MEMORIAS.

Se le da el nombre genérico de Memoria a un “recurso” que almacena información.

El almacenamiento o conservación de información existe como función en los seres
vivos, en la estructura molecular, etc.
La escritura, la representación grafica mediante dibujos o esquemas, los medios o
materiales de impresión, piedra, papel, etc. se asocian a la función de
almacenamiento de información.
Las memorias se clasifican de acuerdo al tipo de tecnología con la que son
construidas, ya sea de papel, magnéticas, electrónicas, mecánicas, químicas,
biológicas, etc.
Clasificación de las Memorias de acuerdo a la Tecnología con que son fabricadas.

• Papel.
• Magnética.
• Electrónica.
Tecnología. • Mecánica.
• Química.
• Biológica.
Clasificación de las Memorias de acuerdo a la Tecnología con que son fabricadas.

• Hojas, legajos o capetas, archiveros, etc.

• Papel. •Tarjetas perforadas.

• Magnética. • Cintas perforadas.

• Electrónica.
Tecnología. • Mecánica.
• Química.
• Biológica.
Clasificación de las Memorias de acuerdo a la Tecnología con que son fabricadas.

• Papel.
• Núcleos.
• Magnética.
• Discos.
• Electrónica.
Tecnología. • Mecánica.
• Química.
• Biológica.
Clasificación de las Memorias de acuerdo a la Tecnología con que son fabricadas.

• Papel.
• Magnética.
• Electrónica. Fabricada en base a semiconductores.
Tecnología. • Mecánica.
• Química.
• Biológica.
Clasificación de las Memorias de acuerdo a la Tecnología con que son fabricadas.

• Papel.
• Magnética.
• Electrónica.
Cajas de música.
Tecnología. • Mecánica.
Candado de combinación.
• Química.
• Biológica.
Clasificación de las Memorias de acuerdo a la Tecnología con que son fabricadas.

• Papel.
• Magnética.
• Electrónica.
Tecnología. • Mecánica.
• Química.
• Biológica.
Clasificación de las Memorias de acuerdo a la Tecnología con que son fabricadas.

• Papel.
• Magnética.
• Electrónica.
Tecnología. • Mecánica.
• Química.
• Biológica.
ADN
 Clasificación de las Memorias de acuerdo a la Tecnología con que
son fabricadas.

• Flip Flops.
• Latches.
• Volátiles.
• Registros de Corrimiento.
• RAM. Random access memory

Semiconductores
• ROM (read only memory)
• Prom (programable)
• No • ROM.
• Eprom (erasable / programable)
Volátiles.
• EEProm (electricaly erasable)
• Flash.
RAM.
Random accsess memory (memoria de acceso aleatorio) o de Lectura /
Escritura, el dispositivo consiste en un apilamiento de lugares o localidades de
memoria, que permiten el almacenamiento de datos organizados por palabras
de uno o mas bits.
El acceso a cada localidad requiere del mismo procedimiento y tiempo, a
diferencia de un registro de corrimiento.

palabra b3 b2 b1 b0
PO
W0        
W1        

VS
W2        
W3         SI
W4        
W5         Ck

W6        
W7        
W8        
W9        
W10        
Celda RAM.
Independientemente de la configuración interna de la celda, la cantidad y el tipo
transistores, bipolar o de efecto de campo, la operación de la celda de memoria
Ram es semejante a un FF- D.
Tiene una entrada y una salida de datos, una línea para habilitación de
operación y una línea de permiso de lectura / escritura.

Data In Data Out D Q

Celda 0 0
RAM
1 1

R/W
ME

Símbolo.
Celdas RAM.
Configuración varios bits por palabra.

Data In

Celda Celda Celda

RAM RAM RAM

R/W

WE

Data Out
Configuración varias palabras por arreglo.

Data In

WE0

WE1

R/W
Data Out
 Para tener acceso a cada palabra del arreglo, una a la vez.

