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3 DISPOSITIVOS ACTIVOS
Es un componente electrnico capaz de excitar los circuitos o de realizar
ganancias o control del mismo. Son, en general, los generadores
elctricos y ciertos componentes semiconductores (estos tienen un
comportamiento no lineal, o sea, la relacin entre la tensin aplicada y la
corriente demandada no es lineal).
1.3.1 CARACTERSTICAS DE
SEMICONDUCTORES
Un semiconductor es un elemento con propiedades elctricas entre las de
un conductor y un aislante.
Son materiales que ocupan una oposicin intermedia entre los aislantes y
los conductores.
Los primeros poseen muy pocas cargas mviles y, en consecuencia,
presentan una resistencia muy alta al paso de la corriente (idealmente una
resistencia infinita).
La resistencia elctrica que presentan los segundos es muy baja
(idealmente cero) debido a su riqueza en dichas cargas.
Los semiconductores suelen ser aislantes a cero grados Kelvin, y permiten
el paso de corriente a la temperatura ambiente. Cuando un semiconductor
posee impurezas se dice que est dopado.
Son elementos, como el germanio y el silicio, que a bajas
temperaturas son aislantes. Pero a medida que se eleva la
temperatura o bien por la adiccin de determinadas impurezas
resulta posible su conduccin. Su importancia en electrnica es
inmensa en la fabricacin de transistores, circuitos integrados,
etc.
1.3.1.1 ESTRUCTURA ELCTRICA DEL
SILICIO
El tomo de silicio posee catorce electrones. De stos, los cuatro ms
alejados del ncleo son los electrones de valencia que participan en los
enlaces con otros tomos. El silicio es, por tanto, un tomo tetravalente.
1.3.1.2 ESTRUCTURA ELCTRICA DEL
GERMANIO
El germanio pertenece a la misma familia qumica que el carbono, el silicio y el plomo; se parece a
estos elementos en que todos ellos forman derivados orgnicos como el tetraetilo de germanio y el
tetrafenilo de germanio.
Se encuentra en pequeas cantidades en yacimientos de plata, cobre y cinc, as como en el mineral
germanita, que contiene un 8% de germanio. El elemento y sus compuestos tienen numerosas
aplicaciones. Los cristales de germanio convenientemente tratados tienen la propiedad de rectificar
o permitir el paso de la corriente elctrica en un solo sentido.
1.3.1.3 MATERIALES TIPO N
PORTA
EMISOR
CARGA
SEPARA
BASE
E&C
COLECTOR
NPN
Es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N"
y "P" son portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes
regiones del transistor. La mayora son usados hoy en da son NPN, debido a
que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en
los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de
operacin.
PNP
Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor
conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga
elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una
corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho
mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.
TIRISTORES
Son una familia de dispositivos semiconductores de cuatro capas (pnpn),
que se utilizan para controlar grandes cantidades de corriente mediante
circuitos electrnicos de bajo consumo de potencia.
SCR
SCS
DIAC
TRIAC
SCR (SILICON CONTROLLED
RECTIFIER)
Es un dispositivo de cuatro capas de posee tres terminales: nodo, ctodo
y puerta (gate). Presenta dos estados de operacin: abierto y cerrado,
como si se tratase de un interruptor.
AMPLIFICADORES
CONMUTADORES
FUENTES DE VOLTAJE
Amplificadores