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Diodo Zener
Historia

Clarence Melvin Zener

 DIODOS ZENER

La regin Zener de la figura 1.45 se analiz con algn

detalle en la seccin 1.6. La caracterstica cae casi
verticalmente con un potencial de polarizacin en inversa
denotado VZ. El hecho de que la curva caiga y se aleje del
eje horizontal en vez de elevarse y alejarse en la regin de
VD positivo, revela que la corriente en la regin Zener
tiene una direccin opuesta a la de un diodo polarizado en
directa. La ligera pendiente de la curva en la regin Zener
revela que existe un nivel de resistencia que tiene que ser
asociado al diodo Zener en el modo de conduccin.
 Esta regin de caractersticas nicas se emplea en el diseo de diodos
Zener, cuyo smbolo grfico
aparece en la figura 1.46a. El diodo semiconductor y el diodo Zener se
presentan uno al lado
del otro en la figura 1.46 para asegurarse de que la direccin de
conduccin de cada uno se entienda
con claridad junto con la polaridad requerida del voltaje aplicado. En el
caso del diodo semiconductor
el estado encendido soportar una corriente en la direccin de la
flecha del smbolo.
Para el diodo Zener la direccin de conduccin es opuesta a la de la
flecha del smbolo, como se
seal en la introduccin de esta seccin. Observe tambin que la
polaridad de VD y VZ es la misma
que se obtendra si cada uno fuera un elemento resistivo como se
muestra en la figura 1.46c.
 La ubicacin de la regin Zener se controla variando
los niveles de dopado. Un incremento del dopado que
aumenta la cantidad de impurezas agregadas reducir
el potencial Zener. Estn disponibles diodos Zener con
potenciales de 1.8 V a 200 V y coeficientes de
potencia de 1/4W a 50 W. Por sus excelentes
capacidades de corriente y temperatura, el silicio es el
material preferido en la fabricacin de diodos Zener.
Sera fantstico suponer que el diodo Zener es ideal
con una lnea vertical recta en el potencial
Zener. Sin embargo, hay una ligera inclinacin de las
caractersticas que requieren el modelo por
segmentos que aparece en la figura 1.47 de esa
regin. En la mayora de las aplicaciones que
aparecen en este texto el elemento resistivo en
serie puede ser ignorado y se emplea el modelo
equivalente reducido de slo una batera de cd de
VZ volts. Como algunas aplicaciones de los
diodos Zener oscilan entre la regin Zener y la
regin de polarizacin en directa, es importante
entender la operacin del diodo Zener en todas las regiones.
Como se muestra en la figura 1.47,
el modelo equivalente de un diodo Zener en la regin de
polarizacin en inversa por debajo de
VZ es un resistor muy grande (como en el caso del diodo
estndar). Para la mayora de las aplicaciones
esta resistencia en tan grande que puede ser ignorada y se
emplea el equivalente de circuito
abierto. Para la regin de polarizacin en directa el
equivalente por segmentos es el que se
describi en secciones anteriores.
 La hoja de especificaciones de un diodo Zener de 10 V, 500 mW
al 20% se da como la tabla 1.7, y en la figura 1.48 se da una
grfica de los parmetros importantes. El trmino nominal
utilizado en la especificacin del voltaje Zener slo indica que es
un valor promedio tpico. Como
ste es un diodo al 20%, se puede esperar que el potencial Zener
de la unidad que se elija de un
lote (un trmino utilizado para decribir un paquete de diodos)
vare 10 V 20% de 8 V a 12
V. Tambin estn disponibles diodos al 10% y 50%. La corriente
de prueba IZT es la corriente definida
por 1/4-del nivel de potencia. La corriente es la que definir la
resistencia dinmica ZZT y
aparece en la ecuacin general del coeficiente de potencia del
dispositivo. Es decir,
 valor que concuerda con el de 500 mW que aparece arriba. Para este
dispositivo la resistencia dinmica es de 8.5 W, la que por lo general es
suficientemente pequea para omitirla en la mayora de las aplicaciones. La
impedancia de rodilla mxima se define en el centro de la rodilla a una
corriente de IZK 0.25 mA. Observe que en todo lo anterior la letra T se
utiliza en subndices para indicar valores de prueba y la letra K para indicar
valores de rodilla. Con cualquier nivel de corriente por debajo de 0.25 mA,
la resistencia slo se incrementar en la regin de polarizacin en inversa. El
valor de rodilla revela cuando el diodo comienza a mostrar elementos de
resistencia en serie muy alta que no se pueden ignorar en una aplicacin.
Ciertamente, 500 0.5 kW puede ser un nivel que puede entrar en juego.
Con un voltaje de polarizacin en inversa la aplicacin de un voltaje de
prueba de 7.2 V produce una corriente de saturacin en inversa de 10 mA;
un nivel que podra ser de inters en algunas aplicaciones. La corriente del
regulador mxima es la corriente continua mxima que se deseara tener
con el uso del diodo Zener en una configuracin de regulador. Por ltimo,
tenemos el coeficiente de temperatura (TC) en porcentaje por
grado centgrado.
El potencial Zener de un diodo Zener es muy sensible a la temperatura de
operacin.
Se puede utilizar el coeficiente de temperatura para determinar el cambio
del potencial Zener debido a un cambio de temperatura por medio de la
siguiente ecuacin:

donde T1 es el nuevo nivel de temperatura

T0 es la temperatura ambiente en un gabinete cerrado (25C)
TC es el coeficiente de temperatura
y VZ es el potencial Zener nominal a 25C
Aplicaciones

Principalmente las aplicaciones ms frecuentes son:

Diodo Zener Como Regulador de Voltaje.

Diodo Zener Como Elemento de Proteccin del
Circuito.
Diodo Zener como limitador de voltaje
1. Diodo Zener como Regulador de Voltaje
2. Diodo Zener Como Elemento de Proteccin del
Circuito

La diferencia reside en que antes buscabas que

el voltaje no variase. En esta ocasin dejas que
el voltaje vare pero siempre sin superar un
determinado umbral.
 Diodo Zener como limitador de voltaje

El diodo zener se puede utilizar para regular unafuente

de voltaje.
Iz = Corriente que pasa por el diodo Zener
Pz = Potencia del diodo zener (dato del fabricante)
Vz = Voltaje del diodo zener (dato del fabricante)
 Fuentes consultadas
Clarence Zener, 87, renowned CMU
physicist, Pittsburgh Post-Gazette, July 4, 1993.
A history of engineering and science in the Bell
System: Electronics technology (1925-1975),
Holmdel, N.J., 1985, pp. 25-26.
ROBERT L.BOYLESTAD LOUIS NASHELSKY