Data In
Decoder de Dirección
(de n a 2n)

WE0
A0
Líneas A1
de
Dirección A2
A3 WE1

WE2
WE3
R/W Data Out
ME
WEn
Arreglo para un RAM de 16 palabras X 4 bits.
Buscar
7489
Entradas

I 3 I2 I1 I 0
Decoder Buffer de
Buffer de de Entrada
Dirección
Dirección

Líneas de
A0 Arreglo de
Dirección A1 Celdas RAM
16W x 4 bit
A2
A3

ME Buffer de
Salida
R/W

O3 O 2 O1 O0
Salidas
Buscar
7489
 Prueba de un Ram en el Laboratorio, el concepto de direccionamiento,
volatilidad y lectura/escritura.

Energizar, ME=L, Entradas

I3 I 2 I 1 I 0
a) Para Leer:
R/W=H, activar líneas de dirección (direccionar),
monitorear salida. Líneas A0
de A1 RAM
b) Para Escribir: Dirección
A2 16W x 4 bit
R/W=H, direccionar, colocar dato en entradas,
activar escritura momentáneamente R/W=L, A3
Probar volatilidad:
ME
Una vez cargados varios datos, desenergizar, y R/W
regresar a Leer.

O3 O2 O1 O0
Salidas
ROM.
Read only memory o memoria de solo lectura o solo para leer,
el dispositivo consiste en un apilamiento de lugares o localidades de memoria,
que permiten el almacenamiento de datos organizados por palabras de uno o
mas bits, a diferencia del RAM el ROM mantiene la información al desenergizar
motivo por el cual se le llama memoria no volátil,
El ROM puede ser entendido como un dispositivo que almacena una tabla de
datos.
palabra b3 b2 b1 b0
W0        
W1        
Datos no volátiles
W2        
W3        
W4        
W5        
W6        
W7        
W8        
W9        
W10        
Celda ROM.
Independientemente de la configuración interna de la celda, la cantidad y el tipo
transistores, bipolar o de efecto de campo, la operación de la celda de memoria
ROM, se puede interpretar como un dispositivo que entrega a su salida en forma no
volátil, permanente o semi-permanente un nivel lógico, ya sea alto o bajo.
No tiene entrada de datos ni línea de permiso de lectura / escritura, solo tiene salida
de datos y una línea para habilitación de operación.

Data Out
H
Data In Data Out L
Celda Celda
RAM ROM

R/W ME
ME
Símbolo.
 Buscar
Arreglo para un ROM de 16 palabras X 4 bits. 2764, 27128
2816
Decoder
Buffer de de
Dirección
Dirección

Líneas de
A0 Arreglo de
Dirección A1 Celdas ROM
16W x 4 bit
A2
A3

ME Buffer de
Salida

O3 O 2 O 1 O0
Salidas
# de lineas de
# de palabras
Dimensionamiento de Memoria.
direccion

0 -
Se le llama dimensionamiento, configuración o tamaño
1 2

2 4
de una memoria a un parámetro consistente en el
3 8 numero de palabras w por x el numero de bits.
4 16

5 32 Por ejemplo el 7489 es un RAM cuya dimensión es 16W

6 64 x 4 bit.
7 128

8 256 Debido al decodificador de dirección existe una relación

9 512
entre el # de líneas de direccion y el # de palabras igual
10

11
1,024

2,048
a 2 a la n líneas de dirección.
12 4,096

13 8,192
10
14 16,384
2 = 1024 = 1K
15 32,768

16 65,536

17 131,072

18 262,144
1 K bit = 1024 bits.
19 524,288

20 1,048,576 1 K Byte = 1024 W x 8 bit.

Expansión de Memoria.
La expansión de un bloque de memoria puede efectuarse por # de palabra, por
# de bit o ambas.
El procedimiento consiste en:
1. Establecer el bloque deseado, indicando las líneas de dirección, control y
datos, partiendo de un bloque básico.
2. Elaborar un mapa de memoria para asignar las líneas selectoras de bloque
y palabra.
3. Representar el bloque final mediante un diagrama esquemático.

