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UNIVERSIDAD AUTNOMA DE BAJA CALIFORNIA

ELECTRONICA DE POTENCIA

Tiristores
Equipo:
Juregui Padilla Monica Giselle
Mendivil Mrquez Luis Alberto
Tipos de Tiristores
Tiristores de Control de Fase (SCR)
Tiristores de Conmutacin Rpida (SCR)
Tiristores de Desactivacin por Compuerta (GTO)
Tiristores de Triodo bidireccional (TRIAC)
Tiristores de Conducta Inversa (RTC)
Tiristores de Induccin Esttica (SITH)
Tiristores de Rectificadores Controlados por Silicio Activados por Luz (LASCR)
Tiristores Controlados por FET (FET-CTH)
Tiristores de Controlados por MOS (MCT)
Tiristores de Control de Fase (SCR)
Dado que un tiristor es un dispositivo controlado y fabricado de silicio se conoce como rectificador
controlado de silicio (SCR), y algunas de sus caractersticas son:

Frecuencia de lnea.
Desactivacin por conmutacin natural
=50-100 us.
El voltaje en estado activo 1.15 V para
600 V; 2.5V para dispositivos de 4000 V y
para un tiristor de 5500 -1200 V es de 1.25 V
Tiristores de Conmutacin Rpida (SCR)
Se utilizan en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad con conmutacin forzada (pulsadores e
inversores. La cada directa en estado activo varia aproximadamente con su funcin inversa del tiempo de
desactivacin . Tambien conocido como tiristor inversor.
Desactivacin corta =5-50 us (dependiendo del rango de
voltaje).

Tienen un alto (100 V/us) y un de 100 A/us.
Esto es muy importante para reducir el tamao y peso de los
componentes de conmutacin o reactivos del circuito.
Alta capacidad de bloqueo inverso (10V) y un tiempo de
desactivacin muy corto entre 3 y 5 us, dndose a conocer
como tiristores asimtricos (ASCR).
El voltaje en estado activo de un tiristor de 2200 a 1800V por
lo comn es de 1.7 V.
Tiristores de Desactivacin por Compuerta (GTO)
Un tiristor GTO, al igual que un SCR puede activarse mediante la aplicacin
de una seal positiva de compuerta.
Se puede desactivar mediante una seal negativa de compuerta.
Un GTO es un dispositivo de enganche y se construye con especificaciones
de corriente y voltajes similares a las de un SCR.
GTO se activa aplicando a su compuerta un pulso positivo corto y se
desactiva mediante un pulso negativo corto.
Tiene un voltaje en estado activo mas alto que el de los SCR. 550-1200V es
de 3-4 V.
Tiristores de Desactivacin por Compuerta (GTO)
Tiristores de Desactivacin por Compuerta (GTO)
Ventajas de los GTO sobre los SCR
Eliminacin de los componentes auxiliares en la conmutacin forzada, que da como resultado una
reduccin en costo, peso y volumen.
Eliminacin del ruido acstico y electromagntico debido a la eliminacin de bobinas de induccin en la
conmutacin.
Desactivacin ms rpida, permitiendo frecuencias de conmutacin ms altas.
Una eficiencia mejorada de los convertidores.
Tiristores de Triodo bidireccional (TRIAC)
Puede conducir ambas direcciones
Se utiliza en el control de fase de corriente alterna (controladores de voltaje)
El TRIAC es en esencia la conexin de dos tiristores en paralelo pero conectados en sentido opuesto y
compartiendo la misma compuerta.
Tiristores de Conducta Inversa (RTC)
En muchos circuitos pulsadores e inversores, se conecta un diodo anti paralelo a travs
de un SCR, con la finalidad de permitir un flujo de corriente inversa debido a una carga
inductiva, y para mejorar el requisito de desactivacin de un circuito de conmutacin. El
diodo fija el voltaje de bloque inverso del SCR a 1 o 2 V por debajo de las condiciones de
rgimen permanente. Sin embargo, bajo condiciones transitorias, el voltaje inverso
puede elevarse hasta 30V debido al voltaje inducido en la inductancia dispersa del
circuito dentro del dispositivo. El RTC es un intercambio entre las caractersticas del
circuito y los requisitos del circuito. Tambin se le conoce como tiristor asimtrico
(ASCR).

Voltaje de bloqueo directo varia entre 400-2000V.


Especificacin de corriente hasta 500 A.
El voltaje de bloqueo inverso es de 30-40 V
Tiristores de Induccin Esttica (SITH)
Se activa al aplicrsele un voltaje positivo de compuerta, y desactivado cuando se aplica un voltaje negativo a
su compuerta. Es un dispositivo de portadores minoritarios, por lo que tiene una baja resistencia en estado
activo y una baja cada de potencial y se puede fabricar con especificaciones de voltaje y corriente mas altas.

Tiene velocidades de conmutacin muy rpidas y capacidades altas de dv/dt y di/dt.


