eman ta zabal zazu

upv ehu

TRANSISTORES

• Símbolo. Características
• Clasificación de los transistores
• Transistores bipolares

PED 2002-03 4.1

 Características. Símbolo
• Elemento triterminal: Terminal de control
• Magnitud control: tensión o corriente terminal de i A
• Funcionamiento específico: dos uniones PN control i +
• Funcionamiento en régimen permanente: T.C.
componentes de los circuitos digitales vAB
+
vT.C. –
– B
i
IQ 3
IQ 2
IQ 1

v
VQ
PED 2002-03 4.2
 Clasificación de los transistores
Transistores bipolares: BJT
• Corriente: movimiento de electrones y huecos.
• Magnitud de control: corriente
• Dos tipos: NPN y PNP

Transistores unipolares o de efecto de campo: FET

• Campo eléctrico influye en el comportamiento
• Corriente: movimiento sólo de electrones o huecos, según el tipo
de transistor
• Magnitud de control: diferencia de potencial
• JFET
• FETMOS: de canal N (electrones); de canal P (huecos)

Transistores uniunión: UJT

• Muy especiales. No los veremos

PED 2002-03 4.3

 TRANSISTORES BIPOLARES
• Magnitud de control: corriente
• Terminal central: corriente de control. Terminal base: B
• Terminal izquierda: emisor, E
• Terminal derecha: colector, C

A i
i T.C. +
vAB i  f (v AB , iT .C . )
–
B
P N P N P N

PED 2002-03 4.4

 Tipos de transistores bipolares

transistor bipolar NPN transistor bipolar PNP

C C
colector colector

B B
base base
emisor emisor
E E

• Sentido flecha: de P hacia N

PED 2002-03 4.5

 Magnitudes en los transistores bipolares
• Seis magnitudes a relacionar
• Corriente en cada terminal: IC, IB , IE
• Diferencias potencial entre terminales: VBE, VBC , VCE
• Dos ecuaciones de comportamiento
• Convenio para el sentido de las corrientes y signo de las tensiones

NPN IC PNP
+ IC
VBC –C + VCB C
–
IB + IB –
VCE VEC
B + B
–
VBE VEB
– E – + E
+
IE IE

PED 2002-03 4.6

 Ecuaciones de comportamiento de los t. bipolares

RC IC
IC IC
VBC –
+ + +
RB VCC
VCE –
IB + –
VBB + VBE –
– IE
IB IC

En esta configuración llamada emisor común, el

Voltaje Vce es el voltaje de salida Vo
PED 2002-03 4.7
 Ecuaciones de comportamiento de los t. bipolares

I E  I B  IC V BC  VBE  VCE

V BB  RB I B  V BE V CC  RC IC  VCE

IC  f (VCE , I B ) I B  g(VBE , VCE )

• Ecuaciones comportamiento: análisis experimental

• Simplificando: punto operación del transistor Q(I , IC, VBE, VCE)

B

PED 2002-03 4.8

 Curvas características: dos

I B  g(VBE , VCE )

• VCE poca influencia. Se simplifica. IB = g(VBE )

IB IB

VBE VBE

PED 2002-03 4.9

 IC  f (VCE , I B )
mA
IC IB =100 mA
12

IB =80 mA
10

8 IB =60 mA

6
IB =40 mA
4

IB =20 mA
2

0 VCE
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 V

PED 2002-03 4.10

 Zonas de funcionamiento del transistor bipolar

• Un transistor tiene dos uniones PN, 4 posibles polarizaciones:

unión BE IP IP DP DP
unión BC IP DP IP DP
• Distinguir entre E y C?
• Polarización relativa determina quién funciona como E y quién como C
• E y C no son exactamente iguales a nivel físico
• Funcionamiento directo o normal (NPN): VBE> VBC
• Funcionamiento inverso (NPN): VBE< VBC
• Habitualmente: funcionamiento directo
• Posible con tres de las cuatro opciones
• Tres zonas de funcionamiento
– Corte
– Región Activa Normal (R.A.N.)
– Saturación

