Campos Electromagnéticos en

Sistemas Electrónicos

ELEL-174
Semestre 01 - 2015
IEE - UACH

Gustavo Schleyer Daza

 Campos Electromagnéticos en
Dispositivos y Circuitos Simples

• Una aplicación importante del análisis del campo electromagnético es a componentes

electrónicos simples tales como resistores, capacitores e inductores. A frecuencias altas
cada uno de éstos presenta características de los otros. Tales estructuras pueden ser
analizadas en términos de:

𝝏
1. Comportamiento estático: para el cual podemos fijar = 𝟎 en las ecuaciones de
𝝏𝒕
Maxwell.
𝝏
2. Comportamiento cuasiestático: para el cual no es despreciable, pero no
𝝏𝒕
𝝏𝟐
consideramos términos del orden 𝝏𝒕𝟐.
𝝏𝟐
3. Comportamiento dinámico: para el cual términos del orden también son
𝝏𝒕𝟐
despreciables.

• Debido a que la mayoría de estos dispositivos tienen geometrías planas o cilíndricas,

sus campos y comportamientos son generalmente fáciles de entender. Esta
comprensión puede extrapolarse a dispositivos más complejos.
2
 Campos Electromagnéticos en
Dispositivos y Circuitos Simples

• Todos los elementos físicos exhiben grados variados de resistencia, capacitancia e

inductancia; dependiendo de la frecuencia. Esto sucede debido a que:

1. Esencialmente todos los materiales conductores exhiben alguna resistencia.

2. Todas las corrientes generan campos magnéticos y por lo tanto contribuyen en alguna
medida de inductancia.

3. Todas las diferencias de voltaje generan campos eléctricos y por lo tanto contribuyen
en alguna medida de capacitancia.

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 Resistores

• Los resistores son dispositivos pasivos, lineales, de 2 terminales y caracterizados por

su resistencia R [ohms].

• El resistor mostrado en la figura está compuesto por dos placas conductoras perfectas
paralelas, entre las cuales se ha colocado un medio de conductividad σ, permitividad
ε, permeabilidad μ y grosor d. Las dos placas y el medio tienen una sección transversal
A[m2] en el plano x-y. Asumamos que un voltaje estático existe alrededor del resistor
R, y que la corriente I fluye a través de éste.

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 Resistores

• Las condiciones de borde requieren que el campo eléctrico 𝑬 ഥ de cualquier placa

conductora perfecta sea perpendicular a ésta 𝑬 ഥ×𝒏ෝ = 𝟎 , y la ley de Faraday
ഥ desde una placa iso-potencial a la otra debe
requiere que la integral de línea de 𝑬
igualar al voltaje v independientemente de la ruta de integración. Debido a que la
conductividad σ [Siemens/m] es uniforme dentro de las paredes paralelas a 𝒛ො , estas
restricciones son satisfechas por un campo eléctrico estático uniforme 𝑬ഥ = 𝒛ො 𝑬𝟎 en
todos lados dentro del medio conductor. Por lo tanto:

 E  z dz  E d  v
0
0

𝒗 𝒗
• Donde 𝑬𝟎 = 𝒅 [𝒎]

• Este campo eléctrico dentro del medio conductor induce una densidad de corriente 𝑱,ҧ
donde:
 A
J  E  2 
m 
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 Resistores

• La corriente total i fluyendo por el resistor es:

i   E0 A  v A / d
𝒗
• Pero 𝒊 = 𝑹 , y por lo tanto, la resistencia estática de un resistor simple en el plano es:

v d
R   ohms 
i A
• La potencia instantánea p [W] disipada en un resistor es 𝒊𝟐 𝑹 = 𝒗𝟐 /𝑹, y el promedio
𝟐
𝑰 𝑹
de la potencia disipada en el tiempo en un estado sinusoidal permanente es =
𝟐
𝟐
𝑽
watts. Alternativamente, la densidad de potencia instantánea local 𝑷𝒅 = 𝑬 ⋅
𝟐𝑹
𝑱 [𝑾/𝒎𝟑 ] puede integrarse sobre el volumen del resistor para obtener la potencia
instantánea disipada total:
 Av 2 v2
 W 
2
p   E  J dv   E   E dv   E Ad 
V V d R
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 Resistores

• Corrientes de superficie residen en las placas donde el campo eléctrico es

ഥ = 𝝆𝒔 sugiere que la
ෝ⋅𝑫
perpendicular al conductor perfecto. La condición de borde 𝒏
densidad de carga de superficie 𝝆𝒔 en la cara adyacente al medio conductor de la
placa positiva es:

C 
 s   E0 
 m 2 

• La carga estática total Q en la placa positiva del resistor es 𝝆𝒔 𝑨 coulombs. Una

densidad de carga de superficie de igual magnitud pero negativa reside en la otra
placa del resistor.

