ESTRUCTURA Y

ARREGLO CRISTALINO,
IMPERFECCIONES Y
DIFUCION
Estructura Cristalina
La primera clasificacin que se puede
hacer de materiales en estado slido,
es en funcin de cmo es la disposicin
de los tomos o iones que lo forman. Si
estos tomos o iones se colocan
ordenadamente siguiendo un modelo
que se repite en las tres direcciones del
espacio, se dice que el material es
cristalino. Si los tomos o iones se
disponen de un modo totalmente
aleatorio, sin seguir ningn tipo de
secuencia de ordenamiento, estaramos
ante un material no cristalino amorfo.
Estructura cristalina de los
materiales
Los materiales slidos se pueden clasificar de
acuerdo a la regularidad con que los tomos o iones
estn ordenados uno con respecto al otro. Un
material cristalino es aquel en que los tomos se
encuentran situados en un arreglo repetitivo o
peridico dentro de grandes distancias atmicas; tal
como las estructuras solidificadas, los tomos se
posicionarn de una manera repetitiva
tridimensional en el cual cada tomo est enlazado
al tomo vecino ms cercano. Todos los metales,
muchos cermicos y algunos polmeros forman
estructuras cristalinas bajo condiciones normales de
solidificacin.
Celda Unitaria
Es el agrupamiento ms pequeo de tomos
que conserva la geometra de la estructura
cristalina, y que al apilarse en unidades
repetitivas forma un cristal con dicha estructura.

La estructura cristalina de un slido depende

del tipo de enlace atmico, del tamao de los
tomos (o iones), y la carga elctrica de los
iones en su caso).
 Existen siete sistemas cristalinos
los cuales se distinguen entre s
por la longitud de sus aristas de
la celda (llamados constantes o
parmetros de la celda) y los
ngulos entre los bordes de
sta. Estos sistemas son:
cbico, tetragonal, ortorrmbico,
rombodrica (o trigonal),
hexagonal, monoclnico y
triclnico.
Celdas cbicas
Celdas tetragonales
Celdas ortorrmbicas
Rombodrica
Monociclico
Tricclico
Hexgonal
Imperfecciones
Nada en nuestro mundo no es tan perfecto, no
existe un material real en ingeniera que no
tenga por lo menos unos pocos defectos
estructurales, incluso en la perfeccin cristalina
estos defectos estructurales estn presentes,
algunos en mayor cantidad que otros. Los
defectos primordiales en los materiales de
ingeniera son: la imperfeccin qumica,
defectos puntuales, defectos lineales y defectos
planares.
Imperfeccin quimica.
No existe un material solido que sea
preparado sin contener contaminacion, es
decir ningun material puede ser preparado
sin tener algun grado de impurezas, los
atomos o iones que componen a las
impurezas alteran la regularidad estructural
del material puro ideal. La contaminacion
normal de una sustancia solida (como el
caso de un cristal) con impurezas se le
conoce como imperfeccion quimica.
Defectos puntuales.
(Imperfeccion cerodimencional)
Son defectos que se presentan estructuralmente a nivel
atomico en sistemas cristalinos reales. Existen dos tipos
de defectos puntuales: vacante y intersticial.
La vacante es un sitio desocupado por atomo dentro de la
estructura del cristal.
El intersticial es un atomo extra insertado en la estructura
ideal del cristal haciendo que dos atomos ocupen un
lugar cercano al de uno solo en la estructura perfecta del
cristal. Los defectos puntuales ocurren ocurren como
resultado de la vibracion termica de toda la estructura
atomica del cristal. Al aumentar la temperatura aumenta
la intensidad de esta vibraciony se incrementa la
probabilidad de desorganizacion estructural.
Defectos Lineales o
dislocaciones.
(imperfeccion
unidimimencional).
La red cristalina se distorsiona alrededor de
una linea. Las imperfecciones
unidimensionales estan asociadas con
deformaciones mecanicas. El defecto lineal
generalmente es designado con una T
invertida. Las dislocaciones pueden ser de
tipo helicoidal (de tornillo) o de borde, asi
como combinaciones mixtas de ambas. Se
cuantifican por medio del vector de burgers b
que indica la presencia de una dislocacion en
el cristal.
 Dislocacion de Borde: Se genera por la insercion de un
semiplano adicional de atomos. La distancia de
desplazamiento de los atomos alrededor de una
dislocacion se denomina vector b de deslizamiento o
de Burgers y es perpendicular a la linea de dislocacion.

Dislocacin de tornillo: Se genera en un plano que se

somete a un esfuerzo de corte. Se provoca un
desplazamiento que genera una superficie de un plano
en forma de espiral semejante al movimiento de un
tornillo.

Dato: Las dislocaciones en algunos materiales hacen

que el material se ablande y mientras ms se vaya
usando el material se hace mas blando.
Defectos planares
Tambin se les conoce como bordes de grano.
son imperfecciones en la superficie que separan
los granos (cristales) de diferentes orientaciones
en materiales policristalinos. Es una regin de
tomos mal distribuidos entre granos adyacentes.
En los metales los lmites de grano se crean
durante la solidificacin cuando los cristales
formados a partir de diferentes ncleos crecen
simultneamente y se encuentran unos con otros.
El borde de grano es una regin estrecha. El
empaquetamiento atmico de los bordes de grano
es algo menor que dentro de los granos.
DIFUSIN EN
SLIDOS
La difusin puede ser definida como el
mecanismo por el cual la materia es transportada
por la materia.

MECANISMOS DE DIFUSIN
Existen dos mecanismos principales de difusin
en los tomos en una estructura cristalina:
mecanismo de vacantes o sustitucional, y el
mecanismo intersticial.
Mecanismo de difusin
por vacantes o
sustitucional
Los tomos pueden moverse en las redes cristalinas desde
una posicin a otra si hay presente suficiente energa de
activacin, proporcionada sta por la vibracin trmica de
los tomos, y si hay vacantes u otros defectos cristalinos
en la estructura para que ellos los ocupen. Las vacantes en
los metales son defectos en equilibrio, y por ello algunos
estn siempre presentes para facilitar que tenga lugar la
difusin sustitucional de los tomos. Segn va aumentando
la temperatura del metal se producirn ms vacantes y
habr ms energa trmica disponible, por tanto, el grado
de difusin es mayor a temperaturas ms altas.
La energa de activacin para la difusin propia es igual a
la suma de la energa de activacin necesaria para formar
la vacante y la energa de activacin necesaria para
moverla.
Mecanismo de difusin
intersticial
La difusin intersticial de los tomos en redes
cristalinas tiene lugar cuando los tomos se
trasladan de un intersticio a otro contiguo al
primero sin desplazar permanentemente a
ninguno de los tomos de la matriz de la red
cristalina. Para que el mecanismo intersticial sea
efectivo, el tamao de los tomos que se difunde
debe ser relativamente pequeo comparado con el
de los tomos de la matriz. Los tomos pequeos
como los de hidrgeno, carbono, oxgeno y
nitrgeno, pueden difundirse intersticialmente en
algunas redes cristalinas metlicas.