Cinética de oxidación de películas metálicas

de níquel (Ni)
Universidad Autónoma de Sinaloa.
Facultad de Ciencias Químico Biológicas.
Licenciatura en Ingeniería Química.
Materia: Introducción a la Ciencia de los Materiales.
Grupo: 4-1.
Integrantes:
Castro López Hugo César.
Sajaropulos Villarreal Jorge César.
Vázquez González Felipe Ángel.

Docente: Dra. Ana María López Beltrán.

Culiacán, Sinaloa, a 15 de enero del 2019.

Contenido
1.- Introducción.
2.- Antecedentes.
3.- Objetivos.
4.- Desarrollo experimental.
5.- Análisis efectuados.
6.- Resultados.
7.- Conclusiones.
Introducción
El progreso tecnológico y el escalamiento
de los dispositivos electrónicos han
llevado a la exploración de nuevas áreas
en la industria de dispositivos
semiconductores y de memorias no
volátiles.
Antecedentes
La conmutación resistiva es un cambio en
la resistencia de un material inducido por
un estímulo eléctrico externo. Tiene
características propias como, por ejemplo,
que es no volátil y reversible. Se ha
observado este fenómeno en una amplia
gama de materiales y las características
no están definidas de manera única.
Antecedentes
La conmutación resistiva puede ser de dos
tipos: la unipolar y la bipolar. En la
CuO
conmutación unipolar, inicialmente la
memoria está en un estado de resistencia
alta (HRS) y se le aplican pulsos para
cambiar a un estado de resistencia baja
(LRS).

NiO
Antecedentes
En el caso de la conmutación bipolar, a
diferencia del unipolar, pasar de un estado
de baja resistencia (LRS) a uno de alta
resistencia (HRS) requiere una polaridad
opuesta. Para que esto suceda es
necesario que exista alguna asimetría en
el sistema o en el proceso de formación SrTiO3
inicial.
Antecedentes

Unipolar Bipolar
Antecedentes
La conmutación resistiva en las películas
de óxido de níquel cristalino se observó en
1964 y su mecanismo de conmutación fue
explicado por la formación/ruptura
reversible de caminos conductores
filamentosos desde las interfases a lo
largo de la película de NiO.
Antecedentes
El Óxido de Níquel (II) es el compuesto
con la fórmula química de NiO. La forma
mineralógica de NiO es bunsenita que es
muy raro. Se clasifica como una base de
óxido de metal.
El Óxido de Níquel Verde se utiliza para la
NiO
preparación de catalizadores, ya sea de
oxidación que de reducción.
Antecedentes
Tipos de estructuras
• MRM
• MOS
• MAS
• MIS
Antecedentes
El Recocido Térmico Rápido (RTA)
generalmente implica manipular una
muestra a la vez y calentarla a
temperaturas generalmente entre 300 °C y
1200 °C, por tiempos de varios minutos o
menos. El tiempo de remojo a la
temperatura máxima a menudo se
especifica en segundos.
Antecedentes
Una de las técnicas de caracterización de
materiales es la técnica de microscopia
electrónica de transmisión, la cual se
ocupa de la información contenida en
aquellos electrones que traspasan una
muestra solida sobre la que se ha hecho
incidir un haz electrónico coherente y a
gran velocidad.
Antecedentes
Otra de las técnicas que se emplean es la de
espectroscopia dispersiva de energía de rayos
X. Los rayos X característicos emitidos por la
muestra son detectados por un sistema que
produce pulsos de altura proporcional a la
energía de cada fotón incidente.
Objetivos
General:
Analizar la cinética de producción de NiO por oxidación de películas de Ni.

Específicos:
1.- Explicar la metodología empleada en conjunto con el control de las
variables del proceso.
2.- Analizar los procesos de conmutación de la estructura MRM obtenida.
3.- Buscar las mejores condiciones de recocido térmico para la obtención de
la película de NiO.
Desarrollo experimental