionando así un
defecto en la estructura que
modificará sus propiedades
fisicoquímicas dependiendo del
SiGe monolayer
átomo con el que sea dopada.
 Dopaje tipo N
La estructuras siguientes tienen una carga positiva sobre el átomo
de impureza (que ha perdido un electrón). Estudios en las
constantes de la red han comprobado que las impurezas
pentavalentes entran en la red sustituyendo a los átomos normales
y no en posiciones intersticiales. Los átomos de impureza que
pueden ceder un electrón se denominan dadores. Suelen ser
de valencia cinco (Grupo V de la tabla periódica), como
el Arsénico y el Fósforo.

De esta forma, no se ha desbalanceado la neutralidad eléctrica, ya

que el átomo introducido al semiconductor es neutro, pero posee
un electrón no ligado, a diferencia de los átomos que conforman
la estructura original, por lo que la energía necesaria para
separarlo del átomo será menor que la necesitada para romper una
ligadura en el cristal de silicio (o del semiconductor original).

Finalmente, existirán más electrones que huecos, por lo que los

primeros serán los portadores mayoritarios y los últimos los
minoritarios. La cantidad de portadores mayoritarios será función
directa de la cantidad de átomos de impurezas introducidos.
 A partir de la formula de energía de ionización del Hidrógeno
atómico.
 El electrón se mueve en el potencial
coulombiano del ion de impureza, en donde Energía de ionización dadora de un semiconductor
en un cristal covalente es la constante
4
dieléctrica estática del medio. El factor ( 𝐶𝐺𝑆 ) 𝐸 𝑑 = 𝑒 𝑚 13.6 𝑚 𝑒 𝑒 4 𝑚𝑒
tiene en cuenta la reducción de le fuerza de 2 𝜖 h
𝑒
2 2
=
𝜖 2 (
𝑚 )
𝑒𝑉 ; ( 𝑆𝐼 ) 𝐸 𝑑=
2 ( 4 𝜋𝜖 𝜖 0 h )
2

Coulomb entre cargas causada por la

polarización electrónica del medio.
Este tratamiento es válido para órbitas que A partir de la formula de radio de Bohr del estado fundamental del
sean grandes en compración con la distancia Hidrógeno.
entre átomos y para movimientos lentos del
electrón, de modo que la frecuencia orbital Radio de Bohr del dador
sea baja en compraración con la frecuencia 2
correspondiente a la banda prohibida. Estas
2
 ( 𝐶𝐺𝑆 ) 𝑎 = 𝜖 h = 0.53 𝜖 𝐴 4 𝜋𝜖 𝜖 0 h
condiciones se satisfacen muy bien en el Ge
𝑑 2
𝑚𝑒 𝑒 ( 𝑚 /𝑚 )
˙ ;
𝑒
( 𝑆𝐼 ) 𝑎 𝑑 = 2
𝑚𝑒 𝑒
y el Si mediante el electrón dador del P, As o
Sb.
 Dopaje tipo P
Un hueco puede estar ligado a una impureza trivalente en el germanio o en
el silicio de la misma forma que un electrón está ligado a una impureza
pentavalente. Las impurezas trivalentes como el B, Al, Ga e In se
denominan aceptores porque aceptan electrones procedentes de la banda
de valencia con objeto de completar los enlaces covalentes con los átomos
vecinos, dejando huecos en la banda. Suelen ser de valencia tres (grupo III
de la tabla periódica), como el Aluminio, el Indio o el Galio.

Nuevamente, el átomo introducido es neutro, por lo que no modificará la

neutralidad eléctrica del cristal, pero debido a que solo tiene tres electrones
en su capa de valencia, aparecerá una ligadura rota, que tenderá a tomar
electrones de los átomos próximos, generando finalmente más huecos que
electrones, por lo que los primeros serán los portadores mayoritarios y los
segundos los minoritarios.

Cuando un aceptor se ioniza se libera un hueco, lo cual requiere un aporte

de energía. En los diagramas normales de bandas de energía, un electrón se
eleva cuando adquiere energía, mientras que un hueco se hunde al ganar
energía. Al igual que en el material tipo N, la cantidad de portadores
mayoritarios será función directa de la cantidad de átomos de impurezas
introducidos.
 Bandas de

energía

Dopaje tipo P

Dopaje tipo N
 Funcionalización

La funcionalización hace referencia a la adsorción de un

átomo sobre una superficie, formando así nuevas
estructuras que pueden ser manipuladas para dar origen
a nuevos fenómenos y aplicaciones.

Debido a la diversidad de los diferentes elementos, la

variedad de las estructuras formadas así como la
viabilidad de las técnicas experimentales a nano escala,
la funcionalización de átomos en las superficies de los
sistemas es un acercamiento prometedor para controlar
las propiedades fisicoquímicas de un material. Functionalized SiGe monolayer
 Energía de Formación
Es la comparación de la energía total de tu sistema contra la energía de cada elemento independiente
encontrado en la naturaleza.

𝐸𝑓 =𝐸(𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 𝑑𝑒𝑙 𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑚𝑎𝑐𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜) −𝑛𝐴 𝐸 ( 𝐸𝑙𝑒𝑚𝑒𝑛𝑡𝑜 𝐴𝑎𝑖𝑠𝑙𝑎𝑑𝑜)−𝑛𝐵𝐸 ( 𝐸𝑙𝑒𝑚𝑒𝑛𝑡𝑜 𝐵𝑎𝑖𝑠𝑙𝑎𝑑𝑜)− …−𝑛𝑥 𝐸 (𝐸𝑙𝑒𝑚𝑒𝑛𝑡𝑜 𝑋𝑎𝑖𝑠𝑙𝑎𝑑𝑜)
 

A menor energía quiere decir que es un indicador de mejor estabilidad.

 Energía de Enlace
Energía de enlace, cantidad de energía requerida para separar una partícula de un
sistema de partículas o para dispersar todas las partículas del sistema.

La energía de unión es especialmente aplicable a partículas subatómicas en

núcleos atómicos, a electrones unidos a núcleos en átomos, y a átomos e iones
unidos en cristales.

𝐸𝑏 =𝐸 ( 𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙𝑑𝑒𝑙𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑚𝑎 ) −𝐸 ( 𝑆𝑖𝑠𝑡𝑒𝑚𝑎𝑐𝑜𝑛𝑑𝑒𝑓𝑒𝑐𝑡𝑜) −𝐸(𝐴𝑡𝑜𝑚𝑜𝑑𝑜𝑝𝑎𝑛𝑡𝑒 𝐴𝑖𝑠𝑙𝑎𝑑𝑜)