• La carga total almacenada 𝑸 = 𝝆𝑺 𝑨 = 𝑪𝑽, donde C es la capacitancia del dispositivo.

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 Resistores

• Las corrientes estáticas y voltajes en este resistor producirán campos fuera del
resistor, pero éstos no producirán corrientes o voltajes adicionales en los terminales y
no son de preocupación inmediata aquí.

• Similarmente, 𝝁 y 𝜺 no afectan el valor estático de R. A frecuencias más altas, sin

embargo, la resistencia R varía y aparece una capacitancia y una inductancia.

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 Capacitores

• Los capacitores son dispositivos lineales pasivos de dos terminales que almacenan
carga Q y están caracterizados por su capacitancia C. Lo anterior se define mediante:

Q  Cv Coulombs 

• Donde v(t) es el voltaje en el capacitor. Es decir, un volt estático alrededor de un

capacitor de 1 Faradio almacena 1 Coulomb en cada terminal. Esto define a un
Faradio como a 1 Coulomb por Volt.

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 Capacitores

• La estructura resistiva mostrada en la figura se convierte en un capacitor a frecuencias

bajas si la conductividad del medio 𝝈 → 𝟎.

• Aunque algunos capacitores están llenos de aire con 𝜺 ≅ 𝜺𝟎 , usualmente se usan

rellenos dieléctricos con permitividad 𝜺 > 𝜺𝟎 .

• Valores típicos para la constante dieléctrica 𝜺/𝜺𝟎 usados en capacitores son ~𝟏 −

𝟏𝟎𝟎. 10
 Capacitores

• En todos los casos las condiciones de borde requieren que el campo eléctrico 𝑬 ഥ sea
perpendicular a las placas conductoras perfectas, es decir, debe estar en la dirección
± 𝒛, y la ley de Faraday requiere que cualquier integral de línea de 𝑬 ഥ desde una placa
iso-potencial a la otra, debe igualar al voltaje v en el capacitor. Estas restricciones son
satisfechas por un campo eléctrico estático 𝑬 ഥ = 𝒛ො 𝑬𝟎 dentro del medio que separa a
las placas, el cual es uniforme y libre de cargas.

• Despreciaremos temporalmente los efectos de todos los campos producidos afuera

del capacitor si su separación entre placas d es pequeña en comparación con su
diámetro, una configuración común. Por lo tanto, 𝑬𝟎 = 𝒗/𝒅 𝑽/𝒎 . La densidad de
carga superficial en la cara adyacente al medio conductor de la placa positiva es 𝝈𝒔 =
𝜺𝑬𝟎 𝑪/𝒎𝟐 , y el total de carga estática Q en la placa positiva con área A es:

Q  A s  A E0  A v / d  Cv C 

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 Capacitores

• Por lo tanto, para un capacitor de placas paralelas:

C   A / d  Faradios 

• La densidad de energía eléctrica instantánea 𝑾𝒆 𝑱/𝒎𝟑 entre las placas del

capacitor está dada por el teorema de Poynting:
2
 E J 
We   m3 
2

• La energía eléctrica total 𝒘𝒆 almacenada en un capacitor es la integral 𝑾𝒆 sobre el

volumen Ad del dieléctrico:

we    E
V
 2

2 dv=  Ad E
2
2 =  Av 2 2d = Cv 2 2  J 

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 Capacitores

• La expresión correspondiente para el promedio en el tiempo de la energía

almacenada en un capacitor en estado sinusoidal estacionario es:

we  C V 4 J 
2

• Podemos analizar otras geometrías de capacitor, tales como el capacitor cilíndrico

ilustrado en la figura. El radio interno es a, el radio externo es b, y la longitud D; su
interior tiene permitividad 𝜺.

