Curso Electricidad y

Electrónica

El Transistor

Relator: Ing. Enrique Contreras Opazo

 El Transistor
El término transistor es la contracción de transfer
resistor, es decir, de resistencia de transferencia.

El transistor es un dispositivo electrónico

semiconductor que se utiliza como amplificador o
conmutador electrónico (llave electrónica).

El transistor se utiliza, por

tanto, como amplificador,
como oscilador, como
rectificador y como
conmutador on-off.
 El Transistor
Sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos o
triodo, el transistor bipolar fue inventado en los
Laboratorios Bell de EEUU en Diciembre de 1947 por
John Bardeen, Walter Houser y Brattain y William
Bradford Shockley, los cuales fueron galardonados
con el Premio Nóbel de Física en 1956.

Sus inventores lo llamaron así por la propiedad que

tiene de cambiar la resistencia al paso de la corriente
eléctrica que circula a través suyo —entrando por
uno de los 3 terminales (el "emisor") y saliendo por
otro (el "colector") en función de la mayor o menor
corriente eléctrica que, para excitarlo, se inyecte en
el tercero (la "base")—.
 El Transistor
Tipos de transistor
• Transistor de juntura bipolar, BJT por sus siglas en
inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de
Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen
cualidades de semiconductores. Sobre el sustrato de
cristal se contaminan en forma muy controlada tres
zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o
PNP quedando formadas dos junturas PN.
• Fototransistor, sensible a la radiación
electromagnética, en frecuencias cercanas a la de la luz.
 El Transistor

• Transistor de juntura unipolar.

• Transistor de efecto de campo, FET, que controla la
corriente en función de una tensión; tienen alta
impedancia de entrada.
– Transistor de efecto de campo de juntura, JFET, construido
mediante una juntura PN.
– Transistor de efecto de campo de compuerta aislada,
IGFET, en el que la compuerta se aísla del canal mediante un
dieléctrico.
– Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS
significa Metal-Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta
es metálica y está separada del canal semiconductor por una
capa de óxido.
 El Transistor: constitución
Un transistor está formado por tres zonas de conductividad P o N
en el orden:

P-N-P : Transistor PNP

N-P-N : Transistor NPN

Las tres zona se llaman: Base (B), Emisor (E) y Colector (C).
Los portadores de carga pasan del emisor a la base (son emitidos) y
son recibidos por el colector.
 El Transistor: constitución

El transistor tiene dos transiciones PN: una entre emisor y base y

otra entre colector y base.

Se compone de dos diodos de polaridad inversa: el diodo de emisor

y el diodo de colector. Aunque por la pequeña extensión de la base
su función no puede compararse con la de dos diodos separados.

Una tensión entre colector y emisor no puede provocar ninguna

corriente porque un trayecto de diodos está siempre bloqueado.
 Antes y después de la difusión
Cuando transistor npn está sin polarizar (sin pilas y en circuito abierto) se
produce una "Difusión" (como un gas en una botella), donde los electrones
cruzan de la zona n a la zona p, se difunden, encuentran un hueco y se
recombinan. Esto hace que en las uniones entre las zonas n y p se crean
iones positivos y negativos.

Esta difusión y recombinación se da hasta llegar al equilibrio, hasta conseguir

una barrera de potencial de 0,7 V (para el Si). Se crean 2 z.c.e., una en la
unión E-B (WE) y otra en la unión C-B.
Tensión de alimentación, flujo de
corriente en el transistor
La tensión de alimentación se establece en un transistor PNP de tal
manera que el polo positivo está entre el emisor y el polo negativo
está en el colector.

La base se conecta a una parte de esta tensión para que una pequeña
tensión parcial se encuentre entre emisor y base y otra muchas veces
más alta entre base y colector.
Tensión de alimentación, flujo de
corriente en el transistor

Polo más negativo

UC

UE
 División de corriente en el
En la práctica se procura
transistor
construir los transistores de En los transistores más modernos
manera tal que la mayor parte la corriente de base sólo es una
de la corriente de emisor pase centésima y hasta una milésima
por el colector y sólo una parte de la corriente de emisor.
parte mínima salga por la
base. IE = IC + IB
Corrientes y tensiones en el
transistor
 Configuraciones básicas

El transistor sólo tiene tres polos;

el emisor, la base y el colector.

Para un circuito de amplificación se necesitan:

dos polos para dos polos para

la entrada la salida

Por lo tanto, un polo del transistor debe ser común para la entrada y la salida.
Configuraciones básicas
 Configuraciones básicas

Cada una de estas configuraciones a su vez puede trabajar en 4 zonas diferentes:

UE en Directa y UC en
Zona ACTIVA: AMPLIFICADORES
Inversa.
UE en Directa y UC en
Zona de SATURACIÓN: CONMUTACIÓN
Directa.
UE en Inversa y UC en
Zona de CORTE: CONMUTACIÓN
Inversa.
Zona ACTIVA UE en Inversa y UC en
SIN UTILIDAD
INVERTIDA: Directa.
 Configuración en BC

Algunos
electrones cruzan
la UE y pasan por
la zona p de la
base sin
recombinarse.

El negativo deemitidos
De los la pila Vpor
EE repele los electrones de la zona
undel
La electrones
base es muy estrecha y el emisor,
además aproximadamente
está 1 % se
muy poco impurificada,
emisor
recombina que cruzan
enrazón
la base la U .
esa es la deyque
un la
99
E % no se recombina y llega al colector,
probabilidad de que un electrón se
estorecombine
es el efecto transistor.
sea muy pequeña (por ejemplo el 1%).
 Configuración en EC
Esta configuración es la más utilizada. Como en la configuración
en BC solo analizaremos la zona activa.

Como en el caso anterior solo el 1 % se recombina y el 99 % no se

recombina. La dirección de IE la cambiamos como en la
configuración anterior.
 Ganancia de corriente bcc:

IE = IB + IC

IE = IB + bcc IB

IE = (bcc +1) IB

bcc es la ganancia de corriente en cc también se conoce como hFE.

 Ganancia de corriente bcc:

A veces (casi siempre) se desprecia la IB, por ser muy pequeña, en

comparación con la IC.
 Tipos de transistores
En electrónica es muy habitual el hablar de transistores de baja
potencia (pequeña señal) y de transistores de potencia (gran
señal).
Transistores de baja potencia

bcc grandes (bcc = 100 a 300)

Transistores de potencia

bcc suele ser bastante menor que en los

de baja potencia (bcc = 20 a 100).
Configuración EC
Corriente de
colector grande

Corriente de base
pequeña

Ro
Ri

Resistencia de Resistencia de salida

entrada pequeña grande