El tiempo de conmutacin es de orden de 1-6us. La especificacin de voltaje puede alcanzar hasta 2500 V.
La especificacin de corriente a 500 A.
Tiristores de Rectificadores Controlados por Silicio Activados por Luz (LASCR)
Este dispositivo se activa mediante radiacin directa de luz sobre el disco de silicio. Los pares electrn-hueco que
se crean debido a la radiacin producen la corriente de disparo bajo la influencia de un campo elctrico. La
estructura de compuerta se disea a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de
fuentes luminosas prcticas (por ejemplo, LED y para cumplir con altas capacidades de di/dt y dv/dt). En un
circuito puede ser reconocido por la simbologa como se observa el mismo cuenta con tres terminales Puerta (G),
Anodo (A), Ctodo (K) y una ventana transparente por donde entra la luz.
Tiristores de Rectificadores Controlados por Silicio Activados por Luz (LASCR)

La especificacin de voltaje de un LASCR puede llegar tan alto como 4 K a 1500 A, con una potencia de
disparo luminoso de menos de 100mw.
El di/dt tpico es 250 A/ms y el dv/dt puede ser tan alto como 2000v/ms.
La frecuencia de conmutacin es de hasta 2kHz, estos tiristores normalmente disponen de conexiones
especiales para ser disparados con fibra ptica.
Un LASCR ofrece total aislamiento elctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutacin
de un convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos cientos de kilovoltios.
Tiristores Controlados por FET (FET-CTH)
Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo.
Si a la compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje suficiente, tpicamente 3v,
se genera internamente una corriente de disparo para el tiristor.
Tiene una alta velocidad de conmutacin
Tiene un dv/dt y un di/dt alto.

Este dispositivo se puede activar como los tiristores convencionales, pero no se


puede desactivar mediante control de compuerta. Esto servira en aplicaciones
en las que un disparo ptico debe utilizarse con el fin de proporcionar un
aislamiento elctrico entre la seal de entrada o de control y el dispositivo de
conmutacin del convertidor de potencia.
Tiristores de Controlados por MOS (MCT)
Est integrado por 2 MOSFET, uno de ellos enciende
al tiristor y el otro lo apaga. Existen diversos tipos
de estructuras, pero todas ellas coinciden existe un
tiristor pnpn que determina las propiedades de
conduccin (y de bloqueo).
Entre el nodo A y el ctodo K existe una estructura
pnpn que como ya se mencion forma la estructura
del tiristor del MCT. Dentro de la regin nodo -
gate existen dos MOSFET's. Uno de ellos es un canal
p, tipo pnp que es usado para el encendido y el otro
es un canal n, de tipo npn que es usado para el
apagado.
Tiristores de Controlados por MOS (MCT)
Caractersticas:
Una baja cada de voltaje directo durante la conduccin.
Un tiempo de activado rpido, tpicamente 0.4m s, y un tiempo de desactivado rpido, tpicamente
1.25m s, para un MCT de 300A, 500V.Bajas perdidas de conmutacin.
Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso.
Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los circuitos de excitacin. Es
posible ponerlo efectivamente en paralelo, para interrumpir corrientes altas, con slo modestas
reducciones en la especificacin de corriente del dispositivo.
No se puede excitar fcilmente a partir de un transformador de pulso, si se requiere de una polarizacin
continua a fin de evitar ambigedad de estado.
-Son los elementos mas utilizados
-Frecuencias desde los 400 Hz a 1000 Hz
-Sencibilidad media, con fin de evitar disparos esporadicos por tensiones
parasitas.

Intensidad de corriente desde los cientos de mili amperes hasta centenas de amperes.
Tensiones que llegan desde los 2000V
La eleccin de un modelo se debe basar
en los siguientes criterios:
Tensin bloqueable.
Intensidad de corriente.
Parmetros de conmutacin.
Sensibilidad.
Capsula.
Tiristores sensibles
Son elementos de baja potencia.
La intensidad de corriente de mando suele ser de algunas decenas de microamperes.
Tensiones de puerta de 0.7 volts.
Tiene problemas en circuitos con corriente alterna domestica.
Para esto se utiliza un circuito llamado ICD(integrated control device)
Tiristores rpidos
La elaboracion de tiristores rapidos se enfrenta a varias dificultades:
Las relativas a la obtencion de tiempos cortos de cebado
Las introducidas por los cicuitos de utilizacion , rapidez y las exigencias de conmutacion.

La disminucion del tiempo de cebado de un tiristor se logra disminuyendo la vida media de los portadores
inytectados en las bases. Esto se logra poniendo trampas principalmente de oro en el silicio.

El aumento de la rapidez disminuye las caracteristicas de bloqueo. Se tiene que respetar este compromiso

Hoy en dia se pueden fabricar tiristores con tiempo de cebado de 5 micro segundos y capacidad de
bloqueo de 700 V
DARLISTOR
Tiristor rpido de altas prestaciones, su nombre es una
contraccin de DARLington y tirISTOR . Esta constituido por dos
tiristores integrados bajo la misma pastilla de silicio.