Problema:
Efectuar la expansión de un RAM de 16W x 4 bit a un bloque de 64W x 4 bit.
1.-
Entradas
Entradas
I3 I2 I1 I0
I3 I2 I1 I0

A0
A0 A1
RAM
A1 RAM A2
64W x 4 bit
A2 16W x 4 bit A3
A3 A4
ME A5

R/W ME
O3 O2 O1 O0 R/W
Salidas
O3 O2 O1 O0

Salidas

Dispositivo Base Expansión

2.- Representación grafica de la memoria mediante una tabulación a la que
se llama Mapa de Memoria.
3.- Esquemático. Salidas
Entradas
I3 I2 I1 I0 O3 O2 O1 O0
A0
A1
Líneas de A2
dirección A3 RAM
Decoder
de 2 a 4 16W
líneas x
A4
4 bit
A5
Selector de
Palabra
RAM
16W
Selector de ME
x
Chip
R/W 4 bit
A cada
Chip

RAM
16W
x
4 bit

RAM
16W
x
4 bit
Aplicaciones.
En el contexto del Diseño con Bloques Funcionales, ambos dispositivos RAM y
ROM, tienen una gran cantidad de aplicaciones.
El RAM como opción de memoria de lectura / escritura para, flip-flops, latches,
registros de corrimiento, etc.
El ROM, como un dispositivo que puede contener una tabla en forma no volátil,
lo que lo convierte en una opción para diseño combinacional conteniendo una
tabla de verdad y secuencial conteniendo una tabla de transición de estados,
puede contener además tablas de búsqueda, generar caracteres alfanuméricos,
etc.
Fuera del contexto de diseño con B. F. los microprocesadores y todo tipo de
computadoras cuentan bloques de RAM y ROM.
Tablas de búsqueda.
Se le da el nombre de Tabla de Búsqueda o look up table a un método
numérico,
consistente en la tabulación absoluta de variables y resultados de la operación
de estas variables,
en la que el resultado de una operación simplemente se busca en la tabla,
en vez de efectuar tal operación,
o ejecutar un algoritmo de manipulación numérica para obtener el resultado.

Variable Variable
independiente. dependiente.
Variables a operar. Resultado de la
operación.
°C °F
ángulo Función
trigonometrica.
 Aplicaciones Típicas:

• Tablas de multiplicar. • Linearización de funciones.

• Logaritmos.
• Funciones trigonométricas.
• Conversión de código.
• Conversión de grados
centígrados a fahrenheit.
• Proceso de voz e imagen.
• Funciones booleanes.
• Interpolación.
• Operaciones de
procedimientos complejos.
• Generación de caracteres
alfanuméricos.
• Tablas de diagnostico.
Problema:

Usando un ROM, diseñar un dispositivo que efectué la multiplicación de 2 palabras

binarias de 4 bit c/u.

Proporcionar:
La configuración del ROM, # W x # bit.
Listado parcial significativo de la tabla.

Procedimiento:
a) Determinar el # de entradas y # de salidas del dispositivo, COMO?
b) Elaborar un listado de algunas combinaciones que den una idea del listado
absoluto.
 4 4 1111
A3 A2 A1 A0 X
X
B3 B2 B1 B0 1111
1110 0001
ROM ?

n
# W = 2 Líneas de Dirección. = # líneas de Entrada.
8
# W = 2 = 256
# bit = # líneas de salida = 8
Configuración = 256 W x 8 bit.
Listado parcial significativo.
Generador de caracteres alfanuméricos, matriz de 5x7, polaridad y concepto de
barrido.

H
Solución a nivel de bloques.

Líneas de dirección.

sincronía ASCII

ROM
c4 c0
Ck circuito
de
barrido h0

matriz
de 5x7

h7
Listado parcial significativo de la tabla.
Display numérico multidígito.
 BCD 7

Decoder de BCD
a 7 segmentos

Circuito de barrido
activa una salida
a la vez
Ck

d0 t
d1 t
d2 t
d3 t