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 Capacitores

• El campo eléctrico debe tener divergencia y rotacional cero en la región libre de carga
entre los dos cilindros, y debe ser perpendicular a los cilindros internos y externos en
sus paredes conductoras perfectas. La solución puede ser cilíndricamente simétrica e
independiente de 𝝓 (el ángulo fasorial). Un campo eléctrico puramente radial tiene
las siguientes propiedades:

E  r   rE0 r

• El potencial eléctrico 𝜱 𝒓 es la integral del campo eléctrico, así que la diferencia de

potencial v entre el conductor externo e interno es:

b
b
E0
v   a  b   dr  E0 ln r a  E0 ln   V 
b

a
r a

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 Capacitores

• Este voltaje en el capacitor produce una densidad de superficie de carga 𝝆𝒔 en los

conductores internos y externos, donde 𝝆𝒔 = 𝜺𝑬 = 𝜺𝑬𝟎 /𝒓. Si 𝜱𝒂 > 𝜱𝒃 , entonces el
cilindro interno está positivamente cargado, el cilindro externo está negativamente
cargado, y 𝑬𝟎 es positivo. La carga total Q en el cilindro interno es:

Q   s 2 aD   E0 2 D   v 2 D ln  b a    Cv C 

• Por lo tanto, la capacitancia de este capacitor cilíndrico puede calcularse mediante:

 2 D  
C F
ln  b a 

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 Inductores Solenoidales

• Podemos calcular la intensidad de campo magnético en el solenoide de placas

paralelas mediante la ley de Ampere:

 H  d s  i  t   H 0W
C2

H  yH 0  y i  t  W  A m ഥ entre las placas

𝑯

ഥ ≅ 𝟎 en otro lado.
• y𝑯

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 Inductores Solenoidales
• El voltaje v(t) a través de los terminales del inductor mostrado en la figura puede
calcularse con la ayuda de la forma integral de la ley de Faraday, obteniéndose
finalmente:

   Dd di  t  di  t 
v t  L
W dt dt
• Donde se define la inductancia L [Henrios] de cualquier inductor. Por lo tanto, L1 para
un lazo de corriente de una vuelta teniendo una longitud 𝑾 ≫ 𝒅 y área 𝑨 = 𝑫𝒅 es:
 Dd A  
L1   H Inductor de una Vuelta
W W

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 Inductores Solenoidales

• Debido a que asumimos que campos magnéticos en el borde pueden ser despreciados
porque W>>d, grandes inductores de una vuelta requieren estructuras muy grandes.
El enfoque estándar para incrementar la inductancia L en un volumen limitado es usar
vueltas múltiples, tal como se aprecia en la figura.

• La bobina de N vueltas de la figura, duplica el flujo de corriente en las geometrías

vistas en las diapositivas anteriores, pero con N veces la intensidad 𝑨Τ𝒎 por la
misma corriente de terminal i(t), y por lo tanto el campo magnético 𝑯𝟎 y el flujo 𝝍𝒎
también son N veces más intensos que antes.
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 Inductores Solenoidales

• Al mismo tiempo, el voltaje inducido en cada vuelta es proporcional al flujo 𝝍𝒎 a

través de ésta, que ahora es N veces mayor que para una bobina de una vuelta
𝝍𝒎 = 𝑵𝒊𝝁𝑨/𝑾 , y el voltaje total a través del inductor es la suma de los voltajes a
través de las N vueltas.

• Por lo tanto, siempre y cuando W>>d, el voltaje total a través de un inductor de N

vueltas es 𝑵𝟐 veces el valor correspondiente a una vuelta, y la inductancia 𝑳𝑵 de una
bobina de N vueltas es también 𝑵𝟐 veces mayor que 𝑳𝟏 para una bobina de una
vuelta.
di  t  di  t 
 
v t  LN  N L1
2

dt dt

A  
LN  N 2 H Inductor Solenoidal de N Vueltas
W

• Donde A es el área de la bobina y W es su longitud; 𝑾 ≫ 𝑨 > 𝒅.

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 Inductores Solenoidales

• La ecuación anterior también se aplica a bobinas cilíndricas con W>>d, la cual es la

forma más común de inductor. Para conseguir valores grandes de N, las vueltas de
cable pueden ser enrolladas encima de otras con pocos efectos adversos.

• Las expresiones anteriores también pueden simplificarse mediante la definición del

enlace de flujo magnético 𝜦 como el flujo magnético 𝝍𝒎 enlazado por N vueltas de
la corriente i, donde:

  N m  N  Ni  A / W    N 2  A / W  i  Li Enlace de Flujo

• Esta ecuación 𝜦 = 𝑳𝒊 es el dual de la expresión 𝑸 = 𝑪𝒗 para capacitores. Además, el

voltaje v a través de N vueltas de una bobina es:

di d 
vL 
dt dt
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