Tiristor de mando o auxiliar: Es el encargado del disparo y su


caracterstica principal es su sensidilidad. La corriente principal
de este tiristor servir como corriente de disparo para la puerta
del segundo tiristor (tiristor principal o de potencia).

Tiristor principal o de potencia: su cebado provoca corte o


extincin del tiristor auxiliar. Su sensibilidad es menor y el
cebado se produce menos rpido que en el tiristor auxiliar, en
cambio sus caractersticas en cuanto la variacin de tensin y
tiempo de apertura son muy buenas.
DARLISTOR
CEBADO DEL DARLISTOR
No se imponen restricciones suplementarias y el elemento puede dispararse siguiendo los mtodos
clsicos (transformador de impulsos entre ctodo puerta o cualquier otro sistema tradicionales).
El impulso aplicado en la puerta ceba en primer lugar al tiristor auxiliar. La estructura del elemento permite
que el tiristor auxiliar presente un tiempo de cebado inferior al del tiristor de potencia.
La corriente del tiristor auxiliar se inyecta en la puerta del de potencia, y puede verse que se produce una
amplificacin en las corrientes de disparo, con una ganancia considerable que asegura la inyeccin de una
corriente muy elevada en puerta del elemento de potencia.
Tiristor de puerta doble
Tambien llamado tiristor tetrodo, se caracteriza
por tener dos puertas: nodo y ctodo.
El disparo de este tiristor puede conseguirse
inyectando corriente en la puerta del ctodo
> , o de manera contraria en la puerta del
nodo < . El bloqueo del tiristor puede
efectuarse, mientras que la corriente de nodo
no supere los 50 mA, inyectando una corriente
inversa a la de disparo en una de las puertas.
Fototiristores LASCR(light activated SCR)
En lugar de una corriente, lo activan los fotones
La luz crea pares electron-hueco creando una corriente de base.
La corriente es muy baja, alrededor de los 25 microamperes.

Este dispositivo se activa mediante radiacin directa de luz sobre el disco de silicio. Los pares
electrn-hueco que se crean debido a la radiacin producen la corriente de disparo bajo la
influencia de un campo elctrico.
A un cierto nivel de radiacin, la ganancia neta de corriente del dispositivo
excede a la unidad y la corriente nodo-ctodo slo viene limitada por la
impedancia exterior. En este punto, el SCR ha cambiado de ser un
conmutador prcticamente abierto a uno casi en cortocircuito

La salida de un foto-SCR no es proporcional a la radiacin incidente.


El foto-SCR est CORTADO (baja corriente de nodo) antes que una
irradiancia adecuada lo dispare y CONDUCE en cuanto se supera el
umbral ptico.

La corriente de nodo no vara prcticamente con el nivel de luz. Como los fototiristores se aproximan a los
conmutadores, sus aplicaciones principales son para sistemas pticos lgicos, tales como contadores
clasificadores y funcionamiento como rels.
La mayora de las aplicaciones de 1os foto-SCR requieren una resistencia externa entre la puerta y el
ctodo que puentea efectivamente parte de la corriente en la porcin npn del dispositivo.

la resistencia puerta-ctodo (RGK) determine la sensibilidad a la luz y a su vez influye en los efectos de
temperatura, respuesta en frecuencia y dv/dt. Aumentando RGK aumenta la sensibilidad a la luz y a la
temperatura
Tiristores de Rectificadores Controlados por Silicio Activados por Luz (LASCR)

La especificacin de voltaje de un LASCR puede llegar tan alto como 4 kv a 1500 A, con una potencia de
disparo luminoso de menos de 100mw.
El di/dt tpico es 250 A/ms y el dv/dt puede ser tan alto como 2000v/ms.
La frecuencia de conmutacin es de hasta 2kHz, estos tiristores normalmente disponen de conexiones
especiales para ser disparados con fibra ptica.
Un LASCR ofrece total aislamiento elctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutacin
de un convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos cientos de kilovoltios.

Aplicaciones

Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente por ejemplo, transmisin de cd de alto voltaje
(HVDC) y compensacin de potencia reactiva esttica o de volt-amperes reactivos (VAR). Un LASCR ofrece
total aislamiento elctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutacin de un
convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos cientos de kilovoltios.
Tiristor bloqueable
Tambin llamado:
GTO(gate turn-off switch)
GCS( gate controlled switch)
GCO(gate current gain)

El disparo es clsico como el de un tiristor normal, para bloquearlo se necesita una corriente negativa
por la puerta.

El disparo se realiza mediante una VGK >0.


El bloqueo se realiza con una VGK < 0.
El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia.
funcionamiento
APLICACIONES
Electrodomsticos
Iluminacin
Calentadores
Control de temperatura
Activacin de alarmas
Velocidad de ventiladores.
Herramientas elctricas
Velocidad motores
Cargadores de bateras
Equipos para exteriores
Encendido de motores de gas
Pantallas electrnicas
REFERENCIAS

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