Lección 3

EL DIODO DE POTENCIA

Sistemas Electrónicos de Alimentación

5º Curso. Ingeniería de Telecomunicación
 Ecuación característica del diodo
V
VT
i = IS·(e -1)
donde:
VT = k·T/q IS = A·q· ni2·(Dp/(ND·Lp)+Dn/(NA·Ln))

• Polarización directa con VO > V >> VT

V
DIODOS DE POTENCIA

VT (dependencia exponencial)
i  IS·e
• Polarización inversa con V << -VT

i  -IS Corriente inversa de saturación (constante)

 Curva característica

i i [mA]
1
+ P (exponencial)
V N

-
0
-0.25 0.25 V [V]
DIODOS DE POTENCIA

i [A]

0
-0.5 V [V]

-0.8
(constante)
 Curva característica Avalancha primaria

- +
- +
P + + - - +
+
-
N
-- +
- +
i + V -
DIODOS DE POTENCIA

i [A]
-40 V [Volt.]
0
La corriente aumenta
fuertemente si se
producen pares electrón-
hueco adicionales. -2
 Concepto de diodo ideal

En polarización directa, la caída

de tensión es nula, sea cual sea
el valor de la corriente directa
conducida i

i
Ánodo
+
V curva característica
DIODOS DE POTENCIA

Cátodo
- V

En polarización inversa, la corriente

conducida es nula, sea cual sea el valor
de la tensión inversa aplicada
 El diodo semiconductor

Ánodo Terminal
Ánodo Encapsulado
(cristal o resina
sintética) Contacto metal-
semiconductor

P Oblea de
DIODOS DE POTENCIA

semiconductor
N
Contacto metal-
Marca semiconductor
Cátodo señalando el
cátodo
Cátodo Terminal
 Encapsulados de diodos
Axiales

DO 201
1N4148
(Si)

DO 204
DIODOS DE POTENCIA

1N4007
(Si)
 Agrupación de diodos semiconductores

2 diodos en cátodo
común Puente de diodos Anillo de diodos

  +
+   -
+  
B380 C3700
DIODOS DE POTENCIA

(Si)

-
 +
BYT16P-300A HSMS2827
(Si) B380 C1500 (Schottky Si)
(Si)
 Encapsulados de diodos

D 61
TO 220 AC

DOP 31
DO 5
DIODOS DE POTENCIA

TO 247

B 44
 Encapsulados de diodos
Módulos de potencia

Varios dispositivos en un encapsulado común

Alta potencia
Aplicaciones Industriales
Se pueden pedir a medida
DIODOS DE POTENCIA

Motores Satélites
 Curvas características y circuitos equivalentes

i
Curva
Curva característica
característica real
ideal
Curva característica
asintótica

pendiente = 1/rd
V
DIODOS DE POTENCIA

0 V

ideal
Circuito equivalente asintótico
rd
real (asintótico) V
 Características fundamentales

• Tensión de ruptura
• Caída de tensión en conducción
• Corriente máxima
• Velocidad de conmutación

Tensión de ruptura
DIODOS DE POTENCIA

Baja tensión Media tensión Alta tensión

15 V 100 V 500 V
30 V 150 V 600 V
45 V 200 V 800 V
55 V 400 V 1000 V
60 V 1200 V
80 V
 Tensión de codo
i
Curva
característica real

pendiente = 1/rd
V
0 V
DIODOS DE POTENCIA

A mayor tensión de ruptura , mayor caída de tensión en conducción

Señal Potencia Alta tensión

VRuptura < 100 V 200 – 1000 V 10 – 20 kV

VCodo 0,7 V <2V >8V

 Curva real de un dispositivo
200 V 600 V

10 A 10 A
DIODOS DE POTENCIA

0,82 V 1,1 V
 Datos del diodo en corte

Tensión inversa VRRM Repetitive Peak Voltage

DIODOS DE POTENCIA

La tensión máxima es crítica

Pequeñas sobretensiones pueden romper el dispositivo
 Datos del diodo en conducción

