Electrónica II

MOSFET Y TRANSISTORES JFET

 Grupo VI
Integrantes:

 Wilfredo luna Tavares MAT: SD-17-30608

 Yorki Ríos Tejeda MAT: SD-17-30517
 Welmin Monero MAT: SD-17-10918
 Aimer Enrique Peña MAT: SD-17-20773
Mosfet y transistores Jfet
¿Qué significa Mosfet?

 La palabra MOS significa "Metal Oxido Semiconductor", y hace referencia a un tipo de

estructura muy usada en electrónica, donde se usa un óxido como dieléctrico o aislante.

 "Field Effect Transistor" significa Transistor de efecto de campo, es decir transistores

que conducen por un campo eléctrico, parecido a un condensador.
Mosfet

 El transistor de efecto de campo semiconductor de óxido de metal ( MOSFET , MOS-

FET o MOS FET ), también conocido como transistor de óxido de metal y silicio
( transistor MOS o MOS).
Estructura de un Mosfet

 Los mosfet se construyen sobre un semiconductor (tipo N o P) que se llama sustrato.

Sobre este semiconductor se funden el sumidero y el drenaje (entrada y salida) que es
un semiconductor contrario al semiconductor usado para el sustrato
¿Cómo funciona un Transistor Mosfet?

 El Mosfet controla el paso de la corriente entre una entrada o terminal llamado fuente
sumidero (source) y una salida o terminal llamado drenador (drain), mediante la
aplicación de una tensión (con un valor mínimo llamada tensión umbral) en el terminal
llamado puerta (gate). Es un interruptor controlado por tensión. Al aplicar tensión
conduce y cuando no hay tensión en la puerta no conduce.
Ventajas del Transistor Mosfet

 La principal ventaja del transistor MOSFET es que utiliza baja potencia para llevar a
cabo su propósito y la disipación de la energía en términos de pérdida es muy pequeña,
lo que hace que sea un componente importante en los modernos ordenadores y
dispositivos electrónicos como los teléfonos celulares, relojes digitales, pequeños
juguetes de robot y calculadoras.
Simbología de un mosfet
Mosfet de acumulación
Polarización del mosfet
Transistores Jfet

 El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo de

juntura o unión) es un tipo de dispositivo electrónico de tres terminales que puede ser
usado como interruptor electrónicamente controlado, amplificador o resistencia
controlada por voltaje. Posee tres terminales, comúnmente llamados drenaje (D), puerta
o compuerta (G) y fuente (S)..
Características del transistor JFET
Influencia de VGS
una vez que se ha formado el canal aplicamos una tensión
positiva, por el canal circulará una corriente ID en el sentido del
Drenador hacia la fuente. Si ahora nos fijamos en la relación de
tensiones VDS = VGS - VGD , al ser VDS > 0 tendremos que
VGD < VGS , por lo tanto la anchura del canal será menor del
lado del Drenador.
Influencias del VGS

 A diferencia de lo hecho con el JFET, vamos a comenzar en este caso con el efecto de
la influencia de la tensión VGS . Para ello vamos a suponer en un principio VDS = 0
En primer lugar, si aplicamos una tensión VGS =0, Figura ( a) aunque apliquemos una
tensión VDS no circulará corriente alguna por el dispositivo, ya que la unión de
Drenador está polarizada en inversa
Influencias de VDS

 De nuevo el comportamiento es el mismo que hemos visto anteriormente para el JFET.

Para valores de tensión VDS pequeños, el estrechamiento del canal no será importante,
por lo que la relación entre la tensión aplicada y la corriente que circula será lineal tal
y como establece la Ley de Ohm.
 A medida que el valor de VDS aumente, el estrechamiento comenzará a ser
importante, variando la resistencia que presenta el canal y perdiendo la
linealidad de la característica. Hasta que la tensión VDS alcance el valor de
VDSsat, momento en el cual el canal se habrá cerrado por completo. A partir
de este instante, si seguimos aumentando la tensión VDS, por encima de este
valor VDSsat, la corriente ID se mantiene constante.
Curvas características

 se representan las curvas características de un transistor MOSFET de acumulación.

 Igualmente, podremos distinguir las 4 zonas de funcionamiento del transistor.
 Zona de corte o de no conducción.
 Zona óhmica o de no saturación.
 Zona de saturación o de corriente constante.
 Zona de ruptura.
Curvas características
Zona óhmica o de no Saturación
Zona de saturación o de corriente constante

 Esta zona se da para valores VDS > VDS sat . Ahora la corriente ID permanece
invariante frente a los cambios de VDS y sólo depende de la tensión VGS
aplicada. En esta zona el transistor se comporta como una fuente de corriente
controlada por la tensión de puerta VGS.
Gracias!