PED 2002-03 4.11

 1. Corte

• BE y BC en I.P.
• Por tanto VBE ≤ 0,7 V y VBC ≤ 0,7 V (se suele comprobar sólo VBE ≤ 0,7 V)
• En I.P. no circula corriente, por tanto: IC = 0 A IB = 0 A (por tanto IE = 0 A)
• Ya tenemos las dos ecuaciones que nos faltaban
• Resumiendo:

condición ecuación
VBE ≤ 0,7 V  IC = 0 , IB = 0

PED 2002-03 4.12

 2. Región Activa Normal (R.A.N.)

• BE en D.P., BC en I.P
• Sólo una unión en D.P. pero corriente en ambas. Aún así IB << IC
• BE en D.P., por tanto, VBE = 0,7 V (una ecuación más)
• Otra ecuación: analizando las curvas características del transistor
• Conclusión análisis: IC/IB = ß ( nueva ecuación, ß “ganancia de corriente”)
• Varía según el tipo de transistor. Consideraremos 100
• Verificación de esta zona implica comprobar unión BC en I.P: comprobar VBC
≤ 0,5 V (no 0,7 como en una unión aislada). Equivalente: VCE  0,2 V

condición ecuación IC
VCE  0,2 V  VBE = 0,7 V , 
IB
PED 2002-03 4.13
 Circuito equivalente del transistor en zona
activa

Ib

Vcc
βIb

PED 2002-03 4.14

 Cálculo de la ganancia en zona activa

• Entendemos
  como la ganancia a es decir cuanto
varía la salida con las variaciones de la entrada.
• En zona activa:
• ;

PED 2002-03 4.15

 3. Saturación

• BE y BC en D.P.
• Corriente en las dos uniones, IB mayor que antes
• Ambas uniones en D.P.: VBE = 0,7 V y VCE = 0,2 V
• No relación constante anterior
• Verificación de esta zona implica comprobar IC/IB ≤ ß

condición ecuación
IC  VBE = 0,7 V

IB VCE = 0,2 V

PED 2002-03 4.16

 Puertas lógicas con transistores
• La función lógica NAND permite
implementar las tres funciones lógicas
básicas: AND, OR y NOT y con esas
funciones se implementa toda la lógica y
con la lógica se implementa la aritmética y
con ello la operación de un computador.

PED 2002-03 4.17

 • Por otra parte, con dos puertas NAND se puede almacenar
un bit de información y es el elemento básico que permite
construir la memoria de un computador. El dispositivo
capaz de almacenar un bit de información es de tipo
biestable, es decir, es capaz de permanecer
indefinidamente en uno u otro estado, que son los estados
0 y 1. También se conocen como FLIP FLOP. Hay que
aclarar que permanece en el estado mientras mantenga el
suministro de energía

PED 2002-03 4.18

 Circuito NAND DTL

• Cualquier entrada en 0, corta el transistor y

• Entrega 5 volts (1 lógico en salida)
• Con ambas entradas en 1, el circuito de base satura
al transistor, produciendo salida 0.
PED 2002-03 4.19
 ELECTROTECNIA
AMPLIFICADORES OPERACIONALES

PED 2002-03 4.20

PED 2002-03 4.21
PED 2002-03 4.22
PED 2002-03 4.23
 Circuito real de un OPAMP

PED 2002-03 4.24

PED 2002-03 4.25
 ASPECTO FISICO DE CIRCUITO INTEGRADO DEL OPAMP

PED 2002-03 4.26

 Circuitos de Aplicaciones típicas de los OPAMP:
Circuitos Amplificadores de Señal:
Amplificador Inversor
Amplificador No Inversor
Circuitos Convertidores de Señales
Convertidores D/A
Circuitos Operadores de Señales
Convertidores A/D
Sumador
Derivador
Integrador
Circuitos Filtros Activos
Comparador
Filtro Paso Bajo
Filtro Paso Alto
Filtro Paso Banda
Filtro Banda Eliminada
PED 2002-03 4.27
 Circuitos Amplificadores de Señal con OPAMP:

PED 2002-03 4.28

 Circuitos Amplificadores de Señal con OPAMP:

-
+

PED 2002-03 4.29

 Circuitos Amplificadores de Señal con OPAMP:

PED 2002-03 4.30

 Amplificador Operacional (OP-AMP) Operador:

-
+

PED 2002-03 4.31

 Amplificador Operacional (OP-AMP) Operador:

Simulación Simulación
PED 2002-03 4.32
 Amplificador Operacional (OP-AMP) Operador:

COMPARADOR

PED 2002-03 4.33