Corriente directa IF Forward Current

Corriente directa de pico repetitivo IFRM Repetitive Peak Forward Current

DIODOS DE POTENCIA

La corriente máxima se indica suponiendo que el dispositivo está

atornillado a un radiador
 Características dinámicas

Indican capacidad de conmutación del diodo

R
i
a b
Transición de “a” a “b”
+
V2 V
V1
-
i
DIODOS DE POTENCIA

V1/R
t
Comportamiento
Comportamiento
dinámicamente
dinámicamenteideal
ideal
V t

-V2
 Características dinámicas

Transición de “a” a “b”

R
i i
a b V1/R
+
V2 trr
V t
V1
- ts
DIODOS DE POTENCIA

-V2/R tf (i= -0,1·V2/R)

ts = tiempo de almacenamiento
(storage time )
V
tf = tiempo de caída (fall time ) t
trr = tiempo de recuperación
inversa (reverse recovery time ) -V2
 Características dinámicas Transición de “b” a “a” (encendido)

El
Elproceso
procesode
deencendido
encendidoes
esmás
más
rápido
rápidoque
queelelapagado.
apagado.
R
i
a b +
V2 V
V1
-
i
DIODOS DE POTENCIA

0,9·V1/R

0,1·V1/R

td
tr td = tiempo de retraso (delay time )
tfr tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperación directa
(forward recovery time )
 Características dinámicas
DIODOS DE POTENCIA
 Características Principales

Corriente directa
Tensión inversa
Tiempo de recuperación
Caída de tensión
en conducción
DIODOS DE POTENCIA

Encapsulado
 Pérdidas en el diodo

• Estáticas
2 Tipos
• Dinámicas

Pérdidas estáticas
iD
iD

ideal

rd
DIODOS DE POTENCIA

Vr

V PD (t) = vD (t)·iD (t) = (V + rD · i(t)) · i(t)

VF
T
1
PD   PD (t )·dt
T0
ID : Valor medio
PD = V·ID + rD · I ef
2

Ief : Valor eficaz

 Pérdidas en el diodo

Pérdidas dinámicas (Perdidas de conmutación)

Las conmutaciones no son perfectas

Hay instantes en los que conviven tensión y corriente

V1/R i
trr
t
DIODOS DE POTENCIA

-V2/R
PD (t) = vD (t)·iD (t)

0,8 V
V

t
-V2
 Características Térmicas

Las pérdidas generan calor y éste debe ser evacuado

El silicio pierde sus propiedades semiconductoras a partir de 150º

Equivalente eléctrico

RTHjc RTHca a
j
c
P
Si
DIODOS DE POTENCIA

(W)
P Ta
(W) a
j ambiente
oblea Ta : Temperatura ambiente
c Tensiones = Temperaturas
encapsulado
Corriente = Pérdidas (W)
 Características Térmicas

La resistencia térmica oblea – encapsulado es baja ( 0,5 ºC/W)

La resistencia térmica encapsulado- ambiente es alta ( 50 ºC/W)

Para reducir la temperatura se puede colocar un radiador

DIODOS DE POTENCIA

Conectamos una resistencia en paralelo con la RTHca

j RTHjc RTHca a
c
P RTH radiador
(W) Ta
 Tipos de diodos

Se clasifican en función de la rapidez (trr)

VRRM IF trr

• Standard 100 V - 600 V 1 A – 50 A > 1 s

• Fast 100 V - 1000 V 1 A – 50 A 100 ns – 500 ns
• Ultra Fast 200 V - 800 V 1 A – 50 A 20 ns – 100 ns
• Schottky 15 V - 150 V 1 A – 150 A < 2 ns
DIODOS DE POTENCIA

Las características se pueden encontrar en Internet (pdf)

Direcciones web

www.irf.com
www.onsemi.com
www.st.com
www.infineon.com